JP2012144755A - Method for production of metal copper film, and printing metal copper pattern - Google Patents

Method for production of metal copper film, and printing metal copper pattern Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment method for reducing to a deep portion, a printable and formable copper-based particle deposition layer having good adhesiveness to a substrate, low volume resistivity without a substrate damage; and to provide a method for producing a metal copper film preventing copper precipitation outside a printing/coating part, and also a printing metal copper pattern.SOLUTION: The method for production of the metal copper film includes treating a copper-based particle deposition layer formed on the substrate and including particles comprising copper oxide with a gas mixture of gaseous formic acid and at least one organic solvent selected from gaseous monovalent alcohol, ester and ketone at 120°C or higher.

Description

本発明は、金属銅膜の作製方法及びこれにより作製される印刷金属銅パターンに関する。   The present invention relates to a method for producing a metal copper film and a printed metal copper pattern produced thereby.

金属銅は高い電気伝導性と熱伝導性を有し、導体配線材料、熱伝達材料、熱交換材料、放熱材料として広く用いられている。   Metallic copper has high electrical conductivity and thermal conductivity, and is widely used as a conductor wiring material, a heat transfer material, a heat exchange material, and a heat dissipation material.

一方、インクジェット、ジェットディスペンサ、ニードルディスペンサ、ディスペンサ、有版印刷は、フォトレジスト工程を用いることなく、任意の形状に液状の材料を塗布できるため、オンデマンド生産、省力化、省材料化、低コスト化の点から注目されている。また、非接触で成形可能なインクジェット、ジェットディスペンサでは、段差や曲面、小面積への印刷が可能であり、有版印刷では不可能な形状を有する基板へのパターン形成が可能である。   On the other hand, inkjet, jet dispenser, needle dispenser, dispenser, and plate printing can apply liquid material to any shape without using a photoresist process, so on-demand production, labor saving, material saving, low cost It is attracting attention from the point of conversion. In addition, with inkjet and jet dispensers that can be formed in a non-contact manner, printing on steps, curved surfaces, and small areas is possible, and patterns can be formed on a substrate having a shape that is impossible with plate printing.

このような印刷により金属銅パターンを形成する印刷インクとしては、金属銅ナノ粒子(特許文献1参照)の分散液や、金属錯体(特許文献2参照)の溶液あるいは分散液が考案されている。
しかし、銅は、室温(25℃)で酸化状態が安定であり、必ず酸化状態の銅を含むため、金属銅として導体、導熱性を発現するには酸化状態の銅を還元し、さらに金属銅の連続体とする必要がある。
As a printing ink for forming a metallic copper pattern by such printing, a dispersion of metallic copper nanoparticles (see Patent Document 1) and a solution or dispersion of a metal complex (see Patent Document 2) have been devised.
However, copper is stable in oxidation state at room temperature (25 ° C.), and always contains copper in the oxidation state. Therefore, copper is reduced in the oxidation state in order to exhibit conductor and heat conductivity as metal copper. It is necessary to make it a continuum.

金属銅ナノ粒子を用いた銅インクでは、使用前に分散剤を含む場合に、分散剤の除去を行った上で、酸化銅を還元し金属銅粒子同士を焼結・融合して連続体にする必要がある。このような分散剤の除去及び/又は焼結手法としては、(a)RFプラズマ(特許文献3参照)やホットワイヤ法により水素を活性化して用いる、(b)水素雰囲気でのキセノンフラッシュ照射、(c)3価以上の多価アルコールと加熱する(特許文献4参照)、(d)水素ガス中での加熱、等が用いられている。   In copper ink using metallic copper nanoparticles, if a dispersant is included before use, after removing the dispersant, the copper oxide is reduced and the metallic copper particles are sintered and fused together to form a continuous body. There is a need to. As a method for removing and / or sintering such a dispersant, (a) RF plasma (see Patent Document 3) or hot wire method is used to activate hydrogen, (b) xenon flash irradiation in a hydrogen atmosphere, (C) Heating with a trihydric or higher polyhydric alcohol (see Patent Document 4), (d) Heating in hydrogen gas, or the like is used.

しかし、このような印刷インクと焼結手法の組み合わせでは、低接着性及び処理印刷層の剥離、高体積抵抗率、深部性に問題があり、印刷インクを導体配線材料、熱伝達材料、熱交換材料、放熱材料に適用できなかった。   However, such a combination of printing ink and sintering method has problems of low adhesion, peeling of treated printing layer, high volume resistivity, and deep property, and printing ink is used as conductor wiring material, heat transfer material, heat exchange. It could not be applied to materials and heat dissipation materials.

低接着性及び処理印刷層の剥離、高体積抵抗率の原因は、印刷インク中の金属元素含有粒子を加熱して焼結したことによる、粒子間をつなぎ合わせた多孔質な焼結体にある。金属の融点よりはるかに低い温度での金属ナノ粒子の焼結では、粉体粒子の持つ大きな表面エネルギーと外部より加えられるエネルギーを駆動力として、表面積を縮小するように粒子内で金属原子が移動し、粒子間の接合・融着が進行する(非特許文献1参照)。
しかし、ある程度、粒子間の接合・融着が進行し比表面積が縮小すると、融着の進行は、減速・停止する。その結果、多孔質な焼結体となる。
The cause of low adhesion, peeling of the treated printing layer, and high volume resistivity is due to the porous sintered body joining the particles by heating and sintering the metal element-containing particles in the printing ink. . In the sintering of metal nanoparticles at a temperature much lower than the melting point of the metal, metal atoms move within the particle to reduce the surface area using the large surface energy of the powder particle and the externally applied energy as driving forces. Then, the bonding / fusion between the particles proceeds (see Non-Patent Document 1).
However, when the bonding / fusion between the particles proceeds to some extent and the specific surface area is reduced, the progress of the fusion is decelerated and stopped. As a result, a porous sintered body is obtained.

金属原子は、あくまで粉体粒子内で動き、積極的に基板表面に析出することはないため導体層と基板の間に空隙が残り接着性が得られないためである。このような課題に対し、従来は、下地樹脂にポリイミドの前駆体の上に導体インクを印刷する(特許文献5参照)、あるいは半硬化のエポキシ樹脂上に導体インクを印刷し(特許文献6参照)、下地となる樹脂に流動性を持たせて導体層に追従させ接着性を得る方法が報告されているが、下地樹脂材料や製造方法に制約が生じる。   This is because the metal atoms move within the powder particles and do not actively precipitate on the surface of the substrate, so that voids remain between the conductor layer and the substrate and adhesion cannot be obtained. Conventionally, a conductor ink is printed on a polyimide precursor on a base resin (see Patent Document 5) or a conductor ink is printed on a semi-cured epoxy resin (see Patent Document 6). ), A method has been reported in which fluidity is imparted to the underlying resin to follow the conductor layer to obtain adhesion, but there are restrictions on the underlying resin material and the manufacturing method.

