JP2012234013A - Metal pattern material and manufacturing method thereof - Google Patents

Metal pattern material and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2012234013A
JP2012234013A JP2011101771A JP2011101771A JP2012234013A JP 2012234013 A JP2012234013 A JP 2012234013A JP 2011101771 A JP2011101771 A JP 2011101771A JP 2011101771 A JP2011101771 A JP 2011101771A JP 2012234013 A JP2012234013 A JP 2012234013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
group
layer
pitch
metal pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011101771A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Usami
由久 宇佐美
Takatsugu Kono
貴胤 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2011101771A priority Critical patent/JP2012234013A/en
Publication of JP2012234013A publication Critical patent/JP2012234013A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metallic pattern material capable of forming a metallic pattern of thin lines or small dots with high resolution after plating, and to provide a manufacturing method of the metallic pattern material.SOLUTION: The manufacturing method of a metallic pattern material comprises the steps of: exposing a specified light sensitive material for plating formation in exposure at a pitch of 6 μm or less with a laser power of 100% or less and [(pitch (μm)×75/6+25)-30]-[(pitch (μm)×75/6+25)+15]% to optimal power at the time of exposure at 6 μm pitch; developing the light sensitive material for plating formation after exposure with a developer; and plating the light sensitive material for plating formation with a pattern formed after development at a plating bath ratio of 10 or less.

Description

本発明は、半導体チップ、各種電気配線板等に用いられる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法に関する。   The present invention relates to a metal pattern material used for semiconductor chips, various electric wiring boards, and the like, and a method of manufacturing the metal pattern material.

従来より、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品、半導体素子等に広く用いられている。
このような金属パターンを作製する方法として、本願出願人は、先に、基材上に、該基材と結合したグラフトポリマーを生成させてポリマー層を形成し、このポリマー層に対してめっきを施して、得られた金属膜をエッチングする方法を提案している(特許文献1参照)。
また、その後、本願出願人は、前記特許文献1の方法を改良して、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基、ラジカル重合性基、及びイオン性極性基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物を提案している(特許文献2参照)。
これらの提案によって、基板との密着性に優れた金属パターンを簡易に形成することが可能となったが、更に、めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度に形成することができる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法の提供が強く望まれているのが現状である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a metal wiring substrate in which a wiring with a metal pattern is formed on the surface of an insulating substrate has been widely used for electronic components, semiconductor elements, and the like.
As a method for producing such a metal pattern, the applicant of the present application first forms a polymer layer on a base material by forming a graft polymer bonded to the base material, and performs plating on the polymer layer. And a method of etching the obtained metal film has been proposed (see Patent Document 1).
Further, after that, the applicant of the present application improves the method of Patent Document 1 and has a non-dissociable functional group, a radical polymerizable group, and an ionic polar group that form an interaction with the plating catalyst or its precursor. The composition for to-be-plated layer forming containing a polymer is proposed (refer patent document 2).
These proposals made it possible to easily form a metal pattern with excellent adhesion to the substrate, but further, a metal pattern capable of forming a fine line or small dot metal pattern with high resolution after plating. At present, it is strongly desired to provide materials and methods for producing metal pattern materials.

特開2006−350307号公報JP 2006-350307 A 特開2010−248464号公報JP 2010-248464 A

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, an object of the present invention is to provide a metal pattern material and a metal pattern material manufacturing method capable of forming a fine line or small dot metal pattern with high resolution after plating.

前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、(1)特定のめっき形成用光感応材料を用いること、(2)前記特定のめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光すること、及び(3)10未満のめっき浴比でめっきを行うこと、をすべて満たすことにより、めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できることを知見した。   As a result of intensive studies by the present inventors in order to solve the above-mentioned problems, (1) a specific photosensitive material for plating formation is used, and (2) a pitch of less than 6 μm is used for the specific photosensitive material for plating formation. Is less than 100% of the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure, and [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) −30] to [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) +15 It was found that a metal pattern of fine lines or small dots can be formed with high resolution after plating by satisfying all of exposure with a laser power of% and (3) plating with a plating bath ratio of less than 10. .

本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 下記式(A)〜(C)で表されるユニットを含む共重合体を含有するめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光する露光工程と、
露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、
現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が10未満でめっきを行うめっき工程と、
を含むことを特徴とする金属パターン材料の製造方法である。
ただし、前記式(A)〜(C)中、R〜Rは、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数1〜4の置換若しくは無置換のアルキル基を表し、X、Y、Z、及びUは、それぞれ独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、L、L、及びLは、それぞれ独立して、単結合、又は置換若しくは無置換の二価の有機基を表し、Wはめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を表し、Vはイオン性極性基を表す。
<2> 6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−20〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+10〕%のレーザーパワーで露光する前記<1>に記載の金属パターン材料の製造方法である。
<3> めっき浴比が6以下である前記<1>から<2>のいずれかに記載の金属パターン材料の製造方法である。
<4> めっき形成用光感応材料が光重合開始剤を含有し、該光重合開始剤の光吸収量が2.5%以上である前記<1>から<3>のいずれかに記載の金属パターン材料の製造方法である。
<5> 前記<1>から<4>のいずれかに記載の金属パターン材料の製造方法により製造されたことを特徴とする金属パターン材料である。
The present invention is based on the above findings by the present inventors, and means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> When exposing a photosensitive material for plating formation containing a copolymer containing units represented by the following formulas (A) to (C) at a pitch of less than 6 μm, the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure. On the other hand, an exposure step of exposing with a laser power of less than 100% and [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) −30] to [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) +15]%,
A development step of developing the photosensitive material for plating formation after exposure with a developer;
A plating process in which the photosensitive material for plating formation on which the pattern after development is formed is plated at a plating bath ratio of less than 10, and
It is a manufacturing method of the metal pattern material characterized by including.
However, in said formula (A)-(C), R < 1 > -R < 6 > represents a hydrogen atom or a C1-C4 substituted or unsubstituted alkyl group each independently, X, Y, Z , And U each independently represents a single bond, a substituted or unsubstituted divalent organic group, an ester group, an amide group, or an ether group, and L 1 , L 2 , and L 3 are each independently A single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group, W represents a non-dissociative functional group that interacts with the plating catalyst or its precursor, and V represents an ionic polar group .
<2> Less than 100% of the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure, and [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) −20]% to [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) +10]% It is a manufacturing method of the metal pattern material as described in said <1> exposed with the laser power of.
<3> The method for producing a metal pattern material according to any one of <1> to <2>, wherein the plating bath ratio is 6 or less.
<4> The metal according to any one of <1> to <3>, wherein the photosensitive material for forming a plating contains a photopolymerization initiator, and the photopolymerization initiator has a light absorption amount of 2.5% or more. It is a manufacturing method of pattern material.
<5> A metal pattern material produced by the method for producing a metal pattern material according to any one of <1> to <4>.

本発明によると、従来における諸問題を解決でき、めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the various problems in the past can be solved, and the metal pattern material which can form the metal pattern of a thin line | wire or a small dot with high resolution after plating and the manufacturing method of a metal pattern material can be provided.

図1は、ピッチと露光パワーと描画結果との関係を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing the relationship among pitch, exposure power, and drawing result. 図2Aは、めっき後の金属パターン材料の描画結果が良好「○」の状態を示す写真である。FIG. 2A is a photograph showing a state where the drawing result of the metal pattern material after plating is good “◯”. 図2Bは、めっき後の金属パターン材料の描画結果が普通「△」の状態を示す写真である。FIG. 2B is a photograph showing a state where the drawing result of the metal pattern material after plating is normally “Δ”. 図2Cは、めっき後の金属パターン材料の描画結果が不良「×」の状態を示す写真である。FIG. 2C is a photograph showing a state in which the drawing result of the metal pattern material after plating is defective “x”.

(金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法)
本発明の金属パターン材料の製造方法は、露光工程と、現像工程と、めっき工程とを含み、触媒付与工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明の金属パターン材料は、本発明の金属パターン材料の製造方法により製造される。
以下、本発明の金属パターン材料の製造方法の説明を通じて、本発明の金属パターン材料の詳細についても明らかにする。
(Metal pattern material and metal pattern material manufacturing method)
The method for producing a metal pattern material of the present invention includes an exposure step, a development step, and a plating step, and further includes a catalyst application step and, if necessary, other steps.
The metal pattern material of this invention is manufactured by the manufacturing method of the metal pattern material of this invention.
Hereinafter, the details of the metal pattern material of the present invention will be clarified through the description of the method for producing the metal pattern material of the present invention.

本発明においては、前記露光工程において、特定のめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光する。即ち、特定のめっき形成用光感応材料を6μm未満の狭いピッチで露光する場合には、レーザーパワーを通常より低く制御して露光を行う。   In the present invention, when the specific photosensitive material for plating formation is exposed at a pitch of less than 6 μm in the exposure step, it is less than 100% with respect to the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure, and [(pitch ( [mu] m) * 75/6 + 25) -30]% to [(Pitch ([mu] m) * 75/6 + 25) +15]%. That is, when a specific photosensitive material for plating formation is exposed at a narrow pitch of less than 6 μm, the exposure is performed by controlling the laser power lower than usual.

前記ピッチとは、隣接するパターンの中心間の最短距離を意味し、6μm未満であり、好ましくは5μm以下、更に好ましくは3μm以下である。また下限は、0.01μm以上、0.1μm以上、1μm以上である。前記ピッチが、6μm以上であると、配線の密度が下がり、基板面積が大きくなる。0.01μm未満であると、短波レーザを使ってもレーザビーム幅を狭くできず、適切な露光パワーとしても本発明の効果が得られなくなることがある。
前記「6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、」とは、「レーザビームのエアリーディスク直径(λ/NA×1.22)の10倍より狭いピッチで、めっき形成用光感応材料を露光する際に、エアリーディスク径10倍ピッチ露光時の最適パワーに対し」と言い換えることができる。このとき、好ましくはエアリーディスクの8倍以下のピッチ、更に好ましくは5倍以下のピッチである。
ここで、前記6μmピッチ露光時の最適パワーとは、めっき形成用光感応材料に応じて異なり適宜選定することができるが、本発明においては、エアリーディスク10倍ピッチ(6μmピッチ)で記録したとき、描画結果が良好(○)となる最も低いパワーを意味する。
The pitch means the shortest distance between the centers of adjacent patterns, and is less than 6 μm, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less. Moreover, a minimum is 0.01 micrometer or more, 0.1 micrometer or more, and 1 micrometer or more. When the pitch is 6 μm or more, the wiring density is lowered and the substrate area is increased. If it is less than 0.01 μm, the laser beam width cannot be reduced even if a short-wave laser is used, and the effect of the present invention may not be obtained even with an appropriate exposure power.
The above “with respect to the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure when exposing at a pitch of less than 6 μm” means “with a pitch narrower than 10 times the Airy disk diameter (λ / NA × 1.22) of the laser beam, In other words, when the photosensitive material for plating formation is exposed, it can be rephrased as “to the optimum power at the time of exposure of 10 times the airy disk diameter”. At this time, the pitch is preferably 8 times or less, more preferably 5 times or less that of the Airy disk.
Here, the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure differs depending on the photosensitive material for plating formation, and can be selected as appropriate. In the present invention, when recording at 10 times the airy disk pitch (6 μm pitch). This means the lowest power at which the drawing result is good (◯).

前記特定のめっき形成用光感応材料を用い、めっき浴比を10未満とし、ピッチを2μm〜20μm、レーザーパワーを2mW〜10mWに変化させて、等間隔ピッチでパターンを露光し、現像後、めっきを行い、得られた各金属パターン材料の描画結果を評価した。ピッチとレーザーパワーと描画結果との関係を図1に示す。
図1の結果から、6μmピッチ露光時の最適パワーが8mWであり、ピッチが6μm未満で良好な描画結果(○)が得られるのは、図1のグラフ中の線Aと線Bに囲まれた斜め領域、即ち、〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%の領域であることが認められる。前記「(ピッチ(μm)×75/6+25)」において、75/6における「6」は6μmピッチ、「75/6」は傾きを表し、25は切片を表す。
したがって、前記特定のめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光することが必要であり、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−20〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+10〕%のレーザーパワーで露光することが好ましい。具体的には、ピッチが2μmのときには、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し20%〜65%のレーザーパワー、好ましくは30%〜60%のレーザーパワーで露光する。ピッチが4μmのときには、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し45%〜90%のレーザーパワー、好ましくは55%〜85%で露光する。
前記レーザーパワーが〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%を超えると、露光パワーが大きすぎて、配線間で短絡が生ずることがあり、〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕%未満であると、露光パワーが不足して、充分な導通が得られないことがある。
Using the specific photosensitive material for plating formation, the plating bath ratio is less than 10, the pitch is changed from 2 μm to 20 μm, the laser power is changed from 2 mW to 10 mW, the pattern is exposed at an equal interval pitch, and after development, plating is performed. The drawing results of the obtained metal pattern materials were evaluated. The relationship among the pitch, laser power, and drawing result is shown in FIG.
From the result of FIG. 1, the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure is 8 mW, and a good drawing result (◯) is obtained when the pitch is less than 6 μm is surrounded by the lines A and B in the graph of FIG. It is recognized that the region is a diagonal region, that is, a region of [(pitch (μm) × 75/6 + 25) −30]% to [(pitch (μm) × 75/6 + 25) +15]%. In “(Pitch (μm) × 75/6 + 25)”, “6” in 75/6 represents a 6 μm pitch, “75/6” represents an inclination, and 25 represents an intercept.
Therefore, when the specific photosensitive material for plating formation is exposed at a pitch of less than 6 μm, it is less than 100% with respect to the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure, and [(pitch (μm) × 75/6 + 25) −30]% to [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) +15]% of laser power is required, and is less than 100% with respect to the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure, and [( Pitch (μm) × 75/6 + 25) −20]% to [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) +10]% laser power is preferably used for exposure. Specifically, when the pitch is 2 μm, the exposure is performed with a laser power of 20% to 65%, preferably a laser power of 30% to 60% with respect to the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure. When the pitch is 4 μm, the exposure is performed at a laser power of 45% to 90%, preferably 55% to 85% with respect to the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure.
When the laser power exceeds [(pitch (μm) × 75/6 + 25) +15]%, the exposure power is too large, and a short circuit may occur between the wirings. [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) If it is less than -30]%, the exposure power is insufficient and sufficient conduction may not be obtained.

また、本発明においては、前記めっき工程において、現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が10未満でめっきを行う。
前記めっき浴比とは、浴負荷(めっき浴に対して投入するめっき対象物の表面積又は個数)の大小を示す数値であり、下記数式1により求めることができる。
<数式1>
めっき浴比=めっき槽の容量V(cm)÷めっき対象物の表面積A(cm
前記めっき浴比(V/A)は、10未満であり、8以下が好ましく、6以下がより好ましい。前記めっき浴比が、10以上であると、めっき皮膜が生成しやすく、配線が短絡することがある。
Further, in the present invention, in the plating step, the photosensitive material for plating formation on which the pattern after development is formed is plated with a plating bath ratio of less than 10.
The plating bath ratio is a numerical value indicating the magnitude of the bath load (surface area or number of plating objects to be added to the plating bath), and can be obtained by the following mathematical formula 1.
<Formula 1>
Plating bath ratio = Voltage of plating tank V (cm 3 ) ÷ Surface area A (cm 2 )
The plating bath ratio (V / A) is less than 10, preferably 8 or less, and more preferably 6 or less. When the plating bath ratio is 10 or more, a plating film is likely to be generated, and the wiring may be short-circuited.

本発明においては、(1)特定のめっき形成用光感応材料を用いること、(2)前記特定のめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光すること、(3)10未満のめっき浴比でめっきを行うこと、をすべて満たした場合に初めて、めっき後において細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できるものである。   In the present invention, (1) a specific photosensitive material for plating formation is used, and (2) when the specific photosensitive material for plating formation is exposed at a pitch of less than 6 μm, the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure. And exposure with a laser power of less than 100% and [(pitch (μm) × 75/6 + 25) −30]% to [(pitch (μm) × 75/6 + 25) +15]%, (3 The metal pattern of fine lines or small dots can be formed with high resolution after plating only when all of plating with a plating bath ratio of less than 10 is satisfied.

<露光工程>
前記露光工程は、特定のめっき形成用光感応材料に対してエネルギーを付与して、その領域の特定のめっき形成用光感応材料を硬化させる工程である。
<Exposure process>
The exposure step is a step of applying energy to a specific photosensitive material for plating formation to cure the specific photosensitive material for plating formation in that region.

<<めっき形成用光感応材料>>
前記特定のめっき形成用光感応材料は、下記式(A)〜(C)で表されるユニットを含む共重合体(以下、「特定のポリマー」と称することもある)を含有していれば特に制限はないが、基板上に被めっき層を有し、前記基板と前記被めっき層の間に密着補助層を有する態様が好ましい。この場合、前記被めっき層が前記特定のポリマーを含む被めっき層形成用組成物から形成される。
前記被めっき層形成用組成物は、前記特定のポリマーを含み、溶剤、特定ポリマーの溶解性を高めるための添加剤、光重合開始剤、増感剤、界面活性剤、可塑剤、重合禁止剤、硬化剤、硬化促進剤、更に必要に応じてその他の添加剤を含有してなる。
ただし、前記式(A)〜(C)中、R〜Rは、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数1〜4の置換若しくは無置換のアルキル基を表し、X、Y、Z、及びUは、それぞれ独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、L、L、及びLは、それぞれ独立して、単結合、又は置換若しくは無置換の二価の有機基を表し、Wはめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を表し、Vはイオン性極性基を表す。
なお、本明細書において有機基とは、炭素を有する置換基を指す。
<< Photosensitive material for plating formation >>
If the said photosensitive material for plating formation contains the copolymer (henceforth a "specific polymer") containing the unit represented by following formula (A)-(C). Although there is no restriction | limiting in particular, The aspect which has a to-be-plated layer on a board | substrate and has a close_contact | adherence auxiliary | assistant layer between the said board | substrate and the to-be-plated layer is preferable. In this case, the layer to be plated is formed from a composition for forming a layer to be plated containing the specific polymer.
The composition for forming a layer to be plated contains the specific polymer, a solvent, an additive for increasing the solubility of the specific polymer, a photopolymerization initiator, a sensitizer, a surfactant, a plasticizer, and a polymerization inhibitor. , A curing agent, a curing accelerator, and, if necessary, other additives.
However, in said formula (A)-(C), R < 1 > -R < 6 > represents a hydrogen atom or a C1-C4 substituted or unsubstituted alkyl group each independently, X, Y, Z , And U each independently represents a single bond, a substituted or unsubstituted divalent organic group, an ester group, an amide group, or an ether group, and L 1 , L 2 , and L 3 are each independently A single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group, W represents a non-dissociative functional group that interacts with the plating catalyst or its precursor, and V represents an ionic polar group .
Note that in this specification, an organic group refers to a substituent having carbon.

〜Rが、置換若しくは無置換のアルキル基である場合、無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。
なお、Rとしては、水素原子、メチル基、或いは、ヒドロキシル基又は臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
としては、水素原子、メチル基、或いは、ヒドロキシル基又は臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
としては、水素原子が好ましい。
としては、水素原子が好ましい。
としては、水素原子、メチル基、或いは、ヒドロキシル基又は臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
としては、水素原子、メチル基、或いは、ヒドロキシル基又は臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
更に、特定ポリマーの柔軟性の観点から、R、R、及びRはいずれも水素原子が好ましい。
When R 1 to R 6 are a substituted or unsubstituted alkyl group, examples of the unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group. Examples of the substituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group substituted with a methoxy group, a hydroxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and the like.
R 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a hydroxyl group or a bromine atom.
R 2 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a hydroxyl group or a bromine atom.
R 3 is preferably a hydrogen atom.
R 4 is preferably a hydrogen atom.
R 5 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a hydroxyl group or a bromine atom.
R 6 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a hydroxyl group or a bromine atom.
Furthermore, from the viewpoint of flexibility of the specific polymer, R 1 , R 5 , and R 6 are all preferably hydrogen atoms.

X、Y、Z、及びUが、置換若しくは無置換の二価の有機基の場合、該二価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基が挙げられる。
X、Y、Z、及びUは、好ましくは、単結合、エステル基、アミド基、エーテル基であり、より好ましくは、単結合、エステル基、アミド基であり、X、Z、及びUにおいては、最も好ましくは、単結合、エステル基であり、更に、Yに関しては、前記単結合及びエステル基以外に、アミド基も最も好ましいものの1つとして挙げることができる。
When X, Y, Z, and U are a substituted or unsubstituted divalent organic group, the divalent organic group includes a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic group, A hydrocarbon group is mentioned.
X, Y, Z, and U are preferably a single bond, an ester group, an amide group, or an ether group, more preferably a single bond, an ester group, or an amide group, and in X, Z, and U, Most preferably, they are a single bond and an ester group. Furthermore, regarding Y, in addition to the single bond and the ester group, an amide group can be mentioned as one of the most preferable ones.

