JP2012114158A - Imprinting method and imprinting apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce impacts on a template and a resist pattern as much as possible during mold release.SOLUTION: An imprinting method, which applies a first curable resin material to a substrate to be processed and transfers a semiconductor integrated circuit pattern created in the template onto the substrate to be processed applied with the first curable resin material, is characterized by comprising a step of applying a second curable resin material having releasability higher than that of the first curable resin material, to at least a part of the outer periphery of a region in which a pattern is to be formed by one-time transfer.

Description

本発明の実施形態は、インプリント方法およびインプリント装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to an imprint method and an imprint apparatus.

半導体集積回路の製造技術としてナノインプリント・リソグラフィ技術（以下、単にナノインプリンティング）が知られている。ナノインプリンティングは、半導体集積回路のパターンが形成されたテンプレートを半導体ウェハに塗布されたレジストにプレスすることによって当該テンプレートに形成されているパターンをレジストに転写する技術である。   A nanoimprint lithography technique (hereinafter simply referred to as nanoimprinting) is known as a technique for manufacturing a semiconductor integrated circuit. Nanoimprinting is a technique for transferring a pattern formed on a template to the resist by pressing the template on which the pattern of the semiconductor integrated circuit is formed onto the resist applied to the semiconductor wafer.

特開２０１０−１０３４６４号公報JP 2010-103464 A 特開２００８−９１８６５号公報JP 2008-91865 A

本発明の一つの実施形態は、離型時のテンプレートおよびレジストパターンへの衝撃を可及的に低減したインプリント方法およびインプリント装置を提供することを目的とする。   An object of one embodiment of the present invention is to provide an imprint method and an imprint apparatus in which impact on a template and a resist pattern at the time of mold release is reduced as much as possible.

本発明の一つの実施形態によれば、第１の硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、前記第１の硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写するインプリント方法であって、１回の転写によりパターンが形成される領域のうちの外周部のうちの少なくとも一部に前記第１の硬化性樹脂材料よりも離型性が高い第２の硬化性樹脂材料を塗布するステップを備える、ことを特徴とする。   According to one embodiment of the present invention, a semiconductor integrated circuit prepared by applying a first curable resin material to a substrate to be processed and forming a template on the substrate to be processed to which the first curable resin material has been applied. An imprint method for transferring a circuit pattern, wherein at least a part of an outer peripheral portion of a region in which a pattern is formed by one transfer is more releasable than the first curable resin material. Applying a high second curable resin material.

図１−１は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。FIG. 1-1 is a diagram for explaining a transfer process by nanoimprinting. 図１−２は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。FIG. 1-2 is a diagram for explaining a transfer process by nanoimprinting. 図１−３は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。FIG. 1-3 is a diagram for explaining a transfer process by nanoimprinting. 図１−４は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。FIG. 1-4 is a diagram illustrating a transfer process by nanoimprinting. 図２は、本発明の第１の実施の形態のインプリント装置の構成を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the imprint apparatus according to the first embodiment of this invention. 図３は、２種類のレジスト材料の塗布例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an application example of two types of resist materials. 図４は、制御部の構成例を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of the control unit. 図５は、第１ドロップレシピによる滴下例を説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining an example of dropping by the first drop recipe. 図６は、第２ドロップレシピによる滴下例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of dropping by the second drop recipe. 図７は、本発明の第１の実施形態のインプリント方法を説明するフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating the imprint method according to the first embodiment of this invention. 図８は、形成されるパターン群の一例を説明する図である。FIG. 8 is a diagram for explaining an example of a pattern group to be formed. 図９は、第２ドロップレシピによる滴下例を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an example of dropping by the second drop recipe. 図１０は、第２の実施形態の制御部の構成例を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of a control unit according to the second embodiment. 図１１は、第２の実施形態のインプリント方法を説明するフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart illustrating an imprint method according to the second embodiment.

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるインプリント方法およびインプリント装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。   Hereinafter, an imprint method and an imprint apparatus according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the present invention is not limited to these embodiments.

（第１の実施形態）
まず、ナノプリンティングによる一般的な転写工程について説明する。図１−１〜図１−４は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。なお、ここでは一例として、紫外線照射によりレジスト（光硬化性樹脂材料）を硬化させる光ナノインプリントについて説明するが、本実施形態は加熱によりレジスト（熱硬化性樹脂材料）を硬化させる熱ナノインプリンティングにも適用できる。 (First embodiment)
First, a general transfer process by nanoprinting will be described. FIGS. 1-1 to 1-4 are diagrams illustrating a transfer process by nanoimprinting. Here, as an example, optical nanoimprint in which a resist (photocurable resin material) is cured by ultraviolet irradiation will be described, but this embodiment is applied to thermal nanoimprinting in which a resist (thermosetting resin material) is cured by heating. Is also applicable.

