JP2012199271A - Manufacturing method of semiconductor element - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor element Download PDF

Info

Publication number
JP2012199271A
JP2012199271A JP2011060587A JP2011060587A JP2012199271A JP 2012199271 A JP2012199271 A JP 2012199271A JP 2011060587 A JP2011060587 A JP 2011060587A JP 2011060587 A JP2011060587 A JP 2011060587A JP 2012199271 A JP2012199271 A JP 2012199271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
laser
refractory metal
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011060587A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5672096B2 (en
Inventor
Tamio Matsumura
民雄 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2011060587A priority Critical patent/JP5672096B2/en
Publication of JP2012199271A publication Critical patent/JP2012199271A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5672096B2 publication Critical patent/JP5672096B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor element includes: a step of forming a low melting metal on a rear surface of a Si substrate; a step of forming a high melting metal layer on a surface of the Si substrate; a step of forming a laser adsorption layer on the high melting metal layer; a step of forming a silicide layer on an interface between the laser adsorption layer and the high melting metal layer and an interface between the high melting metal layer and the Si substrate while keeping a temperature of the low melting point metal low by preventing the mutual diffusion of the low melting metal and the Si of the Si substrate by irradiating the laser adsorption layer with laser light; and a step of etching the laser adsorption layer.

Description

本発明は、シリサイド層を形成する半導体素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor element for forming a silicide layer.

特許文献１には、半導体層と金属層の積層構造を加熱して半導体層の表面にシリサイド層を形成する技術が開示されている。   Patent Document 1 discloses a technique for heating a stacked structure of a semiconductor layer and a metal layer to form a silicide layer on the surface of the semiconductor layer.

特開２００７−１３１１７号公報JP 2007-13117 A 特開２００８−８５０５０号公報JP 2008-85050 A 特開平７−６６１５２号公報JP-A-7-66152

裏面に低融点金属が形成されたＳｉ基板の表面にシリサイド層を形成することがある。この場合、シリサイド層を形成するための加熱により低融点金属とＳｉ基板のＳｉとが相互拡散し、必要な特性が得られないことがあった。   A silicide layer may be formed on the surface of the Si substrate having a low melting point metal formed on the back surface. In this case, the low melting point metal and Si of the Si substrate may be mutually diffused by heating for forming the silicide layer, and necessary characteristics may not be obtained.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and prevents mutual diffusion of a low melting point metal and Si of the Si substrate on the back surface of the Si substrate while forming a silicide layer on the surface of the Si substrate. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.

本願の発明に係る半導体素子の製造方法は、Ｓｉ基板の裏面に低融点金属を形成する工程と、該Ｓｉ基板の表面に高融点金属層を形成する工程と、該高融点金属層の上にレーザ吸収層を形成する工程と、該レーザ吸収層にレーザ光を照射し、該低融点金属と該Ｓｉ基板のＳｉとの相互拡散を防ぐように該低融点金属の温度を低く保ちつつ、該レーザ吸収層と該高融点金属層の界面、及び該高融点金属層と該Ｓｉ基板の界面にシリサイド層を形成する工程と、該レーザ吸収層をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。   A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of forming a low melting point metal on the back surface of a Si substrate, a step of forming a refractory metal layer on the surface of the Si substrate, A step of forming a laser absorption layer, and irradiating the laser absorption layer with laser light, while keeping the temperature of the low melting point metal low so as to prevent mutual diffusion of the low melting point metal and Si of the Si substrate, A step of forming a silicide layer at an interface between the laser absorption layer and the refractory metal layer and an interface between the refractory metal layer and the Si substrate; and a step of etching the laser absorption layer. To do.

本発明によれば、レーザ吸収層でレーザ光を吸収してＳｉ基板の表面側のみを高温にできるので、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる。   According to the present invention, the laser beam is absorbed by the laser absorption layer so that only the surface side of the Si substrate can be heated to a high temperature, so that the low melting point metal and Si on the back surface of the Si substrate can be formed while forming a silicide layer on the surface of the Si substrate. Interdiffusion with Si of the substrate can be prevented.

