JP2012154946A - Inspection method and inspection device - Google Patents
Inspection method and inspection device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012154946A JP2012154946A JP2012089919A JP2012089919A JP2012154946A JP 2012154946 A JP2012154946 A JP 2012154946A JP 2012089919 A JP2012089919 A JP 2012089919A JP 2012089919 A JP2012089919 A JP 2012089919A JP 2012154946 A JP2012154946 A JP 2012154946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scattered light
- defect
- light
- inspection apparatus
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
本発明は、検査方法及び検査装置に関する。例えば、半導体ウェーハ、磁気ディスク、液晶基板、マスク基板などの被検査物の表面や内部の欠陥を検査する検査方法及び検査装置に適している。 The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus. For example, it is suitable for an inspection method and an inspection apparatus for inspecting defects on the surface and inside of an inspection object such as a semiconductor wafer, a magnetic disk, a liquid crystal substrate, and a mask substrate.
半導体基板(半導体ウェーハ)の製造ラインにおいて、製造装置の発塵状況を監視するために、前記基板の表面に付着した異物や加工中に発生したスクラッチ等の欠陥の検査が行われている。例えば、回路パターン形成前の半導体基板では、その表面において数10nm以下までもの微小な異物や欠陥の検出が必要である。また、前記基板表面の検査としては、前記異物や欠陥以外に、基板表面近傍の浅い領域に存在する結晶欠陥や基板表面の表面粗さ、更には欠陥が何であるかの分析も必要である。 In the production line of a semiconductor substrate (semiconductor wafer), in order to monitor the dust generation state of the production apparatus, inspections for defects such as foreign matters adhering to the surface of the substrate and scratches generated during processing are performed. For example, in a semiconductor substrate before forming a circuit pattern, it is necessary to detect minute foreign matters and defects up to several tens of nm or less on the surface. In addition, the inspection of the substrate surface requires analysis of crystal defects present in a shallow region near the substrate surface, surface roughness of the substrate surface, and what the defects are, in addition to the foreign matter and defects.
従来、半導体基板等の被検査物体表面上の微小な欠陥を検出する技術としては、例えば、米国特許第5,798,829号特許明細書(特許文献1)に記載されているように、集光したレーザ光束を半導体基板表面に固定照射して予め定められた大きさの照明スポットを形成し、半導体基板上に異物が付着している場合にこの照明スポットを異物が通過したときに発生する該異物からの散乱光を検出し、半導体基板全面の異物や欠陥を検査するものがある。 Conventionally, as a technique for detecting minute defects on the surface of an object to be inspected such as a semiconductor substrate, as described in, for example, US Pat. No. 5,798,829 (Patent Document 1), a collection is performed. This occurs when a foreign object has passed through the surface of the semiconductor substrate when the surface of the semiconductor substrate is fixedly irradiated with the irradiated laser beam to form an illumination spot of a predetermined size. Some of them detect scattered light from the foreign matter and inspect the foreign matter and defects on the entire surface of the semiconductor substrate.
この場合、異物や欠陥が通過しない時でも、前記照明スポットにおいては半導体ウェーハ上の微小な表面粗さ(マイクロラフネス)によって散乱光(以下、背景散乱光と呼ぶ)が常時発生している。微小な異物を検出する場合、一般に検出信号のノイズ成分においては前記背景散乱光に由来するショットノイズが支配的であることが知られている。ショットノイズはその元となる光強度の平方根に比例するので、微小な異物を検出する場合のノイズレベルは、概略、背景散乱光の強度の平方根に比例して大きくなる。 In this case, even when no foreign matter or defect passes, scattered light (hereinafter referred to as background scattered light) is always generated in the illumination spot due to a minute surface roughness (micro roughness) on the semiconductor wafer. When detecting minute foreign matters, it is generally known that shot noise derived from the background scattered light is dominant in the noise component of the detection signal. Since shot noise is proportional to the square root of the light intensity that is the source of the noise, the noise level when detecting a minute foreign substance is roughly increased in proportion to the square root of the intensity of the background scattered light.
一方、弾性散乱(レイリー散乱)則に従うような微小な異物の場合、Si結晶に対するブリュースター角のように低い仰角からP偏光で半導体ウェーハ表面を照明すると、異物からの散乱光は方位角方向に強い指向性は持たず、全方位角方向に概略同程度の強度で発散することが良く知られている。 On the other hand, in the case of a minute foreign matter that follows the elastic scattering (Rayleigh scattering) rule, when the surface of the semiconductor wafer is illuminated with P-polarized light from a low elevation angle, such as the Brewster angle with respect to the Si crystal, It is well known that it does not have strong directivity and diverges with almost the same intensity in all azimuth directions.
また、一般的に良好な研磨仕上げが施された半導体ウェーハの場合、表面粗さに由来する背景散乱光も方位角方向に関して極端に強い指向性は示さない。そこでこのような場合には、全方位角方向に発散する散乱光を均等に集光して検出することが検出信号のS/N比を確保する上で好ましい。前記従来技術の光検出器は、方位角方向の散乱光は全て一括して受光しており、このような場合には望ましいS/N比が得られる。 In general, in the case of a semiconductor wafer having a good polishing finish, the background scattered light derived from the surface roughness does not show extremely strong directivity in the azimuth direction. Therefore, in such a case, it is preferable to uniformly collect and detect scattered light that diverges in all azimuth directions in order to secure the S / N ratio of the detection signal. The conventional photodetector detects all scattered light in the azimuth direction at once, and in such a case, a desirable S / N ratio can be obtained.
しかし、半導体ウェーハの表面粗さ(マイクロラフネス)に由来する背景散乱光が強い指向性を有する場合もある。例えば、エピタキシャルウェーハなどにおいて結晶方位と照明方向の相対関係により表面粗さに由来する背景散乱光が強い指向性を示すことが知られている。 However, the background scattered light derived from the surface roughness (micro roughness) of the semiconductor wafer may have a strong directivity. For example, it is known that background scattered light derived from surface roughness exhibits strong directivity due to the relative relationship between crystal orientation and illumination direction in an epitaxial wafer or the like.
このような場合、前述のように、表面粗さに由来する背景散乱光が強い方位角で検出している光検出器の出力信号には、より大きなノイズ成分が含まれている。そのため、表面粗さに由来する背景散乱光が強い方位角で検出した散乱光信号と、表面粗さに由来する背景散乱光が弱い方位角で検出した散乱光信号を同等に扱うことが得策でないことは明白である。 In such a case, as described above, a larger noise component is included in the output signal of the photodetector that detects the background scattered light derived from the surface roughness at a strong azimuth angle. For this reason, it is not advisable to treat the scattered light signal detected at a strong azimuth with the background scattered light derived from the surface roughness and the scattered light signal detected at a weak azimuth with the background scattered light derived from the surface roughness equally. It is obvious.
一方、米国特許第7,002,677号特許明細書(特許文献2)は、特定の方向へ進行する散乱光を部分的に遮光する技術について記載しており、背景散乱光が強い方位角方向を部分的に遮光し、背景散乱光が弱い方位角方向においてのみ光検出器が散乱光を受光するように制御することで目的の異物・欠陥からの散乱光信号のS/N比を改善できるとしている。 On the other hand, US Pat. No. 7,002,677 (Patent Document 2) describes a technique for partially blocking scattered light traveling in a specific direction, and an azimuth angle direction in which background scattered light is strong. The S / N ratio of the scattered light signal from the target foreign matter / defect can be improved by controlling the light detector to receive the scattered light only in the azimuth direction where the background scattered light is weak. It is said.
しかし、上記従来技術では、励起光を被検査物表面に照射すると、前記弾性散乱光(レイリー散乱光)の他に非弾性散乱光が発生することには配慮がなされていない。近年より極微細な欠陥を検出するために、さらに短い波長の照明光を用いて半導体ウェーハ表面に照射すると、その表面から前記弾性散乱光(レイリー散乱光)に対し、非弾性散乱光(ラマン散乱)が無視できないくらい高いレベルとなる。これらは同時に発生し、選択されずに同時に受光される。極めて微細な欠陥から発せられる弾性散乱光は、非弾性散乱光によるノイズによってS/N比が低下し、安定的に異物や欠陥を検出することが困難となる課題がある。 However, in the above prior art, no consideration is given to the generation of inelastically scattered light in addition to the elastically scattered light (Rayleigh scattered light) when the surface of the inspection object is irradiated with excitation light. In recent years, when the surface of a semiconductor wafer is irradiated with illumination light having a shorter wavelength in order to detect finer defects, inelastically scattered light (Raman scattering) against the elastic scattered light (Rayleigh scattered light) from the surface. ) Is a level that cannot be ignored. These occur simultaneously and are received simultaneously without being selected. Elastic scattered light emitted from extremely fine defects has a problem that the S / N ratio is lowered by noise due to inelastic scattered light, and it is difficult to stably detect foreign matter and defects.
また、弾性散乱光と非弾性散乱光を選択して受光することができないため、非弾性散乱光のみを選択して、被検査物の物性分析が行うことができない。光学的な散乱光の指向性を応用した検出方式だけでは欠陥の弁別精度にもおのずと限界があり、光学的検出方式以外に、異物の正体を解明する別途詳細な分析が必要となる課題があった。 In addition, since it is not possible to select and receive elastically scattered light and inelastically scattered light, it is not possible to select only inelastically scattered light and perform physical property analysis of the inspection object. The detection method that applies the directivity of optical scattered light alone has its limitations in defect discrimination accuracy. In addition to the optical detection method, there is a problem that requires detailed analysis to clarify the identity of foreign matter. It was.
