JP2012137549A - Two-photon absorbing material and use thereof - Google Patents

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Fumihiro Furuya
史大 古家
Yasushi Nakagawa
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a two-photon absorbing material having an absorption band as short as possible and having an excellent two-photon absorbing property.SOLUTION: A two-photon absorbing material comprises a diphenylsulfone derivative represented by Chemical Formula (1), wherein m indicates 1 or 2; n indicates 1 or 2; and Rto Rand Rto Rmay be the same as or different from one another and indicate hydrogen, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, an alkylthio group, a phenyl group or -NHCOR(wherein R' indicates an alkyl group), or a combination of Rand R, a combination of Rand R, a combination of Rand Ror a combination of Rand Rmay form a 5- to 7-membered condensed ring, and a combination of Rand R, a combination of Rand R, a combination of Rand Ror a combination of Rand Rmay form a 5- to 7-membered condensed ring.

Description

本発明は、新規な有機非線形光学材料である、ジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料に関する。より詳しくは、本発明は、三次元光記録材料、光制限材料、光造形用途に用いられる光硬化材料、光化学療法用材料、二光子蛍光顕微鏡用蛍光色素材料などの用途に用いることができる、新規な有機非線形光学材料である、ジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料に関する。   The present invention relates to a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative, which is a novel organic nonlinear optical material. More specifically, the present invention can be used for applications such as three-dimensional optical recording materials, light-limiting materials, photocuring materials used for optical modeling applications, photochemotherapy materials, fluorescent dye materials for two-photon fluorescence microscopes, The present invention relates to a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative, which is a novel organic nonlinear optical material.

非線形光学効果は、光を用いた情報処理において重要な役割を有している。非線形光学効果とは、光電界強度により誘起される分極において、二次、三次、更に高次の項から生じる効果の総称である。この中でも、四次以上の効果は感受率などが非常に小さく応用面での有効な現象を観測することが困難であるため、主に二次及び三次の非線形光学効果に関して多くの研究が行われている。   The nonlinear optical effect has an important role in information processing using light. The non-linear optical effect is a general term for effects generated from second-order, third-order, and higher-order terms in the polarization induced by the optical electric field strength. Of these, the effects of the fourth and higher order have a very low susceptibility and it is difficult to observe effective phenomena in application, so much research has been conducted mainly on the second and third order nonlinear optical effects. ing.

二次の非線形光学効果としては、光第二次高調波発生(SHG:Second harmonic generation)、電気光学効果(ポッケルス効果)、フォトリフラクティブ効果などが知られている。そのため、二次の非線形光学効果を有する非線形光学材料は、波長制御、位相制御などを利用する光通信などへの展開が検討されている。一方、三次の非線形光学効果としては、光第三次高調波発生(THG:Third Harmonic Generation)、電気光学効果(カー効果)、光カー効果、光誘起屈折率変化、縮退四波混合、光双安定性現象、二光子吸収現象などが知られている。そのため、三次元の非線形光学効果を有する非線形光学材料は、光による屈折率変化、吸収係数変化などを利用した光スイッチなどへの展開が期待されている。   As the second-order nonlinear optical effect, second harmonic generation (SHG), electro-optic effect (Pockels effect), photorefractive effect, and the like are known. For this reason, development of non-linear optical materials having a second-order nonlinear optical effect to optical communication using wavelength control, phase control, and the like has been studied. On the other hand, third-order nonlinear optical effects include optical third-harmonic generation (THG), electro-optical effect (Kerr effect), optical Kerr effect, photoinduced refractive index change, degenerate four-wave mixing, and optical bifurcation. Stability phenomena and two-photon absorption phenomena are known. Therefore, a nonlinear optical material having a three-dimensional nonlinear optical effect is expected to be applied to an optical switch using a change in refractive index and an absorption coefficient due to light.

従来、非線形光学材料については、有機化合物材料の前記に述べた非線形光学特性自体が優れているが、耐久性・信頼性が劣るという問題があった。そのため、有機化合物材料は無機材料を凌駕できず、無機材料が、一般的に用いられてきた。しかしながら近年においては、無機材料に比べて遥かに大きな非線形光学定数を有する有機化合物材料の優れた特性及び高速応答性などが見直されつつある。そのため、これらの優れた特性を有し、かつ耐久性・信頼性に優れた、有機非線形光学材料の開発が求められている。   Conventionally, with regard to nonlinear optical materials, the above-described nonlinear optical characteristics of organic compound materials are excellent, but there is a problem that durability and reliability are inferior. Therefore, organic compound materials cannot surpass inorganic materials, and inorganic materials have been generally used. However, in recent years, the excellent characteristics and high-speed response of organic compound materials having a much larger nonlinear optical constant than inorganic materials are being reviewed. Therefore, development of an organic nonlinear optical material having these excellent characteristics and having excellent durability and reliability is demanded.

有機化合物材料において非線形光学特性を向上させる一般的な方法としては、適切な電子供与性・吸引性置換基を選択して、共役系を更に拡大させる方法が挙げられる。しかしながらこの方法は、深色効果を伴う為、分子(有機化合物材料)自身の耐光性低下や、非線形光学特性を誘起する光及び発生した高調波領域に対する吸収係数の増大を促進するという問題があった。   As a general method for improving nonlinear optical characteristics in an organic compound material, there is a method of further expanding the conjugated system by selecting an appropriate electron donating / attracting substituent. However, since this method involves a deep color effect, there is a problem that the light resistance of the molecule (organic compound material) itself is reduced, and the light that induces nonlinear optical characteristics and the increase of the absorption coefficient for the generated harmonic region are promoted. It was.

この様な問題点を改善する取り組みとして、例えば特許文献1では、二次非線形光学材料として分子構造内に浅色効果を誘起する置換基を導入することで、優れた非線形性を示し第二次高調波を効率的に発生し得る有機非線形光学材料を提案している。   As an effort to improve such a problem, for example, in Patent Document 1, as a second-order nonlinear optical material, by introducing a substituent that induces a hypochromic effect in a molecular structure, excellent nonlinearity is shown and second order. We have proposed organic nonlinear optical materials that can generate harmonics efficiently.

光スイッチなどの応用が期待されている三次の非線形光学材料においては、非線形光学特性を向上させる手段として、一般的に、共役系を拡大する手法がとられている。例えば特許文献2、3、4、5においては、スチリル系、ケトン系、アリールアミン系、ポルフィリン系化合物に関して、改良が行われている。   In a third-order nonlinear optical material that is expected to be applied to an optical switch or the like, a technique for enlarging a conjugate system is generally taken as a means for improving nonlinear optical characteristics. For example, in Patent Documents 2, 3, 4, and 5, improvements are made with respect to styryl, ketone, arylamine, and porphyrin compounds.

特許文献6では、(a)重合性化合物、(b)ジチオカルバメート基含有高分子化合物及び(c)二光子吸収化合物を含有する二光子吸収重合性組成物を開示している。この組成物は高感度であり、高出力のレーザー光源を必要せず、高分解能で高精度な造形物を得ることができると開示されている。   Patent Document 6 discloses a two-photon absorption polymerizable composition containing (a) a polymerizable compound, (b) a dithiocarbamate group-containing polymer compound, and (c) a two-photon absorption compound. It is disclosed that this composition is highly sensitive, does not require a high-power laser light source, and can obtain a shaped article with high resolution and high accuracy.

特開平5−196976号公報JP-A-5-196976 米国特許 6267913号明細書US Pat. No. 6,267,913 特開2003−183213号公報JP 2003-183213 A 特開2007−241168号公報JP 2007-241168 A 特開2005−263738号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-267338 特開2010−065083号公報JP 2010-065083 A

上記文献には、二光子吸収特性を向上させるために共役系が拡大された構造を有する有機化合物が記載されている。しかしながら、共役系を拡大することによって、二光子吸収特性は向上する一方で、二光子吸収を誘起する励起波長域をも長波長域にシフトしてしまう。そのためこの手法においては、二光子吸収を誘起する励起光源の選択幅を狭めてしまう恐れがあり、改善の余地があった。そこで、可能な限り短波長の吸収帯を有し、かつ優れた二光子吸収特性を有する二光子吸収性材料が望まれている。   In the above document, an organic compound having a structure in which a conjugated system is expanded in order to improve two-photon absorption characteristics is described. However, by enlarging the conjugated system, the two-photon absorption characteristics are improved, while the excitation wavelength region that induces two-photon absorption is also shifted to the long wavelength region. Therefore, in this method, there is a possibility that the selection range of the excitation light source that induces two-photon absorption may be narrowed, and there is room for improvement. Therefore, a two-photon absorbing material having an absorption band with a short wavelength as much as possible and having excellent two-photon absorption characteristics is desired.

二光子吸収特性を有するケトン誘導体に対して、共役系を拡張し二光子吸収特性を向上させることは特許文献3に報告されている。しかし、この特性向上には著しい深色効果が伴う欠点が存在する。従って本発明はこれらの問題を解決することを目的とする。より詳しくは、本発明は、吸収波長の深色化を抑制しつつ二光子吸収特性を高めた、ジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料、及びこの二光子吸収性材料を含有する光硬化性樹脂組成物、を提供することにある。この二光子吸収性材料は、三次元光記録材料、光制限材料、光造形用途に用いられる光硬化材料、光化学療法用材料、二光子蛍光顕微鏡用蛍光色素材料などの用途に応用することができる。   Patent Document 3 reports that a ketone derivative having a two-photon absorption characteristic is extended to improve the two-photon absorption characteristic by extending the conjugated system. However, this characteristic improvement has a drawback with a significant deep color effect. Accordingly, the present invention aims to solve these problems. More specifically, the present invention relates to a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative that has improved two-photon absorption characteristics while suppressing deepening of the absorption wavelength, and a photocuring containing the two-photon absorbing material. It is in providing a conductive resin composition. This two-photon absorbing material can be applied to uses such as three-dimensional optical recording materials, light-limiting materials, photocuring materials used for optical modeling applications, photochemotherapy materials, and fluorescent dye materials for two-photon fluorescence microscopes. .

本発明者らは、二光子吸収性材料としてスルホン誘導体に着目した。そして、スルホン誘導体に対してスチリル基を付与し共役系を拡張したところ、吸収波長の深色効果を抑制しつつ、置換基の効果により二光子吸収特性を向上させることができることを見出し、これにより本発明を完成するに至った。
従って、本発明は以下の二光子吸性材料を提供する。
The present inventors have focused on sulfone derivatives as two-photon absorbing materials. And when the styryl group was added to the sulfone derivative and the conjugated system was expanded, it was found that the two-photon absorption characteristics can be improved by the effect of the substituent while suppressing the deep color effect of the absorption wavelength. The present invention has been completed.
Accordingly, the present invention provides the following two-photon absorbing material.

下記式(1)

Figure 2012137549

[式中、mは1または2を示し、nは1または2を示し、
〜R、R〜R10はそれぞれ、同一または異なっていてもよく、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)を示すか、或いは、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びRが一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよく、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びR10が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよい。]
で表わされるジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸性材料である。 Following formula (1)
Figure 2012137549

[Wherein m represents 1 or 2, n represents 1 or 2,
R 1 to R 5 and R 6 to R 10 may be the same or different and each is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, or an alkylthio group. , Phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), or R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , or R 4 and R 5 together May form a 5- to 7-membered condensed ring, and R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , or R 9 and R 10 together form a 5- to 7-membered ring. The condensed ring may be formed. ]
Is a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative represented by the formula:

上記式(1)で表されるジフェニルスルホン誘導体の置換基R及びRの少なくとも1つが、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)から選ばれる電子供与性置換基であることが好ましく、R及びRが共に同一の上記電子供与性置換基であることが更に好ましい。また、R及びRの少なくとも1つがジアルキルアミノ基であることが好ましく、R及びRが共にジアルキルアミノ基であることが更に好ましい。 At least one of the substituents R 3 and R 8 of the diphenylsulfone derivative represented by the above formula (1) is an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, an alkylthio group, a phenyl group,- It is preferably an electron donating substituent selected from NHCOR (where R ′ represents an alkyl group), and it is more preferable that both R 3 and R 8 are the same electron donating substituent. Moreover, it is preferable that at least one of R 3 and R 8 is a dialkylamino group, and it is more preferable that both R 3 and R 8 are dialkylamino groups.

また、上記式(1)で示されるジフェニルスルホン誘導体の250−800nmにおける極大波長のモル吸光係数が55000mol−1dmcm−1以上である二光子吸収性材料がより好ましい。 In addition, a two-photon absorbing material in which the molar absorption coefficient of the maximum wavelength at 250 to 800 nm of the diphenylsulfone derivative represented by the above formula (1) is 55000 mol −1 dm 3 cm −1 or more is more preferable.

並びに本発明の光硬化性樹脂組成物は、式(1)で示されるジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料を含有する光硬化性樹脂組成物である。   And the photocurable resin composition of this invention is a photocurable resin composition containing the two-photon absorptive material containing the diphenyl sulfone derivative shown by Formula (1).

並びに本発明の発光材料は、式(1)で示されるジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料を含有する発光材料である。   The light-emitting material of the present invention is a light-emitting material containing a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative represented by the formula (1).

並びに本発明の光記録材料は、式(1)で示されるジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料を含有する光記録材料である。   The optical recording material of the present invention is an optical recording material containing a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative represented by the formula (1).

並びに本発明の顕微鏡用蛍光色素材料は、式(1)で示されるジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料を含有する顕微鏡用蛍光色素材料である。   The microscope fluorescent dye material of the present invention is a microscope fluorescent dye material containing a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative represented by the formula (1).

並びに本発明の光制限材料は、式(1)で示されるジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料を含有する光制限材料である。   In addition, the light limiting material of the present invention is a light limiting material containing a two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative represented by the formula (1).

本発明の二光子吸収性材料は、スチリル基を有するジェニルスルホン誘導体を含有する。この二光子吸収性材料は、無色〜黄色であり、高効率二光子吸収性を有するという特徴がある。更にこの二光子吸収性材料は、吸収波長の深色化が抑制されているため、短波長の吸収帯において二光子吸収が生じるという優れた特性を有する。本発明の二光子吸収性材料は、例えば、光硬化性樹脂組成物、発光材料、光記録材料、顕微鏡用蛍光色素材料、光制限材料などに含有させることができる。例えば、本発明の二光子吸収性材料を含有する光硬化性樹脂組成物を用いることにより、超高密度光記録、光硬化性樹脂微細加工によるMEMS或いはフォトニック結晶作成、蛍光プローブ、光制限材料などの分野に有用である、光による空間選択性或いは制御性の高い感光性材料を提供することができる。   The two-photon absorbing material of the present invention contains a genyl sulfone derivative having a styryl group. This two-photon absorptive material is colorless to yellow and has a characteristic of having a high efficiency two-photon absorptivity. Furthermore, this two-photon absorbing material has an excellent characteristic that two-photon absorption occurs in an absorption band of a short wavelength because deepening of the absorption wavelength is suppressed. The two-photon absorbing material of the present invention can be contained in, for example, a photocurable resin composition, a light emitting material, an optical recording material, a fluorescent dye material for a microscope, or a light limiting material. For example, by using the photocurable resin composition containing the two-photon absorbing material of the present invention, ultrahigh density optical recording, MEMS or photonic crystal creation by photocurable resin microfabrication, fluorescent probe, light limiting material It is possible to provide a photosensitive material that is useful in fields such as the above and has high spatial selectivity or controllability by light.

本発明で用いられる二光子蛍光測定システムの概略図と励起レーザー光路である。It is the schematic of the two-photon fluorescence measuring system used by this invention, and an excitation laser optical path. 本発明で用いられる二光子蛍光測定システムの概略図と蛍光検出光路である。It is the schematic of the two-photon fluorescence measuring system used by this invention, and a fluorescence detection optical path. 本発明で用いられる二光子重合システムの概略図である。It is the schematic of the two-photon polymerization system used by this invention.

二光子吸収性材料
本発明の二光子吸収性材料は、下記式(1)

Figure 2012137549

[式中、mは1または2を示し、nは1または2を示し、
〜R、R〜R10はそれぞれ、同一または異なっていてもよく、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)を示すか、或いは、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びRが一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよく、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びR10が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよい。]
で表わされるジフェニルスルホン誘導体を含有する。 Two-photon absorbing material The two-photon absorbing material of the present invention has the following formula (1):
Figure 2012137549

[Wherein m represents 1 or 2, n represents 1 or 2,
R 1 to R 5 and R 6 to R 10 may be the same or different and each is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, or an alkylthio group. , Phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), or R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , or R 4 and R 5 together May form a 5- to 7-membered condensed ring, and R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , or R 9 and R 10 together form a 5- to 7-membered ring. The condensed ring may be formed. ]
The diphenyl sulfone derivative represented by these is contained.

上記式(1)中、R〜R10が表わす置換基としては、以下のような置換基を挙げることができる。 In the above formula (1), examples of the substituent represented by R 1 to R 10 include the following substituents.

ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。   Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine.

アルキル基として、炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、及び炭素数3〜18の脂環式アルキル基が挙げられる。アルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましい。アルキル基の具体例として、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、neo−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−デシル基、ラウリル基、ステアリル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group include a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms and an alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neo-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, n-decyl, lauryl, stearyl, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cyclo An octyl group etc. are mentioned.

アルコキシル基として、炭素数1〜18であるアルコキシル基が挙げられる。アルコキシル基は炭素数1〜10であるアルコキシル基であるのがより好ましい。アルコキシル基の具体例として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、neo−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxyl group include alkoxyl groups having 1 to 18 carbon atoms. The alkoxyl group is more preferably an alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkoxyl group include, for example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, and n-pentyloxy group. , Neo-pentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group and the like.

モノアルキルアミノ基として、上述の炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基を1つ有するアミノ基が挙げられる。モノアルキルアミノ基を構成するアルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。モノアルキルアミノ基の具体例として、例えば、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、モノ−n−プロピルアミノ基、モノ−i−プロピルアミノ基、モノ−n−ブチルアミノ基、モノ−sec−ブチルアミノ基、モノ−t−ブチルアミノ基、モノ−n−ペンチルアミノ基、モノ−neo−ペンチルアミノ基、モノ−n−ヘキシルアミノ基、モノ−n−ヘプチルアミノ基、モノ−n−オクチルアミノ基等が挙げられる。   Examples of the monoalkylamino group include an amino group having one linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or one alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group constituting the monoalkylamino group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. More preferably. Specific examples of the monoalkylamino group include, for example, a monomethylamino group, a monoethylamino group, a mono-n-propylamino group, a mono-i-propylamino group, a mono-n-butylamino group, and a mono-sec-butylamino group. Group, mono-t-butylamino group, mono-n-pentylamino group, mono-neo-pentylamino group, mono-n-hexylamino group, mono-n-heptylamino group, mono-n-octylamino group, etc. Is mentioned.

ジアルキルアミノ基として、上述の炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基を2つ有するアミノ基が挙げられる。ジアルキルアミノ基を構成するアルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。ジアルキルアミノ基の具体例として、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ基、ジ−i−プロピルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ基、ジ−sec−ブチルアミノ基、ジ−t−ブチルアミノ基、ジ−n−ペンチルアミノ基、ジ−neo−ペンチルアミノ基、ジ−n−ヘキシルアミノ基、ジ−n−ヘプチルアミノ基、ジ−n−オクチルアミノ基等が挙げられる。   Examples of the dialkylamino group include the above-described linear or branched alkyl groups having 1 to 18 carbon atoms, or amino groups having two alicyclic alkyl groups having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group constituting the dialkylamino group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. More preferably. Specific examples of the dialkylamino group include, for example, dimethylamino group, diethylamino group, di-n-propylamino group, di-i-propylamino group, di-n-butylamino group, di-sec-butylamino group, di- -T-butylamino group, di-n-pentylamino group, di-neo-pentylamino group, di-n-hexylamino group, di-n-heptylamino group, di-n-octylamino group and the like. .

アルキルチオ基として、炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基を有するチオ基が挙げられる。アルキルチオ基を構成するアルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。アルキルチオ基の具体例として、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、i−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、i−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、neo−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられる。   Examples of the alkylthio group include a thio group having a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group constituting the alkylthio group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. Is more preferable. Specific examples of the alkylthio group include, for example, methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, i-propylthio group, n-butylthio group, i-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, Examples include neo-pentylthio group, n-hexylthio group, n-heptylthio group, n-octylthio group, phenylthio group, naphthylthio group and the like.

−NHCOR基において、R’はアルキル基を示す。アルキル基R’として、上述の炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基が挙げられる。ここでアルキル基R’は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。 In the —NHCOR group, R ′ represents an alkyl group. Examples of the alkyl group R ′ include the aforementioned linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or an alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. Here, the alkyl group R ′ is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. Is more preferable.

また、R〜R、R〜R10は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよい。より具体的には、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びRが一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよく、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びR10が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよい。5〜7員環の縮合環として、例えばフェニル、ピロリル、オキサゾリル、チオフェニル、ピリジニル、ピリミジニルなどの縮合環が挙げられる。 Moreover, R < 1 > -R < 5 >, R < 6 > -R < 10 > may form a 5-7 membered condensed ring by combining two adjacent groups. More specifically, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , or R 4 and R 5 may be combined to form a 5- to 7-membered condensed ring, and R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , or R 9 and R 10 may be combined to form a 5- to 7-membered condensed ring. Examples of the 5- to 7-membered condensed ring include condensed rings such as phenyl, pyrrolyl, oxazolyl, thiophenyl, pyridinyl, and pyrimidinyl.

上述したこれらのヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)、及び縮合環は、必要に応じて置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、F、Cl、Br、I等のハロゲン基;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;メルカプト基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基等の炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;フェニル基、ナフチル基、フェネチル基等のアリール基;ベンジル基、α、α−ジメチルベンジル基等のアラルキル基;アミノ基;炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基;炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基を2つ有するジアルキルアミノ基等が挙げられる。 These hydroxyl group, alkyl group, alkoxyl group, monoalkylamino group, dialkylamino group, alkylthio group, phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), and the condensed ring described above are optionally used. May have a substituent. Examples of the substituent include halogen groups such as F, Cl, Br, and I; nitro groups; cyano groups; hydroxyl groups; mercapto groups; methyl groups, ethyl groups, propyl groups, butyl groups, pentyl groups, hexyl groups, 2 -C1-C10 linear or branched alkyl group such as ethylhexyl group, n-octyl group; methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, 2-ethylhexyl An alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms such as an oxy group and an n-octyloxy group; an aryl group such as a phenyl group, a naphthyl group and a phenethyl group; an aralkyl group such as a benzyl group and an α, α-dimethylbenzyl group; an amino group; A monoalkylamino group having a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms Examples thereof include a dialkylamino group having two groups.

上記式(1)で表わされるジフェニルスルホン誘導体が有するR〜R、R〜R10において、R及びRのうち少なくとも1つが、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)から選ばれる電子供与性置換基であるであるのがより好ましい。R及びRのうち少なくとも1つが上記電子供与性置換基であることによって、パラ位における電子供与性効果により、より良好な二光子吸収特性効果を得ることができるという利点がある。なお、R及びRが共に同一のアルキル基、アルコキシル基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基から選ばれる電子供与性置換基である態様がより好ましい。なおアルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)の具体例は上述と同様である。 In R 1 to R 5 and R 6 to R 10 of the diphenylsulfone derivative represented by the above formula (1), at least one of R 3 and R 8 is an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, or a monoalkylamino group. It is more preferably an electron donating substituent selected from a dialkylamino group, an alkylthio group, a phenyl group, and —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group). When at least one of R 3 and R 8 is the electron donating substituent, there is an advantage that a better two-photon absorption characteristic effect can be obtained due to the electron donating effect at the para position. An embodiment in which R 3 and R 8 are both electron-donating substituents selected from the same alkyl group, alkoxyl group, dialkylamino group, alkylthio group, and phenyl group is more preferable. Specific examples of the alkyl group, alkoxyl group, amino group, monoalkylamino group, dialkylamino group, alkylthio group, phenyl group, and —NHCOR (where R ′ represents an alkyl group) are the same as described above.

