JP2012506145A - 流体分注システムのコーティング - Google Patents
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Abstract
コーティング層が流体流路及び外面に施された流体分注システムが説明される。コーティング層は、流体分注システムの作動流体に対して化学的に耐性であり、流体分注システムからの複数のイオンの浸出を防止する。
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、アメリカ合衆国特許法第119条(e)(1)の規定に従って、2008年10月17日に出願された米国特許仮出願第61/106,183号、及び2009年10月9日に出願された米国特許出願第12/573,599号に基づく優先権を主張するものであり、これら特許出願の両方が引用により全体が本明細書に組み込まれる。
本出願は、アメリカ合衆国特許法第119条(e)(1)の規定に従って、2008年10月17日に出願された米国特許仮出願第61/106,183号、及び2009年10月9日に出願された米国特許出願第12/573,599号に基づく優先権を主張するものであり、これら特許出願の両方が引用により全体が本明細書に組み込まれる。
ナノファブリケーションは、100ナノメートル又はそれより小さいオーダーの形状構造部を有する非常に小さい構造体の製造を含む。ナノファブリケーションがかなり大きな影響を及ぼした1つの用途は、集積回路の処理である。半導体処理産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より高い生産歩留まりを求めて努力し続けているので、ナノファブリケーションはますます重要になっている。ナノファブリケーションは、形成される構造体の最小形状構造部の寸法の継続的な低減を可能にしながら、より優れたプロセス制御機能を提供するものである。ナノファブリケーションが採用される他の開発分野には、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどが含まれる。
今日使用されている例示的なナノファブリケーション技術は、一般に、インプリント・リソグラフィと呼ばれる。例示的なインプリント・リソグラフィ・プロセスは、米国特許出願公開第2004/0065976号、米国特許出願公開第2004/0065252号、米国特許第6,936,194号などの多数の刊行物に詳細に記載されており、これらの全てを引用により本明細書に組み入れる。
前述の米国特許出願公開及び米国特許の各々に開示されるインプリント・リソグラフィ技術は、重合性の層内にレリーフパターンを形成すること、及び、そのレリーフパターンに対応するパターンを下にある基板内に転写することを含む。基板は、所望の位置決めを行なってパターン形成プロセスを実行するために、可動ステージに結合される。パターン形成プロセスは、基板から離間して配置されたテンプレートと、該テンプレートと基板との間に導入される成形可能な液体を用いる。成形可能な液体が固化して、該成形可能な液体と接触するテンプレート表面の形状に適合するパターンを有する剛性層を形成する。固化した後、テンプレートを剛性層から分離し、テンプレートと基板とを離間して配置する。次に基板及び固化層に付加的なプロセスを施して、固化層内のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写する。
本発明をより詳細に理解できるようにするために、添付図面に示される実施形態を参照して、本発明の実施形態が説明される。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示すにすぎず、従って、本発明の範囲を限定するものとみなすべきではないことに留意すべきである。
図面、特に図1、を参照すると、図には、基板12上にレリーフパターンを形成するのに用いられるリソグラフィ・システム10が示される。基板12は、基板チャック14に結合することができる。図示されるように、基板チャック14は、真空チャックである。しかしながら、基板チャック14は、どのような形式のチャックでもよく、これらチャックとしては、以下に限定されるものではないが、真空、ピン型、溝型、電磁式及び/又はその種の他のものがある。例示的なチャックが、引用により本明細書に組み入れられる米国特許第6,873,087号に記載されている。
基板12及び基板チャック14は、ステージ16により更に支持することができる。該ステージ16は、x軸、y軸、及びz軸に沿って動くことができる。ステージ16、基板12、及び基板チャック14は、基部(図示せず)上に配置することもできる。
