JP2012086345A - Mems device, its manufacturing method, and semiconductor device having the device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an MEMS device capable of lowering a profile of the entire package thickness of the MEMS device while easing the stress to a MEMS element, provide a manufacturing method thereof, and provide a semiconductor device for having the MEMS device.SOLUTION: The MEMS device includes: a substrate 102 having a first electrode 108a on at least one face side; an IC110 as a controlling element arranged on the same side as the first electrode is arranged; a movable part 133; an electrode pad 136, opposite to the first electrode of the substrate, for detecting or controlling a displacement of the movable part; an MEMS element arranged on the controlling element with the electrode pad exposed; and a connecting member 142 for joining electrically the first electrode of the substrate and the electrode pad of the MEMS element. The movable part is covered with the controlling element.

Description

本発明は、ＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置に関し、特に導電性を有する接続部材を介して基板に固定されて電気的に接続されるＭＥＭＳ素子を有するＭＥＭＳデバイス、その製造方法及びそれを有する半導体装置に関する。   The present invention relates to a MEMS device, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device having the same, and more particularly, a MEMS device having a MEMS element fixed and electrically connected to a substrate via a conductive connecting member, and a manufacturing method thereof. And a semiconductor device including the same.

近年、各種電子機器の小型軽量化、多機能化や高機能化が進み、実装される電子部品に高密度化が要求されている。このような要求に応じて各種電子部品が半導体デバイスとして製造されるものが増加している。このため、回路素子として製造される半導体デバイス以外に各種センサも半導体デバイスとして製造されて、小型軽量化が図られている。例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）分野の製品として外力に応じて変位する可動部を半導体基板に形成し、この可動部の変位を電気信号の変化として検出するタイプの力学量センサ等が実用化されている。   In recent years, various electronic devices have been reduced in size, weight, functionality, and functionality, and electronic components to be mounted have been required to have higher density. In response to such demands, an increasing number of electronic components are manufactured as semiconductor devices. For this reason, in addition to the semiconductor device manufactured as a circuit element, various sensors are also manufactured as a semiconductor device to reduce the size and weight. For example, as a product in the MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) field, a mechanical quantity sensor that forms a movable part that is displaced according to external force on a semiconductor substrate and detects the displacement of the movable part as a change in an electric signal is put into practical use. Has been.

上述の力学量センサの一例として、ピエゾ抵抗素子を用いた３軸の加速度センサが挙げられる。ピエゾ抵抗素子を用いた３軸の加速度センサは、錘部と、錘部に接続された可撓部と、可撓部に接続された支持部と、可撓部に配置されて錘部の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子を含む。加速度がセンサに加わると、錘部が変位し、錘部の変位に伴って可撓部が撓む。可撓部が撓むと、ピエゾ抵抗素子に加わる応力が変化し、ピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を電気的に検出することによって、加速度センサに加えられた加速度を検出することが可能になる。   As an example of the above-mentioned mechanical quantity sensor, a triaxial acceleration sensor using a piezoresistive element can be cited. A triaxial acceleration sensor using a piezoresistive element includes a weight part, a flexible part connected to the weight part, a support part connected to the flexible part, and a displacement of the weight part arranged in the flexible part. Including a plurality of piezoresistive elements that detect the three-axis directions of XYZ. When acceleration is applied to the sensor, the weight portion is displaced, and the flexible portion bends as the weight portion is displaced. When the flexible portion bends, the stress applied to the piezoresistive element changes, and the resistance value of the piezoresistive element changes. By electrically detecting this change in resistance value, it is possible to detect the acceleration applied to the acceleration sensor.

従来のＭＥＭＳデバイスとして、セラミックパッケージや中空プラスチックパッケージ、樹脂封止を採用するプラスチックパッケージとしてＱＦＮパッケージやＣＯＢパッケージなどがある。セラミックパッケージや中空プラスチックパッケージを採用する場合、リッド厚又はキャップ厚が必要であるため、ＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体を薄型化することが困難である。さらに、ＭＥＭＳ素子と基板とをワイヤーボンディングする場合は、配線を保護するために、リッド又はパッケージキャップとＭＥＭＳ素子及び基板との間に中空の隙間が必要になり、ＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体を薄型化することが難しい。また、ＱＦＮパッケージ又はＣＯＢパッケージを採用する場合も、封止樹脂厚が必要であるため、ＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体を薄型化することが困難である。   Conventional MEMS devices include ceramic packages and hollow plastic packages, and plastic packages that employ resin sealing include QFN packages and COB packages. When employing a ceramic package or a hollow plastic package, it is difficult to reduce the thickness of the entire MEMS device package because a lid thickness or a cap thickness is required. Furthermore, when wire bonding the MEMS element and the substrate, a hollow gap is required between the lid or the package cap and the MEMS element and the substrate to protect the wiring, thereby reducing the thickness of the entire MEMS device package. Difficult to do. Further, when the QFN package or the COB package is adopted, since the sealing resin thickness is required, it is difficult to reduce the whole package of the MEMS device.

ＭＥＭＳデバイスのパッケージの小型化、薄型化を図るため、基板とＭＥＭＳ素子とを導電性バンプを介して電気的に接続するフリップチップ（Flip Chip）構造を採用するものがある。例えば、特許文献１には、スペーサと配線とを兼ねる金属バンプを介してマイクロミラー基板と配線基板とを電気的に接続する構造を採用するマイクロミラー素子が開示されている。また、特許文献２には、実装基板に空間を設け、集積回路などを含むチップ部品に誘電体フィルタ、水晶共振器、チップインダクタ、チップコンダクタなどの受動部品である表面実装部品を実装した状態で、実装基板の空間に該表面実装部品が配置されるように、チップ部品を実装基板にフリップチップ実装される構造を採用する半導体装置が開示されている。   In order to reduce the size and thickness of a package of a MEMS device, there is a type that employs a flip chip structure in which a substrate and a MEMS element are electrically connected via a conductive bump. For example, Patent Document 1 discloses a micromirror element that employs a structure in which a micromirror substrate and a wiring substrate are electrically connected via metal bumps that also serve as spacers and wiring. In Patent Document 2, a space is provided in a mounting substrate, and surface mount components that are passive components such as a dielectric filter, a crystal resonator, a chip inductor, and a chip conductor are mounted on a chip component including an integrated circuit. A semiconductor device is disclosed that employs a structure in which a chip component is flip-chip mounted on a mounting substrate such that the surface mounting component is disposed in the space of the mounting substrate.

特開２００３−３４４７８５号公報JP 2003-344785 A 特開２００６−８８２６８号公報JP 2006-88268 A

しかしながら、ＭＥＭＳ素子と基板とをフリップチップ実装する場合、基板とＭＥＭＳデバイスとを接続する半田バンプの応力がＭＥＭＳデバイスの可動部に伝わり、デバイス特性が悪くなるという問題がある。   However, when the MEMS element and the substrate are flip-chip mounted, there is a problem that the stress of the solder bump connecting the substrate and the MEMS device is transmitted to the movable part of the MEMS device and the device characteristics are deteriorated.

本発明は上記の課題に鑑み、ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention has an object to provide a MEMS device that can reduce the thickness of the entire package of the device while reducing stress on the MEMS element, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device having the MEMS device. To do.

本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳデバイスは、少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板と、基板の第１電極部が配置された側に配置された制御素子と、可動部と、基板の第１電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、基板の第１電極部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材を具備し、可動部は、制御素子に覆われたことを特徴とする。この構成により、ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化することが可能となる。   A MEMS device according to an embodiment of the present invention includes a substrate having a first electrode portion on at least one surface side, a control element disposed on a side where the first electrode portion of the substrate is disposed, a movable portion, An MEMS pad disposed opposite to the first electrode portion of the substrate and detecting or controlling the displacement of the movable portion, the MEMS element disposed on the control element with the electrode pad exposed, and the first electrode portion of the substrate And a connecting member for electrically connecting the electrode pad of the MEMS element, and the movable portion is covered with a control element. With this configuration, it is possible to reduce the thickness of the entire device package while relieving stress on the MEMS element.

本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳデバイスは、少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板と、基板の第１電極部が配置された側に配置された制御素子と、可動部と、基板の第１電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、制御素子とＭＥＭＳ素子との間に配置され、可動部を覆うキャップと、基板の第１電極部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材を具備することを特徴とする。この構成により、ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化することが可能となる。   A MEMS device according to an embodiment of the present invention includes a substrate having a first electrode portion on at least one surface side, a control element disposed on a side where the first electrode portion of the substrate is disposed, a movable portion, An MEMS pad facing the first electrode part of the substrate and detecting or controlling the displacement of the movable part, the MEMS element disposed on the control element with the electrode pad exposed; a control element and a MEMS element; And a cap that covers the movable part, and a connecting member that electrically connects the first electrode part of the substrate and the electrode pad of the MEMS element. With this configuration, it is possible to reduce the thickness of the entire device package while relieving stress on the MEMS element.

本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳデバイスは、配線を有する基板と、配線の一部を露出させて基板上に配置された制御素子と、可動部と、基板の露出された配線に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、配線と前記ＭＥＭＳ素子の前記電極パッドとを電気的に接続する接続部材を具備し、可動部は、制御素子に覆われたことを特徴とする。この構成により、ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化することが可能となる。   A MEMS device according to an embodiment of the present invention has a substrate having wiring, a control element disposed on the substrate with a part of the wiring exposed, a movable portion, and an exposed wiring of the substrate. An electrode pad for detecting or controlling the displacement of the movable part, and exposing the electrode pad to electrically connect the wiring and the electrode pad of the MEMS element. A connecting member is provided, and the movable portion is covered with a control element. With this configuration, it is possible to reduce the thickness of the entire device package while relieving stress on the MEMS element.

本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳデバイスは、配線を有する基板と、配線の一部を露出させて基板上に配置された制御素子と、可動部と、基板の露出された配線に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、制御素子とＭＥＭＳ素子との間に配置され、可動部を覆うキャップと、配線とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材を具備することを特徴とする。この構成により、ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化することが可能となる。   A MEMS device according to an embodiment of the present invention has a substrate having wiring, a control element disposed on the substrate with a part of the wiring exposed, a movable portion, and an exposed wiring of the substrate. An electrode pad for detecting or controlling the displacement of the movable part, the MEMS element disposed on the control element with the electrode pad exposed, and disposed between the control element and the MEMS element to cover the movable part A connection member for electrically connecting the cap, the wiring, and the electrode pad of the MEMS element is provided. With this configuration, it is possible to reduce the thickness of the entire device package while relieving stress on the MEMS element.

本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、少なくとも一方の面に導電部を有する基板、制御素子、及び可動部と電極パッドとを有するＭＥＭＳ素子を準備し、基板と制御素子とを電気的に接続し、基板の導電部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとが対向するように、且つ電極パッドを露出させるように制御素子とＭＥＭＳ素子とを接着剤を介して接着し、導電部と電極パッドとの間に導電性を有する接続部材を形成し、導電部と電極パッドとを電気的に接続することを含むことを特徴とする。この構成により、ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化することが可能となる。   A manufacturing method of a MEMS device according to an embodiment of the present invention provides a substrate having a conductive part on at least one surface, a control element, and a MEMS element having a movable part and an electrode pad. Electrically connected, the control element and the MEMS element are bonded via an adhesive so that the conductive part of the substrate faces the electrode pad of the MEMS element and the electrode pad is exposed, and the conductive part and the electrode The method includes forming a connection member having conductivity between the pad and electrically connecting the conductive portion and the electrode pad. With this configuration, it is possible to reduce the thickness of the entire device package while relieving stress on the MEMS element.

本発明の一実施形態に係る半導体装置は、本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを具備することを特徴とする。低背化或いは小型化されたＭＥＭＳデバイスを実装することにより、半導体装置を小型化することが可能となる。ＭＥＭＳデバイスにおけるＭＥＭＳ素子と制御素子との電気的な接続距離が短縮化されるため、ＭＥＭＳセンサデバイスの高速応答が可能となり、ＭＥＭＳデバイスを実装する半導体装置の動作の高速化が可能となる。   A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a MEMS device according to an embodiment of the present invention. By mounting a low-profile or miniaturized MEMS device, the semiconductor device can be miniaturized. Since the electrical connection distance between the MEMS element and the control element in the MEMS device is shortened, the MEMS sensor device can respond at high speed, and the operation of the semiconductor device on which the MEMS device is mounted can be accelerated.

本発明によれば、ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the MEMS device which can reduce the thickness of the whole package of a device, relieving the stress to a MEMS element, its manufacturing method, and a semiconductor device having the same can be provided.

（ａ）本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。（ｂ）本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスの平面図である。(A) It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. (B) It is a top view of the acceleration sensor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. （ａ）本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスの別の一例の断面図である（ｂ）本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスのさらに別の一例の断面図である。(A) It is sectional drawing of another example of the acceleration sensor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention, (b) It is sectional drawing of another example of the acceleration sensor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. is there. 本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスの製造の一工程図である。It is a process figure of manufacture of the acceleration sensor device concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスの製造の一工程図である。It is a process figure of manufacture of the acceleration sensor device concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスの製造の一工程図である。It is a process figure of manufacture of the acceleration sensor device concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイスの製造の一工程図である。It is a process figure of manufacture of the acceleration sensor device concerning a 1st embodiment of the present invention. （ａ）本発明の第２の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。（ｂ）本発明の第２の実施形態に係る加速度センサデバイスの平面図である。(A) It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. (B) It is a top view of the acceleration sensor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. （ａ）本発明の第５の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。（ｂ）本発明の第５の実施形態に係る加速度センサデバイスの平面図である。(A) It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. (B) It is a top view of the acceleration sensor device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係る加速度センサデバイスの別の一例の断面図である。It is sectional drawing of another example of the acceleration sensor device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 6th Embodiment of this invention. （ａ）本発明の第７の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。（ｂ）本発明の第７の実施形態に係る加速度センサデバイスの平面図である。(A) It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 7th Embodiment of this invention. (B) It is a top view of the acceleration sensor device which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第８の実施形態に係る加速度センサデバイスの断面図である。It is sectional drawing of the acceleration sensor device which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態乃至第８の実施形態に記載したいずれかの加速度センサデバイスを実装したセンサモジュールの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the sensor module which mounted any acceleration sensor device described in the 1st Embodiment thru | or 8th Embodiment of this invention. 図１２に示したセンサモジュールを実装した携帯型情報端末の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the portable information terminal which mounted the sensor module shown in FIG.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態では、ＭＥＭＳ素子として主にピエゾ抵抗素子を用いた３軸の加速度センサを用いる場合のＭＥＭＳデバイスについて説明する。ただし、本発明は、ＭＥＭＳ素子としてピエゾ抵抗素子を用いた３軸の加速度センサを用いる場合だけではなく、外力に応じて変位する可動部を有するピエゾ型、静電容量型、圧電型、熱検知型、ＦＥＴ型の加速度センサやジャイロセンサ、ＭＥＭＳ技術を用いた他の素子、例えば、地磁気センサ、圧力センサ、ＭＥＭＳマイクロホン、マイクロミラー、ＲＦスイッチなどを用いる場合にも適用することができ、さらに種々の変形が可能である。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the embodiment described below, a MEMS device in the case of using a triaxial acceleration sensor mainly using a piezoresistive element as the MEMS element will be described. However, the present invention is not limited to the case of using a three-axis acceleration sensor using a piezoresistive element as a MEMS element, but also a piezo type, a capacitance type, a piezoelectric type, and a thermal detection having a movable part that is displaced according to an external force. It can also be applied when using other types of elements, such as geomagnetic sensors, pressure sensors, MEMS microphones, micromirrors, RF switches, etc. Can be modified.

（実施形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイス１００の全体構成を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る加速度センサデバイス１００の平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）Ｂ−Ｂ´線に沿った断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´線に沿った平面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照すると、加速度センサデバイス１００は、基板１０２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ１１２、及び基板１０２とセンサ１１２とを電気的に接続する接続部材１４２を含む。 (Embodiment 1)
FIG. 1A is a cross-sectional view showing the overall configuration of the acceleration sensor device 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view of the acceleration sensor device 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 1B, and FIG. 1B is a plan view taken along the line AA ′ in FIG. . Referring to FIGS. 1A and 1B, the acceleration sensor device 100 includes a substrate 102, an IC 110 that is a control element, a sensor 112, and a connection member 142 that electrically connects the substrate 102 and the sensor 112. Including.

基板１０２は、導電物質を含み、配線パターンが形成された第１基板１０４と、絶縁物質を含み、第１基板１０４上に配置された第２基板１０６と、導電物質を含み第２基板１０６上に配置された第３基板１０８と、絶縁物質を含み、第１基板１０４の一部を覆う第１絶縁層１０５と、絶縁物質を含み、第３基板の一部を覆う第２絶縁層とを含む５つの層により構成された配線基板である。導電物質とは、例えば金属からなり、銅、銀、金、錫、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ベリリウム、タングステン、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、白金、クロム、タンタル、タリウム、チタン、モリブデンなどを用いることができる。絶縁物質は、例えば、絶縁性樹脂からなり、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記樹脂は単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用して用いてもよい。本実施形態では、基板１０２が５層からなる例を説明するが、本発明はこれに限定されず、基板１０２の層は５層以下であってもよく、５層以上であってもよい。   The substrate 102 includes a first substrate 104 including a conductive material and having a wiring pattern formed thereon, a second substrate 106 including an insulating material and disposed on the first substrate 104, and a second substrate 106 including the conductive material. A first insulating layer 105 including an insulating material and covering a portion of the first substrate 104; and a second insulating layer including an insulating material and covering a portion of the third substrate. It is a wiring board constituted by five layers including. The conductive material is made of, for example, metal, and copper, silver, gold, tin, aluminum, nickel, palladium, beryllium, tungsten, rhodium, iridium, ruthenium, platinum, chromium, tantalum, thallium, titanium, molybdenum, or the like is used. it can. The insulating material is made of, for example, an insulating resin, such as epoxy resin, polyimide resin, benzocyclobutene resin, polyamide, phenol resin, silicone resin, fluororesin, liquid crystal polymer, polyamideimide, polybenzoxazole, cyanate resin, aramid, polyolefin , Polyester, BT resin, FR-4, FR-5, polyacetal, polybutylene terephthalate, syndiotactic polystyrene, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyether nitrile, polycarbonate, polyphenylene ether polysulfone, polyether sulfone, polyarylate , Polyetherimide and the like can be used. The above resins may be used alone or in combination of two or more kinds of resins. Further, an inorganic filler such as glass, talc, mica, silica, alumina or the like may be used in combination with the resin. In the present embodiment, an example in which the substrate 102 includes five layers will be described. However, the present invention is not limited to this, and the number of layers of the substrate 102 may be five or less, or five or more.

