JP2013015823A - Electrophotographic device - Google Patents

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Kaname Toguchi
要 渡口
Hideaki Nagasaka
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Takeshi Murakami
健 村上
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正樹 野中
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正人 田中
Akira Yoshida
晃 吉田
Toshihiko Sugimoto
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrophotographic device suppressing generation of interference fringes, maintaining image formation with little image defects and showing high reproducibility of thin lines.SOLUTION: An electrophotographic photoreceptor includes a charge generating layer and a charge transporting layer on a conductive support. The conductive support has such a surface profile that in a graph showing the dependency of an average local height difference (Rmk) on a calculation length, the maximum (Rmk,max) of (Rmk) satisfies expression (1):Rmk,max≥0.15λT, where Trepresents a transmittance until a laser beam reaches the conductive support, and that in the graph, a Rmk equal to or larger than (Rmk,max) and 2/3 or more of (Rmk,max) appears in a calculation length apart from the calculation length where the maximum (Rmk,max) appears, by 0.1 time or less or 10 times or more. An interfacial profile between the i-th layer and the (i+1)-th layer of the photoreceptor satisfies expression (2), where Trepresents a transmittance until a laser beam reaches the i-th layer on the conductive support; and nand nrepresent refractive indices of the i-th layer and (i+1)-th layer on the conductive support, respectively.

Description

本発明は電子写真装置に関する。   The present invention relates to an electrophotographic apparatus.

電子写真装置に用いられる像保持部材として、積層型の有機電子写真感光体がある。積層型の感光体においては、像露光光源としてレーザ光が使用された場合、感光体内部における露光光の多重反射によって潜像に干渉縞が発生するという問題が生じる。   As an image holding member used in an electrophotographic apparatus, there is a laminated type organic electrophotographic photosensitive member. In a laminated type photoconductor, when laser light is used as an image exposure light source, there arises a problem that interference fringes are generated in a latent image due to multiple reflection of exposure light inside the photoconductor.

この問題を解決するために、特許文献1には、反射面となる感光体の基体を粗面化するという手法が記載されている。
一方、特許文献2には、干渉縞を防止する粗面化基体の評価方法が記載されている。
また、特許文献3には、粗面化基体を用いた感光体の干渉縞防止能力を測定する方法が記載されている。
In order to solve this problem, Patent Document 1 describes a method of roughening a photosensitive substrate serving as a reflective surface.
On the other hand, Patent Document 2 describes a method for evaluating a roughened substrate that prevents interference fringes.
Patent Document 3 describes a method for measuring the interference fringe prevention capability of a photoreceptor using a roughened substrate.

特開2000−075528号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2000-075528 特開2004−117454号公報JP 2004-117454 A 特開2008−122999号公報JP 2008-122999 A

電子写真装置のさらなる高画質化に対応するために、露光ビームスポットの小径化が進んでいる。このため、干渉縞を防止するために施す基体の粗面化は、細線再現性に影響を及ぼす。また、細線再現性向上の要求から、感光層をより薄膜化した感光体を用いることが要請されている。さらに、感光層と基体の間に中間層を設ける場合においては、感光体の繰り返し安定性の観点から、中間層をより薄膜化した感光体を用いることが要請されている。   In order to cope with higher image quality of electrophotographic apparatuses, the diameter of the exposure beam spot has been reduced. For this reason, the roughening of the substrate to prevent interference fringes affects the fine line reproducibility. In addition, in order to improve fine line reproducibility, it is required to use a photoreceptor having a thinner photosensitive layer. Furthermore, in the case where an intermediate layer is provided between the photosensitive layer and the substrate, it is required to use a photoconductor having a thinner intermediate layer from the viewpoint of the repeated stability of the photoconductor.

このため、従来用いられてきた基体を薄膜感光体に用いると、基体の粗面化が原因で発生する黒ポチや、基体からのホール注入が起因で発生するカブリが抑えられないという課題もある。   For this reason, when a conventionally used substrate is used for a thin film photoreceptor, there is a problem that black spots caused by roughening of the substrate and fogging caused by hole injection from the substrate cannot be suppressed. .

そこで、干渉縞を感光層の基体の粗面化で防止することを考えたとき、より効率的な粗し形状を探索する必要が生じている。しかし、効率的な粗し形状を探索、あるいは規定するためには、従来使われている粗面化に関するパラメータでは不十分であったこともあり、改良の余地が残されている。   In view of preventing interference fringes by roughening the substrate of the photosensitive layer, it is necessary to search for a more efficient rough shape. However, in order to search for or define an efficient rough shape, the parameters related to roughening that have been used in the past have been insufficient, leaving room for improvement.

本発明の目的は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、使用初期から耐久寿命が尽きるまで干渉縞の発生を抑えつつ、黒ポチやカブリといった画像欠陥の少ない画像形成を維持し、細線再現性の高い電子写真装置を提供することにある。   The object of the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, while maintaining the image formation with less image defects such as black spots and fog, while suppressing the generation of interference fringes from the beginning of use until the end of the durable life. An object is to provide an electrophotographic apparatus with high reproducibility.

本発明の一態様によれば、波長λのレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、該電子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有しており、該導電性支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が、下記式(1)(式(1)中、Tは、前記レーザ光が前記導電性支持体に到達するまでの透過率を示す)を満たし、
該導電性支持体上に接触して設けられた層を第1層とし、その上に接触して設けられた層を第2層として前記電荷発生層に至るまで名前付けした場合、前記平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の3分の2以上のRmkが発現し、第i層と第i+1層(iは1以上の整数)との界面の形状が、下記式(2)
(式(2)中、Ti+1は、前記レーザ光が前記導電性支持体上の第i層に到達するまでの透過率を示し、n、ni+1は、それぞれ前記導電性支持体上に接触して設けられた第i層と第i+1層の屈折率を示す)を満たすことを特徴とする電子写真装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, there is provided an electrophotographic apparatus having an exposure unit, a charging unit, a developing unit, a transfer unit, and an electrophotographic photosensitive member having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ. The photoconductor has at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order on a conductive support, and the conductive support has a surface shape with a calculated length of an average local height difference (Rmk). In the graph showing the dependency, the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is the following formula (1) (in formula (1), T 1 indicates that the laser beam is the conductive support). Show the transmittance to reach
When the layer provided in contact with the conductive support is a first layer and the layer provided in contact with the conductive support is named as a second layer up to the charge generation layer, the average local In the graph showing the dependency of the height difference (Rmk) on the calculated length, the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length. In the calculated length, Rmk that is not more than the maximum value (Rmk, max) and more than two-thirds of the maximum value (Rmk, max) is expressed, and the i-th layer and the i + 1-th layer (i is an integer of 1 or more) The shape of the interface with the following formula (2)
(In Formula (2), T i + 1 indicates the transmittance until the laser beam reaches the i-th layer on the conductive support, and n i and n i + 1 are respectively on the conductive support. An electrophotographic apparatus characterized by satisfying the refractive indices of the i-th layer and the (i + 1) -th layer provided in contact with each other is provided.

また、本発明の他の態様によれば、波長λのレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、該電子写真感光体は、導電性樹脂支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有しており、該導電性樹脂支持体を第0層とし、該導電性樹脂支持体上に接触して設けられた層を第1層とし、その上に接触して設けられた層を第2層として前記電荷発生層に至るまで名前付けした場合、前記導電性樹脂支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の3分の2以上のRmkが発現し、第i層と第i+1層(iは1以上の整数)との界面の形状が、下記式(2)
(式(2)中、Ti+1は、前記レーザ光が前記導電性樹脂支持体上の第i層に到達するまでの透過率を示し、n、ni+1は、それぞれ前記導電性樹脂支持体上に接触して設けられた第i層と第i+1層の屈折率を示す)を満たすことを特徴とする電子写真装置が提要される。
According to another aspect of the present invention, there is provided an electrophotographic apparatus having an exposure means having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ, a charging means, a developing means, a transfer means, and an electrophotographic photosensitive member. The electrophotographic photoreceptor has at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order on a conductive resin support, and the conductive resin support is the 0th layer. When the layer provided in contact with the first layer is named as the first layer and the layer provided in contact with the second layer is named as the second layer up to the charge generation layer, the conductive resin support is In the graph where the surface shape shows the calculation length dependence of the average local height difference (Rmk), the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is 0.1 times or less from the calculated length. Alternatively, in the calculated length more than 10 times away, Rmk that is less than a large value (Rmk, max) and more than two-thirds of the maximum value (Rmk, max) is expressed, and the shape of the interface between the i-th layer and the i + 1-th layer (i is an integer of 1 or more) The following formula (2)
(In Formula (2), T i + 1 represents the transmittance until the laser beam reaches the i-th layer on the conductive resin support, and n i and n i + 1 represent the conductive resin support, respectively. An electrophotographic apparatus characterized by satisfying the refractive index of the i-th layer and the (i + 1) -th layer provided in contact with each other is provided.

さらに、本発明の別の態様によれば、波長λのレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、該電子写真感光体は、導電性支持体上に接触して設けられた電荷発生層と前記電荷発生層上に設けられた電荷輸送層とを有しており、前記導電性支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の2分の1以上のRmkが発現し、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が、下記式(1)
(式(1)中、Tは、前記レーザ光が該導電性支持体に到達するまでの透過率を示す)を満たすことを特徴とする電子写真装置が提供される。
Furthermore, according to another aspect of the present invention, there is provided an electrophotographic apparatus having an exposure unit having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ, a charging unit, a developing unit, a transfer unit, and an electrophotographic photosensitive member. The electrophotographic photosensitive member has a charge generation layer provided in contact with a conductive support and a charge transport layer provided on the charge generation layer. In a graph whose shape shows the calculation length dependence of the average local height difference (Rmk), 0.1 times or less from the calculated length at which the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed or Rmk that is less than the maximum value (Rmk, max) and half or more of the maximum value (Rmk, max) is expressed at a calculated length that is 10 times or more apart, and the maximum of the average local height difference (Rmk) The value (Rmk, max) is Serial formula (1)
There is provided an electrophotographic apparatus characterized by satisfying (in formula (1), T 1 represents a transmittance until the laser beam reaches the conductive support).

本発明によれば、使用初期から耐久寿命が尽きるまで干渉縞の発生を抑えつつ、常温常湿下だけでなく、低温低湿下であっても、ゴーストや黒ポチといった画像欠陥の少ない画像形成を維持しつつ、細線再現性の高い電子写真装置を提供することができる。   According to the present invention, while suppressing the generation of interference fringes from the initial use to the end of the durable life, image formation with less image defects such as ghosts and black spots can be achieved not only under normal temperature and normal humidity but also under low temperature and low humidity. An electrophotographic apparatus with high fine line reproducibility can be provided while maintaining.

(i)は、Rmk(L)を計算する際、3次元表面形状データをメッシュ分割することを示す図であり、(ii)は、計算したRmk(L)データを、横軸をLの対数にしてグラフ化した例である。(I) is a diagram showing mesh division of the three-dimensional surface shape data when calculating Rmk (L), (ii) is the calculated Rmk (L) data, and the horizontal axis is the logarithm of L This is an example of a graph. (i)はランダムネスの効果を調べるために用意した人工粗さ形状5種(a)〜(e)における2次元および3次元表面粗し形状のそれぞれのグラフであり、(ii)はランダムネスの効果を調べるために用意した人工粗さ形状5種(a)〜(e)のRmk(L)グラフであり、(iii)はランダムネスの効果を調べるために用意した人工粗さ形状5種(a)〜(e)におけるフレネル係数を用いた数値計算で求めた干渉縞レベルを示すグラフであり、(iv)は(b)および(e)の形状について、Rmod(λ/(2n))を横軸、出現頻度を縦軸にとり、両者に偏りの違いがあることを示したグラフである。(I) is a graph of two-dimensional and three-dimensional surface roughening shapes in five types of artificial roughness shapes (a) to (e) prepared for examining the effect of randomness, and (ii) is randomness. 5 is an Rmk (L) graph of five types of artificial roughness shapes (a) to (e) prepared for examining the effect of (iii), and (iii) is five types of artificial roughness shapes prepared for examining the effect of randomness. (a) is a graph showing the interference fringes level determined by numerical calculation using Fresnel coefficient at ~ (e), (iv) the (b) and the shape of (e), Rmod (λ / (2n i) ) On the horizontal axis and frequency of occurrence on the vertical axis, showing that there is a difference in bias between the two. (i)は3次元表面形状データの中身と変数の概念を示す図であり、(ii)は3次元表面形状データをメッシュ分割するときの詳細を説明する図である。(I) is a figure which shows the content of 3D surface shape data, and the concept of a variable, (ii) is a figure explaining the detail when mesh-dividing 3D surface shape data. フレネル係数を用いた数値計算の概略を説明するための、感光体層構成と変数の定義を示す図である。It is a figure which shows the definition of a photoreceptor layer structure and a variable for demonstrating the outline of the numerical calculation using a Fresnel coefficient. (i)はRmk,aveを計算するときのRmk(L)データの重み付け平均の概念を示す図であり、(ii)はRmk,ave,sを計算するときの、Rmk(L)データの重み付け平均の概念を示す図であり、(iii)はRmk,ave,lを計算するときの、Rmk(L)データの重み付け平均の概念を示す図である。(I) is a figure which shows the concept of the weighted average of Rmk (L) data when calculating Rmk, ave, (ii) is the weighting of Rmk (L) data when calculating Rmk, ave, s It is a figure which shows the concept of an average, (iii) is a figure which shows the concept of the weighted average of Rmk (L) data when calculating Rmk, ave, l. (i)は本発明におけるレーザアブレーションにおいて用いられる配列マスクパターンの例(部分拡大図)を示す図であり、(ii)は本発明におけるレーザアブレーションにおいて用いられる配列マスクパターンの例(部分拡大図)を示す図であり、(iii)は本発明における電子写真感光体の最表面断面形状の例を示す図であり、(iv)は本発明におけるレーザ加工装置の例の概略を示す図である。(I) is a figure which shows the example (partial enlarged view) of the arrangement | sequence mask pattern used in the laser ablation in this invention, (ii) is the example (partial enlarged view) of the arrangement | sequence mask pattern used in the laser ablation in this invention. (Iii) is a figure which shows the example of the outermost surface cross-sectional shape of the electrophotographic photoreceptor in this invention, (iv) is a figure which shows the outline of the example of the laser processing apparatus in this invention. 本発明による電子写真装置の例の構成を概略的に示す図である。1 is a diagram schematically showing a configuration of an example of an electrophotographic apparatus according to the present invention. (i)は本発明におけるレーザアブレーションにおいて用いられる配列マスクパターンの例(部分拡大図)を示す図であり、(ii)は本発明におけるレーザアブレーションにおいて用いられる配列マスクパターンの例(部分拡大図)を示す図である。(I) is a figure which shows the example (partial enlarged view) of the arrangement | sequence mask pattern used in the laser ablation in this invention, (ii) is the example (partial enlarged view) of the arrangement | sequence mask pattern used in the laser ablation in this invention. FIG. (i)は、粗面化された支持体の表面形状より計算したRmk(L)データを、横軸をLの対数にしてグラフ化した図であり、(ii)は、粗面化され導電層の表面形状より計算したRmk(L)データを、横軸をLの対数にしてグラフ化した図である。(I) is a graph of Rmk (L) data calculated from the surface shape of the roughened support, with the horizontal axis representing the logarithm of L, and (ii) is a roughened and conductive surface. It is the figure which plotted the Rmk (L) data calculated from the surface shape of the layer, making the horizontal axis logarithm of L. (i)は、横軸を露光レーザ波長、縦軸をRmk,max/Tとして実施例/比較例の一部をプロットした図であり、(ii)は、横軸を√(ni−ni+1)/(ni+ni+1)(i=1)、縦軸を(Rmk,max)/Tλとして実施例/比較例の一部をプロットした図である。(I) is a diagram in which a horizontal axis represents the exposure laser wavelength and a vertical axis represents Rmk, max / T 1 , and a part of the example / comparative example is plotted, and (ii) represents the horizontal axis √ (n in i + 1) / (n i + n i + 1) (i = 1), is a plot of some examples / comparative examples and the vertical axis is the (Rmk, max) / T 1 λ.

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を行った。
効率的な粗し形状を実現するために、適切な評価パラメータとして平均局所高低差 (Rmk) の算出長さ(L)依存性を考案した。本発明の電子写真装置は、Rmk によって規定した粗し形状を支持体と電荷発生層との間に持つ電子写真感光体を有することによって、効率的に干渉縞を消し(または干渉縞の発生を抑制し)、上記目的を達成したものである。
The present inventors have intensively studied to achieve the above object.
In order to realize an efficient rough shape, the calculation length (L) dependence of the average local height difference (Rmk) was devised as an appropriate evaluation parameter. The electrophotographic apparatus of the present invention has an electrophotographic photosensitive member having a rough shape defined by Rmk between a support and a charge generation layer, thereby effectively eliminating interference fringes (or generating interference fringes). And the above-mentioned purpose is achieved.

すなわち、本発明の電子写真装置は、例えば、波長λのレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、電子写真感光体が、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有する場合、導電性支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk(μm))の算出長さ(L(μm))依存性を示すグラフにおいて、
(1):平均局所高低差(Rmk(μm))の最大値(Rmk,max(μm))が発現した算出長さ(Lm(μm))から0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、 最大値(Rmk,max)以下かつ最大値(Rmk,max)の3分の2以上の Rmk が発現し、且つ、
(2):平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が、下記式(1)
(式(1)中、Tはレーザ光が導電性支持体に到達するまでの透過率を示す)を満たすことを特徴とする。
That is, the electrophotographic apparatus of the present invention is an electrophotographic apparatus having, for example, an exposure unit having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ, a charging unit, a developing unit, a transfer unit, and an electrophotographic photosensitive member. When the electrophotographic photosensitive member has at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order on the conductive support, the surface shape of the conductive support is calculated as an average local height difference (Rmk (μm)). In the graph showing the length (L (μm)) dependency,
(1): Calculation that is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length (Lm (μm)) in which the maximum value (Rmk, max (μm)) of the average local height difference (Rmk (μm)) is expressed In length, Rmk is expressed not more than the maximum value (Rmk, max) and not less than two thirds of the maximum value (Rmk, max), and
(2): The maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed by the following formula (1).
(In formula (1), T 1 indicates the transmittance until the laser beam reaches the conductive support).

ここで、平均局所高低差Rmkの算出長さL依存性について説明する。このパラメータは、以下の(1)〜(5)の手順により計算される。粗さ形状の3次元表面形状データz(x、y) を測定した後、
(1):得られた表面形状データを、一辺の長さがLのメッシュに分割する(図1(i)左図参照))。
(2):一辺の長さLの各メッシュ内で、高さz(x、y)を平均化する(図1(i)右図参照)。
(3):各メッシュにおいて、周りのメッシュとの高さの差から局所高低差を計算する。
(4):得られた局所高低差を、全てのメッシュに渡って平均化する。これを、平均局所高低差Rmkと呼ぶ。
(5):(1)〜(4)の手順を、Lを変化させて繰り返し、平均局所高低差Rmkの算出長さL依存性、すなわち関数Rmk(L)を得る。
Here, the dependence of the average local height difference Rmk on the calculated length L will be described. This parameter is calculated by the following procedures (1) to (5). After measuring the three-dimensional surface shape data z (x, y) of the roughness shape,
(1): The obtained surface shape data is divided into meshes whose side length is L (see the left figure in FIG. 1 (i)).
(2): The height z (x, y) is averaged within each mesh having a length L of one side (see the right diagram in FIG. 1 (i)).
(3): In each mesh, the local height difference is calculated from the difference in height from surrounding meshes.
(4): The obtained local height difference is averaged over all meshes. This is called the average local height difference Rmk.
(5): The procedure of (1) to (4) is repeated while changing L to obtain the calculation locality L of the average local height difference Rmk, that is, the function Rmk (L).

こうして得られたRmk(L)を、横軸を算出長さL(μm)の対数、縦軸を平均局所高低差Rmk(μm)としてグラフ化すると、例えば図1(ii)のようになる。   When the obtained Rmk (L) is graphed with the horizontal axis representing the logarithm of the calculated length L (μm) and the vertical axis representing the average local height difference Rmk (μm), for example, FIG. 1 (ii) is obtained.

図1(ii)において、Rmkの最大値とは、L=Lm=18.3(μm)におけるRmk=0.206の値を指す。これを、Rmk,max=0.206と書く。また、L=Lm・0.1=18.3・0.1=1.83(μm)以下の算出長さと、L=Lm・10=18.3・10=183(μm)以上の算出長さにおいて、Rmk,max×2/3=0.14(μm)以上の Rmk が発現していない。つまり、この例は本発明に係る電子写真感光体の条件を満たさないことになる。   In FIG. 1 (ii), the maximum value of Rmk refers to the value of Rmk = 0.206 at L = Lm = 18.3 (μm). This is written as Rmk, max = 0.206. Also, a calculated length of L = Lm · 0.1 = 18.3 · 0.1 = 1.83 (μm) or less and a calculated length of L = Lm · 10 = 18.3 · 10 = 183 (μm) or more In this case, Rmk of Rmk, max × 2/3 = 0.14 (μm) or more is not expressed. That is, this example does not satisfy the conditions of the electrophotographic photosensitive member according to the present invention.

本発明によれば、ミクロな干渉縞を多数発生させることによる平均化効果を効率的に発現させることができ、マクロな干渉縞の発生を抑え、高解像度の静電潜像を得ることができる。   According to the present invention, an averaging effect by generating a large number of micro interference fringes can be efficiently expressed, generation of macro interference fringes can be suppressed, and a high-resolution electrostatic latent image can be obtained. .

「平均局所高低差(Rmk(μm))の最大値(Rmk,max(μm))が発現した算出長さ(Lm(μm)から0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、最大値(Rmk,max)以下かつ最大値(Rmk,max)の3分の2以上の Rmk が発現する」ような表面粗し形状では、干渉縞を効率的に防止できる。ここで言う「効率的に防止」は、同じ十点平均粗さRzを持つ表面形状同士を比較したときに、上記の特徴を満たすかどうかで、発現する干渉縞レベルが異なる、という意味である。   “In the calculated length (Lmk, μm)) where the maximum value of the average local height difference (Rmk (μm)) is expressed (Lm (μm) is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length, Interference fringes can be effectively prevented with a rough surface shape such that Rmk is less than or equal to the maximum value (Rmk, max) and more than two-thirds of the maximum value (Rmk, max). The term “preventing” means that the interference fringe levels that are expressed differ depending on whether or not the above features are satisfied when surface shapes having the same ten-point average roughness Rz are compared.

