JP2012221389A - Circuit simulation method and circuit simulation device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、回路シミュレーション技術に関し、例えば、寄生素子を考慮した半導体集積回路のSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)などの回路シミュレーションに適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a circuit simulation technique, for example, a technique effective when applied to a circuit simulation such as SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) of a semiconductor integrated circuit considering a parasitic element.
半導体集積回路の開発過程では、CAD(Computer Aided Design)を用いた半導体集積回路の設計、及びSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)に代表される回路シミュレータを用いた回路動作の確認を行う。 In the development process of a semiconductor integrated circuit, design of a semiconductor integrated circuit using CAD (Computer Aided Design) and circuit operation confirmation using a circuit simulator represented by SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit) are performed.
半導体集積回路の製造プロセス技術の進歩に伴い、隣接して配置される配線間の間隔および配線の幅が狭まって、配線間容量や配線抵抗が増大する傾向にある。この影響を考慮するため図1で示すように、レイアウトを行った後にそのレイアウトから配線抵抗や配線容量(以下、寄生素子と略記する)を抽出し、回路図に反映して回路シミュレーションを実施する。これをバックアノテーションと呼ぶ。 As the manufacturing process technology of a semiconductor integrated circuit advances, the distance between adjacent wirings and the width of the wirings are narrowed, and the wiring capacity and wiring resistance tend to increase. In order to consider this effect, as shown in FIG. 1, after performing layout, wiring resistance and wiring capacitance (hereinafter abbreviated as parasitic elements) are extracted from the layout and reflected in the circuit diagram to perform circuit simulation. . This is called back annotation.
近年、半導体集積回路が大規模化するに伴い寄生素子が増大しており、半導体集積回路の全デバイスを対象としてバックアノテーションを行なうと、シミュレーションに費やす実行時間が多大になり、また収束しにくくなるなど、現実的な時間での実行が困難になっている。 In recent years, as the size of semiconductor integrated circuits has increased, the number of parasitic elements has increased. When back-annotation is performed on all devices of a semiconductor integrated circuit, the execution time spent for simulation becomes large and difficult to converge. Etc., execution in a realistic time has become difficult.
上記技術的課題を解決するため、ある判定結果に基づいて考慮する寄生素子を選定することで、シミュレートする回路規模を小さくし、シミュレーション時間を短縮する方法が種々提案されている。 In order to solve the above technical problem, various methods for reducing the simulation time and reducing the simulation time by selecting a parasitic element to be considered based on a certain determination result have been proposed.
例えば、特許文献1では、シミュレーションを実施し、電位の変化したノード(アクティブノード)を抽出するPre−layoutシミュレーションを実行する工程と、レイアウトパターンデータに対して従来と同様の方法に従いレイアウトパターン検証を行なう工程と、Pre−layoutシミュレーション時に抽出されたアクティブノード情報に基づいて、レイアウトパターンデータより寄生素子が抽出され、レイアウトパターンデータのすべてのデバイスと抽出された寄生素子情報を含んだ寄生素子付ネットリストが生成される工程と、生成されたネットリストに基づいてPost−layoutシミュレーション(バックアノテーション)が実行される工程と、を実行するバックアノテーション方法が開示されている。 For example, in Patent Document 1, a simulation is performed, and a pre-layout simulation for extracting a node (active node) whose potential has changed is performed, and a layout pattern verification is performed on the layout pattern data according to a conventional method. And parasitic elements are extracted from the layout pattern data based on the active node information extracted during the pre-layout simulation, and the parasitic element-added net including all the elements of the layout pattern data and the extracted parasitic element information. There is disclosed a back annotation method for executing a process of generating a list and a process of executing a post-layout simulation (back annotation) based on the generated netlist.
この特許文献1の場合、電位の変化したノードに関係する寄生素子だけを抽出することで、回路規模を小さくし、シミュレーション時間を短縮しようとしている。
特許文献2では、半導体集積回路のレイアウトデータから寄生素子を含むネットリストを作成する素子抽出部と、ネットリストで規定される回路から配線間容量が接続するノードを抽出し、当該ノードの入力インピーダンスを算出する入力インピーダンス計算部と、当該入力インピーダンス値を用いて配線間容量が回路特性に与える影響を規定する指標値を求めると共に、当該指標値に基づいてネットリストから配線間容量を削除すべきか否かを判定する配線間容量要否判定部と、当該判定結果に基づいてネットリストから配線間容量を削除して、回路解析対象のネットリストを作成する配線間容量削除部とで構成されるレイアウト検出装置が開示されている。
In the case of this patent document 1, by extracting only the parasitic elements related to the node whose potential has changed, it is intended to reduce the circuit scale and shorten the simulation time.
In Patent Document 2, an element extraction unit that creates a netlist including parasitic elements from layout data of a semiconductor integrated circuit, a node to which an interwiring capacitor is connected are extracted from a circuit defined by the netlist, and an input impedance of the node Whether to calculate an index value that defines the effect of inter-wire capacitance on circuit characteristics using the input impedance value, and to delete the inter-wire capacitance from the netlist based on the index value The inter-wiring capacity necessity determining section for determining whether or not, and the inter-wiring capacity deleting section for deleting the inter-wiring capacity from the net list based on the determination result and creating a net list to be analyzed. A layout detection apparatus is disclosed.
この特許文献2の場合、入力インピーダンス値によって考慮する配線間容量を選定することで、回路規模を小さくし、シミュレーション時間を短縮しようとしている。 In the case of this patent document 2, the circuit scale is reduced and the simulation time is reduced by selecting the inter-wiring capacitance to be considered according to the input impedance value.
上述の特許文献1および特許文献2の技術は、ある判定結果に基づいて考慮する寄生素子を選定することでシミュレートする規模を減らし、シミュレーション時間を短縮しようとしている。 The techniques of Patent Document 1 and Patent Document 2 described above attempt to reduce the simulation time by selecting a parasitic element to be considered based on a certain determination result, thereby reducing the simulation time.
すなわち、特許文献1では、電位の変化したノード(アクティブノード)情報に基づいて考慮する寄生素子を限定しており、特許文献2では、配線容量が接続するノードの入力インピーダンス値から考慮する配線容量を限定している。 That is, in Patent Document 1, the parasitic elements to be considered are limited based on node (active node) information whose potential has changed, and in Patent Document 2, the wiring capacitance considered from the input impedance value of the node to which the wiring capacitance is connected. Is limited.
しかしながら、近年、さらなる半導体集積回路の大規模化に伴い、上記対策を行ったとしても抽出される寄生素子の数が増加傾向にあるため、依然としてシミュレーションに費やす時間が多大になっている現状がある。 However, in recent years, along with the further increase in the scale of semiconductor integrated circuits, the number of parasitic elements to be extracted tends to increase even if the above countermeasures are taken, so there is still a large amount of time spent for simulation. .
本発明の目的は、寄生素子を考慮した半導体集積回路のシミュレーションにおいて、シミュレーションの精度を落とさずにシミュレーション時間を短縮する技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique for shortening the simulation time without reducing the accuracy of the simulation in the simulation of the semiconductor integrated circuit in consideration of the parasitic element.
本発明の第1の観点は、寄生素子の影響を考慮する必要の無い第1回路ブロックに関する少なくとも第1ネットリストを含む特性情報を準備するステップと、
半導体集積回路のレイアウトデータから前記寄生素子を含む第2ネットリストを作成する寄生素子抽出ステップと、
前記第1ネットリストの前記第1回路ブロックと同じトポロジーを持つ第2回路ブロックのネットリストが、前記第2ネットリストに存在するか否かを判定する回路判定ステップと、
前記第2回路ブロックのネットリストが前記第2ネットリストに存在すると判定された時に、前記第2ネットリストの中の前記第2回路ブロックのネットリストの部分を、前記第1回路ブロックの前記第1ネットリストに置換して第3ネットリストを得るネットリスト置換ステップと、
前記第3ネットリストに対して回路シミュレーションを実行するシミュレーション実行ステップと、
を含む回路シミュレーション方法を提供する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a step of preparing characteristic information including at least a first netlist relating to a first circuit block that does not need to consider the influence of parasitic elements;
A parasitic element extraction step of creating a second netlist including the parasitic elements from the layout data of the semiconductor integrated circuit;
A circuit determination step for determining whether or not a netlist of a second circuit block having the same topology as the first circuit block of the first netlist exists in the second netlist;
When it is determined that the net list of the second circuit block exists in the second net list, the portion of the net list of the second circuit block in the second net list is changed to the first of the first circuit block. A netlist replacing step of replacing with one netlist to obtain a third netlist;
A simulation execution step of performing a circuit simulation on the third netlist;
A circuit simulation method is provided.