転写工程では、まず、図１−１に示すように、加工対象のウェハ１００（被処理基板の一例）にレジスト材料１０１（硬化性樹脂材料の一例）が塗布される。インプリント装置には、ウェハ１００に対して平行に２次元的に駆動されるレジスト材料１０１を吐出するノズルを有し、レジスト材料の塗布量分布を定義したドロップレシピに基づいてレジスト材料１０１の塗布量を局所的に変化させることができるタイプのものがある。ドロップレシピは、デザインパターン（あるいはレジストパターンやテンプレートパターンでもよい）の設計データ（パターンデータ）に基づいて作成される。ドロップレシピは、レジストパターンの密度が高い部分には塗布量を多くし、レジストパターンの密度が低い部分には塗布量を少なくするように定義される。図１−１では、このようなタイプのインプリント装置により、テンプレート１０２の凹部に対応する位置にレジスト材料１０１の液滴が滴下されている。   In the transfer step, first, as shown in FIG. 1-1, a resist material 101 (an example of a curable resin material) is applied to a wafer 100 (an example of a substrate to be processed) to be processed. The imprint apparatus has a nozzle that discharges a resist material 101 that is driven two-dimensionally in parallel to the wafer 100, and applies the resist material 101 based on a drop recipe that defines the distribution of the resist material application amount. There are types that can vary the amount locally. The drop recipe is created based on design data (pattern data) of a design pattern (or a resist pattern or a template pattern). The drop recipe is defined to increase the coating amount in a portion where the resist pattern density is high and to decrease the coating amount in a portion where the resist pattern density is low. In FIG. 1, a droplet of the resist material 101 is dropped at a position corresponding to the concave portion of the template 102 by such an imprint apparatus.

続いて、レジスト材料１０１が塗布されたウェハ１００にテンプレート１０２がプレスされる。すると、レジスト材料１０１は毛細管現象によりテンプレート１０２に形成されているテンプレートパターンの凹部に入り込む。レジスト材料１０１がテンプレートパターンに充分に入り込んだ後、図１−２に示すようにテンプレート１０２の上方から紫外線が照射される。テンプレート１０２は、石英などの紫外線（ＵＶ光）を透過する材質で構成されており、テンプレート１０２の上方から照射されたＵＶ光はテンプレート１０２を透過してレジスト材料１０１に照射される。レジスト材料１０１はＵＶ光照射により硬化する。   Subsequently, the template 102 is pressed onto the wafer 100 coated with the resist material 101. Then, the resist material 101 enters the recess of the template pattern formed on the template 102 by capillary action. After the resist material 101 has sufficiently entered the template pattern, ultraviolet rays are irradiated from above the template 102 as shown in FIG. The template 102 is made of a material that transmits ultraviolet light (UV light) such as quartz, and the UV light irradiated from above the template 102 passes through the template 102 and is irradiated onto the resist material 101. The resist material 101 is cured by UV light irradiation.

レジスト材料１０１の硬化後、テンプレート１０２が離型され、図１−３に示すように、ウェハ１００上に硬化したレジスト材料１０１によるレジストパターンが形成される。ここで、テンプレート１０２は、硬化したレジスト材料１０１に強い力で付着している。したがって、テンプレート１０２の離型時に、テンプレート１０２とレジスト材料１０１と接着面を作用面として両者の間に引っ張り応力をかけていくと、テンプレート１０２に引っ張られたレジスト材料１０１が引っ張り応力に応じて弾性変形する。そして、引っ張り応力が付着力を越えた瞬間にテンプレート１０２がレジスト材料１０１から一気に剥がれる。このとき、レジスト材料１０１によるパターンは、テンプレート１０２が剥がれたときの衝撃で破損して欠陥が生じることがある。また、テンプレート１０２は、離型時の衝撃で破損することがある。   After the resist material 101 is cured, the template 102 is released, and a resist pattern made of the cured resist material 101 is formed on the wafer 100 as shown in FIG. Here, the template 102 adheres to the cured resist material 101 with a strong force. Therefore, when the template 102 is released, if a tensile stress is applied between the template 102, the resist material 101, and the bonding surface as the working surfaces, the resist material 101 pulled on the template 102 is elastic according to the tensile stress. Deform. The template 102 is peeled off from the resist material 101 at a moment when the tensile stress exceeds the adhesive force. At this time, the pattern of the resist material 101 may be damaged due to an impact when the template 102 is peeled off. Further, the template 102 may be damaged by an impact at the time of release.

