JP2013044941A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Masato Kasei
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device with high reliability.SOLUTION: The liquid crystal display device comprises: a first substrate AR including a plurality of pixel electrodes PE arranged in a matrix shape, gate wiring G extending along a row in which the pixel electrodes PE are arrayed, source wiring S extending along a column, and an electrode EB which is arranged on the same layer as the pixel electrode PE and is supplied with potential applied to the gage wiring G in the surrounding region of a region ACT where the plurality of pixel electrodes PE are arranged; a second substrate CT which includes a common electrode CE facing the region ACT where the plurality of pixel electrodes PE are arranged and the surrounding region and is arranged facing the first substrate AR; and a liquid crystal layer LQ held between the first substrate AR and the second substrate CT. The common electrode CE includes an electrode removal section CEA in a portion facing an end of at least the electrode EB.

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a liquid crystal display device.

近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、IPS(In-Plane Switching)モードやFFS(Fringe Field Switching)モードなどの横電界(フリンジ電界も含む)を利用した構造が注目されている。このような横電界モードの液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と共通電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。   2. Description of the Related Art In recent years, flat display devices have been actively developed. In particular, liquid crystal display devices have attracted particular attention because of their advantages such as light weight, thinness, and low power consumption. In particular, an active matrix liquid crystal display device in which a switching element is incorporated in each pixel has a structure using a lateral electric field (including a fringe electric field) such as an IPS (In-Plane Switching) mode or an FFS (Fringe Field Switching) mode. Attention has been paid. Such a horizontal electric field mode liquid crystal display device includes a pixel electrode and a common electrode formed on an array substrate, and switches liquid crystal molecules with a horizontal electric field substantially parallel to the main surface of the array substrate.

一方で、アレイ基板に形成された画素電極と、対向基板に形成された共通電極との間に、横電界あるいは斜め電界を形成し、液晶分子をスイッチングする技術も提案されている。   On the other hand, a technique for switching liquid crystal molecules by forming a lateral electric field or an oblique electric field between a pixel electrode formed on an array substrate and a common electrode formed on a counter substrate has been proposed.

特開2009−104133号公報JP 2009-104133 A 特開2009−192822号公報JP 2009-192822 A

液晶表示装置を高温多湿の環境において長時間継続して使用した場合、アクティブエリアの周囲の領域における電極や配線の腐食が発生することがあった。アクティブエリアの周囲に配置された電極や配線が腐食すると、電極や配線を含む回路の機能が低下して信頼性が低下し、さらに駆動回路やアクティブエリアへ腐食が進むと、表示品位の低下につながる可能性があった。   When the liquid crystal display device is used continuously for a long time in a high-temperature and high-humidity environment, corrosion of electrodes and wirings in the area around the active area may occur. If the electrodes and wiring arranged around the active area corrode, the function of the circuit including the electrode and wiring deteriorates and the reliability deteriorates.If corrosion further progresses to the drive circuit and the active area, the display quality deteriorates. There was a possibility of connection.

本発明が解決しようとする課題は、信頼性の高い液晶表示装置を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a highly reliable liquid crystal display device.

実施形態によれば、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極が配列する行に沿って延びるゲート配線と、列に沿って延びるソース配線と、前記複数の画素電極が配置された領域の周囲の領域において前記画素電極と同層に配置され前記ゲート配線に印加されるト電位が供給される電極と、を備えた第1基板と、前記複数の画素電極が配置された領域および前記周囲の領域と対向した共通電極を備え前記第1基板と対向して配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、を備え、前記共通電極は、少なくとも前記電極の端部と対向する部分に電極除去部を備える液晶表示装置が提供される。   According to the embodiment, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a gate wiring extending along a row in which the pixel electrodes are arranged, a source wiring extending along a column, and the plurality of pixel electrodes are arranged. A region in which a plurality of pixel electrodes are disposed, and a first substrate including an electrode disposed in the same layer as the pixel electrode and supplied with a potential applied to the gate wiring in a region around the region And a second substrate provided with a common electrode facing the surrounding region, and disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate. In the liquid crystal display device, the common electrode includes an electrode removal portion at least in a portion facing an end portion of the electrode.

図1は、本実施形態における液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display device according to the present embodiment. 図2は、図1に示した液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing a structure example of one pixel when the liquid crystal display panel shown in FIG. 1 is viewed from the counter substrate side. 図3は、図2に示した液晶表示パネルを線III−IIIで切断したときの断面構造の一例を概略的に示す断面図である。3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a cross-sectional structure when the liquid crystal display panel shown in FIG. 2 is cut along line III-III. 図4は、図1に示した液晶表示パネルのアクティブエリア周辺に配置された静電気防止回路の一構成例を概略的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration example of an antistatic circuit arranged around the active area of the liquid crystal display panel shown in FIG. 図5は、図4に示した静電気防止回路のコンタクト電極が配置された位置で切断したときの液晶表示パネルの断面構造の比較例を概略的に示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing a comparative example of the cross-sectional structure of the liquid crystal display panel when cut at the position where the contact electrode of the antistatic circuit shown in FIG. 4 is arranged. 図6は、図4に示した静電気防止回路のコンタクト電極が配置された位置で切断したときの液晶表示パネルの断面構造の比較例を概略的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically showing a comparative example of the cross-sectional structure of the liquid crystal display panel when cut at the position where the contact electrode of the antistatic circuit shown in FIG. 4 is arranged. 図7は、図4に示した静電気防止回路のコンタクト電極が配置された位置で切断したときの液晶表示パネルの断面構造の一実施形態を概略的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing an embodiment of a cross-sectional structure of the liquid crystal display panel when cut at a position where the contact electrode of the antistatic circuit shown in FIG. 4 is arranged. 図8は、実施形態の液晶表示装置の共通電極の一構成例を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a configuration example of the common electrode of the liquid crystal display device according to the embodiment. 図9は、図4に示した静電気防止回路のコンタクト電極が配置された位置で切断したときの液晶表示パネルの断面構造の一実施形態を概略的に示す図である。FIG. 9 is a diagram schematically showing an embodiment of a cross-sectional structure of the liquid crystal display panel when cut at a position where the contact electrode of the antistatic circuit shown in FIG. 4 is arranged. 図10は、実施形態の液晶表示装置の共通電極の他の構成例を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining another configuration example of the common electrode of the liquid crystal display device of the embodiment. 図11は、実施形態の液晶表示装置の共通電極の他の構成例を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining another configuration example of the common electrode of the liquid crystal display device of the embodiment.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図1は、本実施形態における液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display device according to the present embodiment.

すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている(但し、m及びnは正の整数である)。   That is, the liquid crystal display device includes an active matrix type liquid crystal display panel LPN. The liquid crystal display panel LPN is held between the array substrate AR, which is the first substrate, the counter substrate CT, which is the second substrate disposed to face the array substrate AR, and the array substrate AR and the counter substrate CT. Liquid crystal layer LQ. Such a liquid crystal display panel LPN includes an active area ACT for displaying an image. This active area ACT is composed of a plurality of pixels PX arranged in an m × n matrix (where m and n are positive integers).

液晶表示パネルLPNは、アクティブエリアACTにおいて、n本のゲート配線G(G1〜Gn)、n本の補助容量線C(C1〜Cn)、m本のソース配線S(S1〜Sm)などを備えている。ゲート配線G及び補助容量線Cは、例えば、第1方向Xに沿って略直線的に延出している。これらのゲート配線G及び補助容量線Cは、第1方向Xに交差する第2方向Yに沿って交互に並列配置されている。ここでは、第1方向Xと第2方向Yとは互いに略直交している。ソース配線Sは、ゲート配線G及び補助容量線Cと交差している。ソース配線Sは、第2方向Yに沿って略直線的に延出している。なお、ゲート配線G、補助容量線C、及び、ソース配線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。   In the active area ACT, the liquid crystal display panel LPN includes n gate lines G (G1 to Gn), n auxiliary capacitance lines C (C1 to Cn), m source lines S (S1 to Sm), and the like. ing. For example, the gate line G and the auxiliary capacitance line C extend substantially linearly along the first direction X. These gate lines G and storage capacitor lines C are alternately arranged in parallel along a second direction Y that intersects the first direction X. Here, the first direction X and the second direction Y are substantially orthogonal to each other. The source line S intersects with the gate line G and the auxiliary capacitance line C. The source line S extends substantially linearly along the second direction Y. Note that the gate wiring G, the auxiliary capacitance line C, and the source wiring S do not necessarily extend linearly, and some of them may be bent.