第３基板１０８は、第１電極部１０８ａ及び第２電極部１０８ｂを含む。第１電極部１０８ａは、接続部材１４２を介してＩＣ１１０とセンサ１１２とを電気的に接続し、第２電極部１０８ｂは、基板１０２とＩＣ１１０とを接続する（以下の実施の形態においても、ＩＣとセンサとを接続する電極を第１電極部と呼び、基板とＩＣとを接続する電極を第２電極部と呼ぶ）。第２基板１０６には、貫通電極１２０及び１２２が形成される。貫通電極１２０及び１２２は、第１基板１０４と第３基板１０８の第２電極部１０８ｂとを電気的に接続する。   The third substrate 108 includes a first electrode portion 108a and a second electrode portion 108b. The first electrode portion 108a electrically connects the IC 110 and the sensor 112 via the connection member 142, and the second electrode portion 108b connects the substrate 102 and the IC 110 (also in the following embodiments, the IC The electrode connecting the sensor and the sensor is called a first electrode portion, and the electrode connecting the substrate and the IC is called a second electrode portion). Through electrodes 120 and 122 are formed on the second substrate 106. The through electrodes 120 and 122 electrically connect the first substrate 104 and the second electrode portion 108 b of the third substrate 108.

ＩＣ１１０は、第３基板１０８の第１電極部１０８ａの一部を露出するように、第３基板１０８上に配置される。ＩＣ１１０には、基板１０２と対向する面に電極パッド１２６が形成されている。ＩＣ１１０の電極パッド１２６は、導電性の接着剤、例えば半田などを介して第３基板１０８の第１電極部１０８ａ及び第２電極部１０８ｂと接続される。基板１０２とＩＣ１１０との間には、第３基板１０８の第１電極部１０８ａの一部を露出するようにアンダーフィル１２８が充填されている。アンダーフィル１２８は、絶縁性を有した熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂であることが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂であってもよい。ＩＣ１１０からの信号は、電極パッド１２６、第３基板１０８の第２電極部１０８ｂ、及び貫通電極１２０、１２２を通じて第１基板１０４に伝達される。   The IC 110 is disposed on the third substrate 108 so that a part of the first electrode portion 108a of the third substrate 108 is exposed. In the IC 110, an electrode pad 126 is formed on the surface facing the substrate 102. The electrode pad 126 of the IC 110 is connected to the first electrode portion 108a and the second electrode portion 108b of the third substrate 108 through a conductive adhesive, such as solder. An underfill 128 is filled between the substrate 102 and the IC 110 so as to expose a part of the first electrode portion 108a of the third substrate 108. The underfill 128 is preferably a thermosetting resin and a thermoplastic resin having insulating properties. For example, a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a urethane resin, a fluorine resin, A phenol resin or a benzocyclobutene resin may be used. A signal from the IC 110 is transmitted to the first substrate 104 through the electrode pad 126, the second electrode portion 108 b of the third substrate 108, and the through electrodes 120 and 122.

センサ１１２は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６と、電極パッド１３６上に配置されるバンプ１３８とを含む。センサ１１２に加速度が加わると、錘部１３０が変位し、この変位に伴って可撓部１３２が撓む。可撓部１３２が撓むと、可撓部１３２に配置されたピエゾ抵抗素子に力が加わり、ピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を検出して、センサ１１２に加えられた加速度の大きさ、方向などを検出する。電極パッド１３６は、アルミニウム、銅、金、銀、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｄなどを含んでもよい。バンプ１３８は、銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含んでもよく、特に金は接触抵抗が低いため、金を含むことが好ましい。また、電極パッド１３６がアルミニウムからなる場合、金との接合強度が高いため、バンプ１３８は金を含むことが好ましい。バンプ１３８は、その一部が凸状に先突した形状を有するように形成される。センサ１１２は、電極パッド１３６及びバンプ１３８が第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａと対向するようにＩＣ１１０上に配置され、可動部１３３を除いて接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ１１２のバンプ１３８が露出するように、且つ、センサ１１２の可動部１３３がＩＣ１１０に覆われるようにセンサ１１２とＩＣ１１０とが接着される。本実施形態では、基板１０２上にＩＣ１１０を介してセンサ１１２を配置するため、基板１０２の熱膨張係数とセンサ１１２の熱膨張係数との差によって生じる応力を接着剤１０４が吸収し、センサ特性に悪影響を及ぼすことを低減することができる。接着剤１４０の厚みは、ＩＣ１１０の上面がセンサ１１２の可動部１３３の過大な動きを制限するストッパーとして機能する高さに設定すればよい。接着剤１４０は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法による測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂などを使用することができる。   The sensor 112 includes a movable part 133 including a weight part 130 and a flexible part 132 connected to the weight part 130, a support part 134 connected to the flexible part 132, and a flexible part 132. A plurality of piezoresistive elements (not shown) for detecting the displacement of the portion 132 in the XYZ triaxial directions, an electrode pad 136 for receiving a signal from the piezoresistive element, and a bump 138 disposed on the electrode pad 136. Including. When acceleration is applied to the sensor 112, the weight portion 130 is displaced, and the flexible portion 132 is bent along with the displacement. When the flexible part 132 bends, a force is applied to the piezoresistive element arranged in the flexible part 132, and the resistance value of the piezoresistive element changes. The change in resistance value is detected, and the magnitude and direction of the acceleration applied to the sensor 112 are detected. The electrode pad 136 may include aluminum, copper, gold, silver, Al—Si, Al—Si—Cu, Al—Nd, or the like. The bump 138 may include copper, gold, aluminum, aluminum silicon, and the like. In particular, since gold has low contact resistance, it is preferable to include gold. When the electrode pad 136 is made of aluminum, the bump 138 preferably contains gold because the bonding strength with gold is high. The bump 138 is formed so that a part of the bump 138 protrudes in a convex shape. The sensor 112 is arranged on the IC 110 such that the electrode pad 136 and the bump 138 are opposed to the exposed first electrode portion 108a of the third substrate 108, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140 except for the movable portion 133. The At this time, the sensor 112 and the IC 110 are bonded so that the bump 138 of the sensor 112 is exposed and the movable portion 133 of the sensor 112 is covered with the IC 110. In the present embodiment, since the sensor 112 is disposed on the substrate 102 via the IC 110, the adhesive 104 absorbs the stress generated by the difference between the thermal expansion coefficient of the substrate 102 and the thermal expansion coefficient of the sensor 112, and the sensor characteristics are improved. It is possible to reduce adverse effects. The thickness of the adhesive 140 may be set to a height at which the upper surface of the IC 110 functions as a stopper that restricts excessive movement of the movable portion 133 of the sensor 112. The adhesive 140 is preferably made of a material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone resin, bismaleimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, urethane System resin etc. can be used.

センサ１１２のバンプ１３８と第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａとは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。上述のように、バンプ１３８は、先が尖った形状であり、接続部材１４２の材料がバンプ１３８を伝って広がるため、バンプ１３８と第３基板１０８の第１電極部１０８ａとの間を容易に且つ確実に接続部材１４２で満たすことができる。センサ１１２からの信号は、電極パッド１３６、バンプ１３８、接続部材１４２、第１電極部１０８ａ、及び電極パッド１２６を通じてＩＣ１１０に伝達される。   The bumps 138 of the sensor 112 and the exposed first electrode portion 108a of the third substrate 108 are electrically connected by a connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. As described above, the bump 138 has a pointed shape, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 138, so that the gap between the bump 138 and the first electrode portion 108a of the third substrate 108 can be easily obtained. And it can fill with the connection member 142 reliably. A signal from the sensor 112 is transmitted to the IC 110 through the electrode pad 136, the bump 138, the connection member 142, the first electrode portion 108a, and the electrode pad 126.

上述したように、図１（ａ）及び（ｂ）に示した本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイス１００は、ＩＣ１１０とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板１０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ１１２にかかる応力が低減される。また、基板１０２とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板１０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ１１２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ１１２にかかる応力が低減されると、センサ１１２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス１００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板１０２を介してセンサ１１２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ１１２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、図１（ａ）及び（ｂ）に示した本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイス１００は、基板１０２とＩＣ１１０とがフリップチップ実装され、基板１０２とセンサ１１２とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。素子と基板との接続にワイヤーボンディングを用いないため、加速度センサデバイス１００の実装面積が低減される。また、ワイヤーボンディングに用いられる配線がないため、配線を保護するための空間を形成するパッケージキャップや封止樹脂が必要なくなり、加速度センサデバイス１００全体を低背化することが可能となる。さらに、センサ１１２は、センサ１１２の可動部１３３がＩＣ１１０に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、ＩＣ１１０とセンサ１１２とを接着させる接着剤１４０は、ＩＣ１１０とセンサ１１２との間にスペースを確保する機能も果たす。このため、ＩＣ１１０がセンサ１１２の可動部１３３の動きを制限するストッパーとしての機能も果たし、センサ１１２の耐衝撃性も維持される。   As described above, in the acceleration sensor device 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1A and 1B, the IC 110 and the sensor 112 are bonded by the adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. Has been. For this reason, the stress which arises by the difference in the thermal expansion coefficient of the board | substrate 102 and the sensor 112 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 112 is reduced. The substrate 102 and the sensor 112 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, since the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 102 and the sensor 112 is absorbed by the connecting member 142, the stress applied to the sensor 112 is reduced. When the stress applied to the sensor 112 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 112 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 100 is maintained and the reliability is improved. In addition, since the sensor 112 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 102, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 112 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Furthermore, in the acceleration sensor device 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1A and 1B, the substrate 102 and the IC 110 are flip-chip mounted, and the substrate 102 and the sensor 112 have the connection member 142. Electrically connected. Since wire bonding is not used to connect the element and the substrate, the mounting area of the acceleration sensor device 100 is reduced. Further, since there is no wiring used for wire bonding, a package cap or sealing resin for forming a space for protecting the wiring is not necessary, and the entire acceleration sensor device 100 can be reduced in height. Further, the sensor 112 is disposed on the IC 110 such that the movable portion 133 of the sensor 112 faces the IC 110, and the adhesive 140 that bonds the IC 110 and the sensor 112 secures a space between the IC 110 and the sensor 112. It also functions. For this reason, the IC 110 also functions as a stopper that restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 112, and the impact resistance of the sensor 112 is maintained.

図２（ａ）は、本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイスの別の一例である加速度センサデバイス１００´を示す。図２（ｂ）は、本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイスの別の一例である加速度センサデバイス１００´´を示す。図２（ａ）及び（ｂ）に示す加速度センサデバイス１００´、１００´´において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。   FIG. 2A shows an acceleration sensor device 100 ′ that is another example of the acceleration sensor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2B shows an acceleration sensor device 100 ″ that is another example of the acceleration sensor device according to the first embodiment of the present invention. In the acceleration sensor devices 100 ′ and 100 ″ shown in FIGS. 2A and 2B, the same reference is made to the same or similar components as those of the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B. Numbers are assigned and duplicate descriptions are omitted.

図２（ａ）を参照すると、加速度センサデバイス１００´は、センサ１１２の電極パッド１３６上だけではなく、第３基板１０８の露出した電極部１０８ａ上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含むバンプ１３９を配置し、接続部材１４２を介してバンプ１３８と電気的に接続している点を除いて、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同様の構成を有する。第１電極部１０８ａ上に配置されたバンプ１３９は、バンプ１３８と同様に、その一部が凸状に先突した形状を有する。バンプ１３８及びバンプ１３９は、先が尖った形状であり、接続部材１４２の材料がバンプ１３８及びバンプ１３９を伝って広がるため、バンプ１３８とバンプ１３９との間をより容易に且つより確実に接続部材１４２で満たすことができる。加速度センサデバイス１００´において、基板１０２及びセンサ１１２は、センサ１１２のバンプ１３８の凸部と第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａ上に配置されたバンプ１３９の凸部とが互いに対向するように配置される。導電性部材１４２は、バンプ１３８とバンプ１３９との間に充填されて、センサ１１２と第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａとを電気的に接続する。   Referring to FIG. 2A, the acceleration sensor device 100 ′ includes copper, gold, aluminum, aluminum silicon, or the like on the exposed electrode portion 108a of the third substrate 108 as well as on the electrode pad 136 of the sensor 112. A configuration similar to that of the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B is provided except that the bump 139 is disposed and electrically connected to the bump 138 via the connection member 142. Like the bump 138, the bump 139 arranged on the first electrode portion 108a has a shape in which a part of the bump 139 projects in a convex shape. The bump 138 and the bump 139 have a pointed shape, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 138 and the bump 139. Therefore, the connection member can be more easily and more reliably between the bump 138 and the bump 139. 142. In the acceleration sensor device 100 ′, in the substrate 102 and the sensor 112, the protrusions of the bumps 138 of the sensor 112 and the protrusions of the bumps 139 disposed on the exposed first electrode portion 108 a of the third substrate 108 face each other. Are arranged as follows. The conductive member 142 is filled between the bump 138 and the bump 139 to electrically connect the sensor 112 and the exposed first electrode portion 108a of the third substrate 108.

図２（ａ）に示した加速度センサデバイス１００´は、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同様に、ＩＣ１１０とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板１０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ１１２にかかる応力が低減される。また、基板１０２とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板１０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ１１２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ１１２にかかる応力が低減されると、センサ１１２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス１００´の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板１０２を介してセンサ１１２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ１１２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、加速度センサデバイス１００´は、基板１０２とＩＣ１１０とがフリップチップ実装され、基板１０２とセンサ１１２とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。素子と基板との接続にワイヤーボンディングを用いないため、加速度センサデバイス１００´の実装面積が低減される。また、ワイヤーボンディングに用いられる配線がないため、配線を保護するための空間を形成するパッケージキャップや封止樹脂が必要なくなり、加速度センサデバイス１００´全体を低背化することが可能となる。さらに、センサ１１２は、センサ１１２の可動部１３３がＩＣ１１０に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、ＩＣ１１０とセンサ１１２とを接着させる接着剤１４０は、ＩＣ１１０とセンサ１１２との間にスペースを確保する機能も果たす。このため、ＩＣ１１０がセンサ１１２の可動部１３３の動きを制限するストッパーとしての機能も果たし、センサ１１２の耐衝撃性も維持される。また、加速度センサデバイス１００´において、センサ１１２に配置されたバンプ１３８だけでなく、基板１０２側にもバンプ１３９を配置することによって、バンプ１３８とバンプ１３９との間をより容易に且つより確実に接続部材１４２で満たすことができる。   The acceleration sensor device 100 ′ shown in FIG. 2A is an adhesive in which the IC 110 and the sensor 112 have a bending elastic modulus of 300 MPa or less, like the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. Bonded by the agent 140. For this reason, the stress which arises by the difference in the thermal expansion coefficient of the board | substrate 102 and the sensor 112 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 112 is reduced. The substrate 102 and the sensor 112 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, since the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 102 and the sensor 112 is absorbed by the connecting member 142, the stress applied to the sensor 112 is reduced. When the stress applied to the sensor 112 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 112 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 100 ′ is maintained and the reliability is improved. . In addition, since the sensor 112 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 102, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 112 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Further, in the acceleration sensor device 100 ′, the substrate 102 and the IC 110 are flip-chip mounted, and the substrate 102 and the sensor 112 are electrically connected via the connection member 142. Since wire bonding is not used for connection between the element and the substrate, the mounting area of the acceleration sensor device 100 ′ is reduced. In addition, since there is no wiring used for wire bonding, a package cap or sealing resin for forming a space for protecting the wiring is not necessary, and the entire height of the acceleration sensor device 100 ′ can be reduced. Further, the sensor 112 is disposed on the IC 110 such that the movable portion 133 of the sensor 112 faces the IC 110, and the adhesive 140 that bonds the IC 110 and the sensor 112 secures a space between the IC 110 and the sensor 112. It also functions. For this reason, the IC 110 also functions as a stopper that restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 112, and the impact resistance of the sensor 112 is maintained. Further, in the acceleration sensor device 100 ′, not only the bump 138 disposed on the sensor 112 but also the bump 139 is disposed on the substrate 102 side, so that the space between the bump 138 and the bump 139 can be more easily and more reliably. The connecting member 142 can be filled.

図２（ｂ）を参照すると、加速度センサデバイス１００´´は、センサ１１２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８が省略され、第３基板１０８の露出した電極部１０８ａ上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含むバンプ１３９を配置し、接続部材１４２を介して電極パッド１３６と電気的に接続している点を除いて、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同様の構成を有する。バンプ１３９は、その一部が凸状に先突した形状を有する。加速度センサデバイス１００´´において、基板１０２及びセンサ１１２は、センサ１１２の電極パッド１３６と第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａ上に配置されたバンプ１３９の凸部とが対向するように配置される。導電性部材１４２は、電極パッド１３６とバンプ１３９との間に充填されて、センサ１１２と第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａとを電気的に接続する。バンプ１３９は、先が尖った形状であり、接続部材１４２の材料がバンプ１３９を伝って広がるため、バンプ１３９と電極パッド１３６との間をより容易に且つより確実に接続部材１４２で満たすことができる。この構成によって得られる効果は、図１（ａ）及び（ｂ）に示した本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイス１００と同一であるため、省略する。   Referring to FIG. 2B, in the acceleration sensor device 100 ″, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 112 is omitted, and copper, gold, or the like is formed on the exposed electrode portion 108a of the third substrate 108. The acceleration sensor device shown in FIGS. 1A and 1B except that bumps 139 containing aluminum, aluminum silicon, and the like are arranged and electrically connected to the electrode pads 136 via the connection members 142. 100 has the same configuration. The bump 139 has a shape in which a part of the bump 139 projects in a convex shape. In the acceleration sensor device 100 ″, the substrate 102 and the sensor 112 are arranged so that the electrode pad 136 of the sensor 112 and the convex portion of the bump 139 disposed on the exposed first electrode portion 108a of the third substrate 108 face each other. Be placed. The conductive member 142 is filled between the electrode pad 136 and the bump 139 to electrically connect the sensor 112 and the exposed first electrode portion 108 a of the third substrate 108. The bump 139 has a pointed shape, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 139, so that the connection between the bump 139 and the electrode pad 136 can be more easily and reliably filled with the connection member 142. it can. The effect obtained by this configuration is the same as that of the acceleration sensor device 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS.

以上、本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイス１００、１００´、１００´´について説明したが、本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイスはこれらに限定されない。すなわち、センサ１１２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８は省略されてもよい。その場合、センサ１１２の電極パッド１３６と第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａとが接続部材１４２を介して電気的に接続される。この場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   The acceleration sensor devices 100, 100 ′, and 100 ″ according to Embodiment 1 of the present invention have been described above, but the acceleration sensor device according to Embodiment 1 of the present invention is not limited to these. That is, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 112 may be omitted. In that case, the electrode pad 136 of the sensor 112 and the exposed first electrode portion 108 a of the third substrate 108 are electrically connected via the connection member 142. In this case, the same effect as described above can be obtained.

（製造工程）
図３（ａ）乃至図３（ｄ）を参照して、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００の製造方法を説明する。尚、図３（ａ）乃至図３（ｄ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。 (Manufacturing process)
With reference to FIGS. 3A to 3D, a method of manufacturing the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B will be described. 3 (a) to 3 (d), the same or similar components as those of the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b) are given the same reference numerals and are duplicated. Description is omitted.