同様の理由により、金属の融点よりはるかに低い温度での金属ナノ粒子の焼結では、焼結の進行に伴い比表面積がある程度低下した時点で粒子間の融着は停止し、多孔質なスポンジ状の導体層になる。これにより、200℃以下の導体化処理では、体積抵抗率が、バルク銅の10倍以下にはならないなどの問題がある。   For the same reason, in the sintering of metal nanoparticles at a temperature much lower than the melting point of the metal, the fusion between the particles stops when the specific surface area decreases to some extent as the sintering progresses, and the porous sponge A conductive layer. Accordingly, there is a problem that the volume resistivity does not become 10 times or less that of bulk copper in the conductive treatment at 200 ° C. or lower.

また、水素を活性化して用いる手法では、同じ手法が、油膜の除去やフォトレジスト樹脂の除去に効果があることが報告されている(RFプラズマ及び表面波プラズマ:特許文献7参照、ホットワイヤ法原子状水素処理:非特許文献2参照)。このように、水素を活性化して用いる手法では、樹脂基板が活性化した水素によりダメージを受けることも課題である。   Further, it has been reported that the same method is effective in removing an oil film and removing a photoresist resin in a method using activated hydrogen (RF plasma and surface wave plasma: see Patent Document 7, hot wire method) Atomic hydrogen treatment: see Non-Patent Document 2. As described above, in the method using activated hydrogen, it is also a problem that the resin substrate is damaged by the activated hydrogen.

一方、ギ酸ガスを用いた手法としてギ酸リフロー炉が、銅及びハンダ表面の酸化皮膜の除去に効果があることが報告されている(特許文献8参照)。ギ酸ガスを用いた手法では、処理温度が120〜250℃で、且つ基板へのダメージなく金属銅膜の生成が可能である。この手法を用いて、印刷用インクを焼結する方法が報告されている(特許文献9、10参照)。また、金属化した銅が塗布部周辺に拡散することなく、低体積抵抗率を有する焼結体を形成する方法も記載されている(特許文献10参照)。
しかし、これらギ酸ガスを用いた手法においても銅系粒子堆積層の主成分は、金属銅ナノ粒子であり、これを加熱しているため焼結体は多孔質となり、下地との密着性に問題がある。
On the other hand, it has been reported that a formic acid reflow furnace is effective in removing copper and solder oxide films as a technique using formic acid gas (see Patent Document 8). In the method using formic acid gas, the processing temperature is 120 to 250 ° C., and a metal copper film can be formed without damaging the substrate. A method of sintering printing ink using this technique has been reported (see Patent Documents 9 and 10). In addition, a method of forming a sintered body having a low volume resistivity without metallized copper diffusing around the application part is also described (see Patent Document 10).
However, even in these methods using formic acid gas, the main component of the copper-based particle deposition layer is metallic copper nanoparticles, and since this is heated, the sintered body becomes porous, and there is a problem in adhesion to the substrate. There is.

特許第4155821号公報Japanese Patent No. 4155821 特開2004−162110号公報JP 2004-162110 A 特開2004−119686号公報JP 2004-119686 A 特開2007−87735号公報JP 2007-87735 A 特開2008−200557号公報JP 2008-200557 A 特開2010−97808号公報JP 2010-97808 A 国際公開第2005/055305号International Publication No. 2005/0555305 特許第3373499号公報Japanese Patent No. 3373499 特開2009−252685号公報JP 2009-252685 A 特開2010−59535号公報JP 2010-59535 A

Hwang, K. S. and R. S. German;”Sintering and Heterogeneous Catalysis、” 35、 Plenum Press(1983)Hwang, K.K. S. and R.R. S. German; “Sintering and Heterogeneous Catalysis,” 35, Plenum Press (1983). A. Izumi, H. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 41, (2002) 4639−4641A. Izumi, H.I. Matsumura, Jpn. J. et al. Appl. Phys. 41, (2002) 4639-4641

現在、印刷形成可能で、基板密着性、低体積抵抗率、深部金属性の良好な基板ダメージのない金属銅パターンが切望されている。本発明の目的は、基板密着性に優れ、低体積抵抗率であり、基板ダメージが少なく、銅の深部まで還元することが可能な、金属銅膜の作製方法を提供することである。さらに、金属銅膜の作製方法を用い、形成した印刷金属銅パターンを提供することである。   At present, a metal copper pattern that can be formed by printing, has good substrate adhesion, low volume resistivity, and deep metal property and has no substrate damage is desired. An object of the present invention is to provide a method for producing a metal copper film that has excellent substrate adhesion, low volume resistivity, little substrate damage, and can be reduced to a deep portion of copper. Furthermore, it is providing the printed metal copper pattern formed using the preparation method of a metal copper film | membrane.

前記課題を解決するための金属銅膜の作製方法として、銅系粒子分散液及びそれを印刷した銅系粒子堆積層が酸化銅からなる粒子を含み、さらに焼結方法としては、生成するギ酸銅が昇華により塗布部周辺に拡散するより早く、ギ酸銅分子に配位しやすい官能基を有するガスを、ギ酸ガスと共存させることで、120℃以上の温度で金属銅が析出し、その際、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出が大幅に抑えられることを見出し、本発明に至った。
すなわち本発明は、以下の通りである。
(1) 基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、120℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする金属銅膜の作製方法。
(2) 酸化銅が、酸化第一銅及び/又は酸化第二銅であることを特徴とする(1)記載の金属銅膜の作製方法。
(3) 酸化銅からなる粒子の一次粒径が、1〜10000nmであることを特徴とする(1)又は(2)記載の金属銅膜の作製方法。
(4) 銅系粒子堆積層が、基板上に、印刷法で形成されることを特徴とする(1)〜(3)いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。
(5) 印刷法が、インクジェット印刷、ジェットディスペンサ、ディスペンサ、ニードルディスペンサ、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、転写印刷、ソフトリソグラフ、ディップペンリソグラフ、粒子堆積法、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、電着塗装から選択される少なくとも一つの方法である、(4)記載の金属銅膜の作製方法。
(6) 基板が、金属、プラスティック、ガラス、セラミックス、及びこれらの複合材料から選択される少なくとも一つであることを特徴とする(1)〜(5)いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。
(7) (4)〜(6)いずれかに記載の金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターン。
As a method for producing a metallic copper film for solving the above-mentioned problems, a copper-based particle dispersion and a copper-based particle deposition layer on which the copper-based particle dispersion is printed include particles made of copper oxide. By allowing the gas having a functional group that easily coordinates to the copper formate molecule to coexist with the formic acid gas, the copper metal precipitates at a temperature of 120 ° C. or higher, The inventors have found that the deposition of metallic copper outside the copper-based particle deposition layer can be significantly suppressed, and have reached the present invention.
That is, the present invention is as follows.
(1) A copper-based particle deposition layer including particles made of copper oxide formed on a substrate is selected from gaseous formic acid and gaseous monovalent alcohol / ester / ketone at 120 ° C. or higher. A method for producing a metallic copper film, which comprises treating with a mixed gas with at least one organic solvent.
(2) The method for producing a metallic copper film according to (1), wherein the copper oxide is cuprous oxide and / or cupric oxide.
(3) The method for producing a metallic copper film according to (1) or (2), wherein the primary particle diameter of the particles made of copper oxide is 1 to 10,000 nm.
(4) The method for producing a metallic copper film according to any one of (1) to (3), wherein the copper-based particle deposition layer is formed on a substrate by a printing method.
(5) Printing method is ink jet printing, jet dispenser, dispenser, needle dispenser, screen printing, letterpress printing, intaglio printing, gravure printing, transfer printing, soft lithography, dip pen lithography, particle deposition method, comma coater, slit coater, die coater (4) The method for producing a metal copper film according to (4), which is at least one method selected from a gravure coater, a spray coater, a spin coater, a dip coater, and electrodeposition coating.
(6) The metal copper film according to any one of (1) to (5), wherein the substrate is at least one selected from metal, plastic, glass, ceramics, and composite materials thereof. Method.
(7) A printed metal copper pattern produced by the method for producing a metal copper film according to any one of (4) to (6).

