JP2013044551A - 抵抗値と変位を測定する複合測定装置 - Google Patents

抵抗値と変位を測定する複合測定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013044551A
JP2013044551A JP2011180470A JP2011180470A JP2013044551A JP 2013044551 A JP2013044551 A JP 2013044551A JP 2011180470 A JP2011180470 A JP 2011180470A JP 2011180470 A JP2011180470 A JP 2011180470A JP 2013044551 A JP2013044551 A JP 2013044551A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mounting plate
substrate
electrode
probe
measuring device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011180470A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5779449B2 (ja
Inventor
Fumihiko Omura
文彦 大村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2011180470A priority Critical patent/JP5779449B2/ja
Publication of JP2013044551A publication Critical patent/JP2013044551A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5779449B2 publication Critical patent/JP5779449B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

【課題】一台で高抵抗薄膜の抵抗値と表面凹凸を正確に測定できる測定装置を提供する。
【解決手段】載置板12をポリアセタール樹脂で構成し、裏面にガード電極52を配置する。載置板12上に配置した基板23の表面に、円環電極43と円盤電極44とを接触させ、円盤電極44を電流計47を介してガード電極52に接続し、ガード電極52を接地させて、円環電極43と円盤電極44の間に電圧を印加し、電流計47の検出結果から基板23表面の高抵抗薄膜の抵抗値が測定される。ポリアセタール樹脂の抵抗値は高く、表面は平坦なので、基板23の表面に触針を接触させながら移動させて、触針63の変位を測定して基板23の表面の凹凸も正確に測定することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、薄膜の表面形状の測定及び抵抗測定の技術に関する。
従来技術より、基板の表面凹凸測定と、基板の抵抗測定は、それぞれ専用の測定装置が用いられており、先ず、いずれか一方の測定装置の載置台に基板を載せて測定し、次いで、基板を他の測定装置の載置台上に移動させて測定する。このように、抵抗値と表面の変位を別々の装置で測定していたため、基板の載置台間の移動や、治具の交換が必要となり、特に、測定対象である基板が大型である場合、設置面積が大きくなるという問題があった。
一台の載置台で、基板の表面形状測定と、低抵抗測定とを行おうとすると、抵抗を正確に測定するため、テフロン(登録商標)等の高抵抗の載置板上に基板を配置すると、載置板の平坦が悪いため、表面凹凸を求めるための変位測定の精度が悪いという問題がある。
他方、表面形状測定をするための基板を載置するチャックは絶縁性が低く、このチャック上では高抵抗薄膜の抵抗値の測定精度が悪化する。
特開平05−045389号公報 特開2009ー133730号公報
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、基板の表面形状測定及び抵抗測定を正確に行うことのできる測定装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、測定対象の基板が表面に水平に配置される載置板と、前記載置板の上方に配置され、前記載置板上の基板の表面にプローブを接触させ、前記プローブに電圧を印加して電流を検出する抵抗測定装置と、前記載置板の上方に配置され、前記載置板上の基板の表面に触針の先端を接触させ、接触させた状態で前記触針を移動させ、前記触針の上下方向の変位量を検出する表面形状測定装置と、前記抵抗測定装置と前記表面形状測定装置とを、載置板上で、前記載置板と平行に移動させる移動装置と、前記プローブと前記触針とを、上下方向にそれぞれ移動させる第一、第二の昇降装置と、を有し、前記プローブと前記触針は前記基板表面と接触と離間が可能に構成され、前記プローブは、第一、第二の電極を有し、前記載置板の裏面には、載置板と接触してガード電極が配置され、電源が電位差を形成できる第一、第二の端子のうち、前記第一の端子には、前記第一の電極が接続され、前記第二の端子には、ガード電極が接続され、前記第二の電極は、電流計を介して前記第二の端子に接続された複合測定装置である。
また、本発明は、前記載置板は、ポリアセタール樹脂で構成された複合測定装置である。
本発明によれば、載置板を厚み方向に流れた電流は電流計を流れないから、正確な抵抗測定をすることができる。
本発明の載置板は樹脂製であり、表面を平坦に加工されているから、基板表面の段差、凹凸や、うねりを正確に測定することができる。
また、測定に際して治具等の取り替えを必要とせず、測定が簡単である。
(a):本発明の測定装置を鉛直上方から見た図 (b):本発明の測定装置を側面から見た図 (a):抵抗測定装置の回路図 (b):円環電極と円盤電極とが基板表面に接触した状態を説明するための図 表面形状測定装置による測定手順を説明するための図
図1(a)、(b)の符号2は、本発明の複合測定装置を示している。
図1(a)は、複合測定装置2を鉛直上方から見た図を示し、同図(b)は、複合測定装置2を側面から見た図を示している。
この複合測定装置2は、載置台11を有しており、載置台11の表面上には離間して二本のレール13が平行に水平面内に位置するように配置されている。
レール13上には、細長の取付板15が、その長手方向がレール13と垂直にされて水平面内に位置するように配置されている。
レール13の側面には、レール13が延びる方向に沿って電磁石が複数個並べられた第一の固定磁石部14が配置されており、取付板15には、電磁石と近接する位置に、永久磁石から成る第一の移動磁石部16が配置され、第一の固定磁石部14と第一の移動磁石部16とで第一のリニアモータ17が構成されている。