また、L、L、及びLは、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、又はこれらを組み合わせた基が好ましい態様の1つである。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、更に、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を介していてもよい。中でも、L、L、及びLはそれぞれ総炭素数が1〜15が好ましく、特に無置換が好ましい。なお、ここで、総炭素数とは、例えば、Lで表される置換若しくは無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。L及びLの場合も同様である。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、及びこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、更には、これらを組み合わせた基が挙げられる。
In addition, L 1 , L 2 , and L 3 are each one of preferred embodiments in which a linear, branched, or cyclic alkylene group, an aromatic group, or a group that combines these is preferable. The group obtained by combining the alkylene group and the aromatic group may further be via an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group, or a urea group. Among them, L 1 , L 2 , and L 3 each preferably have 1 to 15 total carbon atoms, and particularly preferably unsubstituted. Here, the total number of carbon atoms, for example, means the total number of carbon atoms contained in the substituted or unsubstituted divalent organic group represented by L 1. The same applies to L 2 and L 3 .
Specifically, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a phenylene group, and those groups substituted with a methoxy group, a hydroxyl group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, etc., The group which combined these is mentioned.

なお、前記ユニット(A)におけるLにおける総炭素数は、1〜10がより好ましく、Lで表される二価の有機基は直鎖状であってもよく、分岐鎖を有していてもよい。また、Lに導入可能な置換基としては、エステル基、アミド基、ハロゲン原子、ホウ素原子、エーテル基、リン酸エステル基、硫酸エステル基、及び、チオール基が挙げられ、これらをその構造中に1つ以上有していてもよい。なお、形成される被めっき層の疎水性を維持するという観点からは、水酸基、チオール基、アミノ基、カルボン酸基、リン酸基などの置換基を有することは好ましくない。
特に、Lとしては、その連結基の構造中に実質的に水酸基を有しない態様が好ましい。Lに水酸基を有しない場合、水酸基を含む構造に比較して、架橋部に無電解めっき液(アルカリ水)を含有し難く、めっき液に起因する膜強度の低下、それに伴う形成された金属膜の密着力低下がより抑制される。
The total number of carbon atoms in the L 1 in the unit (A) is more preferably 1 to 10, a divalent organic group represented by L 1 may be linear, it has a branched chain May be. Examples of the substituent that can be introduced into L 1 include an ester group, an amide group, a halogen atom, a boron atom, an ether group, a phosphate ester group, a sulfate ester group, and a thiol group. You may have one or more. Note that it is not preferable to have a substituent such as a hydroxyl group, a thiol group, an amino group, a carboxylic acid group, or a phosphoric acid group from the viewpoint of maintaining the hydrophobicity of the formed layer to be plated.
In particular, L 1 is preferably an embodiment having substantially no hydroxyl group in the structure of the linking group. When L 1 does not have a hydroxyl group, it is difficult to contain an electroless plating solution (alkaline water) in the cross-linked portion compared to a structure containing a hydroxyl group, the film strength is reduced due to the plating solution, and the metal formed accordingly A decrease in adhesion of the film is further suppressed.

特に、式(C)で表されるユニットにおいては、適度な酸性(他の官能基を分解しない)、アルカリ水溶液中では親水性を示し、水を乾燥すると環状構造により疎水性を示しやすいという点から、Vがカルボン酸基であり、かつ、LのVとの連結部に4員〜8員の環構造を有することが好ましい。ここで、4員〜8員の環構造としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、フェニル基が挙げられる。これらの中でも、シクロヘキシル基、フェニル基が特に好ましい。即ち、この態様では、式(C)で表されるユニットの末端が脂環式カルボン酸基となる。
また、式(C)で表されるユニットにおいては、適度な酸性(他の官能基を分解しない)、アルカリ水溶液中では親水性を示し、水を乾燥すると長鎖アルキル基構造により疎水性を示しやすいという点から、Vがカルボン酸基であり、かつ、Lの鎖長が6原子〜18原子が好ましい。ここで、Lの鎖長とは、式(C)中のUとVとの距離を表し、UとVとの間が6原子〜18原子の範囲で離間していることが好ましいことを意味する。Lの鎖長として、より好ましくは、6原子〜14原子であり、更に好ましくは、6原子〜12原子である。
In particular, in the unit represented by the formula (C), moderate acidity (does not decompose other functional groups), hydrophilicity in an alkaline aqueous solution, and hydrophobicity due to the cyclic structure when water is dried. Therefore, it is preferable that V is a carboxylic acid group and has a 4-membered to 8-membered ring structure at the connecting portion of L 3 with V. Here, examples of the 4- to 8-membered ring structure include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and a phenyl group. Among these, a cyclohexyl group and a phenyl group are particularly preferable. That is, in this embodiment, the terminal of the unit represented by the formula (C) is an alicyclic carboxylic acid group.
The unit represented by the formula (C) is moderately acidic (does not decompose other functional groups), hydrophilic in an alkaline aqueous solution, and hydrophobic by a long-chain alkyl group structure when water is dried. From the viewpoint that it is easy, V is a carboxylic acid group, and the chain length of L 3 is preferably 6 to 18 atoms. Here, the chain length of L 3 represents the distance between U and V in the formula (C), and it is preferable that the distance between U and V is 6 to 18 atoms. means. The chain length of L 3 is more preferably 6 to 14 atoms, and still more preferably 6 to 12 atoms.

一方、式(C)で表されるユニットにおいて、Vがカルボン酸基であり、かつ、U及びLが単結合であることも好ましい態様の1つである。
この態様であると、ポリマー主鎖でカルボン酸基が遮蔽されると予想され、その結果、疎水化でき、金属パターン形成直後において、基板と金属パターンとの密着性を高めることができ、また、被めっき層の水に対する耐性を高めることができる。
On the other hand, in the unit represented by the formula (C), it is also one of preferable embodiments that V is a carboxylic acid group and U and L 3 are single bonds.
In this embodiment, it is expected that the carboxylic acid group is shielded by the polymer main chain, and as a result, it can be hydrophobized, and immediately after the formation of the metal pattern, the adhesion between the substrate and the metal pattern can be improved. The tolerance with respect to the water of a to-be-plated layer can be improved.

式(B)で表されるユニットにおいて、Wはめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を表し、この非解離性官能基としては前述したものが挙げられる。中でも、Wは、極性が高く、めっき触媒等への吸着能が高いといった点で、シアノ基又はエーテル基が好ましい。
中でも、下記式(B−1)で表されるユニットが好ましい。なお、下記式(B−1)において、Rは前記式(B)で表されるユニットにおけるRと同義である。式(B)で表されるユニットとして、下記式(B−1)で表されるユニットを選択することで、ポリマーの重量あたりに含まれるシアノ基の数が多くなり、被めっき層形成用組成物の単位重量あたりのめっき触媒等の吸着効率がより向上する。
In the unit represented by the formula (B), W represents a non-dissociable functional group that interacts with the plating catalyst or its precursor, and examples of the non-dissociable functional group include those described above. Among these, W is preferably a cyano group or an ether group in that it has high polarity and high adsorption ability to a plating catalyst or the like.
Among these, a unit represented by the following formula (B-1) is preferable. In the following formula (B-1), R 5 has the same meaning as R 5 in the unit represented by the formula (B). By selecting the unit represented by the following formula (B-1) as the unit represented by the formula (B), the number of cyano groups contained per polymer weight increases, and the composition for forming a layer to be plated The adsorption efficiency of the plating catalyst per unit weight of the product is further improved.

前記式(C)で表されるユニットにおいて、Vはイオン性極性基を表し、このイオン性極性基としては前述したものが挙げられる。これらの中でも、適度な酸性(他の官能基を分解しない)という点から、前述のように、カルボン酸基が好ましい。
特に、下記式(C−1)で表されるユニットが好ましい。なお、下記式(C−1)において、R及びLは前記したのと同義である。
In the unit represented by the formula (C), V represents an ionic polar group, and examples of the ionic polar group include those described above. Among these, a carboxylic acid group is preferable as described above from the viewpoint of moderate acidity (does not decompose other functional groups).
In particular, a unit represented by the following formula (C-1) is preferable. In the following formula (C-1), R 6 and L 3 have the same meaning as described above.

前記式(A)で表されるユニットは、反応性(硬化性、重合性)及び合成の際のゲル化の抑制の点から、共重合ユニット全体に対し5mol%〜50mol%で含まれることが好ましく、更に好ましくは10mol%〜40mol%である。
前記式(B)で表されるユニットは、めっき触媒又はその前駆体に対する吸着性、合成のしやすさの観点から、共重合ユニット全体に対し5mol%〜40mol%で含まれることが好ましく、更に好ましくは10mol%〜35mol%である。
前記式(C)で表されるユニットは、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、共重合ユニット全体に対し20mol%〜70mol%で含まれることが好ましく、更に好ましくは20mol%〜60mol%である。特に好ましくは30mol%〜50mol%である。この範囲にて、より現像性と耐湿密着力を両立することができる。
The unit represented by the formula (A) may be contained in an amount of 5 mol% to 50 mol% with respect to the entire copolymer unit from the viewpoint of reactivity (curability, polymerization) and suppression of gelation during synthesis. Preferably, it is 10 mol%-40 mol% more preferably.
The unit represented by the formula (B) is preferably contained in an amount of 5 mol% to 40 mol% with respect to the entire copolymer unit, from the viewpoint of the adsorptivity to the plating catalyst or its precursor and the ease of synthesis. Preferably they are 10 mol%-35 mol%.
The unit represented by the formula (C) is preferably contained in an amount of 20 mol% to 70 mol%, more preferably 20 mol% to 60 mol%, based on the entire copolymer unit, from the viewpoint of developability with an aqueous solution and moisture-resistant adhesion. It is. Especially preferably, it is 30 mol%-50 mol%. Within this range, both developability and moisture-resistant adhesion can be achieved.

なお、特定ポリマーのイオン性極性価(イオン性極性基がカルボン酸基の場合は酸価)としては、1.5mmol/g〜7.0mmol/gが好ましく、2.0mmol/g〜5.0mmol/gがより好ましく、3.0mmol/g〜4.5mmol/gが特に好ましい。前記イオン性極性価が、この範囲であることで、水溶液での現像性付与と湿熱経時時の密着力低下の抑制とを両立させることができる。
なお、イオン性極性を有するユニットの分子量により最適なユニット数とイオン性極性価は変化するが、その場合はイオン性極性価が前記範囲に入ることを優先とする。
In addition, as an ionic polar value of the specific polymer (an acid value when the ionic polar group is a carboxylic acid group), 1.5 mmol / g to 7.0 mmol / g is preferable, and 2.0 mmol / g to 5.0 mmol. / G is more preferable, and 3.0 mmol / g to 4.5 mmol / g is particularly preferable. When the ionic polar value is within this range, it is possible to achieve both impartment of developability in an aqueous solution and suppression of a decrease in adhesion strength during wet heat aging.
The optimum number of units and ionic polarity value vary depending on the molecular weight of the unit having ionic polarity. In this case, priority is given to the ionic polarity value falling within the above range.

前記特定ポリマーの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。例えば、後述するユニット(A)、(B−1)、及び(C−1)を含む特定ポリマーの具体例として挙げた各種ポリマーもまた、前記特定ポリマーとして好適に挙げることができる。
なお、これらの具体例の重量平均分子量は、いずれも、3,000〜150,000の範囲である。
Although the specific example of the said specific polymer is shown below, it is not limited to these. For example, the various polymers mentioned as specific examples of the specific polymer containing units (A), (B-1), and (C-1) described later can also be suitably exemplified as the specific polymer.
In addition, as for the weight average molecular weight of these specific examples, all are the range of 3,000-150,000.

前記特定ポリマーの重量平均分子量は、3,000以上15万以下が好ましく、更に好ましくは5,000以上10万以下である。特に、重合感度の観点から、前記特定ポリマーの重量平均分子量は、20,000以上が好ましい。更には、光硬化させて得られる被めっき層の膜厚を厚くし、めっき触媒又はその前駆体をより多く吸着させるといった観点から、重量平均分子量は60,000以上が最も好ましい。なお、合成中のゲル化抑制の観点から分子量の上限値は15万が好ましく、更に好ましくは10万以下である。
ここで、前記重量平均分子量とは、GPC(使用溶媒:N−メチルピロリドン)を用いてポリスチレン換算により測定される値であり、例えば、次の条件で測定することができる。
・カラム:ガードカラム TOSOH TSKguardcolum Super AW-H
分離カラム TOSOH TSKgel Super AWM-H(サイズ6.0mm×15cmを3本連結)
・溶離液:N−メチルピロリドン(LiBrを10mM含有)
・流速:0.35mL/min
・検出方法:RI
・温度:カラム40℃、インレット40℃、RI40℃
・サンプル濃度:0.1質量%
・注入量:60μL
The weight average molecular weight of the specific polymer is preferably 3,000 to 150,000, more preferably 5,000 to 100,000. In particular, from the viewpoint of polymerization sensitivity, the weight average molecular weight of the specific polymer is preferably 20,000 or more. Furthermore, the weight average molecular weight is most preferably 60,000 or more from the viewpoint of increasing the thickness of the layer to be plated obtained by photocuring and adsorbing more of the plating catalyst or its precursor. From the viewpoint of suppressing gelation during synthesis, the upper limit of the molecular weight is preferably 150,000, and more preferably 100,000 or less.
Here, the said weight average molecular weight is a value measured by polystyrene conversion using GPC (use solvent: N-methylpyrrolidone), for example, can be measured on the following conditions.
・ Column: Guard column TOSOH TSKguardcolum Super AW-H
Separation column TOSOH TSKgel Super AWM-H (3 size 6.0 mm x 15 cm connected)
Eluent: N-methylpyrrolidone (containing 10 mM LiBr)
・ Flow rate: 0.35 mL / min
・ Detection method: RI
-Temperature: Column 40 ° C, inlet 40 ° C, RI 40 ° C
Sample concentration: 0.1% by mass
・ Injection volume: 60 μL

前記(A)〜(C)で表されるユニットを含む共重合体の合成方法としては、特開2010−248464号公報の段落〔0055〕〜〔0084〕に詳細に記載されている。   The method for synthesizing the copolymer containing the units represented by (A) to (C) is described in detail in paragraphs [0055] to [0084] of JP 2010-248464 A.

前記被めっき層形成用組成物は、溶剤として有機溶剤のみを用いた場合は、前記特定ポリマーを、前記被めっき層形成用組成物全体に対して、0.01質量%〜50質量%で含有することが好ましく、0.01質量%〜30質量%がより好ましい。
また、前記被めっき層形成用組成物に溶剤として水と水溶性有機溶剤との混合液を使用する場合は、特定ポリマーの最適な濃度範囲としては、前記被めっき層形成用組成物全体に対して、0.01質量%〜25質量%が好ましく、0.01質量%〜15質量%がより好ましい。
When only the organic solvent is used as the solvent, the composition for forming a layer to be plated contains the specific polymer at 0.01% by mass to 50% by mass with respect to the entire composition for forming the layer to be plated. It is preferable to carry out, and 0.01 mass%-30 mass% are more preferable.
Moreover, when using the liquid mixture of water and a water-soluble organic solvent as a solvent in the said composition for forming a to-be-plated layer, as the optimal concentration range of a specific polymer, it is with respect to the said whole composition for to-be-plated layer forming. 0.01 mass% to 25 mass% is preferable, and 0.01 mass% to 15 mass% is more preferable.

−溶剤−
前記被めっき層形成用組成物は、前記特定ポリマーの他に、該特定ポリマーを溶解しうる溶剤を含有することが好ましい。
前記使用できる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール系溶剤;酢酸等の酸;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶剤;アセトニトリル、プロピロニトリル等のニトリル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系溶剤;ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶剤;エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
また、相互作用性基としてシアノ基を有する特定ポリマーを含有する組成物を塗布する場合は、取り扱い安さから沸点が50℃〜150℃の溶剤が好ましい。なお、これらの溶剤は単一で使用してもよいし、混合して使用してもよい。
-Solvent-
The composition for forming a layer to be plated preferably contains a solvent capable of dissolving the specific polymer in addition to the specific polymer.
Examples of the solvent that can be used include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, glycerin, and propylene glycol monomethyl ether; acids such as acetic acid; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; formamide, dimethylacetamide Amide solvents such as N-methylpyrrolidone; Nitrile solvents such as acetonitrile and propyronitrile; Ester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate; Carbonate solvents such as dimethyl carbonate and diethyl carbonate; Ether solvents and glycols A solvent, an amine solvent, a thiol solvent, a halogen solvent, etc. are mentioned.
Moreover, when apply | coating the composition containing the specific polymer which has a cyano group as an interactive group, the solvent whose boiling point is 50 to 150 degreeC is preferable from handling ease. In addition, these solvents may be used alone or in combination.

−水溶性有機溶剤−
前記被めっき層形成用組成物において、イオン性極性基を塩基で中和し、親水性を上げることで、溶剤として水を使用することもできる。なお、塗布時の塗布性を考えると溶剤として水と水溶性有機溶剤とを併用することが好ましく、その際の有機溶剤の含有量は、全溶剤に対して、0.1質量%〜40質量%が好ましい。ここで、前記水溶性有機溶剤とは、前記含有量の範囲において水と溶解しうるものを意味する。このような性質を有している有機溶剤であれば、特に限定されず、組成物の溶剤として用いることができる。前記水溶性有機溶剤としては、例えば、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、アミン系溶媒、チオール系溶媒、ハロゲン系溶媒などが好ましく用いられる。
-Water-soluble organic solvent-
In the composition for forming a layer to be plated, water can be used as a solvent by neutralizing an ionic polar group with a base to increase hydrophilicity. In consideration of applicability at the time of application, it is preferable to use water and a water-soluble organic solvent in combination as the solvent. % Is preferred. Here, the water-soluble organic solvent means a solvent that can dissolve in water within the range of the content. If it is an organic solvent which has such a property, it will not specifically limit, It can use as a solvent of a composition. As the water-soluble organic solvent, for example, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, ether solvents, amine solvents, thiol solvents, halogen solvents and the like are preferably used.

前記ケトン系溶媒としては、例えば、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、γ−ブチロラクトン、ヒドロキシアセトンなどが挙げられる。前記エステル系溶媒としては、例えば、酢酸2−(2−エトキシエトキシ)エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルセロソルブアセテート、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、グリコール酸メチル、グリコール酸エチルなどが挙げられる。   Examples of the ketone solvent include 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, γ-butyrolactone, and hydroxyacetone. Examples of the ester solvent include 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, methyl cellosolve acetate, 2-hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl acrylate, and glycolic acid. Examples include methyl and ethyl glycolate.

前記アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ノルマルプロピルアルコール、3−アセチル−1−プロパノール、2−(アリルオキシ)エタノール、2−アミノエタノール、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール、(±)−2−アミノ−1−プロパノール、3−アミノ−1−プロパノール、2−ジメチルアミノエタノール、2,3−エポキシ−1−プロパノール、エチレングリコール、2−フルオロエタノール、ジアセトンアルコール、2−メチルシクロヘキサノール、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、グリセリン、2,2’,2”−ニトリロトリエタノール、2−ピリジンメタノール、2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、2−[2−(ベンジルオキシ)エトキシ]エタノール、2,3−ブタンジオール、2−ブトキシエタノール、2,2’−チオジエタノール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、1,3−プロパンジオール、ジグリセリン、2,2’−メチルイミノジエタノール、1,2−ペンタンジオールなどが挙げられる。   Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, normal propyl alcohol, 3-acetyl-1-propanol, 2- (allyloxy) ethanol, 2-aminoethanol, 2-amino-2-methyl-1- Propanol, (±) -2-amino-1-propanol, 3-amino-1-propanol, 2-dimethylaminoethanol, 2,3-epoxy-1-propanol, ethylene glycol, 2-fluoroethanol, diacetone alcohol, 2-methylcyclohexanol, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, glycerin, 2,2 ', 2 "-nitrilotriethanol, 2-pyridinemethanol, 2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol , 2- (2-Aminoethoxy Ethanol, 2- [2- (benzyloxy) ethoxy] ethanol, 2,3-butanediol, 2-butoxyethanol, 2,2′-thiodiethanol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2 , 3-butanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 1,3-propanediol, diglycerin, 2,2′-methyliminodiethanol, 1,2-pentanediol and the like.

