JP2013028744A - Cyclodextrin derivative and method for producing the same and resist material - Google Patents

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忠臣 西久保
Hiroto Kudo
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a new cyclodextrin derivative into which a group derived from an adamantane compound having high heat resistance is introduced; and a production method thereof; and a resist material that can form fine patterns stably in high accuracy.SOLUTION: This cyclodextrin derivative comprises 6 to 8 glucose units, in which at least one hydroxy group of a glucose unit is ether-linked with a group represented by formula (a), in formula, Rrepresents an alkyl group.

Description

本発明は、シクロデキストリン誘導体およびその製造方法、並びにレジスト材料に関する。   The present invention relates to a cyclodextrin derivative, a method for producing the same, and a resist material.

従来、半導体素子などの集積回路素子の製造には、フォトリソグラフィー技術が広く用いられており、このフォトリソグラフィー技術においては、近年の集積回路素子の更なる高集積化の要請があることから、露光光として、従来から用いられていた、例えばKrFエキシマレーザー光およびArFエキシマレーザー光などに代えて、これらのエキシマレーザー光よりも短波長の光である極端紫外線(EUV:Extreme Ultra−Violet)を用いることによって形成すべき回路パターンの微細化に対応することが検討されている。   Conventionally, photolithography technology has been widely used in the manufacture of integrated circuit devices such as semiconductor devices, and in this photolithography technology, there has been a demand for higher integration of integrated circuit devices in recent years. As the light, instead of conventionally used, for example, KrF excimer laser light and ArF excimer laser light, extreme ultraviolet (EUV: Extreme Ultra-Violet) which is light having a shorter wavelength than these excimer laser lights is used. Therefore, it has been studied to cope with miniaturization of circuit patterns to be formed.

而して、フォトリソグラフィープロセスにおいて露光光として極端紫外線を用いるに際しては、非晶性、成膜性、耐熱性、剛直性および極端紫外線に対する感応性を有すると共に、低LER(Line Edge Roughness)、すなわち膜面荒れの程度が少なく、微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することのできるレジスト材料の開発が求められている。   Thus, when using extreme ultraviolet rays as exposure light in the photolithography process, it has amorphous properties, film-forming properties, heat resistance, rigidity, sensitivity to extreme ultraviolet rays, and low LER (Line Edge Roughness), that is, Development of a resist material that can form a fine pattern with high accuracy and stability with little roughness of the film surface is required.

Mitsuru Ueda et al.Macromolecules,43,2832(2010)Mitsuru Ueda et al. Macromolecules, 43, 2832 (2010) Huining Xiao et al.Tetrahedron Letters.,51,2351(2010)Huining Xiao et al. Tetrahedron Letters. , 51, 235 (2010) Khan,A.R;Forgo,P.;Stine,K.J.;D’Souza,V.T.Chem.Rev.,98,1977,(1998)Khan, A .; R; Forgo, P .; Stine, K .; J. et al. D'Souza, V .; T.A. Chem. Rev. , 98, 1977, (1998)

本発明は、以上のような事情を背景とし、極端紫外線を露光光とするフォトリソグラフィー用のレジスト材料としては低分子量の化合物が有用であることに基づいて、発明者らが研究を重ね、低分子量の化合物であって分子中に多数の水酸基を有するシクロデキストリンに対して、特異な特性を有することから種々の用途への利用が試みられているアダマンタン化合物に由来の基を導入することが可能であることを見出した結果、なされたものである。   The present invention has been studied by the inventors based on the fact that a low molecular weight compound is useful as a resist material for photolithography that uses extreme ultraviolet light as exposure light. It is possible to introduce a group derived from an adamantane compound that has been tried to be used in various applications because of its unique properties with respect to cyclodextrin having a molecular weight and many hydroxyl groups in the molecule. It was made as a result of finding out.

本発明の目的は、アダマンタン化合物に由来の基が導入されてなる新規なシクロデキストリン誘導体およびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、高い耐熱性を有すると共に、容易に成膜することができるシクロデキストリン誘導体およびその製造方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、低LERであり、従って微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することのできるレジスト材料を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a novel cyclodextrin derivative in which a group derived from an adamantane compound is introduced and a method for producing the same.
Another object of the present invention is to provide a cyclodextrin derivative having high heat resistance and capable of forming a film easily, and a method for producing the cyclodextrin derivative.
Still another object of the present invention is to provide a resist material that has a low LER and can therefore form a fine pattern with high accuracy and stability.

本発明のシクロデキストリン誘導体は、下記化学式(1)で表されることを特徴とする。   The cyclodextrin derivative of the present invention is represented by the following chemical formula (1).

〔式中、R1 〜R3 は、それぞれ独立に水素原子または下記化学式(a)で表わされる基を示す。nは6〜8の整数である。また、複数のR1 〜R3 のうちの少なくとも1つは下記式(a)で表わされる基である。〕 [Wherein, R 1 to R 3 each independently represent a hydrogen atom or a group represented by the following chemical formula (a). n is an integer of 6-8. Further, at least one of the plurality of R 1 to R 3 is a group represented by the following formula (a). ]

〔式中、R4 は、アルキル基を示す。〕 [Wherein, R 4 represents an alkyl group. ]

本発明のシクロデキストリン誘導体においては、前記化学式(a)で表わされる基の含有率が7%以上であることが好ましい。   In the cyclodextrin derivative of the present invention, the content of the group represented by the chemical formula (a) is preferably 7% or more.

本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法は、下記化学式(2)で表わされる化合物と、下記化学式(3)で表わされる化合物とを水酸化ナトリウムの存在下において、化学式(2)で表わされる化合物における全水酸基1molに対して化学式(3)で表わされる化合物が0.1mol以上となる条件で反応させることにより、請求項1または請求項2に記載のシクロデキストリン誘導体を得ることを特徴とする。   The method for producing a cyclodextrin derivative of the present invention comprises a compound represented by the following chemical formula (2) and a compound represented by the following chemical formula (3) in the presence of sodium hydroxide in the compound represented by the chemical formula (2). The cyclodextrin derivative according to claim 1 or 2 is obtained by reacting the compound represented by the chemical formula (3) with respect to 1 mol of all hydroxyl groups under a condition of 0.1 mol or more.

〔式中、nは6〜8の整数である。〕 [In formula, n is an integer of 6-8. ]

〔式中、R4 はアルキル基を示し、Xはハロゲン原子を示す。〕 [Wherein R 4 represents an alkyl group, and X represents a halogen atom. ]

本発明のレジスト材料は、前記のシクロデキストリン誘導体を含有してなることを特徴とする。   The resist material of the present invention comprises the above cyclodextrin derivative.

本発明のシクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン骨格を有する低分子量のものであると共に、アダマンタン化合物に由来の基を有するため、優れた耐熱性が得られると共に、アダマンタン化合物に由来の基の含有率が7%以上である場合には、有機溶剤に対する溶解性を有することから容易に成膜することが可能である。
また、本発明のシクロデキストリン誘導体は、極端紫外線に対して感度を有するものであり、しかも当該シクロデキストリン誘導体から得られる薄膜が低LERであって微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することができるものであることから、極端紫外線を露光光として用いるレジスト材料として有用である。
The cyclodextrin derivative of the present invention has a low molecular weight having a cyclodextrin skeleton and a group derived from an adamantane compound, so that excellent heat resistance is obtained and the content of the group derived from the adamantane compound is high. When the content is 7% or more, the film can be easily formed because it has solubility in an organic solvent.
The cyclodextrin derivative of the present invention is sensitive to extreme ultraviolet rays, and the thin film obtained from the cyclodextrin derivative has a low LER and forms a fine pattern with high accuracy and stability. Therefore, it is useful as a resist material using extreme ultraviolet light as exposure light.