テンプレート18が、基板12から離間して配置される。該テンプレート18は、一般に、該テンプレートから基板12に向かって延びるメサ(段丘部)20を含み、メサ20は、その上にパターン形成面22を有する。更に、メサ20は、モールド20と呼ぶこともできる。テンプレート18及び/又はモールド20は、これらに限定されるものではないが、溶融シリカ、水晶、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ化炭素ポリマー、金属、硬化サファイア、及び/又はその種の他のものを含む材料から形成することができる。図示されるように、パターン形成面22は、離間配置された複数の凹部24及び/又は突出部26により定められた構造部を含むが、本発明の実施形態はこのような構成に限定されるものではない。パターン形成面22は、基板12上に形成されるパターンの基礎を形成する任意のオリジナル・パターンを定めることができる。
テンプレート18は、チャック28に結合することができる。チャック28は、これらに限定されるものではないが、真空、ピン型、溝型、電磁式及び/又は他の類似のチャック型式として構成することができる。例示的なチャックは、引用により本明細書に組み入れられる米国特許第6,873,087号に更に記載される。更に、チャック28をインプリント・ヘッド30に結合することができ、テンプレート18の移動を容易にするようにチャック28及び/又はインプリント・ヘッド30を構成することができる。
システム10は、流体分注(ディスペンス)システム32を更に含むことができる。流体分注システム32を用いて、重合性材料34を基板12上に配置することができる。重合性材料34は、液滴分注、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学気相堆積(CVD)、物理気相堆積(PVD)、薄膜堆積、厚膜堆積及び/又は同様のものなどの技術を用いて、基板12上に配置することができる。設計の考慮事項に応じて、モールド20と基板12との間に所望の容積が定められる前及び/又は定められた後に、重合性材料34を基板12上に配置することができる。重合性材料34は、米国特許第7,157,036号および米国特許出願公開第2005/0187339号に記載されるようにモノマーを含むことができ、これら特許文献の全ては引用により本明細書に組み込まれる。米国特許第7,157,036号から引用により組み入れられる重合性コーティング34の例示的な組成物は、組成物のおよそ55%を構成するイソボルニルアクリレートと、およそ27%を構成するn−ヘキシルアクリレートと、組成物のおよそ15%を構成するエチレングリコールジアクリレートと、組成物のおよそ3%を構成する開始剤である2−ヒドロキシ−2−メチル1−フェニル−プロパン−1−オンとを含むことができる。開始剤は、ニューヨーク州タリータウン所在のCIBAにより商品名DAROCUR1173で販売されている。また、組成物の1%未満で、R1R2の一般構造を有する界面活性剤を含むことができ、ここでR1=F(CF2CF2)yであり、yは1から7までの範囲にあり、R2=CH2CH2O(CH2CH2O)XHであり、Xは0から15まで(0及び15を含む)の範囲にある。上述の組成物はまた、化学技術分野において周知であり、組成物の有効寿命を延ばす安定剤を含む。1つの代替的な実施形態において、上述の組成物は界面活性剤を含まなくてもよい。米国特許出願公開第2005/0187339号から引用により組み入れられる第2の例示的な組成物は、関連付けられた粘度を有し、界面活性剤と、重合性成分と、刺激に応答して粘度を変化させる刺激応答性の開始剤とを含み、該組成物は、液体状態では、100センチポワズ未満の粘度と、20トル未満の蒸気圧とを有し、硬化した固体状態では、100MPaよりも大きい引張係数と、3MPaよりも大きい破断応力と、2%より大きい破断点伸びとを有する。
図1及び図2を参照すると、システム10は、経路42に沿ってエネルギー40を導くように結合されたエネルギー源38を更に含むことができる。テンプレート18と基板12を経路42と重ね合わせた状態で配置するように、インプリント・ヘッド30及びステージ16を構成することができる。システム10は、ステージ16、インプリント・ヘッド30、流体分注システム32、及び/又はエネルギー源38と通信状態にあるプロセッサ54により調整することができ、メモリ56内に格納されたコンピュータ可読プログラム上で動作することができる。
インプリント・ヘッド30及びステージ16の何れか又は両方が、これらの間に重合性材料34により充填される所望の容積を定めるように、モールド20と基板12との間の距離を変化させる。例えば、インプリント・ヘッド30がテンプレート18に力を加え、モールド20を重合性材料34に接触させることができる。重合性材料34で所望の容積を充填した後、エネルギー源38は、例えば、広帯域紫外線放射のようなエネルギー40を生成し、重合性材料34を固化及び/又は架橋させて、基板12の表面44及びパターン形成面22の形状に適合させ、図2に示すように、パターン形成された層46を、基板12上に定める。このパターン形成層46は、残留層48と、突出部50及び凹部52として示される複数の形状構造部とを含むものであり、突出部50は厚さt1を有し、残留層は厚さt2を有する。
