JP2012511711A - 単一光子感度センサのための処理方法およびこれを用いた装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置された、光子を一次電子に変換するように設計された光電陰極と、加速された一次電子のエネルギーの少なくとも一部を複数の検出セルによって収集される二次電荷に変換する変換器と、前記検出セルによって収集された電荷を、単位時間あたりおよび単一電子程度のセルの単位面積あたりで衝突密度を得ることを可能にする集積時間と共に、読み出すように構成された取得回路と、少なくともそのうちの1つが閾値よりも大きな収集電荷量を持ついわゆるメインセルである近接する検出セルのクラスターを特定する手段と、前記クラスターの少なくとも1つの特性を決定する手段と、一次電子の変換に起因する参照クラスターの少なくとも1つの特性を記憶する手段と、前記クラスターが一次電子の変換に起因するかどうかを証明するために、前記クラスターの決定された特性を前記参照クラスターの記憶された特性と比較する手段と、を含むセンサを備えた光子検出装置に関する。
Description
本発明の技術分野は、光量が低いシーンでの光子の検出に関する。
より詳しくは、本発明は、単一光子検出用の感度を持つセンサを備えた光子検出装置の分野、およびそれらの実行方法に関する。
本発明は、暗視シーンを処理する分野、例えば、防衛安全、または蛍光顕微鏡法などの科学産業画像化の分野に、好ましいが非限定的な用途を見つけ出す。
技術状況としては、この目的のために、EBCMOSと略される、電子衝撃相補型金属酸化膜半導体(Electro Bombarded Complementary Metal-Oxide Semiconductor)を使用することが知られている。
特許文献1には、光電陰極とシリコン画素アレイとで構成された前記センサが記載されている。これらの2つの構成要素は、シールされ、真空チャンバを形成する。
光電陰極は、少なくとも1つの光源から放射された光子を、光電効果により一次電子に変換する。一次電子は、それらが個々に検出され得るようにそれらの電子に十分な運動エネルギーを与える電磁場により画素アレイに向かって加速される。
画素アレイは、光電陰極と対向して配置された検出体を有し、加速された一次電子がこの検出体に入り込む。検出体内での一次電子の相互作用は、規則的なピッチで、例えばマトリクス状に配置され、かつ、読み出しノイズを最適化しつつ電荷を収集するように構成されたダイオードまで拡散する電荷を作り出す。ダイオードの基本パターンが画素に対応し、1つの画素に数個のダイオードを配置することができる。
ダイオード内での電荷の蓄積は、画像の連続からなるビデオ信号を生成するように処理された電気信号の形成を可能とする。各画像は、センサの集積時間中に画素に堆積したエネルギーの合計に対応する。
この種のセンサは、40msの集積時間に対応する25Hz程度の画像周波数を持つ光量が低いシーンでの使用のために、例えば、暗視のために主として設計された。
しかしながら、画素アレイは、望ましくないこととして、光子の変換の後に光電陰極から直接的には生じない電子をも変換する。これは、画素アレイによって記録される画像中に寄生効果を発生させる。
寄生効果の第1の類型は、ハロー効果である。これは、画素アレイ上での一次電子の後方散乱、それらの画素アレイに向かっての再加速、およびアレイによるそれらの検出が原因である。画像は、センサの集積時間中に画素に堆積したエネルギーの合計を、このエネルギーが後方散乱電子に由来しようと一次電子に由来しようと、効果的に受ける。光量が低い、すなわち1ミリルクス未満で、かつ、局所的な強輝度源を含むシーンに対しては、源の画像の回りに円形ハローの形成をもたらす後方散乱電子のために、電荷の蓄積が発生する。ハローの半径は、大きくても光電陰極と画素アレイの間の距離の2倍である。このハローに含まれる対象物の全ての画像が見えなくなる。通常は1mm程度の光電陰極と画素アレイの間の距離により、ハローがセンサ面積の大部分をカバーすることがあり、センサがその全機能を失う。
寄生効果の第2の類型は、いわゆる「光電陰極でのイオン後方照射」効果である。真空チャンバ内に存在する残余原子は、それ自身が光電陰極に向かって加速される前に、一次電子によってイオン化されることがある。この後に、多数の電子の光電陰極からの局所的な引き離しが続き、それらが画素アレイに向かって加速される。この電子の高密度は、得られる画像に強い点として現れる。
寄生効果の第3の類型は、いわゆる「暗所カウント」効果である。この効果は、熱イオン効果または電界効果を受けた光電陰極による電子の放射から生じる電子放射バックグラウンドノイズに起因する。光量が低いシーンの画像にとっては、電子バックグラウンドノイズは再現されるシーンにおいてランダムなスノー効果の原因となる。
電子の後方散乱の現象およびそれ故のハロー現象を減少させることを試みるために、特許文献2には、電子収集用表面に型押し構造を付けることが提案されている。前記表面を製造する問題に加えて、この解決策は、収集用表面感度の一部を取り除いてしまうとともに、記録画像において寄生効果を低減させることができない。
本発明の1つの目的は、寄生効果があるにもかかわらず、光量が低いシーンでの光子の検出または認識を可能にすることである。
本発明のさらなる目的は、低い光量でのシーンの処理に適したセンサであって光子の変換に起因するいわゆる一次電子の検出を可能とするセンサにより生成されたデータを処理する方法を提供することである。
この目的のために、本発明の方法は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置された、少なくとも1つの光源から放射された光子を一次電子に変換するように設計され、かつ、前記一次電子を加速するように調整された電磁場を受ける光電陰極と、電子を二次電荷に変換する、前記真空チャンバ内に前記光電陰極と対向して配置され、かつ、加速された一次電子のエネルギーの少なくとも一部を、規則的なピッチで配置された複数の検出セルによって収集される二次電荷、に変換するように構成された変換器であって、光子の変換から直接的には生じず、後方散乱型、イオン後方照射に起因する型または電子放射バックグラウンドノイズから生じる型であり得るいわゆる寄生電子も変換する変換器と、前記検出セルによって収集された前記電荷を、単位時間あたりおよび単一電子程度のセルの単位面積あたりで衝突密度を得ることを可能にする集積時間と共に、読み出すように構成された取得回路と、を含む形式のセンサにより生成されるデータを使用する。