本発明の金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターンでは、図1(b)に示すように、基板面付近に緻密な金属銅膜の析出が見られ、基板との接着性に優れる。本発明の金属銅膜の作製方法では、昇華性を有するギ酸第一銅を経由することから、昇華により銅原子は粒子外にも拡散でき、金属銅が析出したと考える。このことから、基板側に追随性を持たせた樹脂基板を用いることなく基板と金属銅膜の密着を得ることができる。一方、ギ酸銅分子に配位しやすい官能基を有する分子を共存させることから、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出を大幅に抑える事ができる。   In the printed metal copper pattern produced by the method for producing a metal copper film of the present invention, as shown in FIG. 1B, a dense metal copper film is deposited in the vicinity of the substrate surface, and adhesion to the substrate is observed. Excellent. In the method for producing a metallic copper film of the present invention, it passes through the sublimable cuprous formate, so that the copper atoms can diffuse out of the particles by sublimation and the metallic copper is precipitated. From this, it is possible to obtain adhesion between the substrate and the metal copper film without using a resin substrate having followability on the substrate side. On the other hand, since a molecule having a functional group that easily coordinates to the copper formate molecule is allowed to coexist, it is possible to significantly suppress the precipitation of metallic copper outside the copper-based particle deposition layer.

(a)は、基板上の銅系粒子堆積層の概念図であり、(b)は、本発明のガス処理において、基板上から金属銅膜が生成することを示す概念図である。(A) is a conceptual diagram of the copper-type particle deposition layer on a board | substrate, (b) is a conceptual diagram which shows that a metal copper film | membrane produces | generates from a board | substrate in the gas processing of this invention. 実施例1において、銅系粒子堆積層を混合ガスで100分間処理を行って生成した金属銅膜の、走査イオン顕微鏡による断面観察像である。In Example 1, it is a cross-sectional observation image by the scanning ion microscope of the metal copper film | membrane produced | generated by processing a copper-type particle deposition layer for 100 minutes with mixed gas. 実施例1において、銅系粒子堆積層を混合ガスで5分間処理を行って生成した金属銅膜の、走査イオン顕微鏡による断面観察像である。In Example 1, it is a cross-sectional observation image by the scanning ion microscope of the metal copper film | membrane produced | generated by processing a copper-type particle deposition layer for 5 minutes with mixed gas. 実施例1において、銅系粒子堆積層を混合ガスで15分間処理を行って生成した金属銅膜の、走査イオン顕微鏡による断面観察像である。In Example 1, it is a cross-sectional observation image by the scanning ion microscope of the metal copper film | membrane produced | generated by processing a copper-type particle deposition layer for 15 minutes with mixed gas.

以下、本発明を実施するための形態を示す。
本発明の金属銅膜の作製方法は、基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、120℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする。
以下、本発明の金属銅膜の作製方法、及び金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターンについて説明する。
Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.
In the method for producing a metal copper film of the present invention, a copper-based particle deposition layer containing particles made of copper oxide formed on a substrate is formed by using gaseous formic acid and gaseous monovalent alcohol at 120 ° C. or higher. It is characterized by treating with a mixed gas with at least one organic solvent selected from / ester / ketone.
Hereinafter, a printed metal copper pattern produced by the method for producing a metal copper film and the method for producing a metal copper film of the present invention will be described.

本発明の印刷金属銅パターンは、通常、従来の銅系ナノ粒子の還元・焼結では得られない、厚さ1μm以上の緻密な銅膜を有し、その結果、低抵抗、高接着性を有するが、まずその作製方法及び原理について説明する。
図1(a)に示すように、基板上に銅系粒子堆積層を有する構造体を、120℃以上に加熱した状態で、ギ酸を含むガスと接触させる。銅系粒子堆積層中の酸化銅は、ギ酸と反応し、ギ酸銅を生じる。生じたギ酸銅は、昇華しガスとして拡散するか、金属銅、水、二酸化炭素に熱分解する。この方法では、昇華したギ酸銅が、比較的長距離を移動することができ、粒子間を酸化銅由来の銅で埋めることができる。このようにして形成された銅膜は図1(b)に示すように、厚さ1μm以上の緻密な銅膜となり、バルクの金属銅に近い性質を示すことになる。
The printed metal copper pattern of the present invention usually has a dense copper film having a thickness of 1 μm or more, which cannot be obtained by conventional reduction and sintering of copper-based nanoparticles, and as a result, has low resistance and high adhesion. First, the manufacturing method and principle will be described.
As shown to Fig.1 (a), the structure which has a copper-type particle deposition layer on a board | substrate is made to contact with the gas containing formic acid in the state heated at 120 degreeC or more. Copper oxide in the copper-based particle deposition layer reacts with formic acid to produce copper formate. The resulting copper formate sublimes and diffuses as a gas or thermally decomposes into metallic copper, water, and carbon dioxide. In this method, the sublimated copper formate can move over a relatively long distance, and the space between the particles can be filled with copper derived from copper oxide. The copper film thus formed becomes a dense copper film having a thickness of 1 μm or more as shown in FIG. 1B, and exhibits properties close to that of bulk metallic copper.

これに対して、従来の銅系ナノ粒子の200℃以下の還元・焼結では、表面エネルギーにより高いエネルギー状態にある粒子表面の銅原子のみが融着してネッキングし、粒子間の隙間はそのまま残ることとなり、低抵抗とするには限度がある。
以下、本発明の各構成要素について説明する。
In contrast, in the conventional reduction and sintering of copper-based nanoparticles at 200 ° C. or lower, only the copper atoms on the surface of the particles that are in a higher energy state due to the surface energy are fused and necked, leaving the gaps between the particles as they are. As a result, there is a limit to the low resistance.
Hereinafter, each component of the present invention will be described.

先ず、銅系粒子堆積層について詳細に説明する。
(銅系粒子堆積層)
銅系粒子堆積層は、酸化銅からなる粒子を含有する粒子の堆積した層からなり、酸化銅は、酸化第一銅及び/又は酸化第二銅であることが好ましい。銅系粒子堆積層に含まれる酸化銅の割合は、質量比で10質量%以上であることが好ましく、50質量%以上であることがより好ましく、60質量%以上であることがさらに好ましく、70質量%以上であることが特に好ましく、80質量%以上であることが極めて好ましく、90質量%以上であることが最も好ましい。酸化銅の割合が10質量%未満であると、緻密な銅膜が形成できないため、好ましくない。
First, the copper-based particle deposition layer will be described in detail.
(Copper particle deposition layer)
The copper-based particle deposition layer is a layer in which particles containing particles made of copper oxide are deposited, and the copper oxide is preferably cuprous oxide and / or cupric oxide. The ratio of copper oxide contained in the copper-based particle deposition layer is preferably 10% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, still more preferably 60% by mass or more, in terms of mass ratio. It is particularly preferably at least 80% by mass, very particularly preferably at least 80% by mass, and most preferably at least 90% by mass. If the copper oxide ratio is less than 10% by mass, a dense copper film cannot be formed, which is not preferable.