先ず、図３（ａ）に示されるように、第１基板１０４、第２基板１０６、第３基板１０８、第１絶縁層１０５、及び第２絶縁層１０７を含む基板１０２を準備して、第３基板１０８の第１電極部１０８ａ及び第２電極部１０８ｂとＩＣ１１０の電極パッド１２６とを導電性の接着剤、例えば半田などを介して接続し、基板１０２とＩＣ１１０とを電気的に接続する。基板１０２とＩＣ１１０とを接続した後、基板とＩＣ１１０との間にアンダーフィル１２８を充填する。   First, as shown in FIG. 3A, a substrate 102 including a first substrate 104, a second substrate 106, a third substrate 108, a first insulating layer 105, and a second insulating layer 107 is prepared. The first electrode portion 108a and the second electrode portion 108b of the three substrates 108 and the electrode pads 126 of the IC 110 are connected via a conductive adhesive, such as solder, and the substrate 102 and the IC 110 are electrically connected. After the substrate 102 and the IC 110 are connected, an underfill 128 is filled between the substrate and the IC 110.

次に、図３（ｂ）に示されるように、センサ１１２の電極パッド１３６上にバンプ１３８をワイヤーボンダーで形成する。後述する工程において、バンプ１３８と第３基板１０２の第１電極部１０８ａとの間に接続部材１４２を容易に且つ確実に満たすために、バンプ１３８はその一部が凸状に先突した形状に形成することが好ましい。次に、図３（ｃ）に示すように、センサ１１２の電極パッド１３６及びバンプ１３８が第３基板１０８の露出している第１電極部１０８ａに対向し、且つセンサ１１２のバンプ１３８が露出されるように、センサ１１２とＩＣ１１０とを３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０を介して接着する。このとき、センサ１１２の可動部１３３を除いて、センサ１１２とＩＣ１１０とを接着する。   Next, as shown in FIG. 3B, bumps 138 are formed on the electrode pads 136 of the sensor 112 by a wire bonder. In a process to be described later, in order to easily and surely fill the connection member 142 between the bump 138 and the first electrode portion 108a of the third substrate 102, the bump 138 has a shape in which a part of the bump 138 projects in a convex shape. It is preferable to form. Next, as shown in FIG. 3C, the electrode pad 136 and the bump 138 of the sensor 112 are opposed to the exposed first electrode portion 108a of the third substrate 108, and the bump 138 of the sensor 112 is exposed. As described above, the sensor 112 and the IC 110 are bonded via an adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. At this time, the sensor 112 and the IC 110 are bonded together except for the movable portion 133 of the sensor 112.

次に、図３（ｄ）に示されるように、第３基板１０８の露出している第１電極部１０８ａと、第１電極部１０８ａに対向し、露出しているセンサ１１２のバンプ１３８との間に、３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を充填して、硬化させ、基板１０２とセンサ１１２とを電気的に接続する。これにより、図１（ａ）及び（ｂ）に示されたような加速度センサデバイス１００が得られる。   Next, as shown in FIG. 3D, the exposed first electrode portion 108a of the third substrate 108 and the exposed bump 138 of the sensor 112 facing the first electrode portion 108a. In the meantime, a conductive connecting member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less is filled and cured, and the substrate 102 and the sensor 112 are electrically connected. Thereby, the acceleration sensor device 100 as shown in FIGS. 1A and 1B is obtained.

図２（ａ）に示す加速度センサデバイス１００´の製造方法は、図３（ａ）乃至図３（ｄ）に示した加速度センサデバイス１００の製造方法とほぼ同一である。しかし、図２（ａ）に示す加速度センサデバイス１００´を製造する場合は、センサ１１２の電極パッド１３６上だけでなく、第３基板の露出した第１電極部１０８ａ上にもバンプ１３９をワイヤーボンダーで形成する。このとき、バンプ１３９は、バンプ１３８と同様に、その一部が凸状に先突した形状に形成することが好ましい。センサ１１２のバンプ１３８と第３基板１０８の第１電極部１０８ａ上に形成されたバンプ１３９とが対向するようにセンサ１１２と基板１０２とを３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０を介して接着し、バンプ１３８とバンプ１３９との間に３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を充填して、硬化させ、基板１０２とセンサ１１２とを電気的に接続する。これにより、図２（ａ）に示した加速度センサデバイス１００´が得られる。   The manufacturing method of the acceleration sensor device 100 ′ shown in FIG. 2A is almost the same as the manufacturing method of the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 3A to 3D. However, when the acceleration sensor device 100 ′ shown in FIG. 2A is manufactured, the bump 139 is not only formed on the electrode pad 136 of the sensor 112 but also on the exposed first electrode portion 108a of the third substrate. Form with. At this time, like the bump 138, the bump 139 is preferably formed so that a part of the bump 139 protrudes in a convex shape. The sensor 112 and the substrate 102 are bonded with an adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less so that the bump 138 of the sensor 112 and the bump 139 formed on the first electrode portion 108a of the third substrate 108 face each other. The conductive connecting member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less is filled between the bump 138 and the bump 139 and cured, and the substrate 102 and the sensor 112 are electrically connected. Thereby, the acceleration sensor device 100 ′ shown in FIG. 2A is obtained.

（実施形態２）
図４（ａ）は、本発明の実施形態２に係る加速度センサデバイス３００の全体構成を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る加速度センサデバイス３００の平面図である。図４（ａ）は、図４（ｂ）のＤ−Ｄ´線に沿った断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ´線に沿った平面図である。図４（ａ）及び（ｂ）を参照して、本発明の実施形態２に係る加速度センサデバイス３００を説明する。尚、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。本実施形態では、センサ３０２とＩＣ１１０との間にセンサキャップ３０６が配置されている。 (Embodiment 2)
FIG. 4A is a cross-sectional view showing the overall configuration of the acceleration sensor device 300 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a plan view of the acceleration sensor device 300 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 4A is a cross-sectional view taken along line DD ′ in FIG. 4B, and FIG. 4B is a plan view taken along line CC ′ in FIG. 4A. is there. With reference to FIG. 4 (a) and (b), the acceleration sensor device 300 which concerns on Embodiment 2 of this invention is demonstrated. Note that the same or similar components as those of the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted. In the present embodiment, a sensor cap 306 is disposed between the sensor 302 and the IC 110.

図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照すると、加速度センサデバイス３００は、基板１０２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ３０２、及び基板１０２とセンサ３０２とを電気的に接続する接続部材１４２を含む。   4A and 4B, the acceleration sensor device 300 includes a substrate 102, an IC 110 that is a control element, a sensor 302, and a connection member 142 that electrically connects the substrate 102 and the sensor 302. Including.

図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同様に、本実施形態の加速度センサデバイス３００の基板１０２は、導電物質を含み、配線パターンが形成された第１基板１０４と、絶縁物質を含み、第１基板１０４上に配置された第２基板１０６と、導電物質を含み第２基板１０６上に配置された第３基板１０８と、絶縁物質を含み、第１基板１０４の一部を覆う絶縁層１０５と、絶縁物質を含み、第３基板１０８の一部を覆う第２絶縁層１０７とを含む５つの層により構成された配線基板である。導電物質とは、例えば金属からなり、銅、銀、金、錫、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ベリリウム、タングステン、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、白金、クロム、タンタル、タリウム、チタン、モリブデンなどを用いることができる。絶縁物質には、絶縁性樹脂などを用いてもよい。例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記樹脂は単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用して用いてもよい。本実施形態では、基板１０２が５層からなる例を説明するが、本発明はこれに限定されず、基板１０２の層は５層以下であってもよく、５層以上であってもよい。第３基板１０８は、第１電極部１０８ａと第２電極部１０８ｂとを含む。第２基板１０６には、貫通電極１２０及び１２２が形成され、これらの貫通電極１２０及び１２２を介して、第１基板１０４と第３基板１０８の第２電極部とが電気的に接続される。第３基板１０８の第１電極部１０８ａ上には、銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含むバンプ１３９が配置される。バンプ１３９は、特に金を含むことが好ましい。バンプ１３９は、その一部が凸状に先突した形状を有する。   Similar to the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B, the substrate 102 of the acceleration sensor device 300 of the present embodiment includes a first substrate 104 including a conductive material and having a wiring pattern formed thereon. A second substrate 106 including an insulating material and disposed on the first substrate 104; a third substrate 108 including a conductive material and disposed on the second substrate 106; This is a wiring board composed of five layers including an insulating layer 105 covering the portion and a second insulating layer 107 containing an insulating material and covering a part of the third substrate 108. The conductive material is made of, for example, metal, and copper, silver, gold, tin, aluminum, nickel, palladium, beryllium, tungsten, rhodium, iridium, ruthenium, platinum, chromium, tantalum, thallium, titanium, molybdenum, or the like is used. it can. An insulating resin or the like may be used as the insulating material. For example, epoxy resin, polyimide resin, benzocyclobutene resin, polyamide, phenol resin, silicone resin, fluorine resin, liquid crystal polymer, polyamideimide, polybenzoxazole, cyanate resin, aramid, polyolefin, polyester, BT resin, FR-4, FR-5, polyacetal, polybutylene terephthalate, syndiotactic polystyrene, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyether nitrile, polycarbonate, polyphenylene ether polysulfone, polyether sulfone, polyarylate, polyether imide, etc. can be used. . The above resins may be used alone or in combination of two or more kinds of resins. Further, an inorganic filler such as glass, talc, mica, silica, alumina or the like may be used in combination with the resin. In the present embodiment, an example in which the substrate 102 includes five layers will be described. However, the present invention is not limited to this, and the number of layers of the substrate 102 may be five or less, or five or more. The third substrate 108 includes a first electrode portion 108a and a second electrode portion 108b. Through electrodes 120 and 122 are formed on the second substrate 106, and the first substrate 104 and the second electrode portion of the third substrate 108 are electrically connected via the through electrodes 120 and 122. A bump 139 including copper, gold, aluminum, aluminum silicon, or the like is disposed on the first electrode portion 108a of the third substrate 108. It is preferable that the bump 139 particularly includes gold. The bump 139 has a shape in which a part of the bump 139 projects in a convex shape.

図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同様に、ＩＣ１１０は、第３基板１０８の第１電極部１０８ａの一部を露出するように、第３基板１０８上に配置される。ＩＣ１１０には、基板１０２と対向する面に電極パッド１２６が形成されている。ＩＣ１１０の電極パッド１２６は、導電性の接着剤、例えば半田などを介して第３基板１０８の第１電極部１０８ａ及び第２電極部１０８ｂと接続される。基板１０２とＩＣ１１０との間には、第３基板１０８の第１電極部１０８ａの一部を露出するように、アンダーフィル１２８が充填されている。アンダーフィル１２８は、絶縁性を有した熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂であることが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂であってもよい。ＩＣ１１０からの信号は、電極パッド１２６、第３基板１０８の第２電極部１０８ｂ、及び貫通電極１２０、１２２を通じて第１基板１０４に伝達される。   Similar to the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B, the IC 110 is disposed on the third substrate 108 so as to expose a part of the first electrode portion 108 a of the third substrate 108. The In the IC 110, an electrode pad 126 is formed on the surface facing the substrate 102. The electrode pad 126 of the IC 110 is connected to the first electrode portion 108a and the second electrode portion 108b of the third substrate 108 through a conductive adhesive, such as solder. An underfill 128 is filled between the substrate 102 and the IC 110 so as to expose a part of the first electrode portion 108a of the third substrate 108. The underfill 128 is preferably a thermosetting resin and a thermoplastic resin having insulating properties. For example, a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a urethane resin, a fluorine resin, A phenol resin or a benzocyclobutene resin may be used. A signal from the IC 110 is transmitted to the first substrate 104 through the electrode pad 126, the second electrode portion 108 b of the third substrate 108, and the through electrodes 120 and 122.

センサ３０２は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６と、電極パッド１３６上に配置されるバンプ１３８と、センサ３０２の可動部１３３を覆うセンサキャップ３０６とを含む。センサ３０２の動作は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。センサキャップ３０６は、センサ３０２の可動部１３３の動きを制限し、センサ３０２の耐衝撃性を確保する。また、本実施形態においては、センサキャップ３０６を備えることで、製造工程におけるセンサ３０２の可動部１３３の保護、及びＩＣ１１０上にセンサ３０２を実装した場合における可動部１３３の気密性を高めることができる。電極パッド１３６は、アルミニウム、銅、金、銀、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｄなどを含んでもよい。バンプ１３８は、銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含んでもよく、特に金を含むことが好ましい。バンプ１３８は、バンプ１３９と同様にその一部が凸状に先突した形状を有する。センサ３０２は、電極パッド１３６及びバンプ１３８が第３基板１０８の露出した第１電極部１０８ａと対向するようにＩＣ１１０上に配置され、接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ３０２のバンプ１３８が露出するようにセンサ３０２とＩＣ１１０とが接着される。接着剤１４０は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法による測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂などを使用することができる。   The sensor 302 includes a movable portion 133 including a weight portion 130 and a flexible portion 132 connected to the weight portion 130, a support portion 134 connected to the flexible portion 132, and a flexible portion 132 disposed on the flexible portion 132. A plurality of piezoresistive elements (not shown) for detecting the displacement of the portion 132 in the XYZ triaxial directions, an electrode pad 136 for receiving a signal from the piezoresistive element, and a bump 138 disposed on the electrode pad 136; And a sensor cap 306 that covers the movable portion 133 of the sensor 302. Since the operation of the sensor 302 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. The sensor cap 306 restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 302 and ensures the shock resistance of the sensor 302. In the present embodiment, by providing the sensor cap 306, it is possible to improve the protection of the movable part 133 of the sensor 302 in the manufacturing process and the airtightness of the movable part 133 when the sensor 302 is mounted on the IC 110. . The electrode pad 136 may include aluminum, copper, gold, silver, Al—Si, Al—Si—Cu, Al—Nd, or the like. The bump 138 may include copper, gold, aluminum, aluminum silicon, and the like, and particularly preferably includes gold. Similar to the bump 139, the bump 138 has a shape in which a part of the bump 138 protrudes in a convex shape. The sensor 302 is disposed on the IC 110 such that the electrode pad 136 and the bump 138 are opposed to the exposed first electrode portion 108 a of the third substrate 108, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140. At this time, the sensor 302 and the IC 110 are bonded so that the bump 138 of the sensor 302 is exposed. The adhesive 140 is preferably made of a material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone resin, bismaleimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, urethane System resin etc. can be used.

センサ３０２のバンプ１３８と第３基板１０８の第１電極部１０８ａ上に形成されたバンプ１３９とは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。上述のように、バンプ１３８及び１３９は、互いに先が尖った形状を有し、接続部材１４２の材料がバンプ１３８及びバンプ１３９を伝って広がるため、バンプ１３８とバンプ１３９との間を容易に且つ確実に接続部材１４２で満たすことができる。センサ３０２からの信号は、電極パッド１３６、バンプ１３８、接続部材１４２、バンプ１３９、第１電極部１０８ａ、及び電極パッド１２６を通じてＩＣ１１０に伝達される。   The bumps 138 of the sensor 302 and the bumps 139 formed on the first electrode portion 108 a of the third substrate 108 are electrically connected by the connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. As described above, the bumps 138 and 139 have a pointed shape with respect to each other, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 138 and the bump 139, so that the gap between the bump 138 and the bump 139 can be easily and The connection member 142 can be reliably filled. A signal from the sensor 302 is transmitted to the IC 110 through the electrode pad 136, the bump 138, the connection member 142, the bump 139, the first electrode portion 108 a, and the electrode pad 126.

上述したように、図４（ａ）及び（ｂ）に示した本発明の実施形態２に係る加速度センサデバイス３００は、ＩＣ１１０とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板１０２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ３０２にかかる応力が低減される。また、基板１０２とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板１０２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ３０２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ３０２にかかる応力が低減されると、センサ３０２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス３００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板１０２を介してセンサ３０２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ３０２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、図４（ａ）及び（ｂ）に示した本発明の実施形態２に係る加速度センサデバイス３００は、基板１０２とＩＣ１１０とがフリップチップ実装され、基板１０２とセンサ３０２とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。素子と基板との接続にワイヤーボンディングを用いないため、加速度センサデバイス３００の実装面積が低減される。また、ワイヤーボンディングに用いられる配線がないため、配線を保護するための空間を形成するパッケージキャップや封止樹脂が必要なくなり、加速度センサデバイス３００全体を低背化することが可能となる。   As described above, the acceleration sensor device 300 according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 4A and 4B is bonded to the IC 110 and the sensor 302 by the adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. Has been. For this reason, the stress which arises by the difference of the thermal expansion coefficient of the board | substrate 102 and the sensor 302 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 302 is reduced. Moreover, the board | substrate 102 and the sensor 302 are electrically connected through the electroconductive connection member 142 which has a bending elastic modulus of 300 Mpa or less. For this reason, since the stress produced by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 102 and the sensor 302 is absorbed by the connecting member 142, the stress applied to the sensor 302 is reduced. When the stress applied to the sensor 302 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 302 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 300 is maintained and the reliability is improved. In addition, since the sensor 302 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 102, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 302 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Furthermore, in the acceleration sensor device 300 according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 4A and 4B, the substrate 102 and the IC 110 are flip-chip mounted, and the substrate 102 and the sensor 302 have the connection member 142. Electrically connected. Since wire bonding is not used for connection between the element and the substrate, the mounting area of the acceleration sensor device 300 is reduced. Further, since there is no wiring used for wire bonding, a package cap or sealing resin for forming a space for protecting the wiring is not necessary, and the entire acceleration sensor device 300 can be reduced in height.

尚、本実施形態において、基板１０２の導電部１１４上に配置されたバンプ１３９及びセンサ３０２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８は省略されてもよい。その場合、センサ３０２の電極パッド１３６と基板１０２の導電部１１４とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。或いは、センサ１１２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８、又は、基板１０２の導電部１１４上に配置されたバンプ１３９のどちらか一方を省略してもよい。いずれの場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   In the present embodiment, the bump 139 disposed on the conductive portion 114 of the substrate 102 and the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 302 may be omitted. In that case, the electrode pad 136 of the sensor 302 and the conductive portion 114 of the substrate 102 are electrically connected via the connection member 142. Alternatively, either the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 112 or the bump 139 disposed on the conductive portion 114 of the substrate 102 may be omitted. In either case, the same effects as described above can be obtained.

（実施形態３）
図５は、本発明の実施形態３に係る加速度センサデバイス４００の全体構成を示す断面図である。図５を参照して、本発明の実施形態３に係る加速度センサデバイス４００を説明する。尚、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。本実施形態において、基板４０２は、ＩＣ１１０の少なくとも一部を収納する収容空間となる凹部（キャビティ）４０９を有するキャビティ基板である。 (Embodiment 3)
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an overall configuration of an acceleration sensor device 400 according to Embodiment 3 of the present invention. With reference to FIG. 5, an acceleration sensor device 400 according to Embodiment 3 of the present invention will be described. Note that the same or similar components as those of the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted. In the present embodiment, the substrate 402 is a cavity substrate having a recess (cavity) 409 that serves as an accommodation space for accommodating at least a part of the IC 110.

加速度センサデバイス３００は、基板４０２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ４０３、及び基板４０２とセンサ４０３とを電気的に接続する接続部材１４２を含む。   The acceleration sensor device 300 includes a substrate 402, an IC 110 that is a control element, a sensor 403, and a connection member 142 that electrically connects the substrate 402 and the sensor 403.