本発明によれば、前記方法は、以下の工程を備える。
−少なくともそのうちの1つが閾値よりも大きな収集電荷量を持ついわゆるメインセルである近接する検出セルのクラスターを特定する。
−前記クラスターの少なくとも1つの特性を決定する。
−一次電子の変換に起因するクラスターを証明するために、前記クラスターの決定された特性を、一次電子の変換に起因するクラスターの少なくとも1つの特性、と比較する。
−少なくともそのうちの1つが閾値よりも大きな収集電荷量を持ついわゆるメインセルである近接する検出セルのクラスターを特定する。
−前記クラスターの少なくとも1つの特性を決定する。
−一次電子の変換に起因するクラスターを証明するために、前記クラスターの決定された特性を、一次電子の変換に起因するクラスターの少なくとも1つの特性、と比較する。
実施形態の1つの変形によれば、前記方法は、一次電子の変換に起因しないと特定されたクラスターを削除する工程をさらに備える。
実施形態の1つの有益な変形によれば、前記方法は、後方散乱電子の変換に起因するクラスターを特定するために、前記クラスターの決定された一次的な特性と後方散乱電子の変換に起因するクラスターの少なくとも1つの二次的な特性とを対比する工程と、前記対比工程で証明されたクラスターを削除する工程と、をさらに備える。
この変形は、局所的な強輝度源を含む、光量が低いシーンを検出する際、後方散乱電子によるハロー効果の削除を利点的に可能にする。
実施形態の1つの有益な変形によれば、前記方法は、イオン後方照射に起因するクラスターを特定するために、前記クラスターの決定された一次的な特性とイオン後方照射に起因するクラスターの少なくとも1つの二次的な特性との類似性を調査する工程と、前記対比工程で証明されたクラスターを削除する工程と、を備える。
この変形は、光電陰極でのイオン後方照射の効果の削除を利点的に可能にする。
実施形態の1つの有益な変形によれば、前記方法は、以下の工程も備える。
−特定され、かつ、削除されなかった各クラスターの基点に前記光子の位置を決定する。
−決定された全ての位置の少なくとも一部を格納する。
−決定された新しい各位置を格納された位置と比較する。
−電子バックグラウンドノイズに起因する電子の位置を証明するために、比較の結果から、格納された位置に含まれない新しい位置を特定する。
−前記特定工程で証明された新しい位置を削除する。
−特定され、かつ、削除されなかった各クラスターの基点に前記光子の位置を決定する。
−決定された全ての位置の少なくとも一部を格納する。
−決定された新しい各位置を格納された位置と比較する。
−電子バックグラウンドノイズに起因する電子の位置を証明するために、比較の結果から、格納された位置に含まれない新しい位置を特定する。
−前記特定工程で証明された新しい位置を削除する。
この変形は、熱イオン効果によるまたは電界効果による光電陰極からの電子の放射から生じる電子放射バックグラウンドノイズの効果の削除を利点的に可能にする。
本発明に係る方法は、さらに以下の特徴の少なくとも1つを備えていてもよい。
−前記クラスターの特定工程は、収集電荷量が閾値よりも大きな前記メインセルを少なくとも証明する工程と、前記メイン検出セルに隣接するセルにおいて収集された電荷から前記クラスターを認識する工程と、を備える。
−前記方法は、特定され、かつ、削除されなかったクラスターからビデオ信号を生成する工程を備える。
−前記方法は、決定され、かつ、削除されなかった位置から位置信号を生成する工程を備える。
−前記クラスターの特定工程は、収集電荷量が閾値よりも大きな前記メインセルを少なくとも証明する工程と、前記メイン検出セルに隣接するセルにおいて収集された電荷から前記クラスターを認識する工程と、を備える。
−前記方法は、特定され、かつ、削除されなかったクラスターからビデオ信号を生成する工程を備える。
−前記方法は、決定され、かつ、削除されなかった位置から位置信号を生成する工程を備える。
本発明のさらなる目的は、寄生効果があるにもかかわらず、光量が低いシーンで光子を検出する装置を提供することである。
この目的のために、本発明に係る光子検出装置は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置された、光子を一次電子に変換するように設計され、かつ、前記一次電子を加速するように調整された電磁場を受ける光電陰極と、電子を二次電荷に変換する、前記真空チャンバ内に前記光電陰極と対向して配置され、かつ、加速された一次電子のエネルギーの少なくとも一部を、規則的なピッチで配置された複数の検出セルによって収集される二次電荷、に変換するように構成された変換器であって、光子の変換から直接的には生じず、後方散乱型、イオン後方照射に起因する型または電子放射バックグラウンドノイズから生じる型であり得るいわゆる寄生電子も変換する変換器と、前記検出セルによって収集された前記電荷を、単位時間あたりおよび単一電子程度のセルの単位面積あたりで衝突密度を得ることを可能にする集積時間と共に、読み出すように構成された取得回路と、を含むセンサを備える。
本発明によれば、前記検出装置は、少なくともそのうちの1つが閾値よりも大きな収集電荷量を持ついわゆるメインセルである近接する検出セルのクラスターを特定する手段と、前記クラスターの少なくとも1つの特性を決定する手段と、一次電子の変換に起因するクラスターの少なくとも1つの特性を記憶する手段と、一次電子の変換に起因するクラスターを証明するために、前記クラスターの特性を一次電子の変換に起因するクラスターの記憶された特性と比較する手段と、も備える。