本発明の第2の観点は、寄生素子の影響を考慮する必要の無い第1回路ブロックに関する少なくとも第1ネットリストを含む特性情報を格納したデータベース部と、
半導体集積回路のレイアウトデータから前記寄生素子を含む第2ネットリストを作成する寄生素子抽出部と、
前記第1ネットリストの前記第1回路ブロックと同じトポロジーを持つ第2回路ブロックのネットリストが、前記第2ネットリストに存在するか否かを判定する回路判定部と、
前記第2回路ブロックのネットリストが前記第2ネットリストに存在すると判定された時に、前記レイアウトデータから抽出された前記第2ネットリストの中の前記第2回路ブロックのネットリストの部分を、前記第1回路ブロックの前記第1ネットリストに置換して第3ネットリストを得るネットリスト置換部と、
前記第3ネットリストに対して回路シミュレーションを実行するシミュレーション実行部と、
を含む回路シミュレーション装置を提供する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a database unit storing characteristic information including at least a first netlist relating to a first circuit block that does not need to consider the influence of parasitic elements;
A parasitic element extraction unit that creates a second netlist including the parasitic elements from layout data of the semiconductor integrated circuit;
A circuit determination unit that determines whether a net list of a second circuit block having the same topology as the first circuit block of the first net list exists in the second net list;
When it is determined that the net list of the second circuit block exists in the second net list, the portion of the net list of the second circuit block in the second net list extracted from the layout data is A net list replacement unit for replacing the first net list of the first circuit block to obtain a third net list;
A simulation execution unit for performing circuit simulation on the third netlist;
A circuit simulation apparatus is provided.
本発明によれば、寄生素子を考慮した半導体集積回路のシミュレーションにおいて、シミュレーション精度を落とさずにシミュレーション時間を短縮する技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a technique for shortening the simulation time without reducing the simulation accuracy in the simulation of the semiconductor integrated circuit in consideration of the parasitic element.
本実施の形態の第1態様は、寄生素子を考慮した半導体集積回路のシミュレーションにおいて、精度を落とさずにシミュレーション時間を短縮することのできる寄生素子抽出技術であって、半導体集積回路のレイアウトデータから寄生素子を含むネットリストを作成する寄生素子抽出部と、寄生の影響を考慮する必要の無い回路ブロック情報を格納したデータベース部と、データベース部に規定されている回路ブロックと同じトポロジーを持つ回路ブロックのネットリストが、半導体集積回路の回路データのネットリストに存在するかを判定する回路判定部と、同じ回路ブロックのネットリストが存在すると判定された時に、レイアウトデータから抽出した寄生素子を含むネットリストの中で、同じトポロジーの回路ブロックのネットリストと判断された部分を、寄生素子を含まない回路ブロックのネットリストに置換するネットリスト置換部とを備える寄生素子抽出技術を例示する。 The first aspect of the present embodiment is a parasitic element extraction technique capable of reducing the simulation time without reducing accuracy in the simulation of a semiconductor integrated circuit in consideration of parasitic elements. A parasitic element extraction unit that creates a netlist including parasitic elements, a database unit that stores circuit block information that does not need to consider the influence of parasitics, and a circuit block that has the same topology as the circuit block defined in the database unit The circuit determination unit that determines whether the netlist of the semiconductor integrated circuit exists in the netlist of the circuit data of the semiconductor integrated circuit, and the net including the parasitic element extracted from the layout data when it is determined that the netlist of the same circuit block exists. Netlist of circuit blocks with the same topology in the list The determination portion, illustrating the parasitic extraction technique and a net list replacing unit for replacing a netlist of a circuit block including no parasitic element.
本実施の形態の第2態様は、前記ネットリスト置換部において、前記回路判定部で同じ回路ブロックのネットリストが存在すると判定された時に、レイアウトデータから抽出した寄生素子を含むネットリストの中で、同じ回路ブロックのネットリストと判断された部分を、寄生素子を含まない回路ブロックのビヘイビアモデルに置換する寄生素子抽出技術を例示する。 In the second mode of the present embodiment, when the net list replacement unit determines that a net list of the same circuit block exists in the net determination unit, the net list replacement unit includes a net list including parasitic elements extracted from layout data. Then, a parasitic element extraction technique for replacing a part determined as a net list of the same circuit block with a behavioral model of a circuit block that does not include a parasitic element will be exemplified.
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
(実施の形態1)
図2は、本発明における一実施の形態である回路シミュレーション方法を実施する回路シミュレーション装置の構成および作用の一例を示すブロック図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration and operation of a circuit simulation apparatus that implements a circuit simulation method according to an embodiment of the present invention.
図3は、本発明の一実施の形態である回路シミュレーション方法および回路シミュレーション装置を実施するための情報処理装置の構成例を示す概念図である。
図3に例示されるように、本実施の形態の情報処理装置10は、データ記憶装置11、CPU12、メモリ13、入力装置14、出力装置15で構成され、これらがバス16によって互いに接続されている。
FIG. 3 is a conceptual diagram showing a configuration example of an information processing apparatus for implementing a circuit simulation method and a circuit simulation apparatus according to an embodiment of the present invention.
As illustrated in FIG. 3, the information processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a data storage device 11, a CPU 12, a memory 13, an input device 14, and an output device 15, which are connected to each other via a bus 16. Yes.
本実施の形態の後述の回路シミュレーション装置100は、コンピュータプログラムで記述された制御プログラム17を情報処理装置10において実行することで実現される。
すなわち、この制御プログラム17は、ハードディスク装置等のデータ記憶装置11に保存され、保存された制御プログラム17は、CPU12で実行されることにより、後述の寄生素子抽出部120、回路判定部160、寄生素子抽出部120、ネットリスト置換部180、回路シミュレータ190の機能を実現する。
A circuit simulation apparatus 100 described later in the present embodiment is realized by executing a control program 17 described by a computer program in the information processing apparatus 10.
In other words, the control program 17 is stored in the data storage device 11 such as a hard disk device, and the stored control program 17 is executed by the CPU 12, thereby causing a parasitic element extraction unit 120, a circuit determination unit 160, and a parasitic parameter described later. The functions of the element extraction unit 120, the net list replacement unit 180, and the circuit simulator 190 are realized.
メモリ13は、この制御プログラム17やプログラム実行時のパラメータ、演算結果などを一時的に記憶する。入力装置14は、キーボードやマウスといった、設計者の操作をCPU12に伝えるものである。 The memory 13 temporarily stores the control program 17, parameters at the time of program execution, calculation results, and the like. The input device 14 communicates the operation of the designer, such as a keyboard and a mouse, to the CPU 12.
出力装置15は、CPU12における制御プログラム17の実行後のデータである後述の解析結果200等を画面上に表示するディスプレイや、印刷するプリンタ等である。
図4Aは、本発明の一実施の形態における回路シミュレーションの対象となる半導体集積回路の一部分を簡略化して例示した回路図である。
The output device 15 is a display for displaying an analysis result 200, which will be described later, which is data after execution of the control program 17 in the CPU 12, a printer for printing, or the like.
FIG. 4A is a circuit diagram illustrating, in a simplified manner, a portion of a semiconductor integrated circuit that is a target of circuit simulation according to an embodiment of the present invention.
図4Bは、本発明の一実施の形態における回路シミュレーションの対象となる半導体集積回路のネットリストを一部分簡略化して例示した概念図である。
図5は、本発明の一実施の形態における回路シミュレーションの対象となる半導体集積回路のレイアウトの一例を示す平面図である。
FIG. 4B is a conceptual diagram illustrating a partially simplified net list of a semiconductor integrated circuit to be subjected to circuit simulation in one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing an example of a layout of a semiconductor integrated circuit to be subjected to circuit simulation in one embodiment of the present invention.
図6は、半導体集積回路のレイアウトデータから抽出した寄生素子を含むネットリストの一例を示す概念図である。
以下に具体的な実施の形態として、図4Aに示す半導体集積回路H10および図5に示す前記半導体集積回路H10に対応したレイアウトに、本実施の形態の回路シミュレーション装置100を適用した場合を説明する。
FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating an example of a netlist including parasitic elements extracted from layout data of a semiconductor integrated circuit.
As a specific embodiment, a case where the circuit simulation apparatus 100 of the present embodiment is applied to a layout corresponding to the semiconductor integrated circuit H10 shown in FIG. 4A and the semiconductor integrated circuit H10 shown in FIG. .