本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法によれば、本発明のシクロデキストリン誘導体を容易に得ることができる。
また、本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法においては、水酸化ナトリウムの使用量によって得られるシクロデキストリン誘導体におけるアダマンタンに由来の基の含有率を制御することが可能である。
According to the method for producing a cyclodextrin derivative of the present invention, the cyclodextrin derivative of the present invention can be easily obtained.
Moreover, in the manufacturing method of the cyclodextrin derivative of this invention, it is possible to control the content rate of the group derived from adamantane in the cyclodextrin derivative obtained by the usage-amount of sodium hydroxide.

本発明のレジスト材料によれば、本発明のシクロデキストリン誘導体を含有するものであることから、低LER(Line Edge Roughness)、すなわち膜面荒れの程度が少なく、従って微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することができる。   According to the resist material of the present invention, since it contains the cyclodextrin derivative of the present invention, the low LER (Line Edge Roughness), that is, the degree of film surface roughness is small, and thus a fine pattern is highly accurate. And it can form stably.

実施例1で得られたシクロデキストリン誘導体のIRスペクトルである。2 is an IR spectrum of the cyclodextrin derivative obtained in Example 1. 実施例1で得られたシクロデキストリン誘導体のNMRスペクトルである。2 is an NMR spectrum of the cyclodextrin derivative obtained in Example 1. 実施例1で得られたシクロデキストリン誘導体のTGAデータである。2 is TGA data of a cyclodextrin derivative obtained in Example 1. 実施例2で得られたシクロデキストリン誘導体のNMRスペクトルである。2 is an NMR spectrum of the cyclodextrin derivative obtained in Example 2. 実施例3で得られたシクロデキストリン誘導体のNMRスペクトルである。3 is an NMR spectrum of the cyclodextrin derivative obtained in Example 3. 実施例4で得られたシクロデキストリン誘導体のNMRスペクトルである。2 is an NMR spectrum of the cyclodextrin derivative obtained in Example 4. 参考例1で得られたシクロデキストリン誘導体のIRスペクトルである。3 is an IR spectrum of a cyclodextrin derivative obtained in Reference Example 1. 参考例1で得られたシクロデキストリン誘導体のNMRスペクトルである。2 is an NMR spectrum of the cyclodextrin derivative obtained in Reference Example 1. 参考例1で得られたシクロデキストリン誘導体のTGAデータである。3 is TGA data of a cyclodextrin derivative obtained in Reference Example 1.

以下、本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

本発明のシクロデキストリン誘導体は、上記化学式(1)で表わされる化合物であり、アダマンタン化合物に由来の基を有することを特徴とするものである。
この本発明のシクロデキストリン誘導体は、当該シクロデキストリン誘導体を構成する繰り返し単位のすべてが同一の構成を有するものに限られず、各繰り返し単位におけるR1 〜R3 およびR4 が、その一部または全部が異なったものであってもよい。
The cyclodextrin derivative of the present invention is a compound represented by the chemical formula (1) and has a group derived from an adamantane compound.
The cyclodextrin derivative of the present invention is not limited to those in which all of the repeating units constituting the cyclodextrin derivative have the same configuration, and R 1 to R 3 and R 4 in each repeating unit are part or all of them. May be different.

本発明のシクロデキストリン誘導体に係る化学式(1)において、R1 〜R3 は、それぞれ独立に水素原子または上記化学式(a)で表わされるアダマンタン化合物に由来の基(以下、「特定アダマンチル基」ともいう。)であり、また、複数のR1 〜R3 のうちの少なくとも1つは、特定アダマンチル基である。
ここに、本発明のシクロデキストリン誘導体においては、当該シクロデキストリン誘導体を構成する複数の繰り返し単位うちの少なくとも1つの繰り返し単位に係るR1 〜R3 のうちの少なくとも1が特定アダマンチル基であればよい。
In the chemical formula (1) relating to the cyclodextrin derivative of the present invention, R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom or a group derived from an adamantane compound represented by the chemical formula (a) (hereinafter referred to as “specific adamantyl group”). And at least one of the plurality of R 1 to R 3 is a specific adamantyl group.
Here, in the cyclodextrin derivative of the present invention, at least one of R 1 to R 3 related to at least one repeating unit among the plurality of repeating units constituting the cyclodextrin derivative may be a specific adamantyl group. .

特定アダマンチル基に係る化学式(a)において、R4 は、アルキル基である。
化学式(a)におけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数1〜4のアルキル基が挙げられる。
化学式(a)においては、R4 は、メチル基であることが好ましい。
In the chemical formula (a) relating to the specific adamantyl group, R 4 is an alkyl group.
Examples of the alkyl group in the chemical formula (a) include C1-C4 alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group.
In the chemical formula (a), R 4 is preferably a methyl group.

また、化学式(1)において、nは6〜8の整数であり、好ましくは7である。   Moreover, in Chemical formula (1), n is an integer of 6-8, Preferably it is 7.

本発明のシクロデキストリン誘導体においては、シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率によって示される特定アダマンチル基の含有率が、7%以上であることが好ましく、更に好ましくは10%以上である。
ここに、特定アダマンチル基の含有率は、1H−NMRスペクトルに基づいて求めることができる。
In the cyclodextrin derivative of the present invention, the content of the specific adamantyl group indicated by the etherification rate with respect to all hydroxyl groups in the cyclodextrin is preferably 7% or more, and more preferably 10% or more.
Here, the content rate of a specific adamantyl group can be calculated | required based on a < 1 > H-NMR spectrum.

このような構成の本発明のシクロデキストリン誘導体は、原料化合物としてのシクロデキストリン化合物と、特定アダマンチル基を有する化合物とを反応させることにより得ることができる。
ここに、原料化合物としてのシクロデキストリン化合物の具体例としては、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリンおよびγ−シクロデキストリンが挙げられる。
The cyclodextrin derivative of the present invention having such a structure can be obtained by reacting a cyclodextrin compound as a raw material compound with a compound having a specific adamantyl group.
Here, specific examples of the cyclodextrin compound as the raw material compound include α-cyclodextrin, β-cyclodextrin, and γ-cyclodextrin.

具体的には、本発明のシクロデキストリン誘導体は、上記化学式(2)で表わされるシクロデキストリン化合物(以下、「原料化合物(1)」ともいう。)と、上記化学式(3)で表わされる特定アダマンチル基を有する化合物(以下、「原料化合物(2)」ともいう。)とを、水酸化ナトリウムの存在下において反応させることにより得ることができる。
ここに、原料化合物(2)に係る化学式(3)において、Xはハロゲン原子である。この化学式(3)に係るXとしては、例えば臭素原子、塩素原子およびヨウ素原子などが挙げられる。
Specifically, the cyclodextrin derivative of the present invention includes a cyclodextrin compound represented by the chemical formula (2) (hereinafter also referred to as “raw material compound (1)”) and a specific adamantyl represented by the chemical formula (3). It can be obtained by reacting a compound having a group (hereinafter also referred to as “raw compound (2)”) in the presence of sodium hydroxide.
Here, in the chemical formula (3) relating to the raw material compound (2), X is a halogen atom. Examples of X according to the chemical formula (3) include a bromine atom, a chlorine atom, and an iodine atom.

原料化合物(1)と、原料化合物(2)との使用量は、原料化合物(1)中の水酸基1molに対して原料化合物(2)が0.1mol以上とされ、好ましくは0.1〜5.0mol、更に好ましくは0.5〜1.0molである。   The amount of the raw material compound (1) and the raw material compound (2) used is such that the raw material compound (2) is 0.1 mol or more with respect to 1 mol of the hydroxyl group in the raw material compound (1), preferably 0.1 to 5 0.0 mol, more preferably 0.5 to 1.0 mol.

