JP2012209373A - Bump formation method and capillary used in the bump formation method - Google Patents

Bump formation method and capillary used in the bump formation method Download PDF

Info

Publication number
JP2012209373A
JP2012209373A JP2011072848A JP2011072848A JP2012209373A JP 2012209373 A JP2012209373 A JP 2012209373A JP 2011072848 A JP2011072848 A JP 2011072848A JP 2011072848 A JP2011072848 A JP 2011072848A JP 2012209373 A JP2012209373 A JP 2012209373A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
wire
forming method
bump forming
bump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011072848A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Uchida
祥久 内田
Minoru Egusa
稔 江草
Masaaki Sato
正章 佐藤
Yasunari Hino
泰成 日野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2011072848A priority Critical patent/JP2012209373A/en
Publication of JP2012209373A publication Critical patent/JP2012209373A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a bump formation method which forms a tail having a stable length.SOLUTION: In a bump formation method, a bump 5 is formed on a pad 2 of a semiconductor element 1 or on a lead frame 10. In the bump formation method, a ball 7 is formed on a tip of a metal wire 4 inserted into a capillary 6, and the ball 7 is joined to a bump formation part by the capillary 6. Then, the capillary 6 is horizontally moved and the metal wire 4 is cut from the ball 7. The cut part of the metal wire 4 is stitch-bonded to the pad 2 or the lead frame 10 to form a tail 9.

Description

この発明は、ワイヤボンディングによりバンプを形成する方法と、それに用いられるキャピラリに関するものである。   The present invention relates to a method of forming bumps by wire bonding and a capillary used therefor.

従来のバンプ形成方法では、キャピラリに通したＡｕワイヤの先端にボールを形成し、キャピラリを下降させてボールを半導体素子のパット上に接合してバンプを形成する。次に、キャピラリ先端の平坦部をバンプの上面に押し付けることにより、バンプに繋がっているＡｕワイヤに圧痕部を形成し、Ａｕワイヤをクランプ装置によってクランプしておいて、キャピラリを上昇させることで、Ａｕワイヤを圧痕部から引きちぎるようにして切断している（例えば、特許文献１参照）。   In the conventional bump forming method, a ball is formed at the tip of an Au wire passed through a capillary, the capillary is lowered, and the ball is bonded onto a pad of a semiconductor element to form a bump. Next, by pressing the flat part of the tip of the capillary against the upper surface of the bump, an indentation is formed in the Au wire connected to the bump, the Au wire is clamped by a clamp device, and the capillary is raised, The Au wire is cut off from the indentation portion (see, for example, Patent Document 1).

特開平９−１２９６４５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-129645

上記のバンプ形成方法において、Ａｕワイヤに代えてＣｕワイヤ等の硬い材質からなるワイヤを用いた場合、ワイヤの変形が起こりにくいため、上述した圧痕部の形成状態が不安定となり、ワイヤを引きちぎる際に望ましくない位置でワイヤが引きちぎられてしまう恐れがある。その結果、キャピラリより延在したワイヤ（テール）の長さが安定しないという問題点があった。   In the above bump forming method, when a wire made of a hard material such as a Cu wire is used instead of the Au wire, the deformation of the wire hardly occurs, so that the formation state of the indented portion described above becomes unstable and the wire is torn off. There is a risk that the wire will be torn in an undesired position. As a result, there is a problem that the length of the wire (tail) extending from the capillary is not stable.

本発明は上述のような問題を解決するためになされたもので、安定した長さのテールを形成できるバンプ形成方法およびそれに用いるキャピラリを得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to obtain a bump forming method capable of forming a tail having a stable length and a capillary used therefor.

