JP2012231145A - Semiconductor manufacturing system, semiconductor manufacturing method, temperature control method, temperature control device, and controller of semiconductor manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造システム、半導体製造方法、温度制御方法、温度制御装置及び半導体製造装置のコントローラに関
し、ヒータを備えた加熱炉内に設置した反応管の加熱のための温度制御に関する。
The present invention relates to a semiconductor manufacturing system, a semiconductor manufacturing method, a temperature control method, a temperature control apparatus, and a controller of a semiconductor manufacturing apparatus, and relates to temperature control for heating a reaction tube installed in a heating furnace equipped with a heater.
図５は、従来の半導体製造システムの温度制御装置の構成を示す縦断面図である。この
図５において、温度制御装置は、加熱炉として例えば電気炉１には、ヒータ２及びこのヒ
ータ２の温度を測定するための第１の熱電対３が備えられている。また、電気炉１には、
石英等からなる反応管４が納められており、この反応管４の近傍には反応管４の温度を測
定するための第３の熱電対５が設けられている。この反応管４の温度が目標値となるよう
に、第１の熱電対３によってヒータ２の温度を測定しつつヒータ２に供給する電力を温度
調節器８が調節する。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a temperature control device of a conventional semiconductor manufacturing system. In FIG. 5, in the temperature control apparatus, for example, an electric furnace 1 as a heating furnace is provided with a heater 2 and a first thermocouple 3 for measuring the temperature of the heater 2. In addition, the electric furnace 1 includes
A reaction tube 4 made of quartz or the like is accommodated, and a third thermocouple 5 for measuring the temperature of the reaction tube 4 is provided in the vicinity of the reaction tube 4. The temperature controller 8 adjusts the power supplied to the heater 2 while measuring the temperature of the heater 2 by the first thermocouple 3 so that the temperature of the reaction tube 4 becomes a target value.
一般に、半導体製造装置は、安全性の向上を目的として電気炉１の温度制御を行う温度
調節器８とは、完全に独立した構成の過温保護器９を備えており、これによって電気炉１
の異常温度を検知できるように第２の熱電対６によって温度を測定し、正常範囲を超えた
温度を検知すると、温度調節器８の機能を一切介さずにヒータ２への供給電力をオフにす
るように構成されている。
In general, a semiconductor manufacturing apparatus includes an overheat protector 9 having a completely independent configuration from a temperature regulator 8 that controls the temperature of the electric furnace 1 for the purpose of improving safety.
The temperature is measured by the second thermocouple 6 so that an abnormal temperature can be detected, and when the temperature exceeding the normal range is detected, the power supplied to the heater 2 is turned off without using the function of the temperature controller 8 at all. Is configured to do.
上述の図５の温度制御装置においては、温度制御に使用する熱電対が、断線、劣化など
によって使用不能又は性能劣化が発生した場合に温度制御が不可能となることがある。
In the temperature control device of FIG. 5 described above, the thermocouple used for temperature control may be unable to be temperature-controlled when disconnection, deterioration, or the like causes an unusable or performance deterioration.
そこで、別の従来例として、図６に示すような温度制御装置の構成を採ることができる
。すなわち、上述の問題を解決するためにヒータ２の温度を測定するための第１の熱電対
３の近傍に予備の熱電対１０を設ける構成である。これによって、第１の熱電対３に異常
が発生して使用不能になっても、この予備の熱電対１０を使用して温度調節器８が温度制
御を継続することができる。
Therefore, as another conventional example, a configuration of a temperature control device as shown in FIG. 6 can be adopted. In other words, in order to solve the above-described problem, a spare thermocouple 10 is provided in the vicinity of the first thermocouple 3 for measuring the temperature of the heater 2. Thus, even if the first thermocouple 3 becomes abnormal and becomes unusable, the temperature controller 8 can continue the temperature control using the spare thermocouple 10.
しかしながら、上述のように予備の熱電対１０を設けることは、電気炉１の構造を複雑
にさせることとなり、温度制御装置の製造工数が増大すると共に部品コストや装置コスト
を高めることとなる。また、熱電対は、高温になるにしたがい、内部の熱（温）接点など
がいたみ変質し易くなり、これによって寄生熱起電力が発生し易くなり温度誤差が増加す
ることもある。
However, the provision of the spare thermocouple 10 as described above complicates the structure of the electric furnace 1, which increases the number of manufacturing steps of the temperature control device and increases the component cost and the device cost. In addition, as the temperature of the thermocouple increases, the internal thermal (warm) contact and the like easily deteriorate, and thus a parasitic thermoelectromotive force is easily generated and the temperature error may increase.
このようなことから、温度制御管理に関する機能性が高く信頼性を向上させ、小型化を
図った半導体製造システムの温度制御装置の実現が要請されている。
For this reason, there is a demand for the realization of a temperature control device for a semiconductor manufacturing system that has high functionality related to temperature control management, improves reliability, and is downsized.
そこで、第１の発明は、反応管を加熱する加熱炉を備え、この加熱炉にはヒータと、こ
のヒータの温度を測定しヒータの温度調節用に使用する第１の温度センサ（たとえば熱電
対）と、ヒータの異常加熱を検知するための第２の温度センサとを備え、第１の温度セン
サを使用しヒータの温度を測定し、この測定温度からヒータへの電力供給を制御し発熱状
態を制御すると共に第２の温度センサを使用し測定したヒータの温度が異常に高温になっ
たときにヒータへの電力供給を強制的に停止させる半導体製造システムの温度制御装置に
おいて、以下の特徴的な構成で上述の課題を解決した。
Accordingly, the first invention includes a heating furnace that heats the reaction tube. The heating furnace includes a heater, and a first temperature sensor (for example, a thermocouple) that is used to adjust the temperature of the heater by measuring the temperature of the heater. ) And a second temperature sensor for detecting abnormal heating of the heater, the temperature of the heater is measured using the first temperature sensor, and the power supply to the heater is controlled from this measured temperature to generate heat. In the temperature control device of the semiconductor manufacturing system for forcibly stopping the power supply to the heater when the temperature of the heater measured using the second temperature sensor becomes abnormally high, The above-mentioned problem was solved with a simple configuration.
