JP2012186286A - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing apparatus which inhibits powder particles from occurring when cleaning inside a vertical reaction furnace by using a cleaning gas or during deposition.SOLUTION: According to an embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus comprises: a vertically movable rotation structure including a lower connection part 5 fixed to a rotation axis of a motor 6, an upper connection part 4 fixed on the lower connection part 5 and a boat 2 fixed on the upper connection part 4 for supporting a processing target substrate 10; and a reaction tube 1 forming a reaction chamber housing the rotation structure. The upper connection part 4 is composed of a material having a coefficient of thermal expansion between a coefficient of thermal expansion of the lower connection part 5 and a coefficient of thermal expansion of the boat 2. The upper connection part 4 is coated with a coating film having corrosion resistance against a cleaning gas and a reaction gas used in the processing chamber.

Description

本発明の実施形態は、半導体製造装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a semiconductor manufacturing apparatus.

縦型反応炉を備えた半導体製造装置には、反応炉内で反応ガスと接する部分を全て石英で形成することで、腐食性の高いガスの使用、例えばハロゲン系のクリーニングガスによるチューブクリーニングを可能としている。この種の半導体製造装置においては、被処理基板であるシリコン基板を複数搭載するボートも石英を材料として形成される。これに対し、ボートを反応炉内で回転させるための回転モータの回転板は、ステンレスなどの金属材料を用いて構成される。成膜中、反応炉内は数百℃に加熱される。このため、石英製のボートとステンレス製の回転板との間に、両者の中間の熱膨張率を有するセラミックス部材を中間材として介在させて熱膨張量の差を緩和することで、熱膨張率の差によって石英製のボートが破損することを防止している。中間材としては、窒化シリコンの焼結体が用いられることが多い。   For semiconductor manufacturing equipment equipped with a vertical reactor, all parts of the reactor that come into contact with the reaction gas are made of quartz, which allows the use of highly corrosive gases, such as tube cleaning with halogen-based cleaning gases. It is said. In this type of semiconductor manufacturing apparatus, a boat on which a plurality of silicon substrates, which are substrates to be processed, are mounted is also formed from quartz. On the other hand, the rotating plate of the rotary motor for rotating the boat in the reaction furnace is configured using a metal material such as stainless steel. During the film formation, the inside of the reaction furnace is heated to several hundred degrees Celsius. Therefore, the thermal expansion coefficient is reduced by interposing a ceramic member having a thermal expansion coefficient between the quartz boat and the stainless steel rotating plate as an intermediate material between the quartz boat and the stainless steel rotating plate. This prevents the quartz boat from being damaged. As the intermediate material, a silicon nitride sintered body is often used.

縦型反応炉のアプリケーションのひとつに、シリコン窒化膜の成膜工程があり、その際のチューブクリーニングとして、ハロゲン系のガスを用いることで、シリコン窒化膜を反応炉壁から除去する。しかし、このクリーニングガスは、シリコン窒化膜を除去することができるが、窒化シリコンの焼結体で形成された中間材をもエッチングして、焼結体である部材が落剥することで、半導体装置の不良を誘発するような、粉末状の粒子を発生する発塵源となる。   One of the applications of the vertical reactor is a silicon nitride film forming process, in which the silicon nitride film is removed from the reactor wall by using a halogen-based gas as tube cleaning. However, this cleaning gas can remove the silicon nitride film, but also etches the intermediate material formed of the sintered body of silicon nitride, and the member that is the sintered body peels off, so that the semiconductor It becomes a source of dust generation that generates powdery particles that can cause device failure.

特開平６−１５１３９６号公報JP-A-6-151396

一つの実施形態は、クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供することを目的とする。   An object of one embodiment is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that prevents powder particles from being generated when the inside of a vertical reactor is cleaned using a cleaning gas or during film formation.

