JP2012114342A - Optical reception sub-assembly, manufacturing method therefor and optical receiver module - Google Patents

Optical reception sub-assembly, manufacturing method therefor and optical receiver module Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical reception sub-assembly capable of reducing the internal electromagnetic radiation of noise, and an optical receiver module having the same, and a manufacturing method for the optical reception sub-assembly capable of reducing the internal electromagnetic radiation of noise.SOLUTION: In one embodiment, a ROSA 100 includes a conductive stem 1. Stems 21-24 penetrate through the stem 1 and are insulated from the stem 1. Leads 21-24 are inserted into passage holes H1-4 of a substrate 10 for internal mounting composed of a dielectric. The lead 21-24 protrude on the substrate 10 for internal mounting. On the substrate 10 for internal mounting, onboard wiring lines 12a-12d are formed. The onboard wiring lines 12a-12d are joined to the leads 21-24 by solder portions 15c-15d, respectively. A photodiode 4 receives power from the lead 24 through the onboard wiring line 12c, and through the onboard wiring lines 12a, 12b, outputs electric signals obtained by converting received optical signals, to the leads 21, 22, respectively.

Description

本発明は光受信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリの製造方法及び光受信モジュールに関し、特に光通信用の光受信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリの製造方法及び光受信モジュールに関する。   The present invention relates to an optical receiver subassembly, a method of manufacturing an optical receiver subassembly, and an optical receiver module, and more particularly to an optical receiver subassembly for optical communication, a method of manufacturing an optical receiver subassembly, and an optical receiver module.

従来の光通信用受信モジュール内には、電気光学素子(フォトダイオード)やトランスインピーダンスアンプ(TIA)などが実装されている。また、発振防止及び外部からのノイズ流入を防ぐため、コンデンサや抵抗などのノイズ遮断用のフィルタ部材が実装される。これらのフィルタ部材は、光受光素子及びTIAのそれぞれと、ボンディングワイヤで接続されている。これらのボンディングワイヤは長いため、ステムのリード部を介して流入したノイズが、受信モジュール内で電磁放射される。その結果、受信モジュール内のフォトダイオード及びTIAにノイズが再吸収され、受信モジュールの受信感度低下を招くという問題が生じていた。   An electro-optical element (photodiode), a transimpedance amplifier (TIA), and the like are mounted in a conventional optical communication receiving module. In addition, a filter member for blocking noise such as a capacitor and a resistor is mounted in order to prevent oscillation and noise from the outside. These filter members are connected to the light receiving element and the TIA by bonding wires. Since these bonding wires are long, the noise flowing in through the lead portion of the stem is electromagnetically radiated in the receiving module. As a result, there is a problem that noise is reabsorbed by the photodiode and TIA in the receiving module, resulting in a decrease in receiving sensitivity of the receiving module.

従来の光受信サブアセンブリ(以下、ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)と称する)(特許文献1)について説明する。図10は、従来のROSA500のステム上面を示す平面図である。ステム510は、円板状の導電体であり、そこにはリードピン511〜514が取り付けられている。リードピン511〜514はステム510を貫通しており、それらの先端はステム510の上面から突出している。ステム510とリードピン511〜514との間には絶縁性のシールガラスが介在しているので、ステム510とリードピン511〜514とは絶縁されている。   A conventional optical receiving subassembly (hereinafter referred to as ROSA (Receiver Optical Sub-Assembly)) (Patent Document 1) will be described. FIG. 10 is a plan view showing the upper surface of the stem of the conventional ROSA 500. As shown in FIG. The stem 510 is a disk-shaped conductor, and lead pins 511 to 514 are attached thereto. The lead pins 511 to 514 pass through the stem 510, and their tips protrude from the upper surface of the stem 510. Since the insulating seal glass is interposed between the stem 510 and the lead pins 511 to 514, the stem 510 and the lead pins 511 to 514 are insulated.

ステム510の上面には、メタライズ基板515及びトランスインピーダンスアンプ(以下、TIAと表記)522が実装されている。一般に、メタライズ基板は、その基体である誘電体基板と、誘電体基板の上面に全面的または部分的に形成された電極と、誘電体基板の下面を全面的に覆うベタのメタライズ電極とを有している。   A metallized substrate 515 and a transimpedance amplifier (hereinafter referred to as TIA) 522 are mounted on the upper surface of the stem 510. In general, a metallized substrate has a dielectric substrate as its base, an electrode formed entirely or partially on the upper surface of the dielectric substrate, and a solid metallized electrode that covers the entire lower surface of the dielectric substrate. is doing.

ここで、メタライズ基板515について説明する。図11Aは、メタライズ基板515の上面図である。図11Bは、メタライズ基板515の下面図である。メタライズ基板515は、誘電体基板528をその基体として含んでいる。誘電体基板528の上面には、図11Aに示すように、第1の電極516、第2の電極517、パッド電極518及びダンピング抵抗519が形成されている。第1の電極516は、ダンピング抵抗519を介してパッド電極518に接続されている。パッド電極518は、ワイヤ540を介してリードピン514に接続されている。第2の電極517は、第1の電極516、パッド電極518及びダンピング抵抗519から離間しており、したがって、これらから絶縁されている。また、誘電体基板528の下面は、図11Bに示すように、ベタのメタライズ電極527によって全面的に覆われている。   Here, the metallized substrate 515 will be described. FIG. 11A is a top view of the metallized substrate 515. FIG. 11B is a bottom view of the metallized substrate 515. The metallized substrate 515 includes a dielectric substrate 528 as its base. As shown in FIG. 11A, a first electrode 516, a second electrode 517, a pad electrode 518, and a damping resistor 519 are formed on the upper surface of the dielectric substrate 528. The first electrode 516 is connected to the pad electrode 518 through a damping resistor 519. The pad electrode 518 is connected to the lead pin 514 through the wire 540. The second electrode 517 is spaced from the first electrode 516, the pad electrode 518, and the damping resistor 519 and is therefore insulated from them. Further, the lower surface of the dielectric substrate 528 is entirely covered with a solid metalized electrode 527 as shown in FIG. 11B.

メタライズ基板515の上面への電極形成方法は次の通りである。まず、誘電体基板528への接着性に優れたNiCr、Ti、Moなどの材料からなる金属薄膜を誘電体基板528の上面に部分的に形成する。この形成には、マスク法かエッチング法が用いられる。その後、得られた金属薄膜上において電極に相当する部分を、ワイヤリングが容易で電気抵抗の小さな金属(例えばAu)でメッキする。これにより、第1の電極516、第2の電極517及びパッド電極518が形成される。メッキされなかった箇所は、電気抵抗が大きいので、ダンピング抵抗519となる。   The electrode forming method on the upper surface of the metallized substrate 515 is as follows. First, a metal thin film made of a material such as NiCr, Ti, or Mo having excellent adhesion to the dielectric substrate 528 is partially formed on the upper surface of the dielectric substrate 528. For this formation, a mask method or an etching method is used. Thereafter, the portion corresponding to the electrode on the obtained metal thin film is plated with a metal (for example, Au) that is easy to wire and has a small electric resistance. Thereby, the first electrode 516, the second electrode 517, and the pad electrode 518 are formed. A portion that has not been plated becomes a damping resistor 519 because of its high electrical resistance.

