JP2012234615A5 - - Google Patents

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レーザダイオードをスライダ上で整列させるための方法および装置Method and apparatus for aligning laser diodes on a slider

関連出願への相互参照
この出願は、4/30/2010に提出され、その内容全体がここに引用により援用される、米国仮出願第61/330,067号の恩恵を主張する。
This application claims the benefit of US Provisional Application No. 61 / 330,067, filed 4/30/2010, the entire contents of which are hereby incorporated by reference.

背景
熱補助された磁気記録(HAMR)は、一般に、局所的に記録媒体を加熱することにより、媒体の保磁力を低減して、印加される書込み磁界が、熱源によって引起された媒体の一時的な磁気鈍しの間において、媒体の磁化をより容易に方向付けることができるようにする概念を指す。厳密に制限された高パワーレーザ光点を、記録媒体の一部を加熱するために用いることができる。次いで、加熱された部分は、加熱された部分の磁化の方向を設定する磁界にさらされる。HAMRでは、周囲温度における媒体の保磁力は、記録中における保磁力よりはるかに高くなり得、それによって、はるかに高い記録密度およびはるかに小さなビットセルで、記録されたビットの安定性を可能にする。
Background Heat assisted magnetic recording (HAMR) generally reduces the coercivity of a medium by locally heating the recording medium, so that the applied write magnetic field is a transient of the medium caused by the heat source. It refers to a concept that allows the magnetization of a medium to be more easily oriented during magnetic dulling. A strictly limited high power laser spot can be used to heat a portion of the recording medium. The heated portion is then exposed to a magnetic field that sets the direction of magnetization of the heated portion. In HAMR, the coercivity of the medium at ambient temperature can be much higher than the coercivity during recording, thereby enabling recorded bit stability with much higher recording density and much smaller bit cells. .

記録媒体上に光を向けるための1つの方策は、読取り書込みヘッド(「スライダ」とも呼ばれる)上に取付けたレーザダイオードを用いる。レーザダイオードは、スライダの空気軸受面に近接した小さなスポットに光を伝搬する平面導波路に、光を向ける。近接場トランスデューサ(NFT)を、さらに光を集光するために、含むことができる。近接場トランスデューサは、指定の光波長で局在表面プラズモン(LSP)状態に到達するために設計される。LSPでは、近接場トランスデューサを囲む高い場が、金属における電子の集合的な振動のために現れる。場の一部は近接する媒体内にトンネリングし、吸収にされ、記録のために媒体の温度を局所的に上昇させる。   One strategy for directing light onto a recording medium uses a laser diode mounted on a read / write head (also referred to as a “slider”). The laser diode directs light to a planar waveguide that propagates the light to a small spot close to the air bearing surface of the slider. A near field transducer (NFT) can be included to further collect the light. Near-field transducers are designed to reach localized surface plasmon (LSP) states at specified light wavelengths. In LSP, the high field surrounding the near-field transducer appears due to the collective vibration of electrons in the metal. Part of the field is tunneled into the adjacent media and absorbed, raising the temperature of the media locally for recording.

熱補助された磁気記録(HAMR)に対する大きな配慮は、光学的パワー源として用いられるレーザダイオードの位置である。1つの現在の設計はレーザダイオードをスライダの頂部に置く。レーザダイオードからの放射は、外部光学素子を用いて、合焦させられ導波路上で結合格子に向けられる。この方法は外部光学素子の開発を必要とし、スライダを1つずつ組立てることおよび能動的整列を用いることによって実現され得る。   A major consideration for thermally assisted magnetic recording (HAMR) is the location of the laser diode used as the optical power source. One current design places the laser diode on top of the slider. Radiation from the laser diode is focused using an external optical element and directed onto the coupling grating on the waveguide. This method requires the development of external optical elements and can be realized by assembling the sliders one by one and using active alignment.

考えられ得るある実施例は、スライダの後縁内にレーザダイオードを統合し、導波路結合器を用いて、固浸ミラー(SIM)および/またはチャネル導波路のような光位置決め素子の組合せを用いながら、レーザを近接場トランスデューサに案内する。レーザから導波路まで光の所望された結合を達成するために、レーザダイオードと導波路との間の適切な整列が必要である。加えて、コスト効率の良い態様においてこれを達成する必要がある。   One possible embodiment integrates a laser diode in the trailing edge of the slider and uses a combination of optical positioning elements such as solid immersion mirrors (SIM) and / or channel waveguides using a waveguide coupler. While guiding the laser to the near-field transducer. Proper alignment between the laser diode and the waveguide is necessary to achieve the desired coupling of light from the laser to the waveguide. In addition, this needs to be accomplished in a cost effective manner.

概要
1つの局面では、ある装置は:チャネル導波路、およびチャネル導波路の入力面に近接するポケットを含む構造と;出力面を有し、ポケット内に位置決めされるレーザと;レーザおよびポケットの壁部の少なくとも1つの上の停止部とを含み、レーザの出力面および導波路の入力面が隙間によって分離されるように、停止部はレーザとポケットの壁部との間においてインタフェースに位置決めされる。
Overview In one aspect, an apparatus includes: a channel waveguide and a structure including a pocket proximate to the input surface of the channel waveguide; a laser having an output surface and positioned within the pocket; and the walls of the laser and pocket And the stop is positioned at the interface between the laser and the wall of the pocket so that the laser output face and the waveguide input face are separated by a gap. .