すなわち、第１の発明は、第１の温度センサ及び第２の温度センサからの測定温度信号
から判断し、いずれかの温度センサが故障であると認識したときに、他方の温度センサか
らの測定温度信号を使用してヒータへの電力供給の制御を継続する制御手段を備えた。
That is, according to the first aspect of the present invention, when one of the temperature sensors is determined to be faulty based on the measured temperature signals from the first temperature sensor and the second temperature sensor, the measurement from the other temperature sensor is performed. Control means for continuing control of power supply to the heater using the temperature signal is provided.
このように構成することで、ヒータの温度調節用に設けられた温度センサ又はヒータの
異常加熱検知用の温度センサのいずれかが故障しても、他方の温度センサを使用して稼働
を中断することなく継続してヒータに対する温度調節制御と異常加熱検知とを行うことが
できる。
With this configuration, even if either the temperature sensor provided for adjusting the heater temperature or the temperature sensor for detecting abnormal heating of the heater fails, the operation is interrupted using the other temperature sensor. It is possible to continuously perform temperature adjustment control and abnormal heating detection for the heater without any problems.
また、第２の発明は、反応管を加熱する加熱炉にヒータを備え、この加熱炉の内側には
反応管の温度を測定するための第１の温度センサと、反応管の異常加熱を検知するための
第２の温度センサとを備え、第１の温度センサを使用し反応管の温度を測定し、この測定
温度からヒータへの電力供給を制御すると共に第２の温度センサを使用し測定した反応管
の温度が異常に高温になったときにヒータへの電力供給を強制的に停止させる半導体製造
システムの温度制御装置において、以下の特徴的な構成で上述の課題を解決した。
According to a second aspect of the present invention, a heater is provided in a heating furnace for heating the reaction tube, and a first temperature sensor for measuring the temperature of the reaction tube and an abnormal heating of the reaction tube are detected inside the heating furnace. A second temperature sensor for measuring the temperature of the reaction tube using the first temperature sensor, controlling the power supply to the heater from the measured temperature, and measuring using the second temperature sensor. In the temperature control device for a semiconductor manufacturing system that forcibly stops the power supply to the heater when the temperature of the reaction tube becomes abnormally high, the above-described problem has been solved with the following characteristic configuration.
すなわち、第２の発明は、第１の温度センサ及び第２の温度センサからの測定温度信号
から判断し、いずれかの温度センサが故障であると認識したときに、他方の温度センサか
らの測定温度信号を使用してヒータへの電力供給の制御を継続する制御手段を備えた。
That is, according to the second aspect of the invention, when one of the temperature sensors is determined to be faulty based on the measurement temperature signals from the first temperature sensor and the second temperature sensor, the measurement from the other temperature sensor is performed. Control means for continuing control of power supply to the heater using the temperature signal is provided.
このように構成することで、反応管の温度調節用に設けられた温度センサ又は反応管の
異常加熱検知用の温度センサのいずれかが故障しても、他方の温度センサを使用して稼働
を中断することなく継続してヒータに対する温度調節制御と異常加熱検知とを行うことが
できる。
By configuring in this way, even if either the temperature sensor provided for adjusting the temperature of the reaction tube or the temperature sensor for detecting abnormal heating of the reaction tube fails, the other temperature sensor is used for operation. Temperature adjustment control and abnormal heating detection for the heater can be performed continuously without interruption.
以上述べたように本発明は、ヒータの温度調節用に使用する第１の温度センサ及びヒー
タの異常加熱を検知するための第２の温度センサからの測定温度信号から判断し、いずれ
かの温度センサが故障であると認識したときに、他方の温度センサからの測定温度信号を
使用してヒータへの電力供給の制御を継続することで、装置の温度制御を管理する上での
機能性を高くすることができ、しかも稼働を停止させることなく信頼性を向上させ、簡単
な構成で小型化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, any temperature is determined from the measured temperature signal from the first temperature sensor used for adjusting the temperature of the heater and the second temperature sensor for detecting abnormal heating of the heater. When the sensor is recognized as malfunctioning, the control of power supply to the heater is continued by using the measured temperature signal from the other temperature sensor, thereby improving the functionality for managing the temperature control of the device. In addition, the reliability can be improved without stopping the operation, and the size can be reduced with a simple configuration.
次に本発明の好適な実施の形態を図面を用いて説明する。 Next, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
「第１の実施の形態」：
本第１の実施の形態においては、電気炉内の温度を制御する温度調節器と、電気炉内の
異常温度を検知する過温保護器とを備えた半導体製造システム（たとえば、ＣＶＤシステ
ム）の温度制御装置において、温度制御に使用する温度センサが断線又は劣化などによっ
て使用不能又は性能悪化が発生した場合に、この温度センサを温度調節器とは独立した構
成である過温保護器の温度センサへ自動的に切り替えて温度制御を行うように構成する。
“First Embodiment”:
In the first embodiment, a semiconductor manufacturing system (for example, a CVD system) including a temperature controller that controls the temperature in the electric furnace and an overheat protector that detects an abnormal temperature in the electric furnace. In the temperature control device, when the temperature sensor used for temperature control becomes unusable or performance deterioration occurs due to disconnection or deterioration, the temperature sensor of the overheat protector is configured independently of the temperature controller. The temperature is controlled by automatically switching to.
また、通常、ヒータ近傍に取り付けられる過温保護器の温度センサを、反応管近傍にも
取り付けるように構成する。
Moreover, the temperature sensor of the overheat protector usually attached in the vicinity of the heater is configured to be attached in the vicinity of the reaction tube.
図１は、本第１の実施の形態の半導体製造装置の温度制御装置の構成図である。この図
１において、電気炉１の中には、ヒータ２の温度を測定するための第１の熱電対３と、第
３の熱電対５と、第２の熱電対６とが内蔵されており、第１の熱電対３は温度調節用に設
けられており、第３の熱電対５は、反応管４の温度を測定するように設けられており、第
２の熱電対６は、ヒータ２の異常加熱による異常温度を測定するように設けられている。
すなわち、第１の熱電対３と第２の熱電対６とは、ヒータ２の温度を測定するために設け
られており、両方の熱電対は比較的近傍に設置されている。
FIG. 1 is a configuration diagram of a temperature control device of the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, an electric furnace 1 includes a first thermocouple 3, a third thermocouple 5, and a second thermocouple 6 for measuring the temperature of the heater 2. The first thermocouple 3 is provided for temperature adjustment, the third thermocouple 5 is provided to measure the temperature of the reaction tube 4, and the second thermocouple 6 is provided for the heater 2. It is provided so as to measure an abnormal temperature due to abnormal heating.