本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing method of the semiconductor element which concerns on embodiment of this invention. Ｓｉ基板の表面に高融点金属層が形成されたことを示す図である。It is a figure which shows that the refractory metal layer was formed in the surface of Si substrate. 高融点金属層の上にレーザ吸収層が形成されたことを示す図である。It is a figure which shows that the laser absorption layer was formed on the refractory metal layer. レーザ吸収層にレーザ光を照射することを示す図である。It is a figure which shows irradiating a laser beam to a laser absorption layer. レーザ光の照射によりシリサイド層が形成されたことを示す図である。It is a figure which shows that the silicide layer was formed by irradiation of the laser beam. レーザ吸収層をエッチングしたことを示す図である。It is a figure which shows having etched the laser absorption layer. レーザ光をレーザ吸収層に照射したときの、レーザ吸収層、高融点金属層、及びＳｉ基板の温度のシミュレーション結果である。It is the simulation result of the temperature of a laser absorption layer when a laser absorption layer is irradiated to a laser absorption layer, a refractory metal layer, and a Si substrate.

実施の形態．
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法のフローチャートである。本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法では、まずＳｉ基板の表面に高融点金属層を形成する（ステップ１０）。次いで、高融点金属層の上にレーザ吸収層を形成する（ステップ１２）。次いで、レーザ吸収層にレーザ光を照射する（ステップ１４）。これによりレーザ吸収層と高融点金属層の界面、及び高融点金属層とＳｉ基板の界面にシリサイド層を形成する。最後に、レーザ吸収層をエッチング除去する（ステップ１６）。以後、各工程について詳細に説明する。 Embodiment.
FIG. 1 is a flowchart of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, first, a refractory metal layer is formed on the surface of the Si substrate (step 10). Next, a laser absorption layer is formed on the refractory metal layer (step 12). Next, the laser absorption layer is irradiated with laser light (step 14). As a result, silicide layers are formed at the interface between the laser absorption layer and the refractory metal layer and at the interface between the refractory metal layer and the Si substrate. Finally, the laser absorption layer is removed by etching (step 16). Hereinafter, each step will be described in detail.

まず、Ｓｉ基板の表面に高融点金属層を形成する（ステップ１０）。図２は、Ｓｉ基板２０の表面２０ａに高融点金属層２４が形成されたことを示す図である。本発明の実施の形態に係る高融点金属層２４は蒸着又はスパッタリングで形成されたＴｉ層である。Ｓｉ基板の厚さは１５μｍであり、高融点金属層２４の層厚は１．５μｍである。Ｓｉ基板２０の裏面２０ｂには、低融点金属であるＡｌで形成されたＡｌ配線２２が形成されている。このように、ステップ１０では、裏面２０ｂにＡｌ配線２２が形成されたＳｉ基板２０の表面２０ａに高融点金属層２４を形成する。   First, a refractory metal layer is formed on the surface of the Si substrate (step 10). FIG. 2 is a view showing that the refractory metal layer 24 is formed on the surface 20 a of the Si substrate 20. The refractory metal layer 24 according to the embodiment of the present invention is a Ti layer formed by vapor deposition or sputtering. The thickness of the Si substrate is 15 μm, and the thickness of the refractory metal layer 24 is 1.5 μm. On the back surface 20b of the Si substrate 20, an Al wiring 22 made of Al which is a low melting point metal is formed. Thus, in Step 10, the refractory metal layer 24 is formed on the front surface 20a of the Si substrate 20 on which the Al wiring 22 is formed on the back surface 20b.

次いで、高融点金属層の上にレーザ吸収層を形成する（ステップ１２）。図３は、高融点金属層２４の上にレーザ吸収層２６が形成されたことを示す図である。本発明の実施の形態に係るレーザ吸収層２６はＳｉ層で形成されている。レーザ吸収層２６の層厚は１．５μｍである。   Next, a laser absorption layer is formed on the refractory metal layer (step 12). FIG. 3 is a view showing that the laser absorption layer 26 is formed on the refractory metal layer 24. The laser absorption layer 26 according to the embodiment of the present invention is formed of a Si layer. The layer thickness of the laser absorption layer 26 is 1.5 μm.

次いで、レーザ吸収層にレーザ光を照射する（ステップ１４）。図４は、レーザ吸収層２６にレーザ光を照射することを示す図である。このステップでは、第２高調波（５３２ｎｍ）のＹＡＧレーザ２８を用いてレーザ吸収層２６にレーザ光を照射する。レーザ光の照射は、Ａｌ配線２２の温度を４５０℃未満に保ちつつ、レーザ吸収層２６と高融点金属層２４の温度が９００℃程度になるように行われる。   Next, the laser absorption layer is irradiated with laser light (step 14). FIG. 4 is a diagram showing that the laser absorption layer 26 is irradiated with laser light. In this step, the laser absorption layer 26 is irradiated with laser light using a second harmonic (532 nm) YAG laser 28. The laser light irradiation is performed so that the temperature of the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24 is about 900 ° C. while keeping the temperature of the Al wiring 22 below 450 ° C.