水酸化ナトリウムの使用量は、原料化合物(1)中の水酸基1molに対して0.1〜2.0molであることが好ましく、更に好ましくは0.3〜1.0molである。
水酸化ナトリウムの使用量が過小および過大である場合には、いずれの場合においても、得られるシクロデキストリン誘導体において、特定アダマンチル基の含有率を制御することができなくなるおそれがある。
It is preferable that the usage-amount of sodium hydroxide is 0.1-2.0 mol with respect to 1 mol of hydroxyl groups in a raw material compound (1), More preferably, it is 0.3-1.0 mol.
When the amount of sodium hydroxide used is too small or too large, there is a possibility that the content of the specific adamantyl group cannot be controlled in the obtained cyclodextrin derivative in any case.

水酸化ナトリウムの存在下における原料化合物(1)と原料化合物(2)との反応は、適宜の溶媒中において、適宜の触媒を用いることによって行うことができる。   The reaction of the raw material compound (1) and the raw material compound (2) in the presence of sodium hydroxide can be performed by using an appropriate catalyst in an appropriate solvent.

溶媒としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルスルフィド(DMS)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)などを用いることができる。   As the solvent, for example, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethyl sulfide (DMS), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMAc) and the like can be used.

また、触媒としては、例えばテトラブチルアンモニウムブロミド(TBAB)、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラフェニルアンモニウムブロマイド、テトラブチルフォスフォニウムブロマイドなどを用いることができる。
触媒の使用量は、0.5〜1.0mol%であることが好ましい。
Examples of the catalyst that can be used include tetrabutylammonium bromide (TBAB), tetrabutylammonium chloride, tetraphenylammonium bromide, and tetrabutylphosphonium bromide.
The amount of the catalyst used is preferably 0.5 to 1.0 mol%.

また、反応条件としては、例えば反応温度が0〜100℃であり、反応時間が1〜72時間である。   Moreover, as reaction conditions, reaction temperature is 0-100 degreeC, for example, and reaction time is 1 to 72 hours.

本発明のシクロデキストリン誘導体の合成プロセスの一例を、下記反応式(1)に示す。   An example of the synthesis process of the cyclodextrin derivative of the present invention is shown in the following reaction formula (1).

〔式中、R1 〜R3 は、それぞれ独立に水素原子または下記化学式(a)で表わされる基を示し、nは6〜8の整数である。また、複数のR1 〜R3 のうちの少なくとも1つは下記式(a)で表わされる基である。R4 は、アルキル基を示し、Xは、ハロゲン原子を示す。〕 [Wherein, R 1 to R 3 each independently represent a hydrogen atom or a group represented by the following chemical formula (a), and n is an integer of 6 to 8. Further, at least one of the plurality of R 1 to R 3 is a group represented by the following formula (a). R 4 represents an alkyl group, and X represents a halogen atom. ]

以上のような本発明のシクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン骨格を有する低分子量のものであると共に、アダマンタン化合物に由来の基を有するため、優れた耐熱性が得られると共に、特定アダマンタン基の含有割合が7%以上である場合には、有機溶剤に対する溶解性を有することから容易に成膜することが可能である。
また、本発明のシクロデキストリン誘導体は、極端紫外線に対して感度を有するものであり、しかも当該シクロデキストリン誘導体から得られる薄膜が低LERであって微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することができるものであることから、極端紫外線を露光光として用いるレジスト材料として有用である。
The cyclodextrin derivative of the present invention as described above has a low molecular weight having a cyclodextrin skeleton and a group derived from an adamantane compound, so that excellent heat resistance is obtained and the content ratio of a specific adamantane group Is 7% or more, the film can be easily formed because it has solubility in an organic solvent.
The cyclodextrin derivative of the present invention is sensitive to extreme ultraviolet rays, and the thin film obtained from the cyclodextrin derivative has a low LER and forms a fine pattern with high accuracy and stability. Therefore, it is useful as a resist material using extreme ultraviolet light as exposure light.

本発明のレジスト材料は、本発明のシクロデキストリン誘導体を含有することを特徴とするものである。
具体的には、例えば本発明のシクロデキストリン誘導体と共に、極端紫外線などの放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、当該感放射線性発生剤から生じる酸のレジスト膜(レジスト被膜)中における拡散現象を制御するための酸拡散制御剤と、有機溶剤と、必要に応じて例えば界面活性剤および増感剤などの任意成分を含有するものである。
ここに、本発明のレジスト材料は、当該レジスト材料を構成する本発明のシクロデキストリン誘導体が1種単独または2種以上が組み合わされてなるものであってもよい。
The resist material of the present invention contains the cyclodextrin derivative of the present invention.
Specifically, for example, together with the cyclodextrin derivative of the present invention, a radiation-sensitive acid generator that generates an acid when irradiated with radiation such as extreme ultraviolet rays, and an acid resist film generated from the radiation-sensitive generator ( It contains an acid diffusion control agent for controlling the diffusion phenomenon in the resist film), an organic solvent, and optional components such as a surfactant and a sensitizer as required.
Here, the resist material of the present invention may be a single or a combination of two or more of the cyclodextrin derivatives of the present invention constituting the resist material.

本発明のレジスト材料において、本発明のシクロデキストリン誘導体の含有割合は、1〜30質量%であることが好ましい。
本発明のシクロデキストリン誘導体の含有割合が過小である場合には、薄膜が形成不能になるおそれがある。一方、本発明のシクロデキストリン誘導体の含有割合が過大である場合には、均一な薄膜が形成不能になるおそれがある。
In the resist material of the present invention, the content of the cyclodextrin derivative of the present invention is preferably 1 to 30% by mass.
If the content of the cyclodextrin derivative of the present invention is too small, there is a possibility that a thin film cannot be formed. On the other hand, when the content ratio of the cyclodextrin derivative of the present invention is excessive, there is a possibility that a uniform thin film cannot be formed.

前記感放射線性発生剤は、電子線および極端紫外線等の放射線などの光を照射したときに、本発明のレジスト材料中において酸を発生する物質であり、本発明のレジスト材料に光を照射した場合には、当該本発明のレジスト材料を構成する本発明のシクロデキストリン誘導体における、酸解離性を有する特定アダマンチル基が解離することとなる。
感放射線性発生剤としては、酸発生効率および耐熱性の観点から、例えばオニウム塩、ジアゾメタン化合物、スルホンイミド化合物およびその他の非イオン性酸発生剤などが好適に用いられる。これらの化合物は、単独で用いることもでき、また2種以上を組み合わせて用いることもできる。
The radiation-sensitive generator is a substance that generates an acid in the resist material of the present invention when irradiated with light such as an electron beam and extreme ultraviolet rays, and the resist material of the present invention is irradiated with light. In this case, the specific adamantyl group having acid dissociation property in the cyclodextrin derivative of the present invention constituting the resist material of the present invention is dissociated.
From the viewpoint of acid generation efficiency and heat resistance, for example, onium salts, diazomethane compounds, sulfonimide compounds and other nonionic acid generators are preferably used as the radiation sensitive generator. These compounds can also be used independently and can also be used in combination of 2 or more type.

感放射線性発生剤の具体例としては、例えば下記一般式(B−1)で表わされるスルホニルオキシイミド化合物が挙げられる。   Specific examples of the radiation sensitive generator include sulfonyloxyimide compounds represented by the following general formula (B-1).