干渉縞が効率的に防止できるメカニズムについて説明する。そのために、まず表面粗し形状の「ランダムネス」という概念を導入する。
ランダムネスとは、表面粗し形状の不規則具合を意味しており、粗し形状の周期や振幅(高さ)が揃っている場合をランダムネスの無い形状、揃っていない場合をランダムネスの有る形状と呼ぶ。これは、正弦波(余弦波)の重ね合わせで表現すると分かりやすい。
A mechanism that can effectively prevent interference fringes will be described. For this purpose, first, the concept of “randomness” of the rough surface shape is introduced.
Randomness means the irregularity of the rough surface shape. When the rough shape has the same period and amplitude (height), the randomness shape is not. It is called a certain shape. This can be easily understood by superimposing sine waves (cosine waves).

下記式には、様々な周期と振幅(高さ)とを持つ正弦波(余弦波)およびそれらの組み合わせから成る、人工的な2次元表面粗し形状と、それを自然に拡張した3次元表面粗し形状とをそれぞれ5種類示している。この5種それぞれをグラフ化したものを、図2(i)(a)〜(e)に示す。   The following formula shows an artificial two-dimensional surface rough shape consisting of a sine wave (cosine wave) with various periods and amplitudes (heights) and combinations thereof, and a three-dimensional surface that naturally expands it. Five types of rough shapes are shown. A graph of each of the five types is shown in FIGS. 2 (i), (a) to (e).

上記式や図2(i)を見れば、図2(i)(b)、および(c)の形状が単純な正弦波(余弦波)であって、非常に規則的なランダムネスの無い構造を持っていることが分かる。
一方で図2(i)(a)、(d)、および(e)は単純な正弦波(余弦波)ではなく、周期や振幅(高さ)が異なるものが重畳された形状になっている。しかし、図2(i)(a)のように、振幅が0.4(μm)、および0.1(μm)のように大きく異なる正弦波(余弦波)を重畳している場合には、図2(i)(a)を見て分かるとおり、図2(i)(d)や(e)に比べて規則性が高く、ランダムネスは小さい。
From the above formula and FIG. 2 (i), the shape of FIGS. 2 (i), (b), and (c) is a simple sine wave (cosine wave), and has no very regular randomness. You can see that
On the other hand, FIG. 2 (i) (a), (d), and (e) is not a simple sine wave (cosine wave), but has a shape in which those having different periods and amplitudes (heights) are superimposed. . However, when sine waves (cosine waves) having greatly different amplitudes such as 0.4 (μm) and 0.1 (μm) are superimposed as shown in FIGS. As can be seen from FIGS. 2 (i) and 2 (a), the regularity is high and the randomness is small compared to FIGS. 2 (i), (d) and (e).

前述した「ランダムネス」の大小をより客観的に数値化できるのが、Rmk(L)である。図2(ii)には、上記5種類の人工粗し形状に対してRmk(L)を計算した結果をグラフ化している。   Rmk (L) can more objectively quantify the above-mentioned “randomness”. FIG. 2 (ii) is a graph showing the results of calculating Rmk (L) for the five types of artificial roughing shapes.

図2(ii)を見ると、図2(i)(a)(b)、および(c)の Rmk(L)グラフはピークが尖っている(シャープ)のに対して、図2(i)(d)や(e)のグラフはピークが2つあり、これらピークはブロードになっていることが分かる。すなわち、ランダムネスの大小と Rmk(L)グラフのピークの尖り具合(形)は対応していることを示している。   As shown in FIG. 2 (ii), the Rmk (L) graphs of FIGS. 2 (i), (a), (b), and (c) have sharp peaks, whereas FIG. 2 (i) The graphs (d) and (e) have two peaks, and it can be seen that these peaks are broad. In other words, the magnitude of randomness corresponds to the peak sharpness (shape) of the Rmk (L) graph.

ここで、図2(i)(a)〜(e)の形状は全て、全体の振幅が等しいことに注意する。すなわち、図2(i)(a)〜(e)の形状は全て、同じ十点平均粗さRz=1.0(μm)を持っている。それにも関わらず、Rmk(L)のグラフが各5種類でそれぞれ異なる形をしていることは、Rmk(L)の持つ情報量の多さを意味している。   Here, it should be noted that the shapes of FIGS. 2 (i), (a) to (e) all have the same overall amplitude. That is, all of the shapes in FIGS. 2 (i), (a) to (e) have the same ten-point average roughness Rz = 1.0 (μm). Nevertheless, the fact that the graphs of Rmk (L) have different shapes for each of the five types means the large amount of information that Rmk (L) has.

以上のことは、そもそもRmk(L)が、どのスケール(算出長さ)にどれだけの高低差が存在しているかを反映するパラメータであることから理解される。すなわち、単一の正弦波(余弦波)で基体表面形状の特徴がほとんど決定されているランダムネスの小さな粗さ形状の場合、その正弦波(余弦波)の周期とRmk(L)の算出長さLが一致するときに、Rmk(L)は大きな値を持つ。一方、ランダムネスの大きな粗さ形状の場合には、異なる周期を持つ複数の正弦波(余弦波)が重畳されているので、Rmk(L)のピークも複数存在し、結果、グラフの形状はブロードなものになる。   The above is understood from the fact that Rmk (L) is a parameter reflecting how much height difference exists in which scale (calculated length). That is, in the case of a rough shape with a small randomness whose characteristics of the substrate surface shape are almost determined by a single sine wave (cosine wave), the period of the sine wave (cosine wave) and the calculated length of Rmk (L) When the lengths L match, Rmk (L) has a large value. On the other hand, in the case of a rough shape with a large randomness, since a plurality of sine waves (cosine waves) having different periods are superimposed, there are a plurality of peaks of Rmk (L). As a result, the shape of the graph is It will be broad.

したがって、基体表面粗さ形状のランダムネスの大小を知るには、Rmk(L)のグラフにおけるピークの鋭さを見ればよい。これを客観的に数値化すると、「平均局所高低差(Rmk(μm))の最大値(Rmk,max(μm))が発現した算出長さ(Lm(μm))から0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、最大値(Rmk,max)以下かつ最大値(Rmk,max)の3分の2以上の Rmk が発現する」という表現になる。つまり、この特徴を持つ粗さ形状はランダムネスが大きく、この特徴を持たない粗さ形状はランダムネスが小さい、と定義される。   Therefore, in order to know the magnitude of the randomness of the substrate surface roughness shape, it is only necessary to look at the sharpness of the peak in the Rmk (L) graph. When this is objectively converted into a numerical value, “the maximum value (Rmk, max (μm)) of the average local height difference (Rmk (μm)) is 0.1 times or less from the calculated length (Lm (μm)) or In a calculated length that is 10 times or more away, Rmk that is less than the maximum value (Rmk, max) and more than two-thirds of the maximum value (Rmk, max) is expressed. That is, a roughness shape having this feature is defined as having a large randomness, and a roughness shape not having this feature is defined as having a low randomness.

次に、ランダムネスが大きいときに干渉縞防止能力が高く、ランダムネスが小さいときに干渉縞防止能力が低いことを説明する。   Next, it will be described that the interference fringe prevention capability is high when the randomness is large and the interference fringe prevention capability is low when the randomness is small.

図2(iii)に示したグラフは、感光体各層の膜厚や屈折率などからフレネル係数を求めることで数値計算した、図2(i)(a)〜(e)の各形状における干渉縞レベル(電位差コントラスト)である。縦軸の数値が大きいほど干渉縞が発生することを意味する。この結果によると、ランダムネスの小さな図2(i)(a)〜(c)の形状に比べて、ランダムネスの大きな図2(i)(d)および(e)の形状では干渉縞レベルが低い。   The graph shown in FIG. 2 (iii) shows the interference fringes in the shapes of FIGS. 2 (i), (a) to (e), which are numerically calculated by obtaining the Fresnel coefficient from the film thickness and refractive index of each layer of the photoreceptor. Level (potential difference contrast). The larger the value on the vertical axis, the more interference fringes are generated. According to this result, the interference fringe level is higher in the shapes of FIGS. 2 (i), (d), and (e) having a large randomness than in the shapes of FIGS. 2 (i), (a) to (c) having a small randomness. Low.

図2(i)(a)〜(e)の5種類の形状でRzは同じであるにも関わらず、ランダムネスの大きな図2(i)(d)と(e)の粗し形状では干渉縞防止効果が高いことが数値計算によって示されたが、このことは次のようにして理解される。   2 (i) (a) to (e), the Rz is the same, but the rough shapes of FIGS. 2 (i), (d) and (e) with large randomness interfere with each other. It has been shown by numerical calculation that the fringe prevention effect is high. This can be understood as follows.

粗し形状によって干渉縞が消えるメカニズムは、ミクロな光路差が形成されることによってミクロな干渉縞を多数出現させ、そのコントラストの平均化作用によってマクロな干渉縞を見えなくさせる、というものである。このとき、光路差をつけるという観点においては、λ/(2n)(iは1以上の整数)の整数倍だけ異なる2つの高低差は同等の働きをすることが重要である。すなわち、R(μm)という局所的な高低差とR+λ/(2n)(μm)という局所的な高低差は、光学位相差という意味では位相が2π(rad)だけ異なるだけで、強めあい・弱めあいの干渉条件に与える寄与としては同じ、ということである。 The mechanism by which the interference fringes disappear due to the rough shape is that a large number of micro interference fringes appear due to the formation of a micro optical path difference, and the macro interference fringes are made invisible by averaging the contrast. . At this time, from the viewpoint of providing an optical path difference, it is important that two height differences differing by an integer multiple of λ / (2n i ) (i is an integer of 1 or more) perform the same function. That is, the local height difference of R (μm) and the local height difference of R + λ / (2n i ) (μm) are different from each other in terms of the optical phase difference by a phase of 2π (rad). The contribution to the weak interference condition is the same.

さてここで、λ/(2n)の整数倍だけずれた高低差は光学位相差が同等だということは、いくら粗し形状の高低差が大きくても、その高低差があるRに対してλ/(2n)の整数倍だけずれた大きさばかりに偏っていた場合、発生するミクロな干渉縞の明部と暗部に偏りが生じ、十分な平均化作用が得られないことになる。 Now, the difference in height that is shifted by an integral multiple of λ / (2n i ) means that the optical phase difference is the same, even if the height difference of the rough shape is large, even if the height difference is R In the case where the deviation is made only by a magnitude shifted by an integral multiple of λ / (2n i ), the bright and dark portions of the generated micro interference fringes are biased, and a sufficient averaging action cannot be obtained.

このことを別の言い方で表現すると、粗し形状の高さ頻度分布P(R)がRmod(λ/(2n))において偏りを持っている場合には、十分な干渉縞防止能が得られない、ということになる。そして、そのような偏りが小さいこととランダムネスが大きいこととは対応している。実際、図2(iv)に、図2(i)(b)および(e)の形状について、Rmod(λ/(2n))を横軸、出現頻度を縦軸にとったグラフを示したが、図2(i)(e)の出現頻度は、偏りが無く、分布が平坦であることが分かる。 In other words, if the rough height frequency distribution P (R) is biased in Rmod (λ / (2n i )), sufficient interference fringe prevention capability is obtained. It will not be possible. And such a small bias corresponds to a large randomness. Actually, FIG. 2 (iv) shows a graph with Rmod (λ / (2n i )) on the horizontal axis and appearance frequency on the vertical axis for the shapes of FIGS. 2 (i), (b) and (e). However, it can be seen that the appearance frequencies in FIGS. 2 (i) and 2 (e) are not biased and the distribution is flat.

ただし、ランダムネスの無い形状でも、レーザ波長λと粗し振幅Rとの関係を上手く設定すれば、大きな干渉縞防止効果を得ることは可能である。しかし、実際の感光体においては、感光体ドラムの上下端でRzがλ/(2n)〜0.2(μm)程度変化することを防ぐのは難しい。従って、感光体ドラムの全面に渡って干渉縞を防止することが要請されることを考えると、このようなピンポイントの設計は現実的ではない。ランダムネスが有る粗し形状は、0.2(μm)程度のRzの振れに対しても干渉縞防止効果を安定的に発揮でき、ランダムネスの無い形状に比べて広いラチチュードを持つ。 However, even if the shape has no randomness, a large interference fringe prevention effect can be obtained if the relationship between the laser wavelength λ and the roughening amplitude R is set well. However, in an actual photoreceptor, it is difficult to prevent Rz from changing by about λ / (2n i ) to 0.2 (μm) at the upper and lower ends of the photoreceptor drum. Therefore, considering that it is required to prevent interference fringes over the entire surface of the photosensitive drum, such a pinpoint design is not practical. The rough shape with randomness can stably exhibit the interference fringe prevention effect even for Rz fluctuation of about 0.2 (μm), and has a wider latitude than the shape without randomness.

本発明は、これら知見に基づき、さらに検討を加えて完成されたものであって、次の発明を提供する。   Based on these findings, the present invention has been completed by further studies and provides the following invention.

波長λ(μm)のレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、該電子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有しており、該導電性支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk(μm))の算出長さ(L(μm))依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk(μm))の最大値(Rmk,max(μm))が、下記式(1)(式(1)中、Tは、前記レーザ光が前記導電性支持体に到達するまでの透過率を示す)を満たし、
該導電性支持体上に接触して設けられた層を第1層とし、その上に接触して設けられた層を第2層として前記電荷発生層に至るまで名前付けした場合、前記平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値((Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の3分の2以上のRmkが発現し、第i層と第i+1層(iは1以上の整数)との界面の形状が、下記式(2)
(式(2)中、Ti+1は、前記レーザ光が前記導電性支持体上の第i層に到達するまでの透過率を示し、n、ni+1は、それぞれ前記導電性支持体上に接触して設けられた第i層と第i+1層の屈折率を示す)を満たすことを特徴とする電子写真装置。
An electrophotographic apparatus having an exposure means having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ (μm), a charging means, a developing means, a transfer means, and an electrophotographic photosensitive member. The support has at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order, and the conductive support has a surface shape with an average length difference (Rmk (μm)) calculated length (L ( μm)) In the graph showing the dependence, the maximum value (Rmk, max (μm)) of the average local height difference (Rmk (μm)) is expressed by the following formula (1) (in formula (1), T 1 is Satisfying the transmittance until the laser beam reaches the conductive support)
When the layer provided in contact with the conductive support is a first layer and the layer provided in contact with the conductive support is named as a second layer up to the charge generation layer, the average local In the graph showing the dependency of the height difference (Rmk) on the calculated length, the maximum value of the average local height difference (Rmk) ((Rmk, max) is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length. In the calculated length, Rmk that is equal to or less than the maximum value (Rmk, max) and more than two-thirds of the maximum value (Rmk, max) is expressed, and the i-th layer and the i + 1-th layer (i is an integer of 1 or more) The shape of the interface with the following formula (2)
(In Formula (2), T i + 1 indicates the transmittance until the laser beam reaches the i-th layer on the conductive support, and n i and n i + 1 are respectively on the conductive support. An electrophotographic apparatus characterized by satisfying a refractive index of an i-th layer and an i + 1-th layer provided in contact with each other).

波長λ(μm)のレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、該電子写真感光体は、導電性樹脂支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有しており、該導電性樹脂支持体を第0層とし、該導電性樹脂支持体上に接触して設けられた層を第1層とし、その上に接触して設けられた層を第2層として前記電荷発生層に至るまで名前付けした場合、前記導電性樹脂支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の3分の2以上のRmkが発現し、第i層と第i+1層(iは1以上の整数)との界面の形状が、下記式(2)
(式(2)中、Ti+1は、前記レーザ光が前記導電性樹脂支持体上の第i層に到達するまでの透過率を示し、n、ni+1は、それぞれ前記導電性樹脂支持体上に接触して設けられた第i層と第i+1層の屈折率を示す)を満たすことを特徴とする電子写真装置。
An electrophotographic apparatus having an exposure means having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ (μm), a charging means, a developing means, a transfer means, and an electrophotographic photosensitive member. A layer having at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order on a resin support, the conductive resin support being the 0th layer, and a layer provided in contact with the conductive resin support Is the first layer, and the layer provided in contact therewith is named as the second layer up to the charge generation layer, the conductive resin support has a surface shape with an average local height difference ( In the graph showing the calculation length dependency of Rmk), the calculation length is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculation length in which the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed. The maximum value (Rmk, max) or less Rmk below 2/3 of the maximum value (Rmk, max) is expressed, and the shape of the interface between the i-th layer and the i + 1-th layer (i is an integer of 1 or more) is expressed by the following formula (2)
(In Formula (2), T i + 1 represents the transmittance until the laser beam reaches the i-th layer on the conductive resin support, and n i and n i + 1 represent the conductive resin support, respectively. An electrophotographic apparatus characterized by satisfying a refractive index of an i-th layer and an i + 1-th layer provided in contact with each other).

波長λ(μm)のレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、該電子写真感光体は、導電性支持体上に接触して設けられた電荷発生層と前記電荷発生層上に設けられた電荷輸送層とを有しており、前記導電性支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の2分の1以上のRmkが発現し、前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が、下記式(1)
(式(1)中、Tは、前記レーザ光が該導電性支持体に到達するまでの透過率を示す)を満たすことを特徴とする電子写真装置。
An electrophotographic apparatus having an exposure means having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ (μm), a charging means, a developing means, a transfer means, and an electrophotographic photosensitive member. A charge generation layer provided in contact with the support and a charge transport layer provided on the charge generation layer, wherein the conductive support has an average local height difference (Rmk) ) In the graph showing the calculation length dependence, in the calculation length that is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculation length in which the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed Rmk that is less than or equal to the maximum value (Rmk, max) and more than half of the maximum value (Rmk, max) is expressed, and the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is Formula (1)
An electrophotographic apparatus characterized by satisfying (in formula (1), T 1 represents a transmittance until the laser beam reaches the conductive support).

Rmk(L)の概念は既に述べたことに尽きているが、ここでは実際に計算を行ったときの方法に沿って、より詳しく説明する。ただし、Rmk(L)の具体的計算方法は以下に述べるものに限定されるものではない。   The concept of Rmk (L) has been already described, but here, it will be described in more detail along with a method when actual calculation is performed. However, the specific calculation method of Rmk (L) is not limited to the one described below.

まず、原子間力顕微鏡やレーザ顕微鏡などを用いて、図3(i)に示すような3次元表面形状データを得る。3次元表面形状データでは、水平方向の座標(連続変数の場合は(x、y)、離散変数の場合は(i、j)と表記)を一つ指定する。それに対応する高さデータ(連続変数の場合はz(x、y)、離散変数の場合はZi、jと表記)が決まる。実際の測定においては、全ての変数は離散変数である。水平方向の量子化スケールをpxy(μm)とおく。また、図3(i)には正方格子の場合を示したが、三角格子や六方格子であっても構わない。 First, three-dimensional surface shape data as shown in FIG. 3 (i) is obtained using an atomic force microscope or a laser microscope. In the three-dimensional surface shape data, one coordinate in the horizontal direction (indicated as (x, y) for a continuous variable, (i, j) for a discrete variable) is designated. Corresponding height data (z (x, y) for continuous variables, Z i, j for discrete variables) is determined. In actual measurement, all variables are discrete variables. The horizontal quantization scale is set to p xy (μm). Further, FIG. 3 (i) shows a case of a square lattice, but a triangular lattice or a hexagonal lattice may be used.

(1)得られた3次元表面形状データを、一辺の長さがL(μm)のメッシュに分割する。水平方向の量子化スケールよりもLは大きく、3次元表面形状データの領域長さ(3次元表面形状データの領域が長方形であるとして、x方向とy方向の領域長さをそれぞれΛ、Λとする)よりもLは小さい。また、計算上Lはpxyの整数倍に選ばれる。L=pxyMによってM(Mは1以上の整数)を定義する。さらに、Λ=pxy、Λ=pxyによってN、N(N、Nは1以上の整数)を定義する。 (1) The obtained three-dimensional surface shape data is divided into meshes having a side length of L (μm). L is larger than the quantization scale in the horizontal direction, and the region length of the three-dimensional surface shape data (assuming that the region of the three-dimensional surface shape data is a rectangle, the region lengths in the x direction and the y direction are respectively Λ x and Λ L is smaller than y ). In addition, L is selected as an integral multiple of p xy for calculation. M (M is an integer of 1 or more) is defined by L = p xy M. Further, N i and N j (N i and N j are integers of 1 or more) are defined by Λ x = p xy N i and Λ y = p xy N j .

(2)分割したそれぞれのメッシュ内で、高さデータを算術平均する。高さデータは、離散変数の場合と連続変数の場合を併記すれば、下記式のように処理される。
(2) In each divided mesh, the height data is arithmetically averaged. The height data is processed as shown in the following formula if the case of discrete variables and the case of continuous variables are written together.

この処理を、図3(ii)に示したように、M/2マスずつ(あるいは、L/2(μm)ずつ)計算領域をずらしながら全領域pxy×pxy(Λ×Λ(μm))に渡って行う。離散変数(i、j)のとりうる値は、下記式のようになる。
As shown in FIG. 3 (ii), this process is performed by shifting the calculation area by M / 2 squares (or by L / 2 (μm)), while shifting the entire area p xy N i × p xy N jxy (μm 2 )). The possible values of the discrete variables (i, j) are as follows:

(3)メッシュごとに得られた高さデータ算術平均値から、注目点(i、j)(あるいは(x、y))における局所高低差を、下記式のようにして求める。
(3) A local height difference at the point of interest (i, j) (or (x, y)) is obtained from the arithmetic average value of the height data obtained for each mesh as shown in the following equation.

式(6)の連続変換における積分は、直径L(μm)の円周に沿った閉路積分である。また、離散変換においては、注目メッシュと周りのメッシュとの高低差を計算している。ここで言う周りのメッシュとは、注目メッシュと中心を共有する直径L(μm)の円周がメッシュの内部を通過するようなメッシュのことであり、正方格子の場合には8個ある。   The integral in the continuous conversion of the equation (6) is a cycle integral along the circumference of the diameter L (μm). In the discrete transformation, the difference in height between the target mesh and surrounding meshes is calculated. The surrounding meshes mentioned here are meshes having a circumference of a diameter L (μm) sharing the center with the target mesh, and there are eight in the case of a square lattice.

(4)得られた局所高低差を、下記式のように、全領域pxy×pxy(Λ×Λ(μm))(離散の場合には、全メッシュと言ってもよい)に渡って平均化する。
(4) The obtained local height difference is referred to as the whole mesh p xy N i × p xy N jx × Λ y (μm 2 )) (in the discrete case, the entire mesh) Average).

