JP2013002936A - Conveyance structure for object to be irradiated - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely shield radiation which is generated on the basis of electron beams, and to reduce an area for installing a conveyance structure which shields an electron beam irradiation device.SOLUTION: A conveyance structure 200 comprises: an electron beam irradiation device 100; an irradiation region R which is provided on a conveyance passage 350 partitioned with a wall surface; a first passage 352 which constitutes a part of the conveyance passage; a second passage 354 which has a height in a perpendicular direction different from that of the first passage and is positioned in a distance from the irradiation region longer than that of the first passage; a first elevating passage 370 which connects the first passage and the second passage; and a shield section 330 which is provided at least either on a wall surface partitioning the first passage or on a wall surface partitioning the first elevating passage and shields the straight incidence of radiation from the first passage to the second passage.

Description

本発明は、被照射物に電子線を照射する電子線照射装置を用いた被照射物の搬送構造に関する。   The present invention relates to a transport structure for an object to be irradiated using an electron beam irradiation apparatus that irradiates the object to be irradiated with an electron beam.

従来、医療器具や食品等の滅菌、樹脂の架橋や硬化、悪性腫瘍等の病巣の除去等、様々な分野で利用されている電子線照射装置(例えば、特許文献1、2)が知られている。このような電子線照射装置は、カソード電極と加速器を備えており、カソード電極に電力を供給することでカソード電極から電子線を放出し、その電子線を加速器で加速して被照射物に照射する。   Conventionally, electron beam irradiation apparatuses (for example, Patent Documents 1 and 2) used in various fields such as sterilization of medical instruments and foods, cross-linking and curing of resins, and removal of lesions such as malignant tumors are known. Yes. Such an electron beam irradiation apparatus is equipped with a cathode electrode and an accelerator. By supplying electric power to the cathode electrode, the electron beam is emitted from the cathode electrode, and the electron beam is accelerated by the accelerator to irradiate the irradiated object. To do.

被照射物に電子線が照射される照射領域において電子線が被照射物等に衝突すると、X線等の放射線が発生する。したがって、発生した放射線が外部に漏洩しないように、遮蔽壁で電子線照射装置を包囲している。ここで遮蔽壁は、発生した放射線を十分に遮蔽できる程度の厚みを有するコンクリートや金属(鉛やステンレス)等で構成されている。また、遮蔽壁は、電子線照射装置を取り囲むとともに、建屋としての機能も有している。   When an electron beam collides with the irradiated object or the like in an irradiation region where the irradiated object is irradiated with an electron beam, radiation such as X-rays is generated. Therefore, the electron beam irradiation device is surrounded by the shielding wall so that the generated radiation does not leak outside. Here, the shielding wall is made of concrete or metal (lead or stainless steel) having a thickness that can sufficiently shield the generated radiation. Further, the shielding wall surrounds the electron beam irradiation device and also has a function as a building.

一方、被照射物に効率よく電子線を照射するために、被照射物はコンベア等の搬送装置で連続的に照射領域に搬送されることが多い。したがって、搬送装置が設置される搬送通路を通じた放射線の外部への漏洩を防止すべく、搬送通路が迷路構造を構成するように遮蔽壁が形成される。   On the other hand, in order to efficiently irradiate an irradiated object with an electron beam, the irradiated object is often continuously transferred to an irradiation region by a transfer device such as a conveyor. Therefore, in order to prevent the leakage of radiation to the outside through the conveyance path in which the conveyance device is installed, the shielding wall is formed so that the conveyance path forms a maze structure.

特開2001−349998号公報JP 2001-349998 A 特開2003−139898号公報JP 2003-139898 A

図11は、従来の電子線照射システム10の全体像を説明するための平面図であり、図12は、図11におけるXII−XII断面図であり、図13は、図11におけるXIII−XIII断面図である。   11 is a plan view for explaining the entire image of the conventional electron beam irradiation system 10, FIG. 12 is a sectional view taken along line XII-XII in FIG. 11, and FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. FIG.

図11〜図13に示すように、電子線照射システム10は、コンクリート等で形成された床部12および遮蔽壁14で構成される建屋20を含んで構成され、建屋20の内部には、被照射物Wを水平方向に搬送する搬送装置40と、搬送装置40によって搬送された被照射物Wに電子線を照射する電子線照射装置50とが設置される。   As shown in FIGS. 11 to 13, the electron beam irradiation system 10 is configured to include a building 20 composed of a floor portion 12 and a shielding wall 14 formed of concrete or the like. A transport device 40 that transports the irradiated object W in the horizontal direction and an electron beam irradiation device 50 that irradiates the irradiated object W transported by the transport device 40 with an electron beam are installed.

具体的に説明すると、建屋20は、その内部を、中央に電子線照射装置50を収容するとともに水平方向に直線状に延在した照射通路22と、搬入口24aから被照射物Wが搬入される搬入通路24bと、搬入通路24bと照射通路22とを連通する連通通路26と、搬出口28aへ被照射物Wを搬出する搬出通路28bと、照射通路22と搬出通路28bとを連通する連通通路30と、電子線照射装置50に電力を供給する高周波電源装置52を収容する電源室32とに区画されるように形成される。   More specifically, the building 20 accommodates the electron beam irradiation device 50 in the center and the irradiation path 22 extending linearly in the horizontal direction and the irradiated object W from the carry-in entrance 24a. Communication passage 26b, the communication passage 26 communicating the carry-in passage 24b and the irradiation passage 22, the unloading passage 28b for unloading the irradiated object W to the unloading port 28a, and the communication communicating the irradiation passage 22 and the unloading passage 28b. It is formed so as to be partitioned into a passage 30 and a power supply chamber 32 that houses a high-frequency power supply device 52 that supplies power to the electron beam irradiation device 50.

図12、13に示すように、電子線照射システム10において、鉛直下方向に電子線を照射するように電子線照射装置50が設置される場合、電子線照射装置50の鉛直下方に位置する、被照射物W、搬送装置40および床部12に衝突した電子線によって放射線が発生する。換言すれば、電子線照射装置50の鉛直下方の領域(照射領域)Rが放射線発生源となる。そして、照射領域Rからの放射線の放出方向は360度に及ぶことになる。   As shown in FIGS. 12 and 13, in the electron beam irradiation system 10, when the electron beam irradiation device 50 is installed so as to irradiate the electron beam vertically downward, the electron beam irradiation device 50 is positioned vertically below the electron beam irradiation device 50. Radiation is generated by the electron beam colliding with the irradiation object W, the transport device 40 and the floor 12. In other words, a region (irradiation region) R below the electron beam irradiation apparatus 50 is a radiation generation source. And the radiation | emission direction of the radiation from the irradiation area | region R reaches 360 degree | times.

