JP2013021029A - Electric power conversion apparatus - Google Patents

Electric power conversion apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2013021029A
JP2013021029A JP2011151152A JP2011151152A JP2013021029A JP 2013021029 A JP2013021029 A JP 2013021029A JP 2011151152 A JP2011151152 A JP 2011151152A JP 2011151152 A JP2011151152 A JP 2011151152A JP 2013021029 A JP2013021029 A JP 2013021029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bus bar
power terminal
power
connection end
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011151152A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5546503B2 (en
Inventor
Daisuke Harada
大輔 原田
Tomohito Iguchi
智史 井口
Masaya Kachi
雅哉 加地
Takayoshi Kawashima
崇功 川島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Denso Corp
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, Toyota Motor Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2011151152A priority Critical patent/JP5546503B2/en
Publication of JP2013021029A publication Critical patent/JP2013021029A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5546503B2 publication Critical patent/JP5546503B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electric power conversion apparatus which enables multiple power terminals to easily connect with a connected end part of a bus bar, reduces the space, and achieves the downsizing.SOLUTION: An electric power conversion apparatus 1 includes: semiconductor modules 2 having power terminals 21; and bus bars 4 with which the power terminals 21 connect. Each power terminal 21 includes a connection end part 213 connecting with the bus bar 4, and each bus bar 4 includes a connected end part 42 having an arrangement surface 421 where the connection end part 213 of the power terminal 21 is disposed and with which the connection end part 213 is connected. The connection end parts 213 of the multiple power terminals 21 are disposed in a lamination manner in the orthogonal direction X on the arrangement surface 421 of the bus bar 4. A non overlapping part 214, which does not overlap with the connection end parts 213 of the other power terminals 21 in the orthogonal direction X, is provided at a tip of the connection end part 213 of each power terminal 21. The non overlapping part 214 is welded to the connected end part 42 of the bus bar 4.

Description

本発明は、パワー端子を有する複数の半導体モジュールと、その半導体モジュールのパワー端子が接続される複数のバスバとを備えた電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power conversion device including a plurality of semiconductor modules having power terminals and a plurality of bus bars to which the power terminals of the semiconductor modules are connected.

電気自動車やハイブリッド自動車等には、電源電力から駆動用モータを駆動するための駆動用電力に変換するためのインバータやコンバータ等の電力変換装置が搭載されている。この電力変換装置としては、例えば、半導体素子を内蔵してなると共にその半導体素子に導通するパワー端子を有する複数の半導体モジュールやパワー端子が接続される複数のバスバ等を備えたものがある(特許文献1等参照)。   An electric vehicle, a hybrid vehicle, or the like is equipped with a power conversion device such as an inverter or a converter for converting power supply power into drive power for driving a drive motor. As this power conversion device, for example, there is a device including a plurality of semiconductor modules having power terminals that are electrically connected to the semiconductor elements and a plurality of bus bars to which the power terminals are connected. Reference 1 etc.).

特許第4052241号公報Japanese Patent No. 4052241

上記特許文献1等の電力変換装置では、バスバの被接続端部に対して1つのパワー端子が溶接により接続されている。例えば、電力変換装置の小型化等の要請に基づいて省スペース化を図ろうとした場合に、バスバの被接続端部に対して複数のパワー端子を溶接により接続しようとすると、3つ以上の部材を重ねてそれらを一度に溶接しなければならず、溶接が困難となるおそれがある。   In the power conversion device such as Patent Document 1 described above, one power terminal is connected to the connected end portion of the bus bar by welding. For example, when a plurality of power terminals are to be connected to a connected end portion of a bus bar by welding when trying to save space based on a request for downsizing of a power conversion device, three or more members are used. They must be welded together at the same time, which can make welding difficult.

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、バスバの被接続端部に対して複数のパワー端子を容易に接続することができると共に、省スペース化、小型化を図ることができる電力変換装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such a background, and can easily connect a plurality of power terminals to a connected end portion of a bus bar, and can achieve power saving and space saving. The device is to be provided.

本発明の一の態様は、半導体素子を内蔵してなると共に該半導体素子に導通するパワー端子を有する複数の半導体モジュールと、上記パワー端子が接続される複数のバスバとを備えた電力変換装置において、
上記パワー端子は、上記バスバに接続する接続端部を備えており、
上記バスバは、上記パワー端子の上記接続端部が配置される配置面を有すると共に上記パワー端子の上記接続端部が接続される被接続端部を備えており、
上記バスバの上記配置面には、複数の上記パワー端子の上記接続端部が上記バスバの上記配置面に直交する直交方向において積層配置されており、
上記各パワー端子の上記接続端部の先端部には、上記直交方向において他の上記パワー端子の上記接続端部と重ならない非重合部が設けられており、
上記各パワー端子の上記接続端部の上記非重合部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接されていることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
One aspect of the present invention is a power conversion device including a plurality of semiconductor modules each having a power terminal electrically connected to the semiconductor element, and a plurality of bus bars to which the power terminal is connected. ,
The power terminal includes a connection end to be connected to the bus bar,
The bus bar includes a connection end portion to which the connection end portion of the power terminal is connected and has an arrangement surface on which the connection end portion of the power terminal is disposed.
On the arrangement surface of the bus bar, the connection end portions of a plurality of the power terminals are stacked in an orthogonal direction orthogonal to the arrangement surface of the bus bar,
The tip of the connection end of each power terminal is provided with a non-overlapping portion that does not overlap the connection end of the other power terminal in the orthogonal direction,
The non-overlapping portion of the connection end of each power terminal is welded to the connected end of the bus bar (Claim 1).

本発明の他の態様は、半導体素子を内蔵してなると共に該半導体素子に導通するパワー端子を有する複数の半導体モジュールと、上記パワー端子が接続される複数のバスバとを備えた電力変換装置において、
上記パワー端子は、上記バスバに接続する接続端部を備えており、
上記バスバは、上記パワー端子の上記接続端部が配置される配置面を有すると共に上記パワー端子の上記接続端部が接続される被接続端部を備えており、
上記バスバの上記配置面には、複数の上記パワー端子の上記接続端部が上記バスバの上記配置面に直交する直交方向において互いに重ならないように並んで配置されており、
上記各パワー端子の上記接続端部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接されていることを特徴とする電力変換装置にある(請求項4)。
According to another aspect of the present invention, there is provided a power conversion device including a plurality of semiconductor modules each including a semiconductor element and having a power terminal electrically connected to the semiconductor element, and a plurality of bus bars to which the power terminal is connected. ,
The power terminal includes a connection end to be connected to the bus bar,
The bus bar includes a connection end portion to which the connection end portion of the power terminal is connected and has an arrangement surface on which the connection end portion of the power terminal is disposed.
On the arrangement surface of the bus bar, the connection end portions of the plurality of power terminals are arranged side by side so as not to overlap each other in an orthogonal direction perpendicular to the arrangement surface of the bus bar,
The power conversion device is characterized in that the connection end of each power terminal is welded to the connected end of the bus bar.

上記本発明の一の態様における電力変換装置において、バスバの配置面には、複数のパワー端子の接続端部がバスバの配置面に直交する直交方向において積層配置されている。また、各パワー端子の接続端部の先端部には、上記直交方向において他のパワー端子の接続端部と重ならない非重合部が設けられている。すなわち、各パワー端子の接続端部の非重合部は、上記直交方向において、他のパワー端子と重なることなく、バスバの被接続端部に対して対向配置されることになる。   In the power conversion device according to one aspect of the present invention, the connection end portions of the plurality of power terminals are stacked on the arrangement surface of the bus bar in the orthogonal direction perpendicular to the arrangement surface of the bus bar. In addition, a non-overlapping portion that does not overlap with the connection end of another power terminal in the orthogonal direction is provided at the tip of the connection end of each power terminal. That is, the non-overlapping portion of the connection end portion of each power terminal is disposed to face the connected end portion of the bus bar without overlapping with other power terminals in the orthogonal direction.

そのため、複数のパワー端子の接続端部の非重合部をそれぞれバスバの被接続端部に対して溶接することにより、バスバの被接続端部に対して複数のパワー端子の接続端部を容易に接続することができる。また、それぞれの溶接は、バスバの被接続端部と1つのパワー端子の接続端部との溶接、つまり2つの部材の間の溶接となる。そのため、各溶接を容易に行うことができる。   Therefore, by connecting the non-overlapping parts of the connection ends of the plurality of power terminals to the connected ends of the bus bar, the connection ends of the plurality of power terminals can be easily connected to the connected ends of the bus bar. Can be connected. Moreover, each welding becomes welding of the to-be-connected end part of a bus bar, and the connection end part of one power terminal, ie, the welding between two members. Therefore, each welding can be performed easily.

また、上述のごとく、バスバの被接続端部の配置面に対して複数のパワー端子の接続端部を配置している。そのため、バスバの被接続端部に対して1つのパワー端子を配置していた従来に比べて、省スペース化を図ることができる。これにより、電力変換装置全体の小型化を実現することができる。   Further, as described above, the connection end portions of the plurality of power terminals are arranged on the arrangement surface of the connected end portion of the bus bar. Therefore, space saving can be achieved as compared with the conventional case where one power terminal is arranged for the connected end portion of the bus bar. Thereby, size reduction of the whole power converter device is realizable.

上記本発明の他の態様における電力変換装置において、バスバの配置面には、複数のパワー端子の接続端部がバスバの配置面に直交する直交方向において互いに重ならないように並んで配置されている。
そのため、複数のパワー端子の接続端部をそれぞれバスバの被接続端部に対して溶接することにより、バスバの被接続端部に対して複数のパワー端子の接続端部を容易に接続することができる。また、それぞれの溶接は、バスバの被接続端部と1つのパワー端子の接続端部との溶接、つまり2つの部材の間の溶接となる。そのため、各溶接を容易に行うことができる。
In the power conversion device according to another aspect of the present invention described above, the connection end portions of the plurality of power terminals are arranged side by side so as not to overlap each other in the orthogonal direction perpendicular to the arrangement surface of the bus bar. .
Therefore, it is possible to easily connect the connection end portions of the plurality of power terminals to the connected end portion of the bus bar by welding the connection end portions of the plurality of power terminals to the connected end portions of the bus bar, respectively. it can. Moreover, each welding becomes welding of the to-be-connected end part of a bus bar, and the connection end part of one power terminal, ie, the welding between two members. Therefore, each welding can be performed easily.