前記エーテル系溶媒としては、例えば、ビス(2−エトキシエチル)エーテル、ビス[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチル]エーテル、1,2−ビス(2−メトキシエトキシ)エタン、ビス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]エーテル、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、2−(2−ブトキシエトキシ)エタノール、2−[2−(2−クロロエトキシ)エトキシ]エタノール、2−エトキシエタノール、2−(2−エトキシエトキシ)エタノール、2−イソブトキシエタノール、2−(2−イソブトキシエトキシ)エタノール、2−イソプロポキシエタノール、2−[2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ]エタノール、2−(2−メトキシエトキシ)エタノール、1−エトキシ−2−プロパノール、1−メトキシ−2−プロパノール、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸、2−メトキシエタノールなどが挙げられる。   Examples of the ether solvent include bis (2-ethoxyethyl) ether, bis [2- (2-hydroxyethoxy) ethyl] ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, and bis [2- ( 2-methoxyethoxy) ethyl] ether, bis (2-methoxyethyl) ether, 2- (2-butoxyethoxy) ethanol, 2- [2- (2-chloroethoxy) ethoxy] ethanol, 2-ethoxyethanol, 2- (2-ethoxyethoxy) ethanol, 2-isobutoxyethanol, 2- (2-isobutoxyethoxy) ethanol, 2-isopropoxyethanol, 2- [2- (2-methoxyethoxy) ethoxy] ethanol, 2- (2 -Methoxyethoxy) ethanol, 1-ethoxy-2-propanol, 1-methoxy-2-propyl Propanol, tripropylene glycol monomethyl ether, methoxy acetic acid and 2-methoxy ethanol.

前記グリコール系溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどが挙げられる。
前記アミン系溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
前記チオール系溶媒としては、例えば、メルカプト酢酸、2−メルカプトエタノールなどが挙げられる。
前記ハロゲン系溶媒としては、例えば、3−ブロモベンジルアルコール、2−クロロエタノール、3−クロロ−1,2−プロパンジオールなどが挙げられる。
Examples of the glycol solvent include diethylene glycol, triethylene glycol, ethylene glycol, hexaethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, and tripropylene glycol.
Examples of the amine solvent include N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide.
Examples of the thiol-based solvent include mercaptoacetic acid and 2-mercaptoethanol.
Examples of the halogen solvent include 3-bromobenzyl alcohol, 2-chloroethanol, 3-chloro-1,2-propanediol, and the like.

前記水溶性有機溶剤の沸点は蒸散のし易さの観点から、70℃〜150℃が好ましく、65℃〜120℃がより好ましい。このような水溶性有機溶剤としては、例えば、エタノール(沸点:78℃)、イソプロピルアルコール(沸点:82℃)、n−プロピルアルコール(沸点:97℃)、テトラヒドロフラン(THF)(沸点:66℃)、1−メトシキ−2−プロパノール(沸点:119℃)、メチルエチルケトン(MEK)(沸点:80℃)などが好ましく挙げられる。   The boiling point of the water-soluble organic solvent is preferably 70 ° C. to 150 ° C., more preferably 65 ° C. to 120 ° C., from the viewpoint of easiness of evaporation. Examples of such water-soluble organic solvents include ethanol (boiling point: 78 ° C), isopropyl alcohol (boiling point: 82 ° C), n-propyl alcohol (boiling point: 97 ° C), tetrahydrofuran (THF) (boiling point: 66 ° C). 1-methoxy-2-propanol (boiling point: 119 ° C.), methyl ethyl ketone (MEK) (boiling point: 80 ° C.) and the like are preferable.

また、上述のように、水と水溶性有機溶剤の混合液を用いる場合、作業のし易さの観点から、その引火点としては30℃以上のものが好ましく、40℃以上がより好ましく、60℃以上が更に好ましい。
前記引火点は、JIS−K2265に準拠するタグ密閉式によって得られた測定値を意味する。
In addition, as described above, when using a mixed solution of water and a water-soluble organic solvent, the flash point is preferably 30 ° C. or higher, more preferably 40 ° C. or higher, from the viewpoint of ease of work. More preferably, it is at least ° C.
The flash point means a measurement value obtained by a tag sealing method in accordance with JIS-K2265.

−水−
前記被めっき層形成用組成物に使用される水は、不純物を含まないことが好ましく、RO水、脱イオン水、蒸留水、精製水などが好ましく、脱イオン水、蒸留水がより好ましい。
-Water-
The water used in the composition for forming a layer to be plated preferably contains no impurities, preferably RO water, deionized water, distilled water, purified water, and more preferably deionized water or distilled water.

−特定ポリマーの溶解性を高めるための添加剤−
前記被めっき層形成用組成物に水と水溶性有機溶剤との混合液を使用する場合は、特定ポリマーの溶解性を高めるために添加剤を使用することができる。
例えば、溶質である特定ポリマーがカルボン酸基などの酸性基を有する場合は、この酸性基をカルボン酸ナトリウムなどの塩とすることで、この特定ポリマーは、水と水溶性有機溶剤との混合液に溶解し易くなる。カルボン酸基をカルボン酸ナトリウムに変換するために使用する添加剤としては、塩基性の化合物が使用することができ、具体的には、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸リチウム、水酸化リチウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、アンモニア、DBU、DBNなどが使用できる。特に好ましくは水溶性化の度合い、最適な塩基性度の観点から、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウムが好ましい。
-Additives for enhancing the solubility of specific polymers-
When using the liquid mixture of water and a water-soluble organic solvent for the said to-be-plated layer forming composition, in order to improve the solubility of a specific polymer, an additive can be used.
For example, when a specific polymer that is a solute has an acidic group such as a carboxylic acid group, the specific polymer is a mixture of water and a water-soluble organic solvent by converting the acidic group into a salt such as sodium carboxylate. It becomes easy to dissolve in. As an additive used for converting a carboxylic acid group to sodium carboxylate, a basic compound can be used. Specifically, sodium hydrogen carbonate, sodium carbonate, sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxy Potassium carbonate, potassium carbonate, potassium hydroxide, lithium bicarbonate, lithium carbonate, lithium hydroxide, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, butylamine, dibutylamine, tributylamine, ammonia, DBU, DBN or the like can be used. Particularly preferred are sodium hydrogen carbonate, sodium carbonate, and sodium hydroxide from the viewpoint of water solubility and optimum basicity.

−光重合開始剤−
前記被めっき層形成用組成物は、エネルギー付与に対する感度を高めるために、光重合開始剤を含有することが好ましい。
前記光重合開始剤としては、紫外線、電子線などの照射によりラジカルを発生し,そのラジカルが重合のきっかけとなるラジカル発生剤が好適である。
前記ラジカル発生剤としては、例えば、芳香族ケトン類、オニウム塩化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、ピリジウム類化合物などが挙げられる。
前記光重合開始剤における光吸収量は、2.5%以上が好ましく、3%以上がより好ましく、3.5%以上が更に好ましい。また上限値は、90%以下が好ましく、80%以下がより好ましく、20%以下が更に好ましい。前記光吸収量が、2.5%未満であると、感度が不足し、露光パターンが得られないことがある。
前記光吸収量は、例えば、レーザーパワーメータにより測定することができる。
-Photopolymerization initiator-
The composition for forming a layer to be plated preferably contains a photopolymerization initiator in order to increase sensitivity to energy application.
As the photopolymerization initiator, a radical generator that generates radicals by irradiation with ultraviolet rays, electron beams, or the like, and that radicals trigger polymerization is suitable.
Examples of the radical generator include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbiimidazole compounds, ketoxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, active ester compounds, and carbon halogen bonds. And the like, and pyridium compounds.
The light absorption amount in the photopolymerization initiator is preferably 2.5% or more, more preferably 3% or more, and still more preferably 3.5% or more. The upper limit is preferably 90% or less, more preferably 80% or less, and still more preferably 20% or less. If the light absorption amount is less than 2.5%, the sensitivity may be insufficient and an exposure pattern may not be obtained.
The light absorption amount can be measured by, for example, a laser power meter.

−増感剤−
前記被めっき層形成用組成物には、エネルギー付与が露光で行われる場合、その露光に対する感度をより高める目的で、前記光重合開始剤(ラジカル発生剤)に加え、増感剤を含有させることもできる。
前記増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、ラジカル発生剤と相互作用(例えば、エネルギー移動、電子移動等)することにより、ラジカルの発生を促進することが可能である。
-Sensitizer-
In the composition for forming a layer to be plated, when energy is applied by exposure, a sensitizer is added in addition to the photopolymerization initiator (radical generator) for the purpose of further increasing sensitivity to the exposure. You can also.
The sensitizer is excited by active energy rays, and can promote the generation of radicals by interacting with the radical generator (for example, energy transfer, electron transfer, etc.).

前記増感剤としては、特に制限はなく、公知の増感剤の中から露光波長に合わせて、適宜選択することができる。
具体的には、例えば、公知の多核芳香族類(例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン)、キサンテン類(例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル等)、シアニン類(例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等)、メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン)、チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等)、アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等)、アントラキノン類(例えば、アントラキノン等)、スクアリウム類(例えば、スクアリウム等)、アクリドン類(例えば、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドン等)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン等が挙げられる。その他として、特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号等の各公報に記載のクマリン化合物など)などが挙げられる。
There is no restriction | limiting in particular as said sensitizer, According to exposure wavelength, it can select suitably from well-known sensitizers.
Specifically, for example, known polynuclear aromatics (for example, pyrene, perylene, triphenylene), xanthenes (for example, fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal, etc.), cyanines (for example, indocarbocyanine) , Thiacarbocyanine, oxacarbocyanine, etc.), merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine), thiazines (eg, thionine, methylene blue, toluidine blue, etc.), acridines (eg, acridine orange, chloroflavin, acriflavine, etc.) ), Anthraquinones (for example, anthraquinone, etc.), squariums (for example, squalium, etc.), acridones (for example, acridone, chloroacridone, N-methylacridone, N-butylacridone, N-butyl) -Chloroacridone and the like), coumarins (for example, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin) 3- (2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (5,7-di-n-propoxycoumarin), 3,3′-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxycoumarin, 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-be Nzoyl-5,7-dipropoxycoumarin, etc. Other examples include JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206, JP-A-2002-363207, JP-A-2002-363208. And coumarin compounds described in JP-A-2002-363209 and the like.

前記ラジカル発生剤と増感剤との組合せとしては、例えば、特開2001−305734号公報に記載の電子移動型開始系[(1)電子供与型開始剤及び増感色素、(2)電子受容型開始剤及び増感色素、(3)電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤(三元開始系)]などの組合せが挙げられる。
これらの中でも、トリアジン系の光重合開始剤と、360nm〜700nmの波長に極大吸収を有する増感剤との組合せが好ましく挙げられる。
As a combination of the radical generator and the sensitizer, for example, an electron transfer type initiation system described in JP-A No. 2001-305734 [(1) electron donating type initiator and sensitizing dye, (2) electron accepting Type initiators and sensitizing dyes, (3) electron donating initiators, sensitizing dyes and electron accepting initiators (ternary initiation system)], and the like.
Among these, a combination of a triazine-based photopolymerization initiator and a sensitizer having a maximum absorption at a wavelength of 360 nm to 700 nm is preferable.

その他増感剤としては、塩基性核を有する増感剤、酸性核を有する増感剤、蛍光増白剤を有する増感剤などを用いることもできる。   As other sensitizers, a sensitizer having a basic nucleus, a sensitizer having an acidic nucleus, a sensitizer having a fluorescent whitening agent, and the like can be used.

前記増感剤は、前記被めっき層形成用組成物中、前記特定ポリマーの質量に対して、1質量%〜30質量%程度の量で含有させることが好ましい。   The sensitizer is preferably contained in the composition for forming a layer to be plated in an amount of about 1% by mass to 30% by mass with respect to the mass of the specific polymer.

−界面活性剤−
前記被めっき層形成用組成物は、界面活性剤を含有していてもよい。
前記界面活性剤は、前述の溶剤に溶解するものであればよく、そのような界面活性剤としては、例えば、n−ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等のアニオン性界面活性剤;n−ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド等のカチオン性界面活性剤;ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル(市販品としては、例えば、エマルゲン910、花王株式会社製など)、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート(市販品としては、例えば、商品名「ツイーン20」など)、ポリオキシエチレンラウリルエーテル等の非イオン性界面活性剤などが挙げられる。
-Surfactant-
The composition for forming a layer to be plated may contain a surfactant.
The surfactant only needs to be soluble in the above-mentioned solvent. Examples of such surfactant include anionic surfactants such as sodium n-dodecylbenzenesulfonate; n-dodecyltrimethylammonium chloride. Cationic surfactants such as polyoxyethylene nonylphenol ether (commercially available products such as Emulgen 910, manufactured by Kao Corporation), polyoxyethylene sorbitan monolaurate (commercially available products such as trade name “Tween”) 20 "), and nonionic surfactants such as polyoxyethylene lauryl ether.

−可塑剤−
前記被めっき層形成用組成物には、必要に応じて可塑剤を添加することもできる。使用できる可塑剤としては、一般的な可塑剤が使用でき、例えば、フタル酸エステル類(ジメチルエステル、ジエチルエステル、ジブチルエステル、ジ−2−エチルヘキシルエステル、ジノルマルオクチルエステル、ジイソノニルエステル、ジノニルエステル、ジイソデシルエステル、ブチルベンジルエステル)、アジピン酸エステル類(ジオクチルエステル、ジイソノニルエステル)、アゼラインサンジオクチル、セバシンサンエステル類(ジブチルエステル、ジオクチルエステル)リン酸トリクレシル、アセチルクエン酸トリブチル、エポキシ化大豆油、トリメリット酸トリオクチル、塩素化パラフィン、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンのような高沸点溶媒も使用することができる。
-Plasticizer-
A plasticizer can be added to the composition for forming a layer to be plated, if necessary. Usable plasticizers include general plasticizers such as phthalates (dimethyl ester, diethyl ester, dibutyl ester, di-2-ethylhexyl ester, dinormal octyl ester, diisononyl ester, dinonyl ester). , Diisodecyl ester, butyl benzyl ester), adipic acid esters (dioctyl ester, diisononyl ester), azelain dioctyl, sebacin sun esters (dibutyl ester, dioctyl ester) tricresyl phosphate, tributyl acetyl citrate, epoxidized soybean oil, High boiling solvents such as trioctyl trimellitic acid, chlorinated paraffin, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone can also be used.

−重合禁止剤−
前記被めっき層形成用組成物には、必要に応じて、重合禁止剤を添加することもできる。
前記重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、ジターシャリーブチルハイドロキノン、2,5−ビス(1,1,3,3−テトラメチルブチル)ハイドロキノン等のハイドロキノン類;p−メトキシフェノール、フェノール等のフェノール類;ベンゾキノン類、TEMPO(2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニロキシフリーラジカル)、4−ヒドロキシTEMPO等のフリーラジカル類;フェノチアジン類、N−ニトロソフェニルヒドロキシアミン、そのアルミニウム塩等のニトロソアミン類;カテコール類を使用することができる。
-Polymerization inhibitor-
A polymerization inhibitor can be added to the composition for forming a layer to be plated, if necessary.
Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinones such as hydroquinone, ditertiary butyl hydroquinone and 2,5-bis (1,1,3,3-tetramethylbutyl) hydroquinone; phenols such as p-methoxyphenol and phenol. Benzoquinones, TEMPO (2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy free radical), free radicals such as 4-hydroxy TEMPO; phenothiazines, N-nitrosophenylhydroxyamine, aluminum salts thereof, etc. Nitrosamines; catechols can be used.

−硬化剤、硬化促進剤−
前記被めっき層形成用組成物を用いて密着補助層上に被めっき層を形成する場合、密着補助層の硬化を進めるために、被めっき層形成用組成物に硬化剤及び/又は硬化促進剤を添加することができる。例えば、密着補助層にエポキシ化合物が含まれる場合の硬化剤及び/又は硬化促進剤として、重付加型では、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、酸無水物、フェノール、フェノールノボラック、ポリメルカプタン、活性水素を2個以上持つ化合物等、触媒型としては、脂肪族第三アミン、芳香族第三アミン、イミダゾール化合物、ルイス酸錯体などが挙げられる。
また、熱、光、湿気、圧力、酸、塩基などにより硬化開始するものとしては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジエチルアミノプロピルアミン、ポリアミドアミン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、N−アミノエチルピペラジン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラオキシスピロ(5,5)ウンデカンアダクト、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、m−キシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、m−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジシアンジアミド、アジピン酸ジヒラジド、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメート)、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、ポリアゼライン酸無水物、フェノールノボラック、キシリレンノボラック、ビスフェノールAノボラック、トリフェニルメタンノボラック、ビフェニルノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック、テルペンフェノールノボラック、ポリメルカプタン、ポリサルファイド、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール−トリ−2−エチルヘキシル酸塩、ベンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−(2−メチルイミダゾリル−(1))−エチルS−トリアジン、BFモノエチルアミン錯体、ルイス酸錯体、有機酸ヒドラジド、ジアミノマレオニトリル、メラミン誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアミン塩、アミンイミド化合物、芳香族ジアゾニウム塩、ジアーリルヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールセレニウム塩、ケチミン化合物などが挙げられる。
-Curing agent, curing accelerator-
When a plating layer is formed on the adhesion auxiliary layer using the composition for forming a plating layer, a curing agent and / or a curing accelerator is added to the composition for forming the plating layer in order to advance curing of the adhesion auxiliary layer. Can be added. For example, as a curing agent and / or a curing accelerator when an epoxy compound is contained in the adhesion auxiliary layer, in the polyaddition type, aliphatic polyamine, alicyclic polyamine, aromatic polyamine, polyamide, acid anhydride, phenol, phenol Examples of catalyst types such as novolak, polymercaptan, compounds having two or more active hydrogens include aliphatic tertiary amines, aromatic tertiary amines, imidazole compounds, and Lewis acid complexes.
Examples of those that start curing by heat, light, moisture, pressure, acid, base, etc. include, for example, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, diethylaminopropylamine, polyamidoamine, mensendiamine, isophoronediamine, N -Aminoethylpiperazine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxyspiro (5,5) undecane adduct, bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) methane, bis (4-Aminocyclohexyl) methane, m-xylenediamine, diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, adipic dihydrazide, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, Tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, dodecyl succinic anhydride, chlorendic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bis (anhydrotrimate) , Methylcyclohexene tetracarboxylic anhydride, trimellitic anhydride, polyazeline acid anhydride, phenol novolak, xylylene novolak, bisphenol A novolak, triphenylmethane novolak, biphenyl novolak, dicyclopentadiene phenol novolak, terpene phenol novolak, poly Mercaptan, polysulfide, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol-to 2-ethylhexylate, benzyldimethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-phenylimidazole 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 2,4-diamino-6- (2-methylimidazolyl- (1))-ethyl S-triazine, BF 3 monoethylamine complex, Lewis Acid complex, organic acid hydrazide, diaminomaleonitrile, melamine derivative, imidazole derivative, polyamine salt, amine imide compound, aromatic diazonium salt, diaryl iodonium salt, triarylsulfonium salt, triaryl selenium salt, ketimine compound Etc., and the like.

これらの硬化剤及び/又は硬化促進剤は、被めっき層形成用組成物の塗布性、基板及びめっき膜との密着性などの観点から、溶剤を除去した残りの不揮発成分の0〜50質量%程度まで添加することが好ましい。
なお、硬化剤及び/又は硬化促進剤は密着補助層に添加してもよく、その場合は、密着補助層に添加した量と被めっき層形成用組成物中に添加した総和量で前記範囲を満たすことが好ましい。
These curing agents and / or curing accelerators are used in an amount of 0 to 50% by mass of the remaining non-volatile components from which the solvent has been removed from the viewpoints of the coating properties of the composition for forming a layer to be plated and the adhesion between the substrate and the plating film. It is preferable to add to the extent.
The curing agent and / or curing accelerator may be added to the adhesion auxiliary layer, and in that case, the above range is determined by the amount added to the adhesion auxiliary layer and the total amount added in the composition for forming a layer to be plated. It is preferable to satisfy.