この発明に係るバンプ形成方法は、半導体素子のパッドまたはリードフレーム上にバンプを形成するバンプ形成方法において、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成し、このボールをキャピラリによりバンプ形成部に接合した後、キャピラリを水平移動させてボールからワイヤを切断し、ワイヤの切断部をパッドまたはリードフレーム上にステッチボンディングしてテールを形成することを特徴とするものである。   The bump forming method according to the present invention is a bump forming method in which a bump is formed on a pad or lead frame of a semiconductor element. A ball is formed at a tip of a wire inserted into a capillary, and the ball is formed on a bump forming portion by a capillary. After joining, the capillary is moved horizontally to cut the wire from the ball, and the cut portion of the wire is stitch-bonded onto the pad or the lead frame to form a tail.

この発明によれば、キャピラリを水平移動させてワイヤを切断し、ワイヤの切断部をパッドまたはリードフレーム上にステッチボンディングしてテールを形成するようにしたので、安定した長さのテールを容易に形成することができる。   According to the present invention, the capillary is horizontally moved to cut the wire, and the cut portion of the wire is stitch-bonded on the pad or the lead frame to form the tail, so that the tail having a stable length can be easily formed. Can be formed.

実施の形態１に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリを示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing a capillary used in the bump forming method according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係るバンプ形成方法を示す工程図である。FIG. 4 is a process diagram illustrating a bump forming method according to the first embodiment. 実施の形態２に係るバンプ形成方法におけるステッチボンディング箇所を示す図である。It is a figure which shows the stitch bonding location in the bump formation method which concerns on Embodiment 2. FIG. 実施の形態３に係るバンプ形成工程に用いるキャピラリを示す断面図である。10 is a cross-sectional view showing a capillary used in a bump forming process according to Embodiment 3. FIG. 実施の形態４に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリの底面図である。6 is a bottom view of a capillary used in a bump forming method according to Embodiment 4. FIG. 実施の形態４に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリの断面図である。6 is a cross-sectional view of a capillary used in a bump forming method according to Embodiment 4. FIG. 実施の形態５に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリの底面図である。FIG. 10 is a bottom view of a capillary used in a bump forming method according to a fifth embodiment. 実施の形態５に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリの断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a capillary used in a bump forming method according to a fifth embodiment.

実施の形態１．
図１および図２は、実施の形態１に係るバンプ形成方法を示すものであって、図１はバンプの形成に用いるキャピラリを示す断面図、図２はバンプ形成方法を示す工程図である。 Embodiment 1 FIG.
1 and 2 show a bump forming method according to the first embodiment. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a capillary used for forming a bump, and FIG. 2 is a process drawing showing the bump forming method.

まず、図１を用いて実施の形態１のバンプ形成方法に用いるキャピラリを説明する。
図１において、キャピラリ６は、挿通するワイヤ（図示せず）の径よりも大きい径のワイヤ挿通孔６ａを有している。そして、キャピラリ６のワイヤ挿通孔６ａの開口部全周には、先端に向かって拡径するテーパ部６ｂが形成されている。このテーパ部６ｂは、後述するボールをバンプ形成部に接合する際において、ボールをキャピラリの中心に位置合わせする役割と、ボールに超音波を伝えやすくする役割を有している。 First, the capillary used in the bump forming method of the first embodiment will be described with reference to FIG.
In FIG. 1, the capillary 6 has a wire insertion hole 6a having a diameter larger than the diameter of a wire (not shown) to be inserted. A tapered portion 6b having a diameter increasing toward the tip is formed on the entire circumference of the opening of the wire insertion hole 6a of the capillary 6. The taper portion 6b has a role of aligning the ball with the center of the capillary and a role of easily transmitting ultrasonic waves to the ball when a later-described ball is bonded to the bump forming portion.

