JP2012149279A - Cvd apparatus and method for replacing raw material tank - Google Patents

Cvd apparatus and method for replacing raw material tank Download PDF

Info

Publication number
JP2012149279A
JP2012149279A JP2011006736A JP2011006736A JP2012149279A JP 2012149279 A JP2012149279 A JP 2012149279A JP 2011006736 A JP2011006736 A JP 2011006736A JP 2011006736 A JP2011006736 A JP 2011006736A JP 2012149279 A JP2012149279 A JP 2012149279A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
material solution
supply line
solvent
valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011006736A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Kikuchi
浩司 菊地
Masakiyo Ikeda
正清 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2011006736A priority Critical patent/JP2012149279A/en
Publication of JP2012149279A publication Critical patent/JP2012149279A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CVD apparatus in which a raw material tank in a raw material solution supply unit can be efficiently and safely replaced.SOLUTION: In a raw material solution part having a tank outlet valve, an inert gas supply line valve, a discharge line valve, a raw material solution supply line valve and a solvent supply line valve, the tank outlet valve, the inert gas supply line valve and the solvent supply line valve are connected to a linear main pipe perpendicularly extending upward from the discharge line valve toward the raw material solution supply line valve so that liquid remaining in a specific area surrounded by the tank outlet valve, the inert gas supply line valve, the discharge line valve, the raw material solution supply line valve and the solvent supply line valve voluntarily flows down toward the discharge line valve.

Description

本発明は、溶液気化型のCVD装置及び原料タンクの交換方法に関し、特に、原料溶液供給部の配管構造に好適な技術に関する。   The present invention relates to a solution vaporization type CVD apparatus and a raw material tank replacement method, and more particularly to a technique suitable for a piping structure of a raw material solution supply unit.

従来、液体窒素温度(77K)以上で超電導を示す高温超電導体の一種として、RE系超電導体(RE:希土類元素)が知られている。特に、化学式YBa2Cu37-yで表されるイットリウム系酸化物超電導体(以下、YBCO)が代表的である。このYBCO薄膜の形成には、例えば、基材の表面に原料ガスを供給して化学反応させることにより超電導層を成膜する化学気相成長法(CVD法:Chemical Vapor deposition method)が利用される。 Conventionally, RE-based superconductors (RE: rare earth elements) are known as a type of high-temperature superconductor exhibiting superconductivity at a liquid nitrogen temperature (77 K) or higher. In particular, an yttrium oxide superconductor (hereinafter, YBCO) represented by the chemical formula YBa 2 Cu 3 O 7-y is representative. For the formation of this YBCO thin film, for example, a chemical vapor deposition method (CVD: Chemical Vapor deposition method) is used in which a superconducting layer is formed by supplying a raw material gas to the surface of a base material to cause a chemical reaction. .

CVD法を利用して超電導線材を製造する場合、超電導体の原料は蒸気圧が低く常温固体であるため、固体原料を溶解した溶液(原料溶液)を気化器において気化させ、この気化された原料ガスを反応室に供給する手法が採られている。原料溶液としては、例えばテトラヒドロフラン(THF)の溶媒に、金属のβ−ジケトン錯体(例えばジピバロイルメタン(DPM:dipivaloylmethane)を溶解したものが用いられる。以下、金属MのDPM錯体をM(DPM)nと表す。上述した手法に用いられる溶液気化型のCVD装置は、例えば特許文献1〜3に開示されている。
一般的な溶液気化型のCVD装置は、固体原料を溶媒に溶解した原料溶液を気化させる気化器と、気化器によって気化された原料ガスを基材表面に供給して化学反応させることにより薄膜を形成する反応室と、気化器に原料溶液を供給する原料溶液供給部とを備えている。
When superconducting wire is manufactured using the CVD method, since the raw material of the superconductor is a solid at room temperature with a low vapor pressure, a solution (raw material solution) in which the solid raw material is dissolved is vaporized in a vaporizer, and this vaporized raw material A method of supplying gas to the reaction chamber is employed. As the raw material solution, for example, a solution of a metal β-diketone complex (for example, dipivaloylmethane (DPM)) in a solvent of tetrahydrofuran (THF) is used. DPM) n A solution vaporization type CVD apparatus used in the above-described method is disclosed in, for example, Patent Documents 1 to 3.
A general solution vaporization type CVD apparatus is a vaporizer that vaporizes a raw material solution in which a solid raw material is dissolved in a solvent, and a raw material gas vaporized by the vaporizer is supplied to the surface of the substrate to cause a chemical reaction. A reaction chamber to be formed and a raw material solution supply unit for supplying the raw material solution to the vaporizer are provided.

図9は、本発明者等が従来使用していた溶液気化型CVD装置の原料溶液供給部の配管構造を示す図である。図9には、YBCO薄膜を形成する際の原料溶液供給部について、上下を鉛直方向、左右を水平方向として、実際の配管構造(バルブと配管の位置関係)をほぼ忠実に表している。   FIG. 9 is a diagram showing a piping structure of a raw material solution supply unit of a solution vaporization type CVD apparatus conventionally used by the present inventors. FIG. 9 shows the actual piping structure (positional relationship between the valve and the piping) almost faithfully with respect to the raw material solution supply section when forming the YBCO thin film, with the vertical direction being the vertical direction and the horizontal direction being the horizontal direction.

図9に示すように、原料溶液供給部10は、原料溶液部11〜13、この原料溶液部11〜13に所定の配管を介して接続される原料溶液供給ラインL1、不活性ガス供給ラインL2、溶媒供給ラインL3、排出ラインL4、及び溶媒供給部14を備えて構成される。
Y原料溶液部11において、原料タンク111には、タンク加圧バルブVX1とタンク出口バルブVX2が接続されている。そして、タンク加圧バルブVX1は、第2排出ラインバルブVX9を介して排出ラインL4に接続され、第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を介して不活性ガス供給ラインL2に接続されている。一方、タンク出口バルブVX2は、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4を介して不活性ガス供給ラインL2に接続され、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して原料溶液供給ラインL1に接続され、第1排出ラインバルブVX5を介して排出ラインL4に接続され、溶媒供給ラインバルブVX7を介して溶媒供給ラインL3に接続されている。
また、タンク加圧バルブVX1から第2不活性ガス供給ラインバルブVX8又は第2排出ラインバルブVX9に向かう配管と、タンク出口バルブVX2から第1原料溶液供給ラインバルブVX6等に向かう配管は、バイパスラインバルブVX3が配置されたバイパスラインで接続されている。
As shown in FIG. 9, the raw material solution supply unit 10 includes raw material solution parts 11 to 13, a raw material solution supply line L <b> 1 connected to the raw material solution parts 11 to 13 through predetermined piping, and an inert gas supply line L <b> 2. , A solvent supply line L3, a discharge line L4, and a solvent supply unit 14.
In the Y raw material solution section 11, a tank pressurizing valve VX1 and a tank outlet valve VX2 are connected to the raw material tank 111. The tank pressurization valve VX1 is connected to the discharge line L4 via the second discharge line valve VX9, and is connected to the inert gas supply line L2 via the second inert gas supply line valve VX8. On the other hand, the tank outlet valve VX2 is connected to the inert gas supply line L2 via the first inert gas supply line valve VX4, connected to the raw material solution supply line L1 via the first raw material solution supply line valve VX6, The first discharge line valve VX5 is connected to the discharge line L4, and the solvent supply line valve VX7 is connected to the solvent supply line L3.
Also, the piping from the tank pressurization valve VX1 to the second inert gas supply line valve VX8 or the second discharge line valve VX9 and the piping from the tank outlet valve VX2 to the first raw material solution supply line valve VX6 etc. The valve VX3 is connected by a bypass line.

原料溶液供給ラインL1から分岐された枝管L11には、第2原料溶液供給ラインバルブVX10、マスフローコントローラMFCが配設されており、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して供給される原料溶液の流量を制御可能となっている。
なお、Ba原料溶液部12、Cu原料溶液部13の配管構造は、Y原料溶液部11と同様なので図示及び説明を省略する。
A branch pipe L11 branched from the raw material solution supply line L1 is provided with a second raw material solution supply line valve VX10 and a mass flow controller MFC, and the raw material solution supplied via the first raw material solution supply line valve VX6. The flow rate can be controlled.
In addition, since the piping structure of Ba raw material solution part 12 and Cu raw material solution part 13 is the same as that of Y raw material solution part 11, illustration and description are abbreviate | omitted.

Y原料溶液部11において、原料タンク111を交換する際には、バルブVX1〜VX7を閉状態とし、バルブVX2〜VX7で囲まれた特定領域Rに残留する原料溶液を除去するとともに、毒性の強い残留ガスを不活性ガスで希釈しなければならない。
例えば、第1排出ラインバルブVX5を開状態として原料溶液を排出した後、溶媒供給ラインバルブVX7を開状態として溶媒を充填する。これらの工程を所定回数繰り返し、特定領域Rに残留している原料溶液を溶媒で置換する。次いで、バイパスラインバルブVX3と第2排出ラインバルブVX9を開状態として真空引きした後、バイパスラインバルブVX3と第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を開状態としてとして不活性ガスを充填する。これらの工程を所定回数繰り返し、特定領域Rに残留している溶媒を蒸発させて排気するとともに、残留ガスを不活性ガスで置換する。そして、原料タンク111を接続部分(継ぎ手)112で切り離して原料タンク111を交換する。
In the Y raw material solution section 11, when the raw material tank 111 is replaced, the valves VX1 to VX7 are closed, the raw material solution remaining in the specific region R surrounded by the valves VX2 to VX7 is removed, and highly toxic The residual gas must be diluted with inert gas.
For example, after the first discharge line valve VX5 is opened to discharge the raw material solution, the solvent supply line valve VX7 is opened to fill the solvent. These steps are repeated a predetermined number of times to replace the raw material solution remaining in the specific region R with a solvent. Next, after the bypass line valve VX3 and the second discharge line valve VX9 are opened and evacuated, the bypass line valve VX3 and the second inert gas supply line valve VX8 are opened and filled with an inert gas. These steps are repeated a predetermined number of times to evaporate and exhaust the solvent remaining in the specific region R, and replace the residual gas with an inert gas. Then, the raw material tank 111 is disconnected at the connecting portion (joint) 112 and the raw material tank 111 is replaced.

特開平7−268634号公報JP-A-7-268634 特開平10−195659号公報JP-A-10-195659 特開2001−332540号公報JP 2001-332540 A

しかしながら、図9に示す配管構造では、原料タンク111を交換する際に、原料タンク111の継ぎ手112に固体原料の付着物が散見された。このように、原料タンク111の継ぎ手112に付着物が生じると、原料供給時にマスフローコントローラMFCに目詰まりが生じて原料溶液の流量を制御することが不能となったり、気化器の噴出ノズルに目詰まりが生じて原料溶液を噴出することが不能となったりしてしまう。この場合、気化器の噴出ノズルを交換するとともに、溶媒供給ラインバルブVX7、第1原料溶液供給ラインバルブVX6、第2原料溶液供給ラインバルブVX10、及び第2切替バルブVA2を開状態として、配管に長時間溶媒を流通させて洗浄する必要がある。
また、原料タンク111の交換時に、タンク出口バルブVX2側の継ぎ手112の部分で液漏れが生じることもあった。この場合、液体の受け皿や局所排気等の安全装置を設置する措置が必要となる。
However, in the piping structure shown in FIG. 9, when the raw material tank 111 is replaced, deposits of solid raw material are scattered on the joint 112 of the raw material tank 111. In this way, when deposits are generated at the joint 112 of the raw material tank 111, the mass flow controller MFC is clogged during the supply of the raw material, making it impossible to control the flow rate of the raw material solution, or to check the ejection nozzle of the vaporizer. Clogging may occur and it may be impossible to eject the raw material solution. In this case, the ejection nozzle of the vaporizer is replaced, and the solvent supply line valve VX7, the first raw material solution supply line valve VX6, the second raw material solution supply line valve VX10, and the second switching valve VA2 are opened to the piping. It is necessary to wash the solvent for a long time.
Further, when the raw material tank 111 is replaced, liquid leakage may occur at the joint 112 on the tank outlet valve VX2 side. In this case, it is necessary to install a safety device such as a liquid tray or local exhaust.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、原料溶液供給部における原料タンクの交換を効率よく安全に実行できるCVD装置及び原料タンクの交換方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a CVD apparatus and a method for replacing a material tank that can efficiently and safely replace a material tank in a material solution supply unit.

請求項1に記載の発明は、固体原料を溶媒に溶解した原料溶液を気化させる気化器と、前記気化器によって気化された原料ガスを基材表面に供給して化学反応させることにより薄膜を形成する反応室と、前記気化器に前記原料溶液を供給する原料溶液供給部と、を備えたCVD装置であって、
前記原料溶液供給部が、前記原料溶液を収容する原料タンクを有する原料溶液部と、
前記原料溶液部から送出された前記原料溶液を前記気化器に輸送する原料溶液供給ラインと、
前記原料溶液部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、
前記原料溶液部に溶媒を供給する溶媒供給ラインと、
前記原料溶液部に残存する液体又は気体を排出する排出ラインとを有し、
前記原料溶液部が、前記原料タンクに接続されるタンク出口バルブと、
前記不活性ガス供給ラインに接続される不活性ガス供給ラインバルブと、
前記排出ラインに接続される排出ラインバルブと、
前記原料溶液供給ラインに接続される原料溶液供給ラインバルブと、
前記溶媒供給ラインに接続される溶媒供給ラインバルブとを有し、
前記タンク出口バルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記排出ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ及び前記溶媒供給ラインバルブで囲まれた特定領域に残留する液体が、前記排出ラインバルブ側に自然流下するように、前記排出ラインバルブから前記原料溶液供給ラインバルブに向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管に、前記タンク出口バルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、及び前記溶媒供給ラインバルブが接続されていることを特徴とする。
The invention according to claim 1 forms a thin film by vaporizing a raw material solution in which a solid raw material is dissolved in a solvent, and supplying a raw material gas vaporized by the vaporizer to the surface of the substrate to cause a chemical reaction. A CVD apparatus comprising: a reaction chamber; and a raw material solution supply unit that supplies the raw material solution to the vaporizer,
The raw material solution supply unit has a raw material tank having a raw material tank for storing the raw material solution; and
A raw material solution supply line for transporting the raw material solution sent from the raw material solution section to the vaporizer;
An inert gas supply line for supplying an inert gas to the raw material solution section;
A solvent supply line for supplying a solvent to the raw material solution section;
A discharge line for discharging the liquid or gas remaining in the raw material solution part,
A tank outlet valve connected to the raw material tank,
An inert gas supply line valve connected to the inert gas supply line;
A discharge line valve connected to the discharge line;
A raw material solution supply line valve connected to the raw material solution supply line;
A solvent supply line valve connected to the solvent supply line;
The liquid remaining in a specific region surrounded by the tank outlet valve, the inert gas supply line valve, the discharge line valve, the raw material solution supply line valve, and the solvent supply line valve naturally flows down to the discharge line valve side. The tank outlet valve, the inert gas supply line valve, and the solvent supply line valve are connected to a linear main pipe that extends vertically upward from the discharge line valve toward the raw material solution supply line valve. It is characterized by being.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のCVD装置において、前記主配管から分岐して延びる第1枝管に、当該第1枝管と前記主配管の接合部位が前記タンク出口バルブより下方に位置するように前記タンク出口バルブが接続され、
前記主配管から分岐して延びる第2枝管に、当該第2枝管と前記主配管の接合部位が前記不活性ガス供給ラインバルブより下方に位置するように前記不活性ガス供給ラインバルブが接続され、
前記主配管から分岐して延びる第3枝管に、当該第3枝管と前記主配管の接合部位が前記溶媒供給ラインバルブより下方に位置するように前記溶媒供給ラインバルブが接続されていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the CVD apparatus according to the first aspect, a joining portion of the first branch pipe and the main pipe is connected to the tank outlet valve at the first branch pipe extending from the main pipe. The tank outlet valve is connected so as to be located below,
The inert gas supply line valve is connected to a second branch pipe that branches off from the main pipe so that a joint portion between the second branch pipe and the main pipe is positioned below the inert gas supply line valve. And
The solvent supply line valve is connected to a third branch pipe that branches off from the main pipe so that a joint portion of the third branch pipe and the main pipe is positioned below the solvent supply line valve. It is characterized by.

請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のCVD装置において、前記タンク出口バルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、及び前記溶媒供給ラインバルブのそれぞれが、前記主配管に直接接続される三方バルブで構成されていることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the CVD apparatus according to the first aspect, each of the tank outlet valve, the inert gas supply line valve, and the solvent supply line valve is directly connected to the main pipe. It consists of a three-way valve.

請求項4に記載の発明は、請求項1から3の何れか一項に記載のCVD装置において、前記不活性ガス供給ラインバルブが、前記原料溶液供給ラインバルブの直下に接続されていることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the CVD apparatus according to any one of the first to third aspects, the inert gas supply line valve is connected directly below the raw material solution supply line valve. Features.

請求項5に記載の発明は、請求項1から4の何れか一項に記載のCVD装置において、前記原料溶液供給部が、前記排出ラインを流下してきた液体を貯留するドレインタンクと、このドレインタンクを介して前記排出ラインに接続される排気ポンプを有する排出部を備え、
前記排出ラインが、当該排出ラインを液体が自然流下するように、前記排出部に対して傾斜して接続されていることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the CVD apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the raw material solution supply unit stores a drain tank that stores the liquid flowing down the discharge line, and the drain A discharge part having an exhaust pump connected to the discharge line via a tank;
The discharge line is inclined and connected to the discharge portion so that liquid naturally flows down the discharge line.

請求項6に記載の発明は、請求項5に記載のCVD装置において、前記原料溶液供給部が、前記溶媒供給ラインを介して前記原料溶液部に前記溶媒を供給する溶媒供給部を備え、
前記溶媒供給部が、前記原料溶液部よりも上流側で前記排出ラインに接続されていることを特徴とする。
The invention according to claim 6 is the CVD apparatus according to claim 5, wherein the raw material solution supply part includes a solvent supply part that supplies the solvent to the raw material solution part via the solvent supply line,
The solvent supply unit is connected to the discharge line on the upstream side of the raw material solution unit.

請求項7に記載の発明は、請求項1から6に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、
前記特定領域に残留する液体を、前記排出ラインバルブを介して減圧することにより排出する第1工程と、前記特定領域に前記溶媒供給ラインバルブを介して溶媒を充填する第2工程とを所定回数繰り返すことにより、前記特定領域に残留する前記原料溶液を排出するとともに前記溶媒で置換し、
前記溶媒を除去した後、前記原料タンクを交換することを特徴とする。
Invention of Claim 7 is the replacement | exchange method of the said raw material tank in the CVD apparatus of Claim 1-6, Comprising:
A first step of discharging the liquid remaining in the specific region by reducing the pressure through the discharge line valve and a second step of filling the specific region with the solvent through the solvent supply line valve are performed a predetermined number of times. By repeating, discharging the raw material solution remaining in the specific region and replacing with the solvent,
The raw material tank is replaced after the solvent is removed.

請求項8に記載の発明は、請求項1から6に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、
前記特定領域に残留する液体を、前記不活性ガス供給ラインバルブを介して不活性ガスを供給しつつ、前記排出ラインバルブを介して減圧することにより排出する第1工程と、前記特定領域に前記溶媒供給ラインバルブを介して溶媒を充填する第2工程とを所定回数繰り返すことにより、前記特定領域に残留する前記原料溶液を排出するとともに前記溶媒で置換し、
前記溶媒を除去した後、前記原料タンクを交換することを特徴とする。
Invention of Claim 8 is the replacement | exchange method of the said raw material tank in the CVD apparatus of Claim 1-6, Comprising:
A first step of discharging the liquid remaining in the specific area by depressurizing through the discharge line valve while supplying an inert gas through the inert gas supply line valve; and By repeating the second step of filling the solvent through the solvent supply line valve a predetermined number of times, the raw material solution remaining in the specific region is discharged and replaced with the solvent,
The raw material tank is replaced after the solvent is removed.

本発明者等は、上述した問題が生じた原因を以下のように推測した。すなわち、図9に示す配管構造では、タンク出口バルブVX2と第1不活性ガス供給ラインバルブVX4が、鉛直方向に延びる直線状の配管で連結されている。この配管には、タンク出口バルブVX2より上方に向かって、原料タンク111の継ぎ手112、バイパスラインバルブVX3が接続された水平配管(バイパスライン)との接合部α、第1排出ラインバルブVX5、第1原料溶液供給ラインバルブVX6、及び溶媒供給ラインバルブVX7が接続された水平配管との接合部βがある。   The inventors presumed the cause of the above-described problem as follows. That is, in the piping structure shown in FIG. 9, the tank outlet valve VX2 and the first inert gas supply line valve VX4 are connected by a linear pipe extending in the vertical direction. In this pipe, upward from the tank outlet valve VX2, the joint 112 of the raw material tank 111, the horizontal pipe (bypass line) to which the bypass line valve VX3 is connected, the first discharge line valve VX5, 1 There is a joint β with a horizontal pipe to which a raw material solution supply line valve VX6 and a solvent supply line valve VX7 are connected.

特定領域Rに残留する原料溶液は、第1排出ラインバルブVX5を開状態とすることにより排出されるが、接合部βより下方の領域では重力との関係で液体が排出されにくいので、完全には排出されない。また、原料溶液を排出した後、溶媒供給ラインバルブVX7を介して特定領域Rに溶媒を充填するが、液体の相互拡散は大きくないので短時間で原料溶液は希釈されない。つまり、接合部βより下方の領域には、原料溶液が溶媒と完全に置換されずに残存している可能性が高い。
そのため、接合部βより下方の領域では、真空引き工程で溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出して、付着物が生じるのではないかと推測した。また、減圧に伴う溶媒の蒸発で冷却されるので、接合部βより下方の領域は、溶媒が蒸発しにくく液体が残留し、液漏れが生じるのではないかと推測した。このような推測の下、本発明者等は、重力との関係で原料溶液が排出されにくくなる部分を排除すべく配管構造を改良し、本発明に想到した。
The raw material solution remaining in the specific region R is discharged by opening the first discharge line valve VX5. However, in the region below the joint β, the liquid is difficult to be discharged due to gravity, so it is completely Is not discharged. Further, after discharging the raw material solution, the solvent is filled into the specific region R via the solvent supply line valve VX7. However, since the mutual diffusion of the liquid is not large, the raw material solution is not diluted in a short time. That is, there is a high possibility that the raw material solution remains in the region below the joint β without being completely replaced with the solvent.
For this reason, in the region below the joint β, it was speculated that when the solvent was evaporated in the evacuation step, the solid raw material was deposited and deposits were generated. In addition, since it is cooled by the evaporation of the solvent accompanying the decompression, it was assumed that in the region below the joint β, the solvent is difficult to evaporate, the liquid remains, and liquid leakage occurs. Under such assumptions, the present inventors have come up with the present invention by improving the piping structure to eliminate the portion where the raw material solution is less likely to be discharged due to gravity.

本発明によれば、原料溶液供給部における原料タンクの交換時に、原料溶液が排出ラインバルブ側に自然流下するので、原料溶液を溶媒で容易に置換できるとともに、配管内に液体が残留するのを防止できる。したがって、真空引きして溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出することはなく、タンク交換時に液漏れも生じないので、原料タンクの交換を効率よく安全に実行することが可能となる。   According to the present invention, when the raw material tank is replaced in the raw material solution supply section, the raw material solution naturally flows down to the discharge line valve side, so that the raw material solution can be easily replaced with the solvent and the liquid remains in the pipe. Can be prevented. Therefore, when the solvent is evaporated by evacuation, no solid raw material is deposited, and no liquid leakage occurs when the tank is replaced. Therefore, the raw material tank can be replaced efficiently and safely.

実施形態に係る溶液気化型CVD装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the solution vaporization type CVD apparatus which concerns on embodiment. 第1実施形態に係る原料溶液供給部の配管構造を示す図である。It is a figure which shows the piping structure of the raw material solution supply part which concerns on 1st Embodiment. 排出部周りの配管構造を示す図である。It is a figure which shows the piping structure around a discharge part. 原料タンクを交換する原料タンク交換工程の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the raw material tank replacement | exchange process which replaces | exchanges a raw material tank. 図4の各ステップにおけるバルブの開閉状態を示す図である。It is a figure which shows the open / close state of the valve | bulb in each step of FIG. 原料タンクを交換する原料タンク交換工程の他の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows another example of the raw material tank replacement | exchange process which replaces | exchanges a raw material tank. 図6の各ステップにおけるバルブの開閉状態を示す図である。It is a figure which shows the open / close state of the valve | bulb in each step of FIG. 第2実施形態に係る原料溶液供給部(Y原料溶液部)の配管構造を示す図である。It is a figure which shows the piping structure of the raw material solution supply part (Y raw material solution part) which concerns on 2nd Embodiment. 従来の溶液気化型CVD装置の原料溶液供給部の配管構造を示す図である。It is a figure which shows the piping structure of the raw material solution supply part of the conventional solution vaporization type CVD apparatus.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、原料溶液を気化して反応室に供給する気化器を備えた溶液気化型のCVD装置の概略構成を示す図である。ここでは、YBCO層を成膜する場合に用いられるCVD装置の一例について示している。なお、図1では、原料溶液供給部10の配管構造を簡略化して示している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a solution vaporization type CVD apparatus provided with a vaporizer that vaporizes a raw material solution and supplies it to a reaction chamber. Here, an example of a CVD apparatus used for forming a YBCO layer is shown. In addition, in FIG. 1, the piping structure of the raw material solution supply part 10 is simplified and shown.

図1に示すように、CVD装置1は、固体原料を溶媒溶解した原料溶液を気化させる気化器20、気化器20によって気化された原料ガスを基材表面に供給して化学反応させることにより薄膜を形成する反応室30、気化器20に原料溶液を供給する原料溶液供給部10を備えて構成されている。
原料溶液供給部10は、イットリウム(Y)原料溶液を供給するためのY原料溶液部11、バリウム(Ba)原料溶液を供給するためのBa原料溶液部12、銅(Cu)原料溶液を供給するためのCu原料溶液部13、溶媒を供給するための溶媒供給部14を備えている。
As shown in FIG. 1, a CVD apparatus 1 is a thin film formed by vaporizing a raw material solution obtained by dissolving a solid raw material in a solvent, and supplying a raw material gas vaporized by the vaporizer 20 to the surface of the substrate to cause a chemical reaction. And a raw material solution supply unit 10 for supplying the raw material solution to the vaporizer 20.
The raw material solution supply unit 10 supplies a Y raw material solution unit 11 for supplying an yttrium (Y) raw material solution, a Ba raw material solution unit 12 for supplying a barium (Ba) raw material solution, and a copper (Cu) raw material solution. A Cu raw material solution section 13 for supplying the solvent and a solvent supply section 14 for supplying the solvent.

Y原料溶液部11の原料タンク111には、溶媒であるテトラヒドロフラン(THF)にYのDPM錯体を溶解させたY(DPM)3/THFが収容されている。Ba原料溶液部12の原料タンク121には、THFにBaのDPM錯体を溶解させたBa(DPM)2/THFが収容されている。Cu原料溶液部13の原料タンク131には、THFにCuのDPM錯体を溶解させたCu(DPM)2/THFが収容されている。また、溶媒供給部14の溶媒タンク141にはTHFが収容されている。
なお、溶媒としては、THFの他、キシレン、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類等、沸点100℃以下、かつ炭化水素類の有機溶剤を用いることができる。具体的には、ジエチルエーテル、ジエチルケトン、エタノール、テトラグリム(テトラグライム)、2,5,8,11,14−ペンタオキサペンタデカン等を適用できる。
The raw material tank 111 of the Y raw material solution section 11 contains Y (DPM) 3 / THF in which a DPM complex of Y is dissolved in tetrahydrofuran (THF) as a solvent. The raw material tank 121 of the Ba raw material solution unit 12 stores Ba (DPM) 2 / THF in which a DPM complex of Ba is dissolved in THF. The raw material tank 131 of the Cu raw material solution section 13 contains Cu (DPM) 2 / THF in which a Cu DPM complex is dissolved in THF. The solvent tank 141 of the solvent supply unit 14 contains THF.
As the solvent, in addition to THF, organic solvents such as xylene, alcohols, ethers, ketones, amines and the like having a boiling point of 100 ° C. or lower and hydrocarbons can be used. Specifically, diethyl ether, diethyl ketone, ethanol, tetraglyme (tetraglyme), 2,5,8,11,14-pentaoxapentadecane and the like can be applied.

原料溶液供給部10において、原料タンク111、121、131に収容されている原料溶液又は溶媒タンク141に収容されているTHFは、He、Ar、N2などの不活性ガスによりタンク内の圧力を上昇させることでタンク外へ圧送される。そして、原料溶液供給ラインL1において、原料溶液Y(DPM)3/THF、Ba(DPM)2/THF、Cu(DPM)2/THFが混合される。
混合された原料溶液は、He、Ar、N2などの噴霧用ガスと合流して気化器20に導入され、噴霧ノズルから噴霧される。そして、噴霧された原料溶液は気化器20の内面に衝突して瞬時に気化され、この気化ガスが図示しないO2ガスとともに原料ガスとして反応室30に供給される。反応室30に導入された原料ガスが基材表面に供給され化学反応することでYBCO薄膜が形成される。
In the raw material solution supply unit 10, the raw material solution contained in the raw material tanks 111, 121, and 131 or the THF contained in the solvent tank 141 is pressurized by an inert gas such as He, Ar, and N 2. It is pumped out of the tank by raising it. In the raw material solution supply line L1, the raw material solutions Y (DPM) 3 / THF, Ba (DPM) 2 / THF, and Cu (DPM) 2 / THF are mixed.
The mixed raw material solution is combined with a spray gas such as He, Ar, N 2 and the like, introduced into the vaporizer 20, and sprayed from the spray nozzle. The sprayed raw material solution collides with the inner surface of the vaporizer 20 and is instantly vaporized, and this vaporized gas is supplied to the reaction chamber 30 as a raw material gas together with O 2 gas (not shown). The raw material gas introduced into the reaction chamber 30 is supplied to the substrate surface and chemically reacts to form a YBCO thin film.

実施形態のCVD装置1では、原料溶液供給部10の原料溶液部11〜13が特徴的な配管構造を有している。具体的には、以下の第1実施形態又は第2実施形態で示す配管構造を有している。   In the CVD apparatus 1 of the embodiment, the raw material solution parts 11 to 13 of the raw material solution supply part 10 have a characteristic piping structure. Specifically, it has the piping structure shown in the following first embodiment or second embodiment.

[第1実施形態]
図2は、第1実施形態に係る原料溶液供給部の配管構造を示す図である。図2には、YBCO薄膜を形成する際の原料溶液供給部10について、上下を鉛直方向、左右を水平方向として、実際の配管構造(バルブと配管の位置関係)をほぼ忠実に表している。
[First Embodiment]
FIG. 2 is a diagram illustrating a piping structure of the raw material solution supply unit according to the first embodiment. In FIG. 2, the actual piping structure (positional relationship between the valve and the piping) of the raw material solution supply unit 10 when forming the YBCO thin film is represented almost faithfully with the vertical direction being the vertical direction and the horizontal direction being the horizontal direction.

図2に示すように、原料溶液供給部10は、原料溶液部11〜13、溶媒供給部14、不活性ガス供給部15、排出部16、及び原料溶液部11〜13又は溶媒供給部14に所定の配管を介して接続される原料溶液供給ラインL1、不活性ガス供給ラインL2、溶媒供給ラインL3、排出ラインL4を備えて構成される。
原料溶液供給ラインL1は、原料溶液部11〜13から送出された原料溶液を気化器20に輸送するための配管である。不活性ガス供給ラインL2は、不活性ガス供給部15から送出された不活性ガスを原料溶液部11〜13又は溶媒供給部14に供給するための配管である。溶媒供給ラインL3は、溶媒供給部14から送出された溶媒を原料溶液部11〜13に供給するための配管である。排出ラインL4は、原料溶液部11〜13に残留する液体又は気体を排出部16に排出するための配管である。
As shown in FIG. 2, the raw material solution supply unit 10 includes a raw material solution unit 11 to 13, a solvent supply unit 14, an inert gas supply unit 15, a discharge unit 16, and a raw material solution unit 11 to 13 or a solvent supply unit 14. It comprises a raw material solution supply line L1, an inert gas supply line L2, a solvent supply line L3, and a discharge line L4 that are connected via a predetermined pipe.
The raw material solution supply line L <b> 1 is a pipe for transporting the raw material solution sent from the raw material solution parts 11 to 13 to the vaporizer 20. The inert gas supply line L <b> 2 is a pipe for supplying the inert gas sent from the inert gas supply unit 15 to the raw material solution units 11 to 13 or the solvent supply unit 14. The solvent supply line L <b> 3 is a pipe for supplying the solvent sent from the solvent supply unit 14 to the raw material solution units 11 to 13. The discharge line L4 is a pipe for discharging the liquid or gas remaining in the raw material solution parts 11 to 13 to the discharge part 16.

原料溶液供給ラインL1の原料溶液輸送方向下流側には、気化器20に接続される第1切替バルブVA1、排出ラインL4に接続される第2切替バルブVA2が接続されている。運転時(原料供給時)には第1切替バルブVA1だけが開状態とされ、運転停止時(原料溶液供給ラインL1の洗浄時など)には第2切替バルブVA2だけが開状態とされる。
原料溶液供給ラインL1から分岐された枝管L11には、第2原料溶液供給ラインバルブVX10、マスフローコントローラMFCが配設されており、後述する第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して供給される原料溶液の流量を制御可能となっている。
A first switching valve VA1 connected to the vaporizer 20 and a second switching valve VA2 connected to the discharge line L4 are connected downstream of the raw material solution supply line L1 in the raw material solution transport direction. Only the first switching valve VA1 is opened during operation (when the raw material is supplied), and only the second switching valve VA2 is opened when the operation is stopped (such as when the raw material solution supply line L1 is washed).
A branch pipe L11 branched from the raw material solution supply line L1 is provided with a second raw material solution supply line valve VX10 and a mass flow controller MFC, and is supplied via a first raw material solution supply line valve VX6 described later. The flow rate of the raw material solution can be controlled.

Y原料溶液部11において、原料タンク111には、タンク加圧バルブVX1とタンク出口バルブVX2が接続されている。そして、タンク加圧バルブVX1は、第2排出ラインバルブVX9を介して排出ラインL4に接続され、第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を介して不活性ガス供給ラインL2に接続されている。一方、タンク出口バルブVX2は、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4を介して不活性ガス供給ラインL2に接続され、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して原料溶液供給ラインL1に接続され、第1排出ラインバルブVX5を介して排出ラインL4に接続され、溶媒供給ラインバルブVX7を介して溶媒供給ラインL3に接続されている。
また、タンク加圧バルブVX1から第2不活性ガス供給ラインバルブVX8又は第2排出ラインバルブVX9に向かう配管と、タンク出口バルブVX2から第1原料溶液供給ラインバルブVX6等に向かう配管は、バイパスラインバルブVX3が配置されたバイパスラインで接続されている。バイパスラインバルブVX3を開状態とすることで、原料タンク111の入口側と出口側の圧力が同じになる。
In the Y raw material solution section 11, a tank pressurizing valve VX1 and a tank outlet valve VX2 are connected to the raw material tank 111. The tank pressurization valve VX1 is connected to the discharge line L4 via the second discharge line valve VX9, and is connected to the inert gas supply line L2 via the second inert gas supply line valve VX8. On the other hand, the tank outlet valve VX2 is connected to the inert gas supply line L2 via the first inert gas supply line valve VX4, connected to the raw material solution supply line L1 via the first raw material solution supply line valve VX6, The first discharge line valve VX5 is connected to the discharge line L4, and the solvent supply line valve VX7 is connected to the solvent supply line L3.
Also, the piping from the tank pressurization valve VX1 to the second inert gas supply line valve VX8 or the second discharge line valve VX9 and the piping from the tank outlet valve VX2 to the first raw material solution supply line valve VX6 etc. The valve VX3 is connected by a bypass line. By opening the bypass line valve VX3, the pressure on the inlet side and the outlet side of the raw material tank 111 becomes the same.

第1実施形態では、第1原料溶液供給ラインバルブVX6と第1排出ラインバルブVX5が、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を上方、第1排出ラインバルブVX5を下方に位置させた状態で、鉛直方向に延びる直線状の主配管MPにより連結されている。つまり、主配管MP内の液体は第1原料溶液供給ラインバルブVX6側から第1排出ラインバルブVX5側に自然流下するようになっている。   In the first embodiment, the first raw material solution supply line valve VX6 and the first discharge line valve VX5 are positioned vertically with the first raw material solution supply line valve VX6 positioned upward and the first discharge line valve VX5 positioned downward. It is connected by a straight main pipe MP extending in the direction. That is, the liquid in the main pipe MP naturally flows down from the first raw material solution supply line valve VX6 side to the first discharge line valve VX5 side.

主配管MPには、略水平方向に分岐して延びる直線状の枝管BP1〜BP4が接続されており、それぞれの枝管BP1〜BP4の他端には、溶媒供給ラインバルブVX7、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4が接続されている。
枝管BP1は、主配管MPとの接合位置が溶媒供給ラインバルブVX7より下方に位置するように、つまり溶媒供給ラインバルブVX7側が上方となるように僅かに傾斜して配設される。同様に、枝管BP2は、主配管MPとの接合位置がタンク出口バルブVX2より下方に位置するように、つまりタンク出口バルブVX2側が上方となるように僅かに傾斜して配設される。枝管BP3は、主配管MPとの接合位置がバイパスラインバルブVX3より下方に位置するように、つまりバイパスラインバルブVX3側が上方となるように僅かに傾斜して配設される。枝管BP4は、主配管MPとの接合位置が第1不活性ガス供給ラインバルブVX4より下方に位置するように、つまり第1不活性ガス供給ラインバルブVX4側が上方となるように僅かに傾斜して配設される。つまり、枝管BP1〜BP4内の液体が第1排出ラインバルブVX5側に自然流下するようになっている。
The main pipe MP is connected to straight branch pipes BP1 to BP4 extending in a substantially horizontal direction, and a solvent supply line valve VX7 and a tank outlet valve are connected to the other ends of the branch pipes BP1 to BP4. VX2, bypass line valve VX3, and first inert gas supply line valve VX4 are connected.
The branch pipe BP1 is disposed with a slight inclination so that the joining position with the main pipe MP is located below the solvent supply line valve VX7, that is, the solvent supply line valve VX7 side is located above. Similarly, the branch pipe BP2 is disposed slightly inclined so that the joining position with the main pipe MP is located below the tank outlet valve VX2, that is, the tank outlet valve VX2 side is upward. The branch pipe BP3 is disposed with a slight inclination so that the joining position with the main pipe MP is located below the bypass line valve VX3, that is, the bypass line valve VX3 side is located above. The branch pipe BP4 is slightly inclined so that the joining position with the main pipe MP is located below the first inert gas supply line valve VX4, that is, the first inert gas supply line valve VX4 side is upward. Arranged. That is, the liquid in the branch pipes BP1 to BP4 naturally flows down to the first discharge line valve VX5 side.

また、第1原料溶液供給ラインバルブVX6の直下に、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4が接続されている。これにより、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4を介して不活性ガスを第1原料溶液供給ラインバルブVX6の直下へと供給することで、特定領域Rに残留する原料溶液又は溶媒を下方の第1排出ラインバルブVX5に向けて効率よく押し出すことができる。つまり、特定領域Rに残留する原料溶液又は溶媒を、不活性ガスを供給しながら排出する場合(図6参照)に好適である。
また、第1排出ラインバルブVX5の直上に、溶媒供給ラインバルブVX7が接続されている。これにより、特定領域Rに溶媒が下方から上方に向けて充填されていくので、溶媒が途切れることなく供給されることとなり、配管内の付着物(例えば原料溶液)を効率よく洗浄することができる。
Further, a first inert gas supply line valve VX4 is connected immediately below the first raw material solution supply line valve VX6. Accordingly, the raw material solution or solvent remaining in the specific region R is supplied to the lower region by supplying the inert gas directly below the first raw material solution supply line valve VX6 via the first inert gas supply line valve VX4. It can be efficiently pushed toward the one discharge line valve VX5. That is, it is suitable when the raw material solution or solvent remaining in the specific region R is discharged while supplying an inert gas (see FIG. 6).
A solvent supply line valve VX7 is connected immediately above the first discharge line valve VX5. Thereby, since the solvent is filled in the specific region R from the lower side to the upper side, the solvent is supplied without interruption, and the deposits (for example, the raw material solution) in the pipe can be efficiently washed. .

このように、第1実施形態では、バルブVX2〜VX7で囲まれた特定領域Rに残留する液体は、第1排出ラインバルブVX5側に自然流下するので、枝管BP1〜BP4に原料溶液等が残留するなどして不具合が生じることはない。   Thus, in the first embodiment, since the liquid remaining in the specific region R surrounded by the valves VX2 to VX7 naturally flows down to the first discharge line valve VX5 side, the raw material solution or the like is supplied to the branch pipes BP1 to BP4. There will be no problems caused by remaining.

なお、Ba原料溶液部12、Cu原料溶液部13の配管構造は、Y原料溶液部11と同様なので図示及び説明を省略する。
また、溶媒供給部14の配管構造は特に限定されないが、設計・構築を簡単化するため、通常は原料溶液部11〜13と同様の配管構造とされる。溶媒供給部14に配置される各バルブについては、Y原料溶液部11の各バルブと同一名称とし、符合VSn(n=1〜10)とする。溶媒供給部14では、タンク出口バルブVS2、溶媒供給ラインバルブVS7を介して溶媒が原料溶媒部11〜13に送出される。この点が、溶媒供給ラインバルブVX7を介して溶媒が供給される原料溶液部11〜13と相違する。
In addition, since the piping structure of Ba raw material solution part 12 and Cu raw material solution part 13 is the same as that of Y raw material solution part 11, illustration and description are abbreviate | omitted.
In addition, the piping structure of the solvent supply unit 14 is not particularly limited, but in order to simplify the design and construction, the piping structure is generally the same as that of the raw material solution units 11 to 13. About each valve | bulb arrange | positioned at the solvent supply part 14, it has the same name as each valve | bulb of the Y raw material solution part 11, and it is set as the code | symbol VSn (n = 1-10). In the solvent supply unit 14, the solvent is sent to the raw material solvent units 11 to 13 through the tank outlet valve VS2 and the solvent supply line valve VS7. This point is different from the raw material solution parts 11 to 13 to which the solvent is supplied via the solvent supply line valve VX7.

排出部16は、図3に示すように、排出ラインL4を流下してきた液体を貯留するドレインタンク161と、ドレインタンク161を介して排出ラインL4に接続される排気ポンプ162を有している。ドレインタンク161は、ドレインバルブVD1、VD4を介して排出ラインL4に接続され、ドレインバルブVD2、VD5を介して排気ポンプ162に接続されている。また、ドレインバルブVD4とドレインバルブVD5は、ドレインバルブVD3を介して接続されている。
ドレインバルブVD1、VD2は直接ドレインタンク161に接続されており、ドレインバルブVD1、VD2直上に排出ラインL4から排気ポンプ162に繋がるラインに接続される継ぎ手が位置している。したがって、ドレインタンク161を取り外す場合には、ドレインタンク161に接続されているドレインバルブVD1、VD2を閉じ、該バルブ直上の継ぎ手の接続を開放する。このとき、継ぎ手部分から原料ガスの残留蒸気が流出しないように、ドレインバルブVD1、VD2、VD4が閉状態、ドレインバルブVD3、VD5が開状態とされ、真空引きが行われる。また、排出ラインL4を介してY原料溶液部11等を排気する場合には、ドレインバルブVD1、VD2、VD4、VD5が開状態とされる。
As shown in FIG. 3, the discharge unit 16 includes a drain tank 161 that stores the liquid flowing down the discharge line L4 and an exhaust pump 162 that is connected to the discharge line L4 via the drain tank 161. The drain tank 161 is connected to the discharge line L4 via the drain valves VD1 and VD4, and is connected to the exhaust pump 162 via the drain valves VD2 and VD5. The drain valve VD4 and the drain valve VD5 are connected via the drain valve VD3.
The drain valves VD1 and VD2 are directly connected to the drain tank 161, and a joint connected to a line connected from the discharge line L4 to the exhaust pump 162 is located immediately above the drain valves VD1 and VD2. Therefore, when the drain tank 161 is removed, the drain valves VD1 and VD2 connected to the drain tank 161 are closed, and the joint immediately above the valve is opened. At this time, the drain valves VD1, VD2, and VD4 are closed and the drain valves VD3 and VD5 are opened so that the residual vapor of the source gas does not flow out from the joint portion, and evacuation is performed. When exhausting the Y raw material solution portion 11 and the like through the discharge line L4, the drain valves VD1, VD2, VD4, and VD5 are opened.

ここで、排出ラインL4は、排出部16に対して角度θ(例えば5〜15°)で上方に傾斜して接続されている。これにより、原料溶液部11〜13から排出された液体は、排出ラインL4を自然流下してドレインタンク161に貯留されるので、排出ラインL4は常時清浄な状態で保持される。例えば、排出ラインL4に原料溶液等が長期間滞留することにより、固体原料が析出して排出ラインL4が汚損されるのを防止できる。   Here, the discharge line L4 is connected to the discharge portion 16 so as to be inclined upward at an angle θ (for example, 5 to 15 °). Thereby, since the liquid discharged | emitted from the raw material solution parts 11-13 flows down the discharge line L4 naturally and is stored in the drain tank 161, the discharge line L4 is always hold | maintained in a clean state. For example, when the raw material solution or the like stays in the discharge line L4 for a long time, it is possible to prevent the solid line from being deposited and the discharge line L4 from being soiled.

また、排出ラインL4には、原料溶液部11〜13よりも上流側で溶媒供給部14が接続されている。これにより、原料溶液部11〜13の原料タンクを交換した後に、排出ラインL4を容易に洗浄することができる。具体的には、溶媒供給部14のタンク加圧バルブVS1、第2不活性ガス供給ラインバルブVS8、タンク出口バルブVS2、及び第1排出ラインバルブVS5を開状態とすることにより、溶媒供給部14から排出ラインL4に溶媒が送出され、排出ラインL4が洗浄される。   Moreover, the solvent supply part 14 is connected to the discharge line L4 upstream from the raw material solution parts 11-13. Thereby, after replacing | exchanging the raw material tank of the raw material solution parts 11-13, the discharge line L4 can be wash | cleaned easily. Specifically, the solvent supply unit 14 is opened by opening the tank pressurization valve VS1, the second inert gas supply line valve VS8, the tank outlet valve VS2, and the first discharge line valve VS5 of the solvent supply unit 14. Is sent to the discharge line L4 to wash the discharge line L4.

以下に、CVD装置1を用いて基材表面にYBCO薄膜を形成する工程と、原料溶液部11〜13の原料タンクを交換する工程について説明する。説明を簡略化するため、Y原料溶液部11について説明するが、Ba原料溶液部12、Cu原料溶液部13でも同様に行われる。   Below, the process of forming a YBCO thin film on the base-material surface using the CVD apparatus 1 and the process of replacing | exchanging the raw material tank of the raw material solution parts 11-13 are demonstrated. In order to simplify the description, the Y raw material solution part 11 will be described, but the same process is performed in the Ba raw material solution part 12 and the Cu raw material solution part 13.

CVD装置1を用いてYBCO薄膜を形成する際には、Y原料溶液部11において、タンク加圧バルブVX1、第2不活性ガス供給ラインバルブVX8、タンク出口バルブVX2、第1原料溶液供給ラインバルブVX6、及び第2原料溶液供給ラインバルブVX10を開状態とし、他のバルブを閉状態とする。
不活性ガス供給ラインL2から第2不活性ガス供給ラインバルブVX8、タンク加圧バルブVX1を介して不活性ガスが供給されて原料タンク111内が加圧される。加圧された原料溶液(Y(DPM)3/THF)は、原料タンク111内のディップチューブを介してタンク外に圧送される。圧送された原料溶液は、タンク出口バルブVX2、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して輸送され、マスフローコントローラMFCで流量を制御されながら、第2原料溶液供給ラインバルブVX10を介して原料溶液供給ラインL1に輸送される。
そして、原料溶液供給ラインL1で他の原料溶液及び溶媒と合流した後、第1切替バルブVA1を介して気化器20に供給される。
When the YBCO thin film is formed using the CVD apparatus 1, in the Y raw material solution section 11, the tank pressurization valve VX1, the second inert gas supply line valve VX8, the tank outlet valve VX2, and the first raw material solution supply line valve VX6 and the second raw material solution supply line valve VX10 are opened, and the other valves are closed.
An inert gas is supplied from the inert gas supply line L2 via the second inert gas supply line valve VX8 and the tank pressurization valve VX1, and the inside of the raw material tank 111 is pressurized. The pressurized raw material solution (Y (DPM) 3 / THF) is pumped out of the tank through a dip tube in the raw material tank 111. The pumped raw material solution is transported through the tank outlet valve VX2 and the first raw material solution supply line valve VX6, and the raw material solution is supplied through the second raw material solution supply line valve VX10 while the flow rate is controlled by the mass flow controller MFC. Transported to line L1.
Then, after merging with other raw material solution and solvent in the raw material solution supply line L1, the raw material solution is supplied to the vaporizer 20 via the first switching valve VA1.

原料タンクの交換は、図4のフローチャートに従って行われる。図5には、図4の各ステップにおけるバルブの開閉状態(○:バルブ開状態、×:バルブ閉状態)を示している。
図4、5に示すように、まず、ステップS101では、Y原料溶液部11のすべてのバルブを閉状態として、Y原料溶液部11と原料溶液供給ラインL1、不活性ガス供給ラインL2、溶媒供給ラインL3、及び排出ラインL4との接続を遮断する。溶媒供給部14のタンク加圧バルブVS1とタンク出口バルブVS2は、Y原料溶液部11の原料タンク111の交換工程においては、常時開状態としておく。
The replacement of the raw material tank is performed according to the flowchart of FIG. FIG. 5 shows the open / close state of the valve in each step of FIG. 4 (◯: valve open state, x: valve close state).
As shown in FIGS. 4 and 5, first, in step S101, all the valves of the Y raw material solution part 11 are closed, and the Y raw material solution part 11, the raw material solution supply line L1, the inert gas supply line L2, the solvent supply The connection with the line L3 and the discharge line L4 is cut off. The tank pressurization valve VS1 and the tank outlet valve VS2 of the solvent supply unit 14 are always kept open in the replacement process of the raw material tank 111 of the Y raw material solution unit 11.

ステップS102では、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を開状態とし、バルブVX2〜VX7で囲まれる特定領域Rを減圧することにより、特定領域Rに残留する原料溶液又は溶媒を排出する。また、溶媒供給部14の溶媒供給ラインバルブVS7及び第2不活性ガス供給ラインバルブVS8を開状態とし、Y原料溶液部11に即座に溶媒を供給できるように、溶媒供給ラインL3に溶媒を充填しておく。そして、所定時間経過後、原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を閉状態とし、原料溶液又は溶媒の排出を停止する(ステップS103)。   In Step S102, the first discharge line valve VX5 of the Y raw material solution section 11 is opened, and the specific region R surrounded by the valves VX2 to VX7 is decompressed, whereby the raw material solution or solvent remaining in the specific region R is discharged. . Also, the solvent supply line L3 is filled with a solvent so that the solvent supply line valve VS7 and the second inert gas supply line valve VS8 of the solvent supply part 14 are opened and the solvent can be immediately supplied to the Y raw material solution part 11. Keep it. And after predetermined time progress, the 1st discharge line valve VX5 of the raw material solution part 11 is made into a closed state, and discharge | emission of a raw material solution or a solvent is stopped (step S103).

ステップS104では、Y原料溶液部11の溶媒供給ラインバルブVX7を開状態とし、特定領域Rを溶媒で充填する。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の溶媒供給ラインバルブVX7を閉状態とし、溶媒の充填を停止する(ステップS105)。
溶媒供給ラインバルブVX7は、排出ラインバルブVX5の直上に接続されているので、特定領域Rを上方に向けて溶媒が充填されていく。このとき、特定領域Rは減圧状態となっているので、溶媒が特定領域Rの配管内で途切れることはない。したがって、特定領域Rに残留(付着)する原料溶液は容易に希釈され、最終的に溶媒と置換される。
ステップS102〜S105を所定回数(例えば3〜5回)繰り返すことにより、特定領域R内はほぼ完全に溶媒に置換される。
In step S104, the solvent supply line valve VX7 of the Y raw material solution section 11 is opened, and the specific region R is filled with the solvent. And after predetermined time progress, the solvent supply line valve VX7 of the Y raw material solution part 11 is made into a closed state, and filling with a solvent is stopped (step S105).
Since the solvent supply line valve VX7 is connected immediately above the discharge line valve VX5, the solvent is filled with the specific region R facing upward. At this time, since the specific region R is in a reduced pressure state, the solvent is not interrupted in the piping of the specific region R. Therefore, the raw material solution remaining (attached) in the specific region R is easily diluted and finally replaced with the solvent.
By repeating steps S102 to S105 a predetermined number of times (for example, 3 to 5 times), the specific region R is almost completely replaced with the solvent.

次いで、ステップS106では、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を開状態とし、特定領域Rに充填されている溶媒を排出する。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を閉状態とし、溶媒の排出を停止する(ステップS107)。
ステップS106以降の工程では、Y原料溶液部11に溶媒を供給する必要はないので、溶媒供給部14の溶媒供給ラインバルブVS7及び第2不活性ガス供給ラインバルブVS8を閉状態とするが、開状態のままでも構わない。
Next, in step S106, the first discharge line valve VX5 of the Y raw material solution section 11 is opened, and the solvent filled in the specific region R is discharged. Then, after the predetermined time has elapsed, the first discharge line valve VX5 of the Y raw material solution section 11 is closed, and the solvent discharge is stopped (step S107).
In the processes after step S106, since it is not necessary to supply the solvent to the Y raw material solution section 11, the solvent supply line valve VS7 and the second inert gas supply line valve VS8 of the solvent supply section 14 are closed. It does not matter as it is.

ステップS108では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3、第2排出ラインバルブVX9を開状態とし、特定領域Rを減圧(真空引き)することにより、特定領域Rの残留ガスを排気する。特定領域Rに溶媒が残留している場合、真空引きにより溶媒は蒸発して排気される。そして、特定領域Rの圧力が例えば1kPa以下になったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2排出ラインバルブVX9を閉状態とし、真空引きを停止する(ステップS109)。ステップS102〜S105により特定領域Rは完全に溶媒で置換されているので、真空引きにより溶媒が蒸発したときに、固体原料が析出することはない。   In step S108, the residual gas in the specific region R is exhausted by opening the bypass line valve VX3 and the second discharge line valve VX9 of the Y raw material solution section 11 and depressurizing (evacuating) the specific region R. When the solvent remains in the specific region R, the solvent is evaporated and exhausted by evacuation. And after confirming that the pressure of the specific area | region R became 1 kPa or less, for example, the 2nd discharge line valve VX9 of the Y raw material solution part 11 is made into a closed state, and vacuuming is stopped (step S109). Since the specific region R is completely replaced with the solvent by steps S102 to S105, the solid raw material does not precipitate when the solvent evaporates by evacuation.

ステップS110では、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を開状態とし、特定領域Rを不活性ガスで充填する。そして、特定領域Rの圧力が例えば200kPaになったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を閉状態とし、不活性ガスの充填を停止する(ステップS111)。
例えば、ステップS108で特定領域R内を200kPaから1kPaに減圧し、ステップS110で不活性ガスを充填して特定領域R内を100kPaに戻すと、特定領域R内の残留ガスは1/200に希釈される。
ステップS108〜S111を所定回数(例えば6回)繰り返すことにより、特定領域Rは完全に不活性ガスで置換される。
In step S110, the second inert gas supply line valve VX8 of the Y raw material solution section 11 is opened, and the specific region R is filled with the inert gas. Then, after confirming that the pressure in the specific region R is, for example, 200 kPa, the second inert gas supply line valve VX8 of the Y raw material solution section 11 is closed to stop filling of the inert gas (step S111). ).
For example, when the pressure in the specific region R is reduced from 200 kPa to 1 kPa in step S108, and the inert gas is filled in step S110 to return the specific region R to 100 kPa, the residual gas in the specific region R is diluted to 1/200. Is done.
By repeating steps S108 to S111 a predetermined number of times (for example, 6 times), the specific region R is completely replaced with an inert gas.

次いで、ステップS112では、バイパスラインバルブVX3を閉状態とし、原料タンクの交換準備を完了する。ステップS113では、継ぎ手112から原料タンク111を切り離して、新たな原料タンク111に交換する。このとき、特定領域R(特に継ぎ手112の部分)には原料溶液又は溶媒が残留していないので、原料タンク111の交換時に液漏れが生じることはない。   Next, in step S112, the bypass line valve VX3 is closed, and the preparation for replacing the raw material tank is completed. In step S <b> 113, the raw material tank 111 is disconnected from the joint 112 and replaced with a new raw material tank 111. At this time, since the raw material solution or the solvent does not remain in the specific region R (particularly, the joint 112), liquid leakage does not occur when the raw material tank 111 is replaced.

ステップS114では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3、第2排出ラインバルブVX9を開状態とし、特定領域Rを減圧(真空引き)することにより、特定領域Rの残留ガス(空気)を排気する。そして、特定領域Rの圧力が例えば1kPa以下になったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2排出ラインバルブVX9を閉状態とし、真空引きを停止する(ステップS115)。
ステップS116では、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を開状態とし、特定領域Rを不活性ガスで充填する。そして、特定領域Rの圧力が例えば200kPaになったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を閉状態とし、不活性ガスの充填を停止する(ステップS117)。
ステップS114〜S117を所定回数(例えば5回)繰り返すことにより、特定領域Rは完全に不活性ガスで置換される。
In step S114, the residual gas (air) in the specific region R is exhausted by opening the bypass line valve VX3 and the second discharge line valve VX9 of the Y raw material solution section 11 and depressurizing (evacuating) the specific region R. To do. And after confirming that the pressure of the specific area | region R became 1 kPa or less, for example, the 2nd discharge line valve VX9 of the Y raw material solution part 11 is made into a closed state, and vacuuming is stopped (step S115).
In step S116, the second inert gas supply line valve VX8 of the Y raw material solution section 11 is opened, and the specific region R is filled with the inert gas. Then, after confirming that the pressure in the specific region R becomes, for example, 200 kPa, the second inert gas supply line valve VX8 of the Y raw material solution section 11 is closed to stop filling of the inert gas (step S117). ).
By repeating steps S114 to S117 a predetermined number of times (for example, five times), the specific region R is completely replaced with an inert gas.

次いで、ステップS118では、この状態で一定時間保持し、原料タンク111が気密に接続されているか確認する(加圧テスト)。特定領域Rの圧力が低下した場合は、原料タンク111が気密に接続されていないことになるので、接続しなおして再度ステップS114〜S118の処理を行う。   Next, in step S118, this state is maintained for a predetermined time, and it is confirmed whether the raw material tank 111 is connected in an airtight manner (pressure test). When the pressure in the specific region R decreases, the raw material tank 111 is not airtightly connected, so that it is reconnected and the processes of steps S114 to S118 are performed again.

ステップS119では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3、第2排出ラインバルブVX9を開状態とし、特定領域Rを減圧(真空引き)することにより、特定領域Rの残留ガス(不活性ガス)を排気する。そして、特定領域Rの圧力が例えば1kPa以下になったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2排出ラインバルブVX9を閉状態とし、真空引きを停止する(ステップS120)。ステップS121では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3を閉状態とし、原料充填の準備を完了する。   In step S119, the bypass line valve VX3 and the second discharge line valve VX9 of the Y raw material solution section 11 are opened, and the specific region R is depressurized (evacuated), whereby a residual gas (inert gas) in the specific region R is obtained. Exhaust. And after confirming that the pressure of the specific area | region R became 1 kPa or less, for example, the 2nd discharge line valve VX9 of the Y raw material solution part 11 is made into a closed state, and vacuuming is stopped (step S120). In step S121, the bypass line valve VX3 of the Y raw material solution section 11 is closed, and preparation for raw material filling is completed.

ステップS122では、Y原料溶液部11のタンク加圧バルブVX1、タンク出口バルブVX2、及び第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を開状態とし、不活性ガスによって原料タンク111から原料溶液を圧送し、特定領域Rに原料溶液を充填する。ステップS123では、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を閉状態とし、原料充填を完了する。   In step S122, the tank pressurization valve VX1, the tank outlet valve VX2, and the second inert gas supply line valve VX8 of the Y raw material solution section 11 are opened, and the raw material solution is pumped from the raw material tank 111 by the inert gas. The raw material solution is filled in the specific region R. In step S123, the second inert gas supply line valve VX8 of the Y raw material solution section 11 is closed, and the raw material filling is completed.

このように、図4のフローチャートに従う原料タンク111の交換工程では、特定領域Rに残留する液体を、第1排出ラインバルブVX5を介して減圧することにより排出する第1工程(ステップS102、S103)と、特定領域Rに溶媒供給ラインバルブVX7を介して溶媒を充填する第2工程(ステップS104、S105)とを所定回数繰り返すことにより、特定領域Rに残留する原料溶液を溶媒で置換する。そして、溶媒を除去(ステップS106〜S111)した後、原料タンク111を交換する(ステップS112、S113)。
特定領域Rに残留している原料溶液を溶媒で置換した後、置換された溶媒を蒸発させて除去するので、特定領域Rに残留する原料溶液を効率よく排出することができる。また、真空引きして溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出することはないので、原料タンク111の交換を効率よく安全に実行することができる。
As described above, in the replacement process of the raw material tank 111 according to the flowchart of FIG. 4, the first process of discharging the liquid remaining in the specific region R by reducing the pressure through the first discharge line valve VX5 (steps S102 and S103). Then, by repeating the second step (steps S104 and S105) of filling the specific region R with the solvent via the solvent supply line valve VX7 a predetermined number of times, the raw material solution remaining in the specific region R is replaced with the solvent. Then, after removing the solvent (steps S106 to S111), the raw material tank 111 is replaced (steps S112 and S113).
After replacing the raw material solution remaining in the specific region R with a solvent, the replaced solvent is removed by evaporation, so that the raw material solution remaining in the specific region R can be efficiently discharged. Further, since the solid material does not precipitate when the solvent is evaporated by evacuation, the material tank 111 can be exchanged efficiently and safely.

原料タンクの交換は、図6のフローチャートに従って行うようにしてもよい。図7には、図6の各ステップにおけるバルブの開閉状態(○:バルブ開状態、×:バルブ閉状態)を示している。
図6、7に示すように、まず、ステップS201では、Y原料溶液部11のすべてのバルブを閉状態として、Y原料溶液部11と原料溶液供給ラインL1、不活性ガス供給ラインL2、溶媒供給ラインL3、及び排出ラインL4との接続を遮断する。溶媒供給部14のタンク加圧バルブVS1とタンク出口バルブVS2は、Y原料溶液部11の原料タンク111の交換工程においては、常時開状態としておく。
The replacement of the raw material tank may be performed according to the flowchart of FIG. FIG. 7 shows the open / closed state of the valve in each step of FIG. 6 (◯: valve open state, x: valve closed state).
As shown in FIGS. 6 and 7, first, in step S201, all the valves of the Y raw material solution part 11 are closed, and the Y raw material solution part 11, the raw material solution supply line L1, the inert gas supply line L2, the solvent supply The connection with the line L3 and the discharge line L4 is cut off. The tank pressurization valve VS1 and the tank outlet valve VS2 of the solvent supply unit 14 are always kept open in the replacement process of the raw material tank 111 of the Y raw material solution unit 11.

ステップS202では、Y原料溶液部11の第1不活性ガス供給ラインバルブVX4及び第1排出ラインバルブVX5を開状態とし、バルブVX2〜VX7で囲まれる特定領域Rに不活性ガスを供給しながら、特定領域Rに残留する原料溶液又は溶媒を排出する。また、溶媒供給部14の溶媒供給ラインバルブVS7及び第2不活性ガス供給ラインバルブVS8を開状態とし、Y原料溶液部11に即座に溶媒を供給できるように、溶媒供給ラインL3に溶媒を充填しておく。
特定領域Rに残留する原料溶液又は溶媒は、不活性ガスにより下方の第1排出ラインバルブVX5側に押し出されつつ、自然流下によって排出ラインL4から排出されるので、効率よく原料溶液又は溶媒を排出することができる。
そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の第1不活性ガス供給ラインバルブVX4及び第1排出ラインバルブVX5を閉状態とし、原料溶液又は溶媒の排出を停止する(ステップS203)。
In step S202, the first inert gas supply line valve VX4 and the first discharge line valve VX5 of the Y raw material solution section 11 are opened, and the inert gas is supplied to the specific region R surrounded by the valves VX2 to VX7. The raw material solution or solvent remaining in the specific region R is discharged. Also, the solvent supply line L3 is filled with a solvent so that the solvent supply line valve VS7 and the second inert gas supply line valve VS8 of the solvent supply part 14 are opened and the solvent can be immediately supplied to the Y raw material solution part 11. Keep it.
The raw material solution or solvent remaining in the specific region R is discharged from the discharge line L4 by natural flow while being pushed out to the lower first discharge line valve VX5 side by the inert gas, so that the raw material solution or solvent is efficiently discharged. can do.
Then, after a predetermined time has elapsed, the first inert gas supply line valve VX4 and the first discharge line valve VX5 of the Y raw material solution section 11 are closed, and the discharge of the raw material solution or the solvent is stopped (step S203).

ステップS204では、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を開状態とし、特定領域Rを減圧(真空引き)することにより、特定領域Rの残留ガス(不活性ガス)を排気する。そして、特定領域Rの圧力が例えば1kPa以下になったことを確認した後、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を閉状態とし、真空引きを停止する(ステップS205)。
ステップS206では、Y原料溶液部11の溶媒供給ラインバルブVX7を開状態とし、特定領域Rを溶媒で充填する。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の溶媒供給ラインバルブVX7を閉状態とし、溶媒の充填を停止する(ステップS207)。
ステップS202〜S207を所定回数(例えば4回)繰り返すことにより、特定領域Rはほぼ完全に溶媒に置換される。
ステップS208以降の工程は、図4のステップS106以降の工程と同様であるので説明を省略する。
In step S204, the first discharge line valve VX5 of the Y raw material solution section 11 is opened, and the specific region R is depressurized (evacuated), thereby exhausting the residual gas (inert gas) in the specific region R. And after confirming that the pressure of the specific area | region R became 1 kPa or less, for example, the 1st discharge line valve VX5 of the Y raw material solution part 11 is made into a closed state, and vacuuming is stopped (step S205).
In step S206, the solvent supply line valve VX7 of the Y raw material solution section 11 is opened, and the specific region R is filled with the solvent. And after predetermined time progress, the solvent supply line valve VX7 of the Y raw material solution part 11 is made into a closed state, and filling with a solvent is stopped (step S207).
By repeating steps S202 to S207 a predetermined number of times (for example, four times), the specific region R is almost completely replaced with the solvent.
The processes after step S208 are the same as the processes after step S106 in FIG.

このように、図6のフローチャートに従う原料タンク111の交換工程では、特定領域Rに残留する液体を、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4を介して不活性ガスを供給しつつ、第1排出ラインバルブVX5を介して減圧することにより排出する第1工程(ステップS202〜S205)と、特定領域Rに溶媒供給ラインバルブVX7を介して溶媒を充填する第2工程(ステップS206、207)とを所定回数繰り返すことにより、特定領域Rに残留する原料溶液を溶媒で置換する。そして、溶媒を除去(ステップS208〜S213)した後、原料タンク111を交換する(ステップS214、S215)。
特定領域Rに残留している原料溶液を溶媒で置換した後、置換された溶媒を蒸発させて除去するので、特定領域Rに残留する原料溶液を効率よく排出することができる。また、真空引きして溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出することはないので、原料タンク111の交換を効率よく安全に実行することができる。
As described above, in the replacement process of the raw material tank 111 according to the flowchart of FIG. 6, the liquid remaining in the specific region R is supplied to the first exhaust line while supplying the inert gas via the first inert gas supply line valve VX4. A first process (steps S202 to S205) for discharging by depressurizing via the valve VX5 and a second process (steps S206 and 207) for filling the specific region R with the solvent via the solvent supply line valve VX7 are predetermined. By repeating the process a number of times, the raw material solution remaining in the specific region R is replaced with a solvent. Then, after removing the solvent (steps S208 to S213), the raw material tank 111 is replaced (steps S214 and S215).
After replacing the raw material solution remaining in the specific region R with a solvent, the replaced solvent is removed by evaporation, so that the raw material solution remaining in the specific region R can be efficiently discharged. Further, since the solid material does not precipitate when the solvent is evaporated by evacuation, the material tank 111 can be exchanged efficiently and safely.

[第2実施形態]
図8は、第2実施形態に係る原料溶液供給部の配管構造を示す図である。図8では、Y原料溶液部11の配管構造だけを抜粋して示しており、原料溶液供給部10のその余の構成は第1実施形態と同様であるので省略している。
第2実施形態では、第1原料溶液供給ラインバルブVX6と第1排出ラインバルブVX5が、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を上方、第1排出ラインバルブVX5を下方に位置させた状態で、鉛直方向に延びる直線状の主配管MPにより連結されている。かかる構成は、第1実施形態と同様である。
[Second Embodiment]
FIG. 8 is a diagram illustrating a piping structure of a raw material solution supply unit according to the second embodiment. In FIG. 8, only the piping structure of the Y raw material solution section 11 is extracted and shown, and the remaining configuration of the raw material solution supply section 10 is omitted because it is the same as that of the first embodiment.
In the second embodiment, the first raw material solution supply line valve VX6 and the first discharge line valve VX5 are positioned vertically with the first raw material solution supply line valve VX6 positioned upward and the first discharge line valve VX5 positioned downward. It is connected by a straight main pipe MP extending in the direction. Such a configuration is the same as that of the first embodiment.

第2実施形態では、溶媒供給ラインバルブVX7、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4が、主配管MPに直接接続されている。この点が第1実施形態と相違する。
すなわち、溶媒供給ラインバルブVX7は、主配管MPに接続される第1連通口、第2連通口と、溶媒供給ラインL3に向かう配管に接続される第3連通口を有し、主配管MPの上流側(例えば鉛直上方側)と下流側を連通させた状態で、溶媒供給ラインL3からの溶媒の供給を切替可能な三方バルブで構成されている。
同様に、タンク出口バルブVX2は、主配管MPに接続される第1連通口、第2連通口と、原料タンク111に向かう配管に接続される第3連通口を有し、主配管MPの上流側と下流側を連通させた状態で、原料タンク111からの原料溶液の供給を切替可能な三方バルブで構成されている。
バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4は、主配管MPに接続される第1連通口、第2連通口と、不活性ガス供給ラインL2に向かう配管に接続される第3連通口を有し、主配管MPの上流側と下流側を連通させた状態で、不活性ガス供給ラインL2からの不活性ガスの供給を切替可能な三方バルブで構成されている。
In the second embodiment, the solvent supply line valve VX7, the tank outlet valve VX2, the bypass line valve VX3, and the first inert gas supply line valve VX4 are directly connected to the main pipe MP. This point is different from the first embodiment.
That is, the solvent supply line valve VX7 has a first communication port and a second communication port connected to the main pipe MP, and a third communication port connected to the pipe toward the solvent supply line L3. It is composed of a three-way valve capable of switching the supply of the solvent from the solvent supply line L3 in a state where the upstream side (for example, vertically upward side) and the downstream side are in communication.
Similarly, the tank outlet valve VX2 has a first communication port and a second communication port connected to the main pipe MP, and a third communication port connected to the pipe toward the raw material tank 111, and is upstream of the main pipe MP. It is composed of a three-way valve capable of switching the supply of the raw material solution from the raw material tank 111 in a state where the side and the downstream side are in communication.
The bypass line valve VX3 and the first inert gas supply line valve VX4 are a first communication port and a second communication port connected to the main pipe MP, and a third communication connected to the pipe toward the inert gas supply line L2. A three-way valve having a port and capable of switching the supply of the inert gas from the inert gas supply line L2 in a state where the upstream side and the downstream side of the main pipe MP are in communication with each other.

また、第1原料溶液供給ラインバルブVX6の直下に、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4が接続されている。これにより、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4を介して不活性ガスを第1原料溶液供給ラインバルブVX6の直下から供給することで、特定領域Rに残留する原料溶液又は溶媒を下方の第1排出ラインバルブVX5に向けて効率よく押し出すことができる。つまり、特定領域Rに残留する原料溶液又は溶媒を、不活性ガスを供給しながら排出する場合(図6参照)に好適である。
また、第1排出ラインバルブVX5の直上に、溶媒供給ラインバルブVX7が接続されている。これにより、特定領域Rに溶媒が下方から上方に向けて充填されていくので、溶媒が途切れることなく供給されることとなり、配管内の付着物(例えば原料溶液)を効率よく洗浄することができる。
Further, a first inert gas supply line valve VX4 is connected immediately below the first raw material solution supply line valve VX6. Thereby, the raw material solution or solvent remaining in the specific region R is supplied to the lower first gas by supplying the inert gas from directly below the first raw material solution supply line valve VX6 via the first inert gas supply line valve VX4. It can be efficiently pushed toward the discharge line valve VX5. That is, it is suitable when the raw material solution or solvent remaining in the specific region R is discharged while supplying an inert gas (see FIG. 6).
A solvent supply line valve VX7 is connected immediately above the first discharge line valve VX5. Thereby, since the solvent is filled in the specific region R from the lower side to the upper side, the solvent is supplied without interruption, and the deposits (for example, the raw material solution) in the pipe can be efficiently washed. .

第2実施形態における原料タンクの交換工程は、第1実施形態と同様に、図4又は図6のフローチャートに従って行われる。この場合、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4、溶媒供給ラインバルブVX7は、常時主配管MPと連通する状態とされる。つまり、図5、図7に示すバルブの開閉によって、各バルブVX2〜VX4、VX7における原料タンク111、不活性ガス供給ラインL2又は溶媒供給ラインL3との連通状態が切り替わることになる。   The raw material tank replacement step in the second embodiment is performed according to the flowchart of FIG. 4 or FIG. 6 as in the first embodiment. In this case, the tank outlet valve VX2, the bypass line valve VX3, the first inert gas supply line valve VX4, and the solvent supply line valve VX7 are always in communication with the main pipe MP. That is, the open / close state of the valves shown in FIGS. 5 and 7 switches the communication state between the raw material tank 111, the inert gas supply line L2, or the solvent supply line L3 in each of the valves VX2 to VX4 and VX7.

なお、第2実施形態では、原料タンク111を交換する際に、3箇所の継ぎ手112を切り離して交換することになるので、第1実施形態に比較して交換作業が複雑になるが、配管構造は第1実施形態に比較して格段に簡略化される。   In the second embodiment, when the raw material tank 111 is replaced, the three joints 112 are separated and replaced. Therefore, the replacement work is complicated as compared with the first embodiment. Is greatly simplified compared to the first embodiment.

このように、第2実施形態では、各バルブVX2〜VX4、VX7の接続部分に原料溶液が残留可能なデッドスペースがなくなるので、特定領域Rに残留する原料溶液を容易に溶媒で置換することができる。また、第1排出ラインバルブVX5を開状態とするだけで、特定領域Rに残留する原料溶液は自然流下によって効率よく排出されるので、主配管MP内に残留する原料溶液は格段に低減される。したがって、特定領域Rに原料溶液等が残留するなどして不具合が生じることはない。   Thus, in the second embodiment, since there is no dead space in which the raw material solution can remain at the connection portions of the valves VX2 to VX4 and VX7, the raw material solution remaining in the specific region R can be easily replaced with a solvent. it can. Further, since the raw material solution remaining in the specific region R is efficiently discharged by natural flow just by opening the first discharge line valve VX5, the raw material solution remaining in the main pipe MP is significantly reduced. . Therefore, there is no problem that the raw material solution remains in the specific region R.

上述したように、第1実施形態及び第2実施形態では、Y原料溶液部11が、原料タンク111に接続されるタンク出口バルブVX2と、不活性ガス供給ラインL2に接続される第1不活性ガス供給ラインバルブVX4と、排出ラインL4に接続される第1排出ラインバルブVX5と、原料溶液供給ラインL1に接続される第1原料溶液供給ラインバルブVX6と、溶媒供給ラインL3に接続される溶媒供給ラインバルブVX7とを有している。
そして、第1排出ラインバルブVX5から第1原料溶液供給ラインバルブVX6に向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管MPに、タンク出口バルブVX2、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4、及び溶媒供給ラインバルブVX7から第1排出ラインバルブVX5側に液体が自然流下するように、これらのバルブが接続されている。
なお、バイパスラインバルブVX3も、第2不活性ガス供給ラインバルブVX8と同時に開状態とされたときは、不活性ガス供給ラインバルブとみなすことができる。また、Ba原料溶液部12、Cu原料溶液部13も、Y原料溶液部11と同様の配管構造を有している。
As described above, in the first and second embodiments, the Y raw material solution unit 11 is connected to the tank outlet valve VX2 connected to the raw material tank 111 and the inert gas supply line L2. Gas supply line valve VX4, first discharge line valve VX5 connected to discharge line L4, first raw material solution supply line valve VX6 connected to raw material solution supply line L1, and solvent connected to solvent supply line L3 And a supply line valve VX7.
Then, a tank outlet valve VX2, a first inert gas supply line valve VX4, and a solvent supply are connected to a straight main pipe MP extending vertically upward from the first discharge line valve VX5 toward the first raw material solution supply line valve VX6. These valves are connected so that the liquid naturally flows from the line valve VX7 to the first discharge line valve VX5 side.
The bypass line valve VX3 can also be regarded as an inert gas supply line valve when it is opened simultaneously with the second inert gas supply line valve VX8. Further, the Ba raw material solution part 12 and the Cu raw material solution part 13 also have the same piping structure as the Y raw material solution part 11.

CVD装置1によれば、原料溶液供給部10の原料溶液部11〜13において、原料タンク111、121、131を交換する際に、原料溶液が第1排出ラインバルブVX5側に自然流下するので、原料溶液を溶媒で容易に置換できるとともに、配管内に液体が残留するのを防止できる。したがって、真空引きして溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出することはなく、タンク交換時に液漏れも生じないので、原料タンクの交換を効率よく安全に実行することが可能となる。   According to the CVD apparatus 1, when the raw material tanks 111, 121, 131 are replaced in the raw material solution parts 11 to 13 of the raw material solution supply part 10, the raw material solution naturally flows down to the first discharge line valve VX 5 side. The raw material solution can be easily replaced with a solvent, and liquid can be prevented from remaining in the pipe. Therefore, when the solvent is evaporated by evacuation, no solid raw material is deposited, and no liquid leakage occurs when the tank is replaced. Therefore, the raw material tank can be replaced efficiently and safely.

以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。   As mentioned above, although the invention made by this inventor was concretely demonstrated based on embodiment, this invention is not limited to the said embodiment, It can change in the range which does not deviate from the summary.

上記実施形態では、基材表面にYBCO薄膜を形成する場合について説明したが、本発明は、蒸気圧が低く常温固体である原料を使用してMOCVD法により薄膜を形成する場合に共通して適用できる技術である。例えば、固体原料として、酸素原子を介して金属原子と有機基とが結合した有機金属原料を使用する場合に適用できる。ここで、有機基は、アセチルアセトネート、ジピバロイルメタネート、アルコキシド、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ペンタフルオロプロパノイルピバロイルメタネートのいずれかであればよい。
また、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムのような強誘電体の薄膜を形成する際の原料としては、バリウムジピバロイルメタネート(Ba(DPM)2)、ストロンチウムジピバロイルメタネート(Sr(DPM)2)、ビス(ジピバロイルメタネート)ジイソプロポキシチタニウム(Ti(iPrO)2(DPM)2」等が挙げられる。また、チタニウムテトライソプロポキシド(Ti(OC374)等をTHFに溶解させた原料でもよい。
In the above embodiment, the case where the YBCO thin film is formed on the substrate surface has been described. However, the present invention is commonly applied to the case where the thin film is formed by the MOCVD method using a raw material having a low vapor pressure and a solid at room temperature. It is a technology that can be done. For example, the present invention can be applied to a case where an organic metal raw material in which a metal atom and an organic group are bonded through an oxygen atom is used as the solid raw material. Here, the organic group may be any one of acetylacetonate, dipivaloylmethanate, alkoxide, hexafluoroacetylacetonate, and pentafluoropropanoylpivaloylmethanate.
As raw materials for forming a ferroelectric thin film such as barium titanate or strontium titanate, barium dipivaloylmethanate (Ba (DPM) 2 ), strontium dipivaloylmethanate (Sr) (DPM) 2 ), bis (dipivaloylmethanate) diisopropoxytitanium (Ti (iPrO) 2 (DPM) 2 ”, etc. Also, titanium tetraisopropoxide (Ti (OC 3 H 7 )). 4 ) The raw material which melt | dissolved etc. in THF may be sufficient.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 CVD装置
10 原料溶液供給部
11 Y原料溶液部
111 原料タンク
12 Ba原料溶液部
13 Cu原料溶液部
14 溶媒供給部
15 不活性ガス供給部
16 排出部
20 気化器
30 反応室
112 継ぎ手
L1 原料溶液供給ライン
L2 不活性ガス供給ライン
L3 溶媒供給ライン
L4 排出ライン
MP 主配管
BP1〜BP4 枝管
R 特定領域
VX1 タンク加圧バルブ
VX2 タンク出口バルブ
VX3 バイパスラインバルブ
VX4 第1不活性ガス供給ラインバルブ
VX5 第1排出ラインバルブ
VX6 第1原料溶液供給ラインバルブ
VX7 溶媒供給ラインバルブ
VX8 第2不活性ガス供給ラインバルブ
VX9 第2排出ラインバルブ
VX10 第2原料溶液供給ラインバルブ
MFC マスフローコントローラ
VA1 第1切替バルブ
VA2 第2切替バルブ
VD1〜VD5 ドレインバルブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CVD apparatus 10 Raw material solution supply part 11 Y Raw material solution part 111 Raw material tank 12 Ba Raw material solution part 13 Cu raw material solution part 14 Solvent supply part 15 Inert gas supply part 16 Discharge part 20 Vaporizer 30 Reaction chamber 112 Joint L1 Raw material solution Supply line L2 Inert gas supply line L3 Solvent supply line L4 Discharge line MP Main piping BP1 to BP4 Branch pipe R Specific area VX1 Tank pressurization valve VX2 Tank outlet valve VX3 Bypass line valve VX4 First inert gas supply line valve VX5 1 discharge line valve VX6 first raw material solution supply line valve VX7 solvent supply line valve VX8 second inert gas supply line valve VX9 second discharge line valve VX10 second raw material solution supply line valve MFC mass flow controller VA1 first switching valve VA2 first 2 switching bar Breakfast VD1~VD5 drain valve