−その他の添加剤−
前記被めっき層形成用組成物には、更に、ゴム成分(例えば、CTBN)、難燃化剤(例えば、りん系難燃化剤)、希釈剤、チキソトロピー化剤、顔料、消泡剤、レベリング剤、カップリング剤、水溶性物質(例えば、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等のミネラル成分)、溶解性低分子物質(例えば、εカプロラクタム、ポリエチレングリコール等のポリアルキルグリコール)などを添加してもよい。また、これらの添加剤は必要に応じて密着補助層に添加してもよい。
-Other additives-
The composition for forming a layer to be plated further includes a rubber component (for example, CTBN), a flame retardant (for example, a phosphorus flame retardant), a diluent, a thixotropic agent, a pigment, an antifoaming agent, and a leveling. Agents, coupling agents, water-soluble substances (for example, mineral components such as calcium oxide and magnesium oxide), soluble low-molecular substances (for example, polyalkyl glycols such as ε-caprolactam and polyethylene glycol) and the like may be added. Moreover, you may add these additives to a close_contact | adherence auxiliary | assistant layer as needed.

前記被めっき層形成用組成物は、被めっき層中の、特定ポリマーが、分子内のラジカル重合性基により基板に結合していることが好ましい態様である。   In the composition for forming a layer to be plated, it is preferable that the specific polymer in the layer to be plated is bonded to the substrate by a radical polymerizable group in the molecule.

前記被めっき層形成用組成物を基板に接触させる場合には、その塗布量は、めっき触媒又はその前駆体との充分な相互作用形成性の観点からは、固形分換算で、0.1g/m〜10g/mが好ましく、0.5g/m〜5g/mがより好ましい。
なお、基板上に、特定ポリマーを含有する被めっき層形成用組成物を塗布し、乾燥させて、特定ポリマーを含有する層を形成する場合、塗布と乾燥との間に、20℃〜40℃で0.5時間〜2時間放置させて、残存する溶剤を除去してもよい。
When the composition for forming a layer to be plated is brought into contact with the substrate, the coating amount is 0.1 g / in terms of solid content from the viewpoint of sufficient interaction formation with the plating catalyst or its precursor. m 2 to 10 g / m 2 are preferable, and 0.5 g / m 2 to 5 g / m 2 are more preferable.
In addition, when apply | coating the composition for to-be-plated layer containing a specific polymer on a board | substrate and making it dry and form the layer containing a specific polymer, it is 20 to 40 degreeC between application | coating and drying. May be left for 0.5 to 2 hours to remove the remaining solvent.

前記被めっき層形成用組成物と基板との接触は、基板を、該被めっき層形成用組成物中に浸漬することで行ってもよいが、取り扱い性及び製造効率の観点からは、後述するように、被めっき層形成用組成物からなる層を基板表面(密着補助層表面)に、塗布法により形成することが好ましい。
なお、基板が樹脂フィルムであって、この樹脂フィルムの両面に対して被めっき層を形成する場合にも、被めっき層を両面同時に形成し易いといった観点から、塗布法を用いることが好ましい。
The contact between the composition for forming a layer to be plated and the substrate may be carried out by immersing the substrate in the composition for forming a layer to be plated. However, from the viewpoint of handleability and production efficiency, it will be described later. Thus, it is preferable to form the layer which consists of a to-be-plated layer forming composition on a substrate surface (adhesion auxiliary | assistant layer surface) by the apply | coating method.
In addition, when a board | substrate is a resin film and forms a to-be-plated layer with respect to both surfaces of this resin film, it is preferable to use the coating method from a viewpoint that it is easy to form a to-be-plated layer on both surfaces simultaneously.

−基板−
前記基板としては、形状保持性を有するものであればよく、その表面が、前述の特定ポリマーと化学結合しうる機能を有することが好ましい。具体的には、基板自体が露光によりラジカルを発生しうるものであるか、基材上に、露光によりラジカルを発生しうる中間層(例えば、後述する密着補助層)を設け、この基材と中間層とで基板が構成されていてもよい。
-Board-
The substrate is not particularly limited as long as it has shape-retaining properties, and the surface thereof preferably has a function capable of chemically bonding with the specific polymer. Specifically, the substrate itself is capable of generating radicals upon exposure, or an intermediate layer (for example, an adhesion assisting layer described later) capable of generating radicals upon exposure is provided on the base material. The substrate may be composed of the intermediate layer.

前記基材は、寸度的に安定な板状物が好ましく、例えば、紙、プラスチック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等)がラミネートされた紙、金属板(例えば、アルミニウム、亜鉛、銅等)、プラスチックフィルム(例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリイミド、エポキシ、ビスマレインイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等)、前記の如き金属がラミネート若しくは蒸着された紙又はプラスチックフィルム等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂が特に好ましい。
なお、これらの基材表面が、特定ポリマーが直接化学結合した状態を形成しうる機能を有している場合には、その基材そのものを基板として用いてもよい。
The substrate is preferably a dimensionally stable plate, for example, paper, paper laminated with plastic (eg, polyethylene, polypropylene, polystyrene, etc.), metal plate (eg, aluminum, zinc, copper, etc.). , Plastic film (for example, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate, cellulose nitrate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyimide, epoxy, bismaleimide resin, Polyphenylene oxide, liquid crystal polymer, polytetrafluoroethylene, etc.), paper or plastic film on which the above metal is laminated or vapor-deposited. Among these, an epoxy resin or a polyimide resin is particularly preferable.
In addition, when these base material surfaces have a function capable of forming a state in which a specific polymer is directly chemically bonded, the base material itself may be used as a substrate.

前記基板として、特開2005−281350号公報の段落番号〔0028〕〜〔0088〕に記載の重合開始部位を骨格中に有するポリイミドを含む基材を用いることもできる。   As the substrate, a base material including polyimide having a polymerization initiation site described in paragraphs [0028] to [0088] of JP-A-2005-281350 in the skeleton can also be used.

また、本発明の金属パターン材料の製造方法により得られた金属パターン材料は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等に適用することができる。このような用途に用いる場合は、以下に示す、絶縁性樹脂を含んだ基板、具体的には、絶縁性樹脂からなる基板、又は、絶縁性樹脂からなる層を基材上に有する基板を用いることが好ましい。   Moreover, the metal pattern material obtained by the manufacturing method of the metal pattern material of the present invention can be applied to semiconductor packages, various electric wiring boards, and the like. When used in such applications, the following substrate containing an insulating resin, specifically, a substrate made of an insulating resin or a substrate having a layer made of an insulating resin on a base material is used. It is preferable.

前記絶縁性樹脂からなる基板、絶縁性樹脂からなる層を得る場合には、公知の絶縁性樹脂組成物が用いられる。この絶縁性樹脂組成物には、主たる樹脂に加え、目的に応じて種々の添加物を併用することができる。例えば、絶縁層の強度を高める目的で、多官能のアクリレートモノマーを添加する、絶縁体層の強度を高め、電気特性を改良する目的で、無機、若しくは有機の粒子を添加する、などの手段をとることもできる。
なお、本発明における「絶縁性樹脂」とは、公知の絶縁膜及び絶縁層に使用しうる程度の絶縁性を有する樹脂であることを意味するものであり、完全な絶縁体でないものであっても、目的に応じた絶縁性を有する樹脂であれば、本発明に適用しうる。
When obtaining the board | substrate which consists of the said insulating resin, and the layer which consists of insulating resins, a well-known insulating resin composition is used. In addition to the main resin, various additives can be used in combination with the insulating resin composition depending on the purpose. For example, a means such as adding a polyfunctional acrylate monomer for the purpose of increasing the strength of the insulating layer, or adding inorganic or organic particles for the purpose of increasing the strength of the insulating layer and improving electrical characteristics, etc. It can also be taken.
The “insulating resin” in the present invention means a resin having an insulating property that can be used for a known insulating film and insulating layer, and is not a perfect insulator. In addition, any resin having insulating properties according to the purpose can be applied to the present invention.

前記絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよい。前記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂、ABS樹脂などが挙げられる。
前記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
前記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体などが挙げられる。
Specific examples of the insulating resin may be, for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a mixture thereof. Examples of the thermosetting resin include epoxy resins, phenol resins, polyimide resins, polyester resins, bismaleimide resins, polyolefin resins, isocyanate resins, and ABS resins.
Examples of the epoxy resin include cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, Examples thereof include cyclopentadiene type epoxy resins, epoxidized products of condensates of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group, triglycidyl isocyanurate, and alicyclic epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it will be excellent in heat resistance.
Examples of the polyolefin resin include polyethylene, polystyrene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin resin, and copolymers of these resins.

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミドなどが挙げられる。
その他の熱可塑性樹脂としては、1,2−ビス(ビニルフェニレン)エタン樹脂(1,2−Bis(vinylphenyl)ethane)、若しくはこれとポリフェニレンエーテル樹脂との変性樹脂(天羽悟ら、Journal of Applied Polymer Science Vol.92,1252−1258(2004)に記載)、液晶性ポリマー(具体的には、クラレ社製のベクスターなど)、フッ素樹脂(PTFE)などが挙げられる。
Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and the like.
Other thermoplastic resins include 1,2-bis (vinylphenylene) ethane resin (1,2-Bis (vinylphenyl) ethane), or a modified resin of this and a polyphenylene ether resin (Satoru Amaha et al., Journal of Applied Polymer Science). Vol. 92, 1252-1258 (2004)), liquid crystal polymers (specifically, Bexter manufactured by Kuraray Co., Ltd.), fluororesin (PTFE), and the like.

熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。これはそれぞれの欠点を補いより優れた効果を発現する目的で行われる。例えば、ポリフェニレンエーテル(PPE)などの熱可塑性樹脂は熱に対しての耐性が低いため、熱硬化性樹脂などとのアロイ化が行われている。例えば、PPEとエポキシ、トリアリルイソシアネートとのアロイ化、或いは重合性官能基を導入したPPE樹脂とその他の熱硬化性樹脂とのアロイ化として使用される。またシアネートエステルは熱硬化性の中ではもっとも誘電特性の優れる樹脂であるが、それ単独で使用されることは少なく、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、熱可塑性樹脂などの変性樹脂として使用される。これらの詳細に関しては、「電子技術」2002/9号、P35に記載されている。また、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂を含み、熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂及び/又はポリエーテルスルフォン(PES)を含むものも誘電特性を改善するために使用される。   The thermoplastic resin and the thermosetting resin may be used alone or in combination of two or more. This is performed for the purpose of compensating for each defect and producing a superior effect. For example, thermoplastic resins such as polyphenylene ether (PPE) have a low resistance to heat, and are therefore alloyed with thermosetting resins. For example, it is used for alloying PPE with epoxy and triallyl isocyanate, or alloying PPE resin having a polymerizable functional group introduced and other thermosetting resins. Cyanate ester is a resin having the most excellent dielectric properties among thermosetting, but it is rarely used alone, and is used as a modified resin such as epoxy resin, maleimide resin, and thermoplastic resin. Details thereof are described in “Electronic Technology” No. 2002/9, P35. Moreover, what contains an epoxy resin and / or a phenol resin as a thermosetting resin, and contains a phenoxy resin and / or polyether sulfone (PES) as a thermoplastic resin is also used in order to improve a dielectric characteristic.

前記絶縁性樹脂組成物には、架橋を進めるために重合性の二重結合を有する化合物のようなもの、具体的には、アクリレート、メタクリレート化合物を含有していてもよく、特に多官能のものが好ましい。そのほか、重合性の二重結合を有する化合物として、熱硬化性樹脂、若しくは熱可塑性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等に、メタクリル酸、アクリル酸等を用い、樹脂の一部を(メタ)アクリル化反応させた樹脂を用いてもよい。   The insulating resin composition may contain a compound having a polymerizable double bond in order to promote crosslinking, specifically, an acrylate or methacrylate compound, and particularly a polyfunctional one. Is preferred. In addition, as a compound having a polymerizable double bond, methacrylic acid, acrylic acid, or the like is used for a thermosetting resin or a thermoplastic resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyolefin resin, a fluorine resin, or the like. Alternatively, a resin obtained by subjecting a part of the resin to (meth) acrylation reaction may be used.

前記絶縁性樹脂組成物には、樹脂被膜の機械強度、耐熱性、耐候性、難燃性、耐水性、電気特性などの特性を強化するために、樹脂と他の成分とのコンポジット(複合素材)も使用することができる。複合化するのに使用される材料としては、紙、ガラス繊維、シリカ粒子、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂などが挙げられる。   The insulating resin composition includes a composite of a resin and other components (composite material) in order to enhance the mechanical strength, heat resistance, weather resistance, flame resistance, water resistance, electrical characteristics, etc. of the resin coating. ) Can also be used. Examples of the material used for the composite include paper, glass fiber, silica particles, phenol resin, polyimide resin, bismaleimide triazine resin, fluorine resin, polyphenylene oxide resin, and the like.

更に、前記絶縁性樹脂組成物には、必要に応じて一般の配線板用樹脂材料に用いられる充填剤、例えば、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリルポリマーなどの有機フィラーを一種又は二種以上配合してもよい。これらの中でも、充填材としてはシリカを用いることが好ましい。
また、更に、この絶縁性樹脂組成物には、必要に応じて着色剤、難燃剤、接着性付与剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、などの各種添加剤を一種又は二種以上添加してもよい。
Furthermore, the insulating resin composition includes a filler used for a general wiring board resin material as necessary, for example, an inorganic filler such as silica, alumina, clay, talc, aluminum hydroxide, calcium carbonate, and curing. You may mix | blend 1 type, or 2 or more types of organic fillers, such as an epoxy resin, crosslinked benzoguanamine resin, and a crosslinked acrylic polymer. Among these, it is preferable to use silica as the filler.
Furthermore, the insulating resin composition may contain one or two various additives such as a colorant, a flame retardant, an adhesion imparting agent, a silane coupling agent, an antioxidant, and an ultraviolet absorber as necessary. More than seeds may be added.

これらの材料を絶縁性樹脂組成物に添加する場合は、いずれも、樹脂100質量部に対して、1質量部〜200質量部が好ましく、10質量部〜80質量部がより好ましい。前記添加量が、1質量部未満であると、前記の特性を強化する効果がなく、200質量部を超えると、樹脂特有の強度などの特性が低下することがある。   When these materials are added to the insulating resin composition, 1 part by mass to 200 parts by mass is preferable with respect to 100 parts by mass of the resin, and 10 parts by mass to 80 parts by mass are more preferable. When the addition amount is less than 1 part by mass, the above-described properties are not enhanced. When the addition amount exceeds 200 parts by mass, characteristics such as strength specific to the resin may be deteriorated.

このような用途に用いる場合の基板として、具体的には、1GHzにおける誘電率(比誘電率)が3.5以下である絶縁性樹脂からなる基板であるか、又は、該絶縁性樹脂からなる層を基材上に有する基板が好ましい。また、1GHzにおける誘電正接が0.01以下である絶縁性樹脂からなる基板であるか、又は、該絶縁性樹脂からなる層を基材上に有する基板が好ましい。
絶縁性樹脂の誘電率及び誘電正接は、常法により測定することができる。例えば、「第18回エレクトロニクス実装学会学術講演大会要旨集」、2004年、p189、に記載の方法に基づき、空洞共振器摂動法(例えば、極薄シート用εr、tanδ測定器、キーコム株式会社製)を用いて測定することができる。
このように、本発明においては、誘電率及び誘電正接の観点から絶縁樹脂材料を選択することも有用である。誘電率が3.5以下であり、誘電正接が0.01以下の絶縁性樹脂としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネートエステル樹脂、ビス(ビスフェニレン)エタン樹脂などが挙げられ、更にそれらの変性樹脂も含まれる。
Specifically, the substrate used in such applications is a substrate made of an insulating resin having a dielectric constant (relative dielectric constant) at 1 GHz of 3.5 or less, or made of the insulating resin. A substrate having a layer on a substrate is preferred. Moreover, the board | substrate which consists of an insulating resin whose dielectric loss tangent in 1 GHz is 0.01 or less, or the board | substrate which has the layer which consists of this insulating resin on a base material is preferable.
The dielectric constant and dielectric loss tangent of the insulating resin can be measured by a conventional method. For example, the cavity resonator perturbation method (for example, εr, tanδ measuring instrument for ultra-thin sheet, manufactured by Keycom Corporation) based on the method described in “18th Annual Conference of Electronics Packaging Society”, p189, 2004. ).
Thus, in the present invention, it is also useful to select an insulating resin material from the viewpoint of dielectric constant and dielectric loss tangent. Examples of insulating resins having a dielectric constant of 3.5 or less and a dielectric loss tangent of 0.01 or less include liquid crystal polymers, polyimide resins, fluororesins, polyphenylene ether resins, cyanate ester resins, and bis (bisphenylene) ethane resins. Furthermore, those modified resins are also included.

前記基板は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等への用途を考慮すると、表面凹凸は500nm以下が好ましく、100nm以下がより好ましく、50nm以下が更に好ましく、20nm以下が特に好ましい。この基板の表面凹凸(中間層、密着補助層が設けられている場合はその層の表面凹凸)が小さくなるほど、得られた金属パターン材料を配線等に適用した場合に、高周波送電時の電気損失が少なくなり好ましい。   The substrate has a surface irregularity of preferably 500 nm or less, more preferably 100 nm or less, still more preferably 50 nm or less, and particularly preferably 20 nm or less in consideration of applications to semiconductor packages, various electric wiring boards and the like. The smaller the surface irregularity of this substrate (the surface irregularity of the intermediate layer or the adhesion auxiliary layer when it is provided), the smaller the electrical loss during high-frequency power transmission when the obtained metal pattern material is applied to wiring etc. Is preferable.

前記基板が板状物、例えば、樹脂フィルム(プラスチックフィルム)であれば、その両面に露光工程を施し、後述する現像工程を経れば、樹脂フィルムの両面に被めっき層を形成することができる。
このように樹脂フィルム(基板)の両面に被めっき層が形成された場合には、更に、後述する触媒付与工程、及びめっき工程を行うことで、両面に金属膜が形成された金属パターン材料を得ることができる。
If the substrate is a plate-like material, for example, a resin film (plastic film), an exposure process is performed on both surfaces thereof, and a plated layer can be formed on both surfaces of the resin film through a development process described later. .
Thus, when the layer to be plated is formed on both surfaces of the resin film (substrate), a metal pattern material having a metal film formed on both surfaces can be obtained by performing a catalyst application step and a plating step described later. Can be obtained.

−密着補助層−
以下、前記密着補助層について説明する。なお、前記基材が板状物であれば、その両面に密着補助層を形成してもよい。前記密着補助層としては、特定ポリマーが光硬化時に化学結合を生じるものが好ましい。このような化学結合を生じる密着補助層には、光重合開始剤を導入することが好ましい。また、前記密着補助層は作業性の観点から水分散ラテックスを用いて形成されることが好ましい。
-Adhesion auxiliary layer-
Hereinafter, the adhesion auxiliary layer will be described. In addition, if the said base material is a plate-shaped object, you may form a close_contact | adherence auxiliary | assistant layer on both surfaces. As the adhesion auxiliary layer, those in which a specific polymer forms a chemical bond during photocuring are preferable. It is preferable to introduce a photopolymerization initiator into the adhesion auxiliary layer that generates such a chemical bond. Moreover, it is preferable that the said adhesion assistance layer is formed using water-dispersed latex from a workable viewpoint.

前記密着補助層は、基板と被めっき層との密着を確保する中間層であり、この層は基板と被めっき層に親和性があるものでもよく、硬化時に特定ポリマーと反応し、化学結合を形成してもよい。
前記密着補助層としては、基材との密着性が良好な樹脂組成物、及び、露光によりラジカルを発生しうる化合物を用いて形成されることが好ましい。なお、樹脂組成物を構成する樹脂が、ラジカルを発生しうる部位を有する場合には、ラジカルを発生しうる化合物を別途添加する必要はない。
The adhesion auxiliary layer is an intermediate layer that ensures adhesion between the substrate and the layer to be plated. This layer may have an affinity between the substrate and the layer to be plated, and reacts with a specific polymer during curing to cause chemical bonding. You may form.
The adhesion auxiliary layer is preferably formed using a resin composition having good adhesion to the substrate and a compound capable of generating radicals upon exposure. In addition, when the resin which comprises a resin composition has the site | part which can generate a radical, it is not necessary to add the compound which can generate a radical separately.

前記密着補助層としては、例えば、基材が、多層積層板、ビルドアップ基板、若しくはフレキシブル基板の材料として用いられてきた公知の絶縁樹脂からなる場合には、該基材との密着性の観点から、密着補助層を形成する際に用いられる樹脂組成物としても、絶縁樹脂組成物が用いられることが好ましい。
以下、基材が絶縁樹脂からなり、密着補助層が絶縁樹脂組成物から形成される態様について説明する。
As the adhesion auxiliary layer, for example, in the case where the substrate is made of a known insulating resin that has been used as a material for a multilayer laminate, a build-up substrate, or a flexible substrate, the viewpoint of adhesion to the substrate Therefore, it is preferable to use an insulating resin composition as the resin composition used when forming the adhesion auxiliary layer.
Hereinafter, a mode in which the base material is made of an insulating resin and the adhesion auxiliary layer is formed of an insulating resin composition will be described.

