JP2012205308A - 二重の集積時間および条件付選択を備えるイメージセンサ - Google Patents
二重の集積時間および条件付選択を備えるイメージセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012205308A JP2012205308A JP2012065783A JP2012065783A JP2012205308A JP 2012205308 A JP2012205308 A JP 2012205308A JP 2012065783 A JP2012065783 A JP 2012065783A JP 2012065783 A JP2012065783 A JP 2012065783A JP 2012205308 A JP2012205308 A JP 2012205308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sampling
- potential
- storage node
- ramp
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010354 integration Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 62
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 32
- 101100528457 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RMP1 gene Proteins 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012952 Resampling Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/583—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with different integration times
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/587—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields
- H04N25/589—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields with different integration times, e.g. short and long exposures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】フォトダイオードから蓄積ノードへの第1の転送は第1の期間(Ti1)の後に、第2の転送は第1の期間とは異なる第2の期間(Ti2)の後に行う。第1の電荷転送後の蓄積ノードの電位を読取回路の第1のコンデンサ内で(shs1)、蓄積ノードを再初期化した後の電位を第2のコンデンサ内でサンプリングする(shr)。第2の転送後に取られる電位レベルを第1のコンデンサ内で条件付きで再サンプリングする(shs2)。第1の転送後の信号レベルを短いランプ期間(RMP1)にわたりランプ型変換器の差動増幅器に適用し、終了時における増幅器の出力の状態に応じ再サンプリングを実行するかどうかに関する決定を下し、コンデンサ内でサンプリングした差動信号レベルの最終的ランプ(RMP2)を用いた完全なアナログ−デジタル変換が終了する。
【選択図】図2
Description
−列導体上にある電位の第1のサンプルを読取回路の第1のコンデンサCs内に集めるために、読取回路内のスイッチKsに制御ノッチパルスshs1を印加し、この電位は第1の電荷の転送に由来し、よって第1の集積期間Ti1にわたるピクセルの照度に依拠する。
−ピクセルの行のトランジスタT2のゲートに第2の再初期化ノッチパルスRSTbを印加し、蓄積ノードの電位を固定値に再初期化し、次いで再初期化済み列電位を表す第2のサンプルを取るために読取回路内のスイッチKrに制御ノッチパルスshrを印加し、そのサンプルを読取回路の第2のサンプリングコンデンサCr内に蓄積する。
−ノッチパルスshrの終了後、仮変換(provisional conversion)と呼ぶことができるランプ型アナログ−デジタル変換器による操作が開始し、この時点ではデジタル値を集める必要はなく、第1の集積期間にわたり受け取る照度の閾値を超えることまたは超えないことを検証するための情報ビットだけを集めればよいので、この操作は部分的な変換操作しか伴わず、コンデンサのうちの1つ、例えばコンデンサCsの端子に第1の線形電圧ランプまたは仮ランプRMP1を適用し、その仮ランプは時点tconv1から時点t’conv1までの固定期間を有し、ランプの傾斜は固定されており(仮ランプの傾斜は、最終的なアナログ−デジタル変換中に役目を果たすランプの傾斜よりも急勾配とすることができ、より急な傾斜は、ランプの終了時に増幅器の入力上の電位レベルによって定められる閾値をより速く得ることを可能にする)、この固定期間の後、変換器の入力増幅器AMPはトグル式に切り換わっているか、またはトグル式に切り換わっておらず、トグル式に切り換わっている場合、照度レベルは低く、閾値を下回り、トグル式に切り換わっていない場合はレベルが閾値を上回っており、トグリングまたは非トグリングに関する情報はメモリ内、例えば信号SATを提供するフリップフロップ内に保持される。
−増幅器のトグリングに関するこの情報は、第3のサンプリングコマンドである制御shs2をその後適用することを可能にしまたは不能にする論理回路(ここではANDゲートおよびORゲート)への入力になり、照度レベルが高い(時点t’conv1より前に比較器がトグル式に切り換わっていない)場合、その後のサンプリングshs2を有効にせず、増幅器がトグル式に切り換わっている場合、サンプリングshs2を有効にする。
−その後、行のすべてのピクセルに関して第2の転送ノッチパルスTRbを転送トランジスタT1のゲートに印加し、フォトダイオードの中で期間Ti2にわたり集積される電荷が蓄積ノードNDまで波及し、期間Ti2はノッチパルスTRbの終わりに終了し、この第2の電荷転送の後、列導体の電位は蓄積ノードの新たな電位を(ゲート・ソース間電圧まで)たどる。