また、上述のごとく、バスバの被接続端部の配置面に対して複数のパワー端子の接続端部を配置している。そのため、バスバの被接続端部に対して1つのパワー端子を配置していた従来に比べて、省スペース化を図ることができる。これにより、電力変換装置全体の小型化を実現することができる。   Further, as described above, the connection end portions of the plurality of power terminals are arranged on the arrangement surface of the connected end portion of the bus bar. Therefore, space saving can be achieved as compared with the conventional case where one power terminal is arranged for the connected end portion of the bus bar. Thereby, size reduction of the whole power converter device is realizable.

このように、上記本発明の一の態様及び他の態様によれば、バスバの被接続端部に対して複数のパワー端子を容易に接続することができると共に、省スペース化、小型化を図ることができる電力変換装置を提供することができる。   Thus, according to the one aspect and the other aspect of the present invention, a plurality of power terminals can be easily connected to the connected end portion of the bus bar, and space saving and miniaturization are achieved. The power converter device which can be provided can be provided.

実施例1における、電力変換装置を示す説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 実施例1における、半導体モジュールを示す説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 実施例1における、パワー端子とバスバとの接続部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection part of the power terminal and bus bar in Example 1. FIG. 実施例1における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部とを示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection edge part of a power terminal and the to-be-connected edge part of a bus bar in Example 1. FIG. 実施例1における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部との溶接部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the welding part of the connection edge part of a power terminal and the to-be-connected edge part of a bus bar in Example 1. FIG. 実施例1における、電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter device in Example 1. FIG. 実施例2における、パワー端子とバスバとの接続部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection part of the power terminal and bus bar in Example 2. FIG. 実施例2における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部との溶接部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the welding part of the connection edge part of a power terminal and the to-be-connected edge part of a bus bar in Example 2. FIG. 実施例3における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部とを示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection end part of a power terminal and the to-be-connected end part of a bus bar in Example 3. FIG. 実施例3における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部との溶接部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the welding part of the connection edge part of a power terminal and the to-be-connected edge part of a bus bar in Example 3. FIG. 実施例4における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部とを示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection end part of a power terminal and the to-be-connected end part of a bus bar in Example 4. FIG. 実施例4における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部との溶接部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the welding part of the connection edge part of a power terminal and the to-be-connected edge part of a bus bar in Example 4. FIG. 実施例4における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部とを示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection end part of a power terminal and the to-be-connected end part of a bus bar in Example 4. FIG. 実施例4における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部との溶接部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the welding part of the connection edge part of a power terminal and the to-be-connected edge part of a bus bar in Example 4. FIG. 実施例5における、半導体モジュールを示す説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a semiconductor module in Example 5. 実施例5における、半導体モジュールを示す説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a semiconductor module in Example 5. 実施例5における、パワー端子とバスバとの接続部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection part of the power terminal and bus bar in Example 5. FIG. 実施例6における、半導体モジュールを示す説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a semiconductor module in Example 6. 実施例6における、電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter device in Example 6. FIG. 実施例7における、半導体モジュールを示す説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a semiconductor module in Example 7. 実施例7における、電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter device in Example 7. FIG. 実施例8における、半導体モジュールを示す説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a semiconductor module in Example 8. 実施例8における、パワー端子とバスバとの接続部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the connection part of the power terminal and bus bar in Example 8. FIG. 実施例8における、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部との溶接部分を示す説明図。Explanatory drawing which shows the welding part of the connection end part of a power terminal and the to-be-connected end part of a bus bar in Example 8. FIG.

上記本発明の一の態様において、上記各パワー端子の接続端部の非重合部は、上記バスバの被接続端部に対して溶接されている。例えば、パワー端子の接続端部の非重合部とバスバの被接続端部との先端同士を近接又は接触させ、その部分を溶融させることにより、両者を接合することができる。   In one aspect of the present invention, the non-overlapping portion of the connecting end portion of each power terminal is welded to the connected end portion of the bus bar. For example, the tips of the non-polymerized portion of the connecting end portion of the power terminal and the connected end portion of the bus bar are brought close to or in contact with each other, and the portions can be melted to join them.

また、上記パワー端子の接続端部の非重合部と上記バスバの被接続端部との先端同士等、両者の溶接部分を互いに先の尖った尖端形状とすることができる。この場合には、溶接する際に、溶接部分にアークが飛び易くなると共に、溶接部分の熱容量が小さくなって溶融させ易くなる。これにより、溶接性を向上させることができる。   Further, the welded portions of the non-overlapping portion of the connecting end portion of the power terminal and the connected end portion of the bus bar can be formed in a pointed tip shape. In this case, when welding, an arc is likely to fly to the welded portion, and the heat capacity of the welded portion is reduced to facilitate melting. Thereby, weldability can be improved.

また、上記バスバの配置面には、複数の上記パワー端子の接続端部が上記直交方向において積層配置されている。すなわち、バスバの配置面に隣接しているパワー端子よりも外側のパワー端子については、バスバとの間に距離がある。そのため、パワー端子の接続端部の非重合部をバスバの配置面側に折り曲げる等して、バスバの被接続端部に近接又は接触させ、溶接する必要がある。   In addition, connection end portions of the plurality of power terminals are stacked on the arrangement surface of the bus bar in the orthogonal direction. In other words, there is a distance between the power terminal outside the power terminal adjacent to the bus bar arrangement surface and the bus bar. Therefore, it is necessary to weld the non-overlapping portion of the connecting end portion of the power terminal close to or in contact with the connected end portion of the bus bar by bending the bus bar to the arrangement surface side of the bus bar.

また、上記バスバの上記配置面に隣接する上記パワー端子よりも外側にある上記パワー端子の上記接続端部の上記非重合部は、少なくとも一部が上記バスバの上記配置面に隣接する上記パワー端子の上記接続端部の上記非重合部と平行かつ同一平面上にあり、上記バスバの上記配置面に近接又は接触している構成とすることができる(請求項2)。
この場合には、外側にあるパワー端子の接続端部の非重合部をバスバの被接続端部に対して溶接する作業が容易となる。
In addition, at least a part of the non-overlapping portion of the connection end portion of the power terminal outside the power terminal adjacent to the arrangement surface of the bus bar is adjacent to the arrangement surface of the bus bar. It is possible to adopt a configuration in which the connection end portion is parallel and coplanar with the non-overlapping portion, and is close to or in contact with the arrangement surface of the bus bar.
In this case, the work of welding the non-overlapping portion of the connecting end portion of the power terminal on the outside to the connected end portion of the bus bar becomes easy.

また、上記バスバの配置面に隣接する上記パワー端子とそれよりも外側にある上記パワー端子との接続端部の非重合部同士を平行かつ同一平面上とし、上記バスバの配置面に近接又は接触した位置とするためには、例えば、プレス加工等により、外側にあるパワー端子の接続端部の非重合部を折り曲げる等して実現することができる。   In addition, the non-overlapping portions of the connection end portions of the power terminal adjacent to the bus bar arrangement surface and the power terminal located outside thereof are parallel and on the same plane, and are close to or in contact with the bus bar arrangement surface. For example, the non-overlapping portion of the connection end portion of the power terminal on the outside can be bent by pressing or the like.

また、上記バスバの上記被接続端部には、その先端から切り込まれた切欠部が設けられており、該切欠部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接された上記複数のパワー端子の上記接続端部の上記非重合部同士の間に形成されている構成とすることができる(請求項3)。
この場合には、パワー端子の接続端部の非重合部をバスバの被接続端部に対して溶接する際に、隣接するパワー端子の接続端部の非重合部とバスバの被接続端部との溶接部分へのアーク飛びを防止することができる。
Further, the connected end portion of the bus bar is provided with a notched portion cut from the tip, and the notched portions are welded to the connected end portion of the bus bar. It can be set as the structure currently formed between the said non-polymerization parts of the said connection edge part of a power terminal (Claim 3).
In this case, when welding the non-overlapping portion of the connection end portion of the power terminal to the connected end portion of the bus bar, the non-overlapping portion of the connection end portion of the adjacent power terminal and the connected end portion of the bus bar It is possible to prevent arc jump to the welded portion.

上記本発明の他の態様において、上記各パワー端子の接続端部は、上記バスバの被接続端部に対して溶接されている。例えば、パワー端子の接続端部とバスバの被接続端部との先端同士を近接又は接触させ、その部分を溶融させることにより、両者を接合することができる。   In another aspect of the present invention, the connection end of each power terminal is welded to the connected end of the bus bar. For example, the ends of the connection end of the power terminal and the connected end of the bus bar are brought close to or in contact with each other, and the portions can be melted to join them.

また、上記パワー端子の接続端部と上記バスバの被接続端部との先端同士等、両者の溶接部分を互いに先の尖った尖端形状とすることができる。この場合には、溶接する際に、溶接部分にアークが飛び易くなると共に、溶接部分の熱容量が小さくなって溶融させ易くなる。これにより、溶接性を向上させることができる。   In addition, the welded portions of the connecting ends of the power terminals and the connected end portions of the bus bars, for example, can have a sharpened tip shape. In this case, when welding, an arc is likely to fly to the welded portion, and the heat capacity of the welded portion is reduced to facilitate melting. Thereby, weldability can be improved.

また、上記バスバの上記被接続端部には、その先端から切り込まれた切欠部が設けられており、該切欠部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接された上記複数のパワー端子の上記接続端部の上記非重合部同士の間に形成されている構成とすることができる(請求項5)。
この場合には、パワー端子の接続端部の非重合部をバスバの被接続端部に対して溶接する際に、隣接するパワー端子の接続端部の非重合部とバスバの被接続端部との溶接部分へのアーク飛びを防止することができる。
Further, the connected end portion of the bus bar is provided with a notched portion cut from the tip, and the notched portions are welded to the connected end portion of the bus bar. It can be set as the structure currently formed between the said non-polymerization parts of the said connection edge part of a power terminal (Claim 5).
In this case, when welding the non-overlapping portion of the connection end portion of the power terminal to the connected end portion of the bus bar, the non-overlapping portion of the connection end portion of the adjacent power terminal and the connected end portion of the bus bar It is possible to prevent arc jump to the welded portion.