基板４０２は、導電物質を含み、配線パターンが形成された第１基板４０４と、絶縁物質を含み、第１基板４０４上に配置された第２基板４０６と、導電物質を含み第２基板４０６上に配置された第３基板４０８と、絶縁物質を含み、第２基板４０６及び第３基板４０８上に配置され、開口を有する第４基板４１０と、絶縁物質を含み、第１基板４０４の一部を覆う第１絶縁層４１２と、絶縁物質を含み、第４基板４１０の一部を覆う第２絶縁層４１４とを含む６つの層により形成される。第３基板４０８は、第１電極部４０８ａ及び第２電極部４０８ｂを含む。図５に示すように、第４基板４１０は開口を有しており、この開口は、レーザ加工又はエッチングにより形成することができる。第４基板１１０の開口とこの開口を塞ぐ第２基板４０６及び第３基板４０８とによって、後述するＩＣ１１０を収納する凹形状の収納空間である凹部（キャビティ）４０９が形成される。凹部４０９において、第３基板４０８の第１電極部４０８ａの一部及び第２電極部４０８ｂは露出される。以下、基板４０２をキャビティ基板ともいう。基板４０２に使用される導電物質とは、例えば金属からなり、銅、銀、金、錫、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ベリリウム、タングステン、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、白金、クロム、タンタル、タリウム、チタン、モリブデンなどを用いることができる。絶縁物質は、例えば絶縁性樹脂からなり、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記樹脂は単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用して用いてもよい。本実施形態では、基板４０２が６層からなる例を説明するが、本発明はこれに限定されず、基板４０２の層は６以下であってもよく、６層以上であってもよい。   The substrate 402 includes a conductive material and includes a first substrate 404 on which a wiring pattern is formed, a second substrate 406 that includes an insulating material and is disposed on the first substrate 404, and includes a conductive material on the second substrate 406. A third substrate 408 disposed on the substrate, an insulating material, the second substrate 406 disposed on the second substrate 406 and the third substrate 408 and having an opening, and a portion of the first substrate 404 including the insulating material. The first insulating layer 412 covering the substrate and the second insulating layer 414 including an insulating material and covering a part of the fourth substrate 410 are formed. The third substrate 408 includes a first electrode part 408a and a second electrode part 408b. As shown in FIG. 5, the fourth substrate 410 has an opening, and this opening can be formed by laser processing or etching. The opening of the fourth substrate 110 and the second substrate 406 and the third substrate 408 that close the opening form a recess (cavity) 409 that is a concave storage space for storing the IC 110 described later. In the recess 409, a part of the first electrode part 408a and the second electrode part 408b of the third substrate 408 are exposed. Hereinafter, the substrate 402 is also referred to as a cavity substrate. The conductive material used for the substrate 402 is made of metal, for example, copper, silver, gold, tin, aluminum, nickel, palladium, beryllium, tungsten, rhodium, iridium, ruthenium, platinum, chromium, tantalum, thallium, titanium, Molybdenum or the like can be used. The insulating material is made of, for example, an insulating resin, such as epoxy resin, polyimide resin, benzocyclobutene resin, polyamide, phenol resin, silicone resin, fluororesin, liquid crystal polymer, polyamideimide, polybenzoxazole, cyanate resin, aramid, polyolefin, Polyester, BT resin, FR-4, FR-5, polyacetal, polybutylene terephthalate, syndiotactic polystyrene, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyether nitrile, polycarbonate, polyphenylene ether polysulfone, polyether sulfone, polyarylate, Polyetherimide or the like can be used. The above resins may be used alone or in combination of two or more kinds of resins. Further, an inorganic filler such as glass, talc, mica, silica, alumina or the like may be used in combination with the resin. In this embodiment, an example in which the substrate 402 includes six layers is described, but the present invention is not limited to this, and the number of layers of the substrate 402 may be six or less, or may be six or more.

第２基板４０６には、貫通電極１２０及び１２２が形成されている。貫通電極１２０及び１２２は、第１基板４０４と第３基板の第２電極部４０８ｂとを電気的に接続する。第４基板１１０上には、電極パッド４１８が配置される。電極パッド４１８の少なくとも一部は、第２絶縁層４１４によって覆われずに露出される。第４基板４１０には貫通電極４２０が形成されている。貫通電極４２０は、第３基板の第１電極部４０８ａと電極パッド４１８とを電気的に接続する。   On the second substrate 406, through electrodes 120 and 122 are formed. The through electrodes 120 and 122 electrically connect the first substrate 404 and the second electrode portion 408b of the third substrate. An electrode pad 418 is disposed on the fourth substrate 110. At least a part of the electrode pad 418 is exposed without being covered by the second insulating layer 414. A through electrode 420 is formed on the fourth substrate 410. The through electrode 420 electrically connects the first electrode portion 408a of the third substrate and the electrode pad 418.

ＩＣ１１０には、基板４０２と対向する面に電極パッド１２６が形成されている。ＩＣ１１０は、基板４０２の凹部４０９内に少なくとも一部が配置される。ＩＣ１１０は、電極パッド１２６が基板４０２の凹部４０９内に露出された第３基板４０８の第１電極部４０８ａ及び第２電極部４０８ｂに対応するように、凹部４０９に配置される。尚、ＩＣ１１０は、凹部４０９内に完全に収納されてもよく、その一部が収納されてもよい。ＩＣ１１０の電極パッド１２６は、導電性の接着剤、例えば半田などを介して第３基板４０８の第１電極部４０８ａ及び第２電極部４０８ｂと接続される。基板１０２とＩＣ１１０との間には、アンダーフィル１２８が充填されている。アンダーフィル１２８は、絶縁性を有した熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂であることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂であってもよい。ＩＣ１１０からの信号は、電極パッド１２６、第３基板の第２電極部４０８ｂ及び貫通電極１２０、１２２を通じて基板４０２の第１基板４０４に伝達される。   In the IC 110, an electrode pad 126 is formed on the surface facing the substrate 402. The IC 110 is at least partially disposed in the recess 409 of the substrate 402. The IC 110 is disposed in the recess 409 such that the electrode pad 126 corresponds to the first electrode portion 408 a and the second electrode portion 408 b of the third substrate 408 exposed in the recess 409 of the substrate 402. The IC 110 may be completely stored in the recess 409 or a part thereof may be stored. The electrode pad 126 of the IC 110 is connected to the first electrode portion 408a and the second electrode portion 408b of the third substrate 408 via a conductive adhesive, such as solder. An underfill 128 is filled between the substrate 102 and the IC 110. The underfill 128 is preferably a thermosetting resin and a thermoplastic resin having insulating properties, such as a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a urethane resin, a fluorine resin, and a phenol. It may be a resin or a benzocyclobutene resin. A signal from the IC 110 is transmitted to the first substrate 404 of the substrate 402 through the electrode pad 126, the second electrode portion 408 b of the third substrate, and the through electrodes 120 and 122.

センサ４０３は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６とを含む。センサ４０３の動作は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。電極パッド１３６は、アルミニウム、銅、金、銀、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｄなどを含んでもよい。センサ４０３は、センサ４０３の電極パッド１３６が第４基板４１０上に形成された電極パッド４１８と対向するようにＩＣ１１０上に配置され、接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ４０３の電極パッド１３６が露出するように、且つセンサ４０３の可動部１３３がＩＣ１１０に覆われるようにセンサ４０３とＩＣ１１０とが接着される。接着剤１４０は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法による測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂などを使用することができる。   The sensor 403 includes a movable portion 133 including a weight portion 130 and a flexible portion 132 connected to the weight portion 130, a support portion 134 connected to the flexible portion 132, and a flexible portion 132. A plurality of piezoresistive elements (not shown) for detecting the displacement of the portion 132 in the XYZ triaxial directions and an electrode pad 136 for receiving a signal from the piezoresistive elements. Since the operation of the sensor 403 is the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted. The electrode pad 136 may include aluminum, copper, gold, silver, Al—Si, Al—Si—Cu, Al—Nd, or the like. The sensor 403 is disposed on the IC 110 such that the electrode pad 136 of the sensor 403 faces the electrode pad 418 formed on the fourth substrate 410, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140. At this time, the sensor 403 and the IC 110 are bonded so that the electrode pad 136 of the sensor 403 is exposed and the movable portion 133 of the sensor 403 is covered with the IC 110. The adhesive 140 is preferably made of a material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone resin, bismaleimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, urethane System resin etc. can be used.

センサ４０３の電極パッド１３６と基板４０２に形成された電極パッド４１８とは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。センサ４０３からの信号は、電極パッド１３６、接続部材１４２、電極パッド４１８、貫通電極４２０、第３基板の第１電極部４０８ａ及び電極パッド１２６を通じてＩＣ１１０に伝達される。   The electrode pad 136 of the sensor 403 and the electrode pad 418 formed on the substrate 402 are electrically connected by the connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. A signal from the sensor 403 is transmitted to the IC 110 through the electrode pad 136, the connection member 142, the electrode pad 418, the through electrode 420, the first electrode portion 408a of the third substrate, and the electrode pad 126.

上述したように、図５に示した本発明の実施形態３に係る加速度センサデバイス４００は、ＩＣ１１０とセンサ４０３とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板４０２とセンサ４０３との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ４０３にかかる応力が低減される。また、基板４０２とセンサ４０３とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板４０２とセンサ４０３との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ４０３にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ４０３にかかる応力が低減されると、センサ４０３のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス４００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板４０２を介してセンサ４０３とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ４０３からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、図５に示した本発明の実施形態３に係る加速度センサデバイス４００は、基板４０２とＩＣ１１０とがフリップチップ実装され、基板４０２とセンサ４０３とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。素子と基板との接続にワイヤーボンディングを用いないため、加速度センサデバイス４００の実装面積が低減される。また、ワイヤーボンディングに用いられる配線がないため、配線を保護するための空間を形成するパッケージキャップや封止樹脂が必要なくなり、加速度センサデバイス４００全体を低背化することが可能となる。さらに、基板４０２は、凹形状の収納空間である凹部（キャビティ）４０９を有するキャビティ基板であり、この凹部４０９内にＩＣ１１０の少なくとも一部が配置される。したがって、加速度センサデバイス４００全体をさらに低背化することが可能となる。また、センサ４０３は、センサ４０３の可動部１３３がＩＣ１１０に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、ＩＣ１１０とセンサ４０３とを接着させる接着剤１４０は、ＩＣ１１０とセンサ４０３との間にスペースを確保する機能も果たす。このため、ＩＣ１１０がセンサ４０３の可動部１３３の動きを制限するストッパーとしての機能も果たし、センサ４０３の耐衝撃性も維持される。   As described above, in the acceleration sensor device 400 according to the third embodiment of the present invention illustrated in FIG. 5, the IC 110 and the sensor 403 are bonded to each other with the adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, the stress which arises by the difference in the thermal expansion coefficient of the board | substrate 402 and the sensor 403 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 403 is reduced. Further, the substrate 402 and the sensor 403 are electrically connected via a conductive connecting member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 402 and the sensor 403 is absorbed by the connecting member 142, so that the stress applied to the sensor 403 is reduced. When the stress applied to the sensor 403 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 403 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 400 is maintained and the reliability is improved. In addition, since the sensor 403 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 402, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 403 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Furthermore, in the acceleration sensor device 400 according to the third embodiment of the present invention illustrated in FIG. 5, the substrate 402 and the IC 110 are flip-chip mounted, and the substrate 402 and the sensor 403 are electrically connected via the connection member 142. The Since wire bonding is not used to connect the element and the substrate, the mounting area of the acceleration sensor device 400 is reduced. Further, since there is no wiring used for wire bonding, a package cap or sealing resin for forming a space for protecting the wiring is not necessary, and the entire acceleration sensor device 400 can be reduced in height. Furthermore, the substrate 402 is a cavity substrate having a recess (cavity) 409 that is a concave storage space, and at least a part of the IC 110 is disposed in the recess 409. Therefore, the overall height of the acceleration sensor device 400 can be further reduced. The sensor 403 is disposed on the IC 110 so that the movable portion 133 of the sensor 403 faces the IC 110, and the adhesive 140 that bonds the IC 110 and the sensor 403 secures a space between the IC 110 and the sensor 403. It also functions. For this reason, the IC 110 also functions as a stopper that restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 403, and the impact resistance of the sensor 403 is maintained.

尚、本実施形態において、基板４０２の電極パッド４１８上、及び／又はセンサ４０３の電極パッド１３６上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンを含むバンプを配置してもよい。その場合、センサ４０３の電極パッド１３６又は電極パッド１３６上に配置されたバンプと、基板４０２の電極パッド４１８又は電極パッド４１８上に配置されたバンプとが接続部材１４２を介して電気的に接続される。いずれの場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   In the present embodiment, bumps containing copper, gold, aluminum, and aluminum silicon may be disposed on the electrode pad 418 of the substrate 402 and / or the electrode pad 136 of the sensor 403. In that case, the bumps disposed on the electrode pad 136 or the electrode pad 136 of the sensor 403 and the bumps disposed on the electrode pad 418 or the electrode pad 418 of the substrate 402 are electrically connected via the connection member 142. The In either case, the same effects as described above can be obtained.

（実施形態４）
図６は、本発明の実施形態４に係る加速度センサデバイス５００の全体構成を示す断面図である。図６を参照して、本発明の実施形態４に係る加速度センサデバイス５００を説明する。尚、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００、図４（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス３００及び図５に示した加速度センサデバイス４００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。本実施形態において、基板４０２は、ＩＣ１１０の少なくとも一部を収納する収容空間となる凹部（キャビティ）４０９を有するキャビティ基板であり、且つセンサ３０２とＩＣ１１０との間にセンサキャップ３０６が配置されている。 (Embodiment 4)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an overall configuration of an acceleration sensor device 500 according to Embodiment 4 of the present invention. An acceleration sensor device 500 according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. The acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B, the acceleration sensor device 300 shown in FIGS. 4A and 4B, and the acceleration sensor device 400 shown in FIG. The same reference numerals are assigned to the constituent elements, and duplicate descriptions are omitted. In the present embodiment, the substrate 402 is a cavity substrate having a recess (cavity) 409 serving as a storage space for storing at least a part of the IC 110, and a sensor cap 306 is disposed between the sensor 302 and the IC 110. .

加速度センサデバイス４００は、基板４０２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ３０２及び基板４０２とセンサ３０２とを接続する接続部材１４２を含む。   The acceleration sensor device 400 includes a substrate 402, an IC 110 that is a control element, a sensor 302, and a connection member 142 that connects the substrate 402 and the sensor 302.

図５に示した加速度センサデバイス４００と同様に、基板４０２は、導電物質を含み、配線パターンが形成された第１基板４０４と、絶縁物質を含み、第１基板１０４上に配置された第２基板４０６と、導電物質を含み第２基板４０６上に配置された第３基板４０８と、絶縁物質を含み、第２基板４０６及び第３基板４０８上に配置され、開口を有する第４基板４１０と、絶縁物質を含み、第１基板４０４の一部を覆う第１絶縁層４１２と、絶縁物質を含み、第４基板４１０の一部を覆う第２絶縁層４１４とを含む６つの層により形成される。第３基板４０８は、第１電極部４０８ａ及び第２電極部４０８ｂを含む。第４基板４１０は開口を有しており、この開口は、レーザ加工又はエッチングにより形成することができる。第４基板４１０の開口とこの開口を塞ぐ第２基板４０６及び第３基板４０８とによって、ＩＣ１１０を収納するための凹形状の収納空間である凹部（キャビティ）４０９が形成されている。凹部４０９において、第３基板４０８の第１電極部４０８ａの一部及び第２電極部４０８ｂは露出される。基板４０２に使用される導電物質とは、例えば金属からなり、例えば、銅、銀、金、錫、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ベリリウム、タングステン、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、白金、クロム、タンタル、タリウム、チタン、モリブデンなどを用いることができる。絶縁物質には、絶縁性樹脂などを用いてもよい。例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記樹脂は単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用して用いてもよい。本実施形態では、基板４０２が６層からなる例を説明するが、本発明はこれに限定されず、基板４０２の層は６層以下であってもよく、６層以上であってもよい。   Similar to the acceleration sensor device 400 shown in FIG. 5, the substrate 402 includes a first substrate 404 including a conductive material and having a wiring pattern formed thereon, and a second substrate including an insulating material and disposed on the first substrate 104. A substrate 406; a third substrate 408 including a conductive material and disposed on the second substrate 406; a fourth substrate 410 including an insulating material and disposed on the second substrate 406 and the third substrate 408 and having an opening; The first insulating layer 412 includes an insulating material and covers a part of the first substrate 404, and the second insulating layer 414 includes an insulating material and covers a part of the fourth substrate 410. The The third substrate 408 includes a first electrode part 408a and a second electrode part 408b. The fourth substrate 410 has an opening, and this opening can be formed by laser processing or etching. The opening of the fourth substrate 410 and the second substrate 406 and the third substrate 408 that close the opening form a concave portion (cavity) 409 that is a concave storage space for storing the IC 110. In the recess 409, a part of the first electrode part 408a and the second electrode part 408b of the third substrate 408 are exposed. The conductive material used for the substrate 402 is made of, for example, metal, such as copper, silver, gold, tin, aluminum, nickel, palladium, beryllium, tungsten, rhodium, iridium, ruthenium, platinum, chromium, tantalum, thallium, Titanium, molybdenum, or the like can be used. An insulating resin or the like may be used as the insulating material. For example, epoxy resin, polyimide resin, benzocyclobutene resin, polyamide, phenol resin, silicone resin, fluorine resin, liquid crystal polymer, polyamideimide, polybenzoxazole, cyanate resin, aramid, polyolefin, polyester, BT resin, FR-4, FR-5, polyacetal, polybutylene terephthalate, syndiotactic polystyrene, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyether nitrile, polycarbonate, polyphenylene ether polysulfone, polyether sulfone, polyarylate, polyether imide, etc. can be used. . The above resins may be used alone or in combination of two or more kinds of resins. Further, an inorganic filler such as glass, talc, mica, silica, alumina or the like may be used in combination with the resin. In this embodiment, an example in which the substrate 402 includes six layers will be described. However, the present invention is not limited to this, and the layer of the substrate 402 may be six layers or less, or may be six layers or more.

第２基板４０６には、貫通電極１２０及び１２２が形成されている。貫通電極１２０及び１２２は、第１基板４０４と第３基板４０８の第２電極部４０８ｂとを電気的に接続する。第４基板１１０上には、電極パッド４１８が配置される。電極パッド４１８は少なくとも一部は、第２絶縁層４１４によって覆われずに露出される。第４基板４１０には貫通電極４２０が形成されている。貫通電極４２０は、第３基板４０８の第１電極部４０８ａと電極パッド４１８とを電気的に接続する。   On the second substrate 406, through electrodes 120 and 122 are formed. The through electrodes 120 and 122 electrically connect the first substrate 404 and the second electrode portion 408 b of the third substrate 408. An electrode pad 418 is disposed on the fourth substrate 110. At least a part of the electrode pad 418 is exposed without being covered with the second insulating layer 414. A through electrode 420 is formed on the fourth substrate 410. The through electrode 420 electrically connects the first electrode portion 408 a of the third substrate 408 and the electrode pad 418.

