JP2012169408A - Material for mask, method for forming mask, method for forming pattern, and etching protection film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マスク用材料、マスクの形成方法、パターン形成方法、及びエッチング保護膜に関する。 The present invention relates to a mask material, a mask forming method, a pattern forming method, and an etching protective film.
近年、半導体装置は、微細化によって高集積化および高速化を実現してきており、これに伴い、最小線幅が２００ｎｍ以下の集積回路の研究が盛んに行われている。そのような中で、微細加工に必要な薄膜をカバレッジ良く成膜する技術として、単原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が注目されている。 In recent years, semiconductor devices have achieved high integration and high speed by miniaturization, and accordingly, research on integrated circuits having a minimum line width of 200 nm or less has been actively conducted. Under such circumstances, as a technique for forming a thin film necessary for fine processing with good coverage, a monolayer deposition (ALD) method has attracted attention.
一般に、半導体装置を微細加工する際には、フッ化炭素を用いたプラズマエッチングが用いられており、エッチング選択比の異なる膜種を利用し、エッチング深さの制御、微細形状の形成がなされている。例えば、Ｃｕ配線の拡散バリア膜には、エッチング選択比の高いＳｉＣＮ膜が使用されており、ビアエッチングの際にエッチストップ膜として利用されている。ここで、エッチング選択比とは、マスクのエッチングレートに対するエッチング対象膜のエッチングレートの比のことをいい、この値が大きいほど、精度よく微細加工ができる。 Generally, when microfabrication of a semiconductor device is performed, plasma etching using carbon fluoride is used, and a film type having a different etching selectivity is used to control an etching depth and form a fine shape. Yes. For example, a SiCN film having a high etching selection ratio is used as a diffusion barrier film for Cu wiring, and is used as an etch stop film during via etching. Here, the etching selectivity refers to the ratio of the etching rate of the etching target film to the etching rate of the mask.
ＡＬＤ法により、レジストにコンフォーマルな二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を成膜し、サイドウォールスペーサーをマスクとするダブルパターニングにおいても、エッチング選択比が重要な膜性能を決める要因となっている。すなわち、サイドウォールスペーサーのエッチングレートに対するレジストのエッチングレートの比が重要となっている。 Even in double patterning using a sidewall spacer as a mask by forming a conformal silicon dioxide (SiO 2 ) film on a resist by the ALD method, the etching selectivity is an important factor that determines the film performance. That is, the ratio of the etching rate of the resist to the etching rate of the sidewall spacer is important.
特許文献１には、レジストパターンに直接二酸化珪素膜系の膜を形成し、レジストパターンのピッチを縮小するサイドウォールスペーサー法が記載されている。
そして、二酸化珪素膜の形成には、アミノシラン化合物でレジストパターンの表面を覆い、その後ＣＶＤ法またはＡＬＤ法により二酸化珪素膜を形成する方法が採用されている。これにより、パターンの変形やＬＷＲ（ｌｉｎｅ ｗｉｄｔｈ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）の増大を防ぎ、精度の高いサイドウォールスペーサーパターンが形成可能となっている。
Patent Document 1 describes a sidewall spacer method in which a silicon dioxide film-based film is directly formed on a resist pattern and the pitch of the resist pattern is reduced.
For forming the silicon dioxide film, a method of covering the surface of the resist pattern with an aminosilane compound and then forming the silicon dioxide film by a CVD method or an ALD method is employed. Thereby, deformation of the pattern and increase in LWR (line width roughness) can be prevented, and a highly accurate sidewall spacer pattern can be formed.
ところで、近年では、種々の被エッチング物（エッチング対象膜）にサイドウォールスペーサーを形成して加工することが求められており、被エッチング物とのエッチング選択比が高い膜からなるサイドウォールスペーサーが必要とされている。 By the way, in recent years, it has been required to form and process sidewall spacers on various objects to be etched (films to be etched), and sidewall spacers made of films having a high etching selectivity with the objects to be etched are required. It is said that.
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、サイドウォールスペーサーとして、二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜が使用されており、二酸化珪素膜を形成するための材料として、アミノシラン化合物が用いられている。このため、炭素含有量の多い膜を成膜することができず、その結果、エッチング選択比が低くなるという不都合が生じていた。
このような背景の下、エッチング選択比の高いマスクを形成する技術が要望されていたが、有効適切なものが提供されていないのが実情であった。
However, in the technique described in Patent Document 1, a silicon dioxide (SiO 2 ) film is used as a sidewall spacer, and an aminosilane compound is used as a material for forming the silicon dioxide film. For this reason, a film having a high carbon content cannot be formed, and as a result, there has been a disadvantage that the etching selectivity is lowered.
Under such circumstances, there has been a demand for a technique for forming a mask having a high etching selectivity, but in reality, no effective and appropriate one has been provided.
上記課題を解決するため、本願発明者らは、炭素含有量の多い膜の研究開発に鋭意取り組んでいたところ、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物を用いることで、炭素含有量の多い膜を成膜することができることを見出した。 In order to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present application have been diligently researching and developing a film having a high carbon content. By using a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon, the carbon content can be reduced. It was found that many films can be formed.
すなわち、請求項１に係る発明は、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクを形成するためのマスク用材料であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなることを特徴とするマスク用材料である。 That is, the invention according to claim 1 is a mask material for forming a mask used when patterning an object to be etched by etching, and is made of a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon. It is a characteristic mask material.
また、請求項２に係る発明は、前記イソブチル基を有するシラン化合物が、イソブチルトリメチルシランまたはジイソブチルジメチルシランであることを特徴とする請求項１に記載のマスク用材料である。
The invention according to
また、請求項３に係る発明は、前記環状炭化水素を有するシラン化合物が、５−シラスピロ［４、４］ノナンであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスク用材料である。
The invention according to
また、請求項４に係る発明は 前記マスクがサイドウォールスペーサーであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のマスク用材料である。
The invention according to
また、請求項５に係る発明は、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクの形成方法であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物を用いて、ＡＬＤ法によって、前記被エッチング物上にマスクを形成することを特徴とするマスクの形成方法である。 The invention according to claim 5 is a method of forming a mask used when patterning an object to be etched by etching, wherein the silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon is used to form the mask by the ALD method. A mask forming method is characterized in that a mask is formed on an object to be etched.
また、請求項６に係る発明は、前記イソブチル基を有するシラン化合物が、イソブチルトリメチルシランまたはジイソブチルジメチルシランであることを特徴とする請求項５に記載のマスクの形成方法である。
The invention according to
また、請求項７に係る発明は、前記環状炭化水素を有するシラン化合物が、５−シラスピロ［４、４］ノナンであることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のマスクの形成方法である。
The invention according to
また、請求項８に係る発明は、前記マスクが、サイドウォールスペーサーであることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載のマスクの形成方法である。
The invention according to
また、請求項９に係る発明は、被エッチング物上にパターニングされたレジスト膜を形成する工程と、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物を用いて、ＡＬＤ法によって、前記被エッチング物上および前記レジスト膜上にマスクを形成する工程と、前記レジスト膜の側面に前記マスクが残るように、前記マスクをエッチバックする工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記マスクをマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物にパターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法である。 The invention according to claim 9 is characterized in that the object to be etched is formed by an ALD method using a step of forming a patterned resist film on the object to be etched and a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon. Forming a mask above and on the resist film, etching back the mask so that the mask remains on the side surface of the resist film, removing the resist film, and using the mask as a mask And a step of forming a pattern on the object to be etched by etching.