実施形態の1つの変形によれば、前記検出装置は、前記比較手段によって一次電子の変換に起因しないと特定されたクラスターを削除する手段を備える。
実施形態の1つの有益な変形によれば、前記記憶手段は、後方散乱電子の変換に起因するクラスターの少なくとも1つの特性を記憶し、前記装置は、後方散乱電子の変換に起因する前記クラスターを証明するために、前記クラスターの決定された特性を後方散乱電子の変換に起因するクラスターの記憶された特性と対比する手段を備え、前記装置は、前記対比手段によって証明されたクラスターを削除する手段を備える。
この変形は、局所的な強輝度源を含む、光量が低いシーンでのハロー効果の形成を利点的に防止する。
実施形態の1つの有益な変形によれば、前記記憶手段は、イオン後方照射に起因するクラスターの少なくとも1つの特性を記憶し、前記装置は、イオン後方照射に起因するクラスターを証明するために、前記クラスターの決定された特性をイオン後方照射に起因するクラスターの記憶された特性と対比する手段を備え、前記装置は、前記対比手段によって証明されたクラスターを削除する手段を備える。
この変形は、光電陰極でのイオン後方照射の効果の削除を利点的に可能にする。
実施形態の1つの有益な変形によれば、前記装置は、特定され、かつ、削除されなかった各クラスターの基点に前記光子の位置を決定する手段と、決定された全ての位置の少なくとも一部を格納する手段と、決定された新しい各位置を格納された位置と比較する手段と、熱イオン効果によるまたは電界効果による電子放射バックグラウンドノイズに起因する電子の位置を証明するために、比較の結果を使用して格納された位置に含まれない新しい位置を特定する手段と、前記特定手段によって証明された位置を削除する削除手段と、をさらに備える。
この変形は、熱イオン効果によるまたは電界効果による光電陰極からの電子の放射から生じる電子放射バックグラウンドノイズの効果の削除を利点的に可能にする。
本発明の前記装置は、さらに以下の特徴の少なくとも1つを備えていてもよい。
−前記クラスターの特定手段は、収集電荷量が閾値よりも大きなメインセルを少なくとも特定する手段と、前記メインセルに隣接するセルにおいて収集された電荷から前記クラスターを認識する手段と、を備える。
−前記装置は、特定され、かつ、所定の時間間隔を超えて削除されなかったクラスターからビデオ信号を生成する手段を備える。
−前記装置は、決定され、かつ、削除されなかった各位置から位置信号を生成する手段を備える。
−前記クラスターの特定手段は、収集電荷量が閾値よりも大きなメインセルを少なくとも特定する手段と、前記メインセルに隣接するセルにおいて収集された電荷から前記クラスターを認識する手段と、を備える。
−前記装置は、特定され、かつ、所定の時間間隔を超えて削除されなかったクラスターからビデオ信号を生成する手段を備える。
−前記装置は、決定され、かつ、削除されなかった各位置から位置信号を生成する手段を備える。
種々の他の特徴が、本発明の主題の実施形態を限定されない例として示す添付図面を参照した以下の記述から明らかになろう。
図1に示される光子検出装置1は、低い光量でのシーンに適している。この検出装置1は、単一光子検出感度で造られたセンサ2を備えている。図示された好ましい形態では、このセンサ2はEBCMOS形式のものである。明らかに、本発明は、この形式のセンサを具備する装置に限られるものではない。本発明では、例えばハイブリッドピクセルやSOI(Silicon on Insulator)形式のCMOSセンサなどの単一光電子感度の能力がある任意のシリコンセンサを用いることができる。
装置1は、所定の真空チャンバ3と、チャンバ3内に配置された光電陰極4とを備えている。光電陰極4は、図示しない少なくとも1つの光源から放射された光子5を電子に変換するように構成されている。源から放射され、前記装置により少なくとも一部が変換された光子群は、入射束を規定する。本明細書では、光電陰極4による光子5の変換に起因する電子を一次電子6という。
光子5は、例えば、可視スペクトルおよび/または近赤外線および/または近紫外線から生じ得る。
光電陰極4は、電磁場Eを生成する手段7を用いて作り出される、電位差により誘発される電磁場Eを受ける。前記電磁場Eは、光電陰極4から電子変換器8まで一次電子6を加速するように調整されており、電子変換器に対する一次電子6の衝突を発生させる。光電陰極4は、電子変換器8から離間距離Dだけ離れた位置にある。
電磁場4の値は、センサ2による各一次電子6の個別的な検出を可能にするために、一次電子6に十分な運動エネルギーを与えるように調整される。
電子変換器8は、加速された一次電子6のエネルギーの少なくとも一部を、規則的なピッチで例えばマトリクス状に配置された複数の検出セル10によって収集される二次電荷9、に変換するように構成されている。
実施形態の図例では、電子変換器8は、厚さeを有する、光電陰極4と対向して配置された、一次電子6の少なくとも一部が透過するいわゆる受動的入力層11を備えている。電子変換器8は、入力層11に隣接する検出体12も備えており、その中では、少なくとも一次電子6が、検出セル10、好ましくはマトリクス状に配置されたダイオードまで拡散する正孔対を形成するために相互作用する。
電子変換器8は、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)要素であってMAPS(Monolithic Active Pixel Sensor)形式のものであることが好ましい。明らかに、本発明では、例えば、ビーズまたはTSVs(Through Silicon Via)を介してCMOS読み出し回路に接続された感応層が設けられた電子変換器などの他の形式の一次電子変換器8が使用できる。
装置1は、検出セル10によって収集された電荷9を、単位時間あたりおよび単一電子程度のセル10の単位面積あたりで衝突密度を得ることを可能にする集積時間と共に、読み出すように構成された取得回路13をさらに備えている。集積時間は、1ms以下であることが好ましい。