That is, the first thermocouple 3 and the second thermocouple 6 are provided for measuring the temperature of the heater 2, and both thermocouples are installed relatively close to each other.
そこで、本第１の実施の形態においては、温度調節用に専門的に設けられている第１の
熱電対３が使用不能になった場合においても、ヒータ２の温度を継続して測定し、しかも
この測定温度信号を温度調節に使用できるように、温度調節器８Ａが使用できる熱電対を
切り替えることができるように切替回路１１を設けた。つまり、この切替回路１１は、第
１の熱電対３と第２の熱電対６とから測定温度信号を取り込み、通常は、第１の熱電対３
からの温度測定信号を温度調節器８Ａに与えるように温度調節器８からの制御によって動
作し、温度調節器８Ａからの判断によって第１の熱電対３の異常が検知されると、第２の
熱電対６からの測定温度信号を温度調節器８に与えるように動作する。なお、第２の熱電
対６からの測定温度信号は、従来と同様に過温保護器９に与えているので、異常に高い温
度が検出されるとヒータ２に対する電力供給を電力供給制御回路１２によってオフさせる
。
Therefore, in the first embodiment, even when the first thermocouple 3 specially provided for temperature adjustment becomes unusable, the temperature of the heater 2 is continuously measured, Moreover, the switching circuit 11 is provided so that the thermocouple that can be used by the temperature controller 8A can be switched so that the measured temperature signal can be used for temperature adjustment. That is, the switching circuit 11 takes in the measured temperature signal from the first thermocouple 3 and the second thermocouple 6, and normally the first thermocouple 3.
When the abnormality of the first thermocouple 3 is detected by the determination from the temperature controller 8A so as to give the temperature measurement signal from the temperature controller 8A to the temperature controller 8A, the second thermocouple 3 is detected. It operates to provide a temperature controller 8 with a measured temperature signal from the thermocouple 6. Since the measured temperature signal from the second thermocouple 6 is given to the overheat protector 9 as in the conventional case, the power supply control circuit 12 supplies power to the heater 2 when an abnormally high temperature is detected. Turn off by.
この切替回路１１は、図示のように機能的には、温度調節器８Ａからの制御信号によっ
て切替スイッチ（たとえば、リレー回路構成）が択一的に切り替えられれば良いのである
から、回路構成は非常に簡単である。
As shown in the figure, the switching circuit 11 is functionally only required to switch a changeover switch (for example, a relay circuit configuration) by a control signal from the temperature regulator 8A. Easy to be.
温度調節器８Ａは、反応管４の温度を測定するための第３の熱電対５から測定温度信号
を取り込み従来と同様に反応管４の温度が目標の温度になるようにヒータ２に対する電力
供給制御を電力供給制御回路１２によって行うと共に、特徴的には、切替回路１１からの
第１の熱電対３の測定温度信号を監視し、第１の熱電対３から正常な測定温度信号を検出
できなくなると、第１の熱電対３に異常が起きていると判断して、切替回路１１に対して
切替支持を与える。すなわち、切替回路１１に対して切替制御信号を与え、取り込む測定
温度信号を第１の熱電対３から第２の熱電対６に切り替えるようにさせる。これによって
、切替回路１１から第２の熱電対６からの測定温度信号が温度調節器８Ａに与えられる。
この温度調節器８Ａは、第２の熱電対６からの測定温度信号を受信し、ヒータ２の温度を
監視することができる。
The temperature controller 8A takes in the measurement temperature signal from the third thermocouple 5 for measuring the temperature of the reaction tube 4 and supplies power to the heater 2 so that the temperature of the reaction tube 4 becomes a target temperature as in the conventional case. Control is performed by the power supply control circuit 12 and, characteristically, the measurement temperature signal of the first thermocouple 3 from the switching circuit 11 can be monitored and a normal measurement temperature signal can be detected from the first thermocouple 3. When it disappears, it is determined that an abnormality has occurred in the first thermocouple 3, and switching support is given to the switching circuit 11. That is, a switching control signal is given to the switching circuit 11 so that the measurement temperature signal to be taken in is switched from the first thermocouple 3 to the second thermocouple 6. Thus, the measured temperature signal from the second thermocouple 6 is given from the switching circuit 11 to the temperature controller 8A.
The temperature controller 8A can receive the measured temperature signal from the second thermocouple 6 and monitor the temperature of the heater 2.
このようにして、第１の熱電対３が故障して使用不能になったとしても、この異常を温
度調節器８Ａが認識し、切替回路１１に対して切替制御信号を与え、第２の熱電対６から
の測定温度信号を温度調節器８Ａに与えさせ、温度調節器８Ａにおいて中断することなく
ヒータ２の温度監視を続けることができる。
In this way, even if the first thermocouple 3 fails and becomes unusable, the temperature regulator 8A recognizes this abnormality and gives a switching control signal to the switching circuit 11 to provide the second thermocouple. The measured temperature signal from the pair 6 is given to the temperature controller 8A, and the temperature of the heater 2 can be continuously monitored without interruption in the temperature controller 8A.
また、温度調節用の第１の熱電対３ａだけが故障している場合は、その近傍に配置され
ている過温保護用の第２の熱電対６ａだけを切り替えれば良いのであって、他の正常な温
度調節用の第１の熱電対３ｂ、３ｃ、３ｄを切り替える必要がないので、正常な第１の熱
電対を有効に使用することができる。
If only the first thermocouple 3a for temperature adjustment is broken, only the second thermocouple 6a for overheating protection arranged in the vicinity thereof needs to be switched. Since there is no need to switch the first thermocouples 3b, 3c, 3d for normal temperature control, the normal first thermocouple can be used effectively.
（本発明の第１の実施の形態の効果）：
以上の本発明の第１の実施の形態によれば、切替回路１１を設け、温度調節器８Ａを改
良して、切替回路１１に第１の熱電対３の測定温度信号と第２の熱電対６の測定温度信号
とを取り込むように構成したことで、ヒータ２の温度調節用の第１の熱電対３が使用不能
になったときには自動的に温度調節器８Ａが判断して、切り替え制御を行い、第２の熱電
対６からの測定温度信号を温度調節用に使用することができるので、従来に比べて非常に
機能的でしかも信頼性の高い温度制御装置を実現することができる。また、切替回路１１
を新たに設け、温度調節器を少し改良するだけであるので、非常に簡単な構成で実現する
ことができる。
(Effect of the first embodiment of the present invention):
According to the first embodiment of the present invention described above, the switching circuit 11 is provided, the temperature controller 8A is improved, and the measured temperature signal of the first thermocouple 3 and the second thermocouple are provided in the switching circuit 11. 6 so that when the first thermocouple 3 for adjusting the temperature of the heater 2 becomes unusable, the temperature controller 8A automatically determines and performs the switching control. Since the measured temperature signal from the second thermocouple 6 can be used for temperature adjustment, it is possible to realize a temperature control device that is very functional and highly reliable as compared with the prior art. The switching circuit 11
Is newly provided and the temperature controller is slightly improved, so that it can be realized with a very simple configuration.