そこで、本発明の第１の実施形態では、１ショットで形成されるレジストパターンについて、外周に沿った部分のうちの少なくとも一箇所に、その他の部位に用いるレジスト材料（第１の硬化性樹脂材料）よりも離型性の高いレジスト材料（第２の硬化性樹脂材料）を塗布することによって、全面が一度に離型するのではなく、部位によって離型のタイミングがずれるようにした。離型性の高いレジスト材料を塗布する部分を外周部としたのは、通常、テンプレートは、パターンが形成されている部分の外側がテンプレート保持機構により保持される構造となっているため、周辺部から離型するようにしたほうが離型時にテンプレートにかかる応力を軽減することができるからである。例えば、テンプレート１０２の外周に沿った部分の全部に離型性が高いレジスト材料を使用すると、図１−４に示すように、離型時にテンプレートが撓むことによって外周部から内側に向けてタイミングをずらして離型される。   Therefore, in the first embodiment of the present invention, a resist pattern (first curable resin material) used for other parts in at least one part of the part along the outer periphery of the resist pattern formed in one shot. By applying a resist material (second curable resin material) having a higher releasability than the above, the entire surface is not released at once, but the release timing is shifted depending on the part. The reason why the part to which the resist material having high releasability is applied is the outer peripheral part is that the template is usually structured such that the outside of the part where the pattern is formed is held by the template holding mechanism. This is because the stress applied to the template at the time of mold release can be reduced by releasing from the mold. For example, when a resist material having a high releasability is used for the entire portion along the outer periphery of the template 102, as shown in FIG. The mold is released after shifting.

図２は、本発明の第１の実施の形態のインプリント装置の構成を説明する図である。図示するように、インプリント装置１は、インプリント部２とインプリント部２の制御を行う制御部３とを備えて構成される。   FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the imprint apparatus according to the first embodiment of this invention. As illustrated, the imprint apparatus 1 includes an imprint unit 2 and a control unit 3 that controls the imprint unit 2.

インプリント部２においては、ウェハ１００を保持するウェハチャック１６５、ウェハチャック１６５を載置する可動式のウェハステージ１６６、テンプレート１０２、テンプレート保持機構１６９、レジスト材料塗布手段１６３、加圧装置１６４、ＵＶ光源１６７、などが同一チャンバー１６２内に配置されている。さらに、チャンバー１６２をステージ定盤１６８及び除振台１７０が支えている。   In the imprint unit 2, a wafer chuck 165 that holds the wafer 100, a movable wafer stage 166 on which the wafer chuck 165 is placed, a template 102, a template holding mechanism 169, a resist material application unit 163, a pressure device 164, UV A light source 167 and the like are disposed in the same chamber 162. Further, the chamber 162 is supported by a stage surface plate 168 and a vibration isolation table 170.

ウェハ１００はチャンバー１６２内のウェハチャック１６５上に載置される。テンプレート保持機構１６９は、テンプレート１０２を保持する。テンプレート保持機構１６９とテンプレート１０２との間は密閉状態の空間が設けられており、押印時に、加圧装置１６４は当該空間を加圧することによってテンプレート１０２の中央部をテンプレート１０２の直下に保持されているウェハ１００からみて膨らんだ状態にすることができるようになっている。ウェハステージ１６６は、ウェハ１００をレジスト材料塗布手段１６３の下に移動させる。レジスト材料塗布手段１６３は、レジスト材料をインクジェット方式でウェハ１００上に塗布する。インプリント部２のインプリント機構はステップ＆リピート方式、即ち、１ショット分インプリントするとウェハ１００を移動させる方式であるので、レジスト材料塗布手段１６３は、１ショット分のレジスト材料を塗布する。   The wafer 100 is placed on a wafer chuck 165 in the chamber 162. The template holding mechanism 169 holds the template 102. A sealed space is provided between the template holding mechanism 169 and the template 102. At the time of stamping, the pressing device 164 presses the space to hold the central portion of the template 102 directly below the template 102. The wafer 100 can be swollen when viewed from the wafer 100. The wafer stage 166 moves the wafer 100 under the resist material application unit 163. The resist material application unit 163 applies a resist material onto the wafer 100 by an inkjet method. Since the imprint mechanism of the imprint unit 2 is a step and repeat method, that is, a method of moving the wafer 100 when imprinting for one shot, the resist material application unit 163 applies a resist material for one shot.