図５は、レーザ光の照射によりシリサイド層が形成されたことを示す図である。レーザ光の照射の結果、レーザ吸収層２６と高融点金属層２４の界面には、レーザ吸収層２６のＳｉと高融点金属層２４のＴｉの化合物であるシリサイド層３０が形成される。シリサイド層３０はレーザ吸収層２６と高融点金属層２４をオーミック接触させている。また、高融点金属層２４とＳｉ基板２０の界面には、高融点金属層２４のＴｉとＳｉ基板２０のＳｉの化合物であるシリサイド層３２が形成される。シリサイド層３２は、高融点金属層２４とＳｉ基板２０をオーミック接触させている。   FIG. 5 is a diagram showing that a silicide layer has been formed by laser light irradiation. As a result of the laser light irradiation, a silicide layer 30, which is a compound of Si of the laser absorption layer 26 and Ti of the refractory metal layer 24, is formed at the interface between the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24. The silicide layer 30 is in ohmic contact with the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24. A silicide layer 32 that is a compound of Ti of the refractory metal layer 24 and Si of the Si substrate 20 is formed at the interface between the refractory metal layer 24 and the Si substrate 20. The silicide layer 32 brings the refractory metal layer 24 and the Si substrate 20 into ohmic contact.

次いで、レーザ吸収層をエッチング除去する（ステップ１６）。このステップでは前述のレーザ照射でシリサイド化しなかったレーザ吸収層２６をドライエッチング又はフッ酸系薬液により除去する。図６は、レーザ吸収層をエッチングしたことを示す図である。このステップを終えると、シリサイド層３０が表面に露出する。   Next, the laser absorption layer is removed by etching (step 16). In this step, the laser absorption layer 26 that has not been silicided by the laser irradiation is removed by dry etching or hydrofluoric acid chemical solution. FIG. 6 is a diagram showing that the laser absorption layer has been etched. When this step is completed, the silicide layer 30 is exposed on the surface.

本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法では、シリサイド層３０及び３２の形成のためにレーザ光を用いる。そしてレーザ吸収層２６と高融点金属層２４を９００℃程度の高温としてシリサイド層３０及び３２を形成しつつ、Ａｌ配線２２は低温（４５０℃未満）とする。このことについて図７を参照して説明する。図７は、レーザ光をレーザ吸収層２６に照射したときの、レーザ吸収層２６、高融点金属層２４、Ｓｉ基板２０、及びＡｌ配線２２の温度のシミュレーション結果である。このシミュレーションでは、レーザ照射によりレーザ吸収層２６（Ｓｉ層）の表面が１２００℃になるようにしている。例えば、パルス幅が１００ｎｍのレーザ光であればレーザ吸収層２６の表面からの深さが２μｍの位置で９００℃となる。そのため、レーザ吸収層２６も高融点金属層２４も概ね９００℃程度となり良質なシリサイド層３０及び３２を形成できる。   In the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, laser light is used for forming the silicide layers 30 and 32. Then, while the silicide layers 30 and 32 are formed by setting the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24 to a high temperature of about 900 ° C., the Al wiring 22 is set to a low temperature (less than 450 ° C.). This will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a simulation result of the temperatures of the laser absorption layer 26, the refractory metal layer 24, the Si substrate 20, and the Al wiring 22 when the laser absorption layer 26 is irradiated with laser light. In this simulation, the surface of the laser absorption layer 26 (Si layer) is set to 1200 ° C. by laser irradiation. For example, in the case of laser light having a pulse width of 100 nm, the depth from the surface of the laser absorption layer 26 is 900 ° C. at a position of 2 μm. Therefore, both the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24 have a temperature of about 900 ° C., and high-quality silicide layers 30 and 32 can be formed.