前記密着補助層を形成する際に用いられる絶縁樹脂組成物は、基材を構成する電気的絶縁性の樹脂と同じものを含んでいてもよく、異なっていてもよいが、ガラス転移点、弾性率、線膨張係数といった熱物性的が近いものを使用することが好ましい。具体的には、例えば、基材を構成する絶縁樹脂と同じ種類の絶縁樹脂を使用することが密着の点で好ましい。また、これ以外の成分として、前記密着補助層の強度を高める、また、電気特性を改良するために、無機若しくは有機の粒子を添加してもよい。   The insulating resin composition used when forming the adhesion auxiliary layer may contain the same or different electrically insulating resin that constitutes the base material, but may have a glass transition point, elasticity It is preferable to use materials having similar thermophysical properties such as rate and linear expansion coefficient. Specifically, for example, it is preferable in terms of adhesion to use the same type of insulating resin as that constituting the base material. Further, as other components, inorganic or organic particles may be added in order to increase the strength of the adhesion auxiliary layer and to improve electrical characteristics.

なお、本発明において、前記密着補助層に使用される絶縁樹脂とは、公知の絶縁膜に使用しうる程度の絶縁性を有する樹脂を意味するものであり、完全な絶縁体でないものであっても、目的に応じた絶縁性を有する樹脂であれば、本発明に適用しうる。
前記絶縁樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよい。前記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂などが挙げられる。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ABS樹脂などが挙げられる。
前記熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
In the present invention, the insulating resin used for the adhesion auxiliary layer means a resin having an insulating property that can be used for a known insulating film, and is not a perfect insulator. In addition, any resin having insulating properties according to the purpose can be applied to the present invention.
Specific examples of the insulating resin may be a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a mixture thereof. Examples of the thermosetting resin include epoxy resins, phenol resins, polyimide resins, polyester resins, bismaleimide resins, polyolefin resins, and isocyanate resins. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and ABS resin.
The thermoplastic resin and the thermosetting resin may be used alone or in combination of two or more.

また、前記密着補助層に用いられる絶縁樹脂としては、めっき触媒受容性の感光性樹脂組成物と相互作用を形成し得る活性点を発生させる骨格を有する樹脂を用いることもできる。例えば、特開2005−307140号公報の段落番号〔0018〕〜〔0078〕に記載の重合開始部位を骨格中に有するポリイミドが用いられる。   In addition, as the insulating resin used for the adhesion auxiliary layer, a resin having a skeleton that generates active sites capable of forming an interaction with the plating catalyst-receptive photosensitive resin composition can also be used. For example, a polyimide having a polymerization initiation site described in paragraphs [0018] to [0078] of JP-A-2005-307140 in the skeleton is used.

前記密着補助層の形成には、ポリマーラテックスを使用してもよい。前記ポリマーラテックスとは、水に不溶なポリマーの微粒子が水に分散したものである。詳細には、例えば「高分子ラテックスの化学」室井宗一著、高分子刊行会発行、昭和48年)に記載されている。
前記ポリマーラテックスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア/ウレタン、SBR(スチレン−ブタジエン系)、MBR(MMA/ブタジエン、アクリル/ブタジエン)、NBR(アクリロニトリル/ブタジエン)、NR(天然ゴム)、アクリルゴム、BR(ブタジエンゴム)、CR(クロロプレンゴム)、IR(イソプレンゴム)、VP(SBR/ジビニルピリジン)、EPDM(エチレンプロピレンジエンゴム)又はこれらの共重合体からなるポリマーラテックスなどが挙げられる。特に、シアノ基を含むポリマーラテックスが好ましく、具体的には、Nipol 1561(日本ゼオン株式会社製)、Nipol 1562(日本ゼオン株式会社製)、Nipol 1577K(日本ゼオン株式会社製)、LX 531(日本ゼオン株式会社製)、LX 531B(日本ゼオン株式会社製)、Nipol SX1503A(日本ゼオン株式会社製)、NK−300(日本エイアンドエル株式会社製)などが挙げられる。
また、前記ポリマーラテックスには、種類の異なるポリマーラテックスを併用することもできる。併用できるポリマーラテックスとしては、例えば、SBRとNR、IRとNR、CRとNR、NBRでニトリル量が異なるもの、SBRでスチレン量が異なるもの、SBRとVP、NBRとMBR、SBRとNBR、SBRとMBR、BRとCR、NBRとVP、CRとVPなどが挙げられる。
前記密着補助層をポリマーラテックスにより形成する場合には、ポリマーラテックス分散液を塗布し、乾燥すればよい。
A polymer latex may be used for forming the adhesion auxiliary layer. The polymer latex is a dispersion of water-insoluble polymer fine particles in water. Details are described, for example, in “Polymer Latex Chemistry” by Soichi Muroi, published by Kobunshi Shuppankai, 1973.
The polymer latex is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include polyester, polyurethane, polyurea / urethane, SBR (styrene-butadiene), MBR (MMA / butadiene, acrylic / butadiene). , NBR (acrylonitrile / butadiene), NR (natural rubber), acrylic rubber, BR (butadiene rubber), CR (chloroprene rubber), IR (isoprene rubber), VP (SBR / divinylpyridine), EPDM (ethylene propylene diene rubber) Or the polymer latex which consists of these copolymers, etc. are mentioned. In particular, a polymer latex containing a cyano group is preferable. Specifically, Nipol 1561 (manufactured by ZEON Corporation), Nipol 1562 (manufactured by ZEON Corporation), Nipol 1577K (manufactured by ZEON Corporation), LX 531 (Japan) Zeon Corporation), LX 531B (Nippon Zeon Corporation), Nipol SX1503A (Nippon Zeon Corporation), NK-300 (Nippon A & L Co., Ltd.) and the like.
In addition, different types of polymer latex can be used in combination with the polymer latex. Examples of polymer latexes that can be used in combination include SBR and NR, IR and NR, CR and NR, NBR with different nitrile amounts, SBR with different styrene amounts, SBR and VP, NBR and MBR, SBR and NBR, and SBR. And MBR, BR and CR, NBR and VP, CR and VP, and the like.
When the adhesion auxiliary layer is formed of polymer latex, a polymer latex dispersion may be applied and dried.

前記密着補助層は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、目的に応じて、種々の化合物を添加することができる。具体的には、例えば、加熱時に応力を緩和させることができる、ゴム、SBRラテックスのような物質、膜性改良のためのバインダー、可塑剤、界面活性剤、粘度調整剤などが挙げられる。   As long as the effect of the present invention is not impaired, various compounds can be added to the adhesion auxiliary layer depending on the purpose. Specific examples include materials such as rubber and SBR latex that can relieve stress during heating, binders for improving film properties, plasticizers, surfactants, viscosity modifiers, and the like.

また、前記密着補助層には、樹脂被膜の機械強度、耐熱性、耐候性、難燃性、耐水性、電気特性などの特性を強化するために、樹脂と他の成分とのコンポジット(複合素材)も使用することができる。複合化するのに使用される材料としては、例えば、紙、ガラス繊維、シリカ粒子、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂などが挙げられる。   In addition, the adhesion auxiliary layer includes a composite of a resin and other components (composite material) in order to enhance the mechanical strength, heat resistance, weather resistance, flame resistance, water resistance, electrical properties, etc. of the resin coating. ) Can also be used. Examples of the material used for the composite include paper, glass fiber, silica particles, phenol resin, polyimide resin, bismaleimide triazine resin, fluorine resin, and polyphenylene oxide resin.

更に、前記密着補助層には、必要に応じて、一般の配線板用樹脂材料に用いられる充填剤、例えば、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリルポリマーなどの有機フィラーを一種又は二種以上配合してもよい。   Furthermore, for the adhesion auxiliary layer, if necessary, a filler used for a general resin material for a wiring board, for example, an inorganic filler such as silica, alumina, clay, talc, aluminum hydroxide, calcium carbonate, cured epoxy, etc. You may mix | blend 1 type, or 2 or more types of organic fillers, such as resin, crosslinked benzoguanamine resin, and a crosslinked acrylic polymer.

また、更に前記密着補助層には、必要に応じて、着色剤、難燃剤、接着性付与剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの各種添加剤を、一種又は二種以上添加してもよい。   Further, the adhesion auxiliary layer may contain one or more various additives such as a colorant, a flame retardant, an adhesiveness imparting agent, a silane coupling agent, an antioxidant, and an ultraviolet absorber as necessary. It may be added.

これらの材料を添加する場合は、いずれも、主成分となる樹脂に対して、0質量%〜200質量%の範囲で添加されることが好ましく、より好ましくは0質量%〜80質量%の範囲で添加される。前記密着補助層と隣接する基材とが、熱及び電気に対して同じ若しくは近い物性値を示す場合には、これら添加物は必ずしも添加する必要はない。添加物を、樹脂に対して200質量%を超える範囲で用いる場合には、樹脂自体が本来有する強度などの特性が低下する懸念がある。   When these materials are added, it is preferable to add them in the range of 0% by mass to 200% by mass, and more preferably in the range of 0% by mass to 80% by mass with respect to the resin as the main component. Is added. When the adhesion auxiliary layer and the adjacent base material exhibit the same or close physical property values to heat and electricity, it is not always necessary to add these additives. When the additive is used in a range exceeding 200% by mass with respect to the resin, there is a concern that characteristics such as strength inherent in the resin itself are deteriorated.

前記密着補助層には、前述のように、樹脂組成物と露光によりラジカルを発生しうる化合物が用いられることが好ましい。
ここで、露光によりラジカルを発生しうる化合物としては、従来公知の光重合開始剤が用いられる。
前記光重合開始剤としては、例えば、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェノン、2,2’−ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン等のアセトフェノン類;ベンゾフェノン(4,4’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、2−クロロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−エチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン等のケトン類;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル類;ベンジルジメチルケタール、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のベンジルケタール類;トリフェニルスルホニウムクロライド、トリフェニルスルホニウムペンタフルオロフォスフェート等のスルホニウム塩;ジフェニルヨードニウムクロライド、ジフェニルヨードニウムサルフェート等のヨードニウム塩などが挙げられる。
As described above, it is preferable to use a resin composition and a compound capable of generating radicals upon exposure as the adhesion auxiliary layer.
Here, conventionally known photopolymerization initiators are used as compounds capable of generating radicals upon exposure.
Examples of the photopolymerization initiator include acetophenones such as p-tert-butyltrichloroacetophenone, 2,2′-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one; benzophenone ( Ketones such as 4,4′-bisdimethylaminobenzophenone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone; benzoins such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether Ethers; benzyl ketals such as benzyldimethyl ketal and hydroxycyclohexyl phenyl ketone; triphenylsulfonium chloride, triphenylsulfonium pentafluorophore Sulfonium salts such as Feto; diphenyliodonium chloride, etc. iodonium salts such as diphenyl iodonium sulfate and the like.

前記密着補助層に含有させる光重合開始剤(露光によりラジカルを発生しうる化合物)の量は、固形分で0.1質量%〜50質量%が好ましく、1.0質量%〜30質量%がより好ましい。   The amount of the photopolymerization initiator (compound capable of generating radicals upon exposure) to be contained in the adhesion auxiliary layer is preferably 0.1% by mass to 50% by mass, and 1.0% by mass to 30% by mass in terms of solid content. More preferred.

前記密着補助層の厚みは、0.1μm〜10μmが好ましく、0.2μm〜5μmがより好ましい。前記密着補助層を設ける場合、厚みが前記一般的な範囲であれば、隣接する基材、被めっき層との十分な密着強度が得られ、また、一般の接着剤を用いるのに比較して薄層でありながら、その接着剤による層と同様の密着性が達成される。   The thickness of the adhesion auxiliary layer is preferably 0.1 μm to 10 μm, and more preferably 0.2 μm to 5 μm. When providing the adhesion auxiliary layer, if the thickness is in the general range, sufficient adhesion strength between the adjacent substrate and the layer to be plated can be obtained, and compared to using a general adhesive. Although it is a thin layer, the same adhesion as that of the adhesive layer is achieved.

また、前記密着補助層の表面は、形成されるめっき金属膜の物性を向上させる観点から、JIS B 0601(1994年)、10点平均高さ法で測定した表面粗さRzは3μm以下が好ましく、Rzが1μm以下がより好ましい。密着補助層の表面平滑性が前記値の範囲内、即ち、平滑性が高い状態であれば、回路が極めて微細な(例えば、ライン/スペースの値が25/25μm以下の回路パターン)プリント配線板を製造する際に、好適に用いられる。   The surface of the adhesion auxiliary layer is preferably 3 μm or less in surface roughness Rz measured by JIS B 0601 (1994), 10-point average height method, from the viewpoint of improving the physical properties of the formed plated metal film. Rz is more preferably 1 μm or less. If the surface smoothness of the adhesion auxiliary layer is within the above value range, that is, if the smoothness is high, the circuit is extremely fine (for example, a circuit pattern having a line / space value of 25/25 μm or less). It is used suitably when manufacturing.

前記密着補助層は基材表面に、塗布法、転写法、印刷法などの公知の層形成方法を適用して形成される。
前記密着補助層は、所望により、印刷法(例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、インプリント法など)、現像法(例えば、湿式エッチング、乾式エッチング、アブレーション、光による硬化・可塑化(ネガ型/ポジ型)など)などでパターン化されてもよい。
The adhesion auxiliary layer is formed on the substrate surface by applying a known layer forming method such as a coating method, a transfer method, or a printing method.
The adhesion auxiliary layer may be formed by a printing method (for example, a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an ink jet printing method, an imprinting method, etc.) or a developing method (for example, wet etching, dry etching, ablation, light). It may be patterned by curing / plasticizing (negative type / positive type) or the like.

また、前記密着補助層は基材上に形成された後、何らかのエネルギーを与えて硬化処理を行ってもよい。与えるエネルギーとしては、光、熱、圧力、電子線などが挙げられるが、熱又は光が一般的であり、熱の場合は、100℃〜300℃の熱を5分間〜120分間加えることが好ましい。また、加熱硬化の条件は、基材の材料の種類、密着補助層を構成する樹脂組成物の種類等で異なり、これらの素材の硬化温度にもよるが、120℃〜220℃で20分間〜120分間の範囲で選択されることが好ましい。   Moreover, after the said adhesion assistance layer is formed on a base material, you may give a certain energy and may perform a hardening process. Examples of the energy to be applied include light, heat, pressure, electron beam, etc., and heat or light is common. In the case of heat, it is preferable to add heat at 100 ° C. to 300 ° C. for 5 minutes to 120 minutes. . In addition, the conditions for heat curing differ depending on the type of the material of the base material, the type of the resin composition constituting the adhesion auxiliary layer, and the like, and depending on the curing temperature of these materials, 120 ° C to 220 ° C for 20 minutes to It is preferably selected in the range of 120 minutes.

この硬化処理は密着補助層の形成後すぐに行ってもよく、密着補助層形成後に5分間〜10分間程度の予備硬化処理を行っておけば、密着補助層形成後に行われる他のすべてのそれぞれの工程を行ったあとに実施してもよい。   This curing treatment may be performed immediately after the formation of the adhesion assisting layer, and if the preliminary curing treatment is performed for about 5 minutes to 10 minutes after the formation of the adhesion assisting layer, all other operations performed after the formation of the adhesion assisting layer are performed. You may implement after performing the process of.

前記密着補助層の形成後、その表面に形成される被めっき層に対する密着性向上の目的で、乾式及び/又は湿式法により表面を粗化してもよい。乾式粗化法としては、例えば、バフ、サンドブラスト等の機械的研磨、プラズマエッチングなどが挙げられる。一方、湿式粗化法としては、過マンガン酸塩、重クロム酸塩、オゾン、過酸化水素/硫酸、硝酸等の酸化剤、強塩基、樹脂膨潤溶剤を用いる方法等の化学薬品処理が挙げられる。   After the formation of the adhesion auxiliary layer, the surface may be roughened by a dry method and / or a wet method for the purpose of improving the adhesion to the layer to be plated formed on the surface. Examples of the dry roughening method include mechanical polishing such as buffing and sandblasting, plasma etching, and the like. On the other hand, the wet roughening method includes chemical treatment such as a method using an oxidizing agent such as permanganate, dichromate, ozone, hydrogen peroxide / sulfuric acid, nitric acid, a strong base, or a resin swelling solvent. .

前記露光工程では、前記特定めっき形成用光感応材料に対し、エネルギー付与を行う。前記エネルギー付与は、上述したとおり、特定のめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光を行う。   In the exposure step, energy is imparted to the photosensitive material for forming the specific plating. As described above, when the specific photosensitive material for plating formation is exposed at a pitch of less than 6 μm, the energy application is less than 100% with respect to the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure, and [(pitch (μm ) × 75/6 + 25) −30]% to [(Pitch (μm) × 75/6 + 25) +15]%.

前記エネルギー付与が行われると、その領域でのみ特定ポリマーの硬化反応が生起する。その結果、基板上では、前記めっき形成用光感応材料のエネルギー付与領域のみが硬化する。   When the energy is applied, the curing reaction of the specific polymer occurs only in that region. As a result, only the energy application region of the photosensitive material for plating formation is cured on the substrate.

前記露光は、オートフォーカス記録することが好ましい。その時、被露光層の反射率は5%以上が好ましく、10%以上がより好ましく、15%以上が更に好ましい。
この条件により、全面にわたって均一な幅及び形状のパターンを形成することができる。その結果、回路設計上の余裕度が増し、自由度の高い設計が可能となる。
The exposure is preferably autofocus recording. At that time, the reflectance of the exposed layer is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and still more preferably 15% or more.
Under this condition, a pattern having a uniform width and shape can be formed over the entire surface. As a result, a margin in circuit design is increased, and a design with a high degree of freedom is possible.

−レーザ光の種類−
前記レーザ光の種類としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、液体レーザ、ガスレーザ、固体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザなどが挙げられる。これらの中でも、装置に組み込むためには、小型で液体、冷却が不要なものがよく、半導体レーザ、固体レーザが好ましく、自己変調ができる点で半導体レーザが特に好ましい。
-Types of laser light-
There is no restriction | limiting in particular as a kind of said laser beam, According to the objective, it can select suitably, For example, a liquid laser, a gas laser, a solid state laser, a semiconductor laser, a free electron laser etc. are mentioned. Among these, in order to be incorporated in the apparatus, a small one that does not require liquid and cooling is preferable, a semiconductor laser and a solid-state laser are preferable, and a semiconductor laser is particularly preferable in that self-modulation is possible.

−レーザの線速−
本発明においては、低パワーで露光できるため、線速を高め、生産性を上げることができる。前記線速の下限値は、0.1m/s以上が好ましく、0.3m/s以上がより好ましく、0.5m/s以上が更に好ましい。
前記線速の上限値は、40m/s以下が好ましく、30m/s以下がより好ましく、20m/s以下が更に好ましい。
前記線速が、低すぎると、安定したサーボ、線幅が得られないことがあり、高すぎると、サーボはずれがおきたり、線幅が細くなったり、書けなくなったりすることがある。
-Laser linear velocity-
In the present invention, since exposure can be performed with low power, the linear velocity can be increased and the productivity can be increased. The lower limit of the linear velocity is preferably 0.1 m / s or more, more preferably 0.3 m / s or more, and still more preferably 0.5 m / s or more.
The upper limit of the linear velocity is preferably 40 m / s or less, more preferably 30 m / s or less, and still more preferably 20 m / s or less.
If the line speed is too low, stable servo and line width may not be obtained. If the line speed is too high, the servo may deviate, the line width may become thin, or writing may not be possible.

−サーボゲイン−
サーボゲイン(基準を50とする)の上限値は、80以下が好ましく、70以下がより好ましく、60以下が更に好ましい。
サーボゲインの下限値は、10以上が好ましく、15以上がより好ましく、20以上が更に好ましい。
前記サーボゲインが、高すぎると、発振して、サーボがはずれることがあり、低すぎると、サーボがかからないことがある。
-Servo gain-
The upper limit of the servo gain (reference 50) is preferably 80 or less, more preferably 70 or less, and still more preferably 60 or less.
The lower limit value of the servo gain is preferably 10 or more, more preferably 15 or more, and still more preferably 20 or more.
If the servo gain is too high, the servo may oscillate and the servo may come off. If the servo gain is too low, the servo may not be applied.