(実施例1)
電力変換装置にかかる実施例について、図を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図1〜図6に示すごとく、半導体素子23を内蔵してなると共に半導体素子23に導通するパワー端子21を有する複数の半導体モジュール2と、パワー端子21が接続される複数のバスバ4とを備えている。
Example 1
The Example concerning a power converter device is described using figures.
As shown in FIGS. 1 to 6, the power conversion device 1 of this example includes a semiconductor element 23 and a plurality of semiconductor modules 2 having a power terminal 21 that is electrically connected to the semiconductor element 23, and the power terminal 21 is connected. A plurality of bus bars 4 are provided.

パワー端子21は、バスバ4に接続する接続端部213を備えており、バスバ4は、パワー端子21の接続端部213が配置される配置面421を有すると共にパワー端子21の接続端部213が接続される被接続端部42を備えている。
バスバ4の配置面421には、複数のパワー端子21の接続端部213がバスバ4の配置面421に直交する直交方向Xにおいて積層配置されている。各パワー端子21の接続端部213の先端部には、直交方向Xにおいて他のパワー端子21の接続端部213と重ならない非重合部214が設けられている。各パワー端子21の接続端部213の非重合部214は、バスバ4の被接続端部42に対して溶接されている。
以下、これを詳説する。
The power terminal 21 includes a connection end 213 that connects to the bus bar 4. The bus bar 4 has an arrangement surface 421 on which the connection end 213 of the power terminal 21 is disposed, and the connection end 213 of the power terminal 21 A connected end 42 to be connected is provided.
On the arrangement surface 421 of the bus bar 4, the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 are laminated in the orthogonal direction X orthogonal to the arrangement surface 421 of the bus bar 4. A non-overlapping portion 214 that does not overlap with the connection end 213 of the other power terminal 21 in the orthogonal direction X is provided at the tip of the connection end 213 of each power terminal 21. The non-overlapping portion 214 of the connection end 213 of each power terminal 21 is welded to the connected end 42 of the bus bar 4.
This will be described in detail below.

図1に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体モジュール2と冷却管31とを交互に積層してなり、半導体モジュール2の両主面に冷却管31が接触配置されている。
各冷却管31は、内部に水等の冷却媒体を流通させる冷媒流路を設けてなる。また、複数の冷却管31は、その長手方向の両端において、互いに連結管32によって連結されている。また、積層方向の一端に配された冷却管31には、冷却媒体を導入するための冷媒導入管331と、冷却媒体を排出するための冷媒排出管332とが連結されている。
As shown in FIG. 1, the power conversion device 1 of this example is configured by alternately stacking semiconductor modules 2 and cooling pipes 31, and the cooling pipes 31 are disposed in contact with both main surfaces of the semiconductor module 2.
Each cooling pipe 31 is provided with a refrigerant flow path through which a cooling medium such as water flows. The plurality of cooling pipes 31 are connected to each other by connecting pipes 32 at both ends in the longitudinal direction. In addition, a refrigerant introduction pipe 331 for introducing a cooling medium and a refrigerant discharge pipe 332 for discharging the cooling medium are connected to the cooling pipe 31 arranged at one end in the stacking direction.

そして、上記の構成により、冷媒導入管331に導入された冷却媒体は、複数の冷却管31の冷媒流路を流れる。このとき、冷却媒体は、半導体モジュール2との間で熱交換を行い、半導体モジュール2を冷却する。熱交換を行った後の冷却媒体は、冷却管31の他端から連結管32を介して冷媒排出管332から排出される。   With the above configuration, the cooling medium introduced into the refrigerant introduction pipe 331 flows through the refrigerant flow paths of the plurality of cooling pipes 31. At this time, the cooling medium exchanges heat with the semiconductor module 2 to cool the semiconductor module 2. The cooling medium after the heat exchange is discharged from the refrigerant discharge pipe 332 through the connection pipe 32 from the other end of the cooling pipe 31.

また、隣り合う一対の冷却管31の間には、1個の半導体モジュール2が配設されている。また、複数の半導体モジュール2は、電源の正極側に接続される半導体モジュール2(2a)と、電源の負極側に接続される半導体モジュール2(2b)とを有しており、両者は、半導体モジュール2と冷却管31との積層方向において、隣り合うように配置されている。   One semiconductor module 2 is disposed between a pair of adjacent cooling pipes 31. The plurality of semiconductor modules 2 include a semiconductor module 2 (2a) connected to the positive electrode side of the power source and a semiconductor module 2 (2b) connected to the negative electrode side of the power source. They are arranged adjacent to each other in the stacking direction of the module 2 and the cooling pipe 31.

図2(a)、(b)に示すごとく、半導体モジュール2(2a、2b)は、半導体素子23(図6)を内蔵する本体部20を有する。本体部20は、一対の主面201と二対の端面202とを有するカード状の直方体形状を有する。そして、対向する一対の端面202のうちの一方から複数のパワー端子21が突出して設けられており、他方から複数の制御端子22が突出して設けられている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the semiconductor module 2 (2a, 2b) has a main body 20 in which a semiconductor element 23 (FIG. 6) is built. The main body 20 has a card-like rectangular parallelepiped shape having a pair of main surfaces 201 and two pairs of end surfaces 202. A plurality of power terminals 21 are provided so as to protrude from one of a pair of opposed end surfaces 202, and a plurality of control terminals 22 are provided so as to protrude from the other.

また、本体部20に内蔵されている半導体素子23(図6)は、スイッチング素子とダイオードとからなる。本例では、スイッチング素子として、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を用いている。また、ダイオードとして、フライホイールダイオードを用いている。   Moreover, the semiconductor element 23 (FIG. 6) built in the main-body part 20 consists of a switching element and a diode. In this example, an IGBT (insulated gate bipolar transistor) is used as the switching element. A flywheel diode is used as the diode.

図2(a)に示すごとく、一方の半導体モジュール2aは、正極側バスバ(図示略)に接続される正極側パワー端子21pを有する。正極側バスバは、電源の正極側に接続される。また、半導体モジュール2aは、それぞれU相バスバ、V相バスバ、W相バスバ(いずれも図示略)に接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21v、W相パワー端子21wを有する。U相バスバ、V相バスバ、W相バスバは、三相交流の回転電機のU相、V相、W相の各電極に接続される。   As shown in FIG. 2A, one semiconductor module 2a has a positive power terminal 21p connected to a positive bus bar (not shown). The positive side bus bar is connected to the positive side of the power supply. Further, the semiconductor module 2a has a U-phase power terminal 21u, a V-phase power terminal 21v, and a W-phase power terminal 21w connected to a U-phase bus bar, a V-phase bus bar, and a W-phase bus bar (all not shown). The U-phase bus bar, V-phase bus bar, and W-phase bus bar are connected to the U-phase, V-phase, and W-phase electrodes of the three-phase AC rotating electrical machine.

図2(b)に示すごとく、他方の半導体モジュール2bは、負極側バスバ(図示略)に接続される負極側パワー端子21nを有する。負極側バスバは、電源の負極側に接続される。また、半導体モジュール2bは、それぞれU相バスバ、V相バスバ、W相バスバ(いずれも図示略)に接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21v、W相パワー端子21wを有する。U相バスバ、V相バスバ、W相バスバは、三相交流の回転電機のU相、V相、W相の各電極に接続される。   As shown in FIG. 2B, the other semiconductor module 2b has a negative-side power terminal 21n connected to a negative-side bus bar (not shown). The negative side bus bar is connected to the negative side of the power source. Further, the semiconductor module 2b has a U-phase power terminal 21u, a V-phase power terminal 21v, and a W-phase power terminal 21w connected to a U-phase bus bar, a V-phase bus bar, and a W-phase bus bar (all not shown). The U-phase bus bar, V-phase bus bar, and W-phase bus bar are connected to the U-phase, V-phase, and W-phase electrodes of the three-phase AC rotating electrical machine.

また、図示を省略したが、一方の半導体モジュール2aの正極側パワー端子21pは、正極側バスバに対して溶接により接続されており、他方の半導体モジュール2bの負極側パワー端子21nは、負極側バスバに対して溶接により接続されている。
また、一方の半導体モジュール2aと他方の半導体モジュール2bとは、U相パワー端子21u同士が同じU相バスバに対して溶接により接続されている。また、V相パワー端子21v同士、W相パワー端子21w同士も、同じV相バスバ、W相バスバに対して溶接により接続されている。
Although not shown, the positive power terminal 21p of one semiconductor module 2a is connected to the positive bus bar by welding, and the negative power terminal 21n of the other semiconductor module 2b is connected to the negative bus bar. Are connected by welding.
In addition, the U-phase power terminals 21u are connected to the same U-phase bus bar by welding between the one semiconductor module 2a and the other semiconductor module 2b. The V-phase power terminals 21v and the W-phase power terminals 21w are also connected to the same V-phase bus bar and W-phase bus bar by welding.

以下、一例として、図3に示すごとく、W相バスバ(以下、適宜、単にバスバ4という)に対する両半導体モジュール2a、2bのW相パワー端子21w(以下、適宜、単にパワー端子21という)の接続について説明する。なお、一方の半導体モジュール2のパワー端子21をパワー端子21a、他方の半導体モジュール2bのパワー端子21をパワー端子21bとする。   Hereinafter, as an example, as shown in FIG. 3, connection of W-phase power terminals 21 w (hereinafter simply referred to as power terminals 21) of both semiconductor modules 2 a and 2 b to W-phase bus bars (hereinafter simply referred to as bus bars 4). Will be described. The power terminal 21 of one semiconductor module 2 is referred to as a power terminal 21a, and the power terminal 21 of the other semiconductor module 2b is referred to as a power terminal 21b.