ところで、Ａｌ配線２２の温度が４５０℃以上となると、Ａｌ配線２２のＡｌとＳｉ基板２０のＳｉとが相互拡散する。これにより、ＡｌがＳｉ基板２０のドーパントとして作用するなどして、半導体素子の電気特性がばらつくことがある。しかしながら、本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法によれば、図７から明らかなように、レーザ照射によりレーザ吸収層２６と高融点金属層２４を９００℃以上としても、Ａｌ配線２２の温度を４５０℃未満とすることができる。従ってＡｌ配線２２のＡｌとＳｉ基板２０のＳｉとの相互拡散を防止できる。   By the way, when the temperature of the Al wiring 22 becomes 450 ° C. or more, Al of the Al wiring 22 and Si of the Si substrate 20 are interdiffused. Thereby, Al may act as a dopant of the Si substrate 20, and the electrical characteristics of the semiconductor element may vary. However, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, as is apparent from FIG. 7, even if the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24 are set to 900 ° C. or higher by laser irradiation, the Al wiring 22 The temperature can be less than 450 ° C. Accordingly, mutual diffusion between Al of the Al wiring 22 and Si of the Si substrate 20 can be prevented.

このように、本発明の特徴の１つは、Ｓｉ基板２０の表面２０ａ側にシリサイドを形成しつつ、Ｓｉ基板２０の裏面２０ｂ側ではＡｌとＳｉの相互拡散を防止することである。ゆえに、レーザ光照射時にＳｉ基板２０の裏面２０ｂでＡｌ配線２２のＡｌとＳｉ基板２０のＳｉの相互拡散を防ぐようにＡｌ配線２２の温度を低く保てば本発明の効果を得ることができる。そのため、レーザ吸収層２６、高融点金属層２４、及びＳｉ基板２０の厚さは上述の値に限定されない。これらの厚さは、この特徴を得られる限り自由に設定することができる。   Thus, one of the features of the present invention is to prevent mutual diffusion of Al and Si on the back surface 20b side of the Si substrate 20 while forming silicide on the front surface 20a side of the Si substrate 20. Therefore, the effect of the present invention can be obtained if the temperature of the Al wiring 22 is kept low so as to prevent mutual diffusion of Al of the Al wiring 22 and Si of the Si substrate 20 on the back surface 20b of the Si substrate 20 during laser light irradiation. . Therefore, the thicknesses of the laser absorption layer 26, the refractory metal layer 24, and the Si substrate 20 are not limited to the above values. These thicknesses can be freely set as long as this characteristic can be obtained.

本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法では、レーザ光によりレーザ吸収層２６と高融点金属層２４を９００℃以上まで加熱したが、これらを４５０℃より高い温度まで加熱すれば安定したシリサイド形成がなし得る。よって、レーザ吸収層２６と高融点金属層２４の到達温度は４５０℃以上であれば特に限定されない。   In the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24 are heated to 900 ° C. or higher by laser light, but stable if heated to a temperature higher than 450 ° C. Silicide formation can occur. Therefore, the ultimate temperature of the laser absorption layer 26 and the refractory metal layer 24 is not particularly limited as long as it is 450 ° C. or higher.

本発明のレーザ吸収層２６は２つの機能を有している。第１の機能は、レーザ光を効率的に吸収して高融点金属層２４の温度を上昇させ、シリサイド層を形成する機能である。高融点金属層２４に直接レーザ光を照射するとほとんどのレーザ光が反射され高融点金属層２４を加熱することができないが、この第１の機能により効率的に高融点金属層２４を加熱できる。   The laser absorption layer 26 of the present invention has two functions. The first function is a function of efficiently absorbing laser light to raise the temperature of the refractory metal layer 24 and forming a silicide layer. When the refractory metal layer 24 is directly irradiated with laser light, most of the laser light is reflected and the refractory metal layer 24 cannot be heated, but the refractory metal layer 24 can be efficiently heated by this first function.

第２の機能は、レーザ吸収層２６がＳｉ層であるので、レーザ吸収層２６自身がシリサイド化する機能である。第２の機能により、シリサイド層３０を形成できるので、シリサイド層３２だけの場合と比較して半導体素子を低抵抗化できる。   The second function is a function in which the laser absorption layer 26 itself is silicided because the laser absorption layer 26 is a Si layer. Since the silicide layer 30 can be formed by the second function, the resistance of the semiconductor element can be reduced as compared with the case of the silicide layer 32 alone.