各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ゲートドライバGDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ソースドライバSDに接続されている。これらのゲートドライバGD及びソースドライバSDの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ARに形成され、コントローラを内蔵した駆動ICチップ2と接続されている。   Each gate line G is drawn outside the active area ACT and connected to the gate driver GD. Each source line S is drawn outside the active area ACT and connected to the source driver SD. At least a part of the gate driver GD and the source driver SD is formed on, for example, the array substrate AR, and is connected to the driving IC chip 2 with a built-in controller.

各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CEなどを備えている。保持容量Csは、例えば補助容量線Cと画素電極PEとの間に形成される。補助容量線Cは、補助容量電圧が印加される電圧印加部VCSと電気的に接続されている。   Each pixel PX includes a switching element SW, a pixel electrode PE, a common electrode CE, and the like. The storage capacitor Cs is formed, for example, between the storage capacitor line C and the pixel electrode PE. The auxiliary capacitance line C is electrically connected to a voltage application unit VCS to which an auxiliary capacitance voltage is applied.

なお、本実施形態においては、液晶表示パネルLPNは、画素電極PEがアレイ基板ARに形成される一方で共通電極CEの少なくとも一部が対向基板CTに形成された構成であり、これらの画素電極PEと共通電極CEとの間に形成される電界を主に利用して液晶層LQの液晶分子をスイッチングする。画素電極PEと共通電極CEとの間に形成される電界は、第1方向Xと第2方向Yとで規定されるX−Y平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界(あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界)である。   In the present embodiment, the liquid crystal display panel LPN has a configuration in which the pixel electrode PE is formed on the array substrate AR while at least a part of the common electrode CE is formed on the counter substrate CT. The liquid crystal molecules in the liquid crystal layer LQ are switched mainly using an electric field formed between the PE and the common electrode CE. The electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE is an oblique electric field (or slightly inclined with respect to the XY plane or the substrate main surface defined by the first direction X and the second direction Y) (or , A transverse electric field substantially parallel to the main surface of the substrate).

スイッチング素子SWは、例えば、nチャネル薄膜トランジスタ(TFT)によって構成されている。このスイッチング素子SWは、ゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子SWの半導体層は、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコンによって形成されていても良い。   The switching element SW is constituted by, for example, an n-channel thin film transistor (TFT). The switching element SW is electrically connected to the gate line G and the source line S. Such a switching element SW may be either a top gate type or a bottom gate type. In addition, the semiconductor layer of the switching element SW is formed of, for example, amorphous silicon, but may be formed of polysilicon.

画素電極PEは、各画素PXに配置され、スイッチング素子SWに電気的に接続されている。共通電極CEは、液晶層LQを介して複数の画素PXの画素電極PEに対して共通に配置されている。このような画素電極PE及び共通電極CEは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されているが、アルミニウム、銀、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタンなどの他の金属材料及びそれらの合金によって形成されても良い。   The pixel electrode PE is disposed in each pixel PX and is electrically connected to the switching element SW. The common electrode CE is disposed in common to the pixel electrodes PE of the plurality of pixels PX via the liquid crystal layer LQ. The pixel electrode PE and the common electrode CE are formed of a light-transmitting conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). , Molybdenum, aluminum, tungsten, titanium, and other metal materials and alloys thereof.

アレイ基板ARは、アクティブエリアACTの周囲の領域において、ゲートドライバGD及びソースドライバSDとアクティブエリアACTとの間の領域Aに、後述する静電気防止回路100が配置されている。静電気防止回路100は、シール材SBよりも内側に配置されている。   In the array substrate AR, in a region around the active area ACT, an antistatic circuit 100 described later is arranged in a region A between the gate driver GD and the source driver SD and the active area ACT. The antistatic circuit 100 is disposed inside the sealing material SB.

また、アレイ基板ARは、アクティブエリアACTの周囲の領域において、アクティブエリアACTを囲むように配置されたコモン配線COMを備えている。コモン配線COMの両端は接続パッドに接続されている。コモン配線COMには、接続パッドを介して外部から共通電圧が供給される。   In addition, the array substrate AR includes a common wiring COM arranged so as to surround the active area ACT in a region around the active area ACT. Both ends of the common wiring COM are connected to connection pads. A common voltage is supplied to the common wiring line COM from the outside via a connection pad.

共通電極CEは、アクティブエリアACTにおいてアレイ基板ARと対向するように略一様に延び、導電部材TRを介して、アレイ基板ARのコモン配線COMと電気的に接続されている。   The common electrode CE extends substantially uniformly so as to face the array substrate AR in the active area ACT, and is electrically connected to the common wiring COM of the array substrate AR via the conductive member TR.

図2は、図1に示した液晶表示パネルLPNを対向基板側から見たときの一画素PXの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、X−Y平面における平面図を示している。なお、図2では、共通電極CEおよび画素電極PE以外の構成は省略し、共通電極CEと画素電極PEとの位置関係の一例を示している。   FIG. 2 is a plan view schematically showing a structural example of one pixel PX when the liquid crystal display panel LPN shown in FIG. 1 is viewed from the counter substrate side. Here, a plan view in the XY plane is shown. In FIG. 2, configurations other than the common electrode CE and the pixel electrode PE are omitted, and an example of the positional relationship between the common electrode CE and the pixel electrode PE is shown.

図示した画素PXは、破線で示したように、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い長方形状である。共通電極CEは第2方向に延びている。画素電極PEは、隣接する共通電極CEの間に配置されている。   The illustrated pixel PX has a rectangular shape whose length along the first direction X is shorter than the length along the second direction Y, as indicated by a broken line. The common electrode CE extends in the second direction. The pixel electrode PE is disposed between the adjacent common electrodes CE.

画素電極PEは、互いに電気的に接続された主画素電極PA及びコンタクト部PCを備えている。主画素電極PAは、コンタクト部PCから画素PXの上側端部付近及び下側端部付近まで第2方向Yに沿って直線的に延出している。このような主画素電極PAは、第1方向Xに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部PCは、コンタクトホールCHを介してスイッチング素子SWと電気的に接続されている。このコンタクト部PCは、主画素電極PAよりも幅広に形成されている。   The pixel electrode PE includes a main pixel electrode PA and a contact portion PC that are electrically connected to each other. The main pixel electrode PA extends linearly along the second direction Y from the contact portion PC to the vicinity of the upper end portion and the vicinity of the lower end portion of the pixel PX. Such a main pixel electrode PA is formed in a strip shape having substantially the same width along the first direction X. The contact portion PC is electrically connected to the switching element SW through the contact hole CH. The contact portion PC is formed wider than the main pixel electrode PA.

共通電極CEは、X−Y平面内において、主画素電極PAを挟んだ両側で主画素電極PAと略平行な第2方向Yに沿って直線的に延出した主共通電極CAを備えている。あるいは、主共通電極CAは、ソース配線Sとそれぞれ対向するとともに主画素電極PAと略平行に延出していてもよい。このような主共通電極CAは、第1方向Xに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。   The common electrode CE includes a main common electrode CA linearly extending along a second direction Y substantially parallel to the main pixel electrode PA on both sides of the main pixel electrode PA in the XY plane. . Alternatively, the main common electrode CA may be opposed to the source line S and may extend substantially parallel to the main pixel electrode PA. The main common electrode CA is formed in a strip shape having substantially the same width along the first direction X.

図示した例では、主共通電極CAは第1方向Xに沿って2本平行に並んでおり、画素PXの左右両端部にそれぞれ配置されている。これらの主共通電極CAは、アクティブエリアACT内あるいはアクティブエリアACT外において互いに電気的に接続されている。すなわち、共通電極CEは、アクティブエリアACTにおいて第2方向Yに延びる主共通電極CAが所定の間隔をおいて第1方向Xに並んで配置されたストライプ形状である。   In the illustrated example, two main common electrodes CA are arranged in parallel along the first direction X, and are disposed at both left and right ends of the pixel PX, respectively. These main common electrodes CA are electrically connected to each other in the active area ACT or outside the active area ACT. That is, the common electrode CE has a stripe shape in which the main common electrodes CA extending in the second direction Y in the active area ACT are arranged in the first direction X at a predetermined interval.