実施形態の1つの有益な変形によれば、集積時間は、ダイナミックであろうとなかろうと、検出セル10のサイズおよび入射光束に応じて集積時間を計算する図示しない手段により算出される。
取得回路13は、単一光子5に対する検出感度を可能にするように構成された検出セル10の読み出し時に生成された読み出しノイズと読み出された電荷9との比を提示するように構成されている。読み出された電荷9と読み出しノイズとの比は、少なくとも、電磁場Eの値、電子変化器8の受動的層の厚さe、および光電陰極4と電子変換器8の間の離間距離D、に依存する。
本発明によれば、装置1は、その一例が図2に示されるクラスター15を特定する特定手段14をさらに備える。ここで、図2は、一次電子の変換に起因するクラスター15を示す。
特定手段14は、取得回路13によって読み出された電荷9から、少なくともそのうちの1つが閾値Vsよりも大きな収集電荷9量を持ついわゆるメインセル10aである近接する検出セル10のクラスター15を特定する。
選択される閾値Vsは、検出セル10の読み出しノイズに依存することが好ましい。閾値Vsは、読み出しノイズの値の5倍に等しいことが好ましい。
図示された好ましい実施形態によれば、特定手段14は、収集電荷9量が閾値Vsよりも大きなメインセル10aを少なくとも証明する手段17を備えている。特定手段17は、メインセル10aに隣接するセル10bにおいて収集された電荷9の量からクラスター15を認識する認識手段18をさらに備えている。
クラスター15の最適サイズ、すなわち考慮される近接するセル10の数は、変更可能であり、メインセル10a回りの電荷9の分布および検出セル10のピッチに依存する。クラスター15のサイズは、3×3、5×5または7×7検出セル10であることが好ましい。実施形態の図例では、クラスター15のサイズは3×3検出セル10である。
クラスター15の最適サイズは、ダイナミックであろうとなかろうと、最適なクラスターサイズを決定する図示しない手段によって利点的に計算され得る。
利点的に、クラスター15を認識する認識手段14は、電子変換器8への一次電子6の衝突に位置的に対応する領域の認識をその分析を目的として可能にする。
装置1は、クラスター15の少なくとも1つの特性を決定する決定手段19をさらに備えている。
決定手段19は、クラスター15のメインセル10aおよび隣接するセル10bにおいて収集された電荷9を合計することにより、クラスター15において収集された電荷9の総量を決定することが好ましい。
実施形態の異なる変形によれば、決定手段19は、クラスター15の他の特性、例えばクラスターのトポロジーまたはクラスターの電荷9の平均密度などを決定することができる。
例えば、収集電荷9量が最も大きなセル10a,10bは、クラスター15の基点での電子の衝突がそれぞれ単一セル10a,10b上にあるか4つのセル10a,10bの間にあるかに応じた十字状または正方形状のパターンを形成し得る。
装置1は、一次電子6の変換に起因する参照クラスター15aの少なくとも1つの特性を記憶する記憶手段20をさらに備えている。参照クラスター15aの特性はそれ自体周知であり、特性の選択は、純粋に任意であって装置1の実施形態に依存する。
記憶手段20は、3Qadcセルあたりの平均ノイズとして220〜280Qadcの、好ましくは250Qadcである参照クラスター15aの電荷9の総量を記憶することが好ましい。
実施形態の1つの変形によれば、記憶手段20は、17μmピッチの3×3セル10のアレイに対し24〜30の、好ましくは27Qadc/cellである参照クラスター15aの電荷9の平均密度を記憶する。
装置1は、クラスター15が一次電子6の変換に起因するかどうかを証明するために、クラスター15の決定された特性を参照クラスター15aの記憶された特性と比較する比較手段21をさらに備えている。換言すれば、クラスター15は、周知のプロファイルを有する参照クラスター15aと、それらのクラスター15,15aが類似するかどうかを決定するように比較される。
比較手段21は、クラスター15において収集された電荷9の総量を参照クラスター15aにおける電荷の総量と比較することが好ましい。
本発明の装置1は、これにより光子変換に起因する一次電子の簡素かつ信頼性のある特定を可能にする。
装置1は、画像の連続の形を成す画像および/またはビデオ信号を生成することを可能にし、各画像は、センサ2の集積時間中に検出セル10によって収集された電荷9の合計から生成される。
しかしながら、電子変換器8も、望ましくないことに、光子5の変換から生じないいわゆる寄生電子を二次電荷9に変換することに注意すべきである。寄生電子は、少なくとも、後方散乱型、イオン後方照射に起因する型または電子放射バックグラウンドノイズから生じる型のものであり得る。各型の寄生電子は、異なる類型の寄生効果を生み出す。後方散乱型の寄生電子はハロー寄生効果を生み出し、イオン後方照射に起因する型の寄生電子はいわゆる「イオン後方照射」寄生効果を生み出し、光電陰極による電子放射バックグラウンドノイズから生じる型の寄生電子はいわゆる「暗所カウント」寄生効果を生み出す。
それ故に、寄生効果のない画像および/またはビデオ信号を生成するために、寄生電子の変換に起因するクラスター15を特定好ましくは削除して、一次電子6の変換に起因するクラスター15のみを維持することは有益である。
実施形態の1つの変形によれば、参照クラスター15aの記憶された特性と比較される相違が少なくとも1つある決定された特性のどのクラスター15も、寄生電子の変換に起因するクラスターであるとみなされ、それ故に削除される。実施形態のこの変形によれば、装置1は、比較手段21の出力に接続され、比較手段21によって一次電子の変換に起因しないと特定されたクラスター15を削除するように構成された削除手段22を備える。
実施形態の1つの有益な変形によれば、装置1は、上記に規定された寄生電子の少なくとも1つ好ましくは3つの型の特定を、例えばそれらの削除を目的として可能にする。