ここで、レジスト材料塗布手段１６３は、２種類のレジスト材料を滴下する機構を備えている。そのうちの１種類のレジスト材料は１ショット中の欠陥数ができるだけ少なくなるように組成が調整された第１レジスト材料（第１の硬化性樹脂材料）であり、他の種類のレジスト材料は第１レジスト材料よりも離型性の高い第２レジスト材料（第２の硬化性樹脂材料）である。欠陥数に影響を与えるレジスト材料にかかる性質として、収縮率、弾性力、基材密着力、帯電性、耐溶剤性、フッ素含有率などがある。これらの性質は、どれか１つの性質を向上させると他の性質が劣化するという関係を有しているものがあり、全ての性質について最も望ましい組成とすることはできない。したがって、第１レジスト材料の組成は、例えば組成を変えてインプリント対象のテンプレートを用いてインプリントが行われ、その中で最も成績がよかった組成が選択される。第２レジスト材料の組成は、例えば第１レジスト材料よりも収縮率が大きい組成が選択される。   Here, the resist material application unit 163 includes a mechanism for dropping two types of resist materials. One of the resist materials is a first resist material (first curable resin material) whose composition is adjusted so that the number of defects in one shot is as small as possible, and the other types of resist materials are the first resist materials. This is a second resist material (second curable resin material) having a higher releasability than the resist material. Properties of the resist material that affect the number of defects include shrinkage rate, elastic force, substrate adhesion, chargeability, solvent resistance, and fluorine content. Some of these properties have a relationship that when one of the properties is improved, the other properties deteriorate, and the most desirable composition cannot be obtained for all the properties. Therefore, the composition of the first resist material is imprinted using, for example, a template to be imprinted by changing the composition, and the composition having the best result is selected. As the composition of the second resist material, for example, a composition having a shrinkage rate larger than that of the first resist material is selected.

レジスト材料塗布手段１６３は、具体的には、第１レジスト材料を滴下するためのノズルと第２レジスト材料を滴下するためのノズルとを備えて構成される。図３は、レジスト材料塗布手段１６３による２種類のレジスト材料の塗布例を示す図である。図３に示すように、レジスト材料塗布手段１６３は、第１レジスト材料を塗布するノズル１６３−１と第２レジスト材料を塗布するノズル１６３−２を備えている。ウェハ１００上の１ショット分の滴下領域１０４には、ノズル１６３−１により第１レジスト材料１０１−１が塗布され、ノズル１６３−２により第２レジスト材料１０１−２が塗布されている。ここでは、１ショットの滴下領域１０４のうちの四隅に第２レジスト材料１０１−２が塗布され、滴下領域１０４内の他の領域は第１レジスト材料１０１−１が塗布されている。なお、レジスト材料塗布手段１６３は、第１レジスト材料と第２レジスト材料とでノズルを共用し、ノズルに供給するレジスト材料を切り替え可能に構成することで２種類のレジスト材料を塗布可能に構成したものであってもよい。   Specifically, the resist material application unit 163 includes a nozzle for dropping the first resist material and a nozzle for dropping the second resist material. FIG. 3 is a view showing an application example of two types of resist materials by the resist material application unit 163. As shown in FIG. 3, the resist material applying unit 163 includes a nozzle 163-1 for applying a first resist material and a nozzle 163-2 for applying a second resist material. The first resist material 101-1 is applied to the dropping region 104 for one shot on the wafer 100 by the nozzle 163-1, and the second resist material 101-2 is applied by the nozzle 163-2. Here, the second resist material 101-2 is applied to the four corners of the dropping region 104 of one shot, and the first resist material 101-1 is applied to the other regions in the dropping region 104. The resist material application unit 163 is configured to be able to apply two types of resist materials by sharing the nozzle between the first resist material and the second resist material and switching the resist material supplied to the nozzle. It may be a thing.

レジスト材料の塗布後、テンプレート保持機構１６９はウェハ１００のレジスト材料が塗布された部位の直上からテンプレート１０２をレジスト材料に押印し、ＵＶ光源１６７はテンプレート１０２を介してＵＶ光をレジスト材料に照射する。レジスト材料の硬化後、テンプレート保持機構１６９はテンプレート１０２を真上に引き上げて、テンプレート１０２がレジスト材料から離型される。   After applying the resist material, the template holding mechanism 169 impresses the template 102 on the resist material from directly above the portion of the wafer 100 where the resist material is applied, and the UV light source 167 irradiates the resist material with UV light via the template 102. . After the resist material is cured, the template holding mechanism 169 pulls the template 102 directly upward, and the template 102 is released from the resist material.

制御部３は、第１レジスト材料のみの使用を前提として作成されたドロップレシピから、第１および第２レジスト材料を使用するためのドロップレシピを作成する。   The control unit 3 creates a drop recipe for using the first and second resist materials from a drop recipe created on the assumption that only the first resist material is used.