別の局面では、ある方法は:チャネル導波路、およびチャネル導波路の入力面に近接するポケットを含む構造をあたえるステップと;出力面を有するレーザをポケット内に位置決めするステップと;レーザの出力面および導波路の入力面が隙間によって分離されるように、レーザおよびポケットの壁部の少なくとも1つの上の軸方向停止部がレーザとポケットの壁部との間のインタフェースに位置決めされるまで、レーザをポケットの壁部に向かって押進めるステップと;レーザとチャネル導波路との相対的位置を固定するステップとを含む。   In another aspect, a method includes: providing a structure including a channel waveguide and a pocket proximate to an input surface of the channel waveguide; positioning a laser having an output surface in the pocket; and an output surface of the laser And until the axial stop on at least one of the laser and the wall of the pocket is positioned at the interface between the laser and the wall of the pocket so that the input face of the waveguide is separated by a gap Pushing toward the wall of the pocket; and fixing the relative position of the laser and the channel waveguide.

別の局面では、ある方法は、キャリヤウェハをヘッドウェハに対して位置決めして、キャリヤウェハの複数個のレーザダイオードの各々を、ヘッドウェハの複数個のスライダ部分の対応する1つの整列特徴と整列させるステップと;キャリヤウェハおよびヘッドウェハの少なくとも1つにおける開口部を介してキャリヤウェハとヘッドウェハとの間にガスを注入して、それらの間のはんだ表面上に優先的な表面状態を形成するステップと;リフロー動作を実行して、レーザダイオードを対応するスライダ部分に接合するステップとを含み、リフロー動作は、さらに、それらの間に、スライダ部分の整列特徴と協働して最終整列を引起す。   In another aspect, a method positions a carrier wafer relative to a head wafer and aligns each of the plurality of laser diodes of the carrier wafer with a corresponding one alignment feature of the plurality of slider portions of the head wafer. Injecting gas between the carrier wafer and the head wafer through an opening in at least one of the carrier wafer and the head wafer to form a preferential surface condition on the solder surface therebetween Performing a reflow operation to bond the laser diode to the corresponding slider portion, the reflow operation further causing a final alignment therebetween in cooperation with alignment features of the slider portion. The

実施例に従ってスライダを含むことができるディスクドライブの形でのデータ記憶装置の表現図である。FIG. 2 is a representation of a data storage device in the form of a disk drive that can include a slider in accordance with an embodiment. レーザダイオードおよびスライダの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of laser diode and a slider. レーザダイオードおよびスライダの一部の等角図である。FIG. 3 is an isometric view of a portion of a laser diode and a slider. レーザダイオードおよびスライダの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of laser diode and a slider. レーザダイオードおよびスライダの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of laser diode and a slider. レーザダイオードおよびスライダの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of laser diode and a slider. スライダにおけるポケットの一部の等角図である。FIG. 3 is an isometric view of a portion of a pocket in a slider. ボンディングパッドを含む、スライダにおけるポケットの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of pocket in a slider containing a bonding pad. ボンディングバンプを含む、スライダにおけるポケットの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of pocket in a slider containing a bonding bump. レーザダイオードおよびスライダの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of laser diode and a slider. レーザダイオードおよびスライダの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of laser diode and a slider. レーザダイオードおよびスライダの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of laser diode and a slider. 複数個のレーザダイオードを含む第1のウェハ、および複数個のスライダを含む第2のウェハの断面図である。It is sectional drawing of the 1st wafer containing a some laser diode, and the 2nd wafer containing a some slider. 複数個のレーザダイオードを含む第1のウェハ、および複数個のスライダを含む第2のウェハの断面図である。It is sectional drawing of the 1st wafer containing a some laser diode, and the 2nd wafer containing a some slider. 複数個のレーザダイオードを含む第1のウェハ、および複数個のスライダを含む第2のウェハの断面図である。It is sectional drawing of the 1st wafer containing a some laser diode, and the 2nd wafer containing a some slider. 例示的実施例に従うレーザダイオードの斜視図である。1 is a perspective view of a laser diode according to an exemplary embodiment. FIG. 例示的実施例に従うスライダへのレーザダイオードの組付けを示すフローチャートである。4 is a flowchart illustrating assembly of a laser diode to a slider according to an exemplary embodiment.

詳細な記載
図1は、実施例に従って構築されるスライダを含むことができるディスクドライブ10の形でのデータ記憶装置の表現図である。ディスクドライブ10は、ディスクドライブのさまざまな構成要素を含むようサイズ決めされ構成されたハウジング12(この図においては、上側部分が取外され、下側部分が可視である)を含む。ディスクドライブ10は、ハウジング内において少なくとも1つの磁気記憶媒体16で回転するためのスピンドルモ
ータ14を含む。少なくとも1つのアーム18がハウジング12内に含まれ、各アーム18は、記録ヘッドまたはスライダ22を有する第1の端部20、および軸受26によってシャフト上で旋回するよう取付けた第2の端部24を有する。アクチュエータモータ28は、アームの第2の端部24に位置して、アーム18を旋回させて、ディスク16の所望のトラック27の上に記録ヘッド22を位置決めする。アクチュエータモータ28は、この図において示されないが、当技術分野において周知のコントローラによって規制される。
Detailed Description FIG. 1 is a representation of a data storage device in the form of a disk drive 10 that may include a slider constructed in accordance with an embodiment. The disk drive 10 includes a housing 12 (in this view, the upper portion is removed and the lower portion is visible) that is sized and configured to include the various components of the disk drive. The disk drive 10 includes a spindle motor 14 for rotating with at least one magnetic storage medium 16 within a housing. At least one arm 18 is included in the housing 12, each arm 18 having a first end 20 having a recording head or slider 22, and a second end 24 mounted to pivot on the shaft by a bearing 26. Have An actuator motor 28 is located at the second end 24 of the arm and pivots the arm 18 to position the recording head 22 over the desired track 27 of the disk 16. The actuator motor 28 is not shown in this figure but is regulated by a controller well known in the art.