画素電極PEと主共通電極CAとの位置関係に着目すると、画素電極PEと主共通電極CAとは、第1方向Xに沿って交互に配置されている。これらの画素電極PEと主共通電極CAとは、互いに略平行に配置されている。このとき、X−Y平面内において、主共通電極CAのいずれも画素電極PEとは重ならない。   Focusing on the positional relationship between the pixel electrode PE and the main common electrode CA, the pixel electrode PE and the main common electrode CA are alternately arranged along the first direction X. The pixel electrode PE and the main common electrode CA are arranged substantially parallel to each other. At this time, none of the main common electrodes CA overlaps the pixel electrode PE in the XY plane.

すなわち、隣接する主共通電極CAの間には、1本の画素電極PEが位置している。換言すると、隣接する主共通電極CAは、画素電極PEの直上の位置を挟んだ両側に配置されている。あるいは、画素電極PEは、主共通電極CAの間に配置されている。これらの画素電極PEと共通電極CEとの第1方向Xに沿った間隔は略一定である。   That is, one pixel electrode PE is located between adjacent main common electrodes CA. In other words, the adjacent main common electrodes CA are arranged on both sides of the position immediately above the pixel electrode PE. Alternatively, the pixel electrode PE is disposed between the main common electrodes CA. The spacing along the first direction X between the pixel electrode PE and the common electrode CE is substantially constant.

図3は、図2に示した液晶表示パネルLPNを線III−IIIで切断したときの断面構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。また、この例では主共通電極CAは信号線Sと対向するように配置されている。   FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a cross-sectional structure when the liquid crystal display panel LPN shown in FIG. 2 is cut along line III-III. Here, only parts necessary for the description are shown. In this example, the main common electrode CA is disposed so as to face the signal line S.

液晶表示パネルLPNを構成するアレイ基板ARの背面側には、バックライト4が配置されている。バックライト4としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード(LED)を利用したものや冷陰極管(CCFL)を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。   A backlight 4 is disposed on the back side of the array substrate AR constituting the liquid crystal display panel LPN. As the backlight 4, various forms are applicable, and any of those using a light emitting diode (LED) or a cold cathode tube (CCFL) as a light source can be applied. The description of the structure is omitted.

アレイ基板ARは、光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。ソース配線Sは、第1層間絶縁膜11の上に形成され、第2層間絶縁膜12および平坦化膜13によって覆われている。なお、図示しないゲート配線や補助容量線は、例えば、第1絶縁基板10と第1層間絶縁膜11の間に配置されている。画素電極PEは、平坦化膜13の上に形成されている。この画素電極PEは、隣接するソース配線Sのそれぞれの直上の位置よりもそれらの内側に位置している。なお、平坦化膜13はアクティブエリアACTに配置され、アクティブエリアACTの周囲の領域においては除去されている。   The array substrate AR is formed using a first insulating substrate 10 having light transparency. The source wiring S is formed on the first interlayer insulating film 11 and is covered with the second interlayer insulating film 12 and the planarizing film 13. Note that gate wirings and auxiliary capacitance lines (not shown) are disposed between the first insulating substrate 10 and the first interlayer insulating film 11, for example. The pixel electrode PE is formed on the planarization film 13. The pixel electrode PE is located inside the adjacent source line S rather than the position immediately above each of the adjacent source lines S. The planarizing film 13 is disposed in the active area ACT, and is removed in the region around the active area ACT.

第1配向膜AL1は、アレイ基板ARの対向基板CTと対向する面に配置され、アクティブエリアACTの略全体およびアクティブエリアACTの外部に亘って延在している。この第1配向膜AL1は、画素電極PEなどを覆っており、第2層間絶縁膜12の上にも配置されている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料によって形成されている。   The first alignment film AL1 is disposed on the surface of the array substrate AR that faces the counter substrate CT, and extends over substantially the entire active area ACT and the outside of the active area ACT. The first alignment film AL1 covers the pixel electrode PE and the like, and is also disposed on the second interlayer insulating film 12. Such a first alignment film AL1 is formed of a material exhibiting horizontal alignment.

なお、アレイ基板ARは、さらに、共通電極CEの一部を備えていても良い。   The array substrate AR may further include a part of the common electrode CE.

対向基板CTは、光透過性を有する第2絶縁基板20を用いて形成されている。この対向基板CTは、ブラックマトリクスBM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、共通電極CE、第2配向膜AL2などを備えている。   The counter substrate CT is formed by using a second insulating substrate 20 having optical transparency. The counter substrate CT includes a black matrix BM, a color filter CF, an overcoat layer OC, a common electrode CE, a second alignment film AL2, and the like.

ブラックマトリクスBMは、各画素PXを区画し、画素電極PEと対向する開口部APを形成する。すなわち、ブラックマトリクスBMは、ソース配線S、ゲート配線G、補助容量線C、スイッチング素子SWなどの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスBMは、第2方向Yに沿って延出した部分のみが図示されているが、第1方向Xに沿って延出した部分を備えていても良い。このブラックマトリクスBMは、第2絶縁基板20のアレイ基板ARに対向する内面20Aに配置されている。   The black matrix BM partitions each pixel PX and forms an opening AP that faces the pixel electrode PE. That is, the black matrix BM is disposed so as to face wiring portions such as the source wiring S, the gate wiring G, the auxiliary capacitance line C, and the switching element SW. Here, only the portion extending along the second direction Y is illustrated, but the black matrix BM may include a portion extending along the first direction X. The black matrix BM is disposed on the inner surface 20A of the second insulating substrate 20 facing the array substrate AR.

カラーフィルタCFは、各画素PXに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の内面20Aにおける開口部APに配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスBMに乗り上げている。第1方向Xに隣接する画素PXにそれぞれ配置されたカラーフィルタCFは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタCFは、赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタCFRは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタCFBは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタCFGは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタCF同士の境界は、ブラックマトリクスBMと重なる位置にある。   The color filter CF is arranged corresponding to each pixel PX. That is, the color filter CF is disposed in the opening AP in the inner surface 20A of the second insulating substrate 20, and a part of the color filter CF runs on the black matrix BM. The color filters CF arranged in the pixels PX adjacent to each other in the first direction X have different colors. For example, the color filter CF is formed of resin materials colored in three primary colors such as red, blue, and green. The red color filter CFR made of a resin material colored in red is arranged corresponding to the red pixel. The blue color filter CFB made of a resin material colored in blue is arranged corresponding to the blue pixel. The green color filter CFG made of a resin material colored in green is arranged corresponding to the green pixel. The boundary between these color filters CF is at a position overlapping the black matrix BM.

オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。このオーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの表面の凹凸の影響を緩和する。   The overcoat layer OC covers the color filter CF. This overcoat layer OC alleviates the influence of irregularities on the surface of the color filter CF.

共通電極CEは、オーバーコート層OCのアレイ基板ARと対向する側に形成されている。本実施形態では、この共通電極CEと画素電極PEとの第3方向Zに沿った間隔は略一定である。第3方向Zとは、第1方向X及び第2方向Yに直交する方向、あるいは、液晶表示パネルLPNの法線方向である。   The common electrode CE is formed on the side of the overcoat layer OC that faces the array substrate AR. In the present embodiment, the distance along the third direction Z between the common electrode CE and the pixel electrode PE is substantially constant. The third direction Z is a direction orthogonal to the first direction X and the second direction Y, or a normal direction of the liquid crystal display panel LPN.

第2配向膜AL2は、対向基板CTのアレイ基板ARと対向する面に配置され、アクティブエリアACTの略全体に亘って延在している。この第2配向膜AL2は、共通電極CE及びオーバーコート層OCなどを覆っている。このような第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料によって形成されている。   The second alignment film AL2 is disposed on the surface of the counter substrate CT facing the array substrate AR, and extends over substantially the entire active area ACT. The second alignment film AL2 covers the common electrode CE, the overcoat layer OC, and the like. Such a second alignment film AL2 is formed of a material exhibiting horizontal alignment.