図４は、制御部３の構成例を説明する図である。図示するように、制御部３は、ＣＰＵ３１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）３２、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）３３、外部記憶装置３４、入力部３５、および出力部３６を備え、通常のコンピュータと同様の構成を備えている。ＣＰＵ３１、ＲＡＭ３２、ＲＯＭ３３、外部記憶装置３４、入力部３５、および出力部３６はバスラインを介して夫々接続されている。   FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of the control unit 3. As illustrated, the control unit 3 includes a CPU 31, a RAM (Random Access Memory) 32, a ROM (Read Only Memory) 33, an external storage device 34, an input unit 35, and an output unit 36, and is similar to a normal computer. It has a configuration. The CPU 31, RAM 32, ROM 33, external storage device 34, input unit 35, and output unit 36 are connected to each other via a bus line.

ＣＰＵ３１は、インプリント部２を制御するためのコンピュータプログラムであるインプリント装置制御プログラム４２を実行する。入力部３５は、マウスやキーボードを備えて構成され、オペレータからのインプリント装置１にかかる操作が入力される。入力部３５へ入力された操作情報は、ＣＰＵ３１へ送られる。   The CPU 31 executes an imprint apparatus control program 42 that is a computer program for controlling the imprint unit 2. The input unit 35 includes a mouse and a keyboard, and inputs an operation on the imprint apparatus 1 from an operator. The operation information input to the input unit 35 is sent to the CPU 31.

外部記憶装置３４は、例えばハードディスクドライブなどにより構成され、インプリント部２でレジスト材料塗布手段１６３がレジスト材料を塗布するためのドロップレシピ（第１ドロップレシピ４１）を記憶している。第１ドロップレシピ４１は、第１レジスト材料の使用のみの使用を前提として作成されたドロップレシピであり、一般的な方法により作成されたものである。例えば、設計データからパターンの密度の分布が求められ、求めた密度に応じて滴下位置および滴下量が算出されて第１ドロップレシピ４１が作成される。   The external storage device 34 is constituted by a hard disk drive, for example, and stores a drop recipe (first drop recipe 41) for the resist material application unit 163 to apply the resist material in the imprint unit 2. The first drop recipe 41 is a drop recipe created on the premise that only the first resist material is used, and is created by a general method. For example, the distribution of the pattern density is obtained from the design data, the dropping position and the dropping amount are calculated according to the obtained density, and the first drop recipe 41 is created.

インプリント装置制御プログラム４２は、ＲＯＭ３３や外部記憶装置３４内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ３２へロードされる。ＣＰＵ３１はＲＡＭ３２内にロードされたインプリント装置制御プログラム４２を実行する。ＣＰＵ３１は、ＲＡＭ３２に展開されたインプリント装置制御プログラム４２を実行することによって、外部記憶装置３４に格納されている第１ドロップレシピ４１を読み出して、２つのレジスト材料を使用する第２ドロップレシピ４３を生成する。すなわち、第２ドロップレシピによれば、液滴の滴下位置毎に第１レジスト材料を用いるか、または第２レジスト材料を用いるかが定義されている。   The imprint apparatus control program 42 is stored in the ROM 33 or the external storage device 34 and is loaded into the RAM 32 via the bus line. The CPU 31 executes an imprint apparatus control program 42 loaded in the RAM 32. The CPU 31 reads out the first drop recipe 41 stored in the external storage device 34 by executing the imprint apparatus control program 42 developed in the RAM 32, and uses the second drop recipe 43 that uses two resist materials. Is generated. That is, according to the second drop recipe, it is defined whether to use the first resist material or the second resist material for each droplet dropping position.

図５は、第１ドロップレシピ４１による滴下例を説明する図である。図示するように、第１ドロップレシピ４１によれば、１ショット分の滴下領域１０４には、第１レジスト材料１０１−１のみを用いてレジスト材料の塗布が行われる。第２ドロップレシピ４３によると、図３に示したように第１レジスト材料１０１−１および第２レジスト材料１０１−２を用いてレジスト材料の塗布が行われる。なお、本発明の第１の実施形態では、第２ドロップレシピ４３は、１ショット分の滴下領域のうちの外周部のすくなくとも一部に第２レジスト材料が滴下されるように設定されていればよい。例えば図６に示すように、第２レジスト材料１０１−２を滴下領域１０４の四隅のみならず内側に所望のように滴下するようにしてもよい。   FIG. 5 is a diagram for explaining an example of dropping by the first drop recipe 41. As shown in the figure, according to the first drop recipe 41, the resist material is applied to the dropping region 104 for one shot using only the first resist material 101-1. According to the second drop recipe 43, the resist material is applied using the first resist material 101-1 and the second resist material 101-2 as shown in FIG. In the first embodiment of the present invention, if the second drop recipe 43 is set so that the second resist material is dropped on at least a part of the outer peripheral portion of the dropping region for one shot. Good. For example, as shown in FIG. 6, the second resist material 101-2 may be dropped not only at the four corners of the dropping region 104 but also inside as desired.