本発明の目的は、受光した散乱光の中から非弾性散乱光を取除くことによってS/N比が向上し、安定的に異物や欠陥の検出することにある。 It is an object of the present invention to improve the S / N ratio by removing inelastic scattered light from received scattered light, and to stably detect foreign matters and defects.
また、本発明の他の目的は、非弾性散乱光を選択することで、弾性散乱光で検出した欠陥や被検査面の組成分析、若しくは被検査物表面上の欠陥や、被検査物内部の組成を解明できる検査方法と検査装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to select inelastically scattered light so that defects detected by elastically scattered light and composition analysis of the surface to be inspected, defects on the surface of the object to be inspected, An object is to provide an inspection method and an inspection apparatus capable of elucidating the composition.
本発明の表面検査方法は、光学的に被検査物の表面内からの弾性散乱光と非弾性散乱光とを別々に、或いは同時に検出し、被検査物の欠陥の有無及び欠陥の特徴を検出し、検出された欠陥の被検査物の表面上の位置を検出し、検出された欠陥をその特徴に応じて分類し、欠陥の位置と、欠陥の特徴又は欠陥の分類結果とに基づいて、欠陥の非弾性散乱光検出による分析を行うものである。 The surface inspection method of the present invention optically detects elastic scattered light and inelastic scattered light from the surface of the inspection object separately or simultaneously, and detects the presence or absence of defects of the inspection object and the characteristics of the defects. Detecting the position of the detected defect on the surface of the inspection object, classifying the detected defect according to its feature, and based on the position of the defect and the feature of the defect or the classification result of the defect, Analysis of defects by inelastic scattered light detection is performed.
また、本発明の検査方法は、非弾性散乱光検出を用いて、非弾性散乱光スペクトルを分光し、所定の処理し、被検査面の組成状況をマップ表示を行うものである。 In addition, the inspection method of the present invention uses inelastic scattered light detection to split the inelastic scattered light spectrum, perform predetermined processing, and display a map of the composition state of the surface to be inspected.
また、本発明の検査装置は、光学的に被検査物の表面及び内部からの弾性散乱光と非弾性散乱光とを別々に、或いは同時に検査する光学検査手段と、光学手段による非弾性散乱光検出手段を用いて、非弾性散乱光スペクトルを分光し、所定の処理し、被検査面の組成状況などのマップ表示を行うものである。 Further, the inspection apparatus of the present invention optically inspects elastically scattered light and inelastically scattered light from the surface and inside of the object to be inspected separately or simultaneously, and inelastically scattered light by the optical means. Using the detecting means, the inelastically scattered light spectrum is dispersed, subjected to predetermined processing, and a map display of the composition state of the surface to be inspected is performed.
また、本発明の検査装置は、非弾性散乱光検出による被検査面の組成状況のマップと、弾性散乱光検出で被検査面を検査した欠陥マップを、重ねてビジュアル表示するものである。 In addition, the inspection apparatus of the present invention visually displays a map of the composition state of the surface to be inspected by inelastic scattered light detection and a defect map inspecting the surface to be inspected by elastic scattered light detection.
また、本発明の検査装置は、光学的に被検査物の表面及び内部からの弾性散乱光と非弾性散乱光とを別々に、或いは同時に検査する光学検査手段と、光学検査手段による検査結果から、被検査物の欠陥の有無及び欠陥の特長を検出し、検出された欠陥の被検査物の表面上の位置を検出し、検出された欠陥をその特長に応じて分類し、欠陥の位置と、欠陥の特長又は欠陥の分類結果とに基づいて、欠陥の非弾性散乱光検出による欠陥分析を行うことを選択又は指定する処理手段と、処理手段により選択又は指定された欠陥の非弾性散乱光検出検査手段を備えたものである。 Further, the inspection apparatus of the present invention optically inspects the elastic scattered light and the inelastic scattered light from the surface and inside of the object to be inspected separately or simultaneously, and from the inspection result by the optical inspection means. Detect the presence or absence of defects in the inspection object and the features of the defects, detect the position of the detected defects on the surface of the inspection object, classify the detected defects according to the characteristics, A processing means for selecting or designating the defect analysis by detecting the inelastic scattered light of the defect based on the feature of the defect or the classification result of the defect, and the inelastic scattered light of the defect selected or designated by the processing means. A detection inspection means is provided.
また、本発明の表面検査装置は、弾性散乱光(非弾性散乱光)の検出において、光検出器からの出力信号のうち、非弾性散乱光(弾性散乱光)を狭帯域光学バンドパスフィルタによる光学手段によりノイズレベルとなる成分を低くなるようにするものである。 Further, the surface inspection apparatus of the present invention uses a narrow-band optical bandpass filter to convert inelastically scattered light (elastically scattered light) out of output signals from the photodetector in detection of elastically scattered light (inelastically scattered light). The component that becomes the noise level is lowered by the optical means.
また、本発明の検査装置は、被検査物の光学的な検査の後、プログラムにより自動的に、またはオペレータの指示に従い、非弾性散乱検出により欠陥の分析を行い、光学的な検査による欠陥の位置と、欠陥の特徴または欠陥の分類結果に基づいて欠陥の正体を解明するものである。 In addition, the inspection apparatus of the present invention performs defect analysis by inelastic scattering detection, automatically by a program or in accordance with an operator's instruction after optical inspection of an object to be inspected. The identity of the defect is clarified based on the position and the feature of the defect or the classification result of the defect.
さらに、本発明の検査方法は、欠陥の特徴又は欠陥の分類結果について予め決められた条件に従って、非弾性散乱光検出を用いて分析を行う欠陥を選択するものである。 Furthermore, the inspection method of the present invention selects a defect to be analyzed using inelastic scattered light detection according to a predetermined condition for the defect feature or the defect classification result.
また、本発明の検査装置は、欠陥の特徴または分類結果に対する予め決められた条件に従って、非弾性散乱検出を行う欠陥のサンプリング条件設定手段と、非弾性散乱検出による分析を行う欠陥を選択手段と、非弾性散乱検出を行う欠陥の優先順位を設定する手段とを有するものである。 The inspection apparatus of the present invention includes a defect sampling condition setting means for performing inelastic scattering detection according to a predetermined condition for the defect feature or classification result, and a defect for selecting analysis by inelastic scattering detection. And means for setting the priority order of defects for inelastic scattering detection.
さらに、本発明の検査方法は、欠陥の位置及び欠陥の分類結果を表示し、表示された欠陥のうち、非弾性散乱検出による分析を行う欠陥を指定するものである。 Furthermore, the inspection method of the present invention displays the position of the defect and the classification result of the defect, and designates a defect to be analyzed by inelastic scattering detection among the displayed defects.
また、本発明の検査装置は、欠陥の位置及び欠陥の分類結果を表示する表示手段と、表示手段により表示された欠陥のうち、非弾性散乱検出による分析を行う欠陥を指定する第1の入力手段を有するものである。 The inspection apparatus according to the present invention includes a display unit that displays a defect position and a defect classification result, and a first input that specifies a defect to be analyzed by inelastic scattering detection among the defects displayed by the display unit. It has a means.
さらに本発明の検査方法は、表示された欠陥のうち、ビジュアル検査を行う欠陥を指定し、指定された欠陥を光学顕微鏡或いは走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、観察結果に基づいて、非弾性散乱光検出による分析を行う欠陥を指定するものである。 Furthermore, the inspection method of the present invention designates a defect to be visually inspected among the displayed defects, observes the designated defect with an optical microscope or a scanning electron microscope (SEM), and based on the observation result, The defect to be analyzed by the elastic scattered light detection is designated.
また、本発明の表面検査装置は、レビューステーションと接続できる機能を備え、処理手段が、表示手段に表示された欠陥のうち、レビューステーションによる観察を行う欠陥を指定する第2の入力手段を有するものである。 Further, the surface inspection apparatus of the present invention has a function capable of being connected to the review station, and the processing means has a second input means for designating a defect to be observed by the review station among the defects displayed on the display means. Is.
本発明によれば、受光した散乱光の中から非弾性散乱光を取除くことによってS/N比を向上し、安定的に異物や欠陥の検出することができる。 According to the present invention, it is possible to improve the S / N ratio by removing inelastic scattered light from the received scattered light, and to detect foreign matters and defects stably.
また、本発明の他の様態によれば、非弾性散乱光を選択することで、弾性散乱光で検出した欠陥や被検査面の組成分析、若しくは被検査物表面上の欠陥や、被検査物内部の組成を解明できる検査方法と検査装置を提供することができる。 According to another aspect of the present invention, by selecting inelastically scattered light, a defect detected by elastically scattered light, composition analysis of the surface to be inspected, or defects on the surface of the inspected object, or inspected object An inspection method and an inspection apparatus capable of elucidating the internal composition can be provided.
本発明の検査方法及び検査装置は、半導体ウェーハ、液晶パネルやマスク用のガラス基板、センサやLED等に用いられるサファイヤ基板、磁気ディスクなどの平板状の被検査体に適用可能である。以下に説明する実施の形態においては、半導体デバイス製造工程で用いられる半導体ウェーハを被検査体とした場合を例に挙げて説明する。 The inspection method and inspection apparatus of the present invention are applicable to semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal panels and masks, sapphire substrates used for sensors, LEDs, etc., and flat objects such as magnetic disks. In the embodiments described below, a case where a semiconductor wafer used in a semiconductor device manufacturing process is an object to be inspected will be described as an example.