一つの実施形態によれば、モータの回転軸に固定される下部接続部と、下部接続部上に固定される上部接続部と、上部接続部上に固定されて被処理基板を支持するボートとを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応室形成部と、を備え、上部接続部を下部接続部の熱膨張率とボートの熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。   According to one embodiment, a lower connecting portion fixed to the rotating shaft of the motor, an upper connecting portion fixed on the lower connecting portion, and a boat fixed on the upper connecting portion and supporting the substrate to be processed. And a reaction chamber forming portion that forms a reaction chamber that accommodates the rotation structure, and the upper connection portion is intermediate between the thermal expansion coefficient of the lower connection portion and the thermal expansion coefficient of the boat. This is a semiconductor manufacturing apparatus composed of a material having a coefficient of thermal expansion. The upper connection portion is coated with a cleaning gas used in the reaction chamber and a coating film having corrosion resistance against the reaction gas.

図１は、第１の実施形態の半導体製造装置の構成を模式的に示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment. 図２は、エレベータを下降させた状態の半導体製造装置を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating the semiconductor manufacturing apparatus in a state where the elevator is lowered. 図３は、縦型反応炉の回転軸構造を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a rotating shaft structure of a vertical reactor.

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。   Exemplary embodiments of a semiconductor manufacturing apparatus will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment.

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の半導体製造装置の構成を模式的に示す断面図である。半導体製造装置は、反応管１、ボート２、ボートキャップ３、上部接続部４、下部接続部５、モータ６、エレベータ７及びヒータ８を含む縦型反応炉を備えている。縦型反応炉は、ボート２に載置された複数の被処理基板１０を円筒状の反応管１に収容し、反応管１の内部に反応ガスを供給して成膜処理を施す装置である。反応管１およびボートキャップ３によって反応室を形成する反応室形成部が構成されている。反応管１、ボート２及びボートキャップ３は、反応ガスやクリーニングガスに腐食されない（換言すると、反応ガスやクリーニングガスとの反応性が低い）材料で形成されている。例えば、反応管１、ボート２及びボートキャップ３は、反応ガスがジクロロシランやシラン等のシラン系ガス、クリーニングガスがハロゲン系のガスである場合には、例えば、石英を材料として形成される。 (First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment. The semiconductor manufacturing apparatus includes a vertical reaction furnace including a reaction tube 1, a boat 2, a boat cap 3, an upper connection portion 4, a lower connection portion 5, a motor 6, an elevator 7, and a heater 8. The vertical reaction furnace is an apparatus that accommodates a plurality of substrates to be processed 10 mounted on a boat 2 in a cylindrical reaction tube 1 and supplies a reaction gas into the reaction tube 1 to perform a film forming process. . The reaction tube 1 and the boat cap 3 constitute a reaction chamber forming portion that forms a reaction chamber. The reaction tube 1, the boat 2, and the boat cap 3 are formed of a material that is not corroded by the reaction gas or the cleaning gas (in other words, has low reactivity with the reaction gas or the cleaning gas). For example, the reaction tube 1, the boat 2, and the boat cap 3 are formed using, for example, quartz as a material when the reaction gas is a silane-based gas such as dichlorosilane or silane and the cleaning gas is a halogen-based gas.

ボート２は、基台部２ａおよび支持柱部２ｂを有し、支持柱部２ｂに被処理基板１０がセットされる。ボート２の基台部２ａは、モータ６の軸に接続された下部接続部５に上部接続部４を介して連結されており、モータ６の駆動によって反応管１内で回転する。これにより、反応炉内部での円周方向の温度不均一性やガス濃度の不均一性を緩和し、膜厚や品質が回転方向に関して均一になるようにしている。モータ６の回転軸に固定される下部接続部５は、モータ６の回転軸と同様、ステンレスなどの金属で構成され、金属製の下部接続部５と石英製のボート２とを連結固定するための上部接続部４は、両者の中間の熱膨張率を有する窒化シリコンの焼結体であるセラミックス部材で構成する。   The boat 2 includes a base portion 2a and a support pillar portion 2b, and the substrate to be processed 10 is set on the support pillar portion 2b. The base 2 a of the boat 2 is connected to the lower connection 5 connected to the shaft of the motor 6 via the upper connection 4, and rotates in the reaction tube 1 by driving the motor 6. Thereby, the temperature non-uniformity in the circumferential direction and the non-uniformity of gas concentration in the reaction furnace are alleviated, and the film thickness and quality are made uniform in the rotation direction. The lower connecting portion 5 fixed to the rotating shaft of the motor 6 is made of a metal such as stainless steel like the rotating shaft of the motor 6, and connects and fixes the lower connecting portion 5 made of metal and the boat 2 made of quartz. The upper connection portion 4 is made of a ceramic member which is a sintered body of silicon nitride having a thermal expansion coefficient intermediate between the two.