図4Aに例示されるように、半導体集積回路H10は、例えば、相互に接続された複数の回路ブロックH11〜H15からなる。
尚、回路図中の素子には、M1等のシンボル名と呼ばれる各素子個別に持つ名前、及びソース(S)、ゲート(G)、ドレイン(D)など各端子名が付加される。
As illustrated in FIG. 4A, the semiconductor integrated circuit H10 includes, for example, a plurality of circuit blocks H11 to H15 connected to each other.
It should be noted that each element name in the circuit diagram, such as a symbol name such as M1, and each terminal name such as source (S), gate (G), drain (D) are added.
また端子間を結ぶ配線をネットと呼び、各ネットにはネット名(例えば、net1a)と呼ばれる情報が付加される。更に各素子にはpmos、nmosなどの回路シミュレーションに用いるシミュレーションモデル名やゲート幅w,ゲート長l,並列接続数m(w=4um(マイクロメートル)、l=2um,m=1)などのデバイスのパラメータ情報が付加される。 Further, the wiring connecting the terminals is called a net, and information called a net name (for example, net1a) is added to each net. Furthermore, for each element, devices such as simulation model names such as pmos and nmos, gate width w, gate length l, and parallel connection number m (w = 4 um (micrometer), l = 2 um, m = 1), etc. Parameter information is added.
図2のレイアウトデータ110は、半導体集積回路の解析対象回路情報140を構成する回路図データ141およびネットリスト142のうち、回路図データ141に対応するレイアウトデータである。 The layout data 110 in FIG. 2 is layout data corresponding to the circuit diagram data 141 out of the circuit diagram data 141 and the netlist 142 constituting the analysis target circuit information 140 of the semiconductor integrated circuit.
レイアウトデータ110に対して、寄生素子抽出部120で回路素子と寄生素子を抽出して、寄生素子を含むネットリスト130(第2ネットリスト)を生成する。
また、回路図データ141のネットリスト142上の各素子に1対1で対応する寄生素子を含むネットリスト130上の素子情報をまとめた素子情報データ130aを生成する。
A circuit element and a parasitic element are extracted from the layout data 110 by the parasitic element extraction unit 120, and a net list 130 (second net list) including the parasitic element is generated.
Further, element information data 130a is generated in which element information on the net list 130 including parasitic elements corresponding to each element on the net list 142 of the circuit diagram data 141 on a one-to-one basis is collected.
具体的に説明すると、図5に示すレイアウトデータ110から、図4Aに示す回路素子に加えて配線部の寄生抵抗および配線間の寄生容量を抽出し、図6に示すネットリスト130と呼ばれる回路接続情報を生成する。 Specifically, from the layout data 110 shown in FIG. 5, in addition to the circuit elements shown in FIG. 4A, the parasitic resistance of the wiring part and the parasitic capacitance between the wirings are extracted, and a circuit connection called a netlist 130 shown in FIG. Generate information.
ネットリスト130には、回路図中のシンボル名131、ネット名132、シミュレーションのモデル名133、パラメータ情報134が記述される。素子の種類によってデータの内容や要素が異なる。 In the net list 130, a symbol name 131, a net name 132, a simulation model name 133, and parameter information 134 in the circuit diagram are described. Data contents and elements differ depending on the type of element.
たとえば、P型MOSFETの場合は、モデル名133にはpmosが格納され、ネット名132には端子D・端子G・端子Sに接続しているネット名であるnet3a・net2a・net1aが順番に格納され、パラメータ情報134にはゲート幅w,ゲート長l,並列接続数mの値が格納される。 For example, in the case of a P-type MOSFET, pmos is stored in the model name 133, and net3a, net2a, and net1a, which are net names connected to the terminal D, terminal G, and terminal S, are sequentially stored in the net name 132. In the parameter information 134, values of gate width w, gate length l, and parallel connection number m are stored.
図7は、図6に例示される寄生素子を含むネットリストに対応した回路図である。
図8は、回路シミュレーションの対象となる半導体集積回路のネットリストと、寄生素子を含むネットリストとのシンボル名の対応関係を示す素子情報データの概念図である。
FIG. 7 is a circuit diagram corresponding to a net list including the parasitic elements illustrated in FIG.
FIG. 8 is a conceptual diagram of element information data showing the correspondence between symbol names of a net list of a semiconductor integrated circuit to be subjected to circuit simulation and a net list including parasitic elements.
図6に示すネットリスト130を、回路図で表現すると図7になる。
図7において、図4Aから追加されたデバイスR2z,R3zが寄生抵抗、C1zが寄生容量である。
When the net list 130 shown in FIG. 6 is expressed by a circuit diagram, FIG. 7 is obtained.
In FIG. 7, devices R2z and R3z added from FIG. 4A are parasitic resistances, and C1z is a parasitic capacitance.
また、寄生素子抽出部120は、図4Bに示す回路図データのネットリスト上の素子(シンボル名:…、M1a、M2a、M3a、R1a、…)に1対1で対応する寄生素子を含むネットリスト130上の素子(シンボル名:…、M1z、M2z、M3z、R1z、…)に関する情報をまとめた素子情報データ130aを、図8に示すように生成する。 Further, the parasitic element extraction unit 120 includes a parasitic element that has a one-to-one correspondence with elements (symbol names:..., M1a, M2a, M3a, R1a,...) On the net list of the circuit diagram data illustrated in FIG. 4B. Element information data 130a in which information on elements (symbol names:..., M1z, M2z, M3z, R1z,...) On the list 130 is collected is generated as shown in FIG.
図9は、本発明の一実施の形態である回路シミュレーション方法および回路シミュレーション装置で用いられるデータベース部の構成例を示す概念図である。
図10は、データベース部に登録されたネットリストに対応した回路ブロックの例を示す概念図である。
FIG. 9 is a conceptual diagram showing a configuration example of a database unit used in the circuit simulation method and the circuit simulation apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a conceptual diagram illustrating an example of a circuit block corresponding to a netlist registered in the database unit.
図11Aは、データベース部に登録されたネットリストの構成例を示す概念図である。
図11Bは、データベース部に登録されたパラメータテーブルの構成例を示す概念図である。
FIG. 11A is a conceptual diagram illustrating a configuration example of a netlist registered in the database unit.
FIG. 11B is a conceptual diagram illustrating a configuration example of a parameter table registered in the database unit.
図11Cは、データベース部に登録された接続素子情報テーブルの構成例を示す概念図である。
図9に示すように、データベース部150は、解析対象回路情報140で定義される半導体集積回路の使用条件(電源電圧、利用周波数、接続負荷など)では、回路特性上寄生素子の影響を考慮する必要の無いと判断できる回路ブロックについて、回路ブロックのネットリスト151(第1ネットリスト)と、ネットリストの情報から作成した回路構成素子のパラメータ情報をまとめたパラメータテーブル152、および回路構成素子の端子が接続している素子情報をまとめた接続素子情報テーブル153を、対象の回路ブロックごとに格納している。
FIG. 11C is a conceptual diagram illustrating a configuration example of a connection element information table registered in the database unit.
As shown in FIG. 9, the database unit 150 considers the influence of parasitic elements on the circuit characteristics under the use conditions (power supply voltage, use frequency, connection load, etc.) of the semiconductor integrated circuit defined by the analysis target circuit information 140. The circuit block netlist 151 (first netlist), the parameter table 152 that summarizes the parameter information of the circuit components created from the netlist information, and the terminals of the circuit components for the circuit blocks that can be determined to be unnecessary The connection element information table 153 in which element information connected to is stored for each target circuit block.
具体的に説明すると、寄生素子の影響を考慮する必要ない回路ブロックとして、図10に示す回路ブロックA(第1回路ブロック)があるとする。
データベース部150には、図11Aに示す回路ブロックAのネットリスト151と、図11Bに示す回路構成素子のパラメータ情報をまとめたパラメータテーブル152と、図11Cに示す回路構成素子の端子が接続している素子情報をまとめた接続素子情報テーブル153を格納している。
More specifically, it is assumed that there is a circuit block A (first circuit block) shown in FIG. 10 as a circuit block that does not need to consider the influence of parasitic elements.
Connected to the database unit 150 are the netlist 151 of the circuit block A shown in FIG. 11A, the parameter table 152 that summarizes the parameter information of the circuit constituent elements shown in FIG. 11B, and the terminals of the circuit constituent elements shown in FIG. 11C. The connection element information table 153 in which the element information is collected is stored.