〔上記式中、R5 は、アルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基、シクロアルキレン基、不飽和結合を有する環状骨格を含むシクロアルキレン基等の2価の基を示し、R6 はハロゲン原子、シクロアルキル基で置換されていてもよいアルキル基、アルキル基、エステル結合を有する基で置換されていてもよいシクロアルキル基、ハロゲン原子またはアルキル基で置換されていてもよいアリール基を示す。〕 [In the above formula, R 5 represents an alkylene group, an arylene group, an alkoxylene group, a cycloalkylene group, a divalent group such as a cycloalkylene group containing a cyclic skeleton having an unsaturated bond, and R 6 represents a halogen atom, An alkyl group which may be substituted with a cycloalkyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group which may be substituted with a group having an ester bond, an aryl group which may be substituted with a halogen atom or an alkyl group. ]

本発明において、スルホニルオキシイミド化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。   In this invention, a sulfonyloxyimide compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

スルホニルオキシイミド化合物の具体例としては、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−トルエンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−{(5−メチル−5−カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)スルホニルオキシ}スクシンイミドなどを挙げることができる。   Specific examples of the sulfonyloxyimide compound include N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (10-camphorsulfonyloxy) succinimide. N- (4-toluenesulfonyloxy) succinimide, N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (benzenesulfonyl) Oxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-{(5-methyl-5-carboxymethylbicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) And sulfonyloxy} succinimide.

前記他の非イオン性酸発生剤としては、スルホニルジアゾメタン化合物が好ましい。スルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、下記一般式(B−2)で表される化合物を挙げることができる。   The other nonionic acid generator is preferably a sulfonyldiazomethane compound. As a sulfonyl diazomethane compound, the compound represented by the following general formula (B-2) can be mentioned, for example.

〔上記式中、各R7 は、相互に独立にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の1価の基を示す。〕 [In the above formulae, each R 7 independently represents a monovalent group such as an alkyl group, an aryl group, a halogen-substituted alkyl group, or a halogen-substituted aryl group. ]

スルホニルジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキサンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4―ジメチルベンゼンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−t−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−クロロベンゼンスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル・4−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキサンスルホニル・4−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキサンスルホニル・1,1−ジメチルエタンスルホニルジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエタンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1−メチルエタンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(3,3−ジメチル−1,5−ジオキサスピロ[5.5]ドデカン−8―スルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,4−ジオキサスピロ[4.5]デカン−7−スルホニル)ジアゾメタンなどを挙げることができる。   Specific examples of the sulfonyldiazomethane compound include bis (trifluoromethanesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexanesulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (4-toluenesulfonyl) diazomethane, and bis (2,4-dimethylbenzenesulfonyl). Diazomethane, bis (4-t-butylphenylsulfonyl) diazomethane, bis (4-chlorobenzenesulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl, 4-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexanesulfonyl, 4-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexanesulfonyl, 1,1-dimethylethane Sulfonyldiazomethane, bis (1,1-dimethylethanesulfonyl) diazomethane, bis (1-methylethanesulfonyl) dia Examples include methane, bis (3,3-dimethyl-1,5-dioxaspiro [5.5] dodecane-8-sulfonyl) diazomethane, bis (1,4-dioxaspiro [4.5] decane-7-sulfonyl) diazomethane, and the like. be able to.

前記オニウム塩としては、フッ素原子で置換されてもよいベンゼンスルホン酸を発生するものを使用できる。   As said onium salt, what generate | occur | produces the benzenesulfonic acid which may be substituted by a fluorine atom can be used.

前記オニウム塩化合物の具体例としては、下記一般式(B−3)および一般式(B−4)で表される化合物を挙げることができる。   Specific examples of the onium salt compound include compounds represented by the following general formula (B-3) and general formula (B-4).

〔上記式(B−3)中、R8 およびR9 は、相互に独立に、置換されていてもよい炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよい炭素数6〜18のアリール基であるか、あるいは、R8 およびR9 が相互に結合して式中のヨウ素原子とともに環状構造を形成していてもよい。上記式(B−4)中、R10、R11およびR12は、相互に独立に、置換されていてもよい炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよい炭素数6〜18のアリール基であるか、あるいは、R10、R11およびR12のいずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子とともに環状構造を形成しており、残りの1つが置換されていてもよい炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよい炭素数6〜18のアリール基であってもよい。また、一般式(B−3)および上記一般式(B−4)中、X’- はR13−SO3 またはR14−COOHを示し、R13およびR14はそれぞれ独立にフッ素原子、水酸基、アルコキシル基およびカルボキシル基で置換されてもよいアルキル基または芳香族誘導体に由来の基を示す。〕 [In the above formula (B-3), R 8 and R 9 are each independently a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted, or may be substituted. It may be a good aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or R 8 and R 9 may be bonded to each other to form a cyclic structure together with an iodine atom in the formula. In said formula (B-4), R < 10 >, R < 11 > and R <12> are mutually independently the C1-C10 linear or branched alkyl group which may be substituted, or substituted. Or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or any two of R 10 , R 11 and R 12 are bonded to each other to form a cyclic structure together with the sulfur atom in the formula, and the rest May be a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted, or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms which may be substituted. Further, in general formula (B-3) and the general formula (B-4), X ' - is R 13 -SO 3 - or R 14 -COOH - are shown, R 13 and R 14 each independently represent a fluorine atom , A group derived from an alkyl group or an aromatic derivative which may be substituted with a hydroxyl group, an alkoxyl group and a carboxyl group. ]

一般式(B−3)および上記一般式(B−4)に係る好ましいR13−SO3 としては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、10−カンファースルホネート、2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、2,4−ジフルオロベンゼンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1−ジフルオロエタンスルホネート、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エタンスルホネートを挙げることができる。 Preferred R 13 —SO 3 — according to the general formula (B-3) and the general formula (B-4) includes trifluoromethanesulfonate, nonafluoro-n-butanesulfonate, benzenesulfonate, 10-camphorsulfonate, Fluoromethylbenzenesulfonate, 4-trifluoromethylbenzenesulfonate, 2,4-difluorobenzenesulfonate, perfluorobenzenesulfonate, 2- (bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1-difluoroethanesulfonate 2- (bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethanesulfonate.

感放射線性発生剤の含有割合は、本発明のシクロデキストリン誘導体100質量部に対して0.1〜20質量部であることが好ましい。   The content ratio of the radiation sensitive generator is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the cyclodextrin derivative of the present invention.

前記酸拡散制御剤は、本発明のレジスト材料を構成する感放射線性発生剤から生じる酸のレジスト膜(レジスト被膜)中における拡散現象を制御することによって非露光領域において化学反応が生じることを抑制する作用を有するものである。
酸拡散制御剤としては、含窒素有機化合物または感光性塩基性化合物などが好適に用いられる。これらの化合物は、単独で用いることもでき、また2種以上を組み合わせて用いることもできる。
The acid diffusion control agent suppresses the occurrence of a chemical reaction in the non-exposed region by controlling the diffusion phenomenon in the resist film (resist coating) of the acid generated from the radiation sensitive generator constituting the resist material of the present invention. It has the effect | action which carries out.
As the acid diffusion controller, a nitrogen-containing organic compound or a photosensitive basic compound is preferably used. These compounds can also be used independently and can also be used in combination of 2 or more type.

前記含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式(C−1)で表される化合物(以下、「含窒素化合物(i)」という。)、下記一般式(C−2)で表される同一分子内に窒素原子を2個有する化合物(以下、「含窒素化合物(ii)」という。)、窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体(以下、これらをまとめて「含窒素化合物(iii)」という。)、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物などを挙げることができる。   Examples of the nitrogen-containing organic compound include a compound represented by the following general formula (C-1) (hereinafter referred to as “nitrogen-containing compound (i)”) and the following general formula (C-2). A compound having two nitrogen atoms in the same molecule (hereinafter referred to as “nitrogen-containing compound (ii)”), a polyamino compound or polymer having three or more nitrogen atoms (hereinafter referred to as “nitrogen-containing compound ( iii) "), amide group-containing compounds, urea compounds, nitrogen-containing heterocyclic compounds, and the like.