また、R及びRの少なくとも1つがジアルキルアミノ基であるのがより好ましく、R及びRが共にジアルキルアミノ基であるのが更に好ましい。また、ジアルキルアミノ基として、炭素数2〜6のアルキル基を有するジアルキルアミノ基がより好ましい。 Moreover, it is more preferable that at least one of R 3 and R 8 is a dialkylamino group, and it is still more preferable that both R 3 and R 8 are dialkylamino groups. Moreover, as a dialkylamino group, the dialkylamino group which has a C2-C6 alkyl group is more preferable.

また、R、R、R、R及びR、R、R、R10が水素であるのがより好ましい。R、R、R、R及びR、R、R、R10は、オルト位またはメタ位に相当する。これらが水素であることによって、より良好な二光子吸収特性効果を得ることができる。 More preferably, R 1 , R 2 , R 4 , R 5 and R 6 , R 7 , R 9 , R 10 are hydrogen. R 1 , R 2 , R 4 , R 5 and R 6 , R 7 , R 9 and R 10 correspond to the ortho position or the meta position. When these are hydrogen, a better two-photon absorption characteristic effect can be obtained.

このジフェニルスルホン誘導体として、例えば下記式(2)〜(5)で示される化合物を挙げることができる。   Examples of the diphenylsulfone derivative include compounds represented by the following formulas (2) to (5).

Figure 2012137549

[式中、R11〜R15、R16〜R20はそれぞれ、同一または異なっていてもよく、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)を示すか、或いはR11〜R15、R16〜R20は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよい。]
Figure 2012137549

[Wherein, R 11 to R 15 and R 16 to R 20 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group. A group, an alkylthio group, a phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), or R 11 to R 15 and R 16 to R 20 are a group of two adjacent groups A condensed ring having ˜7 members may be formed. ]

Figure 2012137549

[式中、R21〜R25、R26〜R30はそれぞれ、同一または異なっていてもよく、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)を示すか、或いはR21〜R25、R26〜R30は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよい。]
Figure 2012137549

[Wherein R 21 to R 25 , R 26 to R 30 may be the same or different, and each of hydrogen, halogen atom, hydroxyl group, alkyl group, alkoxyl group, amino group, monoalkylamino group, dialkylamino A group, an alkylthio group, a phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), or R 21 to R 25 and R 26 to R 30 are formed by combining two adjacent groups together. A condensed ring having ˜7 members may be formed. ]

Figure 2012137549

[式中、R31〜R35、R36〜R40はそれぞれ、同一または異なっていてもよく、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)を示すか、或いはR31〜R35、R36〜R40は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよい。]
Figure 2012137549

[Wherein, R 31 to R 35 and R 36 to R 40 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group. A group, an alkylthio group, a phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), or R 31 to R 35 and R 36 to R 40 are formed by combining two adjacent groups together. A condensed ring having ˜7 members may be formed. ]

Figure 2012137549

[式中、R41〜R45、R46〜R50はそれぞれ、同一または異なっていてもよく、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)を示すか、或いはR41〜R45、R46〜R50は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよい。]
Figure 2012137549

[Wherein, R 41 to R 45 and R 46 to R 50 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group. A group, an alkylthio group, a phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), or R 41 to R 45 and R 46 to R 50 are formed by combining two adjacent groups together. A condensed ring having ˜7 members may be formed. ]

上記式(2)〜(5)中、R11〜R20、R21〜R30、R31〜R40、R41〜R50が表わす置換基としては、以下のような置換基を挙げることができる。 In the above formulas (2) to (5), examples of the substituents represented by R 11 to R 20 , R 21 to R 30 , R 31 to R 40 , and R 41 to R 50 include the following substituents. Can do.

ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。   Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine.

アルキル基として、炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、及び炭素数3〜18の脂環式アルキル基が挙げられる。アルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましい。アルキル基の具体例として、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、neo−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−デシル基、ラウリル基、ステアリル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group include a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms and an alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neo-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, n-decyl, lauryl, stearyl, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cyclo An octyl group etc. are mentioned.

アルコキシル基として、炭素数1〜18であるアルコキシル基が挙げられる。アルコキシル基は炭素数1〜10であるアルコキシル基であるのがより好ましい。アルコキシル基の具体例として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、neo−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxyl group include alkoxyl groups having 1 to 18 carbon atoms. The alkoxyl group is more preferably an alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkoxyl group include, for example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, and n-pentyloxy group. , Neo-pentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group and the like.

モノアルキルアミノ基として、上述の炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基を1つ有するアミノ基が挙げられる。モノアルキルアミノ基を構成するアルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。モノアルキルアミノ基の具体例として、例えば、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、モノ−n−プロピルアミノ基、モノ−i−プロピルアミノ基、モノ−n−ブチルアミノ基、モノ−sec−ブチルアミノ基、モノ−t−ブチルアミノ基、モノ−n−ペンチルアミノ基、モノ−neo−ペンチルアミノ基、モノ−n−ヘキシルアミノ基、モノ−n−ヘプチルアミノ基、モノ−n−オクチルアミノ基等が挙げられる。   Examples of the monoalkylamino group include an amino group having one linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or one alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group constituting the monoalkylamino group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. More preferably. Specific examples of the monoalkylamino group include, for example, a monomethylamino group, a monoethylamino group, a mono-n-propylamino group, a mono-i-propylamino group, a mono-n-butylamino group, and a mono-sec-butylamino group. Group, mono-t-butylamino group, mono-n-pentylamino group, mono-neo-pentylamino group, mono-n-hexylamino group, mono-n-heptylamino group, mono-n-octylamino group, etc. Is mentioned.

ジアルキルアミノ基として、上述の炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基を2つ有するアミノ基が挙げられる。ジアルキルアミノ基を構成するアルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。ジアルキルアミノ基の具体例として、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ基、ジ−i−プロピルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ基、ジ−sec−ブチルアミノ基、ジ−t−ブチルアミノ基、ジ−n−ペンチルアミノ基、ジ−neo−ペンチルアミノ基、ジ−n−ヘキシルアミノ基、ジ−n−ヘプチルアミノ基、ジ−n−オクチルアミノ基等が挙げられる。   Examples of the dialkylamino group include the above-described linear or branched alkyl groups having 1 to 18 carbon atoms, or amino groups having two alicyclic alkyl groups having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group constituting the dialkylamino group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. More preferably. Specific examples of the dialkylamino group include, for example, dimethylamino group, diethylamino group, di-n-propylamino group, di-i-propylamino group, di-n-butylamino group, di-sec-butylamino group, di- -T-butylamino group, di-n-pentylamino group, di-neo-pentylamino group, di-n-hexylamino group, di-n-heptylamino group, di-n-octylamino group and the like. .

アルキルチオ基として、炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基を有するチオ基が挙げられる。アルキルチオ基を構成するアルキル基は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。アルキルチオ基の具体例として、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、i−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、i−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、neo−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられる。   Examples of the alkylthio group include a thio group having a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group constituting the alkylthio group is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. Is more preferable. Specific examples of the alkylthio group include, for example, methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, i-propylthio group, n-butylthio group, i-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, Examples include neo-pentylthio group, n-hexylthio group, n-heptylthio group, n-octylthio group, phenylthio group, naphthylthio group and the like.

−NHCOR基において、R’はアルキル基を示す。アルキル基R’として、上述の炭素数1〜18の直鎖状または分枝状のアルキル基、または炭素数3〜18の脂環式アルキル基が挙げられる。ここでアルキル基R’は、炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのがより好ましく、炭素数2〜8の直鎖状または分枝状のアルキル基であるのが更に好ましい。 In the —NHCOR group, R ′ represents an alkyl group. Examples of the alkyl group R ′ include the aforementioned linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or an alicyclic alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. Here, the alkyl group R ′ is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is a linear or branched alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. Is more preferable.

また、R11〜R15、R16〜R20は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよく、R21〜R25、R26〜R30は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよく、R31〜R35、R36〜R40は、隣接する2つの基が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してもよい。5〜7員環の縮合環として、例えばフェニル、ピロリル、オキサゾリル、チオフェニル、ピリジニル、ピリミジニルなどの縮合環が挙げられる。 In addition, R 11 to R 15 and R 16 to R 20 may be formed by combining two adjacent groups to form a 5- to 7-membered condensed ring. R 21 to R 25 , R 26 to R 30 may form a 5- to 7-membered condensed ring by combining two adjacent groups, and R 31 to R 35 and R 36 to R 40 may be formed by combining two adjacent groups. 5 to 7-membered condensed rings may be formed. Examples of the 5- to 7-membered condensed ring include condensed rings such as phenyl, pyrrolyl, oxazolyl, thiophenyl, pyridinyl, and pyrimidinyl.

上述したこれらのヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)、及び縮合環は、必要に応じて置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、F、Cl、Br、I等のハロゲン基;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;メルカプト基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基等の炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;フェニル基、ナフチル基、フェネチル基等のアリール基;ベンジル基、α、α−ジメチルベンジル基等のアラルキル基;アミノ基;炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基;炭素数1〜10の直鎖状または分枝状のアルキル基を2つ有するジアルキルアミノ基等が挙げられる。 These hydroxyl group, alkyl group, alkoxyl group, monoalkylamino group, dialkylamino group, alkylthio group, phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), and the condensed ring described above are optionally used. May have a substituent. Examples of the substituent include halogen groups such as F, Cl, Br, and I; nitro groups; cyano groups; hydroxyl groups; mercapto groups; methyl groups, ethyl groups, propyl groups, butyl groups, pentyl groups, hexyl groups, 2 -C1-C10 linear or branched alkyl group such as ethylhexyl group, n-octyl group; methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, 2-ethylhexyl An alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms such as an oxy group and an n-octyloxy group; an aryl group such as a phenyl group, a naphthyl group and a phenethyl group; an aralkyl group such as a benzyl group and an α, α-dimethylbenzyl group; an amino group; A monoalkylamino group having a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms Examples thereof include a dialkylamino group having two groups.

なお、R11〜R20、R21〜R30、R31〜R40における好ましい態様は、上記R〜R10の場合と同様である。 A preferable embodiment of R 11 ~R 20, R 21 ~R 30, R 31 ~R 40 is the same as in the case of the R 1 to R 10.

上記ジフェニルスルホン誘導体の合成方法の1つとして、例えば下記式で示すように、ジ(p−トリル)スルホン(6)と、ベンジリデンアニリン誘導体(7)、(8)との縮合反応により合成することができる。この合成方法は、ベンジリデンアニリン誘導体(7)、(8)が同一の構造である場合に、より好ましい方法である。   As one of the methods for synthesizing the diphenylsulfone derivative, for example, as shown by the following formula, synthesis is performed by a condensation reaction of di (p-tolyl) sulfone (6) and benzylideneaniline derivatives (7) and (8). Can do. This synthesis method is a more preferable method when the benzylidene aniline derivatives (7) and (8) have the same structure.

Figure 2012137549
上記式中、R〜R10は上記と同様の基を示し、及びn、mは上記と同様の数を示し、及びl、pは0または1を示す。
Figure 2012137549
In the above formula, R 1 to R 10 represent the same groups as described above, and n and m represent the same numbers as described above, and l and p represent 0 or 1.

上記合成方法を具体的に例示すると、ジ(p−トリル)スルホン(6)及びベンジリデンアニリン誘導体(7)、(8)を、溶解または懸濁させ、加熱することによりジフェニルスルホン誘導体を合成する反応である。この加熱において、必要に応じて塩基を用いてもよい。なお、この方法で用いるベンジリデンアニリン誘導体(7)、(8)は、例えばアニリンとベンズアルデヒド誘導体を混合し、必要であれば加熱するといった、当業者における通常の手法により容易に調製することができる。   To exemplify the above synthesis method, di (p-tolyl) sulfone (6) and benzylideneaniline derivatives (7) and (8) are dissolved or suspended and heated to synthesize a diphenylsulfone derivative. It is. In this heating, a base may be used as necessary. The benzylidene aniline derivatives (7) and (8) used in this method can be easily prepared by ordinary techniques in the art such as mixing aniline and benzaldehyde derivative and heating if necessary.

上記合成方法で用いられる各成分の量は、ジ(p−トリル)スルホン(6)1molに対してベンジリデンアニリン誘導体(7)及び(8)が0.8〜1.2molであるのが好ましい。   The amount of each component used in the above synthesis method is preferably 0.8 to 1.2 mol of benzylideneaniline derivatives (7) and (8) with respect to 1 mol of di (p-tolyl) sulfone (6).

上記合成方法で用いることのできる溶媒としては、ジ(p−トリル)スルホン(6)及びベンジリデンアニリン誘導体(7)、(8)を、溶解または懸濁させるこができ、これらの基質と反応を起こさないものであれば特に限定されない。このような溶媒として、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、クメン等のアルキルベンゼン類;モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン等のハロゲン化ベンゼン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチルプロピレンウレア等の含窒素系溶媒;テトラハイドロフラン、ジフェニルエーテル、アニソール、1,4−ジオキサン、モノグライム、ダイグライム、トリグライム等のエーテル類等が挙げられる。   As a solvent that can be used in the above synthesis method, di (p-tolyl) sulfone (6) and benzylideneaniline derivatives (7) and (8) can be dissolved or suspended, and the reaction with these substrates can be performed. There is no particular limitation as long as it does not occur. Examples of such solvents include alkylbenzenes such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, n-propylbenzene and cumene; halogenated benzenes such as monochlorobenzene, dichlorobenzene, bromobenzene and dibromobenzene; N, N -Nitrogen-containing solvents such as dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-dimethylpropylene urea; tetrahydrofuran, diphenyl ether, anisole, Examples include ethers such as 1,4-dioxane, monoglyme, diglyme and triglyme.

本反応では、適当な塩基を用いて、反応を促進させてもよい。塩基としては、ジ(p−トリル)スルホン(6)及びベンジリデンアニリン誘導体(7)(8)が有する基に影響を与えないものであれば、特に限定されることはない。必要に応じて用いることができる塩基として、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の水酸化物;ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムt−ブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロポキシド、カリウムt−ブトキシド等のアルカリ金属のアルコキシド化合物等が挙げられる。   In this reaction, the reaction may be promoted using an appropriate base. The base is not particularly limited as long as it does not affect the groups of di (p-tolyl) sulfone (6) and benzylideneaniline derivatives (7) and (8). Examples of the base that can be used as necessary include alkali metal and alkaline earth metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and calcium hydroxide; sodium methoxide, sodium ethoxide, Examples thereof include alkali metal alkoxide compounds such as sodium propoxide, sodium t-butoxide, potassium methoxide, potassium ethoxide, potassium propoxide, potassium t-butoxide and the like.

本反応の反応温度は、例えば10〜40℃といった室温であることが好ましい。また本反応の反応時間として、例えば0.5〜12時間であるのが好ましい。   The reaction temperature of this reaction is preferably room temperature such as 10 to 40 ° C. Moreover, as reaction time of this reaction, it is preferable that it is 0.5 to 12 hours, for example.

上記縮合反応が終了した後、得られた反応混合物を、水、好ましくは氷水中に滴下し、次いで塩酸等でpHを4以下にしてジフェニルスルホン誘導体を得ることが好ましい。こうして得られたジフェニルスルホン誘導体は、当業者において通常用いられる手法により精製してもよい。例えば、カラムクロマトグラフィー等の精製手段または再結晶などの当業者における通常の手法を用いて、生成物であるジフェニルスルホン誘導体を精製することができる。なお、精製手段はこれらに限定されるものではない。   After the condensation reaction is completed, the obtained reaction mixture is preferably dropped into water, preferably ice water, and then the pH is adjusted to 4 or less with hydrochloric acid or the like to obtain a diphenylsulfone derivative. The diphenylsulfone derivative thus obtained may be purified by a technique commonly used by those skilled in the art. For example, the product diphenylsulfone derivative can be purified using a purification means such as column chromatography or a usual method in the art such as recrystallization. The purification means is not limited to these.

また、本発明の二光子吸収性材料が含有するジフェニルスルホン誘導体の合成方法の他の1つとして、例えば下記式で示すように、まずジ(p−トリル)スルホン(6)とベンジリデンアニリン誘導体(7)とを縮合反応させ、次いで得られた生成物とベンジリデンアニリン誘導体(8)とを縮合反応させることにより合成することができる。   As another method for synthesizing a diphenylsulfone derivative contained in the two-photon absorbing material of the present invention, for example, as shown by the following formula, first, di (p-tolyl) sulfone (6) and a benzylideneaniline derivative ( 7) can be subjected to a condensation reaction, and then the product obtained and a benzylideneaniline derivative (8) can be subjected to a condensation reaction.

Figure 2012137549
Figure 2012137549

上記式中、R〜R10は上記と同様の基を示し、及びn、mは上記と同様の数を示し、及びl、pは0または1を示す。 In the above formula, R 1 to R 10 represent the same groups as described above, and n and m represent the same numbers as described above, and l and p represent 0 or 1.

上記合成方法を具体的に例示すると、ジ(p−トリル)スルホン(6)及びベンジリデンアニリン誘導体(7)を、溶解または懸濁させ、加熱することにより中間体Aを合成する。次いで、得られた中間体A及びベンジリデンアニリン誘導体(8)、溶解または懸濁させ、加熱することによりジフェニルスルホン誘導体を合成する反応である。この合成方法は、ベンジリデンアニリン誘導体(7)、(8)がそれぞれ異なる構造である場合に、より好ましい方法である。   As a specific example of the above synthesis method, di (p-tolyl) sulfone (6) and benzylideneaniline derivative (7) are dissolved or suspended and heated to synthesize intermediate A. Next, the obtained intermediate A and the benzylidene aniline derivative (8) are dissolved or suspended and heated to synthesize a diphenyl sulfone derivative. This synthesis method is more preferable when the benzylidene aniline derivatives (7) and (8) have different structures.

上記合成方法で用いられる各成分の量は、ジ(p−トリル)スルホン(6)1molに対してベンジリデンアニリン誘導体(7)1〜1.05molであるのが好ましい。また、ジ(p−トリル)スルホン(6)及びベンジリデンアニリン誘導体(7)の反応物1molに対して、ベンジリデンアニリン誘導体(8)を1.0〜1.2mol用いるのが好ましい   The amount of each component used in the synthesis method is preferably 1 to 1.05 mol of the benzylideneaniline derivative (7) with respect to 1 mol of di (p-tolyl) sulfone (6). Moreover, it is preferable to use 1.0-1.2 mol of benzylidene aniline derivative (8) with respect to 1 mol of reaction products of di (p-tolyl) sulfone (6) and benzylidene aniline derivative (7).

上記合成方法で用いることのできる溶媒、ベンジリデンアニリン誘導体(7)、(8)、必要に応じて用いることができる塩基、反応時間及び精製手段などは、上記と同様である。反応温度については、上記と同様に室温であってもよいが、反応が進行しない場合、例えば50〜100℃に加熱して行ってもよい。   Solvents that can be used in the above synthesis method, benzylideneaniline derivatives (7) and (8), bases that can be used as necessary, reaction time, purification means, and the like are the same as described above. About reaction temperature, it may be room temperature similarly to the above, but when reaction does not advance, you may carry out by heating to 50-100 degreeC, for example.

また、必要に応じて、ジ(p−トリル)スルホン(6)及びベンジリデンアニリン誘導体(7)を反応させて得られた中間体Aを、ベンジリデンアニリン誘導体(8)と反応させる前に、上記精製手段により精製してもよい。   If necessary, the intermediate A obtained by reacting di (p-tolyl) sulfone (6) and the benzylidene aniline derivative (7) may be purified before the reaction with the benzylidene aniline derivative (8). It may be purified by means.

上記の合成方法によって、ジフェニルスルホン誘導体を合成することができる。また、必要に応じて、上記方法によって得られたジフェニルスルホン誘導体が有する置換基を、当業者に知られた通常の手法を用いて、他の置換基に置換してもよい。このような置換方法として、例えば、ヒドロキシル基に、ハロゲン化アルキルを反応させてアルキル基を導入する方法などが挙げられる。   A diphenylsulfone derivative can be synthesized by the above synthesis method. Moreover, you may substitute the substituent which the diphenyl sulfone derivative obtained by the said method has with another substituent using the normal method known to those skilled in the art as needed. Examples of such a substitution method include a method of introducing an alkyl group by reacting an alkyl halide with a hydroxyl group.

本発明の二光子吸収性材料に用いることのできるジフェニルスルホン誘導体の具体例を以下に示す。なお、本発明の二光子吸収性材料に用いることのできるジフェニルスルホン誘導体はこれらに何ら限定されるものではない。以下の表中、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表し、Buはn−ブチル基を表し、t−Bu及びBu−tはt−ブチル基を表し、Ocはオクチル基を表し、Phはフェニル基を表す。   Specific examples of diphenylsulfone derivatives that can be used in the two-photon absorbing material of the present invention are shown below. In addition, the diphenyl sulfone derivative which can be used for the two-photon absorbing material of the present invention is not limited to these. In the following table, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bu represents an n-butyl group, t-Bu and Bu-t represent a t-butyl group, Oc represents an octyl group, Ph represents a phenyl group.

Figure 2012137549
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本発明における、二光子吸収性材料であるジフェニルスルホン誘導体は、4,4'−ビススチリルジフェニルスルホン誘導体を基本構造とする。上述の4,4'−ビススチリルジフェニルスルホン誘導体は、吸収波長の深色化を伴うことなく、優れた二光子吸収特性を有するという特徴がある。従来の二光子吸収性材料においては、共役系の拡大に伴い、二光子吸収を誘起する励起波長域も長波長域にシフトするという深色化が生じていた。このような深色化は、レーザー光源に対する二光子吸収性材料の一光子吸収をもたらす恐れがある。二光子吸収用途に用いられるレーザー光源は一般に、極めて高出力である。そのため、このような二光子吸収性材料がレーザー光源に対して一光子吸収を生じた場合は、二光子吸収性材料が破壊されてしまうおそれがある。   The diphenyl sulfone derivative, which is a two-photon absorbing material in the present invention, has a basic structure of 4,4′-bisstyryl diphenyl sulfone derivative. The above-mentioned 4,4′-bisstyryldiphenylsulfone derivative has a characteristic of having excellent two-photon absorption characteristics without deepening the absorption wavelength. In the conventional two-photon absorbing material, with the expansion of the conjugated system, the deepening of the color has occurred in which the excitation wavelength region that induces two-photon absorption is also shifted to the long wavelength region. Such deepening of color may cause one-photon absorption of the two-photon absorbing material with respect to the laser light source. Laser light sources used for two-photon absorption applications generally have very high power. Therefore, when such a two-photon absorbing material causes one-photon absorption with respect to the laser light source, the two-photon absorbing material may be destroyed.

本発明の二光子吸収性材料は、4,4'−ビススチリルジフェニルスルホン誘導体を基本構造としているため、二光子吸収における吸収波長の深色化が有効に抑制されている。そして本発明の二光子吸収性材料は、このように深色化が抑制されているにもかかわらず、良好な二光子吸収特性を有するという特徴がある。   Since the two-photon absorbing material of the present invention has a 4,4′-bisstyryldiphenylsulfone derivative as a basic structure, the deepening of the absorption wavelength in two-photon absorption is effectively suppressed. The two-photon absorbing material of the present invention is characterized in that it has a good two-photon absorption characteristic even though the deep color is suppressed as described above.