図11Aに例示されるネットリスト151のデータ構成は、上述のネットリスト130と同様である。
図11Bに例示されるように、パラメータテーブル152は、シンボル名152a(シンボル名131)とシミュレーションモデル名152b(モデル名133)の組合せに対してパラメータ情報152c(パラメータ情報134)を対応付けて格納している。
The data structure of the net list 151 illustrated in FIG. 11A is the same as that of the net list 130 described above.
As illustrated in FIG. 11B, the parameter table 152 stores parameter information 152c (parameter information 134) in association with a combination of a symbol name 152a (symbol name 131) and a simulation model name 152b (model name 133). is doing.
図11Cに例示されるように、接続素子情報テーブル153には、シンボル名153a(シンボル名131)と接続素子情報153bが対応付けて格納されている。
次に回路判定部160では、回路図データ141の回路ブロックに、データベース部150に規定されている回路ブロックと同じトポロジーを持つ回路ブロックが存在するかをチェックし、結果を置換回路ブロック素子データ170に保存する。
As illustrated in FIG. 11C, the connection element information table 153 stores a symbol name 153a (symbol name 131) and connection element information 153b in association with each other.
Next, the circuit determination unit 160 checks whether a circuit block having the same topology as the circuit block defined in the database unit 150 exists in the circuit block of the circuit diagram data 141, and the result is used as the replacement circuit block element data 170. Save to.
具体的に説明すると、回路判定部160では、データベース部150に規定されている回路ブロックAの回路素子について1つ選び、その素子のパラメータ情報と接続端子情報を取得する。 Specifically, the circuit determination unit 160 selects one circuit element of the circuit block A defined in the database unit 150, and acquires parameter information and connection terminal information of the element.
たとえば回路ブロックAのシンボル名153aとしてM1が選ばれたとし、M1のシミュレーションモデル名152bと、パラメータ情報152c(pmos,w=4um,l=2um,m=1)と、接続素子情報153b([D]:nmos[D],Resistance[R1])を取得する。 For example, if M1 is selected as the symbol name 153a of the circuit block A, the simulation model name 152b of M1, parameter information 152c (pmos, w = 4um, l = 2um, m = 1), and connecting element information 153b ([[ D]: nmos [D], Resistance [R1]).
なお、上述のM1に関する接続素子情報153b([D]:nmos[D],Resistance[R1])は、M1のD端子が、nmosのD端子とResistanceのR1端子に接続されること、を意味している。 Note that the connection element information 153b ([D]: nmos [D], Resistance [R1]) regarding M1 described above means that the D terminal of M1 is connected to the D terminal of nmos and the R1 terminal of Resistance. is doing.
次にM1と同じシミュレーションモデル名とパラメータ情報と接続素子情報を持つ素子が、半導体集積回路の回路図データのネットリストに存在するかチェックを行い、存在する場合は、その素子情報を置換回路ブロック素子データに保存する。 Next, it is checked whether or not an element having the same simulation model name, parameter information, and connecting element information as M1 exists in the net list of the circuit diagram data of the semiconductor integrated circuit. Save to element data.
具体的に説明すると、図4Aに示す半導体集積回路の回路ブロックH11(第2回路ブロック)の場合、その図4Bに例示されるネットリスト142においてまずシミュレーションモデル名142cがpmosである素子を選定し、M1aが抽出される。図4Bのネットリスト142内に他にシミュレーションモデル名142cがpmosである素子があれば、それらも抽出される。 More specifically, in the case of the circuit block H11 (second circuit block) of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4A, an element whose simulation model name 142c is pmos is first selected in the netlist 142 illustrated in FIG. 4B. , M1a is extracted. If there are other elements in the netlist 142 of FIG. 4B whose simulation model name 142c is pmos, they are also extracted.
次にその抽出された素子の中でパラメータ情報142dがw=4um,l=2um,m=1である素子を抽出する。さらにD端子のネット名142b(ネット名132の先頭の要素:M1aの場合はnet3a)を取得し、そのネット名142bがD端子のネット名132となっているnmosが存在し、またR1端子のネット名132となっているResistanceが存在する素子を抽出する。 Next, the elements whose parameter information 142d is w = 4 μm, l = 2 μm, and m = 1 are extracted from the extracted elements. Furthermore, the net name 142b of the D terminal (the first element of the net name 132: net3a in the case of M1a) is acquired, and there is nmos whose net name 142b is the net name 132 of the D terminal, and the R1 terminal The element in which the resistance having the net name 132 exists is extracted.
図4Bに例示されるネットリスト142ではシンボル名142aのM1aが上記に該当し、M1aを置換回路ブロック素子データ170に保存する。
図12Aは、本発明の一実施の形態における回路シミュレーションの対象となる半導体集積回路の他の例を簡略化して例示した回路図である。
In the net list 142 illustrated in FIG. 4B, M1a of the symbol name 142a corresponds to the above, and M1a is stored in the replacement circuit block element data 170.
FIG. 12A is a circuit diagram illustrating, in a simplified manner, another example of a semiconductor integrated circuit that is a target of circuit simulation according to an embodiment of the present invention.
図12Bは図12Aの半導体集積回路の他の例に対応したネットリストを示す概念図である。
図13Aは、本発明の一実施の形態における回路シミュレーションの対象となる半導体集積回路のさらに他の例を簡略化して例示した回路図である。
12B is a conceptual diagram showing a netlist corresponding to another example of the semiconductor integrated circuit of FIG. 12A.
FIG. 13A is a circuit diagram illustrating, in a simplified manner, still another example of a semiconductor integrated circuit to be subjected to circuit simulation in one embodiment of the present invention.
図13Bは、図13Aの半導体集積回路の他の例に対応したネットリストを示す概念図である。
図14は、本発明の一実施の形態である回路シミュレーション装置で生成される置換回路ブロック素子データの構成例を示す概念図である。
FIG. 13B is a conceptual diagram showing a netlist corresponding to another example of the semiconductor integrated circuit of FIG. 13A.
FIG. 14 is a conceptual diagram showing a configuration example of replacement circuit block element data generated by the circuit simulation apparatus according to the embodiment of the present invention.
図15は、本発明の一実施の形態である回路シミュレーション装置で回路シミュレーションされる置換後のネットリストの概念図である。
例えば図12Aに示すような回路ブロックH21〜H25からなる半導体集積回路H20の回路ブロックH21の場合は、その図12Bに例示されるネットリスト142においてシミュレーションモデル名142cがpmosのM1bが抽出されるが、そのパラメータ情報142dがw=6um,l=2um,m=1で回路ブロックAのネットリスト151のM1とは異なるため、M1bは置換回路ブロック素子データ170に保存されない。
FIG. 15 is a conceptual diagram of a netlist after replacement subjected to circuit simulation by the circuit simulation apparatus according to the embodiment of the present invention.
For example, in the case of the circuit block H21 of the semiconductor integrated circuit H20 including the circuit blocks H21 to H25 as shown in FIG. 12A, M1b whose simulation model name 142c is pmos is extracted from the netlist 142 illustrated in FIG. 12B. The parameter information 142d is w = 6 um, l = 2 um, m = 1 and is different from M1 of the netlist 151 of the circuit block A, so that M1b is not stored in the replacement circuit block element data 170.
また、図13Aに示すような回路ブロックH31〜H35からなる半導体集積回路H30の回路ブロックH31の場合は、その図13Bに例示されるネットリスト142において、シンボル名142aのM1cはシミュレーションモデル名142cとパラメータ情報142dは回路ブロックAのネットリスト151のM1と同じであるが、M1cのD端子のネット名142bのnet3cがR1端子のネット名となっているResistanceが存在しないため、M1cは置換回路ブロック素子データ170に保存されない。 In the case of the circuit block H31 of the semiconductor integrated circuit H30 including the circuit blocks H31 to H35 as shown in FIG. 13A, in the netlist 142 illustrated in FIG. 13B, M1c of the symbol name 142a is the simulation model name 142c. The parameter information 142d is the same as M1 of the netlist 151 of the circuit block A, but there is no Resistance in which the net3c of the net name 142b of the D terminal of M1c is the net name of the R1 terminal, and therefore M1c is a replacement circuit block. It is not stored in the element data 170.
続いて回路ブロックAのM1に接続されている素子について、上記と同様にシミュレーションモデル名151cとパラメータ情報151dと接続素子情報153bを取得し、同じ情報を持っているかのチェックを行い、存在する場合は、その素子情報を追加して保存する。 Subsequently, for the element connected to M1 of the circuit block A, the simulation model name 151c, the parameter information 151d, and the connection element information 153b are obtained in the same manner as described above, and whether or not they have the same information is checked. Adds the element information and saves it.