放射線が壁に衝突した場合、衝突後の放射線は、壁を透過する放射線(透過放射線)と、壁に吸収される放射線(吸収放射線)と、壁で反射する放射線(反射放射線)に大別される。   When radiation collides with a wall, the radiation after the collision is roughly divided into radiation that passes through the wall (transmitted radiation), radiation that is absorbed by the wall (absorbed radiation), and radiation that is reflected by the wall (reflected radiation). The

したがって、透過放射線および吸収放射線については、遮蔽壁14のうち、照射領域Rで発生した、最も線量の多い放射線が直進入射する右側壁14a、左側壁14b、前面壁16a、電子線照射装置50の上方に位置する天井壁18を、外部Eへ放射線が透過しないような(吸収されるような)厚みに形成することで、外部Eへの漏洩を遮断する。なお、照射通路22と電源室32とを区画する中間壁16bにも最も線量の多い放射線が直進入射するが、中間壁16bと外部Eとの間に、電源室32を区画する背面壁16cが設けられているため、中間壁16bと背面壁16cとの水平方向の厚みの和が右側壁14a等の厚みと等しくなるように形成されている。   Therefore, for transmitted radiation and absorbed radiation, the right wall 14 a, the left wall 14 b, the front wall 16 a, and the electron beam irradiation device 50, in the shielding wall 14, in which the radiation with the highest dose generated in the irradiation region R is linearly incident. Leakage to the external E is blocked by forming the ceiling wall 18 positioned above to a thickness that prevents radiation from being transmitted (absorbed) to the external E. The radiation with the highest dose of radiation enters the intermediate wall 16b that partitions the irradiation passage 22 and the power supply chamber 32, but the back wall 16c that partitions the power supply chamber 32 is interposed between the intermediate wall 16b and the outside E. Therefore, the sum of the horizontal thickness of the intermediate wall 16b and the back wall 16c is formed to be equal to the thickness of the right side wall 14a and the like.

ここで、側壁14c、14d、14eに入射する放射線は、右側壁14aや左側壁14bで反射した反射放射線であるため、照射領域Rで発生した放射線よりも線量が少なくなる。したがって、図11に示すように、側壁14c、14d、14eの水平方向の厚みを、右側壁14aや左側壁14bよりも長さLだけ短くすることができる。   Here, since the radiation incident on the side walls 14c, 14d, and 14e is reflected radiation reflected by the right side wall 14a and the left side wall 14b, the dose is smaller than the radiation generated in the irradiation region R. Therefore, as shown in FIG. 11, the horizontal thickness of the side walls 14c, 14d, and 14e can be made shorter by the length L than the right side wall 14a and the left side wall 14b.

反射放射線については、電子線照射装置50から照射される電子線のエネルギーが、例えば10MeV程度である場合、照射領域Rから少なくとも3回反射させ、反射放射線の線量を十分小さくして、外部Eに到達させる必要がある。したがって、照射領域Rで発生した放射線が、反射点T1、T2、T3といったように少なくとも3回反射して外部Eに到達するように、照射通路22、搬入通路24b、連通通路26、搬出通路28b、連通通路30が設けられる。   As for the reflected radiation, when the energy of the electron beam irradiated from the electron beam irradiation device 50 is, for example, about 10 MeV, the reflected radiation is reflected at least three times from the irradiation region R, and the dose of the reflected radiation is made sufficiently small to the external E. It needs to be reached. Accordingly, the irradiation passage 22, the carry-in passage 24b, the communication passage 26, and the carry-out passage 28b are so reflected that the radiation generated in the irradiation region R is reflected at least three times such as the reflection points T1, T2, and T3 and reaches the outside E. A communication passage 30 is provided.

上述したように、照射領域Rで発生した最も線量の多い放射線の外部Eへの透過を遮断するために、照射領域Rが位置する照射通路22は、他の壁(側壁14c、14d、14e)と比較して厚い壁(右側壁14a、左側壁14b、前面壁16a)で囲繞される必要があるが、他の通路(搬入通路24b、連通通路26、搬出通路28b、連通通路30)を囲繞する壁(側壁14c、14d、14e)と比較して長さ2L分だけ設置面積がかさんでしまう。   As described above, in order to block the transmission of the radiation with the highest dose generated in the irradiation region R to the outside E, the irradiation passage 22 in which the irradiation region R is located has other walls (side walls 14c, 14d, 14e). It is necessary to be surrounded by thick walls (right side wall 14a, left side wall 14b, front wall 16a), but other passages (loading path 24b, communication path 26, discharge path 28b, communication path 30) are surrounded. Compared to the walls (side walls 14c, 14d, 14e), the installation area is increased by a length of 2L.

したがって、電子線照射システム10を設置する場所が制限されてしまうこともあり、外部Eへの放射線の漏洩を確実に防止しつつ、設置面積をさらに低減した電子線照射システム10の開発が望まれている。   Therefore, the place where the electron beam irradiation system 10 is installed may be limited, and it is desired to develop the electron beam irradiation system 10 that further reduces the installation area while reliably preventing leakage of radiation to the external E. ing.

そこで本発明は、このような課題に鑑み、搬送通路を工夫することで、電子線照射装置が照射する電子線に基づいて発生する放射線を確実に遮蔽することができ、かつ、電子線照射装置を遮蔽する搬送構造の設置面積(占有面積)を低減することが可能な被照射物の搬送構造を提供することを目的としている。   Therefore, in view of such problems, the present invention can reliably shield the radiation generated based on the electron beam irradiated by the electron beam irradiation device by devising the conveyance path, and the electron beam irradiation device. The object of the present invention is to provide an object transportation structure that can reduce the installation area (occupied area) of the transportation structure that shields the object.

上記課題を解決するために、本発明の被照射物の搬送構造は、被照射物に電子線を照射する電子線照射装置と、壁面で区画される搬送通路上に設けられ、電子線照射装置によって被照射物に電子線が照射される領域であり、かつ、当該電子線に基づいて放射線が発生する領域である照射領域と、搬送通路に設置され、搬入部から照射領域へ被照射物を搬入するとともに照射領域から搬出部に被照射物を搬出する搬送装置と、搬送通路の一部を構成する第1の通路と、第1の通路と鉛直方向の高さを異にするとともに、照射領域からの距離が当該第1の通路よりも遠い距離に位置する第2の通路と、第1の通路と第2の通路とを接続する昇降通路と、第1の通路を区画する壁面および昇降通路を区画する壁面の少なくともいずれか一方に設けられ、第1の通路から第2の通路への放射線の直進入射を遮蔽する遮蔽部とを備えたことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, an object to be irradiated transport structure according to the present invention is provided on an electron beam irradiation device that irradiates an electron beam to the object to be irradiated, and a transport path that is partitioned by a wall surface. The irradiation area is an area where an electron beam is irradiated to the irradiated object, and the irradiation area is an area where radiation is generated based on the electron beam, and the irradiation object is placed from the carry-in portion to the irradiation area. Carrying in and carrying out the irradiated object from the irradiation area to the carry-out unit, the first passage constituting a part of the conveyance passage, the height of the first passage in the vertical direction is different from that of the first passage, and irradiation is performed. A second passage located at a distance from the region farther than the first passage, an elevating passage connecting the first passage and the second passage, a wall surface defining the first passage, and elevating Provided on at least one of the walls that define the passage , Characterized in that a shielding unit for shielding the straight incidence of radiation from the first passage to the second passage.