図3に説明されているように、ハロー効果は、電子変換器8から後方散乱した、すなわち電子変換器から光電陰極に向かって散乱した電子61が原因である。一次電子6の12%から18%までが、電子変換器8から後方散乱し、電磁場Eによって加速され、その後に初期の一次電子6の位置と異なる位置で検出される。例えば、モンテ−カルロ法を用いて行われるシミュレーションによってまたは分析的計算によって、一次衝突から二次衝突までに後方散乱電子が進んだ距離Rが大きくても光電陰極4と電子変換器8の間の距離の2倍であることを示すことができる。
図4Aは、光量が低い、すなわち1ミリルクス未満で、かつ、光ファイバ23の形を成す局所的な強輝度源を含むシーンの画像を示す。この画像は、技術状況に応じた通常のEBCMOSセンサ2から得られる。後方散乱電子61による電荷9の蓄積は、強輝度源の回りに円形ハロー24の形成をもたらす。ハロー24に含まれる対象物の全ての画像、例えば対象物25は、ハロー24によって弱められおよび/またはマスクされる。
ハロー効果を削除するように利点的に構成された本発明の1つの実施形態によれば、記憶手段20は、後方散乱電子61の変換に起因する基準クラスター15bの少なくとも1つの特性を記憶する。
基準クラスター15bの特性はそれ自体周知であり、特性の選択は、純粋に任意であって装置1の実施形態に依存する。
記憶手段20は、75〜125Qadcの、好ましくは125Qadcである基準クラスター15bの電荷9の総量を記憶することが好ましい。
この変形によれば、装置1は、クラスター15が後方散乱電子61の変換に起因するかどうかを証明するために、クラスター15の決定された特性を基準クラスター15bの記憶された特性と対比する対比手段26も備える。換言すれば、クラスター15は、周知のプロファイルを有する基準クラスター15bと、それらのクラスター15,15bが類似するかどうかを決定するように比較される。
対比手段26は、クラスター15において収集された電荷9の総量を基準クラスター15bにおける電荷9の総量と対比することが好ましい。この変形によれば、装置1は、対比手段26によって証明された後方散乱電子61に対応するクラスター15を削除する削除手段22を備えることが好ましい。
図4Bは、図4Aの画像と同様の画像を示すが、ハロー効果を削除するように構成された本発明の装置1により得られたものである。光源23に近い対象物の画像、例えば画像25は、マスクされない。
光電陰極4でのイオン後方照射の効果は、一次電子6による、チャンバ3内に存在する残余原子のイオン化が原因である。いったんプラスにイオン化されると、残余原子は、電磁場Eにより光電陰極4に向かって加速される。これは、多数の電子の光電陰極4からの局所的な引き離しをもたらし、それらの引き離された電子自身が電子変換器8に向かって加速される。
イオン後方照射の効果を削除するように利点的に構成された本発明の1つの実施形態によれば、記憶手段20は、イオン後方照射に起因するモデルクラスター15cの少なくとも1つの特性を記憶する。モデルクラスター15cの特性はそれ自体周知であり、特性の選択は、純粋に任意であって装置1の実施形態に依存する。記憶手段20は、1000〜4000Qadcの、好ましくは2000Qadcであるモデルクラスター15cの電荷9の総量を記憶することが好ましい。実施形態の1つの変形によれば、記憶手段20は、17μmピッチの7×7セル10のアレイに対し40〜60Qadc/cellの、好ましくは50Qadc/cellであるモデルクラスター15cの電荷9の平均密度を記憶する。
この変形によれば、装置1は、クラスター15がイオン後方照射に起因するかどうかを証明するために、クラスター15の決定された特性とモデルクラスター15cの記憶された特性との類似性調査手段28をさらに備える。換言すれば、類似性調査手段28は、クラスター15と周知のプロファイルを有するモデルクラスター15cとの比較を、それらのクラスター15,15cが類似するかどうかを決定するように行う。類似性調査手段28は、クラスター15において収集された電荷9の総量をモデルクラスター15cにおける電荷9の総量と対比することが好ましい。
装置1は、類似性調査手段28によりイオン後方照射に起因するとみなされるとともに証明されたクラスター15を削除する削除手段22を備えることが好ましい。
電子放射バックグラウンドノイズの効果は、熱イオン効果または電界効果を受けた光電陰極4から自発的かつ不規則に放射された電子が原因である。低い光量でのシーンの画像にとっては、この類型の効果が、画像においてランダムな「スノー」効果として現れる。利点的に、電子放射バックグラウンドノイズから生じた型の電子を、それらが不規則に局所的であるか否かを決定することにより、検出することができる。
この目的のために、電子放射バックグラウンドノイズの効果を削除するように構成された本発明の1つの変形によれば、装置1は、特定され、かつ、削除されなかった各クラスター15の基点に、光子5の位置を決定する決定手段29を備える。この変形によれば、装置1は、決定された全ての位置の少なくとも一部を格納する格納手段30と、決定された新しい各位置を格納された位置と比較する比較手段31をさらに備える。このため、決定手段29および格納手段30は、比較手段31に接続される。
装置1は、電子放射バックグラウンドノイズに起因する光子の位置を証明するために、格納された位置に含まれない新しい位置の比較の結果を使用する特定手段32を備えることが好ましい。
換言すれば、特定手段32は、新しい各位置が格納された位置に既に含まれているかどうか、この場合は光源の1つから放射された光子5に新しい位置が恐らく対応する、または新しい位置が格納された位置に含まれないかどうか、この場合は電子変換器8により電子放射バックグラウンドノイズから生じる型の電子の変換に新しい位置が対応する、を決定する。
装置1は、特定手段32によって証明された位置を削除する削除手段22も備えることが好ましい。
明らかに、削除手段22によって削除された位置は、その後の位置と比較されるという目的のために、格納手段30によって格納され得る。利点的に、この特徴は、明白な光源からの光子の削除を防止する。