熱補助された磁気記録(HAMR)に対しては、電磁放射、たとえば、可視光、赤外線光または紫外線光を記録媒体の表面上に向けて、媒体の局所化された領域の温度を上昇させて、加熱された領域の磁化の切換を容易にする。HAMR記録ヘッドの最近の設計は、記録媒体の局所化された加熱のために、記録媒体に光を案内するよう、スライダ上に薄膜導波路を含む。記録ヘッドの空気軸受面に位置決めされた近接場トランスデューサを用いて、電磁放射を記録媒体上の小さなスポットに向けることができる。   For heat-assisted magnetic recording (HAMR), electromagnetic radiation, for example, visible light, infrared light, or ultraviolet light is directed onto the surface of the recording medium to increase the temperature of the localized area of the medium. Facilitates switching of the magnetization of the heated region. Recent designs of HAMR recording heads include a thin film waveguide on the slider to guide light to the recording medium for localized heating of the recording medium. A near-field transducer positioned on the air bearing surface of the recording head can be used to direct electromagnetic radiation to a small spot on the recording medium.

一実施例に従って構築されたHAMR記憶装置では、レーザダイオードチップがスライダ上に位置決めされる。レーザダイオード出力および導波路の精密な整列は、停止部および段差のような特別に設計された特徴を有するレーザダイオードベッド(キャビティまたはポケットとも呼ばれる)を用いることによって達成される。   In a HAMR storage device constructed according to one embodiment, a laser diode chip is positioned on a slider. Precise alignment of the laser diode output and waveguide is achieved by using a laser diode bed (also referred to as a cavity or pocket) with specially designed features such as stops and steps.

図2は、熱補助された磁気記録で用いられるスライダの例の断面図である。スライダ30は、基板32、基板上のベースコート34、ベースコート上の導波路36、および導波路に近接して位置決めされる書込み磁極38を含む。コイル40は、書込み磁極を次々に回す導体を含む。レーザダイオード42は、導波路の入力面44上に光を向けるよう、スライダ上に位置決めされる。次いで、光は、導波路を通過し、スライダの空気軸受面50に近接して位置決めされる記憶媒体48の一部46を加熱するよう用いられる。光は、さらに熱効果を制御するために、近接場トランスデューサとともに用いられてもよい。レーザダイオードの出力面52を導波路の入力面と整列させて、レーザダイオードから導波路まで光の高効率結合を達成することは、望ましい。加えて、レーザダイオードの出力面52と導波路の入力面との間の物理接触は、そのような接触から生じるかもしれない面への損傷を防ぐよう回避されることになる。   FIG. 2 is a cross-sectional view of an example of a slider used in heat-assisted magnetic recording. The slider 30 includes a substrate 32, a base coat 34 on the substrate, a waveguide 36 on the base coat, and a write pole 38 positioned proximate to the waveguide. The coil 40 includes a conductor that turns the write pole one after another. The laser diode 42 is positioned on the slider to direct light onto the input surface 44 of the waveguide. Light then passes through the waveguide and is used to heat a portion 46 of the storage medium 48 that is positioned proximate to the air bearing surface 50 of the slider. The light may be used with a near-field transducer to further control the thermal effect. It is desirable to align the output face 52 of the laser diode with the input face of the waveguide to achieve high efficiency coupling of light from the laser diode to the waveguide. In addition, physical contact between the output face 52 of the laser diode and the input face of the waveguide will be avoided to prevent damage to the face that may result from such contact.

1つの局面では、熱補助された磁気記録(HAMR)のためのスライダ上のレーザダイオードおよび導波路の整列のための方法。スライダは、レーザダイオードがスライダ上に置かれるとき、レーザダイオードおよびチャネル導波路の受動的整列のための幾何学的な特徴を含む。   In one aspect, a method for alignment of laser diodes and waveguides on a slider for thermally assisted magnetic recording (HAMR). The slider includes geometric features for passive alignment of the laser diode and the channel waveguide when the laser diode is placed on the slider.

図3は、前側面停止部64および66を有するポケット62(ベッドまたはキャビティとも呼ばれる)を有するスライダ60の一部の例を示す。スライダは、ポケットに近接した入力面70を有する平面導波路部分68を含む。入力面はポケットの壁部74における凹部72中にあり、停止部64および66は凹部の両側にある。レーザダイオード76は、レーザチップの形式であり得、レーザが電磁放射、たとえば可視光、赤外線光または紫外線光を発する出力面78を含む。レーザダイオードはポケットにおいて位置決めされ、停止部64および66と当接するまで、導波路に向かって移動させることができる。停止部は、レーザ出力面と導波路入力面との間の接触を防ぐ。   FIG. 3 shows an example of a portion of a slider 60 having a pocket 62 (also referred to as a bed or cavity) having front side stops 64 and 66. The slider includes a planar waveguide portion 68 having an input surface 70 proximate the pocket. The input surface is in the recess 72 in the pocket wall 74 and the stops 64 and 66 are on either side of the recess. The laser diode 76 may be in the form of a laser chip and includes an output surface 78 from which the laser emits electromagnetic radiation, such as visible, infrared or ultraviolet light. The laser diode is positioned in the pocket and can be moved toward the waveguide until it abuts the stops 64 and 66. The stop prevents contact between the laser output surface and the waveguide input surface.