上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、それぞれの第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサ(図示せず)により、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、所定のセルギャップが形成された状態で、アクティブエリアACTの外側のシール材SBによって貼り合わせられている。   The array substrate AR and the counter substrate CT as described above are arranged so that the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 face each other. At this time, between the first alignment film AL1 of the array substrate AR and the second alignment film AL2 of the counter substrate CT, for example, a columnar spacer (not shown) integrally formed on one substrate with a resin material. As a result, a predetermined cell gap is formed. The array substrate AR and the counter substrate CT are bonded to each other by a sealing material SB outside the active area ACT in a state where a predetermined cell gap is formed.

液晶層LQは、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に形成されたセルギャップに保持され、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に配置されている。このような液晶層LQは、例えば、誘電率異方性が正(ポジ型)の液晶材料によって構成されている。   The liquid crystal layer LQ is held in a cell gap formed between the array substrate AR and the counter substrate CT, and is disposed between the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2. Such a liquid crystal layer LQ is made of, for example, a liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy (positive type).

アレイ基板ARの外面、つまり、アレイ基板ARを構成する第1絶縁基板10の外面10Bには、第1光学素子OD1が接着剤などにより貼付されている。この第1光学素子OD1は、液晶表示パネルLPNのバックライト4と対向する側に位置しており、バックライト4から液晶表示パネルLPNに入射する入射光の偏光状態を制御する。   The first optical element OD1 is attached to the outer surface of the array substrate AR, that is, the outer surface 10B of the first insulating substrate 10 constituting the array substrate AR with an adhesive or the like. The first optical element OD1 is located on the side facing the backlight 4 of the liquid crystal display panel LPN, and controls the polarization state of incident light incident on the liquid crystal display panel LPN from the backlight 4.

対向基板CTの外面、つまり、対向基板CTを構成する第2絶縁基板20の外面20Bには、第2光学素子OD2が接着剤などにより貼付されている。この第2光学素子OD2は、液晶表示パネルLPNの表示面側に位置しており、液晶表示パネルLPNから出射した出射光の偏光状態を制御する。   The second optical element OD2 is attached to the outer surface of the counter substrate CT, that is, the outer surface 20B of the second insulating substrate 20 constituting the counter substrate CT with an adhesive or the like. The second optical element OD2 is located on the display surface side of the liquid crystal display panel LPN, and controls the polarization state of the outgoing light emitted from the liquid crystal display panel LPN.

次に、上記構成の液晶表示パネルLPNの動作について、図2及び図3を参照しながら説明する。   Next, the operation of the liquid crystal display panel LPN configured as described above will be described with reference to FIGS.

すなわち、液晶層LQに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差(あるいは電界)が形成されていない状態(OFF時)には、液晶層LQの液晶分子LMは、その長軸が第1配向膜AL1の第1配向処理方向及び第2配向膜AL2の第2配向処理方向を向くように配向している。このようなOFF時が初期配向状態に相当し、OFF時の液晶分子LMの配向方向が初期配向方向に相当する。   That is, in a state where no voltage is applied to the liquid crystal layer LQ, that is, in a state where no potential difference (or electric field) is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE (when OFF), the liquid crystal of the liquid crystal layer LQ The molecules LM are aligned such that their major axes are directed to the first alignment treatment direction of the first alignment film AL1 and the second alignment treatment direction of the second alignment film AL2. Such OFF time corresponds to the initial alignment state, and the alignment direction of the liquid crystal molecules LM at the OFF time corresponds to the initial alignment direction.

なお、厳密には、液晶分子LMは、X−Y平面に平行に配向しているとは限らず、プレチルトしている場合が多い。このため、ここでの液晶分子LMの初期配向方向とは、OFF時の液晶分子LMの長軸をX−Y平面に正射影した方向である。以下では、説明を簡略にするために、液晶分子LMは、X−Y平面に平行に配向しているものとし、X−Y平面と平行な面内で回転するものとして説明する。   Strictly speaking, the liquid crystal molecules LM are not always aligned parallel to the XY plane, and are often pretilted. For this reason, the initial alignment direction of the liquid crystal molecules LM here is a direction obtained by orthogonally projecting the major axis of the liquid crystal molecules LM at the time of OFF to the XY plane. Hereinafter, in order to simplify the description, it is assumed that the liquid crystal molecules LM are aligned in parallel to the XY plane and rotate in a plane parallel to the XY plane.

ここでは、第1配向処理方向及び第2配向処理方向は、ともに第2方向Yと略平行な方向である。OFF時においては、液晶分子LMは、図2に破線で示したように、その長軸が第2方向Yと略平行な方向に初期配向する。つまり、液晶分子LMの初期配向方向は、第2方向Yと平行(あるいは、第2方向Yに対して0°)である。   Here, both the first alignment treatment direction and the second alignment treatment direction are substantially parallel to the second direction Y. At the OFF time, the liquid crystal molecules LM are initially aligned in the direction in which the major axis is substantially parallel to the second direction Y, as indicated by a broken line in FIG. That is, the initial alignment direction of the liquid crystal molecules LM is parallel to the second direction Y (or 0 ° with respect to the second direction Y).

第1配向処理方向及び第2配向処理方向が平行且つ同じ向きである場合、液晶層LQの断面において、液晶分子LMは、液晶層LQの中間部付近で略水平(プレチルト角が略ゼロ)に配向し、ここを境界として第1配向膜AL1の近傍及び第2配向膜AL2の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する(スプレイ配向)。   When the first alignment treatment direction and the second alignment treatment direction are parallel and in the same direction, in the cross section of the liquid crystal layer LQ, the liquid crystal molecules LM are substantially horizontal (the pretilt angle is substantially zero) near the middle portion of the liquid crystal layer LQ. Alignment is performed with a pretilt angle that is symmetrical in the vicinity of the first alignment film AL1 and in the vicinity of the second alignment film AL2 (spray alignment).

第1配向処理方向及び第2配向処理方向が互いに平行且つ逆向きである場合、液晶層LQの断面において、液晶分子LMは、第1配向膜AL1の近傍、第2配向膜AL2の近傍、及び、液晶層LQの中間部において略均一なプレチルト角を持って配向する(ホモジニアス配向)。   When the first alignment treatment direction and the second alignment treatment direction are parallel and opposite to each other, in the cross section of the liquid crystal layer LQ, the liquid crystal molecules LM are in the vicinity of the first alignment film AL1, in the vicinity of the second alignment film AL2, and Then, the liquid crystal layer LQ is aligned with a substantially uniform pretilt angle in the intermediate portion (homogeneous alignment).

図2に示した例では、画素電極PEと左側の主共通電極CAとの間の領域内の液晶分子LMは、第2方向Yに対して時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。画素電極PEと右側の主共通電極CAとの間の領域内の液晶分子LMは、第2方向Yに対して反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。   In the example shown in FIG. 2, the liquid crystal molecules LM in the region between the pixel electrode PE and the left main common electrode CA rotate clockwise with respect to the second direction Y so as to face the lower left in the figure. Oriented to The liquid crystal molecules LM in the region between the pixel electrode PE and the right main common electrode CA rotate counterclockwise with respect to the second direction Y and are aligned so as to face the lower right in the drawing.

このように、各画素PXにおいて、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成された状態では、液晶分子LMの配向方向は、画素電極PEと重なる位置を境界として複数の方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインを形成する。つまり、一画素PXには、複数のドメインが形成される。   Thus, in each pixel PX, in a state where an electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the alignment direction of the liquid crystal molecules LM is divided into a plurality of directions with the position overlapping the pixel electrode PE as a boundary. The domains are formed in the respective orientation directions. That is, a plurality of domains are formed in one pixel PX.