ハロー効果を削除するように構成された実施形態、イオン後方照射効果を削除するように構成された実施形態および電子放射バックグラウンドノイズを削除するように構成された実施形態は、両立しないわけではないことに注意すべきである。本発明に係る装置1は、それらの実施形態の1つおよび/またはその他を組み合わせて、好ましくは3つ全てを実行することができる。
最後に、装置1は、出力信号を生成する手段33を備えている。本発明の1つの変形によれば、この信号は複数の画像で構成されたビデオ信号であり、出力信号を生成する手段33は、特定され、かつ、所定の時間間隔、例えば25Hzの画像周波数を得るような40msを超えて削除されなかったクラスターからビデオ信号を生成する手段を備える。
本発明の1つの変形によれば、この信号は、検出された光子の位置を示すデジタル信号である。この場合、信号を生成する手段33は、決定され、かつ、削除されなかった各位置から位置信号を生成する手段で構成される。
利点的に、この変形は、図示しない外部処理手段による、光子の連続的な位置から後の好きな時での画像の再現を可能にする。
実施形態の1つの変形によれば、位置信号を使用して、画像ごとの単一光子の点状放射体の位置を決定する、必要に応じてこの点状放射体の位置を追跡することを想定できることに注意すべきである。
本発明の方法は、その論理図が図5に示され、光子の変換から生じる一次電子を特定し、低い光量でのシーンを処理する際の寄生効果の少なくとも1つの類型を光学的に克服できるようにする目的のために、単一光子感度として造られたセンサ2によって生成されたデータを処理する。
これらの寄生効果は、ハロー寄生効果、いわゆる「イオン後方照射」寄生効果およびいわゆる「暗所カウント」寄生効果を含むいくつかの類型のものであってもよい。
実施形態であり好ましい態様のこの例では、本発明の方法は、本発明に係る装置1で実行されるように、および/または本発明に係るセンサ2から得られるデータを処理するように設計される。明らかに、本発明の主題を満たさない装置上で前記方法を実行することは可能である。
前記方法は、少なくともそのうちの1つが閾値Vsよりも大きな収集電荷9量を持ついわゆるメインセル10aである近接する検出セル10のクラスター15を特定する第1工程E1を備える。実施形態の図例では、クラスター15の特定は、特定手段14を用いて行われる。
実施形態の1つの変形によれば、工程E1は、収集電荷9量が閾値Vsよりも大きなメインセル10aを少なくとも特定する第1特定サブ工程E11と、メインセル10aに隣接するセル10bにおいて収集された電荷9の量からクラスター15を認識する第2サブ工程E12を備える。実施形態の図例では、メインセル10aの特定は証明手段17を用いて行われ、クラスター15の認識は認識手段18を用いて行われる。
次に、第2工程E2において、前記方法は、クラスター15の少なくとも1つの特性を決定する。実施形態の図例では、その決定は、決定手段19を用いて行われる。第2工程E2は、クラスター15の異なるセル10a,セル10bにおいて収集された電荷9を合計することにより、クラスター15において収集された電荷9の総量を決定することが好ましい。
その後、前記方法は、第3工程E3において、クラスター15が一次電子6の変換に起因するかどうかを証明するために、クラスター15の決定された特性を、一次電子6の変換に起因する参照クラスター15aの少なくとも1つの特性、と比較する。換言すれば、前記方法は、クラスター15を、周知のプロファイルを有する参照クラスター15aと、それらのクラスター15,15aが類似するかどうかを決定するように比較する。
参照クラスター15aの特性はそれ自体周知であり、特性の選択は、純粋に任意であって本発明の方法の実施形態に依存する。実施形態の図例では、その比較は、比較手段21を用いて行われる。第3工程は、クラスター15において収集された電荷9の総量を参照クラスター15aにおける電荷9の総量と比較することが好ましい。
少なくとも第1、第2および第3工程は、継続的かつ連続的に繰り返されることが好ましい。
それ故に、本発明の方法は、一次電子の変換に起因するクラスターの特定を通じて光子の検出を可能にする。
図示しない実施形態の1つの変形によれば、前記方法は一次電子の変換に起因しないと特定されたクラスターを削除する工程を実行できることに注意すべきである。
ハロー効果を削除するように利点的に構成された1つの変形によれば、前記方法は、クラスター15が後方散乱電子61の変換に起因するかどうかを特定するために、クラスター15の決定された特性を後方散乱電子61の変換に起因する基準クラスター15bの少なくとも1つの特性と対比する第4工程E4を備える。それ故に、前記方法は、クラスター15を、周知のプロファイルを有する基準クラスター15bと、それらのクラスター15,15bが類似するかどうかを決定するように比較する。
基準クラスター15bの特性はそれ自体周知であり、特性の選択は、純粋に任意であって本発明の方法の実施形態に依存する。
第4工程は、クラスター15において収集された電荷9の総量を基準クラスター15bにおける電荷9の総量と比較することが好ましい。この例では、対比は対比手段26を用いて行われる。この変形によれば、前記方法は、第4工程E4で証明されたクラスター15を削除する第5工程E5をさらに備える。実施形態のこの例では、削除は削除手段22を用いて行われる。
イオン後方照射の効果を削除するように利点的に構成された1つの変形によれば、前記方法は、クラスター15がイオン後方照射に起因するかどうかを特定するために、クラスター15の決定された特性をイオン後方照射に起因するモデルクラスター15cの少なくとも1つの特性と対比する第6工程E6をさらに備える。それ故に、前記方法は、クラスター15を、周知のプロファイルを有するモデルクラスター15cと、それらのクラスター15,15cが類似するかどうかを決定するように比較する。
モデルクラスター15cの特性はそれ自体周知であり、特性の選択は、純粋に任意であって本発明の方法の実施形態に依存する。第6工程は、クラスター15において収集された電荷9の総量をモデルクラスター15cにおける電荷9の総量と比較することが好ましい。実施形態の図例では、対比は類似性調査手段28を用いて行われる。