図1は、本発明の検査方法を用いた検査装置の第1の実施例を示したものである。 FIG. 1 shows a first embodiment of an inspection apparatus using the inspection method of the present invention.
本実施例では、非弾性散乱光を除去して弾性散乱光を検出、処理することで、微細な欠陥を検出する一例について説明する。 In the present embodiment, an example in which a minute defect is detected by removing inelastic scattered light and detecting and processing elastic scattered light will be described.
表面検査装置は、被検査物体移動ステージ3002、Zステージ3005、照明系11、弾性散乱検出処理系1000と非弾性散乱検出処理系2000、各処理系からの情報を処理するデータ処理系4000、出力装置5000、入力装置5100、レビューステーション接続機構5200及び検査結果通信機構6000から構成されている。被検査物体である半導体ウェーハ3000はチャック3001に真空吸着されており、このチャック3001は、回転ステージ3003と並進ステージ3004から成る被検査物体移動ステージ3002、Zステージ3005上に搭載されている。半導体ウェーハ3000の上方に、半導体ウェーハ3000表面にレーザ光(検査光)を照射する照明系11が配置されている。
The surface inspection apparatus includes an
非弾性散乱検出・処理系2000は、非弾性散乱検出系500、信号処理系600、波長スペクロラム分析演算処理系700、分析データ保存部800を有する。
The inelastic scattering detection /
弾性散乱検出処理系1000は、弾性散乱検出光学系100、信号処理系200、異物・欠陥判定機構320、データ処理系4000を有する。
The elastic scattering
照明系11に搭載されているレーザ光を被検査物に照射すると、欠陥と被検査物表面からの弾性散乱光及び、非弾性散乱光が発せられ、弾性散乱検出系では、非弾性散乱光を除去し、欠陥からの散乱光のみを検出し、所定の処理を行うことで微細な欠陥を検出する。
When the inspection object is irradiated with the laser beam mounted on the
図2は、図1に示した弾性散乱検出処理系1000中の弾性散乱検出系100の詳細を示したものである。
FIG. 2 shows details of the elastic
弾性散乱検出光学系100は、光源11、光検出器7、第1仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ72、第2仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ82を有する。信号処理系200は、前置増幅器26、低域通過フィルタ27、帯域通過フィルタ28、A/D変換器30を有する。
The elastic scattering detection
異物・欠陥判定機構300は、粒径算出機構310、異物・欠陥判定機構320、異物・欠陥座標検出機構330を有する。検査結果保存部400は、データ保存部40を有する。
The foreign object /
照明光の光源11には、紫外域の波長の光を時間的に繰返してパルス発振するパルスレーザを用いる。
As the
前記光源11から出た照射ビーム21は照射レンズ18に入射し、予め定められた大きさの照明スポット3を形成する。照明光は例えばP偏光であり、被検査物体である半導体ウェーハ3000の表面に、概略、結晶Siに対するブリュースター角で斜入射するように構成されている。
The
このため照明スポット3は概略楕円形状をしており、照度が照明スポット中心部のeの2乗分の1(eは自然対数の底)に低下する輪郭線の内部を、ここであらためて照明スポットと定義することにする。この照明スポットの長軸方向の幅をd1,短軸方向の幅をd2とする。
For this reason, the
被検査物体移動ステージ3002は、主走査である回転移動θと副走査である並進移動rを時間と共に図4に示すように組合わせて変化させることで、相対的に照明スポット3を半導体ウェーハ3000の概略全表面上で螺旋状に走査させる。前記回転ステージが1回転する間に、副走査はΔrだけ移動する。Δr>d1であると、半導体ウェーハ3000上で螺旋状走査において照明光が照射されず、検査されない隙間領域ができてしまうので、通常Δr<d1に設定する。
The inspected
本実施例では、照明スポット3の走査は半導体ウェーハ3000の内周から外周に向かって行うが、逆であっても差し支えない。また、本実施例では、半導体ウェーハ3000の内周から外周までの概略全領域で、前記回転ステージ3003を概略角速度一定で、かつ前記並進ステージ3004を概略線速度一定で駆動させる。被検査物体移動ステージ3002には、検査中の主走査座標位置θと副走査座標位置rを検出するために、検査座標検出機構106が取り付けてある。
In this embodiment, the scanning of the
本実施例では、主走査座標位置θの検出に光学読み取り式のロータリーエンコーダ、副走査座標位置rに光学読み取り式のリニアエンコーダを用いているが、共に、高精度で角度または直線上の位置が検出できるセンサであれば、他の検出原理を用いたものでも良い。 In this embodiment, an optical reading type rotary encoder is used to detect the main scanning coordinate position θ, and an optical reading type linear encoder is used to detect the sub scanning coordinate position r. Any other detection principle may be used as long as it can be detected.
図3(b)(c)に、弾性散乱光検出系100の詳細を示す。本実施例の弾性散乱光検出系100は、レイリー散乱に従うような微小な異物に対して効率良くその散乱光を捕捉できるように概略25°なる第1の仰角を有し、被検査物体移動ステージ3002の主走査回転軸に関して相互に異なり、互いに概略60°ずつ隔たった6つの方位角から弾性散乱光(散乱・回折・反射光)を集光し検出する6個の集光素子71と非弾性散乱光(以下ラマン散乱光と呼ぶ)を除去するための第一狭帯域光学バンドパスフィルタ72含む第1仰角検出系70と、第1の仰角より大きく概略60°なる第2の仰角を有し、被検査物体移動ステージ3002の主走査回転軸に関して相互に異なり、互いに概略90°ずつ隔たった4つの方位角から散乱・回折・反射光を集光し検出する4個の集光素子81とラマン散乱光を除去する第二狭帯域光学バンドパスフィルタ82を含む第2仰角検出系80から構成される。前記合計10個の各集光素子のレンズとレンズ前方に配設されたラマン散乱光除去用の狭帯域光学バンドパスフィルタから成る。尚、狭帯域光学バンドパスフィルタはレンズの後方においても良い。
3B and 3C show details of the elastic scattered
実施例では、励起光(レーザ光)に波長355nmを用いており、弾性散乱光の波長は、励起光(レーザ光)と同一波長であるが、同時に発生する非弾性散乱光の波長は、励起光に対して左右対称にシフトする。これはラマン散乱光で、シリコンウエーハ(Si)から発生するラマン散乱光は、物性固有の値を示し、約520[cm−1]の波長にピークを持つ。 In the embodiment, the wavelength of 355 nm is used for the excitation light (laser light), and the wavelength of the elastic scattered light is the same as that of the excitation light (laser light). Shift symmetrically with respect to light. This is Raman scattered light, and the Raman scattered light generated from the silicon wafer (Si) shows a value specific to the physical property and has a peak at a wavelength of about 520 [cm −1].
ここでラマン散乱光は、実施例で用いた波長355nmの励起光に対し、361.6nmと348.5nmが発生する。ストークス散乱及びアンチストークス散乱と呼ばれ、これらの散乱光は、微細な欠陥を検出する上では、ノイズとなるため、主に励起光355nmを透過させる355nm±2nmの狭帯域光学バンドパスフィルタ72、82を用いている。
Here, the Raman scattered light is generated at 361.6 nm and 348.5 nm with respect to the excitation light having a wavelength of 355 nm used in the example. These scattered lights, which are called Stokes scattering and anti-Stokes scattering, become noise when detecting minute defects, and therefore, a narrowband
尚、被検査物の物性固有の値を示すため、シリコンウエーハ(Si)以外の検査物では、シフトする波長が変わるため、狭帯域光学バンドパスフィルタ72、82の帯域を変える必要があるのは言うまでも無い。狭帯域光学バンドパスフィルタ特性の一例を図8に示す。本特性の透過率は、できるだけ高く、透過ロスの少ないフィルタが望ましい。 In addition, since the wavelength to be shifted is changed in the inspection object other than the silicon wafer (Si) in order to show the value specific to the physical property of the inspection object, it is necessary to change the bands of the narrow-band optical bandpass filters 72 and 82. Needless to say. An example of narrowband optical bandpass filter characteristics is shown in FIG. A filter having a transmittance as high as possible and having a small transmission loss is desirable.