同図に示すごとく、パワー端子21a、21bは、平板状であって、本体部20から突出する突出部211と、突出部211の先端から直角に折れ曲がって延びる延設部212と、延設部212の先端から直角に折れ曲がって突出部211の突出方向に延びると共にバスバ4に接続する接続端部213とを有する。   As shown in the figure, the power terminals 21a and 21b are flat and have a protruding portion 211 protruding from the main body portion 20, an extending portion 212 extending at a right angle from the tip of the protruding portion 211, and an extending portion. 212 has a connection end 213 that is bent at a right angle from the tip of 212 and extends in the protruding direction of the protruding portion 211 and is connected to the bus bar 4.

また、バスバ4は、平板状の本体部41と、本体部41の先端から直角に折れ曲がって延びると共にパワー端子21の接続端部213が接続される被接続端部42とを有する。被接続端部42は、その一方の面にパワー端子21の接続端部213が配置される配置面421を有する。   The bus bar 4 has a flat plate-like main body portion 41 and a connected end portion 42 that is bent at a right angle from the front end of the main body portion 41 and connected to the connection end portion 213 of the power terminal 21. The connected end 42 has an arrangement surface 421 on which one end of the connection end 213 of the power terminal 21 is arranged.

図4、図5に示すごとく、バスバ4の配置面421には、2つのパワー端子21の接続端部213がバスバ4の配置面421に直交する直交方向X(以下、単に直交方向Xという)において互いに重なるように積層して配置されている。
各パワー端子21a、21bの接続端部213の先端部には、直交方向Xにおいて他のパワー端子21の接続端部213と重ならない非重合部214が設けられている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the arrangement surface 421 of the bus bar 4 has an orthogonal direction X in which the connection end portions 213 of the two power terminals 21 are orthogonal to the arrangement surface 421 of the bus bar 4 (hereinafter simply referred to as the orthogonal direction X). Are stacked so as to overlap each other.
A non-overlapping portion 214 that does not overlap with the connection end 213 of the other power terminal 21 in the orthogonal direction X is provided at the tip of the connection end 213 of each power terminal 21a, 21b.

具体的には、図4に示すごとく、一方のパワー端子21aの非重合部214は、接続端部213の先端部における幅方向の一方側を切り欠き、その反対側に形成してある。また、他方のパワー端子21bの非重合部214は、接続端部213の先端部における幅方向の他方側を切り欠き、その反対側に形成してある。すなわち、両パワー端子21a、21bの非重合部は、直交方向Xにおいて重ならないように、互い違いに形成されている。   Specifically, as shown in FIG. 4, the non-overlapping portion 214 of one power terminal 21 a is formed by cutting out one side in the width direction at the distal end portion of the connection end portion 213, and forming it on the opposite side. Further, the non-overlapping portion 214 of the other power terminal 21b is formed by cutting away the other side in the width direction at the distal end portion of the connection end portion 213 and on the opposite side. That is, the non-overlapping portions of the power terminals 21a and 21b are formed alternately so as not to overlap in the orthogonal direction X.

そして、図5に示すごとく、各パワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214は、バスバ4の被接続端部42に対して溶接されている。
具体的には、パワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214とバスバ4の被接続端部42との先端同士を接触させ、その部分を溶融させることにより、両者を接合してある(同図の溶接部51)。
As shown in FIG. 5, the non-overlapping portion 214 of the connection end 213 of each power terminal 21 a, 21 b is welded to the connected end 42 of the bus bar 4.
Specifically, the ends of the non-polymerized portion 214 of the connection end portion 213 of the power terminals 21a and 21b and the connected end portion 42 of the bus bar 4 are brought into contact with each other, and the two portions are melted to join each other. Yes (welded part 51 in the figure).

このとき、バスバ4の配置面421に隣接しているパワー端子21bよりも外側のパワー端子21aについては、バスバ4との間に距離がある。そのため、外側のパワー端子21aの接続端部213の非重合部214をバスバ4の配置面421側に折り曲げ、バスバ4の被接続端部42に接触させ、溶接してある。   At this time, the power terminal 21 a outside the power terminal 21 b adjacent to the arrangement surface 421 of the bus bar 4 has a distance from the bus bar 4. Therefore, the non-overlapping portion 214 of the connection end portion 213 of the outer power terminal 21a is bent toward the arrangement surface 421 side of the bus bar 4 and brought into contact with the connected end portion 42 of the bus bar 4 and welded.

次に、本例の電力変換装置1の回路構成について説明する。
図6に示すごとく、電力変換装置1は、電源19の直流電圧を昇圧する昇圧回路61と、昇圧後の直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路62とを備えている。
昇圧回路61は、複数の半導体素子23を備えている。各半導体素子23は、スイッチング素子(IGBT素子)231とスイッチング素子231に逆並列接続されたフライホイールダイオード232とからなる。
Next, the circuit configuration of the power conversion device 1 of this example will be described.
As shown in FIG. 6, the power conversion device 1 includes a booster circuit 61 that boosts the DC voltage of the power supply 19 and an inverter circuit 62 that converts the boosted DC voltage into an AC voltage.
The booster circuit 61 includes a plurality of semiconductor elements 23. Each semiconductor element 23 includes a switching element (IGBT element) 231 and a flywheel diode 232 connected in reverse parallel to the switching element 231.

インバータ回路62は、複数の半導体素子23を備えている。各半導体素子23は、スイッチング素子(IGBT素子)231とスイッチング素子231に逆並列接続されたフライホイールダイオード232とからなる。また、半導体素子23には、正極側バスバに接続される正極側半導体素子23pと、負極側バスバに接続される負極側半導体素子23nとがある。
そして、一方の半導体モジュール2a(図2(a))には、3個の正極側半導体素子23pが内蔵されており、他方の半導体モジュール2b(図2(b))には、3個の負極側半導体素子23nが内蔵されている。
The inverter circuit 62 includes a plurality of semiconductor elements 23. Each semiconductor element 23 includes a switching element (IGBT element) 231 and a flywheel diode 232 connected in reverse parallel to the switching element 231. The semiconductor element 23 includes a positive-side semiconductor element 23p connected to the positive-side bus bar and a negative-side semiconductor element 23n connected to the negative-side bus bar.
One semiconductor module 2a (FIG. 2A) includes three positive-side semiconductor elements 23p, and the other semiconductor module 2b (FIG. 2B) includes three negative electrodes. A side semiconductor element 23n is incorporated.

次に、本例の電力変換装置1における作用効果について説明する。
本例の電力変換装置1において、バスバ4の配置面421には、複数のパワー端子21の接続端部213がバスバ4の配置面421に直交する直交方向Xにおいて積層配置されている。また、各パワー端子21の接続端部213の先端部には、直交方向Xにおいて他のパワー端子21の接続端部213と重ならない非重合部214が設けられている。すなわち、各パワー端子21の接続端部213の非重合部214は、直交方向Xにおいて、他のパワー端子21と重なることなく、バスバ4の被接続端部42に対して対向配置されることになる。
Next, the effect in the power converter device 1 of this example is demonstrated.
In the power conversion device 1 of this example, the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 are stacked on the arrangement surface 421 of the bus bar 4 in the orthogonal direction X orthogonal to the arrangement surface 421 of the bus bar 4. Further, a non-overlapping portion 214 that does not overlap with the connection end 213 of the other power terminal 21 in the orthogonal direction X is provided at the distal end of the connection end 213 of each power terminal 21. That is, the non-overlapping portion 214 of the connection end portion 213 of each power terminal 21 is disposed to face the connected end portion 42 of the bus bar 4 without overlapping with the other power terminals 21 in the orthogonal direction X. Become.

そのため、複数のパワー端子21の接続端部213の非重合部214をそれぞれバスバ4の被接続端部42に対して溶接することにより、バスバ4の被接続端部42に対して複数のパワー端子21の接続端部213を容易に接続することができる。また、それぞれの溶接は、バスバ4の被接続端部42と1つのパワー端子21の接続端部213との溶接、つまり2つの部材の間の溶接となる。そのため、各溶接を容易に行うことができる。   Therefore, a plurality of power terminals are connected to the connected end portion 42 of the bus bar 4 by welding the non-overlapping portions 214 of the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 to the connected end portions 42 of the bus bar 4 respectively. 21 connection end portions 213 can be easily connected. Each welding is welding of the connected end portion 42 of the bus bar 4 and the connecting end portion 213 of one power terminal 21, that is, welding between two members. Therefore, each welding can be performed easily.

また、上述のごとく、バスバ4の被接続端部42の配置面421に対して複数のパワー端子21の接続端部213を配置している。そのため、バスバ4の被接続端部42に対して1つのパワー端子21を配置していた従来に比べて、省スペース化を図ることができる。これにより、電力変換装置1全体の小型化を実現することができる。   In addition, as described above, the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 are arranged on the arrangement surface 421 of the connected end portion 42 of the bus bar 4. Therefore, space saving can be achieved compared with the conventional case where one power terminal 21 is arranged with respect to the connected end portion 42 of the bus bar 4. Thereby, size reduction of the whole power converter device 1 is realizable.

このように、本例によれば、バスバ4の被接続端部42に対して複数のパワー端子21を容易に接続することができると共に、省スペース化、小型化を図ることができる電力変換装置1を提供することができる。   Thus, according to this example, the power converter device can easily connect the plurality of power terminals 21 to the connected end portion 42 of the bus bar 4, and can achieve space saving and downsizing. 1 can be provided.

(実施例2)
本例は、図7、図8に示すごとく、パワー端子21の接続端部213の構成を変更した例である。
本例では、同図に示すごとく、バスバ4の配置面421に隣接するパワー端子21bよりも外側にあるパワー端子21aの接続端部213の非重合部214は、バスバ4の配置面421に隣接するパワー端子21bの接続端部213の非重合部214と平行かつ同一平面上にあり、バスバ4の配置面421に近接(接触)している。
(Example 2)
In this example, as shown in FIGS. 7 and 8, the configuration of the connection end 213 of the power terminal 21 is changed.
In this example, as shown in the figure, the non-overlapping portion 214 of the connection end portion 213 of the power terminal 21 a located outside the power terminal 21 b adjacent to the arrangement surface 421 of the bus bar 4 is adjacent to the arrangement surface 421 of the bus bar 4. The connection end 213 of the power terminal 21b to be connected is parallel to and flush with the non-overlapping portion 214 and is close to (in contact with) the arrangement surface 421 of the bus bar 4.