本発明の二光子吸収性材料は、一光子吸収波長が500nm以下であるのが好ましい。本発明の二光子吸収性材料は、一光子吸収波長が500nm以下であることによって、二光子吸収を誘起させるために用いられるフェムト秒チタンサファイアレーザーの波長領域660〜1100nmから十分に離れており、望まぬ一光子吸収を防ぐことが出来る。   The two-photon absorbing material of the present invention preferably has a one-photon absorption wavelength of 500 nm or less. The two-photon absorbing material of the present invention is sufficiently separated from the wavelength region 660 to 1100 nm of the femtosecond titanium sapphire laser used for inducing two-photon absorption because the one-photon absorption wavelength is 500 nm or less, Unwanted one-photon absorption can be prevented.

本発明の二光子吸収性材料においては、上記式(1)におけるR及び/またはRが電子供与性置換基である、4位置換誘導体であるのがより好ましい。これらは、4位(パラ位)における電子供与性効果によって、より良好な二光子吸収特性効果を達成することができるという利点がある。 In the two-photon absorbing material of the present invention, a 4-position substituted derivative in which R 3 and / or R 8 in the above formula (1) is an electron donating substituent is more preferable. These have an advantage that a better two-photon absorption characteristic effect can be achieved by the electron donating effect at the 4-position (para-position).

上記式(1)で表わされるジフェニルスルホン誘導体が有するR〜R、R〜R10において、R及びRのうち少なくとも1つが、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)から選ばれる電子供与性置換基であるであるのがより好ましい。また、R及びRの少なくとも1つがジアルキルアミノ基であるのがより好ましく、R及びRが共にジアルキルアミノ基であるのが更に好ましい。また、ジアルキルアミノ基として、炭素数2〜6のアルキル基を有するジアルキルアミノ基がより好ましい。 In R 1 to R 5 and R 6 to R 10 of the diphenylsulfone derivative represented by the above formula (1), at least one of R 3 and R 8 is an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, or a monoalkylamino group. It is more preferably an electron donating substituent selected from a dialkylamino group, an alkylthio group, a phenyl group, and —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group). Moreover, it is more preferable that at least one of R 3 and R 8 is a dialkylamino group, and it is still more preferable that both R 3 and R 8 are dialkylamino groups. Moreover, as a dialkylamino group, the dialkylamino group which has a C2-C6 alkyl group is more preferable.

また、本発明の二光子吸収性材料に含有されるジフェニルスルホン誘導体は、250〜800nmにおける極大波長のモル吸光係数が55000mol−1dmcm−1以上であることが好ましい。このモル吸光係数は、250〜800nmの波長域での一光子吸収が最も高い極大波長に対し、単位モル濃度、単位光路長にて規格化した吸光度の比例係数に相当する。 Moreover, it is preferable that the diphenylsulfone derivative contained in the two-photon absorbing material of the present invention has a molar extinction coefficient of a maximum wavelength at 250 to 800 nm of 55000 mol −1 dm 3 cm −1 or more. This molar extinction coefficient corresponds to a proportional coefficient of absorbance normalized by unit molar concentration and unit optical path length with respect to the maximum wavelength at which one-photon absorption is highest in a wavelength range of 250 to 800 nm.

本発明の二光子吸収性材料は、例えば、光硬化性樹脂組成物、発光材料、光記録材料、顕微鏡用蛍光色素材料、光制限材料などに含有させることができる。例えば、本発明の二光子吸収性材料を含有する光硬化性樹脂組成物を用いることにより、光による空間選択性或いは制御性の高い感光性材料を提供することができる。この感光性材料は、超高密度光記録、光硬化性樹脂微細加工によるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)或いはフォトニック結晶作成、蛍光プローブ、光制限材料などの分野で有用である。   The two-photon absorbing material of the present invention can be contained in, for example, a photocurable resin composition, a light emitting material, an optical recording material, a fluorescent dye material for a microscope, or a light limiting material. For example, by using a photocurable resin composition containing the two-photon absorbing material of the present invention, a photosensitive material having high spatial selectivity or controllability by light can be provided. This photosensitive material is useful in fields such as ultra-high density optical recording, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) or photonic crystal production by photo-curable resin microfabrication, fluorescent probes, and light limiting materials.

二光子吸収性材料を含有する光硬化性樹脂組成物
上記二光子吸収性材料は、光硬化性樹脂組成物に含めて用いることができる。二光子吸収性材料を含有する光硬化性樹脂組成物は、一般に、(A)二光子吸収性材料、(B)光重合性成分、(C)光重合開始剤を含む。光硬化性樹脂組成物は更に、(D)バインダー樹脂及びその他の添加成分を含んでもよい。
Photocurable resin composition containing a two-photon absorbing material The two-photon absorbing material can be used by being included in a photocurable resin composition. The photocurable resin composition containing a two-photon absorbing material generally contains (A) a two-photon absorbing material, (B) a photopolymerizable component, and (C) a photopolymerization initiator. The photocurable resin composition may further contain (D) a binder resin and other additive components.

二光子吸収性材料(A)として、上述の二光子吸収性材料が用いられる。光重合性成分(B)として、例えば、ラジカル重合可能なエチレン性不飽和基を有する単官能モノマー、多官能モノマー、単官能オリゴマー、多官能オリゴマーなどの重合性成分が挙げられる。
単官能オリゴマー及び多官能オリゴマーの具体例として、例えば、ジ、トリ、テトラまたはポリ・アルキレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオールの(メタ)アクリレート、ポリオールのアルキレンオキシドの(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、シリコーン(メタ)アクリレート、ポリブタジエン(メタ)アクリレート、メラミン(メタ)アクリレート、及びフォスファゼン(メタ)アクリレートなどのアクリレート樹脂等が挙げられる。
As the two-photon absorbing material (A), the above-described two-photon absorbing material is used. Examples of the photopolymerizable component (B) include polymerizable components such as a monofunctional monomer, a polyfunctional monomer, a monofunctional oligomer, and a polyfunctional oligomer having an ethylenically unsaturated group capable of radical polymerization.
Specific examples of monofunctional oligomers and polyfunctional oligomers include, for example, di-, tri-, tetra- or poly-alkylene glycol di (meth) acrylate, polyol (meth) acrylate, polyol alkylene oxide (meth) acrylate, polyester (meta ) Acrylate, urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, silicone (meth) acrylate, polybutadiene (meth) acrylate, melamine (meth) acrylate, and acrylate resin such as phosphazene (meth) acrylate.

これらの単官能オリゴマー及び多官能オリゴマーは、当業者における通常の手法で調製することができる。例えばポリエステル(メタ)アクリレートは、多価カルボン酸と多価アルコールの縮合によって得られる両末端に水酸基を有するポリエステルオリゴマーの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより、或いは、多価カルボン酸にアルキレンオキシドを付加して得られるオリゴマーの末端の水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができる。
エポキシ(メタ)アクリレートは、例えば、比較的低分子量のビスフェノール型エポキシ樹脂またはノボラック型エポキシ樹脂のオキシラン環に、(メタ)アクリル酸を反応しエステル化することにより得ることができる。また、このエポキシ(メタ)アクリレート系オリゴマーを部分的に二塩基性カルボン酸無水物で変性したカルボキシル変性型のエポキシ(メタ)アクリレートオリゴマーも用いることができる。
ウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーは、例えば、ポリエーテルポリオールまたはポリエステルポリオールとポリイソシアナートの反応によって得られるポリウレタンオリゴマーを、(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができる。
ポリオール(メタ)アクリレート系オリゴマーは、ポリエーテルポリオールの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができる。
These monofunctional oligomers and polyfunctional oligomers can be prepared by ordinary techniques in the art. For example, polyester (meth) acrylate is obtained by esterifying the hydroxyl group of a polyester oligomer having hydroxyl groups at both ends obtained by condensation of a polyvalent carboxylic acid and a polyhydric alcohol with (meth) acrylic acid, or a polyvalent carboxylic acid. It can be obtained by esterifying the terminal hydroxyl group of an oligomer obtained by adding alkylene oxide to (meth) acrylic acid.
The epoxy (meth) acrylate can be obtained, for example, by reacting (meth) acrylic acid with an oxirane ring of a relatively low molecular weight bisphenol type epoxy resin or novolak type epoxy resin and esterifying it. Further, a carboxyl-modified epoxy (meth) acrylate oligomer obtained by partially modifying this epoxy (meth) acrylate oligomer with a dibasic carboxylic acid anhydride can also be used.
The urethane (meth) acrylate oligomer can be obtained, for example, by esterifying a polyurethane oligomer obtained by a reaction between a polyether polyol or a polyester polyol and a polyisocyanate with (meth) acrylic acid.
The polyol (meth) acrylate oligomer can be obtained by esterifying the hydroxyl group of the polyether polyol with (meth) acrylic acid.

単官能モノマー及び多官能モノマーとして、各種の単官能(メタ)アクリル系モノマー、2官能(メタ)アクリル系モノマー及び3官能以上の(メタ)アクリレート系のモノマーを用いることができる。
単官能の(メタ)アクリル系モノマーとして、例えば、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソボニル(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシトリエチレングリコールアクリレート、テトラヒドロフルフリルモノアクリレート、イソオクチルモノアクリレート等の(メタ)アクリレート類、及びジメチルアクリルアミド、ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、イソプロピルアクリルアミド、ジエチルアクリルアミド、ヒドロキシエチルアクリルアミドなどのアクリルアミド類等が挙げられる。
2官能の(メタ)アクリル系モノマーとして、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールアジペートジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルジ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジシクロペンテニルジ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸EO変性ジアクリレート、エチレンオキシド変性リン酸ジ(メタ)アクリレート、アリル化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
3官能以上の(メタ)アクリル系モノマーとして、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールポリエトキシアクリレート、ペンタエリスリトールポリプロポキシアクリレート、ジペンタエリスリトールポリアクリレート、ペンタエリスリトールポリアクリレート等が挙げられる。
なお本明細書において、「(メタ)アクリル」の用語は「アクリル」及び「メタクリル」の総称を意味し、同様に「(メタ)アクリレート」の用語は「アクリレート」及び「メタクリレート」の総称を意味する。
As the monofunctional monomer and polyfunctional monomer, various monofunctional (meth) acrylic monomers, bifunctional (meth) acrylic monomers, and trifunctional or higher (meth) acrylate monomers can be used.
Monofunctional (meth) acrylic monomers include, for example, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol acrylate, (Meth) acrylates such as phenoxyethylene glycol acrylate, phenoxydiethylene glycol acrylate, phenoxytriethylene glycol acrylate, tetrahydrofurfuryl monoacrylate, isooctyl monoacrylate, and dimethylacrylamide, dimethylaminoethyl acrylate, acryloylmorpholine, dimethylaminopropylacrylamide, Isopropylacrylamide, diethylacrylamido , Acrylamides, such as hydroxyethyl acrylamide.
Examples of the bifunctional (meth) acrylic monomer include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di ( (Meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol adipate di (meth) acrylate, hydroxypivalate neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyl di (Meth) acrylate, isocyanuric acid EO-modified diacrylate, ethylene oxide-modified phosphoric acid di (meth) acrylate, allylated cyclohexyl di (meth) acrylate, isocyanurate di (meth) Acrylate, dipropylene glycol diacrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tricyclodecane dimethanol (meth) acrylate.
Examples of tri- or higher functional (meth) acrylic monomers include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol tri (meth). Acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, propionic acid modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, isocyanuric acid EO modified triacrylate , Caprolactone-modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol polyethoxy acrylate, pentaerythritol Li propoxy acrylate, dipentaerythritol polyacrylate, pentaerythritol polyacrylate, and the like.
In the present specification, the term “(meth) acryl” means a generic term for “acryl” and “methacryl”, and similarly, the term “(meth) acrylate” means a generic term for “acrylate” and “methacrylate”. To do.

光重合開始剤(C)は、必要に応じて、当業者において通常用いられる開始剤を用いることができる。このような光重合開始剤として、例えば、カンファキノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイン−n−プロピルエーテル、ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンジル、ベンゾフェノン、p−メチルベンゾフェノン、ジアセチル、エオシン、チオニン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、2−クロロチオキサントン、アンスラキノン、クロロアンスラキノン、2−メチルアンスラキノン、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、p−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン、α,α'−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン、1−ヒドロキシ−1−シクロヘキシルアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、メチルベンゾインフォルメイト、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロベン、ジクロルチオキサントン、ジイソプロピルチオキサントン、フェニルジスルフィド−2−ニトロソフルオレン、ブチロイン、アニソインエチルエーテル、アゾビスイソブチロニトリル、テトラメチルチウラムジスルフィド、また、特開平6−95378号公報、特開平8−36261号公報などに記載されている公知の光重合開始剤である、過硫酸アンモニウム、2,2'−アゾビス(N,N'−ジメチレンイソブチルアミン)ヒドロクロリド、2,2'−アゾビス(2−アミノジプロパン)ヒドロクロリド、4,4'−アゾビス(4−シアノペンタン酸)、2,2'−アゾビス{2−メチル−N[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2'−アゾビス(2−メルカプトプロピオンアミジン)等のラジカル重合開始剤、及びトリフェニルスルホニウム六フッ化アンチモン酸塩等の硫黄系開始剤、ジフェニルヨードニウム六フッ化アンチモン酸塩等のヨウ素系開始剤に代表されるオニウム塩などのカチオン重合開始剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの光重合開始剤(C)は、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また光重合開始剤(C)は用いなくてもよい。   As the photopolymerization initiator (C), an initiator usually used by those skilled in the art can be used as necessary. Examples of such photopolymerization initiators include camphorquinone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin-n-propyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzyl, benzophenone, p-methylbenzophenone, diacetyl, eosin, thionine, Michler's ketone, Acetophenone, 2-chlorothioxanthone, anthraquinone, chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, α-hydroxyisobutylphenone, p-isopropyl-α-hydroxyisobutylphenone, α, α'-dichloro-4-phenoxyacetophenone, 1- Hydroxy-1-cyclohexylacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, methylbenzoinformate, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-methyl Rufolinoproben, dichlorothioxanthone, diisopropylthioxanthone, phenyl disulfide-2-nitrosofluorene, butyroin, anisoin ethyl ether, azobisisobutyronitrile, tetramethylthiuram disulfide, and JP-A-6-95378, JP-A Examples of known photopolymerization initiators described in JP-A-8-36261 include ammonium persulfate, 2,2′-azobis (N, N′-dimethyleneisobutylamine) hydrochloride, 2,2′-azobis ( 2-aminodipropane) hydrochloride, 4,4′-azobis (4-cyanopentanoic acid), 2,2′-azobis {2-methyl-N [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl ] Propionamide}, 2,2′-azobis (2-mercaptopropiona Gin) and other radical polymerization initiators, and cationic polymerization of onium salts such as sulfur-based initiators such as triphenylsulfonium hexafluoroantimonate and iodine-based initiators such as diphenyliodonium hexafluoroantimonate Initiators are included, but not limited to these. These photopolymerization initiators (C) can be used alone or in combination of two or more. Further, the photopolymerization initiator (C) may not be used.

光硬化性樹脂組成物に含まれる二光子吸収性材料(A)の量は、組成物の用途に応じた濃度に設定することができる。例えば、二光子吸収性材料(A)は、上記光重合性成分(B)100質量部に対して0.001〜5質量部であるのが好ましく、0.01〜4質量部であるのがより好ましく、0.01〜3質量部であるのが更に好ましい。   The amount of the two-photon absorbing material (A) contained in the photocurable resin composition can be set to a concentration according to the use of the composition. For example, the two-photon absorbing material (A) is preferably 0.001 to 5 parts by mass, and 0.01 to 4 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the photopolymerizable component (B). More preferably, it is 0.01-3 mass parts.

光重合開始剤(C)を用いる場合は、上記光重合性成分(B)100質量部に対して0.1〜5質量部であるのが好ましく、0.2〜4質量部であるのがより好ましく、0.5〜3質量部であるのが更に好ましい。光重合開始剤(C)の含有量が5質量部を超える場合は、経済的不利益が生じ、更に残存する光重合開始剤(C)が硬化樹脂の物性を悪化させるおそれがある。   When using a photoinitiator (C), it is preferable that it is 0.1-5 mass parts with respect to 100 mass parts of said photopolymerizable components (B), and it is 0.2-4 mass parts. More preferably, it is 0.5-3 mass parts. When the content of the photopolymerization initiator (C) exceeds 5 parts by mass, economical disadvantages occur, and the remaining photopolymerization initiator (C) may deteriorate the physical properties of the cured resin.

光硬化性樹脂組成物は、必要に応じてバインダー樹脂(D)を含んでもよい。バインダー樹脂(D)を用いることによって、重合前の組成物の成膜性、膜厚の均一性、保存時安定性などを向上させることができる。バインダー樹脂(D)は、当業者において通常用いられる成分を用いることができる。バインダー樹脂(D)の具体例として、例えば、(メタ)アクリル樹脂、(メタ)アクリル共重合体、ポリビニルエステル、エチレン/酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、フッ素樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。   The photocurable resin composition may contain a binder resin (D) as necessary. By using the binder resin (D), the film formability of the composition before polymerization, the uniformity of the film thickness, the stability during storage, and the like can be improved. As the binder resin (D), components usually used by those skilled in the art can be used. Specific examples of the binder resin (D) include, for example, (meth) acrylic resin, (meth) acrylic copolymer, polyvinyl ester, ethylene / vinyl acetate copolymer, epoxy resin, polyamide resin, cellulose resin, polyvinyl acetal, polyvinyl Examples include pyrrolidone, polyvinyl alcohol, fluororesin, and polystyrene resin.

光硬化性樹脂組成物を、下記に詳述する光記録材料の記録層の作製に用いる場合は、光硬化性樹脂組成物がバインダー樹脂(D)を含み、かつ、バインダー樹脂(D)の屈折率の値と、光重合性成分(B)の重合物の屈折率の値とが異なる態様が好ましい。光記録材料の記録層に、光照射(露光)を行うと、二光子吸収により起こる光重合が開始され、それに伴い光重合性成分(B)の濃度勾配ができ、光が弱い部分から強い部分に光重合性成分(B)の拡散移動が起こると考えられる。そしてこの拡散移動の結果、記録光の強弱に応じて、光重合性成分(B)が密に存在する領域とバインダー樹脂(D)が主成分として存在する領域とが形成され、それら領域の屈折率の差が生じるからと考えられる。これにより、レーザー光照射された部分(レーザー焦点部)と未照射部(非焦点部)にて、光重合性成分(B)の重合物とバインダー樹脂(D)との組成比の不均一化が起こり、大きな屈折率変調を起こすことができ、記録感度を高めることができる。形成される屈折率変調は0.005より大きいことが好ましく、0.01より大きいことがより好ましく、0.05より大きいことが更に好ましい。光重合性成分(B)の重合物とバインダー樹脂(D)の屈折率の違いは、光重合性成分(B)の重合物の屈折率が、バインダー樹脂(D)の屈折率より大きくてもよく、またバインダー樹脂(D)の屈折率が光重合性成分(B)の重合物の屈折率より大きくてもよい。記録感度の点からは、光重合性成分(B)の重合物の屈折率が、バインダー樹脂(D)の屈折率より大きい態様がより好ましい。   When the photocurable resin composition is used for producing a recording layer of an optical recording material described in detail below, the photocurable resin composition contains a binder resin (D), and the refraction of the binder resin (D). An aspect in which the value of the refractive index and the value of the refractive index of the polymerized photopolymerizable component (B) are different is preferable. When light irradiation (exposure) is performed on the recording layer of the optical recording material, photopolymerization that occurs due to two-photon absorption is started, and accordingly, a concentration gradient of the photopolymerizable component (B) is generated, and a portion where light is weak to a strong portion It is considered that diffusion transfer of the photopolymerizable component (B) occurs. As a result of this diffusion movement, a region where the photopolymerizable component (B) is present densely and a region where the binder resin (D) is present as a main component are formed according to the intensity of the recording light, and the refraction of these regions is formed. This is thought to be due to the difference in rate. This makes the composition ratio of the polymer of the photopolymerizable component (B) and the binder resin (D) nonuniform in the portion irradiated with the laser beam (laser focal portion) and the non-irradiated portion (non-focal portion). Occurs, and a large refractive index modulation can be caused, and the recording sensitivity can be increased. The refractive index modulation formed is preferably greater than 0.005, more preferably greater than 0.01, and even more preferably greater than 0.05. The difference in refractive index between the polymer of the photopolymerizable component (B) and the binder resin (D) is that the refractive index of the polymer of the photopolymerizable component (B) is larger than the refractive index of the binder resin (D). Moreover, the refractive index of the binder resin (D) may be larger than the refractive index of the polymer of the photopolymerizable component (B). From the viewpoint of recording sensitivity, an embodiment in which the refractive index of the polymer of the photopolymerizable component (B) is larger than the refractive index of the binder resin (D) is more preferable.

光硬化性樹脂組成物を、光記録材料の記録層の作製に用いる場合は、光硬化性樹脂組成物に含まれるバインダー樹脂(D)の量は、光重合性成分(B)100質量部に対して80〜500質量部であるのが好ましい。   When using a photocurable resin composition for preparation of the recording layer of an optical recording material, the quantity of binder resin (D) contained in a photocurable resin composition is 100 mass parts of photopolymerizable components (B). The amount is preferably 80 to 500 parts by mass.

光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて光重合促進剤を含んでもよい。光重合促進剤を含むことによって、光重合開始剤による硬化反応を促進させることができる。光重合促進剤の具体例として、例えば、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、2−ジメチルアミノエタノール等の第3級アミン類、トリフェニルフォスフィンで代表されるアルキルフォスフィン類、β−チオグリコールで代表されるチオール類等を挙げることができる。
光重合促進剤が含まれる場合は、上記光重合性成分(B)100質量部に対して0.1〜5質量部であるのが好ましく、0.2〜4質量部であるのがより好ましく、0.5〜3質量部であるのが更に好ましい。
The photocurable resin composition may contain a photopolymerization accelerator as necessary. By containing the photopolymerization accelerator, the curing reaction by the photopolymerization initiator can be promoted. Specific examples of the photopolymerization accelerator include, for example, tertiary amines such as triethylamine, triethanolamine, 2-dimethylaminoethanol, alkylphosphine typified by triphenylphosphine, and β-thioglycol. Thiols and the like.
When a photopolymerization accelerator is included, it is preferably 0.1 to 5 parts by mass, more preferably 0.2 to 4 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the photopolymerizable component (B). More preferably, it is 0.5-3 mass parts.

光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、連鎖移動剤、熱安定剤、可塑剤、有機溶媒などの当業者において通常用いられる添加剤または添加成分を含んでもよい。   The photocurable resin composition may contain additives or additive components usually used by those skilled in the art, such as a chain transfer agent, a heat stabilizer, a plasticizer, and an organic solvent, as necessary.

二光子吸収性材料を含有する発光材料
本発明の二光子吸収性材料を用いた発光材料は、二光子吸収により生成した励起分子が、その励起状態の輻射失活過程において発する発光を利用する材料を意味する。このような発光現象は、例えば、情報記録材料、蛍光顕微鏡用色素、光制限剤等に利用することができる。
Luminescent Material Containing Two-Photon Absorbing Material A luminescent material using the two-photon absorbing material of the present invention is a material that utilizes light emitted from excited molecules generated by two-photon absorption in the radiation deactivation process of the excited state. Means. Such a light emission phenomenon can be used for, for example, information recording materials, fluorescent microscope dyes, light limiting agents, and the like.