また、請求項１０に係る発明は、前記イソブチル基を有するシラン化合物が、イソブチルトリメチルシランまたはジイソブチルジメチルシランであることを特徴とする請求項９に記載のパターン形成方法である。
The invention according to
また、請求項１１に係る発明は、前記環状炭化水素を有するシラン化合物が、５−シラスピロ［４、４］ノナンであることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のパターン形成方法である。
The invention according to
また、請求項１２に係る発明は、エッチングプロセスにおいてマスクとして機能するエッチング保護膜であって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上のＳｉＣ膜であることを特徴とするエッチング保護膜である。 The invention according to claim 12 is an etching protective film which functions as a mask in an etching process, and is an SiC protective film having a carbon to silicon ratio of 2.5 or more.
また、請求項１３に係る発明は、前記マスクが、サイドウォールスペーサーであることを特徴とする請求項１２に記載のエッチング保護膜である。 The invention according to claim 13 is the etching protective film according to claim 12, wherein the mask is a sidewall spacer.
また、請求項１４に係る発明は、エッチングプロセスにおいてマスクとして機能するエッチング保護膜であって、珪素に対する炭素の比率が２．０以上のＳｉＣＮ膜であることを特徴とするエッチング保護膜である。 The invention according to claim 14 is an etching protective film which functions as a mask in an etching process, and is an SiCN film having a carbon to silicon ratio of 2.0 or more.
また、請求項１５に係る発明は、前記マスクが、サイドウォールスペーサーであることを特徴とする請求項１４に記載のエッチング保護膜である。 The invention according to claim 15 is the etching protective film according to claim 14, wherein the mask is a sidewall spacer.
また、請求項１６に係る発明は、エッチングプロセスにおいてマスクとして機能するエッチング保護膜であって、珪素に対する炭素の比率が２．０以上のＳｉＯＣ膜であることを特徴とするエッチング保護膜である。 The invention according to claim 16 is an etching protective film which functions as a mask in an etching process, and is an SiOC film having a carbon to silicon ratio of 2.0 or more.
また、請求項１７に係る発明は、前記マスクが、サイドウォールスペーサーであることを特徴とする請求項１６に記載のエッチング保護膜である。 The invention according to claim 17 is the etching protective film according to claim 16, wherein the mask is a sidewall spacer.
また、請求項１８に係る発明は、エッチングプロセスにおいてマスクとして機能するエッチング保護膜であって、珪素に対する炭素の比率が１．０以上のＳｉＯＣＮ膜であることを特徴とするエッチング保護膜である。 The invention according to claim 18 is an etching protective film which functions as a mask in an etching process, and is an SiOCN film having a carbon to silicon ratio of 1.0 or more.
また、請求項１９に係る発明は、前記マスクが、サイドウォールスペーサーであることを特徴とする請求項１８に記載のエッチング保護膜である。 The invention according to claim 19 is the etching protective film according to claim 18, wherein the mask is a sidewall spacer.
本発明によれば、マスク用材料としてイソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物が用いられるので、炭素含有量を多くすることができ、エッチング選択比の高いマスクを形成することができる。 According to the present invention, since a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon is used as a mask material, the carbon content can be increased and a mask having a high etching selectivity can be formed.
また、本発明のエッチング保護膜は、炭素含有量が多いので、エッチング選択比の高いマスクとして機能することができる。 Moreover, since the etching protective film of the present invention has a high carbon content, it can function as a mask having a high etching selectivity.
以下、本発明を適用した一実施形態であるマスク用材料、マスクの形成方法、パターン形成方法、およびエッチング保護膜について説明する。 Hereinafter, a mask material, a mask forming method, a pattern forming method, and an etching protective film, which are embodiments to which the present invention is applied, will be described.
＜マスク用材料＞
まず、エッチングプロセスの際に用いられるマスクの材料（マスク用材料）について説明する。
本実施形態で用いるマスク用材料は、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクを形成するための材料であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物から構成されている。このマスク用材料は、１気圧における沸点が３００℃以下であることが好ましく、２００℃以下であることがより好ましい。
<Mask material>
First, a mask material (mask material) used in the etching process will be described.
The mask material used in this embodiment is a material for forming a mask used when patterning an object to be etched by etching, and is composed of a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon. The mask material preferably has a boiling point at 1 atm of 300 ° C. or less, more preferably 200 ° C. or less.
また、マスク用材料は、プラズマ雰囲気に曝されると、Ｓｉ−（ＣＨ２）Ｘで表されるラジカルまたはイオン種を優先的に発生することができ、基板等の対象上にＳｉ−（ＣＨ２）Ｘ−Ｓｉネットワークを成膜したマスク中に形成することができる。 Further, when the mask material is exposed to a plasma atmosphere, radicals or ion species represented by Si— (CH 2 ) X can be preferentially generated, and Si— (CH 2 ) An X-Si network can be formed in the deposited mask.
イソブチル基を有するシラン化合物としては、下記化学式（１）または下記化学式（２）で示されるものを用いることができ、ｉ−ブチル基、ｉ−ペンチル基、ｉ−ネオペンチル基またはネオヘキシル基を含み、酸素を含まないことが好ましい。 As the silane compound having an isobutyl group, those represented by the following chemical formula (1) or the following chemical formula (2) can be used, including an i-butyl group, an i-pentyl group, an i-neopentyl group or a neohexyl group, It is preferable not to contain oxygen.
なお、上記化学式（１）および上記化学式（２）において、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ、Ｈ、ＣｎＨ２ｎ＋１、ＣｋＨ２ｋ―１、及びＣｌＨ２ｌ―３からなる群から選択されるいずれかを表し、Ｒ５は、ＣｘＨ２ｘを表し、ｎは１〜５の整数を表し、ｋおよびｌは２〜６の整数を表し、ｘは３〜７の整数を表す；但しＲ１〜Ｒ４のいずれか１つは、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ３、ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ３からなる群から選択されるいずれかを表す。 In the chemical formula (1) and the chemical formula (2), R 1 to R 4 are each selected from the group consisting of H, C n H2 n + 1 , C k H 2k-1 , and C l H 21-3. R 5 represents C x H 2x , n represents an integer of 1 to 5, k and l represent an integer of 2 to 6, and x represents an integer of 3 to 7; Any one of R 1 to R 4 is CH 2 CH (CH 3 ) CH 3 , CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 3 , CH 2 CH 2 CH (CH 3 ) CH 3 , CH 2 C ( CH 3) 2 CH 3, CH 2 CH 2 C (CH 3) represents any one selected from the group consisting of 2 CH 3.
