JP2012253099A - Laser device - Google Patents

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Tetsuji Takamido
哲司 高御堂
Kazuyoshi Miyata
和佳 宮田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser device which can stabilize amplified light output.SOLUTION: A present laser device comprises a first excitation semiconductor laser 22 having reference laser output capable of exciting a rare earth doped optical fiber 21 to a high excited state and a second excitation semiconductor laser 23 having laser output lower than that of the first excitation semiconductor laser 22. Before laser beams are pulse oscillated from a signal semiconductor laser 10, the rare earth doped optical fiber 21 is preliminarily excited by laser beams radiated from the second excitation semiconductor laser 23. When laser beams are radiated from the signal semiconductor laser 10, the rare earth doped optical fiber 21 is excited by laser beams radiated from the first excitation semiconductor laser 22. In the present laser device, at a start of radiation of laser beams from the first excitation semiconductor laser 22, the laser output is lowered to the reference laser output after the laser output is set at a high laser output higher than the reference laser output.

Description

本発明は、信号用レーザ光源から出射されたレーザ光を光増幅部を通じて増幅し、増幅光として出射するレーザ装置に関する。   The present invention relates to a laser device that amplifies laser light emitted from a signal laser light source through an optical amplification unit and emits the amplified light as amplified light.

この種のレーザ装置としては、例えばレーザ光の照射により加工対象物にマーキングを行うレーザ加工装置が実用されている。この装置では、信号用半導体レーザからレーザ光がパルス発振されるとともに、このレーザ光が、光増幅部として機能する希土類ドープ光ファイバに入射される。希土類ドープ光ファイバは、励起用半導体レーザから出射されるレーザ光により高励起状態に励起されている。よって、信号用半導体レーザから希土類ドープ光ファイバに入射されたレーザ光は、希土類ドープ光ファイバを通過する際に増幅されるとともに、その出射端面から増幅光として出射される。この増幅光は、収束レンズを介してワーク上に集光され、この集光された増幅光がワークの表面上を走査することにより所望のマーキングが行われる。   As this type of laser apparatus, for example, a laser processing apparatus that performs marking on an object to be processed by laser light irradiation has been put into practical use. In this apparatus, laser light is pulse-oscillated from the signal semiconductor laser, and this laser light is incident on a rare earth-doped optical fiber that functions as an optical amplifier. The rare earth-doped optical fiber is excited in a highly excited state by laser light emitted from an excitation semiconductor laser. Therefore, the laser light incident on the rare earth doped optical fiber from the signal semiconductor laser is amplified when passing through the rare earth doped optical fiber, and is emitted as amplified light from the emission end face. The amplified light is condensed on the work through the converging lens, and the desired marking is performed by scanning the condensed light thus collected on the surface of the work.

ところで、このようなレーザ加工装置では、マーキング開始時に希土類ドープ光ファイバを高励起状態に励起させようとすると、実際に高励起状態に励起されるまでにある程度の時間を要する。したがって、マーキング開始時にレーザ加工装置から出射される増幅光の第1パルスで十分な出力を得られない場合があり、マーキングの品質が低下するおそれがある。   By the way, in such a laser processing apparatus, when an attempt is made to excite the rare-earth doped optical fiber to a high excitation state at the start of marking, a certain amount of time is required until the excitation is actually performed to the high excitation state. Therefore, there may be a case where sufficient output cannot be obtained with the first pulse of the amplified light emitted from the laser processing apparatus at the start of marking, and the quality of the marking may be deteriorated.

そこで、従来のレーザ加工装置では、例えば特許文献1に見られるように、希土類ドープ光ファイバを高励起状態に励起させることの可能なレーザ出力(基準レーザ出力)を有する第1励起用半導体レーザと、同第1励起用半導体レーザよりも低いレーザ出力を有する第2励起用半導体レーザとを設けるようにしている。そして、図7に示すように、時刻t10でレーザ加工装置に設けられたスイッチがオン操作されたとすると、図7(b)に示すように、その時点で第2励起用半導体レーザのみが低レーザ出力Leでレーザ光を連続発振する。これにより、第2励起用半導体レーザから出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバがマーキングの不可能な状態にて予備励起される。その後、図7(a)に示すように、時刻t11で第1励起用半導体レーザが基準レーザ出力Ldでレーザ光を連続発振するとともに、図7(d)に示すように、同時刻t11で信号用半導体レーザがレーザ光をパルス発振する。このとき、既に予備励起されている希土類ドープ光ファイバは、第1励起用半導体レーザから出射されるレーザ光によって高励起状態まで即座に励起される。よって、図7(e)に示すように、増幅光の第1パルスP20で十分な出力Lfを確保することができるため、マーキングの品質を高めることが可能となる。なお、図7(c)は、希土類ドープ光ファイバの励起に利用されるレーザ光源の総レーザ出力を示している。   Therefore, in the conventional laser processing apparatus, for example, as seen in Patent Document 1, a first excitation semiconductor laser having a laser output (reference laser output) capable of exciting a rare earth-doped optical fiber to a high excitation state; A second pumping semiconductor laser having a laser output lower than that of the first pumping semiconductor laser is provided. As shown in FIG. 7, if a switch provided in the laser processing apparatus is turned on at time t10, as shown in FIG. 7B, only the second excitation semiconductor laser is a low laser at that time. Laser light is continuously oscillated at the output Le. As a result, the rare-earth-doped optical fiber is preliminarily excited in a state where marking is impossible by the laser light emitted from the second excitation semiconductor laser. Thereafter, as shown in FIG. 7 (a), the first pumping semiconductor laser continuously oscillates the laser beam with the reference laser output Ld at time t11, and at the same time t11 as shown in FIG. 7 (d). Semiconductor lasers oscillate laser light. At this time, the rare-earth-doped optical fiber that has already been pre-pumped is immediately pumped to the high pumping state by the laser light emitted from the first pumping semiconductor laser. Therefore, as shown in FIG. 7E, a sufficient output Lf can be secured by the first pulse P20 of the amplified light, so that the quality of marking can be improved. FIG. 7C shows the total laser output of the laser light source used for exciting the rare earth-doped optical fiber.

特開3411852号公報JP 34118852 A

このように、信号用半導体レーザからレーザ光が出射される前に希土類ドープ光ファイバを予め予備励起させておくこととすれば、増幅光の第1パルスP20で十分な出力Lfを確保することができるようにはなる。ただし、発明者による増幅光の出力計測実験では、図7(e)に示すように、第2パルス21以降の数パルスの出力が所定出力Lfよりも低下することが確認されている。このような増幅光の出力低下は、主に、以下のような原因によるものと考えられている。   Thus, if the rare earth doped optical fiber is preliminarily pumped before the laser light is emitted from the signal semiconductor laser, a sufficient output Lf can be secured by the first pulse P20 of the amplified light. It will be possible. However, in the amplification light output measurement experiment by the inventor, it has been confirmed that the output of several pulses after the second pulse 21 is lower than the predetermined output Lf, as shown in FIG. Such a decrease in the output of the amplified light is considered to be mainly due to the following causes.

・予備励起の際に希土類ドープ光ファイバに蓄積されたエネルギの多くは、信号用半導体レーザから出射されるレーザ光の第1パルスを増幅する際に消費されるため、第2パルス以降の初期パルスを十分に増幅することができないこと。   ・ Much of the energy stored in the rare-earth doped optical fiber during the pre-excitation is consumed when the first pulse of the laser light emitted from the signal semiconductor laser is amplified, so the initial pulse after the second pulse Cannot be amplified sufficiently.

・希土類ドープ光ファイバの蛍光寿命により、第1励起用半導体レーザから出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバを予備励起状態から高励起状態まで遷移させるまでにある程度の時間を要すること。   Due to the fluorescence lifetime of the rare earth-doped optical fiber, it takes a certain amount of time for the rare-earth-doped optical fiber to transition from the pre-pumped state to the high-pumped state by the laser light emitted from the first pumping semiconductor laser.

・信号用半導体レーザにおいて高繰り返しパルス動作を行う場合、希土類ドープ光ファイバに極めて短い周期でパルス光が入射されるため、希土類ドープ光ファイバに蓄積されたエネルギが消費され易くなる。このため、特に予備励起状態から高励起状態への励起過渡段階では、希土類ドープ光ファイバに蓄積されているエネルギが不足気味となり易いこと。   When a high repetition pulse operation is performed in the signal semiconductor laser, the pulse light is incident on the rare earth-doped optical fiber with an extremely short period, so that the energy accumulated in the rare earth doped optical fiber is easily consumed. For this reason, the energy accumulated in the rare earth-doped optical fiber tends to be insufficient, particularly in the excitation transient stage from the pre-excitation state to the high excitation state.

このように、こうしたレーザ加工装置では、増幅光の出力を安定化させるといった点で、なお改良の余地を残すものとなっている。
なお、このような課題は、レーザ光の照射により加工対象物にマーキング、穴あけ、切断及び溶接等の加工を行うレーザ加工装置に限らず、希土類ドープ光ファイバ等の光増幅部を通じてレーザ光を増幅して出射する各種レーザ装置に共通する課題である。
Thus, in such a laser processing apparatus, there is still room for improvement in terms of stabilizing the output of the amplified light.
Such a problem is not limited to a laser processing apparatus that performs processing such as marking, drilling, cutting, and welding on a workpiece by laser light irradiation, but amplifies laser light through an optical amplification unit such as a rare earth doped optical fiber. This is a problem common to various laser devices that emit light.

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、増幅光の出力を安定化させることのできるレーザ装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a laser apparatus capable of stabilizing the output of amplified light.

上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、信号用レーザ光源からパルス発振されるレーザ光を光増幅部を通じて増幅し、増幅光として出射するに際し、前記光増幅部を励起させる励起用レーザ光源として、基準レーザ出力を有する第1励起用レーザ光源と、該第1励起用レーザ光源よりも低いレーザ出力を有する第2励起用レーザ光源とを備えて、前記信号用レーザ光源からレーザ光をパルス発振する前に、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を予備励起させるとともに、前記信号用レーザ光源からレーザ光を出射する際に、前記第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させるレーザ装置において、前記第1励起用レーザ光源がレーザ光の出射を開始することを条件に、同第1励起用レーザ光源のレーザ出力を前記基準レーザ出力よりも高い高レーザ出力に設定した後、前記基準レーザ出力まで低下させるようにしたことを要旨とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 amplifies the laser light pulse-oscillated from the signal laser light source through the optical amplifying unit, and excites the optical amplifying unit when emitted as amplified light. As the excitation laser light source, a first excitation laser light source having a reference laser output and a second excitation laser light source having a laser output lower than that of the first excitation laser light source are provided. Before the laser light is pulse-oscillated, the optical amplification unit is preliminarily excited by the laser light emitted from the second excitation laser light source, and the first laser light is emitted from the signal laser light source. In the laser apparatus that excites the optical amplifying unit with laser light emitted from an excitation laser light source, the first excitation laser light source starts emitting laser light. Preparative to the condition, after setting the laser output of the first pumping laser light source to a high laser output is higher than the reference laser output, and summarized in that which is adapted to lower to the reference laser output.

同構成によれば、第1励起用レーザ光源からのレーザ光の出射開始に伴って第1励起用レーザ光源のレーザ出力が高レーザ出力に設定されるため、光増幅部は高励起状態への励起開始に伴って強く励起される。これにより、信号用レーザ光源から出射されるレーザ光の初期パルスがより大きく増幅されるため、増幅光の初期パルスで十分な出力を確保することが可能となる。よって、増幅光の出力を安定化させることができるようになる。   According to this configuration, since the laser output of the first excitation laser light source is set to a high laser output with the start of emission of laser light from the first excitation laser light source, the optical amplifying unit is switched to the high excitation state. It is excited strongly with the start of excitation. As a result, the initial pulse of the laser light emitted from the signal laser light source is further amplified, so that a sufficient output can be secured with the initial pulse of the amplified light. Therefore, the output of the amplified light can be stabilized.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のレーザ装置において、前記第1励起用レーザ光源における前記高レーザ出力への設定が、前記第1励起用レーザ光源からのレーザ光の出射開始時に行われることを要旨とする。   According to a second aspect of the present invention, in the laser device according to the first aspect, the setting of the high laser output in the first excitation laser light source is the start of emission of laser light from the first excitation laser light source. The gist of what is sometimes done.

同構成によれば、第1励起用レーザ光源においてレーザ光の出射が開始されるときに、そのレーザ出力が高レーザ出力に設定されるため、光増幅部の高励起状態への励起が開始される際に光増幅部が強く励起される。これにより、信号用レーザ光源から出射されるレーザ光の初期パルスをより効果的に増幅することができるため、増幅光の初期パルスで十分な出力を確保する上で有効となる。   According to this configuration, when the first excitation laser light source starts emitting laser light, the laser output is set to a high laser output, so that the excitation of the optical amplification unit to the high excitation state is started. In this case, the optical amplification unit is strongly excited. Thus, the initial pulse of the laser light emitted from the signal laser light source can be more effectively amplified, which is effective in securing a sufficient output with the initial pulse of the amplified light.

請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のレーザ装置において、前記第1励起用レーザ光源のレーザ出力の前記高レーザ出力から前記基準レーザ出力までの低下が、同レーザ出力の漸減処理として行われることを要旨とする。   According to a third aspect of the present invention, in the laser device according to the first or second aspect, a decrease in the laser output of the first excitation laser light source from the high laser output to the reference laser output is the same as the laser output. The gist is that it is performed as a gradual reduction process.

同構成によれば、先の図7(e)に例示した増幅光の出力の低下分を補うかたちで光増幅部を励起させることができるため、増幅光の出力をより安定化させることができるようになる。   According to this configuration, since the optical amplifying unit can be excited in a manner that compensates for the decrease in the output of the amplified light exemplified in FIG. 7E, the output of the amplified light can be further stabilized. It becomes like this.

請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ装置において、前記信号用レーザ光源からのレーザ光の出射を開始するに際して、その第1パルスの出射が、前記第1励起用レーザ光源からレーザ光が出射されるよりも前に行われることを要旨とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the laser apparatus according to any one of the first to third aspects, when starting the emission of the laser light from the signal laser light source, the emission of the first pulse is as follows: The gist of the present invention is that it is performed before the laser light is emitted from the first excitation laser light source.

同構成によるように、信号用レーザ光源からのレーザ光の第1パルスの出射を、第1励起用レーザ光源からレーザ光が出射されるよりも前に行うようにした場合、信号用レーザ光源から出射されたレーザ光の第1パルスは、予備励起の際に光増幅部に蓄積されたエネルギによって増幅されるため、増幅光の第1パルスで十分な出力を確保することが可能である。これにより、十分な出力を有する増幅光をより早く出射することができるため、ユーザの待機時間を短縮することができるようになる。   When the first pulse of the laser light from the signal laser light source is emitted before the laser light is emitted from the first excitation laser light source as in the same configuration, the signal laser light source Since the first pulse of the emitted laser light is amplified by the energy accumulated in the optical amplification unit at the time of preliminary excitation, it is possible to ensure a sufficient output with the first pulse of the amplified light. As a result, amplified light having a sufficient output can be emitted more quickly, and the waiting time of the user can be shortened.

本発明にかかるレーザ装置によれば、増幅光の出力を安定化させることができるようになる。   According to the laser device of the present invention, the output of the amplified light can be stabilized.

本発明にかかるレーザ装置を適用したレーザ加工装置の一実施形態についてその概略構成を示すブロック図。The block diagram which shows the schematic structure about one Embodiment of the laser processing apparatus to which the laser apparatus concerning this invention is applied. 同実施形態のレーザ加工装置によるマーキング処理の手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure of the marking process by the laser processing apparatus of the embodiment. (a)〜(e)は、同実施形態のレーザ加工装置についてその動作例を示すタイミングチャート。(A)-(e) is a timing chart which shows the operation example about the laser processing apparatus of the embodiment. (a)〜(e)は、本発明にかかるレーザ装置を適用したレーザ加工装置の他の例についてその動作例を示すタイミングチャート。(A)-(e) is a timing chart which shows the operation example about the other example of the laser processing apparatus to which the laser apparatus concerning this invention is applied. (a)〜(e)は、本発明にかかるレーザ装置を適用したレーザ加工装置の他の例についてその動作例を示すタイミングチャート。(A)-(e) is a timing chart which shows the operation example about the other example of the laser processing apparatus to which the laser apparatus concerning this invention is applied. (a)〜(e)は、本発明にかかるレーザ装置を適用したレーザ加工装置の他の例についてその動作例を示すタイミングチャート。(A)-(e) is a timing chart which shows the operation example about the other example of the laser processing apparatus to which the laser apparatus concerning this invention is applied. (a)〜(e)は、従来のレーザ加工装置についてその動作例を示すタイミングチャート。(A)-(e) is a timing chart which shows the operation example about the conventional laser processing apparatus.

以下、本発明にかかるレーザ装置を適用したレーザ加工装置の一実施形態について図1〜図3を参照して説明する。なお、本実施形態にかかるレーザ加工装置は、レーザ光の照射によりワークに文字や図形等をマーキングするものである。はじめに、図1を参照して、本実施形態にかかるレーザ加工装置の概要について説明する。   Hereinafter, an embodiment of a laser processing apparatus to which a laser apparatus according to the present invention is applied will be described with reference to FIGS. In addition, the laser processing apparatus concerning this embodiment marks a character, a figure, etc. on a workpiece | work by irradiation of a laser beam. First, with reference to FIG. 1, the outline | summary of the laser processing apparatus concerning this embodiment is demonstrated.

図1に示すように、このレーザ加工装置では、ユーザが入力部3に文字や図形等を入力すると、レーザ生成部1において生成されたレーザ光がヘッド部2を介してワークWに照射されて、文字や図形等がワークWにマーキングされる。   As shown in FIG. 1, in this laser processing apparatus, when a user inputs a character, a figure, or the like to the input unit 3, the laser beam generated by the laser generation unit 1 is irradiated to the workpiece W via the head unit 2. Characters, figures, etc. are marked on the workpiece W.

レーザ生成部1は、赤外線レーザをパルス発振する信号用レーザ光源としての信号用半導体レーザ10と、同半導体レーザ10から出射されたレーザ光を増幅する増幅器20とを備えている。信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光は、光ファイバ26aを介して増幅器20に入力されて増幅された後、同増幅器20の後端に設けられた光ファイバ26dを介して増幅光としてヘッド部2に入射される。   The laser generator 1 includes a signal semiconductor laser 10 as a signal laser light source that pulsates an infrared laser, and an amplifier 20 that amplifies the laser light emitted from the semiconductor laser 10. Laser light emitted from the signal semiconductor laser 10 is input to the amplifier 20 through the optical fiber 26a and amplified, and then amplified as light through an optical fiber 26d provided at the rear end of the amplifier 20. Incident into part 2.

増幅器20は、例えば希土類元素であるイットリビウム(Yb)を含むガラスファイバからなる希土類ドープ光ファイバ21と、該光ファイバ21をマーキングの可能な高励起状態に励起させるレーザ出力を有する第1励起用半導体レーザ22とを備えている。また、増幅器20は、第1励起用半導体レーザ22よりも低いレーザ出力を有する第2励起用半導体レーザ23を備えている。なお、本実施形態では、希土類ドープ光ファイバ21が光増幅部となっている。また、第1及び第2の励起用半導体レーザ22,23が第1及び第2の励起用レーザ光源となっている。   The amplifier 20 includes, for example, a rare earth-doped optical fiber 21 made of a glass fiber containing yttrium (Yb), which is a rare earth element, and a first pumping semiconductor having a laser output that excites the optical fiber 21 into a highly pumpable state capable of marking. And a laser 22. The amplifier 20 includes a second pumping semiconductor laser 23 having a laser output lower than that of the first pumping semiconductor laser 22. In the present embodiment, the rare earth-doped optical fiber 21 is an optical amplification unit. The first and second pumping semiconductor lasers 22 and 23 serve as the first and second pumping laser light sources.

第1励起用半導体レーザ22は、光ファイバ26cを介して希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を入射する。また、第2励起用半導体レーザ23は、光ファイバ26bを介して希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を入射する。   The first excitation semiconductor laser 22 makes the laser light incident on the rare earth-doped optical fiber 21 via the optical fiber 26c. The second pumping semiconductor laser 23 makes the laser light incident on the rare earth-doped optical fiber 21 via the optical fiber 26b.

一方、希土類ドープ光ファイバ21は、図示しないボビンに多数回巻回されることにより所要長の光路が確保された構造を有している。なお、同図では、希土類ドープ光ファイバ21において入射端21aから出射端21bに向かう方向を矢印aで示している。希土類ドープ光ファイバ21の入射端21a及び出射端21bには、第1及び第2の光結合部24,25がそれぞれ設けられている。   On the other hand, the rare earth-doped optical fiber 21 has a structure in which an optical path having a required length is secured by being wound many times on a bobbin (not shown). In the drawing, the direction from the incident end 21a to the emission end 21b in the rare earth-doped optical fiber 21 is indicated by an arrow a. First and second optical coupling portions 24 and 25 are provided at the incident end 21a and the emission end 21b of the rare earth-doped optical fiber 21, respectively.

第1光結合部24には、信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光が光ファイバ26aを介して入射されるとともに、第2励起用半導体レーザ23から出射されたレーザ光が光ファイバ26bを介して入射される。第1光結合部24は、信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光、及び第2励起用半導体レーザ23から出射されたレーザ光を希土類ドープ光ファイバ21の入射端21aに矢印aで示す方向にそれぞれ入射させる。そして、第2励起用半導体レーザ23から出射されたレーザ光が第1光結合部24を介して希土類ドープ光ファイバ21に入射されることにより、希土類ドープ光ファイバ21がマーキングの不可能な低励起状態にて予備励起される。   Laser light emitted from the signal semiconductor laser 10 is incident on the first optical coupling portion 24 via the optical fiber 26a, and laser light emitted from the second excitation semiconductor laser 23 passes through the optical fiber 26b. Through. The first optical coupling unit 24 transmits the laser light emitted from the signal semiconductor laser 10 and the laser light emitted from the second excitation semiconductor laser 23 to the incident end 21a of the rare earth-doped optical fiber 21 in the direction indicated by the arrow a. Respectively. The laser light emitted from the second pumping semiconductor laser 23 is incident on the rare earth-doped optical fiber 21 via the first optical coupling portion 24, so that the rare earth doped optical fiber 21 is low-pumped and cannot be marked. Pre-excited in the state.

一方、第2光結合部25には、希土類ドープ光ファイバ21の出射端21bから出射されたレーザ光が入射されるとともに、第1励起用半導体レーザ22から出射されたレーザ光が光ファイバ26cを介して入射される。第2光結合部25は、第1励起用半導体レーザ22から出射されたレーザ光を希土類ドープ光ファイバ21の出射端21bに矢印aで示す方向と逆の方向に入射させる。これにより、希土類ドープ光ファイバ21がマーキング可能な高励起状態に励起される。また、第2光結合部25は、希土類ドープ光ファイバ21の出射端21bから出射されたレーザ光(増幅光)を光ファイバ26dを介してヘッド部2に出射する。   On the other hand, laser light emitted from the emission end 21b of the rare earth-doped optical fiber 21 is incident on the second optical coupling unit 25, and laser light emitted from the first excitation semiconductor laser 22 passes through the optical fiber 26c. Through. The second optical coupling unit 25 causes the laser beam emitted from the first excitation semiconductor laser 22 to enter the emission end 21b of the rare earth-doped optical fiber 21 in the direction opposite to the direction indicated by the arrow a. As a result, the rare earth-doped optical fiber 21 is excited to a highly excited state that can be marked. The second optical coupling unit 25 emits laser light (amplified light) emitted from the emission end 21b of the rare earth-doped optical fiber 21 to the head unit 2 through the optical fiber 26d.

なお、光ファイバ26aには、レーザ光を矢印aで示す方向にのみ通過させる光アイソレータ27が設けられている。すなわち、この光アイソレータ27によって、光ファイバの接合部分やレーザ反射面で反射された光が信号用半導体レーザ10に逆流して同半導体レーザ10が損傷することが防止されている。   The optical fiber 26a is provided with an optical isolator 27 that allows laser light to pass only in the direction indicated by the arrow a. That is, the optical isolator 27 prevents the light reflected by the joint portion of the optical fiber and the laser reflecting surface from flowing backward to the signal semiconductor laser 10 and damaging the semiconductor laser 10.

一方、ヘッド部2は、レーザ生成部1の光ファイバ26dから出射される増幅光を平行光あるいは収束光に絞るコリメータレンズ40を備えている。コリメータレンズ40を通じて絞られた増幅光は、ヘッド部2に設けられた光走査機構41によって所要の方向に反射される。光走査機構41は、増幅光を反射する2つのガルバノミラーを有して構成されるものであって、各ガルバノミラーの傾斜角度を変化させることにより、コリメータレンズ40を通じて絞られた増幅光を所要の方向に走査させるものである。光走査機構41にて反射された増幅光は、集光レンズ42によりスポットレーザ光に絞り込まれる。そして、絞り込まれた増幅光がワークWの表面上を走査することにより所望のマーキングが行われる。   On the other hand, the head unit 2 includes a collimator lens 40 that narrows the amplified light emitted from the optical fiber 26d of the laser generating unit 1 into parallel light or convergent light. The amplified light focused through the collimator lens 40 is reflected in a required direction by the optical scanning mechanism 41 provided in the head unit 2. The optical scanning mechanism 41 is configured to include two galvanometer mirrors that reflect the amplified light, and the amplified light focused through the collimator lens 40 is required by changing the inclination angle of each galvanometer mirror. Scanning in the direction of. The amplified light reflected by the optical scanning mechanism 41 is narrowed down to a spot laser beam by the condenser lens 42. Then, the narrowed amplified light scans the surface of the workpiece W, whereby desired marking is performed.

また、入力部3は、上述のように、ワークWに印字する文字や図形等が入力される部分であるとともに、ユーザによってマーキングの開始及び停止などの操作が行われる部分でもある。入力部3は、文字や図形などが入力されると、その入力情報を出力する。また、入力部3は、マーキング開始操作及び停止操作が行われると、そのことを示す操作信号を出力する。そして、これら入力部3の出力は、マイクロコンピュータを中心に構成された制御部5に取り込まれる。   Further, as described above, the input unit 3 is a part where characters, graphics, and the like to be printed on the workpiece W are input, and also a part where operations such as starting and stopping of marking are performed by the user. When a character or graphic is input, the input unit 3 outputs the input information. Further, when a marking start operation and a stop operation are performed, the input unit 3 outputs an operation signal indicating that. Then, the outputs of these input units 3 are taken into a control unit 5 configured mainly with a microcomputer.

制御部5は、入力部3の出力に基づきドライバ30〜32を通じて半導体レーザ10,22,23の供給電流量をそれぞれ制御することで、各半導体レーザ10,22,23の駆動、停止、並びにレーザ出力を制御する。また、制御部5は、光走査機構41の駆動も制御する。具体的には、制御部5は、ワークWに印字する文字や図形等の入力情報が入力部3から送信されると、これを内蔵するメモリ5aに記憶させる。その後、入力部3から出力される操作信号に基づきマーキング開始操作が行われたことを検知すると、まず、ドライバ32を介して第2励起用半導体レーザ23を駆動させることにより、希土類ドープ光ファイバ21を所定時間だけ予備励起させる。その後、メモリ5aに記憶された入力情報に基づき、ドライバ30,31を介して信号用半導体レーザ10及び第1励起用半導体レーザ22を駆動させるとともに、光走査機構41を駆動させることにより、文字や図形等をワークWにマーキングする。   The control unit 5 controls the supply current amounts of the semiconductor lasers 10, 22, and 23 through the drivers 30 to 32 based on the output of the input unit 3, thereby driving, stopping, and lasering the semiconductor lasers 10, 22, and 23, respectively. Control the output. The control unit 5 also controls driving of the optical scanning mechanism 41. Specifically, when input information such as characters or figures to be printed on the workpiece W is transmitted from the input unit 3, the control unit 5 stores the input information in the memory 5a. Thereafter, when it is detected that the marking start operation has been performed based on the operation signal output from the input unit 3, first, the second pumping semiconductor laser 23 is driven via the driver 32, whereby the rare-earth doped optical fiber 21. Are pre-excited for a predetermined time. Thereafter, based on the input information stored in the memory 5a, the signal semiconductor laser 10 and the first pumping semiconductor laser 22 are driven via the drivers 30 and 31, and the optical scanning mechanism 41 is driven, thereby A figure or the like is marked on the workpiece W.

次に、図2を参照して、マーキングを行う処理の手順について説明する。なお、図2に示す処理は、入力部3から出力される操作信号に基づきマーキング開始操作が行われたことを検知したときに実行される。なお、基準レーザ出力La1は、増幅光の出力に基づき設定されるものであって、希土類ドープ光ファイバ21をマーキングの可能な高励起状態に励起させることの可能なレーザ出力を示す。   Next, with reference to FIG. 2, the procedure of the marking process will be described. 2 is executed when it is detected that a marking start operation has been performed based on an operation signal output from the input unit 3. The reference laser output La1 is set based on the output of the amplified light, and indicates a laser output capable of exciting the rare earth-doped optical fiber 21 to a high excitation state capable of marking.

同図2に示すように、この処理では、まず、ドライバ32を介して第2励起用半導体レーザ23から低レーザ出力Lbでレーザ光を連続発振させるとともに(ステップS1)、第1所定時間Taが経過したか否かが監視される(ステップS2)。なお、低レーザ出力Lbは、基準レーザ出力La1よりも低い値であって、希土類ドープ光ファイバ21をマーキングの不可能な低励起状態に励起させることの可能な値に設定されている。また、第1所定時間Taは、上記基準レーザ出力La1の大きさに依存して決定されるものであって、増幅光の第1パルスで十分な出力を確保することができるように予めの実験などを通じて設定されている。そして、第1所定時間Taが経過した場合には(ステップS2:YES)、信号用半導体レーザ10からレーザ光をパルス発振させた後(ステップS3)、信号用半導体レーザ10においてレーザ光の第1パルスが出射されてから第2所定時間Tbが経過したか否かが監視される(ステップS4)。なお、第2所定時間Tbは、信号用半導体レーザ10においてレーザ光の第1パルスが出射されてから第2パルスが出射されるまでの期間よりも短い時間に設定されている。そして、信号用半導体レーザ10においてレーザ光の第1パルスが出射されてから第2所定時間Tbが経過した場合には(ステップS4:YES)、第1励起用半導体レーザ22から高レーザ出力La2でレーザ光を連続発振させる(ステップS5)。また、続くステップS6の処理として、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を第3所定時間Tcかけて基準レーザ出力La1まで漸次低下させる(ステップS6)。その後、マーキングが完了したか否かが監視されて(ステップS7)、マーキングが完了した場合には(ステップS7:YES)、各半導体レーザ10,22,23の発振が停止される(ステップS8)。   As shown in FIG. 2, in this process, first, the laser light is continuously oscillated from the second pumping semiconductor laser 23 through the driver 32 with the low laser output Lb (step S1), and the first predetermined time Ta is set. It is monitored whether or not it has elapsed (step S2). The low laser output Lb is set to a value lower than the reference laser output La1 and capable of exciting the rare earth doped optical fiber 21 to a low excitation state where marking is impossible. In addition, the first predetermined time Ta is determined depending on the magnitude of the reference laser output La1, and a preliminary experiment is performed so that a sufficient output can be secured by the first pulse of the amplified light. Etc. are set through. If the first predetermined time Ta has elapsed (step S2: YES), the laser light is pulse-oscillated from the signal semiconductor laser 10 (step S3), and then the first laser light is emitted from the signal semiconductor laser 10. It is monitored whether or not the second predetermined time Tb has elapsed since the pulse was emitted (step S4). The second predetermined time Tb is set to a time shorter than the period from when the first pulse of laser light is emitted in the signal semiconductor laser 10 to when the second pulse is emitted. Then, when the second predetermined time Tb has elapsed since the first pulse of the laser beam was emitted from the signal semiconductor laser 10 (step S4: YES), the high laser output La2 from the first excitation semiconductor laser 22 is obtained. Laser light is continuously oscillated (step S5). Further, in the subsequent step S6, the laser output of the first excitation semiconductor laser 22 is gradually reduced to the reference laser output La1 over a third predetermined time Tc (step S6). Thereafter, it is monitored whether or not the marking is completed (step S7). When the marking is completed (step S7: YES), the oscillation of each of the semiconductor lasers 10, 22, and 23 is stopped (step S8). .

次に、図3を参照して、本実施形態にかかるレーザ加工装置の動作例(作用)について説明する。
図3に示すように、例えば時刻t1でユーザが入力部3に対してマーキング開始操作を行ったとすると、図3(b)に示すように、第2励起用半導体レーザ23が低レーザ出力Lbでレーザ光を連続発振する。これにより、希土類ドープ光ファイバ21がマーキング不可能な低励起状態に励起される。そして、時刻t1から第1所定時間Taが経過した時刻t2の時点で、増幅光の第1パルスで十分な出力Lcを確保することが可能なレベルまで希土類ドープ光ファイバ21が励起される。そして、本実施形態のレーザ加工装置では、図3(d)に示すように、時刻t2で信号用半導体レーザ10がレーザ光のパルス発振を開始する。このとき、信号用半導体レーザ10から出射されるレーザ光の第1パルスP10は、予備励起の際に希土類ドープ光ファイバ21に蓄積されたエネルギによって増幅されるため、図3(e)に示すように、増幅光の第1パルスP1で十分な出力Lcを確保することができる。
Next, an operation example (action) of the laser processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 3, if the user performs a marking start operation on the input unit 3 at time t1, for example, as shown in FIG. 3B, the second excitation semiconductor laser 23 has a low laser output Lb. Laser light is oscillated continuously. Thereby, the rare earth doped optical fiber 21 is excited to a low excitation state incapable of marking. Then, at the time t2 when the first predetermined time Ta has elapsed from the time t1, the rare earth-doped optical fiber 21 is excited to a level at which a sufficient output Lc can be secured with the first pulse of the amplified light. In the laser processing apparatus of the present embodiment, as shown in FIG. 3D, the signal semiconductor laser 10 starts pulse oscillation of the laser light at time t2. At this time, the first pulse P10 of the laser light emitted from the signal semiconductor laser 10 is amplified by the energy accumulated in the rare earth-doped optical fiber 21 at the time of the preliminary excitation, and as shown in FIG. In addition, a sufficient output Lc can be secured by the first pulse P1 of the amplified light.

また、信号用半導体レーザ10からレーザ光の第1パルスP10が出射された時点から第2所定時間Tbが経過した時刻t3の時点で、すなわち同半導体レーザ10の第1パルスP10の出射から第2パルスP11の出射までの間に、図3(a)に示すように、第1励起用半導体レーザ22が高レーザ出力La2でレーザ光を連続発振する。これにより、時刻t3から希土類ドープ光ファイバ21が高励起状態に励起される。そして、時刻t3から第3所定時間Tcが経過したt4までの期間、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力が高レーザ出力La2から基準レーザ出力La1まで漸次低下した後、基準レーザ出力La1で保持される。このとき、図3(c)に示すように、時刻t3で励起光源の総レーザ出力が特に強くなるため、希土類ドープ光ファイバ21が高励起状態への励起開始時に特に強く励起されることとなる。このため、信号用半導体レーザ10から出射されるレーザ光の第2パルスP11以降の初期パルスをより大きく増幅することができる。また、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を高レーザ出力La2から基準レーザ出力La1まで漸次低下させることとすれば、先の図7(e)に例示した増幅光の出力の低下分を補うかたちで希土類ドープ光ファイバ21を励起させることもできる。よって、図3(e)に示すように、増幅光の第2パルスP2以降の初期パルスでも十分な出力Lcを確保することができるため、増幅光の出力を安定化させることができる。   Further, at the time t3 when the second predetermined time Tb has elapsed from the time when the first pulse P10 of the laser beam is emitted from the signal semiconductor laser 10, that is, from the emission of the first pulse P10 of the semiconductor laser 10 to the second time. Before the emission of the pulse P11, as shown in FIG. 3A, the first excitation semiconductor laser 22 continuously oscillates the laser beam with the high laser output La2. Thereby, the rare earth doped optical fiber 21 is excited to a highly excited state from time t3. Then, during the period from time t3 to t4 when the third predetermined time Tc has elapsed, the laser output of the first excitation semiconductor laser 22 gradually decreases from the high laser output La2 to the reference laser output La1, and then held at the reference laser output La1. Is done. At this time, as shown in FIG. 3C, the total laser output of the pumping light source becomes particularly strong at time t3, so that the rare earth-doped optical fiber 21 is pumped particularly strongly at the start of pumping to the high pumping state. . For this reason, the initial pulse after the second pulse P11 of the laser light emitted from the signal semiconductor laser 10 can be further amplified. Further, if the laser output of the first pumping semiconductor laser 22 is gradually decreased from the high laser output La2 to the reference laser output La1, the decrease in the output of the amplified light illustrated in FIG. The rare earth-doped optical fiber 21 can also be excited in the form. Therefore, as shown in FIG. 3E, a sufficient output Lc can be ensured even with the initial pulse after the second pulse P2 of the amplified light, so that the output of the amplified light can be stabilized.

なお、その後、時刻t5でマーキングが完了したとすると、図3(a),(b),(d)に示すように、その時点で各半導体レーザ10,22,23の発振が停止される。
以上説明したように、本実施形態にかかるレーザ加工装置によれば、以下のような効果が得られるようになる。
If the marking is completed at time t5 thereafter, the oscillation of each of the semiconductor lasers 10, 22, and 23 is stopped at that time, as shown in FIGS. 3 (a), (b), and (d).
As described above, according to the laser processing apparatus according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)第1励起用半導体レーザ22からのレーザ光の出射開始時に、そのレーザ出力を基準レーザ出力La1よりも高い高レーザ出力La2に設定した後、基準レーザ出力La1まで低下させることとした。これにより、増幅光の初期パルスで十分な出力を確保することができるため、増幅光の出力を安定化させることができるようになる。   (1) At the start of emission of laser light from the first excitation semiconductor laser 22, the laser output is set to a high laser output La2 higher than the reference laser output La1, and then lowered to the reference laser output La1. As a result, a sufficient output can be ensured by the initial pulse of the amplified light, so that the output of the amplified light can be stabilized.

(2)第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を高レーザ出力La2から基準レーザ出力La1まで低下させるにあたり、同レーザ出力を漸次低下させることとした。これにより、先の図7(e)に励起した増幅光の出力の低下分を補うかたちで希土類ドープ光ファイバ21を励起させることができるため、増幅光の出力をより安定化させることができるようになる。   (2) In reducing the laser output of the first excitation semiconductor laser 22 from the high laser output La2 to the reference laser output La1, the laser output is gradually reduced. This makes it possible to excite the rare earth-doped optical fiber 21 in a manner that compensates for the decrease in the output of the amplified light excited in FIG. 7E, so that the output of the amplified light can be further stabilized. become.

(3)信号用半導体レーザ10からのレーザ光の出射を開始するに際して、その第1パルスの出射を、第1励起用半導体レーザ22からレーザ光が出射されるよりも前に行うこととした。これにより、十分なレーザ出力を有する増幅光をより早く出射することができるため、ユーザの待機時間を短縮することができるようになる。   (3) When starting emission of the laser light from the signal semiconductor laser 10, the first pulse is emitted before the laser light is emitted from the first excitation semiconductor laser 22. As a result, the amplified light having a sufficient laser output can be emitted earlier, so that the waiting time of the user can be shortened.

なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
・第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を高レーザ出力La2から基準レーザ出力La1まで低下させる方法として、例えば図4及び図5に示すような方法を採用してもよい。すなわち、図4(a)に示すように、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力をパルス状に変化させてもよい。また、図5(a)に示すように、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を階段状に変化させてもよい。このような構成であっても、信号用レーザ光源から出射されるレーザ光の初期パルスをより大きく増幅することができるため、増幅高の出力を安定化させることが可能である。
In addition, the said embodiment can also be implemented with the following forms which changed this suitably.
As a method for reducing the laser output of the first pumping semiconductor laser 22 from the high laser output La2 to the reference laser output La1, for example, a method as shown in FIGS. 4 and 5 may be employed. That is, as shown in FIG. 4A, the laser output of the first excitation semiconductor laser 22 may be changed in pulses. Further, as shown in FIG. 5A, the laser output of the first excitation semiconductor laser 22 may be changed stepwise. Even with such a configuration, since the initial pulse of the laser light emitted from the signal laser light source can be further amplified, it is possible to stabilize the output with high amplification.

・また、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を高レーザ出力La2から基準レーザ出力La1まで低下させる方法として、例えば図6に示すような方法を採用してもよい。すなわち、図6(a)に示すように、時刻t3で第1励起用半導体レーザ22からのレーザ光の出射を開始したとき、そのレーザ出力を基準レーザ出力La1に一旦設定する。そして、時刻t3から所定時間Tdが経過した時刻t6の時点で、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を高レーザ出力La2に設定するとともに、その時点から基準レーザ出力La1まで漸次低下させる。このような構成は、上記実施形態の方法、すなわち第1励起用半導体レーザ22からのレーザ光の出射開始時にそのレーザ出力を高レーザ出力La2に設定するといった方法を採用したときに、増幅光の第1パルスや第2パルスの出力が大きくなり過ぎる場合に有効である。   As a method for reducing the laser output of the first excitation semiconductor laser 22 from the high laser output La2 to the reference laser output La1, for example, a method as shown in FIG. 6 may be employed. That is, as shown in FIG. 6A, when emission of laser light from the first excitation semiconductor laser 22 is started at time t3, the laser output is temporarily set to the reference laser output La1. Then, at the time t6 when the predetermined time Td has elapsed from the time t3, the laser output of the first excitation semiconductor laser 22 is set to the high laser output La2 and gradually decreased from that time to the reference laser output La1. In such a configuration, when the method of the above embodiment, that is, the method of setting the laser output to the high laser output La2 at the start of the emission of the laser light from the first excitation semiconductor laser 22, the amplified light is used. This is effective when the output of the first pulse or the second pulse becomes too large.

・信号用半導体レーザ10からレーザ光の出射を開始する時期を、第1励起用半導体レーザ22から高レーザ出力La2でレーザ光が出射されたとき、あるいはそれ以降に設定してもよい。   The timing for starting the emission of the laser beam from the signal semiconductor laser 10 may be set when the laser beam is emitted from the first excitation semiconductor laser 22 with the high laser output La2 or after that.

・上記実施形態では、本発明にかかるレーザ加工装置を、2つの励起用半導体レーザを備えるレーザ加工装置に適用することとしたが、例えば3つ以上の励起用半導体レーザを備えるレーザ加工装置に適用することも可能である。   In the above embodiment, the laser processing apparatus according to the present invention is applied to a laser processing apparatus including two excitation semiconductor lasers. For example, the laser processing apparatus is applied to a laser processing apparatus including three or more excitation semiconductor lasers. It is also possible to do.

・上記実施形態では、本発明にかかるレーザ装置を、ワークにマーキングを行うレーザ加工装置(レーザマーカー)に適用することとしたが、例えばワークに穴あけ、切断、及び溶接等の加工を行うレーザ加工装置に適用することも可能である。また、レーザ加工装置に限らず、希土類ドープ光ファイバ21等の光増幅部を通じてレーザ光を増幅して出射する各種レーザ装置に適用することも可能である。   In the above embodiment, the laser apparatus according to the present invention is applied to a laser processing apparatus (laser marker) that marks a workpiece. For example, laser processing that performs processing such as drilling, cutting, and welding on a workpiece. It is also possible to apply to an apparatus. Further, the present invention is not limited to the laser processing apparatus, and can be applied to various laser apparatuses that amplify and emit laser light through an optical amplification unit such as the rare earth doped optical fiber 21.

<付記>
次に、上記実施形態及びその変形例から把握できる技術的思想について追記する。
(イ)加工対象物にレーザ光を照射することにより前記加工対象物の加工を行うレーザ加工装置において、前記加工対象物に前記レーザ光を照射する装置として、請求項1〜4のいずれか一項に記載のレーザ装置が用いられていることを特徴とするレーザ加工装置。上述のように、レーザ加工装置では、加工精度を高める上で、増幅光の出力の安定化が強く望まれることから、こうしたレーザ加工装置に上述したレーザ装置を用いることの意義は大きい。
<Appendix>
Next, a technical idea that can be grasped from the above embodiment and its modifications will be additionally described.
(A) In a laser processing apparatus for processing the object to be processed by irradiating the object to be processed with a laser beam, as an apparatus for irradiating the object to be processed with the laser light, any one of claims 1 to 4. The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned is used. As described above, in the laser processing apparatus, in order to increase the processing accuracy, stabilization of the output of the amplified light is strongly desired. Therefore, it is significant to use the laser apparatus described above for such a laser processing apparatus.

W…ワーク、1…レーザ生成部、2…ヘッド部、3…入力部、5…制御部、5a…メモリ、10…信号用半導体レーザ、20…増幅器、21…希土類ドープ光ファイバ、21a…入射端、21b…出射端、22…第1励起用半導体レーザ、23…第2励起用半導体レーザ、24…第1光結合部、25…第2光結合部、26a〜26d…光ファイバ、27…光アイソレータ、30〜32…ドライバ、40…コリメータレンズ、41…光走査機構、42…集光レンズ。   W ... Work, 1 ... Laser generator, 2 ... Head, 3 ... Input, 5 ... Control, 5a ... Memory, 10 ... Signal semiconductor laser, 20 ... Amplifier, 21 ... Rare earth doped optical fiber, 21a ... Incident End, 21b ... Output end, 22 ... First excitation semiconductor laser, 23 ... Second excitation semiconductor laser, 24 ... First optical coupling portion, 25 ... Second optical coupling portion, 26a-26d, Optical fiber, 27 ... Optical isolators, 30 to 32... Drivers, 40... Collimator lenses, 41.

Claims (4)

信号用レーザ光源からパルス発振されるレーザ光を光増幅部を通じて増幅し、増幅光として出射するに際し、前記光増幅部を励起させる励起用レーザ光源として、基準レーザ出力を有する第1励起用レーザ光源と、該第1励起用レーザ光源よりも低いレーザ出力を有する第2励起用レーザ光源とを備えて、前記信号用レーザ光源からレーザ光をパルス発振する前に、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を予備励起させるとともに、前記信号用レーザ光源からレーザ光を出射する際に、前記第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させるレーザ装置において、
前記第1励起用レーザ光源がレーザ光の出射を開始することを条件に、同第1励起用レーザ光源のレーザ出力を前記基準レーザ出力よりも高い高レーザ出力に設定した後、前記基準レーザ出力まで低下させるようにした
ことを特徴とするレーザ装置。
A first pumping laser light source having a reference laser output as a pumping laser light source for exciting the light amplifying unit when the laser light pulse-oscillated from the signal laser light source is amplified through an optical amplifying unit and emitted as amplified light And a second excitation laser light source having a laser output lower than that of the first excitation laser light source, before pulsing the laser light from the signal laser light source, from the second excitation laser light source. The optical amplifying unit is preliminarily excited by the emitted laser light, and when the laser light is emitted from the signal laser light source, the optical amplifying unit is excited by the laser light emitted from the first excitation laser light source. In the laser device to be
On condition that the first excitation laser light source starts emitting laser light, the laser output of the first excitation laser light source is set to a high laser output higher than the reference laser output, and then the reference laser output A laser device characterized by being lowered to a minimum.
前記第1励起用レーザ光源における前記高レーザ出力への設定が、前記第1励起用レーザ光源からのレーザ光の出射開始時に行われる
請求項1に記載のレーザ装置。
The laser apparatus according to claim 1, wherein the setting of the high laser output in the first excitation laser light source is performed at the start of emission of laser light from the first excitation laser light source.
前記第1励起用レーザ光源のレーザ出力の前記高レーザ出力から前記基準レーザ出力までの低下が、同レーザ出力の漸減処理として行われる
請求項1又は2に記載のレーザ装置。
The laser apparatus according to claim 1, wherein the laser output of the first excitation laser light source is decreased from the high laser output to the reference laser output as a gradual reduction process of the laser output.
前記信号用レーザ光源からのレーザ光の出射を開始するに際して、その第1パルスの出射が、前記第1励起用レーザ光源からレーザ光が出射されるよりも前に行われる
請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ装置。
4. When starting emission of laser light from the signal laser light source, the first pulse is emitted before the laser light is emitted from the first excitation laser light source. The laser device according to any one of the above.
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