−サーボオフセット−
サーボオフセット(基準を50とする)の上限値は、100以下が好ましく、90以下がより好ましく、80以下が更に好ましい。
サーボオフセットの下限値は、10以上が好ましく、20以上がより好ましく、30以上が更に好ましい。
-Servo offset-
The upper limit of the servo offset (reference 50) is preferably 100 or less, more preferably 90 or less, and still more preferably 80 or less.
The lower limit value of the servo offset is preferably 10 or more, more preferably 20 or more, and still more preferably 30 or more.

−レーザ波長−
レーザ波長の上限値は、1,600nm以下が好ましく、1,100nmがより好ましく、900nm以下が更に好ましく、700nm以下が特に好ましい。
レーザ波長の下限値は、150nm以上が好ましく、200nm以上がより好ましく、250nm以上が更に好ましく、300nm以上が特に好ましい。
前記レーザ波長の好ましい範囲としては、150nm〜1,600nmがより好ましい。
-Laser wavelength-
The upper limit of the laser wavelength is preferably 1,600 nm or less, more preferably 1,100 nm, still more preferably 900 nm or less, and particularly preferably 700 nm or less.
The lower limit of the laser wavelength is preferably 150 nm or more, more preferably 200 nm or more, still more preferably 250 nm or more, and particularly preferably 300 nm or more.
A preferable range of the laser wavelength is more preferably 150 nm to 1,600 nm.

−開口数(NA)−
対物レンズの開口数(NA)は、上限値が、1.4以下が好ましく、0.98以下がより好ましく、0.9以下が更に好ましい。
開口数(NA)の下限値は、0.2以上が好ましく、0.4以上がより好ましく、0.5以上が更に好ましい。
前記開口数(NA)が、高すぎると、焦点深度が少なすぎ、サーボがはずれやすくなることがあり、低すぎると、スポットが大きくなり、細線がきれないことがある。
-Numerical aperture (NA)-
The upper limit of the numerical aperture (NA) of the objective lens is preferably 1.4 or less, more preferably 0.98 or less, and even more preferably 0.9 or less.
The lower limit of the numerical aperture (NA) is preferably 0.2 or more, more preferably 0.4 or more, and still more preferably 0.5 or more.
If the numerical aperture (NA) is too high, the depth of focus may be too small, and the servo may be easily released. If it is too low, the spot may become large and fine lines may not be cut.

−レーザーパワー−
レーザーパワーは、上限値が、200mW以下が好ましく、100mW以下がより好ましく、50mW以下が更に好ましい。
下限値は、0.5mW以上が好ましく、1mW以上がより好ましく、2mW以上が更に好ましい。
前記レーザーパワーが、高すぎると、材料が加熱変形することがあり、低すぎると、線速遅くなり、生産性が上がらないことがある。
-Laser power-
The upper limit of the laser power is preferably 200 mW or less, more preferably 100 mW or less, and even more preferably 50 mW or less.
The lower limit is preferably 0.5 mW or more, more preferably 1 mW or more, and still more preferably 2 mW or more.
If the laser power is too high, the material may be deformed by heating, and if it is too low, the linear velocity may be slow and productivity may not increase.

−レーザの発振形態−
前記レーザ光は、連続発振でもパルス発振でもよいが、連続発振の場合、半導体レーザが発光オンオフを変調できるので好ましい。パルス発振の場合は、出力が高められる固体レーザが好ましい。パルス発振は、その発光時間が1nsec以下になると、熱伝導で穴が広がる影響が低減できるので好ましい。
-Laser oscillation mode-
The laser beam may be continuous oscillation or pulse oscillation. However, continuous oscillation is preferable because the semiconductor laser can modulate light emission on / off. In the case of pulse oscillation, a solid laser capable of increasing the output is preferable. The pulse oscillation is preferable when the light emission time is 1 nsec or less because the effect of expanding the hole due to heat conduction can be reduced.

−レーザ個数−
レーザは単独で用いるのが基本である。しかし、複数のレーザを合波させ、パワーを増しても構わない。また、異なる波長のレーザを組み合わせてもよい。複数レーザの場合、片方はフォーカスなどのサーボに用い、もう片方は加工に用いるといったことも可能である。
-Number of lasers-
The laser is basically used alone. However, the power may be increased by combining a plurality of lasers. Further, lasers having different wavelengths may be combined. In the case of a plurality of lasers, one can be used for servo such as focus, and the other can be used for processing.

−レーザのパターン−
レーザ加工により形成することができるパターン(形状)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば線状、点状、面状など様々なパターンが形成できる。
-Laser pattern-
There is no restriction | limiting in particular as a pattern (shape) which can be formed by laser processing, According to the objective, it can select suitably, For example, various patterns, such as a linear form, a dot form, and planar form, can be formed.

<現像工程>
前記現像工程は、前記特定のめっき形成用光感応材料の未硬化部を現像し、パターン状の特定のめっき形成用光感応材料を形成する工程である。
<Development process>
The developing step is a step of developing an uncured portion of the specific plating-forming photosensitive material to form a specific plating-forming photosensitive material.

前記現像工程で用いられる水溶液としては、酸性水溶液、中性水溶液、アルカリ性水溶液などが挙げられる。
前記酸性水溶液としては、例えば、塩酸水溶液、硫酸水溶液、硝酸水溶液が用いられる。
前記中性水溶液としては、水に界面活性剤を溶解させたものが用いられアニオン性、ノニオン系、カチオン系の界面活性剤を使用することができる。
これらの中でも、アルカリ水溶液が好ましく、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素カルシウムの水溶液が用いられる。
これらの水溶液の濃度は0.01質量%〜10質量%が好ましい。濃度はイオン性極性性基のpKa、所望とする現像時間により決められる。
Examples of the aqueous solution used in the development step include an acidic aqueous solution, a neutral aqueous solution, and an alkaline aqueous solution.
As said acidic aqueous solution, hydrochloric acid aqueous solution, sulfuric acid aqueous solution, nitric acid aqueous solution is used, for example.
As the neutral aqueous solution, a solution obtained by dissolving a surfactant in water is used, and an anionic, nonionic or cationic surfactant can be used.
Among these, an alkaline aqueous solution is preferable, specifically, sodium hydroxide, potassium hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, magnesium carbonate, calcium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, An aqueous solution of magnesium hydrogen carbonate or calcium hydrogen carbonate is used.
The concentration of these aqueous solutions is preferably 0.01% by mass to 10% by mass. The concentration is determined by the pKa of the ionic polar group and the desired development time.

また、現像方法としては、シャワー洗浄、浸漬法などが使用できる。また、現像液を攪拌して、そこへ露光後のめっき形成用光感応材料を浸漬して現像することもできる。
現像条件としては、現像温度は室温〜50℃が好ましく、現像時間は5秒間〜10分間が好ましい。
Moreover, as a developing method, shower washing, a dipping method, etc. can be used. It is also possible to stir the developer and immerse and develop the photosensitive material for plating formation after exposure therein.
As development conditions, the development temperature is preferably from room temperature to 50 ° C., and the development time is preferably from 5 seconds to 10 minutes.

前記現像により、基板上には、パターン状の被めっき層が形成される。
得られた被めっき層は、めっき触媒又はその前駆体との充分な相互作用形成性の観点から、前記被めっき層の厚みは、0.2μm〜1.5μmが好ましく、0.3μm〜1.5μmがより好ましく、0.6μm〜1.2μmが特に好ましい。
By the development, a patterned layer to be plated is formed on the substrate.
From the viewpoint of sufficient interaction formation with the plating catalyst or its precursor, the obtained layer to be plated preferably has a thickness of 0.2 to 1.5 μm, preferably 0.3 to 1 μm. 5 μm is more preferable, and 0.6 μm to 1.2 μm is particularly preferable.

<触媒付与工程>
前記触媒付与工程は、該パターン状の被めっき層が形成されためっき形成用光感応材料にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程である。
<Catalyst application step>
The catalyst application step is a step of applying a plating catalyst or a precursor thereof to the light-sensitive material for plating formation on which the patterned layer to be plated is formed.

前記触媒付与工程においては、被めっき層を構成する特定ポリマーが有する相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒又はその前駆体を付着(吸着)する。
ここで、前記めっき触媒又はその前駆体としては、後述するめっき工程における、めっきの触媒、電極として機能するものが挙げられる。そのため、めっき触媒又はその前駆体は、めっき工程におけるめっきの種類により決定される。
前記触媒付与工程において用いられるめっき触媒又はその前駆体は、無電解めっき触媒又はその前駆体が好ましい。
In the catalyst application step, the interactive group possessed by the specific polymer constituting the layer to be plated adheres (adsorbs) the applied plating catalyst or its precursor depending on its function.
Here, examples of the plating catalyst or a precursor thereof include those that function as a plating catalyst and an electrode in a plating step described later. Therefore, a plating catalyst or its precursor is determined by the kind of plating in a plating process.
The plating catalyst or its precursor used in the catalyst application step is preferably an electroless plating catalyst or its precursor.

−無電解めっき触媒−
前記無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、ものであり、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属(Niよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの)などが挙げられ、更に具体的には、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられる。中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数、触媒能の高さから、Ag、Pdが特に好ましい。
この無電解めっき触媒は、金属コロイドとして用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤又は保護剤により調節することができる。
-Electroless plating catalyst-
Any electroless plating catalyst can be used as long as it becomes an active nucleus at the time of electroless plating. Specifically, the electroless plating catalyst is a metal (Ni And the like, and more specifically, Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, Co, and the like. Among them, those capable of multidentate coordination are preferable, and Ag and Pd are particularly preferable in view of the number of types of functional groups capable of coordination and high catalytic ability.
This electroless plating catalyst may be used as a metal colloid. In general, a metal colloid can be prepared by reducing metal ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent. The charge of the metal colloid can be adjusted by the surfactant or protective agent used here.

−無電解めっき触媒前駆体−
前記触媒付与工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、前記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である0価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、被めっき層へ付与した後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属(無電解めっき触媒)に変化させてもよい。
-Electroless plating catalyst precursor-
The electroless plating catalyst precursor used in the catalyst application step can be used without particular limitation as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction. Mainly, metal ions of the metals mentioned as the electroless plating catalyst are used. The metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. The metal ion, which is an electroless plating catalyst precursor, may be used as an electroless plating catalyst after being applied to the layer to be plated and before being immersed in the electroless plating bath, by separately changing to a zero-valent metal by a reduction reaction. The electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.

実際には、無電解めっき前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層上に付与する。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基(陰イオン)とに解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO、MCln、2/n(SO)、M3/n(PO)(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、前記金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Agイオン、Cuイオン、Alイオン、Niイオン、Coイオン、Feイオン、Pdイオンが挙げられる。これらの中でも、多座配位可能なものが好ましく、配位可能な官能基の種類数、及び触媒能の点で、Agイオン、Pdイオンが特に好ましい。 Actually, the metal ion which is the electroless plating precursor is applied onto the layer to be plated using a metal salt. The metal salt to be used is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion), and M (NO 3 ) n , MCl n, M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) (M represents an n-valent metal atom), and the like. As a metal ion, the thing which the said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include Ag ions, Cu ions, Al ions, Ni ions, Co ions, Fe ions, and Pd ions. Among these, those capable of multidentate coordination are preferable, and Ag ions and Pd ions are particularly preferable in terms of the number of types of functional groups capable of coordination and catalytic ability.

前記無電解めっき触媒又はその前駆体の好ましい例の一つとして、パラジウム化合物が挙げられる。このパラジウム化合物は、めっき処理時に活性核となり金属を析出させる役割を果たす、めっき触媒(パラジウム)又はその前駆体(パラジウムイオン)として作用する。パラジウム化合物としては、パラジウムを含み、めっき処理の際に核として作用すれば、特に限定されないが、例えば、パラジウム(II)塩、パラジウム(0)錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。   One preferred example of the electroless plating catalyst or a precursor thereof is a palladium compound. This palladium compound acts as a plating catalyst (palladium) or a precursor thereof (palladium ions), which acts as an active nucleus during the plating treatment and plays a role of depositing metal. The palladium compound is not particularly limited as long as it contains palladium and acts as a nucleus in the plating process, and examples thereof include a palladium (II) salt, a palladium (0) complex, and a palladium colloid.

前記パラジウム塩としては、例えば、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、臭化パラジウム、炭酸パラジウム、硫酸パラジウム、ビス(ベンゾニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(アセトニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ビス(エチレンジアミン)パラジウム(II)塩化物などが挙げられる。これらの中でも、取り扱いやすさと溶解性の点で、硝酸パラジウム、酢酸パラジウム、硫酸パラジウム、ビス(アセトニトリル)ジクロロパラジウム(II)が特に好ましい。
前記パラジウム錯体としては、例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体、トリス(ベンジリデンアセトン)ジパラジウム錯体などが挙げられる。
前記パラジウムコロイドは、パラジウム(0)から構成される粒子で、その大きさは特に制限されないが、液中での安定性の観点から、5nm〜300nmが好ましく、10nm〜100nmがより好ましい。前記パラジウムコロイドは、必要に応じて、他の金属を含んでいてもよく、他の金属としては、例えば、スズなどが挙げられる。前記パラジウムコロイドとしては、例えば、スズ−パラジウムコロイドなどが挙げられる。なお、パラジウムコロイドは、公知の方法で合成してもよいし、市販品を使用してもよい。例えば、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、パラジウムイオンを還元することによりパラジウムコロイドを作製することができる。
Examples of the palladium salt include palladium acetate, palladium chloride, palladium nitrate, palladium bromide, palladium carbonate, palladium sulfate, bis (benzonitrile) dichloropalladium (II), bis (acetonitrile) dichloropalladium (II), bis ( Ethylenediamine) palladium (II) chloride and the like. Among these, palladium nitrate, palladium acetate, palladium sulfate, and bis (acetonitrile) dichloropalladium (II) are particularly preferable from the viewpoint of ease of handling and solubility.
Examples of the palladium complex include a tetrakistriphenylphosphine palladium complex and a tris (benzylideneacetone) dipalladium complex.
The palladium colloid is particles composed of palladium (0), and the size thereof is not particularly limited, but is preferably 5 nm to 300 nm, more preferably 10 nm to 100 nm, from the viewpoint of stability in the liquid. The palladium colloid may contain other metals as necessary, and examples of the other metals include tin. Examples of the palladium colloid include tin-palladium colloid. The palladium colloid may be synthesized by a known method or a commercially available product may be used. For example, a palladium colloid can be prepared by reducing palladium ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent.

前記無電解めっき触媒又はその前駆体としては、選択的に被めっき層に吸着させることができるといった観点から、銀、及び銀イオンが好ましい別の例として挙げられる。
前記めっき触媒前駆体として銀イオンを用いる場合、以下に示すような銀化合物が解離したものを好適に用いることができる。銀化合物の具体例としては、例えば、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、炭酸銀、シアン化銀、チオシアン酸銀、塩化銀、臭化銀、クロム酸銀、クロラニル酸銀、サリチル酸銀、ジエチルジチオカルバミン酸銀、ジエチルジチオカルバミド酸銀、p−トルエンスルホン酸銀などが挙げられる。これらの中でも、水溶性の観点から硝酸銀が特に好ましい。
Examples of the electroless plating catalyst or a precursor thereof include silver and silver ions, which are preferable from the viewpoint that they can be selectively adsorbed on the plating layer.
When silver ions are used as the plating catalyst precursor, those obtained by dissociating silver compounds as shown below can be suitably used. Specific examples of the silver compound include, for example, silver nitrate, silver acetate, silver sulfate, silver carbonate, silver cyanide, silver thiocyanate, silver chloride, silver bromide, silver chromate, silver chloranilate, silver salicylate, diethyldithiocarbamic acid. Examples thereof include silver, silver diethyldithiocarbamate, and silver p-toluenesulfonate. Among these, silver nitrate is particularly preferable from the viewpoint of water solubility.

無電解めっき触媒である金属、或いは、無電解めっき前駆体である金属塩を被めっき層に付与する方法としては、金属を適当な分散媒に分散した分散液、或いは、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その分散液又は溶液を被めっき層上に塗布するか、或いは、その分散液又は溶液中に被めっき層が形成された基板を浸漬すればよい。   As a method of applying a metal that is an electroless plating catalyst or a metal salt that is an electroless plating precursor to a layer to be plated, a dispersion in which the metal is dispersed in an appropriate dispersion medium, or a metal salt that is an appropriate solvent. Prepare a solution containing dissolved and dissociated metal ions and apply the dispersion or solution on the layer to be plated, or immerse the substrate on which the layer to be plated is formed in the dispersion or solution. That's fine.

また、前記露光工程において、基板上に、前記被めっき層形成用組成物を接触させるが、この組成物中に、無電解めっき触媒又はその前駆体を添加する方法を用いてもよい。つまり、特定ポリマーと、無電解めっき触媒又はその前駆体と、を含有する組成物(本発明の被めっき層形成用組成物)を、基板上に接触させて、パターン状に露光及び現像を行うことにより、めっき触媒又はその前駆体を含有する被めっきパターン(パターン状の被めっき層)を形成することができる。なお、この方法を用いれば、エッチング工程を施しことなく金属パターンを形成することができる。   Moreover, in the said exposure process, although the said composition for to-be-plated layer formation is made to contact on a board | substrate, you may use the method of adding an electroless-plating catalyst or its precursor in this composition. That is, a composition containing a specific polymer and an electroless plating catalyst or a precursor thereof (a composition for forming a layer to be plated of the present invention) is brought into contact with the substrate, and exposure and development are performed in a pattern. By this, the to-be-plated pattern (patterned to-be-plated layer) containing a plating catalyst or its precursor can be formed. In addition, if this method is used, a metal pattern can be formed without performing an etching process.

なお、基板として樹脂フィルムを用い、該樹脂フィルムの両面に対して被めっき層が形成されている場合には、その両面の被めっき層に対して同時に無電解めっき触媒又はその前駆体を接触させるために、前記の浸漬法を用いることが好ましい。   When a resin film is used as the substrate and the plated layers are formed on both sides of the resin film, the electroless plating catalyst or its precursor is simultaneously brought into contact with the plated layers on both sides. Therefore, it is preferable to use the above immersion method.

前記無電解めっき触媒又はその前駆体を接触させることで、被めっき層中の相互作用性基に、ファンデルワールス力のような分子間力による相互作用、又は、孤立電子対による配位結合による相互作用を利用して、無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させることができる。
このような吸着を充分に行わせるという観点からは、分散液、溶液、組成物中の金属濃度、又は溶液中の金属イオン濃度は、0.001質量%〜50質量%が好ましく、0.005質量%〜30質量%がより好ましい。また、接触時間としては、30秒間〜24時間が好ましく、1分間〜1時間がより好ましい。
By contacting the electroless plating catalyst or a precursor thereof, the interaction group in the layer to be plated is caused to interact by an intermolecular force such as van der Waals force or by coordinate bond by a lone electron pair. The electroless plating catalyst or its precursor can be adsorbed by utilizing the interaction.
From the viewpoint of sufficiently performing such adsorption, the metal concentration in the dispersion, solution, composition, or metal ion concentration in the solution is preferably 0.001% by mass to 50% by mass, and 0.005%. The mass% to 30 mass% is more preferable. Moreover, as contact time, 30 second-24 hours are preferable, and 1 minute-1 hour are more preferable.

なお、無電解めっき触媒又はその前駆体を含有する溶液、分散液、或いは組成物にパラジウム化合物を用いる場合、パラジウム化合物は、溶液、分散液、或いは組成物の全量に対して、0.001質量%〜10質量%が好ましく、0.05質量%〜5質量%がより好ましく、0.10質量%〜1質量%が更に好ましい。
また、無電解めっき触媒前駆体を含有する溶液に銀化合物を用いる場合、銀化合物は、溶液の全量に対して、0.1質量%〜20質量%が好ましく、0.1質量%〜20質量%がより好ましく、0.5質量%〜10質量%が更に好ましい。
どちらの化合物を用いる場合であっても、含有量が少なすぎると後述するめっきの析出がし難くなり、含有量が多すぎると、所望とされない領域までめっきが析出してしたり、エッチング残渣除去性が損なわれたりすることがある。
When a palladium compound is used in the solution, dispersion, or composition containing the electroless plating catalyst or its precursor, the palladium compound is 0.001 mass relative to the total amount of the solution, dispersion, or composition. % To 10% by mass is preferable, 0.05% to 5% by mass is more preferable, and 0.10% to 1% by mass is still more preferable.
Moreover, when using a silver compound for the solution containing an electroless-plating catalyst precursor, 0.1 mass%-20 mass% are preferable with respect to the whole quantity of a solution, and 0.1 mass%-20 mass. % Is more preferable, and 0.5 mass% to 10 mass% is still more preferable.
Regardless of which compound is used, if the content is too small, it will be difficult to deposit the plating described later. If the content is too large, the plating may be deposited to an undesired region, or etching residue removal. Sexuality may be impaired.