上記化学式（２）で示される化合物の好ましい具体例としては、１−１−ジイソブチル−１−シラシクロペンタンが挙げられる。
これ以外に用いられるシラン化合物の例としては、１−イソブチルー１−シラシクロプロパン、１−イソブチルー１−シラシクロブタン、１−イソブチルー１−シラシクロペンタン、１−イソブチルー１−メチルー１−シラシクロプロパン、１−イソブチルー１−メチルー１−シラシクロブタン、１−イソブチルー１−エチルー１−シラシクロペンタン、１−イソブチルー１−ブチルー１−シラシクロプロパン、１−イソブチルー１−ブチルー１−シラシクロブタン、１−イソブチルー１−ブチルー１−シラシクロペンタン、１−イソブチルー１−ペンチルー１−シラシクロプロパン、１−イソブチルー１−ペンチルー１−シラシクロブタン、１−イソブチルー１−ペンチルー１−シラシクロペンタン、１−イソブチルー１−ターシャリーブチルー１−シラシクロプロパン、１−イソブチルー１−ターシャリーブチルー１−シラシクロブタン、１−イソブチルー１−ターシャリーブチルー１−シラシクロペンタン、 １−１−ジイソブチルー１−シラシクロプロパン、１−１−ジイソブチルー１−シラシクロブタン、１−１−ジイソブチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジターシャリーブチルー１−シラシクロプロパン、１−１−ジターシャリーブチルー１−シラシクロブタン、１−１−ジターシャリーブチルー１−シラシクロペンタン、 １−１−ジプロピルー１−シラシクロプロパン、１−１−ジプロピルー１−シラシクロブタン、１−１−ジプロピルー１−シラシクロペンタンなどがあげられる。
A preferred specific example of the compound represented by the chemical formula (2) is 1-1-diisobutyl-1-silacyclopentane.
Examples of other silane compounds used include 1-isobutyl-1-silacyclopropane, 1-isobutyl-1-silacyclobutane, 1-isobutyl-1-silacyclopentane, 1-isobutyl-1-methyl-1-silacyclopropane, 1-isobutyl-1-methyl-1-silacyclobutane, 1-isobutyl-1-ethyl-1-silacyclopentane, 1-isobutyl-1-butyl-1-silacyclopropane, 1-isobutyl-1-butyl-1-silacyclobutane, 1-isobutyl-1 -Butyl-1-silacyclopentane, 1-isobutyl-1-pentyl-1-silacyclopropane, 1-isobutyl-1-pentyl-1-silacyclobutane, 1-isobutyl-1-pentyl-1-silacyclopentane, 1-isobutyl-1-tertiary 1-silacyclopropane, 1-isobutyl-1-tertiarybutyl-1-silacyclobutane, 1-isobutyl-1-tertiarybutyl-1-silacyclopentane, 1-1-diisobutyl-1-silacyclopropane, 1-1-diisobutyl- 1-silacyclobutane, 1-1-diisobutyl-1-silacyclopentane, 1-1-ditertiary butyl-1-silacyclopropane, 1-1-ditertiary butyl-1-silacyclobutane, 1-1-ditertiary Examples include til-1-silacyclopentane, 1-1-dipropyl-1-silacyclopropane, 1-1-dipropyl-1-silacyclobutane, 1-1-dipropyl-1-silacyclopentane, and the like.
上記化学式（３）で示される化合物の好ましい具体例としては、イソブチルトリメチルシラン、ジイソブチルジメチルシラン、ジイソブチルシラン、ジイソブチルメチルシラン、ジイソブチルエチルシラン、ジイソブチルエチルメチルシラン、ジイソブチルジエチルシラン、イソペンチルトリメチルシシラン、ネオペンチルトリメチルシシラン、ネオヘキシルトリメチルシランが挙げられる。
これ以外に用いられるシラン化合物の例としては、イソブチルトリエチルシラン、イソブチルトリプロピルシラン、イソブチルトリブチルシラン、テトライソソブチルシラン、イソブチルセカンダリーブチルシラン、イソブチルトリペンチルシラン、イソブチルイソペンチルシラン、イソブチルネオペンチルシラン、イソブチルターシャリーペンチルシラン、ジイソブチルジエチルシラン、ジイソブチルジプロピルシラン、ジイソブチルジブチルシラン、ジイソブチルセカンダリーブチルシラン、ジイソブチルジペンチルシラン、ジイソブチルイソペンチルシラン、ジイソブチルネオペンチルシラン、ジイソブチルターシャリーペンチルシラン、トリイソブチルエチルシラン、トリイソブチルプロピルシラン、トリイソブチルブチルシラン、トリイソブチルセカンダリーブチルシラン、トリイソブチルペンチルシラン、トリイソブチルイソペンチルシラン、トリイソブチルネオペンチルシラン、トリイソブチルターシャリーペンチルシラン、イソブチルジエチルシラン、イソブチルジプロピルシラン、イソブチルジブチルシラン、イソブチルジセカンダリーブチルシラン、イソブチルジイソペンチルシラン、イソブチルジネオペンチルシラン、イソブチルジターシャリーペンチルシラン、ターシャリーブチルトリエチルシラン、ターシャリーブチルトリプロピルシラン、ターシャリーブチルトリブチルシラン、テトラターシャリーブチルシラン、ターシャリーブチルセカンダリーブチルシラン、ターシャリーブチルトリペンチルシラン、ターシャリーブチルイソペンチルシラン、ターシャリーブチルネオペンチルシラン、ターシャリーブチルターシャリーペンチルシラン、ジターシャリーブチルジエチルシラン、ジターシャリーブチルジプロピルシラン、ジターシャリーチルジブチルシラン、ジターシャリーブチルセカンダリーブチルシラン、ジターシャリーブチルジペンチルシラン、ジターシャリーブチルイソペンチルシラン、ジターシャリーブチルネオペンチルシラン、ジターシャリーブチルターシャリーペンチルシラン、トリターシャリーブチルエチルシラン、トリターシャリーブチルプロピルシラン、トリターシャリーブチルブチルシラン、トリターシャリーブチルセカンダリーブチルシラン、トリターシャリーブチルペンチルシラン、トリターシャリーブチルイソペンチルシラン、トリターシャリーブチルネオペンチルシラン、トリターシャリーブチルターシャリーペンチルシラン、 ターシャリーブチルジエチルシラン、ターシャリーブチルジプロピルシラン、ターシャリーブチルジブチルシラン、ターシャリーブチルジセカンダリーブチルシラン、ターシャリーブチルジイソペンチルシラン、ターシャリーブチルジネオペンチルシラン、ターシャリーブチルジターシャリーペンチルシラン、プロピルトリエチルシラン、テトラプロピルシラン、プロピルトリブチルシラン、テトラプロピルシラン、プロピルセカンダリーブチルシラン、プロピルトリペンチルシラン、プロピルイソペンチルシラン、プロピルネオペンチルシラン、プロピルターシャリーペンチルシラン、ジプロピルジエチルシラン、ジプロピルジプロピルシラン、ジプロピルジブチルシラン、ジプロピルセカンダリーブチルシラン、ジプロピルジペンチルシラン、ジプロピルイソペンチルシラン、ジプロピルネオペンチルシラン、ジプロピルターシャリーペンチルシラン、トリプロピルエチルシラン、テトラプロピルシラン、トリプロピルブチルシラン、トリプロピルセカンダリーブチルシラン、トリプロピルペンチルシラン、トリプロピルイソペンチルシラン、トリプロピルネオペンチルシラン、トリプロピルターシャリーペンチルシラン、プロピルジエチルシラン、プロピルジプロピルシラン、プロピルジブチルシラン、プロピルジセカンダリーブチルシラン、プロピルジイソペンチルシラン、プロピルジネオペンチルシラン、プロピルジターシャリーペンチルシランなどがあげられる。
Preferred specific examples of the compound represented by the chemical formula (3) include isobutyltrimethylsilane, diisobutyldimethylsilane, diisobutylsilane, diisobutylmethylsilane, diisobutylethylsilane, diisobutylethylmethylsilane, diisobutyldiethylsilane, isopentyltrimethylsilane, Examples include neopentyltrimethylsilane and neohexyltrimethylsilane.