図２は、エレベータ７を下降させた状態の半導体製造装置を示す図である。図２に示すように、モータ６はエレベータ７の支持腕によって上下移動可能となっており、エレベータ７の上下動によって、モータ６、ボートキャップ３、下部接続部５、上部接続部４およびボート２が上下移動される。   FIG. 2 is a view showing the semiconductor manufacturing apparatus with the elevator 7 lowered. As shown in FIG. 2, the motor 6 can be moved up and down by a support arm of the elevator 7, and the motor 6, the boat cap 3, the lower connection portion 5, the upper connection portion 4, and the boat 2 are moved up and down by the elevator 7. Is moved up and down.

被処理基板１０は、エレベータ７を下降させた状態で室温環境下でボート２に載置された後、エレベータ７の上昇に伴って反応管１内に搬入される（図１参照）。成膜処理中、反応炉内はヒータ８によって２００〜１０００℃程度に加熱される。成膜処理後にはエレベータ７が下降することによって被処理基板１０が反応管１から搬出され、成膜済みの被処理基板１０は室温環境下でボート２から降ろされる。このため、ボート２、上部接続部４及び下部接続部５には、各々の熱膨張率の差に応じて応力が作用する。しかしながら、石英製のボート２と、金属（ステンレス）製の下部接続部５との間に配される上部接続部４を、石英とステンレスの中間の熱膨張率を有する窒化シリコン焼結体で構成しているので、熱応力は緩和される。なお、各材料の一般的な線膨張係数は、石英が０．６程度、ステンレスが１８程度、窒化シリコンが３．５程度である。   The substrate 10 to be processed is placed on the boat 2 in a room temperature environment with the elevator 7 lowered, and then loaded into the reaction tube 1 as the elevator 7 rises (see FIG. 1). During the film forming process, the inside of the reaction furnace is heated to about 200 to 1000 ° C. by the heater 8. After the film forming process, the elevator 7 is lowered to unload the substrate 10 to be processed from the reaction tube 1, and the substrate 10 having been formed is lowered from the boat 2 in a room temperature environment. For this reason, stress acts on the boat 2, the upper connection portion 4, and the lower connection portion 5 according to the difference in the respective thermal expansion coefficients. However, the upper connecting portion 4 disposed between the quartz boat 2 and the lower connecting portion 5 made of metal (stainless steel) is composed of a silicon nitride sintered body having a thermal expansion coefficient intermediate between quartz and stainless steel. Therefore, thermal stress is relieved. The general linear expansion coefficient of each material is about 0.6 for quartz, about 18 for stainless steel, and about 3.5 for silicon nitride.

なお、ボートキャップ３は成膜処理中には冷却されるようになっており、下部接続部５の熱はボートキャップ３に吸熱される。このため、成膜処理中は、下部接続部５はボート２よりも低温となる。熱膨張率の大きい下部接続部５がボート２よりも低温となることにより、膨張量の差が緩和される。   The boat cap 3 is cooled during the film forming process, and the heat of the lower connection portion 5 is absorbed by the boat cap 3. For this reason, the lower connecting portion 5 is cooler than the boat 2 during the film forming process. When the lower connecting portion 5 having a large coefficient of thermal expansion becomes lower in temperature than the boat 2, the difference in expansion amount is alleviated.