ＩＣ１１０には、基板４０２と対向する面に電極パッド１２６が形成されている。ＩＣ１１０は、基板４０２の凹部４０９内に少なくとも一部が配置される。ＩＣ１１０は、電極パッド１２６が基板４０２の凹部４０９内に露出された第３基板４０８の第１電極部４０８ａ及び第２電極部４０８ｂに対応するように、凹部４０９内に配置される。尚、ＩＣ１１０は、開口部４０８内に完全に収納されてもよく、その一部が収納されてもよい。ＩＣ１１０の電極パッド１２６は、導電性の接着剤、例えば半田などを介して第３基板４０８の第１電極部４０８ａ及び第２電極部４０８ｂと接続される。基板１０２とＩＣ１１０との間には、アンダーフィル１２８が充填されている。アンダーフィル１２８は、絶縁性を有した熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂であることが好ましく、例えば、シリコン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂であってもよい。ＩＣ１１０からの信号は、電極パッド１２６、第３基板４０８の第２電極部４０８ｂ、及び貫通電極１２０、１２２を通じて基板４０２の第１基板４０４に伝達される。   In the IC 110, an electrode pad 126 is formed on the surface facing the substrate 402. The IC 110 is at least partially disposed in the recess 409 of the substrate 402. The IC 110 is disposed in the recess 409 so that the electrode pad 126 corresponds to the first electrode portion 408 a and the second electrode portion 408 b of the third substrate 408 exposed in the recess 409 of the substrate 402. The IC 110 may be completely stored in the opening 408, or a part thereof may be stored. The electrode pad 126 of the IC 110 is connected to the first electrode portion 408a and the second electrode portion 408b of the third substrate 408 via a conductive adhesive, such as solder. An underfill 128 is filled between the substrate 102 and the IC 110. The underfill 128 is preferably a thermosetting resin and a thermoplastic resin having insulating properties, such as a silicon resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a urethane resin, a fluorine resin, and a phenol. It may be a resin or a benzocyclobutene resin. A signal from the IC 110 is transmitted to the first substrate 404 of the substrate 402 through the electrode pad 126, the second electrode portion 408 b of the third substrate 408, and the through electrodes 120 and 122.

図４（ａ）及び（ｂ）に示されるセンサデバイス３００と同様に、センサ３０２は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６と、電極パッド１３６上に配置されるバンプ１３８と、センサ３０２の可動部１３３を覆うセンサキャップ３０６とを含む。センサ３０２の動作は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。センサキャップ３０６は、センサ３０２の可動部１３３の動きを制限し、センサ３０２の耐衝撃性を確保する。電極パッド１３６は、アルミニウム、銅、金、銀、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｄなどを含んでもよい。バンプ１３８は、銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含んでもよく、特に金を含むことが好ましい。センサ３０２は、電極パッド１３６及びバンプ１３８が第４基板４１０に形成された電極パッド４１８と対向するようにＩＣ１１０上に配置され、接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ３０２のバンプ１３８が露出するようにセンサ３０２とＩＣ１１０とが接着される。接着剤１４０は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法による測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂などを使用することができる。   Similar to the sensor device 300 shown in FIGS. 4A and 4B, the sensor 302 includes a movable portion 133 including a weight portion 130 and a flexible portion 132 connected to the weight portion 130, and a flexible portion 132. , A plurality of piezoresistive elements (not shown) which are disposed in the flexible part 132 and detect the displacement of the flexible part 132 in three XYZ directions, and signals from the piezoresistive elements Receiving electrode pad 136, bump 138 disposed on electrode pad 136, and sensor cap 306 covering movable portion 133 of sensor 302. Since the operation of the sensor 302 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. The sensor cap 306 restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 302 and ensures the shock resistance of the sensor 302. The electrode pad 136 may include aluminum, copper, gold, silver, Al—Si, Al—Si—Cu, Al—Nd, or the like. The bump 138 may include copper, gold, aluminum, aluminum silicon, and the like, and particularly preferably includes gold. The sensor 302 is disposed on the IC 110 such that the electrode pad 136 and the bump 138 are opposed to the electrode pad 418 formed on the fourth substrate 410, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140. At this time, the sensor 302 and the IC 110 are bonded so that the bump 138 of the sensor 302 is exposed. The adhesive 140 is preferably made of a material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone resin, bismaleimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, urethane System resin etc. can be used.

センサ３０２のバンプ１３８と基板４０２に形成された電極パッド４１８とは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。センサ３０２からの信号は、電極パッド１３６、バンプ１３８、接続部材１４２、電極パッド４１８、貫通電極４２０、第３基板４０８の第１電極部４０８ａ、及び電極パッド１２６を通じてＩＣ１１０に伝達される。   The bumps 138 of the sensor 302 and the electrode pads 418 formed on the substrate 402 are electrically connected by the connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. A signal from the sensor 302 is transmitted to the IC 110 through the electrode pad 136, the bump 138, the connection member 142, the electrode pad 418, the through electrode 420, the first electrode portion 408 a of the third substrate 408, and the electrode pad 126.

上述したように、図６に示した本発明の実施形態４に係る加速度センサデバイス５００は、ＩＣ１１０とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板４０２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ３０２にかかる応力が低減される。また、基板４０２とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板４０２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ３０２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ３０２にかかる応力が低減されると、センサ３０２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス５００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板４０２を介してセンサ３０２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ３０２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、図６に示した本発明の実施形態４に係る加速度センサデバイス５００は、基板４０２とＩＣ１１０とがフリップチップ実装され、基板４０２とセンサ３０２とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。素子と基板との接続にワイヤーボンディングを用いないため、加速度センサデバイス５００の実装面積が低減される。また、ワイヤーボンディングに用いられる配線がないため、配線を保護するための空間を形成するパッケージキャップや封止樹脂が必要なくなり、加速度センサデバイス５００全体を低背化することが可能となる。さらに、基板４０２は、凹形状の収納空間である凹部（キャビティ）４０９を有するキャビティ基板であり、この収納空間内にＩＣ１１０の少なくとも一部が配置される。したがって、加速度センサデバイス５００全体をさらに低背化することが可能となる。   As described above, in the acceleration sensor device 500 according to the fourth embodiment of the present invention illustrated in FIG. 6, the IC 110 and the sensor 302 are bonded by the adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, the stress which arises by the difference in the thermal expansion coefficient of the board | substrate 402 and the sensor 302 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 302 is reduced. Further, the substrate 402 and the sensor 302 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, since the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 402 and the sensor 302 is absorbed by the connection member 142, the stress applied to the sensor 302 is reduced. When the stress applied to the sensor 302 is reduced by the connection as described above, a deviation amount of the offset value of the sensor 302 is reduced, so that desired performance of the acceleration sensor device 500 is maintained and reliability is improved. In addition, since the sensor 302 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 402, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 302 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Furthermore, in the acceleration sensor device 500 according to the fourth embodiment of the present invention illustrated in FIG. 6, the substrate 402 and the IC 110 are flip-chip mounted, and the substrate 402 and the sensor 302 are electrically connected via the connection member 142. The Since wire bonding is not used for connection between the element and the substrate, the mounting area of the acceleration sensor device 500 is reduced. Further, since there is no wiring used for wire bonding, a package cap or sealing resin for forming a space for protecting the wiring is not necessary, and the entire acceleration sensor device 500 can be reduced in height. Furthermore, the substrate 402 is a cavity substrate having a recess (cavity) 409 that is a concave storage space, and at least a part of the IC 110 is disposed in the storage space. Therefore, the height of the entire acceleration sensor device 500 can be further reduced.

尚、本実施形態において、センサ３０２の電極パッド１３６上だけではなく、基板４０２の電極パッド４１８上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含むバンプを配置し、接続部材１４２を介してバンプ１３８と電気的に接続してもよい。また、センサ３０２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８は省略されてもよい。その場合、センサ３０２の電極パッド１３６と基板４０２の電極パッド４１８とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。或いは、センサ３０２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８を省略し、基板４０２の電極パッド４１８上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含むバンプを配置し、接続部材１４２を介してセンサ３０２の電極パッド１３６と電極パッド４１８上に配置されたバンプとを電気的に接続してもよい。いずれの場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   In this embodiment, bumps including copper, gold, aluminum, aluminum silicon, and the like are disposed not only on the electrode pads 136 of the sensor 302 but also on the electrode pads 418 of the substrate 402, and the bumps 138 are connected via the connection members 142. And may be electrically connected. Further, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 302 may be omitted. In that case, the electrode pad 136 of the sensor 302 and the electrode pad 418 of the substrate 402 are electrically connected via the connection member 142. Alternatively, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 302 is omitted, and a bump containing copper, gold, aluminum, aluminum silicon, or the like is disposed on the electrode pad 418 of the substrate 402, and the sensor is connected via the connection member 142. The electrode pads 136 of 302 and the bumps disposed on the electrode pads 418 may be electrically connected. In either case, the same effects as described above can be obtained.

（実施形態５）
図７（ａ）は、本発明の実施形態５に係る加速度センサデバイス７００の全体構成を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係る加速度センサデバイス７００の平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施形態５に係る加速度センサデバイス７００の全体構成を示す断面図である。図７（ａ）は、図７（ｂ）のＦ−Ｆ´線に沿った断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＥ−Ｅ´線に沿った平面図であり、図７（ｃ）は、図７（ｂ）のＧ−Ｇ´線に沿った断面図である。図７（ａ）乃至（ｃ）を参照して、本発明の実施形態５に係る加速度センサデバイス７００を説明する。尚、図１（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス１００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。 (Embodiment 5)
FIG. 7A is a cross-sectional view showing the overall configuration of the acceleration sensor device 700 according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a plan view of the acceleration sensor device 700 according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 6C is a cross-sectional view showing the overall configuration of an acceleration sensor device 700 according to Embodiment 5 of the present invention. 7A is a cross-sectional view taken along the line FF ′ of FIG. 7B, and FIG. 7B is a plan view taken along the line EE ′ of FIG. 7A. FIG. 7C is a cross-sectional view taken along the line GG ′ of FIG. With reference to FIGS. 7A to 7C, an acceleration sensor device 700 according to Embodiment 5 of the present invention will be described. Note that the same or similar components as those of the acceleration sensor device 100 shown in FIGS. 1A and 1B are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

図７（ａ）乃至（ｃ）を参照すると、加速度センサデバイス７００は、基板７０２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ１１２、及び基板１０２とセンサ１１２とを電気的に接続する接続部材１４２を含む。本実施形態の加速度センサデバイス７００は、基板７０２とＩＣ１１０とがボンディングワイヤで接続される。   Referring to FIGS. 7A to 7C, the acceleration sensor device 700 includes a substrate 702, an IC 110 that is a control element, a sensor 112, and a connection member 142 that electrically connects the substrate 102 and the sensor 112. In the acceleration sensor device 700 of this embodiment, the substrate 702 and the IC 110 are connected by a bonding wire.

基板７０２は、導電物質を含み、配線パターンが形成された第１基板１０４と、絶縁物質を含み、第１基板１０４上に配置された第２基板１０６と、導電物質を含み、配線パターンが形成され、第２基板１０６上に配置された第３基板７０８と、絶縁物質を含み、第１基板１０４の一部を覆う第１絶縁層１０５と、絶縁物質を含み、第３基板の一部を覆う第２絶縁層とを含む５つの層により構成された配線基板である。基板７０２に含まれる導電物質及び絶縁物質は、図１（ａ）及び（ｂ）に示した本発明の実施形態１に係る加速度センサデバイス１００の基板１０２と同一であるため、重複する説明は省略する。本実施形態では、基板７０２が５層からなる例を説明するが、本発明はこれに限定されず、基板７０２の層は５層以下であってもよく、５層以上であってもよい。   The substrate 702 includes a conductive material and includes a first substrate 104 on which a wiring pattern is formed; an insulating material; the second substrate 106 disposed on the first substrate 104; and a conductive material that forms a wiring pattern. A third substrate 708 disposed on the second substrate 106; a first insulating layer 105 that includes an insulating material and covers a portion of the first substrate 104; and a portion of the third substrate that includes the insulating material. It is a wiring board composed of five layers including a second insulating layer to be covered. Since the conductive material and the insulating material included in the substrate 702 are the same as those of the substrate 102 of the acceleration sensor device 100 according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIGS. To do. In this embodiment, an example in which the substrate 702 includes five layers is described. However, the present invention is not limited to this, and the number of layers of the substrate 702 may be five or less, or five or more.

第３基板７０８には、配線パターンが形成される。第２絶縁層１０７は、第３基板７０８の一部を露出するように第３基板７０８上及び第２基板１０６上に配置される。図７（ｃ）に示すように、第２基板１０６には、貫通電極７２２及び７２４が形成される。貫通電極７２２及び７２４は、第１基板１０４と第３基板７０８とを電気的に接続する。   A wiring pattern is formed on the third substrate 708. The second insulating layer 107 is disposed on the third substrate 708 and the second substrate 106 so as to expose a part of the third substrate 708. As shown in FIG. 7C, through electrodes 722 and 724 are formed on the second substrate 106. The through electrodes 722 and 724 electrically connect the first substrate 104 and the third substrate 708.

図７（ａ）を参照すると、ＩＣ１１０は、第２絶縁層１０７上に配置される。ＩＣ１１０には、電極パッド７０２、７１０及び７１２が形成されている。ＩＣ１１０の電極パッド７０２は、配線（ボンディングワイヤ）７０４によって第３基板７０８と電気的に接続される。図７（ｃ）を参照すると、ＩＣ１１０の電極パッド７１０及び７１２は、それぞれ、配線（ボンディングワイヤ）７１４、７１６によって第３基板７０８と電気的に接続される。第３基板７０８とＩＣ１１０とを接続する配線７０４、７１４及び７１６は、絶縁性樹脂７０６、７１８、７２０でポッティングされて、各電極間は互いに絶縁される。ここで用いる絶縁性樹脂は、例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂であってもよい。図７（ｃ）に示すように、ＩＣ１１０からの信号は、電極パッド７１０、７１２、配線７１４、７１６、第３基板７０８、及び貫通電極７２２、７２４を通じて第１基板１０４に伝達される。   Referring to FIG. 7A, the IC 110 is disposed on the second insulating layer 107. In the IC 110, electrode pads 702, 710, and 712 are formed. The electrode pad 702 of the IC 110 is electrically connected to the third substrate 708 by a wiring (bonding wire) 704. Referring to FIG. 7C, the electrode pads 710 and 712 of the IC 110 are electrically connected to the third substrate 708 by wirings (bonding wires) 714 and 716, respectively. Wirings 704, 714, and 716 connecting the third substrate 708 and the IC 110 are potted with insulating resins 706, 718, and 720 so that the electrodes are insulated from each other. The insulating resin used here may be, for example, a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a urethane resin, a fluorine resin, a phenol resin, or a benzocyclobutene resin. As shown in FIG. 7C, a signal from the IC 110 is transmitted to the first substrate 104 through the electrode pads 710 and 712, the wirings 714 and 716, the third substrate 708, and the through-electrodes 722 and 724.

センサ１１２は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６と、電極パッド１３６上に配置されるバンプ１３８とを含む。センサ３０２の動作は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。電極パッド１３６及びバンプ１３８に使用される材料は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。バンプ１３８は、その一部が凸状に先突した形状を有するように形成される。センサ１１２は、電極パッド１３６及びバンプ１３８が第３基板７０８の露出した部分に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、可動部１３３を除いて接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ１１２のバンプ１３８が露出するように、且つ、センサ１１２の可動部１３３がＩＣ１１０に覆われるようにセンサ１１２とＩＣ１１０とが接着される。本実施形態では、基板７０２上にＩＣ１１０を介してセンサ１１２を配置するため、基板７０２の熱膨張係数とセンサ１１２の熱膨張係数との差によって生じる応力を接着剤１４０が吸収し、センサ特性に悪影響を及ぼすことを低減することができる。接着剤１４０の厚みは、ＩＣ１１０の上面がセンサ１１２の可動部１３３の過大な動きを制限するストッパーとして機能する高さに設定すればよい。接着剤１４０に使用される材料は実施形態１と同様であるため、説明を省略する。   The sensor 112 includes a movable part 133 including a weight part 130 and a flexible part 132 connected to the weight part 130, a support part 134 connected to the flexible part 132, and a flexible part 132. A plurality of piezoresistive elements (not shown) for detecting the displacement of the portion 132 in the XYZ triaxial directions, an electrode pad 136 for receiving a signal from the piezoresistive element, and a bump 138 disposed on the electrode pad 136. Including. Since the operation of the sensor 302 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. Since the materials used for the electrode pad 136 and the bump 138 are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted. The bump 138 is formed so that a part of the bump 138 protrudes in a convex shape. The sensor 112 is disposed on the IC 110 such that the electrode pad 136 and the bump 138 are opposed to the exposed portion of the third substrate 708, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140 except for the movable portion 133. At this time, the sensor 112 and the IC 110 are bonded so that the bump 138 of the sensor 112 is exposed and the movable portion 133 of the sensor 112 is covered with the IC 110. In the present embodiment, since the sensor 112 is disposed on the substrate 702 via the IC 110, the adhesive 140 absorbs the stress generated by the difference between the thermal expansion coefficient of the substrate 702 and the thermal expansion coefficient of the sensor 112, and the sensor characteristics are thereby improved. It is possible to reduce adverse effects. The thickness of the adhesive 140 may be set to a height at which the upper surface of the IC 110 functions as a stopper that restricts excessive movement of the movable portion 133 of the sensor 112. Since the material used for the adhesive 140 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

センサ１１２のバンプ１３８と第３基板７０８の露出部分とは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。上述のように、バンプ１３８は、先が尖った形状であり、接続部材１４２の材料がバンプ１３８を伝って広がるため、バンプ１３８と第３基板７０８との間を容易に且つ確実に接続部材１４２で満たすことができる。センサ１１２からの信号は、電極パッド１３６、バンプ１３８、接続部材１４２、第３基板７０８、配線７０４及び電極パッド７０２を通じてＩＣ１１０に伝達される。   The bump 138 of the sensor 112 and the exposed portion of the third substrate 708 are electrically connected by the connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. As described above, the bump 138 has a pointed shape, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 138. Therefore, the connection member 142 can be easily and reliably between the bump 138 and the third substrate 708. Can be filled with. A signal from the sensor 112 is transmitted to the IC 110 through the electrode pad 136, the bump 138, the connection member 142, the third substrate 708, the wiring 704, and the electrode pad 702.