次に、図２を用いて実施の形態１のバンプ形成方法を説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、キャピラリ６のワイヤ孔６ａに挿通した直径５０μｍ以下の金属ワイヤ４の先端に、トーチ電極（図示せず）の熱によってボール７を形成する。なお、以下では金属ワイヤ４の材質がＣｕであるもので説明するが、金属ワイヤ４の材質はＣｕに限らずＡｕ等も用いることができる。 Next, the bump formation method of Embodiment 1 is demonstrated using FIG.
First, as shown in FIG. 2A, a ball 7 is formed by the heat of a torch electrode (not shown) at the tip of a metal wire 4 having a diameter of 50 μm or less inserted through the wire hole 6a of the capillary 6. In the following description, the material of the metal wire 4 is Cu. However, the material of the metal wire 4 is not limited to Cu, and Au or the like can also be used.

次に、図２（ｂ）に示すように、キャピラリ６を下降させて、金属ワイヤ４の先端に形成したボール７を、半導体素子１のパット２上のバンプ形成部に所定の荷重を加えながら押圧する。このとき、押圧と同時に超音波振動子（図示せず）からキャピラリ６を介してボール７に超音波振動を印加する。荷重と超音波振動により、ボール７はパット２上に接合される。   Next, as shown in FIG. 2 (b), the capillary 6 is lowered, and a ball 7 formed at the tip of the metal wire 4 is applied to a bump forming portion on the pad 2 of the semiconductor element 1 while applying a predetermined load. Press. At this time, ultrasonic vibration is applied to the ball 7 from the ultrasonic transducer (not shown) through the capillary 6 simultaneously with the pressing. The ball 7 is bonded onto the pad 2 by the load and ultrasonic vibration.

そして、図２（ｃ）に示すように、ボール７を押圧した状態のキャピラリ６を、超音波振動を印加しながら横方向に水平移動させる。超音波振動を印加する方向は、キャピラリ６が水平移動する方向およびキャピラリ６のワイヤ挿通方向に対して略直交する方向である。この水平移動によって、キャピラリ６のテーパ部６ｂが金属ワイヤ４をすり切り、ボール７から金属ワイヤ４が切断される。この結果、上部が平坦で広い面を有するバンプ５が形成される。このように、キャピラリ６で金属ワイヤ４をすり切ってバンプ５を形成するので、Ｃｕ等の硬い材質の金属ワイヤ４を用いた場合でも、バンプ５上部の形状が安定する。
一方、ボール７から切断した金属ワイヤ４の切断部にはヒゲ４ａが形成される。このヒゲ４ａは、キャピラリ６の先端に付着しており、上記水平移動の方向とは逆方向の横向きに曲がり、先端に向かって細くなる形状で形成される。 Then, as shown in FIG. 2C, the capillary 6 in a state where the ball 7 is pressed is horizontally moved in the lateral direction while applying ultrasonic vibration. The direction in which the ultrasonic vibration is applied is a direction in which the capillary 6 moves horizontally and a direction substantially orthogonal to the wire insertion direction of the capillary 6. By this horizontal movement, the tapered portion 6 b of the capillary 6 cuts through the metal wire 4, and the metal wire 4 is cut from the ball 7. As a result, the bump 5 having a flat top and a wide surface is formed. Thus, since the metal wires 4 are cut by the capillaries 6 to form the bumps 5, the shape of the upper portions of the bumps 5 is stable even when the metal wires 4 made of a hard material such as Cu are used.
On the other hand, a beard 4 a is formed at the cut portion of the metal wire 4 cut from the ball 7. The beard 4a is attached to the tip of the capillary 6, and is formed in a shape that bends laterally in the direction opposite to the horizontal movement direction and becomes narrower toward the tip.

次に、図２（ｄ）に示すように、半導体素子１をダイボンドしている平面状のリードフレーム１０に、金属ワイヤ４の切断部であるヒゲ４ａをステッチボンディングする。リードフレーム１０は平面状であるため、ヒゲ４ａは確実にリードフレーム１０に接合される。また、このステッチボンディングでヒゲ４ａが変形し、後述するテールを形成する際に金属ワイヤ４の切断個所となる圧痕部が形成される。ここで、上述した水平移動での金属ワイヤ４の切断により、ヒゲ４ａはその先端に向かって細くなるような形状で形成されているので、Ｃｕ等の硬い材質の金属ワイヤ４を用いた場合でも、圧痕部を安定して形成することができる。   Next, as shown in FIG. 2D, a beard 4a, which is a cut portion of the metal wire 4, is stitch-bonded to the planar lead frame 10 to which the semiconductor element 1 is die-bonded. Since the lead frame 10 is planar, the beard 4a is reliably bonded to the lead frame 10. In addition, the beard 4a is deformed by this stitch bonding, and an indentation portion that becomes a cutting portion of the metal wire 4 is formed when a tail described later is formed. Here, by cutting the metal wire 4 in the horizontal movement described above, the beard 4a is formed in a shape that becomes thinner toward the tip, so even when the metal wire 4 made of a hard material such as Cu is used. The indentation can be formed stably.

次に、図２（ｅ）に示すように、キャピラリ６を上昇させる。そして、上昇途中でカットクランパ８を閉じた後、図２（ｆ）に示すように、カットクランパ８を閉じた状態でキャピラリ６およびカットクランパ８を上昇させる。金属ワイヤ４は、ステッチボンディングの際に形成された圧痕部の位置で破断強度が低下しており、この位置で切断される。これにより、テール９が形成される。なお、このテール９は次のボールを作るための材料となる。
このように、水平移動により金属ワイヤ４を切断した後で、切断部であるヒゲ４ａをステッチボンディングすることで、圧痕部が安定して形成されるので、金属ワイヤ４の切断位置のバラつきが起こりにくく、安定した長さのテール９を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 2 (e), the capillary 6 is raised. Then, after closing the cut clamper 8 in the middle of ascent, the capillary 6 and the cut clamper 8 are raised with the cut clamper 8 closed as shown in FIG. The breaking strength of the metal wire 4 is reduced at the position of the indented part formed at the time of stitch bonding, and the metal wire 4 is cut at this position. Thereby, the tail 9 is formed. The tail 9 is a material for making the next ball.
In this way, after the metal wire 4 is cut by horizontal movement, the indented portion is stably formed by stitch bonding the beard 4a which is the cut portion, so that the cutting position of the metal wire 4 varies. It is difficult to form the tail 9 having a stable length.

金属ワイヤ４を完全に切断した状態からでも、ステッチボンディングすることでテール９を形成できるため、キャピラリ６を保持するボンディングヘッド（図示せず）に金属ワイヤ４の繰り出し機構を設ける必要がなく、ボンディング精度の悪化が伴うボンディングヘッドの重量増加を防止できる。   Since the tail 9 can be formed by stitch bonding even when the metal wire 4 is completely cut, it is not necessary to provide a feeding mechanism for the metal wire 4 in a bonding head (not shown) for holding the capillary 6. It is possible to prevent an increase in the weight of the bonding head that is accompanied by deterioration in accuracy.

実施の形態１のバンプ形成方法によれば、キャピラリを水平移動させてワイヤを切断し、ワイヤの切断部をパッドまたはリードフレーム上にステッチボンディングするようにしたので、安定した長さのテールを容易に形成することができる。これにより、ボール形状が安定し、そのボールを用いた次のボンディング性のバラつきを抑制できる。   According to the bump forming method of the first embodiment, the capillary is moved horizontally to cut the wire, and the cut portion of the wire is stitch-bonded onto the pad or the lead frame. Can be formed. As a result, the ball shape is stabilized, and variations in bonding performance using the ball can be suppressed.

また、上部が平坦で広い面を有するバンプ５を形成することで、形成したバンプ５上へワイヤボンディングを行う際に、バンプ５とワイヤとの接合力が大きく、接合性のばらつきが小さくなる。   Further, by forming the bump 5 having a flat upper portion and a wide surface, when wire bonding is performed on the formed bump 5, the bonding force between the bump 5 and the wire is large, and the variation in bonding property is reduced.