酸化銅からなる粒子以外の粒子としては、酸化銅やギ酸銅の分解に対し触媒活性を有する金属成分、例えば銅、白金、パラジウム、ロジウム、金、銀、ニッケルなどを含んでいても良い。
また、該銅系粒子堆積層から、ギ酸を含むガス処理により生成される金属銅膜の緻密性向上や内部応力の調整、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出抑制など様々な目的に応じて、該銅系粒子堆積層に有機系や無機系、金属塩等の添加剤を含んでいても良い。該添加剤としては、例えば、2、2’−ビピリジル、オルトフェナントリン、フェロシアン化カリウム、ベンゾチアゾール、チアゾール、ニコチン酸、ベンゾトリアゾール、ポリ硫化カリウム、8−アザグアニン、8−アザキサンチン、8−アザヒポキサンチン、アデニン、8−アザアデニン、グアニン、ヒポキサンチン、ノルボルナジエン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、シアン化ナトリウム、クプロン、硫化カリウム、硫化ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、ゲルマニウム酸ナトリウム、二酸化ゲルマニウム、スズ酸ナトリウム、モリブデン酸ナトリウム、メタバナジン酸ナトリウム、五酸化バナジウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅、ギ酸銅、酢酸銅、ほう酸、しゅう酸カリウム、チオ尿素、アリルチオ尿素、チオリンゴ酸、チオグリコール酸、チオシアン酸、グリコール酸、炭酸ナトリウム、硝酸カリウム及び鉛塩類が挙げられるが、これらに限定されない。
The particles other than the particles made of copper oxide may contain a metal component having catalytic activity for the decomposition of copper oxide or copper formate, such as copper, platinum, palladium, rhodium, gold, silver, nickel, and the like.
In addition, from the copper-based particle deposition layer, for various purposes such as improving the denseness of the metal copper film produced by gas treatment containing formic acid, adjusting internal stress, and suppressing the precipitation of metallic copper outside the copper-based particle deposition layer. Accordingly, the copper-based particle deposition layer may contain an organic or inorganic additive such as a metal salt. Examples of the additive include 2,2′-bipyridyl, orthophenanthrin, potassium ferrocyanide, benzothiazole, thiazole, nicotinic acid, benzotriazole, potassium polysulfide, 8-azaguanine, 8-azaxanthine, and 8-aza. Hypoxanthine, adenine, 8-azaadenine, guanine, hypoxanthine, norbornadiene, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyethylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol dimethyl ether, sodium cyanide, cupron, potassium sulfide, sodium sulfide, sodium metasilicate, sodium germanate , Germanium dioxide, sodium stannate, sodium molybdate, sodium metavanadate, vanadium pentoxide, sodium sulfate , Potassium sulfate, nickel sulfate, copper sulfate, copper nitrate, copper chloride, copper formate, copper acetate, boric acid, potassium oxalate, thiourea, allylthiourea, thiomalic acid, thioglycolic acid, thiocyanic acid, glycolic acid, sodium carbonate, Examples include, but are not limited to, potassium nitrate and lead salts.

また、酸化銅からなる粒子は、一次粒径が1〜10000nmであることが好ましく、2〜5000nmであることがより好ましく、3〜3000nmであることがさらに好ましい。酸化銅からなる粒子の一次粒径が10000nmより大きいと、緻密な銅膜が形成できないため好ましくない。なお、粒子の一次粒径とは、一般的に、一次粒子の数平均粒子径である。また、数平均粒子径は、例えば、レーザー回折散乱法により求めることが可能である。   Moreover, it is preferable that the particle | grains which consist of copper oxide have a primary particle diameter of 1-10000 nm, It is more preferable that it is 2-5000 nm, It is further more preferable that it is 3-3000 nm. If the primary particle diameter of the particles made of copper oxide is larger than 10,000 nm, it is not preferable because a dense copper film cannot be formed. The primary particle diameter of the particles is generally the number average particle diameter of the primary particles. The number average particle diameter can be determined by, for example, a laser diffraction scattering method.

基板上に形成する、銅系粒子堆積層の厚みは、該銅系粒子堆積層に含まれる酸化銅が還元され金属銅膜が生成するときの体積収縮を考慮し、生成する金属銅膜の厚みよりも厚く形成する必要がある。よって、銅系粒子堆積層の厚みは、0.01μm以上であることが好ましい。銅系粒子堆積層の厚みが0.01μm未満であると、生成する金属銅膜に欠損を生じる可能性があるため好ましくない。また、厚すぎると酸化銅の還元が不十分になるおそれがあるため、100μm以下が好ましく、80μm以下がより好ましく、50μm以下が特に好ましい。   The thickness of the copper-based particle deposition layer formed on the substrate is determined based on the volume shrinkage when the copper oxide contained in the copper-based particle deposition layer is reduced and a metal copper film is formed. It is necessary to form it thicker. Therefore, the thickness of the copper-based particle deposition layer is preferably 0.01 μm or more. If the thickness of the copper-based particle deposition layer is less than 0.01 μm, there is a possibility that defects may occur in the resulting metal copper film, which is not preferable. Moreover, since there exists a possibility that reduction | restoration of copper oxide may become inadequate when it is too thick, 100 micrometers or less are preferable, 80 micrometers or less are more preferable, and 50 micrometers or less are especially preferable.

続いて、銅系粒子堆積層の形成方法について詳細に説明する。
(銅系粒子堆積層の形成方法)
銅系粒子堆積層は、銅系粒子を含む分散液を調製し、該分散液を塗布液として基板上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。なお、銅系粒子を含む分散液とは、酸化銅の粒子を含む分散液のことである。
Next, a method for forming a copper-based particle deposition layer will be described in detail.
(Method for forming a copper-based particle deposition layer)
The copper-based particle deposition layer can be formed by preparing a dispersion containing copper-based particles, applying the dispersion as a coating liquid on a substrate, and drying. The dispersion containing copper-based particles refers to a dispersion containing copper oxide particles.

前記分散液中の銅系粒子の濃度は、塗布あるいは印刷手法に使用できる粘度、分散性から主に制約を受け、固形分として5〜80質量%とすることが好ましく、10〜60質量%とすることがより好ましく、10〜50質量%とすることがさらに好ましい。   The concentration of the copper-based particles in the dispersion is mainly limited by the viscosity and dispersibility that can be used in coating or printing techniques, and is preferably 5 to 80% by mass as the solid content, and 10 to 60% by mass. More preferably, it is more preferably 10 to 50% by mass.