二光子吸収現象は、上述の通り、三次の非線形光学効果の一種であって、分子が二つのフォトンを同時に吸収して、基底状態から励起状態へ遷移する現象である。また二光子吸収性材料は、非共鳴領域の波長において分子を励起することが可能な材料であって、二光子を吸収することにより、励起に用いた光子の約2倍のエネルギー準位における励起状態となる材料である。このような二光子同時吸収の遷移効率は、一光子吸収と比べて極めて低く、極めて大きなパワー密度の光子を必要とする。そのため、一般的なレーザー光強度では、二光子吸収はほとんど生じない。例えばピーク光強度(最大発光波長における光強度)が高いモード同期レーザーのようなフェムト秒程度の極超短パルスレーザーを用いることによって、二光子吸収を観察することができる。   As described above, the two-photon absorption phenomenon is a kind of third-order nonlinear optical effect, and is a phenomenon in which a molecule absorbs two photons simultaneously and transitions from a ground state to an excited state. A two-photon absorbing material is a material that can excite molecules at a wavelength in the non-resonant region, and absorbs two photons, thereby exciting at an energy level about twice that of the photons used for excitation. It is a material that becomes a state. The transition efficiency of such two-photon simultaneous absorption is extremely lower than that of one-photon absorption, and a photon having an extremely large power density is required. Therefore, two-photon absorption hardly occurs at a general laser light intensity. For example, two-photon absorption can be observed by using an ultra-short pulse laser of about femtosecond such as a mode-locked laser having a high peak light intensity (light intensity at the maximum emission wavelength).

また、二光子吸収の遷移効率は、印加する光電場の二乗に比例する(二光子吸収の二乗特性)。そのため、極超短パルスレーザーなどのレーザーを照射した場合、レーザースポット中心部の電界強度の高い位置でのみ二光子の吸収が起こる。一方で、周辺部の電界強度の弱い部分では二光子の吸収は全く起こらない。例えば三次元空間においては、レーザー光をレンズで集光した焦点の電界強度の大きな領域でのみ二光子吸収が生じる。一方で焦点から外れた領域では、電界強度が弱いために二光子吸収が生じない。   Moreover, the transition efficiency of two-photon absorption is proportional to the square of the applied photoelectric field (square characteristic of two-photon absorption). Therefore, when a laser such as an ultra-short pulse laser is irradiated, two-photon absorption occurs only at a position where the electric field strength is high at the center of the laser spot. On the other hand, two-photon absorption does not occur at all in the peripheral portion where the electric field strength is weak. For example, in a three-dimensional space, two-photon absorption occurs only in the region where the electric field intensity at the focal point where laser light is collected by a lens is large. On the other hand, in a region out of focus, two-photon absorption does not occur because the electric field strength is weak.

これに対して、一光子の線形吸収においては、印加された光電場の強度に比例してすべての位置で励起が生じる。そのため、二光子吸収は、二乗特性に由来して空間内部のピンポイントのみで励起が生じるという、一光子線形吸収にはない、三次元空間選択性能を有している。そして二光子吸収は、この性能により、空間分解能が著しく向上するという特徴を有する。例えば、二光子吸収を利用した記録材料においては、一光子吸収を利用した記録材料と比較して、スポットサイズをより小さくすることができる。そのため、二光子吸収性能を情報記録材料において用いることによって、超解像記録が可能となる。   On the other hand, in one-photon linear absorption, excitation occurs at all positions in proportion to the intensity of the applied photoelectric field. Therefore, the two-photon absorption has a three-dimensional space selection performance that is not in the one-photon linear absorption, in which excitation occurs only at a pinpoint inside the space due to the square characteristic. Two-photon absorption has a feature that the spatial resolution is remarkably improved by this performance. For example, in a recording material using two-photon absorption, the spot size can be made smaller than that of a recording material using one-photon absorption. Therefore, super-resolution recording is possible by using the two-photon absorption performance in the information recording material.

二光子吸収性材料は更に、二乗特性に由来する高い空間分解能の特性を生かして、光制限材料、光造形用途に用いられる光硬化材料、二光子蛍光顕微鏡用蛍光色素材料などの用途に用いることができる。   Two-photon absorptive materials can be used for applications such as light-limiting materials, photo-curing materials used for stereolithography, and fluorescent dye materials for two-photon fluorescence microscopes by taking advantage of the characteristics of high spatial resolution derived from the square characteristics. Can do.

二光子吸収性材料は更に、生体組織の二光子造影及び二光子フォトダイナミックセラピー(PDT)などの光化学療法においても用いることができる。二光子吸収の誘起においては、化合物の線形吸収帯が存在する波長領域よりも長波長であり、かつ生体組織による吸収が生じない、つまり生体組織の線形吸収帯が存在しない、近赤外領域の短パルスレーザーを用いることができる。これにより、生体組織における使用であっても、生体組織による吸収及び散乱を受けることなく、励起光を試料内部まで到達させることができる。更に、上述の二光子吸収の二乗特性に基づく三次元空間選択性能により、試料内部のピンポイントを高い空間分解能で励起できる利点もある。   Two-photon absorbing materials can also be used in photochemotherapy such as two-photon imaging of biological tissue and two-photon photodynamic therapy (PDT). In the induction of two-photon absorption, the wavelength is longer than the wavelength region in which the linear absorption band of the compound exists, and absorption by living tissue does not occur, that is, the linear absorption band of living tissue does not exist. A short pulse laser can be used. Thereby, even if it is a use in a biological tissue, excitation light can be made to reach the inside of a sample, without receiving absorption and scattering by a biological tissue. In addition, the three-dimensional spatial selection performance based on the above-mentioned two-photon absorption square characteristic also has an advantage that the pinpoint inside the sample can be excited with high spatial resolution.

また、二光子吸収及び二光子発光においては、入射した光子のエネルギーよりも高いエネルギーの光子を取り出せるため、波長変換デバイスという観点からアップコンバージョンレージングにも使用できる。   Further, in two-photon absorption and two-photon emission, photons having an energy higher than that of incident photons can be extracted, and therefore can be used for upconversion lasing from the viewpoint of a wavelength conversion device.

このような、二光子吸収性材料を含有する発光材料として、例えば、上記二光子吸収性材料、または二光子吸収性材料を含む光硬化性樹脂組成物などを用いることができる。   As such a light emitting material containing a two-photon absorbing material, for example, the two-photon absorbing material or a photocurable resin composition containing the two-photon absorbing material can be used.

二光子吸収性材料を用いた光記録材料への応用
インターネット等のネットワーク環境及びハイビジョンTVの普及に従い、民生用途(consumer use)においても、例えば50GB以上、好ましくは100GB以上の画像情報を安価かつ簡便に記録することができる大容量記録媒体の要求が高まっている。また、コンピューターバックアップ用途、放送バックアップ用途等の業務用途においては、1TB程度或いはそれ以上の大容量の情報を高速かつ安価に記録することができる光記録材料が求められている。
Application to optical recording materials using two-photon absorbing materials In accordance with the spread of network environments such as the Internet and high-definition TV, image information of, for example, 50 GB or more, preferably 100 GB or more is inexpensive and simple in consumer use. There is an increasing demand for a large-capacity recording medium that can be recorded on the recording medium. Further, in business applications such as computer backup applications and broadcast backup applications, optical recording materials capable of recording large-capacity information of about 1 TB or more at high speed and at low cost are required.

CD、DVDのような従来の二次元光記録材料においては、記録再生波長を短波長化することによって、記録の大容量化を図ることができる。しかしながら、このような従来の二次元光記録材料においては、このような短波長化技術を用いても、物理原理上、せいぜい25GB程度までしか記録容量を向上させることができない。そのため、従来の二次元光記録材料は、将来の要求に対応できる十分な記録容量を確保できるということはできない。   In conventional two-dimensional optical recording materials such as CD and DVD, the recording capacity can be increased by shortening the recording / reproducing wavelength. However, in such a conventional two-dimensional optical recording material, even if such a wavelength shortening technique is used, the recording capacity can be improved only up to about 25 GB on the physical principle. For this reason, the conventional two-dimensional optical recording material cannot ensure a sufficient recording capacity that can meet future requirements.

そして次世代の高密度・高容量記録媒体として、本発明のような二光子吸収性材料を用いた三次元光記録材料が注目されつつある。三次元光記録材料においては、三次元(膜厚)方向に、何十、何百層もの記録を重ねることにより、従来の二次元記録媒体と比較して、何十、何百倍もの超高密度・超高容量記録が可能となると考えられている。このような三次元光記録材料では、三次元(膜厚)方向に対して任意の場所へアクセスできること及び書き込みできることが必要とされる。そしてこのような三次元(膜厚)方向に対する手段として、本発明の二光子吸収性材料を用いることができる。   As a next-generation high-density / high-capacity recording medium, a three-dimensional optical recording material using a two-photon absorbing material as in the present invention is attracting attention. In three-dimensional optical recording materials, tens or hundreds of layers are stacked in the three-dimensional (film thickness) direction, resulting in ultra-high density tens or hundreds of times higher than conventional two-dimensional recording media.・ It is thought that ultra-high capacity recording is possible. In such a three-dimensional optical recording material, it is required that an arbitrary place can be accessed and written in the three-dimensional (film thickness) direction. The two-photon absorbing material of the present invention can be used as a means for such a three-dimensional (film thickness) direction.

このように二光子吸収性材料を用いる三次元光記録材料では、上記で説明した物理原理に基づいて、従来の二次元光記録材料と比較して、何十、何百倍にも相当する、高容量記録を可能とすることができる。そのため二光子吸収性材料を用いる三次元光記録材料は、次世代の高密度・高容量光記録材料を達成する有効な1手段として考えられている。   In this way, in the three-dimensional optical recording material using the two-photon absorbing material, based on the physical principle described above, it is equivalent to tens or hundreds of times higher than the conventional two-dimensional optical recording material. Capacitance recording can be made possible. Therefore, a three-dimensional optical recording material using a two-photon absorbing material is considered as an effective means for achieving the next generation high density / high capacity optical recording material.

二光子吸収性材料を用いる三次元光記録材料においては、例えば、非共鳴二光子吸収により得た励起エネルギーを用いて硬化反応を生じさせる態様が考えられている。その結果、レーザー焦点(記録)部と非焦点(非記録)部で光を照射した際の発光、反射強度等を書き換えできない方式で変調することができれば、三次元空間の任意の場所にきわめて高い空間分解能で発光、反射強度変調を起こすことができる。これにより、極めて高密度・高容量記録が可能である三次元光記録が達成できる。このような三次元光記録材料はまた、非破壊読み出しが可能であって、かつ不可逆材料であるため、良好な記録保存性も期待できる。そのため極めて高い実用性を有する。   In a three-dimensional optical recording material using a two-photon absorbing material, for example, a mode in which a curing reaction is generated using excitation energy obtained by non-resonant two-photon absorption is considered. As a result, if it is possible to modulate light emission, reflection intensity, etc. when irradiating light at the laser focus (recording) part and non-focus (non-recording) part, it is extremely high in any place in the three-dimensional space. Light emission and reflection intensity can be modulated with spatial resolution. Thereby, three-dimensional optical recording capable of extremely high density and high capacity recording can be achieved. Such a three-dimensional optical recording material can also be read nondestructively and is an irreversible material, so that good recording storability can be expected. Therefore, it has extremely high practicality.

本発明の二光子吸収化合物を含む光記録材料は、二光子吸収断面積が大きい二光子吸収化合物を少なくとも有し、二光子吸収化合物の二光子吸収を利用して書き換えできない方式で記録を行った後、光を記録材料に照射してその発光、反射強度等の違いを検出することにより再生することを特徴とする、記録再生が可能な二光子吸収光記録材料である。   The optical recording material containing the two-photon absorption compound of the present invention has at least a two-photon absorption compound having a large two-photon absorption cross-section, and recording was performed by a method that cannot be rewritten using the two-photon absorption of the two-photon absorption compound. Thereafter, the recording material is reproduced by irradiating the recording material with light and detecting differences in light emission, reflection intensity, etc., and is a two-photon absorption optical recording material capable of recording / reproducing.

二光子吸収光記録材料は、三次元多層光記録層を有している。そして光記録/再生において、三次元多層光記録層の任意の層に焦点を合わせて、記録/再生を実施することにより、三次元記録媒体として機能する。また、層間を保護層(中間層)で区切っていなくとも、二光子吸収性材料特性に基づいた、任意の深さ方向における三次元記録が可能であるという利点がある。   The two-photon absorption optical recording material has a three-dimensional multilayer optical recording layer. In optical recording / reproduction, the recording / reproduction is performed by focusing on an arbitrary layer of the three-dimensional multilayer optical recording layer, thereby functioning as a three-dimensional recording medium. Further, there is an advantage that three-dimensional recording in an arbitrary depth direction is possible based on the characteristics of the two-photon absorbing material even if the layers are not separated by a protective layer (intermediate layer).

本発明の二光子吸収光記録材料は、例えば、平らな支持体基板に、本発明の二光子吸収性材料からなる記録層と中間層保護層とを、交互に50層程積層させることによって、調製することができる。記録層の厚さは例えば0.01〜0.5μmであるのが好ましい。また中間層の厚さは例えば0.1〜5μmが好ましい。本発明の二光子吸収光記録材料は、このような構造により、CD、DVDのような従来の二次元光記録材料と同じサイズであっても、テラバイト級の大容量の光記録材料を実現することができる。   The two-photon absorption optical recording material of the present invention, for example, by laminating about 50 layers of recording layers and intermediate layer protective layers made of the two-photon absorption material of the present invention alternately on a flat support substrate, Can be prepared. The thickness of the recording layer is preferably 0.01 to 0.5 μm, for example. Further, the thickness of the intermediate layer is preferably 0.1 to 5 μm, for example. With this structure, the two-photon absorption optical recording material of the present invention realizes a terabyte-class high-capacity optical recording material even if it is the same size as a conventional two-dimensional optical recording material such as a CD or DVD. be able to.

情報の三次元的な記録は、光源から発生した光を記録層中の所望の箇所に焦点を結ばせることで行われる。光源として単一ビームを一般に用いることができる。この場合、光源として、フェムト秒オーダーの超短パルス光、または汎用のレーザー励起装置などを用いることができる。ビット単位、深さ方向単位の記録方法以外に、面光源を利用する並行記録方法も、高転送レートを実現することから好ましい。また、記録媒体において中間層の存在しないバルク状の記録媒体を作製し、ホログラム記録のようにページデータを一括記録することで、高転送レートを実現することも可能である。   Three-dimensional recording of information is performed by focusing light generated from a light source at a desired location in the recording layer. A single beam can generally be used as the light source. In this case, a femtosecond order ultrashort pulse light, a general-purpose laser excitation device, or the like can be used as the light source. In addition to the recording method in units of bits and in the depth direction, a parallel recording method using a surface light source is preferable because a high transfer rate is realized. It is also possible to realize a high transfer rate by producing a bulk-shaped recording medium having no intermediate layer in the recording medium and recording the page data collectively as in hologram recording.

基板としては、柔軟性または剛性フィルム、シートまたは板の形状を有する、任意の天然または合成支持体を用いることができる。具体例として、例えば、ポリエチレンテレフタレート、樹脂下塗り型ポリエチレンテレフタレート、または静電気放電処理されたポリエチレンテレフタレート、セルロースアセテート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ガラス等が挙げられる。これらの基板には、予めトラッキング用の案内溝またはアドレス情報を設けてもよい。   As the substrate, any natural or synthetic support having the shape of a flexible or rigid film, sheet or plate can be used. Specific examples include polyethylene terephthalate, resin-undercoated polyethylene terephthalate, or polyethylene terephthalate that has been subjected to electrostatic discharge treatment, cellulose acetate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyester, polyvinyl alcohol, and glass. These substrates may be provided with tracking guide grooves or address information in advance.

記録層は、例えば、上記光硬化性樹脂組成物を、スピンコーター、ロールコーターまたはバーコーター等を用いて、基板上に直接塗布することによって形成することができる。塗布時に必要に応じて用いた溶媒は、乾燥時に蒸発除去することができる。蒸発除去手段として、加熱または減圧を用いてもよい。これにより、記録層をより良好に形成することができる。   The recording layer can be formed, for example, by directly applying the photocurable resin composition onto a substrate using a spin coater, a roll coater, a bar coater or the like. The solvent used as necessary at the time of application can be removed by evaporation at the time of drying. Heating or reduced pressure may be used as the evaporation removing means. Thereby, a recording layer can be formed more satisfactorily.

中間層を形成することによって、酸素遮断性を高めたり、層間クロストーク防止性能を向上させたりすることができる。中間層の例として、例えばポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテレフタレートまたはセロファンフィルムなどのプラスチック製のフィルムまたは板等が挙げられる。中間層は、静電的な密着、押出し機を利用した貼合せ等の方法により記録層と積層させて設けることができる。或いは、記録層を形成する光硬化性樹脂組成物を中間層に塗布してもよい。また、必要に応じて、保護層と記録層の間及び/または基材と記録層の間に、粘着剤層または液状物質層を設けて、気密性を高めてもよい。更に感光膜間の保護層(中間層)にもあらかじめ、トラッキング用の案内溝またはアドレス情報を設けてもよい。   By forming the intermediate layer, the oxygen barrier property can be improved, and the interlayer crosstalk prevention performance can be improved. Examples of the intermediate layer include polyolefin films such as polypropylene and polyethylene, plastic films or plates such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene terephthalate, and cellophane films. The intermediate layer can be provided by being laminated with the recording layer by a method such as electrostatic adhesion or lamination using an extruder. Or you may apply | coat the photocurable resin composition which forms a recording layer to an intermediate | middle layer. Further, if necessary, an air-tightness may be improved by providing an adhesive layer or a liquid material layer between the protective layer and the recording layer and / or between the substrate and the recording layer. Further, a guide groove for tracking or address information may be provided in advance in the protective layer (intermediate layer) between the photosensitive films.

光記録材料における記録の再生は、記録時よりも強度の弱いレーザー光を記録層に照射し、それらの発光及び/または反射強度の違いを検出器で検出することによって行われる。記録再生に用いられるレーザー光は、記録時において用いられるビームとは異なる波長であってもよく、または低出力である同波長の光であってもよい。   Recording reproduction on the optical recording material is performed by irradiating the recording layer with laser light having a lower intensity than that at the time of recording, and detecting the difference in light emission and / or reflection intensity with a detector. The laser beam used for recording / reproduction may have a wavelength different from that of the beam used during recording, or may be light having the same wavelength with low output.

なお、本発明に従って同様に形成される光記録材料の形態としては、既存の二次元光記録材料の形態に限定されるものではなく、例えばカード状、プレート状、テープ状、ドラム状等であってもよい。   The form of the optical recording material similarly formed according to the present invention is not limited to the form of the existing two-dimensional optical recording material, and may be, for example, a card shape, a plate shape, a tape shape, a drum shape, or the like. May be.

二光子吸収性材料を含有する顕微鏡用蛍光色素材料
本発明の二光子吸収性材料は、二光子励起レーザー走査顕微鏡用の顕微鏡用蛍光色素材料として好適に用いることができる。ここで二光子励起レーザー走査顕微鏡とは、近赤外パルスレーザーを標本面上に集光し走査させて、そこでの二光子吸収により励起されて発生する蛍光を検出することにより像を得る顕微鏡である。
Fluorescent dye material for microscopes containing a two-photon absorbing material The two-photon absorbing material of the present invention can be suitably used as a fluorescent dye material for a microscope for a two-photon excitation laser scanning microscope. Here, the two-photon excitation laser scanning microscope is a microscope that obtains an image by condensing and scanning a near-infrared pulse laser on the sample surface and detecting fluorescence generated by excitation by two-photon absorption there. is there.

二光子励起レーザー走査顕微鏡は、近赤外域波長のサブピコ秒の単色コヒーレント光パルスを発するレーザー光源と、レーザー光源からの光束を所望の大きさに変える光束変換光学系と、光束変換光学系で変換された光束を対物レンズの像面に集光し走査させる走査光学系と、集光された上記変換光束を標本面上に投影する対物レンズ系と、光検出器と、を備えている。   The two-photon excitation laser scanning microscope uses a laser light source that emits sub-picosecond monochromatic coherent light pulses in the near-infrared region, a light beam conversion optical system that converts the light beam from the laser light source to a desired size, and a light beam conversion optical system for conversion. A scanning optical system for condensing the scanned light beam on the image plane of the objective lens and scanning; an objective lens system for projecting the collected converted light beam on the sample surface; and a photodetector.

パルスレーザー光を、ダイクロイックミラーを経て、光束変換光学系、対物レンズ系により集光して、標本面で焦点を結ばせることにより、標本内にある顕微鏡用蛍光色素材料に二光子吸収により誘起された蛍光を生じさせる。標本面をレーザービームで走査し、各場所での蛍光強度を光検出器などの光検出装置で検出して、得られた位置情報に基づいて、コンピュータでプロットすることにより、三次元蛍光像が得られる。走査機構としては、例えば、ガルバノミラーなどの可動ミラーを用いてレーザービームを走査してもよく、或いはステージ上に置かれた二光子吸収性材料を含む標本を移動させてもよい。   The pulsed laser light is focused by the light beam conversion optical system and the objective lens system through the dichroic mirror and focused on the specimen surface, and is induced by two-photon absorption in the fluorescent dye material in the specimen. Give rise to fluorescence. The sample surface is scanned with a laser beam, and the fluorescence intensity at each location is detected by a light detection device such as a light detector. Based on the obtained positional information, a computer plots the three-dimensional fluorescence image. can get. As the scanning mechanism, for example, a laser beam may be scanned using a movable mirror such as a galvanometer mirror, or a specimen containing a two-photon absorbing material placed on a stage may be moved.

このような構成により、二光子吸収そのものの非線形効果を利用して、光軸方向の高分解能を得ることができる。加えて、共焦点ピンホール板を用いることによって、さらなる高分解能(面内、光軸方向共)を得ることができる。   With such a configuration, it is possible to obtain high resolution in the optical axis direction by utilizing the nonlinear effect of two-photon absorption itself. In addition, by using a confocal pinhole plate, higher resolution (both in-plane and in the optical axis direction) can be obtained.

本発明の二光子吸収性材料は、二光子励起レーザー走査顕微鏡用の顕微鏡用蛍光色素材料として好適に用いることができる。本発明の二光子吸収性材料は、従来の顕微鏡用蛍光色素材料と比較して、より大きな二光子吸収断面積を有しているため、低濃度であっても高い二光子吸収特性を発揮させることができる。従って、本発明によれば、高感度である顕微鏡用蛍光色素材料を得ることができる。更に、材料に照射する光の強度を強くする必要がなくなり、材料の劣化、破壊を抑制することができ、材料中の他成分の特性に対する悪影響も低下させることができる。   The two-photon absorbing material of the present invention can be suitably used as a fluorescent dye material for a microscope for a two-photon excitation laser scanning microscope. The two-photon absorbing material of the present invention has a larger two-photon absorption cross-sectional area than conventional fluorescent dye materials for microscopes, so that it exhibits high two-photon absorption characteristics even at low concentrations. be able to. Therefore, according to the present invention, a highly sensitive fluorescent dye material for a microscope can be obtained. Furthermore, it is not necessary to increase the intensity of light applied to the material, so that deterioration and destruction of the material can be suppressed, and adverse effects on the characteristics of other components in the material can be reduced.

二光子吸収性材料を含有する光制限材料
光通信・光情報処理の分野において、情報等の信号を光で搬送するためには、変調、スイッチング等の光制御が必要になる。この種の光制御には、電気信号を用いた電気−光制御方法が従来から用いられている。しかしながらこの電気−光制御方法は、電気回路のようなCR時定数による帯域制限され、または素子自体の応答速度または電気信号と光信号との間の速度の不釣り合いにより処理速度が制限されるなどの制約がある。そのため、光の利点である広帯域性または高速性を十分に生かすためには、光信号によって光制御を行う光−光制御技術が非常に重要になってくる。
Light-limiting material containing a two-photon absorbing material In the fields of optical communication and optical information processing, optical control such as modulation and switching is required to carry signals such as information with light. For this type of light control, an electro-light control method using an electric signal has been conventionally used. However, in this electro-optical control method, the bandwidth is limited by the CR time constant as in an electric circuit, or the processing speed is limited by the response speed of the element itself or the mismatch of the speed between the electric signal and the optical signal. There are restrictions. Therefore, in order to make full use of the broadband property or high-speed property that is the advantage of light, a light-light control technique that performs light control with an optical signal becomes very important.