載置台11の外側には、制御装置19と電源21とが配置されており、第一のリニアモータ17は制御装置19によって制御されており、第一の固定磁石部14の所望位置に電磁石が形成されて、第一の移動磁石部16との間の電磁気力によって、第一の移動磁石部16に力が加わり、第一の移動磁石部16が固定された取付板15が、レール13に沿って所望方向に移動するようになっている。
取付板15の側面にも、第二のリニアモータ27の第二の固定磁石部22が水平面内に位置するように設けられており、取付板15には、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とが、第二の固定磁石部22に沿って移動可能に設けられている。
抵抗測定装置40と表面形状測定装置60には、永久磁石から成る第二の移動磁石部42が設けられ、第二の固定磁石部22と第二の移動磁石部42との間に形成される電磁気力によって、第二の移動磁石部42に力が加わり、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とが、第二の固定磁石部22に沿って、所望方向に移動できるように構成されている。
載置台11の表面のレール13の間の部分には、樹脂の板で構成された載置板12が表面が水平に配置され、載置板12の表面である載置面は凹凸やうねりの無い平坦な面に成形されている。
載置台11の載置板12を乗せる部分はアルミニウム板56であり、載置板12表面の平坦度、平行度が向上するようにされている。
載置板12と、載置板12が配置された載置台11のアルミニウム板56の部分には、厚み方向を貫通する吸引口(不図示)が設けられている。吸引口は真空ポンプ29に接続されており、載置板12上に基板を配置して、真空ポンプ29を動作させると、吸引口内が真空排気され、大気圧によって基板が載置板12に押圧され、基板のうねりが解消され、その結果、基板の表面が平坦にされ、基板の表面が水平になるようにされている。
図1の符号23は、載置台11の載置板12上に配置された基板を示している。
表面形状測定装置60は、先端が下方に向けられた触針63と、触針63を測定対象物に所望圧力で接触させると共に、触針63の鉛直上下方向の移動量を測定する変位計65とを有している。
抵抗測定装置40は、プローブ41と、測定回路53を有している。測定回路53には、プローブ41に電圧を印加するプローブ電源45と、電流を測定する電流計47が含まれる。
プローブ41は、円環状の平板の導電体から成る円環電極43と、円環電極43の円環形状の内側に配置された円板状の円盤電極44とを有している。円環電極43の内周と外周と円盤電極44の外周は円形であり、円環電極43の幅は一定であり、円環電極43の中心と円盤電極44の中心とは一致するように同一平面内に配置されている。プローブ41が移動するときであっても円盤電極44の外周と、円環電極43の内周との間は一定の距離を維持するように、円環電極43と円盤電極44は互いに固定されている。
測定回路53を図2(a)に示す。
プローブ電源45は、正電圧端子46と負電圧端子48とを有している。
正電圧端子46は、円環電極43に接続され、円盤電極44は、電流計47を介して負電圧端子48に接続されている。
載置板12の裏面に配置されたアルミニウム板56がガード電極52とされて負電圧端子48に接続されている。
測定対象の基板23は、ガラス等の絶縁物質から成る支持板24の表面に、酸化物半導体等の高抵抗層25が形成されており、プローブ41の円盤電極44の片面と円環電極43の円盤電極44と同じ側の片面とを基板23の高抵抗層25に接触させ、円環電極43と円盤電極44の間に電圧を印加すると、高抵抗層25を流れる電流は、電流計47にも流れる。
他方、負電圧端子48を接地電位に接続しても、円環電極43とガード電極52との間に流れる電流は電流計47を流れないので、基板23の厚み方向に流れた電流は電流計47の測定結果には影響を与えず、基板23の厚み方向を流れるリーク電流による測定誤差は生じない。
図2(b)は、円盤電極44と円環電極43とが、基板23表面に接触した状態を説明するための図面であり、円環電極43の内周の直径と外周の直径と、円盤電極44の直径とは、予め制御装置19に入力されており、電流計47によって測定された電流値と印加電圧値が制御装置19に送信されると、制御装置19は、入力された電流値と印加電圧値と、円環電極43と円盤電極44に関する記憶内容とから、基板23表面の高抵抗層25の薄膜拡がり方向の抵抗値を算出し、制御装置19内に配置された記憶装置10に記憶する。また、制御装置19の表示パネル9にも表示する。
抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とを、第一、第二のリニアモータ17、27から成る移動装置20によって、載置板12上に配置された基板23表面上の所望の位置の真上に配置することができる。
また、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60は、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60を、上下方向に移動させる第一、第二の昇降装置49、67をそれぞれ有しており、プローブ41と触針63とが基板23の所望位置上で上下に移動できるように構成されている。
次に、表面形状測定装置60について説明する。
表面形状測定装置60の触針63は、基板23表面上の始点と終点の間を、基板23の表面と接触しながら移動して、始点と終点の間の凹凸、段差やうねりを測定することができる。
測定するときは、先ず、基板23を真空吸着してうねりを解消した後、プローブ41と触針63とを上方に移動させ、プローブ41と触針63とを基板23表面から離間させた状態で、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とを基板23の始点の真上に移動させる。
そして、第二の昇降装置67を動作させ、始点上に表面形状測定装置60を配置し、第二の昇降装置67によって、触針63を下方に移動させ、触針63の先端を始点に接触させる。
表面形状測定装置60の内部には、移動軸が設けられており、触針63は移動軸によって数センチメートル程度、終点に向かって直線及び回転移動される。触針63の先端は、始点から終点に到達するまでの間、基板23の表面に接触している。
移動の間、触針63は基板23表面との接触が維持され、基板23表面の凹凸に従って上下移動しており、触針63の上下移動は、変位計65によって検出され、その値を示す信号とが、所定周期で制御装置19に送信される。
制御装置19は、入力された信号から、触針63の上下方向の移動量である変位量を求め、その変位量を検出したときの時刻と触針63の位置とを変位量と共に記憶すると共に、求めた変位量を触針63の位置と関連付けて制御装置19の表示パネル9に表示する。