−時点t’conv1よりも後の第3のサンプリングコマンドshs2が、列導体の電位のサンプルをコンデンサCsの現在のコンテンツに代えてコンデンサCs内に入れ、この電位は、第2の集積期間Ti2の終了時における、フォトダイオードの電荷が波及した後の蓄積ノードのレベルに相当する。
−最後に、コンデンサCrのコンテンツとコンデンサCsのコンテンツとの差の最終的なアナログ−デジタル変換を実行し、後者のコンテンツは、信号shs2が生成されたかどうかに応じて第2の集積期間または第1の集積期間に由来する有用な信号に相当し、この最終的な変換ステップは時点tconv2においてゼロから再び始まり、コンデンサ内に蓄積された差動電圧を変換することを可能にするのに十分な期間を有する、最終的な線形電圧ランプRMP2を使って実行する。
Claims (8)
- 行および列単位で編成されるピクセル行列を含むアクティブピクセルを用いたイメージセンサであって、同一列の前記ピクセルは、それ自体が読取回路に連結される列導体(COL)に連結し、各ピクセルは、転送トランジスタ(T1)により蓄積ノードに連結されるフォトダイオード、および前記蓄積ノードを前記列導体に連結しまたは前記蓄積ノードを前記列導体から絶縁するための行選択トランジスタ(T5)から構成され、前記センサが、同一集積サイクル中におよびピクセルの電荷の読取中に、前記フォトダイオードから前記蓄積ノードへの2度の電荷転送を実行するための手段であって、前記第1の転送は第1の集積期間(Ti1)の後に行い、前記第2の転送は前記第1の集積期間とは異なる第2の集積期間(Ti2)の後に行う、電荷転送を実行するための手段と、前記第1の電荷転送後に前記列導体によって取られる電位レベルの第1のサンプリングを、前記読取回路の第1のサンプリングコンデンサ(Cs)内で行うための手段と、前記蓄積ノードを再初期化した後に前記列導体によって取られる前記電位レベルの第2のサンプリングを、前記読取回路の第2のコンデンサ(Cr)内で行うための手段と、前記第2の電荷転送後に取られる電位レベルの第3の条件付サンプリングを前記第1のコンデンサ内で行うための手段とを含み、前記読取回路は、前記2つのコンデンサに連結される差動増幅器と、前記コンデンサの1つに線形電圧ランプを適用するための手段とを含むランプ型アナログ−デジタル変換器を含み、前記ランプの効果は、前記コンデンサ内でサンプリングした前記電位に依拠する可変期間の後で前記増幅器をトグル式に切り換えさせるものである、イメージセンサにおいて、前記第1の電荷転送後に仮ランプ(RMP1)をまず適用し、前記第3の条件付サンプリングを有効にまたは無効にするために前記仮ランプの終了時における前記増幅器の出力の状態を使用し、その後、前記2つのコンデンサ内でサンプリングした前記電圧間の差の最終的なアナログ−デジタル変換を行うために、前記第2の電荷転送後に最終的ランプ(RMP2)を適用するための手段を含むことを特徴とする、センサ。
- 前記最終的なアナログ−デジタル変換の結果に、前記より長い集積期間の前記より短い期間に対する比を乗算する必要性についての情報項目を提供するために、前記仮ランプの終了時における前記増幅器の前記出力の前記状態をメモリ内に保持することを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 前記仮ランプが前記最終的ランプよりも急な傾斜を有することを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記第1の集積期間が前記第2の集積期間よりも短く、前記ランプが終了する前に前記増幅器が前記トグル式に切り換わることは、第3のサンプリングを施すことを可能にすることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記最終的ランプの開始時と終了時との間の電位変化が、前記仮ランプの開始時と終了時との間の変化の小部分であるように前記仮ランプの前記期間を選択し、前記小部分は前記2つの集積期間の前記比よりも低いかまたは前記比に等しいことを特徴とする、請求項4に記載のセンサ。
- 前記第1の期間が前記第2の期間よりも長く、前記増幅器の前記トグリングは、前記第3のサンプリングを施すことを不能にすることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記第1の電荷転送後の前記蓄積ノードの前記再初期化を、2つの異なる再初期化電位レベルを用いて、かつ前記第2のコンデンサ内で前記再初期化電位を都度サンプリングしながら2つのステップで行い、前記再初期化電位を2度サンプリングする間に前記仮テストランプを適用することを特徴とする、請求項6に記載のセンサ。
- 前記列導体上の前記信号の条件付増幅手段(PGA)を含み、前記条件は前記第3のサンプリングの使用条件と同じであることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載のセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1152415 | 2011-03-23 | ||
FR1152415A FR2973161B1 (fr) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | Capteur d'image a double temps d'integration et selection conditionnelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012205308A true JP2012205308A (ja) | 2012-10-22 |
JP6078841B2 JP6078841B2 (ja) | 2017-02-15 |
Family
ID=45814433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012065783A Active JP6078841B2 (ja) | 2011-03-23 | 2012-03-22 | 二重の集積時間および条件付選択を備えるイメージセンサ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8686341B2 (ja) |
EP (1) | EP2503775B1 (ja) |
JP (1) | JP6078841B2 (ja) |
KR (1) | KR101864899B1 (ja) |
CN (1) | CN102695010B (ja) |