こうして得られた値を平均局所高低差と呼び、離散と連続のどちらの場合も、メッシュの長さL(μm)に依存している(L=pxyMより、MはLと結びついている)。これを改めてRmk(L)(μm)と書く。 The value obtained in this way is called the average local height difference, and in both cases of discrete and continuous, it depends on the length L (μm) of the mesh (from L = p xy M, M is associated with L. ). This is rewritten as Rmk (L) (μm).

(5)こうして得られる平均局所高低差Rmk(L)は、最初にメッシュの長さL(μm)を設定することで、変わってくる。そこで、Lを色々な値に変化させて、その都度Rmk(L)を計算することにより、Rmk(L)がLの関数として求まる。Lの変化幅は、Rmk(L)が十分滑らかであれば任意に選んで良いが、干渉縞防止能を捉える本発明の目的においては、Lの値を下記式でn=0、1、2、…ように変化させるのが適している。ただし、β=2のとき、sは、1以下が好ましく、0.25以下がさらに好ましい。
(5) The average local height difference Rmk (L) obtained in this way changes by first setting the mesh length L (μm). Therefore, by changing L to various values and calculating Rmk (L) each time, Rmk (L) is obtained as a function of L. The change width of L may be arbitrarily selected as long as Rmk (L) is sufficiently smooth. However, for the purpose of the present invention that captures interference fringe prevention capability, the value of L is expressed by the following equation: n s = 0, 1, It is suitable to change as follows. However, when β = 2, s is preferably 1 or less, and more preferably 0.25 or less.

感光体各層の膜厚や屈折率などからフレネル係数を求めることで行った数値計算について、その概略を説明する。   An outline of numerical calculation performed by obtaining the Fresnel coefficient from the film thickness and refractive index of each layer of the photoreceptor will be described.

図4に、数値計算を行う上で用いたモデルの概念図を示す。図4では一番下の基体上に5つの層が形成された感光体の構成になっているが、本発明はこの構成に限らず、少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とを含む2層以上の感光体であればよい。   FIG. 4 shows a conceptual diagram of a model used for performing numerical calculation. In FIG. 4, the structure of the photoreceptor is such that five layers are formed on the lowermost substrate. However, the present invention is not limited to this structure, and two or more layers including at least a charge generation layer and a charge transport layer are included. Any photoreceptor may be used.

図4のn(i=1、2、…)は各層の屈折率を、d(i=1、2、…)は各層の膜厚を、r(i=0、1、…)は各層間の振幅反射率を意味している。ここで、吸収を考慮して屈折率は複素数であってもよい。振幅反射率は、屈折率を用いて下記式のように表される。ただし、rは基体の振幅反射率なので、基体が金属の場合には上記式からは決まらない。
4, n i (i = 1, 2,...) Is the refractive index of each layer, d i (i = 1, 2,...) Is the film thickness of each layer, and r i (i = 0, 1,...). Means the amplitude reflectivity between the layers. Here, the refractive index may be a complex number in consideration of absorption. The amplitude reflectance is expressed by the following formula using the refractive index. However, since r 0 is the amplitude reflectivity of the substrate, it cannot be determined from the above equation when the substrate is a metal.

これらのパラメータとレーザ波長λのみから、入射光量に対する電荷発生層での光量の割合を求めることができる。その割合は、各層の膜厚に依存して変化するので、図4においては5層目に相当する層、つまり感光体の最表面層の粗し形状のデータを用いて計算すると、光量の割合が粗し形状に沿って変化し、ミクロな干渉縞の発生度合いを数値計算できる。その発生度合いから、マクロな干渉縞の発生に対する防止効果、すなわち干渉縞レベルが求まる。   From only these parameters and the laser wavelength λ, the ratio of the light amount in the charge generation layer to the incident light amount can be obtained. Since the ratio changes depending on the film thickness of each layer, the ratio of the amount of light is calculated using the rough shape data of the layer corresponding to the fifth layer in FIG. 4, that is, the outermost surface layer of the photoreceptor. The roughness changes along the shape, and the degree of occurrence of micro interference fringes can be numerically calculated. From the degree of occurrence, the effect of preventing macro interference fringes, that is, the interference fringe level is obtained.

粗さ形状によって引き起こされる、干渉縞とは別の画質劣化要因について述べる。最表面層に形成される粗さ形状においては、凹凸ドメインの水平方向のサイズが大きくなると、その凹凸に対応した感度ムラが絵出し画像における画質劣化となって現れるようになる。その程度を定量的に見積もるために、Rmk(L)データから求まる別のパラメータとして、下記式で表される、Rmk(L)の重み付け平均値Rmk,ave、Rmk,ave,sおよびRmk,ave,lを定義する。
An image quality deterioration factor different from the interference fringes caused by the roughness shape will be described. In the roughness shape formed on the outermost surface layer, when the size of the uneven domain in the horizontal direction is increased, sensitivity unevenness corresponding to the unevenness appears as image quality deterioration in the drawn image. In order to estimate the degree quantitatively, as another parameter obtained from the Rmk (L) data, the weighted average values Rmk, ave, Rmk, ave, s and Rmk, ave of Rmk (L) represented by the following formula: , L.

Rmk,ave、Rmk,ave,s、およびRmk,ave,lは、横軸の算出長さLを対数プロットしたRmk(L)グラフにおいて、それぞれ図5(i)、(ii)、および(iii)に示したような重み付けをしてRmk(L)の平均値を求めたパラメータである。さらに、この3つの値から、次式で表されるパラメータRmk,ave,mdrを定義する。   Rmk, ave, Rmk, ave, s, and Rmk, ave, l are Rmk (L) graphs obtained by logarithmically plotting the calculated length L on the horizontal axis, respectively, in FIGS. 5 (i), (ii), and (iii). The average value of Rmk (L) obtained by weighting as shown in FIG. Further, parameters Rmk, ave, and mdr represented by the following formulas are defined from these three values.

このRmk,ave,mdrが大きいほど、細線再現性は悪化する。検討の結果、Rmk,ave,mdrの値は0.065μm以下が好ましく、0.050μm以下がより好ましい。   The smaller the Rmk, ave, and mdr, the worse the fine line reproducibility. As a result of the examination, the values of Rmk, ave, and mdr are preferably 0.065 μm or less, and more preferably 0.050 μm or less.

また、細線再現性は凹凸形状の水平方向サイズに依存することから、前出のRmk,ave,mdr値の条件に加えて、Rmkの最大値Rmk,maxが発現する算出長さLmが7(μm)以下であるとさらに好ましい。   Further, since the fine line reproducibility depends on the horizontal size of the concavo-convex shape, in addition to the conditions of the Rmk, ave, and mdr values described above, the calculated length Lm that expresses the maximum value Rmk, max of Rmk is 7 ( It is more preferable that it is below (micrometer).

本発明においては、凹凸形状の水平方向サイズのみならず、垂直方向サイズ、すなわち高低差も細線再現性に影響する。これはRz値に対応しており、1.3(μm)以下が好ましい。また、凹凸形状の垂直方向サイズとその密度のバランスを考慮すると、Rmk,max値の大きさも画質に関係することが分かる。感度ムラによる画質劣化防止の観点からは、Rmk,maxが0.18(μm)以下が好ましく、0.15(μm)以下がより好ましい。   In the present invention, not only the horizontal size of the concavo-convex shape but also the vertical size, that is, the height difference affects the fine line reproducibility. This corresponds to the Rz value and is preferably 1.3 (μm) or less. In addition, when considering the balance between the vertical size of the uneven shape and its density, it can be seen that the size of the Rmk, max value is also related to the image quality. From the viewpoint of preventing image quality deterioration due to sensitivity unevenness, Rmk, max is preferably 0.18 (μm) or less, and more preferably 0.15 (μm) or less.

本発明における、最表面の3次元表面形状データの測定方法について述べる。3次元表面形状データの測定には特に制約はない。例えば、市販の原子間力顕微鏡、電子顕微鏡、レーザ顕微鏡、光学顕微鏡、光干渉方式の3次元表面形状測定機が利用できる。   A method for measuring the three-dimensional surface shape data of the outermost surface in the present invention will be described. There are no particular restrictions on the measurement of the three-dimensional surface shape data. For example, a commercially available atomic force microscope, electron microscope, laser microscope, optical microscope, or optical interference type three-dimensional surface shape measuring instrument can be used.

原子間力顕微鏡としては、例えば、走査型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)、ナノスケールハイブリッド顕微鏡(VN−8000、(株)キーエンス社製)、走査型プローブ顕微鏡(NanoNaviステーション(エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)社製)、走査型プローブ顕微鏡(SPM−9600、(株)島津製作所社製)などが利用できる。   Examples of the atomic force microscope include a scanning probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), a nanoscale hybrid microscope (VN-8000, manufactured by Keyence Corporation), and a scanning probe microscope (NanoNavi station (SII). -Nanotechnology Co., Ltd.), a scanning probe microscope (SPM-9600, Shimadzu Corporation Co., Ltd.), etc. can be used.

電子顕微鏡としては、例えば、3Dリアルサーフェスビュー顕微鏡(VE−9800、(株)キーエンス社製)、3Dリアルサーフェスビュー顕微鏡(VE−8800、(株)キーエンス社製)、走査型電子顕微鏡コンベンショナル/Variable Pressure SEM(エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)社製)、走査型電子顕微鏡(SUPERSCAN SS−550、(株)島津製作所社製)などが利用できる。   Examples of the electron microscope include a 3D real surface view microscope (VE-9800, manufactured by Keyence Corporation), a 3D real surface view microscope (VE-8800, manufactured by Keyence Corporation), and a scanning electron microscope conventional / variable. Pressure SEM (manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.), scanning electron microscope (SUPERSCAN SS-550, Shimadzu Corporation Co., Ltd.) and the like can be used.

レーザ顕微鏡としては、例えば、超深度形状測定顕微鏡(VK−8550、(株)キーエンス社製)、超深度形状測定顕微鏡(VK9500、(株)キーエンス社製)、および超深度形状測定顕微鏡(VK−9700、(株)キーエンス社製)、表面形状測定システム(Surface Explorer SX−520DR型機、(株)菱化システム社製)、走査型共焦点レーザ顕微鏡(OLS4000、オリンパス(株)社製)、リアルカラーコンフォーカル顕微鏡オプリテクス(C130、レーザーテック(株)社製)などが利用できる。   Examples of the laser microscope include an ultradeep shape measuring microscope (VK-8550, manufactured by Keyence Corporation), an ultradeep shape measuring microscope (VK9500, manufactured by Keyence Corporation), and an ultradeep shape measuring microscope (VK- 9700, manufactured by Keyence Corporation), surface shape measurement system (Surface Explorer SX-520DR model, manufactured by Ryoka System Co., Ltd.), scanning confocal laser microscope (OLS4000, manufactured by Olympus Corporation), A real color confocal microscope OPTEX (C130, manufactured by Lasertec Corporation) can be used.

光学顕微鏡としては、例えば、デジタルマイクロスコープ(VHX−500、(株)キーエンス社製)およびデジタルマイクロスコープ(VHX−1000、(株)キーエンス社製)、3Dデジタルマイクロスコープ(VC−7700、オムロン(株)社製)などが利用できる。   As an optical microscope, for example, a digital microscope (VHX-500, manufactured by Keyence Corporation) and a digital microscope (VHX-1000, manufactured by Keyence Corporation), a 3D digital microscope (VC-7700, OMRON ( Etc.) can be used.

光干渉方式の3次元表面形状測定機としては、例えば、白色干渉計測システム(R6500H、(株)菱化システム社製)、非接触3次元表面性状・段差測定機タリサーフ(CCI6000、アメテック(株)社製)などが利用できる。   Examples of the optical interference type three-dimensional surface shape measuring instrument include a white interference measuring system (R6500H, manufactured by Ryoka System Co., Ltd.), a non-contact three-dimensional surface property / level difference measuring device Tarisurf (CCI6000, Ametech Co., Ltd.). Can be used.

上記の測定機を用いて、水平方向座標(x、y)に対応する垂直方向高さデータz(x、y)を計測し、3次元表面形状データを得ることができる。また、得られた3次元表面形状データからRmk(L)を導出する手順は、前述したとおりである。   Using the measuring device, vertical height data z (x, y) corresponding to the horizontal coordinate (x, y) can be measured to obtain three-dimensional surface shape data. The procedure for deriving Rmk (L) from the obtained three-dimensional surface shape data is as described above.

次に、本発明に係わる電子写真感光体の構成について説明する。
本発明の電子写真装置に用いる感光体は、以下3種類の構成をとりうる。
1:金属支持体上に、中間層、電荷発生層、電荷輸送層がこの順に形成されている。
2:樹脂導電性支持体上に、中間層、電荷発生層、電荷輸送層がこの順に形成されている。
3:金属支持体上に、電荷発生層、電荷輸送層がこの順に形成されている。
Next, the configuration of the electrophotographic photosensitive member according to the present invention will be described.
The photoreceptor used in the electrophotographic apparatus of the present invention can have the following three types of configurations.
1: An intermediate layer, a charge generation layer, and a charge transport layer are formed in this order on a metal support.
2: An intermediate layer, a charge generation layer, and a charge transport layer are formed in this order on the resin conductive support.
3: A charge generation layer and a charge transport layer are formed in this order on the metal support.

以下、各項目について説明する。   Each item will be described below.

<金属支持体>
アルミニウム、銅、鉄、ニッケル、チタンや、これらの合金が挙げられる。これらの中でも、アルミニウムまたは3000(Al−Mn)系、5000(Al−Mg)系あるいは6000(Al−Mg−Si)系のアルミニウム合金が好ましい。
<Metal support>
Examples thereof include aluminum, copper, iron, nickel, titanium, and alloys thereof. Among these, aluminum or an aluminum alloy of 3000 (Al—Mn), 5000 (Al—Mg), or 6000 (Al—Mg—Si) is preferable.

金属支持体に対し、レーザアブレーションによる複数回加工を行うことで、本発明の条件を満たす粗面形状を得ることができる。
一方で、従来技術であるレーザアブレーションの単数回加工や、ホーニング加工では、本発明の条件を満たす粗面形状を得ることができない。
A rough surface satisfying the conditions of the present invention can be obtained by performing multiple times of laser ablation on the metal support.
On the other hand, a rough surface shape that satisfies the conditions of the present invention cannot be obtained by single-time machining or honing of laser ablation, which is a conventional technique.

レーザアブレーション加工により表面粗さ形状を形成する場合、用いるレーザの発振パルス幅は1(ps)以上100(ns)以下が好ましい。発振パルス幅が1(ps)より短いと、水平方向座標の変化に対する垂直方向高さの変化率が大きい粗さ形状が形成されやすくなる。しかし、本発明においては、そのような切り立った(シャープな)粗さ形状はランダムネスを大きくするという観点からは好ましくなく、生産コストも高くなる。また、発振パルス幅が100(ns)より長いと、熱による表面ダメージが大きくなり、所望の粗さ形状が得られにくくなる。発振パルス幅が1(ps)以上100(ns)以下のレーザとしては、エキシマレーザが好適に利用できる。   When the surface roughness shape is formed by laser ablation processing, the laser oscillation pulse width used is preferably 1 (ps) or more and 100 (ns) or less. When the oscillation pulse width is shorter than 1 (ps), it is easy to form a rough shape having a large rate of change in vertical height with respect to a change in horizontal coordinate. However, in the present invention, such a sharp (sharp) roughness shape is not preferable from the viewpoint of increasing the randomness, and the production cost increases. On the other hand, if the oscillation pulse width is longer than 100 (ns), surface damage due to heat increases, and it becomes difficult to obtain a desired roughness shape. As the laser having an oscillation pulse width of 1 (ps) or more and 100 (ns) or less, an excimer laser can be suitably used.

本発明で用いるエキシマレーザは、Ar、Kr、Xeの如き希ガスとF、Clの如きハロゲンガスとの混合気体を放電、電子ビームまたはX線でエネルギーを与えて励起して結合した後、基底状態に落ちることで解離する際に放出するレーザ光である。   The excimer laser used in the present invention is obtained by exciting a gas mixture of a rare gas such as Ar, Kr, and Xe and a halogen gas such as F and Cl by applying energy by discharge, electron beam or X-ray, and then combining them. It is a laser beam emitted when dissociating by falling into a state.

エキシマレーザにおいて用いるガスとしては、ArF、KrF、XeCl、XeFが挙げられる。特にKrFまたはArFが好ましい。凹凸形状の形成方法としては、図6(i)、(ii)に示すような、レーザ光透過部aとレーザ光遮蔽部bを適宜配列したマスクを使用する。マスクを通過したレーザ光のみがレンズで集光され、集光されたレーザ光が被加工物に照射されることにより、所望の形状と配列を有した凹凸形状の形成が可能となる。ただし、透過部および遮蔽部のマスクの厚みは連続的に変化しており、これにより、図6(iii)に示した凹凸形状の断面図のように、なめらかな凹凸形状を形成することができる。一定面積内の多数の凹凸を、凹凸の形状、面積に関わらず瞬時に同時に形成できるため、こうした工程は短時間で済む。   Examples of the gas used in the excimer laser include ArF, KrF, XeCl, and XeF. Particularly preferred is KrF or ArF. As a method for forming the concavo-convex shape, a mask in which laser light transmitting portions a and laser light shielding portions b are appropriately arranged as shown in FIGS. 6 (i) and (ii) is used. Only the laser beam that has passed through the mask is collected by the lens, and the workpiece is irradiated with the collected laser beam, so that an uneven shape having a desired shape and arrangement can be formed. However, the thicknesses of the masks of the transmissive part and the shielding part are continuously changed, so that a smooth concavo-convex shape can be formed as shown in the cross-sectional view of the concavo-convex shape shown in FIG. 6 (iii). . Since a large number of irregularities within a certain area can be formed instantaneously at the same time regardless of the shape and area of the irregularities, such a process can be completed in a short time.

図6(iv)においてマスクを用いたレーザ照射は、エキシマレーザ光照射器cで1回照射あたり数mmから数cmの加工が実施される。レーザ加工においては、図6(iv)に示すように、支持体fをワーク回転用モータdで自転させつつ、支持体のレーザ照射位置をワーク移動装置eで支持体の軸方向に移動させることにより、支持体の表面全域に効率よく凹凸部を形成することができる。本発明によれば、凹凸部の大きさ、形状、配列の制御性が高く、高精度かつ自由度の高い粗面加工が実現できる。 In the laser irradiation using the mask in FIG. 6 (iv), processing of several mm 2 to several cm 2 is performed per irradiation with the excimer laser beam irradiator c. In laser processing, as shown in FIG. 6 (iv), the laser irradiation position of the support is moved in the axial direction of the support by the work moving device e while the support f is rotated by the work rotation motor d. Thus, it is possible to efficiently form the concavo-convex portion over the entire surface of the support. According to the present invention, rough surface processing with high controllability of the size, shape and arrangement of the concavo-convex portions and high accuracy and high flexibility can be realized.

また、図6(i)に示したようなマスクパターンを用いてレーザ照射を行った後、図6(ii)に示すような、光透過部の面積が図6(i)とは異なるマスクパターンを用いてレーザ照射を行えば、2つの周期が重畳された凹凸形状を形成することができる。例えば2回重畳すれば図2(i)(d)に示した2次元粗さ形状が作製でき、4回重畳すれば図2(i)(e)に示した2次元粗さ形状が作製できる。   Further, after performing laser irradiation using the mask pattern as shown in FIG. 6 (i), the mask pattern having a light transmission area different from that in FIG. 6 (i) as shown in FIG. 6 (ii). If the laser irradiation is performed using, an uneven shape in which two periods are superimposed can be formed. For example, the two-dimensional roughness shape shown in FIGS. 2 (i) and (d) can be produced by superimposing twice, and the two-dimensional roughness shape shown in FIGS. 2 (i) and (e) can be produced by superposing four times. .

<樹脂導電性支持体>
プラスチックに導電性処理を施したものを単独で用いてもよいし、もしくは、金属支持体上にプラスチックに導電性処理を施した導電層を設けて樹脂導電性支持体としても良い。
<Resin conductive support>
A plastic obtained by conducting a conductive treatment may be used alone, or a conductive layer obtained by conducting a conductive treatment on a plastic may be provided on a metal support to provide a resin conductive support.

樹脂導電性支持体に対しても、上記のようなレーザアブレーションによる複数回加工を行うことで、本願発明の粗面形状を得ることができる。   The rough surface shape of the present invention can be obtained by performing a plurality of times of processing by laser ablation as described above also on the resin conductive support.

塗工系の導電層を設ける場合、従来、導電層を粗面化するための表面粗し付与材を導電層に添加することが行われていたが、公知の方法では本発明の条件を満たす粗面形状を得ることができない。   In the case of providing a coating-type conductive layer, conventionally, a surface roughening agent for roughening the conductive layer has been added to the conductive layer, but the known method satisfies the conditions of the present invention. A rough surface shape cannot be obtained.

レーザアブレーションの複数回加工で、つまり追加工なしで、導電層の粗面形状が本発明の条件を満たすようにするためには、以下のプロセスの組み合わせを従来行われていなかったレベルで精緻に行わなければならない。これは、本発明の粗面状態は、多様な横方向スケールを具備する粗さが必要なためである。
1:導電性粒子と結着樹脂のみによる粗さ形成のコントロール
2:粗し粒子(以下、「表面粗し付与材」ともいう。)による粗面化度合いのコントロール
In order to ensure that the rough surface shape of the conductive layer satisfies the conditions of the present invention by performing laser ablation multiple times, that is, without additional processing, the following process combinations are precisely performed at a level that has not been performed conventionally. It must be made. This is because the rough surface state of the present invention requires roughness having various lateral scales.
1: Control of roughness formation by only conductive particles and binder resin 2: Control of degree of roughening by rough particles (hereinafter also referred to as “surface roughening material”)

<導電性粒子と結着樹脂のみによる粗さ形成のコントロール>
導電層に用いる導電性材料としては、各種の金属、金属酸化物がある。その中でも、粉体抵抗率が通常10乃至10Ω・cmの範囲にある酸化スズ(以下、「SnO」ともいう。)は、抵抗特性に優れており好ましい。また、SnOの導電性材料の製造時に、酸化アンチモンなどのスズとは異なる価数の金属の化合物や非金属元素などを混合して(ドープして)、粉体抵抗率を1/1000乃至1/100000に小さくした導電性材料も使用可能である。また、構成元素を増やさずにノンドープでSnOの抵抗をアンチモンドープと同程度に小さくした酸素欠損型SnOの導電性材料は好適に使用できる。さらには酸素欠損型SnOにて被覆されたTiO粒子はより好適に使用される。
<Control of roughness formation using only conductive particles and binder resin>
Examples of the conductive material used for the conductive layer include various metals and metal oxides. Among them, tin oxide (hereinafter, also referred to as “SnO 2 ”) having a powder resistivity in a range of 10 4 to 10 6 Ω · cm is preferable because it has excellent resistance characteristics. In addition, when the conductive material of SnO 2 is manufactured, a metal compound having a valence different from tin, such as antimony oxide, a nonmetallic element, or the like is mixed (doped) to reduce the powder resistivity to 1/1000 or more. A conductive material reduced to 1/100000 can also be used. Further, the resistance of the SnO 2 conductive material of the oxygen-deficient SnO 2 was reduced to the same extent as antimony-doped can be suitably used in non-doped without increasing constituent elements. Furthermore, TiO 2 particles coated with oxygen-deficient SnO 2 are more preferably used.