「第２の実施の形態」：
上述の第１の実施の形態においてはヒータ２の温度を監視するための第１の熱電対３の
近傍に異常温度検知用の第２の熱電対６を配置している例で、第１の熱電対３が使用不能
の場合に、近傍の第２の熱電対６を使用して温度調節用の測定温度信号を得るように構成
したが、本第３の実施の形態は、反応管４の温度を監視している第３の熱電対５に対して
、第２の熱電対６を反応管４の異常温度を検知するために第３の熱電対５の近傍に配置し
、しかも、第３の熱電対５が温度調節器８Ａで使用不能と判断すると、切替制御信号を生
成して第２の熱電対で測定した測定温度信号を使用してヒータ２の温度調節を行う。
“Second Embodiment”:
In the first embodiment described above, the second thermocouple 6 for detecting an abnormal temperature is disposed in the vicinity of the first thermocouple 3 for monitoring the temperature of the heater 2. In the case where the thermocouple 3 cannot be used, the second thermocouple 6 in the vicinity is used to obtain a measurement temperature signal for temperature adjustment. However, in the third embodiment, the reaction tube 4 For the third thermocouple 5 whose temperature is being monitored, the second thermocouple 6 is arranged in the vicinity of the third thermocouple 5 in order to detect the abnormal temperature of the reaction tube 4, and the third thermocouple 5 If the thermocouple 5 is determined to be unusable by the temperature controller 8A, the switching control signal is generated and the temperature of the heater 2 is adjusted using the measured temperature signal measured by the second thermocouple.
そこで、図２は、本第２の実施の形態の半導体製造システムの温度制御装置の構成図で
ある。この図２に示すように、切替回路１１Ａを配置し、切替回路１１Ａで選択した測定
温度データを温度調節器８Ａに与え、第３の熱電対５が使用不能と判断されると、切替制
御信号を生成し切替回路１１Ａに与える。切替回路１１Ａは、第３の熱電対５からの測定
温度信号を取り込むと共に第２の熱電対６からの測定温度信号も取り込み、温度調節器８
Ａからの制御信号によって択一的に選択し温度調節器８Ａに与える。
FIG. 2 is a configuration diagram of the temperature control device of the semiconductor manufacturing system according to the second embodiment. As shown in FIG. 2, the switching circuit 11A is arranged, the measured temperature data selected by the switching circuit 11A is given to the temperature regulator 8A, and when it is determined that the third thermocouple 5 is unusable, the switching control signal Is generated and supplied to the switching circuit 11A. The switching circuit 11 </ b> A captures the measured temperature signal from the third thermocouple 5 and also captures the measured temperature signal from the second thermocouple 6.
It is alternatively selected by the control signal from A and supplied to the temperature controller 8A.
すなわち、温度調節器８Ａは、通常は、第３の熱電対５からの測定温度信号を切替回路
１１Ａから取り込み、第３の熱電対５が故障であると判断すると、切替制御信号を与えて
、切替回路１１Ａから第２の熱電対６からの測定温度信号を取り込む。
That is, the temperature controller 8A normally takes the measured temperature signal from the third thermocouple 5 from the switching circuit 11A, and determines that the third thermocouple 5 is faulty, gives a switching control signal, The measurement temperature signal from the second thermocouple 6 is taken in from the switching circuit 11A.
（本発明の第２の実施の形態の効果）：
以上の本発明の第２の実施の形態によれば、反応管４の温度を測定するための第３の熱
電対５が故障になった場合に、切り替えを行い反応管４の異常温度を検出するための第２
の熱電対６から測定温度信号を取り込むことができるので、第３の熱電対５の故障によっ
て中断することなくヒータ２に対する温度調節を行うことができる。
(Effect of the second embodiment of the present invention):
According to the second embodiment of the present invention described above, when the third thermocouple 5 for measuring the temperature of the reaction tube 4 fails, the abnormal temperature of the reaction tube 4 is detected by switching. Second to do
Therefore, the temperature of the heater 2 can be adjusted without interruption due to the failure of the third thermocouple 5.
「第３の実施の形態」：
上述の実施の形態においては、半導体製造システムの温度制御装置の温度調節器８Ａと
過温保護器９とを備えている。しかし、本第３の実施の形態においては、更に機能を高め
そして装置の小型化を図る。そこで、温度調節器８Ａと過温保護器９とを一体化すること
で更に装置の小型化を図る。
“Third embodiment”:
In the above-described embodiment, the temperature controller 8A and the overheat protector 9 of the temperature control device of the semiconductor manufacturing system are provided. However, in the third embodiment, the function is further improved and the apparatus is downsized. Therefore, the size of the apparatus is further reduced by integrating the temperature controller 8A and the overheat protector 9.
図３は、本第３の実施の形態の半導体製造システムの温度制御装置の構成図である。こ
の図３において、温度制御装置は、主に、電気炉１と、反応管４と、温度調節・過温保護
コントローラ７とから構成されており、電気炉１内には、ヒータ２とこのヒータ２に対す
る電力供給制御回路１２とヒータ２の温度調節を目的として温度測定を行う第１の熱電対
３とヒータ２の過温保護のために温度測定を行う第２の熱電対６とが設置されている。な
お、ヒータ２の各部の温度を測定するために第１の熱電対３と第２の熱電対６とはそれぞ
れ複数配置されている。また、反応管４の温度を測定するための第３の熱電対５が反応管
４の近傍に縦方向に複数配置されている。
FIG. 3 is a configuration diagram of the temperature control device of the semiconductor manufacturing system according to the third embodiment. In FIG. 3, the temperature control device mainly includes an electric furnace 1, a reaction tube 4, and a temperature adjustment / overheat protection controller 7. In the electric furnace 1, a heater 2 and this heater are provided. 2, a first thermocouple 3 that measures temperature for the purpose of adjusting the temperature of the heater 2, and a second thermocouple 6 that measures temperature for overheating protection of the heater 2 are installed. ing. In order to measure the temperature of each part of the heater 2, a plurality of first thermocouples 3 and a plurality of second thermocouples 6 are arranged. A plurality of third thermocouples 5 for measuring the temperature of the reaction tube 4 are arranged in the vertical direction in the vicinity of the reaction tube 4.