分散は、超音波分散機、ビーズミルなどのメディア分散機、ホモミキサーやシルバーソン攪拌機などのキャビテーション攪拌装置、アルティマイザーなどの対向衝突法、クレアSS5などの超薄膜高速回転式分散機、自転公転式ミキサなどを用いて行うことができる。   Dispersion includes ultrasonic dispersers, media dispersers such as bead mills, cavitation stirrers such as homomixers and silverson stirrers, opposed collision methods such as optimizers, ultra-thin high-speed rotating dispersers such as Claire SS5, and rotation and revolution types It can be performed using a mixer or the like.

該分散液の分散媒としては、銅系粒子を分散可能であれば良く、例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、スルホラン、炭酸プロピレン、シクロヘキサノン、アニソール、N,N−ジメチルホルムアミド、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、1,3−ブチレングリコールジアセテート等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの分散媒は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、分散液の表面張力を調整するための調整剤を含んでも良い。   As the dispersion medium of the dispersion liquid, any copper-based particles can be dispersed. For example, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, propylene carbonate, γ-butyrolactone, sulfolane, propylene carbonate, cyclohexanone, anisole, N, N— Dimethylformamide, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether, propylene Glycol monomethyl ether acetate, 1, - butylene glycol diacetate, and the like, but not limited thereto. These dispersion media can be used alone or in combination of two or more. Further, an adjusting agent for adjusting the surface tension of the dispersion may be included.

銅系粒子堆積層は、上記方法で調整した銅系粒子を含む分散液を調製し、該分散液を塗布液として基板上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。   The copper-based particle deposition layer can be formed by preparing a dispersion containing copper-based particles prepared by the above method, applying the dispersion as a coating liquid on a substrate, and drying.

銅系粒子堆積層のパターニングに用いる印刷法は、該銅系粒子堆積層を、基板の任意の場所に付着させられる手法であれば良く、このような手法として、インクジェット印刷、静電誘引法によるインクジェット印刷(一般にスーパーインクジェットとも呼ばれる)、ジェットディスペンサ、ディスペンサ、ニードルディスペンサ、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、転写印刷、ソフトリソグラフ、ディップペンリソグラフ、粒子堆積法、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、電着塗装を用いることができるが、これらに限定されない。
また、前記の印刷法により作製された、金属銅膜は、印刷金属銅パターンとして使用できる。さらに、本発明の金属銅膜の作製方法により作製された、金属銅膜は、例えば、導体配線、バンプ、熱伝導路として好適であり、さらに、放熱性が要求される、熱交換機、放熱装置等に使用可能である。
The printing method used for the patterning of the copper-based particle deposition layer may be any method that allows the copper-based particle deposition layer to be attached to an arbitrary place on the substrate. Examples of such a method include inkjet printing and electrostatic attraction method. Inkjet printing (commonly called super ink jet), jet dispenser, dispenser, needle dispenser, screen printing, relief printing, intaglio printing, gravure printing, transfer printing, soft lithography, dip pen lithography, particle deposition method, comma coater, slit coater, die coater A gravure coater, a spray coater, a spin coater, a dip coater, or an electrodeposition coating can be used, but is not limited thereto.
Moreover, the metallic copper film produced by the printing method can be used as a printed metallic copper pattern. Furthermore, the metal copper film produced by the method for producing a metal copper film of the present invention is suitable as, for example, a conductor wiring, a bump, and a heat conduction path, and further requires heat dissipation. Etc. can be used.

該分散液を塗布し、銅系粒子堆積層を形成するための下地となる基板は、該銅系粒子堆積層が形成可能な基板であれば良く、このような基板として、鉄、銅、金、銀、ニッケル、コバルト、クロムなどの金属及びこれらの金属を含んだ合金、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、繊維強化樹脂、粒子充填樹脂、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、架橋ポリビニル樹脂などのプラスティック、ガラス、セラミックス、その他の複合材料などが挙げられる。   The substrate used as a base for forming the copper-based particle deposition layer by applying the dispersion liquid may be any substrate that can form the copper-based particle deposition layer. Examples of such a substrate include iron, copper, and gold. , Metals such as silver, nickel, cobalt, chromium and alloys containing these metals, polyimide, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polyethylene terephthalate, polyamideimide, polyetheretherketone, polycarbonate, liquid crystal polymer, epoxy resin, phenol Resins, cyanate ester resins, fiber reinforced resins, particle-filled resins, polyolefins, polyamides, polyphenylene sulfides, crosslinked polyvinyl resins and other plastics, glass, ceramics, and other composite materials.

続いて、銅系粒子堆積層から、ギ酸を含むガス処理により作製される金属銅膜の作製方法について詳細に説明する。
(ガス処理)
本発明の金属銅膜の作製方法は、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする。該有機溶剤は、ギ酸銅に配位するための極性があり、且つ有機溶剤の蒸気圧は、ギ酸と同等もしくはギ酸より高いものが好ましい。例えば、1価のアルコールでは、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、エステルでは、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、ケトンでは、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられるが、これらに限定されない。また、混合ガス中の有機溶剤のガスの割合は、1〜90体積%であることが好ましく、2〜80体積%であることがより好ましく、3〜70体積%であることがさらに好ましい。
Next, a method for producing a metal copper film produced from a copper-based particle deposition layer by gas treatment containing formic acid will be described in detail.
(Gas treatment)
The method for producing a metallic copper film of the present invention is characterized by treating with a mixed gas of gaseous formic acid and at least one organic solvent selected from gaseous monovalent alcohol / ester / ketone. . The organic solvent has a polarity for coordination with copper formate, and the vapor pressure of the organic solvent is preferably equal to or higher than formic acid. For example, for monohydric alcohols, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, for esters, methyl formate, ethyl formate, propyl formate, isopropyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, ketone, Examples include, but are not limited to, acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone and the like. Moreover, it is preferable that the ratio of the gas of the organic solvent in mixed gas is 1-90 volume%, It is more preferable that it is 2-80 volume%, It is further more preferable that it is 3-70 volume%.

混合ガスの作製方法は、(1)液状のギ酸と液状の有機溶剤を混合して混合液体とし、加熱、あるいは減圧してガス状にして、被処理物(銅系粒子堆積層、以下同様。)に導く。または、ギ酸及び有機溶剤と反応しないガスをキャリアーとして、該混合液体をバブリングしてキャリアーガスと共に混合ガスを被処理物に導く。(2)液状のギ酸と液状の有機溶剤を別々に加熱、あるいは減圧してガス状にして、ガス流路内で混合して混合ガスとし、被処理物に導く。または、ギ酸及び有機溶剤と反応しないガスをキャリアーとして、それぞれの液体をバブリングしてキャリアーガスと共に流路内で混合して混合ガスとし、被処理物に導く等の方法が、挙げられるが、これらに限定されない。
なお、前記(1)の方法の場合、液状のギ酸と液状の有機溶剤の混合割合は、質量比で、ギ酸:有機溶剤=1〜9:9〜1が好ましく、5〜9:5〜1がより好ましい。
The method for producing the mixed gas is as follows: (1) Mixing liquid formic acid and a liquid organic solvent to form a mixed liquid, and heating or depressurizing it to form a gas, and then subject to treatment (copper-based particle deposition layer; ). Alternatively, a gas that does not react with formic acid and an organic solvent is used as a carrier, and the mixed liquid is bubbled to introduce the mixed gas together with the carrier gas to an object to be processed. (2) Liquid formic acid and liquid organic solvent are separately heated or reduced in pressure to form a gas, mixed in a gas flow path to form a mixed gas, and led to the object to be processed. Alternatively, for example, a gas that does not react with formic acid and an organic solvent is used as a carrier, and each liquid is bubbled and mixed with a carrier gas in a flow path to form a mixed gas, which is then led to an object to be processed. It is not limited to.
In the case of the method (1), the mixing ratio of the liquid formic acid and the liquid organic solvent is preferably a formic acid: organic solvent = 1-9: 9-1, preferably 5-9: 5-1. Is more preferable.