本発明の二光子吸収性材料は、光制限材料として用いることができる。本発明の二光子吸収性材料を含有する光制限材料は、光を照射することによって、透過率、屈折率、吸収係数などの光学的性質を変化させることができる。これにより、電子回路技術を用いることなく、光の強度または周波数を変調することが可能となる。このような光制限材料は、光通信、光交換、光コンピュータ、光インターコネクション等における光スイッチなどに応用することが可能である。このような光制限材料として、上述の二光子吸収性材料をそのまま用いてもよく、また上述の光硬化性樹脂組成物を用いてもよい。   The two-photon absorbing material of the present invention can be used as a light limiting material. The light-limiting material containing the two-photon absorbing material of the present invention can change optical properties such as transmittance, refractive index, and absorption coefficient by irradiating light. This makes it possible to modulate the intensity or frequency of light without using electronic circuit technology. Such an optical limiting material can be applied to an optical switch in optical communication, optical exchange, optical computer, optical interconnection, and the like. As such a light limiting material, the above-mentioned two-photon absorbing material may be used as it is, or the above-mentioned photocurable resin composition may be used.

本発明における光制限材料は、通常の半導体材料により形成される光制限素子や、一光子励起による光制限素子と比べて、優れた応答速度を有しているという利点がある。本発明における光制限材料は更に、感度が高いために、S/N比の高い信号特性に優れた光制限素子を提供することができる。   The light limiting material in the present invention has an advantage that it has an excellent response speed as compared with a light limiting element formed of a normal semiconductor material or a light limiting element based on one-photon excitation. Furthermore, since the light limiting material in the present invention has high sensitivity, it is possible to provide a light limiting element excellent in signal characteristics with a high S / N ratio.

次に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、勿論本発明はこれら具体例のみに限定されるものではない。実施例中、「部」及び「%」は、ことわりのない限り、質量基準による。   EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. In the examples, “parts” and “%” are based on mass unless otherwise specified.

ベンジリデンアニリンの合成は、既報L.A.Bigelow,H.Eatough,Org.Synth.,I,80(1941)に従い、当業者において通常用いられる手順により合成した。
ビススチリルジフェニルスルホンの合成は、既報H−.D.Becker,J.Org.Chem.,29,2891(1964)に従い、当業者において通常用いられる手順により合成した。
The synthesis of benzylidene aniline is described in the published L.L. A. Bigelow, H .; Eatour, Org. Synth. , I, 80 (1941), and was synthesized by procedures commonly used by those skilled in the art.
The synthesis of bisstyryl diphenyl sulfone has been reported in the published H-. D. Becker, J. et al. Org. Chem. , 29, 2891 (1964) according to procedures usually used by those skilled in the art.

ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体の製造
(製造例1)化合物例A1の製造
ベンズアルデヒド53g(0.5mol)、アニリン46.5g(0.5mol)を混合、15分反応させ、ベンジリデンアニリンを47.9g(52.8%)得た。
Production of homodisubstituted diphenylsulfone derivative (Production Example 1) Production of Compound Example A1 53 g (0.5 mol) of benzaldehyde and 46.5 g (0.5 mol) of aniline were mixed and reacted for 15 minutes to give 47.9 g of benzylideneaniline ( 52.8%).

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン10.0g(40.6mmol)(東京化成社製)、ベンジリデンアニリン14.72g(81.2mmol)をジメチルホルムアミド200ml中、カリウムt−ブトキシド4.87g(89.32mmol)存在下3時間反応させ、4,4'−ビススチリルジフェニルスルホン粗精製物を15.8g(83.2%)得た。   Under nitrogen atmosphere, 10.0 g (40.6 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 14.72 g (81.2 mmol) of benzylidene aniline in 200 ml of dimethylformamide, 4.87 g (89.32 mmol) of potassium t-butoxide. ) In the presence for 3 hours to obtain 15.8 g (83.2%) of 4,4′-bisstyryldiphenylsulfone crude product.

得られた4,4'−ビススチリルジフェニルスルホン粗精製物1.0gを展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲル薄層クロマトグラフィーにて精製し、下記式で示される4,4'−ビススチリルジフェニルスルホン0.1gを得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:79.27%(79.59%)、H:5.39%(5.25%)
1.0 g of the resulting 4,4′-bisstyryldiphenylsulfone crude purified product was purified by silica gel thin layer chromatography using chloroform as a developing solvent, and 4,4′-bisstyryldiphenylsulfone represented by the following formula: 0.1 g was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 79.27% (79.59%), H: 5.39% (5.25%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例2)化合物例A2の製造
4−t−ブチルベンズアルデヒド10.0g(61.6mmol)、アニリン6.03g(64.7mmol)を混合、3時間加熱還流させ、4−t−ブチルベンジリデンアニリンを13.6g(92.8%)得た。
(Production Example 2) Production of Compound Example A2 4-t-butylbenzaldehyde 10.0 g (61.6 mmol) and aniline 6.03 g (64.7 mmol) were mixed and heated to reflux for 3 hours to give 4-t-butylbenzylideneaniline. Of 13.6 g (92.8%).

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−t−ブチルベンジリデンアニリン4.06g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(17.05mmol)存在下室温にて3時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し、塩酸を加えてpH<4に調整し析出物をろ取、洗浄、乾燥し黄色粉末を3.41g得た。得られた黄色粉末を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付して4,4'−ビス(4−t−ブチルスチリル)ジフェニルスルホン粗精製物1.9g(43.8%)を得た。   Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.06 g (17.05 mmol) of 4-t-butylbenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide, 1. The mixture was stirred at room temperature for 3 hours in the presence of 82 g (17.05 mmol). The reaction solution was added dropwise to 300 ml of ice water, hydrochloric acid was added to adjust to pH <4, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 3.41 g of a yellow powder. The obtained yellow powder was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent, and 1.9 g (43.8%) of 4,4′-bis (4-t-butylstyryl) diphenylsulfone crude purified product was obtained. Obtained.

得られた粗精製物0.1gをクロロホルム4mlに溶解し、孔径0.50μmの疎水性PTFEにてろ過後、メタノール2mlを加え析出物をろ取し、下記式で示される4,4'−ビス(4−t−ブチルスチリル)ジフェニルスルホン0.067gを得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:80.21%(80.86%)、H:7.32%(7.16%)
0.1 g of the obtained crude product was dissolved in 4 ml of chloroform, filtered through hydrophobic PTFE having a pore size of 0.50 μm, 2 ml of methanol was added, and the precipitate was collected by filtration, and 4,4′- 0.067 g of bis (4-t-butylstyryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 80.21% (80.86%), H: 7.32% (7.16%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例3)化合物例A3の製造
4−メトキシベンズアルデヒド10.0g(73.4mmol)、アニリン7.18g(77.1mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−メトキシベンジリデンアニリンを12.1g(77.9%)得た。
(Production Example 3) Production of Compound Example A3 10.0 g (73.4 mmol) of 4-methoxybenzaldehyde and 7.18 g (77.1 mmol) of aniline were mixed in 100 ml of methanol and heated under reflux for 3 hours to give 4-methoxybenzylideneaniline. 12.1 g (77.9%) was obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン1.0g(4.06mmol)(東京化成社製)、4−メトキシベンジリデンアニリン1.72g(8.12mmol)をジメチルホルムアミド20ml中、カリウムt−ブトキシド0.91g(8.12mmol)存在下室温で2時間反応させた。反応溶液を氷水300mlに滴下した後、塩酸を加えpH<4に調製、0.5h撹拌した。析出物をろ取、洗浄、乾燥後、テトラヒドロフラン50mlで洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(4−メトキシスチリル)ジフェニルスルホンを1.58g(80.6%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:74.57%(74.66%)、H:5.56%(5.43%)
Under a nitrogen atmosphere, 1.0 g (4.06 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 1.72 g (8.12 mmol) of 4-methoxybenzylideneaniline in 0.9 ml of potassium t-butoxide in 20 ml of dimethylformamide ( (8.12 mmol) in the presence of 2 hours at room temperature. The reaction solution was added dropwise to 300 ml of ice water, hydrochloric acid was added to adjust to pH <4, and the mixture was stirred for 0.5 h. The precipitate was collected by filtration, washed and dried, then washed with 50 ml of tetrahydrofuran and dried to obtain 1.58 g (80.6%) of 4,4′-bis (4-methoxystyryl) diphenylsulfone represented by the following formula. . Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 74.57% (74.66%), H: 5.56% (5.43%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例4)化合物例A5の製造
4−ブトキシベンズアルデヒド10.0g(56.1mmol)、アニリン5.49g(58.9mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−ブトキシベンジリデンアニリンを12.2g(85.9%)得た。
(Production Example 4) Production of Compound Example A5 4-Butoxybenzaldehyde 10.0 g (56.1 mmol) and aniline 5.49 g (58.9 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated under reflux for 3 hours to give 4-butoxybenzylideneaniline. 12.2 g (85.9%) were obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−ブトキシベンジリデンアニリン4.33g(8.53mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下室温で1.5時間反応させた。反応溶液を氷水300mlに滴下した後、塩酸を加えpH<4に調製、0.5h撹拌した。析出物をろ取、洗浄、乾燥後、クロロホルム50mlに溶解、メタノール20mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(4−ブトキシスチリル)ジフェニルスルホンを2.21g(48.0%)得た。元素分析値は以下の通りである。   Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.33 g (8.53 mmol) of 4-butoxybenzylideneaniline in 1.8 ml of potassium t-butoxide in 60 ml of dimethylformamide ( The reaction was allowed to proceed for 1.5 hours at room temperature in the presence of 16.24 mmol). The reaction solution was added dropwise to 300 ml of ice water, hydrochloric acid was added to adjust to pH <4, and the mixture was stirred for 0.5 h. The precipitate was collected by filtration, washed and dried, dissolved in 50 ml of chloroform, and 20 ml of methanol was added. The precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (4-butoxystyryl) diphenyl represented by the following formula: 2.21 g (48.0%) of sulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:76.42%(76.29%)、H:7.04%(6.76%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 76.42% (76.29%), H: 7.04% (6.76%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例5)化合物例A6の製造 (Production Example 5) Production of Compound Example A6

4−オクチルオキシベンズアルデヒド10.0g(42.7mmol)、アニリン4.17g(44.84mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−オクチルオキシベンジリデンアニリンを12.0g(90.9%)得た。   4-octyloxybenzaldehyde (10.0 g, 42.7 mmol) and aniline (4.17 g, 44.84 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours to give 4-octyloxybenzylideneaniline (12.0 g, 90.9%). )Obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−オクチルオキシベンジリデンアニリン5.29g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1.5時間反応させた。ジメチルホルムアミド20mlを加えた後、氷水400mlに滴下、塩酸を加えpH<4に調製し0.5時間撹拌した。析出物をろ取、洗浄、乾燥後、再度クロロホルム150mlに溶解、メタノール150mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(4−オクチルオキシスチリル)ジフェニルスルホンを4.04g(73.3%)得た。   Under nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 5.29 g (17.05 mmol) of 4-octyloxybenzylideneaniline in 1.8 ml of potassium tert-butoxide in 60 ml of dimethylformamide. The reaction was carried out at room temperature for 1.5 hours in the presence of (16.24 mmol). After adding 20 ml of dimethylformamide, the mixture was added dropwise to 400 ml of ice water, hydrochloric acid was added to adjust to pH <4, and the mixture was stirred for 0.5 hour. The precipitate was collected by filtration, washed and dried, then dissolved in 150 ml of chloroform again, 150 ml of methanol was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (4-octyloxystyryl represented by the following formula: ) 4.04 g (73.3%) of diphenylsulfone was obtained.

元素分析値(計算値);C:78.20%(77.84%)、H:8.34%(8.02%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 78.20% (77.84%), H: 8.34% (8.02%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例6)化合物例A8の製造例
4−ジエチルアミノベンズアルデヒド10.0g(56.4mmol)、アニリン5.78g(62.04mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−ジエチルアミノベンジリデンアニリンを9.6g(67.7%)得た。
Production Example 6 Production Example of Compound Example A8 4-Diethylaminobenzaldehyde 10.0 g (56.4 mmol) and aniline 5.78 g (62.04 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours to give 4-diethylaminobenzylideneaniline. Of 9.6 g (67.7%).

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−ジエチルアミノベンジリデンアニリン4.32g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて2.0時間、60℃にて1.0時間反応させた。反応溶液を氷水300mlに滴下、塩酸を加えpH<4に調整し、析出物をろ取、洗浄、乾燥し黄色粉末を得た。得られた黄色粉末を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、メタノール30mlで洗浄、乾燥し4,4'−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ジフェニルスルホン粗精製物を1.31g(28.5%)得た。   Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.32 g (17.05 mmol) of 4-diethylaminobenzylideneaniline in 1.8 ml of potassium tert-butoxide in 60 ml of dimethylformamide ( In the presence of 16.24 mmol), the reaction was carried out at room temperature for 2.0 hours and at 60 ° C. for 1.0 hour. The reaction solution was added dropwise to 300 ml of ice water, hydrochloric acid was added to adjust the pH to <4, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain a yellow powder. The obtained yellow powder was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with 30 ml of methanol and dried to obtain 1.31 g (28.5%) of a crude purified product of 4,4′-bis (4-diethylaminostyryl) diphenylsulfone.

得られた粗精製物0.1gをクロロホルム4mlに溶解し、孔径0.50μmの疎水性PTFEにてろ過後、メタノール3mlを加え析出物をろ取し、下記式で示される4,4'−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ジフェニルスルホン0.088gを黄色粉末として得た。元素分析値は以下の通りである。   0.1 g of the crude product thus obtained was dissolved in 4 ml of chloroform, filtered through hydrophobic PTFE having a pore size of 0.50 μm, 3 ml of methanol was added, and the precipitate was collected by filtration, and 4,4′- 0.088 g of bis (4-diethylaminostyryl) diphenylsulfone was obtained as a yellow powder. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:75.60%(76.56%)、H:7.25%(7.14%)、N;4.92%(4.96%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 75.60% (76.56%), H: 7.25% (7.14%), N; 4.92% (4.96%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例7)化合物例A11の製造
4−メチルチオベンズアルデヒド10.0g(65.7mmol)、アニリン6.42g(68.99mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−メチルチオベンジリデンアニリンを12.7g(85.1%)得た。
(Production Example 7) Production of Compound Example A11 10.0 g (65.7 mmol) of 4-methylthiobenzaldehyde and 6.42 g (69.99 mmol) of aniline were mixed in 100 ml of methanol and heated under reflux for 3 hours to give 4-methylthiobenzylideneaniline. 12.7 g (85.1%) was obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−メチルチオベンジリデンアニリン3.89g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1.5時間反応させた。反応溶液を氷水300ml中に滴下し、塩酸を加えpH<4に調整後、析出物をろ過、洗浄、乾燥し淡黄色粉末を2.7g得た。ジメチルホルムアミド30ml、クロロホルム30mlで洗浄し、下記式で示される4,4'−ビス(4−メチルチオスチリル)ジフェニルスルホンを2.01g(48.1%)得た。
元素分析値(計算値);C:69.86%(70.00%)、H:4.89%(5.09%)
In a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 3.89 g (17.05 mmol) of 4-methylthiobenzylideneaniline in 1.8 ml of potassium t-butoxide in 60 ml of dimethylformamide ( In the presence of 16.24 mmol), the reaction was allowed to proceed at room temperature for 1.5 hours. The reaction solution was added dropwise to 300 ml of ice water and hydrochloric acid was added to adjust to pH <4. Then, the precipitate was filtered, washed and dried to obtain 2.7 g of a pale yellow powder. Washing with 30 ml of dimethylformamide and 30 ml of chloroform gave 2.01 g (48.1%) of 4,4′-bis (4-methylthiostyryl) diphenylsulfone represented by the following formula.
Elemental analysis value (calculated value); C: 69.86% (70.00%), H: 4.89% (5.09%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例8)化合物例A15の製造
4−フェニルベンズアルデヒド10.0g(54.9mmol)、アニリン5.36g(57.65mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−フェニルベンジリデンアニリンを14.0g(99.0%)得た。
(Production Example 8) Production of Compound Example A15 4-phenylbenzaldehyde 10.0 g (54.9 mmol) and aniline 5.36 g (57.65 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated under reflux for 3 hours to give 4-phenylbenzylideneaniline. 14.0 g (99.0%) were obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−フェニルベンジリデンアニリン4.39g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド80ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(32.48mmol)存在下、室温にて1.5時間反応させた。ジメチルホルムアミド50mlを加えた後、氷水500ml中に滴下、塩酸にてpH<4に調整したのち、ろ取、洗浄、乾燥し、白色固体を4.2g得た。   Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.39 g (17.05 mmol) of 4-phenylbenzylideneaniline in 1.8 ml of dimethylformamide 1.82 g of potassium t-butoxide ( The reaction was allowed to proceed for 1.5 hours at room temperature in the presence of 32.48 mmol). After adding 50 ml of dimethylformamide, the solution was added dropwise to 500 ml of ice water, adjusted to pH <4 with hydrochloric acid, filtered, washed and dried to obtain 4.2 g of a white solid.

得られた白色固体3.0gを、抽出溶媒をテトラヒドロフランにて55時間ソックスレー洗浄精製し、下記式で示される4,4'−ビス(4−フェニルスチリル)ジフェニルスルホンを2.6g(77.9%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:83.54%(83.59%)、H:5.27%(5.26%)
3.0 g of the obtained white solid was purified by Soxhlet washing with tetrahydrofuran as an extraction solvent for 55 hours, and 2.6 g (77.9) of 4,4′-bis (4-phenylstyryl) diphenylsulfone represented by the following formula: %)Obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 83.54% (83.59%), H: 5.27% (5.26%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例9)化合物D7の製造
4−ジメチルアミノシンナムアルデヒド10.0g(57.1mmol)、アニリン5.58g(59.96mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−ジメチルアミノシンナミリデンアニリンを11.1g(77.7%)得た。
(Production Example 9) Production of Compound D7 4-dimethylaminocinnamaldehyde 10.0 g (57.1 mmol) and aniline 5.58 g (59.96 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours. Obtained 11.1 g (77.7%) of myridenaniline.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−ジメチルアミノシンナミリデンアニリン4.28g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1.0時間反応させた。ジメチルホルムアミド40mlを加えた後、氷水500mlにあけ、塩酸を加えて、pH<4に調整後、析出物をろ取、洗浄、乾燥し2.0gの黄土色粉末を得た。得られた黄土色粉末を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。溶媒を留去後、20%メタノールのクロロホルム溶液40mlに分散、不溶物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(4−ジメチルアミノシンナミル)ジフェニルスルホンを0.040g(0.88%)得た。元素分析値は以下の通りである。   In a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.28 g (17.05 mmol) of 4-dimethylaminocinnamylidaniline were added to 60 ml of dimethylformamide in potassium t-butoxide 1. The reaction was allowed to proceed at room temperature for 1.0 hour in the presence of .82 g (16.24 mmol). After adding 40 ml of dimethylformamide, the mixture was poured into 500 ml of ice water and adjusted to pH <4 by adding hydrochloric acid, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 2.0 g of an ocher powder. The obtained ocherous powder was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. After the solvent was distilled off, the residue was dispersed in 40 ml of 20% methanol in chloroform, the insoluble matter was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (4-dimethylaminocinnamyl) diphenylsulfone represented by the following formula was changed to 0. 0.040 g (0.88%) was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:76.27%(77.11%)、H:6.69%(6.47%)、N;4.98%(5.00%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 76.27% (77.11%), H: 6.69% (6.47%), N; 4.98% (5.00%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例10)化合物例A22の製造
4−フルオロベンズアルデヒド10.0g(80.6mmol)、アニリン7.88g(84.63mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、4−フルオロベンジリデンアニリンを9.3g(57.9%)得た。
(Production Example 10) Production of Compound Example A22 4-fluorobenzaldehyde 10.0 g (80.6 mmol) and aniline 7.88 g (84.63 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours to give 4-fluorobenzylideneaniline. Obtained 9.3 g (57.9%).

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−フルオロベンジリデンアニリン3.41g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1.0時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し4.1gの黄色粉末を得た。得られた黄色粉末を展開溶媒としてクロロホルム・ヘキサン混合溶媒を用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、クロロホルム10mlに溶解、20mlのメタノールを加え析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(4−フルオロスチリル)ジフェニルスルホンを0.40g(10.8%)得た。元素分析値は以下の通りである。   Under nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 3.41 g (17.05 mmol) of 4-fluorobenzylideneaniline in 1.8 ml of potassium t-butoxide in 60 ml of dimethylformamide ( In the presence of 16.24 mmol), the mixture was stirred at room temperature for 1.0 hour. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 4.1 g of a yellow powder. The obtained yellow powder was subjected to silica gel column chromatography using a chloroform / hexane mixed solvent as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 10 ml of chloroform, 20 ml of methanol was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (4-fluorostyryl) represented by the following formula. 0.40 g (10.8%) of diphenyl sulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:73.10%(73.43%)、H:4.13%(4.40%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 73.10% (73.43%), H: 4.13% (4.40%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例11)化合物A23の製造
2−トリフルオロメチルベンズアルデヒド10.0g(57.4mmol)、アニリン6.03g(60.27mmol)をメタノール100ml中混合、3時間加熱還流させ、2−トリフルオロメチルベンジリデンアニリンを12.3g(86.0%)得た。
(Production Example 11) Production of Compound A23 2-trifluoromethylbenzaldehyde 10.0 g (57.4 mmol) and aniline 6.03 g (60.27 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours to give 2-trifluoromethyl. 12.3 g (86.0%) of benzylidene aniline was obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、2−トリフルオロメチルベンジリデンアニリン4.26g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1.0時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、クロロホルム5mlに溶解、10mlのメタノールを加え析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(2−トリフルオロメチルスチリル)ジフェニルスルホンを0.95g(20.9%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:64.8%(64.51%)、H:3.50%(3.61%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.26 g (17.05 mmol) of 2-trifluoromethylbenzylideneaniline in potassium tert-butoxide 1.60 g in 60 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at room temperature for 1.0 hour in the presence of 82 g (16.24 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, dissolved in 5 ml of chloroform, 10 ml of methanol was added, the precipitate was filtered, washed and dried, and 4,4′-bis (2-trifluoromethyl) represented by the following formula: 0.95 g (20.9%) of styryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 64.8% (64.51%), H: 3.50% (3.61%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例12)化合物例A16の製造
2,4−ジメトキシベンズアルデヒド10.0g(60.2mmol)、アニリン5.89g(63.21mmol)をメタノール80ml中混合、3時間加熱還流させ、2,4−ジメトキシベンジリデンアニリンを13.4g(92.2%)得た。
Production Example 12 Production of Compound Example A16 2,4-dimethoxybenzaldehyde 10.0 g (60.2 mmol) and aniline 5.89 g (63.21 mmol) were mixed in 80 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours. 13.4 g (92.2%) of dimethoxybenzylideneaniline was obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、2,4−ジメトキシベンジリデンアニリン4.12g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて2.0時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体4.4gを展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、ジメチルホルムアミド5mlに溶解、100mlの水にあけ析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ジフェニルスルホンを1.30g(29.5%)得た。元素分析値は以下の通りである。   Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.12 g (17.05 mmol) of 2,4-dimethoxybenzylideneaniline in potassium tert-butoxide 1.60 g in 60 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at room temperature for 2.0 hours in the presence of 82 g (16.24 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. 4.4 g of the obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 5 ml of dimethylformamide, poured into 100 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (2,4- 1.30 g (29.5%) of dimethoxystyryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:70.96%(70.83%)、H:5.72%(5.57%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 70.96% (70.83%), H: 5.72% (5.57%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例13)化合物例A17の製造
3,4,5−トリメトキシベンズアルデヒド10.0g(51.0mmol)、アニリン4.98g(53.55mmol)をメタノール70ml中混合、3時間加熱還流させ、3,4,5−トリメトキシベンジリデンアニリンを11.9g(86.2%)得た。
Production Example 13 Production of Compound Example A17 3,4,5-Trimethoxybenzaldehyde 10.0 g (51.0 mmol) and aniline 4.98 g (53.55 mmol) were mixed in 70 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours. , 4,5-Trimethoxybenzylideneaniline was obtained 11.9 g (86.2%).

