JP2012248535A - 絶縁層を介して導電経路を形成するための装置及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 57
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 229910052695 Americium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LXQXZNRPTYVCNG-UHFFFAOYSA-N americium atom Chemical compound [Am] LXQXZNRPTYVCNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010338 mechanical breakdown Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の表面上の絶縁層を介して、導電経路を形成する装置に関する。第1の放射線源は、絶縁層の第1の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第1の電気接点は、第1の領域へ第1のバイアス電圧を印加するように構成される。第2の放射線源は、絶縁層の第2の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第2の電気接点は、第2の領域へ第2のバイアス電圧を印加するように構成される。領域の伝導性は、伝導経路がそれらの領域で絶縁層を介して形成されるように、放射によって増加する。一実施態様において、装置は、電子ビーム装置において使用され得る。別の実施形態は、絶縁層を介して導電経路を形成する方法に関する。
【選択図】図1
Description
本発明は、絶縁層を介して電気的経路を形成するための技術に関する。
ΔV1=V1−Vw=I1Z1
及び、
ΔV2=Vw−(−V2)=Vw+V2=I2Z2
である。図2に関して、上記に開示したように、
I1=Iビーム無し
及び
I2=Iビーム無し+I荷電
である。
Claims (22)
- 基板の表面上の絶縁層を介する導電経路を形成する装置であって、
放射線を前記絶縁層の第1の領域へ放出するように構成された第1の放射線源と、
前記第1の領域へ、第1のバイアス電圧を印加するように構成された第1の電気接点と、
放射線を前記絶縁層の第2の領域へ放出するように構成された第2の放射線源と、
前記第2の領域へ、第2のバイアス電圧を印加するように構成された第2の電気接点と
を含む、装置。 - 前記第1の領域の部分へ衝突するように、前記第1の放射線源からの放射線が、前記第1の電気接点における開口部を介して通過し、且つ、前記第2の領域の部分へ衝突するように、前記第2の放射線源からの放射線が、前記第2の電気接点における開口部を介して通過する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1及び第2の電気接点が、前記領域へ前記バイアス電圧を印加する伝導メッシュを含み、前記放射線源からの前記放射線が、前記伝導メッシュにおける開口部を介して通過する、請求項2に記載の装置。
- 正のバイアス電圧が前記第1の電気接点によって印加され、負のバイアス電圧が前記第2の電気接点によって印加される、請求項1に記載の装置。
- 前記バイアス電圧が、前記絶縁層の電流−電圧特性データを用いて決定される、請求項4に記載の装置。
- 前記基板の前記表面へビーム電流を用いて電子ビームを集中させるための、電子ビームカラムを更に含む、請求項1に記載の装置。
- 前記ビーム電流から前記基板によって荷電電流を吸収し、前記装置が、前記絶縁層を介して前記基板の外の前記荷電電流と接触する、請求項6に記載の装置。
- 前記放射線源が紫外線を生成する、請求項1に記載の装置。
- 前記放射線源が荷電粒子を生成する、請求項1に記載の装置。
- 前記荷電粒子が、α粒子を含む、請求項9に記載の装置。
- 前記放射線源が、アメリシウムを含む、請求項10に記載の装置。
- 絶縁層を介して導電経路を形成するための方法であって、
前記絶縁層の第1の領域へ放射線を放出することと、
前記第1の領域へ第1のバイアス電圧を印加することと、
前記絶縁層の第2の領域へ放射線を放出することと、
前記第2の領域へ第2のバイアス電圧を印加することと
を含む、方法。 - 前記第1の領域の部分へ衝突するように、前記第1の放射線源からの前記放射線が前記第1の電気接点における開口部を介して通過し、かつ、前記第2の領域の部分へ衝突するように、前記第2の放射線源からの前記放射線が前記第2の電気接点における開口部を介して通過する、請求項12に記載の方法。
- 前記第1及び第2の電気接点が、前記領域へ前記バイアス電圧を印加する伝導性メッシュを含み、前記放射線源からの前記放射線が、前記伝導性メッシュにおける開口部を介して通過する、請求項13に記載の方法。
- 正のバイアス電圧が前記第1の電気接点によって印加され、負のバイアス電圧が前記第2の電気接点によって印加される、請求項12に記載の方法。
- 前記絶縁層についての電流−電圧特性データを使用して、前記バイアス電圧を決定することを、更に含む請求項15に記載の方法。
- 前記基板の前記表面へ、ビーム電流を用いて電子ビームを集中することと、
前記ビーム電流から荷電電流を前記基板へ吸収することと、
前記絶縁層を介して前記基板外へ前記荷電電流を導電することと、
を更に含む、請求項12に記載の方法。 - 前記放射線源が紫外線を生成する、請求項12に記載の方法。
- 前記放射線源が荷電粒子を生成する、請求項12に記載の方法。
- 前記荷電粒子が、α粒子を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記放射線源がアメリシウムを含む、請求項20に記載の方法。
- 基板の表面上の絶縁層を介して、導電経路を形成する装置であって、
前記絶縁層の第1の領域へ放射線を放出するように構成された、第1の放射線源と、
前記第1の領域へ前記第1のバイアス電圧を印加するように構成された第1の電気接点と、含み、
前記第1の放射線源からの放射線は、前記第1の領域の部分へ衝突するように、前記第1の電気接点における開口部を介して通過する、
装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161488940P | 2011-05-23 | 2011-05-23 | |
US61/488,940 | 2011-05-23 | ||
US13/468,617 US8618513B2 (en) | 2011-05-23 | 2012-05-10 | Apparatus and methods for forming an electrical conduction path through an insulating layer |
US13/468,617 | 2012-05-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012248535A true JP2012248535A (ja) | 2012-12-13 |
JP6097019B2 JP6097019B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=47218607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012116119A Active JP6097019B2 (ja) | 2011-05-23 | 2012-05-22 | 絶縁層を介して導電経路を形成するための装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8618513B2 (ja) |
JP (1) | JP6097019B2 (ja) |
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US9390887B2 (en) | 2013-09-17 | 2016-07-12 | Kla-Tencor Corporation | Non-invasive charged particle beam monitor |
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-
2012
- 2012-05-10 US US13/468,617 patent/US8618513B2/en active Active
- 2012-05-22 JP JP2012116119A patent/JP6097019B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120298879A1 (en) | 2012-11-29 |
US8618513B2 (en) | 2013-12-31 |
JP6097019B2 (ja) | 2017-03-15 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
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