導電性粒子として酸素欠損型SnOにて被覆されたTiO粒子を用いる場合、導電層用塗布液における酸素欠損型SnO被覆TiO粒子(P)と結着樹脂(B)との質量比(P:B)は、2.3:1.0乃至3.3:1.0の範囲にあることが好ましい。酸素欠損型SnO被覆TiO粒子が少なすぎると、導電層の体積抵抗率を調節することが難しくなる。酸素欠損型SnO被覆TiO粒子が多すぎると、導電層における酸素欠損型SnO被覆TiO粒子の結着が難しくなり、クラックが発生しやすくなる。 When TiO 2 particles coated with oxygen-deficient SnO 2 are used as conductive particles, the mass ratio of oxygen-deficient SnO 2 -coated TiO 2 particles (P) and binder resin (B) in the coating liquid for the conductive layer (P: B) is preferably in the range of 2.3: 1.0 to 3.3: 1.0. If the amount of oxygen-deficient SnO 2 -coated TiO 2 particles is too small, it will be difficult to adjust the volume resistivity of the conductive layer. When oxygen-deficient SnO 2 coated TiO 2 particles is too large, the binding of the oxygen-deficient SnO 2 coated TiO 2 particles is difficult in the conductive layer, cracks are likely to occur.

導電性粒子の粒径は、従来、数十nm〜数百nmのものが好適に使用されてきた。しかし、本発明においては粗面形状の形成の観点から100nm〜500nmのものが好ましい。   Conventionally, conductive particles having a particle size of several tens of nanometers to several hundreds of nanometers have been suitably used. However, in the present invention, those having a thickness of 100 nm to 500 nm are preferable from the viewpoint of forming a rough surface shape.

また、導電層の下地表面が鏡面である場合には、この導電層において入射光を散乱させることが好ましい。最大散乱出力が高い屈折率を示すときの導電性粒子の粒子径(D)は以下のWeberの式で求められる。なお、nは導電性粒子の屈折率、nは結着樹脂の屈折率を示す。
Moreover, when the base surface of a conductive layer is a mirror surface, it is preferable to scatter incident light in this conductive layer. The particle diameter (D) of the conductive particles when the maximum scattering output shows a high refractive index can be obtained by the following Weber equation. Note that n 3 represents the refractive index of the conductive particles, and n 4 represents the refractive index of the binder resin.

すなわち、導電性粒子がルチル型酸化チタン(屈折率2.7)であって、結着樹脂がフェノール樹脂(屈折率1.62)であって、像露光λが655nmである場合には、導電性粒子の平均粒径が386nmであって、粒度分布が鋭いことが最も好ましい。   That is, when the conductive particles are rutile titanium oxide (refractive index 2.7), the binder resin is phenol resin (refractive index 1.62), and the image exposure λ is 655 nm, Most preferably, the average particle size of the conductive particles is 386 nm and the particle size distribution is sharp.

導電層の結着樹脂としては、従来、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアセタール、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステルのような樹脂が用いられてきた。しかし、導電性粒子として酸素欠損型SnOにて被覆されたTiO粒子を用いる場合、ポリウレタン樹脂を用いると、塗工乾燥後の導電層表面に微小な粗れが形成されず、本発明では好ましくない。 Conventionally, resins such as phenol resin, polyurethane resin, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyvinyl acetal, epoxy resin, acrylic resin, melamine resin, and polyester have been used as the binder resin for the conductive layer. However, when using TiO 2 particles coated with oxygen-deficient SnO 2 as the conductive particles, if a polyurethane resin is used, minute roughness is not formed on the surface of the conductive layer after coating and drying. It is not preferable.

導電性粒子として酸素欠損型SnOにて被覆されたTiO粒子を用いる場合、結着樹脂に熱硬化型のフェノール樹脂を用いることで、塗工乾燥後の導電層表面に微小な粗れを形成させることができる。 When TiO 2 particles coated with oxygen-deficient SnO 2 are used as the conductive particles, the surface of the conductive layer after coating and drying is made fine by using a thermosetting phenol resin as the binder resin. Can be formed.

また、粗さ形成のコントロールのため、導電層用塗布液にレベリング剤を添加することが好ましい。   Moreover, it is preferable to add a leveling agent to the coating liquid for the conductive layer in order to control the formation of roughness.

<粗し粒子による粗面化度合いのコントロール>
本発明に必要なRmk,maxを得ること、および多様な横方向スケールをもった粗さを得ることのために、導電層の表面を粗面化するための表面粗し付与材を導電層用塗布液に添加することが好ましい。
<Control of degree of roughening by roughening particles>
In order to obtain Rmk, max necessary for the present invention and to obtain roughness having various lateral scales, a surface roughening material for roughening the surface of the conductive layer is used for the conductive layer. It is preferable to add to the coating solution.

このとき、先にも述べたように、Rmk,ave,mdrの値が 0.065μm以下となるように表面粗し付与材を導電層用塗布液に添加することが細線再現性のために好ましく、Rmk,ave,mdrの値が0.050μm以下とすることがより好ましい。   At this time, as described above, it is preferable for the fine line reproducibility to add the surface roughening material to the coating liquid for the conductive layer so that the values of Rmk, ave, and mdr are 0.065 μm or less. , Rmk, ave, mdr are more preferably 0.050 μm or less.

従来、表面粗し付与材としては、平均粒径が1μm以上3μm以下の樹脂粒子が用いられてきた。例えば、硬化性ゴム、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂のような硬化性樹脂の粒子などが好適に使用されてきた。   Conventionally, resin particles having an average particle diameter of 1 μm or more and 3 μm or less have been used as the surface roughening material. For example, curable resin particles such as curable rubber, polyurethane, epoxy resin, alkyd resin, phenol resin, polyester, silicone resin, and acryl-melamine resin have been suitably used.

しかし、導電性粒子として酸素欠損型SnOにて被覆されたTiO粒子を用い、結着樹脂として熱硬化型のフェノール樹脂を用いる場合、表面粗し付与材としてシリコーン樹脂を用いると、上記Rmk,ave,mdrの条件を満たす導電層を得ることができない。これはシリコーン粒子がTiO粒子/フェノール樹脂溶液中で凝集しやすいためである。 However, when TiO 2 particles coated with oxygen-deficient SnO 2 are used as the conductive particles and a thermosetting phenol resin is used as the binder resin, when the silicone resin is used as the surface roughening agent, the above Rmk , Ave, mdr cannot be obtained. This is because the silicone particles tend to aggregate in the TiO 2 particles / phenol resin solution.

導電性粒子として酸素欠損型SnOにて被覆されたTiO粒子を用い、結着樹脂として熱硬化型のフェノール樹脂を用いる場合、表面粗し付与材として、ポリメチルメタクリレート粒子を用い、導電層の膜厚を制御することで、必要なRmk,maxを確保しつつ、Rmk,ave,mdrが0.065μm以下である導電層を得ることができる。 When TiO 2 particles coated with oxygen-deficient SnO 2 are used as the conductive particles and thermosetting phenol resin is used as the binder resin, polymethyl methacrylate particles are used as the surface roughening agent, and the conductive layer By controlling the film thickness, it is possible to obtain a conductive layer having Rmk, ave, mdr of 0.065 μm or less while ensuring necessary Rmk, max.

このとき、ポリメチルメタクリレート粒子の平均粒径は、5μm以下であることが好ましく、平均粒径の異なる2種類以上の粒子を混合して用いることがより好ましい。   At this time, the average particle diameter of the polymethyl methacrylate particles is preferably 5 μm or less, and more preferably two or more kinds of particles having different average particle diameters are mixed and used.

<導電性粒子と結着樹脂のみによる粗さ形成のコントロールと、粗し粒子による粗面化度合いのコントロールの組み合わせ>
ただし、繰り返しになるが、重要であるので再度記する。例えば、表面粗し付与材(以下、「粗し付与粒子」ともいう。)として、平均粒径2μmのポリメチルメタクリレート粒子および平均粒径4μmのポリメチルメタクリレート粒子の2種を用いたとしても、導電性粒子と結着樹脂のみによる粗さ形成のコントロールがなされていない場合には、本発明に係る感光体は製造できない(ランダムネス不足)。
<Combination of control of roughness formation with only conductive particles and binder resin and control of surface roughness with rough particles>
However, it will be repeated, but it will be described again because it is important. For example, even when two types of polymethyl methacrylate particles having an average particle diameter of 2 μm and polymethyl methacrylate particles having an average particle diameter of 4 μm are used as a surface roughness imparting material (hereinafter also referred to as “roughening imparting particles”), When the roughness formation only by the conductive particles and the binder resin is not controlled, the photoconductor according to the present invention cannot be produced (insufficient randomness).

このとき、ランダムネス不足を解消するために、粗し付与粒子として、上記のような従来公知の粒子を用いようとすれば、平均粒径のより大きい粒子の添加が必要となる。しかし、大径粒子を投入するとRmk,ave,mdrが0.065μmより大きくなって細線再現が悪化してしまう。   At this time, in order to solve the lack of randomness, if the conventionally known particles as described above are used as the roughening particles, it is necessary to add particles having a larger average particle diameter. However, when large-diameter particles are introduced, Rmk, ave and mdr are larger than 0.065 μm, and fine line reproduction is deteriorated.

従って、導電性粒子と結着樹脂のみによる粗さ形成のコントロールと、粗し粒子による粗面化度合いのコントロールの組み合わせが、後加工レスで本発明の条件を満たす形状を達成するために重要である。   Therefore, the combination of the control of roughness formation using only the conductive particles and the binder resin and the control of the degree of roughening using the roughening particles is important for achieving a shape that satisfies the conditions of the present invention without post-processing. is there.

<中間層>
中間層は、結着樹脂を含有する中間層用塗布液を支持体上に塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。
中間層の結着樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリアクリル酸類、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリグルタミン酸、カゼイン、でんぷんのような水溶性樹脂や、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリグルタミン酸エステル樹脂が挙げられる。電気的バリア性を効果的に発現させることに加え、塗工性、密着性、耐溶剤性、抵抗などの観点を考慮すると、中間層の結着樹脂は熱可塑性樹脂が好ましい。具体的には、熱可塑性ポリアミド樹脂が好ましい。ポリアミド樹脂としては、溶液状態で塗布できるような低結晶性または非結晶性の共重合ナイロンが好ましい。また、中間層の膜厚は0.1μm〜3μmであることが好ましく、電位変動を抑える観点から0.1μm〜0.5μmであることがより好ましい。
<Intermediate layer>
The intermediate layer can be formed by applying an intermediate layer coating solution containing a binder resin on a support and drying it.
As the binder resin for the intermediate layer, water-soluble resins such as polyvinyl alcohol, polyvinyl methyl ether, polyacrylic acids, methyl cellulose, ethyl cellulose, polyglutamic acid, casein, and starch, polyamide resins, polyimide resins, polyamideimide resins, polyamide acids Examples thereof include resins, melamine resins, epoxy resins, polyurethane resins, and polyglutamic acid ester resins. In view of coating properties, adhesion, solvent resistance, resistance, etc. in addition to effectively expressing the electrical barrier properties, the binder resin of the intermediate layer is preferably a thermoplastic resin. Specifically, a thermoplastic polyamide resin is preferable. The polyamide resin is preferably a low crystalline or non-crystalline copolymer nylon that can be applied in a solution state. The thickness of the intermediate layer is preferably 0.1 μm to 3 μm, and more preferably 0.1 μm to 0.5 μm from the viewpoint of suppressing potential fluctuation.

さらに、前記導電層と前記中間層を積層したサンプルの積層方向に電界を印加し、電界印加時間t(sec)における電流値をI(t)とした場合に、0≦t≦300の範囲における電流値I(t)の最小値をIminとしたときに0.2≦Imin/I(0)≦5である特性を持つことが好ましい。
また、中間層において電荷(キャリア)の流れが滞らないようにするために、中間層には、電子輸送物質(アクセプターなどの電子受容性物質)を含有させてもよい。
Furthermore, when an electric field is applied in the stacking direction of the sample in which the conductive layer and the intermediate layer are stacked, and the current value at the electric field application time t (sec) is I (t), the range of 0 ≦ t ≦ 300 is satisfied. It is preferable that the current value I (t) has a characteristic of 0.2 ≦ I min / I (0) ≦ 5 when the minimum value of the current value I (t) is I min .
Further, in order to prevent the flow of electric charges (carriers) in the intermediate layer, the intermediate layer may contain an electron transport material (electron accepting material such as an acceptor).

<電荷発生層>
本発明における電子写真感光体の電荷発生層に用いられる電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ジスアゾ、トリスアゾのようなアゾ顔料や、金属フタロシアニン、非金属フタロシアニンのようなフタロシアニン顔料や、インジゴ、チオインジゴのようなインジゴ顔料や、ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドのようなペリレン顔料や、アンスラキノン、ピレンキノンのような多環キノン顔料や、スクワリリウム色素や、ピリリウム塩、チアピリリウム塩や、トリフェニルメタン色素や、セレン、セレン−テルル、アモルファスシリコンのような無機物質や、キナクリドン顔料や、アズレニウム塩顔料や、シアニン染料や、キサンテン色素や、キノンイミン色素や、スチリル色素や、硫化カドミウムや、酸化亜鉛などが挙げられる。これら電荷発生物質は1種のみ用いてもよく、2種以上用いてもよい。
<Charge generation layer>
Examples of the charge generation material used in the charge generation layer of the electrophotographic photosensitive member in the present invention include azo pigments such as monoazo, disazo and trisazo, phthalocyanine pigments such as metal phthalocyanine and nonmetal phthalocyanine, indigo and thioindigo. Indigo pigments such as perylene acid anhydrides, perylene pigments such as perylene imide, polycyclic quinone pigments such as anthraquinone and pyrenequinone, squarylium dyes, pyrylium salts, thiapyrylium salts, and triphenylmethane dyes And inorganic substances such as selenium, selenium-tellurium, amorphous silicon, quinacridone pigments, azulenium salt pigments, cyanine dyes, xanthene dyes, quinoneimine dyes, styryl dyes, cadmium sulfide, and zinc oxide. Can be mentioned. These charge generation materials may be used alone or in combination of two or more.

上記の各種電荷発生物質の中でも、高感度であり、本発明がより有効に作用するという点で、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。また、電荷輸送層の膜厚を厚くして感度を高くしようとすると、ゴーストが発生しやすくなるという点を考慮すると、本発明が最大限に活用されるのは、フタロシアニン顔料を用いた場合である。フタロシアニン顔料とその他の電荷発生物質とを併用する場合は、フタロシアニン顔料が電荷発生物質の全質量に対して50質量%以上であることが好ましい。   Among the above various charge generation materials, azo pigments and phthalocyanine pigments are preferable because they are highly sensitive and the present invention works more effectively. In addition, considering that the ghost is likely to occur when the sensitivity is increased by increasing the thickness of the charge transport layer, the present invention is utilized to the maximum when the phthalocyanine pigment is used. is there. When the phthalocyanine pigment is used in combination with another charge generation material, the phthalocyanine pigment is preferably 50% by mass or more based on the total mass of the charge generation material.

フタロシアニン顔料の中でも、金属フタロシアニン顔料が好ましく、特には、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンがより好ましく、その中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが特に好ましい。   Among the phthalocyanine pigments, metal phthalocyanine pigments are preferable, and oxytitanium phthalocyanine, chlorogallium phthalocyanine, dichlorotin phthalocyanine, and hydroxygallium phthalocyanine are more preferable, and among these, hydroxygallium phthalocyanine is particularly preferable.

オキシチタニウムフタロシアニンとしては、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の9.0°、14.2°、23.9°および27.1°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶や、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の9.5°、9.7°、11.7°、15.0°、23.5°、24.1°および27.3°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶が好ましい。   Examples of oxytitanium phthalocyanine include crystalline oxytitanium having strong peaks at 9.0 °, 14.2 °, 23.9 ° and 27.1 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction. Phthalocyanine crystals and 9.5 °, 9.7 °, 11.7 °, 15.0 °, 23.5 °, 24.1 ° and 27 with Bragg angles 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction Crystalline oxytitanium phthalocyanine crystals having a strong peak at 3 ° are preferred.

クロロガリウムフタロシアニンとしては、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°、16.6°、25.5°および28.2°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶や、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の6.8°、17.3°、23.6°および26.9°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶や、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の8.7〜9.2°、17.6°、24.0°、27.4°および28.8°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。   As chlorogallium phthalocyanine, a crystalline form of chlorogallium having strong peaks at 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.2 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction Phthalocyanine crystals and crystal forms of chlorogallium phthalocyanine crystals having strong peaks at 6.8 °, 17.3 °, 23.6 ° and 26.9 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction In addition, it has strong peaks at 8.7 to 9.2 °, 17.6 °, 24.0 °, 27.4 ° and 28.8 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction. Crystalline chlorogallium phthalocyanine crystals are preferred.

ジクロロスズフタロシアニンとしては、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の8.3°、12.2°、13.7°、15.9°、18.9°および28.2°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶や、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の8.5、11.2°、14.5°および27.2°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶や、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の8.7°、9.9°、10.9°、13.1°、15.2°、16.3°、17.4°、21.9°および25.5°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶や、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の9.2°、12.2°、13.4°、14.6°、17.0°および25.3°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶が好ましい。   As dichlorotin phthalocyanine, Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction is 8.3 °, 12.2 °, 13.7 °, 15.9 °, 18.9 ° and 28.2 °. Crystalline dichlorotin phthalocyanine crystal having strong peaks, and strong peaks at 8.5, 11.2 °, 14.5 ° and 27.2 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction Dichlorotin phthalocyanine crystals having a crystal form of 8.7 °, 9.9 °, 10.9 °, 13.1 °, 15.2 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction , 16.3 °, 17.4 °, 21.9 °, and 25.5 ° in the form of dichlorotin phthalocyanine crystals having a strong peak, or 9 with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction .2 °, 12.2 °, 13. °, 14.6 °, preferably crystalline form of dichlorotin phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at 17.0 ° and 25.3 °.

ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.3°、24.9°および28.1°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶や、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°および28.3°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。   Examples of hydroxygallium phthalocyanine include a hydroxygallium phthalocyanine crystal having a crystal form having strong peaks at 7.3 °, 24.9 °, and 28.1 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction, and CuKα Strong against 7.5 °, 9.9 °, 12.5 °, 16.3 °, 18.6 °, 25.1 ° and 28.3 ° with Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in characteristic X-ray diffraction Crystalline hydroxygallium phthalocyanine crystals having a peak are preferred.

本発明において、フタロシアニン結晶の結晶形のCuKα特性X線回折におけるブラッグ角は、以下の条件で測定した。
測定装置:(株)マック・サイエンス製全自動X線回折装置(商品名:MXP18)
X線管球:Cu、管電圧:50kV、管電流:300mA、
スキャン方法:2θ/θスキャン、スキャン速度:2deg./min、サンプリング間隔:0.020deg.、
スタート角度(2θ):5deg.、ストップ角度(2θ):40deg.、
ダイバージェンススリット:0.5deg.、スキャッタリングスリット:0.5deg.、レシービングスリット:0.3deg.、
湾曲モノクロメーター使用
In the present invention, the Bragg angle in CuKα characteristic X-ray diffraction of the crystal form of the phthalocyanine crystal was measured under the following conditions.
Measuring device: Fully automatic X-ray diffractometer manufactured by Mac Science (trade name: MXP18)
X-ray tube: Cu, tube voltage: 50 kV, tube current: 300 mA,
Scan method: 2θ / θ scan, scan speed: 2 deg. / Min, sampling interval: 0.020 deg. ,
Start angle (2θ): 5 deg. Stop angle (2θ): 40 deg. ,
Divergence slit: 0.5 deg. Scattering slit: 0.5 deg. , Receiving slit: 0.3 deg. ,
Uses curved monochromator

電荷発生物質の粒径は0.01μm〜0.5μmであることが好ましく、特には0.01μm〜0.3μmであることがより好ましく、さらには0.01μm〜0.2μmであることがより一層好ましい。   The particle size of the charge generation material is preferably 0.01 μm to 0.5 μm, more preferably 0.01 μm to 0.3 μm, and even more preferably 0.01 μm to 0.2 μm. Even more preferred.

電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、スチレン−ブタジエンコポリマー、セルロース樹脂、ナイロン、フェノール樹脂、ブチラール樹脂、ベンザール樹脂、メラミン樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルメタクリレート樹脂、ポリビニルアクリレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂などが挙げられる。特には、ブチラール樹脂などが好ましい。これらは単独で、または、2種以上の混合物もしくは共重合体として用いることができる。   Examples of the binder resin used for the charge generation layer include acrylic resin, allyl resin, alkyd resin, epoxy resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, styrene-butadiene copolymer, cellulose resin, nylon, phenol resin, butyral resin, benzal. Resin, Melamine resin, Polyacrylate resin, Polyacetal resin, Polyamideimide resin, Polyamide resin, Polyallyl ether resin, Polyarylate resin, Polyimide resin, Polyurethane resin, Polyester resin, Polyethylene resin, Polycarbonate resin, Polystyrene resin, Polysulfone resin, Polyvinyl Acetal resin, polyvinyl methacrylate resin, polyvinyl acrylate resin, polybutadiene resin, polypropylene resin, methacrylic resin, urea resin, Vinyl - vinyl acetate copolymer, vinyl acetate resins, and vinyl chloride resins. In particular, a butyral resin is preferable. These can be used alone or as a mixture or copolymer of two or more.