Examples of other silane compounds include isobutyl triethyl silane, isobutyl tripropyl silane, isobutyl tributyl silane, tetraisosobutyl silane, isobutyl secondary butyl silane, isobutyl tripentyl silane, isobutyl isopentyl silane, isobutyl neopentyl silane , Isobutyl tertiary pentylsilane, diisobutyldiethylsilane, diisobutyldipropylsilane, diisobutyldibutylsilane, diisobutyl secondary butylsilane, diisobutyldipentylsilane, diisobutylisopentylsilane, diisobutylneopentylsilane, diisobutyltertiarypentylsilane, triisobutylethylsilane, Triisobutylpropylsilane, triisobutylbutylsilane, Riisobutyl secondary butyl silane, triisobutyl pentyl silane, triisobutyl isopentyl silane, triisobutyl neopentyl silane, triisobutyl tertiary pentyl silane, isobutyl diethyl silane, isobutyl dipropyl silane, isobutyl dibutyl silane, isobutyl di secondary butyl silane, isobutyl Diisopentyl silane, isobutyl dineopentyl silane, isobutyl ditertiary pentyl silane, tertiary butyl triethyl silane, tertiary butyl tripropyl silane, tertiary butyl tributyl silane, tetra tertiary butyl silane, tertiary butyl secondary butyl silane, tertiary Libutyl Tripentylsilane, Tertiary Butylisopentylsilane, Ta Shaributyl neopentylsilane, tertiary butyl tertiary pentylsilane, ditertiary butyldiethylsilane, ditertiary butyldipropylsilane, ditertiary butyldibutylsilane, ditertiary butyl secondary butylsilane, ditertiary butyldipentylsilane, ditertiary butyl Isopentylsilane, ditertiary butyl neopentylsilane, ditertiary butyl tertiary pentylsilane, tritertiary butylethylsilane, tritertiary butylpropylsilane, tritertiary butylbutylsilane, tritertiary butyl secondary butylsilane, tritercia Libutyl pentyl silane, tritertiary butyl isopentyl silane, tritertiary butyl neope Nylsilane, Tritertiary butyl tertiary pentyl silane, Tertiary butyl diethyl silane, Tertiary butyl dipropyl silane, Tertiary butyl dibutyl silane, Tertiary butyl disecondary butyl silane, Tertiary butyl diisopentyl silane, Tertiary butyl di Neopentylsilane, tertiary butyl ditertiary pentylsilane, propyltriethylsilane, tetrapropylsilane, propyltributylsilane, tetrapropylsilane, propyl secondary butylsilane, propyltripentylsilane, propylisopentylsilane, propylneopentylsilane, propyltersha Lipentylsilane, dipropyldiethylsilane, dipropyldipropylsilane, dipropyldibutylsilane Lan, dipropyl secondary butyl silane, dipropyl dipentyl silane, dipropyl isopentyl silane, dipropyl neopentyl silane, dipropyl tertiary pentyl silane, tripropyl ethyl silane, tetrapropyl silane, tripropyl butyl silane, tripropyl secondary butyl Silane, tripropylpentyl silane, tripropyl isopentyl silane, tripropyl neopentyl silane, tripropyl tertiary pentyl silane, propyl diethyl silane, propyl dipropyl silane, propyl dibutyl silane, propyl disecondary butyl silane, propyl diisopentyl silane Propyl dineopentyl silane, propyl ditertiary pentyl silane and the like.
また、環状炭化水素を有するシラン化合物としては、下記化学式（３）または下記化学式（４）で示されるものを用いることができ、酸素を含まないことが好ましい。 Moreover, as a silane compound which has cyclic hydrocarbon, what is shown by following Chemical formula (3) or following Chemical formula (4) can be used, and it is preferable that oxygen is not included.
なお、上記化学式（３）および上記化学式（４）において、Ｒ６〜Ｒ７はそれぞれ、Ｈ、ＣｎＨ２ｎ＋１、ＣｋＨ２ｋ―１、及びＣｌＨ２ｌ―３からなる群から選択されるいずれかを表し、Ｒ８〜Ｒ９は、ＣｘＨ２ｘを表し、ｎは１〜５の整数を表し、ｋおよびｌは２〜６の整数を表し、ｘは３〜７の整数を表す。 In the chemical formula (3) and the chemical formula (4), R 6 to R 7 are each selected from the group consisting of H, C n H 2n + 1 , C k H 2k-1 , and C 1 H 2l-3. R 8 to R 9 represent C x H 2x , n represents an integer of 1 to 5, k and l represent an integer of 2 to 6, and x represents an integer of 3 to 7 To express.
上記化学式（３）で示される化合物の好ましい具体例としては、１−１−ジビニル−１−シラシクロペンタンが挙げられる。
これ以外に用いられるシラン化合物の例としては、１−１−ジアリルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジエチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジプロピルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジブチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジイソブチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジターシャリーブチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジイソペンチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジペンチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジネオペンチルー１−シラシクロペンタン、１−１−ジターシャリーペンチルー１−シラシクロペンタンなどが挙げられる。
Preferable specific examples of the compound represented by the chemical formula (3) include 1-1-divinyl-1-silacyclopentane.
Examples of silane compounds used other than these include 1-1-diallyl-1-silacyclopentane, 1-1-diethyl-1-silacyclopentane, 1-1-dipropyl-1-silacyclopentane, 1-1-dibutyl- 1-silacyclopentane, 1-1-diisobutyl-1-silacyclopentane, 1-1-ditertiary butyl-1-silacyclopentane, 1-1-diisopentyl-1-silacyclopentane, 1-1-dipentyl-1-sila Examples include cyclopentane, 1-1-dineopentyl-1-silacyclopentane, 1-1-ditertiary pentyl-1-silacyclopentane, and the like.