〔上記式中、複数のR15は、相互に独立に、水素原子、置換されていてもよい、直鎖状、分岐状もしくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示す。〕 [In the above formula, a plurality of R 15 are independently of each other a hydrogen atom, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, an optionally substituted aryl group, or a substituted group. The aralkyl group which may be sufficient is shown. ]

〔上記式中、複数のR16は、相互に独立に、水素原子、置換されていてもよい、直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示し、L’は単結合若しくは炭素数1〜6のアルキレン基、エーテル基、カルボニル基またはアルコキシカルボニル基を示す。〕 [In the above formula, a plurality of R 16 are independently of each other a hydrogen atom, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, an optionally substituted aryl group, or a substituted group. And L ′ represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an ether group, a carbonyl group or an alkoxycarbonyl group. ]

含窒素化合物(i)としては、ジ(シクロ)アルキルアミン類、トリ(シクロ)アルキルアミン類、トリアルコールアミン等の置換アルキルアミン類、アニリン類等の芳香族アミン類を挙げることができる。   Examples of the nitrogen-containing compound (i) include substituted alkylamines such as di (cyclo) alkylamines, tri (cyclo) alkylamines and trialcoholamines, and aromatic amines such as anilines.

含窒素化合物(iii)としては、例えば、トリアジン類、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2−ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。   Examples of the nitrogen-containing compound (iii) include triazines, polyethyleneimine, polyallylamine, 2-dimethylaminoethylacrylamide polymer, and the like.

前記アミド基含有化合物としては、例えば、下記一般式(C−3)で表される化合物を挙げることができる。   As said amide group containing compound, the compound represented by the following general formula (C-3) can be mentioned, for example.

〔上記式中、複数のR17は、相互に独立に、水素原子、置換されていてもよい、直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示し、複数のR17は互いに結合し複素環式構造を形成してもよい。R18は置換基を有してもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示す。〕 [In the above formula, a plurality of R 17 are independently of each other a hydrogen atom, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, an optionally substituted aryl group, or a substituted group. A plurality of R 17 may be bonded to each other to form a heterocyclic structure. R 18 represents an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted aralkyl group. ]

前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、トリ−n−ブチルチオウレア等を挙げることができる。   Examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, tri-n-butyl. Examples include thiourea.

前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール類、ピリジン類、ピペラジン類、ピペリジン類、トリアジン類、モルホリン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等を好適例として挙げることができる。   Examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound include imidazoles, pyridines, piperazines, piperidines, triazines, morpholines, pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, 1,4-diazabicyclo [2 2.2.2] Octane and the like can be cited as preferred examples.

酸拡散制御剤の含有割合は、本発明のシクロデキストリン誘導体100質量部に対して15質量部以下であることが好ましい。   The content ratio of the acid diffusion controller is preferably 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the cyclodextrin derivative of the present invention.

前記有機溶剤としては、本発明のレジスト材料を構成する他の構成要素を溶解可能なものが用いられる。   As said organic solvent, what can melt | dissolve the other component which comprises the resist material of this invention is used.

有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールジ−n−ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸i−プロピル等の乳酸エステル類;ぎ酸n−アミル、ぎ酸i−アミル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸n−アミル、酢酸i−アミル、プロピオン酸i−プロピル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、2−ペンタノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;γ−ブチロラクン等のラクトン類;などが挙げられる。   Examples of the organic solvent include ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, and ethylene glycol mono-n-butyl ether acetate; propylene glycol Propylene glycol monoalkyl ethers such as monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether; propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol di-n-propyl Ether, propylene glycol di-n-butyl ether Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol mono-n-butyl ether acetate; Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, i-propyl lactate; n-amyl formate, i-amyl formate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate , Aliphatic carboxylic acid esters such as i-butyl acetate, n-amyl acetate, i-amyl acetate, i-propyl propionate, n-butyl propionate, i-butyl propionate; Ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, Ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, Other esters such as ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene; methyl ethyl ketone, 2-pentanone, 2-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone Keto such as cyclohexanone Amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; lactones such as γ-butyrolacun;

有機溶剤の含有割合は、レジスト材料における全固形分濃度が5〜70質量%となる量であることが好ましい。   The content of the organic solvent is preferably such that the total solid concentration in the resist material is 5 to 70% by mass.

このような構成の本発明のレジスト材料は、例えば本発明のシクロデキストリン誘導体と共に、感放射線性酸発生剤、酸拡散制御剤、および必要に応じて任意成分を、適宜の溶媒に溶解し、好ましくは得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターによってろ過することによって製造することができる。
また、このようにして得られた本発明のレジスト材料は、例えば、レジスト材料を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布などの適宜の塗布方法によって、シリコンウエハーなどの基板上に塗布することによってレジスト膜(レジスト被膜)を形成し、そのレジスト膜に対して極端紫外線などの露光によって所期のレジストパターンを形成し、適宜の現像液によって現像処理をする、フォトリソグラフィープロセスに好適に用いられる。
The resist material of the present invention having such a structure is preferably prepared by dissolving, for example, a radiation-sensitive acid generator, an acid diffusion controller, and, if necessary, an optional component together with the cyclodextrin derivative of the present invention in an appropriate solvent. Can be produced by filtering the obtained solution through a filter having a pore size of 0.2 μm.
In addition, the resist material of the present invention thus obtained can be obtained by, for example, applying the resist material on a substrate such as a silicon wafer by an appropriate application method such as spin coating, cast coating, or roll coating. A resist film (resist film) is formed, a desired resist pattern is formed on the resist film by exposure to extreme ultraviolet rays, and the resist film is suitably used in a photolithography process in which development is performed with an appropriate developer.

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, specific examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited thereto.

〔実施例1〕
(シクロデキストリン誘導体の合成例)
容量50mLのナスフラスコに、化学式(2)においてnが7の化合物であるβ−シクロデキストリン(以下、「β−CD」ともいう。)0.23g(0.2mmol)と、N−メチル−2−ピロリドン(以下、「NMP」ともいう。)10mLとを仕込み、β−CDをNMPに溶解させた。この溶液に、水酸化ナトリウム0.1g(β−CD中の水酸基4.2mmolに対して当量)と、テトラブチルアンモニウムブロミド(以下、「TBAB」ともいう。)0.058g(β−CDの水酸基に対して5mol%)、と、化学式(3)においてXが臭素原子であってR4 がメチル基の化合物であるアダマンチルブロモアセテート(以下、「BMA」ともいう。)1.2g(β−CD中の水酸基4.2mmolに対して当量)とを添加し、温度40℃の条件で20時間撹拌することによって反応させた。
反応が完了した後、反応溶液をクロロホルムで希釈し、0.1N塩酸で1回、水道水で2回洗浄し、有機相を回収した。その後、回収した有機相を乾燥剤として無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥処理した。乾燥剤をろ別し、減圧留去後、貧溶媒としてエーテルを用いて沈殿させ、沈殿を回収し、室温にて24時間かけて減圧乾燥することにより、反応生成物0.0822gを得た。なお、得られた反応生成物の質量は、NMPを含むものである。
得られた反応生成物は、IR分析および 1H−NMR分析の結果から、下記化学式(1−1)で表される化合物(以下、「シクロデキストリン誘導体(1)」ともいう。)であることが確認された。
このシクロデキストリン誘導体(1)において、特定アダマンタン基の含有率(β−CDにおける全水酸基に対するエーテル化率)は39%であることが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(1)について、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量(Mn)は1200であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.06であった。
[Example 1]
(Synthesis example of cyclodextrin derivative)
In a eggplant flask having a volume of 50 mL, 0.23 g (0.2 mmol) of β-cyclodextrin (hereinafter also referred to as “β-CD”), which is a compound having n of 7 in the chemical formula (2), and N-methyl-2 -10 mL of pyrrolidone (hereinafter also referred to as “NMP”) was charged, and β-CD was dissolved in NMP. To this solution, 0.1 g of sodium hydroxide (equivalent to 4.2 mmol of hydroxyl group in β-CD) and 0.058 g of tetrabutylammonium bromide (hereinafter also referred to as “TBAB”) (hydroxyl group of β-CD) Adamantyl bromoacetate (hereinafter also referred to as “BMA”), which is a compound in which X is a bromine atom and R 4 is a methyl group in the chemical formula (3), 1.2 g (β-CD The reaction was carried out by stirring at a temperature of 40 ° C. for 20 hours.
After the reaction was completed, the reaction solution was diluted with chloroform, washed once with 0.1N hydrochloric acid and twice with tap water, and the organic phase was recovered. Thereafter, the recovered organic phase was dried using anhydrous magnesium sulfate as a drying agent. The desiccant was filtered off, distilled off under reduced pressure, and then precipitated using ether as a poor solvent. The precipitate was collected and dried under reduced pressure at room temperature for 24 hours to obtain 0.0822 g of a reaction product. In addition, the mass of the obtained reaction product contains NMP.
The obtained reaction product is a compound represented by the following chemical formula (1-1) (hereinafter also referred to as “cyclodextrin derivative (1)”) from the results of IR analysis and 1 H-NMR analysis. Was confirmed.
In this cyclodextrin derivative (1), it was confirmed that the content of the specific adamantane group (the etherification rate with respect to all hydroxyl groups in β-CD) was 39%.
Further, when the molecular weight and molecular weight distribution of the cyclodextrin derivative (1) were confirmed by GPC (gel permeation chromatography) method, the number average molecular weight (Mn) was 1200 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1. 06.