該キャリアーガスは、ギ酸及び有機溶剤と反応しないガスであり、且つ銅系粒子分散液及び/又は銅系粒子堆積層に含まれる酸化銅、分散媒、表面調整剤、添加剤及び生成する金属銅と反応しないガスであることが好ましい。例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガス、窒素、二酸化炭素などが挙げられる。   The carrier gas is a gas that does not react with formic acid and an organic solvent, and is contained in the copper-based particle dispersion and / or the copper-based particle deposition layer, copper oxide, dispersion medium, surface conditioner, additive, and metallic copper to be generated It is preferable that the gas does not react with. For example, rare gases such as helium, neon, and argon, nitrogen, carbon dioxide, and the like can be given.

液状のギ酸が被処理物に付着すると、被処理物の温度は、ギ酸の沸点である100℃まで下がり、還元が進行せず、酸化銅の一部はギ酸に溶け出し、堆積層の流失や塗布部位外への銅の析出が起こるなど問題が生じるため、液状のギ酸が被処理物に付かないようにすることが好ましい。   When liquid formic acid adheres to the object to be treated, the temperature of the object to be treated decreases to 100 ° C., which is the boiling point of formic acid, the reduction does not proceed, and a part of the copper oxide is dissolved in formic acid. It is preferable to prevent liquid formic acid from adhering to the object to be treated because problems such as precipitation of copper outside the application site occur.

(ガス処理の前処理)
ガス処理の前処理として、印刷形成した銅系粒子堆積層に残存する分散媒を除去することが望ましい。除去方法としては、加熱除去、減圧除去などが挙げられるが、120℃以上に加熱した被処理物に該キャリアーガスを通じて除去する方法が好ましい。
(Pretreatment of gas treatment)
As a pretreatment for the gas treatment, it is desirable to remove the dispersion medium remaining in the printed copper-based particle deposition layer. Examples of the removal method include heat removal, reduced pressure removal, and the like. A method of removing the object heated to 120 ° C. or higher through the carrier gas is preferable.

(処理条件)
混合ガスによる処理温度は、金属銅が析出する温度である120℃以上であり、反応速度の点から140℃以上が好ましい。処理温度の上限は、基板の耐熱温度により規定されるが、250℃以下であることが好ましい。また、処理圧力は、特に制約なく、大気圧、減圧、加圧いずれの条件でも良い。また、混合ガスによる処理時間は、通常、5〜180分間であり、10〜120分間が好ましい。
(Processing conditions)
The treatment temperature with the mixed gas is 120 ° C. or higher, which is the temperature at which metallic copper is deposited, and 140 ° C. or higher is preferable from the viewpoint of reaction rate. The upper limit of the processing temperature is defined by the heat resistant temperature of the substrate, but is preferably 250 ° C. or lower. Further, the treatment pressure is not particularly limited and may be any of atmospheric pressure, reduced pressure, and increased pressure. Moreover, the processing time by mixed gas is 5 to 180 minutes normally, and 10 to 120 minutes are preferable.

(ガス処理の後処理)
処理に用いたガスが金属銅表面に残存すると金属銅の腐食の原因となる可能性が高いことから、ガス処理後にギ酸の除去工程を設けても良い。ギ酸ガスを含む混合ガスの除去方法としては、窒素などの無酸素ガス気流下での加熱、減圧下での加熱、あるいは水洗を用いることができる。無酸素ガス気流下での加熱としては、ギ酸ガス処理槽内でギ酸ガスを含まない無酸素ガスを供給しての加熱、無酸素ガスオーブン、無酸素ガス気流での熱源による加熱を用いることができる。減圧下での加熱としては、減圧槽内でガス処理した場合にはギ酸ガスの供給を停止しての減圧加熱、減圧オーブンを用いることができる。
(After gas treatment)
If the gas used in the treatment remains on the surface of the copper metal, it is highly likely that the copper metal will be corroded. Therefore, a formic acid removal step may be provided after the gas treatment. As a method for removing the mixed gas containing formic acid gas, heating under an oxygen-free gas stream such as nitrogen, heating under reduced pressure, or washing with water can be used. As heating in an oxygen-free gas stream, heating by supplying an oxygen-free gas that does not contain formic acid gas in a formic acid gas treatment tank, heating in an oxygen-free gas oven, or a heat source in an oxygen-free gas stream may be used. it can. As heating under reduced pressure, when gas treatment is performed in a reduced-pressure tank, reduced-pressure heating with a formic acid gas being stopped and a reduced-pressure oven can be used.

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるもので
はない。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to this.

(実施例1)
(銅系粒子分散液の調製)
銅系粒子分散液は、酸化銅ナノ粒子(数平均一次粒径70nm、シーアイ化成株式会社製)40gをポリ瓶に秤量し、固形分40質量%になるようγ−ブチロラクトン(和光純薬工業株式会社製)を加え、密栓後振り混ぜた後、超音波ホモジナイザー(US−600TCVP、株式会社日本精機製作所製)により19.5kHz、600Wで5分処理して調製した。
Example 1
(Preparation of copper particle dispersion)
The copper-based particle dispersion was prepared by weighing 40 g of copper oxide nanoparticles (number average primary particle size 70 nm, manufactured by C.I. Kasei Co., Ltd.) in a plastic bottle and γ-butyrolactone (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) so that the solid content was 40% by mass. After being sealed, the mixture was shaken and mixed, and then treated with an ultrasonic homogenizer (US-600TCVP, manufactured by Nippon Seiki Seisakusho Co., Ltd.) at 19.5 kHz and 600 W for 5 minutes.

(銅系粒子堆積層サンプルの作製)
厚さ1mmのスライドガラスに該銅系粒子分散液を滴下し、ギャップ50μmに調整したベーカーアプリケータ(YBA型、ヨシミツ精機株式会社製)により塗布した。その後、60℃に加熱したホットプレート上に置き30分間乾燥し、厚さ15μmの銅系粒子堆積層サンプルを得た。
(Preparation of copper particle deposition layer sample)
The copper-based particle dispersion was dropped onto a glass slide having a thickness of 1 mm, and applied with a baker applicator (YBA type, manufactured by Yoshimitsu Seiki Co., Ltd.) adjusted to a gap of 50 μm. Thereafter, it was placed on a hot plate heated to 60 ° C. and dried for 30 minutes to obtain a copper-based particle deposition layer sample having a thickness of 15 μm.