前記被めっき層のめっき触媒又はその前駆体の吸着量に関しては、使用する無電解めっき触媒又はその前駆体の種類にもよるが、例えば、銀イオンの場合は、無電解めっきの析出性の観点から、300mg/m以上が好ましく、500mg/m以上がより好ましく、600mg/m以上が更に好ましい。また、基板との密着力の高い金属パターンを作製するという観点からは、被めっき層の銀イオンの吸着量は1,000mg/m以下が好ましい。
また、パラジウムイオンの場合、被めっき層の吸着量は、無電解めっきの析出性の観点から、5mg/m以上が好ましく、10mg/m以上がより好ましい。また、基板との密着力の高い金属パターンを作製するという観点からは、被めっき層のパラジウムイオンの吸着量は1,000mg/m以下が好ましい。
The amount of adsorption of the plating catalyst of the layer to be plated or the precursor thereof depends on the type of the electroless plating catalyst or the precursor to be used. Therefore, 300 mg / m 2 or more is preferable, 500 mg / m 2 or more is more preferable, and 600 mg / m 2 or more is more preferable. Further, from the viewpoint of producing a metal pattern having high adhesion to the substrate, the amount of silver ions adsorbed on the layer to be plated is preferably 1,000 mg / m 2 or less.
In the case of palladium ions, the adsorption amount of the layer to be plated is preferably 5 mg / m 2 or more, more preferably 10 mg / m 2 or more, from the viewpoint of the depositability of electroless plating. Further, from the viewpoint of producing a metal pattern with high adhesion to the substrate, the amount of palladium ions adsorbed on the layer to be plated is preferably 1,000 mg / m 2 or less.

−その他の触媒−
本発明において、後述のめっき工程において、被めっき層に対して、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒としては、0価金属を使用することができる。この0価金属としては、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、相互作用性基(シアノ基・エーテル基)に対する吸着(付着)性、触媒能の高さから、Pd、Ag、Cuが好ましい。
-Other catalysts-
In the present invention, a zero-valent metal can be used as a catalyst used for direct electroplating on the layer to be plated without performing electroless plating in the plating step described later. Examples of the zero-valent metal include Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, Co and the like. Among them, those capable of multidentate coordination are preferable, and in particular, an interactive group (cyano group / ether group). Pd, Ag, and Cu are preferable because of their high adsorptive (adhesive) property and catalytic ability.

−有機溶剤、及び水−
前記めっき触媒又は前駆体は、前述のように、分散液、溶液(触媒液)として被めっき層に付与される。
前記触媒液には、有機溶剤、水が用いられる。
この有機溶剤を含有することで、被めっき層に対するめっき触媒又は前駆体の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒又はその前駆体を吸着させることができる。
-Organic solvent and water-
As described above, the plating catalyst or precursor is applied to the layer to be plated as a dispersion or solution (catalyst solution).
An organic solvent and water are used for the catalyst solution.
By containing this organic solvent, the permeability of the plating catalyst or precursor to the layer to be plated is improved, and the plating catalyst or precursor thereof can be efficiently adsorbed to the interactive group.

前記触媒液には、水を用いてもよく、この水としては、不純物を含まないことが好ましく、そのような観点からは、RO水、脱イオン水、蒸留水、精製水などを用いるのが好ましく、脱イオン水、蒸留水を用いるのが特に好ましい。   Water may be used for the catalyst solution, and it is preferable that the water does not contain impurities. From such a viewpoint, RO water, deionized water, distilled water, purified water, and the like are used. It is preferable to use deionized water or distilled water.

前記めっき触媒液の調製に用いられる有機溶剤としては、被めっき層に浸透しうる溶剤であれば特に制限はないが、具体的には、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、2−(1−シクロヘキセニル)シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどが挙げられる。   The organic solvent used for the preparation of the plating catalyst solution is not particularly limited as long as it is a solvent that can penetrate into the layer to be plated. Specifically, acetone, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol diacetate , Cyclohexanone, acetylacetone, acetophenone, 2- (1-cyclohexenyl) cyclohexanone, propylene glycol diacetate, triacetin, diethylene glycol diacetate, dioxane, N-methylpyrrolidone, dimethyl carbonate, dimethyl cellosolve and the like.

また、その他の有機溶剤としては、例えば、ダイアセトンアルコール、γブチロラクトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ノルマルプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールターシャリーブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4ジオキサン、n−メチル−2−ピロリドンなどが挙げられる。   Examples of other organic solvents include diacetone alcohol, γ-butyrolactone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, normal propyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, ethylene glycol tertiary butyl ether, tetrahydrofuran, 1, 4-dioxane, n-methyl-2-pyrrolidone and the like.

特に、めっき触媒又はその前駆体との相溶性、及び被めっき層への浸透性の観点では水溶性の有機溶剤が好ましく、アセトン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブ、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルが好ましい。   In particular, a water-soluble organic solvent is preferable from the viewpoint of compatibility with a plating catalyst or a precursor thereof, and permeability to a layer to be plated. Acetone, dimethyl carbonate, dimethyl cellosolve, triethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol Diethyl ether is preferred.

更に、前記触媒液には、目的に応じて他の添加剤を含有することができる。他の添加剤としては、例えば、膨潤剤(ケトン、アルデヒド、エーテル、エステル類等の有機化合物など)、界面活性剤(アニオン性、カチオン性、双性、ノニオン性及び低分子性又は高分子性など)などが挙げられる。   Furthermore, the catalyst solution may contain other additives depending on the purpose. Other additives include, for example, swelling agents (organic compounds such as ketones, aldehydes, ethers, esters, etc.), surfactants (anionic, cationic, zwitterionic, nonionic, low molecular or polymeric) Etc.).

以上説明した触媒付与工程を経ることで、被めっき層中の相互作用性基とめっき触媒又はその前駆体との間に相互作用を形成することができる。   By passing through the catalyst provision process demonstrated above, interaction can be formed between the interactive group in a to-be-plated layer, and a plating catalyst or its precursor.

<めっき工程>
前記めっき工程は、前記めっき触媒又はその前駆体が付与された特定のめっき形成用光感応材料に対してめっきを行う工程である。
本発明においては、上述したように、めっき浴比が10未満でめっきを行う。
<Plating process>
The plating step is a step of plating a specific photosensitive material for plating formation to which the plating catalyst or its precursor is applied.
In the present invention, as described above, plating is performed at a plating bath ratio of less than 10.

前記めっき工程において行われるめっきの種類としては、無電解めっき、電気めっき等が挙げられ、前記めっき工程において、被めっき層との間に相互作用を形成しためっき触媒又はその前駆体の機能によって、選択することができる。
つまり、前記めっき工程では、めっき触媒又はその前駆体が付与された被めっき層に対し、電気めっきを行ってもよいし、無電解めっきを行ってもよい。
これらの中でも、被めっき層中に発現するハイブリッド構造の形成性及び密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の膜厚のめっき層を得るために、無電解めっきの後に、更に電気めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、前記めっき工程において好適に行われるめっきについて説明する。
Examples of the type of plating performed in the plating step include electroless plating, electroplating, etc., and in the plating step, depending on the function of the plating catalyst or its precursor that forms an interaction with the layer to be plated, You can choose.
That is, in the plating step, electroplating or electroless plating may be performed on the layer to be plated to which the plating catalyst or its precursor is applied.
Among these, it is preferable to perform electroless plating from the viewpoint of improving the formability and adhesion of the hybrid structure that appears in the layer to be plated. In order to obtain a plating layer having a desired film thickness, it is a more preferable aspect that electroplating is further performed after electroless plating.
Hereinafter, the plating suitably performed in the plating step will be described.

−無電解めっき−
前記無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
前記めっき工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒(金属)を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層に吸着又は含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体(金属塩など)を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬される。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、前記同様、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、前記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液(還元液)を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体(主に金属イオン)を0価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度は、0.1質量%〜50質量%が好ましく、1質量%〜30質量%がより好ましい。前記還元剤としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。
浸漬の際には、無電解めっき触媒又はその前駆体が接触する被めっき層表面付近の無電解めっき触媒又はその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌或いは揺動を加えながら浸漬することが好ましい。
-Electroless plating-
The electroless plating refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.
The electroless plating in the plating step is performed, for example, by immersing the substrate provided with the electroless plating catalyst in water and removing the excess electroless plating catalyst (metal) and then immersing it in an electroless plating bath. As the electroless plating bath to be used, a generally known electroless plating bath can be used.
In addition, when the substrate to which the electroless plating catalyst precursor is applied is immersed in the electroless plating bath in a state where the electroless plating catalyst precursor is adsorbed or impregnated in the layer to be plated, the substrate is washed with water to remove excess. After removing the precursor (metal salt, etc.), it is immersed in an electroless plating bath. In this case, reduction of the plating catalyst precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath. As the electroless plating bath used here, a generally known electroless plating bath can be used as described above.
In addition, the reduction of the electroless plating catalyst precursor may be performed as a separate step before electroless plating by preparing a catalyst activation liquid (reducing liquid) separately from the embodiment using the electroless plating liquid as described above. Is possible. The catalyst activation liquid is a liquid in which a reducing agent capable of reducing an electroless plating catalyst precursor (mainly metal ions) to zero-valent metal is dissolved, and the concentration of the reducing agent with respect to the whole liquid is 0.1 mass% to 50%. % By mass is preferable, and 1% by mass to 30% by mass is more preferable. Examples of the reducing agent that can be used include boron-based reducing agents such as sodium borohydride and dimethylamine borane, and reducing agents such as formaldehyde and hypophosphorous acid.
When dipping, maintain the concentration of the electroless plating catalyst or its precursor in the vicinity of the surface of the layer to be plated with which the electroless plating catalyst or its precursor comes into contact, and soak with stirring or shaking. Is preferred.

一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤の他に、(1)めっき用の金属イオン、(2)還元剤、(3)金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。   The composition of a general electroless plating bath includes (1) metal ions for plating, (2) reducing agents, and (3) additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions, in addition to solvents. Mainly included. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.

めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトン等のケトン類;メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類などが挙げられる。   The organic solvent used in the plating bath needs to be a solvent that can be used in water, and in that respect, ketones such as acetone; alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol are listed.

無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムなどが挙げられ、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。   Examples of the metal used in the electroless plating bath include copper, tin, lead, nickel, gold, palladium, rhodium, etc. Among them, copper and gold are particularly preferable from the viewpoint of conductivity.

また、前記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。
例えば、銅の無電解めっきの浴は、銅塩としてCuSO、還元剤としてHCOH、添加剤として銅イオンの安定剤であるEDTA、ロッシェル塩等のキレート剤、トリアルカノールアミンなどが含まれている。
また、CoNiPの無電解めっきに使用されるめっき浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解めっき浴は、金属イオンとして(Pd(NH)Cl、還元剤としてNH、HNNH、安定化剤としてEDTAが含まれている。これらのめっき浴には、前記成分以外の成分が入っていてもよい。
Moreover, the optimal reducing agent and additive are selected according to the said metal.
For example, a copper electroless plating bath contains CuSO 4 as a copper salt, HCOH as a reducing agent, EDTA as a copper ion stabilizer, a chelating agent such as Rochelle salt, trialkanolamine, and the like. .
The plating bath used for electroless plating of CoNiP includes cobalt sulfate and nickel sulfate as metal salts, sodium hypophosphite as a reducing agent, sodium malonate, sodium malate, and sodium succinate as complexing agents. It is included. Further, the electroless plating bath of palladium contains (Pd (NH 3 ) 4 ) Cl 2 as metal ions, NH 3 and H 2 NNH 2 as reducing agents, and EDTA as a stabilizer. These plating baths may contain components other than the above components.

このようにして形成される無電解めっきによるめっき膜の膜厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、或いは、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.1μm以上が好ましく、0.2μm〜2μmがより好ましい。
ただし、無電解めっきによるめっき膜を導通層として、後述する電気めっきを行う場合は、少なくとも0.1μmの膜が均一に付与されていればよい。
また、めっき浴への浸漬時間としては、1分間〜6時間程度が好ましく、1分間〜3時間程度がより好ましい。
The thickness of the plating film formed by electroless plating can be controlled by the metal ion concentration of the plating bath, the immersion time in the plating bath, or the temperature of the plating bath. From the viewpoint, 0.1 μm or more is preferable, and 0.2 μm to 2 μm is more preferable.
However, in the case where electroplating described later is performed using a plating film formed by electroless plating as a conductive layer, it is sufficient that a film of at least 0.1 μm is uniformly applied.
The immersion time in the plating bath is preferably about 1 minute to 6 hours, and more preferably about 1 minute to 3 hours.

以上のようにして得られた無電解めっきによるめっき層は、走査型電子顕微鏡(SEM)による断面観察により、被めっき層中にめっき触媒、めっき金属からなる微粒子が高密度で分散していること、また更に被めっき層上にめっき金属が析出していることが確認される。被めっき層とめっき層との界面は、樹脂複合体と微粒子とのハイブリッド状態であるため、被めっき層(有機成分)と無機物(めっき触媒金属又はめっき金属)との界面が平滑(例えば、1mmの領域でRaが1.5μm以下)であっても、密着性が良好となる。 The plating layer obtained by the electroless plating obtained as described above has fine particles of a plating catalyst and a plating metal dispersed at a high density in the layer to be plated by cross-sectional observation using a scanning electron microscope (SEM). Further, it is confirmed that the plating metal is deposited on the layer to be plated. Since the interface between the layer to be plated and the plating layer is a hybrid state of the resin composite and fine particles, the interface between the layer to be plated (organic component) and the inorganic substance (plating catalyst metal or plating metal) is smooth (for example, 1 mm Adhesiveness is good even if Ra is 1.5 μm or less in the region 2 .

−電気めっき−
前記めっき工程おいては、前記触媒付与工程において付与されためっき触媒又はその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒又はその前駆体が付与された被めっき層に対して、電気めっきを行うことができる。
また、前述の無電解めっきの後、形成されためっき膜を電極とし、更に、電気めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属膜を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電気めっきを行うことで、金属膜を目的に応じた厚みに形成しうるため、本発明の金属膜を種々の応用に適用するのに好適である。
-Electroplating-
In the plating step, when the plating catalyst or its precursor applied in the catalyst application step has a function as an electrode, electroplating is performed on the layer to be plated with the catalyst or the precursor. It can be carried out.
In addition, after the above-described electroless plating, the formed plating film may be used as an electrode, and electroplating may be further performed. As a result, a new metal film having an arbitrary thickness can be easily formed on the electroless plating film having excellent adhesion to the substrate. Thus, since electroplating is performed after electroless plating, the metal film can be formed to a thickness according to the purpose, and therefore, the metal film of the present invention is suitable for various applications.

前記電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、めっき工程の電気めっきに用いられる金属としては、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。   As the electroplating method, a conventionally known method can be used. Examples of the metal used for electroplating in the plating step include copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, and zinc. From the viewpoint of conductivity, copper, gold, and silver are preferable, Copper is more preferred.

また、電気めっきにより得られる金属膜の膜厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、又は、電流密度などを調整することで制御することができる。
なお、得られた金属パターン材料を一般的な電気配線などに適用する場合の金属膜の膜厚は、導電性の観点から、0.5μm以上が好ましく、1μm〜30μmがより好ましい。
なお、電気配線の厚みは、電気配線の線幅が狭くなる、即ち、微細化するほどアスペクト比を維持するために薄くなる。従って、電気めっきによって形成されるめっき層の層厚は、前記に限定されず、任意に設定できる。
Moreover, the film thickness of the metal film obtained by electroplating can be controlled by adjusting the metal concentration contained in the plating bath, the current density, or the like.
In addition, the film thickness of the metal film in the case where the obtained metal pattern material is applied to general electric wiring or the like is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm to 30 μm from the viewpoint of conductivity.
In addition, the thickness of the electrical wiring becomes thinner in order to maintain the aspect ratio as the line width of the electrical wiring becomes narrower, that is, as the size becomes finer. Therefore, the thickness of the plating layer formed by electroplating is not limited to the above, and can be set arbitrarily.

上述のめっき膜の他の製造方法としては、上述の露光工程において被めっき層を形成する際、被めっき層形成用組成物にめっき触媒又はその前駆体を予め混合しておき、上述の塗布法、押出成形法、ラミネート法を用いて、基板上に被めっき層を積層する方法も挙げられる。
この方法の場合、上述の触媒付与工程を実施することなく、めっき触媒又はその前駆体を含有する被めっき層をひとつの工程で作製することができ、作業効率及び生産性の観点から好ましい。
As another manufacturing method of the above-mentioned plating film, when forming a layer to be plated in the above-described exposure step, a plating catalyst or a precursor thereof is mixed in advance with the composition for forming a layer to be plated, and the above-described coating method Further, a method of laminating a layer to be plated on a substrate using an extrusion molding method or a laminating method is also mentioned.
In the case of this method, a plating layer containing a plating catalyst or a precursor thereof can be produced in one step without carrying out the above-described catalyst application step, which is preferable from the viewpoint of work efficiency and productivity.

<金属パターン材料>
本発明の金属パターン材料は、本発明の金属パターン材料の製造方法により製造することができる。
前記金属パターン材料の製造方法において、基板として樹脂フィルム等を用いれば、その樹脂フィルムの両面に金属パターンが形成された金属パターン材料を得ることができる。
本発明の金属パターン材料は、基板に対する金属パターンの密着力に優れる。
<Metal pattern material>
The metal pattern material of this invention can be manufactured with the manufacturing method of the metal pattern material of this invention.
In the manufacturing method of the metal pattern material, if a resin film or the like is used as a substrate, a metal pattern material in which a metal pattern is formed on both surfaces of the resin film can be obtained.
The metal pattern material of this invention is excellent in the adhesive force of the metal pattern with respect to a board | substrate.

本発明の金属パターン材料は、表面の凹凸が500nm以下5nm以上(より好ましくは100nm以下)の基板上の局所的に、めっき膜を設けたものが好ましい。また、基板と金属パターンとの密着性が碁盤の目試験で100目中10目以下が好ましく、特に0目が好ましい。即ち、基板表面が平滑でありながら、基板と金属パターンとの密着性に優れることを特徴とする。   The metal pattern material of the present invention preferably has a plating film locally provided on a substrate having a surface irregularity of 500 nm or less and 5 nm or more (more preferably 100 nm or less). The adhesion between the substrate and the metal pattern is preferably 10 or less out of 100 in the grid eye test, and particularly preferably 0. That is, it is characterized in that the substrate surface is smooth and the adhesion between the substrate and the metal pattern is excellent.

なお、基板表面の凹凸は、基板を基板表面に対して垂直に切断し、その断面をSEMにより観察することにより測定した値である。
より詳細には、JIS B 0601に準じて測定したRz、即ち、「指定面における、最大から5番目までの山頂のZデータの平均値と、最小から5番目までの谷底の平均値との差」で、500nm以下5nm以上が好ましい。
The unevenness of the substrate surface is a value measured by cutting the substrate perpendicular to the substrate surface and observing the cross section with an SEM.
More specifically, Rz measured in accordance with JIS B 0601, that is, “the difference between the average value of the Z data of the peak from the maximum to the fifth in the designated plane and the average value of the valley from the minimum to the fifth. ], 500 nm or less and 5 nm or more are preferable.

<用途>
本発明の金属パターン材料の製造方法により製造された金属パターン材料は、例えば、半導体チップ、各種電気配線板、FPC、COF、TAB、アンテナ、多層配線基板、マザーボード、等の種々の用途に適用することができる。
<Application>
The metal pattern material manufactured by the metal pattern material manufacturing method of the present invention is applied to various uses such as semiconductor chips, various electric wiring boards, FPC, COF, TAB, antennas, multilayer wiring boards, motherboards, and the like. be able to.

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

(合成例1)
−ポリマーAの合成−
2Lの三口フラスコ内に、酢酸エチル1L、及び2−アミノエタノール159gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ、2−ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、更に酢酸エチルを留去することで原料Aを80g得た。
(Synthesis Example 1)
-Synthesis of polymer A-
In a 2 L three-necked flask, 1 L of ethyl acetate and 159 g of 2-aminoethanol were placed and cooled in an ice bath. Thereto, 150 g of 2-bromoisobutyric acid bromide was added dropwise while adjusting the internal temperature to 20 ° C. or lower. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed 4 times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and 80 g of raw material A was obtained by distilling off ethyl acetate.