温度調節・過温保護コントローラ７は、温度調節用の第１の熱電対３からの測定温度信
号と、過温保護用の第２の熱電対６からの測定温度信号と、反応管４の温度を監視するた
めの第３の熱電対５からの測定温度信号とを取り込み、ヒータ２及び反応管４の温度調節
とヒータ２の過温保護動作とを行う。この温度調節・過温保護コントローラ７は、具体的
には、温度調節用の第１の熱電対３からの測定温度信号を監視し、ヒータ２の温度を最適
な温度にさせるようにヒータ２に対する電力供給制御を電力供給制御回路１２へ行わせる
。また、反応管４の温度を監視するための第３の熱電対５からの測定温度信号も監視し、
反応管４の温度が最適な温度になるようにヒータ２に対する電力供給制御を電力供給制御
回路１２へ行わせる。更に、過温保護用の第２の熱電対６からの測定温度信号も監視し、
所定の温度よりも高くなった場合にヒータ加熱温度異常と判断してヒータ２に対する電力
供給を強制的にオフさせる制御を行う。
The temperature adjustment / overheat protection controller 7 is configured to output a measured temperature signal from the first thermocouple 3 for temperature adjustment, a measured temperature signal from the second thermocouple 6 for overtemperature protection, and a temperature of the reaction tube 4. The measurement temperature signal from the third thermocouple 5 for monitoring is taken in, and the temperature adjustment of the heater 2 and the reaction tube 4 and the overheat protection operation of the heater 2 are performed. Specifically, the temperature adjustment / overheat protection controller 7 monitors the measured temperature signal from the first thermocouple 3 for temperature adjustment, and controls the heater 2 so that the temperature of the heater 2 becomes an optimum temperature. The power supply control circuit 12 performs power supply control. In addition, the measured temperature signal from the third thermocouple 5 for monitoring the temperature of the reaction tube 4 is also monitored,
The power supply control circuit 12 is caused to perform power supply control on the heater 2 so that the temperature of the reaction tube 4 becomes an optimum temperature. Furthermore, the measured temperature signal from the second thermocouple 6 for overtemperature protection is monitored,
When the temperature is higher than a predetermined temperature, it is determined that the heater heating temperature is abnormal, and the power supply to the heater 2 is forcibly turned off.
そして、温度調節・過温保護コントローラ７は、特徴的には、測定温度信号から第１の
熱電対３が故障であると判断すると、第１の熱電対３を温度調節用に使用することをやめ
、代わりに過温保護用の第２の熱電対６からの測定温度信号を温度調節用の測定温度信号
として使用し、ヒータ２への電力供給制御を行う。
When the temperature adjustment / overheat protection controller 7 determines that the first thermocouple 3 is malfunctioning from the measured temperature signal, the temperature adjustment / overheat protection controller 7 uses the first thermocouple 3 for temperature adjustment. Instead, the measurement temperature signal from the second thermocouple 6 for overheating protection is used as the measurement temperature signal for temperature adjustment, and power supply control to the heater 2 is performed.
また、温度調節・過温保護コントローラ７は、たとえば、温度調節用の第１の熱電対３
ａが故障したときに、その近傍に配置されている第２の熱電対６ａを使用するように選択
を切り替えれば良いのであって、その他の正常な温度調節用の第１の熱電対３ｂ、３ｃ、
３ｄは切り替える必要がない。このため正常な第１の熱電対と第２の熱電対６とを有効に
使用することができる。
The temperature adjustment / overheat protection controller 7 is, for example, a first thermocouple 3 for temperature adjustment.
The selection should be switched so that the second thermocouple 6a disposed in the vicinity of the first thermocouple 6a disposed in the vicinity of the first thermocouple 3b, 3c for other normal temperature adjustment when a fails. ,
It is not necessary to switch 3d. Therefore, the normal first thermocouple and the second thermocouple 6 can be used effectively.
さらに、異常発生直前の熱電対の測定温度と、切替時における正常な熱電対の測定温度
との間に大きな差がある場合があり、これが温度制御性能の悪化の原因となりかねない。
そこで、熱電対の異常が発生し、一方の正常な熱電対の測定温度を使用する際には、以下
のような演算によって補正値を求める必要がある。すなわち、補正値＝（異常発生直前の
熱電対の測定温度）−（切替時の正常な熱電対の測定温度）である。
Furthermore, there may be a large difference between the measured temperature of the thermocouple immediately before the occurrence of the abnormality and the measured temperature of the normal thermocouple at the time of switching, which may cause deterioration in temperature control performance.
Therefore, when a thermocouple abnormality occurs and the measured temperature of one normal thermocouple is used, it is necessary to obtain a correction value by the following calculation. That is, correction value = (measured temperature of thermocouple immediately before occurrence of abnormality) − (measured temperature of normal thermocouple at the time of switching).
そして、切替時以降、この補正値を正常な熱電対の測定温度に加えることによって、温
度制御性能が悪化することなく、異常発生以前と同等の温度制御が可能となる。
Then, by adding this correction value to the normal measured temperature of the thermocouple after switching, temperature control equivalent to that before the occurrence of abnormality can be performed without deteriorating the temperature control performance.
図４は、本第３の実施の形態の半導体製造システムの温度制御装置の温度調節・過温保
護コントローラ７の具体的な構成図である。この図４において、温度調節・過温保護コン
トローラ７は、主に、ＣＰＵ４１と、Ａ／Ｄコンバータ４２、４３と、チャネル切替回路
４４、４５と、設定値回路４６ａ〜４６ｄと、比較回路４７ａ〜４７ｎとから構成されて
いる。
FIG. 4 is a specific configuration diagram of the temperature adjustment / overtemperature protection controller 7 of the temperature control device of the semiconductor manufacturing system according to the third embodiment. In FIG. 4, the temperature adjustment / overheat protection controller 7 mainly includes a CPU 41, A / D converters 42 and 43, channel switching circuits 44 and 45, setting value circuits 46a to 46d, and comparison circuits 47a to 47a. 47n.