図4は、図1に示した静電気防止回路100の構成の一例に対応した等価回路図である。すなわち、静電気防止回路100は、薄膜トランジスタを含んでいる。図示した例では、静電気防止回路100は、4つの薄膜トランジスタTr1乃至Tr4を含んでいる。静電気防止回路100の一端側において、薄膜トランジスタTr1のゲート電極及びソース電極、及び、薄膜トランジスタTr2のソース電極は互いに接続されている。薄膜トランジスタTr1のドレイン電極は、薄膜トランジスタTr2のゲート電極、薄膜トランジスタTr3のゲート電極、及び、薄膜トランジスタTr4のソース電極に接続されている。薄膜トランジスタTr2のドレイン電極は、薄膜トランジスタTr3のソース電極に接続されている。静電気防止回路100の他端側において、薄膜トランジスタTr3のドレイン電極、薄膜トランジスタTr4のゲート電極及びドレイン電極は互いに接続されている。   FIG. 4 is an equivalent circuit diagram corresponding to an example of the configuration of the antistatic circuit 100 shown in FIG. That is, the antistatic circuit 100 includes a thin film transistor. In the illustrated example, the antistatic circuit 100 includes four thin film transistors Tr1 to Tr4. On one end side of the static electricity prevention circuit 100, the gate electrode and the source electrode of the thin film transistor Tr1 and the source electrode of the thin film transistor Tr2 are connected to each other. The drain electrode of the thin film transistor Tr1 is connected to the gate electrode of the thin film transistor Tr2, the gate electrode of the thin film transistor Tr3, and the source electrode of the thin film transistor Tr4. The drain electrode of the thin film transistor Tr2 is connected to the source electrode of the thin film transistor Tr3. On the other end side of the antistatic circuit 100, the drain electrode of the thin film transistor Tr3 and the gate electrode and drain electrode of the thin film transistor Tr4 are connected to each other.

上記静電気防止回路100において、例えば薄膜トランジスタTr1のゲート電極とソース電極とは画素電極PEと同層に配置されたコンタクト電極により電気的に接続されている。すなわち、薄膜トランジスタTr1のゲート電極はゲート配線Gと同層に配置され例えばAlNdにより形成されている。薄膜トランジスタTr1のソース電極はソース配線と同層に配置され例えばCrにより形成されている。コンタクト電極は、薄膜トランジスタTr1のゲート電極上に配置された層間絶縁膜11、12に設けられたコンタクトホールにおいてゲート電極と電気的に接続し、ソース電極上に配置された層間絶縁膜12に設けられたコンタクトホールにおいてソース電極と電気的に接続している。コンタクト電極は画素電極PEと同層に配置され、例えばITO等の光透過性の導電材料により形成されている。   In the static electricity prevention circuit 100, for example, the gate electrode and the source electrode of the thin film transistor Tr1 are electrically connected by a contact electrode arranged in the same layer as the pixel electrode PE. That is, the gate electrode of the thin film transistor Tr1 is disposed in the same layer as the gate wiring G and is formed of, for example, AlNd. The source electrode of the thin film transistor Tr1 is disposed in the same layer as the source wiring and is formed of, for example, Cr. The contact electrode is electrically connected to the gate electrode in a contact hole provided in the interlayer insulating films 11 and 12 disposed on the gate electrode of the thin film transistor Tr1, and is provided on the interlayer insulating film 12 disposed on the source electrode. The contact electrode is electrically connected to the source electrode. The contact electrode is disposed in the same layer as the pixel electrode PE, and is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO.

上記静電気防止回路100は、コモン配線COMと電気的に接続されている。コモン配線COMは他の配線と比較して配線幅が広く容量が大きいためである。   The antistatic circuit 100 is electrically connected to the common wiring COM. This is because the common wiring COM has a wider wiring width and a larger capacity than other wirings.

図5に、静電気防止回路100に設けられたコンタクト電極EBが配置された位置における液晶表示パネルLPNの断面の一構成例(比較例)を示す。コンタクト電極EBは薄膜トランジスタのゲート電極EGとソース電極とを電気的に接続し、画素電極PEと同層に配置されている。コンタクト電極EBには、薄膜トランジスタのゲート電極EGからゲート電位が供給される。薄膜トランジスタのゲート電極EGは、ゲート線Gと電気的に接続している(あるいは一体に形成されている)。   FIG. 5 shows a configuration example (comparative example) of the cross section of the liquid crystal display panel LPN at the position where the contact electrode EB provided in the antistatic circuit 100 is disposed. The contact electrode EB electrically connects the gate electrode EG and the source electrode of the thin film transistor, and is disposed in the same layer as the pixel electrode PE. A gate potential is supplied to the contact electrode EB from the gate electrode EG of the thin film transistor. The gate electrode EG of the thin film transistor is electrically connected to the gate line G (or formed integrally).

この比較例の液晶表示パネルLPNを高温多湿(例えば温度が65℃であって湿度が93%)の環境において、1000時間継続して動作させて評価試験を行ったところ、静電気防止回路100において、腐食が観察される場合があった。さらに、この腐食は、ゲート電位が供給されるコンタクト電極EBの近傍において顕著であった。   When the liquid crystal display panel LPN of this comparative example was operated continuously for 1000 hours in a high-temperature and high-humidity environment (for example, the temperature was 65 ° C. and the humidity was 93%), Corrosion was sometimes observed. Further, this corrosion is remarkable in the vicinity of the contact electrode EB to which the gate potential is supplied.

これは、ゲート電位が供給されるコンタクト電極EBと、コンタクト電極EBに対向する共通電極CEとの電位差が大きくなり、電気的溶融現象が生じたためと考えられる。なお、本実施形態では、ゲート電位が供給されるコンタクト電極EBと共通電極CEとの電位差は例えば11.5Vである。   This is presumably because the potential difference between the contact electrode EB supplied with the gate potential and the common electrode CE opposed to the contact electrode EB is increased, resulting in an electrical melting phenomenon. In the present embodiment, the potential difference between the contact electrode EB to which the gate potential is supplied and the common electrode CE is, for example, 11.5V.

電気的溶融現象とは、液晶比抵抗が低くなりアレイ基板ARと対向基板CTとの間で電流が流れる現象である。この電気的溶融現象により導電材料であるITOが溶融し、シール材SBの外部から吸湿により液晶層LQが汚染され、ITOが溶融した部分の下層に配置されたAlNdの電喰やブラックマトリクスBMの腐食へと広がったものと考えられる。   The electrical melting phenomenon is a phenomenon in which the specific resistance of the liquid crystal is lowered and a current flows between the array substrate AR and the counter substrate CT. Due to this electrical melting phenomenon, the conductive material ITO melts, the liquid crystal layer LQ is contaminated by moisture absorption from the outside of the sealing material SB, and the AlNd electro-corrosion or the black matrix BM disposed under the melted portion of the ITO It is thought that it spread to corrosion.

図6に、静電気防止回路100に配置されたコンタクト電極EAが配置された位置における液晶表示パネルLPNの断面の一構成例(比較例)を示す。コンタクト電極EAは薄膜トランジスタのゲート電極EGとソース電極とを電気的に接続し、画素電極PEと同層に配置されている。   FIG. 6 shows a configuration example (comparative example) of the cross section of the liquid crystal display panel LPN at the position where the contact electrode EA arranged in the antistatic circuit 100 is arranged. The contact electrode EA electrically connects the gate electrode EG and the source electrode of the thin film transistor, and is disposed in the same layer as the pixel electrode PE.

さらに、コンタクト電極上に配置された配向膜AL1の厚さにより、コンタクト電極の腐食の度合いに差があった。図5に示すコンタクト電極EBの下層にはゲート電極EGがコンタクト電極EBの端部を渡って延びている。   Furthermore, there was a difference in the degree of corrosion of the contact electrode depending on the thickness of the alignment film AL1 disposed on the contact electrode. Under the contact electrode EB shown in FIG. 5, a gate electrode EG extends across the end of the contact electrode EB.

一方、コンタクト電極EAの下層には、ゲート電極EGがコンタクト電極EAの端部まで延びておらず、ゲート電極EGの端部はコンタクト電極EAの端部よりも内側に位置している。   On the other hand, under the contact electrode EA, the gate electrode EG does not extend to the end of the contact electrode EA, and the end of the gate electrode EG is located inside the end of the contact electrode EA.