上述のシステム及びプロセスは、米国特許第6,932,934号、米国特許出願公開第2004/0124566号、米国特許出願公開第2004/0188381号、米国特許出願公開第2004/0211754号に記載されたインプリント・リソグラフィ・プロセス及びシステムにおいても用いることができ、これら特許文献の全ては、その全体が引用により本明細書に組み入れられる。
上述のように、重合性材料34は、流体分注システム32を用いて、テンプレート18と基板12との間の定められた容積に導入することができる。例示的な流体分注システム32は、これらに限定されるものではないが、プリントヘッド、マイクロジェットチューブ、シリンジ、又は流体の液滴を射出することができる類似のシステムを含むことができる。例えば、≦50ピコリットルの流体の液滴を射出することができるシステムが挙げられる。
図3は、流体分注システム32の例示的な実施形態を示す。流体分注システム32は、分注ヘッド60とノズルシステム62とを含むことができる。ノズルシステム62は、設計の考慮事項に応じて、単一の先端部64又は複数の先端部64を含むことができる。例えば、図3は、複数の先端部64を含むノズルシステム62を示す。一般に、重合性材料34は、入口弁61に入り、流路67に沿ってチャネル63を通って伝わり、ノズルシステム62の先端部64から出る。先端部64は、分注軸65を定め、その分注軸のところで基板12上に重合性材料34を配置することができる。先端部64と基板12との間の距離dsは、はねを最小にするか又は防止するように選択することができ、ガスの存在を最小にするか又は防止するように選択することができ、及び/又は他の類似の設計の考慮事項に応じて選択することができる。
重合性材料34は、流体分注システム32により、液滴66として基板12上に配置することができる。重合性材料34を基板12上に配置するための例示的な液滴技術は、米国特許出願公開第2005/0270312号、米国特許出願公開第2005/0106321号において詳細に説明され、これら特許文献の全ては、引用により本明細書に組み入れられる。
流体分注システム32は、更に視覚システム70を含むことができる。視覚システムは、基板12上の液滴66の微視的及び/又は巨視的な視野を与える顕微鏡72(例えば、光学顕微鏡)を含むことができる。分注ヘッド60及び/又は顕微鏡72は、プロセッサ54により調整することができ、更にメモリ56内に格納されたコンピュータ可読プログラム上で動作することができる。
流体分注システム32は、重合性材料34にイオンを浸出させる材料で形成される場合がある。インプリントプロセス材料は、低いイオン含量(例えば、Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Mn、Ni、K、Na、Sn及びPbのイオンについて、≦25ppbの電子工学的グレード又は≦10ppbの半導体グレード)を有するように製造することができるので、浸出により重合性材料34の純度レベルが実質的に変化して、インプリントプロセスを汚染することがある。
本明細書においては、流体分注システム32は、インプリントプロセスに適用されるものとして詳細に説明されるが、流体分注システム32は、他の用途に用いることができることを留意すべきである。例えば、バイオ関連の用途においては、流体分注システム32を通って流れる生体機能性化合物は、流体分注システム32から浸出した汚染物質を吸収することがある。更に、生体機能性化合物が、流体分注システム32の濡れた表面上に吸着し、流体の活性成分の濃度を減少させる可能性がある。そのため、生体機能性化合物の分注は、検知及び/又は検出用途としては不十分な特性しかもたらさないことがある。
流体分注システム32を通って流れる液体は、腐食性であることがあり、流体の流れを目詰まりさせ、及び/又は妨げることがある。説明を簡単にするために、以下、重合性材料34について説明するが、任意の液体が流体分注システム32を通って流れることができる。
不動態化流体分注システム32は、流体分注システム32を形成するのに用いられた材料の汚染物質から重合性材料34を保護することができる。更に、不動態化流体分注システム32は、流体分注システム32が目詰まりしないよう保護することができる。一般に、流体分注システム32の内面及び外面、並びに、管系、継手、弁、及び液体リザーバといった関連する流体供給構成部品を覆って、コーティング層80を分布させることができる。例えば、図4に示すように、流体分注システム32の流路67内のチャネル63の壁上にコーティング層80を分布させることができる。更に、流体分注システム32の外側部分を覆ってコーティング層80を分布させることができる。例えば、コーティング層80は、先端部64の外側部分、分注ヘッド60、顕微鏡70、プロセッサ54などの外側部分を覆って分布させることができる。更に、コーティング層80は、無線又は有線の通信リンク83a乃至83cを覆って分布させることができる。