なお、外側のパワー端子21aの接続端部213の非重合部214は、プレス加工により、バスバ4の配置面421側に向かって直交方向Xに折り曲げられ、さらにバスバ4の配置面421に平行な方向に折り曲げられている。これにより、バスバ4の配置面421に隣接するパワー端子21bの接続端部213の非重合部214と平行かつ同一平面上となり、バスバ4の配置面421に近接(接触)した位置となる。
その他は、実施例1と同様の構成である。
The non-overlapping portion 214 of the connection end portion 213 of the outer power terminal 21a is bent in the orthogonal direction X toward the arrangement surface 421 side of the bus bar 4 and further parallel to the arrangement surface 421 of the bus bar 4 by pressing. It is bent in the direction. As a result, the non-overlapping portion 214 of the connection end portion 213 of the power terminal 21b adjacent to the arrangement surface 421 of the bus bar 4 is parallel to and on the same plane, and is close to (contacted with) the arrangement surface 421 of the bus bar 4.
Other configurations are the same as those in the first embodiment.

本例の場合には、外側にあるパワー端子21aの接続端部213の非重合部214をバスバ4の被接続端部42に対して溶接する作業が容易となる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, the operation | work which welds the non-overlapping part 214 of the connection end part 213 of the power terminal 21a in the outer side with respect to the to-be-connected end part 42 of the bus bar 4 becomes easy.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例3)
本例は、図9、図10に示すごとく、バスバ4の被接続端部42の構成を変更した例である。
本例では、同図に示すごとく、バスバ4の被接続端部42には、その先端から切り込まれた切欠部422が設けられている。切欠部422は、バスバ4の被接続端部42に対して溶接された2つのパワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214同士の間に形成されている。すなわち、バスバ4の被接続端部42の切欠部422の両側に、それぞれパワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214が配置され、溶接されている。
その他は、実施例1と同様の構成である。
(Example 3)
In this example, as shown in FIGS. 9 and 10, the configuration of the connected end 42 of the bus bar 4 is changed.
In this example, as shown in the figure, the connected end portion 42 of the bus bar 4 is provided with a notch portion 422 cut from the tip. The notch portion 422 is formed between the non-overlapping portions 214 of the connection end portions 213 of the two power terminals 21 a and 21 b welded to the connected end portion 42 of the bus bar 4. That is, the non-overlapping portions 214 of the connection end portions 213 of the power terminals 21a and 21b are respectively arranged and welded on both sides of the notch portion 422 of the connected end portion 42 of the bus bar 4.
Other configurations are the same as those in the first embodiment.

本例の場合には、それぞれのパワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214をバスバ4の被接続端部42に対して溶接する際に、隣接するパワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214とバスバ4の被接続端部42との溶接部分へのアーク飛びを防止することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, when welding the non-overlapping part 214 of the connection end part 213 of each power terminal 21a, 21b with respect to the to-be-connected end part 42 of the bus bar 4, connection of adjacent power terminal 21a, 21b is carried out. Arc jump to the welded portion between the non-overlapping portion 214 of the end portion 213 and the connected end portion 42 of the bus bar 4 can be prevented.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例4)
本例は、図11〜図14に示すごとく、パワー端子21の接続端部213及びバスバ4の被接続端部42の構成を変更した例である。
本例では、同図に示すごとく、パワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214とバスバ4の被接続端部42との溶接部分は、互いに先が尖った尖端形状である。
Example 4
In this example, as shown in FIGS. 11 to 14, the configuration of the connection end 213 of the power terminal 21 and the connected end 42 of the bus bar 4 is changed.
In this example, as shown in the figure, the welded portion between the non-overlapping portion 214 of the connecting end portion 213 of the power terminals 21a and 21b and the connected end portion 42 of the bus bar 4 has a pointed tip shape.

すなわち、図11、図12に示す例では、両パワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214は、先が尖った尖端形状となっている。また、バスバ4の被接続端部42において、それぞれのパワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214が溶接される部分は、それぞれ先が尖った尖端形状となっている。   That is, in the example shown in FIGS. 11 and 12, the non-overlapping portion 214 of the connection end portion 213 of both the power terminals 21a and 21b has a pointed tip shape. Further, in the connected end portion 42 of the bus bar 4, the portions where the non-overlapping portions 214 of the connection end portions 213 of the respective power terminals 21 a and 21 b are welded have pointed tips.

また、図13、図14に示す例では、バスバ4の被接続端部42は、先が尖った尖端形状となっている。また、両パワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214は、そのバスバ4の被接続端部42の先端の形状に沿った形状となっており、ちょうどバスバ4の被接続端部42の先端の頂点部分から2つに分割したような形状となっている。
その他は、実施例1と同様の構成である。
Moreover, in the example shown in FIG. 13, FIG. 14, the to-be-connected end part 42 of the bus bar 4 becomes a pointed tip shape. Further, the non-overlapping portion 214 of the connecting end portion 213 of both power terminals 21a and 21b has a shape that follows the shape of the tip of the connected end portion 42 of the bus bar 4, and is just the connected end portion of the bus bar 4. The shape is such that it is divided into two from the apex portion at the tip of 42.
Other configurations are the same as those in the first embodiment.

本例の場合には、パワー端子21a、21bの接続端部213の非重合部214とバスバ4の被接続端部42との先端同士を溶接する際に、溶接部分にアークが飛び易くなると共に、溶接部分の熱容量が小さくなって溶融させ易くなる。これにより、溶接性を向上させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In the case of this example, when welding the tips of the non-polymerized portion 214 of the connection end portion 213 of the power terminals 21a and 21b and the connected end portion 42 of the bus bar 4, an arc can easily fly to the welded portion. The heat capacity of the welded portion is reduced and it is easy to melt. Thereby, weldability can be improved.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例5)
本例は、図15〜図17に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。
本例では、図17に示すごとく、半導体モジュール2と冷却管3との積層方向において、電源の正極側に接続される半導体モジュール2a同士が隣り合うように並んで配置され、並列接続されている。また、電源の負極側に接続される半導体モジュール2b同士が隣り合うように並んで配置され、並列接続されている。
(Example 5)
In this example, as shown in FIGS. 15 to 17, the configuration of the semiconductor module 2 is changed.
In this example, as shown in FIG. 17, in the stacking direction of the semiconductor module 2 and the cooling pipe 3, the semiconductor modules 2a connected to the positive electrode side of the power supply are arranged side by side so as to be adjacent to each other and are connected in parallel. . Further, the semiconductor modules 2b connected to the negative side of the power supply are arranged side by side so as to be adjacent to each other, and are connected in parallel.

図15(a)に示すごとく、半導体モジュール2aの一方は、正極側バスバ(図示略)に接続される正極側パワー端子21pを有する。また、半導体モジュール2aは、それぞれU相バスバ、V相バスバ、W相バスバ(いずれも図示略)に接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21v、W相パワー端子21wを有する。
図15(b)に示すごとく、半導体モジュール2aの他方も、もう一方と同様である。
As shown in FIG. 15A, one of the semiconductor modules 2a has a positive power terminal 21p connected to a positive bus bar (not shown). Further, the semiconductor module 2a has a U-phase power terminal 21u, a V-phase power terminal 21v, and a W-phase power terminal 21w connected to a U-phase bus bar, a V-phase bus bar, and a W-phase bus bar (all not shown).
As shown in FIG. 15B, the other of the semiconductor modules 2a is the same as the other.

図17に示すごとく、両半導体モジュール2aは、正極側パワー端子21p同士が正極側バスバーに対して溶接により接続されている。また、U相パワー端子21u同士、V相パワー端子21v同士、W相パワー端子21w同士も、それぞれ同じU相バスバ、V相バスバ、W相バスバに対して溶接により接続されている。なお、図17では、一例として、バスバ(W相バスバ)4に対する両半導体モジュール2aのパワー端子(W相パワー端子)21の接続について示してある。   As shown in FIG. 17, in both semiconductor modules 2a, the positive power terminals 21p are connected to the positive bus bar by welding. The U-phase power terminals 21u, the V-phase power terminals 21v, and the W-phase power terminals 21w are also connected to the same U-phase bus bar, V-phase bus bar, and W-phase bus bar by welding. In FIG. 17, as an example, connection of the power terminals (W-phase power terminals) 21 of both semiconductor modules 2a to the bus bar (W-phase bus bar) 4 is shown.

図16(a)に示すごとく、半導体モジュール2bの一方は、負極側バスバ(図示略)に接続される負極側パワー端子21nを有する。また、半導体モジュール2bは、それぞれU相バスバ、V相バスバ、W相バスバ(いずれも図示略)に接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21v、W相パワー端子21wを有する。
図15(b)に示すごとく、半導体モジュール2bの他方も、もう一方と同様である。
As shown in FIG. 16A, one of the semiconductor modules 2b has a negative power terminal 21n connected to a negative bus bar (not shown). Further, the semiconductor module 2b has a U-phase power terminal 21u, a V-phase power terminal 21v, and a W-phase power terminal 21w connected to a U-phase bus bar, a V-phase bus bar, and a W-phase bus bar (all not shown).
As shown in FIG. 15B, the other of the semiconductor modules 2b is the same as the other.

図17に示すごとく、両半導体モジュール2bは、負極側パワー端子21n同士が正極側バスバーに対して溶接により接続されている。また、U相パワー端子21u同士、V相パワー端子21v同士、W相パワー端子21w同士も、それぞれ同じU相バスバ、V相バスバ、W相バスバに対して溶接により接続されている。なお、図17では、一例として、バスバ(W相バスバ)4に対する両半導体モジュール2bのパワー端子(W相パワー端子)21の接続について示してある。   As shown in FIG. 17, in both the semiconductor modules 2b, the negative power terminals 21n are connected to the positive bus bar by welding. The U-phase power terminals 21u, the V-phase power terminals 21v, and the W-phase power terminals 21w are also connected to the same U-phase bus bar, V-phase bus bar, and W-phase bus bar by welding. In FIG. 17, as an example, connection of the power terminals (W-phase power terminals) 21 of both semiconductor modules 2b to the bus bar (W-phase bus bar) 4 is shown.