上記化学式（４）で示される化合物の好ましい具体例としては、５−シラスピロ［４、４］ノナンが挙げられる。なお、５−シラスピロ［４、４］ノナンは、シラシクロノナン（ＳＳＮ）と呼ばれることもあり、以下の説明では５−シラスピロ［４、４］ノナンの代わりにシラシクロノナンとの表記を用いて説明している部分もある。
これ以外に用いられるケイ素化合物の例としては、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、３−シラスピロ[２、２]ペンタンなどがあげられる
Preferable specific examples of the compound represented by the chemical formula (4) include 5-silaspiro [4,4] nonane. Note that 5-silaspiro [4,4] nonane is sometimes referred to as silacyclononane (SSN), and the following description uses the notation of silacyclononane instead of 5-silaspiro [4,4] nonane. There is also an explanation.
Examples of other silicon compounds used include 4-silaspiro [3,3] heptane and 3-silaspiro [2,2] pentane.
以上のようにマスク用材料は、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなるので、このマスク用材料を用いてマスクを形成すると、マスク中の炭素含有量が多くなり、その結果、エッチング選択比を大きくすることができる。 As described above, the mask material is composed of a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon. Therefore, when a mask is formed using this mask material, the carbon content in the mask increases, and as a result, The etching selectivity can be increased.
＜マスクの形成方法＞
次に、マスクの形成方法について説明する。
本実施形態では、上述したマスク用材料を用いて、ＡＬＤ法によって、被エッチング物（エッチング対象膜）上にマスクを形成する。ＡＬＤ法とは、プラズマＣＶＤ法の一種であり、原子レベルで膜を成膜する方法のことをいう。
<Method for forming mask>
Next, a method for forming a mask will be described.
In this embodiment, a mask is formed on an object to be etched (etching target film) by the ALD method using the above-described mask material. The ALD method is a kind of plasma CVD method and refers to a method of forming a film at an atomic level.
マスク用材料の流量は、用いる材料によって異なり、適宜材料の性質に応じて決定すればよい。
また、マスク用材料は、常温で気体状であればそのまま用いることができ、液体状のものであれば、ヘリウムなどの不活性ガスを用いたバブリングによる気化、気化器による気化、または加熱による気化によってガス化して用いる。また、ヘリウム（Ｈｅ）などをキャリアガスとして用いて、マスク用材料と併せて用いて成膜しても構わない。
The flow rate of the mask material differs depending on the material used, and may be determined according to the properties of the material as appropriate.
Further, the mask material can be used as it is if it is gaseous at room temperature, and if it is liquid, it can be vaporized by bubbling using an inert gas such as helium, vaporized by a vaporizer, or vaporized by heating. Gasified and used. Alternatively, helium (He) or the like may be used as a carrier gas to form a film together with a mask material.
また、ＳｉＣＮ膜やＳｉＯＣＮ膜等、成膜されたマスクに窒素を含ませたい場合はアンモニア（ＮＨ３）を、ＳｉＯＣ膜やＳｉＯＣＮ膜等、酸素を含ませたい場合は酸素（Ｏ２）を、適宜併せて用いても構わない。この場合は、マスク用材料と同時に供給しても構わないが、マスク用材料とアンモニアや酸素を切り替えて供給するなど、適宜の条件で供給しても構わない。例えば、マスク用材料とアンモニアを用い、ガスの切替時間を５秒とした場合は、マスク用材料の供給を開始してから５秒間後に供給を停止し、それと同時にアンモニアを供給し始め、５秒後に供給を停止して、それと同時に再度マスク用材料の供給を開始することとなる。 In addition, ammonia (NH 3 ) is used when nitrogen is included in the formed mask such as a SiCN film or a SiOCN film, and oxygen (O 2 ) is used when oxygen is included in the SiOC film or the SiOCN film. You may use together suitably. In this case, the mask material may be supplied at the same time, or the mask material and ammonia or oxygen may be supplied by switching and supplying under appropriate conditions. For example, when the mask material and ammonia are used and the gas switching time is set to 5 seconds, the supply is stopped after 5 seconds from the start of the supply of the mask material, and at the same time, the ammonia is started to be supplied for 5 seconds. The supply is stopped later, and at the same time, the supply of the mask material is started again.
マスク用材料の成膜装置としては、周知なものを用いることができる。例えば、図１に示すような平行平板型の成膜装置１などを利用して、マスク用材料を用いて成膜しても構わない。 As a film forming apparatus for the mask material, a known apparatus can be used. For example, a parallel plate type film forming apparatus 1 as shown in FIG. 1 may be used to form a film using a mask material.
成膜装置１は、減圧可能なチャンバー２を備え、このチャンバー２は、排気管３、開閉弁４を介して排気ポンプ５に接続されている。また、チャンバー２には、図時しない圧力計が備えられ、チャンバー２内の圧力が測定できるようになっている。チャンバー２内には、相対向する一対の平板状の上部電極６と、下部電極７とが設けられている。上部電極６は、高周波電源８に接続され、上部電極６に高周波電流が印加されるようになっている。
The film forming apparatus 1 includes a
下部電極７は、基板９を載置する載置台を兼ねており、その内部にはヒーター１０が内蔵され、基板９を加熱できるようになっている。
また、上部電極６には、ガス供給配管が接続されている。このガス供給配管１１には、図示しない成膜用ガス供給装置が接続され、この成膜用ガス供給装置から、マスク用材料が供給される。そして、このマスク用材料は、上部電極６内に形成された複数の貫通孔を通って、下部電極７に向けて拡散しつつ流れ出るようになっている。
The
In addition, a gas supply pipe is connected to the
また、成膜用ガス供給装置には、マスク用材料を気化する気化装置と、その流量を調整する流量調整弁を備えるとともに、キャリアガスや、酸素またはアンモニアを供給する供給装置が設けられており、これらのガスもガス供給配管１１を流れて、上部電極６からチャンバー２内に流れ出るようになっている。
The film forming gas supply device is provided with a vaporizer for vaporizing the mask material, a flow rate adjusting valve for adjusting the flow rate, and a supply device for supplying carrier gas, oxygen or ammonia. These gases also flow through the
マスクを形成する際には、まず、成膜装置１のチャンバー２内の下部電極７上に基板９を置き、成膜用ガス供給装置からマスク用材料をチャンバー２内に送り込む。そして、高周波電源８から高周波電流を上部電極６に印加して、チャンバー２内にプラズマを発生させる。これにより、基板９上にマスク用材料を用いて、ＡＬＤ法によって、マスクを形成することができる。
When forming the mask, first, the substrate 9 is placed on the
なお、成膜装置としては、平行平板型の他に、ＩＣＰプラズマ、ＥＣＲプラズマ、マグネトロンプラズマ、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマなどを用いることが可能であり、平行平板型装置の下部電極にも高周波を導入する２周波励起プラズマを使用することもできる。 As the film forming apparatus, in addition to the parallel plate type, ICP plasma, ECR plasma, magnetron plasma, high frequency plasma, microwave plasma, capacitively coupled plasma, inductively coupled plasma, and the like can be used. It is also possible to use a two-frequency excitation plasma that introduces a high frequency to the lower electrode of the apparatus.