具体的に説明すると、データベース部150に規定されている回路ブロックAのM1に接続しているnmosであるM2と、resistanceであるR1に対して順番に、シミュレーションモデル名151cとパラメータ情報151dと接続素子情報153bを取得し、回路図データ141である図4Aに示す半導体集積回路のM1aに接続しているnmosであるM2aと、resistanceであるR1aに対して同じシミュレーションモデル名142cとパラメータ情報142dと接続素子情報153bを持っているかチェック行う。 More specifically, the simulation model name 151c and the parameter information 151d are connected in order with respect to M2 which is nmos connected to M1 of the circuit block A defined in the database unit 150 and R1 which is resistance. The element information 153b is acquired, and the same simulation model name 142c and parameter information 142d are obtained for M2a which is nmos connected to M1a of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4A as the circuit diagram data 141, and R1a which is resistance. It is checked whether the connection element information 153b is possessed.
この結果、存在していた場合は先ほど保存したM1aに追加してM2aとR1aを置換回路ブロック素子データ170に保存する。仮に存在しなかった場合は、M1aをデータベースから削除し、回路ブロックAに対する判定を終了する。 As a result, if it exists, M2a and R1a are stored in the replacement circuit block element data 170 in addition to the previously stored M1a. If it does not exist, M1a is deleted from the database, and the determination for the circuit block A ends.
次に上記と同じことを繰り返し、さきほどチェックしたM2とR1に接続している素子についてシミュレーションモデル名151cとパラメータ情報151dと接続素子情報153bを取得し、回路図データ141(ネットリスト142)が同じ情報をもっているかチェックを行う。 Next, the same as above is repeated, and the simulation model name 151c, parameter information 151d, and connection element information 153b are acquired for the elements connected to M2 and R1 checked earlier, and the circuit diagram data 141 (net list 142) is the same. Check if you have the information.
このとき、すでにチェックを実施し置換回路ブロック素子データ170に保存されている素子(M1a,M2a,R1a)についてはチェックを行わない。
これを繰り返すことで、最終的に、解析対象回路情報140のネットリスト142に、データベース部150に登録された回路ブロックと同じトポロジーの回路ブロックが存在すれば、置換回路ブロック素子データ170として保存されることになる。
At this time, the elements (M1a, M2a, R1a) already checked and stored in the replacement circuit block element data 170 are not checked.
By repeating this process, if a circuit block having the same topology as the circuit block registered in the database unit 150 exists in the net list 142 of the analysis target circuit information 140, it is saved as replacement circuit block element data 170. Will be.
今回の場合は図14に示すように、M1a,M2a,M3a,R1aが置換回路ブロック素子データ170として保存される。
置換回路ブロック素子データ170では、回路ブロック名171と、置換回路ブロック素子名172が対応付けて格納されている。
In this case, as shown in FIG. 14, M1a, M2a, M3a, and R1a are stored as replacement circuit block element data 170.
In the replacement circuit block element data 170, a circuit block name 171 and a replacement circuit block element name 172 are stored in association with each other.
データベース部150に複数の回路ブロックが登録されている場合は、上記チェックを回路ブロックごとに実行する。
ネットリスト置換部180では、置換回路ブロック素子データ170にデータが保存されていた場合、寄生素子を含むネットリスト130の中の同じ回路ブロックと判定された部分を寄生を含まないデータベース部150内に規定されている該当のネットリスト151に置換する。
When a plurality of circuit blocks are registered in the database unit 150, the above check is executed for each circuit block.
In the net list replacement unit 180, when the data is stored in the replacement circuit block element data 170, the part determined to be the same circuit block in the net list 130 including the parasitic elements is stored in the database unit 150 including no parasitics. Replace with the specified netlist 151.
具体的に説明すると、置換回路ブロック素子データ170には上記結果から図4Bに示すネットリスト142の中で、データベース部150に規定されている回路ブロックと同じトポロジーを持つ回路ブロックの素子情報(M1a,M2a,M3a,R1a)が保存されている。 More specifically, the replacement circuit block element data 170 includes element information (M1a) of the circuit block having the same topology as the circuit block defined in the database unit 150 in the net list 142 shown in FIG. , M2a, M3a, R1a).
寄生素子抽出部120がネットリスト130から生成した図8に示す素子情報データ130aの対応表を使用し、図6に示す寄生素子を含むネットリスト130の中で、(M1a,M2a,M3a,R1a)に対応する素子(M1z,M2z,M3z,R1z)を抽出する。 The parasitic element extraction unit 120 uses the correspondence table of the element information data 130a shown in FIG. 8 generated from the net list 130. In the net list 130 including the parasitic elements shown in FIG. 6, (M1a, M2a, M3a, R1a ) Are extracted (M1z, M2z, M3z, R1z).
さらに、それら素子のネット名132を図6のネットリスト130から抽出しM1z:(net3z,net2z,net1z)、M2z:(net4z,net5z,net6z)、M3z:(net10z,net9z,net11z)、R1z:(net7z,net8z)を取得する。 Further, the net names 132 of these elements are extracted from the net list 130 of FIG. (Net7z, net8z) is acquired.
図6に示す寄生素子を含むネットリスト130の中で上記ネット名を1つずつ検索し、そのネット名を持つシンボル名131で寄生素子のモデル名であるp_resやp_capをモデル名133として持つものを抽出する。 The above net names are searched one by one in the net list 130 including parasitic elements shown in FIG. 6, and the model name 133 of the parasitic element model name p_res or p_cap is obtained with the symbol name 131 having the net name. To extract.
具体的に説明すると、まずM1zのnet3zについてネットリスト130内を検索し、net3zを持つR2zが検索され、さらにそのモデル名133を取得した結果、寄生素子のモデル名133であるp_resであることから、R2zを抽出する。 More specifically, first, the net list 130 of M1z is searched in the net list 130, R2z having net3z is searched, and the model name 133 is acquired. As a result, the model name 133 of the parasitic element is p_res. , R2z is extracted.
続いてM1zのその他のネット名132や、M2zなどのその他の素子のネット名132についても、同様に行う。
その結果、図6に示すネットリスト130の場合、寄生素子(R2z,R3z,C1z)を抽出する。
Subsequently, the same is performed for the other net names 132 of M1z and the net names 132 of other elements such as M2z.
As a result, in the case of the netlist 130 shown in FIG. 6, parasitic elements (R2z, R3z, C1z) are extracted.
次に上記で抽出した素子(M1z,M2z,M3z,R1z,R2z,R3z,C1z)を寄生を含むネットリスト130から削除し、データベース部150に保存している回路ブロックAの図11Aに例示されるネットリスト151を追記する。 Next, the elements (M1z, M2z, M3z, R1z, R2z, R3z, C1z) extracted above are deleted from the netlist 130 including parasitics and are exemplified in FIG. 11A of the circuit block A stored in the database unit 150. The netlist 151 is added.
このとき、回路ブロックAから外の回路ブロックに繋がるネットについては、ネット名151bを置換して、回路の接続情報に矛盾がないように修正する。
具体的に説明すると、図11Aで外の回路ブロックに接続するネット名(net1,net2,net4,net5,net7,net8)については、まずネット名151bを1つずつ取得し(例:net1)、そのネット名151bを持つシンボル名151aと接続端子名をネットリスト151と接続素子情報テーブル153から取得(例:シンボル名 M1、接続素子名 S)する。
At this time, for the net connected to the circuit block A from the circuit block A, the net name 151b is replaced and the circuit connection information is corrected so that there is no contradiction.
More specifically, for the net names (net1, net2, net4, net5, net7, net8) connected to the external circuit block in FIG. 11A, first, net names 151b are obtained one by one (example: net1). The symbol name 151a having the net name 151b and the connection terminal name are obtained from the net list 151 and the connection element information table 153 (eg, symbol name M1, connection element name S).
次に図6の寄生を含むネットリスト130の中でそのシンボルに対応するシンボル(M1z)を抽出し、さらに上記で抽出した接続端子名(S)のネット名(net1z)を取得する。その他のネットについても同様に対応するネット名を取得する。 Next, the symbol (M1z) corresponding to the symbol is extracted from the net list 130 including the parasitic in FIG. 6, and the net name (net1z) of the connection terminal name (S) extracted above is acquired. For other nets, the corresponding net names are obtained in the same manner.