従って、コンタクト電極EAの端部はゲート電極EGの端部上に配置された層間絶縁膜11、12の傾斜に沿って配置され、コンタクト電極EAの端部近傍にはコンタクト電極EAの厚さに加えてゲート電極EGの厚さ分の段差が生じる。そのため、コンタクト電極EAの端部上には、層間絶縁膜11、12の傾斜部分において他の部分よりも厚く溜まった配向膜AL1が配置される。   Therefore, the end portion of the contact electrode EA is disposed along the inclination of the interlayer insulating films 11 and 12 disposed on the end portion of the gate electrode EG, and the thickness of the contact electrode EA is near the end portion of the contact electrode EA. In addition, a step corresponding to the thickness of the gate electrode EG is generated. Therefore, on the end portion of the contact electrode EA, the alignment film AL1 that is accumulated thicker than the other portions in the inclined portions of the interlayer insulating films 11 and 12 is disposed.

これに対しコンタクト電極EBの端部は、層間絶縁膜11、12の略平坦な部分の上に配置され、コンタクト電極EBの端部にはコンタクト電極EBの厚さ分の段差が生じるのみである。そのため、コンタクト電極EBの端部上の配向膜AL1は、コンタクト電極EA上の配向膜AL1よりも薄くなる。さらに、コンタクト電極EBの端部が逆テーパー状であると、配向膜AL1によるカバー状態が悪くなる。   On the other hand, the end portion of the contact electrode EB is disposed on a substantially flat portion of the interlayer insulating films 11 and 12, and only a step corresponding to the thickness of the contact electrode EB is generated at the end portion of the contact electrode EB. . Therefore, the alignment film AL1 on the end portion of the contact electrode EB is thinner than the alignment film AL1 on the contact electrode EA. Furthermore, when the end portion of the contact electrode EB has a reverse taper shape, the cover state by the alignment film AL1 becomes worse.

本願発明者らは、コンタクト電極EBの端部のように、上層に配置された配向膜AL1が薄い部分で腐食がさらに顕著であることを見出した。   The inventors of the present application have found that corrosion is further remarkable in a portion where the alignment film AL1 disposed in the upper layer is thin like the end portion of the contact electrode EB.

そこで、本実施形態では、少なくともゲート電位が供給されるコンタクト電極EBの端部と対向する共通電極CEの部分を除去し、コンタクト電極EBの端部と共通電極CEとの間に高電位が発生することを回避している。   Therefore, in this embodiment, at least the portion of the common electrode CE that faces the end of the contact electrode EB to which the gate potential is supplied is removed, and a high potential is generated between the end of the contact electrode EB and the common electrode CE. To avoid that.

図7に、本実施形態の液晶表示装置において、線B−Bにおける液晶表示パネルLPNの断面の一構成例を示す。   FIG. 7 shows a configuration example of a cross section of the liquid crystal display panel LPN taken along line BB in the liquid crystal display device of the present embodiment.

この例では、上記静電気防止回路100のコンタクト電極EBの端部と対向する共通電極CEの部分において電極が除去された電極除去部CEAが形成されている。   In this example, an electrode removal portion CEA is formed in which the electrode is removed at the portion of the common electrode CE facing the end portion of the contact electrode EB of the antistatic circuit 100.

図8に、本実施形態の液晶表示装置の共通電極CEの一構成例を示す。共通電極CEは、アクティブエリアACTにおいて第2方向Yに延びた電極が所定の間隔を置いて第1方向Xに並んだストライプ状のパタンを有している。共通電極CEは、アクティブエリアACTの周囲において静電気防止回路100が配置される領域Aと対向する部分には、コンタクト電極EBの端部と対向する電極が除去された電極除去部CEAが設けられている。共通電極CEはアクティブエリアACTの周囲に配置された導電部材TRにより給電される。   FIG. 8 shows a configuration example of the common electrode CE of the liquid crystal display device of the present embodiment. The common electrode CE has a stripe pattern in which electrodes extending in the second direction Y in the active area ACT are arranged in the first direction X at a predetermined interval. The common electrode CE is provided with an electrode removal portion CEA from which an electrode facing the end of the contact electrode EB is removed at a portion facing the region A where the antistatic circuit 100 is disposed around the active area ACT. Yes. The common electrode CE is fed by a conductive member TR arranged around the active area ACT.

このように、コンタクト電極EBの端部と対向する部分の共通電極CEを除去すると、コンタクト電極RBの端部と共通電極CEとの間の電位差が大きくなることが回避され、したがって電気的溶融現象が生じることも回避される。その結果、本実施形態によれば、高温多湿のような過酷な環境において長時間使用した場合であっても、回路の腐食等の劣化が生じることなく、信頼性高い液晶表示装置を提供することができる。   As described above, when the common electrode CE in the portion facing the end portion of the contact electrode EB is removed, the potential difference between the end portion of the contact electrode RB and the common electrode CE is avoided, and therefore the electric melting phenomenon is avoided. Is also avoided. As a result, according to the present embodiment, it is possible to provide a highly reliable liquid crystal display device without causing deterioration such as circuit corrosion even when used for a long time in a harsh environment such as high temperature and humidity. Can do.

なお、図7および図8に示す例では、静電気防止回路100のコンタクト電極EBの端部と対向する部分にのみ共通電極CEが除去されていたが、電極除去部CEAは少なくともゲート電位が供給され、画素電極PEと同層に配置された電極の端部と対向するように設けられていればよく、静電気防止回路100以外の電極にも適用することができる。その場合でも上記効果を得ることができる。さらに、略平坦な層上に配置された電極の端部と対向する部分に電極除去部CEAを配置すると、より効果的である。   In the example shown in FIGS. 7 and 8, the common electrode CE is removed only in the portion facing the end portion of the contact electrode EB of the antistatic circuit 100, but at least the gate potential is supplied to the electrode removal portion CEA. As long as it is provided so as to face the end portion of the electrode arranged in the same layer as the pixel electrode PE, the present invention can be applied to electrodes other than the antistatic circuit 100. Even in this case, the above effect can be obtained. Furthermore, it is more effective to dispose the electrode removal portion CEA in a portion facing the end portion of the electrode disposed on the substantially flat layer.

図9に、本実施形態の液晶表示装置において、線B−Bにおける液晶表示パネルLPNの断面の他の構成例を示す。   FIG. 9 shows another configuration example of the cross section of the liquid crystal display panel LPN along the line BB in the liquid crystal display device of the present embodiment.

この例では、静電気防止回路100のコンタクト電極EB全体と対向する共通電極CEの部分において電極が除去された電極除去部CEAが形成されている。   In this example, an electrode removal portion CEA is formed in which the electrode is removed at the portion of the common electrode CE facing the entire contact electrode EB of the antistatic circuit 100.

図10に、本実施形態の液晶表示装置の共通電極CEの他の構成例を示す。この例では、共通電極CEは、アクティブエリアACTの周囲において静電気防止回路100が配置される領域Aと対向する部分には、コンタクト電極EB全体と対向する電極が除去された電極除去部CEAが設けられている。この点以外は上記図8および図9に示した例と同様である。   FIG. 10 shows another configuration example of the common electrode CE of the liquid crystal display device of the present embodiment. In this example, the common electrode CE is provided with an electrode removal portion CEA in which the electrode facing the entire contact electrode EB is removed at a portion facing the region A where the antistatic circuit 100 is arranged around the active area ACT. It has been. Except for this point, the example is the same as the example shown in FIGS.

このように、コンタクト電極EB全体と対向する部分の共通電極CEを除去した場合も、高温多湿のような過酷な環境において長時間使用した場合であっても、回路の腐食等の劣化が生じることなく、信頼性高い液晶表示装置を提供することができる。   As described above, even when the common electrode CE in a portion facing the entire contact electrode EB is removed or when it is used for a long time in a harsh environment such as high temperature and high humidity, deterioration such as circuit corrosion occurs. In addition, a highly reliable liquid crystal display device can be provided.