上述したように、図７（ａ）乃至（ｃ）に示した本発明の実施形態７に係る加速度センサデバイス７００は、ＩＣ１１０とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板７０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ１１２にかかる応力が低減される。また、基板７０２とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板７０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ１１２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ１１２にかかる応力が低減されると、センサ１１２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス７００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板７０２を介してセンサ１１２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ１１２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、さらに、センサ１１２は、センサ１１２の可動部１３３がＩＣ１１０に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、ＩＣ１１０とセンサ１１２とを接着させる接着剤１４０は、ＩＣ１１０とセンサ１１２との間にスペースを確保する機能も果たす。このため、ＩＣ１１０がセンサ１１２の可動部１３３の動きを制限するストッパーとしての機能も果たし、センサ１１２の耐衝撃性も維持される。   As described above, in the acceleration sensor device 700 according to the seventh embodiment of the present invention shown in FIGS. 7A to 7C, the IC 110 and the sensor 112 are bonded by the adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. Has been. For this reason, the stress which arises by the difference in the thermal expansion coefficient of the board | substrate 702 and the sensor 112 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 112 is reduced. Further, the substrate 702 and the sensor 112 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, since the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 702 and the sensor 112 is absorbed by the connecting member 142, the stress applied to the sensor 112 is reduced. When the stress applied to the sensor 112 is reduced by the connection as described above, a deviation amount of the offset value of the sensor 112 is reduced, so that desired performance of the acceleration sensor device 700 is maintained and reliability is improved. In addition, since the sensor 112 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 702, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 112 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Furthermore, the sensor 112 is disposed on the IC 110 such that the movable portion 133 of the sensor 112 faces the IC 110, and the adhesive 140 that bonds the IC 110 and the sensor 112 creates a space between the IC 110 and the sensor 112. Also fulfills the function of securing. For this reason, the IC 110 also functions as a stopper that restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 112, and the impact resistance of the sensor 112 is maintained.

図８は、本発明の実施形態５に係る加速度センサデバイスの別の一例である加速度センサデバイス７００´を示す。図８に示す加速度センサデバイス７００´において、図２に示した加速度センサデバイス１００´及び図７（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス７００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。   FIG. 8 shows an acceleration sensor device 700 ′ which is another example of the acceleration sensor device according to the fifth embodiment of the present invention. In the acceleration sensor device 700 ′ shown in FIG. 8, the same reference is made to the same or similar components as the acceleration sensor device 100 ′ shown in FIG. 2 and the acceleration sensor device 700 shown in FIGS. Numbers are assigned and duplicate descriptions are omitted.

図８を参照すると、加速度センサデバイス７００´は、センサ１１２の電極パッド１３６上だけではなく、第３基板７０８の露出部分に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンなどを含むバンプ１３９を配置し、接続部材１４２を介してバンプ１３８と電気的に接続している点を除いて、図７（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス７００と同様の構成を有するため、重複する説明は省略する。第３基板７０８上に配置されたバンプ１３９は、バンプ１３８と同様に、その一部が凸状に先突した形状を有する。加速度センサデバイス７００´において、基板７０２及びセンサ１１２は、センサ１１２のバンプ１３６の凸部と第３基板７０８上に配置されたバンプ１３９の凸部とが互いに対向するように配置される。導電性部材１４２は、バンプ１３８とバンプ１３９との間に充填されて、センサ１１２と第３基板７０８とを電気的に接続する。バンプ１３８及びバンプ１３９は、先が尖った形状であり、接続部材１４２の材料がバンプ１３８及びバンプ１３９を伝って広がるため、バンプ１３８とバンプ１３９との間をより容易に且つより確実に接続部材１４２で満たすことができる。第３基板７０８と第１基板１０４とは、図７（ｃ）を参照して説明した構成により電気的に接続される。   Referring to FIG. 8, in the acceleration sensor device 700 ′, bumps 139 including copper, gold, aluminum, aluminum silicon, and the like are arranged not only on the electrode pads 136 of the sensor 112 but also on exposed portions of the third substrate 708, and connected. Since it has the same configuration as the acceleration sensor device 700 shown in FIGS. 7A to 7C except that it is electrically connected to the bump 138 via the member 142, the duplicate description is omitted. . Like the bump 138, the bump 139 disposed on the third substrate 708 has a shape in which a part of the bump 139 projects in a convex shape. In the acceleration sensor device 700 ′, the substrate 702 and the sensor 112 are disposed such that the bumps 136 of the sensor 112 and the bumps 139 disposed on the third substrate 708 face each other. The conductive member 142 is filled between the bump 138 and the bump 139 to electrically connect the sensor 112 and the third substrate 708. The bump 138 and the bump 139 have a pointed shape, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 138 and the bump 139. Therefore, the connection member can be more easily and more reliably between the bump 138 and the bump 139. 142. The third substrate 708 and the first substrate 104 are electrically connected by the configuration described with reference to FIG.

図８に示した加速度センサデバイス７００´は、図７（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス７００と同様に、ＩＣ１１０とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板７０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ１１２にかかる応力が低減される。また、基板７０２とセンサ１１２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板７０２とセンサ１１２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ１１２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ１１２にかかる応力が低減されると、センサ１１２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス７００´の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板７０２を介してセンサ１１２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ１１２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、センサ１１２は、センサ１１２の可動部１３３がＩＣ１１０に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、ＩＣ１１０とセンサ１１２とを接着させる接着剤１４０は、ＩＣ１１０とセンサ１１２との間にスペースを確保する機能も果たす。このため、ＩＣ１１０がセンサ１１２の可動部１３３の動きを制限するストッパーとしての機能も果たし、センサ１１２の耐衝撃性も維持される。また、加速度センサデバイス７００´において、センサ１１２に配置されたバンプ１３８だけでなく、基板７０２側にもバンプ１３９を配置することによって、バンプ１３８とバンプ１３９との間をより容易に且つより確実に接続部材１４２で満たすことができる。   Like the acceleration sensor device 700 shown in FIGS. 7A to 7C, the acceleration sensor device 700 ′ shown in FIG. 8 is formed by the adhesive 140 in which the IC 110 and the sensor 112 have a bending elastic modulus of 300 MPa or less. It is glued. For this reason, the stress which arises by the difference in the thermal expansion coefficient of the board | substrate 702 and the sensor 112 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 112 is reduced. Further, the substrate 702 and the sensor 112 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, since the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 702 and the sensor 112 is absorbed by the connecting member 142, the stress applied to the sensor 112 is reduced. When the stress applied to the sensor 112 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 112 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 700 ′ is maintained and the reliability is improved. . In addition, since the sensor 112 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 702, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 112 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Further, the sensor 112 is disposed on the IC 110 such that the movable portion 133 of the sensor 112 faces the IC 110, and the adhesive 140 that bonds the IC 110 and the sensor 112 secures a space between the IC 110 and the sensor 112. It also functions. For this reason, the IC 110 also functions as a stopper that restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 112, and the impact resistance of the sensor 112 is maintained. Further, in the acceleration sensor device 700 ′, not only the bump 138 disposed on the sensor 112 but also the bump 139 is disposed on the substrate 702 side, so that the space between the bump 138 and the bump 139 can be more easily and more reliably. The connecting member 142 can be filled.

以上、本発明の実施形態５に係る加速度センサデバイス７００及び加速度センサデバイス７００´について説明したが、本発明の実施形態５に係る加速度センサデバイスはこれらに限定されない。すなわち、センサ１１２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８は省略されてもよい。その場合、センサ１１２の電極パッド１３６と第３基板７０８の露出した部分とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。或いは、センサ１１２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８を省略し、第３基板７０８の露出した部分にバンプ１３９を配置し、接続部材１４２を介してセンサ１１２の電極パッド１３６と第３基板７０８上に配置されたバンプ１３９とを電気的に接続してもよい。いずれの場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   The acceleration sensor device 700 and the acceleration sensor device 700 ′ according to Embodiment 5 of the present invention have been described above, but the acceleration sensor device according to Embodiment 5 of the present invention is not limited to these. That is, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 112 may be omitted. In that case, the electrode pad 136 of the sensor 112 and the exposed portion of the third substrate 708 are electrically connected via the connection member 142. Alternatively, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 112 is omitted, the bump 139 is disposed on the exposed portion of the third substrate 708, and the electrode pad 136 of the sensor 112 and the third substrate are connected via the connection member 142. The bump 139 disposed on the 708 may be electrically connected. In either case, the same effects as described above can be obtained.

（実施形態６）
図９は、本発明の実施形態６に係る加速度センサデバイス９００の全体構成を示す断面図である。図９を参照して、本発明の実施形態６に係る加速度センサデバイス９００を説明する。尚、図４（ａ）及び（ｂ）に示した加速度センサデバイス３００、図７（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス７００及び図８に示した加速度センサデバイス７００´と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。図９に示した加速度センサデバイス９００の断面図に対応する加速度センサデバイス９００の平面図は、図７（ｂ）に示した加速度センサデバイス７００の平面図と略同一であるため、省略する。本実施形態では、基板７０２とＩＣ１１０とがボンディングワイヤで接続されており、センサ３０２とＩＣ１１０との間にセンサキャップ３０６が配置されている。 (Embodiment 6)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an overall configuration of an acceleration sensor device 900 according to Embodiment 6 of the present invention. With reference to FIG. 9, an acceleration sensor device 900 according to Embodiment 6 of the present invention will be described. The acceleration sensor device 300 shown in FIGS. 4A and 4B, the acceleration sensor device 700 shown in FIGS. 7A to 7C, and the acceleration sensor device 700 ′ shown in FIG. The same reference numerals are assigned to the constituent elements of, and duplicate descriptions are omitted. A plan view of the acceleration sensor device 900 corresponding to the cross-sectional view of the acceleration sensor device 900 shown in FIG. 9 is substantially the same as the plan view of the acceleration sensor device 700 shown in FIG. In the present embodiment, the substrate 702 and the IC 110 are connected by a bonding wire, and the sensor cap 306 is disposed between the sensor 302 and the IC 110.

図９を参照すると、加速度センサデバイス９００は、基板７０２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ３０２、及び基板７０２とセンサ３０２とを電気的に接続する接続部材１４２を含む。   Referring to FIG. 9, the acceleration sensor device 900 includes a substrate 702, an IC 110 that is a control element, a sensor 302, and a connection member 142 that electrically connects the substrate 702 and the sensor 302.

図９に示した加速度センサデバイス９００において、基板７０２の構成は、図８に示した加速度センサデバイス７００´と同一であるため、説明は省略する。また、ＩＣ１１０の構成は、図７（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス７００と同一であるため、説明は省略する。ＩＣ１１０からの信号は、図７（ｃ）を参照して説明したように、電極パッド７１０、７１２、配線７１４、７１６、第３基板７０８、及び貫通電極７２２、７２４を通じて第１基板１０４に伝達される。   In the acceleration sensor device 900 shown in FIG. 9, the configuration of the substrate 702 is the same as that of the acceleration sensor device 700 ′ shown in FIG. The configuration of the IC 110 is the same as that of the acceleration sensor device 700 shown in FIGS. As described with reference to FIG. 7C, the signal from the IC 110 is transmitted to the first substrate 104 through the electrode pads 710 and 712, the wirings 714 and 716, the third substrate 708, and the through-electrodes 722 and 724. The

センサ３０２は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６と、電極パッド１３６上に配置されるバンプ１３８と、センサ３０２の可動部１３３を覆うセンサキャップ３０６とを含む。センサ３０２の動作は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。センサキャップ３０６は、センサ３０２の可動部１３３の動きを制限し、センサ３０２の耐衝撃性を確保する。また、本実施形態においては、センサキャップ３０６を備えることで、製造工程におけるセンサ３０２の可動部１３３の保護、及びＩＣ１１０上にセンサ３０２を実装した場合における可動部１３３の気密性を高めることができる。電極パッド１３６及びバンプ１３８に使用される材料は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。センサ３０２は、電極パッド１３６及びバンプ１３８が第３基板７０８の露出した部分に配置されたバンプ１３９と対向するようにＩＣ１１０上に配置され、接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ３０２のバンプ１３８が露出するようにセンサ３０２とＩＣ１１０とが接着される。接着剤１４０は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法による測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂などを使用することができる。   The sensor 302 includes a movable portion 133 including a weight portion 130 and a flexible portion 132 connected to the weight portion 130, a support portion 134 connected to the flexible portion 132, and a flexible portion 132 disposed on the flexible portion 132. A plurality of piezoresistive elements (not shown) for detecting the displacement of the portion 132 in the XYZ triaxial directions, an electrode pad 136 for receiving a signal from the piezoresistive element, and a bump 138 disposed on the electrode pad 136; And a sensor cap 306 that covers the movable portion 133 of the sensor 302. Since the operation of the sensor 302 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. The sensor cap 306 restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 302 and ensures the shock resistance of the sensor 302. In the present embodiment, by providing the sensor cap 306, it is possible to improve the protection of the movable part 133 of the sensor 302 in the manufacturing process and the airtightness of the movable part 133 when the sensor 302 is mounted on the IC 110. . Since the materials used for the electrode pad 136 and the bump 138 are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted. The sensor 302 is disposed on the IC 110 such that the electrode pad 136 and the bump 138 are opposed to the bump 139 disposed on the exposed portion of the third substrate 708, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140. At this time, the sensor 302 and the IC 110 are bonded so that the bump 138 of the sensor 302 is exposed. The adhesive 140 is preferably made of a material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone resin, bismaleimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, urethane System resin etc. can be used.

センサ３０２のバンプ１３８と第３基板７０８上に配置されたバンプ１３９とは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。バンプ１３８及び１３９は、互いにその一部が凸状に先突した形状を有し、接続部材１４２の材料がバンプ１３８及びバンプ１３９を伝って広がるため、バンプ１３８とバンプ１３９との間を容易に且つ確実に接続部材１４２で満たすことができる。尚、第３基板７０８と第１基板１０４とは、実施形態５の図７（ｃ）を参照して説明した構成により電気的に接続される。   The bumps 138 of the sensor 302 and the bumps 139 disposed on the third substrate 708 are electrically connected by the connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. The bumps 138 and 139 have a shape in which a part thereof protrudes in a convex shape, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 138 and the bump 139, so that the gap between the bump 138 and the bump 139 can be easily performed. And it can fill with the connection member 142 reliably. In addition, the 3rd board | substrate 708 and the 1st board | substrate 104 are electrically connected by the structure demonstrated with reference to FIG.7 (c) of Embodiment 5. FIG.

図９に示した本発明の実施形態６に係る加速度センサデバイス９００は、ＩＣ１１０とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板７０２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ３０２にかかる応力が低減される。また、基板７０２とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板７０２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ３０２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ３０２にかかる応力が低減されると、センサ３０２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス３００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板７０２を介してセン３０２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ３０２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。   In the acceleration sensor device 900 according to the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 9, the IC 110 and the sensor 302 are bonded by an adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, the stress which arises by the difference of the thermal expansion coefficient of the board | substrate 702 and the sensor 302 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 302 is reduced. Further, the substrate 702 and the sensor 302 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, since the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 702 and the sensor 302 is absorbed by the connection member 142, the stress applied to the sensor 302 is reduced. When the stress applied to the sensor 302 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 302 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 300 is maintained and the reliability is improved. In addition, since the sensor 302 and the IC 110 are connected to each other via the connection member 142 and the substrate 702, the connection distance is shorter than the connection between the sensor and the IC using a bonding wire, and signal transmission from the sensor 302 to the IC 110 is performed at high speed. Can be

尚、本実施形態において、基板７０２の第３基板７０８上に配置されたバンプ１３９及びセンサ３０２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８は省略されてもよい。その場合、センサ３０２の電極パッド１３６と第３基板７０８とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。或いは、センサ１１２の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８、又は、第３基板７０８上に配置されたバンプ１３９のどちらか一方を省略してもよい。いずれの場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   In the present embodiment, the bump 139 disposed on the third substrate 708 of the substrate 702 and the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 302 may be omitted. In that case, the electrode pad 136 of the sensor 302 and the third substrate 708 are electrically connected via the connection member 142. Alternatively, either the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 112 or the bump 139 disposed on the third substrate 708 may be omitted. In either case, the same effects as described above can be obtained.

（実施形態７）
図１０（ａ）は、本発明の実施形態７に係る加速度センサデバイス１０００の全体構成を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の第７の実施形態に係る加速度センサデバイス１０００の平面図であり、（ｃ）は、本発明の第７の実施形態に係る加速度センサデバイス７００の全体構成を示す断面図である。図１０（ａ）は、図１０（ｂ）のＨ−Ｈ´線に沿った断面図であり、図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）のＩ−Ｉ´線に沿った断面図である。図１０（ａ）乃至（ｃ）を参照して、本発明の実施形態７に係る加速度センサデバイス１０００を説明する。尚、図５に示した加速度センサデバイス４００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。本実施形態において、基板１００２とＩＣ１１０とがボンディングワイヤで接続されており、基板１００２は、ＩＣ１１０の少なくとも一部を収納する収容空間となる凹部（キャビティ）１００９を有するキャビティ基板である。 (Embodiment 7)
FIG. 10A is a cross-sectional view showing the overall configuration of the acceleration sensor device 1000 according to the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 10B is a plan view of the acceleration sensor device 1000 according to the seventh embodiment of the present invention. FIG. 10C is a cross-sectional view showing an overall configuration of an acceleration sensor device 700 according to the seventh embodiment of the present invention. 10A is a cross-sectional view taken along the line H-H 'in FIG. 10B, and FIG. 10C is a cross-sectional view taken along the line I-I' in FIG. 10B. is there. With reference to FIGS. 10A to 10C, an acceleration sensor device 1000 according to Embodiment 7 of the present invention will be described. In addition, the same reference number is given to the same or similar component as the acceleration sensor device 400 shown in FIG. 5, and the duplicate description is omitted. In the present embodiment, the substrate 1002 and the IC 110 are connected by a bonding wire, and the substrate 1002 is a cavity substrate having a recess (cavity) 1009 serving as an accommodation space for accommodating at least a part of the IC 110.

加速度センサデバイス１０００は、基板１００２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ４０３、及び基板１００２とセンサ４０３とを電気的に接続する接続部材１４２を含む。   The acceleration sensor device 1000 includes a substrate 1002, an IC 110 that is a control element, a sensor 403, and a connection member 142 that electrically connects the substrate 1002 and the sensor 403.

基板１００２は、導電物質を含み、配線パターンが形成された第１基板４０４と、絶縁物質を含み、第１基板４０４上に配置された第２基板４０６と、導電物質を含み、配線パターンが形成され、第２基板４０６上に配置された第３基板１００１と、絶縁物質を含み、第２基板４０６及び第３基板１００１上に配置され、開口を有する第４基板４１０と、絶縁物質を含み、第１基板４０４の一部を覆う第１絶縁層４１２と、絶縁物質を含み、第４基板４１０の一部を覆う第２絶縁層４１４とを含む６つの層により形成される。図１０（ａ）乃至（ｃ）に示すように、第４基板４１０は開口を有しており、この開口は、レーザ加工又はエッチングにより形成することができる。第４基板１１０の開口とこの開口を塞ぐ第２基板４０６によって、ＩＣ１１０を収納する凹形状の収納空間である凹部（キャビティ）１００９が形成される。以下、基板１００２をキャビティ基板ともいう。基板１００２に使用される材料は、図５に示した加速度センサデバイス４００の基板４０２と同一であるため、省略する。本実施形態では、基板１００２が６層からなる例を説明するが、本発明はこれに限定されず、基板１００２の層は６以下であってもよく、６層以上であってもよい。   The substrate 1002 includes a conductive material and includes a first substrate 404 on which a wiring pattern is formed; an insulating material that includes a second substrate 406 disposed on the first substrate 404; and a conductive material that forms a wiring pattern. A third substrate 1001 disposed on the second substrate 406 and including an insulating material, and disposed on the second substrate 406 and the third substrate 1001 and having an opening, and an insulating material. The first insulating layer 412 covering a part of the first substrate 404 and the second insulating layer 414 including an insulating material and covering a part of the fourth substrate 410 are formed by six layers. As shown in FIGS. 10A to 10C, the fourth substrate 410 has an opening, and this opening can be formed by laser processing or etching. The opening of the fourth substrate 110 and the second substrate 406 that closes the opening form a recess (cavity) 1009 that is a recessed storage space for storing the IC 110. Hereinafter, the substrate 1002 is also referred to as a cavity substrate. The material used for the substrate 1002 is the same as that of the substrate 402 of the acceleration sensor device 400 shown in FIG. In this embodiment, an example in which the substrate 1002 includes six layers will be described. However, the present invention is not limited to this, and the number of layers of the substrate 1002 may be six or less, or may be six or more.