また、ボール７から金属ワイヤ４を切断する際に、超音波振動を印加しながらキャピラリ６を水平移動させているので、キャピラリ６が金属ワイヤ４をすり切る効果が増し、金属ワイヤ４の切断が容易になる。これにより、バンプ５上へのワイヤボンディングの際に、バンプと金属ワイヤとの接合の安定性が増す。   Further, when the metal wire 4 is cut from the ball 7, the capillary 6 is moved horizontally while applying ultrasonic vibration, so that the effect of the capillary 6 scuffing the metal wire 4 is increased, and the metal wire 4 is cut. It becomes easy. This increases the stability of bonding between the bump and the metal wire during wire bonding onto the bump 5.

また、リードフレーム１０は平面状であるため、ステッチボンディングの際に金属ワイヤ４の切断部であるヒゲ４ａを確実に接合できるとともに、ヒゲ４ａに圧痕部を安定して形成することができ、形成するテール９の長さのバラつきが小さくなる。   In addition, since the lead frame 10 is planar, it is possible to reliably bond the beard 4a, which is a cut portion of the metal wire 4, during stitch bonding, and to stably form an indented portion on the beard 4a. The variation in the length of the tail 9 is reduced.

実施の形態２．
図３は、実施の形態２のバンプ形成方法におけるステッチボンディング箇所を示す図である。実施の形態１のバンプ形成方法では、図２（ｄ）に示すように、リードフレーム１０上にステッチボンディングするものを示したが、図３に示すようにリードフレームに代えて半導体素子１のパット２上の空いている箇所にステッチボンディングを行うようにしてもよい。このようにすることで、実施の形態１の効果に加えて、キャピラリ６の移動距離を短くすることができ、プロセス時間を短縮することができる。なお、ステッチボンディング箇所を半導体素子１のパッド２上としたこと以外は実施の形態１と同様であるので説明を省略した。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 3 is a diagram showing stitch bonding locations in the bump forming method of the second embodiment. In the bump forming method according to the first embodiment, as shown in FIG. 2 (d), stitch bonding is performed on the lead frame 10, but as shown in FIG. 3, the pad of the semiconductor element 1 is used instead of the lead frame. You may make it perform stitch bonding to the vacant part on 2. FIG. By doing in this way, in addition to the effect of Embodiment 1, the moving distance of the capillary 6 can be shortened and the process time can be shortened. Since the stitch bonding portion is the same as that of the first embodiment except that the stitch bonding portion is on the pad 2 of the semiconductor element 1, the description is omitted.

実施の形態３．
図４は、実施の形態３に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリを示す断面図である。実施の形態１では、ワイヤ挿入孔の開口部全周にテーパ部６ｂが形成されたキャピラリ６を用いたが、図４に示すように、ワイヤ挿入孔の開口部全周にエッジ部６ｃが形成されたキャピラリ６を用いてもよい。なお、バンプ形成方法は実施の形態１と同様であるのでその説明を省略する。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 4 is a sectional view showing a capillary used in the bump forming method according to the third embodiment. In the first embodiment, the capillary 6 having the tapered portion 6b formed on the entire circumference of the opening portion of the wire insertion hole is used. However, as shown in FIG. 4, the edge portion 6c is formed on the entire circumference of the opening portion of the wire insertion hole. You may use the capillary 6 made. Since the bump forming method is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

実施の形態３によれば、図２（ｃ）に示すキャピラリ６の水平移動の際に、キャピラリ６のエッジ部６ｃで金属ワイヤ４ａをすり切るので、金属ワイヤ４の切断がしやすく、形成したバンプ５上に金属ワイヤ４の一部が残ることを防止することができる。   According to the third embodiment, when the capillary 6 shown in FIG. 2C is moved horizontally, the metal wire 4a is worn by the edge 6c of the capillary 6, so that the metal wire 4 can be easily cut. It is possible to prevent a part of the metal wire 4 from remaining on the bump 5.