このような電荷発生層は、あらかじめ電荷発生物質、結着樹脂および溶剤を含有させた電荷発生層用塗布液を支持体上に塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。電荷発生物質、結着樹脂および溶剤を含有する塗布液は、電荷発生物質を結着樹脂および溶剤と共に分散して得られる。分散方法としては、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミル、アトライター、液衝突型高速分散機などを用いた方法が挙げられる。電荷発生物質と結着樹脂との割合は、1:0.3〜1:4(質量比)の範囲が好ましい。   Such a charge generation layer can be formed by applying a charge generation layer coating solution containing a charge generation material, a binder resin, and a solvent in advance on a support and drying it. The coating liquid containing the charge generating substance, the binder resin and the solvent is obtained by dispersing the charge generating substance together with the binder resin and the solvent. Examples of the dispersion method include a method using a homogenizer, an ultrasonic disperser, a ball mill, a sand mill, a roll mill, a vibration mill, an attritor, a liquid collision type high-speed disperser, and the like. The ratio between the charge generating material and the binder resin is preferably in the range of 1: 0.3 to 1: 4 (mass ratio).

電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、使用する結着樹脂や電荷発生物質や電子輸送物質の溶解性や分散安定性の観点から選択される。有機溶剤としてはアルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物などが挙げられる。   The solvent used in the coating solution for the charge generation layer is selected from the viewpoints of the solubility and dispersion stability of the binder resin, charge generation material and electron transport material used. Examples of the organic solvent include alcohols, sulfoxides, ketones, ethers, esters, aliphatic halogenated hydrocarbons, and aromatic compounds.

電荷発生層の膜厚は0.05μm〜2.00μmであることが好ましく、電荷発生物質としてフタロシアニン顔料を用いる場合、ゴーストによる画像劣化を防止するという観点からは0.05μm〜0.18μmであることがより好ましい。   The film thickness of the charge generation layer is preferably 0.05 μm to 2.00 μm. When a phthalocyanine pigment is used as the charge generation material, it is 0.05 μm to 0.18 μm from the viewpoint of preventing image deterioration due to ghost. It is more preferable.

また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。   In addition, various sensitizers, antioxidants, ultraviolet absorbers, plasticizers, and the like can be added to the charge generation layer as necessary.

粒径が0.01μm〜0.2μmであるフタロシアニン粒子を、結着樹脂との割合として、1:0.3〜1:4(質量比)の範囲で溶媒に分散させ、塗工乾燥後に膜厚0.18μm以下の電荷発生層を得るためには、電荷発生層用塗布液の粘度は2cP〜20cPであることが好ましく、2cP〜5cPであることがより好ましい。   Phthalocyanine particles having a particle diameter of 0.01 μm to 0.2 μm are dispersed in a solvent in a ratio of 1: 0.3 to 1: 4 (mass ratio) as a ratio to the binder resin, and the film is dried after coating and drying. In order to obtain a charge generation layer having a thickness of 0.18 μm or less, the charge generation layer coating solution has a viscosity of preferably 2 cP to 20 cP, and more preferably 2 cP to 5 cP.

上述の様にして電荷発生層を作製した電子写真感光体においては、導電性支持体ないし、導電性支持体および電荷発生層の間にある層と電荷発生層との界面の形状としてRmk,ave,mdrの値を0.065μm 以下とすることが、細線再現性を確保する上で好ましく、0.050以下であることがより好ましい。
これは、電荷発生層との界面の下地形状としてRmk,ave,mdrの値を0.065μm 以下とすることにより、上述した組成の電荷発生層用塗布液が均一に塗工されるためである。
In the electrophotographic photosensitive member in which the charge generation layer is produced as described above, the shape of the interface between the conductive support or the layer between the conductive support and the charge generation layer and the charge generation layer is Rmk, ave. , Mdr is preferably 0.065 μm or less in order to ensure fine line reproducibility, and more preferably 0.050 or less.
This is because the charge generation layer coating liquid having the above-described composition is uniformly applied by setting the values of Rmk, ave, and mdr as 0.065 μm or less as the base shape of the interface with the charge generation layer. .

<電荷輸送層>
本発明の電子写真感光体の電荷輸送層に用いられる電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリールメタン化合物などが挙げられる。これら正孔輸送物質は1種のみ用いてもよく、2種以上用いてもよい。
<Charge transport layer>
Examples of the charge transport material used in the charge transport layer of the electrophotographic photoreceptor of the present invention include a triarylamine compound, a hydrazone compound, a styryl compound, a stilbene compound, a pyrazoline compound, an oxazole compound, a thiazole compound, and a triarylmethane compound. Is mentioned. These hole transport materials may be used alone or in combination of two or more.

電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、アリル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ナイロン、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂が好ましく、特には、ポリアリレート樹脂がより好ましい。これら樹脂は単独で、または、2種以上の混合物もしくは共重合体として用いることができる。   Examples of the binder resin used for the charge transport layer include acrylic resin, acrylonitrile resin, allyl resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, nylon, phenol resin, phenoxy resin, butyral resin, polyacrylamide resin, polyacetal resin, Polyamideimide resin, polyamide resin, polyallyl ether resin, polyarylate resin, polyimide resin, polyurethane resin, polyester resin, polyethylene resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, polysulfone resin, polyvinyl butyral resin, polyphenylene oxide resin, polybutadiene resin, polypropylene resin Methacrylic resin, urea resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin and the like. Among these, polyarylate resin and polycarbonate resin are preferable, and polyarylate resin is particularly preferable. These resins can be used alone or as a mixture or copolymer of two or more.

ポリアリレート樹脂の中でも、下記式(15)で示される繰り返し構造単位を有するポリアリレート樹脂が好ましい。
Among the polyarylate resins, polyarylate resins having a repeating structural unit represented by the following formula (15) are preferable.

31〜R34は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、フェニル基、炭素数1〜3のアルコシキ基を示し、少なくとも1つの部位はアルキル基を有する。Xは、酸素原子、硫黄原子、
を示す。R35、R36は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、アリール基、およびR35とR36が結合することによって形成させるアルキリデン基、フルオレニリデン基を示す。Yは2価の有機基を示す。
R 31 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a phenyl group, or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, and at least one site has an alkyl group. X is an oxygen atom, a sulfur atom,
Indicates. R 35 and R 36 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an aryl group, an alkylidene group or a fluorenylidene group formed by combining R 35 and R 36 . Y represents a divalent organic group.

結着樹脂の重量平均分子量は50000〜200000であることが好ましく、特には100000〜180000であることが好ましい。   The weight average molecular weight of the binder resin is preferably 50,000 to 200,000, and more preferably 100,000 to 180,000.

本発明において、重量平均分子量は、東ソー(株)製のゲルパーミエーションクロマトグラフィーHLC−8120を用いて分子量分布を測定し、ポリスチレン換算で計算して求めた。展開溶媒としてはテトラヒドロフラン(THF)を用いた。測定対象試料は0.1質量%溶液とした。カラムとしては排除限界分子量(ポリスチレン換算)4×106のカラム(商品名:TSKgel SuperHM−N、東ソー(株)製)を用いた。検出器としてはRIを用いた。カラム温度は40℃とした。インジェクション量は20μlとした。流速は1.0ml/minとした。   In the present invention, the weight average molecular weight was determined by measuring the molecular weight distribution using gel permeation chromatography HLC-8120 manufactured by Tosoh Corporation and calculating in terms of polystyrene. Tetrahydrofuran (THF) was used as a developing solvent. The sample to be measured was a 0.1% by mass solution. As the column, a column with exclusion limit molecular weight (polystyrene conversion) of 4 × 10 6 (trade name: TSKgel SuperHM-N, manufactured by Tosoh Corporation) was used. RI was used as a detector. The column temperature was 40 ° C. The injection volume was 20 μl. The flow rate was 1.0 ml / min.

電荷輸送層は、電荷輸送物質である正孔輸送物質と結着樹脂とを溶剤に溶解して得られる電荷輸送層用塗布液(以下、「正孔輸送層用塗布液」ともいう。)を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。
正孔輸送物質の割合は、電荷輸送層(以下、「正孔輸送層」ともいう。)全体の質量に対して30重量%〜70重量%の範囲が好ましい。
The charge transport layer is a charge transport layer coating solution (hereinafter also referred to as “hole transport layer coating solution”) obtained by dissolving a hole transport material, which is a charge transport material, and a binder resin in a solvent. It can be formed by applying and drying it.
The ratio of the hole transport material is preferably in the range of 30% by weight to 70% by weight with respect to the total mass of the charge transport layer (hereinafter also referred to as “hole transport layer”).

電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトンのようなケトン、酢酸メチル、酢酸エチルのようなエステル、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフランのようなエーテル、クロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素のようなハロゲン原子で置換された炭化水素などが用いられる。   Solvents used in the charge transport layer coating solution include acetone, ketones such as methyl ethyl ketone, esters such as methyl acetate and ethyl acetate, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, 1,4-dioxane, and tetrahydrofuran. Such ethers, chlorobenzene, chloroform, hydrocarbons substituted with halogen atoms such as carbon tetrachloride are used.

電荷輸送層の膜厚は5μm〜40μmであることが好ましく、特には10μm〜30μmであることがより好ましい。   The thickness of the charge transport layer is preferably 5 μm to 40 μm, and more preferably 10 μm to 30 μm.

なお、電荷輸送層上には、該電荷輸送層を保護することを目的とした保護層を設けてもよい。保護層は、結着樹脂を溶剤に溶解して得られる保護層用塗布液を電荷輸送層に塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。また、結着樹脂のモノマー・オリゴマーを溶剤に溶解して得られる保護層用塗布液を電荷輸送層に塗布し、これを硬化および/または乾燥させることによって保護層を形成してもよい。硬化には、光、熱または放射線(電子線など)を用いることができる。   Note that a protective layer for protecting the charge transport layer may be provided on the charge transport layer. The protective layer can be formed by applying a coating liquid for a protective layer obtained by dissolving a binder resin in a solvent to the charge transport layer and drying it. Alternatively, the protective layer may be formed by applying a coating solution for a protective layer obtained by dissolving a monomer / oligomer of a binder resin in a solvent to the charge transporting layer and curing and / or drying it. For curing, light, heat, or radiation (such as an electron beam) can be used.

保護層の結着樹脂としては、上記の各種樹脂を用いることができる。また、保護層には、抵抗制御の目的で、導電性酸化スズや導電性酸化チタンのような導電性粒子を分散してもよい。保護層の膜厚は0.2μm〜10μmであることが好ましく、特には1μm〜5μmであることが好ましい。   The various resins described above can be used as the binder resin for the protective layer. Further, conductive particles such as conductive tin oxide and conductive titanium oxide may be dispersed in the protective layer for the purpose of resistance control. The thickness of the protective layer is preferably 0.2 μm to 10 μm, and particularly preferably 1 μm to 5 μm.

上記各層の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法(浸漬コーティング法)、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法のような塗布方法を用いることができる。   When applying the coating liquid for each of the above layers, for example, an application method such as dip coating (dip coating), spray coating, spinner coating, roller coating, Meyer bar coating, or blade coating is used. be able to.

また、電子写真感光体の表面層には、電子写真感光体のクリーニング性や耐摩耗性を向上させる目的で、ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、フッ素系グラフトポリマー、シリコーン系グラフトポリマー、フッ素系ブロックポリマー、シリコーン系ブロックポリマー、シリコーン系オイルのような潤滑剤を含有させてもよい。また、耐候性を向上させる目的で、ヒンダードフェノールやヒンダードアミンのような酸化防止剤を添加してもよい。さらには、強度を補強するためにシリコーン粒子のような膜強度補強剤を添加してもよい。   In addition, the surface layer of the electrophotographic photosensitive member is made of polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, fluorine-based graft polymer, silicone-based graft polymer, fluorine for the purpose of improving the cleaning property and abrasion resistance of the electrophotographic photosensitive member. A lubricant such as a block polymer, a silicone block polymer, or a silicone oil may be contained. Moreover, you may add antioxidants, such as a hindered phenol and a hindered amine, in order to improve a weather resistance. Furthermore, a film strength reinforcing agent such as silicone particles may be added to reinforce the strength.

なお、電子写真感光体に保護層を設ける場合は保護層が電子写真感光体の表面層であり、保護層を設けない場合は正孔輸送層が電子写真感光体の表面層である。   When a protective layer is provided on the electrophotographic photoreceptor, the protective layer is a surface layer of the electrophotographic photoreceptor, and when a protective layer is not provided, the hole transport layer is a surface layer of the electrophotographic photoreceptor.

図7に、本発明に係る電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。   FIG. 7 shows an example of a schematic configuration of an electrophotographic apparatus provided with a process cartridge having an electrophotographic photosensitive member according to the present invention.

図7において、1は円筒状の電子写真感光体であり、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。   In FIG. 7, reference numeral 1 denotes a cylindrical electrophotographic photosensitive member, which is driven to rotate about a shaft 2 in the direction of an arrow at a predetermined peripheral speed.

回転駆動される電子写真感光体1の表面は、接触帯電部材(帯電ローラーなど)を有する接触帯電手段3により、正または負の所定電位に均一に帯電され、次いで、レーザービーム走査露光による露光手段(不図示)から出力される露光光(画像露光光)4を受ける。こうして電子写真感光体1の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。   The surface of the electrophotographic photoreceptor 1 to be rotationally driven is uniformly charged to a predetermined positive or negative potential by a contact charging means 3 having a contact charging member (charging roller or the like), and then exposed by laser beam scanning exposure. Exposure light (image exposure light) 4 output from (not shown) is received. In this way, electrostatic latent images corresponding to the target image are sequentially formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member 1.

電子写真感光体1の表面に形成された静電潜像は、現像手段5の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体1の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段(転写ローラーなど)6からの転写バイアスによって、転写材供給手段(不図示)から電子写真感光体1と転写手段6との間(当接部)に電子写真感光体1の回転と同期して取り出されて給送された転写材(紙など)Pに順次転写されていく。   The electrostatic latent image formed on the surface of the electrophotographic photoreceptor 1 is developed with toner contained in the developer of the developing means 5 to become a toner image. Next, the toner image formed and supported on the surface of the electrophotographic photoreceptor 1 is transferred from a transfer material supply means (not shown) to the electrophotographic photoreceptor 1 and the transfer means by a transfer bias from a transfer means (transfer roller or the like) 6. 6 (contact portion) is sequentially transferred onto a transfer material (paper or the like) P taken out and fed in synchronization with the rotation of the electrophotographic photosensitive member 1.

トナー像の転写を受けた転写材Pは、電子写真感光体1の表面から分離されて定着手段8へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物(プリント、コピー)として装置外へプリントアウトされる。   The transfer material P that has received the transfer of the toner image is separated from the surface of the electrophotographic photosensitive member 1 and introduced into the fixing means 8 to receive the image fixing, and is printed out as an image formed product (print, copy). Is done.

トナー像転写後の電子写真感光体1の表面は、クリーニング手段(クリーニングブレードなど)7によって転写残りの現像剤(トナー)の除去を受けて清浄化され、さらに前露光手段(不図示)から出力される前露光光(不図示)により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、本発明のように、帯電手段が接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。   The surface of the electrophotographic photoreceptor 1 after the transfer of the toner image is cleaned by removing the developer (toner) remaining after the transfer by a cleaning means (cleaning blade or the like) 7 and further output from a pre-exposure means (not shown). After being subjected to charge removal processing by pre-exposure light (not shown), it is repeatedly used for image formation. In addition, when the charging unit is a contact charging unit as in the present invention, pre-exposure is not always necessary.

上述の電子写真感光体1および接触帯電手段3を容器に納めてプロセスカートリッジとしてこれらを一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターのような電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図7では、電子写真感光体1、接触帯電手段3、現像手段5、およびクリーニング手段7を一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールのような案内手段10を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ9としている。   The above-described electrophotographic photosensitive member 1 and contact charging means 3 are housed in a container and integrally combined as a process cartridge. The process cartridge is attached to a main body of an electrophotographic apparatus such as a copying machine or a laser beam printer. You may comprise so that attachment or detachment is possible. In FIG. 7, the electrophotographic photosensitive member 1, the contact charging unit 3, the developing unit 5, and the cleaning unit 7 are integrally supported to form a cartridge, and electrophotographic using a guide unit 10 such as a rail of an electrophotographic apparatus main body. The process cartridge 9 is detachable from the apparatus main body.

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these. In the examples, “part” means “part by mass”.

(電子写真感光体の作製例)
(電子写真感光体A−1の作製)
・支持体
長さ357.5mm、直径30mmの鏡面加工されたアルミニウムシリンダー(JIS−A3003、アルミニウム合金)を支持体とした。
(Example of production of electrophotographic photoreceptor)
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-1)
-Support body A mirror-finished aluminum cylinder (JIS-A3003, aluminum alloy) having a length of 357.5 mm and a diameter of 30 mm was used as a support body.

・支持体の粗面化と評価
上記支持体にKrFエキシマレーザ(波長248(nm)、パルス幅17(ns))を用いて凹凸部を形成した。このとき、異なる配列マスクパターンを用いて、2度レーザ加工を行い、異なる周期を持つ粗さ形状を重畳した。
-Surface roughening and evaluation of the support An uneven portion was formed on the support using a KrF excimer laser (wavelength 248 (nm), pulse width 17 (ns)). At this time, laser processing was performed twice using different arrangement mask patterns, and roughness shapes having different periods were superimposed.

1度目のレーザ加工では、図8(i)に示すような、レーザ光透過部aが60(μm)間隔で配列しており、透過部aと遮蔽部bのマスクの厚みが連続的に変化している配列パターンを有するクロムマスクを用いた。レーザの照射エネルギーは2.2(J/cm)とし、1回照射あたりの照射面積は1.4(mm)四方とした。図6(iv)に示すように、支持体を回転させ、レーザ照射位置を支持体の軸方向にずらしつつレーザ照射を行った。 In the first laser processing, as shown in FIG. 8 (i), the laser light transmission parts a are arranged at intervals of 60 (μm), and the thicknesses of the masks of the transmission part a and the shielding part b continuously change. A chrome mask having an array pattern is used. The laser irradiation energy was 2.2 (J / cm 2 ), and the irradiation area per irradiation was 1.4 (mm) square. As shown in FIG. 6 (iv), the support was rotated, and laser irradiation was performed while shifting the laser irradiation position in the axial direction of the support.

2度目のレーザ加工では、図8(ii)に示すような、レーザ光透過部の配列周期が12(μm)であること以外は1度目のレーザ加工に用いたのと同様のマスクを用いた。レーザの照射エネルギーは2.1(J/cm)とし、1回照射あたりの照射面積は1.4(mm)四方とした。図6(iv)に示すように、支持感光体を回転させ、レーザ照射位置を支持体の軸方向にずらしつつレーザ照射を行った。 In the second laser processing, a mask similar to that used in the first laser processing was used except that the arrangement period of the laser light transmitting portions was 12 (μm) as shown in FIG. 8 (ii). . The laser irradiation energy was 2.1 (J / cm 2 ), and the irradiation area per irradiation was 1.4 (mm) square. As shown in FIG. 6 (iv), the support photoconductor was rotated, and laser irradiation was performed while shifting the laser irradiation position in the axial direction of the support.

得られた支持体の粗面形状を、操作型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)で拡大観察したところ、図2(i)(d)に示した形状と同様のものが形成されていることを確認できた。Rmk(L)を計算したところ、図2(ii)(d)に示したグラフと同様のものが得られた。結果を図9(i)に示す。Rmk は、算出長さLm=6.0μmにおいて、最大値0.057μmとなった。次に、Lm=0.6μmにおいて、0.038μmのRmkが得られていることから、Rmk,max が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、Rmk,max以下かつ Rmk,maxの3分の2以上のRmkが発現していることが判る。すなわち、ランダムネスの有る粗さ形状であった。また、Rmk,ave,l、Rmk,ave,s、Rmk,ave、Rmk,ave,mdr、はそれぞれ0.034(μm)、0.058(μm)、0.047(μm)、0.027(μm)であった。   When the rough surface shape of the obtained support was enlarged and observed with an operation type probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), the same shape as shown in FIGS. 2 (i) and (d) was formed. I was able to confirm. When Rmk (L) was calculated, the same graph as shown in FIGS. 2 (ii) and 2 (d) was obtained. The results are shown in FIG. 9 (i). Rmk has a maximum value of 0.057 μm at the calculated length Lm = 6.0 μm. Next, since Rmk of 0.038 μm is obtained at Lm = 0.6 μm, Rmk is calculated at a distance of 0.1 times or less or 10 times or more from the calculated length at which Rmk, max is expressed. , Max or less, and Rmk, which is 2/3 or more of Rmk, max, is expressed. That is, it was a roughness shape with randomness. Rmk, ave, l, Rmk, ave, s, Rmk, ave, Rmk, ave, mdr are 0.034 (μm), 0.058 (μm), 0.047 (μm), and 0.027, respectively. (Μm).

得られた支持体の粗面形状の十点平均粗さRzと粗さ曲線要素の平均長さRsmを測定したところ、それぞれ0.73(μm)、4(μm)であった。測定はJIS−B0601(1994)に準じ、表面粗さ計サーフコーダー SE3500((株)小坂研究所製)を用い、送り速度0.1(mm/s)、カットオフλc0.08(mm)、測定長さ2.50(mm)の設定で行った。支持体の表面形状データを表1にまとめて示す。   When the ten-point average roughness Rz of the rough surface shape of the obtained support and the average length Rsm of the roughness curve element were measured, they were 0.73 (μm) and 4 (μm), respectively. Measurement is in accordance with JIS-B0601 (1994), using a surface roughness meter Surfcoder SE3500 (manufactured by Kosaka Laboratory), feed rate 0.1 (mm / s), cutoff λc 0.08 (mm), The measurement length was set to 2.50 (mm). The surface shape data of the support is summarized in Table 1.

得られた支持体の全反射率は波長780nmにおいて0.91であった。   The total reflectivity of the obtained support was 0.91 at a wavelength of 780 nm.

・中間層の形成と評価
次に、上記支持体上に、N−メトキシメチル化ナイロン(商品名:トレジンEF−30T、帝国化学産業(株)製)4.5部および共重合ナイロン樹脂(アミランCM8000、東レ(株)製)1.5部を、メタノール65部/n−ブタノール30部の混合溶媒に溶解して得られた中間層用塗布液を浸漬塗布し、これを10分間100℃で乾燥させることによって、膜厚が0.4μmの中間層を形成した。
Formation and Evaluation of Intermediate Layer Next, 4.5 parts of N-methoxymethylated nylon (trade name: Toresin EF-30T, manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd.) and copolymer nylon resin (Amilan) were formed on the support. CM8000 (manufactured by Toray Industries, Inc.) 1.5 parts in a mixed solvent of 65 parts methanol / 30 parts n-butanol was dip-coated, and this was applied at 100 ° C. for 10 minutes. By drying, an intermediate layer having a film thickness of 0.4 μm was formed.

