JP2012173601A5 - - Google Patents

Description

更に、図９に示すように、電圧Ｖ１を印加した状態のまま、エネルギー線（具体的には紫外線ＵＶ）を、例えば、ＴＦＴ基板２０の外側から配向膜２２，３２に対して照射する。即ち、液晶分子４１Ａを基板２０の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物が有する架橋性官能基又は重合性官能基を反応させ、配向処理前・化合物を架橋させる（ステップＳ１０４）。こうして、配向処理後・化合物により液晶分子４１の応答すべき方向が記憶され、配向膜２２近傍の液晶分子４１Ａにプレチルトが付与され、第２配向膜３２近傍の液晶分子４１Ｂは、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向される。そして、その結果、配向膜２２，３２中において配向処理後・化合物が形成され、非駆動状態において、液晶層４０における第１配向膜２２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ａに第１プレチルト角θ₁が付与され、第２配向膜３２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ｂに第２プレチルト角θ₂が付与される。紫外線ＵＶとして、波長２９５ｎｍから波長３６５ｎｍ程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。これよりも短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子４１が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線ＵＶをＴＦＴ基板２０の外側から照射したが、ＣＦ基板３０の外側から照射してもよく、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線ＵＶを照射することが好ましい。また、ＣＦ基板３０の外側から紫外線ＵＶを照射した場合、紫外線ＵＶの波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて架橋反応し難くなる虞がある。このため、ＴＦＴ基板２０の外側（画素電極を有する基板側）から照射することが好ましい。

実施の形態１では、主にポリイミド構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物を含有する配向膜２２，３２を用いた場合について説明したが、配向処理前・化合物が有する主鎖は、ポリイミド構造を含むものに限定されない。例えば、主鎖が、ポリシロキサン構造、ポリアクリレート構造、ポリメタクリレート構造、マレインイミド重合体構造、スチレン重合体構造、スチレン／マレインイミド重合体構造、ポリサッカライド構造又はポリビニルアルコール構造等を含んでいてもよく、中でも、ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物が好ましい。上記したポリイミド構造を含む高分子化合物と同様の効果が得られるからである。ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物として、例えば、式（９）で表されるポリシロキサン構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（９）におけるＲ１０及びＲ１１は、炭素を含んで構成された１価の基であれば任意であるが、Ｒ１０及びＲ１１のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基、及び、式（１）から成る側鎖を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。この場合における架橋性官能基又は重合性官能基として、上記した式（４１）に示した基等が挙げられる。

先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を準備した。ＴＦＴ基板２０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０Ａの一面側に、スリットパターン（第１スリット部２１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第１スリット部２１が形成された第１電極２０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第１電極２０Ｂと第１電極２０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る画素電極２０Ｂが形成された基板を用いた。また、ＣＦ基板３０として、カラーフィルタが形成された厚さ０．７ｍｍのガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、スリットパターン（第２スリット部３１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第２スリット部３１が形成された第２電極３０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第２電極３０Ｂと第２電極３０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る対向電極３０Ｂが形成された基板を用いた。この画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂに形成されたスリットパターンによって、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に斜め電界が加わる。続いて、ＴＦＴ基板２０の上に３．５μｍのスペーサ突起物を形成した。尚、第１スリット部２１及び第２スリット部３１のスリットパターンとして、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）に示すスリットパターンを用いた。