第４基板４１０上には、電極パッド１００４及び１００６が配置される。第４基板４１０には、貫通電極１００８及び１０１０が形成されている。貫通電極１００８は、電極パッド１００４と第３基板４０８とを電気的に接続し、貫通電極１０１０は、電極パッド１００６と第３基板４０８とを電気的に接続する。   Electrode pads 1004 and 1006 are disposed on the fourth substrate 410. On the fourth substrate 410, through electrodes 1008 and 1010 are formed. The through electrode 1008 electrically connects the electrode pad 1004 and the third substrate 408, and the through electrode 1010 electrically connects the electrode pad 1006 and the third substrate 408.

ＩＣ１１０は、基板１００２の凹部１００９内に少なくとも一部が配置される。ＩＩＣ１１０は、図７（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス７００と同一の構成を有するため、重複する説明は省略する。ＩＣ１１０の電極パッド７０２は、配線７０４、電極パッド１００６及び貫通電極１０１０を通じて第３基板１００１に電気的に接続される。尚、ＩＣ１１０は、開口部１００９内に完全に収納されてもよく、その一部が収納されてもよい。   The IC 110 is at least partially disposed in the recess 1009 of the substrate 1002. The IIC 110 has the same configuration as that of the acceleration sensor device 700 shown in FIGS. The electrode pad 702 of the IC 110 is electrically connected to the third substrate 1001 through the wiring 704, the electrode pad 1006, and the through electrode 1010. The IC 110 may be completely accommodated in the opening 1009 or a part thereof may be accommodated.

センサ４０３は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６と、電極パッド１３６上配置されたバンプ１３８とを含む。センサ４０３の動作は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。電極パッド１３６は、アルミニウム、銅、金、銀、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｄなどを含んでもよい。バンプ１３８に使用される材料は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。センサ４０３は、電極パッド１３６上のバンプ１３８が第４基板４１０上に形成された電極パッド１００４と対向するようにＩＣ１１０上に配置され、接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ４０３の電極パッド１３６及びバンプ１３８が露出するように、且つセンサ４０３の可動部１３３がＩＣ１１０に覆われるようにセンサ４０３とＩＣ１１０とが接着される。接着剤１４０は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法による測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂などを使用することができる。   The sensor 403 includes a movable portion 133 including a weight portion 130 and a flexible portion 132 connected to the weight portion 130, a support portion 134 connected to the flexible portion 132, and a flexible portion 132. A plurality of piezoresistive elements (not shown) for detecting the displacement of the portion 132 in the XYZ triaxial directions, an electrode pad 136 for receiving a signal from the piezoresistive element, and a bump 138 disposed on the electrode pad 136. . Since the operation of the sensor 403 is the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted. The electrode pad 136 may include aluminum, copper, gold, silver, Al—Si, Al—Si—Cu, Al—Nd, or the like. Since the material used for the bump 138 is the same as that in the first embodiment, the description thereof is omitted. The sensor 403 is disposed on the IC 110 so that the bump 138 on the electrode pad 136 faces the electrode pad 1004 formed on the fourth substrate 410, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140. At this time, the sensor 403 and the IC 110 are bonded so that the electrode pads 136 and the bumps 138 of the sensor 403 are exposed and the movable portion 133 of the sensor 403 is covered with the IC 110. The adhesive 140 is preferably made of a material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone resin, bismaleimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, urethane System resin etc. can be used.

センサ４０３のバンプ１３８と基板１００２に形成された電極パッド１００４とは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。センサ４０３の電極パッド１３６は、バンプ１３８、接続部材１４２、電極パッド１００４、貫通電極１００８を通じて第３基板１００１と電気的に接続される。図１０（ｃ）に示すように、第２基板４０６には、貫通電極１０１２及び１０１４が形成される。貫通電極１０１２及び１０１４は、第１基板４０４と第３基板１００１とを電気的に接続する。センサ４０３からの信号は、電極パッド１３６、導電性部材１４２、電極パッド１００４、貫通電極１００８、第３基板１００１、貫通電極１０１２、第１基板４０４、貫通電極１０１４、第３基板１００１、貫通電極１０１０、電極パッド１００６、配線７０４、電極パッド７０２を通じて、ＩＣ１１０に伝達される。尚、図１０（ｂ）に示すように、ＩＣ１１０からの信号は、ＩＣ１１０の電極パッド７１０及び７１２、配線（ボンディングワイヤ）７１４、７１６を通じて、第４基板４１０上に配置された電極パッド１０１６に伝達される。図示はしないが、電極パッド１０１６は、基板１００２の裏面に露出された第１基板４０４と貫通電極などで電気的に接続される。   The bump 138 of the sensor 403 and the electrode pad 1004 formed on the substrate 1002 are electrically connected by the connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. The electrode pad 136 of the sensor 403 is electrically connected to the third substrate 1001 through the bump 138, the connection member 142, the electrode pad 1004, and the through electrode 1008. As shown in FIG. 10C, the through electrodes 1012 and 1014 are formed on the second substrate 406. The through electrodes 1012 and 1014 electrically connect the first substrate 404 and the third substrate 1001. Signals from the sensor 403 are the electrode pad 136, the conductive member 142, the electrode pad 1004, the through electrode 1008, the third substrate 1001, the through electrode 1012, the first substrate 404, the through electrode 1014, the third substrate 1001, and the through electrode 1010. The signal is transmitted to the IC 110 through the electrode pad 1006, the wiring 704, and the electrode pad 702. As shown in FIG. 10B, a signal from the IC 110 is transmitted to the electrode pads 1016 arranged on the fourth substrate 410 through the electrode pads 710 and 712 of the IC 110 and the wirings (bonding wires) 714 and 716. Is done. Although not shown, the electrode pad 1016 is electrically connected to the first substrate 404 exposed on the back surface of the substrate 1002 through a through electrode or the like.

上述したように、図１０（ａ）乃至（ｃ）に示した本発明の実施形態７に係る加速度センサデバイス１０００は、ＩＣ１１０とセンサ４０３とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板１００２とセンサ４０３との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ４０３にかかる応力が低減される。また、基板１００２とセンサ４０３とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板１００２とセンサ４０３との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ４０３にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ４０３にかかる応力が低減されると、センサ４０３のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス１０００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板１００２を介してセンサ４０３とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ４０３からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、基板１００２は、凹形状の収納空間である凹部（キャビティ）１００９を有するキャビティ基板であり、この凹部１００９内にＩＣ１１０の少なくとも一部が配置される。したがって、加速度センサデバイス１０００全体をさらに低背化することが可能となる。また、センサ４０３は、センサ４０３の可動部１３３がＩＣ１１０に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、ＩＣ１１０とセンサ４０３とを接着させる接着剤１４０は、ＩＣ１１０とセンサ４０３との間にスペースを確保する機能も果たす。このため、ＩＣ１１０がセンサ４０３の可動部１３３の動きを制限するストッパーとしての機能も果たし、センサ４０３の耐衝撃性も維持される。   As described above, in the acceleration sensor device 1000 according to the seventh embodiment of the present invention shown in FIGS. 10A to 10C, the IC 110 and the sensor 403 are bonded to each other by the adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. Has been. For this reason, the stress which arises by the difference in the thermal expansion coefficient of the board | substrate 1002 and the sensor 403 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 403 is reduced. Further, the substrate 1002 and the sensor 403 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 1002 and the sensor 403 is absorbed by the connecting member 142, so that the stress applied to the sensor 403 is reduced. When the stress applied to the sensor 403 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 403 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 1000 is maintained and the reliability is improved. In addition, since the sensor 403 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 1002, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 403 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Further, the substrate 1002 is a cavity substrate having a recess (cavity) 1009 which is a concave storage space, and at least a part of the IC 110 is disposed in the recess 1009. Therefore, the overall height of the acceleration sensor device 1000 can be further reduced. The sensor 403 is disposed on the IC 110 so that the movable portion 133 of the sensor 403 faces the IC 110, and the adhesive 140 that bonds the IC 110 and the sensor 403 secures a space between the IC 110 and the sensor 403. It also functions. For this reason, the IC 110 also functions as a stopper that restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 403, and the impact resistance of the sensor 403 is maintained.

尚、本実施形態において、基板１００２の電極パッド１００４上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンを含むバンプを配置してもよい。その場合、センサ４０３の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８と、基板１００２の電極パッド１００４上に配置されたバンプとが接続部材１４２を介して電気的に接続される。或いは、センサ４０３の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８を省略して、基板１００２の電極パッド１００４上にバンプを配置して、電極パッド１３６と基板１００２の電極パッド１００４上に配置されたバンプとを接続部材１４２を介して電気的に接続してもよい。また、センサ４０３の電極パッド１３６上に配置されたバンプ１３８を省略してもよい。この場合、センサ４０３の電極パッド１３６と基板１００２の電極パッド１００４とが接続部材１４２を介して電気的に接続される。いずれの場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   In this embodiment, bumps including copper, gold, aluminum, and aluminum silicon may be disposed on the electrode pad 1004 of the substrate 1002. In that case, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 403 and the bump disposed on the electrode pad 1004 of the substrate 1002 are electrically connected via the connection member 142. Alternatively, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 403 is omitted, the bump is disposed on the electrode pad 1004 of the substrate 1002, and the bump disposed on the electrode pad 1004 of the electrode pad 136 and the substrate 1002. May be electrically connected via the connecting member 142. Further, the bump 138 disposed on the electrode pad 136 of the sensor 403 may be omitted. In this case, the electrode pad 136 of the sensor 403 and the electrode pad 1004 of the substrate 1002 are electrically connected via the connection member 142. In either case, the same effects as described above can be obtained.

（実施形態８）
図１１は、本発明の実施形態８に係る加速度センサデバイス１１００の全体構成を示す断面図である。図１１を参照して、本発明の実施形態８に係る加速度センサデバイス１１００を説明する。尚、図９に示した加速度センサデバイス９００及び図１０（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス１０００と同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。本実施形態において、基板１００２とＩＣ１１０とがボンディングワイヤで接続されており、基板１００２は、ＩＣ１１０の少なくとも一部を収納する収容空間となる凹部（キャビティ）１００９を有するキャビティ基板である。 (Embodiment 8)
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an overall configuration of an acceleration sensor device 1100 according to Embodiment 8 of the present invention. An acceleration sensor device 1100 according to Embodiment 8 of the present invention will be described with reference to FIG. The same reference numerals are given to the same or similar components as those of the acceleration sensor device 900 shown in FIG. 9 and the acceleration sensor device 1000 shown in FIGS. 10 (a) to 10 (c), and redundant description is omitted. To do. In the present embodiment, the substrate 1002 and the IC 110 are connected by a bonding wire, and the substrate 1002 is a cavity substrate having a recess (cavity) 1009 serving as an accommodation space for accommodating at least a part of the IC 110.

加速度センサデバイス１１００は、基板１００２、制御素子であるＩＣ１１０、センサ４０３、基板１００２とセンサ４０３とを電気的に接続する接続部材１４２、及びセンサ３０２とＩＣ１１０との間に配置されたセンサキャップ３０６を含む。   The acceleration sensor device 1100 includes a substrate 1002, an IC 110 that is a control element, a sensor 403, a connection member 142 that electrically connects the substrate 1002 and the sensor 403, and a sensor cap 306 that is disposed between the sensor 302 and the IC 110. Including.

加速度センサデバイス１１００の基板１００２及びＩＣ１１０は、図１０（ａ）乃至（ｃ）に示した加速度センサデバイス１０００の構成と同一であるため、重複する説明は省略する。ＩＣ１１０は、基板１００２の凹部１００９内に少なくとも一部が配置される。   Since the substrate 1002 and the IC 110 of the acceleration sensor device 1100 are the same as the configuration of the acceleration sensor device 1000 shown in FIGS. The IC 110 is at least partially disposed in the recess 1009 of the substrate 1002.

センサ３０２は、錘部１３０と錘部１３０に接続された可撓部１３２とを含む可動部１３３と、可撓部１３２に接続された支持部１３４と、可撓部１３２に配置されて可撓部１３２の変位をＸＹＺの３軸方向で検出する複数のピエゾ抵抗素子（図示せず）と、ピエゾ抵抗素子からの信号を受ける電極パッド１３６と、電極パッド１３６上に配置されるバンプ１３８と、センサ３０２の可動部１３３を覆うセンサキャップ３０６とを含む。センサ３０２の動作は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。センサキャップ３０６は、センサ３０２の可動部１３３の動きを制限し、センサ３０２の耐衝撃性を確保する。また、本実施形態においては、センサキャップ３０６を備えることで、製造工程におけるセンサ３０２の可動部１３３の保護、及びＩＣ１１０上にセンサ３０２を実装した場合における可動部１３３の気密性を高めることができる。電極パッド１３６及びバンプ１３８に使用される材料は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。センサ３０２は、電極パッド１３６及びバンプ１３８が第４基板４１０上に配置された電極パッド１００４と対向するようにＩＣ１１０上に配置され、接着剤１４０を介してＩＣ１１０と接着される。このとき、センサ３０２のバンプ１３８が露出するようにセンサ３０２とＩＣ１１０とが接着される。接着剤１４０は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法による測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂などを使用することができる。   The sensor 302 includes a movable portion 133 including a weight portion 130 and a flexible portion 132 connected to the weight portion 130, a support portion 134 connected to the flexible portion 132, and a flexible portion 132 disposed on the flexible portion 132. A plurality of piezoresistive elements (not shown) for detecting the displacement of the portion 132 in the XYZ triaxial directions, an electrode pad 136 for receiving a signal from the piezoresistive element, and a bump 138 disposed on the electrode pad 136; And a sensor cap 306 that covers the movable portion 133 of the sensor 302. Since the operation of the sensor 302 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. The sensor cap 306 restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 302 and ensures the shock resistance of the sensor 302. In the present embodiment, by providing the sensor cap 306, it is possible to improve the protection of the movable part 133 of the sensor 302 in the manufacturing process and the airtightness of the movable part 133 when the sensor 302 is mounted on the IC 110. . Since the materials used for the electrode pad 136 and the bump 138 are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted. The sensor 302 is disposed on the IC 110 such that the electrode pad 136 and the bump 138 face the electrode pad 1004 disposed on the fourth substrate 410, and is bonded to the IC 110 via the adhesive 140. At this time, the sensor 302 and the IC 110 are bonded so that the bump 138 of the sensor 302 is exposed. The adhesive 140 is preferably made of a material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone resin, bismaleimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, urethane System resin etc. can be used.

センサ３０２のバンプ１３８と第４基板４１０上に配置された電極パッド１００４とは、接続部材１４２によって電気的に接続される。接続部材１４２は、導電性を有し、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下（ＤＭＡ法により測定）の材料を使用することが好ましく、例えば、シリコーン系導電性ペースト、銀ペースト、銀コート銅ペースト、銅ペーストなどであってもよい。バンプ１３８は、その一部が凸状に先突した形状を有し、接続部材１４２の材料がバンプ１３８を伝って広がるため、バンプ１３８と電極パッド１００４との間を容易に且つ確実に接続部材１４２で満たすことができる。尚、センサ３０２とＩＣ１１０、及びＩＣ１１０と基板１００２の電気的な接続関係は、図１０（ａ）乃至（ｃ）を参照して説明した第７の実施形態に係る加速度センサ１０００と同様であるため、省略する。   The bumps 138 of the sensor 302 and the electrode pads 1004 disposed on the fourth substrate 410 are electrically connected by the connection member 142. The connecting member 142 is preferably made of a conductive material having a flexural modulus of 300 MPa or less (measured by the DMA method). For example, a silicone-based conductive paste, silver paste, silver-coated copper paste, copper paste It may be. A part of the bump 138 has a shape that protrudes in a convex shape, and the material of the connection member 142 spreads along the bump 138, so that the connection member is easily and reliably between the bump 138 and the electrode pad 1004. 142. The electrical connection relationship between the sensor 302 and the IC 110 and between the IC 110 and the substrate 1002 is the same as that of the acceleration sensor 1000 according to the seventh embodiment described with reference to FIGS. Omitted.

上述したように、図１１に示した本発明の実施形態８に係る加速度センサデバイス１１００は、ＩＣ１１０とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する接着剤１４０によって接着されている。このため、基板１００２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接着剤１４０によって吸収され、センサ３０２にかかる応力が低減される。また、基板１００２とセンサ３０２とが３００ＭＰａ以下の曲げ弾性率を有する導電性の接続部材１４２を介して電気的に接続されている。このため、基板１００２とセンサ３０２との熱膨張率の差によって生じる応力が接続部材１４２によって吸収されるため、センサ３０２にかかる応力が低減される。上述のような接続によって、センサ３０２にかかる応力が低減されると、センサ３０２のオフセット値のずれ量が低減されるため、加速度センサデバイス１１００の所望の性能が維持され、信頼性が向上する。また、接続部材１４２及び基板１００２を介してセンサ３０２とＩＣ１１０とを接続するため、センサとＩＣとをボンディングワイヤで接続するよりも接続距離が短くなり、センサ３０２からＩＣ１１０への信号の伝達を高速化することができる。さらに、基板１００２は、凹形状の収納空間である凹部（キャビティ）１００９を有するキャビティ基板であり、この凹部１００９内にＩＣ１１０の少なくとも一部が配置される。したがって、加速度センサデバイス１０００全体をさらに低背化することが可能となる。また、センサ３０２は、センサ４０３の可動部１３３がＩＣ１１０に対向するようにＩＣ１１０上に配置され、ＩＣ１１０とセンサ３０２とを接着させる接着剤１４０は、ＩＣ１１０とセンサ３０２との間にスペースを確保する機能も果たす。このため、ＩＣ１１０がセンサ３０２の可動部１３３の動きを制限するストッパーとしての機能も果たし、センサ３０２の耐衝撃性も維持される。   As described above, in the acceleration sensor device 1100 according to the eighth embodiment of the present invention illustrated in FIG. 11, the IC 110 and the sensor 302 are bonded to each other with the adhesive 140 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, the stress which arises by the difference of the thermal expansion coefficient of the board | substrate 1002 and the sensor 302 is absorbed by the adhesive agent 140, and the stress concerning the sensor 302 is reduced. Further, the substrate 1002 and the sensor 302 are electrically connected via a conductive connection member 142 having a bending elastic modulus of 300 MPa or less. For this reason, since the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 1002 and the sensor 302 is absorbed by the connection member 142, the stress applied to the sensor 302 is reduced. When the stress applied to the sensor 302 is reduced by the connection as described above, the deviation amount of the offset value of the sensor 302 is reduced, so that the desired performance of the acceleration sensor device 1100 is maintained and the reliability is improved. In addition, since the sensor 302 and the IC 110 are connected via the connection member 142 and the substrate 1002, the connection distance is shorter than when the sensor and the IC are connected by a bonding wire, and signal transmission from the sensor 302 to the IC 110 is performed at high speed. Can be Further, the substrate 1002 is a cavity substrate having a recess (cavity) 1009 which is a concave storage space, and at least a part of the IC 110 is disposed in the recess 1009. Therefore, the overall height of the acceleration sensor device 1000 can be further reduced. The sensor 302 is arranged on the IC 110 so that the movable portion 133 of the sensor 403 faces the IC 110, and the adhesive 140 that bonds the IC 110 and the sensor 302 secures a space between the IC 110 and the sensor 302. It also functions. For this reason, the IC 110 also functions as a stopper that restricts the movement of the movable portion 133 of the sensor 302, and the impact resistance of the sensor 302 is maintained.