メタライズ基板515の第1の電極516上には、図10に示すように、受光素子としてフォトダイオード(以下、「PD」)520が実装される。PD520はチップ状であり、その上面にはアノードまたはカソードの一方が設けられ、その下面の全面はアノードまたはカソードの他方によって覆われている。PD520は、その上面に入射した光信号を電気信号に変換する。PD520の下面は、第1の電極516にダイボンドされ、それにより、PD520の下面の電極が第1の電極516に接続される。上述のように第1の電極516はリードピン514に電気的に接続されており、PD520の駆動に必要なバイアス電圧は、リードピン514からパッド電極518、ダンピング抵抗519及び第1の電極516を介してPD520に印加される。   On the first electrode 516 of the metallized substrate 515, as shown in FIG. 10, a photodiode (hereinafter, “PD”) 520 is mounted as a light receiving element. The PD 520 has a chip shape, and one of an anode and a cathode is provided on the upper surface, and the entire lower surface is covered with the other of the anode and the cathode. The PD 520 converts an optical signal incident on its upper surface into an electrical signal. The lower surface of the PD 520 is die-bonded to the first electrode 516, whereby the electrode on the lower surface of the PD 520 is connected to the first electrode 516. As described above, the first electrode 516 is electrically connected to the lead pin 514, and a bias voltage necessary for driving the PD 520 is transmitted from the lead pin 514 through the pad electrode 518, the damping resistor 519, and the first electrode 516. Applied to PD520.

なお、メタライズ基板515は、PD520の下面の電極(すなわち、バイアス端子)とステム510(すなわち、グラウンド電位)との間に挿入されるコンデンサの役割も持っている。   Note that the metallized substrate 515 also has a role of a capacitor inserted between the electrode (that is, the bias terminal) on the lower surface of the PD 520 and the stem 510 (that is, the ground potential).

TIA522は、PD520から出力される電気信号を受けて増幅する。光通信で使用される光受信器では、ROSA500にメイン回路が接続されるが、このメイン回路は、この増幅された電気信号を更に増幅する増幅器を含んでいる。TIA522は、これら一連の増幅器のうち初段の増幅器である。   The TIA 522 receives and amplifies the electrical signal output from the PD 520. In an optical receiver used in optical communication, a main circuit is connected to the ROSA 500, and the main circuit includes an amplifier that further amplifies the amplified electric signal. The TIA 522 is a first-stage amplifier in the series of amplifiers.

TIA522は、チップ状であり、その上面に四つの端子電極523〜526を有している。端子電極523は、PD520から電気信号を受け取るための端子であり、ワイヤ541を介してPD520の上面の電極に接続されている。   The TIA 522 has a chip shape and has four terminal electrodes 523 to 526 on its upper surface. The terminal electrode 523 is a terminal for receiving an electrical signal from the PD 520 and is connected to the electrode on the upper surface of the PD 520 via a wire 541.

端子電極524は、電源電圧を受けるための電源端子であり、ワイヤ542を介してメタライズ基板515上の第2の電極517に接続されている。第2の電極517は、別のワイヤ543を介してリードピン513にも接続されている。こうして端子電極524に電気的に接続されたリードピン513は、ROSA500外の電源に接続され、TIA522に電源電圧を供給する。   The terminal electrode 524 is a power supply terminal for receiving a power supply voltage, and is connected to the second electrode 517 on the metallized substrate 515 through the wire 542. The second electrode 517 is also connected to the lead pin 513 through another wire 543. The lead pin 513 thus electrically connected to the terminal electrode 524 is connected to a power supply outside the ROSA 500 and supplies a power supply voltage to the TIA 522.

端子電極525及び526は、TIA522によって増幅された電気信号を出力するための差動出力端子であり、ここで、端子電極525は正相出力端子、端子電極526は逆相出力端子である。端子電極525及び526は、それぞれリードピン511及び512にワイヤリングによって接続されている。TIA522によって増幅された電気信号は、リードピン511及び512から出力される。   The terminal electrodes 525 and 526 are differential output terminals for outputting an electrical signal amplified by the TIA 522, where the terminal electrode 525 is a positive phase output terminal and the terminal electrode 526 is a negative phase output terminal. The terminal electrodes 525 and 526 are connected to lead pins 511 and 512 by wiring, respectively. The electrical signal amplified by the TIA 522 is output from the lead pins 511 and 512.

ステム510の上面には、リードピン511〜514の先端、メタライズ基板515及びTIA522を覆うレンズ付きキャップ(図示せず)が設置されている。ROSA500は、PD520の受光部に光学的に接続された光ファイバ(図示せず)と、その光ファイバの先端を保持するフェルール(図示せず)を更に有している。このフェルールは、ステム510またはキャップに固定されたスリーブ(図示せず)に収容されている。PD520は、この光ファイバによって伝送される光信号を受けて電気信号に変換する。   On the upper surface of the stem 510, a cap with a lens (not shown) that covers the tips of the lead pins 511 to 514, the metallized substrate 515, and the TIA 522 is installed. ROSA 500 further includes an optical fiber (not shown) optically connected to the light receiving portion of PD 520 and a ferrule (not shown) that holds the tip of the optical fiber. The ferrule is housed in a stem 510 or a sleeve (not shown) fixed to the cap. The PD 520 receives an optical signal transmitted through the optical fiber and converts it into an electrical signal.

特開2007−242708号公報JP 2007-242708 A

しかしながら、発明者は、上述の従来のROSAには、以下の問題があることを見出した。図10に示した従来のROSA500においては、PD520はコンデンサ上にマウントされる。そして、PD520を、第1の電極516、ダンピング抵抗519、パッド電極518及びワイヤ540を介して、ステム510のリード514と接続している。この場合、リードピン513とコンデンサ(第2の電極517)との間のワイヤ543の長さは、3mmと比較的長い。よって、ROSA500では、リードピン513を通じて、ROSA500外部からワイヤ543流入したノイズが、ROSA500の内部でワイヤ543から電磁放射される。   However, the inventor has found that the above-described conventional ROSA has the following problems. In the conventional ROSA 500 shown in FIG. 10, the PD 520 is mounted on a capacitor. The PD 520 is connected to the lead 514 of the stem 510 via the first electrode 516, the damping resistor 519, the pad electrode 518, and the wire 540. In this case, the length of the wire 543 between the lead pin 513 and the capacitor (second electrode 517) is relatively long at 3 mm. Therefore, in the ROSA 500, noise that flows into the wire 543 from the outside of the ROSA 500 through the lead pin 513 is electromagnetically radiated from the wire 543 inside the ROSA 500.