成膜装置１におおける成膜条件は、以下の範囲が好適であるが、この限りではない。
マスク用材料流量 ：２０〜１００ｃｃ／分
キャリアガス流量 ：０〜５０ｃｃ／分
圧力 ：０．５〜１０Ｔｏｒｒ
ＲＦ周波数：０．３８〜２００ＭＨｚ
ＲＦパワー ：５０〜５００Ｗ
基板温度 ：４００℃以下
反応時間 ：１秒〜１８００秒
成膜厚さ ：１００ｎｍ〜２００ｎｍ
The film forming conditions in the film forming apparatus 1 are preferably in the following range, but are not limited thereto.
Mask material flow rate: 20-100 cc / min
Carrier gas flow rate: 0 to 50 cc / min Pressure: 0.5 to 10 Torr
RF frequency: 0.38 to 200 MHz
RF power: 50-500W
Substrate temperature: 400 ° C. or less Reaction time: 1 second to 1800 seconds Film thickness: 100 nm to 200 nm
以上のように、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなるマスク材料を用いて、マスクを形成するので、形成されたマスク中の炭素含有量が多くなり、この結果、エッチング選択比が高くなる。 As described above, since a mask is formed using a mask material made of a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon, the carbon content in the formed mask is increased, resulting in an etching selectivity. Becomes higher.
＜エッチング保護膜＞
次に、上記のようなマスク材料を用いて、ＡＬＤ法によって形成されたマスク（エッチング保護膜）について説明する。
エッチング保護膜は、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＣＮ膜のいずれかの膜であり、用いたマスク用材料や、アンモニアや酸素を併せて用いて成膜したか否かによって決定される。エッチング保護膜は、炭素を多く含む組成が望ましいが、ＯまたはＮが含有されていてもよく、下記化学式（１）〜化学式（４）の組成となる。
<Etching protective film>
Next, a mask (etching protective film) formed by the ALD method using the above mask material will be described.
The etching protective film is any one of a SiC film, a SiCN film, a SiOC film, and a SiOCN film, and is determined depending on the mask material used and whether it is formed using ammonia or oxygen together. . The etching protective film preferably has a composition containing a large amount of carbon, but may contain O or N, and has the following chemical formulas (1) to (4).
エッチング保護膜がＳｉＣ膜の場合、珪素に対する炭素の比率が２．５以上に構成されている。また、エッチング保護膜がＳｉＣＮ膜の場合、珪素に対する炭素の比率が２．０以上に構成され、ＳｉＯＣ膜の場合、珪素に対する炭素の比率が２．０以上に構成され、ＳｉＯＣＮ膜の場合、珪素に対する炭素の比率が１．０以上に構成される。 When the etching protective film is a SiC film, the ratio of carbon to silicon is 2.5 or more. Further, when the etching protection film is a SiCN film, the ratio of carbon to silicon is configured to be 2.0 or more. When the SiOC film is used, the ratio of carbon to silicon is configured to be 2.0 or more. The ratio of carbon to is 1.0 or more.
以上のように、本実施形態のエッチング保護膜は、膜中の炭素含有量が多いので、エッチング選択比の高いマスクとして機能することができる。 As described above, the etching protective film of the present embodiment can function as a mask having a high etching selectivity since the carbon content in the film is large.
＜パターンの形成方法＞
次に、上記のようなマスク用材料を用いて形成されたマスク（エッチング保護膜）を用いたパターンの形成方法について説明する。
本実施形態のパターンの形成方法は、ダブルパターニングと称される方法の一つで、まず、図２（ａ）に示すように、基板２１上に形成された被エッチング物２２（エッチング対象膜）上にレジストを塗布し、レジスト膜２３を形成する
その後、露光、現像することで、レジスト膜２３を所望の形状にパターニングする。
<Pattern formation method>
Next, a pattern forming method using a mask (etching protective film) formed using the mask material as described above will be described.
The pattern formation method of this embodiment is one of the methods called double patterning. First, as shown in FIG. 2A, an object to be etched 22 (etching target film) formed on the
次に、図２（ｂ）に示すように、被エッチング物２２上およびレジスト膜２３の上面２３ａ及び側面２３ｂを覆うように、上述したマスクの形成方法によって、マスク２４を形成する。すなわち、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなるマスク用材料を用いて、ＡＬＤ法によって、マスク２４を形成する。この際、ＡＬＤ法によってマスク２４を形成するので、レジスト膜２３の側面２３ｂにも精度良くマスクを形成することができる。
Next, as shown in FIG. 2B, a
その後、図２（ｃ）に示すように、レジスト膜２３の上面２３ａおよび被エッチング物２２上を覆っているマスク２４を、エッチバックすることで除去する。この際、レジスト膜２３の側面２３ｂに形成されたマスク２４が残存するようにする。
このようにして、レジスト膜２３の側面２３ｂに、マスク２４からなるサイドウォールスペーサー２５が形成される。すなわち、サイドウォールスペーサー２５は、レジスト膜２３の側面２３ｂを覆うように形成されている。
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the
In this way, the
次に、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜２３を除去する。この際、上述したマスク材料から形成されたサイドウォールスペーサー２５（マスク２４）は、エッチング選択比が高いので、サイドウォールスペーサー２５の形状を崩すことなく、レジスト膜２３のみをエッチングによって除去することができる。
Next, as shown in FIG. 2D, the resist
その後、図２（ｅ）に示すように、残存したサイドウォールスペーサー２５をマスクとして、被エッチング物２２をエッチングし、被エッチング物２２にパターンを形成する。
以上のような工程を経ることで、被エッチング物を微細に加工することができる。
Thereafter, as shown in FIG. 2E, the object to be etched 22 is etched using the remaining
Through the steps as described above, the object to be etched can be finely processed.
本実施形態のパターンの形成方法では、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなるマスク用材料を用いてサイドウォールスペーサー２５（マスク２４）を形成しているため、サイドウォールスペーサー２５中の炭素含有量が多くなる。この結果、サイドウォールスペーサー２５のエッチング選択比が大きくなり、レジスト膜２３を除去する際に、サイドウォールスペーサー２５の形状を壊すことを防ぐことができ、サイドウォールスペーサー２５の精度が高くなる。その結果、サイドウォールスペーサー２５をマスクとしてエッチングした際の、被エッチング物２２のパターンの精度も向上する。
In the pattern forming method of the present embodiment, the sidewall spacer 25 (mask 24) is formed using a mask material made of a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon. The carbon content of increases. As a result, the etching selectivity of the
以上、本発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、本実施形態において、マスクは、レジスト膜のサイドウォールスペーサーとして形成されているが、必ずしもこのような態様のマスクに限定されず、エッチングプロセスにおいて用いられるマスクであるのならば、どのような態様で用いられても構わない。 As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment, it cannot be overemphasized that this invention can be variously changed in the range which is not limited to the said embodiment and does not deviate from the summary. For example, in the present embodiment, the mask is formed as a side wall spacer of the resist film, but is not necessarily limited to the mask in this mode, and any mask can be used as long as it is used in the etching process. It may be used in an embodiment.
以下、本発明を実施例および比較例により、さらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例においては、全て図１に示すような平行平板型の成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によってマスクを成膜した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
In the following examples and comparative examples, a mask was formed by the ALD method using a parallel plate type film forming apparatus as shown in FIG.