照射領域は第1の通路に設けられてもよい。   The irradiation area may be provided in the first passage.

第1の通路は、第2の通路よりも鉛直下方に位置してもよい。   The first passage may be located vertically below the second passage.

電子線照射装置は、電子線を鉛直下方向に照射してもよい。   The electron beam irradiation apparatus may irradiate the electron beam vertically downward.

遮蔽部は、第1の通路を区画する天井壁面であり、照射領域における放射線の発生源と、第2の通路を区画する底面の当該照射領域側の端部とを結ぶ直線上に、第1の通路の天井壁面が位置してもよい。   The shielding portion is a ceiling wall surface that defines the first passage, and is arranged on a straight line connecting a radiation source in the irradiation region and an end portion on the irradiation region side of the bottom surface that defines the second passage. The ceiling wall of the passage may be located.

第1の通路の一端側は、昇降通路を介して第2の通路と接続されており、当該第1の通路の他端側は、他の昇降通路を介して第1の通路および第2の通路とは異なる通路に接続されていてもよい。   One end side of the first passage is connected to the second passage through the lifting passage, and the other end side of the first passage is connected to the first passage and the second passage through the other lifting passage. You may connect to the channel | path different from a channel | path.

搬送通路は、第2の通路と鉛直方向の高さが等しく、当該第2の通路と水平方向に直交する第3の通路を含んで構成されていてもよい。   The transport passage may be configured to include a third passage having a height equal to that of the second passage in the vertical direction and perpendicular to the second passage and the horizontal direction.

本発明によれば、搬送通路を工夫することで、電子線照射装置が照射する電子線に基づいて発生する放射線を確実に遮蔽することができ、かつ、電子線照射装置を遮蔽する搬送構造の設置面積を低減することが可能となる。   According to the present invention, by devising the transport path, radiation generated based on the electron beam irradiated by the electron beam irradiation device can be reliably shielded, and the transport structure for shielding the electron beam irradiation device is provided. It is possible to reduce the installation area.

電子線照射装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of an electron beam irradiation apparatus. 図1におけるZ軸方向から電子線照射装置を見た図である。It is the figure which looked at the electron beam irradiation apparatus from the Z-axis direction in FIG. 搬送構造の全体像を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the whole image of a conveyance structure. 図3におけるIV−IV断面図である。It is IV-IV sectional drawing in FIG. 図3におけるV−V断面図である。It is VV sectional drawing in FIG. 搬送通路を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating a conveyance path | route. 昇降装置の一例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating an example of an raising / lowering apparatus. 照射領域で発生した放射線の放出方向を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the emission direction of the radiation which generate | occur | produced in the irradiation area | region. 照射領域で発生した放射線の反射を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating reflection of the radiation which generate | occur | produced in the irradiation area | region. 遮蔽部の他の例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the other example of a shielding part. 従来の電子線照射システムの全体像を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the whole image of the conventional electron beam irradiation system. 図11におけるXII−XII断面図である。It is XII-XII sectional drawing in FIG. 図11におけるXIII−XIII断面図である。It is XIII-XIII sectional drawing in FIG.

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The dimensions, materials, and other specific numerical values shown in the embodiments are merely examples for facilitating the understanding of the invention, and do not limit the present invention unless otherwise specified. In the present specification and drawings, elements having substantially the same function and configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted, and elements not directly related to the present invention are not illustrated. To do.

(電子線照射装置100)
図1は、電子線照射装置100の外観斜視図であり、図2は、図1におけるZ軸方向から電子線照射装置100を見た図である。なお、図1では、理解を容易にするために電子線照射装置100を支持する支持機構を省略する。
(Electron beam irradiation apparatus 100)
1 is an external perspective view of the electron beam irradiation apparatus 100, and FIG. 2 is a view of the electron beam irradiation apparatus 100 viewed from the Z-axis direction in FIG. In FIG. 1, a support mechanism for supporting the electron beam irradiation apparatus 100 is omitted for easy understanding.

図1および図2に示すように、電子線照射装置100は、電子銃110と、高周波電源112と、導波管114と、プリバンチャ116と、加速器118と、スキャンホーン120とを備えて構成されている。なお、電子銃110、プリバンチャ116、加速器118、スキャンホーン120は、内部空間(真空室)が連続しており、この内部空間は、イオンポンプ等の真空ポンプ102で高真空状態から超高真空状態(例えば、10E−5Pa以下)に維持される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the electron beam irradiation apparatus 100 includes an electron gun 110, a high frequency power source 112, a waveguide 114, a prebuncher 116, an accelerator 118, and a scan horn 120. ing. The electron gun 110, the prebuncher 116, the accelerator 118, and the scan horn 120 are continuous in an internal space (vacuum chamber). The internal space is changed from a high vacuum state to an ultrahigh vacuum state by a vacuum pump 102 such as an ion pump. (For example, 10E-5 Pa or less).

電子線照射装置100において、電子銃110から放出された熱電子は、プリバンチャ116、加速器118で加速され、スキャンホーン120を通過して、搬送通路350で搬送される被照射物Wに向かって図1中Y軸方向に照射される。以下、電子線照射装置100の各機能部について詳述する。   In the electron beam irradiation apparatus 100, the thermoelectrons emitted from the electron gun 110 are accelerated by the prebuncher 116 and the accelerator 118, pass through the scan horn 120, and travel toward the irradiation object W transported in the transport path 350. 1 is irradiated in the Y-axis direction. Hereinafter, each functional unit of the electron beam irradiation apparatus 100 will be described in detail.

(電子銃110)
電子銃110は、例えば、三極管電子銃であり、カソード電源(交流電源)104から供給された電力によってカソード電極を加熱し、パルス状に印加された高電圧のグリッド電圧(引出電圧)により、電子線を放出する。
(Electron gun 110)
The electron gun 110 is, for example, a triode electron gun, and heats the cathode electrode with electric power supplied from a cathode power supply (AC power supply) 104, and the high voltage grid voltage (extraction voltage) applied in a pulsed manner causes electrons to be emitted. Release the line.

(高周波電源112、導波管114)
高周波電源112は、クライストロン等で構成され、導波管114を通じてプリバンチャ116および加速器118に、例えばSバンドに相当する3GHzのパルス状の高周波電力を供給する。導波管114は、セラミック等で構成されたRF窓114a、114bを通じて、高周波電源112から供給される高周波の電圧を加速器118に供給する。導波管114におけるRF窓114aとRF窓114bの間には、六フッ化硫黄(SF)等の絶縁ガスが充填されており、高周波電源112から出力された電圧によって導波管114が放電してしまう事態を回避する。なおRF窓114a、114bはSFと真空とを隔てる境界の役割を果たす。
(High-frequency power source 112, waveguide 114)
The high-frequency power source 112 is configured by a klystron or the like, and supplies, for example, 3 GHz pulsed high-frequency power corresponding to the S band to the prebuncher 116 and the accelerator 118 through the waveguide 114. The waveguide 114 supplies a high-frequency voltage supplied from the high-frequency power source 112 to the accelerator 118 through RF windows 114a and 114b made of ceramic or the like. An insulating gas such as sulfur hexafluoride (SF 6 ) is filled between the RF window 114 a and the RF window 114 b in the waveguide 114, and the waveguide 114 is discharged by the voltage output from the high-frequency power source 112. Avoid the situation. The RF windows 114a and 114b serve as boundaries that separate the SF 6 and the vacuum.

(プリバンチャ116)
プリバンチャ116は、電子銃110と加速器118の間に設けられ、導波管114を通じて高周波電源112に接続されている。プリバンチャ116は、電子銃110から入射された電子線をバンチング(密度圧縮(速度変調))して、加速器118に送出する。具体的に説明すると、プリバンチャ116内は、高周波電源112から供給された高周波の電圧によって高周波電界が形成されており、プリバンチャ116を通過した電子線は、バンチングされて加速器118に入射する。プリバンチャ116で電子線をバンチングすることにより、加速器118で加速された電子線のエネルギーの分散を小さくすることができ、電子線のエネルギーの均一性を向上させることが可能となる。
(Prebuncha 116)
The prebuncher 116 is provided between the electron gun 110 and the accelerator 118, and is connected to the high frequency power source 112 through the waveguide 114. The prebuncher 116 bunches the electron beam incident from the electron gun 110 (density compression (velocity modulation)) and sends the electron beam to the accelerator 118. More specifically, a high-frequency electric field is formed in the prebuncher 116 by a high-frequency voltage supplied from the high-frequency power source 112, and the electron beam that has passed through the prebuncher 116 is bunched and enters the accelerator 118. By bunching the electron beam with the prebuncher 116, the dispersion of the energy of the electron beam accelerated by the accelerator 118 can be reduced, and the uniformity of the energy of the electron beam can be improved.

ここで、プリバンチャ116によって圧縮された電子線の加速器118への入射タイミングが、加速器118における高周波の正位相と同期したときのみ、電子線は加速器118で効率よく加速される。したがって、プリバンチャ116から加速器118への電子線の入射タイミングを調整するために、プリバンチャ116の高周波導入部116aには、不図示の位相調整手段が設けられている。また、電子線の圧縮率(バンチングされた電子線の長さ)も加速器118による加速効率に影響するため、すなわち、電子線の長さが短い程、加速化効率が向上する。したがって、供給する高周波の強度を調整して電子線の長さを調整するために、プリバンチャ116の高周波導入部116aには、不図示の減衰(アッテネータ)手段が設けられている。   Here, the electron beam is efficiently accelerated by the accelerator 118 only when the incident timing of the electron beam compressed by the prebuncher 116 to the accelerator 118 is synchronized with the high-frequency positive phase in the accelerator 118. Therefore, in order to adjust the incident timing of the electron beam from the prebuncher 116 to the accelerator 118, the high frequency introduction unit 116a of the prebuncher 116 is provided with a phase adjusting unit (not shown). In addition, since the compression rate of the electron beam (the length of the bunched electron beam) also affects the acceleration efficiency by the accelerator 118, that is, the shorter the electron beam length, the higher the acceleration efficiency. Therefore, in order to adjust the length of the electron beam by adjusting the strength of the high frequency to be supplied, the high frequency introducing section 116a of the prebuncher 116 is provided with an attenuation (attenuator) means (not shown).

(加速器118)
加速器118は、ステンレス(例えばSUS)等で形成され、内部に複数の加速空間を有して構成される。高周波電源112から高周波の電圧(例えば、3GHz)が供給されると、加速器118の複数の加速空間が空間共振器として機能し、空間共振器内に時間的に変化する電界が生じる。そして、この時間的に変化する電界で、プリバンチャ116によって圧縮された電子線を加速する。
(Accelerator 118)
The accelerator 118 is made of stainless steel (for example, SUS) or the like, and has a plurality of acceleration spaces inside. When a high-frequency voltage (for example, 3 GHz) is supplied from the high-frequency power source 112, the plurality of acceleration spaces of the accelerator 118 function as a spatial resonator, and an electric field that changes with time is generated in the spatial resonator. Then, the electron beam compressed by the prebuncher 116 is accelerated by this time-varying electric field.

ここで、電子線の速度と加速空間における正に帯電する(正位相になる)タイミングが同期するように、高周波電源112から供給される電圧の周波数と、加速空間の距離が設計されているため、電子線は加速器118内で徐々に加速され、最終的には、例えば10MeV程度まで加速されて、スキャンホーン120に入射される。   Here, the frequency of the voltage supplied from the high-frequency power supply 112 and the distance of the acceleration space are designed so that the speed of the electron beam and the timing of positive charging (becomes a positive phase) in the acceleration space are synchronized. The electron beam is gradually accelerated in the accelerator 118, and finally accelerated to, for example, about 10 MeV and is incident on the scan horn 120.

なお、ここでは、加速器118として、定在波型の線形(リニアック)加速器を採用しているが、電子を加速できればよく、進行波型の線形加速器や、シンクロトロン、サイクロトロン等の円形加速器を採用することもできる。   In this case, a standing wave type linear accelerator is used as the accelerator 118. However, a traveling wave type linear accelerator or a circular accelerator such as a synchrotron or a cyclotron is used as long as electrons can be accelerated. You can also

(スキャンホーン120)
スキャンホーン120は、その内部空間が加速器118と連結され、加速器118の出口付近に設けられたスキャン電磁石122と、加速器118と連結する端部と対向する端部に設けられた電子線取出部124とを含んで構成される(図1、図2参照)。
(Scan horn 120)
The internal space of the scan horn 120 is connected to the accelerator 118, the scan electromagnet 122 provided near the exit of the accelerator 118, and the electron beam extraction part 124 provided at the end facing the end connected to the accelerator 118. (See FIGS. 1 and 2).

スキャン電磁石122は、加速器118から入射された電子線を水平方向(図1中X軸方向)に走査(スキャン)する。電子線の進行方向は鉛直方向(図1中Y軸方向)であるため、スキャン電磁石122が鉛直方向に進行する電子線を水平方向に走査することにより、水平方向に幅のある被照射物Wに確実に電子線を照射することができる。   The scanning electromagnet 122 scans (scans) the electron beam incident from the accelerator 118 in the horizontal direction (X-axis direction in FIG. 1). Since the traveling direction of the electron beam is the vertical direction (Y-axis direction in FIG. 1), the scanning electromagnet 122 scans the electron beam traveling in the vertical direction in the horizontal direction, so that the irradiated object W having a width in the horizontal direction. It is possible to reliably irradiate an electron beam.

電子線取出部124は、例えば、50μm程度の厚みのTi箔で構成され、内部空間と、大気とを隔てる境界の役割を果たす。そして、電子線取出部124から大気中に取り出された電子線は、被照射物Wに照射される。   The electron beam extraction part 124 is made of, for example, a Ti foil having a thickness of about 50 μm and serves as a boundary that separates the internal space from the atmosphere. The electron beam extracted from the electron beam extraction unit 124 to the atmosphere is irradiated to the irradiation object W.