生成された第２ドロップレシピ４３は例えばＲＡＭ３２上に置かれる。ＣＰＵ３１は、第２ドロップレシピ４３を使用してレジスト材料塗布手段１６３を駆動制御して２種類のレジスト材料をウェハ１００上に塗布する。   The generated second drop recipe 43 is placed on the RAM 32, for example. The CPU 31 uses the second drop recipe 43 to drive and control the resist material application unit 163 to apply two types of resist materials onto the wafer 100.

出力部３６は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ３１からの指示に基づいて、操作画面などオペレータに対する出力情報を表示する。   The output unit 36 is a display device such as a liquid crystal monitor, and displays output information for the operator such as an operation screen based on an instruction from the CPU 31.

なお、制御部３で実行されるインプリント装置制御プログラム４２を、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供または配布するように構成しても良い。また、インプリント装置制御プログラム４２をインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。また、ＲＯＭ３３や外部記憶装置３４等に予め組み込んで制御部３に提供するように構成してもよい。また、インプリント装置制御プログラム４２を、ＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体に記録して提供または配布するように構成してもよい。   The imprint apparatus control program 42 executed by the control unit 3 may be stored on a computer connected to a network such as the Internet and provided or distributed by being downloaded via the network. Further, the imprint apparatus control program 42 may be provided or distributed via a network such as the Internet. Further, it may be configured to be preliminarily incorporated in the ROM 33, the external storage device 34, etc. and provided to the control unit 3. The imprint apparatus control program 42 may be configured to be provided or distributed by being recorded on a recording medium such as a CD-ROM.

図７は、本発明の第１の実施形態のインプリント装置１を用いて実行されるインプリント方法を説明するフローチャートである。図示するように、まず、ＣＰＵ３１は、外部記憶装置３４から第１ドロップレシピ４１を読み出す（ステップＳ１）。そして、ＣＰＵ３１は、読み出した第１ドロップレシピ４１における所定位置に滴下するレジスト材料を第２レジスト材料とした第２ドロップレシピ４３を生成する（ステップＳ２）。そして、ＣＰＵ３１は、生成した第２ドロップレシピ４３を用いて転写工程を実行し（ステップＳ３）、動作終了となる。   FIG. 7 is a flowchart illustrating an imprint method executed using the imprint apparatus 1 according to the first embodiment of this invention. As shown in the figure, first, the CPU 31 reads the first drop recipe 41 from the external storage device 34 (step S1). And CPU31 produces | generates the 2nd drop recipe 43 which used as a 2nd resist material the resist material dripped at the predetermined position in the read 1st drop recipe 41 (step S2). Then, the CPU 31 executes a transfer process using the generated second drop recipe 43 (step S3), and the operation ends.

このように、本発明の第１の実施形態によれば、１回の転写によりパターンが形成される滴下領域１０４のうちの外周部のうちの少なくとも一部に離型性が高い第２レジスト材料を塗布するようにしたので、滴下領域１０４の外周部の第２レジスト材料を塗布した部分から離型され、全面が一度に離型することを防止することができるので、離型時のテンプレートおよびレジストパターンへの衝撃を可及的に低減することができる。   As described above, according to the first embodiment of the present invention, the second resist material having high releasability in at least a part of the outer peripheral portion of the dropping region 104 where the pattern is formed by one transfer. Is applied to the outer peripheral portion of the dropping region 104, and it is possible to prevent the entire surface from being released at once. The impact on the resist pattern can be reduced as much as possible.