図３は、縦型反応炉の回転軸構造を示す図である。モータ６の回転軸６１は磁気シール９を介して下部接続部５に接続されており、モータ６の回転軸６１がボートキャップ３を貫通する部分での気密性が保たれている。   FIG. 3 is a view showing a rotating shaft structure of a vertical reactor. The rotating shaft 61 of the motor 6 is connected to the lower connecting portion 5 via the magnetic seal 9, and airtightness is maintained at a portion where the rotating shaft 61 of the motor 6 penetrates the boat cap 3.

ボートキャップ３の下部には、パージガス入口３１が設けられており、縦型反応炉の外部に設けられたパージガス供給装置１１から供給されるパージガス（例えばＮ２ガス）を炉内に放出する。炉内に放出されたパージガスは、図３中に破線矢印で示すように反応管１に向かって流れる。これにより、成膜処理中やクリーニング中に反応ガスやクリーニングガスが上部接続部４や下部接続部５の近傍に入り込みにくくなっている。 A purge gas inlet 31 is provided at the lower portion of the boat cap 3, and purge gas (for example, N 2 gas) supplied from a purge gas supply device 11 provided outside the vertical reactor is discharged into the furnace. The purge gas released into the furnace flows toward the reaction tube 1 as indicated by a broken line arrow in FIG. This makes it difficult for the reaction gas and the cleaning gas to enter the vicinity of the upper connection portion 4 and the lower connection portion 5 during the film forming process and during the cleaning.

上部接続部４は、上下の端部にフランジ４１、４２を備えた柱状である。上部接続部４の下端のフランジ４２にはねじ穴４３が設けられている。一方、上部接続部４の上端のフランジ４１には、ねじ穴４４が設けられている。上部接続部４は、上側のフランジ４１でボート２の基台部２ａと複数箇所でねじ２１またはピンで連結固定されている。上部接続部４と基台部２ａとを連結する固定ねじ２１は例えばアルミナで形成されている。   The upper connecting portion 4 has a columnar shape having flanges 41 and 42 at upper and lower ends. A screw hole 43 is provided in the flange 42 at the lower end of the upper connecting portion 4. On the other hand, a screw hole 44 is provided in the flange 41 at the upper end of the upper connection portion 4. The upper connecting portion 4 is connected and fixed to the base portion 2a of the boat 2 by a screw 21 or a pin at a plurality of locations by an upper flange 41. The fixing screw 21 for connecting the upper connecting portion 4 and the base portion 2a is made of alumina, for example.

また、上部接続部４と下部接続部５とは複数箇所で調整ねじ５１で連結固定されており、調整ねじ５１を調整することで、上部接続部４と下部接続部５との間隔、基台部２ａとボートキャップ３との間隔（反応室へのパージガスの通過間隔）を調整することができる。調整ねじ５１は、例えばステンレスで形成されている。   Further, the upper connecting portion 4 and the lower connecting portion 5 are connected and fixed at a plurality of locations by adjusting screws 51, and by adjusting the adjusting screw 51, the distance between the upper connecting portion 4 and the lower connecting portion 5, the base The interval between the portion 2a and the boat cap 3 (purge gas passage interval to the reaction chamber) can be adjusted. The adjusting screw 51 is made of, for example, stainless steel.

このように、上部接続部４は、調整ねじ５１を介して下部接続部５に固定され、かつ固定ねじ２１を介してボート２に固定されることで、下部接続部５とボート２との間に介在して、モータ６の回転力をボート２に伝達する。   As described above, the upper connecting portion 4 is fixed to the lower connecting portion 5 via the adjusting screw 51 and is fixed to the boat 2 via the fixing screw 21, so that the lower connecting portion 5 and the boat 2 are connected to each other. And the rotational force of the motor 6 is transmitted to the boat 2.

本縦型反応炉のアプリケーションのひとつに、シリコン窒化膜の成膜工程があり、その際のチューブクリーニングとして、ハロゲン系のガスを用いることで、シリコン窒化膜を反応炉壁から除去する。しかし、このクリーニングガスは、シリコン窒化膜を除去することができるが、窒化シリコンの焼結体で形成された上部接続部４もエッチングして、焼結体である部材が落剥する。このため、窒化シリコンの焼結体で形成された上部接続部４は、製造される半導体装置の不良を誘発するような、粉末状の粒子を発生する発塵源となる。なお、ハロゲン系のガスは、単体であってもハロゲン系ガスを混ぜた混合ガスであっても構わない。   One of the applications of the vertical reactor is a silicon nitride film forming process, in which the silicon nitride film is removed from the reactor wall by using a halogen-based gas as tube cleaning. However, this cleaning gas can remove the silicon nitride film, but also etches the upper connection portion 4 formed of a sintered body of silicon nitride, and the member that is the sintered body peels off. For this reason, the upper connection portion 4 formed of a silicon nitride sintered body serves as a dust generation source that generates powder particles that induce a defect in the semiconductor device to be manufactured. Note that the halogen-based gas may be a single gas or a mixed gas in which a halogen-based gas is mixed.

そこで、本第１の実施形態においては、上部接続部４は、その本体を構成する窒化シリコンの焼結体の全外面と、ねじ２１、調整ねじ５１が挿入されるねじ孔に対し、反応ガスあるいはクリーニングガスに対し耐腐食性を有する酸化シリコンのコーティング膜７０を形成している。ＣＶＤ法によって上部接続部４に酸化シリコンをコーティングすることにより、焼結体よりも緻密でかつ欠陥の少ないシリコン酸化膜を形成できる。焼結体表面には物理的な凹凸が存在するが、段差被覆率の高いＣＶＤ法を用いることで、焼結体の表面を隙間無くコーティング膜で覆うことができる。これにより、クリーニングガスによる窒化シリコン焼結体へのエッチングを抑制し、粉塵の発生を防止できる。ただし、ＣＶＤ法に限らず、ＰＶＤ法などによって上部接続部４の表面にコーティングを施すことも可能である。   Therefore, in the first embodiment, the upper connecting portion 4 has a reactive gas with respect to the entire outer surface of the silicon nitride sintered body constituting the main body and the screw hole into which the screw 21 and the adjusting screw 51 are inserted. Alternatively, a silicon oxide coating film 70 having corrosion resistance against the cleaning gas is formed. By coating the upper connecting portion 4 with silicon oxide by the CVD method, a silicon oxide film that is denser and has fewer defects than the sintered body can be formed. Although there are physical irregularities on the surface of the sintered body, the surface of the sintered body can be covered with a coating film without a gap by using a CVD method with a high step coverage. Thereby, the etching to the silicon nitride sintered compact by cleaning gas can be suppressed, and generation | occurrence | production of dust can be prevented. However, the surface of the upper connection portion 4 can be coated not only by the CVD method but also by the PVD method or the like.

コーティングの厚さは、一例として、０．１〜３μｍ程度である。酸化シリコンのコーティングが薄すぎるとクリーニングガスによる上部接続部４の腐食を防止する効果が不十分となる。一方、酸化シリコンのコーティングが厚すぎると、上部接続部４の熱膨張にコーティング膜が追従できずにコーティング膜にクラックが発生するなどして防食効果が低下する原因となる。ただし、上記のコーティング厚さはあくまでも一例であり、この範囲に限定されることはない。   The thickness of the coating is, for example, about 0.1 to 3 μm. If the coating of silicon oxide is too thin, the effect of preventing corrosion of the upper connection portion 4 by the cleaning gas will be insufficient. On the other hand, if the coating of silicon oxide is too thick, the coating film cannot follow the thermal expansion of the upper connection portion 4 and cracks occur in the coating film, which causes a reduction in the anticorrosion effect. However, the above-described coating thickness is merely an example, and is not limited to this range.