例えば、始点と触針63の間の距離を横軸にし、触針63の上下方向の位置の変位量を縦軸にすると、始点と終点の間の基板23表面の高さの変化が分かる。
この基板23の表面の測定すべき抵抗測定位置と表面形状測定位置とが制御装置19にそれぞれ複数個入力されており、先ず、第一、第二の昇降装置49、67は、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60を上方に移動させ、プローブ41と触針63を基板23の表面から離間させた状態で、移動装置20によって、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とを、測定すべき第一の抵抗測定位置に移動させる。
第一の昇降装置49は、第一の抵抗測定位置で、プローブ41を降下させ、プローブ41を基板23表面の高抵抗層25に接触させる。
その状態で、抵抗測定装置40は、ガード電極52を接地電位に置き、円環電極43と円盤電極44との間に電圧を印加して電流計47に流れる電流を測定し、測定値を抵抗測定装置40から制御装置19に出力し、制御装置19は、抵抗値を求めてその値を位置と関連付けて記憶した後、第一の昇降装置49によってプローブ41を基板23表面の高抵抗層25から離間させる。
次に、移動装置20によって、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とを、基板23の表面から離間させた状態で測定すべき第二の抵抗測定位置に移動させ、第一の抵抗測定位置と同様に抵抗値の測定を行う。
その後、第一の抵抗測定位置と同様に、基板23の表面の制御装置19に入力された残りの測定すべき抵抗測定位置で抵抗値の測定を行う。
制御装置19に入力された測定すべき抵抗測定位置での抵抗測定が全て終了したら、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とを、プローブ41と触針63を基板23の表面から離間させた状態で、移動装置20によって、測定すべき第一の表面形状測定位置に移動させる。
次いで、第二の昇降装置67は、触針63を降下させ、触針63を基板23表面の始点となる位置に接触させ、終点まで接触させながら移動装置20によって移動させる。表面形状測定装置60は、始点から終点まで移動する間に、基板23表面の上下方向の変位を示す信号を、基板23表面上の位置と対応付けて制御装置19に出力し、制御装置19は変位量を基板23上の位置と共に記憶し、触針63を基板23表面から離間させる。
次に、移動装置20は、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とを、基板23の表面から離間させた状態で第二の表面形状測定位置に移動させ、第一の表面形状測定位置と同様に変位量の測定を行う。
その後、第一の表面形状測定位置と同様に、基板23の表面の制御装置19に入力された残りの測定すべき表面形状測定位置で変位量の測定を行う。
なお、ここでは測定すべき抵抗測定位置で抵抗値の測定を全て終了した後、測定すべき表面形状測定位置で変位量を全て測定したが、先に全ての測定すべき表面形状測定位置で変位量の測定が終了した後で、測定すべき抵抗測定位置で抵抗値の測定をしても良い。
抵抗測定装置40によって測定する酸化物半導体薄膜の抵抗値は、1.00×104〜9.99×1015Ω程度であり、抵抗測定装置40には、低抵抗用プローブ51が設けられており、低抵抗用プローブ51を接触させて、基板表面の薄膜に電流を流し、1.00×10-3〜5.00×106Ω程度の低抵抗を測定することができる。
このように、制御装置19に記憶された測定点を測定すると、真空吸着が解除されて載置台11上から基板23が移動され、測定対象の別の基板23が載置台11に配置され、真空吸着した状態で、抵抗値と変位量の測定が行われる。
以上説明したように、本発明では、大型の基板23を移動させずに、抵抗値と変位量を測定することが出来るので測定が容易であるし、また、省スペースにもなる。
また、本発明の載置板12である板は、ポリアセタール樹脂である、デルリン(デュポン株式会社の登録商標:ポリトリアセタール樹脂)や、ジュラコン(ポリプラスチック株式会社の登録商標)、テナック(旭化成株式会社の登録商標)や、フッ素樹脂等の高抵抗樹脂を成型して用いると、ガード電極52に流れる電流が減少し、測定精度が向上する。
また、これらの樹脂は表面を平坦にできるので、変位量測定の測定精度が向上する。ここでは載置板12はデルリン製であり、平坦度は100μmである。載置板12が配置されたアルミニウム板56の平坦度も100μmである。
上記実施例では、抵抗測定装置40と表面形状測定装置60とを上下に移動させることで、プローブ41と触針63を上下方向に移動させたが、プローブ41を移動させてもよいし、触針63と変位計65とを一緒に移動させてもよい。
なお、ガード電極52はアルミニウム板56に限定されるものではなく、例えば載置板12の裏面に形成した金属薄膜や金属製フィルムでもよく、その場合、少なくとも、載置板12の裏面のうち、円環電極43の外周で取り囲まれる表面の領域の真裏の領域には、載置板12の裏面と面接触して配置されていればよいが、載置板12の裏面には、うねりが無く、平坦性が高い板を配置することが望ましい。
ここでは、ガード電極52は、少なくとも、載置板12と同じ形状、同じ大きさであるか、又は、載置板12よりも大きなアルミニウム板56で構成され、載置板12の裏面全部と面接触しており、基板23の表面のどの位置にプローブ41が接触しても、載置板12内を厚み方向に流れた電流が、円盤電極44や円環電極43に流入しないようにされている。
上記実施例では、プローブ電源45の負電圧端子48を接地させ、負電圧端子48と円盤電極44の間の接続に電流計47を挿入したが、円環電極43と円盤電極44のうち、いずれか一方の電極を、電流計47を介してガード電極52に接続し、他方の電極とガード電極52との間に電圧を印加するようにすれば、ガード電極52に流れる電流は、電流計47には流れない。
要するに、本発明では、円環電極43と円盤電極44のうち、いずれか一方を第一の電極とし、他方を第二の電極として、第二の電極を、電流計を介してガード電極52に接続し、ガード電極52と第一の電極の間に印加した電圧値と電流計の読みが分かって抵抗値が求められればよい。
なお、円環電極43と円盤電極44は、金属が薄板状に形成されて構成されている。
2……測定装置
12……載置板
20……移動装置
23……基板
40……抵抗測定装置
41……プローブ
43……円環電極
44……円盤電極
45……プローブ電源
47……電流計
49……第一の昇降装置
52……ガード電極
60……表面形状測定装置
63……触針
67……第二の昇降装置