チャネル切替回路４４は、過温保護用の熱電対６ａ〜６ｄからの測定温度信号を取り込
むと共にそれぞれの熱電対に対応した異常温度を判定するための基準となる設定温度値を
設定出力している設定値回路４６ａ〜４６ｄからの設定値とを取り込み、ＣＰＵ４１から
の命令によってチャネルごとに選択しＡ／Ｄコンバータ４２に与える。Ａ／Ｄコンバータ
４２は、チャネル切替回路４４から与えられる過温保護用の熱電対６ａ〜６ｄからの測定
温度信号と温度設定値とをＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換してデジタル測定温度デー
タをＣＰＵ４１に与える。
The channel switching circuit 44 takes in the measured temperature signal from the overheat protection thermocouples 6a to 6d and sets and outputs a set temperature value as a reference for determining an abnormal temperature corresponding to each thermocouple. The setting values from the setting value circuits 46 a to 46 d are taken in, selected for each channel by an instruction from the CPU 41, and supplied to the A / D converter 42. The A / D converter 42 performs A / D (analog / digital) conversion of the measured temperature signal and the temperature set value from the thermocouples 6a to 6d for overtemperature protection given from the channel switching circuit 44, and digitally measured temperature data. Is given to the CPU 41.
チャネル切替回路４５は、ヒータの温度調節用の第１の熱電対３ａ〜３ｄと反応管の温
度調節のための第３の熱電対５ａ〜５ｄとの測定温度信号を取り込み、ＣＰＵ４１からの
命令によって一つずつ選択しＡ／Ｄコンバータ４３に与える。Ａ／Ｄコンバータ４３は、
チャネル切替回路４５から与えられる測定温度信号をＡ／Ｄ変換してデジタル測定温度デ
ータをＣＰＵ４１に与える。
The channel switching circuit 45 takes in measured temperature signals of the first thermocouples 3a to 3d for adjusting the temperature of the heater and the third thermocouples 5a to 5d for adjusting the temperature of the reaction tube, and in response to a command from the CPU 41 One by one is selected and supplied to the A / D converter 43. The A / D converter 43
The measured temperature signal given from the channel switching circuit 45 is A / D converted and digital measured temperature data is given to the CPU 41.
ＣＰＵ４１は、マイクロプロセッサやプログラムＲＯＭやワークＲＡＭやインタフェー
ス回路などから構成され、Ａ／Ｄコンバータ４２からのデジタル測定温度データを取り込
み、過温保護用の第２の熱電対６ａ〜６ｄの温度を認識する。また、ＣＰＵ４１は、Ａ／
Ｄコンバータ４３からのデジタル測定温度データも取り込み、ヒータ２の温度調節用の第
１の熱電対３ａ〜３ｄの温度と、反応管４の温度調節のための第３の熱電対５ａ〜５ｄの
温度とを認識する。これらの温度が最適値になっていない場合は、ヒータ２に対する電力
供給を制御するための制御信号を生成し電力供給制御回路１２に与えるため出力する。さ
らに、ＣＰＵ４１は、比較回路４７ａ〜４７ｄのいずれかから異常温度アラーム信号を与
えられると、ヒータ２の電力供給を強制的にオフさせるための制御信号を発生し電力供給
制御回路１２に与える。これによって、過温保護用の第２の熱電対６ａ〜６ｄのいずれか
に過温異常が発生すると、ヒータ２に対する電力供給を強制的にオフさせヒータ２の異常
加熱を防止することができる。
The CPU 41 is composed of a microprocessor, a program ROM, a work RAM, an interface circuit, and the like, takes in digital measurement temperature data from the A / D converter 42, and recognizes the temperatures of the second thermocouples 6a to 6d for overtemperature protection. To do. In addition, the CPU 41 uses A /
Digital measurement temperature data from the D converter 43 is also taken in, the temperature of the first thermocouples 3a to 3d for adjusting the temperature of the heater 2, and the temperature of the third thermocouples 5a to 5d for adjusting the temperature of the reaction tube 4 Recognize If these temperatures are not optimal values, a control signal for controlling the power supply to the heater 2 is generated and output to be supplied to the power supply control circuit 12. Further, when an abnormal temperature alarm signal is given from any of the comparison circuits 47 a to 47 d, the CPU 41 generates a control signal for forcibly turning off the power supply of the heater 2 and gives it to the power supply control circuit 12. As a result, when an overheating abnormality occurs in any of the second thermocouples 6a to 6d for overheating protection, the power supply to the heater 2 can be forcibly turned off to prevent abnormal heating of the heater 2.
更に、ＣＰＵ４１は、第１の熱電対３ａ〜３ｄのいずれかが故障であると判断すると、
その第１の熱電対の近傍に配置されている第２の熱電対６ａ〜６ｄのいずれかからの測定
温度信号を使用して電力供給制御回路１２に対する電力供給の制御を継続する。たとえば
、第１の熱電対３ａが故障したのであれば、第２の熱電対６ａを使用してヒータ２に対す
る電力供給の制御を継続する。
Further, when the CPU 41 determines that any one of the first thermocouples 3a to 3d has a failure,
Control of power supply to the power supply control circuit 12 is continued using a measured temperature signal from any one of the second thermocouples 6a to 6d arranged in the vicinity of the first thermocouple. For example, if the first thermocouple 3a fails, the control of power supply to the heater 2 is continued using the second thermocouple 6a.
比較回路４７ａ〜４７ｄは、過温保護用の第２の熱電対６ａ〜６ｄのそれぞれに対して
設定値温度を超えているか否かを比較する。この比較で過温保護用の第２の熱電対６ａ〜
６ｄの温度が設定値を超えている場合は、異常温度アラーム信号を生成して出力すると共
にこの異常温度アラーム信号を電力供給制御回路１２に与えて、電力供給停止の制御を行
う。設定値回路４６ａ〜４６ｄは、それぞれ過温保護用の第２の熱電対６ａ〜６ｄに対応
した異常温度を判定するための設定値を設定出力しチャネル切替回路４４と比較回路４７
ａ〜４７ｄとに与えている回路である。
The comparison circuits 47a to 47d compare whether or not the set temperature is exceeded for each of the second thermocouples 6a to 6d for overtemperature protection. In this comparison, the second thermocouple 6a ~
When the temperature of 6d exceeds the set value, an abnormal temperature alarm signal is generated and output, and this abnormal temperature alarm signal is given to the power supply control circuit 12 to control the power supply stop. The set value circuits 46a to 46d set and output set values for determining abnormal temperatures corresponding to the second thermocouples 6a to 6d for overtemperature protection, respectively, and the channel switching circuit 44 and the comparison circuit 47.
a to 47d.