一般に、ワイヤ(ボンディングワイヤ)の長さが長いほど、ワイヤから電磁放射されるノイズ量は多くなる。その結果、比較的長いワイヤ543から電磁放射されたノイズは、PD520とTIA522と間のワイヤ541、及び、TIA522とコンデンサとの間のワイヤ542へ重畳される。その結果、ROSA500が組み込まれた受信モジュールの受信感度を低下させてしまう。   In general, the longer the length of a wire (bonding wire), the greater the amount of noise radiated from the wire. As a result, noise radiated from the relatively long wire 543 is superimposed on the wire 541 between the PD 520 and the TIA 522 and the wire 542 between the TIA 522 and the capacitor. As a result, the reception sensitivity of the reception module in which the ROSA 500 is incorporated is lowered.

本発明の一態様である光受信サブアセンブリは、導電性を有するステムと、前記ステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードと、通過孔に前記電源リード及び前記出力リードを通すことにより前記電源リード及び前記出力リードが上面から突出する、誘電体からなる基板と、前記基板上に形成され、前記電源リードと導電性材料で接合された第1の基板上配線と、前記基板上に形成され、前記出力リードと前記導電性材料で接合された第2の基板上配線と、前記第1の基板上配線を介して前記電源リードから電源供給され、受光した光信号を変換した電気信号を前記第2の基板上配線を介して前記出力リードに出力する受光素子と、を備えるものである。本発明の一態様である光受信サブアセンブリは、リードに接続されるボンディングワイヤの数を削減するとともに、ボンディングワイヤの長さを短縮することができる。これにより、光受信サブアセンブリ内部で電磁放射されるノイズ量を低減できる。   An optical receiving subassembly according to an aspect of the present invention includes a conductive stem, a power supply lead and an output lead that penetrate the stem and are insulated from the stem, and the power supply lead and the output lead in a passage hole. A first substrate wiring formed on the substrate and bonded to the power supply lead with a conductive material; A second substrate wiring formed on the substrate and joined to the output lead by the conductive material, and a power signal supplied from the power lead via the first substrate wiring and receiving a received optical signal. A light receiving element that outputs the converted electrical signal to the output lead via the second wiring on the substrate. The optical receiving subassembly which is one embodiment of the present invention can reduce the number of bonding wires connected to the leads and the length of the bonding wires. Thereby, the amount of noise radiated electromagnetically inside the optical receiving subassembly can be reduced.

本発明の一態様である光受信サブアセンブリの製造方法は、第1及び第2の基板上配線を、誘電体からなる基板上に形成し、導電性を有するステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードを、前記基板上に設けられた通過孔に通すことにより、前記基板を前記ステム上に配置し、前記電源リードを、導電性材料により前記第1の基板上配線と接合し、前記出力リードを、前記導電性材料により前記第2の基板上配線と接合し、受光した光信号を変換した電気信号を出力する受光素子の電源端子を前記第1の基板上配線と接続するとともに、前記受光素子の出力端子を前記第2の基板上配線と接続するものである。本発明の一態様である光受信サブアセンブリの製造方法は、リードに接続されるボンディングワイヤの数を削減するとともに、ボンディングワイヤの長さを短縮することができる。これにより、光受信サブアセンブリ内部で電磁放射されるノイズ量を低減できる。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical receiving subassembly, wherein first and second wirings on a substrate are formed on a substrate made of a dielectric material, penetrate a conductive stem, The insulated power supply lead and the output lead are passed through a passage hole provided on the substrate to place the substrate on the stem, and the power supply lead is made of the conductive material and the first on-substrate wiring. And the output lead is joined to the second on-substrate wiring by the conductive material, and the power supply terminal of the light receiving element that outputs the electric signal converted from the received optical signal is connected to the first on-substrate wiring. And the output terminal of the light receiving element is connected to the second wiring on the substrate. The manufacturing method of the optical receiving subassembly which is one aspect of the present invention can reduce the number of bonding wires connected to the leads and the length of the bonding wires. Thereby, the amount of noise radiated electromagnetically inside the optical receiving subassembly can be reduced.

本発明によれば、内部でのノイズの電磁放射を低減できる光受信サブアセンブリ、これを有する光受信モジュール及び内部でのノイズの電磁放射を低減できる光受信サブアセンブリの製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an optical receiving subassembly capable of reducing electromagnetic radiation of noise inside, an optical receiving module having the same, and a method of manufacturing an optical receiving subassembly capable of reducing electromagnetic radiation of noise inside. it can.

実施の形態1にかかるROSA100の構成を示す上面図である。1 is a top view showing a configuration of a ROSA 100 according to a first embodiment. 図1AのIB−IB線におけるROSA100の断面図である。It is sectional drawing of ROSA100 in the IB-IB line | wire of FIG. 1A. 図1AのIC−IC線におけるROSA100の断面図である。It is sectional drawing of ROSA100 in the IC-IC line of FIG. 1A. 実施の形態1にかかるステム1の構造を示す上面図である。1 is a top view showing a structure of a stem 1 according to a first embodiment. 図2AのIIB−IIB線におけるステム1の断面図である。It is sectional drawing of the stem 1 in the IIB-IIB line | wire of FIG. 2A. 実施の形態1にかかる内部実装用基板10の製造工程を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing a manufacturing process of the internal mounting substrate 10 according to the first exemplary embodiment; 実施の形態1にかかる内部実装用基板10の製造工程を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing a manufacturing process of the internal mounting substrate 10 according to the first exemplary embodiment; 実施の形態1にかかるROSA100の製造工程を示す上面図及び断面図である。3A and 3B are a top view and a cross-sectional view showing a manufacturing process of the ROSA 100 according to the first embodiment. 実施の形態1にかかるROSA100の製造工程を示す上面図及び断面図である。3A and 3B are a top view and a cross-sectional view showing a manufacturing process of the ROSA 100 according to the first embodiment. 実施の形態1にかかるROSA100の製造工程を示す上面図及び断面図である。3A and 3B are a top view and a cross-sectional view showing a manufacturing process of the ROSA 100 according to the first embodiment. 電磁放射されるノイズ量とボンディングワイヤの長さとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the noise amount radiated | emitted electromagnetically, and the length of a bonding wire. 光受信モジュールの電源ノイズ量と受信感度低下量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the power supply noise amount of an optical receiver module, and a receiving sensitivity fall amount. 実施の形態2にかかるROSA200の構成を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing a configuration of a ROSA 200 according to a second embodiment. 図7AのVIIB−VIIB線におけるROSA200の断面図である。It is sectional drawing of ROSA200 in the VIIB-VIIB line | wire of FIG. 7A. 実施の形態3にかかるROSA300の構成を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing a configuration of a ROSA 300 according to a third embodiment. 図8AのVIIIB−VIIIB線におけるROSA300の断面図である。It is sectional drawing of ROSA300 in the VIIIB-VIIIB line | wire of FIG. 8A. 実施の形態4にかかる光受信モジュール400の構成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical reception module 400 according to a fourth embodiment. 実施の形態4にかかる光受信モジュール400の構成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical reception module 400 according to a fourth embodiment. 従来のROSA500のステム上面を示す平面図であるIt is a top view which shows the stem upper surface of the conventional ROSA500. ROSA500のメタライズ基板515の上面図である。It is a top view of the metallized substrate 515 of ROSA500. ROSA500のメタライズ基板515の下面図である。It is a bottom view of the metallized substrate 515 of ROSA500.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted as necessary.