Claims (2)

  1. 測定対象の基板が表面に水平に配置される載置板と、
    前記載置板の上方に配置され、前記載置板上の基板の表面にプローブを接触させ、前記プローブに電圧を印加して電流を検出する抵抗測定装置と、
    前記載置板の上方に配置され、前記載置板上の基板の表面に触針の先端を接触させ、接触させた状態で前記触針を移動させ、前記触針の上下方向の変位量を検出する表面形状測定装置と、
    前記抵抗測定装置と前記表面形状測定装置とを、載置板上で、前記載置板と平行に移動させる移動装置と、
    前記プローブと前記触針とを、上下方向にそれぞれ移動させる第一、第二の昇降装置と、を有し、前記プローブと前記触針は前記基板表面と接触と離間が可能に構成され、
    前記プローブは、第一、第二の電極を有し、
    前記載置板の裏面には、載置板と接触してガード電極が配置され、
    電源が電位差を形成できる第一、第二の端子のうち、
    前記第一の端子には、前記第一の電極が接続され、
    前記第二の端子には、ガード電極が接続され、
    前記第二の電極は、電流計を介して前記第二の端子に接続された複合測定装置。
  2. 前記載置板は、ポリアセタール樹脂で構成された請求項1記載の複合測定装置。
JP2011180470A 2011-08-22 2011-08-22 抵抗値と変位を測定する複合測定装置 Active JP5779449B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011180470A JP5779449B2 (ja) 2011-08-22 2011-08-22 抵抗値と変位を測定する複合測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011180470A JP5779449B2 (ja) 2011-08-22 2011-08-22 抵抗値と変位を測定する複合測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013044551A true JP2013044551A (ja) 2013-03-04
JP5779449B2 JP5779449B2 (ja) 2015-09-16