図3の装置については、整列は、ポケットにレーザダイオードを置き、レーザダイオードを停止部へと前に押すことによって、レーザの出力面と導波路の入力面との間において達成される。導波路側の入力面は垂直エッチングプロセスによって形成することができ、レーザダイオードの活性出力領域(つまり出力面)より広くなり得る。この設計は、レー
ザダイオードの出力面と導波路の入力面との間の距離の精密な制御を可能にする。レーザダイオードの出力面と導波路の入力面との間の距離80は、ポケットの壁部における凹部の深さで規定される。したがって、レーザダイオードの活性領域は導波路との機械的な接触になく、損傷を受けないままである。
For the apparatus of FIG. 3, alignment is achieved between the laser output face and the waveguide input face by placing a laser diode in the pocket and pushing the laser diode forward to the stop. The input surface on the waveguide side can be formed by a vertical etching process and can be wider than the active output region (ie, output surface) of the laser diode. This design allows for precise control of the distance between the output face of the laser diode and the input face of the waveguide. The distance 80 between the output surface of the laser diode and the input surface of the waveguide is defined by the depth of the recess in the pocket wall. Therefore, the active region of the laser diode is not in mechanical contact with the waveguide and remains undamaged.

横方向(つまりX方向)における、レーザ出力面と導波路入力面との間の相対的位置は、ポケットの壁部におけるエッチングされた段差およびレーザダイオード上の1つ以上の停止部で制御することができる。これは図4で示される実施例において示され、そこではスライダ90の一部は導波路92およびポケット94を含む。この例では、レーザダイオード96は1つ以上の停止部98および突き出す部分100を含む。レーザダイオード側の停止部は、レーザ出力面102の両側に位置決めされた突起であり得る。代替的に、停止部はレーザダイオードの側部の部分であって、出力面はその側部において窪ませられ得る。この構造では、レーザダイオード上の停止部と出力面との間の距離は、フォトリソグラフィプロセスによって規定することが考えられ得る。したがって、幾何学的な距離制御はフォトリソグラフィプロセスの精度と同じであり、それは50nm未満であり得る。   The relative position between the laser output surface and the waveguide input surface in the lateral direction (ie X direction) is controlled by an etched step in the pocket wall and one or more stops on the laser diode. Can do. This is shown in the embodiment shown in FIG. 4 where a portion of the slider 90 includes a waveguide 92 and a pocket 94. In this example, laser diode 96 includes one or more stops 98 and protruding portions 100. The stop on the laser diode side can be protrusions positioned on both sides of the laser output surface 102. Alternatively, the stop can be part of the side of the laser diode, and the output surface can be recessed on that side. In this structure, the distance between the stop on the laser diode and the output surface can be considered to be defined by a photolithography process. Thus, the geometric distance control is the same as the accuracy of the photolithography process, which can be less than 50 nm.

横方向整列(つまりZ方向における)に備える構造が図5において示される。構造は、ポケットのベースにおける1つ以上のエッチングされた溝、およびレーザチップ上のメサ構造を含む。図5の実施例では、レーザダイオード110は、ポケット116のベースまたは底部で溝114内に嵌まる、長手方向に延在するメサまたは突起112を含む。メサを用いて、単一モードレーザダイオードのための光学的および電流の閉込めを規定することが考えられ得る。この構成では、突出するメサの中央の部分は活性レーザ量子井戸を含む。外側領域(それは機械的参照のために用いられる)は、レーザのベース基板材料までエッチング除去される。   A structure for lateral alignment (ie in the Z direction) is shown in FIG. The structure includes one or more etched grooves at the base of the pocket and a mesa structure on the laser chip. In the embodiment of FIG. 5, the laser diode 110 includes a longitudinally extending mesa or protrusion 112 that fits within the groove 114 at the base or bottom of the pocket 116. It may be envisaged to use a mesa to define optical and current confinement for a single mode laser diode. In this configuration, the central portion of the protruding mesa contains an active laser quantum well. The outer region (which is used for mechanical reference) is etched away to the base substrate material of the laser.

図6は、別の実施例に従って構築されたスライダ120の一部の概略図である。図6の実施例では、垂直方向(つまりY方向)における整列は、ボンディングプロセス(そこにおいては、レーザダイオード122はボンディング化合物124によってスライダポケットにおいて取付けられる)中に制御される。スライダは、エッチングされた停止部126および128を含んで、ボンディング化合物の厚みの精密な制御なしで垂直距離制御をあたえる。レーザダイオードチップの反復可能な垂直位置を得る1つの態様は、それをボンディングプロセス中に下に保持することである。レーザチップの保持に対する別の方策は、ボンディング中にボンディング化合物の表面張力を用いることである。この方策は2ステッププロセスであると考えることができる。第1のステップは2〜5ミクロンの粗い公差でポケットにレーザダイオードチップを置くことである。第2のステップでは、表面張力を用いて、ボンディング化合物を用いるリフロープロセスの結果、レーザダイオードおよびチャネル導波路を精密に整列させることが考えられる。   FIG. 6 is a schematic diagram of a portion of a slider 120 constructed in accordance with another embodiment. In the embodiment of FIG. 6, the alignment in the vertical direction (ie, the Y direction) is controlled during the bonding process (where the laser diode 122 is mounted in the slider pocket by the bonding compound 124). The slider includes etched stops 126 and 128 to provide vertical distance control without precise control of the thickness of the bonding compound. One way to obtain a repeatable vertical position of the laser diode chip is to hold it down during the bonding process. Another strategy for holding the laser chip is to use the surface tension of the bonding compound during bonding. This strategy can be thought of as a two-step process. The first step is to place the laser diode chip in the pocket with a coarse tolerance of 2-5 microns. In the second step, it is conceivable to use the surface tension to precisely align the laser diode and the channel waveguide as a result of the reflow process using the bonding compound.