このように第１の機能と第２の機能を得られる限りにおいて、レーザ吸収層２６の材料は特に限定されない。たとえば、アモルファスＳｉ層や多結晶Ｓｉ層を用いてもよい。なお、レーザ吸収層２６として、シリコン以外の元素（非シリコン元素という）で構成された層（例えばＴｉＮ層）を用いると、レーザ光により発生した熱により、非シリコン元素が高融点金属層へ拡散する。そうすると、高融点金属層又はシリサイド層の品質に悪影響を及ぼす可能性がある。従って本発明ではレーザ吸収層２６の材料として非シリコン元素は採用しない。   As long as the first function and the second function can be obtained in this way, the material of the laser absorption layer 26 is not particularly limited. For example, an amorphous Si layer or a polycrystalline Si layer may be used. If a layer (for example, a TiN layer) made of an element other than silicon (referred to as a non-silicon element) is used as the laser absorption layer 26, the non-silicon element diffuses into the refractory metal layer due to heat generated by the laser light. To do. This may adversely affect the quality of the refractory metal layer or silicide layer. Therefore, in the present invention, a non-silicon element is not adopted as the material of the laser absorption layer 26.

Ｓｉ基板２０の裏面２０ｂに形成する低融点金属としてＡｌ（Ａｌ配線２２）を用いたが、本発明はこれに限定されない。本発明は、シリサイド形成時の高温がそのまま低融点金属に及ぶと低融点金属とＳｉ基板２０のＳｉが相互拡散するおそれのある場合において、低融点金属の温度上昇を回避するものである。従って低融点金属はＡｌに限定されず、「シリサイド形成時の高温がそのまま及ぼされるとＳｉと相互拡散するおそれのあるもの」であればよい。低融点金属としてＡｌ以外の材料を採用した場合は、その材料とＳｉが相互拡散しないようにその材料の温度を低く保たなければならない。   Although Al (Al wiring 22) is used as the low melting point metal formed on the back surface 20b of the Si substrate 20, the present invention is not limited to this. The present invention avoids an increase in the temperature of the low-melting point metal in the case where the low-melting point metal and the Si of the Si substrate 20 are likely to mutually diffuse if the high temperature at the time of silicide formation reaches the low-melting point metal as it is. Therefore, the low-melting point metal is not limited to Al, and may be any “if there is a possibility of interdiffusion with Si if the high temperature at the time of silicide formation is applied as it is”. When a material other than Al is used as the low melting point metal, the temperature of the material must be kept low so that the material and Si do not interdiffuse.

低融点金属が採用される素子としては、例えば、ＩＧＢＴや還流ダイオードがある。なお、低融点金属は、レーザ光を照射する前に形成されればいつ形成されてもよい。   As an element in which the low melting point metal is adopted, for example, there is an IGBT or a free-wheeling diode. Note that the low melting point metal may be formed at any time as long as it is formed before the laser beam irradiation.

ＹＡＧレーザ２８に代えてエキシマレーザなどの他のレーザ光源を用いてもよい。エキシマレーザは波長が２４８ｎｍのため、Ｓｉへの侵入深さはＹＡＧレーザの２０分の１程度となる。従ってレーザ吸収層の層厚も図７の２０分の１程度とすればよい。   Instead of the YAG laser 28, another laser light source such as an excimer laser may be used. Since the excimer laser has a wavelength of 248 nm, the penetration depth into Si is about 1/20 that of the YAG laser. Therefore, the layer thickness of the laser absorption layer may be about 1/20 of FIG.

高融点金属層２４はＴｉに限らず、例えばＶ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、又はＮｉのいずれかを用いてもよい。また、Ｓｉ基板２０はワイドバンドギャップ半導体によって形成されてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドなどで形成される。   The refractory metal layer 24 is not limited to Ti, and for example, any of V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, or Ni may be used. Further, the Si substrate 20 may be formed of a wide band gap semiconductor. The wide band gap semiconductor is formed of silicon carbide, a gallium nitride-based material, diamond, or the like.