FR (1) | FR2973161B1 (ja) |
TW (1) | TWI536834B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103259985B (zh) * | 2013-05-17 | 2016-08-17 | 昆山锐芯微电子有限公司 | Cmos图像传感器、像素单元及其控制方法 |
US9319612B2 (en) * | 2013-07-08 | 2016-04-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imagers with improved analog-to-digital circuitry |
JP5886806B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2016-03-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
FR3012003B1 (fr) * | 2013-10-14 | 2016-12-30 | E2V Semiconductors | Conversion analogique numerique a rampe, a multiples conversions ou unique conversion suivant le niveau de lumiere recu par un pixel |
US9440805B2 (en) * | 2014-05-06 | 2016-09-13 | Mathew G. Carlson | Seed container rack system |
KR101689665B1 (ko) | 2014-07-04 | 2016-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서, 이미지 센싱 방법, 그리고 이미지 센서를 포함하는 이미지 촬영 장치 |
TWI540899B (zh) * | 2014-08-28 | 2016-07-01 | 原相科技股份有限公司 | 影像感測器及其運作方法 |
US9325335B1 (en) * | 2014-10-24 | 2016-04-26 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Comparator circuits with local ramp buffering for a column-parallel single slope ADC |
KR102261587B1 (ko) | 2014-12-05 | 2021-06-04 | 삼성전자주식회사 | 로우 코드 영역의 비선형성을 개선할 수 있는 이미지 센서, 이의 작동 방법, 및 이를 포함하는 장치 |
JP2017046259A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
FR3046897B1 (fr) * | 2016-01-19 | 2018-01-19 | Teledyne E2V Semiconductors Sas | Procede de commande d'un capteur d'image a pixels actifs |
US11212467B2 (en) | 2019-07-18 | 2021-12-28 | Omnivision Technologies, Inc. | Sample and hold switch driver circuitry with slope control |
CN112788259A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 长春长光辰芯光电技术有限公司 | 一种高动态图像传感器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002534005A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | ピクセル・ディヴァイシズ・インターナショナル・インコーポレーテッド | ピクセル・レベルでのゲイン制御を備えたcmosイメージ・センサ |
JP2008167004A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2009290613A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子情報機器 |
WO2010066850A1 (fr) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | E2V Semiconductors | Capteur d'image a double transfert de charges pour grande dynamique et procede de lecture |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7362365B1 (en) | 2002-06-26 | 2008-04-22 | Pixim, Inc. | Digital image capture having an ultra-high dynamic range |
JP3976754B2 (ja) | 2004-07-13 | 2007-09-19 | マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド | 選択読取りによる広ダイナミックレンジ撮像デバイス |
EP2071825A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | St Microelectronics S.A. | Pixel read circuitry |
-
2011
- 2011-03-23 FR FR1152415A patent/FR2973161B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-09 TW TW101108134A patent/TWI536834B/zh active
- 2012-03-19 EP EP12160051.4A patent/EP2503775B1/fr active Active
- 2012-03-22 US US13/427,703 patent/US8686341B2/en active Active