(混合ガス処理)
洗気瓶にギ酸(和光純薬工業株式会社製)及びメタノール(和光純薬工業株式会社製)を質量比7:3で入れ、窒素をバブリングして混合ガスの発生装置とした。銅系粒子堆積層サンプルは、オイルバスで加熱した平底のセパラブルフラスコの底に銅板を敷いた上にセットした。この表面にクロメルアルメル熱電対をセットしサンプル温度を測定した。このサンプルをセットしたセパラブルフラスコに窒素を流しながら240℃のオイルバスで加熱しサンプルの温度が一定(180℃)になった後、混合ガスの発生装置で発生させたギ酸・メタノール混合ガスを含む窒素ガスをこのセパラブルフラスコに通じ、100分間ガス処理した。その際、黒色であった銅系粒子堆積層は、混合ガス導入後60分で全体が銅色に変化するのが認められた。処理後、混合ガスの発生装置をはずし、窒素を流しながらセパラブルフラスコを放冷し、サンプルが60℃以下になった後、サンプルを空気中に取り出した。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
なお、外観観察は、目視により行い、また、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無は、光学顕微鏡を用い確認した。銅系粒子堆積層外(塗布部周辺)への金属銅の析出量(拡散量)が、5μm未満の場合を無し、5〜50μmの場合を少量、50μm超の場合を多量とした。以下、同様である。
(Mixed gas treatment)
Formic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and methanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were introduced into the air-washing bottle at a mass ratio of 7: 3, and nitrogen was bubbled into a mixed gas generator. The copper-based particle deposition layer sample was set on a copper plate placed on the bottom of a flat bottom separable flask heated in an oil bath. A chromel alumel thermocouple was set on this surface, and the sample temperature was measured. The sample gas is heated in an oil bath at 240 ° C while flowing nitrogen into the separable flask in which the sample is set. After the sample temperature becomes constant (180 ° C), the formic acid / methanol mixed gas generated by the mixed gas generator is removed. Nitrogen gas contained was passed through the separable flask and treated with gas for 100 minutes. At that time, it was recognized that the entire copper-based particle deposition layer that was black changed to a copper color 60 minutes after the introduction of the mixed gas. After the treatment, the mixed gas generator was removed, and the separable flask was allowed to cool while flowing nitrogen. After the sample became 60 ° C. or lower, the sample was taken out into the air. Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.
The appearance was visually observed, and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer was confirmed using an optical microscope. The amount of metal copper deposited (diffused amount) outside the copper-based particle deposition layer (around the coating portion) was less than 5 μm, a small amount was 5-50 μm, and a large amount was more than 50 μm. The same applies hereinafter.

(実施例2)
混合ガス処理におけるメタノールをエタノール(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Example 2)
The mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that methanol in the mixed gas treatment was replaced with ethanol (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(実施例3)
混合ガス処理におけるメタノールを2−プロパノール(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Example 3)
The mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that methanol in the mixed gas treatment was replaced with 2-propanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(実施例4)
混合ガス処理におけるメタノールをギ酸メチル(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
Example 4
The mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that methanol in the mixed gas treatment was replaced with methyl formate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(実施例5)
混合ガス処理におけるメタノールをギ酸エチル(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Example 5)
The mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that methanol in the mixed gas treatment was replaced with ethyl formate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(実施例6)
混合ガス処理におけるメタノールをアセトン(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Example 6)
The mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that methanol in the mixed gas treatment was replaced with acetone (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(実施例7)
銅系粒子堆積層サンプル作製でのスライドガラスを、ポリイミド樹脂(ユーピレックスS50、宇部興産株式会社製商品名、フィルム状厚さ50μm)に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Example 7)
Mixed gas treatment under the same conditions as in Example 1 except that the slide glass in the preparation of the copper-based particle deposition layer sample was replaced with a polyimide resin (Upilex S50, trade name of Ube Industries, Ltd., film thickness 50 μm). Went. Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(比較例1)
混合ガス処理において、混合ガスを、メタノールを含まないギ酸ガスとした以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Comparative Example 1)
In the mixed gas treatment, the mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that the mixed gas was formic acid gas not containing methanol. Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(比較例2)
混合ガス処理において、メタノールを水に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Comparative Example 2)
In the mixed gas treatment, the mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that methanol was replaced with water. Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

(比較例3)
混合ガス処理において、メタノールをエチレングリコール(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Comparative Example 3)
The mixed gas treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that methanol was replaced with ethylene glycol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 1 shows the appearance and the presence or absence of metal copper deposition outside the copper-based particle deposition layer.

Figure 2012144755
Figure 2012144755

実施例1〜7では、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出がなし、もしくは少量であった。一方、特定の有機溶剤を使用しない、比較例1〜3では、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出が多量であった。   In Examples 1 to 7, there was no or a small amount of metallic copper deposited outside the copper-based particle deposition layer. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3 in which no specific organic solvent was used, a large amount of metallic copper was deposited outside the copper-based particle deposition layer.

実施例1において作製した金属銅膜の断面SIM(走査イオン顕微鏡)観察像を図2に示した。また実施例1において、ガス処理時間を5分又は15分に短縮して作製した金属銅膜の断面SIM観察像を、図3(5分間)及び図4(15分間)にそれぞれ示した。図2から、金属銅の結晶が約1μm生成していたことがわかる。また図3及び図4から、スライドガラス上に金属銅の核が発生しており、時間の増加と共に金属銅が成長していたことがわかる。   The cross-sectional SIM (scanning ion microscope) observation image of the metal copper film produced in Example 1 is shown in FIG. Moreover, in Example 1, the cross-section SIM observation image of the metal copper film produced by shortening the gas treatment time to 5 minutes or 15 minutes is shown in FIG. 3 (5 minutes) and FIG. 4 (15 minutes), respectively. From FIG. 2, it can be seen that approximately 1 μm of metal copper crystals were formed. 3 and 4 show that metallic copper nuclei are generated on the slide glass, and that the metallic copper has grown with increasing time.

(参考例1)
(ギ酸銅(II)を堆積層に用いた検証実験)
洗気瓶にメタノール(和光純薬工業株式会社製)を入れ、窒素をバブリングしてメタノールガスの発生装置とした。ギ酸銅(II)四水和物(和光純薬工業株式会社製)の粉末をスライドガラス上に設置したものを堆積層サンプルとし、オイルバスで加熱した平底のセパラブルフラスコの底に銅板を敷いた上にセットした。この表面にクロメルアルメル熱電対をセットしサンプル温度を測定した。このサンプルをセットしたセパラブルフラスコに窒素を流しながら180℃のオイルバスで加熱しサンプルの温度が一定(145℃)になった後、ガスの発生装置で発生させたメタノールガスを含む窒素ガスをこのセパラブルフラスコに通じ、10分間ガス処理した。その際、深緑色であったギ酸銅(II)四水和物は、メタノールガス導入後60分で全体が銅色に変化するのが認められた。処理後、メタノールガスの発生装置をはずし、窒素を流しながらセパラブルフラスコを放冷し、サンプルが60℃以下になった後、サンプルを空気中に取り出した。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 1)
(Verification experiment using copper (II) formate as the deposition layer)
Methanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was placed in the washing bottle, and nitrogen was bubbled into a methanol gas generator. Place the powder of copper (II) formate tetrahydrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) on a slide glass and use it as a deposition layer sample. Set on top. A chromel alumel thermocouple was set on this surface, and the sample temperature was measured. After flowing the nitrogen into the separable flask in which this sample was set and heating it in an oil bath at 180 ° C and the temperature of the sample became constant (145 ° C), nitrogen gas containing methanol gas generated by the gas generator was removed. This separable flask was gassed for 10 minutes. At that time, it was recognized that the copper (II) formate tetrahydrate, which was dark green, changed to a copper color 60 minutes after the introduction of methanol gas. After the treatment, the methanol gas generator was removed, and the separable flask was allowed to cool while flowing nitrogen. After the sample became 60 ° C. or lower, the sample was taken out into the air. Table 2 shows the appearance and the presence or absence of metallic copper deposition outside the deposited layer.