＜実施例１＞
実施例１は、マスク用材料としてジイソブチルジメチルシラン（ＤｉＢＤＭＳ）を、キャリアガスとしてヘリウムを用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＣ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、キャリアガスの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＣ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝３となった。
<Example 1>
In Example 1, a 200 nm SiC film was formed on a Si substrate by plasma ALD using diisobutyldimethylsilane (DiBDMS) as a mask material and helium as a carrier gas. Specific film formation conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, a carrier gas flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiC film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 3.
＜実施例２＞
実施例２は、マスク用材料としてシラシクロノナン（ＳＳＮ）を、キャリアガスとしてヘリウムを用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＣ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、キャリアガスの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを３００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＣ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝４．２となった。
<Example 2>
In Example 2, an SiC film having a thickness of 200 nm was formed on a Si substrate by plasma ALD using silacyclononane (SSN) as a mask material and helium as a carrier gas. Specific film formation conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, a carrier gas flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 300 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiC film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 4.2.
＜実施例３＞
実施例３は、マスク用材料としてジイソブチルジメチルシラン（ＤｉＢＤＭＳ）を用いるとともに、アンモニアも用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＣＮ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、アンモニアの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＣＮ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝２．５となった。
<Example 3>
In Example 3, a SiCN film having a thickness of 200 nm was formed on a Si substrate by plasma ALD using diisobutyldimethylsilane (DiBDMS) as a mask material and ammonia. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an ammonia flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiCN film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 2.5 was obtained.
＜実施例４＞
実施例４は、マスク用材料としてシラシクロノナン（ＳＳＮ）を用いるとともに、アンモニアも用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＣＮ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、アンモニアの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを３００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＣＮ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝３．５となった。
<Example 4>
In Example 4, a silacyclononane (SSN) was used as a masking material, and ammonia was also used to form a SiCN film of 200 nm on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an ammonia flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 300 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiCN film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 3.5.
＜実施例５＞
実施例５は、マスク用材料としてジイソブチルジメチルシラン（ＤｉＢＤＭＳ）を用いるとともに、酸素も用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＯＣ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、酸素の流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＯＣ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝２．５となった。
<Example 5>
In Example 5, diisobutyldimethylsilane (DiBDMS) was used as a mask material, and oxygen was also used to form a 200 nm SiOC film on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an oxygen flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiOC film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), it was C / Si = 2.5.
＜実施例６＞
実施例６は、マスク用材料としてシラシクロノナン（ＳＳＮ）を用いるとともに、酸素も用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＯＣ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、酸素の流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを３００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＯＣ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝３．５となった。
<Example 6>
In Example 6, silacyclononane (SSN) was used as a mask material and oxygen was also used, and a 200 nm SiOC film was formed on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an oxygen flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 300 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiOC film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 3.5.
＜実施例７＞
実施例７は、マスク用材料としてジイソブチルジメチルシラン（ＤｉＢＤＭＳ）を用いるとともに、酸素とアンモニアも用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＯＣＮ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、酸素の流量を１５ｓｃｃｍにし、アンモニアの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＯＣＮ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝１．４となった。
<Example 7>
In Example 7, while using diisobutyldimethylsilane (DiBDMS) as a masking material and using oxygen and ammonia, a 200 nm SiOCN film was formed on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an oxygen flow rate of 15 sccm, an ammonia flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiOCN film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 1.4.
＜実施例８＞
実施例８は、マスク用材料としてシラシクロノナン（ＳＳＮ）を用いるとともに、酸素とアンモニアも用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＯＣＮ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、酸素の流量を１５ｓｃｃｍにし、アンモニアの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを３００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＯＣＮ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝２．２となった。
<Example 8>
In Example 8, silacyclononane (SSN) was used as a mask material, and oxygen and ammonia were used to form a 200-nm thick SiOCN film on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an oxygen flow rate of 15 sccm, an ammonia flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 300 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiOCN film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), it was C / Si = 2.2.
＜比較例１＞
比較例１は、マスク用材料としてテトラメチルシラン（４ＭＳ）を、キャリアガスとしてヘリウムを用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＣ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、キャリアガスの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＣ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝２となった。
<Comparative Example 1>
In Comparative Example 1, an SiC film having a thickness of 200 nm was formed on a Si substrate by plasma ALD using tetramethylsilane (4MS) as a mask material and helium as a carrier gas. Specific film formation conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, a carrier gas flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiC film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 2 was obtained.
＜比較例２＞
比較例２は、マスク用材料としてテトラメチルシラン（４ＭＳ）を用いるとともに、アンモニアも用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＣＮ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、アンモニアの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＣＮ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝０．５となった。
<Comparative example 2>
In Comparative Example 2, a tetramethylsilane (4MS) was used as a mask material, and ammonia was also used to form a 200 nm SiCN film on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an ammonia flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiCN film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 0.5 was obtained.
＜比較例３＞
比較例３は、マスク用材料としてテトラメチルシラン（４ＭＳ）を用いるとともに、酸素も用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＯＣ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、アンモニアの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＯＣ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝１となった。
<Comparative Example 3>
In Comparative Example 3, a tetramethylsilane (4MS) was used as a mask material, and oxygen was also used to form a 200 nm SiOC film on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an ammonia flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiOC film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 1 was obtained.
＜比較例４＞
比較例４は、マスク用材料としてテトラメチルシラン（４ＭＳ）を用いるとともに、アンモニアと酸素も用いて、プラズマＡＬＤ法によってＳｉ基板上にＳｉＯＣＮ膜を２００ｎｍ成膜した。具体的な成膜条件は、温度を５０℃とし、マスク用材料の流量を１５ｓｃｃｍとし、アンモニアの流量を１５ｓｃｃｍにし、ガスの切替時間を５秒とした。また、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーを５００Ｗ、圧力を１Ｔｏｒｒとした。
形成したＳｉＯＣＮ膜のＣ／Ｓｉ比をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって求めたところ、Ｃ／Ｓｉ＝０．５となった。
<Comparative example 4>
In Comparative Example 4, tetramethylsilane (4MS) was used as a mask material, and ammonia and oxygen were also used to form a 200-nm SiOCN film on a Si substrate by plasma ALD. Specific film forming conditions were a temperature of 50 ° C., a mask material flow rate of 15 sccm, an ammonia flow rate of 15 sccm, and a gas switching time of 5 seconds. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 1 Torr.
When the C / Si ratio of the formed SiOCN film was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), C / Si = 0.5.
次に、エッチング選択比について確認を行った。具体的には、実施例１〜８および比較例１〜４において成膜したＳｉ基板を用いて、ＳｉＯ２のエッチング速度との比較により求めた。結果を表１〜４に示す。
Next, the etching selectivity was confirmed. Specifically, the Si substrate formed in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4 was used to obtain the
なお、プラズマエッチングの条件は、平行平板型プラズマエッチング装置を用い、温度を５０℃とし、エッチングガスとしてＣ４Ｆ８を用いて、ガス流用を５０ｓｃｃｍとした。また、ＲＦ周波数は１３．５６ＭＨｚとし、ＲＦパワーは５００Ｗ、圧力を０．１Ｔｏｒｒとした。なお、ＳｉＯ２には、Ｓｉ基板上に成膜した２００ｎｍＴＥＯＳ酸化膜を用いた。 The plasma etching conditions were a parallel plate plasma etching apparatus, a temperature of 50 ° C., C4F8 as an etching gas, and a gas flow of 50 sccm. The RF frequency was 13.56 MHz, the RF power was 500 W, and the pressure was 0.1 Torr. For SiO2, a 200 nm TEOS oxide film formed on a Si substrate was used.