なお、実施の形態３では、開口部全周にエッジ部６ｃが形成されたキャピラリ６を用いたものを例示したが、これに限らず、水平移動する方向にのみエッジ部６ｃを有し、その他の方向にはテーパ部６ｂを有するようなキャピラリを用いても上記と同様の作用効果を得ることができる。   In addition, in Embodiment 3, although what used the capillary 6 in which the edge part 6c was formed in the perimeter of an opening part was illustrated, it has not only this but the edge part 6c only in the direction to move horizontally, and others Even if a capillary having a tapered portion 6b is used in the direction of, the same effect as described above can be obtained.

実施の形態４．
図５および図６は、実施の形態４のバンプ形成方法に用いるキャピラリを示すものであって、図５はキャピラリの底面図、図６（ａ）は図５のＡＡ方向に沿った断面図、図６（ｂ）は図５のＢＢ方向に沿った断面図である。 Embodiment 4 FIG.
5 and 6 show a capillary used in the bump forming method according to the fourth embodiment. FIG. 5 is a bottom view of the capillary, FIG. 6A is a cross-sectional view taken along the AA direction in FIG. FIG. 6B is a cross-sectional view along the BB direction in FIG.

実施の形態４のバンプ形成方法に用いられるキャピラリ６は、図５および図６に示すように、キャピラリのワイヤ挿通孔６ａの開口部において、キャピラリ６の水平移動方向であるＡＡ方向にはエッジ部６ｃが形成されている。また、ボール７を接合する際の超音波振動の印加方向であるＢＢ方向には開口部先端に向かって拡径するテーパ部６ｂが形成されている。なお、パンプの形成方法は実施の形態１と同様であるのでその説明を省略する。   As shown in FIGS. 5 and 6, the capillary 6 used in the bump forming method according to the fourth embodiment has an edge portion in the AA direction that is the horizontal movement direction of the capillary 6 at the opening of the capillary wire insertion hole 6a. 6c is formed. In addition, a taper portion 6b that increases in diameter toward the tip of the opening is formed in the BB direction, which is an application direction of ultrasonic vibration when the balls 7 are joined. Note that the pump formation method is the same as that in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

実施の形態４によれば、ボール７をキャピラリ６の中心に確実に位置合わせできるとともに、ボール７の接合時において、超音波振動をボール７に良好に伝達することができる。さらに、キャピラリ６を水平移動させた際に、金属ワイヤ４の切断がしやすく、形成したバンプ５上にワイヤの一部が残ることを防止することができる。   According to the fourth embodiment, the ball 7 can be reliably aligned with the center of the capillary 6 and the ultrasonic vibration can be transmitted to the ball 7 at the time of joining the ball 7. Furthermore, when the capillary 6 is moved horizontally, the metal wire 4 can be easily cut, and a part of the wire can be prevented from remaining on the formed bump 5.

実施の形態５．
図７および図８は、実施の形態５に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリを示すものであって、図７はキャピラリの底面図、図８（ａ）は図７のＡＡ方向に沿った断面図、図８（ｂ）は図７のＢＢ方向に沿った断面図である。 Embodiment 5 FIG.
7 and 8 show the capillary used in the bump forming method according to the fifth embodiment. FIG. 7 is a bottom view of the capillary, and FIG. 8A is a cross-sectional view along the AA direction of FIG. FIG. 8B is a cross-sectional view along the BB direction of FIG.