前記各集光素子、特に前記第1仰角検出系の各集光素子の機械的配置は、前記照射ビーム21およびその正反射光の光路と干渉する恐れがある。そこで、本実施例ではこれら前記各集光素子を、前記照射ビーム21およびその正反射光の光路を避けて配置してある。
The mechanical arrangement of the respective condensing elements, in particular the respective condensing elements of the first elevation angle detection system, may interfere with the
この構成において、異物1は照明スポット3を通過し、狭帯域光学バンドパスフィルタ72、82を経た複数の光検出器7からは弾性散乱光(散乱・回折・反射光)の強度に対応した出力信号が得られる。本実施例では光検出器7として光電子増倍管を用いているが、異物からの散乱光を高感度に検出できる光検出器であれば他の検出原理の光検出器であっても良い。
In this configuration, the
図2に示すように、前記各光検出器7からの出力信号は、その中に含まれる直流信号成分を概略保持したまま前置増幅器26で増幅された後、2系統の信号に分割される。第1の分割された出力信号は低域通過フィルタ27を通過する。この低域通過フィルタ27の遮断周波数は、図5に示す信号(e)のうち、異物1が照明スポット3を通過したことで発生するパルス状の成分を除去し、概略、直流成分のみを通過するようにしてある。
As shown in FIG. 2, the output signal from each of the
その結果、低域通過フィルタ27の出力として得られる第1の信号成分は、前記被検査物体表面または表面近傍で散乱・回折・反射された光のうち主として前記被検査物体表面の微小な凹凸に由来して発生する光の強度に対応する信号となる。
As a result, the first signal component obtained as the output of the low-
一方、第2の分割された出力信号は帯域通過フィルタ28を通過する。この帯域通過フィルタ28の遮断周波数は、図5に示した信号(e)のうち直流成分を除去し、概略、異物1が照明スポット3を通過したことで発生するパルス状の成分のみを通過するようにしてある。
On the other hand, the second divided output signal passes through the
その結果、帯域通過フィルタ28の出力として得られる第2の信号成分は、前記被検査物体表面または表面近傍で散乱・回折・反射された光のうち主として前記被検査物体表面または表面近傍の異物や欠陥に由来して発生する光の強度に対応する信号となる。
As a result, the second signal component obtained as the output of the
このようにして、本実施例の弾性散乱検出系(散乱・回折・反射光)では、第1仰角検出系70に含まれる6個の光検出器7の各々の出力信号に由来して第1の信号成分と第2の信号成分の組合せ6組と、第2仰角検出系80に含まれる4個の光検出器7の各々の出力信号に由来して第1の信号成分と第2の信号成分の組合せ4組とが得られる。これら第1および第2の信号成分は各々個別のA/D変換器30でサンプリングされ、デジタルデータに変換される。
Thus, in the elastic scattering detection system (scattering / diffraction / reflected light) of the present embodiment, the first is derived from the output signals of the six
次に、粒径算出機構310は前記第2の信号成分を変換して得られた、前記第1仰角検出系70における合計6個のデジタルデータb1j(j=1,2,3,4,5,6)、および前記第2仰角検出系80における合計4個のデジタルデータb2j(j=1,2,3,4)を用いて前記異物や欠陥の大きさを算出する。
Next, the particle
ところで、微小な異物を検出する場合、一般に検出信号のノイズ成分においては前述の背景散乱光に由来するショットノイズが支配的であることが知られている。ショットノイズはその元となる光強度の平方根に比例するので、微小な異物を検出する場合のノイズレベルは、背景散乱光の強度の平方根に比例して大きくなる。 By the way, when detecting a minute foreign matter, it is generally known that the shot noise derived from the background scattered light is dominant in the noise component of the detection signal. Since shot noise is proportional to the square root of the original light intensity, the noise level when detecting a minute foreign object increases in proportion to the square root of the intensity of the background scattered light.
もし、前記半導体ウェーハ3000の表面粗さに由来して発生する背景散乱光が方位角方向に関して強い指向性を有するような場合には、その背景散乱光が強い方位角で検出している光検出器の出力信号にはより大きなノイズ成分が含まれていることになる。そのため、表面粗さに由来する背景散乱光が強い方位角で検出している光検出器の出力信号と、表面粗さに由来する背景散乱光が弱い方位角で検出している光検出器の出力信号を同等に扱うことが得策でないことは明白である。
If the background scattered light generated due to the surface roughness of the
粒径算出機構310は、前記6個の各光検出器7および前記4個の各光検出器7に由来する前記第2の信号成分を変換したデジタルデータbijを下式に従って重み付き加算処理し、前記第1仰角検出系70における合成信号S1、および前記第2仰角検出系80における合成信号S2を得るように構成してある。
The particle
S1=g11×b11+g12×b12+g13×b13+g14×b14+g15
×b15+g16×b16 ・・・ 数式1
S2=g21×b21+g22×b22+g23×b23+g24
×b24 ・・・ 数式2
ここで、各重み付け係数gijは、前記各光検出器7に由来する前記第1の信号成分を変換したデジタルデータaijの逆数に予め定めた比例定数Kを乗じたものである。
S1 = g11 * b11 + g12 * b12 + g13 * b13 + g14 * b14 + g15
Xb15 + g16 *
S2 = g21 * b21 + g22 * b22 + g23 * b23 + g24
Here, each weighting coefficient gij is obtained by multiplying the inverse of the digital data aij obtained by converting the first signal component derived from each
すなわち、 gij=K×1/aij ・・・ 数式3
である。
That is, gij = K × 1 /
It is.
このように、重み付け係数gij、すなわち合成信号S1およびS2に対する各光検出器7から得られる前記第2の信号成分の寄与度、は対応する前記第1の信号成分が大きいほど小さくなるので、前述のような背景散乱光の指向性によって強い背景散乱光が発生してS/N比が劣化した光検出器の場合、合成信号に対する寄与度が自動的に低下し、合成信号のS/N比を良好に維持することが可能になる。
Thus, the weighting coefficient gij, that is, the contribution of the second signal component obtained from each
そのため、背景散乱光の指向性が強い場合や、被検査ウェーハ上の位置によって背景散乱光の指向性が変化するような場合に、全散乱光量に占める背景散乱光の相対比率や角度方向での偏りが比較的大きくない場合であっても、合成信号のS/N比を良好に維持することが可能になる。尚、前述背景散乱光は、第1仰角狭帯域バンドパスフィルタ72、第2仰角狭帯域バンドパスフィルタ82でラマン散乱光が除去された弾性散乱光(レイリー散乱光)である。
Therefore, when the directionality of the background scattered light is strong or when the directionality of the background scattered light changes depending on the position on the wafer to be inspected, the relative ratio of the background scattered light in the total scattered light amount and the angular direction Even when the bias is not relatively large, it is possible to maintain a good S / N ratio of the combined signal. The background scattered light is elastic scattered light (Rayleigh scattered light) from which Raman scattered light has been removed by the first elevation
ここで、実数値で例を示そう。本実施例の第2仰角検出系に属する4個の光検出器に対して表1で想定した数値例を当てはめてみると、結果は表2の最下段に示すようになる。 Here is an example with real values. When the numerical examples assumed in Table 1 are applied to the four photodetectors belonging to the second elevation angle detection system of the present embodiment, the result is shown in the lowermost stage of Table 2.
表1・表2はS/N比の計算結果例を示した。 Tables 1 and 2 show examples of S / N ratio calculation results.
この場合、本実施例の合成信号で得られるS/N比は、前述の「全方位角方向で散乱光を均等に検出する」方式および「背景散乱光が強い方位角方向を遮光する/使わない」方式よりも良好であることが分かる。 In this case, the S / N ratio obtained from the composite signal of this embodiment is the above-described “detecting scattered light uniformly in all azimuth directions” method and “shielding / use of azimuth direction where background scattered light is strong” It turns out to be better than the “no” method.
もちろん、「全散乱光量に占める背景散乱光の相対比率や角度方向での偏りが大きい場合」場合には対応する前記重み付け係数は自動的に0に近付くので、その効果は「背景散乱光が強い方位角方向を遮光する/使わない」方式に近付き、「全散乱光量に占める背景散乱光の相対比率や角度方向での偏りが大きい場合」場合にも良好なS/N比が得られることは明白である。 Of course, in the case of “when the relative ratio of the background scattered light in the total scattered light amount and the bias in the angular direction is large”, the corresponding weighting coefficient automatically approaches 0, and the effect is “the background scattered light is strong. A good S / N ratio can be obtained even when "the azimuth angle direction is shielded / not used" and "the relative ratio of the background scattered light in the total scattered light amount and the bias in the angular direction are large". It is obvious.
次に粒径算出機構310は、前記合成信号S1およびS2を検出した異物や欠陥の大きさに換算するが、前記各光検出器7に由来する前記第1の信号成分強度が変化する毎に各重み付け係数gijが変化するため、同じ異物であってもその異物の存在する半導体ウェーハ3000上の位置における背景散乱光の強度や指向性が異なれば、その都度、前記合成信号S1およびS2は異なる値となってしまう。
Next, the particle
そのため、「異物・欠陥の大きさとその異物に対する合成信号S1およびS2の値とを関係付けた合成信号用検量線を検査開始前に予め作成しておき、検査時に時々刻々得られる合成信号S1およびS2の値を合成信号用検量線に当てはめて異物や欠陥の大きさを算出する」ということは意味を成さない。 Therefore, “a composite signal calibration curve that associates the size of the foreign matter / defect with the values of the composite signals S1 and S2 for the foreign matter is created in advance before the start of the inspection, and the composite signal S1 obtained from time to time during the inspection and It does not make sense to apply the value of S2 to the composite signal calibration curve to calculate the size of the foreign matter or defect.
そこで、本発明では次のステップに従って前記合成信号S1およびS2を検出した異物や欠陥の大きさに換算する。 Therefore, in the present invention, the synthesized signals S1 and S2 are converted into detected foreign matter and defect sizes according to the following steps.
Step 1:オペレータは、検査開始前に、複数の大きさ既知の標準異物(PSL:ポリスチレンラテックス球がのぞましい)を付着させた校正用ウェーハを準備する。
Step 2:オペレータは、本実施例の表面検査装置の検査条件を、実際の被検査対象ウェーハに対して行う検査の検査条件に合わせて設定する。
Step 1: The operator prepares a calibration wafer on which a plurality of standard foreign substances (PSL: preferably polystyrene latex spheres are desirable) are attached before the inspection is started.
Step 2: The operator sets the inspection conditions of the surface inspection apparatus of the present embodiment in accordance with the inspection conditions of the inspection to be performed on the actual wafer to be inspected.
Step 3:オペレータは、前記校正用ウェーハの検査を開始させる。
Step 4:本実施例の表面検査装置は、前記合計10個の各光検出器7毎に、検出された前記各標準異物の大きさと、その標準異物に対応して発生する前記第2の信号成分を変換したデジタルデータの値との関係を記録する。
Step 3: The operator starts inspection of the calibration wafer.
Step 4: The surface inspection apparatus according to the present embodiment is configured such that the detected size of each standard foreign matter and the second signal generated corresponding to the standard foreign matter for each of the ten
Step 5:本実施例の表面検査装置は、前記合計10個の各光検出器7毎に記録された、検出された前記各標準異物の大きさと、その標準異物に対応して発生する前記第2の信号成分を変換したデジタルデータの値との関係から、各光検出器7毎の検量線、すなわち10個の検量線wij(第1仰角検出系:i=1,j=1,2,3,4,5,6、
第2仰角検出系:i=2,j=1,2,3,4)を生成し、保存する。wijは具体的には下式の形の関数であり、wijの値は異物・欠陥の大きさを表す。(ただし、Iij:第2の信号成分の強度,pijおよびqij:検量線係数)
wij(Iij)=pij×Iij+qij ・・・ 数式4
これで検査前の検量線準備作業は完了する。
Step 5: The surface inspection apparatus according to the present embodiment is configured to detect the size of each standard foreign matter recorded for each of the ten
A second elevation angle detection system: i = 2, j = 1, 2, 3, 4) is generated and stored. Specifically, wij is a function of the form of the following equation, and the value of wij represents the size of the foreign matter / defect. (Where Iij is the intensity of the second signal component, pij and qij are calibration curve coefficients)
wij (Iij) = pij × Iij +
This completes the preparatory calibration curve preparation work.
Step 6:オペレータは、実際の被検査対象ウェーハ検査を開始させる。 Step 6: The operator starts an actual inspection of a wafer to be inspected.
Step 7:本実施例の表面検査装置は、検出した各異物や欠陥毎に、式1から3を用いて合成信号S1およびS2を生成する。
Step 7: The surface inspection apparatus according to the present embodiment generates combined signals S1 and
Step 8:本実施例の表面検査装置は、前記各光検出器7毎に保存された10個の検量線wijから下式に従って合成検量線W1および合成検量線W2を生成する。
Step 8: The surface inspection apparatus of the present embodiment generates a combined calibration curve W1 and a combined calibration curve W2 from the 10 calibration curves wij stored for each
W1=g11×w11+g12×w12+g13×w13+g14×w14+g15×w15+g16×w16 ・・・数式5
W2=g21×w21+g22×w22+g23×w23
+g24×w24 ・・・数式6
Step 9:本実施例の表面検査装置は、合成信号S1を合成検量線W1に当てはめて異物・欠陥サイズD1を、合成信号S2を合成検量線W2に当てはめて異物・欠陥サイズD2を求める。
W1 = g11 × w11 + g12 × w12 + g13 × w13 + g14 × w14 + g15 × w15 + g16 × w16 Formula 5
W2 = g21 × w21 + g22 × w22 + g23 × w23
+ G24 × w24
Step 9: The surface inspection apparatus according to the present embodiment applies the composite signal S1 to the composite calibration curve W1 to apply the foreign matter / defect size D1 and applies the composite signal S2 to the composite calibration curve W2 to obtain the foreign matter / defect size D2.
Step 10:本実施例の表面検査装置は、合成信号S1が合成信号S2より大の場合は、検出された異物・欠陥の大きさとしてD1を、逆の場合にはD2を採用する。 Step 10: The surface inspection apparatus of the present embodiment employs D1 as the size of the detected foreign matter / defect when the synthesized signal S1 is larger than the synthesized signal S2, and D2 in the opposite case.
上記の、合成信号S1およびS2と、合成検量線W1およびW2とを生成する信号処理の構成ブロック図を図6に示した。 FIG. 6 shows a block diagram of the signal processing for generating the combined signals S1 and S2 and the combined calibration curves W1 and W2.
図6に示す粒径算出機構310は、信号処理系200の信号を合成信号生成処理部、粒径換算処理部、合成検量線生成部を有する。
The particle
このようにして、本実施例の表面検査装置では、合成信号S1およびS2の算出に使用した重み付け係数と同じ重み付け係数を用いて各光検出器毎の検量線を合成した合成検量線W1およびW2を生成するので、合成信号S1およびS2と合成検量線W1およびW2の関係は常に正しく保たれ、前記各光検出器7に由来する前記第1の信号成分強度が変化して各重み付け係数gijが変化した場合でも、異物や欠陥の大きさ換算を正しく行うことができる。
Thus, in the surface inspection apparatus of the present embodiment, the combined calibration curves W1 and W2 obtained by combining the calibration curves for the respective photodetectors using the same weighting coefficients as the weighting coefficients used for the calculation of the combined signals S1 and S2. Therefore, the relationship between the combined signals S1 and S2 and the combined calibration curves W1 and W2 is always maintained correctly, and the intensity of the first signal component derived from each of the
本実施例では、複数の光検出器のうち等しい仰角の検出系に属するもの同士を重み付き加算の対象としているが、異なる仰角の検出系に属する光検出器を含めて重み付き加算を実施することも可能である。検出された一つの異物・欠陥の大きさが求まると、検査結果保存部410は、この大きさの値、このときの前記重み付け係数gij、各デジタルデータaijとbij、および異物・欠陥座標検出機構330から得られる前記異物・欠陥の半導体ウェーハ3000上での位置座標、を記憶保存する。
In the present embodiment, among the plurality of photodetectors, those belonging to detection systems with the same elevation angle are targeted for weighted addition, but weighted addition is performed including photodetectors belonging to detection systems with different elevation angles. It is also possible. When the size of one detected foreign matter / defect is determined, the inspection result storage unit 410 determines the size value, the weighting coefficient gij at this time, each digital data aij and bij, and the foreign matter / defect coordinate detection mechanism. The position coordinates on the
このとき、検出された欠陥、例えば、スクラッチ、ピット欠陥、異物、及びそれらの大きさや長さなどの欠陥分類分けは、欠陥の位置の座標データと関連付けて記憶する。そして、前記半導体ウェーハ3000の検査が終了すると、前記検査結果保存部400に記憶保存され、これらの情報は、データ処理系4000に転送され、検査結果に基づいて出力系5000にて欠陥マップ作成し、出力装置5000に表示する。
At this time, the detected defects, for example, scratch classification, such as scratches, pit defects, foreign objects, and their sizes and lengths, are stored in association with the coordinate data of the positions of the defects. When the inspection of the
続いて、オペレータは、出力装置5000に表示された欠陥マップを見て、個別の欠陥について非弾性散乱検出による分析が必要か否かを判断する。必要と判断した場合、オペレータは、入力装置5100(第1/第2の入力手段)により指定する。
Subsequently, the operator looks at the defect map displayed on the
続いて、オペレータは、出力装置5000に表示された欠陥マップまたは欠陥の分類結果を見て、個別の欠陥についてレビューステーション接続機構5200を介して、光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡(SEM)による観察が必要か否かを判断する。観察が必要と判断した場合、観察に必要な欠陥を入力装置5100により指定する。
Subsequently, the operator looks at the defect map or the defect classification result displayed on the
光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡(SEM)などによる観察が必要とされた場合、入力装置5100より指定された欠陥座標情報は、レビューステーション接続機構を介して出力される。尚、この場合、予め被検査物は、レビューステーションにアライメントされてセッテイングされているものとする。
When observation with an optical microscope or a scanning electron microscope (SEM) is required, the defect coordinate information specified by the
続いて、オペレータは出力装置5000に表示された欠陥マップまたは分類結果を見て、あるいはレビューステーションによる観察結果から、個別の欠陥について非弾性散乱検出による分析が必要か否かを判断する。分析が必要と判断した場合、オペレータは、非弾性散乱検出が必要な欠陥を入力装置5100により指定する機能を有する。今仮に、図9の欠陥マップで●の符号が付与された異物を指定するものとする。
Subsequently, the operator looks at the defect map or the classification result displayed on the
非弾性散乱検出が必要な欠陥が指定されると、検査結果保存部400に格納され欠陥情報から、データ処理系4000に格納されているプログラムを実行し、被検査物体移動ステージ3002移動して、図7の非弾性散乱検出系500の下方へ移動させる。図示していないが、ハンドリング機構により、自動で被検査物を被検査物体移動ステージ3002に載せるもとする。
When a defect that requires inelastic scattering detection is specified, a program stored in the
図7に示す非弾性散乱検出・処理系2000は、非弾性散乱検出系500、信号処理系600、波長スペクロラム分析演算処理系700を有する。
The inelastic scattering detection /
非弾性散乱検出系500は、異物1、狭帯域光学バンドパスフィルタ51、集光レンズ52、分光素子53、マルチ検出器54を有する。信号処理系600は、前置増幅器61、信号帯域通過フィルタ62、A/D変換器63を有する。波長スペクロラム分析演算処理系700は、第1仰角検出系70を有する。
The inelastic
検査座標検出機構106により検査結果保存部400に記憶された欠陥の位置の座標データに基づいて、被検査物体移動ステージ3002が移動して、非性散乱検出・処理系2000により、ラマンスペクトルを分光して、処理することにより、波数位置、ラマン強度、ピーク幅などの組成分析情報を得られる。分析結果はデータ処理系4000に送られ、出力装置5000から表示される。尚、非弾性散乱検出・処理系の詳細は、実施例2の所で述べている。
Based on the coordinate data of the position of the defect stored in the inspection
図10は、被弾性散乱検出による分析結果の一例を示す図である。 FIG. 10 is a diagram illustrating an example of an analysis result by elastic scattering detection.
非弾性散乱検出による分析結果のデータを、分析データ記憶部75に予め登録された物質スペクトルライブラリのデータと比較照合することにより、指定された欠陥の物質を判定する。
The data of the analysis result by the inelastic scattering detection is compared with the data of the material spectrum library registered in advance in the analysis
物質スペクトラム登録ライブラリは、被検査物を構成する材料及び製造工程で混入する可能性のある物質を考慮して、非弾性散乱検出で検出される可能性のある物質のスペクトルのデータを予め登録したものである。欠陥の物質判定結果は、例えば、有機物や無機物の種類、金属の種類、磁性体の種類、半導体の種類、アモルファスカーボンの種類など欠陥の分析結果のデータ、欠陥の物質の判定結果のデータ、及び欠陥の分類データを、欠陥の位置の座標データと関連付けて記憶する。 The substance spectrum registration library pre-registers the spectrum data of substances that can be detected by inelastic scattering detection in consideration of the materials that make up the object to be inspected and substances that may be mixed in the manufacturing process. Is. Defect substance determination results include, for example, organic and inorganic types, metal types, magnetic substance types, semiconductor types, amorphous carbon types, defect analysis result data, defect substance determination result data, and The defect classification data is stored in association with the coordinate data of the defect position.
次に、欠陥の物質の判定結果のデータに基づいて、欠陥の再分類を行う機能を有する。
例えば、図9の欠陥マップで1の符号が付された異物について、欠陥の物質の判定結果がウェーハの母材と同じであった場合は、異物ではなくバンプ(凸形状欠陥)あると再分類する。一方、欠陥の物質の判定結果が母材と異なった場合は、そのまま異物であると再分類する。さらに、異物を、その物質の種類に応じて細かく再分類することもできる。欠陥の再分類結果のデータを欠陥の位置の座標データと関連付けて記憶する。
Next, it has a function of reclassifying defects based on data of determination results of defective substances.
For example, for a foreign substance labeled 1 in the defect map of FIG. 9, if the determination result of the defective substance is the same as the base material of the wafer, it is reclassified as a bump (convex defect) instead of a foreign substance. To do. On the other hand, if the determination result of the defective substance is different from that of the base material, it is reclassified as a foreign substance as it is. Furthermore, the foreign matter can be finely reclassified according to the type of the substance. The data of the defect reclassification result is stored in association with the coordinate data of the defect position.
記憶された欠陥の位置の座標データ、欠陥の特徴のデータ、欠陥の分析結果データ、及び欠陥の物質の判定結果のデータに基づいて、検査結果を出力装置5000に出力する。
また、検査結果データは、検査結果通信機構6000により、上位システムへ通信ネットワークを介して送信する。これにより、上位システムは検出された各異物や欠陥について大きさ算出過程を再現することができ、それらの大きさ算出過程に異常がなかったかどうかを検証することができる。また、各異物や欠陥の組成分析情報なども付加することで、欠陥の分類や、製造工程の異常などがより精密に検証することができる。
The inspection result is output to the
Further, the inspection result data is transmitted to the host system via the communication network by the inspection
前述した実施の形態は、検査装置のオペレータが非弾性散乱検出による分析を行う欠陥を指定するものであったが、非弾性散乱検出による分析を行う欠陥を検査装置で自動的に選択することもできる
なお、上記実施例では、照明光の光源11には、紫外域の波長の光を時間的に繰返してパルス発振するパルスレーザを用いたが、この代わりに波長が可視域であるレーザや連続発振型のレーザを用いる場合でも、上記実施例で得られる効果に変わりはない。また上記本実施例では、散乱・回折・反射光検出系の各集光素子をレンズから成るとしたが、これらは凹面鏡とすることも可能である。
In the above-described embodiment, the operator of the inspection apparatus designates the defect to be analyzed by inelastic scattering detection. However, the defect to be analyzed by inelastic scattering detection may be automatically selected by the inspection apparatus. In the above embodiment, the
この場合、非弾性散乱光(ラマン光)除去用の狭帯域光学バンドパスフィルタの挿入位置は、検出器の前面に挿入する。集光素子に凹面鏡を用いる場合には、上記と同様に凹面鏡の各光軸を前記照射ビーム21およびその正反射光の光路を避けた配置とすることももちろん可能であるが、干渉する各鏡面にこれらの光ビームが貫通するよう貫通穴を設けることで、光学的な干渉を避けるようにしても良い。
In this case, the insertion position of the narrowband optical bandpass filter for removing inelastically scattered light (Raman light) is inserted in front of the detector. When a concave mirror is used as the condensing element, it is of course possible to arrange each optical axis of the concave mirror so as to avoid the
さらに、上記実施例では、前記被検査物体表面または表面近傍で散乱・回折・反射された光のうち主として前記被検査物体表面の微小な凹凸に由来して発生する光の強度に対応する第1の信号成分と、主として前記被検査物体表面または表面近傍の異物や欠陥に由来して発生する光の強度に対応する第2の信号成分の分離を、A/D変換前のアナログ回路にて、低域通過フィルタと帯域通過フィルタを使うことで実現しているが、この代わりに、前記各光検出器からの出力信号をその中に含まれる直流成分を概略保持したままで増幅した後にA/D変換し、デジタル信号処理において低域通過フィルタリング処理と帯域通過フィルタリング処理を行って第1の信号成分と第2の信号成分を分離するようにしても上記実施例で得られる効果に変わりはない。 Further, in the above-described embodiment, the first intensity corresponding to the intensity of light generated mainly from minute irregularities on the surface of the object to be inspected among the light scattered, diffracted or reflected on the surface of the object to be inspected or in the vicinity of the surface. And the second signal component corresponding to the intensity of light generated mainly from the surface of the object to be inspected or a foreign object or defect near the surface, in an analog circuit before A / D conversion, This is realized by using a low-pass filter and a band-pass filter, but instead of this, the output signal from each of the photodetectors is amplified with the DC component contained therein roughly retained, and then A / Even if D conversion is performed and the first signal component and the second signal component are separated by performing low-pass filtering processing and band-pass filtering processing in the digital signal processing, the effect obtained in the above embodiment is changed. Ri is not.
またさらに別の代案として、上記実施例と同様にA/D変換前のアナログ回路にて低域通過フィルタと帯域通過フィルタを使うことで第1の信号成分と第2の信号成分を分離した後、第2の信号成分を前記第1の信号成分に概略反比例する増幅率で増幅するようにしても構わない。 As another alternative, after the first signal component and the second signal component are separated by using a low-pass filter and a band-pass filter in the analog circuit before A / D conversion as in the above embodiment. The second signal component may be amplified with an amplification factor that is approximately inversely proportional to the first signal component.
実施例1で示した図3の光学構成の中で、第1仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ72及び第2仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ82は、非弾性散乱光を遮光した実施例を示したが、被測定物により、最適な検査を行なうために、このフィルタを逆に弾性散乱光を遮光するフィルタに切り替えて検査してもよい。この場合の検査は、被検査物内の組成状況および被検査物表面上の欠陥の組成が出力される。
In the optical configuration shown in FIG. 3 shown in the first embodiment, the first elevation narrowband
本発明の検査方法を用いた検査装置の第2の実施例を図1に示す。被検査物体である半導体ウェーハ3000はチャック3001に真空吸着されており、このチャック3001は、回転ステージ3003と並進ステージ3004から成る被検査物体移動ステージ3002、Zステージ3005上に搭載されている。
A second embodiment of an inspection apparatus using the inspection method of the present invention is shown in FIG. A
半導体ウェーハ3000の上方に配置されている照明系11、弾性散乱検出・処理系1000と非弾性散乱検出・処理系2000、各処理系から転送された情報を処理するデータ処理系4000及び出力系5000、入力系5100、レビューステーション接続機構5200、及び検査結果通信機構6000から構成されている。
尚、データ処理系4000、出力系5000、入力系5100、レビューステーション接続機構5200、検査結果通信機構6000は、弾性散乱検出・処理系1000と非弾性散乱検出・処理系2000からのデータを共有し、データ処理系4000で一つにまとめられて処理される。
The
実施例1では、弾性散乱検出により検出した欠陥に対して、自動的にあるいはオペレータを介して、指定した欠陥の分析を行ない、欠陥の位置の座標データ、欠陥の特徴のデータ、欠陥の分析結果データ、及び欠陥の物質の判定結果のデータに基づいて、検査結果を出力装置5000に出力する。
In the first embodiment, the defect detected by the elastic scattering detection is analyzed automatically or via an operator, and the specified defect is analyzed. The defect position coordinate data, the defect feature data, and the defect analysis result are analyzed. The inspection result is output to the
実施例2は、被検査面を、連続的に非弾性散乱光を検出、処理することで、被検査面の物性分析状況などを行える解析装置の実施例について説明する。この場合弾性散乱検出と同時検査か非弾性散乱検出検査かを選択することができる。照明系に搭載されているレーザ光11を被検査物に照射すると、欠陥及び被検査面から、弾性散乱光及び、非弾性散乱光が発せられ、非弾性散乱検出系では、図7に示した非弾性散乱光学系500にある分光素子53によって、波長分離し、弾性散乱光(レーリー散乱光)を除去し、欠陥や被検査物に依存したラマンスペクトルのみを通過させる。
Example 2 describes an example of an analysis apparatus that can detect the state of physical properties of a surface to be inspected by continuously detecting and processing inelastic scattered light on the surface to be inspected. In this case, it is possible to select between elastic scattering detection and simultaneous inspection or inelastic scattering detection inspection. When the object to be inspected is irradiated with the
これは、ある分子に振動数νoのフォトンを照射すると、衝突するフォトンと、衝突せずに素通りするフォトンがある。分子と衝突するフォトンのほとんどは衝突によってエネルギーを変えず、入射光と同じ振動数のフォトンを与える。これが弾性散乱光(レイリー散乱)である。それに対し、分子と衝突するフォトンのごく一部は分子と衝突する時にエネルギーの交換が行われ、入射したフォトンが分子にエネルギーhνを与えると、散乱フォトンのエネルギーは、h(νο−ν)となり、その振動数は、νο―νとなる。 When a certain molecule is irradiated with photons having a frequency νo, there are photons that collide and photons that pass through without colliding. Most of the photons that collide with molecules do not change energy by collision, and give photons with the same frequency as the incident light. This is elastically scattered light (Rayleigh scattering). In contrast, a small part of photons that collide with molecules undergo energy exchange when they collide with molecules. When incident photons give energy hν to the molecules, the energy of scattered photons becomes h (νο−ν). The frequency is νο-ν.