(参考例2)
参考例1のメタノールをエタノール(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 2)
Gas treatment was performed under the same conditions as in Reference Example 1 except that the methanol in Reference Example 1 was replaced with ethanol (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

(参考例3)
参考例1のメタノールを2−プロパノール(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 3)
Gas treatment was performed under the same conditions as in Reference Example 1 except that the methanol in Reference Example 1 was replaced with 2-propanol (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

(参考例4)
参考例1のメタノールをギ酸メチル(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 4)
Gas treatment was carried out under the same conditions as in Reference Example 1 except that methanol of Reference Example 1 was replaced with methyl formate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

(参考例5)
参考例1のメタノールをギ酸エチル(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 5)
Gas treatment was carried out under the same conditions as in Reference Example 1 except that methanol in Reference Example 1 was replaced with ethyl formate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

(参考例6)
参考例1のメタノールをアセトン(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 6)
Gas treatment was performed under the same conditions as in Reference Example 1 except that methanol in Reference Example 1 was replaced with acetone (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

(参考例7)
参考例1のメタノールを使用せず、窒素ガスのみ通じた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 7)
Gas treatment was performed under the same conditions as in Reference Example 1 except that only the methanol gas was passed without using the methanol of Reference Example 1. Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

(参考例8)
参考例1のメタノールを水に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 8)
Gas treatment was performed under the same conditions as in Reference Example 1 except that methanol in Reference Example 1 was replaced with water. Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

(参考例9)
参考例1のメタノールをエチレングリコール(和光純薬工業株式会社製)に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。
(Reference Example 9)
Gas treatment was performed under the same conditions as in Reference Example 1 except that the methanol in Reference Example 1 was replaced with ethylene glycol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Table 2 shows the appearance and presence / absence of metal copper deposition outside the deposited layer.

Figure 2012144755
Figure 2012144755

参考例1〜6では、堆積層外への金属銅の析出がなかった。一方、特定の有機溶剤を使用しない、参考例7〜9では、堆積層外への金属銅の析出が多量であった。
有機溶剤は、ギ酸銅に配位するための極性があり、ギ酸銅分子に配位しやすい官能基を有する、特定の有機溶剤ガスを、ギ酸銅に配位させることで、120℃以上の温度で金属銅が析出し、その際、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出が大幅に抑えられることがわかる。よって、ギ酸ガスにより、酸化銅をギ酸銅とし、さらに、特定の有機溶剤ガスを、併用する方法が、有効であることがわかる。
In Reference Examples 1 to 6, there was no precipitation of metallic copper outside the deposited layer. On the other hand, in Reference Examples 7 to 9 in which no specific organic solvent was used, a large amount of metal copper was deposited outside the deposited layer.
The organic solvent has a polarity for coordinating with copper formate and has a functional group that easily coordinates with the copper formate molecule. By coordinating the specific organic solvent gas with copper formate, the temperature is 120 ° C. or higher. It can be seen that the metal copper is precipitated, and the precipitation of the copper metal outside the copper-based particle deposition layer is greatly suppressed. Therefore, it turns out that the method of using copper oxide as a copper formate and using a specific organic solvent gas in combination with formic acid gas is effective.

以上説明したとおり、本発明では、銅系粒子堆積層には酸化銅からなる粒子を含み、還元手法にはガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスを用いることにより、従来の銅系ナノ粒子の還元・焼結では得られない、厚さ1μm以上の緻密な金属銅膜が得られた。さらに、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出を大幅に抑えることができる。   As described above, in the present invention, the copper-based particle deposition layer includes particles made of copper oxide, and the reduction method is at least selected from gaseous formic acid and gaseous monovalent alcohol / ester / ketone. By using a mixed gas with one kind of organic solvent, a dense metallic copper film having a thickness of 1 μm or more, which cannot be obtained by conventional reduction and sintering of copper-based nanoparticles, was obtained. Furthermore, the deposition of metallic copper outside the copper-based particle deposition layer can be greatly suppressed.

01:基板、11:銅系粒子堆積層、12:金属銅膜 01: Substrate, 11: Copper-based particle deposition layer, 12: Metallic copper film

Claims (7)

基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、120℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする金属銅膜の作製方法。   A copper-based particle deposition layer containing particles made of copper oxide formed on a substrate is at least one selected from gaseous formic acid and gaseous monovalent alcohol / ester / ketone at 120 ° C. or higher. A method for producing a metallic copper film, characterized by treating with a mixed gas with an organic solvent. 酸化銅が、酸化第一銅及び/又は酸化第二銅であることを特徴とする請求項1記載の金属銅膜の作製方法。   The method for producing a metal copper film according to claim 1, wherein the copper oxide is cuprous oxide and / or cupric oxide. 酸化銅からなる粒子の一次粒径が、1〜10000nmであることを特徴とする請求項1又は2記載の金属銅膜の作製方法。   The method for producing a metallic copper film according to claim 1 or 2, wherein the primary particle diameter of the particles made of copper oxide is 1 to 10,000 nm. 銅系粒子堆積層が、基板上に、印刷法で形成されることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。   4. The method for producing a metal copper film according to claim 1, wherein the copper-based particle deposition layer is formed on the substrate by a printing method. 印刷法が、インクジェット印刷、ジェットディスペンサ、ディスペンサ、ニードルディスペンサ、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、転写印刷、ソフトリソグラフ、ディップペンリソグラフ、粒子堆積法、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、電着塗装から選択される少なくとも一つの方法である、請求項4記載の金属銅膜の作製方法。   Printing method is inkjet printing, jet dispenser, dispenser, needle dispenser, screen printing, letterpress printing, intaglio printing, gravure printing, transfer printing, soft lithography, dip pen lithography, particle deposition method, comma coater, slit coater, die coater, gravure coater The method for producing a metallic copper film according to claim 4, which is at least one method selected from spray coater, spin coater, dip coater, and electrodeposition coating. 基板が、金属、プラスティック、ガラス、セラミックス、及びこれらの複合材料から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項1〜5いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。   6. The method for producing a metallic copper film according to claim 1, wherein the substrate is at least one selected from metal, plastic, glass, ceramics, and composite materials thereof. 請求項4〜6いずれかに記載の金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターン。   A printed metal copper pattern produced by the method for producing a metal copper film according to claim 4.
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