なお、図9および図10に示す例では、静電気防止回路100の全てのコンタクト電極EB全体と対向する部分の共通電極CEが除去されていたが、電極除去部CEAは少なくともゲート電位が供給され、画素電極PEと同層に配置された電極全体と対向するように設けられていればよく、静電気防止回路100以外の電極にも適用可能である。その場合でも上記効果を得ることができる。さらに、略平坦な層上に配置された電極全体と対向する部分に電極除去部CEAを配置すると、より効果的である。   In the example shown in FIGS. 9 and 10, the common electrode CE in the portion facing all the contact electrodes EB of the antistatic circuit 100 has been removed, but at least the gate potential is supplied to the electrode removal unit CEA. The electrode may be provided so as to face the entire electrode disposed in the same layer as the pixel electrode PE, and can be applied to electrodes other than the antistatic circuit 100. Even in this case, the above effect can be obtained. Furthermore, it is more effective to dispose the electrode removal portion CEA in a portion facing the entire electrode disposed on the substantially flat layer.

図11に、本実施形態の液晶表示装置の共通電極CEの他の構成例を示す。この例では、共通電極CEは、アクティブエリアACTの周囲において静電気防止回路100が配置される領域Aと対向する部分の電極が除去された電極除去部CEAが設けられている。この点以外は上記図7および図8に示した例と同様である。   FIG. 11 shows another configuration example of the common electrode CE of the liquid crystal display device of the present embodiment. In this example, the common electrode CE is provided with an electrode removal portion CEA in which a portion of the electrode facing the region A where the antistatic circuit 100 is disposed is removed around the active area ACT. Except this point, it is the same as the example shown in FIGS.

このように領域Aと対向する部分の共通電極CEを除去した場合も、高温多湿のような過酷な環境において長時間使用した場合であっても、回路の腐食等の劣化が生じることなく、信頼性高い液晶表示装置を提供することができる。   In this way, even when the common electrode CE in the portion facing the region A is removed, even when used for a long time in a harsh environment such as high temperature and high humidity, the circuit is not deteriorated such as corrosion, and the reliability is improved. A liquid crystal display device with high performance can be provided.

さらに図11に示すように、共通電極CEを除去する領域を大きくすると、たとえば製造段階や使用段階において液晶層LQに導電性部材が混入した場合に、静電気防止回路100のコンタクト電極と共通電極CEとが導電性部材により導通することが回避され、表示品位の劣化を回避することが可能となる。   Further, as shown in FIG. 11, when the area where the common electrode CE is removed is enlarged, for example, when a conductive member is mixed in the liquid crystal layer LQ in the manufacturing stage or the use stage, the contact electrode and the common electrode CE of the antistatic circuit 100 are used. Is prevented from being conducted by the conductive member, and deterioration of display quality can be avoided.

なお、共通電極CEを除去した電極除去部CEAを大きくすると、共通電極CEの電気抵抗が大きくなるため、電極除去部CEAの大きさは電気抵抗の値を考慮して設計することが望ましい。   In addition, since the electrical resistance of the common electrode CE increases when the electrode removal part CEA from which the common electrode CE is removed is increased, the size of the electrode removal part CEA is preferably designed in consideration of the value of the electrical resistance.

また、図11に示す例では、領域Aと対向する部分と対向する共通電極CEの部分が除去されていたが、電極除去部CEAは少なくともゲート電位が供給され、画素電極PEと同層に配置された電極を含む複数の電極と対向するように設けられていればよく、静電気防止回路100が配置される領域A外に設けられてもよい。その場合でも上記効果を得ることができる。   In the example shown in FIG. 11, the common electrode CE that is opposite to the region A is removed, but at least the gate potential is supplied to the electrode removal portion CEA and is arranged in the same layer as the pixel electrode PE. As long as it is provided so as to face a plurality of electrodes including the formed electrodes, it may be provided outside the region A where the antistatic circuit 100 is disposed. Even in this case, the above effect can be obtained.

なお、本実施形態によれば、主共通電極CAは、それぞれソース配線Sと対向している。特に、主共通電極CAがそれぞれソース配線Sの直上に配置されている場合には、主共通電極CAがソース配線Sよりも画素電極PE側に配置された場合と比較して、開口部APを拡大することができ、画素PXの透過率を向上することが可能となる。   According to the present embodiment, the main common electrode CA is opposed to the source line S. In particular, when the main common electrode CA is disposed immediately above the source line S, the opening AP is formed as compared with the case where the main common electrode CA is disposed on the pixel electrode PE side with respect to the source line S. Thus, the transmittance of the pixel PX can be improved.

また、主共通電極CAをそれぞれソース配線Sの直上に配置することによって、画素電極PEと主共通電極CAとの間の電極間距離を拡大することが可能となり、より水平に近い横電界を形成することが可能となる。このため、従来の構成であるIPSモード等の利点である広視野角化も維持することが可能となる。   Further, by disposing the main common electrode CA immediately above the source line S, it is possible to increase the inter-electrode distance between the pixel electrode PE and the main common electrode CA, thereby forming a horizontal electric field closer to the horizontal. It becomes possible to do. For this reason, it is possible to maintain the wide viewing angle, which is an advantage of the IPS mode, which is a conventional configuration.

また、本実施形態によれば、一画素内に複数のドメインを形成することが可能となる。このため、複数の方向で視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となる。   Further, according to the present embodiment, a plurality of domains can be formed in one pixel. Therefore, the viewing angle can be optically compensated in a plurality of directions, and a wide viewing angle can be achieved.

また、上記の例では、液晶層LQが正(ポジ型)の誘電率異方性を有する液晶材料によって構成された場合について説明したが、液晶層LQは、誘電率異方性が負(ネガ型)の液晶材料によって構成されていても良い。   In the above example, the case where the liquid crystal layer LQ is made of a liquid crystal material having positive (positive type) dielectric anisotropy has been described. However, the liquid crystal layer LQ has a negative dielectric anisotropy (negative). Type) liquid crystal material.

本実施形態において、画素PXの構造は、図2に示した例に限定されるものではない。   In the present embodiment, the structure of the pixel PX is not limited to the example shown in FIG.

共通電極CEは、上記した主共通電極CAの他に、第1方向Xに沿って延出した副共通電極(図示せず)を含んでいてもよい。これらの主共通電極CA及び副共通電極は、一体的あるいは連続的に形成されている。副共通電極は、ゲート配線Gの各々と対向している。したがってこの場合には、アクティブエリアACTにおける共通電極CEのパタンは格子状となる。アクティブエリアACTにおける共通電極CEのパタンを格子状とすると、共通電極CEの電気抵抗をより小さくすることができる。   The common electrode CE may include a sub-common electrode (not shown) extending along the first direction X in addition to the main common electrode CA described above. The main common electrode CA and the sub-common electrode are formed integrally or continuously. The sub-common electrode faces each of the gate lines G. Therefore, in this case, the pattern of the common electrode CE in the active area ACT has a lattice shape. When the pattern of the common electrode CE in the active area ACT is a lattice pattern, the electric resistance of the common electrode CE can be further reduced.

なお、本実施形態においては、共通電極CEは、対向基板CTに備えられた主共通電極CAに加えて、アレイ基板ARに備えられ主共通電極CAと対向する(あるいはソース配線Sと対向する)第2主共通電極を備えていても良い。この第2主共通電極は、主共通電極CAと略平行に延出し、しかも、主共通電極CAと同電位である。このような第2主共通電極を設けることにより、ソース配線Sからの不所望な電界をシールドすることが可能である。   In the present embodiment, the common electrode CE is opposed to the main common electrode CA provided on the array substrate AR (or opposed to the source wiring S) in addition to the main common electrode CA provided on the counter substrate CT. A second main common electrode may be provided. The second main common electrode extends substantially parallel to the main common electrode CA and has the same potential as the main common electrode CA. By providing such a second main common electrode, an undesired electric field from the source line S can be shielded.

また、共通電極CEは、対向基板CTに備えられた主共通電極CAに加えて、アレイ基板ARに備えられゲート配線Gや補助容量線Cと対向する第2副共通電極を備えていても良い。この第2副共通電極は、主共通電極CAと交差する方向に延出し、しかも、主共通電極CAと同電位である。このような第2副共通電極を設けたことにより、ゲート配線Gや補助容量線Cからの不所望な電界をシールドすることが可能である。このような第2主共通電極や第2副共通電極を備えた構成によれば、更なる表示品位の劣化を抑制することが可能となる。   In addition to the main common electrode CA provided on the counter substrate CT, the common electrode CE may include a second sub-common electrode provided on the array substrate AR and facing the gate wiring G and the auxiliary capacitance line C. . The second sub-common electrode extends in a direction intersecting with the main common electrode CA and has the same potential as the main common electrode CA. By providing such a second sub-common electrode, it is possible to shield an undesired electric field from the gate line G and the auxiliary capacitance line C. According to such a configuration including the second main common electrode and the second sub-common electrode, it is possible to suppress further deterioration in display quality.