こうして、電子銃110で放出された電子線は、加速器118で加速されて、電子線取出部124を通じて、被照射物Wに照射される。   In this way, the electron beam emitted by the electron gun 110 is accelerated by the accelerator 118 and is irradiated to the irradiation object W through the electron beam extraction unit 124.

ところで、被照射物Wに電子線が照射される照射領域Rにおいて、電子線は、被照射物Wや、被照射物Wを搬送する搬送装置、搬送装置が設置される床部に衝突する。そうすると、電子線が衝突した箇所から放射線が発生する。したがって、発生した放射線が外部に漏洩しないように、電子線照射装置100を遮蔽壁で包囲する必要がある。   By the way, in the irradiation area | region R where the to-be-irradiated object W is irradiated with an electron beam, an electron beam collides with the to-be-irradiated object W, the conveying apparatus which conveys the to-be-irradiated object W, and the floor part in which a conveying apparatus is installed. If it does so, a radiation will generate | occur | produce from the location which the electron beam collided. Therefore, it is necessary to surround the electron beam irradiation apparatus 100 with a shielding wall so that the generated radiation does not leak outside.

以下、電子線照射装置100による電子線の照射に基づいて発生した放射線の外部への漏洩を防止する搬送構造200について詳述する。   Hereinafter, the transport structure 200 that prevents leakage of radiation generated based on the electron beam irradiation by the electron beam irradiation apparatus 100 to the outside will be described in detail.

(搬送構造200)
図3は、搬送構造200の全体像を説明するための平面図であり、図4は、図3におけるIV−IV断面図であり、図5は、図3におけるV−V断面図である。なお、図3では、理解を容易にするために天井壁の図示を省略する。
(Conveying structure 200)
3 is a plan view for explaining the entire image of the transport structure 200, FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3, and FIG. 5 is a sectional view taken along line VV in FIG. In FIG. 3, the ceiling wall is not shown for easy understanding.

図3〜図5に示すように、搬送構造200は、電子線照射装置100(図3〜5中、電子銃110、プリバンチャ116、加速器118、スキャンホーン120で構成される電子線照射部150と、高周波電源112と、導波管114とで示す)と、建屋300と、被照射物Wを搬送する搬送装置400とを含んで構成される。   As shown in FIGS. 3 to 5, the transport structure 200 includes an electron beam irradiation apparatus 100 (in FIGS. 3 to 5, an electron beam irradiation unit 150 including an electron gun 110, a prebuncher 116, an accelerator 118, and a scan horn 120. , A high frequency power source 112 and a waveguide 114), a building 300, and a transport device 400 that transports the irradiated object W.

建屋300は、コンクリート等で形成され、床部310と、遮蔽壁312と、天井壁314と、を含んで構成される。建屋300の内部には、電子線照射装置100と、電子線照射装置100の高周波電源112を収容する電源室302と、搬送通路350と、搬送通路350に設置される搬送装置400とが設けられる。なお、電源室302および搬送通路350は、床部310、遮蔽壁312、天井壁314の壁面によって区画される。   The building 300 is made of concrete or the like, and includes a floor portion 310, a shielding wall 312, and a ceiling wall 314. Inside the building 300, an electron beam irradiation device 100, a power supply chamber 302 that accommodates the high frequency power source 112 of the electron beam irradiation device 100, a transfer passage 350, and a transfer device 400 installed in the transfer passage 350 are provided. . The power supply chamber 302 and the transfer passage 350 are partitioned by the wall surface of the floor portion 310, the shielding wall 312 and the ceiling wall 314.

図6は、搬送通路350を説明するための説明図である。図6に示すように、搬送通路350は、第1通路352と、第2通路354a、354bと、第3通路356a、356bと、第4通路358a、358bと、第5通路360a、360bと、第6通路362a、362bと、第1昇降通路370a、370bと、第2昇降通路372a、372bとを含んで構成される。   FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the conveyance path 350. As shown in FIG. 6, the conveyance passage 350 includes a first passage 352, a second passage 354a, 354b, a third passage 356a, 356b, a fourth passage 358a, 358b, a fifth passage 360a, 360b, Sixth passages 362a and 362b, first elevating passages 370a and 370b, and second elevating passages 372a and 372b are configured.

本実施形態において、第1通路352、第5通路360a、360b、第6通路362a、362bは、1階(グランドレベル)に設けられ、第2通路354a、354b、第3通路356a、356b、第4通路358a、358bは、グランドレベルよりも鉛直方向の高さが高い2階に設けられる。したがって、第1昇降通路370aは、1階の第1通路352と2階の第2通路354aとを接続する機能を果たす。第1昇降通路370bは、1階の第1通路352と2階の第2通路354bとを接続する機能を果たす。第2昇降通路372aは、1階の第5通路360aと2階の第4通路358aとを接続する機能とを果たす。第2昇降通路372bは、1階の第5通路360bと2階の第4通路358bを接続する機能を果たす。   In the present embodiment, the first passage 352, the fifth passage 360a, 360b, the sixth passage 362a, 362b are provided on the first floor (ground level), the second passage 354a, 354b, the third passage 356a, 356b, The four passages 358a and 358b are provided on the second floor whose height in the vertical direction is higher than the ground level. Accordingly, the first elevating passage 370a functions to connect the first passage 352 on the first floor and the second passage 354a on the second floor. The first elevating passage 370b serves to connect the first passage 352 on the first floor and the second passage 354b on the second floor. The second lift passage 372a functions to connect the fifth passage 360a on the first floor and the fourth passage 358a on the second floor. The second elevating passage 372b functions to connect the fifth passage 360b on the first floor and the fourth passage 358b on the second floor.

1階部分において、第5通路360a、360bは、第1通路352と平行である。1階部分において、第5通路360aと第6通路362aとは水平方向に直交し、第5通路360bと第6通路362bとは水平方向に直交するように設けられる。また、2階部分において、第3通路356aは第2通路354aと水平方向に直交し、第3通路356bは第2通路354bと水平方向に直交するように設けられる。2階部分において、第4通路358a、358bは、第2通路354a、354bと平行である。2階部分において、第2通路354aと第3通路356aとは水平方向に直交し、第2通路354bと第3通路356bとは水平方向に直交するように設けられる。   In the first floor portion, the fifth passages 360 a and 360 b are parallel to the first passage 352. In the first floor portion, the fifth passage 360a and the sixth passage 362a are provided to be orthogonal to the horizontal direction, and the fifth passage 360b and the sixth passage 362b are provided to be orthogonal to the horizontal direction. In the second floor portion, the third passage 356a is provided to be orthogonal to the second passage 354a in the horizontal direction, and the third passage 356b is provided to be orthogonal to the second passage 354b in the horizontal direction. In the second floor portion, the fourth passages 358a and 358b are parallel to the second passages 354a and 354b. In the second floor portion, the second passage 354a and the third passage 356a are provided to be orthogonal to the horizontal direction, and the second passage 354b and the third passage 356b are provided to be orthogonal to the horizontal direction.