実施の形態１では、ワイヤ挿通孔６ａの開口部全周にテーパ部６ｂが形成されたキャピラリ６を用いるものを示したが、図７および図８に示すように、このテーパ部６ｂを、キャピラリ６の水平移動方向であるＡＡ方向のテーパ角度θ１が、ボール７を接合する際の超音波振動の印加方向であるＢＢ方向のテーパ角度θ２よりも小さく形成するようにしてもよい。なお、パンプの形成方法は実施の形態１と同様であるのでその説明を省略する。 In the first embodiment, the capillary 6 having the tapered portion 6b formed on the entire circumference of the opening portion of the wire insertion hole 6a is shown. However, as shown in FIGS. 7 and 8, the tapered portion 6b is connected to the capillary. The taper angle θ 1 in the AA direction that is the horizontal movement direction of 6 may be formed smaller than the taper angle θ 2 in the BB direction that is the application direction of ultrasonic vibration when the balls 7 are joined. Note that the pump formation method is the same as that in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

実施の形態５によれば、キャピラリ６の水平移動方向のテーパ角度θ１を、ボールを接合する際の超音波振動の印加方向のテーパ角度θ２よりも小さくしたので、実施の形態１の効果に加えて、キャピラリ６を水平移動させた際に、金属ワイヤ４の切断がしやすく、形成したバンプ５上にワイヤの一部が残ることを防止することができる。 According to the fifth embodiment, the taper angle θ 1 in the horizontal movement direction of the capillary 6 is made smaller than the taper angle θ 2 in the application direction of ultrasonic vibration when the balls are joined. In addition, when the capillary 6 is moved horizontally, the metal wire 4 can be easily cut, and a part of the wire can be prevented from remaining on the formed bump 5.

なお、上記各実施の形態においては、直径５０μｍ以下のワイヤを使用してバンプを形成する方法について説明したが、ワイヤの径はこれに限るものではなく、キャピラリを平行移動することでワイヤをカットできる直径のワイヤであれば同様の効果を得ることができる。   In each of the above embodiments, the method of forming bumps using a wire having a diameter of 50 μm or less has been described. However, the diameter of the wire is not limited to this, and the wire is cut by moving the capillary in parallel. The same effect can be obtained if the wire has a diameter that can be obtained.

１ 半導体素子
２ パット
４ 金属ワイヤ
５ バンプ
６ キャピラリ
６ａ ワイヤ挿通孔
６ｂ テーパ部
６ｃ エッジ部
７ ボール
９ テール
１０ リードフレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor element 2 Pad 4 Metal wire 5 Bump 6 Capillary 6a Wire insertion hole 6b Tapered part 6c Edge part 7 Ball 9 Tail 10 Lead frame

Claims (8)