さらに、本例では、同図に示すごとく、両半導体モジュール2aのパワー端子21a及び両半導体モジュールbのパワー端子21bは、すべて同じ1つのバスバ4に接続されている。
その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。
Furthermore, in this example, as shown in the figure, the power terminals 21a of both semiconductor modules 2a and the power terminals 21b of both semiconductor modules b are all connected to the same bus bar 4.
The other configuration is the same as that of the first embodiment, and has the same operation and effect.

(実施例6)
本例は、図18、図19に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。
本例では、図18(a)に示すごとく、半導体モジュール2と冷却管3との積層方向において、隣り合う半導体モジュール2の一方は、正極側バスバ(図示略)に接続される正極側パワー端子21p及び負極バスバ(図示略)に接続される負極側パワー端子21nを有する。また、W相バスバ(図示略)に接続されるW相パワー端子21wを有する。なお、W相パワー端子21wに代えて、U相バスバ、V相バスバに接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21vでもよい。
図18(b)に示すごとく、半導体モジュール2の他方も、もう一方と同様である。
(Example 6)
In this example, as shown in FIGS. 18 and 19, the configuration of the semiconductor module 2 is changed.
In this example, as shown in FIG. 18A, in the stacking direction of the semiconductor module 2 and the cooling pipe 3, one of the adjacent semiconductor modules 2 is connected to a positive-side bus bar (not shown). 21p and a negative electrode side power terminal 21n connected to a negative electrode bus bar (not shown). Moreover, it has the W-phase power terminal 21w connected to a W-phase bus bar (not shown). Instead of the W-phase power terminal 21w, a U-phase power terminal 21u and a V-phase power terminal 21v connected to the U-phase bus bar and the V-phase bus bar may be used.
As shown in FIG. 18B, the other of the semiconductor modules 2 is the same as the other.

図示を省略したが、両半導体モジュール2は、正極側パワー端子21p同士が同じ正極側バスバーに対して溶接により接続されている。また、負極側パワー端子21n同士が同じ負極側バスバーに対して溶接により接続されている。また、W相パワー端子21w同士が同じW相バスバに対して溶接により接続されている。   Although not shown, in both semiconductor modules 2, the positive power terminals 21p are connected to the same positive bus bar by welding. Further, the negative electrode side power terminals 21n are connected to the same negative electrode bus bar by welding. Further, the W-phase power terminals 21w are connected to the same W-phase bus bar by welding.

図19に示すごとく、半導体モジュール2には、1個の正極側半導体素子23p及び1個の負極側半導体素子23nが内蔵されている。また、半導体モジュール2同士は、並列接続されている。
その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。
As shown in FIG. 19, the semiconductor module 2 includes one positive-side semiconductor element 23p and one negative-side semiconductor element 23n. The semiconductor modules 2 are connected in parallel.
The other configuration is the same as that of the first embodiment, and has the same operation and effect.

(実施例7)
本例は、図20、図21に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。
本例では、図20(a)に示すごとく、半導体モジュール2と冷却管3との積層方向において、隣り合う半導体モジュール2の一方は、正極側バスバ(図示略)に接続される正極側パワー端子21p及び負極バスバ(図示略)に接続される負極側パワー端子21nを有する。また、それぞれU相バスバ、V相バスバ、W相バスバ(いずれも図示略)に接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21v、W相パワー端子21wを有する。
図20(b)に示すごとく、半導体モジュール2の他方も、もう一方と同様である。
(Example 7)
In this example, as shown in FIGS. 20 and 21, the configuration of the semiconductor module 2 is changed.
In this example, as shown in FIG. 20A, in the stacking direction of the semiconductor module 2 and the cooling pipe 3, one of the adjacent semiconductor modules 2 is connected to a positive-side bus bar (not shown). 21p and a negative electrode side power terminal 21n connected to a negative electrode bus bar (not shown). In addition, it has a U-phase power terminal 21u, a V-phase power terminal 21v, and a W-phase power terminal 21w connected to a U-phase bus bar, a V-phase bus bar, and a W-phase bus bar (all not shown).
As shown in FIG. 20B, the other of the semiconductor modules 2 is the same as the other.

図示を省略したが、両半導体モジュール2は、正極側パワー端子21p同士が同じ正極側バスバーに対して溶接により接続されている。また、負極側パワー端子21n同士が同じ負極側バスバーに対して溶接により接続されている。また、U相パワー端子21u同士、V相パワー端子21v同士、W相パワー端子21w同士が同じU相バスバ、V相バスバ、W相バスバに対して溶接により接続されている。   Although not shown, in both semiconductor modules 2, the positive power terminals 21p are connected to the same positive bus bar by welding. Further, the negative electrode side power terminals 21n are connected to the same negative electrode bus bar by welding. The U-phase power terminals 21u, the V-phase power terminals 21v, and the W-phase power terminals 21w are connected to the same U-phase bus bar, V-phase bus bar, and W-phase bus bar by welding.

図21に示すごとく、半導体モジュール2には、3個の正極側半導体素子23p及び3個の負極側半導体素子23nが内蔵されている。また、半導体モジュール2同士は、並列接続されている。
その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。
As shown in FIG. 21, the semiconductor module 2 includes three positive-side semiconductor elements 23p and three negative-side semiconductor elements 23n. The semiconductor modules 2 are connected in parallel.
The other configuration is the same as that of the first embodiment, and has the same operation and effect.

(実施例8)
電力変換装置にかかる実施例について、図を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図22〜図24に示すごとく、半導体素子23を内蔵してなると共に半導体素子23に導通するパワー端子21を有する複数の半導体モジュール2と、パワー端子21が接続される複数のバスバ4とを備えている。
(Example 8)
The Example concerning a power converter device is described using figures.
As shown in FIGS. 22 to 24, the power conversion apparatus 1 of this example includes a semiconductor element 23 and a plurality of semiconductor modules 2 having a power terminal 21 that is electrically connected to the semiconductor element 23, and the power terminal 21 is connected. A plurality of bus bars 4 are provided.

パワー端子21は、バスバ4に接続する接続端部213を備えており、バスバ4は、パワー端子21の接続端部213が配置される配置面421を有すると共にパワー端子21の接続端部213が接続される被接続端部42を備えている。
バスバ4の配置面421には、複数のパワー端子21の接続端部213がバスバ4の配置面421に直交する直交方向Xにおいて互いに重ならないように並んで配置されている。各パワー端子21の接続端部213は、バスバ4の被接続端部42に対して溶接されている。
以下、これを詳説する。
The power terminal 21 includes a connection end 213 that connects to the bus bar 4. The bus bar 4 has an arrangement surface 421 on which the connection end 213 of the power terminal 21 is disposed, and the connection end 213 of the power terminal 21 A connected end 42 to be connected is provided.
On the arrangement surface 421 of the bus bar 4, the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 are arranged side by side so as not to overlap each other in the orthogonal direction X orthogonal to the arrangement surface 421 of the bus bar 4. The connection end 213 of each power terminal 21 is welded to the connected end 42 of the bus bar 4.
This will be described in detail below.

図1を参照のごとく、本例の電力変換装置1は、半導体モジュール2と冷却管31とを交互に積層してなり、半導体モジュール2の両主面に冷却管3が接触配置されている。
各冷却管31は、内部に水等の冷却媒体を流通させる冷媒流路を設けてなる。また、複数の冷却管31は、その長手方向の両端において、互いに連結管32によって連結されている。また、積層方向の一端に配された冷却管31には、冷却媒体を導入するための冷媒導入管331と、冷却媒体を排出するための冷媒排出管332とが連結されている。
As shown in FIG. 1, the power conversion apparatus 1 of this example is configured by alternately stacking semiconductor modules 2 and cooling pipes 31, and cooling pipes 3 are disposed in contact with both main surfaces of the semiconductor module 2.
Each cooling pipe 31 is provided with a refrigerant flow path through which a cooling medium such as water flows. The plurality of cooling pipes 31 are connected to each other by connecting pipes 32 at both ends in the longitudinal direction. In addition, a refrigerant introduction pipe 331 for introducing a cooling medium and a refrigerant discharge pipe 332 for discharging the cooling medium are connected to the cooling pipe 31 arranged at one end in the stacking direction.

そして、上記の構成により、冷媒導入管331に導入された冷却媒体は、複数の冷却管31の冷媒流路を流れる。このとき、冷却媒体は、半導体モジュール2との間で熱交換を行い、半導体モジュール2を冷却する。熱交換を行った後の冷却媒体は、冷却管31の他端から連結管32を介して冷媒排出管332へ排出される。   With the above configuration, the cooling medium introduced into the refrigerant introduction pipe 331 flows through the refrigerant flow paths of the plurality of cooling pipes 31. At this time, the cooling medium exchanges heat with the semiconductor module 2 to cool the semiconductor module 2. The cooling medium after the heat exchange is discharged from the other end of the cooling pipe 31 to the refrigerant discharge pipe 332 via the connecting pipe 32.

また、隣り合う一対の冷却管31の間には、1個の半導体モジュール2が配設されている。また、複数の半導体モジュール2は、電源の正極側に接続される半導体モジュール2(2a)と、電源の負極側に接続される半導体モジュール2(2b)とを有しており、両者は、半導体モジュール2と冷却管31との積層方向において、隣り合うように配置されている。   One semiconductor module 2 is disposed between a pair of adjacent cooling pipes 31. The plurality of semiconductor modules 2 include a semiconductor module 2 (2a) connected to the positive electrode side of the power source and a semiconductor module 2 (2b) connected to the negative electrode side of the power source. They are arranged adjacent to each other in the stacking direction of the module 2 and the cooling pipe 31.