実施の形態1
まず、本発明の実施の形態1にかかる光受信サブアセンブリ(以下、ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)と称する)について説明する。図1Aは、実施の形態1にかかるROSA100の構成を示す平面図である。図1Bは、図1AのIB−IB線におけるROSA100の断面図である。図1Cは、図1AのIC−IC線におけるROSA100の断面図である。
Embodiment 1
First, an optical reception subassembly (hereinafter referred to as ROSA (Receiver Optical Sub-Assembly)) according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1A is a plan view illustrating a configuration of the ROSA 100 according to the first embodiment. 1B is a cross-sectional view of ROSA 100 taken along the line IB-IB in FIG. 1A. 1C is a cross-sectional view of ROSA 100 taken along the line IC-IC in FIG. 1A.

ROSA100のステム1は、導電性材料により構成される。ステム1は、接地電位GNDに接続される。図1Bに示すように、リード21〜24は、ステム1を貫通し、リード封止部3を介してステム1に固定されている。リード封止部3は、リード21〜24とステム1とを絶縁し、かつ、外部に対する気密性を確保するために設けられる。リード封止部3は、例えばガラス材料により構成される。   The stem 1 of the ROSA 100 is made of a conductive material. Stem 1 is connected to ground potential GND. As shown in FIG. 1B, the leads 21 to 24 penetrate the stem 1 and are fixed to the stem 1 through the lead sealing portion 3. The lead sealing portion 3 is provided to insulate the leads 21 to 24 and the stem 1 and to ensure airtightness with respect to the outside. The lead sealing portion 3 is made of, for example, a glass material.

ステム1上には、内部実装用基板10が実装される。内部実装用基板10は、例えばセラミックス材料であるアルミナなどの誘電体材料により構成される。内部実装用基板10は、リード21〜24を通すための通過孔が設けられている。これにより、リード21〜24は、内部実装用基板10上に突出する。   On the stem 1, an internal mounting substrate 10 is mounted. The internal mounting substrate 10 is made of a dielectric material such as alumina, which is a ceramic material. The internal mounting substrate 10 is provided with through holes for passing the leads 21 to 24. As a result, the leads 21 to 24 protrude on the internal mounting substrate 10.

そして、図1Aに示すように、リード21〜24は、ソルダー部15a〜dを介して、基板上配線12a〜dとそれぞれ接続される。ソルダー部15a〜dは、半田や導電性ペーストなどの導電性材料より構成され、リード21〜24と基板上配線12a〜dとをそれぞれ接合する。従って、ソルダー部15a〜15dを設けることにより、内部実装用基板10がステム1上に固定される。   As shown in FIG. 1A, the leads 21 to 24 are connected to the on-board wirings 12a to 12d via the solder portions 15a to 15d, respectively. The solder portions 15a to 15d are made of a conductive material such as solder or conductive paste, and join the leads 21 to 24 and the on-board wirings 12a to 12d, respectively. Therefore, the internal mounting substrate 10 is fixed on the stem 1 by providing the solder portions 15a to 15d.

リード21及び22は、出力リードであり、後述するTIA3により増幅された電気信号を出力するための差動出力端子である。リード23は、電源リードであり、TIA3の電源端子である。リード24は、電源リードであり、後述するフォトダイオード4の電源端子である。内部実装用基板10上には、TIA3、フォトダイオード4、コンデンサ5及び6が実装される。   The leads 21 and 22 are output leads and are differential output terminals for outputting an electric signal amplified by a TIA 3 described later. The lead 23 is a power supply lead and is a power supply terminal of the TIA 3. The lead 24 is a power supply lead and is a power supply terminal of the photodiode 4 described later. A TIA 3, a photodiode 4, and capacitors 5 and 6 are mounted on the internal mounting substrate 10.

TIA3は、図1Cに示すように、内部実装用基板10に設けられたTIA実装孔31を介して、ステム1上に実装される(図1C)。そして、TIA3は、図1Aに示すように、ボンディングワイヤ30a及び30bを介して、基板上配線12a及び12bとそれぞれ接続される。これにより、TIA3は、リード21及び22に差動信号を出力する。また、TIA3は、ボンディングワイヤ30cを介して、基板上配線12c接続される。これにより、TIA3は、リード23から、電源供給を受ける。   As shown in FIG. 1C, the TIA 3 is mounted on the stem 1 through a TIA mounting hole 31 provided in the internal mounting substrate 10 (FIG. 1C). As shown in FIG. 1A, the TIA 3 is connected to the substrate wirings 12a and 12b via the bonding wires 30a and 30b, respectively. As a result, the TIA 3 outputs a differential signal to the leads 21 and 22. Further, the TIA 3 is connected to the substrate wiring 12c via the bonding wire 30c. As a result, the TIA 3 receives power supply from the lead 23.

フォトダイオード4は、図1Cに示すように、内部実装用基板10に設けられたフォトダイオード実装孔32を介して、ステム1上に実装される。そして、フォトダイオード4は、図1Aに示すように、ボンディングワイヤ30dを介して、基板上配線12dと接続される。これにより、フォトダイオード4は、リード24から、電源供給を受ける。すなわち、フォトダイオード4の電源端子は、ボンディングワイヤ30d及び基板上配線12dを介して、電源供給用のリード24と接続される。   As shown in FIG. 1C, the photodiode 4 is mounted on the stem 1 through a photodiode mounting hole 32 provided in the internal mounting substrate 10. As shown in FIG. 1A, the photodiode 4 is connected to the on-substrate wiring 12d through the bonding wire 30d. As a result, the photodiode 4 receives power supply from the lead 24. That is, the power supply terminal of the photodiode 4 is connected to the power supply lead 24 through the bonding wire 30d and the substrate wiring 12d.

また、フォトダイオード4は、ボンディングワイヤ30eを介して、TIA3と接続される。これにより、フォトダイオード4は、受光した光信号を光電変換した電気信号を、TIA3に出力する。すなわち、フォトダイオード4の出力端子は、ボンディングワイヤ30eを介して、TIA3と接続される。   The photodiode 4 is connected to the TIA 3 via the bonding wire 30e. As a result, the photodiode 4 outputs an electrical signal obtained by photoelectrically converting the received optical signal to the TIA 3. That is, the output terminal of the photodiode 4 is connected to the TIA 3 via the bonding wire 30e.

コンデンサ5の一端は、基板上配線12cと接続される。コンデンサ5の他端は、基板上配線12fと接続される。基板上配線12fは、内部実装用基板10の裏面に通じる貫通配線13と接続される。基板上配線12fは、貫通配線13を介して、ステム1と電気的に接続されている。これにより、コンデンサ5の基板上配線12f側の端部は、接地電位GNDとなる。   One end of the capacitor 5 is connected to the on-board wiring 12c. The other end of the capacitor 5 is connected to the on-board wiring 12f. The on-substrate wiring 12 f is connected to the through wiring 13 that communicates with the back surface of the internal mounting substrate 10. The on-substrate wiring 12f is electrically connected to the stem 1 through the through wiring 13. As a result, the end of the capacitor 5 on the substrate wiring 12f side is at the ground potential GND.