一方、入射したフォトンが分子からエネルギーhνを受け取ると、散乱フォトンのエネルギーはh(νο+ν)となり、その振動数はνο+νとなる。これがラマン散乱であり、このラマンスペクトルを分光し、所定の信号処理をすることで、波数位置、ラマン強度、ピーク幅の情報を得ることができる。 On the other hand, when the incident photon receives energy hν from the molecule, the energy of the scattered photon becomes h (νο + ν), and its frequency becomes νο + ν. This is Raman scattering, and information on the wave number position, Raman intensity, and peak width can be obtained by dispersing the Raman spectrum and performing predetermined signal processing.
図1に示す非弾性散乱検出・処理系2000に示す。非弾性散乱検出系500の詳細構成は、図7に示す光学系である。この照明系は、弾性散乱検出・処理系1000と同じレーザ光11を照明光として用いる。照明光は例えばP偏光であり、被検査物体である半導体ウェーハ3000の表面に、概略、結晶Siに対するブリュースター角で斜入射するように構成されている。
An inelastic scattering detection /
このため照明スポット3は概略楕円形状をしており、照度が照明スポット中心部のeの2乗分の1(eは自然対数の底)に低下する輪郭線の内部を、ここであらためて照明スポットと定義することにする。この照明スポットの長軸方向の幅をd1,短軸方向の幅をd2とする。
For this reason, the
図7に非弾性散乱光検出・処理系について示す。図3(b)(c)で示した被検査物に照射された正反射光22は、図7の非弾性散乱検出光学系500に示した実施例から、レイリー光を狭帯域光学バンドパスフィルタ51により、レイリー散乱光をほぼ完全に遮光し、被検査物からのラマン光のみを通過させ、集光レンズ52を通して分光素子53に入射する。
FIG. 7 shows an inelastic scattered light detection / processing system. The specularly reflected light 22 applied to the object to be inspected shown in FIGS. 3B and 3C is obtained from the embodiment shown in the inelastic scattering detection
分光素子53では、シフトした波長に従い分光され、マルチ検出器54で電気信号に変換される。ここで、分光素子53は、グレーテイングや回折格子などが用いられる。また、マルチ検出器54は、CCD(Charge Coupled Device)やAPDアレイ、TDIセンサ、フォトダイオードアレイなどでも構わない。
In the
また、分光素子53とマルチ検出器54が組み合わされたモノクロメータ、ダブルモノクロメータなどの分光器を用いても構わない。この場合狭帯域光学バンドパスフィルタ51は必要ない。
A spectroscope such as a monochromator or a double monochromator in which the
図7に示した電気信号に変換されたラマンスペクトルは、前置増幅器61で増幅された後、帯域フィルター62を通して、ショットノイズなどを取り除いた信号成分は、A/D変換器63でサンプリングされ、デジタルデータに変換される。
The Raman spectrum converted into the electrical signal shown in FIG. 7 is amplified by the
本実施例では、波長スペクトラム分析演算処理700では、予め組成を同定する物質スペクトルライブラリを予め登録した情報と、測定・演算した結果などが格納する分析データ記憶部75から構成されている。デジタルデータに変換された測定データは、演算処理し、ラマンシフトに対する散乱強度特性や、測定位置に対するラマン散乱強度マップなどが演算され、その結果をデータ処理系4000に転送される。
In the present embodiment, the wavelength spectrum
データ処理系では、被検査面の物性情報や、ポイント指定された組成情報など、出力装置5000で等高線や色別に、ラマン強度に対応したマップ表示される。また、出力装置5000では、オペレータとの情報のやり取りを行うGUI機能は、入力装置5100から行われる。
In the data processing system, physical property information of the surface to be inspected and composition information with point designation are displayed on the
なお、実施例1で示した図3の光学構成の中で、第1仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ72及び第2仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ82は非弾性散乱光を遮光した実施例を示したが、被測定物により最適な検査を行うために、このバンドパスフィルタを逆に弾性散乱光を遮光するフィルタに切り替えて検査しても良い。この場合の検査は分光しないため被検査物内の組成分析は行わず、被検査物内及び表面上の組成状況が出力される。図11に等高線に表示したマップ例を示す。
In the optical configuration of FIG. 3 shown in the first embodiment, the first elevation narrowband
前述したように、これらの情報は、検査結果通信機構6000により、上位システムに通信ネットワークを介して送信される。
As described above, these pieces of information are transmitted by the inspection
非弾性散乱検出を行う場合、被検査物体である半導体ウェーハ3000はチャック3001に真空吸着されており、このチャック3001は、回転ステージ3003と並進ステージ3004から成る被検査物体移動ステージ3002、Zステージ3005上に搭載されている。
When performing inelastic scattering detection, a
被検査物体移動ステージ3002主走査である回転移動θと副走査である並進移動rを時間と共に図4に示すように組合わせて変化させることで、相対的に照明スポット3を半導体ウェーハ3000の概略全表面上で螺旋状に走査させる。この場合、回転移動θの速度は、任意に可変できる。例えば、ラマン光強度が、微弱なため、十分に検出できるレベルまで回転速度を落として被検査面を、連続的にもれなく検査することができる。
Inspected
また、弾性散乱光検出と非弾性散乱光検出を同時検査を行うこともできる。この場合も被検査物体移動ステージの回転移動速度と並進移動速度は、最適な条件に設定することができる。 In addition, it is possible to perform simultaneous inspection of elastic scattered light detection and inelastic scattered light detection. Also in this case, the rotational movement speed and translational movement speed of the inspection object moving stage can be set to optimum conditions.
データ処理系4000により、非弾性散乱検出により、被検査面を検査し、検査した結果を、ラマン強度に対応して、等高線や色別に被検査面の組成状況を、出力装置5000でマッピング表示することで、組成状況が容易に把握することができる機能を有する。また、弾性散乱検出処理1000で全面検査し、検査した結果を、欠陥分類別に出力装置5000でマップ表示される。両方の検査結果は、データ処理系4000でまとめて、夫々の欠陥マップを重ね合わせたビジュアル的なマップ表示することもできる機能を有する。
The inspected surface is inspected by inelastic scattering detection by the
更に図11は弾性散乱光検出による検査した結果と非弾性散乱光検出による検査した結果を、重ねたマップ表示にして示している。 Further, FIG. 11 shows the result of the inspection by the elastic scattered light detection and the result of the inspection by the inelastic scattered light detection in a superimposed map display.
●は異物、□はバンプ、△はスクラッチを示す。これらの存在が全方位角の座標上でビジュアル的に捉えることができる。 ● indicates foreign matter, □ indicates bump, and △ indicates scratch. These existences can be visualized on the coordinates of all azimuth angles.
図12は、非弾性散乱光(ラマン散乱光)を弾性散乱光(レイリー散乱)を示している。 FIG. 12 shows inelastically scattered light (Raman scattered light) and elastically scattered light (Rayleigh scattering).
受光素子で受光した正反射を含む前方散乱の出力強度を示すもので、0の点が弾性散乱光(レイリー散乱)、0の点から左右に離れたところに非弾性散乱光(ラマン散乱光)の見られる。異物、バンプ、スクラッチの位置や大きさを特定するときは、非弾性散乱光(ラマン散乱光)をカットして弾性散乱光(レイリー散乱)を観測する。 This indicates the output intensity of forward scattering including regular reflection received by the light receiving element. The zero point is elastic scattered light (Rayleigh scattering), and the inelastic scattered light (Raman scattered light) is separated from the zero point to the left and right. Seen. When specifying the positions and sizes of foreign matter, bumps, and scratches, inelastically scattered light (Raman scattered light) is cut and elastically scattered light (Rayleigh scattering) is observed.
異物や欠陥の物質を特定するときは、弾性散乱光(レイリー散乱)をカットして非弾性散乱光(ラマン散乱光)を観測する。 When specifying a foreign substance or a defective substance, elastically scattered light (Rayleigh scattering) is cut and inelastically scattered light (Raman scattered light) is observed.
これらの観測を併用することで、異物、バンプ、スクラッチの位置や大きさ、物質の特定を的確に把握できる。 By using these observations in combination, the position and size of foreign matter, bumps and scratches, and identification of substances can be accurately grasped.
本発明は、半導体ウェーハに限らず、磁気ディスク、液晶基板、サファイヤグラス、マスク基板などのさまざまな物体の表面の欠陥検査に適用することができる。 The present invention is not limited to semiconductor wafers, and can be applied to surface defect inspection of various objects such as magnetic disks, liquid crystal substrates, sapphire glasses, mask substrates, and the like.
以上、半導体の製造に係わる半導体基板(ウエーハ)表面上の欠陥検査だけでなく、欠陥の素性も解析することができる検査・分析装置の一例を説明したが、液晶ガラスに用いられるガラス基板、センサやLED等に用いられるサファイヤ基板、ハードディスクに用いられるガラスディスク基板やアルミディスク基板など、幅広く適用することができる。 The example of the inspection / analysis apparatus that can analyze not only the defect inspection on the surface of the semiconductor substrate (wafer) related to the manufacture of the semiconductor but also the defect feature has been described. It can be widely applied to sapphire substrates used for LEDs and LEDs, glass disk substrates used for hard disks, and aluminum disk substrates.
また、半導体製造工程に限定されるものではなく、ハードディスク、液晶パネル、各種センサなどのさまざまな製造工程に広く適用することができる。 Further, the present invention is not limited to semiconductor manufacturing processes, and can be widely applied to various manufacturing processes such as hard disks, liquid crystal panels, and various sensors.
1…異物、2…異物の移動軌跡、3…照明スポット、7…光検出器、11…光源、18…照射レンズ、21…照明ビーム、26…前置増幅器、27…低域通過フィルタ、28…帯域通過フィルタ、30…A/D変換器、40…データ保存部、51…狭帯域光学バンドパスフィルタ、52…集光レンズ、53…分光素子、54…マルチ検出器、61…前置増幅器、62…信号帯域通過フィルタ、63…A/D変換器、70…第1仰角検出系、71…第1仰角集光素子、72…第1仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ、75…分析データ記憶部、80…第2仰角検出系、81…第2仰角集光素子、82…第2仰角狭帯域光学バンドパスフィルタ、100…弾性散乱検出光学系、106…検査座標検出機構、200…信号処理系、300…異物・欠陥判定機構、310…粒径算出機構、320…異物・欠陥判定機構、330…異物・欠陥座標検出機構、400…検査結果保存部、500…非弾性散乱検出光学系、600…信号処理系、700…波長スペクトラム分析演算処理系、800…分析データ保存部、1000…弾性散乱検出・処理系、2000…非弾性散乱検出・処理系、3000…半導体ウェーハ、3001…チャック、3002…被検査物体移動ステージ、3003…回転ステージ、3004…並進ステージ、3005…Zステージ、4000…データ処理系、5000…出力装置、5100…入力装置、5200…レビューステーション接続機構、6000…検査結果通信機構。
DESCRIPTION OF
Claims (14)
対象に照射光を供給する照明光学系と、
前記対象からの光から非弾性散乱光を除去する第1の除去部と、
前記第1の除去部によって前記非弾性散乱光が除去された光を検出する第1の検出光学系と、
前記非弾性散乱光が除去された光に対応する信号を使用することによって前記対象の欠陥の位置を得る処理部と、を有することを特徴とする検査装置。 In inspection equipment,
An illumination optical system for supplying irradiation light to the object;
A first removal unit for removing inelastically scattered light from the light from the object;
A first detection optical system that detects light from which the inelastically scattered light has been removed by the first removal unit;
And a processing unit that obtains the position of the target defect by using a signal corresponding to the light from which the inelastically scattered light has been removed.
前記第1の除去部が前記非弾性散乱光を除去する波長は可変であることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1,
The inspection apparatus is characterized in that the wavelength at which the first removing unit removes the inelastically scattered light is variable.
前記第1の除去部は前記照射光の波長に対応した波長を有する光を通過させることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1,
The inspection apparatus according to claim 1, wherein the first removing unit allows light having a wavelength corresponding to the wavelength of the irradiation light to pass therethrough.
前記第1の除去部が前記非弾性散乱光を除去する波長はラマンシフトを考慮して決定されることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1,
The inspection apparatus is characterized in that a wavelength at which the first removing unit removes the inelastically scattered light is determined in consideration of a Raman shift.
前記第1の除去部が前記非弾性散乱光を除去する波長は、前記照射光の波長とアンチストークス光の波長との和によって表現されることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 4,
The wavelength by which the first removing unit removes the inelastically scattered light is expressed by the sum of the wavelength of the irradiation light and the wavelength of the anti-Stokes light.
前記第1の除去部が前記非弾性散乱光を除去する波長は、さらに、前記照射光の波長とストークス光の波長との差によって表現されることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 5, wherein
The wavelength by which the first removing unit removes the inelastically scattered light is further expressed by a difference between the wavelength of the irradiation light and the wavelength of Stokes light.
前記照射光は紫外線であることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 3, wherein
The inspection apparatus, wherein the irradiation light is ultraviolet rays.
前記紫外線は紫外パルス光であることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 7,
2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the ultraviolet light is ultraviolet pulse light.
前記対象を搭載するための搭載部を有し、
前記第1の除去部が前記第1の検出光学系と前記搭載部との間に配置されることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1,
A mounting portion for mounting the object;
The inspection apparatus, wherein the first removal unit is disposed between the first detection optical system and the mounting unit.
前記処理部は、前記信号からパルス成分と直流成分とを得て、前記直流成分の逆数を前記パルス成分に乗算することを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1,
The processing unit obtains a pulse component and a DC component from the signal, and multiplies the pulse component by a reciprocal of the DC component.
前記非弾性散乱光を検出するための第2の検出光学系を有し、
前記処理部は、第2の検出光学系の検出結果から前記対象の組成を得ることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1,
A second detection optical system for detecting the inelastically scattered light;
The said processing part obtains the composition of the said object from the detection result of a 2nd detection optical system, The inspection apparatus characterized by the above-mentioned.
前記処理部は、前記欠陥の位置と前記組成とを対応付けることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1,
The said processing part matches the position of the said defect, and the said composition, The inspection apparatus characterized by the above-mentioned.
前記照明光に対応して波長を有する光を除去する第2の除去部を有することを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 11, wherein
An inspection apparatus comprising: a second removal unit that removes light having a wavelength corresponding to the illumination light.
前記第2の除去部と第2の検出光学系との間に回折素子を有し、
前記第2の検出光学系は前記回折素子によって回折された光を検出することを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 13, wherein
A diffractive element between the second removal unit and the second detection optical system;
The inspection apparatus, wherein the second detection optical system detects light diffracted by the diffraction element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089919A JP2012154946A (en) | 2012-04-11 | 2012-04-11 | Inspection method and inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089919A JP2012154946A (en) | 2012-04-11 | 2012-04-11 | Inspection method and inspection device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007176590A Division JP2009014510A (en) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | Inspection method and inspection apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012154946A true JP2012154946A (en) | 2012-08-16 |
Family
ID=46836776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089919A Pending JP2012154946A (en) | 2012-04-11 | 2012-04-11 | Inspection method and inspection device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012154946A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014109205A1 (en) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Inspection device and adjusting method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06313756A (en) * | 1993-03-03 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | Foreign object inspection analysis device and method thereof |
JP2001330563A (en) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Jeol Ltd | Inspection device |
JP3741602B2 (en) * | 1999-11-26 | 2006-02-01 | 日本電子株式会社 | Micro Raman spectroscopy system |
-
2012
- 2012-04-11 JP JP2012089919A patent/JP2012154946A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06313756A (en) * | 1993-03-03 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | Foreign object inspection analysis device and method thereof |
JP3741602B2 (en) * | 1999-11-26 | 2006-02-01 | 日本電子株式会社 | Micro Raman spectroscopy system |
JP2001330563A (en) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Jeol Ltd | Inspection device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014109205A1 (en) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Inspection device and adjusting method |
US9885670B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-02-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and adjusting method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009014510A (en) | Inspection method and inspection apparatus | |
TWI722246B (en) | Defect marking for semiconductor wafer inspection | |
US8248594B2 (en) | Surface inspection method and surface inspection apparatus | |
JP6916886B2 (en) | Activation of Wafer Particle Defects for Spectroscopic Composition Analysis | |
US6791099B2 (en) | Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena | |
US9810633B2 (en) | Classification of surface features using fluoresence | |
JP2020073935A (en) | System and method for defect detection and photoluminescence measurement of sample | |
JP4343911B2 (en) | Defect inspection equipment | |
US9863892B2 (en) | Distinguishing foreign surface features from native surface features | |
US9766179B2 (en) | Chemical characterization of surface features | |
US8761488B2 (en) | Image data processing method and image creating method | |
KR20150008453A (en) | Surface features mapping | |
JP2012154946A (en) | Inspection method and inspection device | |
JP4408902B2 (en) | Foreign object inspection method and apparatus | |
Lo et al. | Simultaneous, Submicron Infrared and Raman Microspectroscopies for Effective Failure and Contamination Analyses | |
JP2017122591A (en) | Measurement method | |
JP4648435B2 (en) | Inspection device | |
KR20140048831A (en) | Distinguishing foreign surface features from native surface features |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131112 |