一例において、コーティング層80は、化学気相堆積により施すことができるが、コーティング層80を施すための他のプロセスを用いることができることに留意すべきである。コーティング層80は厚さt3を有するものとすることができる。例えば、厚さt3は100ミクロンより薄くすることができ、又は、1つの実施形態におけるように、15ミクロンに等しいか、又はこれより薄くすることができる。コーティング層80は、置換及び非置換のポリ(p−キシリレン)及びポリ(ハロ−p−キシリレン)(例えば、ポリ(クロロ−p−キシリレン)、ポリ(フルオロ−p−キシリレン)、及びポリ(ヨード−p−キシリレン))のような、置換及び非置換ポリ(p−キシリレン)を含むことができる。置換ポリ(p−キシリレン)は、例えば、スルホン化、アミノメチル化、及びアミドメチル化ポリ(p−キシリレン)及びポリ(ハロ−p−キシリレン)、プラズマ処理された形態のポリ(p−キシリレン)及びポリ(ハロ−p−キシリレン)、スルホン化、アミノメチル化、又はアミドメチル化による湿式化学改質されたポリ(p−キシリレン)、ポリ(クロロ−p−キシリレン)及びポリ(フルオロ−p−キシリレン)、及び/又はその種の他のものを含むことができる。
ポリ(p−キシリレン)は、インディアナ州インディアナポリス所在のSpecialty Coating Systemsにより製造される商品名Parylene(パリレン)としても知られている。ポリ(クロロ−p−キシリレン)はまた、インディアナ州インディアナポリス所在のSpecialty Coating Systemsにより製造される商品名Parylene C(パリレンC)又はParylene D(パリレンD)としても知られている。ポリ(p−キシリレン)のフッ素誘導体の1つは、インディアナ州インディアナポリス所在のSpecialty Coating Systemsにより製造される商標名Parylene HT(パリレンHT)としても知られている。コーティング層80のための例示的な材料は図5に示される。
図6は、コーティング層により流体分注システム32を不動態化する方法の例示的な実施形態(80)を示す。ステップ82において、入口ポート61から複数のノズル62へと流体を供給するように構成された流体流路67を含む流体分注システム32を受け取る。ステップ84において、流体分注システム32の流体流路67及び外面に対してコーティング層80を施すことができる。
図7は、コーティング層80により流体分注システム32を不動態化する方法の例示的な実施形態86を示す。ステップ88において、入口ポート61から複数のノズル62へと流体を供給するように構成された流体流路67を含む流体分注システム32を受け取る。ステップ90において、第1のフィルム層80を流体流路67に施すことができる。ステップ92において、第2のフィルム層80を流体分注システム32の外面に施すことができる。
12 基板; 34 重合性材料; 54 プロセッサ; 5 メモリ;
60 分注ヘッド; 62 ノズルシステム; 63 チャネル;
64 ノズルシステムの先端部; 66 液滴; 67 流路;
80 コーティング層; 83a、83b、83c 通信リンク;
70 視覚システム; 72 顕微鏡。
60 分注ヘッド; 62 ノズルシステム; 63 チャネル;
64 ノズルシステムの先端部; 66 液滴; 67 流路;
80 コーティング層; 83a、83b、83c 通信リンク;
70 視覚システム; 72 顕微鏡。
Claims (14)
- ナノインプリント・リソグラフィ流体分注システムをコーティングする方法であって、
第1のコーティング組成物を、前記ナノインプリント・リソグラフィ流体分注システムの、入口ポートを複数のノズルと結合する流体流路に施し、前記第1のコーティング組成物が前記流体流路の表面上に層を形成するステップと、
第2のコーティング組成物を、前記ナノインプリント・リソグラフィ流体分注システムの外面に施し、前記第2のコーティング組成物が該ナノインプリント・リソグラフィ流体分注システムの前記外面上に層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記第1のコーティング組成物及び前記第2のコーティング組成物がポリ(p−キシリレン)を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ポリ(p−キシリレン)がポリ(ハロ−p−キシリレン)であることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記ポリ(ハロ−p−キシリレン)が、ポリ(クロロ−p−キシリレン)、ポリ(フルオロ−p−キシリレン)、及びポリ(ヨード−p−キシリレン)からなる群から選択されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記ポリ(p−キシリレン)は置換されていることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記置換ポリ(p−キシリレン)が、スルホン化(p−キシリレン)、アミノメチル化ポリ(p−キシリレン)、及びアミドメチル化ポリ(p−キシリレン)からなる群から選択されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記層のうちの少なくとも1つをプラズマ処理するステップを更に含むことを特徴とする前記請求項の何れかに記載の方法。