コンデンサ6の一端は、基板上配線12dと接続される。コンデンサ5の他端は、基板上配線12gと接続される。基板上配線12gは、内部実装用基板10の裏面に通じる貫通配線13と接続される。基板上配線12gは、貫通配線14を介して、ステム1と電気的に接続されている。これにより、コンデンサ6の基板上配線12g側の端部は、接地電位GNDとなる。   One end of the capacitor 6 is connected to the on-board wiring 12d. The other end of the capacitor 5 is connected to the on-board wiring 12g. The on-substrate wiring 12g is connected to the through wiring 13 that leads to the back surface of the internal mounting substrate 10. The on-substrate wiring 12g is electrically connected to the stem 1 through the through wiring 14. As a result, the end of the capacitor 6 on the substrate wiring 12g side is at the ground potential GND.

図1Cに示すように、貫通配線14は、内部実装用基板10を貫通して形成される。貫通配線14の内部は、例えば、金属が充填される。貫通配線14は予め内部実装用基板10に形成されていても良い。また、貫通配線14は、内部実装用基板10の上面側から貫通配線14を形成するための貫通孔を満たすように半田付けを行い、形成してもよい。これは、貫通配線13についても同様である。   As shown in FIG. 1C, the through wiring 14 is formed so as to penetrate the internal mounting substrate 10. The inside of the through wiring 14 is filled with, for example, metal. The through wiring 14 may be formed on the internal mounting substrate 10 in advance. The through wiring 14 may be formed by soldering so as to fill the through hole for forming the through wiring 14 from the upper surface side of the internal mounting substrate 10. The same applies to the through wiring 13.

従って、貫通配線13及び14は、ステム1と電気的に接続されることとなるので、貫通配線13及び14はグランド配線として機能する。   Therefore, since the through wirings 13 and 14 are electrically connected to the stem 1, the through wirings 13 and 14 function as ground wirings.

続いて、ROSA100の製造方法について説明する。まず、ステム1を準備する。図2Aは、ステム1の構造を示す上面図である。図2Bは、図2AのIIB−IIB線におけるステム1の断面図である。図2A及び2Bに示すように、ステム1には、リード封止部3を介して、リード21〜24がステム1を貫通して形成されている。   Then, the manufacturing method of ROSA100 is demonstrated. First, the stem 1 is prepared. FIG. 2A is a top view showing the structure of the stem 1. 2B is a cross-sectional view of the stem 1 taken along the line IIB-IIB in FIG. 2A. As shown in FIGS. 2A and 2B, leads 21 to 24 are formed in the stem 1 through the stem 1 via the lead sealing portion 3.

次いで、内部実装用基板10を作製する。図3A及びBは、内部実装用基板10の製造工程を示す上面図である。図3Aに示すように、内部実装用基板10には、それぞれリード21〜24を通すためのリード通過孔H1〜H4が形成されている。また、内部実装用基板10には、TIA実装孔31及びフォトダイオード実装孔32が形成されている。さらに、内部実装用基板10には、貫通配線13及び14が形成されている。まず、内部実装用基板10上に、基板上配線12a〜12gを形成する。基板上配線12a〜12gの一部は、リード通過孔H1〜H4を囲むように形成される。次いで、図3Bに示すように、コンデンサ5及び6を実装する(図3B)。   Next, the internal mounting substrate 10 is produced. 3A and 3B are top views showing the manufacturing process of the internal mounting substrate 10. As shown in FIG. 3A, lead mounting holes H1 to H4 for passing the leads 21 to 24 are formed in the internal mounting substrate 10, respectively. Further, a TIA mounting hole 31 and a photodiode mounting hole 32 are formed in the internal mounting substrate 10. Furthermore, through wirings 13 and 14 are formed in the internal mounting substrate 10. First, on-substrate wirings 12 a to 12 g are formed on the internal mounting substrate 10. A part of the substrate wirings 12a to 12g is formed so as to surround the lead passage holes H1 to H4. Next, as shown in FIG. 3B, capacitors 5 and 6 are mounted (FIG. 3B).

次いで、ステム1に内部実装用基板10を搭載する。図4A〜Cは、ROSA100の製造工程を示す上面図及び各上面図のIVA−IVA線〜IVC−IVC線における断面図である。まず、図4Aに示すように、ステム1上に、内部実装用基板10を配置する。   Next, the internal mounting substrate 10 is mounted on the stem 1. 4A to 4C are a top view showing a manufacturing process of the ROSA 100 and cross-sectional views taken along lines IVA-IVA to IVC-IVC in the respective top views. First, as shown in FIG. 4A, an internal mounting substrate 10 is disposed on the stem 1.

次いで、図4Bに示すように、半田や導電性ペーストなどの導電性材料を用いて、リード21〜24及び基板上配線12a〜12dに接するように、ソルダー部15a〜15dをそれぞれ形成する。これにより、内部実装用基板10をステム1上に固定する。そして、図4Cに示すように、フォトダイオード4及びTIA3のそれぞれを、内部実装用基板10のTIA実装孔31及びフォトダイオード実装孔32を介して、ステム1上に実装する。最後に、ボンディングワイヤ30a〜30eを配線して、図1A〜Cに示すROSA100が製造される。   Next, as shown in FIG. 4B, solder portions 15 a to 15 d are formed using a conductive material such as solder or conductive paste so as to be in contact with the leads 21 to 24 and the on-board wirings 12 a to 12 d. Thus, the internal mounting substrate 10 is fixed on the stem 1. Then, as shown in FIG. 4C, each of the photodiode 4 and the TIA 3 is mounted on the stem 1 via the TIA mounting hole 31 and the photodiode mounting hole 32 of the internal mounting substrate 10. Finally, the bonding wires 30a to 30e are wired to manufacture the ROSA 100 shown in FIGS.

次に、ROSA100の機能について説明する。本構成によれば、コンデンサ5とリード23とは、基板上配線12cにより、ボンディングワイヤを用いることなく接続される。また、コンデンサ6とリード24とは、基板上配線12dにより、ボンディングワイヤを用いることなく接続される。   Next, functions of the ROSA 100 will be described. According to this configuration, the capacitor 5 and the lead 23 are connected by the on-substrate wiring 12c without using a bonding wire. Further, the capacitor 6 and the lead 24 are connected by the on-substrate wiring 12d without using a bonding wire.