シクロデキストリン誘導体(1)のIR分析および 1H−NMR分析の結果を下記に示すと共に、IRスペクトルを図1およびNMRスペクトルを図2に示す。 The results of IR analysis and 1 H-NMR analysis of the cyclodextrin derivative (1) are shown below, and the IR spectrum is shown in FIG. 1 and the NMR spectrum is shown in FIG.

○IR(KrS,cm-1):
3465(νO−H)
2914(νC−H)
1741(νC=O)
1145,1092,1031(νC−O−C)
○ IR (KrS, cm -1 ):
3465 (νO-H)
2914 (νC-H)
1741 (νC = O)
1145, 1092, 1031 (νC—O—C)

1H NMR(500MHz,DMSO−d6 ,TMS)δ(ppm):
1.50−2.18(m,195.33,Hh −Hz
4.80(s,7,Ha
1 H NMR (500 MHz, DMSO-d 6 , TMS) δ (ppm):
1.50-2.18 (m, 195.33, H h -H z )
4.80 (s, 7, H a )

(シクロデキストリン誘導体の特性)
得られたシクロデキストリン誘導体(1)について、熱安定性、有機溶剤に対する溶解性および成膜性について下記の手法によって確認をした。
(Characteristics of cyclodextrin derivatives)
About the obtained cyclodextrin derivative (1), the thermal stability, the solubility with respect to an organic solvent, and film-forming property were confirmed with the following method.

(1)熱安定性(耐熱性)
熱重量分析(TGA)によって熱安定性(耐熱性)を確認したころ、Tdi が107.4℃であり、Td5.2%188.2℃であり、Td10.2%が191.4℃であることが確認された。TGAデータを図3に示す。
ここに、「Tdi」とは、熱分解開始温度であり、「Td5.2%」とは、5%重量熱分解損失温度であり、「Td10.2%」とは、10%重量熱分解損失温度である。
(1) Thermal stability (heat resistance)
When thermal stability (heat resistance) was confirmed by thermogravimetric analysis (TGA), Td i was 107.4 ° C, Td 5.2% 188.2 ° C, and Td 10.2% was 191.4 ° C. Was confirmed. TGA data is shown in FIG.
Here, “Td i ” is a thermal decomposition start temperature, “Td 5.2% ” is a 5% weight pyrolysis loss temperature, and “Td 10.2% ” is a 10% weight pyrolysis loss temperature. It is.

(2)有機溶剤に対する溶解性
シクロデキストリン誘導体(1)50mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体(1)の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、ジグライム(ジエチレングリコールジメチルエーテル)および乳酸エチルには、室温(25℃)条件下において溶解し、また、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)には、加温条件下において溶解することが確認された。一方、濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液には溶解性を有さないことが確認された。
(2) Solubility in organic solvent The solubility of cyclodextrin derivative (1) in organic solvent was confirmed by adding 50 mg of cyclodextrin derivative (1) to 1 mL of organic solvent. Propylene glycol monomethyl ether (PGME), diglyme It was confirmed that it was dissolved in (diethylene glycol dimethyl ether) and ethyl lactate under room temperature (25 ° C.) conditions, and was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) under heating conditions. On the other hand, it was confirmed that the tetramethylammonium (TMAH) aqueous solution having a concentration of 2.38% by mass has no solubility.

(3)成膜性
シクロデキストリン誘導体(1)50mgがプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)1mLに溶解されてなる溶液、シクロデキストリン誘導体(1)50mgがジグライム1mLに溶解されてなる溶液、およびシクロデキストリン誘導体(1)50mgが乳酸エチル1mLに溶解されてなる溶液を調製し、得られた各溶液を用いて下記の手法によって膜を形成することによって成膜性を目視にて確認したところ、膜を均一に形成できることが確認された。
ここに、膜の形成は、シリコンウエハー上に溶液をスピンコートする手法によって行った。
(3) Film-forming property A solution in which 50 mg of cyclodextrin derivative (1) is dissolved in 1 mL of propylene glycol monomethyl ether (PGME), a solution in which 50 mg of cyclodextrin derivative (1) is dissolved in 1 mL of diglyme, and a cyclodextrin derivative (1) A solution in which 50 mg was dissolved in 1 mL of ethyl lactate was prepared, and a film was formed by the following method using each of the obtained solutions. It was confirmed that it can be formed.
Here, the film was formed by a technique of spin-coating a solution on a silicon wafer.

〔実施例2〕
実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β−CDの使用量を2mmol、水酸化ナトリウムの使用量を42mmol、BMAの使用量を14mmol(β−CD中の水酸基に対して1/3当量)とすると共に、TBABの使用量を、β−CDの使用量が変更したことに応じてβ−CDの水酸基に対して5mol%となる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物を得た。
得られた反応生成物は、IR分析および 1H−NMR分析の結果から、上記化学式(1−1)で表され、特定アダマンタン基の含有率(β−CDにおける全水酸基に対するエーテル化率)が76.9%である化合物(以下、「シクロデキストリン誘導体(2)」ともいう。)であることが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(2)について、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量(Mn)は1404であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.06であった。
シクロデキストリン誘導体(2)のNMRスペクトルを図4に示す。
[Example 2]
In the synthesis example of the cyclodextrin derivative of Example 1, the amount of β-CD used was 2 mmol, the amount of sodium hydroxide used was 42 mmol, and the amount of BMA used was 14 mmol (1/3 equivalent to the hydroxyl group in β-CD) And the cyclodextrin of Example 1 except that the amount of TBAB was changed to 5 mol% with respect to the hydroxyl group of β-CD in accordance with the change in the amount of β-CD used. A reaction product was obtained in the same manner as in the synthesis example of the derivative.
The obtained reaction product is represented by the above chemical formula (1-1) from the results of IR analysis and 1 H-NMR analysis, and the content of the specific adamantane group (the etherification rate with respect to all hydroxyl groups in β-CD) is It was confirmed that the compound was 76.9% (hereinafter also referred to as “cyclodextrin derivative (2)”).
Further, when the molecular weight and molecular weight distribution of the cyclodextrin derivative (2) were confirmed by GPC (gel permeation chromatography) method, the number average molecular weight (Mn) was 1404 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1. 06.
The NMR spectrum of the cyclodextrin derivative (2) is shown in FIG.