（第２の実施形態）
ラインアンドスペースのように、異方性の強いパターンが一方向に偏向して配列されているパターン群を形成する場合、ラインの伸びる向き（すなわち偏向方向）に沿った方向に離型を行うと、偏向方向と直交する方向に離型を行う場合に比べて生じる欠陥数を少なくすることができる。例えば図８に示すウェハ上の領域１０６には、ｙ軸方向に伸びるライン状のパターン１０５−１、１０５−２と、ライン状のパターンに短いラインが直交して接続されたパターン１０５−３とが形成されている。このようなパターン群の偏向方向はｙ方向となる。このようなパターン群では、ｙ軸方向に徐々に離型されるようにすると欠陥数を少なくすることができる。そのためには、例えば図９に示すように、滴下領域１０４の下部にｘ軸に平行となるように第２レジスト材料１０１−２を滴下するとよい。第２の実施形態によれば、異方性が強いパターンが偏向して配列されているパターン群を含む場合において、欠陥をできるだけ少なくなる第２レジスト材料の滴下位置を決定する。 (Second Embodiment)
When forming a pattern group in which patterns with strong anisotropy are deflected and arranged in one direction, such as line and space, if mold release is performed in a direction along the direction in which the line extends (ie, the deflection direction) Thus, the number of defects generated can be reduced as compared with the case where mold release is performed in a direction orthogonal to the deflection direction. For example, in the region 106 on the wafer shown in FIG. 8, line-shaped patterns 105-1 and 105-2 extending in the y-axis direction, and a pattern 105-3 in which short lines are orthogonally connected to the line-shaped pattern, Is formed. The deflection direction of such a pattern group is the y direction. In such a pattern group, the number of defects can be reduced by gradually releasing in the y-axis direction. For this purpose, for example, as shown in FIG. 9, the second resist material 101-2 may be dropped below the dropping region 104 so as to be parallel to the x-axis. According to the second embodiment, in the case of including a pattern group in which patterns having strong anisotropy are deflected and arranged, the dropping position of the second resist material that minimizes defects is determined.

図１０は、第２の実施形態の制御部の構成例を説明する図である。図示するように、第２の実施形態の制御部３は、第１の実施形態に比して外部記憶装置３４に第１ドロップレシピのほかに設計データ４４が予め格納されている点が異なる。   FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of a control unit according to the second embodiment. As shown in the drawing, the control unit 3 of the second embodiment is different from the first embodiment in that design data 44 is stored in advance in the external storage device 34 in addition to the first drop recipe.

図１１は、第２の実施形態のインプリント方法を説明するフローチャートである。図示するように、まず、ＣＰＵ３１は、外部記憶装置３４から第１ドロップレシピ４１および設計データを読み出す（ステップＳ１１）。そして、ＣＰＵ３１は、読み出した設計データから、パターンのＸ成分およびＹ成分を算出する。例えば図８に示すパターン群の場合、Ｘ成分は（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）、Ｙ成分は（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３）となる。図８のようにｙ軸に平行にラインが並ぶラインアンドスペースの場合はＸ成分よりもＹ成分のほうが圧倒的に大きな値となる。   FIG. 11 is a flowchart illustrating an imprint method according to the second embodiment. As shown in the figure, first, the CPU 31 reads the first drop recipe 41 and the design data from the external storage device 34 (step S11). Then, the CPU 31 calculates the X component and Y component of the pattern from the read design data. For example, in the case of the pattern group shown in FIG. 8, the X component is (x1 + x2 + x3 + x4) and the Y component is (y1 + y2 + y3). In the case of line and space in which lines are arranged in parallel to the y-axis as shown in FIG. 8, the Y component is overwhelmingly larger than the X component.

続いて、ＣＰＵ３１は、滴下領域１０４の外周部のうち、算出した成分が大きい軸方向を偏向方向とし、この偏向方向に直交する辺に接する領域を第２レジスト材料を滴下する領域に決定し、第２ドロップレシピ４３を生成する（ステップＳ１３）。例えば図８のパターン群によれば、Ｙ軸の成分がＸ軸の成分よりも大きいので、ｙ方向が偏向となる。その結果、図９に示すように第２レジスト材料１０１−２を滴下する領域が決定される。なお、図９では、滴下領域１０４の周辺部のうちの紙面下部の辺に接する領域のみ第２レジスト材料１０１−２を滴下するものとしているが、紙面上部の辺に接する領域に滴下するものとしてもよい。また、紙面上部と下部との両方に滴下するようにしてもよい。   Subsequently, the CPU 31 determines, in the outer peripheral portion of the dropping region 104, an axial direction in which the calculated component is large as a deflection direction, and determines a region in contact with a side perpendicular to the deflection direction as a region where the second resist material is dropped. A second drop recipe 43 is generated (step S13). For example, according to the pattern group of FIG. 8, since the Y-axis component is larger than the X-axis component, the y direction is deflected. As a result, a region where the second resist material 101-2 is dropped is determined as shown in FIG. In FIG. 9, the second resist material 101-2 is dropped only in the area in contact with the lower side of the paper in the peripheral part of the dropping area 104, but is dropped in the area in contact with the upper side of the paper. Also good. Further, it may be dropped on both the upper part and the lower part of the page.

ステップＳ１３の後、ＣＰＵ３１は生成した第２ドロップレシピ４３に基づいて転写工程を実行し（ステップＳ１４）、動作終了となる。   After step S13, the CPU 31 executes a transfer process based on the generated second drop recipe 43 (step S14), and the operation ends.