これによって図11Aのネットリスト151で外の回路ブロックに接続するネット名(net1,net2,net4,net5,net7,net8)について、図7でそれらに対応するネット名(net1z,net2z,net5z,net6z,net10z,net11z)を取得し、それぞれ変換する。 As a result, the net names (net1, net2, net4, net5, net7, net8) connected to the other circuit blocks in the net list 151 of FIG. 11A are shown in FIG. 7, and the net names (net1z, net2z, net5z, net6z) corresponding to them. , Net10z, net11z) and convert them respectively.
以上を実施した結果、寄生素子を含むネットリスト130は図15に示すネットリスト130Z(第3ネットリスト)のように内容が変更される。図8に示した寄生素子抽出部120で作成したネットリスト130と比較すると、寄生素子が削除されたネットリスト130Zになっていることがわかる。 As a result of the above, the contents of the net list 130 including parasitic elements are changed as in the net list 130Z (third net list) shown in FIG. Compared with the net list 130 created by the parasitic element extraction unit 120 shown in FIG. 8, it can be seen that the net list 130Z has the parasitic elements deleted.
つまり、ネットリスト置換部180では、寄生素子を含むネットリスト130から、データベース部150で規定されている回路ブロック情報を元に、必要のないと考えられる回路ブロックに対して寄生素子を削除したネットリスト130Zに編集されており、ネットリスト130Zの規模がネットリスト130よりも小さくなっている。 That is, the netlist replacement unit 180 removes the parasitic elements from the netlist 130 including the parasitic elements from the circuit blocks that are considered unnecessary based on the circuit block information defined by the database unit 150. The list 130Z is edited, and the scale of the net list 130Z is smaller than that of the net list 130.
そして、回路シミュレータ190は、このネットリスト130Zを入力して回路シミュレーションを実行し、解析結果200を出力する。
このとき、ネットリスト130Zの規模がネットリスト130よりもはるかに小さいため、シミュレーション時間は大幅に短縮されるとともに、解析結果200の精度が低下することもない。
The circuit simulator 190 inputs the netlist 130Z, executes circuit simulation, and outputs an analysis result 200.
At this time, since the scale of the net list 130Z is much smaller than that of the net list 130, the simulation time is greatly shortened and the accuracy of the analysis result 200 is not lowered.
すなわち、回路シミュレータ190では、不要(冗長)な寄生素子を含まない小規模のネットリスト130Zを用いてシミュレーションを行うことにより、寄生素子を含むネットリスト130を使用してシミュレーションした解析結果に対し、解析結果200の精度を落とさずにシミュレーション時間を短縮できる。 That is, in the circuit simulator 190, by performing a simulation using a small netlist 130Z that does not include unnecessary (redundant) parasitic elements, an analysis result simulated using the netlist 130 including parasitic elements is obtained. The simulation time can be shortened without reducing the accuracy of the analysis result 200.
(実施の形態2)
図16は、本発明の他の実施の形態である回路シミュレーション方法および回路シミュレーション装置で用いられるデータベース部の構成例を示す概念図である。
(Embodiment 2)
FIG. 16 is a conceptual diagram showing a configuration example of a database unit used in a circuit simulation method and a circuit simulation apparatus according to another embodiment of the present invention.
図17Aは、本発明の他の実施の形態である回路シミュレーション方法および回路シミュレーション装置で用いられる置換対象のビヘイビアモデルを例示した概念図である。
図17Bは、図17Aの置換対象のビヘイビアモデルに対応するネットリストを例示した概念図である。
FIG. 17A is a conceptual diagram illustrating a behavior model to be replaced used in a circuit simulation method and a circuit simulation apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 17B is a conceptual diagram illustrating a netlist corresponding to the behavior model to be replaced in FIG. 17A.
図18Aは、本発明の他の実施の形態である回路シミュレーション装置で回路シミュレーションされる半導体集積回路を一部簡略化した回路図である。
図18Bは、図18Aの回路図に対応したネットリストの一例を示す概念図である。
FIG. 18A is a circuit diagram in which a part of a semiconductor integrated circuit subjected to circuit simulation by a circuit simulation apparatus according to another embodiment of the present invention is simplified.
FIG. 18B is a conceptual diagram illustrating an example of a netlist corresponding to the circuit diagram of FIG. 18A.
図19は、図18Aの半導体集積回路のレイアウトデータから生成される寄生素子を含むネットリストの一例を示す概念図である。
図20は、図19のネットリストに対応した回路ブロックの回路図である。
FIG. 19 is a conceptual diagram showing an example of a net list including parasitic elements generated from the layout data of the semiconductor integrated circuit of FIG. 18A.
FIG. 20 is a circuit diagram of a circuit block corresponding to the net list of FIG.
図21は、冗長な寄生素子を除外したネットリストに対応するビヘイビアモデルの一例を示す概念図である。
この実施の形態2では、回路シミュレータ190が、例えば、Verilog−AMS等のアナログ回路の動作を記述する言語におけるビヘイビアモデルによってネットリストを記述して回路シミュレーションを実行する場合に適用した例を示す。
FIG. 21 is a conceptual diagram illustrating an example of a behavior model corresponding to a netlist excluding redundant parasitic elements.
In the second embodiment, an example is shown in which the circuit simulator 190 is applied to execute a circuit simulation by describing a net list by a behavior model in a language describing the operation of an analog circuit such as Verilog-AMS.
すなわち、この実施の形態2では、寄生素子を考慮した半導体集積回路のシミュレーションにおいて、上述の図2に例示したデータベース部150の代わりに、図16に例示されるデータベース部150Aを用いる。 That is, in the second embodiment, the database unit 150A illustrated in FIG. 16 is used in place of the database unit 150 illustrated in FIG. 2 in the simulation of the semiconductor integrated circuit considering the parasitic elements.
この図16に例示されるデータベース部150Aには、これまでの設計経験から回路特性上寄生素子の影響を考慮する必要の無いと判断できる回路ブロックB(第1回路ブロック)について、該当回路ブロックのネットリスト151と、回路構成素子のパラメータ情報をまとめたパラメータテーブル152と、回路構成素子の端子が接続している素子情報をまとめた接続素子情報テーブル153の他に、さらに回路ブロックBのネットリスト151をVerilog−AMSなどの言語仕様に準拠したビヘイビアモデル154に置換した情報が格納されている。 The database unit 150A illustrated in FIG. 16 includes a circuit block B (first circuit block) that can be determined from the design experience so far that it is not necessary to consider the influence of parasitic elements on the circuit characteristics. In addition to the net list 151, the parameter table 152 that summarizes the parameter information of the circuit constituent elements, and the connection element information table 153 that summarizes the element information to which the terminals of the circuit constituent elements are connected, the net list of the circuit block B Information in which 151 is replaced with a behavior model 154 conforming to a language specification such as Verilog-AMS is stored.
Verilog−AMSは、図17Aに示すようにアナログ回路の動作を記述する言語である。トランジスタレベルで作成されたネットリスト151をVerilog−AMSを使用した言語記述のビヘイビアモデル154で表現することによって、より高速にシミュレートできる。 Verilog-AMS is a language that describes the operation of an analog circuit as shown in FIG. 17A. By expressing the netlist 151 created at the transistor level with a behavioral model 154 of a language description using Verilog-AMS, simulation can be performed at higher speed.
レイアウトデータ110からの寄生素子を含んだネットリスト130の抽出から、解析対象回路情報140の回路図データ141(ネットリスト142)の回路ブロックの中で、データベース部150に規定されている回路ブロックBと同じトポロジーを持つ回路ブロックが存在するかをチェックする回路判定部160と、その出力結果である置換回路ブロック素子データ170の保存までの動作は、上述の実施の形態1と同じである。 From the extraction of the net list 130 including parasitic elements from the layout data 110, the circuit block B defined in the database unit 150 among the circuit blocks of the circuit diagram data 141 (net list 142) of the analysis target circuit information 140. The circuit determination unit 160 that checks whether there is a circuit block having the same topology and the operation until the replacement circuit block element data 170 that is the output result is stored are the same as those in the first embodiment.
そして、この実施の形態2の場合、置換回路ブロック素子データ170としてデータが存在する場合に、ネットリスト置換部180において寄生素子を含むネットリスト130の中の、回路ブロックBと同じ回路ブロックと判定された部分を、寄生を含まない回路ブロックBのビヘイビアモデルに置換する。 In the case of the second embodiment, when data exists as the replacement circuit block element data 170, the net list replacement unit 180 determines that the circuit block B is the same as the circuit block B in the net list 130 including the parasitic elements. The portion thus replaced is replaced with a behavior model of the circuit block B that does not include parasitics.