尚、本実施形態において、基板１００２の電極パッド１００４上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンを含むバンプを配置してもよい。その場合、センサ３０２のバンプ１３８と、基板１００２の電極パッド１００４上に配置されたバンプとが接続部材１４２を介して電気的に接続される。或いは、センサ３０２のバンプ１３８を省略して、基板１００２の電極パッド１００４上に銅、金、アルミニウム、アルミシリコンを含むバンプを配置し、センサ３０２の電極パッド１３６と基板１００２の電極パッド１００４上に配置したバンプとを接続部材１４２を介して電気的に接続してもよい。また、センサ３０２のバンプ１３８を省略して、センサ３０２の電極パッド１３６と基板１００２の電極パッド１００４とを接続部材１４２を介して電気的に接続してよい。いずれの場合も、上述の効果と同じ効果を奏する。   In this embodiment, bumps including copper, gold, aluminum, and aluminum silicon may be disposed on the electrode pad 1004 of the substrate 1002. In that case, the bump 138 of the sensor 302 and the bump disposed on the electrode pad 1004 of the substrate 1002 are electrically connected via the connection member 142. Alternatively, the bumps 138 of the sensor 302 are omitted, bumps containing copper, gold, aluminum, and aluminum silicon are disposed on the electrode pads 1004 of the substrate 1002, and the electrode pads 136 of the sensor 302 and the electrode pads 1004 of the substrate 1002 are disposed. The arranged bumps may be electrically connected via the connection member 142. Further, the bump 138 of the sensor 302 may be omitted, and the electrode pad 136 of the sensor 302 and the electrode pad 1004 of the substrate 1002 may be electrically connected via the connection member 142. In either case, the same effects as described above can be obtained.

次に、実施形態１乃至実施形態８に記載したいずれかの加速度センサデバイスを実装した半導体装置を説明する。尚、本明細書において、半導体装置とは、半導体技術を利用して機能しうる装置全般を指す。   Next, a semiconductor device on which any one of the acceleration sensor devices described in the first to eighth embodiments is mounted will be described. Note that in this specification, a semiconductor device refers to all devices that can function using semiconductor technology.

図１２は、実施形態１乃至実施形態８に記載したいずれかの加速度センサデバイスを実装した半導体装置を示し、例えば、センサモジュール１２００の一例を示す斜視図である。図１２においてセンサモジュール１２００は、実施形態１乃至実施形態８のいずれかの加速度センサデバイス１２０４、ＣＰＵ１２０６、メモリチップ１２０８が配線パターン（図示せず）を有する基板１２０２上に実装されている。ＣＰＵ１２０６は、加速度センサデバイス１２０６に含まれるＩＣの制御などを行う。メモリチップ１２０８は、ＣＰＵ１２０６の制御用プログラムやパラメータなどを記憶するメモリである。   FIG. 12 is a perspective view showing a semiconductor device on which any of the acceleration sensor devices described in the first to eighth embodiments is mounted, for example, an example of the sensor module 1200. In FIG. 12, the sensor module 1200 includes the acceleration sensor device 1204, the CPU 1206, and the memory chip 1208 according to any one of the first to eighth embodiments mounted on a substrate 1202 having a wiring pattern (not shown). The CPU 1206 performs control of an IC included in the acceleration sensor device 1206 and the like. The memory chip 1208 is a memory that stores a control program, parameters, and the like for the CPU 1206.

センサモジュール１２００において、実施形態１乃至実施形態８に記載した低背化或いは小型化された加速度センサデバイス１２０４を実装することにより、センサモジュール１２００を小型化することが可能となる。また、実施形態１乃至実施形態８で説明したように、センサとＩＣとの電気的な接続距離が短縮化されるため、加速度センサデバイス１２０４の高速応答が可能となり、センサデバイス１２０４を実装するセンサモジュール１２００自体の動作の高速化が可能となる。このセンサモジュール１２００を搭載した電子機器として、携帯型情報端末１３００の構成例を図１３に示す。   By mounting the acceleration sensor device 1204 having a reduced height or size described in the first to eighth embodiments in the sensor module 1200, the sensor module 1200 can be reduced in size. Further, as described in the first to eighth embodiments, since the electrical connection distance between the sensor and the IC is shortened, the acceleration sensor device 1204 can respond at high speed, and the sensor on which the sensor device 1204 is mounted. The operation of the module 1200 itself can be speeded up. FIG. 13 shows a configuration example of a portable information terminal 1300 as an electronic device in which the sensor module 1200 is mounted.

図１３は、携帯型情報端末１３００の構成例を示す斜視図である。図１３において、携帯型情報端末１３００は、ディスプレイ部１３０２と、キーボード部１３０４とを含む。センサモジュール１２００は、例えば、キーボード部１３０４の内部に実装される。携帯型情報端末１３００は、その内部に各種のプログラムを記憶しており、各種プログラムにより、通信処理や情報処理を実行する機能を有する。携帯情報端末１３００では、センサモジュール１２００の加速度センサにより検出される加速度をアプリケーションプログラムで利用することにより、例えば、落下時の加速度を検出して電源をオフさせる等の機能を付加することが可能になる。   FIG. 13 is a perspective view illustrating a configuration example of the portable information terminal 1300. In FIG. 13, the portable information terminal 1300 includes a display unit 1302 and a keyboard unit 1304. The sensor module 1200 is mounted inside the keyboard unit 1304, for example. The portable information terminal 1300 stores various programs therein, and has a function of executing communication processing and information processing using the various programs. In the portable information terminal 1300, by using the acceleration detected by the acceleration sensor of the sensor module 1200 in the application program, for example, it is possible to add a function such as detecting the acceleration at the time of dropping and turning off the power. Become.

上記のようにセンサモジュール１２００を携帯型情報端末１３００に実装することにより、新たな機能を実現することができ、携帯型情報端末１３００の利便性や信頼性を向上させることが可能になる。なお、センサモジュール１２００を実装する電子機器は、上述の携帯型情報端末１３００に限定するものではなく、例えば、ディスプレイ、プロジェクタ、スキャナ等の他の電子機器にも適用可能である。   By mounting the sensor module 1200 on the portable information terminal 1300 as described above, a new function can be realized, and convenience and reliability of the portable information terminal 1300 can be improved. The electronic device on which the sensor module 1200 is mounted is not limited to the above-described portable information terminal 1300, and can be applied to other electronic devices such as a display, a projector, and a scanner.

１００ センサデバイス
１０２ 基板
１１０ ＩＣ
１１２ センサ
１１４ 導電部
１３６ 電極パッド
１３８ バンプ
１４０ 接着剤
１４２ 接続部材 100 sensor device 102 substrate 110 IC
112 Sensor 114 Conductive portion 136 Electrode pad 138 Bump 140 Adhesive 142 Connection member

Claims (39)

少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板と、
前記基板の前記第１電極部が配置された側に配置された制御素子と、
可動部と、前記基板の前記第１電極部に対向し、前記可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、前記電極パッドを露出させて前記制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、
前記基板の前記第１電極部と前記ＭＥＭＳ素子の前記電極パッドとを電気的に接続する接続部材と、
を具備し、
前記可動部は、前記制御素子に覆われたことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 A substrate having a first electrode portion on at least one surface side;
A control element disposed on the side of the substrate on which the first electrode portion is disposed;
A MEMS disposed on the control element with a movable part and an electrode pad facing the first electrode part of the substrate for detecting or controlling the displacement of the movable part, exposing the electrode pad Elements,
A connection member for electrically connecting the first electrode portion of the substrate and the electrode pad of the MEMS element;
Comprising
The MEMS device, wherein the movable part is covered with the control element. 前記基板は、前記第１電極部が配置された側に凹部を有し、
前記制御素子の少なくとも一部は、前記凹部内に収納されたことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate has a recess on the side where the first electrode portion is disposed,
The MEMS device according to claim 1, wherein at least a part of the control element is accommodated in the recess. 前記接続部材は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 1, wherein the connection member has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記基板は、前記一方の面から他方の面に貫通する貫通電極を有し、前記他方の面に配線層を有し、
前記貫通電極は、前記第１電極部と前記配線層とを電気的に接続することを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate has a through electrode penetrating from the one surface to the other surface, and has a wiring layer on the other surface,
The MEMS device according to claim 1, wherein the through electrode electrically connects the first electrode portion and the wiring layer. 前記制御素子と前記ＭＥＭＳ素子とは、前記可動部を除いて接着剤で接着されたことを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 1, wherein the control element and the MEMS element are bonded with an adhesive except for the movable portion. 前記接着剤は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項５に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 5, wherein the adhesive has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記電極パッド上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプをさらに具備することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 1, further comprising a bump disposed on the electrode pad and electrically connected to the connection member. 前記基板は、前記第１電極部上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 1, wherein the substrate has a bump disposed on the first electrode portion and electrically connected to the connection member. 前記基板は、第２電極部をさらに有し、
前記第２電極部と前記制御素子とは、導電性の接着剤を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate further includes a second electrode portion,
The MEMS device according to any one of claims 1 to 8, wherein the second electrode unit and the control element are electrically connected via a conductive adhesive. 少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板と、
前記基板の前記第１電極部が配置された側に配置された制御素子と、
可動部と、前記基板の前記第１電極部に対向し、前記可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、前記電極パッドを露出させて前記制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、
前記制御素子と前記ＭＥＭＳ素子との間に配置され、前記可動部を覆うキャップと、
前記基板の前記第１電極部と前記ＭＥＭＳ素子の前記電極パッドとを電気的に接続する接続部材と、
を具備するＭＥＭＳデバイス。 A substrate having a first electrode portion on at least one surface side;
A control element disposed on the side of the substrate on which the first electrode portion is disposed;
A MEMS disposed on the control element with a movable part and an electrode pad facing the first electrode part of the substrate for detecting or controlling the displacement of the movable part, exposing the electrode pad Elements,
A cap disposed between the control element and the MEMS element and covering the movable part;
A connection member for electrically connecting the first electrode portion of the substrate and the electrode pad of the MEMS element;
A MEMS device comprising: 前記基板は、前記第１電極部が配置された面に凹部を有し、
前記制御素子は、前記凹部内に配置されたことを特徴とする請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate has a recess on a surface on which the first electrode portion is disposed,
The MEMS device according to claim 10, wherein the control element is disposed in the recess. 前記接続部材は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 10 or 11, wherein the connection member has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記基板は、前記一方の面から他方の面に貫通する貫通電極を有し、前記他方の面に配線層を有し、
前記貫通電極は、前記第１電極部と前記配線層とを電気的に接続することを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate has a through electrode penetrating from the one surface to the other surface, and has a wiring layer on the other surface,
The MEMS device according to claim 10, wherein the through electrode electrically connects the first electrode portion and the wiring layer. 前記制御素子と前記キャップとは、接着剤で接着されたことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 10 or 11, wherein the control element and the cap are bonded with an adhesive. 前記接着剤は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１４に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 14, wherein the adhesive has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記電極パッド上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプをさらに具備することを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 10, further comprising a bump disposed on the electrode pad and electrically connected to the connection member. 前記基板は、前記第１電極部上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプを有することを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   17. The MEMS device according to claim 10, wherein the substrate has a bump disposed on the first electrode portion and electrically connected to the connection member. 前記基板は、第２電極部をさらに有し、
前記第２電極部と前記制御素子とは、導電性の接着剤を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate further includes a second electrode portion,
The MEMS device according to claim 10, wherein the second electrode unit and the control element are electrically connected via a conductive adhesive. 配線を有する基板と、
前記配線の一部を露出させて前記基板上に配置された制御素子と、
可動部と、前記基板の露出された前記配線に対向し、前記可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、前記電極パッドを露出させて前記制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、
前記配線と前記ＭＥＭＳ素子の前記電極パッドとを電気的に接続する接続部材と、
を具備し、
前記可動部は、前記制御素子に覆われたことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 A substrate having wiring;
A control element disposed on the substrate with a portion of the wiring exposed;
A MEMS disposed on the control element with a movable part and an electrode pad facing the exposed wiring of the substrate and detecting or controlling the displacement of the movable part. Elements,
A connection member for electrically connecting the wiring and the electrode pad of the MEMS element;
Comprising
The MEMS device, wherein the movable part is covered with the control element. 前記基板は、前記制御素子が配置された側に凹部を有し、
前記制御素子の少なくとも一部は、前記凹部内に収納されたことを特徴とする請求項１９に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate has a recess on the side where the control element is disposed,
The MEMS device according to claim 19, wherein at least a part of the control element is accommodated in the recess. 前記接続部材は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１９又は２０に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 19 or 20, wherein the connection member has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記制御素子と前記ＭＥＭＳ素子とは、前記可動部を除いて接着剤で接着されたことを特徴とする請求項１９又は２０に記載のＭＥＭＳデバイス。   21. The MEMS device according to claim 19, wherein the control element and the MEMS element are bonded with an adhesive except for the movable part. 前記接着剤は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項２２に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 22, wherein the adhesive has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記電極パッド上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプをさらに具備することを特徴とする請求項１９乃至２３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to any one of claims 19 to 23, further comprising a bump disposed on the electrode pad and electrically connected to the connection member. 前記基板は、前記電極部上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプを有することを特徴とする請求項１９乃至２４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to any one of claims 19 to 24, wherein the substrate includes a bump disposed on the electrode portion and electrically connected to the connection member. 前記制御素子は、電極パッドを有し、
前記基板の配線と前記制御素子の電極パッドは、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項１９乃至２５のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。 The control element has an electrode pad;
The MEMS device according to any one of claims 19 to 25, wherein the wiring of the substrate and the electrode pad of the control element are electrically connected via a bonding wire. 配線を有する基板と、
前記配線の一部を露出させて前記基板上に配置された制御素子と、
可動部と、前記基板の露出された前記配線に対向し、前記可動部の変位を検出又は制御するための電極パッドとを備え、前記電極パッドを露出させて前記制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、
前記制御素子と前記ＭＥＭＳ素子との間に配置され、前記可動部を覆うキャップと、
前記配線と前記ＭＥＭＳ素子の前記電極パッドとを電気的に接続する接続部材と、
を具備するＭＥＭＳデバイス。 A substrate having wiring;
A control element disposed on the substrate with a portion of the wiring exposed;
A MEMS disposed on the control element with a movable part and an electrode pad facing the exposed wiring of the substrate and detecting or controlling the displacement of the movable part. Elements,
A cap disposed between the control element and the MEMS element and covering the movable part;
A connection member for electrically connecting the wiring and the electrode pad of the MEMS element;
A MEMS device comprising: 前記基板は、前記制御素子が配置された側に凹部を有し、
前記制御素子の少なくとも一部は、前記凹部内に収納されたことを特徴とする請求項２７に記載のＭＥＭＳデバイス。 The substrate has a recess on the side where the control element is disposed,
28. The MEMS device according to claim 27, wherein at least a part of the control element is accommodated in the recess. 前記接続部材は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項２７又は２８に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 27 or 28, wherein the connection member has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記制御素子と前記ＭＥＭＳ素子とは、前記可動部を除いて接着剤で接着されたことを特徴とする請求項２７又は２８に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 27 or 28, wherein the control element and the MEMS element are bonded with an adhesive except for the movable portion. 前記接着剤は、曲げ弾性率が３００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項３０に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to claim 30, wherein the adhesive has a flexural modulus of 300 MPa or less. 前記電極パッド上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプをさらに具備することを特徴とする請求項２７乃至３１のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   32. The MEMS device according to claim 27, further comprising a bump disposed on the electrode pad and electrically connected to the connection member. 前記基板は、前記電極部上に配置され、前記接続部材に電気的に接続されるバンプを有することを特徴とする請求項２７乃至３２のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。   The MEMS device according to any one of claims 27 to 32, wherein the substrate has a bump disposed on the electrode portion and electrically connected to the connection member. 前記制御素子は、電極パッドを有し、
前記基板の配線と前記制御素子の電極パッドは、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項２７乃至３３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。 The control element has an electrode pad;
34. The MEMS device according to claim 27, wherein the wiring of the substrate and the electrode pad of the control element are electrically connected via a bonding wire. 少なくとも一方の面に導電部を有する基板、制御素子、及び可動部と電極パッドとを有するＭＥＭＳ素子を準備し、
前記基板と前記制御素子とを電気的に接続し、
前記基板の前記導電部と前記ＭＥＭＳ素子の前記電極パッドとが対向するように、且つ前記電極パッドを露出させるように前記制御素子と前記ＭＥＭＳ素子とを接着剤を介して接着し、
前記導電部と前記電極パッドとの間に導電性を有する接続部材を形成し、前記導電部と前記電極パッドとを電気的に接続すること、
を含むＭＥＭＳデバイスの製造方法。 Preparing a substrate having a conductive part on at least one surface, a control element, and a MEMS element having a movable part and an electrode pad;
Electrically connecting the substrate and the control element;
The control element and the MEMS element are bonded via an adhesive so that the conductive portion of the substrate and the electrode pad of the MEMS element face each other and the electrode pad is exposed.
Forming a conductive connecting member between the conductive portion and the electrode pad, and electrically connecting the conductive portion and the electrode pad;
A method for manufacturing a MEMS device including: 前記基板の前記導電部が配置された面に凹部を形成し、前記凹部内に前記制御素子を配置したことを特徴とする請求項３５に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。   36. The method of manufacturing a MEMS device according to claim 35, wherein a concave portion is formed on a surface of the substrate on which the conductive portion is disposed, and the control element is disposed in the concave portion. 前記電極パッド上に第１のバンプを形成することをさらに含み、
前記導電部と前記第１のバンプとの間に前記接続部材を形成したことを特徴とする請求項３５又は３６に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。 Forming a first bump on the electrode pad;
37. The method for manufacturing a MEMS device according to claim 35, wherein the connection member is formed between the conductive portion and the first bump. 前記導電部上に第２のバンプを形成することをさらに含み、
前記電極パッドと前記第２のバンプとの間、又は前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間に前記接続部材を形成したことを特徴とする請求項３５乃至３７のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。 Forming a second bump on the conductive portion;
38. The connection member is formed between the electrode pad and the second bump, or between the first bump and the second bump. A method for manufacturing the MEMS device according to claim 1. 請求項１乃至３４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスを含むことを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device comprising the MEMS device according to claim 1.
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