次に、500mLの三口フラスコ内に、得られた原料A 47.4g、ピリジン22g、及び酢酸エチル150mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド25gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、更に酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下のモノマーMを精製して20g得た。
Next, 47.4 g of the obtained raw material A, 22 g of pyridine, and 150 mL of ethyl acetate were placed in a 500 mL three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto, 25 g of acrylic acid chloride was added dropwise while adjusting the internal temperature to 20 ° C. or lower. Then, it was raised to room temperature and reacted for 3 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water and dried over magnesium sulfate, and the ethyl acetate was further distilled off. Thereafter, the following monomer M was purified by column chromatography to obtain 20 g.

次に、500mLの三口フラスコ内に、N,N−ジメチルアセトアミド8gを入れ、窒素気流下、65℃まで加熱した。そこへ、前記で得たモノマーMを14.3g、アクリロニトリル(東京化成工業株式会社製)3.0g、アクリル酸(東京化成工業株式会社製)6.5g、及びV−65(和光純薬工業株式会社製)0.4gのN,N−ジメチルアセトアミド8g溶液を、4時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド41gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。前記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成工業株式会社製)0.09g、及びジアザビシクロウンデセン(DBU)54.8gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応液に70質量%メタンスルホン酸水溶液54g加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、特定ポリマーAを12g得た。
得られたポリマーAの重量平均分子量は53,000であった。
Next, 8 g of N, N-dimethylacetamide was placed in a 500 mL three-necked flask and heated to 65 ° C. under a nitrogen stream. 14.3 g of the monomer M obtained above, 3.0 g of acrylonitrile (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 6.5 g of acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and V-65 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.4 g N, N-dimethylacetamide 8 g solution was added dropwise over 4 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 41 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. To the reaction solution, 0.09 g of 4-hydroxy TEMPO (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 54.8 g of diazabicycloundecene (DBU) were added and reacted at room temperature for 12 hours. Thereafter, 54 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, the solid matter was taken out, and 12 g of specific polymer A was obtained.
The obtained polymer A had a weight average molecular weight of 53,000.

(実施例1)
<めっき形成用光感応材料の作製>
基板として、直径100mm、厚さ0.5mmのシリコンウェハ(エレクトロニクス エンド マテリアルズ コーポレーション製)を用いた。
Example 1
<Production of photosensitive material for plating formation>
A silicon wafer (manufactured by Electronics End Materials Corporation) having a diameter of 100 mm and a thickness of 0.5 mm was used as the substrate.

<密着補助層塗布液の組成>
・アクリロニトリルブタジエンゴム(品名:Nipol 101L、日本ゼオン株式会社製)・・・5質量%
・シクロペンタノン・・・95質量%
前記組成の密着補助層塗布液を、基板上に回転数1,500rpmでスピンコート塗布し、厚みが1.8μmの密着補助層を形成した。その後、得られた密着補助層を150℃で1時間の熱処理を行った。
<Composition of adhesion auxiliary layer coating solution>
・ Acrylonitrile butadiene rubber (Product name: Nipol 101L, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.): 5% by mass
・ Cyclopentanone: 95% by mass
The adhesion auxiliary layer coating solution having the above composition was spin-coated on the substrate at 1,500 rpm to form an adhesion auxiliary layer having a thickness of 1.8 μm. Thereafter, the obtained adhesion auxiliary layer was heat-treated at 150 ° C. for 1 hour.

<被めっき層塗布液の組成>
・重合性ポリマーA・・・3.5質量%
・光重合開始剤(品名:Irgacure 819、チバ・ジャパン株式会社製)・・・0.7質量%(光吸収量4.1%)
・1−メトキシ−2−プロパノール(MFG)・・・86.5質量%
・水・・・9.3質量%
前記組成の被めっき層塗布液を、密着補助層上に回転数750rpmでスピンコート塗布し、厚みが0.3μmの被めっき層を形成した。その後、室温にて自然乾燥させた。以上により、めっき形成用光感応材料を作製した。
<Composition of plating layer coating solution>
・ Polymerizable polymer A: 3.5% by mass
Photopolymerization initiator (Product name: Irgacure 819, manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) 0.7 mass% (light absorption 4.1%)
・ 1-methoxy-2-propanol (MFG): 86.5% by mass
・ Water: 9.3 mass%
The plating layer coating solution having the above composition was spin-coated on the adhesion auxiliary layer at a rotational speed of 750 rpm to form a plating layer having a thickness of 0.3 μm. Thereafter, it was naturally dried at room temperature. The photosensitive material for plating formation was produced by the above.

<レーザー露光>
作製しためっき形成用光感応材料について、レーザー加工装置(パルステック工業株式会社製、NEO1000)を用い、波長405nm、NA(開口数)が0.85、線速が0.6m/s、フォーカスゲインが30、エアリーディスク直径0.58μm、レーザーパワー2mW、ピッチ2μmでレーザー露光を行った。
<Laser exposure>
About the produced photosensitive material for plating formation, using a laser processing apparatus (manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd., NEO1000), wavelength 405 nm, NA (numerical aperture) 0.85, linear velocity 0.6 m / s, focus gain No. 30, Airy disk diameter 0.58 μm, laser power 2 mW, pitch 2 μm.

<現像条件>
露光後のめっき形成用光感応材料を1質量%の重曹水に15分間浸漬し、その後、水洗して、自然乾燥させた。これにより、パターン状の被めっき層を有するめっき形成用光感応材料を得た。
<Development conditions>
The photosensitive material for plating formation after exposure was immersed in 1% by mass of sodium bicarbonate water for 15 minutes, then washed with water and allowed to dry naturally. Thereby, the photosensitive material for plating formation which has a pattern-like to-be-plated layer was obtained.

<めっき触媒の付与>
パターン状の被めっき層を有するめっき形成用光感応材料を、10質量%硝酸銀水溶液に、10分間浸漬した後、アセトンに浸漬して洗浄した。
<Applying plating catalyst>
The photosensitive material for plating formation having a patterned layer to be plated was immersed in a 10% by mass aqueous silver nitrate solution for 10 minutes and then immersed in acetone for cleaning.

<無電解めっき>
めっき触媒が付与された被めっき層を有するめっき形成用光感応材料に対し、下記組成の無電解めっき浴を用い、50℃で30分間、無電解めっきを行った。得られた無電解銅めっき膜の厚みは0.3μmであった。以上により、金属パターン材料を作製した。
−無電解めっき浴の組成−
・OPCカッパーT(奥野製薬工業社製)
めっき浴比は3
ただし、めっき浴比は、めっき槽の容量V(cm)÷めっき対象物の表面積A(cm)から求めた値である。
<Electroless plating>
Electroless plating was performed at 50 ° C. for 30 minutes using an electroless plating bath having the following composition on a photosensitive material for plating formation having a layer to be plated with a plating catalyst. The thickness of the obtained electroless copper plating film was 0.3 μm. The metal pattern material was produced by the above.
-Composition of electroless plating bath-
・ OPC Copper T (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.)
Plating bath ratio is 3
However, the plating bath ratio is a value obtained from the capacity V (cm 3 ) of the plating tank / the surface area A (cm 2 ) of the object to be plated.

次に、得られた金属パターン材料について、以下のようにして、最適パワー及び最適パワー比率、描画結果の評価、並びに導通性の評価を行った。結果を表1に示す。   Next, with respect to the obtained metal pattern material, the optimum power and the optimum power ratio, the evaluation of the drawing result, and the conductivity were evaluated as follows. The results are shown in Table 1.

<最適パワー及び最適パワー比率>
エアリーディスク10倍ピッチで記録したとき、描画結果の評価が良好(○)となるレーザーパワーのうち最も低いパワーであり、実施例1では、最適パワーは8mWとなる。
最適パワー比率は、(レーザーパワー/最適パワー)×100により求めた。
<Optimum power and optimal power ratio>
This is the lowest power among the laser powers at which the evaluation of the drawing result is good (◯) when recording at 10 times the airy disk. In Example 1, the optimum power is 8 mW.
The optimum power ratio was obtained by (laser power / optimum power) × 100.

<描画結果の評価方法>
作製した金属パターン材料について、100μm四方視野で光学顕微鏡観察を行い、下記基準で、描画結果を評価した。
〔評価基準〕
○:一様に配線が得られている(良好;図2A参照)
△:部分的に配線の細りがある(普通;図2B参照)
×:配線がつながってない(不良;図2C参照)
<Drawing result evaluation method>
About the produced metal pattern material, the optical microscope observation was performed in a 100-micrometer square field, and the drawing result was evaluated on the following reference | standard.
〔Evaluation criteria〕
○: Uniform wiring is obtained (good; see FIG. 2A)
Δ: Partially thin wiring (normal; see Figure 2B)
×: The wiring is not connected (defective; refer to FIG. 2C)

<導通性の評価方法>
コンタクトプローブで電極両端に接触し、テスターで導通確認を行い、下記基準で導通性を評価した。
〔評価基準〕
○:導通が全てある場合
×:導通がNGの配線がある場合
<Conductivity evaluation method>
The electrode was contacted at both ends with a contact probe, conductivity was confirmed with a tester, and the conductivity was evaluated according to the following criteria.
〔Evaluation criteria〕
○: When there is all conduction ×: When there is wiring with NG conduction

(実施例2〜4及び比較例1〜2)
実施例1において、レーザーパワーを表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜4及び比較例1〜2の金属パターン材料を作製した。
得られた各金属パターン材料について、実施例1と同様にして、最適パワー及び最適パワー比率、描画結果の評価、並びに導通性の評価を行った。結果を表1に示す。
(Examples 2-4 and Comparative Examples 1-2)
In Example 1, except that the laser power was changed as shown in Table 1, metal pattern materials of Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 2 were produced in the same manner as Example 1.
About each obtained metal pattern material, it carried out similarly to Example 1, and evaluated the optimal power and the optimal power ratio, the evaluation of a drawing result, and electroconductivity. The results are shown in Table 1.

(実施例5〜8及び比較例3〜4)
実施例1において、ピッチを4μmに変え、レーザーパワーを表2に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例5〜8及び比較例3〜4の金属パターン材料を作製した。
得られた各金属パターン材料について、実施例1と同様にして、最適パワー及び最適パワー比率、描画結果の評価、並びに導通性の評価を行った。結果を表2に示す。
(Examples 5-8 and Comparative Examples 3-4)
In Example 1, the metal pattern materials of Examples 5 to 8 and Comparative Examples 3 to 4 were prepared in the same manner as Example 1 except that the pitch was changed to 4 μm and the laser power was changed as shown in Table 2. did.
About each obtained metal pattern material, it carried out similarly to Example 1, and evaluated the optimal power and the optimal power ratio, the evaluation of a drawing result, and electroconductivity. The results are shown in Table 2.

(比較例5)
実施例1において、被めっき層塗布液中の光重合開始剤(品名:Irgacure 819、チバ・ジャパン株式会社製)の含有量を0.35質量%(光吸収量2.0%)としたところ、どの条件で露光してもパターニングができなかった。
(Comparative Example 5)
In Example 1, when the content of the photopolymerization initiator (product name: Irgacure 819, manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) in the plating layer coating solution is 0.35% by mass (light absorption 2.0%) No patterning was possible under any conditions.

(実施例9〜11及び比較例6)
実施例1において、被めっき層塗布液中の光重合開始剤(品名:Irgacure 819、チバ・ジャパン株式会社製)の含有量を1.05質量%(光吸収量6.2%)とし、ピッチを4μmに変え、レーザーパワーを表3に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例9〜11及び比較例6の金属パターン材料を作製した。
得られた各金属パターン材料について、実施例1と同様にして、最適パワー及び最適パワー比率、描画結果の評価、並びに導通性の評価を行った。結果を表3に示す。なお、実施例9〜11では、最適パワーは6mWであった。
(Examples 9 to 11 and Comparative Example 6)
In Example 1, the content of the photopolymerization initiator (product name: Irgacure 819, manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) in the plating layer coating solution is 1.05% by mass (light absorption amount 6.2%), and the pitch Was changed to 4 μm, and the metal pattern materials of Examples 9 to 11 and Comparative Example 6 were produced in the same manner as in Example 1 except that the laser power was changed as shown in Table 3.
About each obtained metal pattern material, it carried out similarly to Example 1, and evaluated the optimal power and the optimal power ratio, the evaluation of a drawing result, and electroconductivity. The results are shown in Table 3. In Examples 9 to 11, the optimum power was 6 mW.

(実施例12、13、及び比較例7)
実施例1において、めっき槽の容量V(cm)を調整して表4に示すようにめっき浴比を変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例12、13、及び比較例7の金属パターン材料を作製した。
得られた各金属パターン材料について、実施例1と同様にして、最適パワーの測定、描画結果の評価、導通性の評価を行った。結果を表4に示す。
(Examples 12 and 13 and Comparative Example 7)
In Example 1, Examples 12 and 13 and Comparative Example were the same as Example 1 except that the capacity V (cm 3 ) of the plating tank was adjusted and the plating bath ratio was changed as shown in Table 4. 7 metal pattern materials were produced.
About each obtained metal pattern material, it carried out similarly to Example 1, and measured the optimal power, evaluation of the drawing result, and evaluation of electroconductivity. The results are shown in Table 4.

本発明の金属パターン材料の製造方法により製造された本発明の金属パターン材料は、例えば、半導体チップ、各種電気配線板、FPC、COF、TAB、アンテナ、多層配線基板、マザーボード、等の種々の用途に適用することができる。   The metal pattern material of the present invention manufactured by the method of manufacturing the metal pattern material of the present invention can be used in various applications such as semiconductor chips, various electric wiring boards, FPC, COF, TAB, antennas, multilayer wiring boards, motherboards, etc. Can be applied to.

Claims (5)

下記式(A)〜(C)で表されるユニットを含む共重合体を含有するめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光する露光工程と、
露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、
現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が10未満でめっきを行うめっき工程と、
を含むことを特徴とする金属パターン材料の製造方法。
ただし、前記式(A)〜(C)中、R〜Rは、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数1〜4の置換若しくは無置換のアルキル基を表し、X、Y、Z、及びUは、それぞれ独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、L、L、及びLは、それぞれ独立して、単結合、又は置換若しくは無置換の二価の有機基を表し、Wはめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を表し、Vはイオン性極性基を表す。
When exposing a photosensitive material for plating formation containing a copolymer containing units represented by the following formulas (A) to (C) at a pitch of less than 6 μm, the optimal power at the time of 6 μm pitch exposure is 100 And an exposure step of exposing with a laser power of [(pitch (μm) × 75/6 + 25) −30] to [(pitch (μm) × 75/6 + 25) +15]%,
A development step of developing the photosensitive material for plating formation after exposure with a developer;
A plating process in which the photosensitive material for plating formation on which the pattern after development is formed is plated at a plating bath ratio of less than 10, and
A method for producing a metal pattern material, comprising:
However, in said formula (A)-(C), R < 1 > -R < 6 > represents a hydrogen atom or a C1-C4 substituted or unsubstituted alkyl group each independently, X, Y, Z , And U each independently represents a single bond, a substituted or unsubstituted divalent organic group, an ester group, an amide group, or an ether group, and L 1 , L 2 , and L 3 are each independently A single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group, W represents a non-dissociative functional group that interacts with the plating catalyst or its precursor, and V represents an ionic polar group .
6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−20〕%〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+10〕%のレーザーパワーで露光する請求項1に記載の金属パターン材料の製造方法。   The laser power is less than 100% of the optimum power at the time of 6 μm pitch exposure, and [(pitch (μm) × 75/6 + 25) −20]% to [(pitch (μm) × 75/6 + 25) +10]%. The manufacturing method of the metal pattern material of Claim 1 exposed by. めっき浴比が6以下である請求項1から2のいずれかに記載の金属パターン材料の製造方法。   The method for producing a metal pattern material according to claim 1, wherein the plating bath ratio is 6 or less. めっき形成用光感応材料が光重合開始剤を含有し、該光重合開始剤の光吸収量が2.5%以上である請求項1から3のいずれかに記載の金属パターン材料の製造方法。   The method for producing a metal pattern material according to any one of claims 1 to 3, wherein the photosensitive material for forming a plating contains a photopolymerization initiator, and the photoabsorption amount of the photopolymerization initiator is 2.5% or more. 請求項1から4のいずれかに記載の金属パターン材料の製造方法により製造されたことを特徴とする金属パターン材料。   A metal pattern material produced by the method for producing a metal pattern material according to claim 1.
JP2011101771A 2011-04-28 2011-04-28 Metal pattern material and manufacturing method thereof Withdrawn JP2012234013A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011101771A JP2012234013A (en) 2011-04-28 2011-04-28 Metal pattern material and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011101771A JP2012234013A (en) 2011-04-28 2011-04-28 Metal pattern material and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012234013A true JP2012234013A (en) 2012-11-29

Family

ID=47434386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011101771A Withdrawn JP2012234013A (en) 2011-04-28 2011-04-28 Metal pattern material and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012234013A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114786342A (en) * 2022-04-27 2022-07-22 四川大学 Flexible bendable metal pattern based on laser technology and preparation method and application thereof
WO2023119998A1 (en) * 2021-12-24 2023-06-29 富士フイルム株式会社 Method for producing laminate having conductor pattern, photosensitive composition, and transfer film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023119998A1 (en) * 2021-12-24 2023-06-29 富士フイルム株式会社 Method for producing laminate having conductor pattern, photosensitive composition, and transfer film
CN114786342A (en) * 2022-04-27 2022-07-22 四川大学 Flexible bendable metal pattern based on laser technology and preparation method and application thereof
CN114786342B (en) * 2022-04-27 2024-02-27 四川大学 Flexible bendable metal pattern based on laser technology and preparation method and application thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5334777B2 (en) Composition for forming layer to be plated, method for producing metal pattern material, and novel polymer
JP5419441B2 (en) Method for forming multilayer wiring board
JP5079396B2 (en) Conductive substance adsorbing resin film, method for producing conductive substance adsorbing resin film, resin film with metal layer using the same, and method for producing resin film with metal layer
US8273463B2 (en) Multilayer film for plating, method of manufacturing metal film-coated material and metal film-coated material
TWI503383B (en) Composition for forming plating layer and method for producing laminate having metal film
JP2011094192A (en) Composition for forming layer to be plated, method for producing metal pattern material, and metal pattern material
CN101300284B (en) Epoxy resin composition, method for forming conductive film, method for forming conductive pattern and method for manufacturing multilayered wiring board
JP2010185128A (en) Photosensitive resin composition for plating, laminate, method of producing surface metal film material using the same, surface metal film material, method of producing metal pattern material, metal pattern material, and wiring board
TWI395787B (en) Resin composition and laminated resin film using the same
JP4606924B2 (en) Graft pattern material, conductive pattern material and method for producing the same
JP2010239057A (en) Method of fabricating circuit board
JP2010084196A (en) Method of forming metal film
WO2008050631A1 (en) Process for producing metal-film-coated substrate, metal-film-coated substrate, process for producing metallic-pattern material, and metallic-pattern material
US20110240482A1 (en) Plating catalyst liquid, plating method, and method for producing laminate having metal film
JP2008277717A (en) Resin film with metal layer, its forming method, and flexible printed board manufacturing method using the film
US20100247880A1 (en) Novel copolymer, novel copolymer-containing composition, laminate body, method of producing metal film-coated material, metal film-coated material, method of producing metallic pattern-bearing material and metallic pattern-bearing material
JP2010077322A (en) Composition for forming plated layer, production method for metal pattern material and metal pattern material obtained thereby, and production method for surface metal film material and surface metal film material obtained thereby
JP2012234013A (en) Metal pattern material and manufacturing method thereof
WO2012133684A1 (en) Production method for laminate having patterned metal films, and plating layer-forming composition
JP2012097296A (en) Method of forming metal film
WO2011065568A1 (en) Insulating resin, composition for forming insulating resin layer, laminate, method for producing surface metal film material, method for producing metal pattern material, method for producing wiring board, electronic part and semiconductor device
WO2012133032A1 (en) Production method for laminate having patterned metal films, and plating layer-forming composition
JP4505284B2 (en) Manufacturing method of multilayer wiring board
JP5642378B2 (en) Insulating resin, insulating resin layer forming composition, laminate, surface metal film material manufacturing method, metal pattern material manufacturing method, wiring board manufacturing method, electronic component, semiconductor element
JP2011111602A (en) Insulating resin, insulating resin layer-forming composition, laminate, method for manufacturing surface metal film material, method for manufacturing metal pattern material, method for manufacturing wiring board, electronic part, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140701