（動作）：
上述の図４の動作を説明する。まず、ヒータ２の温度調節用の第１の熱電対３ａ〜３ｄ
からの測定温度信号と、反応管４の温度調節用の第３の熱電対５ａ〜５ｄからの測定温度
信号と、ヒータ２の過温保護用の第２の熱電対６ａ〜６ｄからの測定温度信号とは同時期
に温度調節・過温保護コントローラ７に与えられる。そして、第１の熱電対〜第３の熱電
対までのそれぞれの測定温度をＣＰＵ４１が認識する。ここで、ＣＰＵ４１は、たとえば
、第１の熱電対３ｂが故障している場合は、第２の熱電対６ｂを使用してヒータ２に対す
る電力供給の制御を継続する。また、第２の熱電対６ｃが故障している場合は、第１の熱
電対３ｃを使用して過温保護のための電力供給の制御を行う。また、ヒータ２に対する電
力供給の制御は、第３の熱電対５ａ〜５ｄからの測定温度信号によっても行われる。
(Operation):
The operation of FIG. 4 will be described. First, the first thermocouples 3a to 3d for adjusting the temperature of the heater 2
, A measured temperature signal from the third thermocouples 5a to 5d for adjusting the temperature of the reaction tube 4, and a measured temperature from the second thermocouples 6a to 6d for overheating protection of the heater 2 The signal is given to the temperature control / overheat protection controller 7 at the same time. Then, the CPU 41 recognizes each measured temperature from the first thermocouple to the third thermocouple. Here, for example, when the first thermocouple 3b is out of order, the CPU 41 continues to control power supply to the heater 2 using the second thermocouple 6b. Further, when the second thermocouple 6c is out of order, the first thermocouple 3c is used to control power supply for overheat protection. The control of the power supply to the heater 2 is also performed by a measured temperature signal from the third thermocouples 5a to 5d.
（本発明の第３の実施の形態の効果）：
以上の本発明の第３の実施の形態によれば、第１の熱電対３ａ〜３ｄのいずれが故障し
て使用できなくなっても、第２の熱電対６ａ〜６ｄのいずれかを使用して温度調節のため
のヒータ２への電力供給制御を行うことを継続できる。また、逆に第２の熱電対６ａ〜６
ｄのいずれが故障して使用できなくなっても、第１の熱電対３ａ〜３ｄのいずれかを使用
して過温保護のための電力供給停止の制御を行う。このようにして、温度制御装置の温度
制御を管理する上での機能性を高くすることができ、しかも稼働を停止させることなく信
頼性を向上させ、簡単な構成で小型化を図ることができる。
(Effect of the third embodiment of the present invention):
According to the above third embodiment of the present invention, even if any of the first thermocouples 3a to 3d fails and cannot be used, any one of the second thermocouples 6a to 6d is used. Control of power supply to the heater 2 for temperature adjustment can be continued. Conversely, the second thermocouples 6a-6
Even if any of d fails and cannot be used, control of power supply stop for overheat protection is performed using one of the first thermocouples 3a to 3d. In this way, it is possible to increase the functionality in managing the temperature control of the temperature control device, improve the reliability without stopping the operation, and reduce the size with a simple configuration. .
（他の実施の形態）：
（１）なお、上述の第１実施の形態及び第２の実施の形態においては、切替回路１１又は
１１Ａをヒータ２側又は反応管４の一方に配置したが、両方に設けることも好ましい。
(Other embodiments):
(1) In the first embodiment and the second embodiment described above, the switching circuit 11 or 11A is arranged on the heater 2 side or one of the reaction tubes 4, but it is also preferable to provide the switching circuit 11 or 11A on both sides.
（２）また、上述の第３の実施の形態においては、第１の熱電対３が故障になった場合に
、第２の熱電対６を使用するように構成したが、他の構成として、反応管４の近傍にも過
温保護用の第４の熱電対を設け、反応管４の温度調節用の第３の熱電対５が故障であると
判断した場合に、代わりに過温保護用の第４の熱電対を使用して反応管４の温度調節用の
測定温度信号を得るように構成することも好ましい。
(2) In the above-described third embodiment, the second thermocouple 6 is configured to be used when the first thermocouple 3 fails. As another configuration, A fourth thermocouple for overheating protection is also provided in the vicinity of the reaction tube 4, and when it is determined that the third thermocouple 5 for temperature adjustment of the reaction tube 4 is out of order, it is used for overheating protection instead. It is also preferable to use a fourth thermocouple to obtain a measured temperature signal for adjusting the temperature of the reaction tube 4.
１ 電気炉（加熱炉）
２ ヒータ
３ 第１の熱電対
４ 反応管
５ 第３の熱電対
６ 第２の熱電対
７ 温度調節・過温保護コントローラ
８Ａ 温度調節器
９ 過温保護器
１１、１１Ａ 切替回路
１２ 電力供給制御回路
1 Electric furnace (heating furnace)
2 Heater 3 First thermocouple 4 Reaction tube 5 Third thermocouple 6 Second thermocouple 7 Temperature control / overheat protection controller 8A Temperature controller 9 Overheat protector 11, 11A switching circuit 12 Power supply control circuit
Claims (6)
上記反応管の温度を測定して上記ヒータの温度調節用に使用する複数の第１の温度センサと、
上記反応管の温度を測定して上記反応管の監視用に使用する複数の第２の温度センサと、
上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記
故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度
センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測
定される温度に応じて、上記ヒータヘの電力供給の制御を継続させ、上記複数の第１の温度センサのうち故障していない他の第１の温度センサは、そのまま上記ヒータの温度調節用に使用して、上記他の第１の温度センサにより測定される温度に応じて上記ヒータへの電力供給の制御を継続させる制御手段とを備えた
半導体製造システム。 A heater for heating the reaction tube and the wafer inside the reaction tube;
A plurality of first temperature sensors used for adjusting the temperature of the heater by measuring the temperature of the reaction tube;
A plurality of second temperature sensors for measuring the temperature of the reaction tube and used for monitoring the reaction tube;
When any one of the plurality of first temperature sensors fails, the plurality of second temperatures is used instead of the temperature measured by any of the failed first temperature sensors. Control of power supply to the heater is continued according to a temperature measured by a second temperature sensor provided in the vicinity of the arbitrary first temperature sensor among the sensors, and the plurality of first temperature sensors The other first temperature sensor that is not out of order is used for adjusting the temperature of the heater as it is, and is used for power supply to the heater according to the temperature measured by the other first temperature sensor. A semiconductor manufacturing system comprising control means for continuing control.