２０ Ｓｉ基板、 ２２ Ａｌ配線（低融点金属）、 ２４ 高融点金属層、 ２６ レーザ吸収層、 ２８ ＹＡＧレーザ、 ３０，３２ シリサイド層   20 Si substrate, 22 Al wiring (low melting point metal), 24 refractory metal layer, 26 laser absorption layer, 28 YAG laser, 30, 32 silicide layer

Claims (6)

Ｓｉ基板の裏面に低融点金属を形成する工程と、
前記Ｓｉ基板の表面に高融点金属層を形成する工程と、
前記高融点金属層の上にレーザ吸収層を形成する工程と、
前記レーザ吸収層にレーザ光を照射し、前記低融点金属と前記Ｓｉ基板のＳｉとの相互拡散を防ぐように前記低融点金属の温度を低く保ちつつ、前記レーザ吸収層と前記高融点金属層の界面、及び前記高融点金属層と前記Ｓｉ基板の界面にシリサイド層を形成する工程と、
前記レーザ吸収層をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 Forming a low melting point metal on the back surface of the Si substrate;
Forming a refractory metal layer on the surface of the Si substrate;
Forming a laser absorption layer on the refractory metal layer;
The laser absorption layer and the refractory metal layer are irradiated with a laser beam while keeping the temperature of the low melting point metal low so as to prevent mutual diffusion between the low melting point metal and Si of the Si substrate. And a step of forming a silicide layer at the interface between the refractory metal layer and the Si substrate,
And a step of etching the laser absorption layer. 前記低融点金属はＡｌであり、
前記レーザ吸収層はアモルファスＳｉ層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。 The low melting point metal is Al;
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the laser absorption layer is an amorphous Si layer. 前記レーザ光の照射にはＹＡＧレーザ又はエキシマレーザを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。   3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a YAG laser or an excimer laser is used for the irradiation with the laser light. 前記高融点金属層はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、又はＮｉのいずれかで形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。   The refractory metal layer is formed of any one of Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, or Ni. A method for manufacturing a semiconductor device. 前記Ｓｉ基板はワイドバンドギャップ半導体によって形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に半導体素子の製造方法。   5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the Si substrate is formed of a wide band gap semiconductor. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドであることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。   6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the wide band gap semiconductor is silicon carbide, a gallium nitride-based material, or diamond.
JP2011060587A 2011-03-18 2011-03-18 Manufacturing method of semiconductor device Expired - Fee Related JP5672096B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011060587A JP5672096B2 (en) 2011-03-18 2011-03-18 Manufacturing method of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011060587A JP5672096B2 (en) 2011-03-18 2011-03-18 Manufacturing method of semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012199271A true JP2012199271A (en) 2012-10-18
JP5672096B2 JP5672096B2 (en) 2015-02-18

Family

ID=47181241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011060587A Expired - Fee Related JP5672096B2 (en) 2011-03-18 2011-03-18 Manufacturing method of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5672096B2 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139016A (en) * 1994-11-07 1996-05-31 Fuji Xerox Co Ltd Manufacture of thin film integrated circuit
JP2008085050A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP2008135611A (en) * 2006-11-29 2008-06-12 Denso Corp Semiconductor-device manufacturing method
JP2009130243A (en) * 2007-11-27 2009-06-11 Toshiba Corp Method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139016A (en) * 1994-11-07 1996-05-31 Fuji Xerox Co Ltd Manufacture of thin film integrated circuit
JP2008085050A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP2008135611A (en) * 2006-11-29 2008-06-12 Denso Corp Semiconductor-device manufacturing method
JP2009130243A (en) * 2007-11-27 2009-06-11 Toshiba Corp Method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5672096B2 (en) 2015-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4924690B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP6540585B2 (en) Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same
JP6164220B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5369762B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
WO2014097714A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US20170170280A1 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element
KR20130023021A (en) Method for crystallizing silicon thin film and method for manufacturing silicon tft device
JP2012146716A (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5939363B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPWO2015159984A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR20130108001A (en) Selective low-temperature ohmic contact formation method for iii-nitride heterostructure device
JP2012004185A (en) Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP5299950B2 (en) Semiconductor manufacturing method
JP6091703B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device
JP6425457B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
JP5672096B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP6165313B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
WO2015159437A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2018107190A (en) Semiconductor device manufacturing method
JP2007115927A (en) Heat treatment method
JP2006093212A (en) Method of forming polycrystal layer, semiconductor device, and its manufacturing method
JP2010278095A (en) Method of manufacturing thin film transistor substrate, and intermediate structure for forming thin film transistor substrate
JP2014090045A (en) Method for activating ion introduction layer, and method for manufacturing semiconductor device
WO2018179377A1 (en) Manufacturing method for flexible substrate
JP2013247272A (en) Method of manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130523

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140430

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141125

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141208

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5672096

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees