JP2012145798A - Electro-optical device, driving circuit of the same and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, driving circuit of the same and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent reduction in a holding voltage of a liquid crystal capacitor due to an off-leak of a transistor.SOLUTION: Individual pixels 110 are disposed corresponding to intersections between scanning lines 112 and data lines 114 in such a manner that the scanning lines 112 and capacitance lines 132 are disposed for each line and that the data lines 114 are disposed for each row. Here, a capacitance line driving circuit 160 fixes a voltage to Vcom when one scanning line 112 is selected with respect to a capacitance line 132 corresponding to a scanning line 112 of a certain line, and changes the voltage from Vcom as time elapses when the time amount Ta has just elapsed after a completion of a selection of the one scanning line 112. With reference to a changing direction of the voltage in this case, the changing direction after a positive polarity writing is set to a rising direction and the changing direction after a negative polarity writing is set to a falling direction.

Description

本発明は、画素毎にトランジスターを有するアクティブマトリクス型の電気光学装置、電気光学装置の駆動回路および当該電気光学装置を有する電子機器に関する。   The present invention relates to an active matrix electro-optical device having a transistor for each pixel, a driving circuit for the electro-optical device, and an electronic apparatus having the electro-optical device.

電気光学装置、例えば液晶表示装置では、一般には複数の走査線と複数のデータ線との交点に対応して、トランジスターと補助容量とを含む画素がそれぞれ設けられている。トランジスターは、スイッチング素子として機能し、その一端はデータ線に接続され、その他端が補助容量の一端に接続されるとともに、走査線の選択期間にオンする。この構成では、トランジスターの他端に保持された電位に応じて画素の階調が規定されるが、走査線の非選択期間、すなわちトランジスターのオフ期間に、保持電位が変化して、表示ムラの原因になりやすい。
このため、コモン電極の特定数と容量線の時定数とを等しくする技術(特許文献1参照)が提案されている。また、この原因を、光源の分布ムラや画素の位置に応じたノイズの影響と捉えて、トランジスターの一端に供給するデータ信号を画素の位置に応じて調整する技術(特許文献2参照)も提案されている。
In an electro-optical device, for example, a liquid crystal display device, pixels including transistors and auxiliary capacitors are generally provided corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines. The transistor functions as a switching element. One end of the transistor is connected to the data line, the other end is connected to one end of the auxiliary capacitor, and the transistor is turned on during the scanning line selection period. In this configuration, the gradation of the pixel is defined according to the potential held at the other end of the transistor, but the holding potential changes during the non-selection period of the scanning line, that is, the off-period of the transistor, and display unevenness is caused. Prone to cause.
For this reason, a technique for making the specific number of common electrodes equal to the time constant of the capacitance line (see Patent Document 1) has been proposed. In addition, a technique for adjusting the data signal supplied to one end of the transistor according to the position of the pixel by considering the cause as the influence of the light source distribution unevenness and the noise according to the position of the pixel is also proposed (see Patent Document 2). Has been.

特開2000−98337号公報(図1参照)JP 2000-98337 A (see FIG. 1) 特開2004−287113号公報(図1および図3参照)Japanese Patent Laying-Open No. 2004-287113 (see FIGS. 1 and 3)

しかしながら、上記いずれの技術によっても、トランジスターのオフ期間において発生する保持電位の変化を補償することができず、十分に表示ムラを抑えることができない、といった問題が発生した。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、トランジスターのオフ期間における保持電位の変化を補償して、表示ムラを抑える技術を提供することにある。
However, any of the above-described techniques has a problem in that the change in the holding potential that occurs during the off-period of the transistor cannot be compensated and display unevenness cannot be sufficiently suppressed.
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and one of its purposes is to provide a technique for suppressing display unevenness by compensating for a change in holding potential during an off period of a transistor.

本発明は、トランジスターのオフ期間において保持電位が変化する原因をトランジスターのオフリークとして捉えるとともに、このオフリークの影響を抑えるために、次のように構成したものである。すなわち、本発明に係る電気光学装置の駆動回路にあっては、走査線と、前記走査線に電気的に接続されたトランジスターと、前記トランジスターに対応して画素に設けられた補助容量と、を備えた電気光学装置の駆動回路であって、前記走査線を選択する走査線駆動回路と、前記走査線の選択期間に、前記補助容量に電気的に接続された容量線に所定の電位を供給すると共に、前記走査線の非選択期間に、前記画素の階調が変化しないように、前記容量線の電位を変化させる容量線駆動回路とを備えることを特徴とする。本発明によれば、走査線の非選択期間においてトランジスターのオフリークに起因した保持電位の変化分は、容量線の電位変化によって補われるので、オフリークによる影響を抑えることが可能となる。ここで、容量線の電位変化については、オフリークに起因する保持電位の変化分だけではなく、トランジスターのフィールドスルーの変化分や、さらには、データ線にデータ信号をサンプリングトランジスターによってサンプリングする構成であれば、当該サンプリングトランジスターのフィールドスルーの変化分を補うようにしても良い。   In the present invention, the cause of the change in the holding potential during the off-period of the transistor is regarded as the off-leakage of the transistor, and in order to suppress the influence of the off-leakage, the following configuration is adopted. That is, in the drive circuit of the electro-optical device according to the invention, a scanning line, a transistor electrically connected to the scanning line, and an auxiliary capacitor provided in the pixel corresponding to the transistor are provided. A scanning line driving circuit for selecting the scanning line; and supplying a predetermined potential to the capacitor line electrically connected to the auxiliary capacitor during the scanning line selection period. And a capacitor line driver circuit that changes the potential of the capacitor line so that the gradation of the pixel does not change during the non-selection period of the scanning line. According to the present invention, since the change in the holding potential caused by the off-leakage of the transistor during the non-selection period of the scanning line is compensated by the change in the potential of the capacitor line, the influence of the off-leakage can be suppressed. Here, regarding the potential change of the capacitor line, not only the change of the holding potential due to the off-leakage, but also the change of the field through of the transistor, and further, the data signal is sampled on the data line by the sampling transistor. For example, the change in field through of the sampling transistor may be compensated.

本発明において、前記容量線駆動回路は、前記走査線の非選択期間に、前記容量線の電位を前記所定の電位との電位差の絶対値が大きくなる方向に変化させる構成が好ましい。
さらに、本発明において、第2走査線と、前記第2走査線に電気的に接続された第2トランジスターと、前記第2トランジスターに対応して第2画素に設けられた第2補助容量と、を備え、前記走査線駆動回路は、前記走査線に続いて前記第2走査線を選択し、前記容量線駆動回路は、前記第2走査線の選択期間に、前記第2補助容量に電気的に接続された第2容量線に所定の電位を供給すると共に、前記第2走査線の非選択期間に、前記第2画素の階調が変化しないように、前記第2容量線の電位を変化させる構成としても良い。この構成によれば、オフリークに起因した保持電位の変化分を容量線の電位変化によって補正する動作が、各走査線にわたって実行される。このため、例えば画面の位置によって明るさが異なってしまう事態を防止することができる。
本発明において、前記容量線駆動回路は、前記走査線の選択が終了して所定の時間経過したときに、前記容量線に対し前記所定の電位からの変化を開始する構成が好ましい。この構成によれば、走査線の選択が終了したタイミングで発生するカップリングノイズ等が、容量線に及ぼす影響を小さくすることができる。
また、本発明において、前記容量線駆動回路は、前記容量線に対して設けられ、第1端子または第2端子のいずれかを選択するセレクターを有し、前記走査線の選択が開始してから、前記走査線の選択が終了して所定の時間経過するまで前記第1端子を選択し、前記走査線の選択が終了して所定の時間量経過したときから前記第2端子を選択し、前記第1端子には、前記所定の電位が印加され、前記第2端子には、オフのトランジスターが接続されると共に、前記走査線の選択が終了して所定の時間経過するまで、前記所定の電位がセットされる構成が好ましい。この構成によれば、トランジスターのオフリークを、第2端子に接続されたオフのトランジスターによって模擬することができるので、走査線の非選択期間における保持電位の変化分を、容量線の電位変化によって、より効果的に補うことが可能となる。
また、本発明において、前記容量線駆動回路は、前記補助容量の1対の電極のうち前記容量線と接続されていない側の電極の電位が、前記容量線の所定の電位よりも高い場合は、前記所定の電位から時間経過とともに前記所定の電位に対して上昇するように変化させ、前記補助容量の1対の電極のうち前記容量線と接続されていない側の電極の電位が、前記容量線の所定の電位よりも低い場合は、前記所定の電位から時間経過とともに前記所定の電位に対して下降するように変化させる構成が好ましい。この構成によれば、画素を両極性で駆動することができる。
In the present invention, it is preferable that the capacitor line driving circuit change the potential of the capacitor line in a direction in which an absolute value of a potential difference from the predetermined potential increases in a non-selection period of the scanning line.
Further, in the present invention, a second scanning line, a second transistor electrically connected to the second scanning line, a second auxiliary capacitor provided in the second pixel corresponding to the second transistor, The scanning line driving circuit selects the second scanning line following the scanning line, and the capacitor line driving circuit electrically connects the second auxiliary capacitor during the selection period of the second scanning line. A predetermined potential is supplied to the second capacitor line connected to the second capacitor line, and the potential of the second capacitor line is changed so that the gradation of the second pixel does not change during the non-selection period of the second scan line. It is good also as a structure made to do. According to this configuration, the operation of correcting the change in the holding potential due to the off-leakage by the change in the potential of the capacitor line is performed over each scanning line. For this reason, the situation where brightness changes with the position of a screen, for example can be prevented.
In the present invention, it is preferable that the capacitor line driving circuit starts a change from the predetermined potential to the capacitor line when a predetermined time elapses after selection of the scanning line is completed. According to this configuration, it is possible to reduce the influence of the coupling noise or the like generated at the timing when the selection of the scanning line is completed on the capacitor line.
In the present invention, the capacitor line driving circuit includes a selector that is provided for the capacitor line and selects either the first terminal or the second terminal, and after the selection of the scanning line has started. The first terminal is selected until a predetermined time elapses after selection of the scanning line, and the second terminal is selected when a predetermined amount of time elapses after the selection of the scanning line is completed, The predetermined potential is applied to the first terminal, an off transistor is connected to the second terminal, and the predetermined potential is maintained until a predetermined time elapses after selection of the scanning line is completed. Is preferably set. According to this configuration, since the off-leakage of the transistor can be simulated by the off-transistor connected to the second terminal, the change in the holding potential during the non-selection period of the scanning line can be represented by It becomes possible to compensate more effectively.
In the present invention, the capacitor line driving circuit may be configured such that the potential of the electrode not connected to the capacitor line among the pair of electrodes of the auxiliary capacitor is higher than a predetermined potential of the capacitor line. The potential of the electrode on the side that is not connected to the capacitor line among the pair of electrodes of the auxiliary capacitor is changed from the predetermined potential to increase with respect to the predetermined potential as time elapses. When the potential is lower than the predetermined potential of the line, it is preferable that the predetermined potential is changed so as to decrease with respect to the predetermined potential as time elapses. According to this configuration, the pixel can be driven with both polarities.

上記目的は、走査線と、前記走査線に電気的に接続されたトランジスターと、前記トランジスターに対応して画素に設けられた補助容量と、前記補助容量と並列に設けられ、画素電極とコモン電極とを有する画素容量と、を備えた電気光学装置の駆動回路であって、前記走査線を選択する走査線駆動回路と、前記走査線の選択期間に、前記コモン電極に所定の電位を供給すると共に、前記走査線の非選択期間に、前記画素の階調が変化しないように、前記コモン電極の電位を変化させるコモン電極駆動回路とを備える電気光学装置の駆動回路によっても達成できる。この駆動回路によれば、走査線の非選択期間においてトランジスターのオフリークに起因した保持電位の変化分が、コモン電極の電位変化によって補われるからである。
なお、本発明は、上記電気光学装置の駆動回路のほか、電気光学装置それ自体、さらには、当該電気光学装置を含む電子機器としても概念することが可能である。このような電子機器としては、電気光学装置による光変調画像を拡大投射するプロジェクターが挙げられる。
The object is to provide a scanning line, a transistor electrically connected to the scanning line, an auxiliary capacitor provided in a pixel corresponding to the transistor, and a pixel electrode and a common electrode provided in parallel with the auxiliary capacitor. A scanning line driving circuit for selecting the scanning line, and supplying a predetermined potential to the common electrode during the selection period of the scanning line. In addition, this can be achieved by a driving circuit of an electro-optical device that includes a common electrode driving circuit that changes the potential of the common electrode so that the gradation of the pixel does not change during the non-selection period of the scanning line. This is because, according to this drive circuit, the change in the holding potential caused by the off-leakage of the transistor during the non-selection period of the scanning line is compensated by the change in the potential of the common electrode.
In addition to the drive circuit for the electro-optical device, the present invention can be conceptualized as an electro-optical device itself, and also as an electronic apparatus including the electro-optical device. As such an electronic apparatus, there is a projector that enlarges and projects a light modulation image by an electro-optical device.

第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment. 電気光学装置における画素の等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit of the pixel in an electro-optical apparatus. 電気光学装置におけるフレームおよびフィールドを示す図である。It is a figure which shows the flame | frame and field in an electro-optical apparatus. 電気光学装置における走査線駆動回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the scanning line drive circuit in an electro-optical apparatus. 走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。3 is a timing chart illustrating an operation of a scanning line driving circuit. 電気光学装置における容量線駆動回路の1行分の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure for 1 line of the capacitive line drive circuit in an electro-optical apparatus. 容量線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart illustrating the operation of the capacitor line driving circuit. 電気光学装置におけるデータ線駆動回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the data line drive circuit in an electro-optical apparatus. データ線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。3 is a timing chart showing the operation of the data line driving circuit. 電気光学装置の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of an electro-optical apparatus. 電気光学装置の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of an electro-optical apparatus. 第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a second embodiment. 電気光学装置における画素の等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit of the pixel in an electro-optical apparatus. コモン電極駆動回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a common electrode drive circuit. コモン電極駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation | movement of a common electrode drive circuit. 電気光学装置の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of an electro-optical apparatus. 電気光学装置の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of an electro-optical apparatus. 電気光学装置を適用したプロジェクターの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the projector to which the electro-optical apparatus is applied. 比較例に係る電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of an electro-optical device according to a comparative example.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。まず、第1実施形態に係る電気光学装置について説明する。この電気光学装置は、例えばプロジェクターのライトバルブとして好適な透過型の液晶表示装置である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the electro-optical device according to the first embodiment will be described. The electro-optical device is a transmissive liquid crystal display device suitable as a light valve for a projector, for example.

<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る電気光学装置の全体的な構成を示すブロック図である。この図に示されるように、電気光学装置10aは、制御回路20、メモリー30、D/A変換回路40および液晶パネル100を含んだ構成となっている。
液晶パネル100には、480行の走査線112が図において行(X)方向に沿ってそれぞれ設けられている。また、各行の走査線112に対をなすように容量線132が行方向に沿ってそれぞれ設けられている。一方、640列のデータ線114が、列(Y)方向に沿って、かつ、各走査線112および各容量線132に対し互いに電気的に絶縁を保つようにそれぞれ設けられている。
画素110は、480行の走査線112と640列のデータ線114との交差に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素110が縦480行×横640列でマトリクス状に配列して表示領域Maを構成することになるが、本発明を当該配列に限定する趣旨ではない。
なお、本説明においては、走査線112、容量線132または画素110の行を区別するために、図1において上から順に、1行目、2行目、…、480行目と呼ぶ場合があり、同様にデータ線114または画素110の列を区別するために、図1において左から順に、1列目、2列目、…、640列目と呼ぶ場合がある。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of the electro-optical device according to the first embodiment. As shown in this figure, the electro-optical device 10a includes a control circuit 20, a memory 30, a D / A conversion circuit 40, and a liquid crystal panel 100.
The liquid crystal panel 100 is provided with 480 scanning lines 112 along the row (X) direction in the drawing. Capacitor lines 132 are provided along the row direction so as to form pairs with the scanning lines 112 of each row. On the other hand, 640 columns of data lines 114 are provided along the column (Y) direction so as to be electrically insulated from each other with respect to each scanning line 112 and each capacitance line 132.
The pixels 110 are arranged corresponding to the intersections of the scanning lines 112 of 480 rows and the data lines 114 of 640 columns, respectively. Therefore, in this embodiment, the pixels 110 are arranged in a matrix of 480 rows × 640 columns to form the display area Ma. However, the present invention is not limited to this arrangement.
In this description, in order to distinguish the rows of the scanning lines 112, the capacitor lines 132, or the pixels 110, they may be called the first row, the second row,. Similarly, in order to distinguish the columns of the data lines 114 or the pixels 110, they may be referred to as the first column, the second column,.

液晶パネル100は、表示領域Maの周辺に、走査線駆動回路140、容量線駆動回路160およびデータ線駆動回路190がそれぞれ形成された周辺回路内蔵型となっている。
このうち、走査線駆動回路140は、制御回路20から供給されるスタートパルスDyおよびクロック信号Clyに基づいて、走査信号Y1、Y2、Y3、…、Y480を生成し、1、2、3、…、480行目の走査線112にそれぞれ供給する出力するものである。
容量線駆動回路160は、外部から供給される電圧Vcomと制御回路20から供給されるリセット信号Rstと走査信号Y1、Y2、Y3、…、Y480とに基づいて、容量信号Com1、Com2、Com3、…、Com480を生成し、1、2、3、…、480行目の容量線132にそれぞれ供給するものである。
データ線駆動回路190は、制御回路20から供給されるスタートパルスDxおよびクロック信号Clxに基づいて、データ信号Vidをそれぞれ1、2、3、…、640列目のデータ線114に、それぞれデータ信号X1、X2、X3、…、X640としてサンプリングするものである。
なお、走査線駆動回路140、容量線駆動回路160およびデータ線駆動回路190の詳細については、それぞれ後述する。
The liquid crystal panel 100 is a peripheral circuit built-in type in which a scanning line driving circuit 140, a capacitor line driving circuit 160, and a data line driving circuit 190 are formed around the display area Ma.
Among these, the scanning line driving circuit 140 generates scanning signals Y1, Y2, Y3,..., Y480 based on the start pulse Dy and the clock signal Cly supplied from the control circuit 20, and 1, 2, 3,. The output is supplied to each of the scanning lines 112 in the 480th row.
The capacitance line driving circuit 160 is configured to output capacitance signals Com1, Com2, Com3,... Based on the voltage Vcom supplied from the outside, the reset signal Rst supplied from the control circuit 20, and the scanning signals Y1, Y2, Y3,. ..., Com 480 is generated and supplied to the capacitor lines 132 in the first, second, third,.
Based on the start pulse Dx and the clock signal Clx supplied from the control circuit 20, the data line driving circuit 190 applies the data signal Vid to the data lines 114 in the first, second, third,. Sampling is performed as X1, X2, X3,..., X640.
Note that details of the scan line driver circuit 140, the capacitor line driver circuit 160, and the data line driver circuit 190 will be described later.

電気光学装置1には、映像データDaが、図示省略した上位装置から垂直同期信号Vs、水平同期信号Hsおよびドットクロック信号Clkに同期してフレーム単位で繰り返し供給される。この映像データDaは、例えば8ビットのディジタルデータであり、画素110の濃淡(階調レベル)を最も暗い「0」から最も明るい「255」までの256階調で指定する。
制御回路20は、垂直同期信号Vs、水平同期信号Hsおよびドットクロック信号Clkに基づいて、制御信号やクロック信号などを生成して各部を制御する。
メモリー30は、縦480行×横640列で配列する画素110の各々に対応した記憶領域をそれぞれ有する。なお、メモリー30の各記憶領域には、制御回路20による指示にしたがって、それぞれに対応する画素の映像データDaが格納される一方で、例えば1フレーム経過後に、液晶パネル100における書込走査に応じて第1フィールドおよび第2フィールドにおいて計2回、映像データDbとして読み出される構成となっている。
D/A変換回路40は、読み出された映像データDbを階調レベルに応じた電圧であって、かつ、極性指定信号Polによって指定された極性の電圧のデータ信号Vidに変換するものである。詳細には、D/A変換回路40は、極性指定信号Polによって正極性が指示されていれば電圧Vcを基準として高位側電圧に変換する一方、負極性が指示されていれば電圧Vcを基準として低位側電圧に変換し、データ信号Vidとして出力する。
Video data Da is repeatedly supplied to the electro-optical device 1 in units of frames in synchronization with a vertical synchronization signal Vs, a horizontal synchronization signal Hs, and a dot clock signal Clk from a host device (not shown). The video data Da is, for example, 8-bit digital data, and the shade (gradation level) of the pixel 110 is designated by 256 gradations from the darkest “0” to the brightest “255”.
The control circuit 20 generates a control signal, a clock signal, and the like based on the vertical synchronization signal Vs, the horizontal synchronization signal Hs, and the dot clock signal Clk, and controls each unit.
The memory 30 has storage areas corresponding to the respective pixels 110 arranged in 480 rows × 640 columns. Each storage area of the memory 30 stores the video data Da of the corresponding pixel according to the instruction from the control circuit 20, while responding to the writing scan in the liquid crystal panel 100 after one frame, for example. Thus, the video data Db is read twice in total in the first field and the second field.
The D / A conversion circuit 40 converts the read video data Db into a data signal Vid having a voltage corresponding to the gradation level and having a polarity designated by the polarity designation signal Pol. . Specifically, the D / A conversion circuit 40 converts the voltage Vc to the higher voltage when the positive polarity is instructed by the polarity designation signal Pol, while the voltage Vc is the reference when the negative polarity is instructed. As a data signal Vid.

なお、電圧Vcは、データ信号Vidの振幅中心であり、画素110への書込極性の基準であって、後述する電源電圧VH、VL(図5、図9等参照)のほぼ中間電圧である。換言すれば、本実施形態では、データ信号Vidの極性については、電圧Vcよりも高位側を正極性とし、低位側を負極性としている。一方、電圧については、特に説明のない限り、電圧VL(=Gnd)を基準とする。
また、データ信号の極性を反転する理由は、画素を交流駆動するためである。本実施形態にあっては、後述するフィールドにわたってすべての画素を同一極性とし、かつ、フィールド毎に極性を反転させる面反転方式としている。
The voltage Vc is the center of the amplitude of the data signal Vid, is a reference for the writing polarity to the pixel 110, and is substantially an intermediate voltage between power supply voltages VH and VL (see FIG. 5, FIG. 9 and the like) described later. . In other words, in the present embodiment, regarding the polarity of the data signal Vid, the higher side than the voltage Vc has a positive polarity, and the lower side has a negative polarity. On the other hand, the voltage VL (= Gnd) is used as a reference unless otherwise specified.
The reason for inverting the polarity of the data signal is to drive the pixel AC. In the present embodiment, a surface inversion method is adopted in which all pixels have the same polarity over a field to be described later, and the polarity is inverted for each field.

図2は、画素110の等価回路を示す図であり、i行目及びこれに下方向で隣接する(i+1)行目と、j列目及びこれに右方向で隣接する(j+1)列目との交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。
ここで、i、(i+1)は、画素110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上480以下の整数であり、j、(j+1)は、画素110が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上640以下の整数である。
FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the pixel 110. The i-th row and the (i + 1) th row adjacent to the i-th row in the downward direction, the j-th column and the (j + 1) -th column adjacent to the j-th row in the right direction, and FIG. A configuration of a total of 4 pixels of 2 × 2 corresponding to the intersections is shown.
Here, i and (i + 1) are symbols for generally indicating the row in which the pixels 110 are arranged, are integers of 1 to 480, and j and (j + 1) are columns in which the pixels 110 are arranged. In general, the symbol is an integer of 1 to 640.

図2に示されるように、各画素110は、画素トランジスターとして機能するnチャネル型の薄膜トランジスター(thin film transistor:以下単に「TFT」と略称する)116と、液晶容量(画素容量)120と、補助容量130とを有する。
各画素110については互いに同一構成なので、i行j列に位置するもので代表して説明すると、当該i行j列の画素110において、TFT116のゲート電極はi行目の走査線112に接続される一方、そのソース電極はj列目のデータ線114に接続され、そのドレイン電極は、液晶容量120の一端である画素電極118及び補助容量130の一端にそれぞれ接続されている。
液晶容量120の他端は、コモン電極108に接続されている。コモン電極108は、図1に示されるように全ての画素110にわたって共通である。また、第1実施形態においては、コモン電極108には時間的に一定の電圧LCcomが外部から印加される構成となっている。
一方、補助容量130の他端はi行目の容量線132に接続されている。第1実施形態において、i行目の容量線132には、当該i行目の補助容量130の他端がそれぞれ共通接続されている。
As shown in FIG. 2, each pixel 110 includes an n-channel thin film transistor (hereinafter simply referred to as “TFT”) 116 that functions as a pixel transistor, a liquid crystal capacitor (pixel capacitor) 120, And an auxiliary capacitor 130.
Since each pixel 110 has the same configuration, a description will be given by representatively assuming that the pixel 110 is located in the i row and j column. In the pixel 110 in the i row and j column, the gate electrode of the TFT 116 is connected to the scanning line 112 in the i row. On the other hand, the source electrode is connected to the data line 114 in the j-th column, and the drain electrode is connected to the pixel electrode 118 that is one end of the liquid crystal capacitor 120 and one end of the auxiliary capacitor 130, respectively.
The other end of the liquid crystal capacitor 120 is connected to the common electrode 108. The common electrode 108 is common to all the pixels 110 as shown in FIG. In the first embodiment, the common electrode 108 is configured to be applied with a constant voltage LCcom from the outside.
On the other hand, the other end of the auxiliary capacitor 130 is connected to the i-th capacitor line 132. In the first embodiment, the other end of the i-th auxiliary capacitor 130 is commonly connected to the i-th capacitor line 132.

なお、図2において、Y(i)、Y(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の走査線112に供給される走査信号を示し、Com(i)、Com(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の容量線132に供給される容量信号を示している。また、Pix(i,j)、Pix(i+1,j)は、それぞれi行j列、(i+1)行j列の画素電極118補助容量130の一端)の電圧を識別するための記号である。Cpixは液晶容量120の容量値を表し、Csは補助容量130の容量値を表している。   In FIG. 2, Y (i) and Y (i + 1) indicate scanning signals supplied to the scanning lines 112 in the i and (i + 1) th rows, respectively, and Com (i) and Com (i + 1). ) Indicate capacitance signals supplied to the capacitance lines 132 in the i and (i + 1) th rows, respectively. Pix (i, j) and Pix (i + 1, j) are symbols for identifying the voltages of the pixel electrodes 118 of the auxiliary capacitor 130 in i row and j column and (i + 1) row and j column, respectively. is there. Cpix represents the capacitance value of the liquid crystal capacitor 120, and Cs represents the capacitance value of the auxiliary capacitor 130.

液晶パネル100は、特に図示しないが、画素電極118が形成された素子基板とコモン電極108が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に例えばVA(Vertical Alignment)型の液晶105を挟持した構成となっている。このため、液晶容量120は、ノーマリーブラックモードに設定され、画素電極118とコモン電極108とによって誘電体の一種である液晶105を挟持して、画素電極118に印加されるデータ信号の電圧とコモン電極108に印加される電圧LCcomとの差に相当する電圧を保持することになる。
液晶容量120では、画素電極118およびコモン電極108によって生じる電界に応じて液晶105の配向状態が変化するので、液晶容量120は、保持電圧に応じた透過率となる。したがって、液晶パネル100では、液晶容量120毎に透過率が変化するので、当該液晶容量120が、表示すべき画像の最小単位である画素に相当することになる。ただし、本説明では便宜的または習慣的に、TFT116、液晶容量120および補助容量130を含めた回路を画素110と称している。
Although not particularly illustrated, the liquid crystal panel 100 has a certain gap between a pair of substrates, an element substrate on which the pixel electrode 118 is formed and a counter substrate on which the common electrode 108 is formed, so that the electrode formation surfaces face each other. For example, a VA (Vertical Alignment) type liquid crystal 105 is sandwiched in the gap. For this reason, the liquid crystal capacitor 120 is set in a normally black mode, and the pixel electrode 118 and the common electrode 108 sandwich the liquid crystal 105 which is a kind of dielectric, and the voltage of the data signal applied to the pixel electrode 118 A voltage corresponding to the difference from the voltage LCcom applied to the common electrode 108 is held.
In the liquid crystal capacitor 120, since the alignment state of the liquid crystal 105 changes according to the electric field generated by the pixel electrode 118 and the common electrode 108, the liquid crystal capacitor 120 has a transmittance according to the holding voltage. Therefore, in the liquid crystal panel 100, since the transmittance changes for each liquid crystal capacitor 120, the liquid crystal capacitor 120 corresponds to a pixel that is the minimum unit of an image to be displayed. However, in this description, for convenience or custom, a circuit including the TFT 116, the liquid crystal capacitor 120, and the auxiliary capacitor 130 is referred to as a pixel 110.

次に、上位装置から供給される映像データDaと液晶パネル100の書込走査との関係について図3を参照して説明する。なお、この図において縦軸は、映像データDa、Dbが規定する画素の行を示し、横軸は、経過時間を示している。
映像データDaは、上位装置から垂直同期信号Vs、水平走査信号Hsおよびドットクロック信号Clkに同期して、詳細には、1行1列〜1行640列、2行1列〜2行640列、3行1列〜3行640列、…、480行1列〜480行640列という順番で、画素毎に供給される。このため、1フレームにおける映像データDaの供給状態は、図3の(a)に示されるように、おおよそ右下がりの斜め線によって示される。
この映像データDaは、一旦メモリー30に格納され、1フレーム経過後に、1フレームにおいて2回、上位装置からの供給時よりも高い速度で読み出される。このため、図3の(b)に示されるように、映像データDbの供給を示す斜め線の傾きは、映像データDaの供給を示す傾きよりも大きくなる。
Next, the relationship between the video data Da supplied from the host device and the writing scan of the liquid crystal panel 100 will be described with reference to FIG. In this figure, the vertical axis indicates the row of pixels defined by the video data Da and Db, and the horizontal axis indicates the elapsed time.
The video data Da is synchronized with the vertical synchronizing signal Vs, the horizontal scanning signal Hs and the dot clock signal Clk from the host device, and more specifically, 1 row 1 column to 1 row 640 column, 2 rows 1 column to 2 rows 640 column. 3 rows and 1 column to 3 rows and 640 columns,... 480 rows and 1 column to 480 rows and 640 columns are supplied for each pixel. For this reason, the supply state of the video data Da in one frame is indicated by a slanting line that descends to the right as shown in FIG.
This video data Da is temporarily stored in the memory 30, and after one frame has elapsed, it is read out twice at a higher rate than when it is supplied from the host device in one frame. For this reason, as shown in FIG. 3B, the inclination of the oblique line indicating the supply of the video data Db is larger than the inclination indicating the supply of the video data Da.

なお、本説明において、フレームとは、1カット(コマ)分の映像データが上位装置から供給される期間をいい、垂直同期信号Vsの周波数が60Hzである場合、その1周期分の16.67ミリ秒の期間をいう。ここで、あるフレーム(「nフレーム」と表記する)の映像データDaが一旦メモリー30に格納された後に映像データDbとして読み出されるので、本実施形態では、映像データDaで規定されるフレームに対して、映像データDbで規定されるフレーム(液晶パネル100の書込走査を規定するフレーム)は遅延した関係となるが、フレームの時間長は同一である。
また、本実施形態において、映像データDbを1フレームにおいて2回読み出すので、1フレームが2つの期間に分割される。このうち、時間的に先の期間を第1フィールドと呼び、時間的に後の期間を第2フィールドと呼ぶことにする。
本実施形態において制御回路20は、図3の(c)に示されるように、極性指定信号Polを例えば第1フィールドにおいてHレベルとして正極性書込を指定し、第2フィールドにおいてLレベルとして負極性書込を指定する。
In this description, a frame refers to a period during which video data for one cut (frame) is supplied from the host device. When the frequency of the vertical synchronization signal Vs is 60 Hz, 16.67 for one cycle thereof. A period of milliseconds. Here, since video data Da of a certain frame (denoted as “n frame”) is temporarily stored in the memory 30 and then read out as video data Db, in the present embodiment, for the frame defined by the video data Da. Thus, the frame defined by the video data Db (the frame defining the writing scan of the liquid crystal panel 100) has a delayed relationship, but the time length of the frame is the same.
In the present embodiment, since the video data Db is read twice in one frame, one frame is divided into two periods. Among these, a period earlier in time is called a first field, and a period later in time is called a second field.
In the present embodiment, as shown in FIG. 3C, the control circuit 20 designates the polarity designation signal Pol as the H level in the first field, for example, and designates the positive polarity writing, and designates the negative polarity as the L level in the second field. Specifies sex writing.

次に、図4を参照して、走査線駆動回路140の構成について説明する。図4は、走査線駆動回路140の一例を示す回路図である。
この図に示されるように、走査線駆動回路140は、インバーター(NOT回路)141、142、複数セットのnチャネル型TFT143a、143b、143c、143d、複数のバッファー144および複数のAND回路145を有する。このうち、バッファー144およびAND回路145は、各行に対応して設けられている。
インバーター141は、制御回路20から供給されるクロック信号Clyの論理レベルを反転して、反転クロック信号/Clyとして出力し、インバーター142は、反転クロック信号/Clyの論理レベルを再反転して出力する。このため、インバーター142が出力するクロック信号の論理レベルは、クロック信号Clyと同一となる。
Next, the configuration of the scanning line driving circuit 140 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of the scanning line driving circuit 140.
As shown in this figure, the scanning line driving circuit 140 includes inverters (NOT circuits) 141 and 142, a plurality of sets of n-channel TFTs 143a, 143b, 143c, and 143d, a plurality of buffers 144, and a plurality of AND circuits 145. . Among these, the buffer 144 and the AND circuit 145 are provided corresponding to each row.
The inverter 141 inverts the logic level of the clock signal Cly supplied from the control circuit 20 and outputs it as the inverted clock signal / Cly, and the inverter 142 reinverts and outputs the logic level of the inverted clock signal / Cly. . Therefore, the logic level of the clock signal output from the inverter 142 is the same as that of the clock signal Cly.

TFT143a、143bは、偶数(0、2、4、…、478、480)行目に対応しても受けられ、TFT143c、143dは、奇数(1、3、5、…、479、481)行目に対応して設けられている。
なお、液晶パネル100においては、1〜480行目の走査線112が設けられるが、走査線駆動回路140においては、さらにダミーの0行目および481行目に対応している。ただし、この0行目および481行目は、液晶パネル100の垂直走査には何ら寄与しない。
The TFTs 143a and 143b are also received corresponding to the even (0, 2, 4, ..., 478, 480) rows, and the TFTs 143c and 143d are the odd (1, 3, 5, ..., 479, 481) rows. It is provided corresponding to.
In the liquid crystal panel 100, the scanning lines 112 in the 1st to 480th rows are provided, but in the scanning line driving circuit 140, they correspond to dummy 0th and 481th rows. However, the 0th and 481th rows do not contribute to the vertical scanning of the liquid crystal panel 100 at all.

偶数行目において、TFT143aのソース電極は、原則的に、1行前の奇数行目に対応するTFT143dのソース電極に接続され、偶数行目に対応するTFT143a、143bのドレイン電極同士は、当該偶数行目に対応するバッファー144の入力端に共通接続されている。なお、最初の0行目に対応するTFT143aのソース電極は、例外的に、スタートパルスDyが供給される信号線146に接続されている。TFT143aのゲート電極には反転クロック信号/Clyが供給され、TFT143bのゲート電極にはクロック信号Clyが供給される。
一方、奇数行目に対応するTFT143cのソース電極は、1行前の偶数行目に対応するTFT143bのソース電極に接続され、奇数行目に対応するTFT143c、143dのドレイン電極同士は、当該奇数行目に対応するバッファー144の入力端に共通接続されている。TFT143cのゲート電極にはクロック信号Clyが供給され、TFT143dのゲート電極には反転クロック信号/Clyが供給される。
In the even-numbered row, the source electrode of the TFT 143a is in principle connected to the source electrode of the TFT 143d corresponding to the odd-numbered row one row before, and the drain electrodes of the TFTs 143a and 143b corresponding to the even-numbered row are connected to the even-numbered row. It is commonly connected to the input terminal of the buffer 144 corresponding to the line. Note that the source electrode of the TFT 143a corresponding to the first 0th row is exceptionally connected to the signal line 146 to which the start pulse Dy is supplied. The inverted clock signal / Cly is supplied to the gate electrode of the TFT 143a, and the clock signal Cly is supplied to the gate electrode of the TFT 143b.
On the other hand, the source electrode of the TFT 143c corresponding to the odd-numbered row is connected to the source electrode of the TFT 143b corresponding to the even-numbered row before the first row, and the drain electrodes of the TFTs 143c and 143d corresponding to the odd-numbered row are connected to the odd-numbered row. Commonly connected to the input terminal of the buffer 144 corresponding to the eyes. The clock signal Cly is supplied to the gate electrode of the TFT 143c, and the inverted clock signal / Cly is supplied to the gate electrode of the TFT 143d.

偶数行目に対応するバッファー144の出力端は、自行に対応するTFT143bのソース電極および次行に対応するTFT143cのソース電極の接続点と、次行に対応するAND回路145の入力端の一方と、自行に対応するAND回路145の入力端の他方とに、それぞれ接続されている。
一方、奇数行目に対応するバッファー144の出力端は、自行に対応するTFT143dのソース電極および次行に対応するTFT143aのソース電極の接続点と、次行に対応するAND回路145の入力端の一方と、自行に対応するAND回路145の入力端の他方とに、それぞれ接続されている。ただし、ダミーの481行目に対応するバッファー144の出力端は、次の482行目が存在しないので、自行に対応するTFT143dのソース電極、および、自行に対応するAND回路481の入力端の他方にのみに接続されている。
また、0、1、2、3、…、480、481行目のバッファー145から出力される信号を、便宜的にそれぞれN0、N1、N2、N3、…、N480、N481と表記する。
The output terminal of the buffer 144 corresponding to the even-numbered row has a connection point between the source electrode of the TFT 143b corresponding to the own row and the source electrode of the TFT 143c corresponding to the next row, and one of the input ends of the AND circuit 145 corresponding to the next row. , And the other input terminal of the AND circuit 145 corresponding to the own row.
On the other hand, the output end of the buffer 144 corresponding to the odd-numbered row is the connection point between the source electrode of the TFT 143d corresponding to the own row and the source electrode of the TFT 143a corresponding to the next row, and the input end of the AND circuit 145 corresponding to the next row. One is connected to the other input terminal of the AND circuit 145 corresponding to the own row. However, since the output terminal of the buffer 144 corresponding to the dummy 481 line does not have the next 482 line, the other of the source electrode of the TFT 143 d corresponding to the own line and the input terminal of the AND circuit 481 corresponding to the own line Only connected to.
Also, the signals output from the buffers 145 in the 0th, 1st, 2nd, 3rd,..., 480, 481 rows are denoted as N0, N1, N2, N3,.

各行のAND回路145は、原則として、前行に対応するバッファー144の出力信号を入力端の一方に入力し、自行に対応するバッファー144の出力信号を入力端の他方に入力して、両者信号の論理積信号を出力する。ただし、最初の0行目に対応するAND回路145は、前行が存在しないので、例外的に、一方の入力端は信号線146に接続されて、スタートパルスDyと0行目に対応するバッファー144の出力信号との論理積信号を出力する。
なお、0、1、2、3、…、480、481行目のAND回路145から出力される論理積信号(パルス信号)が、それぞれ図示省略したバッファーを経て走査信号Y0、Y1、Y2、Y3、…、Y480、Y481として出力される。
In principle, the AND circuit 145 of each row inputs the output signal of the buffer 144 corresponding to the previous row to one of the input ends, and inputs the output signal of the buffer 144 corresponding to the own row to the other input end, The logical product signal of is output. However, since the AND circuit 145 corresponding to the first 0th row has no previous row, one input terminal is exceptionally connected to the signal line 146, and the start pulse Dy and the buffer corresponding to the 0th row are connected. A logical product signal with the output signal 144 is output.
Note that logical product signals (pulse signals) output from the AND circuits 145 in the 0th, 1st, 2nd, 3rd,... ,..., Y480, Y481 are output.

このような構成の走査線駆動回路140の動作について簡単に説明する。
クロック信号Clyが電源の低位側電圧VLに相当するLレベルであって、反転クロック信号/Clyが電源の高位側電圧VHに相当するHレベルであるとき、奇数行目においてTFT143cがオフ(ソース・ドレイン電極間が非導通状態)になり、TFT143dがオン(ソース・ドレイン電極間が導通状態)になる。このため、奇数行目のバッファー144は、自身の出力端が入力端に接続されることによって保持回路を構成することになる。一方、奇数行の次の偶数行目のTFT143aがオンするので、奇数行目のバッファー144によって保持された電圧状態は、当該奇数行の次の偶数行目におけるバッファー144からも出力されることになる。
次に、クロック信号ClyがHレベル(反転クロック信号/ClyがLレベル)になると、TFT143dがオフするので、奇数行目のバッファー144による保持動作が解除される。また、TFT143aもオフするので、当該偶数行よりも1行前の奇数行目のバッファー144の出力端が、当該偶数行のバッファー144の入力端に接続された状態も解除される。
一方、クロック信号ClyがHレベルであると、TFT143bがオンするので、今度は、偶数行目のバッファー144が保持回路を構成して、直前の電圧状態を保持することになる。また、TFT143cもオンするので、偶数行目のバッファー144によって保持された電圧状態は、当該偶数行の次の奇数行目におけるバッファー144からも出力されることになる。
The operation of the scanning line driving circuit 140 having such a configuration will be briefly described.
When the clock signal Cly is at the L level corresponding to the low voltage VL of the power supply and the inverted clock signal / Cly is at the H level corresponding to the high voltage VH of the power supply, the TFT 143c is turned off (source- The drain electrode is in a non-conductive state), and the TFT 143d is turned on (the source / drain electrode is in a conductive state). For this reason, the buffer 144 in the odd-numbered row constitutes a holding circuit by connecting its output terminal to the input terminal. On the other hand, since the TFT 143a in the even row next to the odd row is turned on, the voltage state held by the buffer 144 in the odd row is also output from the buffer 144 in the even row next to the odd row. Become.
Next, when the clock signal Cly becomes H level (the inverted clock signal / Cly is L level), the TFT 143d is turned off, so that the holding operation by the buffer 144 in the odd-numbered row is released. In addition, since the TFT 143a is also turned off, the state where the output terminal of the odd-numbered buffer 144 preceding the even-numbered line is connected to the input terminal of the even-numbered buffer 144 is also released.
On the other hand, when the clock signal Cly is at the H level, the TFT 143b is turned on, and this time, the even-numbered buffer 144 constitutes a holding circuit and holds the previous voltage state. Since the TFT 143c is also turned on, the voltage state held by the even-numbered buffer 144 is also output from the buffer 144 in the odd-numbered row next to the even-numbered row.

図5に示されるように、第1フィールドおよび第2フィールドの開始に先立ってスタートパルスDyが供給されると、当該スタートパルスDyのHレベルは、クロック信号ClyがLレベル(反転クロック信号/ClyがHレベル)であるときに0行目のTFT143aのオンによって取り込まれるため、0行目のバッファー144の出力である信号N0は、Hレベルになる。
次に、クロック信号ClyがHレベルになると、TFT143b、143cがオンするので、0行目のバッファー144は、直前の電圧状態であるHレベルの状態を保持するとともに、当該電圧状態が、1行目のバッファー144からも出力される。このため、信号N1がHレベルになる。
クロック信号Clyが再びLレベルになると、スタートパルスDyのLレベルの部分が0行目のTFT143aのオンによって取り込まれるため、信号N0はLレベルになる。また、TFT143a、143dがオンするので、1行目のバッファー144は、直前の電圧状態であるHレベルの状態を保持するとともに、当該電圧状態が、2行目のバッファー144から出力される。このため、信号N2がHレベルになる。
以下、このような動作が、クロック信号Clyの論理レベルが反転する毎に繰り返されるので、信号N1、N2、N3、…、N479、N480は、信号N0をクロック信号Clyの半周期分ずつ順次遅延させたものとなる。
As shown in FIG. 5, when the start pulse Dy is supplied prior to the start of the first field and the second field, the H level of the start pulse Dy becomes the L level (inverted clock signal / Cly). Is at the H level), the signal N0 that is the output of the buffer 144 at the 0th row is at the H level.
Next, when the clock signal Cly becomes H level, the TFTs 143b and 143c are turned on, so that the buffer 144 in the 0th row holds the H level state which is the previous voltage state and the voltage state is 1 row. Also output from the eye buffer 144. Therefore, the signal N1 becomes H level.
When the clock signal Cly becomes L level again, the L level portion of the start pulse Dy is captured when the TFT 143a in the 0th row is turned on, so that the signal N0 becomes L level. Further, since the TFTs 143a and 143d are turned on, the buffer 144 in the first row holds the H level state which is the previous voltage state, and the voltage state is output from the buffer 144 in the second row. Therefore, the signal N2 becomes H level.
Thereafter, such an operation is repeated every time the logic level of the clock signal Cly is inverted, so that the signals N1, N2, N3,..., N479, N480 sequentially delay the signal N0 by half a cycle of the clock signal Cly. It will be what you let.

AND回路145は、自行よりも1行前のバッファー144による出力信号と、自行のバッファー144による出力信号との論理積信号を走査信号として出力する。このため、走査信号Y1は、信号N1のHレベルと信号N1のHレベルとの重複部分となり、以下、走査信号Y2、Y3、…、Y479、Y480は、走査信号Y1をクロック信号Clyの半周期分ずつ順次させたものとなる。
なお、図5において、期間F1aは、第1フィールドにおける液晶パネル100の垂直有効走査期間であり、第1フィールドの開始に先立って供給されたスタートパルスDyによって走査信号Y1がHレベルに変化してから走査信号Y480がLレベルに変化するまでの期間である。期間F1bは、第1フィールドにおける液晶パネル100の垂直帰線期間であり、第1フィールドの開始に先立って供給されたスタートパルスDyによって走査信号Y480がLレベルに変化してから第2フィールドの開始に先立って供給されたスタートパルスDyによって走査信号Y1がHレベルに変化するまでの期間である。
同様に、期間F2aは、第2フィールドにおける液晶パネル100の垂直有効走査期間であり、第2フィールドの開始に先立って供給されたスタートパルスDyによって走査信号Y1がHレベルに変化してから走査信号Y480がLレベルに変化するまでの期間である。期間F2bは、第2フィールドにおける液晶パネル100の垂直帰線期間であり、第2フィールドの開始に先立って供給されたスタートパルスDyによって走査信号Y480がLレベルに変化してから、次フレームの第1フィールドの開始に先立って供給されたスタートパルスDyによって走査信号Y1がHレベルに変化するまでの期間である。
The AND circuit 145 outputs a logical product signal of the output signal from the buffer 144 one row before the own row and the output signal from the buffer 144 of the own row as a scanning signal. For this reason, the scanning signal Y1 is an overlapping portion of the H level of the signal N1 and the H level of the signal N1, and hereinafter, the scanning signals Y2, Y3,..., Y479, Y480 are the scanning signal Y1 and the half cycle of the clock signal Cly. It will be the one that is made to sequentially.
In FIG. 5, a period F1a is a vertical effective scanning period of the liquid crystal panel 100 in the first field, and the scanning signal Y1 changes to H level by the start pulse Dy supplied prior to the start of the first field. Until the scanning signal Y480 changes to L level. The period F1b is a vertical blanking period of the liquid crystal panel 100 in the first field, and the start of the second field after the scanning signal Y480 changes to L level by the start pulse Dy supplied prior to the start of the first field. This is a period until the scanning signal Y1 is changed to the H level by the start pulse Dy supplied prior to.
Similarly, the period F2a is a vertical effective scanning period of the liquid crystal panel 100 in the second field, and the scanning signal Y1 changes to H level by the start pulse Dy supplied prior to the start of the second field. This is the period until Y480 changes to the L level. The period F2b is a vertical blanking period of the liquid crystal panel 100 in the second field, and after the scanning signal Y480 changes to L level by the start pulse Dy supplied prior to the start of the second field, This is a period until the scanning signal Y1 changes to the H level by the start pulse Dy supplied prior to the start of one field.

続いて説明の便宜上、図8を参照して、データ線駆動回路190の構成について説明する。図8は、データ線駆動回路190の一例を示す回路図である。
この図に示されるように、データ線駆動回路190は、サンプリング信号出力回路192と、データ線114毎に設けられるnチャネル型のTFT194とを有する。また、信号線196には、D/A変換回路40によって変換されたデータ信号Vidが供給される。
サンプリング信号出力回路192は、制御回路20から供給されるスタートパルスDxおよびクロック信号Clxに基づいて、各列に対応したサンプリング信号S1、S2、S3、…、S639、S640をそれぞれ出力するものである。
各列に設けられるTFT194は、そのソース電極が信号線196に接続され、そのドレイン電極が列に対応するデータ線114に接続され、そのゲート電極には、列に対応するサンプリング信号が供給される。したがって、ある列のサンプリング信号がHレベルになると、当該列のTFT194がオンして、信号線196に供給されたデータ信号Vidが当該列のデータ線114にサンプリングされる構成となっている。
Next, for convenience of description, the configuration of the data line driving circuit 190 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a circuit diagram illustrating an example of the data line driving circuit 190.
As shown in this figure, the data line driving circuit 190 includes a sampling signal output circuit 192 and an n-channel TFT 194 provided for each data line 114. Further, the data signal Vid converted by the D / A conversion circuit 40 is supplied to the signal line 196.
The sampling signal output circuit 192 outputs sampling signals S1, S2, S3,..., S639, S640 corresponding to each column based on the start pulse Dx and the clock signal Clx supplied from the control circuit 20, respectively. .
The TFT 194 provided in each column has a source electrode connected to the signal line 196, a drain electrode connected to the data line 114 corresponding to the column, and a sampling signal corresponding to the column supplied to the gate electrode. . Therefore, when the sampling signal of a certain column becomes H level, the TFT 194 of the column is turned on, and the data signal Vid supplied to the signal line 196 is sampled on the data line 114 of the column.

図9は、サンプリング信号出力回路192によって出力されるサンプリング信号S1、S2、S3、…、S639、S640の波形を示す図である。サンプリング信号出力回路192は、走査線駆動回路140と同様にして、スタートパルスDxをクロック信号Clxにしたがって順次転送し、サンプリング信号として出力する。このため、サンプリング信号S1、S2、S3、…、S639、S640は、クロック信号Clxの半周期分に相当するHレベルのパルスを、クロック信号Clxの半周期分ずつ順次遅延させたものとなる。
なお、図9においては、第1フィールドおよび第2フィールドに供給されるデータ信号Vidの電圧波形の一例も示されている。
図3に示したように第1フィールドにおいては正極性書込が指定されるので、図9に示されるように、第1フィールドのデータ信号Vidは、黒色に相当する電圧Vb(+)から白色に相当する電圧Vw(+)までの範囲であって、指定される階調レベルが高く(明るく)なるにつれて、電圧Vcよりも高位側の電圧になる。
また、第2フィールドにおいては負極性書込が指定されるので、データ信号Vidは、黒色に相当する電圧Vb(-)から白色に相当する電圧Vw(-)までの範囲であって、指定される階調レベルが高く(明るく)なるにつれて、電圧Vcよりも低位側の電圧になる。
FIG. 9 is a diagram showing waveforms of sampling signals S1, S2, S3,..., S639, S640 output by the sampling signal output circuit 192. As shown in FIG. Similar to the scanning line driving circuit 140, the sampling signal output circuit 192 sequentially transfers the start pulse Dx according to the clock signal Clx and outputs it as a sampling signal. Therefore, the sampling signals S1, S2, S3,..., S639, S640 are obtained by sequentially delaying the H level pulse corresponding to the half cycle of the clock signal Clx by the half cycle of the clock signal Clx.
FIG. 9 also shows an example of the voltage waveform of the data signal Vid supplied to the first field and the second field.
Since positive polarity writing is designated in the first field as shown in FIG. 3, as shown in FIG. 9, the data signal Vid in the first field is white from the voltage Vb (+) corresponding to black. In the range up to the voltage Vw (+) corresponding to, the voltage becomes higher than the voltage Vc as the designated gradation level becomes higher (brighter).
Further, since negative polarity writing is designated in the second field, the data signal Vid is designated within the range from the voltage Vb (−) corresponding to black to the voltage Vw (−) corresponding to white. As the gradation level becomes higher (brighter), the voltage becomes lower than the voltage Vc.

このような構成において、i行目の走査線112が選択されると、すなわちi行目の走査信号Y(i)がHレベルになると、当該走査線112にゲート電極が接続されたi行目のTFT116がすべてオンになって、画素電極118がデータ線114に電気的に接続された状態になる。このため、走査信号Y(i)がHレベルであるときに、1〜640列目のデータ線114に対し、それぞれ階調レベルに応じた電圧のデータ信号Vidをサンプリングさせると、当該データ信号Vidは、オンのTFT116を介して画素電極118に印加される。走査信号Y(i)がLレベルになると、TFT116はオフになるが、画素電極118に印加された電圧は、液晶容量120および補助容量130の容量性によって保持される。
このような動作が、第1フィールドにおいて、1行目から480行目まで順番に実行されるとともに、ある1行でいえば、1列目から640列目までの画素について実行される。第1フィールドにおいて各画素電極118には、階調レベルに応じた正極性電圧がそれぞれ印加されるので、各液晶容量120は、印加・保持電圧に応じた透過率となる。
第2フィールドおいても、同様に1行目から480行目まで順番に実行される。第2フィールドにおいて各画素電極118には、階調レベルに応じた負極性電圧がそれぞれ印加されるが、各液晶容量120が、印加・保持電圧に応じた透過率になることについては第1フィールドと同様である。
1フレームのうち、第1フィールドでは階調レベルに応じた正極性電圧が画素電極118に印加され、第2フィールドでは同じ階調レベルに応じた負極性電圧が当該画素電極118に印加されるので、当該1フレームにおいて液晶容量120の交流駆動が完結することになる。
In such a configuration, when the i-th scanning line 112 is selected, that is, when the i-th scanning signal Y (i) becomes H level, the i-th scanning line 112 is connected to the gate electrode. All the TFTs 116 are turned on, and the pixel electrode 118 is electrically connected to the data line 114. Therefore, when the data signal Vid having a voltage corresponding to the gradation level is sampled on the data lines 114 in the first to 640th columns when the scanning signal Y (i) is at the H level, the data signal Vid is obtained. Is applied to the pixel electrode 118 via the TFT 116 which is turned on. When the scanning signal Y (i) becomes the L level, the TFT 116 is turned off, but the voltage applied to the pixel electrode 118 is held by the capacities of the liquid crystal capacitor 120 and the auxiliary capacitor 130.
Such an operation is executed in order from the first row to the 480th row in the first field, and for a certain one row, it is executed for the pixels from the first column to the 640th column. In the first field, a positive voltage corresponding to the gradation level is applied to each pixel electrode 118, so that each liquid crystal capacitor 120 has a transmittance corresponding to the applied / holding voltage.
Similarly, in the second field, the process is executed sequentially from the first line to the 480th line. In the second field, a negative voltage corresponding to the gradation level is applied to each pixel electrode 118, but the first field shows that each liquid crystal capacitor 120 has a transmittance corresponding to the applied / holding voltage. It is the same.
In one frame, a positive voltage corresponding to the gradation level is applied to the pixel electrode 118 in the first field, and a negative voltage corresponding to the same gradation level is applied to the pixel electrode 118 in the second field. Thus, AC driving of the liquid crystal capacitor 120 is completed in the one frame.

ところで、TFT116がオフであるときにおけるソース・ドレイン電極間の抵抗、すなわちオフ抵抗は、無限大であって無視できることが望ましいが、実際の液晶パネル100においては、当該オフ抵抗が無視できない。このため、TFT116がオンしたときに画素電極118に印加された電圧は、TFT116がオフに転じてから、リークによって時間経過とともに電圧LCcomに徐々に近づいてしまう、すなわち、液晶容量120の保持電圧は、実効値でみたときに低下してしまう現象が発生する。リークによる画素電極118の電圧変化方向は、正極性書込後であれば下降であり、負極性書込後であれば上昇である。また、リーク量(程度)は、正極性書込時と負極性書込時とで異なる場合が多い。   By the way, it is desirable that the resistance between the source and drain electrodes when the TFT 116 is off, that is, the off-resistance is infinite and can be ignored. However, in the actual liquid crystal panel 100, the off-resistance cannot be ignored. For this reason, the voltage applied to the pixel electrode 118 when the TFT 116 is turned on gradually approaches the voltage LCcom over time due to leakage after the TFT 116 turns off, that is, the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 is In other words, a phenomenon occurs that decreases when viewed as an effective value. The direction of voltage change of the pixel electrode 118 due to leakage is downward after positive writing, and is upward after negative writing. Further, the leak amount (degree) is often different between positive polarity writing and negative polarity writing.

このオフリークの影響について図19を参照して説明する。この図は、実施形態ではなく、1〜480行目の容量線132を、すなわち容量信号Com1〜Com480を、すべて電圧Vcomで一定に保った比較構成において発生するオフリークを示すための図である。また、この図は、i行j列の画素110における画素電極Pix(i,j)と、(i+1)行j列の画素110における画素電極Pix(i+1,j)との電圧変化を、それぞれに対応する走査信号Y(i)、Y(i+1)との関係において示す図でもある。   The influence of this off-leak will be described with reference to FIG. This diagram is not an embodiment but a diagram showing off-leakage that occurs in the comparison configuration in which the capacitor lines 132 in the first to 480th rows, that is, the capacitor signals Com1 to Com480 are all kept constant at the voltage Vcom. This figure also shows the voltage change between the pixel electrode Pix (i, j) in the pixel 110 in the i row and j column and the pixel electrode Pix (i + 1, j) in the pixel 110 in the (i + 1) row and j column. It is also a figure shown in relation to scanning signals Y (i) and Y (i + 1) corresponding to each.

ここで、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がHレベルになったときに、i行j列の階調レベルに応じた正極性のデータ信号が、j列目のデータ線114にサンプリングされているものとする。このときのデータ信号の電圧をVjとする。走査信号Y(i)がHレベルであれば、i行j列のTFT116がオンするので、液晶容量120の一端である画素電極Pix(i,j)は、同図に示されるように電圧Vjになる。次に、走査信号Y(i)がHからLレベルになったときに、画素電極Pix(i,j)の電圧は、i行j列のTFT116がオンからオフに変化したときのフィールドスルーによって電圧Vfだけ低下する。
ここで、フィールドスルーとは、TFT116がオンからオフに転じるときに、TFT116のゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、ドレイン電極に接続された画素電極118の電位が変化する現象をいう。当該現象は、「プッシュダウン」(TFTがnチャネル型である場合)、「突き抜け」などと呼ばれることもある。また、フィールドスルーによる電圧変化方向は、書込極性に関係なく一定方向であり、TFT116が本実施形態のようにnチャネル型であれば下降方向である。なお、TFT116がpチャネル型であれば、フィールドスルーによる電圧変化方向は、上昇方向である。
Here, when the scanning signal Y (i) becomes H level in the first field, a positive data signal corresponding to the gradation level of i row and j column is sampled on the data line 114 of the j column. It shall be. The voltage of the data signal at this time is Vj. If the scanning signal Y (i) is at the H level, the TFT 116 in the i row and the j column is turned on, so that the pixel electrode Pix (i, j) which is one end of the liquid crystal capacitor 120 has the voltage Vj as shown in FIG. become. Next, when the scanning signal Y (i) is changed from H to L level, the voltage of the pixel electrode Pix (i, j) is caused by field through when the TFT 116 in i row and j column changes from on to off. The voltage Vf decreases.
Here, field through refers to a phenomenon in which the potential of the pixel electrode 118 connected to the drain electrode changes due to the parasitic capacitance between the gate and drain electrodes of the TFT 116 when the TFT 116 turns from on to off. . This phenomenon is sometimes called “push-down” (when the TFT is an n-channel type), “push-through”, or the like. Further, the voltage change direction due to field through is a constant direction regardless of the write polarity, and if the TFT 116 is an n-channel type as in this embodiment, it is a downward direction. If the TFT 116 is a p-channel type, the direction of voltage change due to field through is an upward direction.

画素電極Pix(i,j)の電圧は、TFT116のフィールドスルーによって電圧Vfだけ低下した後、TFT116のオフリークに起因して時間経過とともに徐々に下降する。
第2フィールドにおいて走査信号Y(i)がHレベルになったときに、画素電極Pix(i,j)は、i行j列の階調レベルに応じた負極性のデータ信号の電圧になる。次に、画素電極Pix(i,j)の電圧は、走査信号Y(i)がHからLレベルになったときに、TFT116のフィールドスルーによって電圧上昇し、さらに、TFT116のオフリークに起因して時間経過とともに徐々に上昇することになる。
なお、次の(i+1)行目では、i行目に対して一水平走査期間(H)だけ遅延した動作となる。
The voltage of the pixel electrode Pix (i, j) decreases by the voltage Vf due to the field through of the TFT 116 and then gradually decreases with time due to off-leakage of the TFT 116.
When the scanning signal Y (i) becomes H level in the second field, the pixel electrode Pix (i, j) becomes the voltage of the negative polarity data signal according to the gradation level of i row and j column. Next, when the scanning signal Y (i) changes from H to L level, the voltage of the pixel electrode Pix (i, j) rises due to the field through of the TFT 116, and further, due to off-leakage of the TFT 116. It will gradually rise over time.
In the next (i + 1) -th row, the operation is delayed by one horizontal scanning period (H) with respect to the i-th row.

このように液晶容量120の保持電圧がオフリークによって低下すると、表示ムラや、直流成分の印加による液晶105の劣化などの原因になる。
そこで、第1実施形態では、第1に、オフリークによる液晶容量120の保持電圧の低下を、容量線132の電圧変化によって補償して、オフリークの影響を小さくさせる構成とした。ここで、TFT116のオフリークが発生する期間は、図19に示されるように、i行目でいえば走査信号Y(i)がLレベルである期間であり、(i+1)行目でいえば走査信号Y(i+1)がLレベルである期間であるから、行毎に異なる。このため、各行に対して、オフリークの影響を均等に小さくするためには、行毎に容量線132を電圧変化させる構成としなければならない。
そこで、第1実施形態では、第2に、容量線駆動回路160に行毎に単位回路170を設けて、対応する容量線132への電圧を個別に変化させる構成とした。
Thus, when the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 is reduced due to off-leakage, it causes display unevenness and deterioration of the liquid crystal 105 due to application of a DC component.
Therefore, in the first embodiment, first, a configuration in which the decrease in the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 due to off-leakage is compensated for by the voltage change of the capacitor line 132 to reduce the influence of off-leakage. Here, the period during which the TFT 116 has an off-leakage is a period in which the scanning signal Y (i) is at the L level in the i-th row and the scanning in the (i + 1) -th row, as shown in FIG. Since this is a period in which the signal Y (i + 1) is at the L level, it differs for each row. For this reason, in order to uniformly reduce the influence of off-leakage for each row, the voltage of the capacitor line 132 must be changed for each row.
Thus, in the first embodiment, secondly, the unit circuit 170 is provided for each row in the capacitor line driving circuit 160, and the voltage to the corresponding capacitor line 132 is individually changed.

図6は、容量線駆動回路160のうち、1行分の容量線132を駆動するための単位回路170の構成を示す回路図であり、図7は、単位回路170における動作を説明するための電圧波形図である。なお、図6および図7では、当該単位回路170がi行目に対応しているものとしている。
まず、図6に示されるように、単位回路170には、遅延回路1702と、バッファー1704と、NOR回路1706、インバーター1708、T−FF(トグル型フリップフロップ)1710、nチャネル型のTFT1720、1722、1724、1726、1730、1732、1734、1736が含まれる。
i行目の単位回路170では、当該i行目の走査信号Y(i)が、遅延回路1702と、NOR回路1706のうち一方の入力端と、T−FF1710の反転クロック入力端(CL)とにそれぞれ供給されている。
遅延回路1702は、入力信号に対し時間量Taだけ遅延させ、その遅延信号D(i)を、バッファー1704の入力端とNOR回路1706のうち他方の入力端とにそれぞれ供給する。本実施形態において時間量Taは、後述するように、走査信号がLレベルに変化してから、当該変化によるカップリングノイズ等の影響が無視できる程度となるまでの時間に設定されている。遅延回路1702の出力信号は、バッファー1704を介し、TFT1722、1732の共通ゲート電極に供給される。
ここで、バッファー1704では、出力信号の論理レベルを入力信号の論理レベルから変化させないので、バッファー1704から出力される信号の論理レベルは、遅延回路1702による遅延信号D(i)と同視している。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a unit circuit 170 for driving one row of capacitor lines 132 in the capacitor line driving circuit 160, and FIG. 7 is a diagram for explaining an operation in the unit circuit 170. It is a voltage waveform diagram. In FIG. 6 and FIG. 7, it is assumed that the unit circuit 170 corresponds to the i-th row.
First, as shown in FIG. 6, the unit circuit 170 includes a delay circuit 1702, a buffer 1704, a NOR circuit 1706, an inverter 1708, a T-FF (toggle flip-flop) 1710, and n-channel TFTs 1720 and 1722. 1724, 1726, 1730, 1732, 1734, 1736.
In the unit circuit 170 in the i-th row, the scanning signal Y (i) in the i-th row receives the delay circuit 1702, one input terminal of the NOR circuit 1706, and the inverted clock input terminal (CL) of the T-FF 1710. Are supplied to each.
The delay circuit 1702 delays the input signal by a time amount Ta, and supplies the delayed signal D (i) to the input terminal of the buffer 1704 and the other input terminal of the NOR circuit 1706, respectively. In the present embodiment, as will be described later, the time amount Ta is set to a time from when the scanning signal changes to the L level until the influence of coupling noise or the like due to the change becomes negligible. The output signal of the delay circuit 1702 is supplied to the common gate electrode of the TFTs 1722 and 1732 via the buffer 1704.
Here, since the buffer 1704 does not change the logic level of the output signal from the logic level of the input signal, the logic level of the signal output from the buffer 1704 is equated with the delay signal D (i) from the delay circuit 1702. .

NOR回路1706は、走査信号Y(i)と、当該走査信号Y(i)の遅延信号D(i)との否定論理和信号を求め、当該否定論理和信号を、i行目の選択信号L(i)としてTFT1726のゲート電極に供給する。インバーター1708は、NOR回路1706による否定論理和信号の論理レベルを反転した信号を、すなわち走査信号Y(i)と遅延信号D(i)との論理和信号を、i行目の選択信号R(i)としてTFT1736のゲート電極に供給する。したがって、選択信号L(i)、R(i)の論理レベルは、互いに排他的になるので、TFT1726、1736は、一方がオンしていれば他方がオフし、一方がオフしていれば他方がオンする関係になる。   The NOR circuit 1706 obtains a negative logical sum signal of the scanning signal Y (i) and the delayed signal D (i) of the scanning signal Y (i), and uses the negative logical sum signal as the selection signal L in the i-th row. As (i), it is supplied to the gate electrode of the TFT 1726. The inverter 1708 outputs a signal obtained by inverting the logical level of the negative logical sum signal from the NOR circuit 1706, that is, a logical sum signal of the scanning signal Y (i) and the delay signal D (i), and a selection signal R ( i) is supplied to the gate electrode of the TFT 1736. Therefore, since the logic levels of the selection signals L (i) and R (i) are mutually exclusive, the TFTs 1726 and 1736 are turned off when one is turned on and turned off when the other is turned off. Is turned on.

T−FF1710のトグル(T)入力端には、制御回路20からリセット信号Rstが供給されている。なお、このリセット信号Rstは、電源投入後にHレベルに維持されている。このため、走査信号Y(i)が電源投入後に初めてHからLレベルに立ち下がったときに、T−FF1710の正転出力端QはHレベルに変化し、以後、走査信号Y(i)が、HからLレベルに立ち下がる毎に、正転出力端Qから出力される論理レベルが反転する構成となっている。ここで、T−FF1710の正転出力端Qからの出力信号がi行目の選択信号Sel(i)として、TFT1724のゲート電極に供給され、反転出力端/Qからの出力信号がi行目の選択信号/Sel(i)として、TFT1734のゲート電極に供給されている。このため、TFT1724、1734についても、一方がオンしていれば他方がオフし、一方がオフしていれば他方がオンする関係になる。   A reset signal Rst is supplied from the control circuit 20 to a toggle (T) input terminal of the T-FF 1710. The reset signal Rst is maintained at the H level after the power is turned on. For this reason, when the scanning signal Y (i) falls from the H level to the L level for the first time after the power is turned on, the normal output terminal Q of the T-FF 1710 changes to the H level, and thereafter the scanning signal Y (i) is changed. Each time the signal falls from the H level to the L level, the logic level output from the normal output terminal Q is inverted. Here, the output signal from the normal output terminal Q of the T-FF 1710 is supplied to the gate electrode of the TFT 1724 as the selection signal Sel (i) of the i-th row, and the output signal from the inverted output terminal / Q is supplied to the i-th row. The selection signal / Sel (i) is supplied to the gate electrode of the TFT 1734. Therefore, the TFTs 1724 and 1734 also have a relationship in which the other is turned off when one is turned on, and the other is turned on when one is turned off.

TFT1720のソース電極は、電源の高位側電圧VHの給電線に接続され、そのドレイン電極が、TFT1722のドレイン電極とTFT1724のソース電極とに接続されている。便宜的に、TFT1724のソース電極(TFT1720、1722のドレイン電極)を端子Npと表すと、端子Npには容量Cpが寄生している。
一方、TFT1730のソース電極は、電源の低位側電圧VLの給電線に接続され、すなわち接地され、そのドレイン電極が、TFT1732のドレイン電極とTFT1734のソース電極とに接続されている。同様に、TFT1734のソース電極(TFT1730、1732のドレイン電極)を端子Nmと表すと、端子Nmには容量Cmが寄生している。
TFT1720のゲート電極およびTFT1730ゲート電極は、それぞれLレベルに相当する電圧VLの給電線に接地されている。このため、TFT1720およびTFT1730は、常時オフである。TFT1724のドレイン電極とTFT1734のドレイン電極とは、TFT1726のソース電極に共通接続されている。
The source electrode of the TFT 1720 is connected to the power supply line of the high voltage VH of the power supply, and the drain electrode thereof is connected to the drain electrode of the TFT 1722 and the source electrode of the TFT 1724. For convenience, when the source electrode of the TFT 1724 (drain electrodes of the TFTs 1720 and 1722) is represented as a terminal Np, a capacitance Cp is parasitic on the terminal Np.
On the other hand, the source electrode of the TFT 1730 is connected to the power supply line of the lower voltage VL of the power source, that is, grounded, and the drain electrode thereof is connected to the drain electrode of the TFT 1732 and the source electrode of the TFT 1734. Similarly, when the source electrode of the TFT 1734 (drain electrodes of the TFTs 1730 and 1732) is expressed as a terminal Nm, a capacitance Cm is parasitic on the terminal Nm.
The gate electrode of the TFT 1720 and the gate electrode of the TFT 1730 are grounded to the power supply line of the voltage VL corresponding to the L level. For this reason, the TFT 1720 and the TFT 1730 are always off. The drain electrode of the TFT 1724 and the drain electrode of the TFT 1734 are commonly connected to the source electrode of the TFT 1726.

外部から供給される電圧Vcomは、単位回路170においてTFT1722、1732、1736の各ソース電極にそれぞれ印加される。便宜的にTFT1722、1732、17363の各ソース電極の接続点を端子Nrとする。
i行目の単位回路170において、TFT1726、1736のドレイン電極は、i行目の容量線132に接続されている。
A voltage Vcom supplied from the outside is applied to each source electrode of the TFTs 1722, 1732, and 1736 in the unit circuit 170. For convenience, the connection point of the source electrodes of the TFTs 1722, 1732, and 17363 is defined as a terminal Nr.
In the unit circuit 170 in the i-th row, the drain electrodes of the TFTs 1726 and 1736 are connected to the capacitor line 132 in the i-th row.

i行目の容量線132に供給される容量信号Com(i)の電圧は、TFT1726、1736における排他的なオンオフに応じて定まる。詳細には、TFT1736がオンしていれば、端子Nrの電圧Vcomとなり、TFT1726がオンしていれば、さらにTFT1724、1734における排他的なオンオフに応じて端子Npまたは端子Nmのいずれか一方の電圧となる。
換言すれば、TFT1736のソース電極が端子Nrに接続され、TFT1726のソース電極がTFT1724を介した端子NpまたはTFT1734を介した端子Nmのいずれかに接続されることになるので、TFT1736、1726は、端子Nr(第1端子)、又は、端子Np若しくは端子Nm(第2端子)を選択して、容量線132に接続するセレクター172として機能することになる。
The voltage of the capacitance signal Com (i) supplied to the i-th row capacitance line 132 is determined according to exclusive ON / OFF of the TFTs 1726 and 1736. More specifically, if the TFT 1736 is on, the voltage Vcom of the terminal Nr is obtained. If the TFT 1726 is on, the voltage of either the terminal Np or the terminal Nm is further controlled according to the exclusive on / off of the TFTs 1724 and 1734. It becomes.
In other words, since the source electrode of the TFT 1736 is connected to the terminal Nr and the source electrode of the TFT 1726 is connected to either the terminal Np via the TFT 1724 or the terminal Nm via the TFT 1734, the TFTs 1736 and 1726 are The terminal Nr (first terminal), or the terminal Np or the terminal Nm (second terminal) is selected and functions as the selector 172 connected to the capacitor line 132.

次に、TFT1726、1736のいずれかがオンになるかについては走査信号Y(i)のみによって定まる。詳細には、選択信号R(i)がHレベル(選択信号L(i)がLレベル)になって、TFT1736がオン、TFT1726がオフするのは、走査信号Y(i)または当該走査信号Y(i)を時間量Taだけ遅延させた遅延信号D(i)がHレベルとなる期間、すなわち図7に示されるように、走査信号Y(i)がHレベルに立ち上がってから、当該走査信号Y(i)がLレベルに立ち下がって時間量Taだけ経過した時点までの期間である。
なお、この期間は、i行目の容量線132が端子Nrに接続されるという意味で、図7において「Nr」と表記している。
Next, whether one of the TFTs 1726 and 1736 is turned on is determined only by the scanning signal Y (i). Specifically, the selection signal R (i) becomes H level (the selection signal L (i) is L level), the TFT 1736 is turned on, and the TFT 1726 is turned off because the scanning signal Y (i) or the scanning signal Y A period when the delayed signal D (i) obtained by delaying (i) by the amount of time Ta is at the H level, that is, after the scanning signal Y (i) rises to the H level as shown in FIG. This is the period from when Y (i) falls to the L level until the time amount Ta has elapsed.
Note that during this period, the i-th capacitance line 132 is connected to the terminal Nr, and is denoted as “Nr” in FIG.

一方、選択信号R(i)がLレベル(選択信号L(i)がHレベル)になって、TFT1736がオフ、TFT1726がオンするのは、当該期間以外の期間、すなわち走査信号Y(i)がLレベルに立ち下がって時間量Taだけ経過した時点から、再び走査信号Y(i)がHレベルに立ち上がるまでの期間である。
TFT1726のオンする期間では、上述したようにTFT1724、1734のいずれかがオンになる。当該期間において、TFT1724、1734のいずれかがオンになるかについては、次に説明するように第1フィールドであるか第2フィールドであるかによって定まる。
T−FF1710では、上述したように、トグル(T)入力端に供給されたリセット信号Rstが電源投入後にHレベルに維持されるので、走査信号Y(i)が電源投入後に初めてHからLレベルに立ち下がったときに制御信号Sel(i)がHレベルになり、以後、走査信号Y(i)が、HからLレベルに立ち下がる毎に、論理レベルが反転する構成となっている。
液晶パネル100に対する書込走査において、時間的に先が第1フィールドであり、後が第2フィールドである。このため、走査信号Yi)が電源投入後に初めてHからLレベルに立ち下がるときは、第1フィールドであり、次に走査信号Y(i)がHレベルからLレベルに立ち下がるときは、第2フィールドとなるように規定される。以降、このパターンが繰り返される。
このため、図7に示されるように、選択信号Sel(i)は、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルに立ち下がったときに、Hレベルに変化し、この後、次の第2フィールドにおいて走査信号Y(i)が再びLレベルに立ち下がったときに、Lレベルに変化する。反対に選択信号/Sel(i)は、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルに立ち下がったときに、Lレベルに変化し、この後、次の第2フィールドにおいて走査信号Y(i)が再びLレベルに立ち下がったときに、Hレベルに変化する。
On the other hand, the selection signal R (i) becomes L level (the selection signal L (i) is H level), the TFT 1736 is turned off, and the TFT 1726 is turned on, that is, the scanning signal Y (i). Is a period from when the time Ta has fallen to the L level until the scanning signal Y (i) rises to the H level again.
In the period in which the TFT 1726 is turned on, either the TFT 1724 or 1734 is turned on as described above. Whether one of the TFTs 1724 and 1734 is turned on in this period is determined depending on whether the TFT is the first field or the second field, as will be described below.
In the T-FF 1710, as described above, the reset signal Rst supplied to the toggle (T) input terminal is maintained at the H level after the power is turned on, so that the scanning signal Y (i) is the H to L level for the first time after the power is turned on. The control signal Sel (i) becomes H level when the signal falls to H, and the logic level is inverted every time the scanning signal Y (i) falls from H to L level thereafter.
In writing scanning with respect to the liquid crystal panel 100, the first field is the first field and the second field is the second field. Therefore, when the scanning signal Yi) falls from the H level to the L level for the first time after the power is turned on, it is the first field, and when the scanning signal Y (i) falls from the H level to the L level next time, the second field. It is defined to be a field. Thereafter, this pattern is repeated.
For this reason, as shown in FIG. 7, the selection signal Sel (i) changes to the H level when the scanning signal Y (i) falls to the L level in the first field. When the scanning signal Y (i) falls to the L level again in the second field, it changes to the L level. On the contrary, the selection signal / Sel (i) changes to the L level when the scanning signal Y (i) falls to the L level in the first field, and thereafter, the scanning signal Y (( When i) falls to L level again, it changes to H level.

ここで、端子Np、Nmの電圧について説明する。遅延信号D(i)がHレベルになると、TFT1722、1732がオンするので、端子Np、Nmには、それぞれ電圧Vcomがセットされる。この後、遅延信号D(i)がLレベルになると、TFT1722、1732がオフする。TFT1720、1730はそれぞれ常時オフであるが、それぞれオフリークが発生している。このため、端子Npは、TFT1720のオフリークによって、TFT1722のオフから時間が経過するにつれて、セットされた電圧Vcomから徐々に上昇し、反対に、端子Nmは、TFT1730のオフリークによって、TFT1732のオフから時間が経過するにつれて、セットされた電圧Vcomから徐々に下降することになる。   Here, the voltages at the terminals Np and Nm will be described. When the delay signal D (i) becomes H level, the TFTs 1722 and 1732 are turned on, so that the voltage Vcom is set to the terminals Np and Nm, respectively. Thereafter, when the delay signal D (i) becomes L level, the TFTs 1722 and 1732 are turned off. The TFTs 1720 and 1730 are always off, but off-leakage occurs. For this reason, the terminal Np gradually rises from the set voltage Vcom as time elapses from the turning off of the TFT 1722 due to the off-leakage of the TFT 1720, and conversely, the terminal Nm takes time from the turning-off of the TFT 1732 due to the off-leaking of the TFT 1730. As time elapses, the voltage gradually falls from the set voltage Vcom.

したがって、i行目の容量信号Com(i)の電圧は、図7に示されるようになる。
すなわち、容量信号Com(i)は、まず、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がHレベルに立ち上がってから、Lレベルに立ち下がって時間量Taだけ経過するまでの期間、TFT1736のオンによって電圧Vcomに固定される。このため、i行目の画素110に対し、走査信号Y(i)がHレベルとなって正極性電圧を書き込む選択期間にあっては、i行目の容量線132が電圧Vcomから変動しないので、液晶容量120に対して正確に電圧が書き込まれるとともに、この書き込み時に補助容量130を介したカップリングノイズが容量線132に伝搬しても、その影響が当該容量線に及ぼさないようになっている。
次に、容量信号Com(i)は、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルに立ち下がって時間量Taだけ経過すると、TFT1724、1726のオンによってi行目の容量線132が端子Npに接続されるので、時間経過とともに電圧Vcomから徐々に上昇する。なお、この電圧上昇期間は、図7において「Np」と表記している。
続いて、容量信号Com(i)は、第2フィールドにおいて走査信号Y(i)がHレベルに立ち上がると、TFT1736のオンによって再び電圧Vcomになる。以後、走査信号Y(i)がLレベルに立ち下がって時間量Taだけ経過するまでの期間、TFT1736のオンが継続するので、電圧Vcomに固定され続ける。
そして、容量信号Com(i)は、第2フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルに立ち下がって時間量Taだけ経過すると、TFT1734、1726のオンによってi行目の容量線132が端子Nmに接続されるので、時間経過とともに電圧Vcomから徐々に下降する。なお、この電圧下降期間は、図7において「Nm」と表記している。
ここで、時間量Taを無視していえば、容量信号Com(i)は、第1フィールドにおいて、走査信号Y(i)がHレベルであるときに電圧Vcomとなり、走査信号Y(i)がLレベルになれば電圧Vcomから徐々に上昇し、第2フィールドにおいて走査信号Y(i)がHレベルであるときに再び電圧Vcomとなり、走査信号Y(i)がLレベルになれば電圧Vcomから徐々に下降する、ということになる。
Accordingly, the voltage of the capacitance signal Com (i) in the i-th row is as shown in FIG.
That is, the capacitance signal Com (i) is first turned on by turning on the TFT 1736 during a period from the time when the scanning signal Y (i) rises to H level in the first field until the time Ta falls after falling to L level. The voltage is fixed to Vcom. For this reason, in the selection period in which the scanning signal Y (i) is at the H level and the positive voltage is written to the pixel 110 in the i-th row, the capacitance line 132 in the i-th row does not vary from the voltage Vcom. In addition, the voltage is accurately written to the liquid crystal capacitor 120, and even if the coupling noise through the auxiliary capacitor 130 propagates to the capacitor line 132 at the time of writing, the influence does not affect the capacitor line. Yes.
Next, when the scanning signal Y (i) falls to the L level in the first field and the amount of time Ta has elapsed in the first field, the capacitance signal Com (i) is connected to the capacitance line 132 of the i-th row by turning on the TFTs 1724 and 1726. Since it is connected to Np, it gradually rises from the voltage Vcom over time. This voltage increase period is indicated as “Np” in FIG.
Subsequently, when the scanning signal Y (i) rises to the H level in the second field, the capacitance signal Com (i) becomes the voltage Vcom again when the TFT 1736 is turned on. Thereafter, the TFT 1736 continues to be on for a period until the scanning signal Y (i) falls to the L level and the time amount Ta elapses, so that the voltage Vcom is kept fixed.
When the scanning signal Y (i) falls to the L level in the second field and the amount of time Ta has elapsed in the second field, the capacitance signal Com (i) is connected to the terminal Nm by turning on the TFTs 1734 and 1726. Therefore, the voltage gradually decreases from the voltage Vcom over time. This voltage drop period is represented as “Nm” in FIG.
If the amount of time Ta is ignored, the capacitance signal Com (i) becomes the voltage Vcom when the scanning signal Y (i) is at the H level in the first field, and the scanning signal Y (i) is L. When the scanning signal Y (i) is at the H level in the second field, the voltage Vcom is increased again. When the scanning signal Y (i) is at the L level, the voltage Vcom gradually increases from the voltage Vcom. It will be descended to.

単位回路170は、実際には、1、2、3、…、480行目に対応して設けられる。このため、容量信号Com1、Com2、Com3、…、Com480は、図10に示されるように走査信号Y1、Y2、Y3、…、Y480に応じた電圧波形となる。   The unit circuit 170 is actually provided corresponding to the first, second, third,. Therefore, the capacitance signals Com1, Com2, Com3,..., Com480 have voltage waveforms corresponding to the scanning signals Y1, Y2, Y3,.

次に、容量線132を走査信号に合わせて行毎に電圧変化させたときの効果について図11を参照して説明する。図11は、i行j列の画素110における画素電極Pix(i,j)と、(i+1)行j列の画素110における画素電極Pix(i+1,j)との電圧変化を、それぞれに対応する走査信号Y(i)、Y(i+1)との関係において示す図である。   Next, an effect when the voltage of the capacitor line 132 is changed for each row in accordance with the scanning signal will be described with reference to FIG. FIG. 11 shows voltage changes between the pixel electrode Pix (i, j) in the pixel 110 in the i row and j column and the pixel electrode Pix (i + 1, j) in the pixel 110 in the (i + 1) row and j column, respectively. It is a figure shown in the relationship with the corresponding scanning signal Y (i) and Y (i + 1).

なお、比較のために、図19の実線で示したオフリークの電圧変化を、図11においては破線で示している。なお、走査線の選択期間における動作は、図19と同じである。すなわち、走査信号Y(i)がHレベルであれば、i行j列のTFT116がオンするので、液晶容量120の一端である画素電極Pix(i,j)は、図11に示されるようにそれぞれ電圧Vjになる。
一方、走査信号Y(i)がHレベルであるとき、i行目の単位回路170においてTFT1736がオンするので、当該i行目の容量信号Com(i)は電圧Vcomとなる。一方、第1実施形態においてコモン電極108は走査信号Y(i)に関係なく電圧LCcomで一定である。このため、i行j列における液晶容量120には電圧(Vj−LCcom)が充電され、補助容量130には電圧(Vj−Vcom)が充電される。
なお、走査信号Y(i)がHからLレベルになったときに、画素電極Pix(i,j)は、i行j列のTFT116がオンからオフに変化したときのフィールドスルーによって電圧Vfだけ低下する。
For comparison, an off-leakage voltage change indicated by a solid line in FIG. 19 is indicated by a broken line in FIG. Note that the operation in the scanning line selection period is the same as that in FIG. That is, if the scanning signal Y (i) is at the H level, the TFTs 116 in i rows and j columns are turned on, so that the pixel electrode Pix (i, j) which is one end of the liquid crystal capacitor 120 is as shown in FIG. Each voltage becomes Vj.
On the other hand, when the scanning signal Y (i) is at the H level, the TFT 1736 is turned on in the unit circuit 170 in the i-th row, so that the capacitance signal Com (i) in the i-th row becomes the voltage Vcom. On the other hand, in the first embodiment, the common electrode 108 is constant at the voltage LCcom regardless of the scanning signal Y (i). For this reason, the voltage (Vj−LCcom) is charged in the liquid crystal capacitor 120 in the i row and j column, and the voltage (Vj−Vcom) is charged in the auxiliary capacitor 130.
Note that when the scanning signal Y (i) changes from H to L level, the pixel electrode Pix (i, j) is applied only to the voltage Vf due to field through when the TFT 116 in the i row and j column changes from on to off. descend.

第1実施形態では、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルになったときに、i行目の単位回路170においてTFT1724がオンする。さらに走査信号Y(i)がLレベルになって時間量Taだけ経過した後、i行目の単位回路170においてTFT1726がオンし、TFT1736がオフするので、容量信号Com(i)の電圧は、図11で示されるように、時間経過とともに電圧Vcomから徐々に上昇する。このときの容量信号Com(i)における電圧Vcomからの上昇変化分を、電圧変化開始タイミングからの経過時間の関数ΔV(t)で表すことにする。
容量信号Com(i)は、時間経過とともに電圧Vcomから徐々に上昇するのに対し、コモン電極108は電圧LCcomで一定であるので、液晶容量120に蓄えられた電荷は、補助容量130に移動する。詳細には、画素110における液晶容量120と補助容量130との直列接続では、液晶容量120の他端(コモン電極)が電圧一定に保たれたまま、補助容量130の他端が電圧VcomからΔV(t)だけ上昇するので、画素電極118の電圧も、容量比に応じて上昇する方向に働く。
すなわち、当該直列接続点である画素電極Pix(i,j)の電圧は、
(Vj−Vf)+{Cs/(Cs+Cpix)}・ΔV(t)
となる。
このため、第1実施形態において、容量信号Com(i)の電圧上昇は、画素電極Pix(i,j)の電圧を、データ信号の電圧Vjからフィールドスルーによる電圧Vfだけ低下した電圧(Vj−Vf)を起点として、i行目の容量線132の電圧変化分ΔV(t)に容量比{Cs/(Cs+Cpix)}を乗じた値だけ(時間経過とともに徐々に)上昇させる方向に作用させることになる。
一方で、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルであるときのTFT116のオフリークは、画素電極Pix(i,j)の電圧を、電圧(Vj−Vf)を起点として時間経過とともに徐々に下降させる方向に作用させている。
In the first embodiment, when the scanning signal Y (i) becomes L level in the first field, the TFT 1724 is turned on in the unit circuit 170 in the i-th row. Further, after the scanning signal Y (i) becomes L level and the time Ta passes, the TFT 1726 is turned on and the TFT 1736 is turned off in the unit circuit 170 in the i-th row, so that the voltage of the capacitance signal Com (i) is As shown in FIG. 11, the voltage gradually increases from the voltage Vcom over time. The increase change from the voltage Vcom in the capacitance signal Com (i) at this time is expressed as a function ΔV (t) of the elapsed time from the voltage change start timing.
The capacitance signal Com (i) gradually rises from the voltage Vcom over time, whereas the common electrode 108 is constant at the voltage LCcom, so that the charge stored in the liquid crystal capacitor 120 moves to the auxiliary capacitor 130. . Specifically, in the series connection of the liquid crystal capacitor 120 and the auxiliary capacitor 130 in the pixel 110, the other end (common electrode) of the liquid crystal capacitor 120 is maintained at a constant voltage, and the other end of the auxiliary capacitor 130 is ΔV from the voltage Vcom. Since it rises by (t), the voltage of the pixel electrode 118 also works in a direction to rise according to the capacitance ratio.
That is, the voltage of the pixel electrode Pix (i, j) which is the series connection point is
(Vj−Vf) + {Cs / (Cs + Cpix)} · ΔV (t)
It becomes.
Therefore, in the first embodiment, the increase in the voltage of the capacitance signal Com (i) is caused by the voltage (Vj−) in which the voltage of the pixel electrode Pix (i, j) is decreased by the field-through voltage Vf from the voltage Vj of the data signal. Starting from Vf), the voltage change ΔV (t) of the capacitance line 132 in the i-th row is multiplied by the capacitance ratio {Cs / (Cs + Cpix)} (to gradually increase with time). become.
On the other hand, the off-leakage of the TFT 116 when the scanning signal Y (i) is at the L level in the first field gradually increases with time from the voltage (Vj−Vf) of the pixel electrode Pix (i, j). It is made to act in the direction to descend.

結局、第1実施形態では、第1フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルになると、i行j列の画素において、i行目の容量線132の電圧上昇による作用は、オフリークによる電圧下降の作用を相殺させていることになる。したがって、第1実施形態によれば、画素電極Pix(i,j)は、図11において実線で示されるように、走査信号Y(i)がLレベルに変化した時点以後、電圧変動がほぼゼロとなるように補償されるので、破線で示されるようなオフリークによる電圧変動が抑えられる。
第2フィールドにおいては、フィールドスルーを除けば、電圧の変化方向が第1フィールドと反対方向になる。詳細には、i行j列の画素では、第2フィールドにおいて走査信号Y(i)がLレベルになると、i行目の容量線132の電圧下降と、オフリークによる電圧上昇とが互いに相殺し合うので、同様にオフリークによる電圧変動が抑えられる。
なお、第1実施形態において、容量信号Com(i+1)は、容量信号Com(i)に対して一水平走査期間(H)だけ遅延することを除けば、(i+1)行目ではi行目と同様な動作が実行される。また、ここでは、i行目と(i+1)行目とで代表して説明したが、第1フィールドおよび第2フィールドの各々において、それぞれ1〜480行目の順番で実行される。
As a result, in the first embodiment, when the scanning signal Y (i) becomes L level in the first field, the effect of the voltage increase of the capacitance line 132 in the i-th row is the voltage decrease due to off-leakage in the pixels in the i-th row and j-th column. This cancels the action of. Therefore, according to the first embodiment, the pixel electrode Pix (i, j) has almost zero voltage fluctuation after the scanning signal Y (i) changes to the L level as shown by the solid line in FIG. Therefore, voltage fluctuation due to off-leakage as shown by a broken line can be suppressed.
In the second field, except for field through, the direction of voltage change is opposite to that of the first field. Specifically, in the pixel in i row and j column, when the scanning signal Y (i) becomes L level in the second field, the voltage drop of the i-th capacitance line 132 and the voltage rise due to off-leakage cancel each other. Therefore, similarly, voltage fluctuation due to off-leakage can be suppressed.
In the first embodiment, the capacitance signal Com (i + 1) is i rows in the (i + 1) th row except that the capacitance signal Com (i + 1) is delayed by one horizontal scanning period (H) with respect to the capacitance signal Com (i). An operation similar to that of the eye is performed. In addition, here, the i-th row and the (i + 1) -th row have been representatively described, but the processing is executed in the order of the 1st to 480th rows in each of the first field and the second field.

このように第1実施形態によれば、第1フィールドの正極性書込後においてTFT116のオフリークに起因する液晶容量120の保持電圧の低下は、容量線132による電圧上昇によって、また、第2フィールドの負極性書込後においてTFT116のオフリークに起因する液晶容量120の保持電圧の低下は、容量線132による電圧下降によって、それぞれ相殺される。このため、TFT116のオフリークによる影響を抑えることが可能となる。
また、容量線の電圧変化は、パルス的ではなく、時間経過とともになだらかに変化するように与えているので、画素における容量成分や抵抗成分によって、画素の上下左右位置に応じて偏りが生じてしまう現象が抑えられる。
As described above, according to the first embodiment, the decrease in the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 due to the off-leakage of the TFT 116 after the positive polarity writing in the first field is caused by the voltage increase due to the capacitance line 132 and in the second field. After the negative writing, the decrease in the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 due to the off-leakage of the TFT 116 is offset by the voltage drop by the capacitor line 132. For this reason, it is possible to suppress the influence due to the off-leakage of the TFT 116.
In addition, the voltage change of the capacitor line is not pulse-like, but is given to change gradually with time. Therefore, the capacitance component and the resistance component in the pixel cause a bias depending on the vertical and horizontal positions of the pixel. The phenomenon is suppressed.

ところで、フィールドスルーによる電圧変化は、nチャネル型のTFT116であれば、書込極性に関係なく下降方向である。一方で、第1実施形態では、オフリークによる電圧変動がほぼゼロとなるように補償されている。このため、フィールドスルーによる電圧変化分を相殺するように、コモン電極108の電圧LCcomを、図11に示されるように電圧基準Vcに対して若干低位側に設定すると、正極性書込によって液晶容量120に印加される電圧実効値と、負極性書込によって液晶容量120に印加される電圧実効値とをほぼ等しくして、直流成分の印加によるフリッカーや、いわゆる焼き付き現象の発生を抑えることも可能となる。   By the way, the voltage change due to field-through is in the downward direction in the case of the n-channel TFT 116 regardless of the write polarity. On the other hand, in the first embodiment, compensation is made so that the voltage fluctuation due to off-leakage becomes substantially zero. For this reason, when the voltage LCcom of the common electrode 108 is set slightly lower than the voltage reference Vc as shown in FIG. 11 so as to cancel the voltage change due to field through, the liquid crystal capacitance is obtained by positive writing. The effective voltage value applied to 120 and the effective voltage value applied to the liquid crystal capacitor 120 by negative-polarity writing can be made substantially equal to suppress the occurrence of flicker or so-called burn-in phenomenon due to the application of a DC component. It becomes.

ただし、実際の液晶パネル100において、非選択期間での液晶容量120の保持電圧を変動させる要因としては、オフリークやフィールドスルーのほかにも、素子基板と対向基板との極性差や、液晶105それ自体が有する抵抗成分などが挙げられる。また、フィールドスルーについては、TFT116だけでなく、データ線114にデータ信号をサンプリングするTFT194でも発生する。
したがって、これらの要因による液晶容量120の保持電圧の変動を相殺するように、容量線132の電圧変化特性を定めることが望ましい。例えば、正極性書込後におけるオフリークやフィールドスルーなどによる変動分を相殺するように、TFT1720のオフリーク特性や、端子Npに付加する容量を定めても良い。また、TFT1720のソース電極に電圧VHではなく、他の電圧を印加しても良い。一方、負極性書込後における変動分を相殺するように、TFT1730のオフリーク特性や、端子Nmに付加する容量を定めても良い。同様に、TFT1730のソース電極に電圧VLではなく、他の電圧を印加しても良い。
このように第1実施形態では、正極性書込後の保持電圧の変動分を相殺するための特性と、負極性書込後の保持電圧の変動分を相殺するための特性とを、それぞれ個別に設定することができるので、高精度な補償が可能となる。
However, in the actual liquid crystal panel 100, the factors that cause the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 to fluctuate during the non-selection period include the polarity difference between the element substrate and the counter substrate, the liquid crystal 105 Examples thereof include a resistance component possessed by itself. Further, the field through occurs not only in the TFT 116 but also in the TFT 194 that samples the data signal on the data line 114.
Therefore, it is desirable to determine the voltage change characteristic of the capacitor line 132 so as to cancel out the variation in the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 due to these factors. For example, the off-leakage characteristics of the TFT 1720 and the capacitance added to the terminal Np may be determined so as to cancel out fluctuations due to off-leakage and field through after positive polarity writing. Further, a voltage other than the voltage VH may be applied to the source electrode of the TFT 1720. On the other hand, the off-leakage characteristics of the TFT 1730 and the capacitance added to the terminal Nm may be determined so as to cancel the fluctuation after the negative polarity writing. Similarly, a voltage other than the voltage VL may be applied to the source electrode of the TFT 1730.
As described above, in the first embodiment, the characteristic for canceling the fluctuation of the holding voltage after the positive polarity writing and the characteristic for canceling the fluctuation of the holding voltage after the negative polarity writing are individually set. Therefore, highly accurate compensation is possible.

さらに、第1実施形態によれば、走査信号がHからLレベルに立ち下がったとき(厳密にいえばLレベルに立ち下がって時間量Taだけ経過したとき)から、次に走査信号がHレベルに立ち上がるまでの期間にわたって容量線の電圧を変化させる動作を、各容量線に対して設けられた単位回路170によって行毎に、それぞれ実行する構成となっている。このため、TFT116のオフリークに起因した保持電圧の低下を相殺する期間が、各行のそれぞれにおいて走査線の選択が終了してから走査線が再び選択されるまでの期間となって、各行にわたって揃えられる。したがって、第1実施形態では、例えば画面の走査線位置によって明るさが異なってしまうような表示ムラを抑えることも可能となる。
また、1つの単位回路170が1行の容量線132を駆動する構成であるので、単位回路170における駆動負荷についても、同時に複数本の容量線132を駆動する構成と比較して、小さくて済む。
Furthermore, according to the first embodiment, after the scanning signal falls from the H level to the L level (strictly speaking, when the scanning signal falls to the L level and only the amount of time Ta has elapsed), the scanning signal is then set to the H level. The operation of changing the voltage of the capacitor line over a period until it rises to is performed for each row by the unit circuit 170 provided for each capacitor line. For this reason, the period for offsetting the decrease in the holding voltage due to the off-leakage of the TFT 116 is a period from the selection of the scanning line in each row to the selection of the scanning line again, and is aligned over each row. . Therefore, in the first embodiment, it is possible to suppress display unevenness in which the brightness varies depending on the scanning line position on the screen, for example.
In addition, since one unit circuit 170 is configured to drive one row of capacitor lines 132, the driving load in the unit circuit 170 may be smaller than the configuration in which a plurality of capacitor lines 132 are simultaneously driven. .

くわえて、単位回路170においては、セットされた電圧Vcomを、常時オフのTFT1720、1730のオフリークを用いて変化させることによって、容量線132の電圧を変化させる構成となっている。このため、TFT1720、1730のオフリーク特性が画素110のTFT116におけるオフリーク特性を模擬するように、TFT1720、1730を設計すると、TFT116のオフリークに起因する液晶容量120の保持電圧の低下を、容量線132による電圧上昇によって精度良く相殺することが可能となる。   In addition, the unit circuit 170 has a configuration in which the voltage of the capacitor line 132 is changed by changing the set voltage Vcom using the off leakage of the TFTs 1720 and 1730 that are always off. For this reason, when the TFTs 1720 and 1730 are designed so that the off-leak characteristics of the TFTs 1720 and 1730 simulate the off-leak characteristics of the TFT 116 of the pixel 110, the decrease in the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 due to the off-leak of the TFT 116 is caused by the capacitance line 132. It becomes possible to cancel with high accuracy by increasing the voltage.

また、単位回路170にあっては、i行目でいえば、走査信号Y(i)がHからLレベルに変化して時間量Taだけ経過したときにコモン信号Com(i)を電圧Vcomから変化させている。ここで、走査信号Y(i)がLレベルの変化したときと同時に、コモン信号Com(i)の電圧変化を開始させる構成にすると、走査線112の電圧変化によるカップリングノイズが容量線132の電圧に影響を及ぼす可能性がある。このため、第1実施形態では、走査信号Y(i)がLレベルの変化して時間量Taが経過したときに、すなわち、走査線112の電圧変化によるカップリングノイズが十分に収束したと考えられるときに、コモン信号Com(i)の電圧変化を開始させる構成としているのである。この構成によって第1実施形態では、走査線112の電圧変化によるカップリングノイズが容量線132の電圧に悪影響を及ぼすことを避けることができる。   In the unit circuit 170, in the i-th row, when the scanning signal Y (i) changes from H to L level and the time Ta passes, the common signal Com (i) is changed from the voltage Vcom. It is changing. Here, when the voltage change of the common signal Com (i) is started at the same time when the scanning signal Y (i) changes to the L level, the coupling noise due to the voltage change of the scanning line 112 is caused by the capacitance line 132. May affect voltage. For this reason, in the first embodiment, it is considered that the coupling noise due to the voltage change of the scanning line 112 has sufficiently converged when the scanning signal Y (i) changes to the L level and the time amount Ta elapses. When this is done, the voltage change of the common signal Com (i) is started. With this configuration, in the first embodiment, it is possible to avoid the coupling noise due to the voltage change of the scanning line 112 from adversely affecting the voltage of the capacitor line 132.

なお、第1実施形態では、容量線132を1行ずつ駆動する構成としたが、複数行の容量線132をまとめて、あるいは、全容量線132を一括して駆動する構成としても良い。詳細には、複数行の走査線について選択終了後に当該複数行の容量線を同じように電圧変化させても良いし、すべての走査線についての選択終了後に、すなわち垂直帰線期間に全行の容量線を同じように電圧変化させても良い。
ただし、複数行の容量線132をまとめて駆動する構成では、当該複数行同士でみて保持電圧の相殺について差が発生するし、また、全容量線132を一括して駆動する構成においても、特に最初の1行目と最終の480行目とで保持電圧の相殺について差が大きくなり、画面の走査線位置によって明るさが異なってしまう表示ムラが発生しやすくなる。
もっともメモリー30からの読み出しを高速化して、垂直有効走査期間に対する垂直帰線期間の比率を大きくすれば、このような差を緩和して、上記表示ムラの発生を抑えることがことができる。
In the first embodiment, the capacitor lines 132 are driven one row at a time. However, a plurality of rows of capacitor lines 132 or all the capacitor lines 132 may be driven all at once. Specifically, the voltage of the capacitor lines of the plurality of rows may be changed in the same manner after the selection of the scanning lines of the plurality of rows, or after the selection of all the scanning lines, that is, in the vertical blanking period, The voltage of the capacitor line may be changed in the same way.
However, in the configuration in which the plurality of rows of capacitor lines 132 are driven together, there is a difference in the canceling of the holding voltage as seen between the plurality of rows, and in the configuration in which all the capacitor lines 132 are collectively driven, The difference in canceling the holding voltage between the first line and the last line 480 becomes large, and display unevenness in which the brightness varies depending on the scanning line position on the screen is likely to occur.
However, if the reading from the memory 30 is accelerated and the ratio of the vertical blanking period to the vertical effective scanning period is increased, such a difference can be alleviated and the occurrence of the display unevenness can be suppressed.

また、第1実施形態では、各行の単位回路170において、第1フィールドであるか、第2フィールドであるかについて、走査信号が立ち下がり毎にT−FF1710の出力信号の論理レベルを反転させてTFT1724、1734のいずれかをオンさせる構成とした。この構成に限られず、第1フィールドであるか、第2フィールドであるかを区別する信号を、単位回路170以外の外部から、例えば制御回路20から、供給する構成として、当該を用いてTFT1724、1734のいずれかを排他的にオンさせる構成としても良い。   In the first embodiment, in the unit circuit 170 of each row, the logic level of the output signal of the T-FF 1710 is inverted every time the scanning signal falls for the first field or the second field. One of the TFTs 1724 and 1734 is turned on. The present invention is not limited to this configuration, and as a configuration for supplying a signal for discriminating between the first field and the second field from outside the unit circuit 170, for example, from the control circuit 20, the TFT 1724, 1734 may be exclusively turned on.

第1実施形態では、すべての画素110を、第1フィールドにおいて正極性に、第2フィールドにおいて負極性に、それぞれ駆動する面反転方式としたが、走査線112の行毎に極性を反転させるライン反転方式としても良いし、走査線112の行およびデータ線114の列毎に極性を反転させるドット反転方式としても良い。
ここで例えば、第1フィールドにおいて奇数行の画素1行分を正極性に、偶数行の画素1行分を負極性にそれぞれ駆動するとともに、第2フィールドにおいて書込極性を反転するライン反転方式とする場合、極性指定信号Polの論理レベルをそれぞれの極性に合わせて変更するとともに、容量線駆動回路160において、奇数行の単位回路170を第1実施形態と同様とし、偶数行の単位回路において、TFT1724のゲート電極およびTFT1734のゲート電極に供給する選択信号を入れ替えた構成とすれば良い。
さらに、ドットライン反転方式とする場合、次のように構成すれば良い。すなわち、第1に、1行の走査線112に対し、第1容量線および第2容量線の計2本を設けるとともに、第1容量線および第2容量線の各々に対して単位回路170を個別に設ける。第2に、奇数行奇数列および偶数行偶数列の画素110に対して第1容量線を対応させ、奇数行偶数列および偶数行奇数列の画素110に対して第2容量線を対応させる。第3に、第1フィールドにおいて奇数行奇数列およびを偶数行偶数列の画素を正極性に、奇数行偶数列および偶数行奇数列の画素を負極性にそれぞれ駆動するとともに、第2フィールドにおいて書込極性を反転する場合、極性指定信号Polの論理レベルをそれぞれの極性に合わせて変更するとともに、各行については、第1容量線に対して上記ライン反転方式とする場合の奇数行の単位回路による容量信号を供給し、第2容量線に対して上記ライン反転方式とする場合の偶数行の単位回路による容量信号を供給する構成とすれば良い。
この構成では、第1容量線に対する電圧変化方向は、第1フィールドで上昇方向であり、第2フィールドで下降方向になり、第2容量線に対する電圧変化方向は、反対に、第1フィールドで下降方向であり、第2フィールドで上昇方向になる。ここで例えば、第1容量線に対する電圧変化方向を、第1フィールドおよび第2フィールドでそれぞれ上昇方向に固定し、第2容量線に対する電圧変化方向を、第1フィールドおよび第2フィールドでそれぞれ下降方向に固定するとともに、画素110毎に、いずれか一方の容量線を極性に合わせて選択するスイッチ(またはセレクター)を設ける構成としても良い。
In the first embodiment, the surface inversion method is used in which all the pixels 110 are driven to have positive polarity in the first field and negative polarity in the second field. However, the lines that invert the polarity for each row of the scanning lines 112 are used. An inversion method may be used, or a dot inversion method in which the polarity is inverted for each row of the scanning lines 112 and each column of the data lines 114 may be used.
Here, for example, in the first field, one line of odd-numbered pixels is driven to have a positive polarity, and one pixel of even-numbered rows is driven to have a negative polarity, and the line inversion method for inverting the writing polarity in the second field; In this case, the logic level of the polarity designation signal Pol is changed in accordance with the respective polarities, and the unit circuit 170 of the odd-numbered row is made the same as that of the first embodiment in the capacitor line driving circuit 160. The selection signal supplied to the gate electrode of the TFT 1724 and the gate electrode of the TFT 1734 may be replaced.
Further, when the dot line inversion method is used, the following configuration may be used. That is, first, a total of two first and second capacitance lines are provided for one scanning line 112, and a unit circuit 170 is provided for each of the first and second capacitance lines. Provide separately. Second, the first capacitance lines are associated with the odd-numbered and odd-numbered columns and the even-numbered and even-numbered columns of pixels 110, and the odd-numbered and even-numbered columns and the even-numbered and odd-numbered columns of pixels 110 are associated with the second capacitance lines. Third, in the first field, the odd-numbered and odd-numbered columns and pixels in the even-numbered and even-numbered columns are driven to positive polarity, and the odd-numbered and even-numbered columns and pixels in the even-numbered and odd-numbered columns are driven to negative polarity. In the case of inverting the input polarity, the logic level of the polarity designation signal Pol is changed in accordance with each polarity, and each row is determined by the unit circuit of the odd row when the line inversion method is used for the first capacitance line. A configuration may be adopted in which the capacitance signal is supplied and the capacitance signal is supplied to the second capacitance line by the unit circuit in the even-numbered row when the line inversion method is used.
In this configuration, the direction of voltage change with respect to the first capacitance line is an ascending direction in the first field, and the direction of voltage change with respect to the second capacitor line is reversed in the first field. Direction, going up in the second field. Here, for example, the voltage change direction with respect to the first capacitance line is fixed in the rising direction in the first field and the second field, respectively, and the voltage change direction with respect to the second capacitance line is set in the downward direction in each of the first field and the second field In addition, a switch (or a selector) that selects one of the capacitor lines in accordance with the polarity may be provided for each pixel 110.

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置について説明する。図12は、第2実施形態に係る電気光学装置10bの全体的な構成を示すブロック図である。この図に示される電気光学装置10bが、図1に示した第1実施形態に係る電気光学装置10aと相違する点は、主に次の点である。
すなわち、液晶容量120の保持電圧変化を相殺するために、第1実施形態に係る電気光学装置10aでは、行毎に設けられた容量線132を、非選択期間において電圧変化させる構成であったのに対し、第2実施形態に係る電気光学装置10bでは、各行にわたって共通のコモン電極108を各フィールドの垂直帰線期間において電圧変化させる構成とした点において、第2実施形態は第1実施形態と相違する。
Second Embodiment
Next, an electro-optical device according to a second embodiment of the invention will be described. FIG. 12 is a block diagram illustrating an overall configuration of the electro-optical device 10b according to the second embodiment. The electro-optical device 10b shown in this figure is different from the electro-optical device 10a according to the first embodiment shown in FIG. 1 mainly in the following points.
That is, in order to cancel the holding voltage change of the liquid crystal capacitor 120, the electro-optical device 10a according to the first embodiment has a configuration in which the voltage of the capacitor line 132 provided for each row is changed during the non-selection period. On the other hand, in the electro-optical device 10b according to the second embodiment, the second embodiment is different from the first embodiment in that the common common electrode 108 is changed in voltage during the vertical blanking period of each field over each row. Is different.

この相違点に起因して、第2実施形態では、第1実施形態における容量線駆動回路160の替わりにコモン電極駆動回路200が設けられている。このコモン電極駆動回路200は、コモン電極108に対してコモン信号Vcnを供給するものである。なお、詳細については後述する。   Due to this difference, in the second embodiment, a common electrode driving circuit 200 is provided instead of the capacitor line driving circuit 160 in the first embodiment. The common electrode driving circuit 200 supplies a common signal Vcn to the common electrode 108. Details will be described later.

また、第2実施形態では、画素110の回路構成が変更される一方で、走査線112に対をなすように制御線134が行方向に沿ってそれぞれ設けられるとともに、これらの制御線134を制御するための補助容量制御回路180が設けられている。
このうち、補助容量制御回路180は、1、2、3、…、480行に対応して設けられる制御線134に対して、それぞれ補助容量制御信号Shz1、Shz2、Shz3、…、Shz480を供給するものである。なお、この第2実施形態において補助容量制御回路180は、制御回路20から供給されるセット信号Setをバッファリングして出力する機能のみを有する。また、第2実施形態において1〜480行目の容量線132には、時間的に一定の電圧Vcomが外部から共通に印加される構成となっている。さらに、第1実施形態では用いられなかったダミーの走査信号Y481が、第2実施形態においてはコモン電極駆動回路200に供給される構成となっている。
In the second embodiment, while the circuit configuration of the pixels 110 is changed, the control lines 134 are provided along the row direction so as to be paired with the scanning lines 112, and the control lines 134 are controlled. An auxiliary capacitance control circuit 180 is provided.
Among these, the auxiliary capacitance control circuit 180 supplies auxiliary capacitance control signals Shz1, Shz2, Shz3,..., Shz480 to the control lines 134 provided corresponding to the 1, 2, 3,. Is. In the second embodiment, the auxiliary capacitance control circuit 180 has only a function of buffering and outputting the set signal Set supplied from the control circuit 20. Further, in the second embodiment, the capacitance line 132 in the first to 480th rows is configured to be applied with a constant temporally voltage Vcom from the outside. Further, the dummy scanning signal Y481 that is not used in the first embodiment is supplied to the common electrode driving circuit 200 in the second embodiment.

ここで、説明の便宜上、第2実施形態における画素110の構成について図13を参照して説明する。図13は、第2実施形態における画素110の等価回路を示す図であり、図2と同様に、i行目及び(i+1)行目と、j列目及び(j+1)列目との交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。
図13に示される画素110が図2に示した構成と相違する点は、補助容量130の他端と容量線132との間において、TFT136が電気的に介挿されている点にある。ここで、i行j列に位置するもので代表して説明すると、当該i行j列の画素110において、nチャネル型のTFT136のゲート電極は、i行目の制御線134に接続される一方、その一端電極(ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方)は補助容量130の他端に接続され、その他端電極(ソース電極またはドレイン電極のいずれか他方)は、i行目の容量線132に接続されている。
したがって、第2実施形態において補助容量130の他端は、TFT136がオンのときに容量線132に接続され、TFT136がオフであるときに電気的にどの部分にも接続されていないハイ・インピーダンス状態になる。
なお、図13において、Shz(i)、Shz(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の容量線132に供給される補助容量制御信号を示している。
Here, for convenience of explanation, the configuration of the pixel 110 in the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the pixel 110 according to the second embodiment. Like FIG. 2, the intersection of the i-th row and the (i + 1) -th row with the j-th column and the (j + 1) -th column is illustrated. A corresponding 2 × 2 configuration of a total of four pixels is shown.
The pixel 110 shown in FIG. 13 is different from the configuration shown in FIG. 2 in that a TFT 136 is electrically interposed between the other end of the auxiliary capacitor 130 and the capacitor line 132. Here, as a representative example, what is located in the i row and j column, in the pixel 110 in the i row and j column, the gate electrode of the n-channel TFT 136 is connected to the control line 134 in the i row. The one end electrode (either the source electrode or the drain electrode) is connected to the other end of the auxiliary capacitor 130, and the other end electrode (the other one of the source electrode or the drain electrode) is connected to the i-th capacitor line 132. It is connected.
Accordingly, in the second embodiment, the other end of the auxiliary capacitor 130 is connected to the capacitor line 132 when the TFT 136 is on, and is not electrically connected to any part when the TFT 136 is off. become.
In FIG. 13, Shz (i) and Shz (i + 1) indicate auxiliary capacitance control signals supplied to the capacitance lines 132 in the i and (i + 1) th rows, respectively.

次に、第2実施形態におけるコモン電極駆動回路200について説明する。図14は、コモン電極駆動回路200の構成を示す回路図であり、図15は、コモン電極駆動回路200の動作を説明するための電圧波形図である。
なお、第1実施形態において、容量線132毎に単位回路170が設けられたが、第2実施形態においてコモン電極108は、各行の画素110に対して共通なので、1つのコモン電極駆動回路200のみが設けられる。
このため、図14および図15において、選択信号には、単位回路170とは異なり、行を特定するための「(i)」という記号が付与されていない。
Next, the common electrode drive circuit 200 in the second embodiment will be described. FIG. 14 is a circuit diagram showing the configuration of the common electrode driving circuit 200, and FIG. 15 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the common electrode driving circuit 200.
In the first embodiment, the unit circuit 170 is provided for each capacitor line 132. However, since the common electrode 108 is common to the pixels 110 in each row in the second embodiment, only one common electrode driving circuit 200 is provided. Is provided.
Therefore, in FIGS. 14 and 15, unlike the unit circuit 170, the symbol “(i)” for specifying a row is not given to the selection signal.

さて、図14に示されるように、コモン電極駆動回路200には、走査線駆動回路140から最終480行目の走査信号Y480と、ダミーの481行目の走査信号Y481とが供給されるとともに、制御回路20から第1実施形態と同様なリセット信号Rstと、新たなセット信号Setとが供給される。
ここで、コモン電極駆動回路200が図6に示した単位回路170と相違する点は、第1に、T−FF1710の反転クロック入力端に走査信号Y480が供給される点と、第2に、TFT1722、1732のゲート電極に、走査信号Y480を遅延回路1702によって時間量Taだけ遅延させた遅延信号D480が供給される点と、第3に、TFT1726、1736の各ゲート電極に対してそれぞれ選択信号を供給する回路が、RS−FF(リセット・セット・フリップフロップ)1750である点と、第4に、端子Nrに電圧LCcomが給電される点とである。
As shown in FIG. 14, the scanning signal Y480 for the final 480th row and the scanning signal Y481 for the dummy 481st row are supplied from the scanning line driving circuit 140 to the common electrode driving circuit 200. A reset signal Rst similar to that in the first embodiment and a new set signal Set are supplied from the control circuit 20.
Here, the common electrode driving circuit 200 is different from the unit circuit 170 shown in FIG. 6 in that a scanning signal Y480 is supplied to the inverted clock input terminal of the T-FF 1710, and secondly, A delay signal D480 obtained by delaying the scanning signal Y480 by the amount of time Ta by the delay circuit 1702 is supplied to the gate electrodes of the TFTs 1722 and 1732. Third, a selection signal for each of the gate electrodes of the TFTs 1726 and 1736. The fourth circuit is a RS-FF (Reset Set Flip-Flop) 1750 and a fourth point is that the voltage LCcom is supplied to the terminal Nr.

そこで、これらの相違部分を中心に説明する。
まず、T−FF1710の反転クロック入力端には走査信号Y480が供給される。このため、T−FF1710の正転出力端Qから出力される選択信号Selは、図15に示されるように、第1フィールドにおいて走査信号Y480がLレベルに立ち下がったとき、すなわち最終480行目の走査線112の選択が終了して垂直帰線期間F1bが開始するとき、Hレベルに変化し、この後、次の第2フィールドにおいて走査信号Y480が再びLレベルに立ち下がったとき、すなわち垂直帰線期間F2bが開始するとき、Lレベルに変化する。反対にT−FF1710の反転出力端/Qから出力される選択信号/Selは、第1フィールドにおいて走査信号Y480がLレベルに立ち下がったときに、Lレベルに変化し、この後、次の第2フィールドにおいて走査信号Y480が再びLレベルに立ち下がったときに、Hレベルに変化する。
なお、第1フィールドおよび第2フィールドにおいて遅延信号D480がHレベルであれば、TFT1722、1732がオンして、端子Np、Nmが電圧LCcomにそれぞれセットされる。
Therefore, these differences will be mainly described.
First, the scanning signal Y480 is supplied to the inverted clock input terminal of the T-FF 1710. Therefore, the selection signal Sel output from the normal output terminal Q of the T-FF 1710 is, as shown in FIG. 15, when the scanning signal Y480 falls to the L level in the first field, that is, the last 480th row. When the selection of the scanning line 112 is completed and the vertical blanking period F1b starts, it changes to the H level, and thereafter, when the scanning signal Y480 falls again to the L level in the next second field, that is, the vertical level. When the blanking period F2b starts, the level changes to L level. Conversely, the selection signal / Sel output from the inverting output terminal / Q of the T-FF 1710 changes to the L level when the scanning signal Y480 falls to the L level in the first field, and then the next second When the scanning signal Y480 falls to L level again in two fields, it changes to H level.
If the delay signal D480 is H level in the first field and the second field, the TFTs 1722 and 1732 are turned on, and the terminals Np and Nm are set to the voltage LCcom, respectively.

次に、遅延回路1740は、走査信号Y481を時間量Taだけ遅延させて、遅延信号D481としてRS−FF1750のリセット入力端(R)に供給する。インバーター1742は、セット信号Setの論理レベルを反転して、その反転信号/SetをRS−FF1750のセット入力端(S)に供給する。RS−FF1750は、正転出力端Qからの出力信号を選択信号RとしてTFT1736のゲート電極に供給し、反転出力端/Qからの出力信号を選択信号LとしてTFT1726のゲート電極に供給する。
RS−FF1750は、リセット入力端(R)に供給された遅延信号D481がLからHレベルになったときに、正転出力端QをLレベル(反転出力端/QをHレベル)にリセットし、セット入力端(S)に供給された信号/SetがLからHレベルになったときに、正転出力端QをHレベル(反転出力端/QをLレベル)にセットする。
ここで、制御回路20は、セット信号Setを図16に示されるように、第1フィールドおよび第2フィールドの開始直前に、Lレベルのパルスとして出力する。このため、反転信号/Setは、図15に示されるように、垂直帰線期間F1b、F2bの終了直前に、Hレベルのパルスとなる。
Next, the delay circuit 1740 delays the scanning signal Y481 by the amount of time Ta and supplies it as a delay signal D481 to the reset input terminal (R) of the RS-FF 1750. The inverter 1742 inverts the logic level of the set signal Set and supplies the inverted signal / Set to the set input terminal (S) of the RS-FF 1750. The RS-FF 1750 supplies the output signal from the normal output terminal Q to the gate electrode of the TFT 1736 as the selection signal R, and supplies the output signal from the inverted output terminal / Q to the gate electrode of the TFT 1726 as the selection signal L.
The RS-FF 1750 resets the normal output terminal Q to L level (inverted output terminal / Q to H level) when the delay signal D481 supplied to the reset input terminal (R) changes from L to H level. When the signal / Set supplied to the set input terminal (S) changes from L to H level, the normal output terminal Q is set to H level (inverted output terminal / Q is set to L level).
Here, as shown in FIG. 16, the control circuit 20 outputs the set signal Set as an L level pulse immediately before the start of the first field and the second field. Therefore, as shown in FIG. 15, the inversion signal / Set becomes an H level pulse immediately before the end of the vertical blanking periods F1b and F2b.

したがって、選択信号Rは、第1フィールドとして走査信号Y1がHレベルとなる直前に反転信号/SetがHレベルになったタイミング(図においてXのタイミング)から、当該第1フィールドにおいて走査信号Y480がHからレベルに変化し時間量Taだけ経過するまでの期間にわたって、Hレベルとなる。選択信号RがHレベルである期間では、TFT1726がオフし、TFT1736がオンするので、コモン電極108が端子Nrに接続される結果、コモン信号Vcnは電圧LCcomに固定される。
次に、選択信号Lは、第1フィールドにおいて走査信号Y480がHからレベルに変化し時間量Taだけ経過してから、反転信号/SetがHレベルになるまでの期間にわたって、Hレベルになる。このため、TFT1726がオンする。また、第1フィールドにおいて走査信号Y480が立ち下がったときに、選択信号SelがHレベルになる。このため、TFT1724がオンする。よって、コモン電極108が端子Npに接続される結果、コモン信号Vcnは、セットされた電圧LCcomから時間経過とともに徐々に上昇することになる。
Therefore, the selection signal R is generated from the timing at which the inverted signal / Set becomes H level immediately before the scanning signal Y1 becomes H level as the first field (X timing in the drawing). It changes to H level and becomes H level over the period until time amount Ta passes. In a period in which the selection signal R is at the H level, the TFT 1726 is turned off and the TFT 1736 is turned on. As a result, the common electrode 108 is connected to the terminal Nr, so that the common signal Vcn is fixed to the voltage LCcom.
Next, the selection signal L becomes the H level over the period from when the scanning signal Y480 changes from H to the level in the first field and the time Ta passes, until the inversion signal / Set becomes the H level. Therefore, the TFT 1726 is turned on. Further, when the scanning signal Y480 falls in the first field, the selection signal Sel becomes H level. Therefore, the TFT 1724 is turned on. Therefore, as a result of connecting the common electrode 108 to the terminal Np, the common signal Vcn gradually rises with time from the set voltage LCcom.

続いて、選択信号Rは、第2フィールドとして走査信号Y1がHレベルとなる直前に反転信号/SetがHレベルになってから、当該第2フィールドにおいて走査信号Y480がHからレベルに変化し時間量Taだけ経過するまでの期間にわたって、Hレベルとなる。このため、コモン信号Vcnは再び電圧LCcomに固定される。
次に、選択信号Lは、当該第2フィールドにおいて走査信号Y480がHからレベルに変化し時間量Taだけ経過してから、次に反転信号/SetがHレベルになるまでの期間にわたって、Hレベルになる。このため、TFT1726がオンする。また、第2フィールドにおいて走査信号Y480が立ち下がったときに、選択信号/SelがHレベルになる。このため、今度は、TFT1734がオンする。よって、コモン電極108が端子Nmに接続される結果、コモン信号Vcnは、電圧LCcomから時間経過とともに徐々に下降することになる。
Subsequently, the selection signal R is the second field after the inversion signal / Set becomes H level immediately before the scanning signal Y1 becomes H level, and the scanning signal Y480 changes from H to level in the second field. It becomes the H level over the period until the amount Ta passes. For this reason, the common signal Vcn is fixed to the voltage LCcom again.
Next, the selection signal L is at the H level over the period from the time when the scanning signal Y480 changes from H to the level in the second field and the time Ta passes, until the inversion signal / Set becomes the H level. become. Therefore, the TFT 1726 is turned on. Further, when the scanning signal Y480 falls in the second field, the selection signal / Sel becomes H level. Therefore, this time, the TFT 1734 is turned on. Therefore, as a result of the common electrode 108 being connected to the terminal Nm, the common signal Vcn gradually decreases with time from the voltage LCcom.

このため、コモン信号Vcnは、図16に示されるように、第1フィールドのおおよそ垂直有効走査期間F1aでは電圧LCcomに固定され、おおよそ垂直帰線期間F1bにおいて電圧LCcomから時間経過とともに徐々に上昇し、第2フィールドのおおよそ垂直有効走査期間F2aでは再び電圧LCcomに固定され、おおよそ垂直帰線期間F2bにおいて電圧LCcomから時間経過とともに徐々に下降するような電圧波形となる。
なお、時間量Taは無視できるほどに小さいので、図16(および図17)において、コモン信号Vcnは、走査信号Y480がLレベルになったときに電圧LCcomから変化するように記載している。
For this reason, as shown in FIG. 16, the common signal Vcn is fixed to the voltage LCcom in the vertical effective scanning period F1a of the first field, and gradually rises with time from the voltage LCcom in the vertical blanking period F1b. The voltage waveform is fixed to the voltage LCcom again in the vertical effective scanning period F2a of the second field, and gradually decreases from the voltage LCcom over time in the vertical blanking period F2b.
Since the amount of time Ta is negligibly small, in FIG. 16 (and FIG. 17), the common signal Vcn is described as changing from the voltage LCcom when the scanning signal Y480 becomes L level.

次に、垂直帰線期間にコモン電極108を電圧変化させたときの効果について図17を参照して説明する。図17は、最初の1行目とj列目とに対応する画素電極Pix(1,j)と、最終の480行目とj列目とに対応する画素電極Pix(480,j)との電圧変化を、それぞれに対応する走査信号Y1、Y480との関係において示す図である。
第1フィールドにおいて最初の行に対応する走査信号Y1がHレベルになったとき、1行j列では、TFT116のオンによって画素電極Pix(1,j)には、データ信号Xjの正極性電圧Vjが印加される。走査信号Y1がHからLレベルになったときに、画素電極Pix(1,j)は、TFT116がオンからオフに変化したときのフィールドスルーによって電圧Vfだけ低下する。
このような正極性電圧の書込動作が、順次走査信号Y2、Y3、Y4、…、Y479がHレベルになることによって、2、3、4、…、479行目の画素110について行われる。
ただし、第2実施形態では、各行の容量線132は電圧Vcomで一定であり、コモン電極108は垂直帰線期間に至らないと、電圧変化しないので、画素電極の電圧は、選択期間が終了してから、すなわち対応する走査信号がLレベルに変化してから、オフリークによって徐々に低下する。
第1フィールドにおいて最終行に対応する走査信号Y480がHレベルになったとき、画素電極Pix(480,j)は、TFT116のオンによって、データ信号Xjの正極性電圧となる。走査信号Y480がHからLレベルになると、画素電極Pix(480,j)は、フィールドスルーによって電圧Vfだけ低下する。
Next, the effect of changing the voltage of the common electrode 108 during the vertical blanking period will be described with reference to FIG. FIG. 17 shows the pixel electrode Pix (1, j) corresponding to the first row and the jth column and the pixel electrode Pix (480, j) corresponding to the last 480th row and the jth column. It is a figure which shows a voltage change in the relationship with the scanning signals Y1 and Y480 corresponding to each.
When the scanning signal Y1 corresponding to the first row in the first field becomes H level, the positive voltage Vj of the data signal Xj is applied to the pixel electrode Pix (1, j) in the 1st row and jth column by turning on the TFT 116. Is applied. When the scanning signal Y1 changes from H to L level, the pixel electrode Pix (1, j) is lowered by the voltage Vf due to field through when the TFT 116 changes from on to off.
Such a positive voltage writing operation is performed for the pixels 110 in the second, third, fourth,..., 479th rows when the scanning signals Y2, Y3, Y4,.
However, in the second embodiment, the capacitance line 132 of each row is constant at the voltage Vcom, and the voltage of the pixel electrode does not change unless the common electrode 108 reaches the vertical blanking period. In other words, after the corresponding scanning signal has changed to L level, it gradually decreases due to off-leakage.
When the scanning signal Y480 corresponding to the last row in the first field becomes H level, the pixel electrode Pix (480, j) becomes the positive voltage of the data signal Xj by turning on the TFT. When the scanning signal Y480 changes from H to L level, the pixel electrode Pix (480, j) drops by the voltage Vf due to field through.

ここで、走査信号Y480がLレベルになって時間量Taだけ経過すると、コモン信号Vcnは、電圧LCcomから上昇を開始する。
第2実施形態において、容量線132は電圧Vcomで一定であるので、各画素110における液晶容量120と補助容量130との直列接続では、補助容量130の他端が電圧一定に保たれたまま、液晶容量120の他端であるコモン電極108が電圧Vcomから上昇することになる。
コモン信号Vcnの電圧変化開始タイミング、すなわち、走査信号Y480がLレベルになって時間量Taだけ経過したタイミングにおける画素電極の電圧をVkとする。また、コモン信号Vcnにおいて、電圧Vcomから上昇変化分を、コモン信号Vcnの電圧変化開始タイミングからの経過時間の関数ΔV(t)とすると、画素電極118の電圧は、
Vk+{Cpix/(Cs+Cpix)}・ΔV(t)
と表すことができる。
このため、第2本実施形態では、コモン信号Vcnの電圧上昇は、画素電極118の電圧を、コモン信号の電圧変化分ΔV(t)に容量比{Cpix/(Cs+Cpix)}を乗じた値だけ時間経過とともに徐々に上昇させる方向に作用させることになる。
一方で、第1フィールドにおけるTFT116のオフリークは、画素電極の電圧を時間経過とともに徐々に下降させる方向に作用させている。
結局、第2実施形態では、第1フィールドの垂直帰線期間F1bにおけるコモン電極108の電圧上昇は、オフリークによる電圧下降を相殺させることになる。したがって、第2実施形態によれば、図17において実線で示されるように、垂直帰線期間F1bにおいて画素電極の電圧変動がほぼゼロとなるように補償されるので、破線で示されるようなオフリークによる電圧変動を抑えることができる。
Here, when the scanning signal Y480 becomes L level and the time Ta passes, the common signal Vcn starts to rise from the voltage LCcom.
In the second embodiment, since the capacitor line 132 is constant at the voltage Vcom, in the series connection of the liquid crystal capacitor 120 and the auxiliary capacitor 130 in each pixel 110, the other end of the auxiliary capacitor 130 is kept constant. The common electrode 108 which is the other end of the liquid crystal capacitor 120 rises from the voltage Vcom.
Let Vk be the voltage of the pixel electrode at the voltage change start timing of the common signal Vcn, that is, the timing when the scanning signal Y480 becomes L level and the time Ta passes. In addition, when the change in the common signal Vcn from the voltage Vcom is a function ΔV (t) of the elapsed time from the voltage change start timing of the common signal Vcn, the voltage of the pixel electrode 118 is
Vk + {Cpix / (Cs + Cpix)}. ΔV (t)
It can be expressed as.
For this reason, in the second embodiment, the voltage increase of the common signal Vcn is the value obtained by multiplying the voltage of the pixel electrode 118 by the voltage change ΔV (t) of the common signal by the capacitance ratio {Cpix / (Cs + Cpix)}. It will act in the direction of increasing gradually over time.
On the other hand, the off-leakage of the TFT 116 in the first field acts in a direction in which the voltage of the pixel electrode gradually decreases with time.
Eventually, in the second embodiment, the voltage increase of the common electrode 108 in the vertical blanking period F1b of the first field cancels the voltage decrease due to off-leakage. Therefore, according to the second embodiment, as shown by the solid line in FIG. 17, the voltage fluctuation of the pixel electrode is compensated so as to become substantially zero in the vertical blanking period F1b. The voltage fluctuation due to can be suppressed.

ところで、垂直帰線期間F1bの終了直前、すなわち走査信号Y1がHレベルとなる直前において、セット信号SetがLレベルになると、その反転信号/SetがHレベルになるので、コモン信号Vcnは電圧LCcomに戻る。このとき、各画素110では、TFT136がオフなるので、補助容量130の他端は容量線132から電気的に切り離されてハイ・インピーダンス状態になる。このため、コモン電極108が電圧上昇過程から電圧LCcomに変化しても、液晶容量120の保持電圧に影響を与えることはない。ただし、コモン電極108が電圧LCcomに変化するのに伴って、画素電極の電圧も低下している。
なお、第2フィールドにおいては、オフリークによる電圧の変化方向が第1フィールドと反対方向になる。第2フィールドの垂直帰線期間F2bでは、コモン電極108が電圧LCcomから時間経過とともに徐々に下降するので、オフリークによる電圧上昇を相殺させることになる。このため、垂直帰線期間F2bにおいても、画素電極の電圧変動がほぼゼロとなるように補償して、オフリークによる電圧変動を抑えることができる。
By the way, immediately before the end of the vertical blanking period F1b, that is, immediately before the scanning signal Y1 becomes H level, when the set signal Set becomes L level, the inverted signal / Set becomes H level, so the common signal Vcn becomes the voltage LCcom. Return to. At this time, in each pixel 110, since the TFT 136 is turned off, the other end of the auxiliary capacitor 130 is electrically disconnected from the capacitor line 132 to be in a high impedance state. For this reason, even if the common electrode 108 changes from the voltage increasing process to the voltage LCcom, the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 is not affected. However, as the common electrode 108 changes to the voltage LCcom, the voltage of the pixel electrode also decreases.
In the second field, the direction of voltage change due to off-leakage is opposite to that of the first field. In the vertical blanking period F2b of the second field, the common electrode 108 gradually decreases with the passage of time from the voltage LCcom, thereby canceling the voltage increase due to off-leakage. For this reason, even in the vertical blanking period F2b, it is possible to compensate for the voltage fluctuation of the pixel electrode to be almost zero, and to suppress the voltage fluctuation due to off-leakage.

このように第2実施形態によれば、オフリークに起因する液晶容量120の保持電圧の低下は、正極性電圧が書き込まれる第1フィールドであれば、垂直帰線期間F1bにおけるコモン電極108の電圧上昇によって、また、負極性電圧が書き込まれる第2フィールドであれば、垂直帰線期間F2bにおけるコモン電極108の電圧下降によって、それぞれ相殺される。このため、TFT116のオフリークによる影響を抑えることが可能となる。
なお、コモン電極の電圧変化は、パルス的ではなく、時間経過とともになだらかに変化するように与えているので、画素における容量成分や抵抗成分によって、画素の上下左右位置に応じて偏りが生じてしまう現象も抑えられる。
As described above, according to the second embodiment, the decrease in the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 due to the off-leakage is the voltage increase of the common electrode 108 in the vertical blanking period F1b in the first field in which the positive voltage is written. In addition, in the second field in which a negative voltage is written, each is canceled by the voltage drop of the common electrode 108 in the vertical blanking period F2b. For this reason, it is possible to suppress the influence due to the off-leakage of the TFT 116.
In addition, since the voltage change of the common electrode is not pulsed but is given to change gradually with time, the capacitance component and resistance component in the pixel cause a deviation depending on the vertical and horizontal positions of the pixel. The phenomenon is also suppressed.

ところで、第1実施形態では、容量線132の電圧を、行毎に、行に対応する走査信号に合わせて変化させているので、オフリークに起因した保持電圧の低下を相殺する期間が、各行のそれぞれにおいて走査線の選択が終了してから走査線が再び選択されるまでの期間となり、各行にわたって揃えられる。
これに対して、第2実施形態では、すべての画素110に共通のコモン電極108の電圧を垂直帰線期間に変化させているので、非選択期間に対して保持電圧の低下を相殺する期間の占める相対位置が、行毎に異なる。例えば最初の1行目の画素では、1行目の選択終了後、選択2〜480行目の選択が完了してからコモン電極の電圧が変化するので、保持電圧の低下を相殺する期間は、非選択期間に対して後端側で占めることになる。一方、最終の480行目の画素では、選択が完了してから直ちにコモン電極の電圧が変化するので、保持電圧の低下を相殺する期間は、非選択期間に対し前端側で占めることになる。
このように第2実施形態では、TFT116がオフしてからコモン電極の電圧変化開始するまでの時間が、行毎に異なるので、オフリークの進行についても差が発生する。このため、第2実施形態では、画面の走査線位置によって明るさが異なってしまうような表示ムラが、第1実施形態と比較して発生しやすい。
しかしながら、第2実施形態においても、全容量線132を一括して駆動する場合と同様に、メモリー30からの読み出しを高速化して、垂直有効走査期間に対する垂直帰線期間の比率を大きくすれば、このような表示ムラを抑えることができる。さらに、第2実施形態では、1つのコモン電極駆動回路200がコモン電極108を駆動する構成であるので、行毎に単位回路170を有する第1実施形態の容量線駆動回路160と比較して、構成が簡略化される。
By the way, in the first embodiment, since the voltage of the capacitor line 132 is changed for each row in accordance with the scanning signal corresponding to the row, the period for offsetting the decrease in the holding voltage due to the off-leakage is in each row. In each of them, a period from when the selection of the scanning line is completed until the scanning line is selected again is aligned over each row.
On the other hand, in the second embodiment, since the voltage of the common electrode 108 common to all the pixels 110 is changed in the vertical blanking period, a period in which the decrease in the holding voltage is offset with respect to the non-selection period. The relative position occupied differs from line to line. For example, in the first pixel of the first row, after the selection of the first row is completed, the voltage of the common electrode changes after the selection of the second to 480th rows is completed. It occupies on the rear end side with respect to the non-selection period. On the other hand, in the last pixel in the 480th row, the voltage of the common electrode changes immediately after the selection is completed. Therefore, the period for canceling the decrease in the holding voltage occupies the front end side with respect to the non-selection period.
As described above, in the second embodiment, since the time from when the TFT 116 is turned off to when the voltage change of the common electrode starts is different for each row, a difference also occurs in the progress of off-leakage. For this reason, in the second embodiment, display unevenness in which the brightness varies depending on the scanning line position on the screen is likely to occur as compared with the first embodiment.
However, also in the second embodiment, as in the case where all the capacitance lines 132 are collectively driven, if the reading from the memory 30 is accelerated and the ratio of the vertical blanking period to the vertical effective scanning period is increased, Such display unevenness can be suppressed. Furthermore, in the second embodiment, since one common electrode driving circuit 200 drives the common electrode 108, compared with the capacitive line driving circuit 160 of the first embodiment having the unit circuit 170 for each row, The configuration is simplified.

第2実施形態においても、オフリークだけでなく、フィールドスルーに起因した液晶容量120の保持電圧の変動を相殺するように、コモン電極108の電圧変化特性を正極性および負極性のそれぞれ個別に設定することが望ましいのは、第1実施形態と同様である。
ところで、第2実施形態における画素110の構成(図13参照)については、特開2009−75300号公報の図5と同一である。このため、TFT116、TFT194のフィールドスルーを相殺するにあたっては、同公報に記載された技術を用いる一方で、オフリークについては、コモン電極の電圧変化によって相殺する構成としても良い。このような構成とするには、補助容量制御回路180に、セット信号Setとともに走査信号Y1〜Y480を供給して、これらの論理レベルから補助容量制御信号Shz1〜Shz480を個別に生成する構成とすれば良い。
Also in the second embodiment, the voltage change characteristics of the common electrode 108 are set individually for the positive polarity and the negative polarity so as to cancel not only the off-leak but also the variation in the holding voltage of the liquid crystal capacitor 120 due to the field through. This is desirable as in the first embodiment.
By the way, the configuration of the pixel 110 in the second embodiment (see FIG. 13) is the same as that in FIG. 5 of JP-A-2009-75300. For this reason, in order to cancel the field through of the TFT 116 and the TFT 194, the technique described in the publication can be used. On the other hand, off-leakage may be canceled by a voltage change of the common electrode. To achieve such a configuration, the auxiliary capacitance control circuit 180 is supplied with scanning signals Y1 to Y480 together with the set signal Set, and the auxiliary capacitance control signals Shz1 to Shz480 are individually generated from these logic levels. It ’s fine.

なお、上述した第1および第2実施形態のいずれにおいても、1フレームを第1フィールドおよび第2フィールドに分けて、それぞれ正極性書込および負極性書込を実行する構成としたが、1フレームを例えば4以上の偶数個のフィールドに分けて、正極性書込と負極性書込とを交互に実行しても良い。また、フィールドに分けないで例えば奇数フレームおよび偶数フレームに分けて正極性書込と負極性書込とを交互に実行しても良い。いずれにしても、走査線の選択回数をT−FF1710によってカウントし、そのカウント結果の奇数、偶数に応じて、容量線132またはコモン電極108を、正極性書込後のオフリークを相殺するように電圧上昇させるか、負極性書込後のオフリークを相殺するように電圧下降させるか、について選択する構成であれば良い。
また、容量線駆動回路160や補助容量制御回路180については、走査線駆動回路140とは反対側に設けても良い。
上述した第1および第2実施形態のいずれにおいても、液晶容量120は、透過型に限られず、反射型であっても良い。さらに、液晶容量120は、ノーマリーブラックモードに限られず、例えばTN方式として、電圧無印加時において液晶容量120が白状態となるノーマリーホワイトモードとしても良い。
In each of the first and second embodiments described above, one frame is divided into the first field and the second field, and the positive polarity writing and the negative polarity writing are executed, respectively. Is divided into an even number of fields of 4 or more, for example, and positive polarity writing and negative polarity writing may be executed alternately. Further, the positive polarity writing and the negative polarity writing may be executed alternately for each of an odd frame and an even frame without dividing the field. In any case, the number of scanning line selections is counted by the T-FF 1710, and the capacity line 132 or the common electrode 108 is offset in accordance with the odd number or even number of the count result so as to cancel off-leakage after positive polarity writing. Any configuration that selects whether to increase the voltage or to decrease the voltage so as to cancel off-leakage after negative polarity writing may be used.
Further, the capacitor line driver circuit 160 and the auxiliary capacitor control circuit 180 may be provided on the side opposite to the scanning line driver circuit 140.
In any of the first and second embodiments described above, the liquid crystal capacitor 120 is not limited to the transmissive type, but may be a reflective type. Furthermore, the liquid crystal capacitor 120 is not limited to the normally black mode, but may be a normally white mode in which the liquid crystal capacitor 120 is in a white state when no voltage is applied, for example, as a TN method.

<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置10a、10bを適用した電子機器の一例として、プロジェクターを例にとって説明する。図18は、このプロジェクターの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクター2100の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット2102が設けられている。このランプユニット2102から射出された投射光は、内部に配置された3枚のミラー2106および2枚のダイクロイックミラー2108によってR(赤)色、G(緑)色、B(青)色の3原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ100R、100Gおよび100Bにそれぞれ導かれる。なお、B色の光は、他のR色やG色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ2122、リレーレンズ2123および出射レンズ2124からなるリレーレンズ系2121を介して導かれる。
<Electronic equipment>
Next, a projector will be described as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical devices 10a and 10b according to the above-described embodiments are applied. FIG. 18 is a plan view showing the configuration of the projector.
As shown in this figure, a projector 2100 is provided with a lamp unit 2102 made of a white light source such as a halogen lamp. The projection light emitted from the lamp unit 2102 is provided with three primary colors of R (red), G (green), and B (blue) by three mirrors 2106 and two dichroic mirrors 2108 disposed therein. And led to the light valves 100R, 100G and 100B corresponding to the respective primary colors. Note that B light has a longer optical path than other R and G colors, and therefore, in order to prevent the loss, B light passes through a relay lens system 2121 including an incident lens 2122, a relay lens 2123, and an exit lens 2124. Led.

このプロジェクター2100では、実施形態に係る電気光学装置が、R色、G色、B色のそれぞれに対応して3組設けられる。そして、R色、G色、B色のそれぞれに対応する映像データがそれぞれ上位回路から供給されて、各色に対応するデータ信号Vidに変換される構成となっている。ライトバルブ100R、100Gおよび100Bの構成は、上述した液晶パネル100と同様であり、R色、G色、B色のそれぞれに対応する映像データに応じて駆動される。
ライトバルブ100R、100G、100Bによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム2112に3方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム2112において、R色およびB色の光は90度に屈折する一方、G色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン2120には、投射レンズ2114によってカラー画像が投射されることとなる。
In the projector 2100, three sets of electro-optical devices according to the embodiment are provided corresponding to each of the R color, the G color, and the B color. Then, the video data corresponding to each of the R color, G color, and B color is supplied from the upper circuit and converted into the data signal Vid corresponding to each color. The configuration of the light valves 100R, 100G, and 100B is the same as that of the liquid crystal panel 100 described above, and is driven according to video data corresponding to each of the R color, G color, and B color.
The lights modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are incident on the dichroic prism 2112 from three directions. In the dichroic prism 2112, the R and B light beams are refracted at 90 degrees, while the G light beam travels straight. Therefore, after the images of the respective colors are combined, a color image is projected onto the screen 2120 by the projection lens 2114.

ライトバルブ100R、100Gおよび100Bには、ダイクロイックミラー2108によって、R色、G色、B色のそれぞれに対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。また、ライトバルブ100R、100Bの透過像は、ダイクロイックプリズム2112により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ100Gの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ100R、100Bによる水平走査方向は、ライトバルブ100Gによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成となっている。   Since light corresponding to each of the R, G, and B colors is incident on the light valves 100R, 100G, and 100B by the dichroic mirror 2108, there is no need to provide a color filter. In addition, the transmission images of the light valves 100R and 100B are projected after being reflected by the dichroic prism 2112, whereas the transmission image of the light valve 100G is projected as it is, so the horizontal scanning direction by the light valves 100R and 100B is The image is reversed in the horizontal scanning direction by the light valve 100G and displayed in an inverted image.

なお、電子機器としては、図18を参照して説明したプロジェクターの他、電子ビューファインダーや、リヤ・プロジェクション型のテレビジョン、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。   Note that examples of the electronic device include an electronic viewfinder, a rear projection type television, a head mounted display, and the like in addition to the projector described with reference to FIG.

10a、10b…電気光学装置、20…制御回路、30…メモリー、40…D/A変換回路、100…液晶パネル、105…液晶、108…コモン電極、110…画素、112…走査線、114…データ線、116…TFT、118…画素電極、120…液晶容量、130…補助容量、132…容量線、140…走査線駆動回路、160…容量線駆動回路、170…単位回路、172…セレクター、190…データ線駆動回路、200…コモン電極駆動回路、2100…プロジェクター 10a, 10b ... electro-optical device, 20 ... control circuit, 30 ... memory, 40 ... D / A conversion circuit, 100 ... liquid crystal panel, 105 ... liquid crystal, 108 ... common electrode, 110 ... pixel, 112 ... scanning line, 114 ... Data line 116... TFT 118. Pixel electrode 120. Liquid crystal capacitor 130 130 Auxiliary capacitor 132 Capacitor line 140 Scan line driver circuit 160 Capacitor line driver circuit 170 Unit circuit 172 Selector 190 ... data line driving circuit, 200 ... common electrode driving circuit, 2100 ... projector

Claims (9)

走査線と、
前記走査線に電気的に接続されたトランジスターと、
前記トランジスターに対応して画素に設けられた補助容量と、を備えた電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を選択する走査線駆動回路と、
前記走査線の選択期間に、前記補助容量に電気的に接続された容量線に所定の電位を供給すると共に、前記走査線の非選択期間に、前記画素の階調が変化しないように、前記容量線の電位を変化させる容量線駆動回路と
を備えることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
Scanning lines;
A transistor electrically connected to the scan line;
A drive circuit of an electro-optical device comprising an auxiliary capacitor provided in a pixel corresponding to the transistor,
A scanning line driving circuit for selecting the scanning line;
A predetermined potential is supplied to the capacitor line electrically connected to the auxiliary capacitor during the scanning line selection period, and the gray level of the pixel is not changed during the non-selection period of the scanning line. A drive circuit for an electro-optical device, comprising: a capacitive line drive circuit that changes a potential of the capacitive line.
前記容量線駆動回路は、前記走査線の非選択期間に、前記容量線の電位を前記所定の電位との電位差の絶対値が大きくなる方向に変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。
2. The capacitor line driving circuit according to claim 1, wherein the capacitor line drive circuit changes the potential of the capacitor line in a direction in which an absolute value of a potential difference from the predetermined potential increases in a non-selection period of the scanning line. Drive circuit for electro-optical device.
前記電気光学装置は、
第2走査線と、前記第2走査線に電気的に接続された第2トランジスターと、前記第2トランジスターに対応して第2画素に設けられた第2補助容量と、を備え、
前記走査線駆動回路は、前記走査線に続いて前記第2走査線を選択し、
前記容量線駆動回路は、前記第2走査線の選択期間に、前記第2補助容量に電気的に接続された第2容量線に所定の電位を供給すると共に、前記第2走査線の非選択期間に、前記第2画素の階調が変化しないように、前記第2容量線の電位を変化させる
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置の駆動回路。
The electro-optical device includes:
A second scanning line, a second transistor electrically connected to the second scanning line, and a second auxiliary capacitor provided in the second pixel corresponding to the second transistor,
The scanning line driving circuit selects the second scanning line following the scanning line,
The capacitor line driving circuit supplies a predetermined potential to the second capacitor line electrically connected to the second auxiliary capacitor during the selection period of the second scan line, and non-selects the second scan line. 3. The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1, wherein the potential of the second capacitor line is changed so that the gradation of the second pixel does not change during the period.
前記容量線駆動回路は、
前記走査線の選択が終了して所定の時間経過したときに、前記容量線に対し前記所定の電位からの変化を開始する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回路。
The capacitor line driving circuit includes:
4. The change from the predetermined potential to the capacitor line is started when a predetermined time elapses after the selection of the scanning line is finished. 5. Drive circuit for electro-optical device.
前記容量線駆動回路は、
前記容量線に対して設けられ、第1端子または第2端子のいずれかを選択するセレクターを有し、
前記走査線の選択が開始してから、前記走査線の選択が終了して所定の時間経過するまで前記第1端子を選択し、前記走査線の選択が終了して所定の時間量経過したときから前記第2端子を選択し、
前記第1端子には、前記所定の電位が印加され、
前記第2端子には、オフのトランジスターが接続されると共に、前記走査線の選択が終了して所定の時間経過するまで、前記所定の電位がセットされる
ことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置の駆動回路。
The capacitor line driving circuit includes:
A selector that is provided for the capacitor line and selects either the first terminal or the second terminal;
When the first terminal is selected from the start of the selection of the scanning line until the predetermined time has elapsed after the selection of the scanning line is completed, and when a predetermined amount of time has elapsed after the selection of the scanning line is completed Select the second terminal from
The predetermined potential is applied to the first terminal,
The off-state transistor is connected to the second terminal, and the predetermined potential is set until a predetermined time elapses after selection of the scanning line is completed. Drive circuit for the electro-optical device.
前記容量線駆動回路は、
前記補助容量の1対の電極のうち前記容量線と接続されていない側の電極の電位が、前記容量線の所定の電位よりも高い場合は、前記所定の電位から時間経過とともに前記所定の電位に対して上昇するように変化させ、
前記補助容量の1対の電極のうち前記容量線と接続されていない側の電極の電位が、前記容量線の所定の電位よりも低い場合は、前記所定の電位から時間経過とともに前記所定の電位に対して下降するように変化させる
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回路。
The capacitor line driving circuit includes:
When the potential of the electrode that is not connected to the capacitor line among the pair of electrodes of the auxiliary capacitor is higher than the predetermined potential of the capacitor line, the predetermined potential with the passage of time from the predetermined potential To rise against
When the potential of the electrode that is not connected to the capacitor line among the pair of electrodes of the auxiliary capacitor is lower than the predetermined potential of the capacitor line, the predetermined potential with the passage of time from the predetermined potential The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1, wherein the drive circuit is changed so as to be lowered with respect to the drive circuit.
走査線と、
前記走査線に電気的に接続されたトランジスターと、
前記トランジスターに対応して画素に設けられた補助容量と、前記補助容量と並列に設けられ、画素電極とコモン電極とを有する画素容量と、を備えた電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を選択する走査線駆動回路と、
前記走査線の選択期間に、前記コモン電極に所定の電位を供給すると共に、前記走査線の非選択期間に、前記画素の階調が変化しないように、前記コモン電極の電位を変化させるコモン電極駆動回路と
を備えることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
Scanning lines;
A transistor electrically connected to the scan line;
A drive circuit for an electro-optical device, comprising: an auxiliary capacitor provided in a pixel corresponding to the transistor; and a pixel capacitor provided in parallel with the auxiliary capacitor and having a pixel electrode and a common electrode,
A scanning line driving circuit for selecting the scanning line;
A common electrode that supplies a predetermined potential to the common electrode during a selection period of the scanning line and changes a potential of the common electrode so that a gradation of the pixel does not change during a non-selection period of the scanning line. A drive circuit for an electro-optical device, comprising: a drive circuit;
走査線と、
前記走査線に電気的に接続されたトランジスターと、
前記トランジスターに対応して画素に設けられた補助容量と、
前記走査線を選択する走査線駆動回路と、
前記走査線の選択期間に、前記補助容量に電気的に接続された容量線に所定の電位を供給すると共に、前記走査線の非選択期間に、前記画素の階調が変化しないように、前記容量線の電位を変化させる容量線駆動回路と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
Scanning lines;
A transistor electrically connected to the scan line;
An auxiliary capacitor provided in the pixel corresponding to the transistor;
A scanning line driving circuit for selecting the scanning line;
A predetermined potential is supplied to the capacitor line electrically connected to the auxiliary capacitor during the scanning line selection period, and the gray level of the pixel is not changed during the non-selection period of the scanning line. An electro-optical device comprising: a capacitor line driving circuit that changes a potential of the capacitor line.
請求項8に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015184535A (en) * 2014-03-25 2015-10-22 三菱電機株式会社 Liquid crystal display device and driving method of the same
JP2018159951A (en) * 2012-11-30 2018-10-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device

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