半導体素子のパッドまたはリードフレーム上にバンプを形成するバンプ形成方法において、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成し、このボールを前記キャピラリによりバンプ形成部に接合した後、前記キャピラリを水平移動させて前記ボールから前記ワイヤを切断し、前記ワイヤの切断部を前記パッドまたは前記リードフレーム上にステッチボンディングしてテールを形成することを特徴とするバンプ形成方法。   In a bump forming method of forming bumps on a pad or lead frame of a semiconductor element, a ball is formed at the tip of a wire inserted through a capillary, and the ball is joined to a bump forming portion by the capillary, and then the capillary is horizontally A bump forming method comprising: moving the wire from the ball to cut the wire, and stitch-bonding the cut portion of the wire onto the pad or the lead frame to form a tail. 前記ワイヤの切断部に形成されたヒゲをステッチボンディングすることを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。   The bump forming method according to claim 1, wherein the beard formed in the cut portion of the wire is stitch-bonded. 前記キャピラリのワイヤ挿通孔の開口部に形成されたエッジ部を用いて前記ワイヤを切断することを特徴とする請求項１または２に記載のバンプ形成方法。   3. The bump forming method according to claim 1, wherein the wire is cut using an edge portion formed in an opening portion of a wire insertion hole of the capillary. 前記ボールの接合の際に、前記キャピラリに超音波振動を印加することを特徴とする請求項１または２に記載のバンプ形成方法。   3. The bump forming method according to claim 1, wherein ultrasonic vibration is applied to the capillary during the bonding of the balls. 前記超音波振動の印加方向は、前記キャピラリの水平移動方向および前記ワイヤの挿通方向に対して略直交する方向であることを特徴とする請求項４に記載のバンプ形成方法。   The bump forming method according to claim 4, wherein an application direction of the ultrasonic vibration is a direction substantially orthogonal to a horizontal movement direction of the capillary and an insertion direction of the wire. 前記キャピラリは、前記超音波振動を印加しながら水平移動することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のバンプ形成方法。   6. The bump forming method according to claim 1, wherein the capillary moves horizontally while applying the ultrasonic vibration. 請求項５のバンプ形成方法に用いる前記キャピラリであって、
前記キャピラリのワイヤ挿通孔の開口部において、前記キャピラリの水平移動方向にはエッジ部が形成され、前記超音波振動の印加方向には開口部先端に向かって拡径するテーパ部が形成されていることを特徴とするキャピラリ。 The capillary used in the bump forming method according to claim 5,
In the opening portion of the wire insertion hole of the capillary, an edge portion is formed in the horizontal movement direction of the capillary, and a taper portion that expands toward the tip of the opening portion is formed in the application direction of the ultrasonic vibration. Capillary characterized by this. 請求項５のバンプ形成方法に用いる前記キャピラリであって、
前記キャピラリのワイヤ挿通孔の開口部には開口部先端に向かって拡径するテーパ部が形成され、前記キャピラリの水平移動方向のテーパ角度が、前記超音波振動の振動方向のテーパ角度よりも小さく形成されていることを特徴とするキャピラリ。 The capillary used in the bump forming method according to claim 5,
The opening of the wire insertion hole of the capillary is formed with a taper that expands toward the tip of the opening, and the taper angle in the horizontal movement direction of the capillary is smaller than the taper angle in the vibration direction of the ultrasonic vibration. A capillary characterized by being formed.
JP2011072848A 2011-03-29 2011-03-29 Bump formation method and capillary used in the bump formation method Withdrawn JP2012209373A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011072848A JP2012209373A (en) 2011-03-29 2011-03-29 Bump formation method and capillary used in the bump formation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011072848A JP2012209373A (en) 2011-03-29 2011-03-29 Bump formation method and capillary used in the bump formation method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012209373A true JP2012209373A (en) 2012-10-25

Family

ID=47188886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011072848A Withdrawn JP2012209373A (en) 2011-03-29 2011-03-29 Bump formation method and capillary used in the bump formation method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012209373A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7808116B2 (en) Semiconductor device and wire bonding method
JP2006278407A (en) Manufacturing method of semiconductor device
US9922952B2 (en) Method for producing semiconductor device, and wire-bonding apparatus
KR101867921B1 (en) Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and wire bonding device
TWI345501B (en) Method for making a wedge wedge wire loop
JP4369401B2 (en) Wire bonding method
JP2012209373A (en) Bump formation method and capillary used in the bump formation method
WO2011040543A1 (en) Bonding capillary
KR101910654B1 (en) Method for producing semiconductor device and wire bonding device
US9536859B2 (en) Semiconductor device packaging having plurality of wires bonding to a leadframe
JP7412998B2 (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2015056426A (en) Bonding tool, bonding device, and semiconductor device
JP4219781B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR100629271B1 (en) Ultrasonic transducer for wire bonding
JP5231792B2 (en) Manufacturing method of electronic device
JP2018120929A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2018022820A (en) Capillary in wedge bonding, wire bonding method and bonded wire
JP2006147842A (en) Capillary for stud bump and method of forming stud bump using same
JP2014207365A (en) Wire bonding method and wire bonding structure
KR20100007390U (en) Wire clamp and wire bonding device comprisng the same
JP2006054383A (en) Wire bonding method
JP2012199484A (en) Wire bonding method, wire bonding apparatus, and semiconductor device
JP2007324386A (en) Semiconductor device, and its manufacturing method
JP2014007430A (en) Bonding capillary

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140603