本実施形態において電子線照射部150は、第1通路352の中央に設けられるため、照射領域Rは第1通路352に位置することになり、第2通路354a、354bは、照射領域Rからの距離が第1通路352よりも遠い距離に位置することとなる。   In the present embodiment, since the electron beam irradiation unit 150 is provided at the center of the first passage 352, the irradiation region R is located in the first passage 352, and the second passages 354a and 354b are connected to the irradiation region R from the irradiation region R. The distance is located at a distance farther than the first passage 352.

搬送装置400は、搬送通路350に設置されており、図6(a)中、白抜き矢印で示すように、搬入部376aから第6通路362a、第5通路360a、第2昇降通路372a、第4通路358a、第3通路356a、第2通路354a、第1昇降通路370aを通じて、第1通路352の照射領域Rに被照射物Wを搬入する。そして搬送装置400は、照射領域Rにおいて電子線が照射された被照射物Wを、第1通路352、第1昇降通路370b、第2通路354b、第3通路356b、第4通路358b、第2昇降通路372b、第5通路360b、第6通路362bを通じて搬出部376bへ搬出する。   The transfer device 400 is installed in the transfer passage 350, and as shown by the white arrow in FIG. 6A, the sixth passage 362a, the fifth passage 360a, the second elevating passage 372a, the second passage 372a from the carry-in portion 376a. The irradiated object W is carried into the irradiation region R of the first passage 352 through the four passages 358a, the third passage 356a, the second passage 354a, and the first elevating passage 370a. The transfer device 400 then irradiates the irradiated object W irradiated with the electron beam in the irradiation region R with the first passage 352, the first elevating passage 370b, the second passage 354b, the third passage 356b, the fourth passage 358b, and the second passage. It is carried out to the carry-out part 376b through the up-and-down passage 372b, the fifth passage 360b, and the sixth passage 362b.

搬送装置400は、例えば、コンベアで構成され、コンベア上に被照射物Wを載置して搬送する。また、搬送装置400における方向切換箇所、詳細には、第2通路354aと第3通路356aとの接続箇所、第2通路354bと第3通路356bとの接続箇所、第3通路356aと第4通路358aとの接続箇所、第3通路356bと第4通路358bとの接続箇所、第5通路360aと第6通路362aとの接続箇所、第5通路360bと第6通路362bとの接続箇所には、被照射物Wを押し出すための押出装置が設けられており、被照射物Wの搬送方向を90度変更することができる。   The conveyance apparatus 400 is comprised with a conveyor, for example, mounts the to-be-irradiated object W on a conveyor, and conveys it. In addition, the direction switching portion in the transfer device 400, specifically, the connection portion between the second passage 354a and the third passage 356a, the connection portion between the second passage 354b and the third passage 356b, the third passage 356a and the fourth passage. 358a, the third passage 356b and the fourth passage 358b, the fifth passage 360a and the sixth passage 362a, the fifth passage 360b and the sixth passage 362b, An extrusion device for extruding the irradiation object W is provided, and the conveyance direction of the irradiation object W can be changed by 90 degrees.

さらに、第1昇降通路370a、370bに設けられる搬送装置400は、図7に示すように、被照射物Wを鉛直方向に昇降する、エレベータ等の昇降装置410aで構成される。図7では、第1昇降通路370aを例に挙げているため、昇降装置410aは、2階の第2通路354aに設けられた搬送装置400bで搬送された被照射物Wを鉛直下方に降下させ、第1通路352に設けられた搬送装置400cに搬送する。なお、第1昇降通路370b、第2昇降通路372a、372bにも昇降装置(図示せず)が設けられており、第2昇降通路372bに設けられた昇降装置は、昇降装置410aと同様に、被照射物Wを鉛直下方に下降させ、第1昇降通路370b、第2昇降通路372aに設けられた昇降装置は、被照射物Wを鉛直上方に上昇させる。   Further, as shown in FIG. 7, the transfer device 400 provided in the first elevating passages 370a and 370b includes an elevating device 410a such as an elevator that elevates and lowers the irradiation object W in the vertical direction. In FIG. 7, since the first elevating passage 370a is taken as an example, the elevating device 410a lowers the irradiated object W conveyed by the conveying device 400b provided in the second passage 354a on the second floor vertically downward. Then, it is transferred to the transfer device 400c provided in the first passage 352. The first elevating passage 370b and the second elevating passages 372a and 372b are also provided with an elevating device (not shown), and the elevating device provided in the second elevating passage 372b is similar to the elevating device 410a. The irradiated object W is lowered vertically downward, and the lifting devices provided in the first lifting / lowering path 370b and the second lifting / lowering path 372a raise the irradiated object W vertically upward.

図8は、照射領域で発生した放射線の放出方向を説明するための説明図である。図8に示すように、照射領域Rで発生した放射線は、360度すべての方向に放出される。照射領域Rで発生した放射線は、搬送構造200の内部において最も線量の多い放射線となる。   FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining the emission direction of the radiation generated in the irradiation region. As shown in FIG. 8, the radiation generated in the irradiation region R is emitted in all directions of 360 degrees. The radiation generated in the irradiation region R becomes the radiation with the highest dose inside the transport structure 200.

したがって、第1通路352を区画する遮蔽壁312(前面壁312a)は、図8(a)中、Z軸方向に放出される放射線を吸収できる程度に、Z軸方向の厚みが厚く形成される。また、第1通路352と電源室302とを区画する遮蔽壁312(中間壁312b)にも最も線量の多い放射線が直進入射するが、中間壁312bと外部Eとの間に、電源室302を区画する遮蔽壁312(背面壁312c)が設けられているため、中間壁312bと背面壁312cとのZ軸方向の厚みの和が前面壁312aの厚みと等しくなるように中間壁312bと背面壁312cが形成される。   Therefore, the shielding wall 312 (front wall 312a) that defines the first passage 352 is formed with a thickness in the Z-axis direction that is thick enough to absorb the radiation emitted in the Z-axis direction in FIG. 8A. . The radiation with the highest dose also enters the shielding wall 312 (intermediate wall 312b) that partitions the first passage 352 and the power supply chamber 302, but the power supply chamber 302 is placed between the intermediate wall 312b and the outside E. Since the partitioning shielding wall 312 (rear wall 312c) is provided, the intermediate wall 312b and the rear wall so that the sum of the thicknesses in the Z-axis direction of the intermediate wall 312b and the rear wall 312c is equal to the thickness of the front wall 312a. 312c is formed.

また図8(b)に示すように、鉛直方向(図8中Y軸方向)に放出される放射線については、床部310および天井壁314が吸収する。具体的に説明すると、照射領域Rの鉛直下方には地面が存在する。地面は放射線を吸収することができるので、鉛直下方に放出される放射線は、床部310および地面で吸収される。したがって床部310は、地面が放射線を吸収できる分を勘案して、前面壁312aよりも厚みを薄くすることができる。天井壁314は、鉛直上方に放出される放射線を吸収し外部Eへの漏洩を遮断する程度の厚み(前面壁312aと同程度の厚み)に形成される。   As shown in FIG. 8B, the floor 310 and the ceiling wall 314 absorb the radiation emitted in the vertical direction (the Y-axis direction in FIG. 8). More specifically, the ground exists vertically below the irradiation region R. Since the ground can absorb radiation, the radiation emitted vertically downward is absorbed by the floor 310 and the ground. Accordingly, the floor 310 can be made thinner than the front wall 312a in consideration of the amount of radiation that the ground can absorb. The ceiling wall 314 is formed to have a thickness that can absorb the radiation emitted vertically upward and block the leakage to the outside E (the same thickness as the front wall 312a).