すなわち、本構成によれば、ボンディングワイヤを配線上基板で代替することにより、ボンディングワイヤの数を削減することができる。具体的には、リード23とコンデンサ5との間、及び、リード24とコンデンサ6との間のボンディングワイヤを除去することが可能である。また、ROSA100では、ボンディングワイヤの長さを短縮できる。これにより、ROSA100内部におけるノイズの電磁放射を低減することができる。   That is, according to this configuration, the number of bonding wires can be reduced by substituting the bonding wires with the substrate on the wiring. Specifically, the bonding wires between the lead 23 and the capacitor 5 and between the lead 24 and the capacitor 6 can be removed. Further, in the ROSA 100, the length of the bonding wire can be shortened. Thereby, the electromagnetic radiation of the noise inside ROSA100 can be reduced.

一般に、ROSAが搭載された光受信モジュールの電源からROSAの電源リードを介して流入する電源ノイズは、ボンディングワイヤから電磁放射される。図5は、電磁放射されるノイズ量とボンディングワイヤの長さとの関係を示すグラフである。ここでは、従来のROSAにおけるボンディングワイヤの長さを、例えば、3.5mmとした場合について検討する。この場合、図5に示すように、ボンディングワイヤを除去することにより、電磁放射されるノイズ量を、1/10以下に低減することができる。その結果、光受信モジュールの電源ノイズクロストークによる受信感度低下を防ぐことが可能となる。   In general, power supply noise flowing from the power supply of the optical receiving module on which the ROSA is mounted through the power supply lead of the ROSA is electromagnetically radiated from the bonding wire. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the amount of electromagnetic radiation and the length of the bonding wire. Here, the case where the length of the bonding wire in the conventional ROSA is set to, for example, 3.5 mm will be considered. In this case, as shown in FIG. 5, the amount of electromagnetically radiated noise can be reduced to 1/10 or less by removing the bonding wire. As a result, it is possible to prevent a decrease in reception sensitivity due to power supply noise crosstalk of the optical reception module.

図6は、光受信モジュールの電源ノイズ量と受信感度低下量との関係を示すグラフである。図6に示すように、本実施の形態にかかるROSA100は、従来のROSAと比べて、受信感度低下量を低減することが可能である。   FIG. 6 is a graph showing the relationship between the amount of power supply noise of the optical receiver module and the amount of decrease in reception sensitivity. As shown in FIG. 6, the ROSA 100 according to the present embodiment can reduce the amount of decrease in reception sensitivity as compared with the conventional ROSA.

実施の形態2
次に、本発明の実施の形態2にかかるROSA200について説明する。図7Aは、実施の形態2にかかるROSA200の構成を示す平面図である。図7Bは、図7AのVIIB−VIIB線におけるROSA200の断面図である。図7A及び図7Bに示すように、ROSA200は、実施の形態1にかかるROSA100の内部実装用基板10及びフォトダイオード4を、それぞれ内部実装用基板40及びフォトダイオード41に置換した構成を有する。
Embodiment 2
Next, the ROSA 200 according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 7A is a plan view illustrating a configuration of the ROSA 200 according to the second embodiment. FIG. 7B is a cross-sectional view of ROSA 200 taken along the line VIIB-VIIB in FIG. 7A. As shown in FIGS. 7A and 7B, the ROSA 200 has a configuration in which the internal mounting substrate 10 and the photodiode 4 of the ROSA 100 according to the first embodiment are replaced with the internal mounting substrate 40 and the photodiode 41, respectively.

内部実装用基板40には、フォトダイオード実装孔は設けられておらず、フォトダイオード41は、内部実装用基板40上にフリップチップ実装される。図7Bに示すように、内部実装用基板40上には、TIA3とフォトダイオード41との間に、基板上配線12hが形成される。基板上配線12hは、ボンディングワイヤ30eを介して、TIA3と接続される。   The internal mounting substrate 40 is not provided with a photodiode mounting hole, and the photodiode 41 is flip-chip mounted on the internal mounting substrate 40. As shown in FIG. 7B, an on-substrate wiring 12 h is formed on the internal mounting substrate 40 between the TIA 3 and the photodiode 41. The on-substrate wiring 12h is connected to the TIA 3 through the bonding wire 30e.

フォトダイオード41のアノード及びカソードの一方は、フリップチップ実装により、基板上配線12hと接続される。フォトダイオード41のアノード及びカソードの他方は、フリップチップ実装により、コンデンサ6から延在する基板上配線12cと接続される。   One of the anode and the cathode of the photodiode 41 is connected to the substrate wiring 12h by flip chip mounting. The other of the anode and the cathode of the photodiode 41 is connected to the substrate wiring 12c extending from the capacitor 6 by flip chip mounting.

従って、本構成によれば、フォトダイオード41とコンデンサ6との間のボンディングワイヤをさらに除去することが可能である。すなわち、ROSA200では、ROSA100におけるボンディングワイヤ30dを除去することが可能である。よって、本構成によれば、実施の形態1と比べ、電磁放射されるノイズ量を更に低減することが可能である。   Therefore, according to this configuration, the bonding wire between the photodiode 41 and the capacitor 6 can be further removed. That is, in the ROSA 200, the bonding wire 30d in the ROSA 100 can be removed. Therefore, according to the present configuration, it is possible to further reduce the amount of noise radiated electromagnetically as compared with the first embodiment.

実施の形態3
次に、本発明の実施の形態3にかかるROSA300について説明する。図8Aは、実施の形態3にかかるROSA300の構成を示す平面図である。図8Bは、図8AのVIIIB−VIIIB線におけるROSA300の断面図である。図8A及び図8Bに示すように、ROSA200は、実施の形態2にかかるROSA200の内部実装用基板40及びTIA3を、それぞれ内部実装用基板50及びTIA51に置換した構成を有する。
Embodiment 3
Next, the ROSA 300 according to the third embodiment of the present invention will be described. FIG. 8A is a plan view illustrating a configuration of the ROSA 300 according to the third embodiment. 8B is a cross-sectional view of ROSA 300 taken along line VIIIB-VIIIB in FIG. 8A. As shown in FIGS. 8A and 8B, the ROSA 200 has a configuration in which the internal mounting board 40 and the TIA 3 of the ROSA 200 according to the second embodiment are replaced with the internal mounting board 50 and the TIA 51, respectively.

内部実装用基板50には、TIA実装孔は設けられておらず、TIA51は、内部実装用基板50上にフリップチップ実装される。図8Bに示すように、内部実装用基板50上には、基板上配線12hが、フォトダイオード41からTIA51の下部まで延在して形成されている。これにより、フォトダイオード41とTIA51とが接続される。   The internal mounting board 50 is not provided with a TIA mounting hole, and the TIA 51 is flip-chip mounted on the internal mounting board 50. As shown in FIG. 8B, on-substrate wiring 12 h is formed on the internal mounting substrate 50 so as to extend from the photodiode 41 to the lower part of the TIA 51. Thereby, the photodiode 41 and the TIA 51 are connected.

また、基板上配線12a〜12cも、TIA51の下部まで延在して形成されている。これにより、基板上配線12a〜12cとTIA51とが接続される。   The on-substrate wirings 12a to 12c are also formed extending to the lower part of the TIA 51. Thereby, the wirings 12a to 12c on the substrate and the TIA 51 are connected.