図7は、停止部144および146を有するポケット142を有するスライダ140の一部の例を示す。スライダは、ポケットに近接した入力面150を有する平面導波路部分148を含む。入力面はポケットの壁部154における凹部152にあり、停止部144および146は凹部の両側にある。レーザダイオード156は、レーザチップの形式であり得、レーザが電磁放射、たとえば可視光、赤外線光または紫外線光を発する出力面158を含む。レーザダイオードはポケットにおいて位置決めされ、停止部144および146と当接するまで、導波路に向かって移動させることができる。停止部は、レーザ出力面と導波路入力面との間の接触を防ぐ。   FIG. 7 shows an example of a portion of a slider 140 having a pocket 142 with stops 144 and 146. The slider includes a planar waveguide portion 148 having an input surface 150 proximate the pocket. The input surface is in the recess 152 in the pocket wall 154 and the stops 144 and 146 are on both sides of the recess. The laser diode 156 may be in the form of a laser chip and includes an output surface 158 from which the laser emits electromagnetic radiation, such as visible light, infrared light, or ultraviolet light. The laser diode is positioned in the pocket and can be moved toward the waveguide until it abuts the stops 144 and 146. The stop prevents contact between the laser output surface and the waveguide input surface.

図7の例については、整列は、ポケットにレーザダイオードを置き、レーザダイオードを停止部へと前に押すことによって、レーザの出力面と導波路の入力面との間において達成される。導波路側の入力面は垂直エッチングプロセスによって形成することができ、レ
ーザダイオードの活性出力領域(つまり出力面)より広くなり得る。この設計は、レーザダイオードの出力面と導波路の入力面との間の距離の精密な制御を可能にする。より具体的には、レーザダイオードの出力面と導波路の入力面との間の距離160は、ポケットの壁部における凹部の深さで規定される。したがって、レーザダイオードの活性領域は導波路との機械的な接触になく、損傷を受けないままである。
For the example of FIG. 7, alignment is achieved between the laser output face and the waveguide input face by placing a laser diode in the pocket and pushing the laser diode forward to the stop. The input surface on the waveguide side can be formed by a vertical etching process and can be wider than the active output region (ie, output surface) of the laser diode. This design allows for precise control of the distance between the output face of the laser diode and the input face of the waveguide. More specifically, the distance 160 between the output surface of the laser diode and the input surface of the waveguide is defined by the depth of the recess in the wall portion of the pocket. Therefore, the active region of the laser diode is not in mechanical contact with the waveguide and remains undamaged.

複数個のはんだバンプ162がポケット142の底部164上に位置決めされる。レーザダイオードコンタクトパッド164もポケットの底部上に位置決めされ、図7において示された形状を有し得る。ポケットの底部のコンタクトパッド166はヒートシンクとして役立つ。最終のレーザダイオードチップ位置は、濡れ領域の位置、ポケットの底部とレーザダイオードとの間のボンディング化合物(共晶)材料の量、および停止部設計に依存する。図7の構造は、フリップチップボンディング方法において用いることができる。ボンディング化合物の例ははんだおよびエポキシを含む。   A plurality of solder bumps 162 are positioned on the bottom 164 of the pocket 142. A laser diode contact pad 164 is also positioned on the bottom of the pocket and may have the shape shown in FIG. The contact pad 166 at the bottom of the pocket serves as a heat sink. The final laser diode chip location depends on the location of the wetting region, the amount of bonding compound (eutectic) material between the bottom of the pocket and the laser diode, and the stop design. The structure of FIG. 7 can be used in a flip chip bonding method. Examples of bonding compounds include solder and epoxy.

図8−図12は、停止部に向かってレーザダイオードを押進めるためにどのようにボンディングプロセスを用いることができるか示す。図8は、スライダ170においてポケットの底部の一部の断面図を示す。シード層172はポケットの底部上に位置決めされる。複数個の導体パッド174がシード層の上の絶縁体174における開口部上に位置決めされる。コンタクトパッドは、十分なはんだバンプの形成を可能にする、濡れ性を有する「バンプ下地金属」(UBM)材料、たとえばAu、Cu、Ni、Cr、Ti、TiWから形成される。絶縁材料176は、コンタクトパッド間に位置決めされる。コンタクトパッドは、単に位置決め用、またはさらに電気的接点用に用いられてもよい。   FIGS. 8-12 illustrate how a bonding process can be used to push the laser diode toward the stop. FIG. 8 is a cross-sectional view of a part of the bottom of the pocket in the slider 170. A seed layer 172 is positioned on the bottom of the pocket. A plurality of conductor pads 174 are positioned over the openings in the insulator 174 above the seed layer. The contact pads are formed from a wettable “bump base metal” (UBM) material, such as Au, Cu, Ni, Cr, Ti, TiW, which allows sufficient solder bumps to be formed. Insulating material 176 is positioned between the contact pads. Contact pads may simply be used for positioning or even electrical contacts.

図9は、コンタクトパッド174上に複数個のボンディング化合物(たとえば共晶材料)バンプ178の追加を伴う、図8の構造の断面図を示す。   FIG. 9 shows a cross-sectional view of the structure of FIG. 8 with the addition of a plurality of bonding compound (eg, eutectic material) bumps 178 on the contact pads 174.

図10は、シード層182を底面上に有するレーザダイオード180、およびシード層上に位置決めされた複数個のコンタクトパッド184の追加をともなう、図9の構造の断面図を示す。絶縁材料186は、コンタクトパッド間に位置決めされる。レーザダイオード上のコンタクトパッドの位置は、配置公差のため、ポケットにおけるコンタクトパッドに関して固有にオフセットされる。   FIG. 10 shows a cross-sectional view of the structure of FIG. 9 with the addition of a laser diode 180 having a seed layer 182 on the bottom surface and a plurality of contact pads 184 positioned on the seed layer. Insulating material 186 is positioned between the contact pads. The position of the contact pad on the laser diode is inherently offset with respect to the contact pad in the pocket due to placement tolerances.