さらに、図8(b)に示すように、照射領域Rで発生した放射線は、水平方向(図8(b)中X軸方向)に放出される。したがって、照射領域Rの水平方向に位置する右側壁312dおよび左側壁312eは、前面壁312aと同程度の厚みに形成される。   Further, as shown in FIG. 8B, the radiation generated in the irradiation region R is emitted in the horizontal direction (X-axis direction in FIG. 8B). Therefore, the right side wall 312d and the left side wall 312e located in the horizontal direction of the irradiation region R are formed to have the same thickness as the front wall 312a.

本実施形態において、搬送通路350は、1階と2階とで形成されるため、2階の床における図8(b)のX軸方向の幅分、1階の遮蔽壁312(右側壁312dおよび左側壁312e)を建屋300の内側に形成することができる。換言すれば、2階の床を1階の遮蔽壁312として機能させることができる。したがって、図8(b)中X軸方向に放出した放射線を確実に遮断するとともに、従来よりも搬送構造200の設置面積を小さくすることが可能となる。   In the present embodiment, since the conveyance passage 350 is formed on the first floor and the second floor, the first-floor shielding wall 312 (right side wall 312d) corresponding to the width in the X-axis direction of FIG. And the left side wall 312e) may be formed inside the building 300. In other words, the floor on the second floor can function as the shielding wall 312 on the first floor. Therefore, the radiation emitted in the X-axis direction in FIG. 8B can be reliably blocked and the installation area of the transport structure 200 can be made smaller than before.

また、図8(b)に示すように、照射領域Rで発生した放射線であって、水平面からの角度α(0<α<90)で放出される放射線のうちの一部(図8(b)中、破線の矢印で示す)は、第1通路352から第1昇降通路370a、370bを通じて、直接第2通路354a、354bに抜けるおそれがある。そうすると、2階の遮蔽壁312(右側壁312fおよび左側壁312g)を前面壁312aと同程度の厚みにする必要がある。   Further, as shown in FIG. 8B, a part of the radiation generated in the irradiation region R and emitted at an angle α (0 <α <90) from the horizontal plane (FIG. 8B ) (Shown by broken arrows) may pass directly from the first passage 352 to the second passages 354a and 354b through the first elevating passages 370a and 370b. Then, the shielding wall 312 (the right side wall 312f and the left side wall 312g) on the second floor needs to have the same thickness as the front wall 312a.

そこで、本実施形態では、第1通路352を区画する天井壁314の一部を鉛直下方に突出させて遮蔽部330を形成する。そして遮蔽部330の頂部330a(第1通路352の天井壁面330a)が、放射線の発生源(P1、P2)と、第2通路354a、354bを区画する底面の照射領域R側の端部Qとを結ぶ直線P1Q、P2Q上に位置するように遮蔽部330を構成する。ここで、発生源P1は、電子線が被照射物Wに衝突したときの放射線の発生源であり、発生源P2は、電子線が床部310に衝突したときの放射線の発生源である。   Therefore, in this embodiment, a part of the ceiling wall 314 that defines the first passage 352 protrudes vertically downward to form the shielding part 330. And the top part 330a of the shielding part 330 (the ceiling wall surface 330a of the first passage 352) is a radiation source (P1, P2) and the end part Q on the irradiation region R side of the bottom surface that defines the second passages 354a, 354b. The shielding part 330 is configured so as to be positioned on the straight lines P1Q and P2Q connecting the two. Here, the generation source P1 is a radiation generation source when the electron beam collides with the irradiation object W, and the generation source P2 is a radiation generation source when the electron beam collides with the floor portion 310.

そうすると、発生源P1、P2から放出された最も線量の多い放射線は、2階(第2通路354)に直接入射することなく、必ず遮蔽部330で反射することになる。したがって、第1通路352の発生源P1、P2から第2通路354a、354bへの放射線の直進入射を遮蔽することができる。これにより、2階の右側壁312fおよび左側壁312gの厚みを前面壁312aよりも薄くすることが可能となる。   Then, the radiation with the highest dose emitted from the generation sources P1 and P2 is always reflected by the shielding unit 330 without directly entering the second floor (second passage 354). Therefore, it is possible to shield the straight incidence of radiation from the generation sources P1 and P2 of the first passage 352 to the second passages 354a and 354b. Thereby, the thickness of the right side wall 312f and the left side wall 312g of the second floor can be made thinner than the front wall 312a.

そして、図9(a)、(b)に示すように、遮蔽部330で1回目の反射(T1)をして線量が減少した放射線は、床部310(図9(a))、または、第1昇降通路370a、370bを区画する遮蔽壁312(右側壁312d、左側壁312e)(図9(b))で2回目の反射(T2)をし、第1昇降通路370a、370bを区画する天井壁314で3回目の反射(T3)をし、第2通路354a、354bを区画する遮蔽壁312(右側壁312f、左側壁312g)で4回目の反射(T4)をする。   Then, as shown in FIGS. 9A and 9B, the radiation whose dose is reduced by the first reflection (T1) at the shielding unit 330 is the floor 310 (FIG. 9A), or Second shielding (T2) is performed by the shielding walls 312 (the right side wall 312d and the left side wall 312e) (FIG. 9B) that divide the first elevating passages 370a and 370b, and the first elevating passages 370a and 370b are divided. The third reflection (T3) is performed on the ceiling wall 314, and the fourth reflection (T4) is performed on the shielding walls 312 (the right side wall 312f and the left side wall 312g) that define the second passages 354a and 354b.

このように、照射領域Rで発生した放射線は、第2通路354a、354bに到達するまでに反射点T1、T2、T3、T4と4回反射することになる。したがって、電子線照射装置100から照射される電子線のエネルギーが、例えば10MeV程度であっても、照射領域Rから第2通路354a、354bに到達するまでに4回反射させることになるため、外部Eに放出しても問題ない線量に減少させることが可能となる。   Thus, the radiation generated in the irradiation region R is reflected four times at the reflection points T1, T2, T3, and T4 before reaching the second passages 354a and 354b. Therefore, even if the energy of the electron beam irradiated from the electron beam irradiation apparatus 100 is, for example, about 10 MeV, it is reflected four times before reaching the second passages 354a and 354b from the irradiation region R. It becomes possible to reduce the dose so that there is no problem even if it is released into E.

以上説明したように、本実施形態にかかる搬送構造200によれば、建屋300の設置面積を小さくすることができ、電子線照射装置100が照射した電子線に基づいて発生した放射線の外部Eへの漏洩を確実に遮断することが可能となる。   As described above, according to the transport structure 200 according to the present embodiment, the installation area of the building 300 can be reduced, and the radiation E generated based on the electron beam irradiated by the electron beam irradiation apparatus 100 is directed to the outside E. It is possible to reliably block the leakage.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to this embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Is done.