２の温度センサにより監視し、前記ヒータにより反応管内部のウェーハを加熱する半導体
造方法であって、
上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記
故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度
センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測
定される温度に応じて、上記ヒータへの電力供給の制御を継続させ、上記複数の第１の温度センサのうち故障していない他の第１の温度センサは、そのまま上記ヒータの温度調節用に使用して、上記他の第１の温度センサにより測定される温度に応じて上記ヒータへの電力供給の制御を継続させる半導体製造方法。 A semiconductor manufacturing method in which the temperature of a reaction tube is monitored by a plurality of second temperature sensors while the temperature of the heater is adjusted by a plurality of first temperature sensors, and the wafer inside the reaction tube is heated by the heater,
When any one of the plurality of first temperature sensors fails, the plurality of second temperatures is used instead of the temperature measured by any of the failed first temperature sensors. The control of power supply to the heater is continued according to the temperature measured by a second temperature sensor provided in the vicinity of the arbitrary first temperature sensor among the sensors, and the plurality of first temperatures Of the sensors, the other first temperature sensor that has not failed is used as it is for adjusting the temperature of the heater, and power is supplied to the heater according to the temperature measured by the other first temperature sensor. Semiconductor manufacturing method to continue control of the process.
２の温度センサにより監視し、前記ヒータにより反応管内部のウェーハを加熱する温度制
御方法であって
上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記
故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度
センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測
定される温度に応じて、上記ヒータヘの電力供給の制御を継続させ、上記複数の第１の温度センサのうち故障していない他の第１の温度センサは、そのまま上記ヒータの温度調節用に使用して、上記他の第１の温度センサにより測定される温度に応じて上記ヒータへの電力供給の制御を継続させる温度制御方法。 A temperature control method in which the temperature of the reaction tube is monitored by a plurality of second temperature sensors while the temperature of the heater is adjusted by a plurality of first temperature sensors, and the wafer inside the reaction tube is heated by the heater. When any one of the plurality of first temperature sensors fails, the plurality of second temperature sensors are replaced with the temperature measured by any of the failed first temperature sensors. The control of power supply to the heater is continued according to the temperature measured by the second temperature sensor provided in the vicinity of the arbitrary first temperature sensor, and the plurality of first temperature sensors The other first temperature sensor that has not failed is used as it is for adjusting the temperature of the heater, and the power supply to the heater is controlled in accordance with the temperature measured by the other first temperature sensor. The The temperature control method to continue.
電力給を制御するとともに、上記第２の温度センサにより測定される温度から異常が検出
されたときに上記ヒータヘの電力供給を停止させる請求項１記載の半導体製造システム。 The control means controls power supply to the heater according to the temperature measured by the first temperature sensor, and when an abnormality is detected from the temperature measured by the second temperature sensor. The semiconductor manufacturing system according to claim 1, wherein the power supply is stopped.
上記ヒータの温度を測定して上記ヒータの温度を調節する温度調節用の複数の第１の温
度センサと、
上記ヒータの温度を測定して上記反応管の温度を監視する監視用の複数の第２の温度セ
ンサと、
上記第１の温度センサにより測定される温度に応じて上記ヒータへの電力供給を制御す
る温度調節器と、
上記第２の温度センサにより測定される温度から異常が検出されたときに上記ヒータへ
の電力供給を停止させる過温保護器と、
上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記
故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度
センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測
定される温度に応じて、上記ヒータへの電力供給の制御を継続させ、上記複数の第１の温度センサのうち故障していない他の第１の温度センサは、そのまま上記ヒータの温度調節用に使用して、上記他の第１の温度センサにより測定される温度に応じて上記ヒータへの電力供給の制御を継続させる制御手段と
を備えた温度制御装置。 A heater for heating the reaction tube and the wafer inside the reaction tube;
A plurality of first temperature sensors for temperature adjustment for measuring the temperature of the heater and adjusting the temperature of the heater;
A plurality of second temperature sensors for monitoring for measuring the temperature of the heater and monitoring the temperature of the reaction tube;
A temperature controller for controlling power supply to the heater according to a temperature measured by the first temperature sensor;
An overheat protector that stops power supply to the heater when an abnormality is detected from the temperature measured by the second temperature sensor;
When any one of the plurality of first temperature sensors fails, the plurality of second temperatures is used instead of the temperature measured by any of the failed first temperature sensors. The control of power supply to the heater is continued according to the temperature measured by a second temperature sensor provided in the vicinity of the arbitrary first temperature sensor among the sensors, and the plurality of first temperatures Of the sensors, the other first temperature sensor that has not failed is used as it is for adjusting the temperature of the heater, and power is supplied to the heater according to the temperature measured by the other first temperature sensor. And a control means for continuing the control.
２の温度センサにより監視し、前記ヒータにより反応管内部のウェーハを加熱する半導体
造装置のコントローラであって、
上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記
故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度
センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測
定される温度に応じて、上記ヒータへの電力供給の制御を継続させ、上記複数の第１の温度センサのうち故障していない他の第１の温度センサは、そのまま上記ヒータの温度調節用に使用して、上記他の第１の温度センサにより測定される温度に応じて上記ヒータへの電力供給の制御を継続させる
半導体製造装置のコントローラ。 A controller of a semiconductor manufacturing apparatus, wherein the temperature of a reaction tube is monitored by a plurality of second temperature sensors while the temperature of the heater is adjusted by a plurality of first temperature sensors, and the wafer inside the reaction tube is heated by the heater. ,
When any one of the plurality of first temperature sensors fails, the plurality of second temperatures is used instead of the temperature measured by any of the failed first temperature sensors. The control of power supply to the heater is continued according to the temperature measured by a second temperature sensor provided in the vicinity of the arbitrary first temperature sensor among the sensors, and the plurality of first temperatures Of the sensors, the other first temperature sensor that has not failed is used as it is for adjusting the temperature of the heater, and power is supplied to the heater according to the temperature measured by the other first temperature sensor. A controller for semiconductor manufacturing equipment that continues control of the machine.
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