得られた中間層の表面形状を、走査型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)で拡大観察したところ、図2(i)(d)に示した形状と同様のものが形成されていることを確認できた。Rmk(L)を計算したところ、図2(ii)(d)に示したグラフと同様のものが得られ、Rmk の最大値Rmk,maxが発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、 Rmk,max以下かつ Rmk,maxの2分の1以上の Rmk が発現した。すなわち、ランダムネスの有る粗さ形状であった。また、Rmk,maxと Rmk,maxが発現する算出長さLm、Rmk,ave,l、Rmk,ave,s、Rmk,ave,mdrはそれぞれ0.51(μm)、6.0(μm)、0.031(μm)、0.052(μm)、0.042(μm)、0.024(μm)であった。中間層の表面形状データを表2にまとめて示す。   When the surface shape of the obtained intermediate layer is enlarged and observed with a scanning probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), the same shape as that shown in FIGS. 2 (i) and 2 (d) is formed. I was able to confirm that. When Rmk (L) is calculated, the same graph as that shown in FIGS. 2 (ii) and (d) is obtained, and the maximum value Rmk, max of Rmk is 0.1 times or less from the calculated length or 10 At a calculated length that is more than twice as far away, Rmk, max or less, and Rmk that is 1/2 or more of Rmk, max were expressed. That is, it was a roughness shape with randomness. Rmk, max and Rmk, max are calculated lengths Lm, Rmk, ave, l, Rmk, ave, s, Rmk, ave, mdr are 0.51 (μm), 6.0 (μm), respectively. They were 0.031 (μm), 0.052 (μm), 0.042 (μm), and 0.024 (μm). Table 2 summarizes the surface shape data of the intermediate layer.

得られた中間層の表面形状の十点平均粗さRzと粗さ曲線要素の平均長さRsmを測定したところ、それぞれ0.66(μm)、4(μm)であった。測定はJIS−B0601(1994)に準じ、表面粗さ計サーフコーダー SE3500((株)小坂研究所製)を用い、送り速度0.1(mm/s)、カットオフλc0.08(mm)、測定長さ2.50(mm)の設定で行った。   When the ten-point average roughness Rz and the average length Rsm of the roughness curve element of the surface shape of the obtained intermediate layer were measured, they were 0.66 (μm) and 4 (μm), respectively. Measurement is in accordance with JIS-B0601 (1994), using a surface roughness meter Surfcoder SE3500 (manufactured by Kosaka Laboratory), feed rate 0.1 (mm / s), cutoff λc 0.08 (mm), The measurement length was set to 2.50 (mm).

また、別途、この中間層用塗布液を石英基板上へ膜厚3μmの厚さに塗布し、これを乾燥させることによって、屈折率測定用サンプルを作製した。この塗膜の屈折率をアッベ屈折率にて測定したところ、屈折率nは1.53であった。   Separately, this intermediate layer coating solution was applied onto a quartz substrate to a thickness of 3 μm and dried to prepare a sample for refractive index measurement. When the refractive index of this coating film was measured by Abbe's refractive index, the refractive index n was 1.53.

・電荷発生層
次に、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.3°、24.9°および28.1°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶(電荷発生物質)20部、ポリビニルブチラール樹脂(商品名:BX−1、積水化学工業(株)製)10部、ならびに、シクロヘキサノン350部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミル装置で3時間分散し、酢酸エチル1200部を加え(このときの電荷発生物質のCAPA−700(堀場製作所(株)製)で測定した分散粒径は0.15μm)電荷発生層用塗布液を調製した。
Charge generation layer Next, a crystalline hydroxygallium phthalocyanine crystal having a strong peak at 7.3 °, 24.9 °, and 28.1 ° with a Bragg angle 2θ ± 0.2 ° in CuKα characteristic X-ray diffraction (charge) (Generating material) 20 parts, polyvinyl butyral resin (trade name: BX-1, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) and 350 parts of cyclohexanone were dispersed in a sand mill using glass beads having a diameter of 1 mm for 3 hours. Then, 1200 parts of ethyl acetate was added (dispersed particle size measured by CAPA-700 of charge generation material at this time (manufactured by Horiba, Ltd.) was 0.15 μm) to prepare a coating solution for charge generation layer.

この電荷発生層用塗布液を中間層上に浸漬塗布し、これを10分間100℃で乾燥させることによって、膜厚が0.14μmの電荷発生層を形成した。
中間層と同様にして屈折率測定用サンプルを作製し、屈折率を測定したところ、波長780nmにおける屈折率nは1.65であった。
This charge generation layer coating solution was dip-coated on the intermediate layer and dried at 100 ° C. for 10 minutes to form a charge generation layer having a thickness of 0.14 μm.
A sample for refractive index measurement was prepared in the same manner as the intermediate layer, and the refractive index was measured. The refractive index n at a wavelength of 780 nm was 1.65.

・電荷輸送層
次に、下記式(16)で示される構造を有する化合物(正孔輸送物質)9部、
下記式(17)で示される化合物(正孔輸送物質)1部、
および、下記式(18)で示される繰り返し構造単位(ビスフェノールC型)を有するポリアリレート樹脂(テレフタル酸骨格とイソフタル酸骨格の質量比:テレフタル酸/イソフタル酸=50/50)5部
を、モノクロロベンゼン50部/ジクロロメタン10部の混合溶媒に溶解させ正孔輸送層用塗布液とした。
-Charge transport layer Next, 9 parts of a compound (hole transport material) having a structure represented by the following formula (16),
1 part of a compound represented by the following formula (17) (hole transport material),
And 5 parts of a polyarylate resin having a repeating structural unit (bisphenol C type) represented by the following formula (18) (mass ratio of terephthalic acid skeleton to isophthalic acid skeleton: terephthalic acid / isophthalic acid = 50/50)
Was dissolved in a mixed solvent of 50 parts of monochlorobenzene / 10 parts of dichloromethane to obtain a coating solution for a hole transport layer.

この正孔輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを1時間110℃で乾燥させることによって、膜厚が18μmの正孔輸送層を形成した。
このようにして、支持体、導電層、中間層、電荷発生層および正孔輸送層をこの順に有し、該正孔輸送層が表面層である電子写真感光体を作製した。
This hole transport layer coating solution was dip-coated on the charge generation layer and dried at 110 ° C. for 1 hour to form a hole transport layer having a thickness of 18 μm.
Thus, an electrophotographic photosensitive member having a support, a conductive layer, an intermediate layer, a charge generation layer, and a hole transport layer in this order, and the hole transport layer being a surface layer was produced.

・透過率測定用サンプルの作製と評価
厚さ125μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを、長さ357.5mm、直径30mmの鏡面加工されたアルミニウムシリンダー上に巻きつけ、上述の中間層、電荷発生層、電荷輸送層を同様に塗工し、透過率測定用サンプルとした。
巻きつけたフィルムをアルミニウムシリンダー上から剥がし、何も塗工していないフィルムを参照として塗工皮膜の透過率を測定したところ、波長780nmにおける透過率(T)は0.484であった。同様に、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に電荷発生層、電荷輸送層を塗工し、塗工皮膜の透過率を測定したところ、波長780nmにおける透過率(T)は0.494であった。
Preparation and evaluation of transmittance measurement sample A polyethylene terephthalate film having a thickness of 125 μm is wound on a mirror-finished aluminum cylinder having a length of 357.5 mm and a diameter of 30 mm, and the above-described intermediate layer, charge generation layer, and charge transport The layers were coated in the same manner to obtain a transmittance measurement sample.
The wound film was peeled off from the aluminum cylinder, and the transmittance of the coating film was measured with reference to a film on which nothing was applied. The transmittance (T 1 ) at a wavelength of 780 nm was 0.484. Similarly, when a charge generation layer and a charge transport layer were coated on a polyethylene terephthalate film and the transmittance of the coating film was measured, the transmittance (T 2 ) at a wavelength of 780 nm was 0.494.

(電子写真感光体A−2の作製)
支持体の粗面化を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−2を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-2)
An electrophotographic photosensitive member A-2 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the roughening of the support was changed as follows.

・支持体の粗面化
上記支持体にKrFエキシマレーザ(波長248(nm)、パルス幅17(ns))を用いて凹凸部を形成した。このとき、異なる配列マスクパターンを用いて、3度レーザ加工を行い、異なる周期を持つ粗さ形状を重畳した。
-Roughening of the support The uneven part was formed on the support using a KrF excimer laser (wavelength 248 (nm), pulse width 17 (ns)). At this time, laser processing was performed three times using different arrangement mask patterns, and roughness shapes having different periods were superimposed.

1度目のレーザ加工では、図8(i)に示すような、レーザ光透過部aが60(μm)間隔で配列しており、透過部aと遮蔽部bのマスクの厚みが連続的に変化している配列パターンを有するクロムマスクを用いた。レーザの照射エネルギーは 3.0(J/cm)とし、1回照射あたりの照射面積は 1.4(mm)四方とした。図6(iv)に示すように、支持体を回転させ、レーザ照射位置を支持体の軸方向にずらしつつレーザ照射を行った。 In the first laser processing, as shown in FIG. 8 (i), the laser light transmission parts a are arranged at intervals of 60 (μm), and the thicknesses of the masks of the transmission part a and the shielding part b continuously change. A chrome mask having an array pattern is used. The irradiation energy of the laser was 3.0 (J / cm 2 ), and the irradiation area per irradiation was 1.4 (mm) square. As shown in FIG. 6 (iv), the support was rotated, and laser irradiation was performed while shifting the laser irradiation position in the axial direction of the support.

2度目のレーザ加工では、レーザ光透過部の配列周期が30(μm)であること以外は1度目のレーザ加工に用いたのと同様のマスクを用いた。レーザの照射エネルギーは 3.0(J/cm)とし、1回照射あたりの照射面積は 1.4(mm)四方とした。図6(iv)に示すように、支持体を回転させ、レーザ照射位置を支持体の軸方向にずらしつつレーザ照射を行った。 In the second laser processing, the same mask as that used in the first laser processing was used except that the arrangement period of the laser light transmitting portions was 30 (μm). The irradiation energy of the laser was 3.0 (J / cm 2 ), and the irradiation area per irradiation was 1.4 (mm) square. As shown in FIG. 6 (iv), the support was rotated, and laser irradiation was performed while shifting the laser irradiation position in the axial direction of the support.

3度目のレーザ加工では、レーザ光透過部の配列周期が6(μm)であること以外は1度目のレーザ加工に用いたのと同様のマスクを用いた。レーザの照射エネルギーは 3.0(J/cm)とし、1回照射あたりの照射面積は 1.4(mm)四方とした。図6(iv)に示すように、支持体を回転させ、レーザ照射位置を支持体の軸方向にずらしつつレーザ照射を行った。 In the third laser processing, the same mask as that used in the first laser processing was used except that the arrangement period of the laser light transmitting portions was 6 (μm). The irradiation energy of the laser was 3.0 (J / cm 2 ), and the irradiation area per irradiation was 1.4 (mm) square. As shown in FIG. 6 (iv), the support was rotated, and laser irradiation was performed while shifting the laser irradiation position in the axial direction of the support.

得られた支持体の表面形状を、操作型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)で拡大観察し、Rmk(L)を計算した結果を図9(ii)に示す。Rmk,maxは0.094、Rmk,maxが発現する算出長さLmは3.9μmであった。図9(ii)より、Rmk,maxが発現した算出長さから0.1倍以下離れた算出長さにおいて、Rmk,maxの3分の2以上のRmkが発現していることが判る。すなわち、ランダムネスの有る粗さ形状であった。   The surface shape of the obtained support was magnified and observed with an operational probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), and the result of calculating Rmk (L) is shown in FIG. 9 (ii). Rmk, max was 0.094, and the calculated length Lm at which Rmk, max was expressed was 3.9 μm. From FIG. 9 (ii), it can be seen that Rmk, which is two thirds or more of Rmk, max, is expressed at a calculated length that is 0.1 times or less away from the calculated length where Rmk, max is expressed. That is, it was a roughness shape with randomness.

支持体の表面形状の評価値を表2に、また、中間層の表面形状の評価値を表3に示す。なお、表中数値の単位は[μm]である。   Table 2 shows the evaluation values of the surface shape of the support, and Table 3 shows the evaluation values of the surface shape of the intermediate layer. The unit of the numerical values in the table is [μm].

(電子写真感光体A−3の作製)
支持体の粗面化と中間層の形成を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−3を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-3)
An electrophotographic photosensitive member A-3 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the roughening of the support and the formation of the intermediate layer were changed as follows.

・支持体の粗面化
照射エネルギーを3.0(J/cm)とした以外は電子写真感光体A−1と同様にKrFエキシマレーザ(波長248(nm)、パルス幅17(ns))を用いて基体に凹凸部を形成した。
-Roughening of the support KrF excimer laser (wavelength 248 (nm), pulse width 17 (ns)) as in the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the irradiation energy was set to 3.0 (J / cm 2 ) An uneven portion was formed on the substrate using

・中間層の形成
膜厚を1.0μmとした以外は電子写真感光体A−1と同様に中間層を形成した。
-Formation of intermediate layer An intermediate layer was formed in the same manner as in the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the film thickness was 1.0 µm.

(電子写真感光体A−4の作製)
支持体の粗面化と中間層の形成を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−4を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-4)
An electrophotographic photosensitive member A-4 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the roughening of the support and the formation of the intermediate layer were changed as follows.

・支持体の粗面化
照射エネルギーを3.0(J/cm)とした以外は電子写真感光体A−1と同様にKrFエキシマレーザ(波長248(nm)、パルス幅17(ns))を用いて基体に凹凸部を形成した。
-Roughening of the support KrF excimer laser (wavelength 248 (nm), pulse width 17 (ns)) as in the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the irradiation energy was set to 3.0 (J / cm 2 ) An uneven portion was formed on the substrate using

・中間層の形成
膜厚を1.8μmとした以外は電子写真感光体A−1と同様に中間層を形成した。
-Formation of intermediate layer An intermediate layer was formed in the same manner as in the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the film thickness was 1.8 µm.

(電子写真感光体A−5の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを1.9(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−5を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-5)
An electrophotographic photosensitive member A-5 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 1.9 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−6の作製)
電荷輸送層の形成を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−6を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-6)
An electrophotographic photosensitive member A-6 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the formation of the charge transport layer was changed as follows.

・電荷輸送層
下記成分をモノクロロベンゼン600部、およびメチラール200部の混合溶媒中に溶解して、電荷輸送層用塗布液を調製した。
・上記化学式(16)で示される正孔輸送性化合物:70部
・ポリカーボネート樹脂(ユーピロンZ400、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製):100部
-Charge transport layer The following components were dissolved in a mixed solvent of 600 parts of monochlorobenzene and 200 parts of methylal to prepare a charge transport layer coating solution.
-Hole transport compound represented by the above chemical formula (16): 70 parts
Polycarbonate resin (Iupilon Z400, manufactured by Mitsubishi Engineering Plastics): 100 parts

このように調製した電荷輸送層用塗布液を用いて、前記電荷発生層上に電荷輸送層用塗布液を浸漬塗布し、温度120℃のオーブンで60分間加熱乾燥することにより、膜厚が18(μm)の電荷輸送層を形成した。   Using the charge transport layer coating solution thus prepared, the charge transport layer coating solution is dip-coated on the charge generation layer and dried by heating in an oven at a temperature of 120 ° C. for 60 minutes. A (μm) charge transport layer was formed.

(電子写真感光体A−7の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを1.3(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−6と同様にして電子写真感光体A−7を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-7)
An electrophotographic photosensitive member A-7 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-6, except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 1.3 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−8の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを2.8(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−6と同様にして電子写真感光体A−8を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-8)
An electrophotographic photoreceptor A-8 was produced in the same manner as the electrophotographic photoreceptor A-6, except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 2.8 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−9の作製)
支持体の粗面化を行う際に用いたマスクを以下のものに替え、粗面化を行う際のレーザの照射エネルギーを1.9(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−9を作製した。
・1度目のレーザ加工:図8(i)と相似形状で、レーザ光透過部aの間隔を 60μmから150(μm)間隔に変更したもの。
・2度目のレーザ加工:図8(i)に示す形状のもの(レーザ光透過部の間隔60(μm))。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-9)
The electrophotographic photosensitive member except that the mask used for roughening the support was changed to the following, and the laser irradiation energy for roughening was changed to 1.9 (J / cm 2 ). In the same manner as in A-1, an electrophotographic photoreceptor A-9 was produced.
First laser processing: a shape similar to that shown in FIG. 8 (i), in which the interval between the laser beam transmitting portions a is changed from 60 μm to 150 (μm).
Second laser processing: the shape shown in FIG. 8 (i) (interval 60 (μm) between laser beam transmitting portions).

(電子写真感光体A−10の作製)
支持体の粗面化を行う際に用いたマスクを以下のものに替え、粗面化を行う際のレーザの照射エネルギーを1.9(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−2と同様にして電子写真感光体A−10を作製した。
・1度目のレーザ加工:図8(i)と相似形状で、レーザ光透過部aの間隔を 60μmから150(μm)間隔に変更したもの。
・2度目のレーザ加工:図8(i)に示す形状のもの(レーザ光透過部の間隔60(μm))。
・3度目のレーザ加工:図8(ii)に示す形状のもの(レーザ光透過部の間隔12(μm))。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-10)
The electrophotographic photosensitive member except that the mask used for roughening the support was changed to the following, and the laser irradiation energy for roughening was changed to 1.9 (J / cm 2 ). In the same manner as A-2, an electrophotographic photoreceptor A-10 was produced.
First laser processing: a shape similar to that shown in FIG. 8 (i), in which the interval between the laser beam transmitting portions a is changed from 60 μm to 150 (μm).
Second laser processing: the shape shown in FIG. 8 (i) (interval 60 (μm) between laser beam transmitting portions).
Third laser processing: the shape shown in FIG. 8 (ii) (laser light transmission part interval 12 (μm)).

(電子写真感光体A−11の作製)
支持体の粗面化と中間層の形成を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−9と同様にして電子写真感光体A−11を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-11)
An electrophotographic photoreceptor A-11 was produced in the same manner as the electrophotographic photoreceptor A-9 except that the roughening of the support and the formation of the intermediate layer were changed as follows.

・支持体の粗面化
照射エネルギーを2.7(J/cm)とした以外は電子写真感光体A−9と同様にKrFエキシマレーザ(波長248(nm)、パルス幅17(ns))を用いて基体に凹凸部を形成した。
-Roughening of the support KrF excimer laser (wavelength 248 (nm), pulse width 17 (ns)) as in the electrophotographic photosensitive member A-9 except that the irradiation energy was 2.7 (J / cm 2 ) An uneven portion was formed on the substrate using

・中間層の形成
膜厚を1.0μmとした以外は電子写真感光体A−9と同様に中間層を形成した。
-Formation of intermediate layer An intermediate layer was formed in the same manner as in the electrophotographic photoreceptor A-9 except that the film thickness was changed to 1.0 m.

(電子写真感光体A−12の作製)
支持体の粗面化と中間層の形成を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−9と同様にして電子写真感光体A−12を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-12)
An electrophotographic photosensitive member A-12 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-9 except that the roughening of the support and the formation of the intermediate layer were changed as follows.

・支持体の粗面化
照射エネルギーを2.7(J/cm)とした以外は電子写真感光体A−9と同様にKrFエキシマレーザ(波長248(nm)、パルス幅17(ns))を用いて基体に凹凸部を形成した。
-Roughening of the support KrF excimer laser (wavelength 248 (nm), pulse width 17 (ns)) as in the electrophotographic photosensitive member A-9 except that the irradiation energy was 2.7 (J / cm 2 ) An uneven portion was formed on the substrate using

・中間層の形成
膜厚を1.8μmとした以外は電子写真感光体A−9と同様に中間層を形成した。
-Formation of intermediate layer An intermediate layer was formed in the same manner as in the electrophotographic photoreceptor A-9 except that the film thickness was changed to 1.8 m.

(電子写真感光体A−13の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを1.7(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−13を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-13)
An electrophotographic photosensitive member A-13 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 1.7 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−14の作製)
支持体の粗面化を行う際に用いたマスクを以下のものに替え、粗面化を行う際のレーザの照射エネルギーを1.9(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−6と同様にして電子写真感光体A−14を作製した。
・1度目のレーザ加工:図8(i)と相似形状で、レーザ光透過部aの間隔を 60μmから150(μm)間隔に変更したもの。
・2度目のレーザ加工:図8(i)に示す形状のもの(レーザ光透過部の間隔60(μm))。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-14)
The electrophotographic photosensitive member except that the mask used for roughening the support was changed to the following, and the laser irradiation energy for roughening was changed to 1.9 (J / cm 2 ). In the same manner as in A-6, an electrophotographic photoreceptor A-14 was produced.
First laser processing: a shape similar to that shown in FIG. 8 (i), in which the interval between the laser beam transmitting portions a is changed from 60 μm to 150 (μm).
Second laser processing: the shape shown in FIG. 8 (i) (interval 60 (μm) between laser beam transmitting portions).

(電子写真感光体A−15の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを1.2(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−14と同様にして電子写真感光体A−15を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-15)
An electrophotographic photoreceptor A-15 was produced in the same manner as the electrophotographic photoreceptor A-14, except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 1.2 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−16の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを2.5(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−14と同様にして電子写真感光体A−16を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-16)
An electrophotographic photosensitive member A-16 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-14 except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 2.5 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−17の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを2.9(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−17を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-17)
An electrophotographic photosensitive member A-17 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 2.9 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−18の作製)
支持体の粗面化を行う際の照射エネルギーを2.8(J/cm)に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−18を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-18)
An electrophotographic photosensitive member A-18 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the irradiation energy for roughening the support was changed to 2.8 (J / cm 2 ).

(電子写真感光体A−19の作製)
中間層を形成させなかった以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体A−19を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-19)
An electrophotographic photoreceptor A-19 was produced in the same manner as the electrophotographic photoreceptor A-1, except that no intermediate layer was formed.

(電子写真感光体A−20の作製)
中間層を形成させなかった以外は電子写真感光体A−2と同様にして電子写真感光体A−20を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor A-20)
An electrophotographic photoreceptor A-20 was produced in the same manner as the electrophotographic photoreceptor A-2 except that no intermediate layer was formed.

(電子写真感光体C−1の作製)
支持体の粗面化を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体C−1を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor C-1)
An electrophotographic photosensitive member C-1 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member A-1, except that the roughening of the support was changed as follows.