例えば、上述した実施形態では、第1の通路を第1通路352と、第2の通路を第2通路354a、354bと、第3の通路を第3通路356a、356bとしているが、第1の通路を第3通路356a、356bとし、第2の通路を第4通路358a、358bとしてもよい。   For example, in the above-described embodiment, the first passage is the first passage 352, the second passage is the second passages 354a and 354b, and the third passage is the third passages 356a and 356b. The passage may be the third passages 356a and 356b, and the second passage may be the fourth passages 358a and 358b.

また、上述した実施形態では、第1の通路(第1通路352)は第2の通路(第2通路354a、354b)よりも鉛直下方に位置するが、遮蔽部330が第1通路352から第2通路354a、354bへの放射線の直進入射を遮蔽することができれば、第1の通路が第2の通路よりも鉛直上方に位置してもよい。   In the above-described embodiment, the first passage (first passage 352) is located vertically below the second passage (second passages 354a and 354b), but the shielding portion 330 extends from the first passage 352. The first passage may be positioned vertically higher than the second passage as long as it can block the rectilinear incidence of radiation into the two passages 354a and 354b.

さらに、上述した実施形態において、遮蔽部330は、第1通路352を区画する天井壁314の一部を鉛直下方に突出させているが、第1の通路から第2の通路への放射線の直進入射を遮蔽することができればよい。例えば、図10に示すように、遮蔽部330が第1昇降通路370a、370bを区画する壁面に設けられてもよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, the shielding unit 330 projects a part of the ceiling wall 314 that defines the first passage 352 vertically downward, but the radiation travels straight from the first passage to the second passage. What is necessary is just to be able to shield incidence. For example, as shown in FIG. 10, the shielding part 330 may be provided on the wall surface that divides the first elevating passages 370a and 370b.

本発明は、被照射物に電子線を照射する電子線照射装置を用いた被照射物の搬送構造に利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for an object transport structure using an electron beam irradiation apparatus that irradiates an object with an electron beam.

R …照射領域
W …被照射物
100 …電子線照射装置
200 …搬送構造
312 …遮蔽壁
314 …天井壁
330 …遮蔽部
350 …搬送通路
352 …第1通路(第1の通路)
354 …第2通路(第2の通路)
356 …第3通路(第3の通路)
370 …第1昇降通路
376a …搬入部
376b …搬出部
400 …搬送装置
R ... Irradiation area W ... Irradiated object 100 ... Electron beam irradiation apparatus 200 ... Conveying structure 312 ... Shielding wall 314 ... Ceiling wall 330 ... Shielding part 350 ... Conveying passage 352 ... First passage (first passage)
354 ... Second passage (second passage)
356 ... 3rd passage (3rd passage)
370 ... 1st raising / lowering passage 376a ... Carry-in part 376b ... Carry-out part 400 ... Conveyance apparatus

Claims (7)

被照射物に電子線を照射する電子線照射装置と、
壁面で区画される搬送通路上に設けられ、前記電子線照射装置によって前記被照射物に電子線が照射される領域であり、かつ、当該電子線に基づいて放射線が発生する領域である照射領域と、
前記搬送通路に設置され、搬入部から前記照射領域へ前記被照射物を搬入するとともに前記照射領域から搬出部に前記被照射物を搬出する搬送装置と、
前記搬送通路の一部を構成する第1の通路と、
前記第1の通路と鉛直方向の高さを異にするとともに、前記照射領域からの距離が当該第1の通路よりも遠い距離に位置する第2の通路と、
前記第1の通路と前記第2の通路とを接続する昇降通路と、
前記第1の通路を区画する壁面および前記昇降通路を区画する壁面の少なくともいずれか一方に設けられ、前記第1の通路から前記第2の通路への前記放射線の直進入射を遮蔽する遮蔽部と、
を備えたことを特徴とする被照射物の搬送構造。
An electron beam irradiation apparatus for irradiating an object with an electron beam;
An irradiation area provided on a conveyance path defined by a wall surface, wherein the irradiation object is irradiated with an electron beam by the electron beam irradiation device, and radiation is generated based on the electron beam When,
A transport device installed in the transport path and carrying the irradiated object from the carry-in section to the irradiation area and carrying the irradiated object from the irradiation area to the carry-out section;
A first passage constituting a part of the transport passage;
A second passage having a vertical height different from that of the first passage and a distance from the irradiation region being a distance farther than the first passage;
An elevating passage connecting the first passage and the second passage;
A shielding portion that is provided on at least one of a wall surface that defines the first passage and a wall surface that defines the lifting passage, and that shields the radiation from entering the second passage straight from the first passage; ,
A structure for transporting an object to be irradiated.
前記照射領域は前記第1の通路に設けられることを特徴とする請求項1に記載の被照射物の搬送構造。   The said irradiation area | region is provided in a said 1st channel | path, The conveyance structure of the to-be-irradiated object of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記第1の通路は、前記第2の通路よりも鉛直下方に位置することを特徴とする請求項2に記載の被照射物の搬送構造。   The transport structure for an irradiated object according to claim 2, wherein the first passage is positioned vertically below the second passage. 前記電子線照射装置は、前記電子線を鉛直下方向に照射することを特徴とする請求項3に記載の被照射物の搬送構造。   The said electron beam irradiation apparatus irradiates the said electron beam to a perpendicular downward direction, The conveyance structure of the to-be-irradiated object of Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記遮蔽部は、前記第1の通路を区画する天井壁面であり、
前記照射領域における前記放射線の発生源と、前記第2の通路を区画する底面の当該照射領域側の端部とを結ぶ直線上に、前記第1の通路の天井壁面が位置することを特徴とする請求項3または4に記載の被照射物の搬送構造。
The shielding portion is a ceiling wall surface defining the first passage;
The ceiling wall surface of the first passage is located on a straight line connecting the radiation generation source in the irradiation region and the end of the bottom surface defining the second passage on the irradiation region side, The transport structure of the irradiated object according to claim 3 or 4.
前記第1の通路の一端側は、前記昇降通路を介して前記第2の通路と接続されており、当該第1の通路の他端側は、他の昇降通路を介して前記第1の通路および第2の通路とは異なる通路に接続されていることを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の被照射物の搬送構造。   One end side of the first passage is connected to the second passage through the lifting passage, and the other end side of the first passage is connected to the first passage through another lifting passage. The transport structure for an irradiated object according to any one of claims 3 to 5, wherein the transport structure is connected to a path different from the second path. 前記搬送通路は、
前記第2の通路と鉛直方向の高さが等しく、当該第2の通路と水平方向に直交する第3の通路を含んで構成されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の被照射物の搬送構造。
The conveyance path is
The height of the said 2nd channel | path is equal to the said 2nd channel | path, and it is comprised including the 3rd channel | path orthogonal to the said 2nd channel | path and a horizontal direction. The transport structure of the irradiated object described in 1.
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