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、3,4,5−トリメトキシベンジリデンアニリン4.64g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1.5時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体4.9gを展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、ジメチルホルムアミド5mlに溶解、100mlの水にあけ析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(3,4,5−トリメトキシスチリル)ジフェニルスルホンを0.78g(16.0%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:67.47%(67.76%)、H:5.94%(5.69%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.64 g (17.05 mmol) of 3,4,5-trimethoxybenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide in potassium t- The mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours in the presence of 1.82 g (16.24 mmol) of butoxide. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. The obtained solid (4.9 g) was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off, then dissolved in 5 ml of dimethylformamide, poured into 100 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (3,4,4) represented by the following formula: 0.78 g (16.0%) of 5-trimethoxystyryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 67.47% (67.76%), H: 5.94% (5.69%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例14)化合物例A18の製造
2,3,4−トリメトキシベンズアルデヒド10.0g(51.0mmol)、アニリン4.98g(53.55mmol)をメタノール60ml中混合、3時間加熱還流させ、2,3,4−トリメトキシベンジリデンアニリンを8.63g(62.3%)得た。
(Production Example 14) Production of Compound Example A18 2,3,4-trimethoxybenzaldehyde 10.0 g (51.0 mmol) and aniline 4.98 g (53.55 mmol) were mixed in 60 ml of methanol and heated under reflux for 3 hours. Thus, 8.63 g (62.3%) of 3,4-trimethoxybenzylideneaniline was obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、2,3,4−トリメトキシベンジリデンアニリン4.64g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体4.9gを展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、クロロホルム10mlに溶解、30mlのメタノールを加え析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(2,3,4−トリメトキシスチリル)ジフェニルスルホンを1.70g(34.8%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:67.68%(67.76%)、H:5.70%(5.69%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.64 g (17.05 mmol) of 2,3,4-trimethoxybenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide in potassium t- The mixture was stirred at room temperature for 1 hour in the presence of 1.82 g (16.24 mmol) of butoxide. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. The obtained solid (4.9 g) was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 10 ml of chloroform, 30 ml of methanol was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (2,3,4) represented by the following formula: 1.70 g (34.8%) of -trimethoxystyryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 67.68% (67.76%), H: 5.70% (5.69%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例15)化合物例A19の製造
2,5−ジメトキシベンズアルデヒド10.0g(60.2mmol)、アニリン4.98g(63.21mmol)、硫酸マグネシウム1.0gを混合、室温にて3時間撹拌した。反応液をクロロホルム30mlにあけ、ろ過により硫酸マグネシウムを除去、水で有機層を洗浄、硫酸マグネシウムにて脱水後、溶媒留去、次いで乾燥し、2,5−ジメトキシベンジリデンアニリンを13.0g(89.7%)得た。
(Production Example 15) Production of Compound Example A19 2,5-dimethoxybenzaldehyde 10.0 g (60.2 mmol), aniline 4.98 g (63.21 mmol), and magnesium sulfate 1.0 g were mixed and stirred at room temperature for 3 hours. . The reaction solution was poured into 30 ml of chloroform, and magnesium sulfate was removed by filtration. The organic layer was washed with water, dehydrated with magnesium sulfate, evaporated to dryness, and then dried to obtain 13.0 g (89% of 2,5-dimethoxybenzylideneaniline). 0.7%).

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、2,5−ジメトキシベンジリデンアニリン4.12g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体5.0gを展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、ジメチルホルムアミド5mlに溶解、50mlの水に滴下し析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(2,5−ジメトキシスチリル)ジフェニルスルホンを0.3g(6.8%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:71.07%(70.83%)、H:5.49%(5.57%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.12 g (17.05 mmol) of 2,5-dimethoxybenzylideneaniline in potassium tert-butoxide 1.60 g in 60 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at room temperature for 1 hour in the presence of 82 g (16.24 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. The obtained solid (5.0 g) was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 5 ml of dimethylformamide and added dropwise to 50 ml of water. The precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (2,5 0.3 g (6.8%) of -dimethoxystyryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 71.07% (70.83%), H: 5.49% (5.57%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例16)化合物例A25の製造
2−ナフトアルデヒド10.0g(64.0mmol)、アニリン6.26g(67.20mmol)をメタノール100ml中混合し、3時間加熱還流した。反応溶液に水50mlを滴下し、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、2−ナフトエテニルアニリンを13.5g(91.2%)得た。
Production Example 16 Production of Compound Example A25 2-naphthaldehyde 10.0 g (64.0 mmol) and aniline 6.26 g (67.20 mmol) were mixed in 100 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours. 50 ml of water was added dropwise to the reaction solution, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 13.5 g (91.2%) of 2-naphthethenylaniline.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、2−ナフトエテニルアニリン3.96g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体4.6gを60mlのジメチルホルムアミドから2回再結晶し、下記式で示される4,4'−ビス(2−ナフトエテニル)ジフェニルスルホンを0.82g(19.3%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:82.72%(82.73%)、H:4.77%(5.01%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 3.96 g (17.05 mmol) of 2-naphthethenylaniline in 1.8 ml of potassium t-butoxide in 60 ml of dimethylformamide ( In the presence of 16.24 mmol), the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. 4.6 g of the obtained solid was recrystallized twice from 60 ml of dimethylformamide to obtain 0.82 g (19.3%) of 4,4′-bis (2-naphthethenyl) diphenylsulfone represented by the following formula. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 82.72% (82.73%), H: 4.77% (5.01%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例17)化合物例A20の製造
3,4−ジエトキシベンズアルデヒド10.0g(51.5mmol)、アニリン5.04g(54.08mmol)、硫酸マグネシウム2.0gを混合、室温にて4時間撹拌した。反応液をクロロホルム30mlにあけ、ろ過により硫酸マグネシウムを除去、水で有機層を洗浄、硫酸マグネシウムにて脱水後、溶媒留去、乾燥したのち、10%メタノール水溶液100mlに投入、5時間撹拌後、ろ過、洗浄、乾燥し3,4−ジエトキシベンジリデンアニリンを9.35g(67.4%)得た。
(Production Example 17) Production of Compound Example A20 3,4-diethoxybenzaldehyde 10.0 g (51.5 mmol), aniline 5.04 g (54.08 mmol), and magnesium sulfate 2.0 g were mixed and stirred at room temperature for 4 hours. did. The reaction solution was poured into 30 ml of chloroform, the magnesium sulfate was removed by filtration, the organic layer was washed with water, dehydrated with magnesium sulfate, the solvent was distilled off and dried, then poured into 100 ml of 10% aqueous methanol solution, stirred for 5 hours, Filtration, washing and drying yielded 9.35 g (67.4%) of 3,4-diethoxybenzylideneaniline.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、3,4−ジエトキシベンジリデンアニリン4.82g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体4.9gを展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、クロロホルム10mlに溶解、20mlのメタノールを加えたのち析出物をろ取、洗浄、乾燥し,下記式で示される4,4'−ビス(3,4−ジエトキシスチリル)ジフェニルスルホンを1.25g(25.7%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:70.72%(72.21%)、H:6.46%(6.40%)
Under nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.82 g (17.05 mmol) of 3,4-diethoxybenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide 1 The mixture was stirred at room temperature for 1 hour in the presence of .82 g (16.24 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. The obtained solid (4.9 g) was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 10 ml of chloroform, 20 ml of methanol was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4,4′-bis (3,4) represented by the following formula: 1.25 g (25.7%) of -diethoxystyryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 70.72% (72.21%), H: 6.46% (6.40%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例18)化合物例A7の製造
4−ジメチルアミノベンズアルデヒド14.9g(100mmol)、アニリン9.31g(105mmol)をメタノール70ml中混合し、3時間加熱還流した。反応溶液にメタノール30ml、水30mlを加え撹拌後、析出物をろ取、洗浄、乾燥し黄色固体を得た。更に、100mlの熱メタノールに溶解しろ過後、析出した結晶をろ取し、4−ジメチルアミノベンジリデンアニリンを12.2g(54.5%)得た。
(Production Example 18) Production of Compound Example A7 4-Dimethylaminobenzaldehyde (14.9 g, 100 mmol) and aniline (9.31 g, 105 mmol) were mixed in 70 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours. 30 ml of methanol and 30 ml of water were added to the reaction solution and stirred, and then the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain a yellow solid. Furthermore, after dissolving in 100 ml of hot methanol and filtering, the precipitated crystals were collected by filtration to obtain 12.2 g (54.5%) of 4-dimethylaminobenzylideneaniline.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−ジメチルアミノベンジリデンアニリン3.84g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、クロロホルムで洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(4−ジメチルアミノスチリル)ジフェニルスルホンを0.15g(3.6%)得た。元素分析値は以下の通りである。   Under nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 3.84 g (17.05 mmol) of 4-dimethylaminobenzylideneaniline in 1.8 ml of potassium tert-butoxide in 60 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at room temperature for 1 hour in the presence of (16.24 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed with chloroform and dried to obtain 0.15 g (3.6%) of 4,4′-bis (4-dimethylaminostyryl) diphenylsulfone represented by the following formula. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:74.29%(75.56%)、H:6.15%(6.34%)、N:4.80%(5.51%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 74.29% (75.56%), H: 6.15% (6.34%), N: 4.80% (5.51%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例19)化合物例A9の製造
4−ジブチルアミノベンズアルデヒド5.0g(21.4mmol)、アニリン2.09g(22.47mmol)をメタノール30ml中混合し、3時間加熱還流した。メタノールを減圧留去後、クロロホルム30mlを加え、水で有機層を洗浄、硫酸マグネシウムにて脱水後、溶媒留去し褐色液体を得た。1H NMRの積分値から目的物の純度は約60%であったため、得られた褐色液体に更にアニリンと硫酸マグネシウムを加え反応し、4−ジブチルアミノベンジリデンアニリンを純度約90%で12.2g(54.5%)得た。
(Production Example 19) Production of Compound Example A9 4-Dibutylaminobenzaldehyde 5.0 g (21.4 mmol) and aniline 2.09 g (22.47 mmol) were mixed in 30 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours. Methanol was distilled off under reduced pressure, 30 ml of chloroform was added, the organic layer was washed with water, dehydrated with magnesium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain a brown liquid. Since the purity of the target product was about 60% from the integrated value of 1H NMR, aniline and magnesium sulfate were further added to the obtained brown liquid and reacted to give 12.2 g of 4-dibutylaminobenzylideneaniline at a purity of about 90% ( 54.5%).

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン1.5g(6.09mmol)(東京化成社製)、4−ジブチルアミノベンジリデンアニリン4.40g(12.79mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.37g(12.18mmol)存在下、室温にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をクロロホルム150mlにて抽出、水300mlで洗浄後、硫酸マグネシウムで脱水、溶媒留去し3.6gの茶色液体を得た。得られた液体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、熱エタノールから再結晶を行い、下記式で示される4,4'−ビス(4−ジブチルアミノスチリル)ジフェニルスルホンを0.40g(9.7%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:78.08%(78.06%)、H:8.79%(8.34%)、N:3.89%(4.14%)
Under nitrogen atmosphere, 1.5 g (6.09 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.40 g (12.79 mmol) of 4-dibutylaminobenzylideneaniline in 1.60 g of potassium tert-butoxide in 60 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at room temperature for 1 hour in the presence of (12.18 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was extracted with 150 ml of chloroform, washed with 300 ml of water, dehydrated with magnesium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain 3.6 g of a brown liquid. The obtained liquid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off, followed by recrystallization from hot ethanol, and 0.40 g (9.7%) of 4,4′-bis (4-dibutylaminostyryl) diphenylsulfone represented by the following formula. Obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 78.08% (78.06%), H: 8.79% (8.34%), N: 3.89% (4.14%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例20)化合物例A21の製造
2−t−ブチルチオベンズアルデヒド9.0g(46.3mmol)、アニリン4.53g(48.62mmol)、硫酸マグネシウム1.0gを混合し3h加熱撹拌した。反応混合物にクロロホルムを加えろ過したのち、クロロホルムを減圧留去した。得られた固体に10%メタノール水溶液100mlを加えたのち、氷浴上にて2h攪拌し、析出物をろ取、洗浄、乾燥し2−t−ブチルチオベンジリデンアニリンを9.71g(77.9%)得た。
(Production Example 20) Production of Compound Example A21 2-t-butylthiobenzaldehyde 9.0 g (46.3 mmol), aniline 4.53 g (48.62 mmol), and magnesium sulfate 1.0 g were mixed and stirred with heating for 3 hours. Chloroform was distilled off under reduced pressure after adding chloroform to the reaction mixture and filtering. After adding 100 ml of 10% aqueous methanol solution to the obtained solid, the mixture was stirred for 2 h on an ice bath, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 9.71 g (77.9) of 2-t-butylthiobenzylideneaniline was obtained. %)Obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、2−t−ブチルチオベンジリデンアニリン4.61g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて0.5時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し5.7gの茶色固体を得た。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルム/ヘキサンの混合溶媒を用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、メタノール100mlで洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(2−t−ブチルチオスチリル)ジフェニルスルホンを2.85g(58.6%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:72.02%(72.20%)、H:6.27%(6.40%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.61 g (17.05 mmol) of 2-t-butylthiobenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide 1 The mixture was stirred at room temperature for 0.5 hours in the presence of .82 g (16.24 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 5.7 g of a brown solid. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using a mixed solvent of chloroform / hexane as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with 100 ml of methanol, dried, and 2.85 g (58.6) of 4,4′-bis (2-tert-butylthiostyryl) diphenylsulfone represented by the following formula: %)Obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 72.02% (72.20%), H: 6.27% (6.40%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例21)化合物例A12の製造   (Production Example 21) Production of Compound Example A12

4−エチルチオベンズアルデヒド10.0g(60.2mmol)、アニリン5.89g(63.21mmol)をメタノール50ml中混合し、3時間加熱還流した。反応溶液にメタノール20ml、水20mlを加え撹拌後、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、4−エチルチオベンジリデンアニリンを13.20g(90.8%)得た。   10.0 g (60.2 mmol) of 4-ethylthiobenzaldehyde and 5.89 g (63.21 mmol) of aniline were mixed in 50 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours. To the reaction solution, 20 ml of methanol and 20 ml of water were added and stirred, and then the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 13.20 g (90.8%) of 4-ethylthiobenzylideneaniline.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−エチルチオベンジリデンアニリン4.13g(17.05mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド1.82g(16.24mmol)存在下、室温にて0.5時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し4.7gの黄色固体を得た。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルム/ヘキサンの混合溶媒を用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、クロロホルム50mlで洗浄、乾燥し、下記式で示される4,4'−ビス(4−エチルチオスチリル)ジフェニルスルホンを0.04g(0.9%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:69.78%(70.81%)、H:5.45%(5.57%)
Under nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 4.13 g (17.05 mmol) of 4-ethylthiobenzylideneaniline in 1.8 ml of potassium tert-butoxide in 60 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at room temperature for 0.5 hours in the presence of (16.24 mmol). The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 4.7 g of a yellow solid. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using a mixed solvent of chloroform / hexane as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with 50 ml of chloroform and dried. 0.04 g (0.9%) of 4,4′-bis (4-ethylthiostyryl) diphenylsulfone represented by the following formula Obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 69.78% (70.81%), H: 5.45% (5.57%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

ヘテロ二置換ジフェニルスルホン誘導体の製造
(製造例22)化合物例A26の製造
Production of heterodisubstituted diphenylsulfone derivatives (Production Example 22) Production of Compound Example A26

4−ヒドロキシベンズアルデヒド20.0g(164mmol)、アニリン5.78g(172mmol)をメタノール200ml中混合、3時間加熱還流させ、4−ヒドロキシベンジリデンアニリンを得た。   4-hydroxybenzaldehyde 20.0 g (164 mmol) and aniline 5.78 g (172 mmol) were mixed in 200 ml of methanol and heated under reflux for 3 hours to obtain 4-hydroxybenzylideneaniline.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−ヒドロキシベンジリデンアニリン3.37g(17.09mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド3.64g(32.48mmol)存在下、室温にて1.0時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体を展開溶媒としてテトラヒドロフラン/ヘキサンの混合溶媒を用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、クロロホルムで洗浄、乾燥し、4−(4−ヒドロキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホンを得た。   Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 3.37 g (17.09 mmol) of 4-hydroxybenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide, 3.64 g of potassium t-butoxide ( In the presence of 32.48 mmol), the mixture was stirred at room temperature for 1.0 hour. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using a mixed solvent of tetrahydrofuran / hexane as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with chloroform and dried to give 4- (4-hydroxystyryl) -4'-methyldiphenylsulfone.

窒素雰囲気下、4−(4−ヒドロキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン2.0g(5.71mmol)、1−ブロモブタン1.56g(11.42mmol)をジメチルホルムアミド30ml中、炭酸カリウム1.57g(11.42mmol)存在下、室温にて15時間反応させた。水100mlを加えた後、析出物をろ取、洗浄、乾燥後、再度クロロホルム20mlに溶解、メタノール80mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−ブトキシスチリル)−4'−メチルジフェニルスルホンを1.89g(81.5%)得た。   Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (5.71 mmol) of 4- (4-hydroxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone and 1.56 g (11.42 mmol) of 1-bromobutane in 1.57 g of potassium carbonate in 30 ml of dimethylformamide (11.42 mmol) was allowed to react at room temperature for 15 hours. After adding 100 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, then dissolved again in 20 ml of chloroform and added with 80 ml of methanol, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4- (4- 1.89 g (81.5%) of butoxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone was obtained.

窒素雰囲気下、4−(4−ブトキシスチリル)−4’−(メチル)ジフェニルスルホン1.54g(3.80mmol)、4−ジエチルアミノベンジリデンアニリン1.05g(4.18mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド2.25g(19.00mmol)存在下、90℃にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し、再度クロロホルム20mlに溶解、メタノール30mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、0.55gの黄色粉体を得た。得られた粉体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−ブトキシスチリル)−4'−(4−ジエチルアミノスチリル)ジフェニルスルホンを55mg(2.6%)得た。元素分析値は以下の通りである。   In a nitrogen atmosphere, 1.54 g (3.80 mmol) of 4- (4-butoxystyryl) -4 ′-(methyl) diphenylsulfone and 1.05 g (4.18 mmol) of 4-diethylaminobenzylideneaniline were added to potassium in 60 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at 90 ° C. for 1 hour in the presence of 2.25 g (19.00 mmol) of t-butoxide. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried, again dissolved in 20 ml of chloroform, added with 30 ml of methanol, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 0.55 g of a yellow powder. The obtained powder was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off, followed by washing and drying, and 55 mg (2.6%) of 4- (4-butoxystyryl) -4 ′-(4-diethylaminostyryl) diphenylsulfone represented by the following formula: Obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:76.29%(76.42%)、H:7.12%(6.95%)、N:2.11%(2.48%)、S:6.09%(5.67%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 76.29% (76.42%), H: 7.12% (6.95%), N: 2.11% (2.48%), S: 6 .09% (5.67%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例23)化合物例A27の製造   (Production Example 23) Production of Compound Example A27

窒素雰囲気下、4−(4−ヒドロキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン6.0g(17.12mmol)、1−ブロモオクタン6.60g(34.16mmol)をジメチルホルムアミド40ml中、炭酸カリウム5.73g(41.46mmol)存在下、室温にて15時間、50℃にて3時間反応させた。水150mlを加えた後、析出物をろ取、洗浄、乾燥後、再度クロロホルム40mlに溶解、メタノール60mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、4−(4−オクチルオキシスチリル)−4'−メチルジフェニルスルホンを6.67g(84.3%)得た。   Under a nitrogen atmosphere, 6.0 g (17.12 mmol) of 4- (4-hydroxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone and 6.60 g (34.16 mmol) of 1-bromooctane were added in 40 ml of dimethylformamide with 5. The reaction was carried out in the presence of 73 g (41.46 mmol) at room temperature for 15 hours and at 50 ° C. for 3 hours. After adding 150 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, then dissolved in 40 ml of chloroform again, 60 ml of methanol was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4- (4-octyloxystyryl)- 6.67 g (84.3%) of 4′-methyldiphenyl sulfone was obtained.

窒素雰囲気下、4−(4−オクチルオキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン2.31g(5.00mmol)、4−ジメチルアミノベンジリデンアニリン1.35g(6.00mmol)をジメチルホルムアミド80ml中、カリウムt−ブトキシド1.24g(11.00mmol)存在下、30℃にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し、2.9gの黄色固体を得た。得られた固体をジメチルホルムアミド100mlに投入し0.5時間撹拌後、ろ過、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−オクチルオキシスチリル)−4'−(4−ジメチルアミノスチリル)ジフェニルスルホンを1.61g(54.2%)得た。元素分析値は以下の通りである。   In a nitrogen atmosphere, 2.31 g (5.00 mmol) of 4- (4-octyloxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone and 1.35 g (6.00 mmol) of 4-dimethylaminobenzylideneaniline in 80 ml of dimethylformamide in potassium The mixture was stirred at 30 ° C. for 1 hour in the presence of 1.24 g (11.00 mmol) of t-butoxide. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 2.9 g of a yellow solid. The obtained solid was put into 100 ml of dimethylformamide, stirred for 0.5 hour, filtered, washed and dried, and 4- (4-octyloxystyryl) -4 ′-(4-dimethylaminostyryl) represented by the following formula: 1.61 g (54.2%) of diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:77.28%(76.86%)、H:7.28%(7.30%)、N:2.55%(2.36%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 77.28% (76.86%), H: 7.28% (7.30%), N: 2.55% (2.36%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例24)化合物例A28の製造   (Production Example 24) Production of Compound Example A28

窒素雰囲気下、4−(4−オクチルオキシスチリル)−4’−(メチル)ジフェニルスルホン2.00g(4.32mmol)、2−トリフルオロメチルベンジリデンアニリン1.18g(4.73mmol)をジメチルホルムアミド80ml中、カリウムt−ブトキシド0.97g(8.46mmol)存在下、30℃にて1時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し、2.3gの黄色固体を得た。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、再度クロロホルム15mlに溶解、メタノール30mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、0.6gの乳白色固体を得た。得られた固体をクロロホルムに10mlに溶解後、エタノール200mlで抽出、溶媒を留去し、下記式で示される4−(4−オクチルオキシスチリル)−4'−(2−トリフルオロメチルスチリル)ジフェニルスルホンを30mg(1.1%)得た。元素分析値は以下の通りである。   Under a nitrogen atmosphere, 2.00 g (4.32 mmol) of 4- (4-octyloxystyryl) -4 ′-(methyl) diphenylsulfone and 1.18 g (4.73 mmol) of 2-trifluoromethylbenzylideneaniline were added to 80 ml of dimethylformamide. The mixture was stirred at 30 ° C. for 1 hour in the presence of 0.97 g (8.46 mmol) of potassium t-butoxide. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 2.3 g of a yellow solid. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off. The residue was again dissolved in 15 ml of chloroform, 30 ml of methanol was added, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 0.6 g of a milky white solid. The solid obtained was dissolved in 10 ml of chloroform, extracted with 200 ml of ethanol, the solvent was distilled off, and 4- (4-octyloxystyryl) -4 ′-(2-trifluoromethylstyryl) diphenyl represented by the following formula was used. 30 mg (1.1%) of sulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:70.98%(71.82%)、H:6.24%(6.03%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 70.98% (71.82%), H: 6.24% (6.03%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例25)化合物例A29の製造   (Production Example 25) Production of Compound Example A29

バニリン76.08g(0.50mol)、アニリン48.89g(0.525mol)をメタノール400ml中混合、4時間加熱還流させ、4−ヒドロキシ−3−メトキシベンジリデンアニリンを107.2g(94.3%)得た。   76.08 g (0.50 mol) of vanillin and 48.89 g (0.525 mol) of aniline were mixed in 400 ml of methanol and heated to reflux for 4 hours to give 107.2 g (94.3%) of 4-hydroxy-3-methoxybenzylideneaniline. Obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.46g(10.00mmol)(東京化成社製)、4−ヒドロキシ−3−メトキシベンジリデンアニリン2.27g(10.00mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド2.24g(20.00mmol)存在下、70℃にて1.5時間反応させた。反応溶液を氷水60ml中に滴下し、塩酸を加えpH<4に調整後、析出物をろ過、洗浄、乾燥し黄土色固体を3.2g得た。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、メタノール20mlで洗浄、乾燥し、4−(4−ヒドロキシ−3−メトキシスチリル)−4’−(メチル)ジフェニルスルホンを0.29g(7.6%)得た   Under a nitrogen atmosphere, 2.46 g (10.00 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 2.27 g (10.00 mmol) of 4-hydroxy-3-methoxybenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide in potassium t-butoxide The reaction was carried out at 70 ° C. for 1.5 hours in the presence of 2.24 g (20.00 mmol). The reaction solution was dropped into 60 ml of ice water and hydrochloric acid was added to adjust to pH <4. Then, the precipitate was filtered, washed and dried to obtain 3.2 g of an ocherous solid. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with 20 ml of methanol and dried, and 0.29 g (7.6%) of 4- (4-hydroxy-3-methoxystyryl) -4 ′-(methyl) diphenylsulfone was obtained. )Obtained

窒素雰囲気下、4−(4−ヒドロキシ−3−メトキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン1.00g(2.63mmol)、4−ジエチルアミノベンジリデンアニリン1.05g(2.63mmol)をジメチルホルムアミド30ml中、カリウムt−ブトキシド2.70g(23.67mmol)存在下、90℃にて4時間撹拌した。反応溶液を氷水200mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し、1.7gの黄土色固体を得た。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−ヒドロキシ−3−メトキシスチリル)−4'−(4−ジエチルアミノスチリル)ジフェニルスルホンを0.16g(11.3%)得た。元素分析値は以下の通りである。   Under nitrogen atmosphere, 1.00 g (2.63 mmol) of 4- (4-hydroxy-3-methoxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone and 1.05 g (2.63 mmol) of 4-diethylaminobenzylideneaniline in 30 ml of dimethylformamide In the presence of 2.70 g (23.67 mmol) of potassium t-butoxide, the mixture was stirred at 90 ° C. for 4 hours. The reaction solution was added dropwise to 200 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 1.7 g of an ocher solid. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected and the solvent was distilled off, followed by washing and drying, and 0.16 g of 4- (4-hydroxy-3-methoxystyryl) -4 ′-(4-diethylaminostyryl) diphenylsulfone represented by the following formula. (11.3%) was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:72.51%(73.44%)、H:6.34%(6.16%)、N:2.60%(2.60%)、S:5.95%(5.94%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 72.51% (73.44%), H: 6.34% (6.16%), N: 2.60% (2.60%), S: 5 .95% (5.94%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例26)化合物例A30の製造   (Production Example 26) Production of Compound Example A30

窒素雰囲気下、4−(4−ヒドロキシ−3−メトキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン1.35g(3.56mmol)、4−ブトキシベンジリデンアニリン1.08g(4.27mmol)をジメチルホルムアミド20ml中、カリウムt−ブトキシド2.80g(24.95mmol)存在下、室温にて1時間、50℃にて4時間撹拌した。反応溶液を氷水200mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥し、1.9gの黄土色固体を得た。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、洗浄、乾燥後、再度クロロホルム15mlに溶解、メタノール25mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−ヒドロキシ−3−メトキシスチリル)−4'−(4−ブトキシスチリル)ジフェニルスルホンを0.96g(50.0%)得た。元素分析値は以下の通りである。   Under nitrogen atmosphere, 1.35 g (3.56 mmol) of 4- (4-hydroxy-3-methoxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone and 1.08 g (4.27 mmol) of 4-butoxybenzylideneaniline in 20 ml of dimethylformamide In the presence of 2.80 g (24.95 mmol) of potassium t-butoxide, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour and at 50 ° C. for 4 hours. The reaction solution was added dropwise to 200 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried to obtain 1.9 g of an ocher solid. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed and dried, then dissolved again in chloroform 15 ml, methanol 25 ml was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4- (4-hydroxy) represented by the following formula: 0.96 g (50.0%) of -3-methoxystyryl) -4 ′-(4-butoxystyryl) diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:73.57%(73.31%)、H:6.17%(5.97%)、S:5.92%(5.93%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 73.57% (73.31%), H: 6.17% (5.97%), S: 5.92% (5.93%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(製造例27)化合物例A31の製造   (Production Example 27) Production of Compound Example A31

4−(4−ヒドロキシ−3−メトキシスチリル)−4'−(4−ブトキシスチリル)ジフェニルスルホンを0.15g(0.277mmol)、1−ブロモオクタン0.107g(0.554mmol)をジメチルホルムアミド5ml中、炭酸カリウム0.077g(0.554mmol)存在下、室温にて0.5時間、50℃にて5.5時間反応させた。水20mlを加えた後、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−オクチルオキシスチリル)−4'−(4−ブトキシスチリル)ジフェニルスルホンを0.17g(95.0%)得た。元素分析値は以下の通りである。   4- (4-Hydroxy-3-methoxystyryl) -4 ′-(4-butoxystyryl) diphenylsulfone 0.15 g (0.277 mmol), 1-bromooctane 0.107 g (0.554 mmol) in dimethylformamide 5 ml In the presence of 0.077 g (0.554 mmol) of potassium carbonate, the mixture was reacted at room temperature for 0.5 hours and at 50 ° C. for 5.5 hours. After adding 20 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 0.17 g (95 of 4- (4-octyloxystyryl) -4 ′-(4-butoxystyryl) diphenylsulfone represented by the following formula: 0.0%). Elemental analysis values are as follows.

元素分析値(計算値);C:75.17%(75.43%)、H:7.76%(7.41%)、S;5.27%(4.91%)   Elemental analysis value (calculated value); C: 75.17% (75.43%), H: 7.76% (7.41%), S; 5.27% (4.91%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

屈折率測定
測定試料の屈折率はアッベ屈折計(アタゴ社製、DR−A1)にて室温24℃にて測定した。それぞれの溶液の屈折率は、クロロホルム、1.0N硫酸溶液、0.1N水酸化ナトリウム溶液等溶媒のみの屈折率で近似した。各試料について3度測定しその平均値を屈折率として用いた。
Refractive index measurement The refractive index of the measurement sample was measured with an Abbe refractometer (Atago Co., Ltd., DR-A1) at a room temperature of 24 ° C. The refractive index of each solution was approximated by the refractive index of only a solvent such as chloroform, 1.0N sulfuric acid solution, 0.1N sodium hydroxide solution. Each sample was measured three times, and the average value was used as the refractive index.

吸光度測定
一光子吸収スペクトルは、島津製作所製紫外可視分光光度計UV−1700を用いて測定した。ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子吸収波長及びモル吸光係数の結果を表5、ヘテロ二置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子吸収波長及びモル吸光係数の結果を表6、また、本発明の対象外のヘテロ一置換ジフェニルスルホン誘導体を比較化合物として一光子吸収波長及びモル吸光係数の結果を表7に示した。
Absorbance measurement The one-photon absorption spectrum was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer UV-1700 manufactured by Shimadzu Corporation. Table 5 shows the results of the one-photon absorption wavelength and molar extinction coefficient of the homodisubstituted diphenylsulfone derivative, Table 6 shows the results of the one-photon absorption wavelength and molar extinction coefficient of the heterodisubstituted diphenylsulfone derivative, and is outside the scope of the present invention. Table 7 shows the results of the one-photon absorption wavelength and the molar extinction coefficient using the hetero monosubstituted diphenylsulfone derivative as a comparative compound.

(ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子吸収波長及びモル吸光係数) (One-photon absorption wavelength and molar extinction coefficient of homodisubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(ヘテロ二置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子吸収波長及びモル吸光係数) (One-photon absorption wavelength and molar extinction coefficient of heterodisubstituted diphenylsulfone derivatives)


Figure 2012137549
Figure 2012137549

ヘテロ一置換ジフェニルスルホン誘導体(比較化合物)の製造
測定に用いた比較化合物の構造と製造方法は、以下のとおりである。
The structure and production method of the comparative compound used for the production measurement of the hetero monosubstituted diphenylsulfone derivative (comparative compound) are as follows.

比較化合物1
4−ヒドロキシベンズアルデヒド20.0g(164mmol)、アニリン5.78g(172mmol)をメタノール200ml中混合し、3時間加熱還流させ、4−ヒドロキシベンジリデンアニリンを30.4g(94.1%)得た。
Comparative compound 1
4-Hydroxybenzaldehyde (20.0 g, 164 mmol) and aniline (5.78 g, 172 mmol) were mixed in 200 ml of methanol and heated to reflux for 3 hours to obtain 30.4 g (94.1%) of 4-hydroxybenzylideneaniline.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.0g(8.12mmol)(東京化成社製)、4−ヒドロキシベンジリデンアニリン3.37g(17.09mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド3.64g(32.48mmol)存在下、室温にて1.0時間撹拌した。反応溶液を氷水300mlに滴下し塩酸にてpH<4に調整した。析出物をろ取、洗浄、乾燥した。得られた固体を展開溶媒としてテトラヒドロフラン/ヘキサンの混合溶媒を用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、クロロホルムで洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−ヒドロキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホンを0.10g(3.5%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:71.88%(71.98%)、H:5.36%(5.18%)、S:9.37%(9.15%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (8.12 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 3.37 g (17.09 mmol) of 4-hydroxybenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide, 3.64 g of potassium t-butoxide ( In the presence of 32.48 mmol), the mixture was stirred at room temperature for 1.0 hour. The reaction solution was dropped into 300 ml of ice water and adjusted to pH <4 with hydrochloric acid. The precipitate was collected by filtration, washed and dried. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using a mixed solvent of tetrahydrofuran / hexane as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with chloroform and dried to obtain 0.10 g (3.5%) of 4- (4-hydroxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone represented by the following formula. It was. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 71.88% (71.98%), H: 5.36% (5.18%), S: 9.37% (9.15%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

比較化合物2
窒素雰囲気下、4−(4−ヒドロキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン2.0g(5.71mmol)、1−ブロモブタン1.56g(11.42mmol)をジメチルホルムアミド30ml中、炭酸カリウム1.57g(11.42mmol)存在下、室温にて15時間反応させた。水100mlを加えた後、析出物をろ取、洗浄、乾燥後、再度クロロホルム20mlに溶解、メタノール80mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−ブトキシスチリル)−4'−メチルジフェニルスルホンを1.89g(81.5%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:73.92%(73.86%)、H:6.36%(6.45%)
Comparative compound 2
Under a nitrogen atmosphere, 2.0 g (5.71 mmol) of 4- (4-hydroxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone and 1.56 g (11.42 mmol) of 1-bromobutane in 1.57 g of potassium carbonate in 30 ml of dimethylformamide (11.42 mmol) was allowed to react at room temperature for 15 hours. After adding 100 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, then dissolved again in 20 ml of chloroform and added with 80 ml of methanol, and the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4- (4- 1.89 g (81.5%) of butoxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 73.92% (73.86%), H: 6.36% (6.45%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

比較化合物3
窒素雰囲気下、4−(4−ヒドロキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン6.0g(17.12mmol)、1−ブロモオクタン6.60g(34.16mmol)をジメチルホルムアミド40ml中、炭酸カリウム5.73g(41.46mmol)存在下、室温にて15時間、50℃にて3時間反応させた。水150mlを加えた後、析出物をろ取、洗浄、乾燥後、再度クロロホルム40mlに溶解、メタノール60mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−オクチルオキシスチリル)−4'−メチルジフェニルスルホンを6.67g(84.3%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:75.01%(75.29%)、H:7.66%(7.41%)、N;7.39%(6.93%)
Comparative compound 3
Under a nitrogen atmosphere, 6.0 g (17.12 mmol) of 4- (4-hydroxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone and 6.60 g (34.16 mmol) of 1-bromooctane were added in 40 ml of dimethylformamide with 5. The reaction was carried out in the presence of 73 g (41.46 mmol) at room temperature for 15 hours and at 50 ° C. for 3 hours. After adding 150 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, then dissolved in 40 ml of chloroform again, 60 ml of methanol was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4- (4- 6.67 g (84.3%) of octyloxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 75.01% (75.29%), H: 7.66% (7.41%), N; 7.39% (6.93%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

比較化合物4
窒素雰囲気下、4−(4−ヒドロキシスチリル)−4’−メチルジフェニルスルホン3.30g(9.42mmol)、1−ブロモ−2−エチルヘキサン3.64g(18.84mmol)をジメチルホルムアミド30ml中、炭酸カリウム3.90g(28.26mmol)存在下、室温にて15時間、60℃にて6時間反応させた。水150mlを加えた後、析出物をろ取、洗浄、乾燥後、再度クロロホルム20mlに溶解、メタノール40mlを加え、析出物をろ取、洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−(2−エチルヘキシロキシ)スチリル)−4'−メチルジフェニルスルホンを3.31g(71.3%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:75.04%(75.29%)、H:7.26%(7.41%)
Comparative compound 4
Under a nitrogen atmosphere, 4- (4-hydroxystyryl) -4′-methyldiphenylsulfone 3.30 g (9.42 mmol) and 1-bromo-2-ethylhexane 3.64 g (18.84 mmol) were added in 30 ml of dimethylformamide. The reaction was carried out in the presence of 3.90 g (28.26 mmol) of potassium carbonate at room temperature for 15 hours and at 60 ° C. for 6 hours. After adding 150 ml of water, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, then dissolved in 20 ml of chloroform again, 40 ml of methanol was added, the precipitate was collected by filtration, washed and dried, and 4- (4- 3.31 g (71.3%) of (2-ethylhexyloxy) styryl) -4′-methyldiphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 75.04% (75.29%), H: 7.26% (7.41%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

比較化合物5
バニリン76.08g(0.50mol)、アニリン48.89g(0.525mol)をメタノール400ml中混合、4時間加熱還流させ、4−ヒドロキシ−3−メトキシベンジリデンアニリンを107.2g(94.3%)得た。
Comparative compound 5
76.08 g (0.50 mol) of vanillin and 48.89 g (0.525 mol) of aniline were mixed in 400 ml of methanol and heated to reflux for 4 hours to give 107.2 g (94.3%) of 4-hydroxy-3-methoxybenzylideneaniline. Obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン2.46g(10.00mmol)(東京化成社製)、4−ヒドロキシ−3−メトキシベンジリデンアニリン2.27g(10.00mmol)をジメチルホルムアミド60ml中、カリウムt−ブトキシド2.24g(20.00mmol)存在下、70℃にて1.5時間反応させた。反応溶液を氷水60ml中に滴下し、塩酸を加えpH<4に調整後、析出物をろ過、洗浄、乾燥し黄土色固体を3.2g得た。得られた固体を展開溶媒としてクロロホルムを用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、メタノール20mlで洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(4−ヒドロキシ−3−メトキシスチリル)−4’−(メチル)ジフェニルスルホンを0.29g(7.6%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:69.63%(69.45%)、H:5.34%(5.30%)、S:8.72%(8.43%)
Under a nitrogen atmosphere, 2.46 g (10.00 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 2.27 g (10.00 mmol) of 4-hydroxy-3-methoxybenzylideneaniline in 60 ml of dimethylformamide in potassium t-butoxide The reaction was carried out at 70 ° C. for 1.5 hours in the presence of 2.24 g (20.00 mmol). The reaction solution was dropped into 60 ml of ice water and hydrochloric acid was added to adjust to pH <4. Then, the precipitate was filtered, washed and dried to obtain 3.2 g of an ocherous solid. The obtained solid was subjected to silica gel column chromatography using chloroform as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with 20 ml of methanol, dried, and 0.29 g of 4- (4-hydroxy-3-methoxystyryl) -4 ′-(methyl) diphenylsulfone represented by the following formula. (7.6%) was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 69.63% (69.45%), H: 5.34% (5.30%), S: 8.72% (8.43%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

比較化合物6
3−(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)ベンズアルデヒド5.00g(22.51mmol)、アニリン2.20g(23.62mmol)、硫酸マグネシウム1.0gを混合、3時間加熱撹拌した。反応液をヘキサン20mlにあけ、ろ過により硫酸マグネシウムを除去、水で有機層を洗浄、硫酸マグネシウムにて脱水後、溶媒留去し3−(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)ベンジリデンアニリンを5.50g(82.2%)得た。
Comparative compound 6
5.00 g (22.51 mmol) of 3- (1,1,2,2-tetrafluoroethoxy) benzaldehyde, 2.20 g (23.62 mmol) of aniline and 1.0 g of magnesium sulfate were mixed and heated and stirred for 3 hours. The reaction solution is poured into 20 ml of hexane, magnesium sulfate is removed by filtration, the organic layer is washed with water, dehydrated with magnesium sulfate, and the solvent is distilled off. 3- (1,1,2,2-tetrafluoroethoxy) benzylideneaniline 5.50 g (82.2%) was obtained.

窒素雰囲気下、p−トリルスルホン1.20g(4.87mmol)(東京化成社製)、3−(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)ベンジリデンアニリン3.04g(10.23mmol)をジメチルホルムアミド30ml中、カリウムt−ブトキシド6.60g(58.82mmol)存在下、50℃にて2時間、100℃にて2時間反応させた。反応溶液を氷水60ml中に滴下し、塩酸を加えpH<4に調整後、析出物をろ過、洗浄後、クロロホルム100mlに溶解、希塩酸で有機層を洗浄、硫酸マグネシウムにて脱水後、溶媒留去し茶色液体を得た。得られた液体を展開溶媒としてクロロホルム/ヘキサン混合溶媒を用い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付した。目的物を分取し溶媒を留去後、メタノールで洗浄、乾燥し、下記式で示される4−(3−(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)スチリル)−4’−(メチル)ジフェニルスルホンを90mg(4.1%)得た。元素分析値は以下の通りである。
元素分析値(計算値);C:61.26%(61.33%)、H:3.82%(4.03%)
Under a nitrogen atmosphere, 1.20 g (4.87 mmol) of p-tolylsulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 3.04 g (10.23 mmol) of 3- (1,1,2,2-tetrafluoroethoxy) benzylideneaniline were converted to dimethyl The reaction was carried out in 30 ml of formamide in the presence of 6.60 g (58.82 mmol) of potassium t-butoxide at 50 ° C. for 2 hours and at 100 ° C. for 2 hours. The reaction solution is added dropwise to 60 ml of ice water, adjusted to pH <4 by adding hydrochloric acid, the precipitate is filtered and washed, dissolved in 100 ml of chloroform, the organic layer is washed with dilute hydrochloric acid, dehydrated with magnesium sulfate, and the solvent is distilled off. A brown liquid was obtained. The obtained liquid was subjected to silica gel column chromatography using a chloroform / hexane mixed solvent as a developing solvent. The target product was collected, the solvent was distilled off, washed with methanol, dried, and 4- (3- (1,1,2,2-tetrafluoroethoxy) styryl) -4 ′-(methyl) represented by the following formula: ) 90 mg (4.1%) of diphenylsulfone was obtained. Elemental analysis values are as follows.
Elemental analysis value (calculated value); C: 61.26% (61.33%), H: 3.82% (4.03%)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(ヘテロ一置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子吸収波長及びモル吸光係数) (One-photon absorption wavelength and molar extinction coefficient of hetero monosubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

蛍光スペクトル及び蛍光量子収率測定
一光子蛍光スペクトルは、島津製作所製蛍光分光光度計RF5300−PCを用いて測定した。蛍光標準物質としては、W.H.Melhuish,J.Opt.Soc.Am.,1964,54,183.記載の、希薄溶液における励起波長313nm及び366nmでの量子収率が0.55である硫酸キニーネの1.0N硫酸溶液を用いた。蛍光スペクトルは分光器の補正関数を用いることで補正し、得られた補正スペクトルを用いて、相対蛍光量子収率を算出した。全ての試料溶液は空気飽和状態で用いた。結果を表8に示した。
Fluorescence spectrum and fluorescence quantum yield measurement The one-photon fluorescence spectrum was measured using a Shimadzu fluorescence spectrophotometer RF5300-PC. Examples of fluorescent standards include W.W. H. Melhuish, J. et al. Opt. Soc. Am. , 1964, 54, 183. A 1.0 N sulfuric acid solution of quinine sulfate having a quantum yield of 0.55 at an excitation wavelength of 313 nm and 366 nm in a dilute solution as described was used. The fluorescence spectrum was corrected by using a correction function of the spectrometer, and the relative fluorescence quantum yield was calculated using the obtained correction spectrum. All sample solutions were used under air saturation. The results are shown in Table 8.

(ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子蛍光波長及び量子収率) (One-photon fluorescence wavelength and quantum yield of homodisubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(ヘテロ二置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子蛍光波長及び量子収率) (One-photon fluorescence wavelength and quantum yield of heterodisubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(ヘテロ一置換ジフェニルスルホン誘導体の一光子蛍光波長及び量子収率) (One-photon fluorescence wavelength and quantum yield of hetero monosubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

二光子吸収断面積の評価
本発明の二光子吸収化合物の二光子吸収断面積の評価は、蛍光法を用いて行った。
Evaluation of Two-Photon Absorption Cross Section The evaluation of the two-photon absorption cross section of the two-photon absorption compound of the present invention was performed using a fluorescence method.

二光子吸収断面積の蛍光法による評価は、M.A.Albota et al.,Appl.Opt.1998,37,7352.記載の方法を参考に行った。この測定法は、非共鳴二光子吸収が起こることにより誘起された励起状態からの発光の強度を、基準物質と被測定物質との間で比較する方法である。この測定方法は、二光子発光を起こす化合物でなければ測定できないが、他の方法に比べて簡便であり、かつ比較的正確な値が得られるという特徴を有する。
二光子吸収断面積測定用の光源として、Ti:sapphire パルスレーザー(パルス幅:<100fs、繰り返し周波数:80MHz±1MHz)を用いて、690nmから960nmの波長範囲で二光子吸収断面積を測定した。励起光強度は1/2波長板及び偏光ビームスプリッターにて調節し、対物レンズ及びブランク溶液を透過したビームを集光しパワーメーターにて測定した。測定に用いたキュベットは光路長1mmの蛍光用石英セル、集光レンズはN.A.=0.45の対物レンズを用いた。
試料から発生した蛍光は全方向に放射されるが、対物レンズに入射した前面蛍光を45°コールドミラーを用いることで励起光と分離した後、分光器と接続した光ファイバ端にレンズにて集光することでスペクトルを得た。蛍光強度の励起光強度2乗依存性は5〜30mWの範囲内で確認した。分光器の分光感度補正は測定試料位置から色温度3000Kのタングステンハロゲン光を対物レンズに入射させ、レンズ・ミラー・光ファイバを含む蛍光観測光学系全体で行った。二光子吸収断面積の評価は、フルオレセインを標準物質として用いて測定した。フルオレセインの二光子吸収断面積に文献記載の値を適用し、フルオレセインと各化合物の二光子蛍光強度の比較により算出した。二光子吸収断面積の算出には屈折率、蛍光量子収率の値も用いた。
二光子吸収測定用の試料には、0.5〜1×10-4Mの濃度でクロロホルムに化合物を溶かした溶液を用いた。フルオレセインの二光子吸収断面積測定は、0.0145mMの濃度で0.1N水酸化ナトリウム溶液に溶かした溶液を用いた。
Evaluation of the two-photon absorption cross section by the fluorescence method A. Albota et al. , Appl. Opt. 1998, 37, 7352. The description was made with reference to the method described. This measurement method is a method for comparing the intensity of light emission from an excited state induced by non-resonant two-photon absorption between a reference substance and a substance to be measured. This measurement method can be measured only by a compound that causes two-photon emission, but is simpler than other methods and has a feature that a relatively accurate value can be obtained.
Using a Ti: sapphire pulse laser (pulse width: <100 fs, repetition frequency: 80 MHz ± 1 MHz) as a light source for measuring the two-photon absorption cross section, the two-photon absorption cross section was measured in a wavelength range of 690 nm to 960 nm. The excitation light intensity was adjusted with a half-wave plate and a polarizing beam splitter, and the beam transmitted through the objective lens and the blank solution was collected and measured with a power meter. The cuvette used for the measurement is a fluorescent quartz cell with an optical path length of 1 mm, and the condenser lens is N.P. A. = 0.45 objective lens was used.
The fluorescence generated from the sample is emitted in all directions, but the front fluorescence incident on the objective lens is separated from the excitation light by using a 45 ° cold mirror, and then collected by the lens at the end of the optical fiber connected to the spectrometer. The spectrum was obtained by light. The dependence of the fluorescence intensity on the square of the excitation light intensity was confirmed within a range of 5 to 30 mW. Spectral sensitivity correction of the spectroscope was performed on the whole fluorescence observation optical system including a lens, a mirror, and an optical fiber by making tungsten halogen light having a color temperature of 3000 K incident on the objective lens from the position of the measurement sample. The evaluation of the two-photon absorption cross section was measured using fluorescein as a standard substance. The value described in the literature was applied to the two-photon absorption cross-sectional area of fluorescein, and calculation was performed by comparing the two-photon fluorescence intensity of fluorescein and each compound. The values of refractive index and fluorescence quantum yield were also used for calculating the two-photon absorption cross section.
As a sample for two-photon absorption measurement, a solution in which a compound was dissolved in chloroform at a concentration of 0.5 to 1 × 10 −4 M was used. The two-photon absorption cross section of fluorescein was measured by using a solution dissolved in 0.1N sodium hydroxide solution at a concentration of 0.0145 mM.

下記式を用いて、二光子吸収断面積を算出した。   The two-photon absorption cross section was calculated using the following formula.

Figure 2012137549
η:蛍光量子収率
σ(λ):二光子吸収断面積
φst:標準物質の蛍光捕集効率
ηst:標準物質の蛍光量子収率
σst(λ):標準物質の二光子吸収断面積
Cst:標準物質の濃度
<Pst>:標準物質の平均レーザーパワー
<F>:平均蛍光強度
nst:標準物質の屈折率
φ:蛍光捕集効率
C:濃度
<P>:平均レーザーパワー
<Fst>:標準物質の平均蛍光強度
Figure 2012137549
η: Fluorescence quantum yield σ (λ): Two-photon absorption cross section φst: Fluorescence collection efficiency of standard material ηst: Fluorescence quantum yield of standard material σst (λ): Two-photon absorption cross section of standard material Cst: Standard Concentration of substance <Pst>: Average laser power <F> of standard substance: Average fluorescence intensity nst: Refractive index φ of standard substance: Fluorescence collection efficiency C: Concentration <P>: Average laser power <Fst>: of standard substance Average fluorescence intensity

(ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体の二光子励起極大波長及び二光子吸収断面積) (Two-photon excitation maximum wavelength and two-photon absorption cross section of homodisubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(ヘテロ二置換ジフェニルスルホン誘導体の二光子励起極大波長及び二光子吸収断面積) (Two-photon excitation maximum wavelength and two-photon absorption cross section of heterodisubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

(ヘテロ一置換ジフェニルスルホン誘導体の二光子励起極大波長及び二光子吸収断面積) (Two-photon excitation maximum wavelength and two-photon absorption cross section of hetero monosubstituted diphenylsulfone derivatives)

Figure 2012137549
Figure 2012137549

二光子重合閾値の評価
単官能モノマーと二光子吸収性材料のみを用いた二光子重合の例を示す。
Evaluation of Two-Photon Polymerization Threshold An example of two-photon polymerization using only a monofunctional monomer and a two-photon absorbing material will be shown.

実施例1
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
ジメチルアクリルアミド 100質量部
化合物例A8 0.1質量部
Example 1
A photocurable resin composition was prepared as follows.
Dimethylacrylamide 100 parts by weight Compound Example A8 0.1 parts by weight

上記光硬化性樹脂組成物はディスポーサブルフィルター(アドバンテック社製 DISMIC PTFE 孔径0.5μm)にてろ過したものを評価用樹脂組成物とした。重合用試料は上記樹脂組成物を特開2010−065083号公報記載の方法にてスライドガラスーカバーガラス間に注入した。ポリイミドフィルムの厚さは25μmのものを用いた。   The photocurable resin composition was filtered with a disposable filter (DISMIC PTFE pore size 0.5 μm, manufactured by Advantech Co., Ltd.) as a resin composition for evaluation. For the sample for polymerization, the above resin composition was injected between the slide glass and the cover glass by the method described in JP 2010-065083 A. A polyimide film having a thickness of 25 μm was used.

二光子重合装置は、特開2010−065083号公報の記載に従い、類似光学装置を作製した。オリンパス社製落射蛍光投光管BX−RFA背面からレーザー光(700nmまたは800nm)を入射させ、ダイクロイックミラーにてレーザー光を45°反射させたのち、対物レンズPlanFl100X(倍率100倍、開口数NA=0.95)より重合用試料に向け照射される。重合用試料はレーザーの集光点を調節するため、XYZ3軸駆動の自動ステージ上に固定され、ステージの走査により任意の3次元的硬化物を得ることができる。また、ダイクロイックミラーに対して重合用試料と反対側には二光子励起により得られる蛍光を観測するため、ショートパスフィルタ及びCCDカメラを、重合用試料-ダイクロイックミラー-CCDカメラが一直線に並ぶよう設置した。樹脂硬化物の有無はオリンパス製対物レンズUPlanSApo20Xを用いて判断した。試料に照射するレーザー光の強度は、対物レンズ直前の光強度を参考値とした。対物レンズの透過率は、波長700nmでは85%であり、波長800nmでは55%であった。対物レンズ直前の光強度とモニター位置での光強度は波長分散性が異なるが、予め両者の関係を調べ補正した。樹脂に対する焦点位置の移動速度は視認性のよい硬化物が得られるよう適宜調節した。   As the two-photon polymerization apparatus, a similar optical apparatus was produced according to the description in JP-A-2010-065083. Laser light (700 nm or 800 nm) is incident from the back of an Olympus epi-illumination fluorescent tube BX-RFA, and the laser light is reflected by 45 ° by a dichroic mirror. 0.95) is irradiated toward the sample for polymerization. The polymerization sample is fixed on an XYZ triaxial drive automatic stage to adjust the laser focusing point, and an arbitrary three-dimensional cured product can be obtained by scanning the stage. In order to observe the fluorescence obtained by two-photon excitation on the opposite side of the polymerization sample with respect to the dichroic mirror, a short-pass filter and a CCD camera are installed so that the polymerization sample-dichroic mirror-CCD camera are aligned. did. The presence or absence of the cured resin was determined using an Olympus objective lens UPlanSApo20X. The intensity of the laser light applied to the sample was determined based on the light intensity immediately before the objective lens. The transmittance of the objective lens was 85% at a wavelength of 700 nm and 55% at a wavelength of 800 nm. The light intensity immediately before the objective lens and the light intensity at the monitor position differ in wavelength dispersion, but the relationship between the two was previously investigated and corrected. The moving speed of the focal position with respect to the resin was appropriately adjusted so that a cured product with good visibility was obtained.

比較例1
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
ジメチルアクリルアミド 100質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Comparative Example 1
A photocurable resin composition was prepared as follows.
Dimethylacrylamide 100 parts by mass The composition was subjected to the same operation as in Example 1 for two-photon polymerization.

実施例2
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
アクリロイルモルホリン 100質量部
化合物例A2 0.05質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Example 2
A photocurable resin composition was prepared as follows.
100 parts by mass of acryloylmorpholine Compound Example A2 0.05 parts by mass This composition was subjected to the same operation as in Example 1 for two-photon polymerization.

比較例2
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
アクリロイルモルホリン 100質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Comparative Example 2
A photocurable resin composition was prepared as follows.
100 parts by mass of acryloylmorpholine This composition was subjected to the same operation as in Example 1 for two-photon polymerization.

単官能モノマー、多官能モノマー及び二光子吸収性材料を用いた二光子重合の例を示す。   An example of two-photon polymerization using a monofunctional monomer, a polyfunctional monomer, and a two-photon absorbing material is shown.

実施例3
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
ジメチルアクリルアミド 20質量部
イソシアヌル酸EO変性ジ及びトリアクリレート 80質量部
化合物例A8 0.1質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Example 3
A photocurable resin composition was prepared as follows.
Dimethylacrylamide 20 parts by mass Isocyanuric acid EO-modified di- and triacrylate 80 parts by mass Compound Example A8 0.1 part by mass This composition was subjected to the same operation as in Example 1 to carry out two-photon polymerization.

比較例3
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
ジメチルアクリルアミド 20質量部
イソシアヌル酸EO変性ジ及びトリアクリレート 80質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Comparative Example 3
A photocurable resin composition was prepared as follows.
Dimethylacrylamide 20 parts by mass Isocyanuric acid EO-modified di- and triacrylate 80 parts by mass This composition was subjected to the same operation as in Example 1 for two-photon polymerization.

実施例4
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
アクリロイルモルホリン 80質量部
ペンタエリスリトールテトラアクリレート 20質量部
化合物例A2 0.04質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Example 4
A photocurable resin composition was prepared as follows.
80 parts by mass of acryloylmorpholine 20 parts by mass of pentaerythritol tetraacrylate Compound Example A2 0.04 parts by mass This composition was subjected to the same operation as in Example 1 to carry out two-photon polymerization.

比較例4
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
アクリロイルモルホリン 80質量部
ペンタエリスリトールテトラアクリレート 20質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Comparative Example 4
A photocurable resin composition was prepared as follows.
Acryloylmorpholine 80 parts by mass Pentaerythritol tetraacrylate 20 parts by mass This composition was subjected to the same operation as in Example 1 to carry out two-photon polymerization.

実施例5
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
n−ブチルアクリレート 60質量部
トリメチロールプロパントリアクリレート 40質量部
化合物例A5 0.04質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Example 5
A photocurable resin composition was prepared as follows.
n-Butyl acrylate 60 parts by weight Trimethylolpropane triacrylate 40 parts by weight Compound Example A5 0.04 parts by weight This composition was subjected to the same operation as in Example 1 to carry out two-photon polymerization.

比較例5
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
n−ブチルアクリレート 60質量部
トリメチロールプロパントリアクリレート 40質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Comparative Example 5
A photocurable resin composition was prepared as follows.
n-Butyl acrylate 60 parts by weight Trimethylolpropane triacrylate 40 parts by weight This composition was subjected to the same operation as in Example 1 for two-photon polymerization.

実施例6
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
テトラヒドロフルフリルアクリレート 60質量部
トリメチロールプロパントリアクリレート 40質量部
化合物例A22 0.1質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Example 6
A photocurable resin composition was prepared as follows.
Tetrahydrofurfuryl acrylate 60 parts by weight Trimethylolpropane triacrylate 40 parts by weight Compound Example A22 0.1 part by weight The same operation as in Example 1 was performed on this composition to perform two-photon polymerization.

比較例6
光硬化性樹脂組成物を下記にて調製した。
テトラヒドロフルフリルアクリレート 60質量部
トリメチロールプロパントリアクリレート 40質量部
この組成物を実施例1と同様の操作を行い、二光子重合を行った。
Comparative Example 6
A photocurable resin composition was prepared as follows.
Tetrahydrofurfuryl acrylate 60 parts by mass Trimethylolpropane triacrylate 40 parts by mass This composition was subjected to the same operation as in Example 1 to carry out two-photon polymerization.

二光子重合測定
調製した光硬化性樹脂組成物を2枚のガラス間に注入し、レーザーの焦点を組成物に当てながら試料ステージを操作することで、光硬化性樹脂組成物の内部に樹脂硬化物を作製した。樹脂硬化物の生成の有無は、20倍の対物レンズ越しに目視にて判定した。結果を以下の表に示す。
The photocurable resin composition prepared by two-photon polymerization measurement is injected between two sheets of glass, and the resin is cured inside the photocurable resin composition by operating the sample stage while focusing the laser on the composition. A product was made. The presence or absence of the production | generation of resin cured | curing material was determined visually through the 20 times objective lens. The results are shown in the table below.

Figure 2012137549
Figure 2012137549

屈折率測定
クロロホルム溶液は1.443、0.1N水酸化ナトリウム溶液は1.334、1.0N硫酸溶液は1.339であった。
The refractive index measurement chloroform solution was 1.443, 0.1N sodium hydroxide solution was 1.334, 1.0N sulfuric acid solution was 1.339.

吸光度測定
アルキルアミノ基を有する化合物例A7、化合物例A8、化合物例A9については、吸収極大波長が約400nmであった。無置換の、またはアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を有する、化合物例A1、化合物例A2、化合物例A3、化合物例A5、化合物例A6、化合物例A16、化合物例A19、化合物例A20、化合物例A17、化合物例A18、化合物例A11、化合物例A12、化合物例A21については、吸収極大波長が約360nm以下であった。
Absorbance measurement Regarding Compound Example A7, Compound Example A8, and Compound Example A9 having an alkylamino group, the absorption maximum wavelength was about 400 nm. Compound Example A1, Compound Example A2, Compound Example A3, Compound Example A5, Compound Example A6, Compound Example A16, Compound Example A19, Compound Example A20, Compound Example which are unsubstituted or have an alkyl group, an alkoxy group or an alkylthio group Regarding A17, Compound Example A18, Compound Example A11, Compound Example A12, and Compound Example A21, the absorption maximum wavelength was about 360 nm or less.

蛍光スペクトル及び蛍光量子収率測定
ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体の蛍光スペクトル及び蛍光量子収率測定の結果を表8に示し、ヘテロ二置換ジフェニルスルホン誘導体の蛍光スペクトル及び蛍光量子収率測定の結果を表9に示し、ヘテロ一置換ジフェニルスルホン誘導体の蛍光スペクトル及び蛍光量子収率測定の結果を表10に示した。
Fluorescence spectrum and fluorescence quantum yield measurement The results of fluorescence spectrum and fluorescence quantum yield measurement of homodisubstituted diphenylsulfone derivatives are shown in Table 8, and the fluorescence spectrum and fluorescence quantum yield measurement results of heterodisubstituted diphenylsulfone derivatives are shown in Table 8. The results of measurement of the fluorescence spectrum and fluorescence quantum yield of the hetero monosubstituted diphenylsulfone derivative are shown in Table 10.

二光子励起極大波長及び二光子吸収断面積
ジアルキルアミノ基を有する化合物例A7、化合物例A8、化合物例A9については、レーザー波長領域にて二光子吸収性材料を二光子励起することで二光子吸収極大波長を見積もることが出来た。これらの二光子吸収断面積は、標準物質であるフルオレセインの二光子吸収極大波長での二光子吸収断面積よりも十分大きな値であった。
For Compound Example A7, Compound Example A8, and Compound Example A9 having a two-photon excitation maximum wavelength and a two-photon absorption cross-section dialkylamino group, two-photon absorption is achieved by two-photon excitation of the two-photon absorbing material in the laser wavelength region. We were able to estimate the maximum wavelength. These two-photon absorption cross sections were sufficiently larger than the two-photon absorption cross sections at the two-photon absorption maximum wavelength of fluorescein, which is a standard substance.

無置換の、またはアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を有する、化合物例A1、化合物例A2、化合物例A3、化合物例A5、化合物例A6、化合物例A16、化合物例A19、化合物例A20、化合物例A18、化合物例A17、化合物例A11、化合物例A12、化合物例A21については、一光子吸収帯が短波長にあるため励起レーザー波長領域にて二光子吸収極大波長を見積もることはできなかった。しかし、700nm近傍の二光子吸収断面積でフルオレセインの二光子吸収極大波長での二光子吸収断面積と同等以上であった。   Compound Example A1, Compound Example A2, Compound Example A3, Compound Example A5, Compound Example A6, Compound Example A16, Compound Example A19, Compound Example A20, Compound Example which are unsubstituted or have an alkyl group, an alkoxy group or an alkylthio group With regard to A18, Compound Example A17, Compound Example A11, Compound Example A12, and Compound Example A21, the one-photon absorption band was at a short wavelength, and thus the two-photon absorption maximum wavelength could not be estimated in the excitation laser wavelength region. However, the two-photon absorption cross section near 700 nm was equal to or greater than the two-photon absorption cross section of fluorescein at the two-photon absorption maximum wavelength.

また、ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体の二光子励起極大波長及び二光子吸収断面積の結果を11、ヘテロ二置換ジフェニルスルホン誘導体の二光子励起極大波長及び二光子吸収断面積の結果を表12、ヘテロ一置換ジフェニルスルホン誘導体の二光子励起極大波長及び二光子吸収断面積の結果を表13に示した。   The results of the two-photon excitation maximum wavelength and the two-photon absorption cross-section of the homodisubstituted diphenylsulfone derivative are 11, and the results of the two-photon excitation maximum wavelength and the two-photon absorption cross-section of the heterodisubstituted diphenylsulfone derivative are shown in Table 12. Table 13 shows the results of the two-photon excitation maximum wavelength and the two-photon absorption cross section of the monosubstituted diphenylsulfone derivative.

ホモ二置換ジフェニルスルホン誘導体において、ジアルキルアミノ基の付与した化合物では、炭素数がC1よりもC2以上の置換基の方が、二光子吸収断面積が大きかった。アルコキシ基の付与した化合物では、C1よりもC4の方が、二光子吸収断面積が大きかったが、C8ではC1と同程度となった。アルキルチオ基では、C1よりC2のほうが小さくなった。   In a homodisubstituted diphenylsulfone derivative, in a compound to which a dialkylamino group was added, a substituent having a carbon number of C2 or more had a larger two-photon absorption cross section than C1. In the compound provided with an alkoxy group, C4 had a larger two-photon absorption cross-sectional area than C1, but C8 had the same degree as C1. In the alkylthio group, C2 was smaller than C1.

本発明による二光子吸収性材料は、高い二光子吸収断面積を有しているため、光硬化性樹脂組成物、発光材料、光記録材料、顕微鏡用蛍光色素材料、光制限材料等に好適に用いることができる。   Since the two-photon absorbing material according to the present invention has a high two-photon absorption cross section, it is suitable for a photocurable resin composition, a light emitting material, an optical recording material, a fluorescent dye material for a microscope, a light limiting material, and the like. Can be used.

Claims (13)

下記式(1)で表されるジフェニルスルホン誘導体を含有する二光子吸収性材料。
Figure 2012137549

[式中、mは1または2を示し、nは1または2を示し、
〜R、R〜R10はそれぞれ、同一または異なっていてもよく、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)を示すか、或いは、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びRが一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよく、R及びR、R及びR、R及びR、またはR及びR10が一緒になって5〜7員環の縮合環を形成してよい。]
A two-photon absorbing material containing a diphenylsulfone derivative represented by the following formula (1).
Figure 2012137549

[Wherein m represents 1 or 2, n represents 1 or 2,
R 1 to R 5 and R 6 to R 10 may be the same or different and each is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, or an alkylthio group. , Phenyl group, —NHCOR (wherein R ′ represents an alkyl group), or R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , or R 4 and R 5 together May form a 5- to 7-membered condensed ring, and R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , or R 9 and R 10 together form a 5- to 7-membered ring. The condensed ring may be formed. ]
前記置換基R及びRのうち少なくとも1つが、アルキル基、アルコキシル基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基、−NHCOR(但しR’はアルキル基を示す)から選ばれる電子供与性置換基である、請求項1記載の二光子吸収性材料。 At least one of the substituents R 3 and R 8 is an alkyl group, an alkoxyl group, an amino group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, an alkylthio group, a phenyl group, —NHCOR (where R ′ represents an alkyl group) The two-photon absorbing material according to claim 1, which is an electron donating substituent selected from: 前記置換基R及びRが、同一の、アルキル基、アルコキシル基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、フェニル基から選ばれる電子供与性置換基である、請求項1または2記載の二光子吸収性材料。 The two-photon absorption property according to claim 1 or 2, wherein the substituents R 3 and R 8 are the same electron-donating substituent selected from an alkyl group, an alkoxyl group, a dialkylamino group, an alkylthio group, and a phenyl group. material. 前記置換基R及びRの少なくとも1つがジアルキルアミノ基である、請求項1〜3のいずれかに記載の二光子吸収性材料。 The two-photon absorbing material according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one of the substituents R 3 and R 8 is a dialkylamino group. 前記置換基R及びRが共にジアルキルアミノ基である、請求項1〜4のいずれかに記載の二光子吸収性材料。 Wherein a substituent R 3 and R 8 are both dialkylamino group, two-photon absorption material according to claim 1. 前記モノアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基を構成するアルキル基が炭素数2〜6のアルキル基である、請求項1〜5のいずれかに記載の二光子吸収性材料。   The two-photon absorbing material according to any one of claims 1 to 5, wherein the alkyl group constituting the monoalkylamino group or dialkylamino group is an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms. 前記置換基R、R、R、R及びR、R、R、R10が水素である、請求項1〜6のいずれかに記載の二光子吸収性材料。 The two-photon absorbing material according to claim 1 , wherein the substituents R 1 , R 2 , R 4 , R 5 and R 6 , R 7 , R 9 , R 10 are hydrogen. 前記ジフェニルスルホン誘導体の250−800nmにおける極大波長のモル吸光係数が55000mol−1dmcm−1以上である、請求項1〜7のいずれかに記載の二光子吸収性材料。 The two-photon absorbing material according to any one of claims 1 to 7, wherein the diphenylsulfone derivative has a molar extinction coefficient at a maximum wavelength at 250 to 800 nm of 55000 mol -1 dm 3 cm -1 or more. 請求項1〜8のいずれかに記載の二光子吸収性材料を含有する光硬化性樹脂組成物。   The photocurable resin composition containing the two-photon absorptive material in any one of Claims 1-8. 請求項1〜8のいずれかに記載の二光子吸収性材料を含有する発光材料。   The luminescent material containing the two-photon absorptive material in any one of Claims 1-8. 請求項1〜8のいずれかに記載の二光子吸収性材料を含有する光記録材料。   An optical recording material comprising the two-photon absorbing material according to claim 1. 請求項1〜8のいずれかに記載の二光子吸収性材料を含有する顕微鏡用蛍光色素材料。   A fluorescent dye material for a microscope, comprising the two-photon absorbing material according to claim 1. 請求項1〜8のいずれかに記載の二光子吸収性材料を含有する光制限材料。   The light limiting material containing the two-photon absorptive material in any one of Claims 1-8.
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