- 前記表面上の前記層の厚さが、約15マイクロメートルより薄いことを特徴とする前記請求項の何れかに記載の方法。
- 前記ノズルのうちの少なくとも1つは、約50ピコリットルより少ないか又はこれと等しい容量を有する流体の液滴を射出するように構成されることを特徴とする前記請求項の何れかに記載の方法。
- 前記流体分注システムから流体組成物を分注するステップを更に含み、
前記組成物は、界面活性剤と、重合性成分と、刺激に応答して該組成物の粘度を変化させる刺激応答性の開始剤とを含み、前記流体組成物は、約20℃から約25℃までの間の温度範囲における約100センチポワズ未満の粘度と、約20トル未満の蒸気圧とを有し、前記組成物は、硬化した固体状態において、約100MPaより大きい引張り弾性率と、約3MPaより大きい破断応力と、約2%より大きい破断点伸びとを有することを特徴とする前記請求項の何れかに記載の方法。 - 前記流体分注システムが、流体リザーバと、管系、弁、及び継手を含む流体分散マニホルドとを含むことを特徴とする前記請求項の何れかに記載の方法。
- 前記各層が、前記流体分注システム内の前記流体に対して化学的に耐性であることを特徴とする前記請求項の何れかに記載の方法。
- 前記各層が、前記流体分注システムからのイオンの浸出を抑止するように作用可能であることを特徴とする前記請求項の何れかに記載の方法。
- 前記イオンが、アルミニウム、カルシウム、クロム、銅、鉄、リチウム、マグネシウム、マンガン、ニッケル、カリウム、ナトリウム、スズ、及び鉛からなる群から選択されることを特徴とする請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10618308P | 2008-10-17 | 2008-10-17 | |
US61/106,183 | 2008-10-17 | ||
US12/576,599 | 2009-10-09 | ||
US12/576,599 US20100098858A1 (en) | 2008-10-17 | 2009-10-09 | Fluid Dispense System Coating |
PCT/US2009/005614 WO2010044858A1 (en) | 2008-10-17 | 2009-10-14 | Fluid dispense system coating |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012506145A true JP2012506145A (ja) | 2012-03-08 |
Family
ID=41382152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011532078A Withdrawn JP2012506145A (ja) | 2008-10-17 | 2009-10-14 | 流体分注システムのコーティング |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100098858A1 (ja) |
JP (1) | JP2012506145A (ja) |
WO (1) | WO2010044858A1 (ja) |
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2009
- 2009-10-09 US US12/576,599 patent/US20100098858A1/en not_active Abandoned
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016048307A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
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Publication number | Publication date |
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WO2010044858A1 (en) | 2010-04-22 |
US20100098858A1 (en) | 2010-04-22 |
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