本実施形態においては、上部接続部４に反応ガスあるいはクリーニングガスに対し耐腐食性を有する酸化シリコンのコーティングが施されているため、クリーニングガスによって上部接続部４が腐食されることはない。したがって、反応炉のクリーニング中に上部接続部４から発生した粉末状の粒子が成膜中に被処理基板に付着して成膜不良が発生することを防止できる。   In the present embodiment, since the upper connecting portion 4 is coated with silicon oxide having corrosion resistance against the reaction gas or the cleaning gas, the upper connecting portion 4 is not corroded by the cleaning gas. Therefore, it is possible to prevent the powdery particles generated from the upper connection portion 4 during the cleaning of the reaction furnace from adhering to the substrate to be processed during the film formation and causing the film formation failure.

（第２の実施形態）
第２の実施形態にかかる半導体製造装置は、第１の実施形態とほぼ同様の構成である。ただし、本実施形態においては、上部接続部にはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）コーティングが施されている。この他については、第１の実施形態と同様である。 (Second Embodiment)
The semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment has substantially the same configuration as that of the first embodiment. However, in this embodiment, the upper connection portion is coated with alumina (Al 2 O 3 ). Others are the same as in the first embodiment.

本実施形態においても、クリーニングガスあるいは反応ガスによって上部接続部が腐食されることはない。したがって、反応炉のクリーニング中あるいは成膜中に上部接続部から発生した粉末状の粒子が成膜中に被処理基板に付着して成膜不良が発生することを防止できる。   Also in this embodiment, the upper connection portion is not corroded by the cleaning gas or the reaction gas. Accordingly, it is possible to prevent the formation of defective film formation due to the powdery particles generated from the upper connection part during the cleaning of the reaction furnace or during film formation adhering to the substrate to be processed during film formation.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１ 反応管、２ ボート、３ ボートキャップ、４ 上部接続部、５ 下部接続部、６ モータ、１０ 被処理基板。   1 reaction tube, 2 boat, 3 boat cap, 4 upper connection part, 5 lower connection part, 6 motor, 10 substrate to be processed.

Claims (6)

モータの回転軸に固定される下部接続部と、前記下部接続部上に固定される上部接続部と、前記上部接続部上に固定されて被処理基板を支持するボートとを有する上下移動可能な回転構造と、
前記回転構造を収容する反応室を形成する反応室形成部と、
を備え、前記上部接続部を前記下部接続部の熱膨張率と前記ボートの熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置であって、
前記上部接続部は、前記反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされていることを特徴とする半導体製造装置。 A vertically connecting portion having a lower connecting portion fixed to a rotating shaft of a motor, an upper connecting portion fixed on the lower connecting portion, and a boat fixed on the upper connecting portion and supporting a substrate to be processed. Rotating structure,
A reaction chamber forming section for forming a reaction chamber for housing the rotating structure;
Comprising a material having an intermediate thermal expansion coefficient between the thermal expansion coefficient of the lower connection part and the thermal expansion coefficient of the boat,
The semiconductor manufacturing apparatus, wherein the upper connecting portion is coated with a cleaning gas used in the reaction chamber and a coating film having corrosion resistance against the reaction gas. 前記コーティング膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。   The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the coating film is a silicon oxide film. 前記コーティング膜は、Ａｌ２Ｏ３であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the coating film is Al 2 O 3 . 前記コーティング膜は、ＣＶＤ法によって形成された膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の半導体製造装置。   The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the coating film is a film formed by a CVD method. 前記反応室形成部およびボートは、石英で構成され、
前記下部接続部は、金属で構成され、
前記上部接続部は、窒化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の半導体製造装置。 The reaction chamber forming part and the boat are made of quartz,
The lower connection part is made of metal,
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the upper connection portion is made of silicon nitride. 前記クリーニングガスは、ハロゲン系ガスを含むガスであり、
前記反応ガスはシラン系ガスを含むガスであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の半導体製造装置。 The cleaning gas is a gas containing a halogen gas,
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the reaction gas is a gas containing a silane-based gas.
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