図11は材料リフロー(たとえばはんだリフロー)による自己整列を示し、そこでは、レーザダイオードは、スライダにおける所望の基準面に関してオフセットされ、再度流れる共晶材料の表面張力が、矢印188によって示される力を生み出す。   FIG. 11 shows self-alignment due to material reflow (eg, solder reflow), where the laser diode is offset with respect to the desired reference plane in the slider and the surface tension of the eutectic material flowing again causes the force indicated by arrow 188 to produce.

図12は、共晶材料の凝固に続く、図11の構造の断面図を示す。図8−図12から、ボンディング化合物の表面張力を用いて、レーザダイオード上のコンタクトパッドをポケットにおけるコンタクトパッドと整列させることができることが理解できる。ダイオードおよびポケット上のコンタクトパッドの相対的位置を選択することによって、表面張力を用いて、レーザを図3および図7における停止部と接触させることができる。加えて、バンプは、自己整列平衡に到達する前に、レーザを機械的な停止部に駆動するよう、意図的にオフセットさせることができる。   FIG. 12 shows a cross-sectional view of the structure of FIG. 11 following solidification of the eutectic material. 8-12, it can be seen that the surface tension of the bonding compound can be used to align the contact pads on the laser diode with the contact pads in the pockets. By selecting the relative position of the contact pads on the diode and pocket, surface tension can be used to bring the laser into contact with the stops in FIGS. In addition, the bumps can be intentionally offset to drive the laser to a mechanical stop before reaching self-aligned equilibrium.

ある実施例では、複数のレーザチップを同時に複数のスライダに接合することができる。レーザダイオード出力面およびチャネル導波路の入力面の精密な整列は、停止部および段差のような特別に設計された特徴を有するレーザダイオードベッドを用いることによって達成される。レーザダイオードの配置の直後に、はんだリフローが、単一のツールで続き、したがって、上に記載されたこれらの2つのプロセスステップは、効果的に1つの製造ステップになる。この方法は図13−図15に示される。   In some embodiments, multiple laser chips can be bonded to multiple sliders simultaneously. Precise alignment of the laser diode output face and the input face of the channel waveguide is achieved by using a laser diode bed with specially designed features such as stops and steps. Immediately following the placement of the laser diode, solder reflow follows with a single tool, so these two process steps described above effectively become one manufacturing step. This method is illustrated in FIGS. 13-15.

図13は、複数個のスライダ部分202を含む第1のウェハ200(ヘッドウェハとも呼ばれる)、および複数個のレーザダイオード206を含む第2のウェハ204(キャリヤウェハとも呼ばれる)の断面図である。スライダ部分は、複数個のはんだバンプ210を各々が有するベッド208を含む。キャリヤウェハは、水素ラジカル源214からの水素ラジカルの通過を可能にする複数個の開口部212を含む。レーザダイオードの各々は複数個のはんだバンプ216をさらに含む。図13に示されるように、2つのウェハが分離されるとき、水素ラジカルは、はんだバンプを清浄にするために清浄機能を実行する。水素ラジカルは大気のプラズマのようなプロセスを用いて形成することができる。代替的に、(蟻酸のような)活性ガスを用いて、はんだ表面上に優先的な表面状態を形成してもよい。   FIG. 13 is a cross-sectional view of a first wafer 200 (also referred to as a head wafer) including a plurality of slider portions 202 and a second wafer 204 (also referred to as a carrier wafer) including a plurality of laser diodes 206. The slider portion includes a bed 208 each having a plurality of solder bumps 210. The carrier wafer includes a plurality of openings 212 that allow the passage of hydrogen radicals from the hydrogen radical source 214. Each of the laser diodes further includes a plurality of solder bumps 216. As shown in FIG. 13, when the two wafers are separated, the hydrogen radicals perform a cleaning function to clean the solder bumps. Hydrogen radicals can be formed using processes such as atmospheric plasma. Alternatively, an active gas (such as formic acid) may be used to form a preferential surface condition on the solder surface.

図14は図13の構造を示し、そこでは、ベッドおよびダイオードにおけるはんだバンプが合併するように、第2のウェハを第1のウェハに向かって移動させている。図14で示されたステップでは、表面張力を用いて、レーザダイオード出力面および導波路入力面の最終的な相対的位置を規定する停止部にレーザダイオードを向かわせる。   FIG. 14 shows the structure of FIG. 13 in which the second wafer is moved toward the first wafer so that the solder bumps in the bed and diode merge. In the step shown in FIG. 14, surface tension is used to direct the laser diode to a stop that defines the final relative position of the laser diode output surface and the waveguide input surface.

図15は図14の構造を示し、そこでは、キャリヤウェハを第1のウェハから遠ざかるように移動させ、レーザダイオードを第1のウェハに取付けたまま残す。   FIG. 15 shows the structure of FIG. 14, where the carrier wafer is moved away from the first wafer, leaving the laser diode attached to the first wafer.

一実施例では、AlTiCヘッドウェハは、レーザダイオードを受けるよう、導波路要素およびエッチングされたベッド(またはポケット)をともなって製作される。これらのポケットは、機械的な停止部および/またははんだバンプのような受動的整列のための特徴を含んでもよい。エッチングされたポケットは、レーザダイオードチップの最終的な位置を規定する。キャリヤウェハは、水素ラジカルおよび/または蟻酸蒸気のような化学的活性物質の流れを可能にするよう、穴を含む。エッチングされたポケットのサイズは高速ピックアンドプレイスツールの配置精度と一致すべきである。ポケット位置はヘッドウェハにおけるスライダ部分の位置と一致する。キャリヤウェハのサイズはヘッドウェハと同じか、またはより大きくあり得る。   In one embodiment, an AlTiC head wafer is fabricated with a waveguide element and an etched bed (or pocket) to receive a laser diode. These pockets may include features for passive alignment such as mechanical stops and / or solder bumps. The etched pocket defines the final position of the laser diode chip. The carrier wafer includes holes to allow the flow of chemically active materials such as hydrogen radicals and / or formic acid vapor. The size of the etched pocket should match the placement accuracy of the high speed pick and place tool. The pocket position matches the position of the slider portion on the head wafer. The size of the carrier wafer can be the same as or larger than the head wafer.

レーザダイオードは、高速ピックアンドプレイスツールを用いて、キャリヤウェハ上のポケットに入れることができる。レーザダイオードは、初めに、機械的な取付けなしで、キャリヤウェハ上でポケットにある。振動または正しくない水平の向きによって引起される、考えられ得るレーザチップ移動は、キャリヤウェハポケット壁部によって制限される。レーザチップの自由な移動を利用して、ポケット壁部を機械的停止部として用いることにより、配置工具位置変動を低減することが考えられる。   The laser diode can be placed in a pocket on the carrier wafer using a high speed pick and place tool. The laser diode is initially in a pocket on the carrier wafer without mechanical attachment. Possible laser chip movements caused by vibrations or incorrect horizontal orientation are limited by the carrier wafer pocket walls. It is conceivable to reduce the variation in the position of the placement tool by using the pocket wall as a mechanical stop using the free movement of the laser chip.

化学的活性物質源は、キャリヤウェハと一致するサイズを有することができる。この化学的活性物質源の一例は市販の大気プラズマツールである。   The source of chemically active material can have a size that matches the carrier wafer. An example of this chemically active source is a commercial atmospheric plasma tool.

レーザダイオードおよびスライダを組付けるプロセスは、図13−図15に示されるように、図17のフローチャートに示されるステップを含む。最初に、キャリヤウェハは、たとえば数ミリメートルの間隔で、ヘッドウェハの近くに位置決めされる(230)(図13を参照)。化学的活性物質源は、キャリヤウェハにおける穴を介する化学的活性物質の流れをあたえるよう、キャリヤウェハの近くに位置決めされる(232)。化学的活性物質源がオンに切換えられ(234)、ウェハははんだ融点より上に加熱される。ある時間が、はんだリフローおよびはんだ表面の前清浄のため取られて(236)、はんだ表面から酸化物を取除く。ウェハ間の隙間は、両方のウェハ上のはんだに清浄化物質が同時にアクセス可能なように選択されるべきである。   The process of assembling the laser diode and slider includes the steps shown in the flowchart of FIG. 17, as shown in FIGS. Initially, the carrier wafer is positioned 230 near the head wafer, for example, with a few millimeter spacing (see FIG. 13). A source of chemically active material is positioned near the carrier wafer to provide a flow of chemically active material through holes in the carrier wafer (232). The chemically active source is turned on (234) and the wafer is heated above the solder melting point. Some time is taken for solder reflow and precleaning of the solder surface (236) to remove the oxide from the solder surface. The gap between the wafers should be selected so that the cleaning material can access the solder on both wafers simultaneously.

次に、ウェハを接触させて(238)、両方のウェハ上のはんだが互いに接触するようにする(さらに図14を参照)。小間隙がはんだへのアクセスを制限するまで、清浄化プロセスはボンディング直前まで継続する。機械的な停止部との受動的整列の場合には、付加的な移動を適用して(240)、レーザダイオードチップを押してヘッドウェハ上の停止部と接触させ、ヒータをオフに切換えてもよい(242)。はんだ凝固中、レーザを停止部に向かって押し続ける(244)。凝固の後、キャリヤウェハは解放される(250)(さらに図15を参照)。自己整列のためのはんだバンプを用いる場合、レーザは浮遊することを許され(246)、ヒータがオフに切換えられる(248)。レーザははんだ凝固中は浮遊しているべきである。   The wafers are then contacted (238) so that the solder on both wafers is in contact with each other (see also FIG. 14). The cleaning process continues until just prior to bonding until the small gap restricts access to the solder. In the case of passive alignment with a mechanical stop, additional movement may be applied (240) to push the laser diode chip into contact with the stop on the head wafer and switch the heater off. (242). During the solder solidification, the laser is continuously pushed toward the stop (244). After solidification, the carrier wafer is released (250) (see also FIG. 15). When using solder bumps for self-alignment, the laser is allowed to float (246) and the heater is switched off (248). The laser should be floating during solder solidification.

ボンドパッド外形およびレイアウトはレーザダイオードの自己整列特性上大きな効果がある。第1に、はんだアレイのサイズ、形状および量は、整列特性に直接影響する。名目上のレイアウトが図16に示され、中央ヒートシンク接続222および外側整列パッド224をともなうエッジ発光レーザダイオード220のための自己整列ボンドパッドレイアウトの例を示す。パッドレイアウトは、はんだ自己整列、電気接点、およびスライダ/ヘッド構造による熱の冷却をあたえるよう、はんだ自己整列バンプおよび細長いヒートシンク接続の組合せを含む。   The bond pad outline and layout have a great effect on the self-alignment characteristics of the laser diode. First, the size, shape and amount of the solder array directly affects the alignment characteristics. A nominal layout is shown in FIG. 16 and shows an example of a self-aligned bond pad layout for an edge emitting laser diode 220 with a central heat sink connection 222 and an outer alignment pad 224. The pad layout includes a combination of solder self-aligned bumps and elongated heat sink connections to provide solder self-alignment, electrical contacts, and thermal cooling by the slider / head structure.