上記表１〜４から明らかなように、実施例１〜８に示すＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＣＮ膜は、エッチング選択比が高いことが分かる。 As is apparent from Tables 1 to 4, it can be seen that the SiC film, SiCN film, SiOC film, or SiOCN film shown in Examples 1 to 8 has a high etching selectivity.
本発明は、エッチングプロセスに関するものなので、半導体装置等の成膜を必要とする製造業において幅広く利用することができる。 Since the present invention relates to an etching process, it can be widely used in manufacturing industries that require film formation of semiconductor devices and the like.
１・・・成膜装置、２・・・チャンバー、３・・・排気管、４・・・開閉弁、５・・・排気ポンプ、６・・・上部電極、７・・・下部電極、８・・・高周波電源、９・・・基板、１０・・・ヒーター、１１・・・ガス供給配管、２１・・・基板、２２・・・被エッチング物、２３・・・レジスト膜、２３ａ・・・レジスト膜の上面、２３ｂ・・・レジスト膜の側面、２４・・・マスク、２５・・・サイドウォールスペーサー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus, 2 ... Chamber, 3 ... Exhaust pipe, 4 ... On-off valve, 5 ... Exhaust pump, 6 ... Upper electrode, 7 ... Lower electrode, 8 ... High frequency power supply, 9 ... Substrate, 10 ... Heater, 11 ... Gas supply pipe, 21 ... Substrate, 22 ... Object to be etched, 23 ... Resist film, 23a ... -Upper surface of resist film, 23b ... Side face of resist film, 24 ... Mask, 25 ... Side wall spacer
Claims (19)
イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなることを特徴とするマスク用材料。 A mask material for forming a mask used for patterning an object to be etched by etching,
A mask material comprising a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon.
イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物を用いて、ＡＬＤ法によって、前記被エッチング物上にマスクを形成することを特徴とするマスクの形成方法。 A method of forming a mask used when patterning an object to be etched by etching,
A method of forming a mask, comprising forming a mask on the object to be etched by an ALD method using a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon.
イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物を用いて、ＡＬＤ法によって、前記被エッチング物上および前記レジスト膜上にマスクを形成する工程と、
前記レジスト膜の側面に前記マスクが残るように、前記マスクをエッチバックする工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
前記マスクをマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物にパターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。 Forming a patterned resist film on the object to be etched;
Forming a mask on the object to be etched and on the resist film by an ALD method using a silane compound having an isobutyl group and / or a cyclic hydrocarbon;
Etching back the mask so that the mask remains on the side surface of the resist film;
Removing the resist film;
Forming a pattern on an object to be etched by etching using the mask as a mask.
珪素に対する炭素の比率が２．５以上のＳｉＣ膜であることを特徴とするエッチング保護膜。 An etching protective film that functions as a mask in an etching process,
An etching protection film, wherein the SiC film has a carbon to silicon ratio of 2.5 or more.
珪素に対する炭素の比率が２．０以上のＳｉＣＮ膜であることを特徴とするエッチング保護膜。 An etching protective film that functions as a mask in an etching process,
An etching protective film, which is a SiCN film having a carbon to silicon ratio of 2.0 or more.
珪素に対する炭素の比率が２．０以上のＳｉＯＣ膜であることを特徴とするエッチング保護膜。 An etching protective film that functions as a mask in an etching process,
An etching protective film, which is a SiOC film having a carbon to silicon ratio of 2.0 or more.
珪素に対する炭素の比率が１．０以上のＳｉＯＣＮ膜であることを特徴とするエッチング保護膜。 An etching protective film that functions as a mask in an etching process,
An etching protective film, which is a SiOCN film having a carbon to silicon ratio of 1.0 or more.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015219319A (en) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | デクセリアルズ株式会社 | Inorganic polarizer and method for manufacturing the same |
| KR20180013745A (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 램 리써치 코포레이션 | Doped ald films for semiconductor patterning applications |
| US10658172B2 (en) | 2017-09-13 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
| JP2020123646A (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Etching method, plasma processing apparatus, and processing system |
| CN114446784A (en) * | 2022-04-11 | 2022-05-06 | 深圳芯能半导体技术有限公司 | Silicon carbide junction barrier Schottky diode and preparation method thereof |
| US11404275B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-08-02 | Lam Research Corporation | Selective deposition using hydrolysis |
| US11562900B2 (en) * | 2016-05-06 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOC thin films |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340260A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | Processing method of magnetic material layer and manufacturing method of magnetic storage device |
| JP2010056156A (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP2010096896A (en) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Pattern forming method |
| JP2010103497A (en) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Mask pattern forming method, fine pattern forming method, and film deposition apparatus |
| WO2010090038A1 (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Insulating film material, and film formation method utilizing the material, and insulating film |
| JP2011009556A (en) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028399A patent/JP2012169408A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340260A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | Processing method of magnetic material layer and manufacturing method of magnetic storage device |
| JP2010056156A (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP2010103497A (en) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Mask pattern forming method, fine pattern forming method, and film deposition apparatus |
| JP2010096896A (en) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Pattern forming method |
| WO2010090038A1 (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Insulating film material, and film formation method utilizing the material, and insulating film |
| JP2011009556A (en) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015219319A (en) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | デクセリアルズ株式会社 | Inorganic polarizer and method for manufacturing the same |
| US10295716B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-05-21 | Dexerials Corporation | Inorganic polarizing plate and production method thereof |
| US11562900B2 (en) * | 2016-05-06 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOC thin films |
| KR20180013745A (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 램 리써치 코포레이션 | Doped ald films for semiconductor patterning applications |
| JP2018061007A (en) * | 2016-07-29 | 2018-04-12 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Doped ALD film for semiconductor patterning application |
| US10629435B2 (en) | 2016-07-29 | 2020-04-21 | Lam Research Corporation | Doped ALD films for semiconductor patterning applications |
| KR102273916B1 (en) | 2016-07-29 | 2021-07-06 | 램 리써치 코포레이션 | Doped ald films for semiconductor patterning applications |
| US10658172B2 (en) | 2017-09-13 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
| US11404275B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-08-02 | Lam Research Corporation | Selective deposition using hydrolysis |
| JP2020123646A (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Etching method, plasma processing apparatus, and processing system |
| JP7178918B2 (en) | 2019-01-30 | 2022-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Etching method, plasma processing apparatus, and processing system |
| CN114446784A (en) * | 2022-04-11 | 2022-05-06 | 深圳芯能半导体技术有限公司 | Silicon carbide junction barrier Schottky diode and preparation method thereof |
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