従って、本構成によれば、フォトダイオード41及び基板上配線12a〜12cと、TIA51と、の間のボンディングワイヤをさらに除去することが可能である。すなわち、ROSA300では、ROSA200におけるボンディングワイヤ30a〜c及び30dを除去することが可能である。よって、本構成によれば、実施の形態1及び2と比べ、電磁放射されるノイズ量を更に低減することが可能である。   Therefore, according to this configuration, it is possible to further remove the bonding wires between the photodiode 41 and the on-substrate wirings 12a to 12c and the TIA 51. That is, in the ROSA 300, the bonding wires 30a to 30c and 30d in the ROSA 200 can be removed. Therefore, according to this configuration, it is possible to further reduce the amount of noise that is radiated electromagnetically, as compared with the first and second embodiments.

実施の形態4
次に、本発明の実施の形態4にかかる光受信モジュールについて説明する。図9A及び図9Bは、実施の形態4にかかる光受信モジュール400の構成を示す断面図である。光受信モジュール400は、図9Aに示すように、ROSA100を有する。ROSA10は、レンズキャップ401が被せられることにより気密封止され、CAN402が構成される。その後、図9Bに示すように、CAN402とレセプタクル403とを、光学的に結合する位置に配置し、接着樹脂404を用いて固定する。以上により、ROSA100を有する光受信モジュール400を構成することができる。
Embodiment 4
Next, an optical receiver module according to Embodiment 4 of the present invention will be described. 9A and 9B are cross-sectional views illustrating the configuration of the optical receiver module 400 according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 9A, the optical receiving module 400 includes a ROSA 100. The ROSA 10 is hermetically sealed by covering the lens cap 401 to form a CAN 402. Thereafter, as shown in FIG. 9B, the CAN 402 and the receptacle 403 are disposed at a position where they are optically coupled, and are fixed using an adhesive resin 404. As described above, the optical reception module 400 having the ROSA 100 can be configured.

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、内部実装用基板は、アルミナに限らず、他の絶縁性セラミックス材料を用いることができる。例えば、内部実装用基板は、窒化シリコン(SiN)により構成することが可能である。また、内部実装用基板は、例えば可塑性樹脂により構成してもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, the internal mounting substrate is not limited to alumina, and other insulating ceramic materials can be used. For example, the internal mounting substrate can be made of silicon nitride (SiN). Further, the internal mounting substrate may be made of, for example, a plastic resin.

実施の形態2又は3において、フォトダイオードとTIAとをフリップチップ実装する場合には、内部実装用基板に予めフォトダイオードとTIAを実装しておいてもよい。   In the second or third embodiment, when the photodiode and the TIA are flip-chip mounted, the photodiode and the TIA may be mounted on the internal mounting substrate in advance.

実施の形態4において、光受信モジュールに組み込まれるのはROSA100に限らず、ROSA200又は300を組み込むことも可能である。   In the fourth embodiment, the ROSA 100 or the ROSA 200 or 300 can be incorporated into the optical receiving module.

1 ステム
3 リード封止部
4、41 フォトダイオード
5、6 コンデンサ
10、40、50 内部実装用基板
12a〜12h
13、14 貫通配線
15a〜15d ソルダー部
21〜24 リード
30a〜30e ボンディングワイヤ
31 TIA実装孔
32 フォトダイオード実装孔
100、200、300、500 ROSA
400 光受信モジュール
401 レンズキャップ
402 CAN
403 レセプタクル
510 ステム
511〜514 リードピン
515 メタライズ基板
516 第1の電極
517 第2の電極
518 パッド電極
519 ダンピング抵抗
520 PD(受光素子)
523〜526 端子電極
527 メタライズ電極
528 誘電体基板
540〜543 ワイヤ
H1-H4 リード通過孔
1 Stem 3 Lead Sealing Portion 4, 41 Photodiode 5, 6 Capacitor 10, 40, 50 Internal Mounting Substrates 12a-12h
13, 14 Through wirings 15a to 15d Solder portions 21 to 24 Leads 30a to 30e Bonding wire 31 TIA mounting hole 32 Photodiode mounting hole 100, 200, 300, 500 ROSA
400 Optical receiving module 401 Lens cap 402 CAN
403 Receptacle 510 Stem 511 to 514 Lead pin 515 Metallized substrate 516 First electrode 517 Second electrode 518 Pad electrode 519 Damping resistor 520 PD (light receiving element)
523-526 Terminal electrode 527 Metallized electrode 528 Dielectric substrate 540-543 Wire H1-H4 Lead passage hole

Claims (27)