図22(a)、(b)に示すごとく、半導体モジュール2(2a、2b)は、半導体素子23(図6参照)を内蔵する本体部20を有する。本体部20は、一対の主面201と二対の端面202とを有するカード状の直方体形状を有する。そして、対向する一対の端面202のうちの一方から複数のパワー端子21が突出して設けられており、他方から複数の制御端子22が突出して設けられている。   As shown in FIGS. 22A and 22B, the semiconductor module 2 (2a, 2b) has a main body portion 20 containing a semiconductor element 23 (see FIG. 6). The main body 20 has a card-like rectangular parallelepiped shape having a pair of main surfaces 201 and two pairs of end surfaces 202. A plurality of power terminals 21 are provided so as to protrude from one of a pair of opposed end surfaces 202, and a plurality of control terminals 22 are provided so as to protrude from the other.

また、本体部20に内蔵されている半導体素子23(図6参照)は、スイッチング素子とダイオードとからなる。本例では、スイッチング素子として、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を用いている。また、ダイオードとして、フライホイールダイオードを用いている。   In addition, the semiconductor element 23 (see FIG. 6) built in the main body 20 includes a switching element and a diode. In this example, an IGBT (insulated gate bipolar transistor) is used as the switching element. A flywheel diode is used as the diode.

図22(a)に示すごとく、一方の半導体モジュール2aは、正極側バスバ(図示略)に接続される正極側パワー端子21pを有する。正極側バスバは、電源の正極側に接続される。また、半導体モジュール2aは、それぞれU相バスバ、V相バスバ、W相バスバ(いずれも図示略)に接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21v、W相パワー端子21wを有する。U相バスバ、V相バスバ、W相バスバは、三相交流の回転電機のU相、V相、W相の各電極に接続される。   As shown in FIG. 22A, one semiconductor module 2a has a positive power terminal 21p connected to a positive bus bar (not shown). The positive side bus bar is connected to the positive side of the power supply. Further, the semiconductor module 2a has a U-phase power terminal 21u, a V-phase power terminal 21v, and a W-phase power terminal 21w connected to a U-phase bus bar, a V-phase bus bar, and a W-phase bus bar (all not shown). The U-phase bus bar, V-phase bus bar, and W-phase bus bar are connected to the U-phase, V-phase, and W-phase electrodes of the three-phase AC rotating electrical machine.

図22(b)に示すごとく、他方の半導体モジュール2bは、負極側バスバ(図示略)に接続される負極側パワー端子21nを有する。負極側バスバは、電源の負極側に接続される。また、半導体モジュール2bは、それぞれU相バスバ、V相バスバ、W相バスバ(いずれも図示略)に接続されるU相パワー端子21u、V相パワー端子21v、W相パワー端子21wを有する。U相バスバ、V相バスバ、W相バスバは、三相交流の回転電機のU相、V相、W相の各電極に接続される。   As shown in FIG. 22B, the other semiconductor module 2b has a negative-side power terminal 21n connected to a negative-side bus bar (not shown). The negative side bus bar is connected to the negative side of the power source. Further, the semiconductor module 2b has a U-phase power terminal 21u, a V-phase power terminal 21v, and a W-phase power terminal 21w connected to a U-phase bus bar, a V-phase bus bar, and a W-phase bus bar (all not shown). The U-phase bus bar, V-phase bus bar, and W-phase bus bar are connected to the U-phase, V-phase, and W-phase electrodes of the three-phase AC rotating electrical machine.

また、図示を省略したが、一方の半導体モジュール2aの正極側パワー端子21pは、正極側バスバに対して溶接により接続されており、他方の半導体モジュール2bの負極側パワー端子21nは、負極側バスバに対して溶接により接続されている。
また、一方の半導体モジュール2aと他方の半導体モジュール2bとは、U相パワー端子21u同士が同じU相バスバに対して溶接により接続されている。また、V相パワー端子21v同士、W相パワー端子21w同士も、同じV相バスバ、W相バスバに対して溶接により接続されている。
Although not shown, the positive power terminal 21p of one semiconductor module 2a is connected to the positive bus bar by welding, and the negative power terminal 21n of the other semiconductor module 2b is connected to the negative bus bar. Are connected by welding.
In addition, the U-phase power terminals 21u are connected to the same U-phase bus bar by welding between the one semiconductor module 2a and the other semiconductor module 2b. The V-phase power terminals 21v and the W-phase power terminals 21w are also connected to the same V-phase bus bar and W-phase bus bar by welding.

以下、一例として、図23に示すごとく、W相バスバ(以下、適宜、単にバスバ4という)に対する両半導体モジュール2a、2bのW相パワー端子21w(以下、適宜、単にパワー端子21という)の接続について説明する。なお、一方の半導体モジュール2のパワー端子21をパワー端子21a、他方の半導体モジュール2bのパワー端子21をパワー端子21bとする。   Hereinafter, as an example, as shown in FIG. 23, connection of W-phase power terminals 21w (hereinafter, simply referred to as power terminals 21) of both semiconductor modules 2a, 2b to a W-phase bus bar (hereinafter, simply referred to as bus bar 4). Will be described. The power terminal 21 of one semiconductor module 2 is referred to as a power terminal 21a, and the power terminal 21 of the other semiconductor module 2b is referred to as a power terminal 21b.

同図に示すごとく、パワー端子21a、21bは、平板状であって、本体部20から突出する突出部211と、突出部211の先端から直角に折れ曲がって延びる延設部212と、延設部212の先端から直角に折れ曲がって突出部211の突出方向に延びると共にバスバ4に接続する接続端部213とを有する。   As shown in the figure, the power terminals 21a and 21b are flat and have a protruding portion 211 protruding from the main body portion 20, an extending portion 212 extending at a right angle from the tip of the protruding portion 211, and an extending portion. 212 has a connection end 213 that is bent at a right angle from the tip of 212 and extends in the protruding direction of the protruding portion 211 and is connected to the bus bar 4.

また、バスバ4は、平板状の本体部41と、本体部41の先端から直角に折れ曲がって延びると共にパワー端子21の接続端部213が接続される被接続端部42とを有する。被接続端部42は、その一方の面にパワー端子21の接続端部213が配置される配置面421を有する。   The bus bar 4 has a flat plate-like main body portion 41 and a connected end portion 42 that is bent at a right angle from the front end of the main body portion 41 and connected to the connection end portion 213 of the power terminal 21. The connected end 42 has an arrangement surface 421 on which one end of the connection end 213 of the power terminal 21 is arranged.

図24に示すごとく、バスバ4の配置面421には、2つのパワー端子21の接続端部213がバスバ4の配置面421に直交する直交方向X(以下、単に直交方向Xという)において互いに重ならないように並んで配置されている。
各パワー端子21a、21bの接続端部213は、バスバ4の被接続端部42に対して溶接されている。具体的には、パワー端子21の接続端部213とバスバ4の被接続端部42との先端同士を接触させ、その部分を溶融させることにより、両者を接合してある(同図の溶接部51)。
As shown in FIG. 24, the arrangement surface 421 of the bus bar 4 overlaps the connection ends 213 of the two power terminals 21 in the orthogonal direction X (hereinafter simply referred to as the orthogonal direction X) orthogonal to the arrangement surface 421 of the bus bar 4. It is arranged side by side so as not to become.
The connection end portions 213 of the power terminals 21 a and 21 b are welded to the connected end portions 42 of the bus bar 4. Specifically, the ends of the connecting end portion 213 of the power terminal 21 and the connected end portion 42 of the bus bar 4 are brought into contact with each other and melted to join the two (the welded portion in the figure). 51).

次に、本例の電力変換装置1の回路構成について説明する。
図6を参照のごとく、電力変換装置1は、電源19の直流電圧を昇圧する昇圧回路61と、昇圧後の直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路62とを備えている。
昇圧回路61は、複数の半導体素子23を備えている。各半導体素子23は、スイッチング素子(IGBT素子)231とスイッチング素子231に逆並列接続されたフライホイールダイオード232とからなる。
Next, the circuit configuration of the power conversion device 1 of this example will be described.
As shown in FIG. 6, the power conversion apparatus 1 includes a booster circuit 61 that boosts the DC voltage of the power supply 19 and an inverter circuit 62 that converts the boosted DC voltage into an AC voltage.
The booster circuit 61 includes a plurality of semiconductor elements 23. Each semiconductor element 23 includes a switching element (IGBT element) 231 and a flywheel diode 232 connected in reverse parallel to the switching element 231.

インバータ回路62は、複数の半導体素子23を備えている。各半導体素子23は、スイッチング素子(IGBT素子)231とスイッチング素子231に逆並列接続されたフライホイールダイオード232とからなる。また、半導体素子23には、正極側バスバに接続される正極側半導体素子23pと、負極側バスバに接続される負極側半導体素子23nとがある。
そして、一方の半導体モジュール2a(図22(a))には、3個の正極側半導体素子23pが内蔵されており、他方の半導体モジュール2b(図22(b))には、3個の負極側半導体素子23nが内蔵されている。
The inverter circuit 62 includes a plurality of semiconductor elements 23. Each semiconductor element 23 includes a switching element (IGBT element) 231 and a flywheel diode 232 connected in reverse parallel to the switching element 231. The semiconductor element 23 includes a positive-side semiconductor element 23p connected to the positive-side bus bar and a negative-side semiconductor element 23n connected to the negative-side bus bar.
One semiconductor module 2a (FIG. 22A) includes three positive-side semiconductor elements 23p, and the other semiconductor module 2b (FIG. 22B) includes three negative electrodes. A side semiconductor element 23n is incorporated.

次に、本例の電力変換装置1における作用効果について説明する。
本例の電力変換装置1において、バスバ4の配置面421には、複数のパワー端子21の接続端部213がバスバ4の配置面421に直交する直交方向Xにおいて互いに重ならないように並んで配置されている。
そのため、複数のパワー端子21の接続端部213をそれぞれバスバ4の被接続端部42に対して溶接することにより、バスバ4の被接続端部42に対して複数のパワー端子21の接続端部213を容易に接続することができる。また、それぞれの溶接は、バスバ4の被接続端部42と1つのパワー端子21の接続端部213との溶接、つまり2つの部材の間の溶接となる。そのため、各溶接を容易に行うことができる。
Next, the effect in the power converter device 1 of this example is demonstrated.
In the power conversion device 1 of the present example, the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 are arranged side by side on the arrangement surface 421 of the bus bar 4 so as not to overlap each other in the orthogonal direction X orthogonal to the arrangement surface 421 of the bus bar 4. Has been.
Therefore, the connection end portions of the plurality of power terminals 21 are connected to the connected end portions 42 of the bus bar 4 by welding the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 to the connected end portions 42 of the bus bar 4. 213 can be easily connected. Each welding is welding of the connected end portion 42 of the bus bar 4 and the connecting end portion 213 of one power terminal 21, that is, welding between two members. Therefore, each welding can be performed easily.