この変形では、前記方法は、第6工程E6で証明されたクラスター15を削除する第7工程E7をさらに備える。実施形態の図例では、削除は削除手段22を用いて行われる。
電子放射バックグラウンドノイズの効果を削除するように利点的に構成された1つの変形によれば、前記方法は、特定され、かつ、削除されなかった各クラスター15の基点に光子5の位置を決定する第8工程E8をさらに備える。図例では、光子5の位置の決定は、光子5の位置を決定する決定手段29を用いて行われる。
前記方法は、決定された全ての位置の少なくも一部を格納する、この例では装置1の格納手段30を用いて行われる第9工程E9をさらに備える。この変形によれば、第10工程E10で、決定された新しい各位置が格納された位置と比較され、第11工程E11で、電子放射バックグラウンドノイズに起因する位置を証明するために、その比較の結果から格納された位置に含まれない新しい位置が特定される。
実施形態の図例では、前記比較は装置の比較手段21を用いて行われ、新しい位置の前記特定は特定手段32を用いて行われる。しかも、実施形態のこの変形は、第11工程E11で証明された新しい位置を削除する第12工程E12を備える。実施形態のこの例では、削除は削除手段22を用いて行われる。
明らかに、削除された位置は、それにもかかわらず、新しい位置との次の比較のために格納されることができ、光子5が削除されてはならない新しい光源の出現を特定することが可能になる。
ハロー効果を削除するように構成された方法の変形、イオン後方照射の効果を削除するように構成された方法の変形および電子放射バックグラウンドノイズの効果を削除するように構成された方法の変形は、両立しないわけではないことに注意すべきである。本発明に係る方法は、それらの変形の1つおよび/またはその他を、好ましくは3つ全てを実行できる。
最後に、本発明の方法は、出力信号を生成する第13工程E13を備える。
本発明の1つの変形によれば、この信号は複数の画像で構成されたビデオ信号であり、第13工程E13は、特定され、かつ、所定の時間間隔、例えば25Hzの画像周波数を得るような40msを超えて削除されなかったクラスター15からビデオ信号を生成することからなる。
本発明の別の変形によれば、この信号は検出された光子5の位置を示すデジタル信号であり、第13工程E13は、決定され、かつ、削除されなかった各位置から位置信号を生成することからなる。出力信号を生成するこの工程に基づいて、実施形態の1つの変形に応じた本発明の方法は、画像ごとに単一光子の点状放射体の位置を決定できる。前記方法は、この点状放射体の位置を追跡するように構成されることも可能である。
Claims (17)
- −真空チャンバ(3)と、
−前記真空チャンバ(3)内に配置された、光子(5)を一次電子(6)に変換するように設計され、かつ、前記一次電子(6)を加速するように調整された電磁場(E)を受ける光電陰極(4)と、
−電子(6)を二次電荷(9)に変換する、前記真空チャンバ(3)内に前記光電陰極(4)と対向して配置され、かつ、加速された一次電子(6)のエネルギーの少なくとも一部を、規則的なピッチに応じた複数の検出セルによって収集される二次電荷(9)、に変換するように構成された変換器(8)であって、光子(5)の変換から直接的には生じず、後方散乱型、イオン後方照射に起因する型または電子放射バックグラウンドノイズから生じる型であり得る、いわゆる寄生電子を、必要に応じて、二次電荷(9)に変換する変換器(8)と、
−前記検出セル(10)によって収集された前記電荷(9)を、単位時間あたりおよび単一電子程度のセル(10)の単位面積あたりで衝突密度を得ることを可能にする集積時間と共に、読み出すように構成された取得回路(13)と、
を含むセンサを備えた、光子(5)を検出する装置(1)であって、
−少なくともそのうちの1つが閾値Vsよりも大きな収集電荷(9)量を持ついわゆるメインセル(10a)である近接する検出セル(10)のクラスター(15)を特定する特定手段(14)と、
−前記クラスター(15)の少なくとも1つの特性を決定する決定手段(19)と、
−一次電子(6)の変換に起因する参照クラスター(15a)の少なくとも1つの特性を記憶する記憶手段(20)と、
−前記クラスター(15)が一次電子(6)の変換に起因するかどうかを証明するために、前記クラスター(15)の決定された特性を前記参照クラスター(15a)の記憶された特性と比較する比較手段(21)と、
を備えることを特徴とする検出装置。 - 前記特定手段(14)は、
−収集電荷(9)量が閾値Vsよりも大きな前記メインセル(10a)を少なくとも証明する手段(17)と、
−メインセル(10a)に隣接するセル(10b)において収集された電荷(9)から前記クラスター(15)を認識する認識手段(18)と、
を備えることを特徴とする、請求項1に記載の装置。 - 前記比較手段(21)によって一次電子の変換に起因しないと特定されたクラスター(15)を削除する削除手段(22)を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の装置。
- −前記記憶手段(20)は、後方散乱電子(61)の変換に起因する基準クラスター(15b)の少なくとも1つの特性を記憶し、
−前記装置(1)は、前記クラスター(15)が後方散乱電子(61)の変換に起因するかどうかを証明するために、前記クラスター(15)の決定された特性を前記基準クラスター(15b)の記憶された特性と対比する対比手段(26)を備え、
−前記装置(1)は、前記対比手段(26)によって証明されたクラスター(15)を削除する削除手段(22)を備える、
ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。 - −前記記憶手段(20)は、イオン後方照射に起因するモデルクラスター(15c)の少なくとも1つの特性を記憶し、