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, a highly reliable liquid crystal display device can be provided.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

LPN…液晶表示パネル、AR…アレイ基板(第1基板)、CT…対向基板(第2基板)、LQ…液晶層、ACT…アクティブエリア、PX…画素、G…ゲート配線、S…ソース配線、PE…画素電極、CE…共通電極、CA…主共通電極、SB…シール材、LM…液晶分子、CNT…コンタクト部、EA、EB…コンタクト電極、CEA…電極除去部、AL1…第1は以降膜、AL2…第2配向膜、10、20…絶縁基板、11、12…層間絶縁膜、13…平坦化膜、100…静電気防止回路。   LPN ... liquid crystal display panel, AR ... array substrate (first substrate), CT ... counter substrate (second substrate), LQ ... liquid crystal layer, ACT ... active area, PX ... pixel, G ... gate wiring, S ... source wiring, PE ... pixel electrode, CE ... common electrode, CA ... main common electrode, SB ... sealing material, LM ... liquid crystal molecule, CNT ... contact part, EA, EB ... contact electrode, CEA ... electrode removal part, AL1 ... first is hereinafter Film, AL2 ... second alignment film, 10, 20 ... insulating substrate, 11, 12 ... interlayer insulating film, 13 ... flattening film, 100 ... antistatic circuit.

Claims (15)

マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極が配列する行に沿って延びるゲート配線と、列に沿って延びるソース配線と、前記複数の画素電極が配置された領域の周囲の領域において前記画素電極と同層に配置され前記ゲート配線に印加されるゲート電位が供給される電極と、を備えた第1基板と、
前記複数の画素電極が配置された領域および前記周囲の領域と対向した共通電極を備え前記第1基板と対向して配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、を備え、
前記共通電極は、少なくとも前記電極の端部と対向する部分に電極除去部を備える液晶表示装置。
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a gate wiring extending along a row in which the pixel electrodes are arranged, a source wiring extending along a column, and a region around the region where the plurality of pixel electrodes are arranged A first substrate comprising: an electrode disposed in the same layer as the pixel electrode and supplied with a gate potential applied to the gate wiring;
A second substrate disposed opposite to the first substrate, comprising a common electrode facing the region where the plurality of pixel electrodes are disposed and the surrounding region;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate,
The common electrode is a liquid crystal display device including an electrode removing portion at least in a portion facing an end portion of the electrode.
前記電極除去部は前記電極全体と対向するように設けられている請求項1記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode removal portion is provided to face the entire electrode. 前記電極除去部は複数の前記電極と対向するように設けられている請求項1記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode removing unit is provided to face the plurality of electrodes. 前記電極は絶縁層上に配置され、前記電極の端部の下において前記絶縁層は平坦である請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の液晶表示装置。   4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode is disposed on an insulating layer, and the insulating layer is flat under an end portion of the electrode. 前記電極は光透過性を有する導電材料により形成されている請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode is formed of a light-transmitting conductive material. 前記第1基板と前記第2基板とは前記複数の画素電極が配置された領域を囲むように配置されたシール剤により固定され、
前記液晶層は、前記第1基板と、前記第2基板と、前記シール剤とにより囲まれた領域に充填され、
前記電極は、前記シール剤よりも内側に配置されている請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の液晶表示装置。
The first substrate and the second substrate are fixed by a sealing agent disposed so as to surround a region where the plurality of pixel electrodes are disposed,
The liquid crystal layer is filled in a region surrounded by the first substrate, the second substrate, and the sealing agent,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode is disposed inside the sealant.
前記共通電極は、前記複数の画素電極が配置された領域と対向する部分において、前記ソース配線と略平行に延びた電極が前記ゲート配線の延びる方向に間隔を置いて並んで配置されたストライプ状である請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の液晶表示装置。   The common electrode has a stripe shape in which electrodes extending substantially parallel to the source wiring are arranged side by side in the extending direction of the gate wiring at a portion facing the region where the plurality of pixel electrodes are disposed. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 前記共通電極は、前記複数の画素電極が配置された領域と対向する部分において格子状に配置されている請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の液晶表示装置。   7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the common electrode is arranged in a lattice shape in a portion facing a region where the plurality of pixel electrodes are arranged. 前記第1基板は、さらに、前記画素電極および前記電極を覆う第1配向膜を備え、
前記第2基板は、さらに、前記共通電極を覆う第2配向膜を備え、
前記第1配向膜では第1配向処理方向に前記液晶分子が初期配向し、前記第2配向膜では第2配向処理方向に前記液晶分子が初期配向し、前記第1配向処理方向と前記第2配向処理方向は互いに平行で且つ同じ向きである請求項1乃至8のいずれか1項記載の液晶表示装置。
The first substrate further includes a first alignment film covering the pixel electrode and the electrode,
The second substrate further includes a second alignment film covering the common electrode,
In the first alignment film, the liquid crystal molecules are initially aligned in the first alignment treatment direction, and in the second alignment film, the liquid crystal molecules are initially aligned in the second alignment treatment direction, and the first alignment treatment direction and the second alignment treatment direction. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the alignment treatment directions are parallel to each other and the same direction.
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極が配列する行に沿って延びるゲート配線と、列に沿って延びるソース配線と、前記複数の画素電極が配置された領域の周囲の領域に配置された静電気防止回路と、を備えた第1基板と、
前記複数の画素電極が配置された領域および前記周囲の領域と対向した共通電極を備え前記第1基板と対向して配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、を備え、
前記静電気防止回路は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続して前記ゲート配線に印加される電位が供給され、前記画素電極と同層に配置された電極と、を備え、
前記共通電極は、少なくとも前記電極の端部と対向する部分に電極除去部を備える液晶表示装置。
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a gate wiring extending along a row in which the pixel electrodes are arranged, a source wiring extending along a column, and a region around the region where the plurality of pixel electrodes are arranged A first substrate comprising an antistatic circuit disposed on the substrate,
A second substrate disposed opposite to the first substrate, comprising a common electrode facing the region where the plurality of pixel electrodes are disposed and the surrounding region;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate,
The antistatic circuit includes a thin film transistor, and an electrode that is electrically connected to the gate electrode of the thin film transistor and supplied with a potential applied to the gate wiring, and is disposed in the same layer as the pixel electrode.
The common electrode is a liquid crystal display device including an electrode removing portion at least in a portion facing an end portion of the electrode.
前記電極除去部は前記電極全体と対向するように設けられている請求項10記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the electrode removal portion is provided to face the entire electrode. 前記電極除去部は複数の前記電極と対向するように設けられている請求項10記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the electrode removal portion is provided to face the plurality of electrodes. 前記電極は絶縁層上に配置され、前記電極の端部の下において前記絶縁層は平坦である請求項10乃至請求項12のいずれか1項記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the electrode is disposed on an insulating layer, and the insulating layer is flat under an end portion of the electrode. 前記電極は光透過性を有する導電材料により形成されている請求項10乃至請求項13のいずれか1項記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the electrode is formed of a light-transmitting conductive material. 前記第1基板と前記第2基板とは前記複数の画素電極が配置された領域を囲むように配置されたシール剤により固定され、
前記液晶層は、前記第1基板と、前記第2基板と、前記シール剤とにより囲まれた領域に充填され、
前記静電気防止回路は、前記シール剤よりも内側に配置されている請求項11乃至請求項14のいずれか1項記載の液晶表示装置。
The first substrate and the second substrate are fixed by a sealing agent disposed so as to surround a region where the plurality of pixel electrodes are disposed,
The liquid crystal layer is filled in a region surrounded by the first substrate, the second substrate, and the sealing agent,
The liquid crystal display device according to claim 11, wherein the static electricity prevention circuit is disposed inside the sealant.
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