Family

ID=48008584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011180470A Active JP5779449B2 (ja) 2011-08-22 2011-08-22 抵抗値と変位を測定する複合測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5779449B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018150482A1 (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 株式会社Fuji 測定装置、測定方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018150482A1 (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 株式会社Fuji 測定装置、測定方法
JPWO2018150482A1 (ja) * 2017-02-15 2019-11-07 株式会社Fuji 測定装置、測定方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5779449B2 (ja) 2015-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5057572B2 (ja) 微小コンデンサマイクロホンの製造方法
Delchar et al. A static capacitor method for the measurement of the surface potential of gases on evaporated metal films
JP2017027974A (ja) 吸着プレート、半導体装置の試験装置および半導体装置の試験方法
JP6042761B2 (ja) プローブ装置
TW201534945A (zh) 被測試裝置之檢查系統及其操作方法
JP5779449B2 (ja) 抵抗値と変位を測定する複合測定装置
JP6026306B2 (ja) 磁気メモリ用プローバチャック及びそれを備えた磁気メモリ用プローバ
CN105182081B (zh) 一种薄层材料方块电阻测试方法
JP6365953B1 (ja) プローバ
JP2015049137A (ja) 半導体チップ試験装置及び方法
WO2018233348A1 (zh) 测量装置及测量系统
JP2010016279A (ja) 基板測定装置
CN103234410B (zh) 轴承沟位测量的方法及检测装置
CN107326337B (zh) 押元结构和基板承载装置
CN106112153B (zh) 数控线切割机钼丝垂直测量校正方法和装置
CN108037432A (zh) 一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置
WO2022164311A1 (en) A bond testing apparatus.
US9739828B2 (en) Probe device
CN106546156A (zh) 加热盘水平测量工装结构及测量方法
CN113049881A (zh) 集成电路外延层扩展电阻测试仪
KR101910712B1 (ko) 압력센서 및 압력센서의 제작 방법
CN205927397U (zh) 数控线切割机钼丝垂直测量校正装置
JP6583151B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN215728597U (zh) 一种半导体电学性能测试装置
CN102305882A (zh) 测试载片台

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140612

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150310

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20150423

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150707

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150713

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5779449

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250