図18Aに示すような複数の回路ブロックH41〜H45からなる半導体集積回路H40の一つの回路ブロックH41(第2回路ブロック)において寄生素子を抽出した図19のネットリスト130(第2ネットリスト)およびそれを回路図にした図20を使用して具体的に説明する。 A netlist 130 (second netlist) of FIG. 19 in which parasitic elements are extracted in one circuit block H41 (second circuit block) of a semiconductor integrated circuit H40 including a plurality of circuit blocks H41 to H45 as shown in FIG. This will be specifically described with reference to FIG. 20 which is a circuit diagram.
置換回路ブロック素子データ170には図18Bに示すネットリスト142の中で、データベース部150に規定されている図17Aに示す回路ブロックBと同じトポロジーを持つ回路ブロックの素子情報(M1a,M2a)が保存されている。 The replacement circuit block element data 170 includes element information (M1a, M2a) of a circuit block having the same topology as the circuit block B shown in FIG. 17A defined in the database unit 150 in the net list 142 shown in FIG. 18B. Saved.
ネットリスト130で生成した対応表を使用し、図19に示す寄生素子を含むネットリスト130の中で、(M1a,M2a)に対応する素子(M1z,M2z)を抽出する。
さらに、それら素子のネット名132を図19のネットリスト130から抽出し、M1z:(outz,inz,vddz)、M2z:(net1z,inz,gndz)を取得する。
Using the correspondence table generated by the net list 130, the elements (M1z, M2z) corresponding to (M1a, M2a) are extracted from the net list 130 including the parasitic elements shown in FIG.
Further, the net names 132 of these elements are extracted from the net list 130 of FIG. 19, and M1z: (outz, inz, vddz) and M2z: (net1z, inz, gndz) are acquired.
図19に示す寄生素子を含むネットリスト130の中で上記ネット名132を1つずつ検索し、そのネット名132を持つシンボルで寄生素子のモデル名133であるp_resやp_capをモデル名133として持つものを抽出する。 The net names 132 are searched one by one in the net list 130 including parasitic elements shown in FIG. 19, and the model name 133 of the parasitic element model name 133 is obtained as a model name 133 with the symbol having the net name 132. Extract things.
具体的に説明すると、まずM1zのoutzについて図19のネットリスト130内を検索し、outzを持つR1zが検索され、さらに、そのモデル名133を取得した結果、寄生素子のモデル名133であるp_resであることから、R1zを抽出する。 More specifically, first, the M1z outz is searched in the netlist 130 of FIG. 19 to search for R1z having outz, and as a result of obtaining the model name 133, p_res which is the model name 133 of the parasitic element Therefore, R1z is extracted.
続いてM1zのその他のネット名や、M2zなどのその他の素子のネット名についても、同様に行う。
その結果、図19に示すネットリスト130の場合、寄生素子(R1z)を抽出する。
Subsequently, the same operation is performed for other net names of M1z and net names of other elements such as M2z.
As a result, in the case of the netlist 130 shown in FIG. 19, the parasitic element (R1z) is extracted.
次に上記で抽出した素子(M1z,M2z,R1z)を、寄生を含むネットリスト130から削除し、データベース部150に登録している回路ブロックBのビヘイビアモデル154の図17Bに例示されるネットリスト151を追記する。 Next, the elements (M1z, M2z, R1z) extracted above are deleted from the net list 130 including parasitics, and the net list exemplified in FIG. 17B of the behavior model 154 of the circuit block B registered in the database unit 150. 151 is added.
このとき、回路ブロックBから外の回路ブロックに繋がるネットについては、ネット名151bを置換して、回路の接続情報に矛盾がないように修正する。
具体的に説明すると、図17Aで外の回路ブロックに接続するネット(vdd,in,out,gnd)については、まずネット名151bを1つずつ取得し(例:vdd)、そのネット名151bを持つシンボル名151aと接続端子名をネットリスト151から取得(例:シンボル名 M1、接続素子名 S)する。
At this time, for the net connected from the circuit block B to the other circuit block, the net name 151b is replaced so that the connection information of the circuit is not inconsistent.
More specifically, for nets (vdd, in, out, gnd) connected to an external circuit block in FIG. 17A, first, one net name 151b is acquired (eg, vdd), and the net name 151b is obtained. The symbol name 151a and the connection terminal name are acquired from the net list 151 (for example, symbol name M1, connection element name S).
次に寄生素子を含むネットリスト130の中でそのシンボル名131に対応するシンボル(M1z)を抽出し、さらに上記で抽出した接続端子名(S)のネット名(vddz)を取得する。その他のネット名についても同様に対応するネットを取得する。 Next, the symbol (M1z) corresponding to the symbol name 131 is extracted from the net list 130 including parasitic elements, and the net name (vddz) of the connection terminal name (S) extracted above is acquired. For other net names, corresponding nets are acquired in the same manner.
これによって図17Aで外の回路ブロックに接続するネット(vdd,in,out,gnd)について、図19のネットリスト130でそれらに対応するネット名132(vddz,inz,outz,gndz)を取得し、それぞれ変換する。 As a result, the net names 132 (vddz, inz, outz, gndz) corresponding to the nets (vdd, in, out, gnd) connected to the external circuit block in FIG. 17A are acquired from the net list 130 of FIG. , Convert each.
以上を実施した結果、寄生素子を含むネットリスト130(ビヘイビアモデル130M)は、図21に示すビヘイビアモデル130MZのように内容が変更される。
図19に示したネットリスト130(ビヘイビアモデル130M)と比較すると、寄生素子が削除されたビヘイビアモデル130MZのネットリストになっていることがわかる。
As a result of performing the above, the contents of the netlist 130 (behavior model 130M) including parasitic elements are changed like the behavior model 130MZ shown in FIG.
Compared with the net list 130 (behavior model 130M) shown in FIG. 19, it can be seen that the net list is a behavior model 130MZ from which parasitic elements are deleted.
そして、このビヘイビアモデル130MZのネットリストに対して回路シミュレータ190は、回路シミュレーションを実行し、解析結果200を出力する。
この場合、ビヘイビアモデル130MZは、冗長な寄生素子の情報を含まないので、回路シミュレータ190における回路シミュレーションが高速化されるとともに、解析結果200の精度が低下することもない。
Then, the circuit simulator 190 executes circuit simulation on the net list of the behavior model 130MZ and outputs an analysis result 200.
In this case, the behavior model 130MZ does not include information on redundant parasitic elements, so that the circuit simulation in the circuit simulator 190 is accelerated and the accuracy of the analysis result 200 is not reduced.
すなわち、本実施の形態2の場合には、回路シミュレータ190においてビヘイビアモデル用いてネットリストを記述して回路シミュレーションを行う場合において、寄生素子を含むネットリスト130を使用して回路シミュレーションした解析結果に比較して、解析結果200の精度を落とさずにシミュレーション時間を短縮できる効果がある。 That is, in the case of the second embodiment, when a circuit simulation is performed by describing a net list using a behavior model in the circuit simulator 190, an analysis result obtained by circuit simulation using the net list 130 including parasitic elements is obtained. In comparison, the simulation time can be shortened without lowering the accuracy of the analysis result 200.
以上説明したように、本発明の各実施の形態によれば、半導体集積回路のレイアウトデータから抽出した寄生素子を含むネットリストに、寄生素子の影響を考慮する必要の無い回路ブロックが存在した場合に、寄生素子を含むネットリストを、寄生を含まない回路ブロックのネットリストに置換することで、不要な寄生素子を削除しネットリストを簡素化してシミュレーション時間を短縮することが可能である。 As described above, according to each embodiment of the present invention, when there is a circuit block that does not need to consider the influence of the parasitic element in the netlist including the parasitic element extracted from the layout data of the semiconductor integrated circuit. In addition, by replacing the net list including parasitic elements with a net list of a circuit block that does not include parasitic elements, unnecessary parasitic elements can be deleted, the net list can be simplified, and the simulation time can be shortened.
また半導体集積回路のレイアウトデータから抽出した寄生素子を含むネットリストに、寄生素子の影響を考慮する必要の無い回路ブロックが存在した場合に、寄生素子を含むネットリストを、寄生素子を含まない回路ブロックのビヘイビアモデルに置換することで、さらにシミュレーション時間を短縮することが可能である。 In addition, when there is a circuit block that does not need to consider the influence of parasitic elements in the net list that includes parasitic elements extracted from the layout data of the semiconductor integrated circuit, the net list that includes parasitic elements is not included in the circuit that does not include parasitic elements. It is possible to further reduce the simulation time by replacing with a behavior model of the block.