Claims (8)

固体原料を溶媒に溶解した原料溶液を気化させる気化器と、前記気化器によって気化された原料ガスを基材表面に供給して化学反応させることにより薄膜を形成する反応室と、前記気化器に前記原料溶液を供給する原料溶液供給部と、を備えたCVD装置であって、
前記原料溶液供給部が、前記原料溶液を収容する原料タンクを有する原料溶液部と、
前記原料溶液部から送出された前記原料溶液を前記気化器に輸送する原料溶液供給ラインと、
前記原料溶液部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、
前記原料溶液部に溶媒を供給する溶媒供給ラインと、
前記原料溶液部に残存する液体又は気体を排出する排出ラインとを有し、
前記原料溶液部が、前記原料タンクに接続されるタンク出口バルブと、
前記不活性ガス供給ラインに接続される不活性ガス供給ラインバルブと、
前記排出ラインに接続される排出ラインバルブと、
前記原料溶液供給ラインに接続される原料溶液供給ラインバルブと、
前記溶媒供給ラインに接続される溶媒供給ラインバルブとを有し、
前記タンク出口バルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記排出ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ及び前記溶媒供給ラインバルブで囲まれた特定領域に残留する液体が、前記排出ラインバルブ側に自然流下するように、前記排出ラインバルブから前記原料溶液供給ラインバルブに向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管に、前記タンク出口バルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、及び前記溶媒供給ラインバルブが接続されていることを特徴とするCVD装置。
A vaporizer that vaporizes a raw material solution in which a solid raw material is dissolved in a solvent; a reaction chamber that forms a thin film by supplying a raw material gas vaporized by the vaporizer to a substrate surface and causing a chemical reaction; and a vaporizer A raw material solution supply unit for supplying the raw material solution, a CVD apparatus comprising:
The raw material solution supply unit has a raw material tank having a raw material tank for storing the raw material solution; and
A raw material solution supply line for transporting the raw material solution sent from the raw material solution section to the vaporizer;
An inert gas supply line for supplying an inert gas to the raw material solution section;
A solvent supply line for supplying a solvent to the raw material solution section;
A discharge line for discharging the liquid or gas remaining in the raw material solution part,
A tank outlet valve connected to the raw material tank,
An inert gas supply line valve connected to the inert gas supply line;
A discharge line valve connected to the discharge line;
A raw material solution supply line valve connected to the raw material solution supply line;
A solvent supply line valve connected to the solvent supply line;
The liquid remaining in a specific region surrounded by the tank outlet valve, the inert gas supply line valve, the discharge line valve, the raw material solution supply line valve, and the solvent supply line valve naturally flows down to the discharge line valve side. The tank outlet valve, the inert gas supply line valve, and the solvent supply line valve are connected to a linear main pipe that extends vertically upward from the discharge line valve toward the raw material solution supply line valve. CVD apparatus characterized by the above-mentioned.
前記主配管から分岐して延びる第1枝管に、当該第1枝管と前記主配管の接合部位が前記タンク出口バルブより下方に位置するように前記タンク出口バルブが接続され、
前記主配管から分岐して延びる第2枝管に、当該第2枝管と前記主配管の接合部位が前記不活性ガス供給ラインバルブより下方に位置するように前記不活性ガス供給ラインバルブが接続され、
前記主配管から分岐して延びる第3枝管に、当該第3枝管と前記主配管の接合部位が前記溶媒供給ラインバルブより下方に位置するように前記溶媒供給ラインバルブが接続されていることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。
The tank outlet valve is connected to a first branch pipe extending from the main pipe so that a joint portion of the first branch pipe and the main pipe is located below the tank outlet valve,
The inert gas supply line valve is connected to a second branch pipe that branches off from the main pipe so that a joint portion between the second branch pipe and the main pipe is positioned below the inert gas supply line valve. And
The solvent supply line valve is connected to a third branch pipe that branches off from the main pipe so that a joint portion of the third branch pipe and the main pipe is positioned below the solvent supply line valve. The CVD apparatus according to claim 1.
前記タンク出口バルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、及び前記溶媒供給ラインバルブのそれぞれが、前記主配管に直接接続される三方バルブで構成されていることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。   2. The CVD according to claim 1, wherein each of the tank outlet valve, the inert gas supply line valve, and the solvent supply line valve is a three-way valve that is directly connected to the main pipe. apparatus. 前記不活性ガス供給ラインバルブが、前記原料溶液供給ラインバルブの直下に接続されていることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のCVD装置。   4. The CVD apparatus according to claim 1, wherein the inert gas supply line valve is connected immediately below the raw material solution supply line valve. 5. 前記原料溶液供給部が、前記排出ラインを流下してきた液体を貯留するドレインタンクと、このドレインタンクを介して前記排出ラインに接続される排気ポンプを有する排出部を備え、
前記排出ラインが、当該排出ラインを液体が自然流下するように、前記排出部に対して傾斜して接続されていることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のCVD装置。
The raw material solution supply unit includes a drain tank that stores a liquid that has flowed down the discharge line, and a discharge unit that includes an exhaust pump connected to the discharge line via the drain tank,
5. The CVD apparatus according to claim 1, wherein the discharge line is connected to the discharge unit so that the liquid naturally flows down the discharge line. .
前記原料溶液供給部が、前記溶媒供給ラインを介して前記原料溶液部に前記溶媒を供給する溶媒供給部を備え、
前記溶媒供給部が、前記原料溶液部よりも上流側で前記排出ラインに接続されていることを特徴とする請求項5に記載のCVD装置。
The raw material solution supply unit includes a solvent supply unit that supplies the solvent to the raw material solution unit via the solvent supply line;
The CVD apparatus according to claim 5, wherein the solvent supply unit is connected to the discharge line upstream of the raw material solution unit.
請求項1から6に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、
前記特定領域に残留する液体を、前記排出ラインバルブを介して減圧することにより排出する第1工程と、
前記特定領域に前記溶媒供給ラインバルブを介して溶媒を充填する第2工程とを所定回数繰り返すことにより、前記特定領域に残留する前記原料溶液を排出するとともに前記溶媒で置換し、
前記溶媒を除去した後、前記原料タンクを交換することを特徴とする原料タンクの交換方法。
A method for replacing the raw material tank in the CVD apparatus according to claim 1,
A first step of discharging the liquid remaining in the specific region by depressurizing through the discharge line valve;
By repeating the second step of filling the specific region with the solvent via the solvent supply line valve a predetermined number of times, the raw material solution remaining in the specific region is discharged and replaced with the solvent,
A method for replacing a raw material tank, comprising: exchanging the raw material tank after removing the solvent.
請求項1から6に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、
前記特定領域に残留する液体を、前記不活性ガス供給ラインバルブを介して不活性ガスを供給しつつ、前記排出ラインバルブを介して減圧することにより排出する第1工程と、
前記特定領域に前記溶媒供給ラインバルブを介して溶媒を充填する第2工程とを所定回数繰り返すことにより、前記特定領域に残留する前記原料溶液を排出するとともに前記溶媒で置換し、
前記溶媒を除去した後、前記原料タンクを交換することを特徴とする原料タンクの交換方法。
A method for replacing the raw material tank in the CVD apparatus according to claim 1,
A first step of discharging the liquid remaining in the specific region by reducing the pressure through the discharge line valve while supplying the inert gas through the inert gas supply line valve;
By repeating the second step of filling the specific region with the solvent via the solvent supply line valve a predetermined number of times, the raw material solution remaining in the specific region is discharged and replaced with the solvent,
A method for replacing a raw material tank, comprising: exchanging the raw material tank after removing the solvent.
JP2011006736A 2011-01-17 2011-01-17 Cvd apparatus and method for replacing raw material tank Pending JP2012149279A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011006736A JP2012149279A (en) 2011-01-17 2011-01-17 Cvd apparatus and method for replacing raw material tank

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011006736A JP2012149279A (en) 2011-01-17 2011-01-17 Cvd apparatus and method for replacing raw material tank

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012149279A true JP2012149279A (en) 2012-08-09

Family

ID=46791806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011006736A Pending JP2012149279A (en) 2011-01-17 2011-01-17 Cvd apparatus and method for replacing raw material tank

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012149279A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104120407A (en) * 2014-07-31 2014-10-29 沈阳大学 Liquid raw material vaporization supply device for chemical vapor phase deposition and use method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104120407A (en) * 2014-07-31 2014-10-29 沈阳大学 Liquid raw material vaporization supply device for chemical vapor phase deposition and use method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5573666B2 (en) Raw material supply apparatus and film forming apparatus
JP3601153B2 (en) Cleaning method for processing gas supply device
JP3122311B2 (en) Apparatus for supplying liquid material to film forming chamber and method of using the same
TW317000B (en)
US7737005B2 (en) Method for forming Ti film and TiN film, contact structure, computer readable storing medium and computer program
JP4472008B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus
KR100800377B1 (en) Equipment for chemical vapor deposition
KR20100043289A (en) Film forming apparatus and film forming method
JP3103596B2 (en) Apparatus and method for supplying reagents in vapor form to a CVD reactor
TWI575585B (en) In-situ removal of semiconductor process residues from dry pump surfaces
JP4192008B2 (en) Vaporizer, vaporizer cleaning method, and apparatus using vaporizer
KR102203976B1 (en) The system of supplying a chemical enabling removal of air-pocket and the method thereof
JP2012149279A (en) Cvd apparatus and method for replacing raw material tank
JP2012204791A (en) Evaporating device, gas supply device, and film deposition device using gas supply device
JP2012149280A (en) Cvd apparatus and method for replacing raw material tank
JP4348835B2 (en) Cleaning method
TWI500802B (en) Container for precursors used in deposition processes
CN102089848B (en) Remote plasma cleaning method and apparatus for applying said method
US20100275843A1 (en) hvpe reactor arrangement
JP2011058019A (en) Cvd apparatus and operation method thereof
JP2009224588A (en) Substrate treatment apparatus
JP2007088166A (en) Substrate treatment equipment
JP5624744B2 (en) Vaporizer, vaporization method and CVD apparatus
JP2012132043A (en) Cvd apparatus
KR20240074489A (en) Vaporization system with cleaning apparatus and method for cleaning the same