・支持体の粗面化
上記支持体にKrFエキシマレーザ(波長248(nm)、パルス幅17(ns))を用いて凹凸部を形成した。このとき、単一の配列マスクパターンを用いて、1度のみレーザ加工を行い、単一周期を持つ粗さ形状を重畳した。
-Roughening of the support The uneven part was formed on the support using a KrF excimer laser (wavelength 248 (nm), pulse width 17 (ns)). At this time, laser processing was performed only once using a single array mask pattern, and a roughness shape having a single period was superimposed.

レーザ加工では、図8(i)に示すような、レーザ光透過部aが60(μm)間隔で配列しており、透過部aと遮蔽部bのマスクの厚みが連続的に変化している配列パターンを有するクロムマスクを用いた。レーザの照射エネルギーは 3.6(J/cm)とし、1回照射あたりの照射面積は1.4(mm)四方とした。図6(iv)に示すように、支持体を回転させ、レーザ照射位置を支持体の軸方向にずらしつつレーザ照射を行った。 In laser processing, as shown in FIG. 8 (i), the laser light transmitting portions a are arranged at intervals of 60 (μm), and the mask thicknesses of the transmitting portion a and the shielding portion b are continuously changed. A chrome mask having an array pattern was used. The laser irradiation energy was 3.6 (J / cm 2 ), and the irradiation area per irradiation was 1.4 (mm) square. As shown in FIG. 6 (iv), the support was rotated, and laser irradiation was performed while shifting the laser irradiation position in the axial direction of the support.

得られた支持体の表面形状を、操作型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)で拡大観察し、Rmk(L)を計算した結果を図9(iii)に示す。Rmk,maxは0.110、Rmk,maxが発現する算出長さLmは6.7μmであった。図9(iii)に示したグラフより、Rmkの最大値Rmk,maxが発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、Rmk,maxの3分の2以上のRmkが発現していないことが判る。すなわち、ランダムネスの無い粗さ形状であった。   The surface shape of the obtained support was magnified and observed with an operational probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), and the result of calculating Rmk (L) is shown in FIG. 9 (iii). Rmk, max was 0.110, and the calculated length Lm at which Rmk, max was expressed was 6.7 μm. From the graph shown in FIG. 9 (iii), in the calculated length that is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length in which the maximum value Rmk, max of Rmk is expressed, it is more than two thirds of Rmk, max. It can be seen that Rmk is not expressed. That is, it was a roughness shape without randomness.

(電子写真感光体C−2の作製)
支持体の粗面化を行う際に用いたマスクを図8(ii)に変更したものに替えた以外は電子写真感光C−1と同様にして電子写真感光体C−2を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor C-2)
An electrophotographic photosensitive member C-2 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member C-1, except that the mask used for roughening the support was changed to that shown in FIG. 8 (ii).

(電子写真感光体C−3の作製)
支持体の粗面化を行う際に用いたマスクを図8(ii)と相似形状で、レーザ光透過部aの間隔を 12μmから150μm間隔に変更したものに替えた以外は電子写真感光C−1と同様にして電子写真感光体C−3を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor C-3)
Except that the mask used for roughening the support is similar to that shown in FIG. 8 (ii), and the interval of the laser beam transmitting part a is changed from 12 μm to 150 μm, the electrophotographic photosensitive C- In the same manner as in Example 1, an electrophotographic photoreceptor C-3 was produced.

(電子写真感光体C−4の作製)
支持体の粗面化を以下の様に変更した以外は電子写真感光体A−1と同様にして電子写真感光体C−4を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor C-4)
An electrophotographic photoreceptor C-4 was produced in the same manner as the electrophotographic photoreceptor A-1, except that the roughening of the support was changed as follows.

・支持体の粗面化
支持体に、湿式ホーニング処理装置(不二精機製造所(株)製)を用い、以下の条件にて凹凸部を形成した。
-Roughening of the support Using a wet honing apparatus (Fuji Seiki Seisakusho Co., Ltd.), a concavo-convex part was formed on the support under the following conditions.

・液体ホーニング条件
研磨材砥粒:球状アルミナビーズ(商品名:CB−A30S 昭和電工株式会社製)
懸濁媒体:水
研磨材/懸濁媒体:1/9(体積比)
アルミニウム管の回転数:1.67s−1
エアー吹き付け圧力:0.165MPa
ガン移動速度:13.3mm/s
ガンノズルとアルミニウム管の距離:190mm
ホーニング砥粒吐出角度:45°
研磨液投射回数:1回
・ Liquid honing condition Abrasive grains: Spherical alumina beads (trade name: CB-A30S, manufactured by Showa Denko KK)
Suspension medium: water abrasive / suspension medium: 1/9 (volume ratio)
Number of rotations of aluminum tube: 1.67 s-1
Air blowing pressure: 0.165 MPa
Gun moving speed: 13.3 mm / s
Distance between gun nozzle and aluminum tube: 190mm
Honing abrasive grain discharge angle: 45 °
Number of polishing liquid projections: 1 time

得られた支持体の表面形状を、操作型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)で拡大観察し、Rmk(L)を計算した結果を図9(iV)に示す。Rmk,maxは0.171、Rmk,maxが発現する算出長さLmは5.9μmであった。図9(iV)に示したグラフより、Rmkの最大値Rmk,maxが発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、Rmk,maxの3分の2以上のRmkが発現していないことが判る。すなわち、ランダムネスの無い粗さ形状であった。   The surface shape of the obtained support was magnified and observed with an operational probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), and the result of calculating Rmk (L) is shown in FIG. 9 (iV). Rmk, max was 0.171, and the calculated length Lm at which Rmk, max was expressed was 5.9 μm. From the graph shown in FIG. 9 (iV), in the calculated length that is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length in which the maximum value Rmk, max of Rmk is expressed, it is more than two thirds of Rmk, max. It can be seen that Rmk is not expressed. That is, it was a roughness shape without randomness.

(電子写真感光体C−5の作製)
ガンノズルとアルミニウム管の距離を150mmに変更した以外は電子写真感光体C−4と同様にして電子写真感光体C−5を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor C-5)
An electrophotographic photosensitive member C-5 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member C-4 except that the distance between the gun nozzle and the aluminum tube was changed to 150 mm.

(電子写真感光体C−6の作製)
エアー吹き付け圧力を0.02MPaに変更した以外は電子写真感光体C−5と同様にして電子写真感光体C−6を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor C-6)
An electrophotographic photosensitive member C-6 was produced in the same manner as the electrophotographic photosensitive member C-5 except that the air blowing pressure was changed to 0.02 MPa.

(電子写真感光体B−1の作製)
・支持体
長さ357.5mm、直径30mmの鏡面加工されたアルミニウムシリンダー(JIS−A3003、アルミニウム合金)を支持体とした。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-1)
-Support body A mirror-finished aluminum cylinder (JIS-A3003, aluminum alloy) having a length of 357.5 mm and a diameter of 30 mm was used as a support body.

・導電層
以下の材料を直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルで8時間分散して、分散液を調製した。
・酸素欠損型SnO被覆TiO粒子(SnOの被覆率(質量比率)は35%):73部
・フェノール樹脂(商品名:プライオーフェンJ−325、大日本インキ化学工業(株)製、樹脂固形分60%):27部
・1−メトキシ−2−プロパノール:45部
-Conductive layer The following materials were dispersed with a sand mill using glass beads having a diameter of 1 mm for 8 hours to prepare a dispersion.
Oxygen-deficient SnO 2 -coated TiO 2 particles (SnO 2 coverage (mass ratio) is 35%): 73 parts
・ Phenolic resin (Brand name: Priorofen J-325, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., resin solid content 60%): 27 parts
1-methoxy-2-propanol: 45 parts

上記分散液に、粗し付与粒子として以下の材料を添加した。
・ポリメチルメタクリレート樹脂粒子(商品名:SSX−102、積水化成品工業(株)製、平均粒径2μm):5部
・ポリメチルメタクリレート樹脂粒子(商品名:SSX−104、積水化成品工業(株)製、平均粒径4μm)5部
The following materials were added to the dispersion as roughening particles.
Polymethylmethacrylate resin particles (trade name: SSX-102, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size 2 μm): 5 parts
・ 5 parts of polymethyl methacrylate resin particles (trade name: SSX-104, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size: 4 μm)

さらに、シリコーンオイル(商品名:SH28PA、東レ・ダウコーニング(株)製)0.001部を添加して攪拌し、導電層用塗布液を調製した。   Furthermore, 0.001 part of silicone oil (trade name: SH28PA, manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) was added and stirred to prepare a coating solution for a conductive layer.

この導電層用塗布液を、支持体上に浸漬コーティングし、温度140℃で30分間乾燥、熱硬化して、支持体上端から130mmの位置の平均膜厚が15μmの導電層を形成した。   This conductive layer coating solution was dip-coated on a support, dried and thermally cured at a temperature of 140 ° C. for 30 minutes to form a conductive layer having an average film thickness of 15 μm at a position of 130 mm from the upper end of the support.

得られた導電層の粗面形状を、操作型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)で拡大観察し、Rmk(L)を計算した結果を図9(V)に示す。グラフより、Rmk,maxが発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、Rmk,max以下かつRmk,maxの3分の2以上のRmkが発現していることが判る。すなわち、ランダムネスの有る粗さ形状であった。   The rough surface shape of the obtained conductive layer was enlarged and observed with an operational probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), and the result of calculating Rmk (L) is shown in FIG. 9 (V). From the graph, Rmk, which is less than Rmk, max and more than two thirds of Rmk, max, is expressed in a calculated length which is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length where Rmk, max is expressed. I understand that. That is, it was a roughness shape with randomness.

上述の様に、導電層の表面のRzを測定したところ、0.85μmであった。中間層の表面形状データを表3にまとめて示す。   As described above, the Rz of the surface of the conductive layer was measured and found to be 0.85 μm. Table 3 summarizes the surface shape data of the intermediate layer.

・中間層、電荷発生層、電荷輸送層の形成
次に、上記導電層上へ、中間層、電荷発生層、電荷輸送層を感光体A−1と同様に形成した。
-Formation of an intermediate | middle layer, a charge generation layer, and a charge transport layer Next, the intermediate | middle layer, the charge generation layer, and the charge transport layer were formed on the said conductive layer similarly to the photoreceptor A-1.

(電子写真感光体B−2の作製)
感光体B−1の作製時において、導電層に使用した粗し付与粒子を以下の様に変更した以外は、感光体B−1と同様に感光体B−2を作製した。
・ポリメチルメタクリレート樹脂粒子(商品名:SSX−103、積水化成品工業(株)製、平均粒径3μm):6部
・ポリメチルメタクリレート樹脂粒子(商品名:SSX−104、積水化成品工業(株)製、平均粒径4μm):6部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-2)
Photosensitive member B-2 was prepared in the same manner as photosensitive member B-1, except that the roughening imparting particles used in the conductive layer were changed as follows when manufacturing photosensitive member B-1.
Polymethylmethacrylate resin particles (trade name: SSX-103, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size: 3 μm): 6 parts
-Polymethylmethacrylate resin particles (trade name: SSX-104, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size: 4 μm): 6 parts

(電子写真感光体B−3の作製)
感光体B−2の作製時において、導電層の膜厚を18μmとした以外は、感光体B−2と同様に感光体B−3を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-3)
Photoreceptor B-3 was produced in the same manner as Photoreceptor B-2 except that the thickness of the conductive layer was 18 μm at the time of production of Photoreceptor B-2.

(電子写真感光体B−4の作製)
感光体B−3の作製時において、導電層の膜厚を21μmに変更した以外は、感光体B−3と同様に感光体B−4を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-4)
Photoreceptor B-4 was produced in the same manner as Photoreceptor B-3, except that the thickness of the conductive layer was changed to 21 μm when producing Photoreceptor B-3.

(電子写真感光体B−5の作製)
感光体B−2の作製時において、導電層に使用した粗し付与粒子を以下の様に変更した以外は、感光体B−2と同様に感光体B−5を作製した。
・ポリメチルメタクリレート樹脂粒子(商品名:SSX−102、積水化成品工業(株)製、平均粒径2μm):10部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-5)
Photoreceptor B-5 was produced in the same manner as Photoreceptor B-2, except that the roughening imparting particles used in the conductive layer were changed as follows when producing Photoreceptor B-2.
-Polymethylmethacrylate resin particles (trade name: SSX-102, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size 2 μm): 10 parts

(電子写真感光体B−6の作製)
感光体B−5の作製時において、導電層の膜厚を10μmに変更した以外は、感光体B−5と同様に感光体B−6を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-6)
Photoreceptor B-6 was produced in the same manner as Photoreceptor B-5, except that the thickness of the conductive layer was changed to 10 μm when producing Photoreceptor B-5.

(電子写真感光体B−7の作製)
粗し付与粒子を添加する前の分散液の調整方法を以下の様に変更した以外は、感光体B−4と同様にして感光体B−7を作製した。
・酸素欠損型SnO被覆TiO粒子(SnOの被覆率(質量比率)は35%):68部
・フェノール樹脂(商品名:プライオーフェンJ−325、大日本インキ化学工業(株)製、樹脂固形分60%):32部
・1−メトキシ−2−プロパノール:45部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-7)
Photoconductor B-7 was produced in the same manner as photoconductor B-4, except that the method for adjusting the dispersion before adding the roughening imparting particles was changed as follows.
Oxygen-deficient SnO 2 -coated TiO 2 particles (SnO 2 coverage (mass ratio) is 35%): 68 parts
-Phenol resin (trade name: Priorofen J-325, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., resin solid content 60%): 32 parts
1-methoxy-2-propanol: 45 parts

(電子写真感光体B−8の作製)
感光体B−7の作製時において、粗し付与粒子を添加する前の分散液の調整方法を以下の様に変更し、導電層の膜厚を15μmとした以外は、感光体B−7と同様に感光体B−8を作製した。
・酸素欠損型SnO被覆TiO粒子(SnOの被覆率(質量比率)は35%):34部
・酸素欠損型SnO被覆BaSO粒子(SnOの被覆率(質量比率)は40%):34部
・フェノール樹脂(商品名:プライオーフェンJ−325、大日本インキ化学工業(株)製、樹脂固形分60%):32部
・1−メトキシ−2−プロパノール:45部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-8)
At the time of preparation of the photoreceptor B-7, the method for adjusting the dispersion before adding the roughening imparting particles was changed as follows, and the thickness of the conductive layer was changed to 15 μm. Similarly, Photoconductor B-8 was produced.
Oxygen deficient SnO 2 -coated TiO 2 particles (SnO 2 coverage (mass ratio) is 35%): 34 parts
Oxygen-deficient SnO 2 -coated BaSO 4 particles (SnO 2 coverage (mass ratio) is 40%): 34 parts
-Phenol resin (trade name: Priorofen J-325, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., resin solid content 60%): 32 parts
1-methoxy-2-propanol: 45 parts

(電子写真感光体B−9の作製)
感光体B−8の作製時において、導電層の膜厚を21μmに変更した以外は、感光体B−8と同様に感光体B−9を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-9)
Photoreceptor B-9 was produced in the same manner as Photoreceptor B-8, except that the thickness of the conductive layer was changed to 21 μm when producing Photoreceptor B-8.

(電子写真感光体B−10の作製)
感光体B−9の作製時において、粗し付与粒子を添加する前の分散液の調整方法を以下の様に変更した以外は、感光体B−9と同様に感光体B−10を作製した。
・酸素欠損型SnO被覆BaSO粒子(SnOの被覆率(質量比率)は40%):68部
・フェノール樹脂(商品名:プライオーフェンJ−325、大日本インキ化学工業(株)製、樹脂固形分60%):32部
・1−メトキシ−2−プロパノール:45部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-10)
Photosensitive member B-10 was prepared in the same manner as photosensitive member B-9, except that the preparation method of the dispersion before adding the roughening imparting particles was changed as follows when preparing photosensitive member B-9. .
Oxygen deficient SnO 2 coated BaSO 4 particles (SnO 2 coverage (mass ratio) is 40%): 68 parts
-Phenol resin (trade name: Priorofen J-325, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., resin solid content 60%): 32 parts
1-methoxy-2-propanol: 45 parts

(電子写真感光体B−11の作製)
感光体B−10の作製時において、導電層の膜厚を26μmに変更した以外は、感光体B−10と同様に感光体B−11を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-11)
Photosensitive member B-11 was prepared in the same manner as photosensitive member B-10, except that the thickness of the conductive layer was changed to 26 μm at the time of manufacturing photosensitive member B-10.

(電子写真感光体B−12の作製)
感光体B−7の作製時において、導電層の膜厚を20μmに変更した以外は、感光体B−7と同様に感光体B−12を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-12)
Photoreceptor B-12 was produced in the same manner as Photoreceptor B-7, except that the thickness of the conductive layer was changed to 20 μm when producing Photoreceptor B-7.

(電子写真感光体B−13の作製)
感光体B−4の作製時において、支持体を導電性樹脂シリンダーに変え、導電層に使用した粗し付与粒子を以下の様に変更した以外は、感光体B−1と同様に感光体B−13を作製した。
・ポリメチルメタクリレート樹脂粒子(商品名:SSX−105、積水化成品工業(株)製、平均粒径5μm):10部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-13)
Photoreceptor B-1 is the same as Photoreceptor B-1, except that the support is changed to a conductive resin cylinder and the roughening imparting particles used in the conductive layer are changed as follows. -13 was produced.
Polymethylmethacrylate resin particles (trade name: SSX-105, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size 5 μm): 10 parts

(電子写真感光体B−14の作製)
導電層の膜厚を20μmとした以外は感光体B−13と同様に感光体B−14を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-14)
A photoconductor B-14 was produced in the same manner as the photoconductor B-13 except that the thickness of the conductive layer was 20 μm.

(電子写真感光体B−15の作製)
導電層に使用した粗し付与粒子を以下の様に変更した以外は、感光体B−14と同様に感光体B−15を作製した。
・シリコーン樹脂粒子(商品名:KMP−590、信越シリコーン(株)製、平均粒径2μm):10部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor B-15)
A photoconductor B-15 was produced in the same manner as the photoconductor B-14 except that the roughening particles used for the conductive layer were changed as follows.
Silicone resin particles (trade name: KMP-590, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., average particle size 2 μm): 10 parts

(電子写真感光体D−1の作製)
感光体B−1の作製時において、導電層に粗し付与粒子を使用しなかった以外は、感光体B−1と同様に感光体D−1を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor D-1)
Photoconductor D-1 was prepared in the same manner as Photoreceptor B-1, except that when the photoconductor B-1 was prepared, the conductive layer was roughened and no imparted particles were used.

得られた支持体の表面形状を、操作型プローブ顕微鏡ネオス(ブルーカー・ナノ社製)で拡大観察し、Rmk(L)を計算した結果を図9(Vi)に示す。Rmk,maxは0.041、Rmk,maxが発現する算出長さLmは0.9μmであった。図9(iV)に示したグラフより、Rmkの最大値Rmk,maxが発現した算出長さから10倍以上離れた算出長さにおいて、Rmk,maxの3分の2以上のRmkが発現していないことが判る。すなわち、ランダムネスの無い粗さ形状であった。   The surface shape of the obtained support was magnified and observed with an operational probe microscope Neos (manufactured by Bruker Nano), and the result of calculating Rmk (L) is shown in FIG. 9 (Vi). Rmk, max was 0.041, and the calculated length Lm at which Rmk, max was expressed was 0.9 μm. From the graph shown in FIG. 9 (iV), Rmk more than two-thirds of Rmk, max is expressed at a calculated length that is 10 times or more away from the calculated length where the maximum value Rmk, max of Rmk is expressed. It turns out that there is no. That is, it was a roughness shape without randomness.

(電子写真感光体D−2の作製)
感光体B−1の作製時において、導電層に使用した粗し付与粒子を以下の様に変更した以外は、感光体B−1と同様に感光体D−2を作製した。
・シリコーン樹脂粒子(商品名:トスパール120、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、平均粒径2μm):10部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor D-2)
A photoconductor D-2 was prepared in the same manner as the photoconductor B-1, except that the roughening imparting particles used in the conductive layer were changed as follows when the photoconductor B-1 was manufactured.
Silicone resin particles (trade name: Tospearl 120, manufactured by Momentive Performance Materials Japan GK, average particle size 2 μm): 10 parts

(電子写真感光体D−3の作製)
感光体B−1の作製時において、導電層に使用した粗し付与粒子を以下の様に変更した以外は、感光体B−1と同様に感光体D−3を作製した。
・シリコーン樹脂粒子(商品名:トスパール120、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、平均粒径2μm):1.5部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor D-3)
Photoconductor D-3 was prepared in the same manner as Photoconductor B-1, except that the roughening imparting particles used in the conductive layer were changed as follows when Photoconductor B-1 was prepared.
Silicone resin particles (trade name: Tospearl 120, manufactured by Momentive Performance Materials Japan Godo Kaisha, average particle size 2 μm): 1.5 parts

(電子写真感光体D−4の作製)
感光体B−3の作製時において、導電層に使用した粗し付与粒子を以下の様に変更した以外は、感光体B−1と同様に感光体D−4を作製した。
・ポリメチルメタクリレート樹脂粒子(商品名:SSX−103、積水化成品工業(株)製、平均粒径2μm):12部
(Preparation of electrophotographic photoreceptor D-4)
Photoconductor D-4 was prepared in the same manner as Photoconductor B-1, except that the roughening imparting particles used in the conductive layer were changed as follows when Photoconductor B-3 was prepared.
Polymethylmethacrylate resin particles (trade name: SSX-103, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size 2 μm): 12 parts

(電子写真感光体D−5の作製)
感光体B−5の作製時において、酸素欠損型SnO被覆TiO粒子の分散時間を8時間から24時間に変更した以外は、感光体B−5と同様に感光体D−5を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor D-5)
Photoreceptor D-5 was produced in the same manner as Photoreceptor B-5, except that the dispersion time of the oxygen-deficient SnO 2 -coated TiO 2 particles was changed from 8 hours to 24 hours when producing Photoreceptor B-5. .

(電子写真感光体D−6の作製)
感光体B−1の作製時において、導電層を以下の様に変更した以外は、感光体D−5と同様に感光体D−6を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor D-6)
A photoconductor D-6 was prepared in the same manner as the photoconductor D-5 except that the conductive layer was changed as follows when the photoconductor B-1 was manufactured.