導電性を有するステムと、
前記ステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードと、
通過孔に前記電源リード及び前記出力リードを通すことにより前記電源リード及び前記出力リードが上面から突出する、誘電体からなる基板と、
前記基板上に形成され、前記電源リードと導電性材料で接合された第1の基板上配線と、
前記基板上に形成され、前記出力リードと前記導電性材料で接合された第2の基板上配線と、
前記第1の基板上配線を介して前記電源リードから電源供給され、受光した光信号を変換した電気信号を前記第2の基板上配線を介して前記出力リードに出力する受光素子と、を備える、
光受信サブアセンブリ。
A conductive stem;
A power supply lead and an output lead penetrating the stem and insulated from the stem;
A substrate made of a dielectric, in which the power supply lead and the output lead protrude from the upper surface by passing the power supply lead and the output lead through a passage hole;
A first on-substrate wiring formed on the substrate and bonded to the power supply lead with a conductive material;
A second on-substrate wiring formed on the substrate and bonded to the output lead with the conductive material;
A light receiving element that is supplied with power from the power supply lead through the first wiring on the substrate and outputs an electric signal converted from the received optical signal to the output lead through the second wiring on the substrate. ,
Optical receiver subassembly.
前記受光素子は、前記第1の基板上配線の上にフリップチップ実装されることを特徴とする、
請求項1に記載の光受信サブアセンブリ。
The light receiving element is flip-chip mounted on the first wiring on the substrate,
The optical receiver subassembly of claim 1.
前記受光素子からの前記電気信号を増幅し、増幅した電気信号を前記第2の基板上配線を介して前記出力リードに出力する増幅器を更に備えることを特徴とする、
請求項1又は2に記載の光受信サブアセンブリ。
It further comprises an amplifier that amplifies the electrical signal from the light receiving element and outputs the amplified electrical signal to the output lead via the second wiring on the substrate.
The optical receiving subassembly according to claim 1 or 2.
前記増幅器は、トランスインピーダンスアンプであることを特徴とする、
請求項3に記載の光受信サブアセンブリ。
The amplifier is a transimpedance amplifier,
The optical receiver subassembly according to claim 3.
前記増幅器は、前記第2の基板上配線の上にフリップチップ実装されることを特徴とする、
請求項3又は4に記載の光受信サブアセンブリ。
The amplifier is flip-chip mounted on the second wiring on the substrate,
The optical receiving subassembly according to claim 3 or 4.
前記基板上に形成された第3の基板上配線を更に備え、
前記受光素子及び前記増幅器が前記第3の基板上にフリップチップ実装されることにより、前記受光素子からの前記電気信号が前記増幅器に出力されることを特徴とする、
請求項3乃至5のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
A third on-substrate wiring formed on the substrate;
The electrical signal from the light receiving element is output to the amplifier by flip chip mounting the light receiving element and the amplifier on the third substrate,
The optical receiving subassembly according to any one of claims 3 to 5.
一端が前記第1の基板上配線と接続され、他端が接地されているコンデンサを更に備えることを特徴とする、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
It further comprises a capacitor having one end connected to the first wiring on the substrate and the other end grounded.
The optical receiving subassembly according to any one of claims 1 to 6.
前記基板を貫通し、前記ステムと前記コンデンサとを電気的に接続する貫通配線を更に備え、
前記ステムが接地されることにより、前記コンデンサが接地されることを特徴とする、
請求項7に記載の光受信サブアセンブリ。
Further comprising a through-wiring penetrating the substrate and electrically connecting the stem and the capacitor;
The capacitor is grounded by grounding the stem,
8. The optical receiving subassembly of claim 7.
前記基板上に形成され、前記貫通配線と前記コンデンサとを接続する第4の基板上配線を更に備えることを特徴とする、
請求項8に記載の光受信サブアセンブリ。
It further comprises a fourth on-substrate wiring that is formed on the substrate and connects the through wiring and the capacitor.
9. The optical receiver subassembly of claim 8.
前記導電性材料は、導電性ペースト又は半田からなることを特徴とする、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
The conductive material is made of a conductive paste or solder,
The optical receiving subassembly according to any one of claims 1 to 9.
前記基板は、絶縁性セラミックスからなることを特徴とする、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
The substrate is made of insulating ceramics,
The optical receiving subassembly according to any one of claims 1 to 10.
前記基板は、アルミナ又は窒化シリコンからなることを特徴とする、
請求項11に記載の光受信サブアセンブリ。
The substrate is made of alumina or silicon nitride,
The optical receiver subassembly of claim 11.
前記基板は、可塑性樹脂からなることを特徴とする、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
The substrate is made of a plastic resin,
The optical receiving subassembly according to any one of claims 1 to 10.
請求項1乃至13に記載の前記光受信サブアセンブリを含むことを特徴とする、
光受信モジュール。
Comprising the optical receiver subassembly according to claim 1.
Optical receiver module.
第1及び第2の基板上配線を、誘電体からなる基板上に形成し、
導電性を有するステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードを、前記基板上に設けられた通過孔に通すことにより、前記基板を前記ステム上に配置し、
前記電源リードを、導電性材料により前記第1の基板上配線と接合し、
前記出力リードを、前記導電性材料により前記第2の基板上配線と接合し、
受光した光信号を変換した電気信号を出力する受光素子の電源端子を前記第1の基板上配線と接続するとともに、前記受光素子の出力端子を前記第2の基板上配線と接続する、
光受信サブアセンブリの製造方法。
Forming first and second on-substrate wirings on a substrate made of a dielectric;
The substrate is disposed on the stem by passing a power supply lead and an output lead that penetrate the conductive stem and are insulated from the stem through a passage hole provided on the substrate.
The power supply lead is joined to the first wiring on the substrate by a conductive material,
Bonding the output lead to the second wiring on the substrate by the conductive material;
Connecting a power supply terminal of a light receiving element that outputs an electric signal obtained by converting a received optical signal to the first substrate wiring, and connecting an output terminal of the light receiving element to the second substrate wiring;
A method of manufacturing an optical receiver subassembly.
前記受光素子を、前記第1の基板上配線の上にフリップチップ実装することを特徴とする、
請求項15に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
The light receiving element is flip-chip mounted on the first wiring on the substrate,
The method of manufacturing an optical receiver subassembly according to claim 15.
前記受光素子からの前記電気信号を増幅し、増幅した電気信号を前記第2の基板上配線を介して出力する増幅器を、前記受光素子の前記出力端子と前記第2の基板上配線との間に接続することを特徴とする、
請求項15又は16に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
An amplifier for amplifying the electrical signal from the light receiving element and outputting the amplified electrical signal via the second substrate wiring, between the output terminal of the light receiving device and the second substrate wiring Characterized by connecting to the
The method for manufacturing an optical receiving subassembly according to claim 15 or 16.
前記増幅器は、トランスインピーダンスアンプであることを特徴とする、
請求項17に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
The amplifier is a transimpedance amplifier,
The method of manufacturing an optical receiving subassembly according to claim 17.
前記増幅器を、前記第2の基板上配線の上にフリップチップ実装することを特徴とする、
請求項17又は18に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
The amplifier is flip-chip mounted on the second wiring on the substrate,
The method for manufacturing an optical receiver subassembly according to claim 17 or 18.
第3の基板上配線を、前記第1及び前記第2の配線とともに形成し、
前記受光素子及び前記増幅器を、前記第3の基板上にフリップチップ実装することにより、前記受光素子からの前記電気信号が前記増幅器に出力されることを特徴とする、
請求項19に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
Forming a third wiring on the substrate together with the first and second wirings;
The electrical signal from the light receiving element is output to the amplifier by flip chip mounting the light receiving element and the amplifier on the third substrate.
The method of manufacturing an optical receiver subassembly according to claim 19.
コンデンサの一端を、前記第1の基板上配線と接続し、
前記コンデンサの他端を接地することを特徴とする、
請求項15乃至20のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
One end of the capacitor is connected to the first wiring on the substrate,
The other end of the capacitor is grounded,
21. A method of manufacturing an optical receiver subassembly according to any one of claims 15 to 20.
前記ステムと前記コンデンサとを電気的に接続する貫通配線を、前記基板を貫通して形成することを特徴とする、
請求項21に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
A through wiring that electrically connects the stem and the capacitor is formed through the substrate,
The method of manufacturing an optical receiver subassembly according to claim 21.
前記貫通配線と前記コンデンサとを接続する第4の基板上配線を、前記基板上に形成することを特徴とする、
請求項22に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
A fourth on-substrate wiring connecting the through wiring and the capacitor is formed on the substrate;
23. A method of manufacturing an optical receiver subassembly according to claim 22.
前記導電性材料は、導電性ペースト又は半田からなることを特徴とする、
請求項15乃至23のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
The conductive material is made of a conductive paste or solder,
24. A method of manufacturing an optical receiver subassembly according to any one of claims 15 to 23.
前記基板は、絶縁性セラミックスからなることを特徴とする、
請求項15乃至24のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
The substrate is made of insulating ceramics,
The method for manufacturing an optical receiving subassembly according to any one of claims 15 to 24.
前記基板は、アルミナ又は窒化シリコンからなることを特徴とする、
請求項25に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
The substrate is made of alumina or silicon nitride,
26. A method of manufacturing an optical receiver subassembly according to claim 25.
前記基板は、可塑性樹脂からなることを特徴とする、
請求項15乃至24のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
The substrate is made of a plastic resin,
The method for manufacturing an optical receiving subassembly according to any one of claims 15 to 24.
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