得られたシクロデキストリン誘導体(2)について、有機溶剤に対する溶解性について実施例1と同様の手法によって確認をした。   About the obtained cyclodextrin derivative (2), the solubility with respect to the organic solvent was confirmed by the method similar to Example 1. FIG.

シクロデキストリン誘導体(2)の有機溶剤に対する溶解性については、シクロデキストリン誘導体(2)50mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体(2)の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、ジメチルスルホキシド(DMSO)、テトラヒドロフラン(THF)、エチルアセテート、乳酸エチル、クロロホルム、ジグライム(ジエチレングリコールジメチルエーテル)およびプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)には、室温(25℃)条件下において溶解し、また、メタノールおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)には、室温(25℃)条件下においてその一部が溶解することが確認された。一方、エチルエーテルおよび濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液には溶解性を有さないことが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(2)は、シクロデキストリン誘導体(2)50mgを水1mLに添加することにより、水には溶解性を有さないことが確認された。
As for the solubility of the cyclodextrin derivative (2) in the organic solvent, the solubility of the cyclodextrin derivative (2) in the organic solvent was confirmed by adding 50 mg of the cyclodextrin derivative (2) to 1 mL of the organic solvent. (DMSO), tetrahydrofuran (THF), ethyl acetate, ethyl lactate, chloroform, diglyme (diethylene glycol dimethyl ether) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are dissolved at room temperature (25 ° C), and methanol and propylene glycol. It was confirmed that a part of monomethyl ether acetate (PGMEA) was dissolved at room temperature (25 ° C.). On the other hand, it was confirmed that ethyl ether and a tetramethylammonium (TMAH) aqueous solution having a concentration of 2.38% by mass have no solubility.
Moreover, it was confirmed that cyclodextrin derivative (2) has no solubility in water by adding 50 mg of cyclodextrin derivative (2) to 1 mL of water.

〔実施例3〕
実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β−CDの使用量を4mmol、水酸化ナトリウムの使用量を42mmol(β−CD中の水酸基に対して1/3当量)、BMAの使用量を42mmol(β−CD中の水酸基に対して当量)とすると共に、TBABの使用量を、β−CDの使用量が変更したことに応じてβ−CDの水酸基に対して5mol%となる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物を得た。
得られた反応生成物は、IR分析および 1H−NMR分析の結果から、上記化学式(1−1)で表され、特定アダマンタン基の含有率(β−CDにおける全水酸基に対するエーテル化率)が39.0%である化合物(以下、「シクロデキストリン誘導体(3)」ともいう。)であることが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(3)について、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量(Mn)は1206であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.06であった。
シクロデキストリン誘導体(3)のNMRスペクトルを図5に示す。
Example 3
In the synthesis example of the cyclodextrin derivative of Example 1, the amount of β-CD used was 4 mmol, the amount of sodium hydroxide used was 42 mmol (1/3 equivalent to the hydroxyl group in β-CD), and the amount of BMA used was 42 mmol (equivalent to the hydroxyl group in β-CD) and the amount of TBAB used is 5 mol% with respect to the hydroxyl group of β-CD according to the change in the amount of β-CD used. A reaction product was obtained in the same manner as in the synthesis example of the cyclodextrin derivative of Example 1 except that the change was made.
The obtained reaction product is represented by the above chemical formula (1-1) from the results of IR analysis and 1 H-NMR analysis, and the content of the specific adamantane group (the etherification rate with respect to all hydroxyl groups in β-CD) is It was confirmed that the compound was 39.0% (hereinafter also referred to as “cyclodextrin derivative (3)”).
Moreover, when the molecular weight and molecular weight distribution of the cyclodextrin derivative (3) were confirmed by GPC (gel permeation chromatography) method, the number average molecular weight (Mn) was 1206, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1. 06.
The NMR spectrum of the cyclodextrin derivative (3) is shown in FIG.

得られたシクロデキストリン誘導体(3)について、有機溶剤に対する溶解性について実施例1と同様の手法によって確認をした。   About the obtained cyclodextrin derivative (3), the solubility with respect to the organic solvent was confirmed by the same method as Example 1.

シクロデキストリン誘導体(3)の有機溶剤に対する溶解性については、50mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体(3)の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、ジメチルスルホキシド(DMSO)、メタノール、テトラヒドロフラン(THF)、乳酸エチル、クロロホルムおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)には、室温(25℃)条件下において溶解し、また、アセトン、エチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)およびジグライム(ジエチレングリコールジメチルエーテル)には、室温(25℃)条件下においてその一部が溶解することが確認された。一方、エチルエーテル、n−ヘキサンおよび濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液には溶解性を有さないことが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(3)は、シクロデキストリン誘導体(3)50mgを水1mLに添加することにより、水には溶解性を有さないことが確認された。
Regarding the solubility of the cyclodextrin derivative (3) in the organic solvent, the solubility of the cyclodextrin derivative (3) in the organic solvent was confirmed by adding 50 mg to 1 mL of the organic solvent. As a result, dimethyl sulfoxide (DMSO), methanol, It dissolves in tetrahydrofuran (THF), ethyl lactate, chloroform and propylene glycol monomethyl ether (PGME) at room temperature (25 ° C.) conditions, and also acetone, ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and diglyme (diethylene glycol) (Dimethyl ether) was confirmed to partially dissolve under room temperature (25 ° C.) conditions. On the other hand, it was confirmed that ethyl ether, n-hexane and a tetramethylammonium (TMAH) aqueous solution having a concentration of 2.38% by mass have no solubility.
Moreover, it was confirmed that cyclodextrin derivative (3) has no solubility in water by adding 50 mg of cyclodextrin derivative (3) to 1 mL of water.

〔実施例4〕
実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β−CDの使用量を6mmol、水酸化ナトリウムの使用量を42mmol、BMAの使用量を42mmolとすると共に、TBABの使用量を、β−CDの使用量が変更したことに応じてβ−CDの水酸基に対して5mol%となる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物を得た。
得られた反応生成物は、IR分析および 1H−NMR分析の結果から、上記化学式(1−1)で表され、特定アダマンタン基の含有率(β−CDにおける全水酸基に対するエーテル化率)が36.9%である化合物(以下、「シクロデキストリン誘導体(4)」ともいう。)であることが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(4)について、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量(Mn)は1176であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.06であった。
シクロデキストリン誘導体(4)のNMRスペクトルを図6に示す。
Example 4
In the synthesis example of the cyclodextrin derivative of Example 1, the amount of β-CD used was 6 mmol, the amount of sodium hydroxide used was 42 mmol, the amount of BMA used was 42 mmol, and the amount of TBAB used was β-CD. A reaction product was obtained in the same manner as in the synthesis example of the cyclodextrin derivative of Example 1 except that the amount used was changed to 5 mol% with respect to the hydroxyl group of β-CD according to the change in the amount used.
The obtained reaction product is represented by the above chemical formula (1-1) from the results of IR analysis and 1 H-NMR analysis, and the content of the specific adamantane group (the etherification rate with respect to all hydroxyl groups in β-CD) is It was confirmed that the compound was 36.9% (hereinafter also referred to as “cyclodextrin derivative (4)”).
Moreover, when the molecular weight and molecular weight distribution of the cyclodextrin derivative (4) were confirmed by GPC (gel permeation chromatography) method, the number average molecular weight (Mn) was 1176, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1. 06.
The NMR spectrum of the cyclodextrin derivative (4) is shown in FIG.