また、上述のごとく、バスバ4の被接続端部42の配置面421に対して複数のパワー端子21の接続端部213を配置している。そのため、バスバ4の被接続端部42に対して1つのパワー端子21を配置していた従来に比べて、省スペース化を図ることができる。これにより、電力変換装置1全体の小型化を実現することができる。   In addition, as described above, the connection end portions 213 of the plurality of power terminals 21 are arranged on the arrangement surface 421 of the connected end portion 42 of the bus bar 4. Therefore, space saving can be achieved compared with the conventional case where one power terminal 21 is arranged with respect to the connected end portion 42 of the bus bar 4. Thereby, size reduction of the whole power converter device 1 is realizable.

このように、本例によれば、バスバ4の被接続端部42に対して複数のパワー端子21を容易に接続することができると共に、省スペース化、小型化を図ることができる電力変換装置1を提供することができる。   Thus, according to this example, the power converter device can easily connect the plurality of power terminals 21 to the connected end portion 42 of the bus bar 4, and can achieve space saving and downsizing. 1 can be provided.

なお、本例の構成においても、実施例3のようにバスバ4の被接続端部42の構成を変更したり、実施例4のようにパワー端子21の接続端部213及びバスバ4の被接続端部42の構成を変更したり、実施例5〜7のように半導体モジュール2の構成を変更したりすることができる。   Also in the configuration of this example, the configuration of the connected end 42 of the bus bar 4 is changed as in the third embodiment, or the connected end 213 of the power terminal 21 and the connected bus bar 4 are connected as in the fourth embodiment. The configuration of the end portion 42 can be changed, or the configuration of the semiconductor module 2 can be changed as in the fifth to seventh embodiments.

1 電力変換装置
2 半導体モジュール
21 パワー端子
23 半導体素子
213 接続端部
214 非重合部
4 バスバ
42 被接続端部
421 配置面
X 直交方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 2 Semiconductor module 21 Power terminal 23 Semiconductor element 213 Connection end part 214 Non-polymerization part 4 Bus bar 42 Connection end part 421 Arrangement surface X Orthogonal direction

Claims (5)

半導体素子を内蔵してなると共に該半導体素子に導通するパワー端子を有する複数の半導体モジュールと、上記パワー端子が接続される複数のバスバとを備えた電力変換装置において、
上記パワー端子は、上記バスバに接続する接続端部を備えており、
上記バスバは、上記パワー端子の上記接続端部が配置される配置面を有すると共に上記パワー端子の上記接続端部が接続される被接続端部を備えており、
上記バスバの上記配置面には、複数の上記パワー端子の上記接続端部が上記バスバの上記配置面に直交する直交方向において積層配置されており、
上記各パワー端子の上記接続端部の先端部には、上記直交方向において他の上記パワー端子の上記接続端部と重ならない非重合部が設けられており、
上記各パワー端子の上記接続端部の上記非重合部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接されていることを特徴とする電力変換装置。
In a power conversion device comprising a plurality of semiconductor modules having a power terminal that is electrically connected to the semiconductor element, and a plurality of bus bars to which the power terminal is connected.
The power terminal includes a connection end to be connected to the bus bar,
The bus bar includes a connection end portion to which the connection end portion of the power terminal is connected and has an arrangement surface on which the connection end portion of the power terminal is disposed.
On the arrangement surface of the bus bar, the connection end portions of a plurality of the power terminals are stacked in an orthogonal direction orthogonal to the arrangement surface of the bus bar,
The tip of the connection end of each power terminal is provided with a non-overlapping portion that does not overlap the connection end of the other power terminal in the orthogonal direction,
The non-overlapping portion of the connection end of each power terminal is welded to the connected end of the bus bar.
請求項1に記載の電力変換装置において、上記バスバの上記配置面に隣接する上記パワー端子よりも外側にある上記パワー端子の上記接続端部の上記非重合部は、少なくとも一部が上記バスバの上記配置面に隣接する上記パワー端子の上記接続端部の上記非重合部と平行かつ同一平面上にあり、上記バスバの上記配置面に近接又は接触していることを特徴とする電力変換装置。   2. The power conversion device according to claim 1, wherein at least a part of the non-overlapping portion of the connection end portion of the power terminal that is outside the power terminal adjacent to the arrangement surface of the bus bar is the bus bar. The power conversion device, wherein the power conversion device is parallel and flush with the non-overlapping portion of the connection end portion of the power terminal adjacent to the arrangement surface, and is close to or in contact with the arrangement surface of the bus bar. 請求項1又は2に記載の電力変換装置において、上記バスバの上記被接続端部には、その先端から切り込まれた切欠部が設けられており、該切欠部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接された上記複数のパワー端子の上記接続端部の上記非重合部同士の間に形成されていることを特徴とする電力変換装置。   3. The power conversion device according to claim 1, wherein the connected end portion of the bus bar is provided with a notched portion cut from a tip thereof, and the notched portion is connected to the bus bar. A power conversion device, wherein the power conversion device is formed between the non-overlapping portions of the connection end portions of the plurality of power terminals welded to the end portions. 半導体素子を内蔵してなると共に該半導体素子に導通するパワー端子を有する複数の半導体モジュールと、上記パワー端子が接続される複数のバスバとを備えた電力変換装置において、
上記パワー端子は、上記バスバに接続する接続端部を備えており、
上記バスバは、上記パワー端子の上記接続端部が配置される配置面を有すると共に上記パワー端子の上記接続端部が接続される被接続端部を備えており、
上記バスバの上記配置面には、複数の上記パワー端子の上記接続端部が上記バスバの上記配置面に直交する直交方向において互いに重ならないように並んで配置されており、
上記各パワー端子の上記接続端部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接されていることを特徴とする電力変換装置。
In a power conversion device comprising a plurality of semiconductor modules having a power terminal that is electrically connected to the semiconductor element, and a plurality of bus bars to which the power terminal is connected.
The power terminal includes a connection end to be connected to the bus bar,
The bus bar includes a connection end portion to which the connection end portion of the power terminal is connected and has an arrangement surface on which the connection end portion of the power terminal is disposed.
On the arrangement surface of the bus bar, the connection end portions of the plurality of power terminals are arranged side by side so as not to overlap each other in an orthogonal direction perpendicular to the arrangement surface of the bus bar,
The power conversion device, wherein the connection end of each power terminal is welded to the connected end of the bus bar.
請求項4に記載の電力変換装置において、上記バスバの上記被接続端部には、その先端から切り込まれた切欠部が設けられており、該切欠部は、上記バスバの上記被接続端部に対して溶接された上記複数のパワー端子の上記接続端部の上記非重合部同士の間に形成されていることを特徴とする電力変換装置。   5. The power conversion device according to claim 4, wherein the connected end portion of the bus bar is provided with a notched portion cut from a tip thereof, and the notched portion is the connected end portion of the bus bar. The power conversion device is formed between the non-overlapping portions of the connection end portions of the plurality of power terminals welded to each other.
JP2011151152A 2011-07-07 2011-07-07 Power converter Active JP5546503B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011151152A JP5546503B2 (en) 2011-07-07 2011-07-07 Power converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011151152A JP5546503B2 (en) 2011-07-07 2011-07-07 Power converter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013021029A true JP2013021029A (en) 2013-01-31
JP5546503B2 JP5546503B2 (en) 2014-07-09

Family

ID=47692207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011151152A Active JP5546503B2 (en) 2011-07-07 2011-07-07 Power converter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5546503B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021049289A1 (en) * 2019-09-10 2021-03-18 株式会社デンソー Power conversion apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269702A (en) * 2005-03-24 2006-10-05 Mitsubishi Electric Corp Power converter
JP2008198750A (en) * 2007-02-12 2008-08-28 Denso Corp Power converter
WO2008120513A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-09 Citizen Holdings Co., Ltd. Electrode terminal connecting structure of multilayer substrate
JP2009142000A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Denso Corp Power conversion equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269702A (en) * 2005-03-24 2006-10-05 Mitsubishi Electric Corp Power converter
JP2008198750A (en) * 2007-02-12 2008-08-28 Denso Corp Power converter
WO2008120513A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-09 Citizen Holdings Co., Ltd. Electrode terminal connecting structure of multilayer substrate
JP2009142000A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Denso Corp Power conversion equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021049289A1 (en) * 2019-09-10 2021-03-18 株式会社デンソー Power conversion apparatus
JP2021044925A (en) * 2019-09-10 2021-03-18 株式会社デンソー Electric power conversion device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5546503B2 (en) 2014-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6239523B2 (en) Power supply device, electric vehicle including power supply device, power storage device, and method of manufacturing power supply device
JP5700022B2 (en) Power converter
JP5263334B2 (en) Busbar module
JP6950326B2 (en) Power converter
JP5629485B2 (en) Power converter
JP5446761B2 (en) Power converter
JP7226481B2 (en) power converter
JP2015139270A (en) Power conversion device
JP2012191768A (en) Electric power conversion device
JP6690478B2 (en) Power converter
JP5702963B2 (en) Power converter
CN111478606B (en) Power converter and method for manufacturing same
JP6758571B2 (en) Power converter
JP7375797B2 (en) power converter
JP6693348B2 (en) Power converter
JP5546503B2 (en) Power converter
CN113437908A (en) Switch circuit and switch layout structure thereof, motor controller and converter
JP5375395B2 (en) Power converter
JP5397159B2 (en) Semiconductor module and terminal connection structure
JP2018073915A (en) Manufacturing method for power converter
WO2021149352A1 (en) Power conversion device
JP2014212193A (en) Stack type cooling device for semiconductor module
JP5630531B2 (en) Power converter
JP6206569B2 (en) Power converter
JP6758570B2 (en) Power converter

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131002

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140415

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5546503

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250