・導電層
以下の材料を直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルで2時間分散して、分散液を調製した。
・シランカップリング剤による表面処理を施した酸化亜鉛(シランカップリング剤の被覆率(質量比率)は1.5%):60部
・ブチラール樹脂(商品名:BM−1、積水化学工業(株)製):15部
・ブロック化イソシアネート(商品名:スミジュール3175、住化バイエルウレタン(株)製):15部
・1−メトキシ−2−プロパノール:200部
-Conductive layer The following material was disperse | distributed for 2 hours with the sand mill using the glass bead of diameter 1mm, and the dispersion liquid was prepared.
-Zinc oxide that has been surface-treated with a silane coupling agent (the coverage (mass ratio) of the silane coupling agent is 1.5%): 60 parts
-Butyral resin (trade name: BM-1, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.): 15 parts
Blocked isocyanate (trade name: Sumijour 3175, manufactured by Sumika Bayer Urethane Co., Ltd.): 15 parts
1-methoxy-2-propanol: 200 parts

上記分散液に、粗し付与粒子として以下の材料を添加した。
・シリコーン樹脂粒子(商品名:トスパール120、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、平均粒径2μm):9部
The following materials were added to the dispersion as roughening particles.
Silicone resin particles (trade name: Tospearl 120, manufactured by Momentive Performance Materials Japan Godo Kaisha, average particle size 2 μm): 9 parts

さらに、ジラウリン酸ジブチルすず(東京化成工業(株)製)0.023部を添加して攪拌し、導電層用塗布液を調製した。   Furthermore, 0.023 part of dibutyltin dilaurate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added and stirred to prepare a coating solution for a conductive layer.

この導電層用塗布液を、支持体上に浸漬コーティングし、温度170℃で40分間乾燥、熱硬化して、支持体上端から130mmの位置の平均膜厚が18μmの導電層を形成した。   This conductive layer coating solution was dip-coated on a support, dried and thermally cured at a temperature of 170 ° C. for 40 minutes to form a conductive layer having an average film thickness of 18 μm at a position 130 mm from the upper end of the support.

(電子写真感光体D−7の作製)
感光体D−6の作製時において、シランカップリング剤による表面処理を施した酸化亜鉛に変えて、以下のアリザリン染色酸化亜鉛を用い、シリコーン樹脂粒子の添加量を12部とした以外は感光体B−5と同様に感光体D−7を作製した。
(Preparation of electrophotographic photoreceptor D-7)
The photoconductor D-6 was prepared except that the following alizarin dyed zinc oxide was used instead of zinc oxide surface-treated with a silane coupling agent, and the addition amount of silicone resin particles was 12 parts. A photoconductor D-7 was produced in the same manner as B-5.

アリザリン染色酸化亜鉛の作製は以下の通りである。   Preparation of alizarin-stained zinc oxide is as follows.

以下の材料を混合し、50℃にて5時間攪拌し、分散液を調整した。
・テトラヒドロフラン500部にシランカップリング剤による表面処理を施した酸化亜鉛(シランカップリング剤の被覆率(質量比率)は1.5%)100部を投入し攪拌させた混合液
・テトラトラヒドロフラン50部にアリザリン1部を溶解させた溶液
The following materials were mixed and stirred at 50 ° C. for 5 hours to prepare a dispersion.
-A mixed solution in which 500 parts of tetrahydrofuran was subjected to surface treatment with a silane coupling agent and 100 parts of zinc oxide (the coverage (mass ratio) of the silane coupling agent was 1.5%) was stirred.
A solution in which 1 part of alizarin is dissolved in 50 parts of tetratrahydrofuran

上記分散液を減圧濾過し、アリザリン染色された酸化亜鉛をろ別した後、60℃で減圧乾燥を行うことによりアリザリン染色酸化亜鉛を作製した。   The dispersion was filtered under reduced pressure to filter out alizarin-stained zinc oxide, followed by drying under reduced pressure at 60 ° C. to prepare alizarin-stained zinc oxide.

(実施例1〜38および比較例1〜18)
作製した電子写真感光体を、以下の評価装置に装着して画像出力を行った。
(Examples 1-38 and Comparative Examples 1-18)
The produced electrophotographic photosensitive member was mounted on the following evaluation apparatus and image output was performed.

・画像出力装置
画像出力には、キヤノン株式会社製複写機「image RUNNER ADVANCEiR−ADV C5051」の改造機(1200DPIの1ラインを像露光として感光体に書き込めるよう改造)を用いた。この複写機のカラー画像出力用ドラムに対する帯電手段は、帯電ローラーを備えた接触帯電手段であり、帯電ローラーには直流電圧に交流電圧を重畳した電圧が印加される。露光光(画像露光光)としては発振波長780nm、655nm、405nm、850nmの半導体レーザを用い、光量が可変となるようにした。
-Image output device For image output, a modified machine of a copy machine “image RUNNER ADVANCEiR-ADV C5051” manufactured by Canon Inc. (modified so that one line of 1200 DPI can be written on the photoreceptor as image exposure) was used. The charging unit for the color image output drum of the copying machine is a contact charging unit including a charging roller, and a voltage obtained by superimposing an AC voltage on a DC voltage is applied to the charging roller. As the exposure light (image exposure light), a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 780 nm, 655 nm, 405 nm, and 850 nm was used so that the amount of light was variable.

・干渉縞評価
干渉縞の有無は、上記の画像出力装置から出力された桂馬パターンハーフトーン画像の目視評価および感光体の反射スペクトルから判断した。反射スペクトル測定には反射分光膜厚計FE−3000(大塚電子株式会社製)を用いた。干渉縞評価は、以下のa〜eの5段階にランク付けした。評価結果を表4および表5に示す。
・ Interference fringe evaluation
The presence or absence of interference fringes was determined from visual evaluation of the Keima pattern halftone image output from the image output device and the reflection spectrum of the photoreceptor. A reflection spectral film thickness meter FE-3000 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) was used for the reflection spectrum measurement. Interference fringe evaluation was ranked in the following five stages a to e. The evaluation results are shown in Table 4 and Table 5.

a:画像上干渉縞が全く確認されず、像露光の波長域における反射スペクトル強度にも波長揺らぎが見られない
b:画像上干渉縞が全く確認されず、反射スペクトル強度には波長揺らぎが確認される。c:画像上に干渉縞がわずかに観測される
d:干渉縞が観測され、実用上好ましくない画像
e:激しく干渉縞が発生し、実用的でない画像
a: No interference fringes on the image are confirmed, and no wavelength fluctuation is observed in the reflection spectrum intensity in the wavelength range of image exposure b: No interference fringes on the image are confirmed, and wavelength fluctuation is confirmed in the reflection spectrum intensity Is done. c: A slight interference fringe is observed on the image d: An interference fringe is observed and the image is not preferable for practical use e: An interference fringe is generated severely and the image is not practical

また、図10(i)に、実施例1〜3、5〜9、および比較例7〜8について、横軸を露光レーザ波長、縦軸を Rmk,max/Tとしてプロットしたグラフを示す。図10(i)中のa、b、およびdは、上記定義した干渉縞評価のランクである。また、図10(i)中の直線は、下記式
において、n=0.15を代入したものである。
FIG. 10 (i) shows graphs plotted with the horizontal axis representing the exposure laser wavelength and the vertical axis representing Rmk, max / T 1 for Examples 1 to 3, 5 to 9, and Comparative Examples 7 to 8. In FIG. 10 (i), a, b, and d are ranks of interference fringe evaluation defined above. In addition, the straight line in FIG.
In this case, n = 0.15 is substituted.

図10(i)より、下記式
を電子写真感光体を有する電子写真装置が満たすとき、確かに干渉縞の発生による画質劣化が起こっていないことが分かる。
From FIG. 10 (i), the following formula
When the electrophotographic apparatus having the electrophotographic photosensitive member satisfies the above, it can be seen that image quality deterioration due to the generation of interference fringes does not occur.

また、図10(ii)に、実施例10〜23、および比較例17〜18について、
横軸を
とし(i=1)、縦軸を
としてプロットしたグラフを示す。図10(ii)中のa、b、およびdは、上記定義した干渉縞評価のランクである。また、図10(ii)中の直線は、下記式
において、n=0.62を代入したものである。
Moreover, about Example 10-23 and Comparative Examples 17-18 in FIG.10 (ii),
The horizontal axis
(I = 1) and the vertical axis
The graph plotted as. In FIG. 10 (ii), a, b, and d are the ranks of interference fringe evaluation defined above. In addition, the straight line in FIG.
In this case, n = 0.62 is substituted.

図10(ii)より、下記式
を電子写真感光体を有する電子写真装置が満たすとき、確かに干渉縞の発生による画質劣化が起こっていないことが分かる。
From FIG. 10 (ii), the following formula
When the electrophotographic apparatus having the electrophotographic photosensitive member satisfies the above, it can be seen that image quality deterioration due to the generation of interference fringes does not occur.

・カブリ、ポチ評価
カブリ、ポチ評価は、上記の画像出力装置からベタ白画像を出力し、紙上のカブリ・ポチを目視にて評価した。カブリ、ポチ評価は、以下のA〜Eの5段階にランク付けした。評価結果を表4および表5に示す。
-Fogging / Pochi Evaluation Fogging / pochi evaluation was performed by outputting a solid white image from the image output device and visually evaluating the fog / pochi on paper. The fog and spot evaluation was ranked in the following five grades A to E. The evaluation results are shown in Table 4 and Table 5.

A:カブリ、ポチの見られない、優れた画像
B:わずかにカブリ、ポチが散見されるが、良好な画像。
C:カブリ、ポチが観測される
D:カブリ、ポチの発生が大きい
E:カブリ、ポチの発生が非常に激しく、実用上好ましくない画像
A: Excellent image with no fog or spots B: Slight fog or spots, but good image.
C: fog and spots are observed D: generation of fog and spots is large E: fog and spots are generated very severely, and this is not practically preferable.

・細線再現評価
細線再現性の評価は以下の手順で行なった。
まず、温度23℃/相対湿度50%環境下で、電子写真感光体の暗部電位(Vd)が−700V、明部電位(Vl)が−200Vになるように電位の条件を設定し、電子写真感光体の初期電位を調整した。
-Thin line reproduction evaluation The fine line reproducibility was evaluated according to the following procedure.
First, in the environment of a temperature of 23 ° C./relative humidity of 50%, the electrophotographic photosensitive member is set to have a potential condition such that the dark portion potential (Vd) is −700 V and the light portion potential (Vl) is −200 V. The initial potential of the photoreceptor was adjusted.

次に、ベタ黒の画像出力濃度がD=1.4となるように現像設定を行った上で、外部コントローラより出力解像度1200dpiの下記の各画像のチャートを出力した。   Next, development settings were made so that the solid black image output density was D = 1.4, and the chart of each image below with an output resolution of 1200 dpi was output from the external controller.

1ライン−2スペース画像(1L2S)
2ライン−4スペース画像(2L4S)
1 line-2 space image (1L2S)
2-line-4 space image (2L4S)

このようにして得られた出力画像を、光学顕微鏡により100倍に拡大して細線再現性を下記の基準に従って評価した。評価結果を表4および表5に示す。   The output image thus obtained was magnified 100 times with an optical microscope, and the fine line reproducibility was evaluated according to the following criteria. The evaluation results are shown in Table 4 and Table 5.

5:(1L2S)の線幅に変動が見られない
4:(1L2S)の線幅にゆるやかな変動が見られる
3:(1L2S)の線幅に変動が見られ、欠けているように見える
2:(1L2S)の線幅に途切れが見られ、(2L4S)の線幅にゆるやかな変動が見られる
1:(2L4S)の線幅に変動が見られ、欠けているように見える
5: Line width of (1L2S) does not change 4: Line width of (1L2S) changes moderately 3: Line width of (1L2S) changes and appears to be missing 2 : Discontinuity is observed in the line width of (1L2S), and moderate fluctuations are observed in the line width of (2L4S) 1: Variations are observed in the line width of (2L4S), and it appears to be missing

上述より、Rmk(L)によって規定した粗し形状を電荷発生層以下に持つ感光体を有することを特徴とする電子写真装置においては、干渉縞の発生を抑えつつ、カブリや黒ポチの画像欠陥の少ない画像を維持し、かつ細線再現性の高い電子写真装置を提供できていることが判る。   As described above, in an electrophotographic apparatus having a photoreceptor having a rough shape defined by Rmk (L) below the charge generation layer, image defects such as fogging and black spots are suppressed while suppressing generation of interference fringes. It can be seen that it is possible to provide an electrophotographic apparatus that maintains an image with a small number of images and has high fine line reproducibility.

a・・・・レーザ光透過部
b・・・・レーザ光遮蔽部
c・・・・エキシマレーザ光照射器
d・・・・ワーク回転用モータ
e・・・・ワーク移動装置
f・・・・支持体
1・・・・電子写真感光体
2・・・・軸
3・・・・接触帯電手段
4・・・・露光光(画像露光光)
5・・・・現像手段
6・・・・転写手段
7・・・・クリーニング手段
8・・・・定着手段
9・・・・プロセスカートリッジ
10・・・案内手段
P・・・・転写材
a ··· laser beam transmitting portion b ··· laser beam shielding portion c ··· excimer laser beam irradiator d ··· workpiece rotating motor e ··· workpiece moving device f ··· Support 1 ... Electrophotographic photosensitive member 2 ... Shaft 3 ... Contact charging means 4 ... Exposure light (image exposure light)
5 ... Development means 6 ... Transfer means 7 ... Cleaning means 8 ... Fixing means 9 ... Process cartridge 10 ... Guide means P ... Transfer material

Claims (3)

波長λのレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、
該電子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有しており、
該導電性支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、
前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が、下記式(1)(式(1)中、Tは、前記レーザ光が前記導電性支持体に到達するまでの透過率を示す)を満たし、
該導電性支持体上に接触して設けられた層を第1層とし、その上に接触して設けられた層を第2層として前記電荷発生層に至るまで名前付けした場合、
前記平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、
前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の3分の2以上のRmkが発現し、
第i層と第i+1層(iは1以上の整数)との界面の形状が、下記式(2)
(式(2)中、Ti+1は、前記レーザ光が前記導電性支持体上の第i層に到達するまでの透過率を示し、n、ni+1は、それぞれ前記導電性支持体上に接触して設けられた第i層と第i+1層の屈折率を示す)
を満たすことを特徴とする電子写真装置。
An electrophotographic apparatus having an exposure means having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ, a charging means, a developing means, a transfer means, and an electrophotographic photosensitive member,
The electrophotographic photoreceptor has at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order on a conductive support,
In the conductive support, in the graph in which the surface shape shows the calculated length dependency of the average local height difference (Rmk),
The maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is the following formula (1) (in formula (1), T 1 is the transmittance until the laser beam reaches the conductive support. Show)
When the layer provided in contact with the conductive support is a first layer and the layer provided in contact with the conductive support is named as a second layer up to the charge generation layer,
In the graph showing the calculation length dependence of the average local height difference (Rmk),
In the calculated length that is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length in which the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed, the maximum value (Rmk, max) or less and Rmk more than two thirds of the maximum value (Rmk, max) is expressed,
The shape of the interface between the i-th layer and the i + 1-th layer (i is an integer of 1 or more) is expressed by the following formula (2)
(In Formula (2), T i + 1 indicates the transmittance until the laser beam reaches the i-th layer on the conductive support, and n i and n i + 1 are respectively on the conductive support. Refractive index of the i-th layer and the i + 1-th layer provided in contact with each other)
An electrophotographic apparatus characterized by satisfying the above.
波長λのレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、
該電子写真感光体は、導電性樹脂支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有しており、
該導電性樹脂支持体を第0層とし、該導電性樹脂支持体上に接触して設けられた層を第1層とし、その上に接触して設けられた層を第2層として前記電荷発生層に至るまで名前付けした場合、
前記導電性樹脂支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、
前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の3分の2以上のRmkが発現し、
第i層と第i+1層(iは1以上の整数)との界面の形状が、下記式(2)
(式(2)中、Ti+1は、前記レーザ光が前記導電性樹脂支持体上の第i層に到達するまでの透過率を示し、n、ni+1は、それぞれ前記導電性樹脂支持体上に接触して設けられた第i層と第i+1層の屈折率を示す)
を満たすことを特徴とする電子写真装置。
An electrophotographic apparatus having an exposure means having a laser light source for oscillating a laser beam having a wavelength λ, a charging means, a developing means, a transfer means, and an electrophotographic photosensitive member,
The electrophotographic photoreceptor has at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order on a conductive resin support,
The conductive resin support is the 0th layer, the layer provided in contact with the conductive resin support is the first layer, and the layer provided in contact with the conductive resin support is the second layer. If you name the generation layer,
In the conductive resin support, the surface shape is a graph showing the calculation length dependence of the average local height difference (Rmk),
In the calculated length that is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length in which the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed, the maximum value (Rmk, max) or less and Rmk more than two thirds of the maximum value (Rmk, max) is expressed,
The shape of the interface between the i-th layer and the i + 1-th layer (i is an integer of 1 or more) is expressed by the following formula (2)
(In Formula (2), T i + 1 represents the transmittance until the laser beam reaches the i-th layer on the conductive resin support, and n i and n i + 1 represent the conductive resin support, respectively. (The refractive indices of the i-th layer and the (i + 1) -th layer provided in contact with each other are shown.)
An electrophotographic apparatus characterized by satisfying the above.
波長λのレーザ光を発振するためのレーザ光源を有する露光手段、帯電手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を有する電子写真装置であり、
該電子写真感光体は、導電性支持体上に接触して設けられた電荷発生層と前記電荷発生層上に設けられた電荷輸送層とを有しており、
前記導電性支持体は、表面形状が、平均局所高低差(Rmk)の算出長さ依存性を示すグラフにおいて、
前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が発現した算出長さから0.1倍以下或いは10倍以上離れた算出長さにおいて、前記最大値(Rmk,max)以下かつ前記最大値(Rmk,max)の2分の1以上のRmkが発現し、
前記平均局所高低差(Rmk)の最大値(Rmk,max)が、下記式(1)
(式(1)中、Tは、前記レーザ光が該導電性支持体に到達するまでの透過率を示す)
を満たすことを特徴とする電子写真装置。
An electrophotographic apparatus having an exposure means having a laser light source for oscillating laser light having a wavelength λ, a charging means, a developing means, a transfer means, and an electrophotographic photosensitive member,
The electrophotographic photoreceptor has a charge generation layer provided in contact with a conductive support and a charge transport layer provided on the charge generation layer,
The conductive support is a graph in which the surface shape shows the calculated length dependence of the average local height difference (Rmk),
In the calculated length that is 0.1 times or less or 10 times or more away from the calculated length in which the maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed, the maximum value (Rmk, max) or less and Rmk more than half of the maximum value (Rmk, max) is expressed,
The maximum value (Rmk, max) of the average local height difference (Rmk) is expressed by the following formula (1).
(In the formula (1), T 1 represents a transmittance of up to the laser light reaches the conductive support)
An electrophotographic apparatus characterized by satisfying the above.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013117624A (en) * 2011-12-02 2013-06-13 Canon Inc Electrophotographic device
JP2016139113A (en) * 2015-01-26 2016-08-04 キヤノン株式会社 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and electrophotographic device
JPWO2016121231A1 (en) * 2015-01-30 2017-04-27 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus having the same
JP2017102194A (en) * 2015-11-30 2017-06-08 キヤノン株式会社 Inspection method in manufacturing method of electrophotographic photoreceptor

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6136755A (en) * 1984-07-30 1986-02-21 Canon Inc Laser light photosensitive body
JPS63163468A (en) * 1986-12-26 1988-07-06 Canon Inc Electrophotographic sensitive body
JPH02226161A (en) * 1989-02-27 1990-09-07 Ricoh Co Ltd Electrophotographic sensitive body
JPH03179362A (en) * 1989-12-08 1991-08-05 Canon Inc Electrophotographic sensitive body
JPH04233546A (en) * 1990-06-21 1992-08-21 Xerox Corp Apparatus and method for suppressing effect of decorative sheet of photosensitive image member
JPH05224450A (en) * 1992-02-10 1993-09-03 Bando Chem Ind Ltd Laminated electrophotographic sensitive body having base coating layer
JPH07199504A (en) * 1993-12-28 1995-08-04 Kobe Steel Ltd Electrophotographic photoreceptor drum substrate and its production
JPH10104988A (en) * 1996-10-02 1998-04-24 Canon Inc Method of working metal circumferential surface, and its workpiece
JPH11327187A (en) * 1998-05-20 1999-11-26 Ricoh Co Ltd Manufacture of substrate for electrophotographic photoreceptor
JP2003195541A (en) * 2001-12-25 2003-07-09 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic device
JP2004101815A (en) * 2002-09-09 2004-04-02 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor
JP2005107178A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2005227551A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Canon Inc Method for manufacturing electrically conductive support and electrophotographic photoreceptor
JP2009025459A (en) * 2007-07-18 2009-02-05 Canon Inc Method for manufacturing electrophotographic photoreceptor
JP2009244659A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic apparatus

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6136755A (en) * 1984-07-30 1986-02-21 Canon Inc Laser light photosensitive body
JPS63163468A (en) * 1986-12-26 1988-07-06 Canon Inc Electrophotographic sensitive body
JPH02226161A (en) * 1989-02-27 1990-09-07 Ricoh Co Ltd Electrophotographic sensitive body
JPH03179362A (en) * 1989-12-08 1991-08-05 Canon Inc Electrophotographic sensitive body
JPH04233546A (en) * 1990-06-21 1992-08-21 Xerox Corp Apparatus and method for suppressing effect of decorative sheet of photosensitive image member
JPH05224450A (en) * 1992-02-10 1993-09-03 Bando Chem Ind Ltd Laminated electrophotographic sensitive body having base coating layer
JPH07199504A (en) * 1993-12-28 1995-08-04 Kobe Steel Ltd Electrophotographic photoreceptor drum substrate and its production
JPH10104988A (en) * 1996-10-02 1998-04-24 Canon Inc Method of working metal circumferential surface, and its workpiece
JPH11327187A (en) * 1998-05-20 1999-11-26 Ricoh Co Ltd Manufacture of substrate for electrophotographic photoreceptor
JP2003195541A (en) * 2001-12-25 2003-07-09 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic device
JP2004101815A (en) * 2002-09-09 2004-04-02 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor
JP2005107178A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2005227551A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Canon Inc Method for manufacturing electrically conductive support and electrophotographic photoreceptor
JP2009025459A (en) * 2007-07-18 2009-02-05 Canon Inc Method for manufacturing electrophotographic photoreceptor
JP2009244659A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Canon Inc Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013117624A (en) * 2011-12-02 2013-06-13 Canon Inc Electrophotographic device
JP2016139113A (en) * 2015-01-26 2016-08-04 キヤノン株式会社 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and electrophotographic device
JPWO2016121231A1 (en) * 2015-01-30 2017-04-27 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus having the same
JP2017102194A (en) * 2015-11-30 2017-06-08 キヤノン株式会社 Inspection method in manufacturing method of electrophotographic photoreceptor

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