〔参考例1〕
実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β−CDの使用量を5mmol、水酸化ナトリウムの使用量を21mmol、BMAの使用量を21mmolとすると共に、TBABの使用量を、β−CDの使用量が変更したことに応じてβ−CDの水酸基に対して5mol%となる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物4.633gを得た。なお、得られた反応生成物の質量は、NMPを含むものである。
得られた反応生成物は、IR分析および 1H−NMR分析の結果から、上記化学式(1−1)で表され、特定アダマンタン基の含有率(β−CDにおける全水酸基に対するエーテル化率)が6%である化合物(以下、「シクロデキストリン誘導体(5)」ともいう。)であることが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(5)について、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量(Mn)は866であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.29であった。
シクロデキストリン誘導体(5)のIR分析および 1H−NMR分析の結果を下記に示すと共に、IRスペクトルを図7およびNMRスペクトルを図8に示す。
[Reference Example 1]
In the synthesis example of the cyclodextrin derivative of Example 1, the amount of β-CD used was 5 mmol, the amount of sodium hydroxide used was 21 mmol, the amount of BMA used was 21 mmol, and the amount of TBAB used was β-CD. In the same manner as in the synthesis example of the cyclodextrin derivative of Example 1, except that the amount was changed to 5 mol% with respect to the hydroxyl group of β-CD according to the change in the amount used, 4.633 g of the reaction product was added. Obtained. In addition, the mass of the obtained reaction product contains NMP.
The obtained reaction product is represented by the above chemical formula (1-1) from the results of IR analysis and 1 H-NMR analysis, and the content of the specific adamantane group (the etherification rate with respect to all hydroxyl groups in β-CD) is It was confirmed that the compound was 6% (hereinafter also referred to as “cyclodextrin derivative (5)”).
In addition, when the molecular weight and molecular weight distribution of the cyclodextrin derivative (5) were confirmed by GPC (gel permeation chromatography) method, the number average molecular weight (Mn) was 866 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1. 29.
The results of IR analysis and 1 H-NMR analysis of the cyclodextrin derivative (5) are shown below, and the IR spectrum is shown in FIG. 7 and the NMR spectrum is shown in FIG.

○IR(KrS,cm-1):
3355(νO−H)
2925(νC−H)
1734(νC=O)
1155,1080,1028(νC−O−C)
○ IR (KrS, cm -1 ):
3355 (νO-H)
2925 (νC-H)
1734 (νC = O)
1155, 1080, 1028 (νC—O—C)

1H NMR(500MHz,DMSO−d6 ,TMS)δ(ppm):
1.50−2.18(m,195.33,Hh −Hz
4.80(s,7,Ha
1 H NMR (500 MHz, DMSO-d 6 , TMS) δ (ppm):
1.50-2.18 (m, 195.33, H h -H z )
4.80 (s, 7, H a )

得られたシクロデキストリン誘導体(5)について、熱安定および有機溶剤に対する溶解性について実施例1と同様の手法によって確認をした。   About the obtained cyclodextrin derivative (5), the heat stability and the solubility with respect to the organic solvent were confirmed by the same method as Example 1.

シクロデキストリン誘導体(5)の熱安定性(耐熱性)については、 熱重量分析(TGA)によって熱安定性(耐熱性)を確認したころ、Tdi が107℃であり、Td5.2%が188℃であり、Td10.2%が191℃であることが確認された。TGAデータを図9に示す。 The thermal stability of the cyclodextrin derivative (5) (heat resistance), thermal gravimetric analysis (TGA) around confirming thermal stability (heat resistance) by a Td i is 107 ° C., 5.2% Td is 188 ° C. And it was confirmed that Td 10.2% was 191 ° C. The TGA data is shown in FIG.

シクロデキストリン誘導体(5)の有機溶剤に対する溶解性については、シクロデキストリン誘導体(5)50mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体(5)の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、ジメチルスルホキシド、メタノール、テトラヒドロフラン、エチルアセテート、乳酸エチル、エチルエーテル、クロロホルム、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、n−ヘキサン、ジグライム、プロピレングリコールモノメチルエーテル、濃度2.38質量%の水酸化テトラメチルアンモニウムには溶解性を有さないことが確認された。
また、シクロデキストリン誘導体(5)は、シクロデキストリン誘導体(5)50mgを水1mLに添加することにより、水には室温(25℃)条件下においてその一部が溶解することが確認された。
Regarding the solubility of the cyclodextrin derivative (5) in the organic solvent, the solubility of the cyclodextrin derivative (5) in the organic solvent was confirmed by adding 50 mg of the cyclodextrin derivative (5) to 1 mL of the organic solvent. , Methanol, tetrahydrofuran, ethyl acetate, ethyl lactate, ethyl ether, chloroform, propylene glycol monomethyl ether acetate, n-hexane, diglyme, propylene glycol monomethyl ether, soluble in tetramethylammonium hydroxide with a concentration of 2.38% by mass It was confirmed that it does not have.
Further, it was confirmed that a part of the cyclodextrin derivative (5) was dissolved in water at room temperature (25 ° C.) by adding 50 mg of the cyclodextrin derivative (5) to 1 mL of water.

実施例1〜実施例4によれば、水酸化ナトリウムの使用量を調整することによって得られるシクロデキストリン誘導体の特定アダマンタン基の含有率(シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率)を制御することができることが確認された。なお、BMAの使用量によっては得られるシクロデキストリン誘導体の特定アダマンタン基の含有率(シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率)を制御することができないことが確認された。   According to Examples 1 to 4, the content of the specific adamantane group of the cyclodextrin derivative obtained by adjusting the amount of sodium hydroxide used (the etherification rate relative to all hydroxyl groups in the cyclodextrin) can be controlled. It was confirmed that it was possible. It was confirmed that the content of the specific adamantane group of the cyclodextrin derivative obtained (the etherification ratio of all hydroxyl groups in the cyclodextrin) could not be controlled depending on the amount of BMA used.

Claims (4)

下記化学式(1)で表されることを特徴とするシクロデキストリン誘導体。

〔式中、R1 〜R3 は、それぞれ独立に水素原子または下記化学式(a)で表わされる基を示す。nは6〜8の整数である。また、複数のR1 〜R3 のうちの少なくとも1つは下記式(a)で表わされる基である。〕

〔式中、R4 は、アルキル基を示す。〕
A cyclodextrin derivative represented by the following chemical formula (1):

[Wherein, R 1 to R 3 each independently represent a hydrogen atom or a group represented by the following chemical formula (a). n is an integer of 6-8. Further, at least one of the plurality of R 1 to R 3 is a group represented by the following formula (a). ]

[Wherein, R 4 represents an alkyl group. ]
前記化学式(a)で表わされる基の含有率が7%以上であることを特徴とする請求項1に記載のシクロデキストリン誘導体。   The cyclodextrin derivative according to claim 1, wherein the content of the group represented by the chemical formula (a) is 7% or more. 下記化学式(2)で表わされる化合物と、下記化学式(3)で表わされる化合物とを水酸化ナトリウムの存在下において、化学式(2)で表わされる化合物における全水酸基1molに対して化学式(3)で表わされる化合物が0.1mol以上となる条件で反応させることにより、請求項1または請求項2に記載のシクロデキストリン誘導体を得ることを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

〔式中、nは6〜8の整数である。〕

〔式中、R4 はアルキル基を示し、Xはハロゲン原子を示す。〕
In the presence of sodium hydroxide, a compound represented by the following chemical formula (2) and a compound represented by the following chemical formula (3) are represented by the chemical formula (3) with respect to 1 mol of all hydroxyl groups in the compound represented by the chemical formula (2). A process for producing a cyclodextrin derivative according to claim 1 or 2, wherein the cyclodextrin derivative according to claim 1 or 2 is obtained by reacting under a condition that the compound represented is 0.1 mol or more.

[In formula, n is an integer of 6-8. ]

[Wherein R 4 represents an alkyl group, and X represents a halogen atom. ]
請求項1または請求項2に記載のシクロデキストリン誘導体を含有してなることを特徴とするレジスト材料。   A resist material comprising the cyclodextrin derivative according to claim 1.
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