−前記装置(1)は、前記クラスター(15)がイオン後方照射に起因するかどうかを証明するために、前記クラスター(15)の決定された特性と前記モデルクラスター(15c)の記憶された特性との類似性調査手段(28)を備え、
−前記装置(1)は、前記類似性調査手段(28)によって証明されたクラスター(15)を削除する削除手段(22)を備える、
ことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。 - 前記装置(1)は、特定され、かつ、所定の時間間隔を超えて削除されなかったクラスター(15)からビデオ信号(33)を生成する手段をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記装置(1)は、
−特定され、かつ、削除されなかった各クラスター(15)の基点に前記光子(5)の位置を決定する決定手段(29)と、
−決定された全ての位置の少なくとも一部を格納する格納手段(30)と、
−決定された新しい各位置を格納された位置と比較する比較手段(31)と、
−熱イオン効果によるまたは電界効果による電子放射バックグラウンドノイズに起因する電子の位置を証明するために、格納された位置に含まれない新しい位置の比較の結果を使用する特定手段(32)と、
−前記特定手段(32)によって証明された位置を削除する削除手段(22)と、
をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の装置。 - 前記装置(1)は、決定され、かつ、削除されなかった各位置から位置信号(33)を生成する手段をさらに備えることを特徴とする、請求項7に記載の装置。
- −真空チャンバ(3)と、
−前記真空チャンバ(3)内に配置された、少なくとも1つの光源から放射された光子(5)を一次電子(6)に変換するように設計され、かつ、前記一次電子(5)を加速するように調整された電磁場(E)を受ける光電陰極(4)と、
−電子(6)を二次電荷(9)に変換する、前記真空チャンバ(3)内に前記光電陰極(4)と対向して配置され、かつ、加速された一次電子(6)のエネルギーの少なくとも一部を、規則的なピッチで配置された複数の検出セルによって収集される二次電荷(9)、に変換するように構成された変換器(8)であって、光子(5)の変換から直接的には生じず、後方散乱型、イオン後方照射に起因する型または電子放射バックグラウンドノイズから生じる型であり得る、いわゆる寄生電子を、必要に応じて、二次電荷(9)に変換する変換器(8)と、
−前記検出セル(10)によって収集された前記電荷(9)を、単位時間あたりおよび単一電子程度のセル(10)の単位面積あたりで衝突密度を得ることを可能にする集積時間と共に、読み出すように構成された取得回路(13)と、
を含む形式のセンサ(2)により生成されるデータを処理する方法であって、継続的かつ連続的に繰り返される以下の工程を備えることを特徴とする方法。
−少なくともそのうちの1つが閾値Vsよりも大きな収集電荷(9)量を持ついわゆるメインセル(10a)である近接する検出セル(10)のクラスター(15)を特定する。
−前記クラスター(15)の少なくとも1つの特性を決定する。
−前記クラスター(15)が一次電子(6)の変換に起因するかどうかを証明するために、前記クラスター(15)の決定された特性を、一次電子(6)の変換に起因する参照クラスター(15a)の少なくとも1つの特性、と比較する。 - 前記クラスター(15)の特定工程は、以下の工程を備えることを特徴とする、請求項9に記載の処理方法。
−収集電荷(9)量が閾値Vsよりも大きな前記メインセル(10a)を少なくとも特定する。
−メイン検出セル(10a)に隣接するセル(10b)において収集された電荷(9)の量から前記クラスター(15)を認識する。 - 一次電子の変換に起因しないと特定されたクラスター(15)を削除する工程を備えることを特徴とする、請求項9または10に記載の処理方法。
- −前記クラスター(15)が後方散乱電子(6a)の変換に起因するかどうかを特定するために、前記クラスター(15)の決定された特性と前記後方散乱電子(6a)の変換に起因する基準クラスター(15b)の少なくとも1つの特性とを対比する工程と、
−前記対比工程で証明されたクラスター(15)を削除する工程と、
を備えることを特徴とする、請求項9〜11のいずれか一項に記載の処理方法。 - −前記クラスター(15)がイオン後方照射に起因するどうかを特定するために、前記クラスター(15)の決定された特性と前記イオン後方照射に起因するモデルクラスター(15c)の少なくとも1つの特性とを対比する工程と、
−前記対比工程で証明されたクラスター(15)を削除する工程と、
を備えることを特徴とする、請求項9〜12のいずれか一項に記載の処理方法。 - 特定され、かつ、削除されなかったクラスター(15)からビデオ信号を生成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項9〜13のいずれか一項に記載の処理方法。
- 以下の工程をさらに備えることを特徴とする、請求項9〜13のいずれか一項に記載の処理方法。
−特定され、かつ、削除されなかった各クラスター(15)の基点に前記光子(5)の位置を決定する。
−決定された全ての位置の少なくとも一部を格納する。
−決定された新しい各位置を格納された位置と比較する。
−電子バックグラウンドノイズに起因する新しい位置を証明するために、比較の結果から、格納された位置に含まれない新しい位置を特定する。
−前記特定工程で証明された新しい位置を削除する。 - 決定され、かつ、削除されなかった位置から位置信号を生成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項15に記載の処理方法。
- 位置信号を生成する前記工程から出発し、画像ごとの単一光子の点状放射体の位置を決定する、必要に応じてこの放射体の位置を追跡することを特徴とする、請求項16に記載の処理方法。
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