いくつかの実施例が記載されたが、特許請求の範囲から逸脱せずに、記載された実施例へのさまざまな変更を行うことができることは当業者には明らかである。上に記載された実現例および他の実現例は、特許請求の範囲内である。   While several embodiments have been described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made to the described embodiments without departing from the scope of the claims. The implementations described above and other implementations are within the scope of the following claims.

36 チャネル導波路、44 入力面、62 ポケット、52 出力面、42 レーザ、74 ポケットの壁部、64,66 停止部、72 隙間。   36 channel waveguide, 44 input face, 62 pocket, 52 output face, 42 laser, 74 wall of pocket, 64, 66 stop, 72 gap.

米国特許第7358109号明細書US Pat. No. 7,358,109

Claims (15)

チャネル導波路、およびチャネル導波路の入力面に近接したポケットを含む構造と;
出力面を有し、ポケット内に位置決めされるレーザと;
レーザおよびポケットの壁部の少なくとも1つの上の停止部とを含み、
レーザの出力面および導波路の入力面が隙間によって分離されるように、停止部はレーザとポケットの壁部との間においてインタフェースに位置決めされる、装置。
A structure including a channel waveguide and a pocket proximate to an input surface of the channel waveguide;
A laser having an output surface and positioned in the pocket;
A stop on the laser and at least one of the wall of the pocket,
A device wherein the stop is positioned at the interface between the laser and the wall of the pocket so that the output face of the laser and the input face of the waveguide are separated by a gap.
停止部はポケットの壁部における凹部に近接する、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the stop is proximate to a recess in the pocket wall. 停止部はレーザの出力面に近接する、請求項1または2に記載の装置。 The stops close to the output face of the laser apparatus according to claim 1 or 2. レーザの上の第1の複数個のパッドと;
ポケットにおける第2の複数個のパッドと;
第1および第2の複数個のパッドの個々のパッド間に位置決めされるボンディング材料とをさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
A first plurality of pads on the laser;
A second plurality of pads in the pocket;
The apparatus of any one of claims 1 to 3 , further comprising a bonding material positioned between individual pads of the first and second plurality of pads.
複数の複数個のパッドの間の相対的な整列は、所望の基準面に関してオフセットされる、請求項4に記載の装置。   The apparatus of claim 4, wherein the relative alignment between the plurality of pads is offset with respect to a desired reference plane. レーザとポケットの底部との間において位置決めされたヒートシンクをさらに含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。 Further comprising a heat sink that is positioned between the laser and the bottom of the pocket, according to any one of claims 1-5. ポケットの底部における溝と;
レーザから溝内に延在するメサとをさらに含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の装置。
A groove in the bottom of the pocket;
Further comprising a mesa extending into the groove from the laser apparatus according to any one of claims 1-6.
ポケットおよびレーザの縁部間に付加的な停止部をさらに含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。 Further comprising an additional stop between the edges of the pocket and the laser apparatus according to any one of claims 1-7. チャネル導波路、およびチャネル導波路の入力面に近接するポケットを含む構造をあたえるステップと;
出力面を有するレーザをポケット内に位置決めするステップと;
レーザの出力面および導波路の入力面が隙間によって分離されるように、レーザおよびポケットの壁部の少なくとも1つの上の軸方向停止部がレーザとポケットの壁部との間のインタフェースに位置決めされるまで、レーザをポケットの壁部に向かって押進めるステップと;
レーザとチャネル導波路との相対的位置を固定するステップとを含む、方法。
Providing a structure including a channel waveguide and a pocket proximate to an input surface of the channel waveguide;
Positioning a laser having an output surface in the pocket;
An axial stop on at least one of the laser and the wall of the pocket is positioned at the interface between the laser and the wall of the pocket so that the output surface of the laser and the input surface of the waveguide are separated by a gap. Pushing the laser toward the wall of the pocket until
Fixing the relative position of the laser and the channel waveguide.
停止部はポケットの壁部における凹部に近接する、請求項9に記載の方法。   The method of claim 9, wherein the stop is proximate to a recess in the pocket wall. レーザをポケットの壁部に向かって押進めるステップは、表面張力を用いてレーザを壁部に向かって押して、レーザの出力面をチャネル導波路の入力面と整列させるステップを含む、請求項9または10に記載の方法。 Press proceeds step the laser toward the wall of the pocket, press against the wall portion of the laser using a surface tension, comprising the step of the output face of the laser is aligned with the input face of the channel waveguide, according to claim 9 or 10. The method according to 10 . 意図的なレーザオフセットを用いて、横方向整列を、停止部との接触に先立って生じさせる、請求項11に記載の方法。   The method of claim 11, wherein an intentional laser offset is used to cause lateral alignment prior to contact with the stop. 軸方向におけるレーザと停止部との間の接触が、完全な整列に先立って達せられるように、レーザパッドと基板パッドとの間の相対的な整列がオフセットされる、請求項11に記載の方法。   The method of claim 11, wherein the relative alignment between the laser pad and the substrate pad is offset such that contact between the laser and the stop in the axial direction is reached prior to full alignment. . はんだが緊張状態にされ、垂直停止部に抗してレーザを引くように、はんだリフロー高さは垂直停止部高さより低い、請求項11に記載の方法。   The method of claim 11, wherein the solder reflow height is lower than the vertical stop height so that the solder is tensioned and pulls the laser against the vertical stop. ポケットとレーザとの間の隙間に水素ラジカルおよび表面活性化ガスの少なくとも1つを注入するステップをさらに含む、請求項9〜14のいずれか1項に記載の方法。 The method according to any one of claims 9 to 14 , further comprising injecting at least one of hydrogen radicals and a surface activation gas into the gap between the pocket and the laser.
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