このように、本発明の第２の実施形態によれば、１回の転写により形成されるパターン群にかかる偏向方向を求め（ステップＳ１２）、滴下領域１０４の外周部のうちの偏向方向に直交する辺に接する領域を第２レジスト材料を塗布する領域に決定する（ステップＳ１３）ようにしたので、転写対象のパターンがラインアンドスペースのように異方性が強い形状が一方向に偏向して複数配置されているようなパターン群を含んでいる場合に、形成されるレジストパターンに発生する欠陥数を低減することができる。   As described above, according to the second embodiment of the present invention, the deflection direction applied to the pattern group formed by one transfer is obtained (step S12), and is orthogonal to the deflection direction in the outer peripheral portion of the dropping region 104. Since the region in contact with the side to be applied is determined as the region to which the second resist material is applied (step S13), the pattern to be transferred has a highly anisotropic shape such as a line and space and is deflected in one direction. When a plurality of pattern groups are arranged, the number of defects generated in the formed resist pattern can be reduced.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１ インプリント装置、２ インプリント部、３ 制御部、４１ 第１ドロップレシピ、４２ インプリント装置制御プログラム、４３ 第２ドロップレシピ、４４ 設計データ、１００ ウェハ、１０１ レジスト材料、１０１−１ 第１レジスト材料、１０１−２ 第２レジスト材料、１０２ テンプレート、１０４ 滴下領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Imprint apparatus, 2 Imprint part, 3 Control part, 41 1st drop recipe, 42 Imprint apparatus control program, 43 2nd drop recipe, 44 Design data, 100 Wafer, 101 Resist material, 101-1 1st resist Material, 101-2 Second resist material, 102 Template, 104 Drip region.

Claims (6)

第１の硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、前記第１の硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写するインプリント方法であって、
１回の転写によりパターンが形成される領域のうちの外周部のうちの少なくとも一部に前記第１の硬化性樹脂材料よりも離型性が高い第２の硬化性樹脂材料を塗布するステップを備える、
ことを特徴とするインプリント方法。 In this imprint method, a first curable resin material is applied to a substrate to be processed, and a pattern of a semiconductor integrated circuit formed on a template is transferred to the substrate to be processed to which the first curable resin material is applied. And
Applying a second curable resin material having a higher releasability than the first curable resin material to at least a part of an outer peripheral portion of a region where a pattern is formed by one transfer. Prepare
An imprint method characterized by the above. １回の転写により形成されるパターン群の偏向方向を求めるステップと、
前記外周部のうちの前記求めた偏向方向に直交する辺に接する領域を前記第２の硬化性樹脂材料を塗布する領域に決定するステップと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。 Obtaining a deflection direction of a pattern group formed by one transfer;
Determining a region in contact with a side perpendicular to the obtained deflection direction in the outer peripheral portion as a region to which the second curable resin material is applied;
The imprint method according to claim 1, further comprising: 前記偏向方向を求めるステップにおいて、
前記１回の転写により形成されるパターン群が含むパターンのＸ成分の合計とＹ成分の合計とを求め、合計の値が多い方向を偏向方向とする、
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。 In the step of determining the deflection direction,
The total of the X component and the total of the Y component of the pattern included in the pattern group formed by the one-time transfer is obtained, and the direction in which the total value is large is set as the deflection direction.
The imprint method according to claim 2, wherein: 第１の硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、前記第１の硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写するインプリント装置であって、
１回の転写によりパターンが形成される領域のうちの外周部のうちの少なくとも一部に前記第１の硬化性樹脂材料よりも離型性が高い第２の硬化性樹脂材料を塗布する、
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that applies a first curable resin material to a substrate to be processed and transfers a pattern of a semiconductor integrated circuit formed on a template to the substrate to be processed to which the first curable resin material is applied. And
Applying a second curable resin material having higher releasability than the first curable resin material to at least a part of an outer peripheral portion of a region where a pattern is formed by one transfer;
An imprint apparatus characterized by that. １回の転写により形成されるパターン群の偏向方向を求め、前記外周部のうちの前記求めた偏向方向に直交する辺に接する領域を前記第２の硬化性樹脂材料を塗布する領域に決定する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。   A deflection direction of a pattern group formed by one transfer is obtained, and a region in contact with a side perpendicular to the obtained deflection direction in the outer peripheral portion is determined as a region to which the second curable resin material is applied. The imprint apparatus according to claim 4, further comprising a control unit. 前記制御部は、前記１回の転写により形成されるパターン群が含むパターンのＸ成分の合計とＹ成分の合計とを求め、合計の値が多い方向を偏向方向とする、
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。 The control unit obtains the sum of the X components and the sum of the Y components of the patterns included in the pattern group formed by the single transfer, and sets the direction in which the total value is large as the deflection direction.
The imprint apparatus according to claim 5.
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