なお、本発明は、上述の実施の形態に例示した構成に限らず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the configuration exemplified in the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
10 情報処理装置
11 データ記憶装置
12 CPU
13 メモリ
14 入力装置
15 出力装置
16 バス
17 制御プログラム
100 回路シミュレーション装置
110 レイアウトデータ
120 寄生素子抽出部
130 ネットリスト
130Z ネットリスト
130M ビヘイビアモデル
130MZ ビヘイビアモデル
130a 素子情報データ
131 シンボル名
132 ネット名
133 モデル名
134 パラメータ情報
140 解析対象回路情報
141 回路図データ
142 ネットリスト
142a シンボル名
142b ネット名
142c シミュレーションモデル名
142d パラメータ情報
150 データベース部
150A データベース部
151 ネットリスト
151a シンボル名
151b ネット名
151c シミュレーションモデル名
151d パラメータ情報
152 パラメータテーブル
152a シンボル名
152b シミュレーションモデル名
152c パラメータ情報
153 接続素子情報テーブル
153a シンボル名
153b 接続素子情報
154 ビヘイビアモデル
160 回路判定部
170 置換回路ブロック素子データ
171 回路ブロック名
172 置換回路ブロック素子名
180 ネットリスト置換部
190 回路シミュレータ
200 解析結果
H10 半導体集積回路
H11〜H15 回路ブロック
H20 半導体集積回路
H21〜H25 回路ブロック
H30 半導体集積回路
H31〜H35 回路ブロック
H40 半導体集積回路
H41〜H45 回路ブロック
10 Information processing device 11 Data storage device 12 CPU
13 Memory 14 Input device 15 Output device 16 Bus 17 Control program 100 Circuit simulation device 110 Layout data 120 Parasitic element extraction unit 130 Netlist 130Z Netlist 130M Behavior model 130MZ Behavior model 130a Element information data 131 Symbol name 132 Net name 133 Model name 134 Parameter information 140 Analysis target circuit information 141 Circuit diagram data 142 Net list 142a Symbol name 142b Net name 142c Simulation model name 142d Parameter information 150 Database unit 150A Database unit 151 Net list 151a Symbol name 151b Net name 151c Simulation model name 151d Parameter information 152 Parameter table 152a Symbol name 1 2b Simulation model name 152c Parameter information 153 Connection element information table 153a Symbol name 153b Connection element information 154 Behavior model 160 Circuit determination unit 170 Replacement circuit block element data 171 Circuit block name 172 Replacement circuit block element name 180 Netlist replacement unit 190 Circuit simulator 200 Analysis Result H10 Semiconductor Integrated Circuits H11 to H15 Circuit Block H20 Semiconductor Integrated Circuits H21 to H25 Circuit Block H30 Semiconductor Integrated Circuits H31 to H35 Circuit Block H40 Semiconductor Integrated Circuits H41 to H45 Circuit Block
Claims (6)
半導体集積回路のレイアウトデータから前記寄生素子を含む第2ネットリストを作成する寄生素子抽出ステップと、
前記第1ネットリストの前記第1回路ブロックと同じトポロジーを持つ第2回路ブロックのネットリストが、前記第2ネットリストに存在するか否かを判定する回路判定ステップと、
前記第2回路ブロックのネットリストが前記第2ネットリストに存在すると判定された時に、前記第2ネットリストの中の前記第2回路ブロックのネットリストの部分を、前記第1回路ブロックの前記第1ネットリストに置換して第3ネットリストを得るネットリスト置換ステップと、
前記第3ネットリストに対して回路シミュレーションを実行するシミュレーション実行ステップと、
を含むことを特徴とする回路シミュレーション方法。 Preparing characteristic information including at least a first netlist for a first circuit block that does not need to consider the effects of parasitic elements;
A parasitic element extraction step of creating a second netlist including the parasitic elements from the layout data of the semiconductor integrated circuit;
A circuit determination step for determining whether or not a netlist of a second circuit block having the same topology as the first circuit block of the first netlist exists in the second netlist;
When it is determined that the net list of the second circuit block exists in the second net list, the portion of the net list of the second circuit block in the second net list is changed to the first of the first circuit block. A netlist replacing step of replacing with one netlist to obtain a third netlist;
A simulation execution step of performing a circuit simulation on the third netlist;
A circuit simulation method comprising:
前記シミュレーション実行ステップでは、回路の入出力特性をプログラム言語で記述したビヘイビアモデルを用いて前記回路シミュレーションを実行する場合、
前記ネットリスト置換ステップでは、前記第2ネットリストの中の前記第2回路ブロックのネットリストの部分を、前記第1回路ブロックの前記第1ネットリストに対応したビヘイビアモデルに置換することを特徴とする回路シミュレーション方法。 The circuit simulation method according to claim 1,
In the simulation execution step, when executing the circuit simulation using a behavior model describing the input / output characteristics of the circuit in a program language,
In the net list replacing step, the net list portion of the second circuit block in the second net list is replaced with a behavior model corresponding to the first net list of the first circuit block. Circuit simulation method.
前記特性情報として、さらに、個々の前記第1回路ブロックの回路構成素子のパラメータ情報が格納されたパラメータテーブル、および前記回路構成素子の端子が接続している素子情報が格納された接続素子情報テーブルを準備することを特徴とする回路シミュレーション方法。 The circuit simulation method according to claim 1,
As the characteristic information, a parameter table storing parameter information of circuit constituent elements of each of the first circuit blocks, and a connecting element information table storing element information to which terminals of the circuit constituent elements are connected. A circuit simulation method comprising: preparing a circuit.
半導体集積回路のレイアウトデータから前記寄生素子を含む第2ネットリストを作成する寄生素子抽出部と、
前記第1ネットリストの前記第1回路ブロックと同じトポロジーを持つ第2回路ブロックのネットリストが、前記第2ネットリストに存在するか否かを判定する回路判定部と、
前記第2回路ブロックのネットリストが前記第2ネットリストに存在すると判定された時に、前記レイアウトデータから抽出された前記第2ネットリストの中の前記第2回路ブロックのネットリストの部分を、前記第1回路ブロックの前記第1ネットリストに置換して第3ネットリストを得るネットリスト置換部と、
前記第3ネットリストに対して回路シミュレーションを実行するシミュレーション実行部と、
を含むことを特徴とする回路シミュレーション装置。 A database unit storing characteristic information including at least a first netlist relating to a first circuit block that does not need to consider the influence of parasitic elements;
A parasitic element extraction unit that creates a second netlist including the parasitic elements from layout data of the semiconductor integrated circuit;
A circuit determination unit that determines whether a net list of a second circuit block having the same topology as the first circuit block of the first net list exists in the second net list;
When it is determined that the net list of the second circuit block exists in the second net list, the portion of the net list of the second circuit block in the second net list extracted from the layout data is A net list replacement unit for replacing the first net list of the first circuit block to obtain a third net list;
A simulation execution unit for performing circuit simulation on the third netlist;
A circuit simulation apparatus comprising:
前記シミュレーション実行部では、回路の入出力特性をプログラム言語で記述したビヘイビアモデルを用いて前記回路シミュレーションを実行する場合、
前記ネットリスト置換部では、前記第2ネットリストの中の前記第2回路ブロックのネットリストの部分を、前記第1回路ブロックの前記第1ネットリストに対応したビヘイビアモデルに置換することを特徴とする回路シミュレーション装置。 The circuit simulation apparatus according to claim 4,
In the simulation execution unit, when executing the circuit simulation using a behavior model describing the input / output characteristics of the circuit in a program language,
The net list replacement unit replaces the net list portion of the second circuit block in the second net list with a behavior model corresponding to the first net list of the first circuit block. Circuit simulation device.
前記特性情報は、さらに、個々の前記第1回路ブロックの回路構成素子のパラメータ情報が格納されたパラメータテーブル、および前記回路構成素子の端子が接続している素子情報が格納された接続素子情報テーブルを含むことを特徴とする回路シミュレーション装置。 The circuit simulation apparatus according to claim 4,
The characteristic information further includes a parameter table storing parameter information of circuit constituent elements of each of the first circuit blocks, and a connection element information table storing element information to which terminals of the circuit constituent elements are connected. A circuit simulation apparatus comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JP2012221389A true JP2012221389A (en) | 2012-11-12 |
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