- 2012-03-22 JP JP2012065783A patent/JP6078841B2/ja active Active
- 2012-03-22 KR KR1020120029528A patent/KR101864899B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-23 CN CN201210079267.5A patent/CN102695010B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002534005A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | ピクセル・ディヴァイシズ・インターナショナル・インコーポレーテッド | ピクセル・レベルでのゲイン制御を備えたcmosイメージ・センサ |
JP2008167004A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2009290613A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子情報機器 |
WO2010066850A1 (fr) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | E2V Semiconductors | Capteur d'image a double transfert de charges pour grande dynamique et procede de lecture |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8686341B2 (en) | 2014-04-01 |
JP6078841B2 (ja) | 2017-02-15 |
US20120241594A1 (en) | 2012-09-27 |
TWI536834B (zh) | 2016-06-01 |
FR2973161A1 (fr) | 2012-09-28 |
FR2973161B1 (fr) | 2013-03-29 |
KR20120108948A (ko) | 2012-10-05 |
CN102695010A (zh) | 2012-09-26 |
CN102695010B (zh) | 2016-12-14 |
KR101864899B1 (ko) | 2018-06-05 |
EP2503775A1 (fr) | 2012-09-26 |
EP2503775B1 (fr) | 2014-08-20 |
TW201301885A (zh) | 2013-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6078841B2 (ja) | 二重の集積時間および条件付選択を備えるイメージセンサ | |
CA2746019C (en) | Image sensor with double charge transfer for large dynamic range and method of reading | |
US20190355782A1 (en) | Imaging array with extended dynamic range | |
US9906748B2 (en) | Analog-digital conversion circuit drive method, analog-digital conversion circuit, imaging device, imaging system, and analog-digital conversion circuit inspection method | |
JP4374115B2 (ja) | アクティブピクセルセンサ | |
US7502061B2 (en) | Method for image sensor calibration and associated devices | |
US7319423B2 (en) | Multi-mode ADC and its application to CMOS image sensors | |
US6642503B2 (en) | Time domain sensing technique and system architecture for image sensor | |
TW201811020A (zh) | 用於在單斜率類比至數位轉換器中重設擴展減少之主動重設電路 | |
US8754358B2 (en) | CMOS sensor array | |
US9264643B1 (en) | Methods and circuitries for pixel sampling | |
JP2012039299A (ja) | 固体撮像装置 | |
US8675103B2 (en) | Image sensor | |
CN111447384B (zh) | 高动态范围全局快门像素结构及其信号采样读取方法 | |
CN111447385B (zh) | 全局快门图像传感器像素结构及其信号采样读取方法 | |
Qian et al. | An adaptive integration time CMOS image sensor with multiple readout channels | |
US10863130B2 (en) | Backside illuminated global shutter imaging array | |
Qian et al. | An adaptive integration time cmos image sensor with multiple readout channels for star trackers | |
KR20000027240A (ko) | 이미지 센서에서 디지털 방식의 상호연관된 이중 샘플링을 위한장치 및 방법 | |
JP2019140513A (ja) | 撮像装置及び撮像方法 | |
JP2012085055A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150430 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6078841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |