JP2012079897A - Method of manufacturing organic electroluminescent display device, and organic electroluminescent display device - Google Patents
Method of manufacturing organic electroluminescent display device, and organic electroluminescent display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012079897A JP2012079897A JP2010223262A JP2010223262A JP2012079897A JP 2012079897 A JP2012079897 A JP 2012079897A JP 2010223262 A JP2010223262 A JP 2010223262A JP 2010223262 A JP2010223262 A JP 2010223262A JP 2012079897 A JP2012079897 A JP 2012079897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- liquid
- layer
- display device
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 177
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 91
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 139
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 133
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 46
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 46
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 43
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 41
- -1 tert-amyl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 23
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 13
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 239000002181 crystalline organic material Substances 0.000 claims description 3
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 245
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 25
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Chemical compound 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 C*c(c(**)c1)ccc1-c1c(ccc(c2c(cc3)c(-c4ccc(*)c(O)c4)c4)c4-c4ccc(*N)c(*)c4)c2c3c(-c2ccc(*C)c(I)c2)c1 Chemical compound C*c(c(**)c1)ccc1-c1c(ccc(c2c(cc3)c(-c4ccc(*)c(O)c4)c4)c4-c4ccc(*N)c(*)c4)c2c3c(-c2ccc(*C)c(I)c2)c1 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N nonan-2-one Chemical compound CCCCCCCC(C)=O VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical class C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWRCMNKATXZARA-UHFFFAOYSA-N 1-Isopropyl-2-methylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C WWRCMNKATXZARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQZBFMJOASEONC-UHFFFAOYSA-N 1-Methyl-2-propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1C YQZBFMJOASEONC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- QQLIGMASAVJVON-UHFFFAOYSA-N 1-naphthalen-1-ylethanone Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)C)=CC=CC2=C1 QQLIGMASAVJVON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLRSADZEDXVUPG-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-ylpyridine Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 VLRSADZEDXVUPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005360 2-phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLPKTAFPRRIFQX-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-ylpyridine Chemical class C1=CSC(C=2N=CC=CC=2)=C1 QLPKTAFPRRIFQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 4-phenylphenolate Chemical compound C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SAXNQWFLHXTRDI-UHFFFAOYSA-N 9-(2-ethylhexyl)carbazole Chemical compound C1=CC=C2N(CC(CC)CCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 SAXNQWFLHXTRDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 9-ethylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDFLTYHTFPTIGX-UHFFFAOYSA-N 9-methylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 SDFLTYHTFPTIGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IKHNRYHVUMDRFH-UHFFFAOYSA-N C1c(c(-c2ccccc2)cc(-c2ccccc2)c2cc3)c2c2c3C(c3ccccc3)=CC(c3ccccc3)C2=C1 Chemical compound C1c(c(-c2ccccc2)cc(-c2ccccc2)c2cc3)c2c2c3C(c3ccccc3)=CC(c3ccccc3)C2=C1 IKHNRYHVUMDRFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical class C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(Cl)Cl QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N hexanal Chemical compound CCCCCC=O JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetone Chemical compound CC(=O)CO XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229930002839 ionone Natural products 0.000 description 1
- 150000002499 ionone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical class C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHFUZHODSMOHU-UHFFFAOYSA-N nonanal Chemical compound CCCCCCCCC=O GYHFUZHODSMOHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- NUJGJRNETVAIRJ-UHFFFAOYSA-N octanal Chemical compound CCCCCCCC=O NUJGJRNETVAIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007122 ortho-metalation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N p-methylisopropylbenzene Natural products CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N phenylacetone Chemical compound CC(=O)CC1=CC=CC=C1 QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Chemical class 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWHOQZUREKYPBY-UHFFFAOYSA-N rubonic acid Natural products CC1(C)CCC2(CCC3(C)C(=CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CC(=O)C34C)C2C1)C(=O)O JWHOQZUREKYPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
本発明は、有機電界発光表示装置の製造方法及び有機電界発光表示装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic light emitting display device and an organic light emitting display device.
有機材料を利用したデバイスとして、有機電界発光素子(以下、OLED、有機EL素子ともいう)、有機半導体を利用したトランジスタなどの研究が活発に行われている。特に、有機電界発光素子は、固体発光型の大面積フルカラー表示素子や安価な大面積な面光源としての照明用途としての発展が期待されている。一般に有機電界発光素子は発光層を含む有機層及び該有機層を挟んだ一対の対向電極から構成される。このような有機電界発光素子に電圧を印加すると、有機層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られる。 As devices using organic materials, researches on organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as OLEDs and organic EL elements), transistors using organic semiconductors, and the like are being actively conducted. In particular, the organic electroluminescence device is expected to be developed as a lighting application as a solid light-emitting large-area full-color display device or an inexpensive large-area surface light source. In general, an organic electroluminescent element is composed of an organic layer including a light emitting layer and a pair of counter electrodes sandwiching the organic layer. When a voltage is applied to such an organic electroluminescence device, electrons are injected from the cathode and holes are injected from the anode into the organic layer. The electrons and holes recombine in the light emitting layer, and light is emitted by releasing energy as light when the energy level returns from the conduction band to the valence band.
有機EL素子は、発光層及びその他の有機層を、例えば蒸着などの乾式法又は塗布などの湿式法により成膜することで作製することができるが、生産性などの観点から湿式法が注目されている。湿式法の一形態として、インクジェット法若しくはノズルプリンティング法を利用して有機化合物を含む液体材料を充填し薄膜のパターンを形成する方式がある。しかしながら、この場合吐出された液体材料が隣接する画素に流出する等の問題が生じている。
このような問題に対して、通常、異なる薄膜領域を仕切る凸状の仕切部材(「バンク」また「凸部」とも呼ばれる)を設け、該仕切部材で囲まれた画素領域に異なる薄膜となる液体材料を充填する方法が採用されている。しかしながら、有機化合物を含む塗布液を、インクジェット法若しくはノズルプリンティング法で成膜するにあたり、着弾の位置ずれ等により、画素を分割するバンク(例えば、絶縁膜)へ有機物が付着するという問題が生じる。このような問題に対し、通常、バンクへの撥液性の付与や、インクジェット法の駆動方法の制御により、有機物の付着量を低減することが試みられている。
An organic EL element can be produced by forming a light emitting layer and other organic layers by, for example, a dry method such as vapor deposition or a wet method such as coating. However, wet methods are attracting attention from the viewpoint of productivity. ing. As one form of the wet method, there is a method of forming a thin film pattern by filling a liquid material containing an organic compound using an ink jet method or a nozzle printing method. However, in this case, there is a problem that the discharged liquid material flows out to adjacent pixels.
In order to solve such a problem, usually, a convex partition member (also referred to as “bank” or “convex portion”) that partitions different thin film regions is provided, and a liquid that forms a different thin film in a pixel region surrounded by the partition member. A method of filling the material is employed. However, when a coating solution containing an organic compound is formed by an ink jet method or a nozzle printing method, there arises a problem that an organic substance adheres to a bank (for example, an insulating film) that divides pixels due to landing positional deviation or the like. In order to deal with such problems, attempts have been made to reduce the amount of organic substances deposited by imparting liquid repellency to the bank or controlling the ink jet driving method.
例えば特許文献1には、上述のようなバンクを用いた薄膜形成方法において、バンクの幅、高さ、被塗布領域(画素領域)の幅、及び薄膜層を形成する液体材料の液滴径を、所定の条件を満たすようにする方法や、バンク表面を改質し撥液性を付与する方法が開示されている。このように工夫を凝らしたバンクを用い、該バンクにより区切られた画素領域にインクジェット法で液体材料を塗布し、成膜することで液体材料がバンクを超えて流れ出るという事態を防止する技術が開示されている。
しかしながら、特許文献1で使用される有機物はポリマー等であり、バンクに有機物が付着した場合に、有機物がバンクから流れ落ちにくく、画素領域に形成されるべき有機物が損失することが問題であり、その改善が求められている。また特許文献1には、有機物を選択することにより、バンクへの有機物の付着量を低減する技術については記載されていない。
For example, in Patent Document 1, in the thin film forming method using the bank as described above, the width and height of the bank, the width of the coated region (pixel region), and the droplet diameter of the liquid material forming the thin film layer are described. A method for satisfying a predetermined condition and a method for modifying the bank surface to impart liquid repellency are disclosed. Disclosed is a technique for preventing a situation in which a liquid material flows over a bank by applying a liquid material to the pixel region delimited by the bank using an ink-jet method and forming a film using such a devised bank. Has been.
However, the organic substance used in Patent Document 1 is a polymer or the like, and when the organic substance adheres to the bank, the organic substance is difficult to flow out of the bank, and the organic substance to be formed in the pixel region is a problem. There is a need for improvement. Further, Patent Document 1 does not describe a technique for reducing the amount of organic matter attached to the bank by selecting the organic matter.
基板上にバンクを有し、該バンクにより区切られた画素領域にインクジェット法等で有機物を含有する液体材料(塗布液)を塗布し、成膜する方法において、従来の技術に対しバンクへの有機物の付着量を更に低減することが求められている。 In a method of forming a film by applying a liquid material (coating liquid) containing an organic substance to a pixel region divided by the bank by an ink jet method or the like in a pixel region divided by the bank, the organic substance to the bank is compared with the conventional technique. There is a need to further reduce the amount of adhesion.
本発明は、前記従来の問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、基板上にバンクを有し、該バンクにより区切られた画素領域にインクジェット法等で有機物を含有する液体材料(塗布液)を塗布することを含む有機電界発光表示装置の製造方法において、バンクへの有機物の付着量を低減することができる有機電界発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
また本発明の別の目的は、該有機電界発光表示装置の製造方法により製造された有機電界発光表示装置を提供することである。
An object of the present invention is to solve the conventional problems and achieve the following objects.
That is, the present invention provides an organic electroluminescence display device including a bank on a substrate and applying a liquid material (coating liquid) containing an organic substance to a pixel region partitioned by the bank by an inkjet method or the like. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an organic light emitting display device that can reduce the amount of organic substances attached to a bank.
Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device manufactured by the method for manufacturing the organic light emitting display device.
上記状況を鑑み、本発明者らは、鋭意研究を行なったところ、液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を含有する塗布液、及び曲率を有するバンクを用いると共に、純水に対する接触角について後述の所定の関係を満たすことで、上記課題を解決できることを見出した。 In view of the above situation, the present inventors have conducted intensive research and found that a coating liquid containing a liquid organic material or a liquid crystal organic material and a bank having a curvature are used, and a contact angle with respect to pure water will be described later. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by satisfying a predetermined relationship.
即ち、前記課題を解決するための手段は以下の通りである。 That is, the means for solving the problems are as follows.
〔1〕 基板上に、曲率を有するバンクと、該バンクにより区切られた画素領域とを有するパターニンング基板を備えた有機電界発光表示装置の製造方法であって、
前記画素領域に、液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を含有する塗布液を、パターン状に塗布すること含み、かつ、前記塗布液が塗布される塗布面の純水に対する接触角θ1、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2、及び前記バンクの純水に対する接触角θ3が下記式(1)及び(2)の関係を満たす、有機電界発光表示装置の製造方法。
|θ2−θ1|<|θ3−θ2| 式(1)
θ2<θ3 式(2)
〔2〕 前記塗布液が塗布される塗布面の純水に対する接触角θ1≦前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2<前記バンクの純水に対する接触角θ3である、上記〔1〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔3〕 前記塗布液の塗布後、前記パターニング基板への加熱を行うことを含む、上記〔1〕又は〔2〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔4〕 前記パターニング基板への加熱が、80℃〜220℃で行われる、上記〔3〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔5〕 前記バンクが平坦部を有しない、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔6〕 前記液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物が、発光層形成用材料である、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔7〕 前記画素領域に形成された正孔注入層又は正孔輸送層上に、前記塗布液を塗布する、上記〔6〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔8〕 前記塗布液が塗布される塗布面が正孔注入層又は正孔輸送層の表面であり、該正孔注入層又は正孔輸送層の純水に対する接触角θ4と、前記θ2及びθ3が下記式(3)の関係を満たす、上記〔7〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
|θ2−θ4|<|θ3−θ2| 式(3)
〔9〕 前記正孔注入層又は正孔輸送層の純水に対する接触角θ4≦前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2<前記バンクの純水に対する接触角θ3である、上記〔8〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔10〕 前記塗布液が、液晶性を有する有機物を含有し、該液晶性を有する有機物が液晶性を有するトリフェニレン誘導体である、上記〔1〕〜〔9〕のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔11〕 前記塗布液が、液晶性を有する有機物を含有し、該液晶性を有する有機物が液晶性を有するピレン誘導体である、上記〔1〕〜〔10〕のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔12〕 前記塗布液が、液体の有機物を含有し、該液体の有機物が80℃〜220℃の範囲に融点を有する有機物である、上記〔1〕〜〔9〕のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔13〕 前記80℃〜220℃の範囲に融点を有する有機物が、非対称構造のカルバゾール誘導体である、上記〔12〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
〔14〕 前記非対称構造のカルバゾール誘導体が、下記一般式(ACz)で表される、上記〔13〕に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
[1] A method of manufacturing an organic light emitting display device including a patterning substrate having a bank having a curvature and a pixel region partitioned by the bank on a substrate,
A coating liquid containing a liquid organic material or a liquid crystalline organic material is applied to the pixel region in a pattern, and a contact angle θ1 with respect to pure water of a coating surface on which the coating liquid is applied, the coating A method of manufacturing an organic light emitting display device, wherein a contact angle θ2 of a film formed from a liquid with respect to pure water and a contact angle θ3 of the bank with pure water satisfy a relationship of the following formulas (1) and (2).
| Θ2-θ1 | <| θ3-θ2 | Formula (1)
θ2 <θ3 Formula (2)
[2] Contact angle θ1 with respect to pure water of the coating surface on which the coating liquid is applied ≦ contact angle θ2 with respect to pure water of a film formed from the coating liquid <contact angle θ3 with respect to pure water of the bank [1] A method for producing an organic light emitting display device according to [1].
[3] The method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to the above [1] or [2], comprising heating the patterning substrate after applying the coating solution.
[4] The method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to [3], wherein the heating of the patterning substrate is performed at 80 ° C. to 220 ° C.
[5] The method for manufacturing an organic light emitting display device according to any one of [1] to [4], wherein the bank does not have a flat portion.
[6] The method for producing an organic electroluminescence display device according to any one of [1] to [5], wherein the liquid organic material or liquid crystalline organic material is a light emitting layer forming material.
[7] The method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to [6], wherein the coating liquid is applied onto a hole injection layer or a hole transport layer formed in the pixel region.
[8] The coating surface on which the coating solution is applied is a surface of a hole injection layer or a hole transport layer, and a contact angle θ4 of the hole injection layer or the hole transport layer with respect to pure water, and the θ2 and θ3 The method for producing an organic electroluminescence display device according to the above [7], in which satisfies the relationship of the following formula (3).
| Θ2-θ4 | <| θ3-θ2 | Equation (3)
[9] Contact angle θ4 of the hole injection layer or hole transport layer with respect to pure water ≦ contact angle θ2 of the film formed from the coating solution with respect to pure water <contact angle θ3 with respect to pure water of the bank [8] The method for producing an organic electroluminescence display device according to [8].
[10] The organic material according to any one of [1] to [9], wherein the coating liquid contains an organic substance having liquid crystallinity, and the organic substance having liquid crystallinity is a triphenylene derivative having liquid crystallinity. A method for manufacturing an electroluminescent display device.
[11] The organic material according to any one of [1] to [10], wherein the coating liquid contains an organic substance having liquid crystallinity, and the organic substance having liquid crystallinity is a pyrene derivative having liquid crystallinity. A method for manufacturing an electroluminescent display device.
[12] The above coating liquid according to any one of [1] to [9], wherein the coating liquid contains a liquid organic substance, and the liquid organic substance has a melting point in the range of 80 ° C to 220 ° C. Manufacturing method of organic electroluminescence display device.
[13] The method for producing an organic electroluminescence display device according to [12], wherein the organic substance having a melting point in the range of 80 ° C to 220 ° C is a carbazole derivative having an asymmetric structure.
[14] The method for producing an organic electroluminescence display device according to [13], wherein the carbazole derivative having an asymmetric structure is represented by the following general formula (ACz).
一般式(ACz)中、RAsはtert−ブチル基、tert−アミル基、又はトリメチルシリル基を表す。
〔15〕 上記〔1〕〜〔14〕のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法により製造された、有機電界発光表示装置。
In the general formula (ACz), R As represents a tert-butyl group, a tert-amyl group, or a trimethylsilyl group.
[15] An organic electroluminescent display device manufactured by the method for manufacturing an organic electroluminescent display device according to any one of [1] to [14].
本発明によれば、基板上にバンクを有し、該バンクにより区切られた画素領域にインクジェット法等で有機物を含有する液体材料(塗布液)を塗布することを含む有機電界発光表示装置の製造方法において、バンクへの有機物の付着量を低減することができる有機電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。また本発明によれば、該有機電界発光表示装置の製造方法により製造された有機電界発光表示装置を提供することができる。 According to the present invention, an organic electroluminescence display device including a bank on a substrate and applying a liquid material (coating liquid) containing an organic substance to a pixel region partitioned by the bank by an inkjet method or the like. In the method, it is possible to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device capable of reducing the amount of organic substances attached to the bank. In addition, according to the present invention, an organic light emitting display device manufactured by the method for manufacturing the organic light emitting display device can be provided.
以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」はその前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。 Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the present specification, “to” indicates a range including the numerical values described before and after the minimum and maximum values, respectively.
本発明の有機電界発光表示装置の製造方法は、基板上に、曲率を有するバンクと、該バンクにより区切られた画素領域とを有するパターニンング基板を備えた有機電界発光表示装置の製造方法であって、前記画素領域に、液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を含有する塗布液を、パターン状に塗布すること含み、かつ、前記塗布液が塗布される塗布面の純水に対する接触角θ1、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2、及び前記バンクの純水に対する接触角θ3が下記式(1)及び(2)の関係を満たす。
|θ2−θ1|<|θ3−θ2| 式(1)
θ2<θ3 式(2)
An organic light emitting display device manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an organic light emitting display device including a patterning substrate having a bank having a curvature and a pixel region partitioned by the bank on a substrate. A coating liquid containing a liquid organic material or a liquid crystal organic material is applied in a pattern to the pixel region, and a contact angle θ1 with respect to pure water of a coating surface on which the coating liquid is applied, The contact angle θ2 with respect to pure water of the film formed from the coating solution and the contact angle θ3 with respect to pure water of the bank satisfy the relationship of the following expressions (1) and (2).
| Θ2-θ1 | <| θ3-θ2 | Formula (1)
θ2 <θ3 Formula (2)
なお“塗布液をパターン状に塗布する”とは、本発明に係る塗布液を、基板上に形成された画素領域のパターンに沿って塗布液を塗布することを言う。
画素領域のパターンとしては、有機電界発光表示装置において適用される従来公知の画素領域のパターンが挙げられる。
上記本発明の方法により、バンクへの有機物の付着量を低減することができる理由は定かではないが、以下のように推測される。
有機物として液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を使用することにより、これら有機物を含有する塗布液は、有機物としてポリマー等の上記以外の有機物を含有する場合と比較して、粘度が小さくなる。このような塗布液は、自己修復性を有し、具体的には、セルフレベリングの特性から自然に塗布液が水平な液面を形成するように修復すると共に、バンクに付着した液滴もバンクとの親疎水性が異なることにより塗布液本体へ移動する傾向がある。これによりバンクに付着した液滴の付着量が低減され、有機物の損失が少なく、塗布液を薄膜の形成に利用することができる。
また本発明の方法に係るバンクは、曲率を有することにより、バンクに付着した液滴は曲面に沿って画素領域へと移動することができ、平坦な表面に付着した場合と比べ、バンク壁面に液滴が留まり難いことから、バンクへの有機物の付着が更に低減されるものと推測される。
更に、純水に対する接触角が上記の関係を満たすことで、有機物を含む塗布液(すなわち、油相)の親和性は、バンクに対するものよりも、該塗布液が塗布される塗布面に対するものの方が大きくなり、塗布液が塗布面へと移動する傾向が更に強くなると考えられる。
“Applying the coating liquid in a pattern” means that the coating liquid according to the present invention is applied along the pattern of the pixel region formed on the substrate.
Examples of the pixel area pattern include a conventionally known pixel area pattern applied in an organic light emitting display device.
The reason why the amount of organic matter attached to the bank can be reduced by the method of the present invention is not clear, but is presumed as follows.
By using a liquid organic substance or an organic substance having liquid crystallinity as the organic substance, the coating liquid containing these organic substances has a lower viscosity than the case of containing an organic substance other than the above such as a polymer as the organic substance. Such coating liquid has self-healing properties. Specifically, the coating liquid is naturally repaired so as to form a horizontal liquid surface due to the characteristics of self-leveling. There is a tendency to move to the coating liquid body due to the difference in hydrophilicity and hydrophobicity. As a result, the amount of droplets adhering to the bank is reduced, the loss of organic matter is small, and the coating liquid can be used for forming a thin film.
In addition, since the bank according to the method of the present invention has a curvature, the droplets attached to the bank can move to the pixel region along the curved surface, and compared with the case where the bank adheres to the flat surface, Since it is difficult for the droplets to stay, it is presumed that the adhesion of organic substances to the bank is further reduced.
Furthermore, since the contact angle with respect to pure water satisfies the above relationship, the affinity of the coating liquid containing an organic substance (that is, the oil phase) is greater with respect to the coated surface on which the coating liquid is coated than with the bank. This increases the tendency of the coating liquid to move to the coating surface.
本発明の方法において、前記塗布液の塗布後、前記パターニンング基板への加熱を行うことが、上述のセルフレベリングによる効果を促進するため好ましい。
この際のパターニンング基板への加熱は、30℃〜250℃で行われることが好ましく、より好ましくは80℃〜220℃、更に好ましくは80℃〜150℃である。
In the method of the present invention, it is preferable to heat the patterning substrate after application of the coating solution in order to promote the effect of self-leveling.
In this case, the heating to the patterning substrate is preferably performed at 30 ° C to 250 ° C, more preferably 80 ° C to 220 ° C, and further preferably 80 ° C to 150 ° C.
以下、本発明の有機電界発光表示装置の製造方法に係る構成について説明する。 Hereinafter, the structure concerning the manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus of this invention is demonstrated.
[1]パターニング基板
本発明に係るパターニング基板を、図1を参照して説明する。パターニング基板21は、基板22と、基板22上に形成された曲率を有するバンク23と、該バンク23により区切られた画素領域24とを有する。なお図1においては、バンク23の全体が基板22上に位置するが、本発明はこれに限定されるものではなく、バンク23の少なくとも一部が基板22上に位置すればよい。本願において図示しないが、画素領域24はバンク23により囲われており、隣り合う画素領域24は、バンク23により全て仕切られている。
画素領域の形成パターンとしては、上述のように有機電界発光表示装置において使用される従来公知の画素領域のパターンが適用できる。
[1] Patterning Substrate A patterning substrate according to the present invention will be described with reference to FIG. The
As the formation pattern of the pixel region, a conventionally known pixel region pattern used in the organic light emitting display device as described above can be applied.
基板22の材料としては、ガラス、PET、PEN、PC、PSF等が挙げられる。また、これら基板上には、透明電極としてITO、IZO、ZnO等の酸化物半導体や、銀、金等の金属やこれら合金などの電極層と、正孔注入層としてPEDOT/PSS、ポリアリールアミン、ポリフルオレン、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、重合性基を有するアリールアミン誘導体、Ir錯体など、公知の材料の積層体でもよい。
Examples of the material of the
曲率を有するバンク23は、図1においては円弧状の形状であるが、本発明に係るバンクの形状はこれに限定されず、少なくとも一部に曲率を有する(換言すると、少なくとも一部に曲面を有する)バンクであれば特に限定されない。
バンク23の幅は一般的には10〜50μmであり、好ましくは20〜50μm、より好ましくは20〜40μmである。バンク23の高さは、一般的には1〜10μmであり、好ましくは2〜8μm、より好ましくは2〜5μmである。
バンク23の形状としては、円弧状、三角状、台形状等が挙げられるが、バンク23は平坦部を有しないことが好ましい。バンク23が平坦部を有しないことにより、バンクに付着した液滴はバンク壁面に留まり難くなり、より効率的に画素領域へと移動することができる。バンク23は、より好ましくは円弧状、三角状であり、更に好ましくは円弧状である。
The
The width of the
Examples of the shape of the
バンク23の材質は、上記の純水に対する接触角の関係を満たす限り特に限定されないが、ポリイミド、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられ、疎水性の観点から、好ましくはポリイミドである。なお、バンクは必要に応じて撥水処理を施してもよい。具体的な方法としては、CVDによりCF4をバンクに成膜したり、長鎖のフルオロアルキル基を有するシランカップリング剤や、フッ素ポリマーをバンクに混合してもよい。
バンクの形成方法としては、(1)感光性レジストやポリイミドを用いたUV光によるパターニングと現像を用いる方法、(2)アルカリ現像が可能なポリイミド上にレジストを積層塗布し、UV光によるパターニングと現像を用いる方法、(3)エポキシ樹脂を用いたスクリーン印刷によるパターニングとUV架橋を用いる方法などが挙げられる。
The material of the
As a method for forming a bank, (1) a method using patterning and development by UV light using a photosensitive resist or polyimide, and (2) patterning by UV light by coating a resist on polyimide capable of alkali development, Examples include a method using development, and (3) a method using patterning by screen printing using an epoxy resin and UV crosslinking.
画素領域24はバンク23により囲われてなる領域であり、この領域に前記液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を含有する塗布液が塗布される。なお必要に応じ、画素領域24への前記塗布液の塗布の前後に、その他の有機物を含む塗布液を画素領域24へ塗布することにより層を形成してもよい。
画素領域24の幅は、一般的には50〜500μmであり、好ましくは80〜300μmである。
本発明においては、上記画素領域は上記の大きさを有するものであれば、その形状については特に制限はなく、四角形(長方形,正方形,菱形を含む)、多角形(5角形、6角形等)、円形(真円形,楕円形を含む)等の環状形状、十字形、その他これに類する形状等いかなる形状も可能であるが、インクジェット法による塗布方式においては、液滴が濡れ易い形状であることが好ましいことから、特に、エッジ部(例えば、四角形における角部や頂点部)を有する形状のものにおいては、該エッジ部を曲面としたものが好ましい。このようにすることで、塗布液が画素領域に充填された時に、上記エッジ部分をぬれやすくすることができる。
上記画素領域には塗布液が塗布され画素電極が設けられる。塗布液に含有される有機物は薄膜発光素子を形成するための有機半導体材料である。この際、例えば、上記画素電極はITO電極膜である。
The
The width of the
In the present invention, the shape of the pixel region is not particularly limited as long as the pixel region has the above-described size, and is quadrilateral (including rectangle, square, rhombus), polygon (pentagon, hexagon, etc.). Any shape such as a circular shape (including a perfect circle and an ellipse), a cross shape, and other similar shapes can be used, but in the coating method using the ink jet method, the droplets are easily wetted. Therefore, in the case of a shape having an edge portion (for example, a corner portion or a vertex portion in a quadrangle), it is preferable that the edge portion is a curved surface. By doing in this way, when the coating liquid is filled in the pixel region, the edge portion can be easily wetted.
The pixel region is provided with a pixel electrode by applying a coating liquid. The organic substance contained in the coating liquid is an organic semiconductor material for forming a thin film light emitting element. In this case, for example, the pixel electrode is an ITO electrode film.
[2]塗布液
本発明の塗布液は、少なくとも液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を含有する。液体の有機物及び液晶性を有する有機物は、有機半導体材料であることが好ましく、発光層形成用材料であることがより好ましい。これは発光層の画素分割する必要があるためである。ここで有機半導体材料及び発光層形成用材料には、液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を溶解又は相溶するための溶媒(塗布溶媒)は含まれない。
以下に、本発明の塗布液に含まれる液晶性を有する有機物、液体の有機物、及びこれら有機物を溶解又は相溶する溶媒(塗布溶媒)について説明する。
[2] Coating liquid The coating liquid of the present invention contains at least a liquid organic substance or an organic substance having liquid crystallinity. The liquid organic substance and the organic substance having liquid crystallinity are preferably organic semiconductor materials, and more preferably light emitting layer forming materials. This is because it is necessary to divide the pixels of the light emitting layer. Here, the organic semiconductor material and the light emitting layer forming material do not include a solvent (coating solvent) for dissolving or compatibilizing a liquid organic material or a liquid crystal organic material.
Below, the organic substance which has liquid crystallinity contained in the coating liquid of this invention, a liquid organic substance, and the solvent (coating solvent) which melt | dissolves or is compatible with these organic substances are demonstrated.
[2−1]液晶性を有する有機物
液晶性を有する有機物としては、液晶性を有する公知の有機物が使用可能であるが、好ましくは液晶性を有する有機半導体材料であり、より好ましくは液晶性を有する発光層形成用材料であり、更に好ましくは液晶性を有するホスト材料又は液晶性を有する発光材料である。
液晶性を有するホスト材料としては、液晶性を有する、トリフェニレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体等が挙げられ、電荷の移動度の観点から、液晶性を有するトリフェニレン誘導体であることが好ましい。
[2-1] Organic substance having liquid crystallinity As the organic substance having liquid crystallinity, a known organic substance having liquid crystallinity can be used, but an organic semiconductor material having liquid crystallinity is preferable, and liquid crystallinity is more preferable. A light emitting layer forming material, more preferably a host material having liquid crystallinity or a light emitting material having liquid crystallinity.
Examples of the host material having liquid crystallinity include triphenylene derivatives, pyrene derivatives, and perylene derivatives having liquid crystallinity. From the viewpoint of charge mobility, triphenylene derivatives having liquid crystallinity are preferable.
〔液晶性を有するトリフェニレン誘導体〕
液晶性を有するトリフェニレン誘導体としては、従来から知られているディスコティック液晶性のトリフェニレン誘導体を使用できるが、例えば下記一般式(T−I)で表されるトリフェニレン誘導体を挙げることができる。液晶性を有するトリフェニレン誘導体としては、良好なモノドメイン性を示すディスコティックネマチック相(ND相)を発現するトリフェニレン誘導体であることが好ましい。本発明の塗布液が発光層形成用塗布液である場合、該塗布液から形成される発光層において、液晶性を有するトリフェニレン誘導体は、ホスト材料として機能する。液晶性を有するトリフェニレン誘導体は、高輝度で駆動させたときにも結晶化しにくい。また液晶性を有するトリフェニレン誘導体は配向しており、液晶性を示さないトリフェニレン誘導体と比較して、有機溶媒に対する溶解性が高い。
[Triphenylene derivative having liquid crystallinity]
As the triphenylene derivative having liquid crystallinity, a conventionally known discotic liquid crystalline triphenylene derivative can be used, and examples thereof include a triphenylene derivative represented by the following general formula (TI). The triphenylene derivative having liquid crystallinity, it is preferable that the triphenylene derivative expressing a discotic nematic phase having a good monodomain property (N D phase). When the coating solution of the present invention is a coating solution for forming a light emitting layer, the triphenylene derivative having liquid crystallinity functions as a host material in the light emitting layer formed from the coating solution. A triphenylene derivative having liquid crystallinity is hardly crystallized even when driven at high luminance. In addition, the triphenylene derivative having liquid crystallinity is oriented and has higher solubility in an organic solvent than a triphenylene derivative not exhibiting liquid crystallinity.
上記一般式(T−I)において、RTは、RT 1−、RT 1−O−、RT 1−CO−O−又はRT 1−O−CO−を意味する。これら基を持つ化合物が全てディスコティック液晶性ではないが、公知技術等に基づきディスコティック液晶性となる適切な基を選択して使用することが出来る。RT 1としては、アルキル基、アルキル基にフェニレン基やシクロヘキシレン基等の環が組み合わされたもの、アルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたもの等がある。 In the above general formula (T-I), R T represents R T 1 —, R T 1 —O—, R T 1 —CO—O—, or R T 1 —O—CO—. Although all the compounds having these groups are not discotic liquid crystalline, an appropriate group that exhibits discotic liquid crystallinity can be selected and used based on known techniques. Examples of R T 1 include an alkyl group, an alkyl group in which a ring such as a phenylene group or a cyclohexylene group is combined, an oxygen group in which an oxygen atom is arranged between carbon and carbon of the alkyl group, and the like.
RTとしては、具体的には、RT 2−、RT 2−O−、RT 2−O−RT 3−、RT 2−O−RT 3−O−、RT 2−O−Ph−COO−、RT 2−(O−RT 3)nT−O−Ph−COO−、RT 2−O−Ph−CH=CH−COO−、CH2=CH−COO−RT 3−O−Ph−COO−が挙げられる。ここで、RT 2は重合性基を有していてもよいアルキル基を表し、RT 3はアルキレン基を表し、Phは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、nT、は−(O−RT 3)−の繰り返し数であり、1以上の整数を表す。 As R T , specifically, R T 2 —, R T 2 —O—, R T 2 —O—R T 3 —, R T 2 —O—R T 3 —O—, R T 2 — O—Ph—COO—, R T 2 — (O—R T 3 ) nT —O—Ph—COO—, R T 2 —O—Ph—CH═CH—COO—, CH 2 = CH—COO—R T 3 —O—Ph—COO— may be mentioned. Here, R T 2 represents an alkyl group which may have a polymerizable group, R T 3 represents an alkylene group, Ph represents a phenylene group which may have a substituent, n T , Is a repeating number of- (O-R T 3 )-and represents an integer of 1 or more.
RT 2は重合性基を有していてもよいアルキル基を表し、重合性基を有する場合、アルキル基の最末端に重合性基を有することがND相の発現性の観点で好ましい。重合性基としては、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基、クロトン酸エステル基、エポキシ基等が挙げられ、重合の速度、合成の容易性及びコストの点で、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基が好ましく、アクリル酸エステル基がより好ましい。
RT 2で表される重合性基を有していてもよいアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、好ましくは1〜20の範囲であり、より好ましくは1〜15の範囲であり、更に好ましくは3〜10の範囲である。
RT 3で表されるアルキレン基の炭素数は、好ましくは1〜20の範囲であり、より好ましくは1〜15の範囲であり、更に好ましくは3〜10の範囲である。
Phは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、有していてもよい置換基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基などが挙げられ、ND相の発現性の観点で、アルキル基が好ましい。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基の炭素数は、好ましくは1〜20の範囲であり、より好ましくは1〜10の範囲であり、更に好ましくは1〜6の範囲である。
nTは、−(O−RT 3)−の繰り返し数であり、1以上の整数を表す。nTは好ましくは1〜10の整数であり、より好ましくは1〜6の整数であり、更に好ましくは1〜3の整数である。
R T 2 represents an alkyl group which may have a polymerizable group, when having a polymerizable group, it is preferable from the viewpoint of the expression of the N D phase having a polymerizable group at the top end of the alkyl group. Examples of the polymerizable group include an acrylic acid ester group, a methacrylic acid ester group, a crotonic acid ester group, and an epoxy group. From the viewpoint of polymerization speed, ease of synthesis, and cost, an acrylic acid ester group and a methacrylic acid ester group. Groups are preferred, and acrylate groups are more preferred.
Carbon number of the alkyl group part in the alkyl group which may have a polymerizable group represented by R T 2 is preferably in the range of 1-20, more preferably in the range of 1-15, and further Preferably it is the range of 3-10.
The number of carbon atoms of the alkylene group represented by R T 3 is preferably in the range of 1 to 20, more preferably in the range of 1 to 15, and still more preferably in the range of 3 to 10.
Ph represents a phenylene group which may have a substituent group, includes as the substituent also be a halogen atom such as fluorine atom, an alkyl group, an alkoxy group, and the expression of the N D phase From the viewpoint, an alkyl group is preferable. The number of carbon atoms of the alkyl group or alkoxy group as a substituent is preferably in the range of 1 to 20, more preferably in the range of 1 to 10, and still more preferably in the range of 1 to 6.
n T is, - (O-R T 3 ) - number of repetitions of the represents an integer of 1 or more. n T is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer from 1 to 6, more preferably an integer of 1 to 3.
RTとしては、ND相の発現性の観点で、RT 2−O−Ph−COO−、RT 2−(O−RT 3)nT−O−Ph−COO−、RT 2−O−Ph−CH=CH−COO−が好ましく、RT 2−O−Ph−COO−が更に好ましい。 The R T, in terms of expression of the N D phase, R T 2 -O-Ph- COO-, R T 2 - (O-R T 3) nT -O-Ph-COO-, R T 2 - O-Ph-CH = CH- COO- is preferred, R T 2 -O-Ph- COO- are more preferred.
上記一般式(T−I)で表されるトリフェニレン誘導体は、ND相を発現するという点で、下記一般式(T−II)で表されるトリフェニレン誘導体であることが好ましい。 Triphenylene derivative represented by the above general formula (T-I) in that they express the N D phase, it is preferably a triphenylene derivative represented by the following general formula (T-II).
上記一般式(T−II)において、RT’は、RT 2−O−Ph−CO−、RT 2−(O−RT 3)nT−O−Ph−CO−、又はRT 2−O−Ph−CH=CH−CO−を表す。RT 2、Ph、RT 3、及びnTの定義は、前記一般式(T−I)におけるRT 2、Ph、RT 3、及びnTと同義である。また上記一般式(T−II)におけるRT 2、Ph、RT 3、及びnTの具体例及び好ましい範囲も、前記一般式(T−I)におけるものと同様である。 In the above general formula (T-II), R T ′ is R T 2 —O—Ph—CO—, R T 2 — (O—R T 3 ) nT —O—Ph—CO—, or R T 2. —O—Ph—CH═CH—CO— is represented. The definitions of R T 2 , Ph, R T 3 , and n T are synonymous with R T 2 , Ph, R T 3 , and n T in the general formula (TI). Specific examples and preferred ranges of R T 2 , Ph, R T 3 , and n T in the general formula (T-II) are the same as those in the general formula (T-I).
RT’は、ND相の発現が良好であることから、以下の一般式(T−II−1)〜(T−II−5)のいずれかで表されることがより好ましい。 R T ', since the expression of N D phase is good, the following general formula (T-II-1) ~ It is more preferably represented by any one of (T-II-5).
上記一般式(T−II−1)〜(T−II−5)中、n及びn’はそれぞれ独立に、1以上の整数を表す。
XTは、重合性基を表す。
In the general formulas (T-II-1) to (T-II-5), n and n ′ each independently represent an integer of 1 or more.
X T represents a polymerizable group.
nは、1以上の整数を表す。nは、好ましくは1〜20の整数であり、より好ましくは1〜15の整数であり、更に好ましくは3〜10の整数である。
n’は、1以上の整数を表す。n’は、好ましくは1〜10の整数であり、より好ましくは1〜6の整数であり、更に好ましくは1〜3の整数である。
XTは、重合性基を表し、その具体例及び好ましい範囲は、前記一般式(T−I)においてRT 2で表されるアルキル基が有していてもよい重合性基の具体例及び好ましい範囲と同様である。
n represents an integer of 1 or more. n is preferably an integer of 1 to 20, more preferably an integer of 1 to 15, and still more preferably an integer of 3 to 10.
n ′ represents an integer of 1 or more. n ′ is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 6, and still more preferably an integer of 1 to 3.
X T represents a polymerizable group, and specific examples and preferred ranges are specific examples of the general formula (T-I) in which may have an alkyl group represented by R T 2 polymerizable groups and This is the same as the preferred range.
本発明における液晶性を有するトリフェニレン誘導体の中でも、液晶相を20℃〜300℃の範囲で発現させるものが好ましい。より好ましくは40℃〜280℃であり、更に好ましくは60℃〜250℃である。ここで20℃〜300℃で液晶相を発現するとは、液晶温度範囲が20℃をまたぐ場合(例えば、10℃〜22℃)や、300℃をまたぐ場合(例えば、298℃〜310℃)も含む。40℃〜280℃と60℃〜250℃に関しても同様である。 Among the triphenylene derivatives having liquid crystallinity in the present invention, those that cause the liquid crystal phase to be expressed in the range of 20 ° C to 300 ° C are preferable. More preferably, it is 40 degreeC-280 degreeC, More preferably, it is 60 degreeC-250 degreeC. Here, the expression of the liquid crystal phase at 20 ° C. to 300 ° C. also means that the liquid crystal temperature range extends over 20 ° C. (for example, 10 ° C. to 22 ° C.) or 300 ° C. (for example, 298 ° C. to 310 ° C.). Including. The same applies to 40 ° C to 280 ° C and 60 ° C to 250 ° C.
本発明の塗布液における液晶性を有するトリフェニレン誘導体の含有量は、塗布液中の全固形分を基準として、15〜97質量%であることが好ましく、30〜95質量%であることがより好ましく、50〜90質量%であることが更に好ましい。 The content of the triphenylene derivative having liquid crystallinity in the coating solution of the present invention is preferably 15 to 97% by mass, more preferably 30 to 95% by mass based on the total solid content in the coating solution. More preferably, it is 50 to 90% by mass.
以下に、液晶性を有するトリフェニレン誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Specific examples of the triphenylene derivative having liquid crystallinity are shown below, but the present invention is not limited thereto.
液晶性を有する発光材料としては、液晶性を有する、ピレン誘導体、ペリレン誘導体等が挙げられ、色純度の観点から、液晶性を有するピレン誘導体であることが好ましい。 Examples of the light emitting material having liquid crystallinity include a pyrene derivative and a perylene derivative having liquid crystallinity. From the viewpoint of color purity, a pyrene derivative having liquid crystallinity is preferable.
〔液晶性を有するピレン誘導体〕
液晶性を有するピレン誘導体としては、例えば下記一般式(P−I)で表されるピレン誘導体を挙げることができる。
[Pyrene derivatives having liquid crystallinity]
Examples of the pyrene derivative having liquid crystallinity include a pyrene derivative represented by the following general formula (PI).
上記一般式(P−I)において、RPは、RP 1−、又はRP 1−CO−を意味する。pは、置換基数であり、1〜5の整数を表す。これら基を持つ化合物が全て液晶性ではないが、公知技術等に基づき液晶性となる適切な基を選択して使用することが出来る。RP 1としては、アルキル基、アルキル基にフェニレン基やシクロヘキシレン基等の環が組み合わされたもの、アルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたもの等がある。 In the general formula (P-I), R P means R P 1 — or R P 1 —CO—. p is the number of substituents and represents an integer of 1 to 5. Although all the compounds having these groups are not liquid crystalline, an appropriate group having liquid crystallinity can be selected and used based on known techniques. Examples of RP 1 include an alkyl group, an alkyl group in which a ring such as a phenylene group or a cyclohexylene group is combined, an oxygen group in which an oxygen atom is disposed between carbon and carbon of the alkyl group, and the like.
RPとしては、具体的には、RP 2−、RP 2−O−RP 3−、RP 2−O−Ph−CO−、RP 2−(O−RP 3)nP−O−Ph−CO−、RP 2−O−Ph−CH=CH−CO−、CH2=CH−COO−RP 3−O−Ph−CO−が挙げられる。ここで、RP 2はアルキル基を表し、RP 3はアルキレン基を表し、Phは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、nP、は−(O−RP 3)−の繰り返し数であり、1以上の整数を表す。
The R P, specifically, R P 2 -, R P 2 -O-R P 3 -, R P 2 -O-Ph-CO-, R P 2 - (O-R P 3) nP - O-Ph-CO-, R P 2 -O-Ph-CH = CH-CO-,
RP 2で表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは1〜20の範囲であり、より好ましくは1〜15の範囲であり、更に好ましくは3〜10の範囲である。RP 2で表されるアルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよいが、液晶性の点で直鎖であることが好ましい。
RP 3で表されるアルキレン基の炭素数は、好ましくは1〜20の範囲であり、より好ましくは1〜15の範囲であり、更に好ましくは3〜10の範囲である。
Phは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、有していてもよい置換基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基などが挙げられ、ND相の発現性の観点で、アルキル基が好ましい。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基の炭素数は、好ましくは1〜20の範囲であり、より好ましくは1〜10の範囲であり、更に好ましくは1〜6の範囲である。
nPは、−(O−RP 3)−の繰り返し数であり、1以上の整数を表す。nPは好ましくは1〜10の整数であり、より好ましくは1〜6の整数であり、更に好ましくは1〜3の整数である。
The number of carbon atoms of the alkyl group represented by R P 2 is preferably in the range of 1-20, more preferably in the range of 1-15, and even more preferably in the range of 3-10. The alkyl group represented by R P 2 may be linear or branched, but is preferably linear in terms of liquid crystallinity.
The number of carbon atoms of the alkylene group represented by R P 3 is preferably in the range of 1-20, more preferably in the range of 1-15, and even more preferably in the range of 3-10.
Ph represents a phenylene group which may have a substituent group, includes as the substituent also be a halogen atom such as fluorine atom, an alkyl group, an alkoxy group, and the expression of the N D phase From the viewpoint, an alkyl group is preferable. The number of carbon atoms of the alkyl group or alkoxy group as a substituent is preferably in the range of 1 to 20, more preferably in the range of 1 to 10, and still more preferably in the range of 1 to 6.
n P is, - (O-R P 3 ) - number of repetitions of the represents an integer of 1 or more. n P is preferably an integer of from 1 to 10, more preferably an integer from 1 to 6, more preferably an integer of 1 to 3.
RPとしては、溶解性の観点で、RP 2−が好ましい。
pは、置換基数であり、好ましくは1〜3の整数であり、より好ましくは1又は2の整数である。一般式(P−I)で表されるピレン誘導体は、少なくともベンゼン環の4位に置換基を有することが液晶性の付与、溶解性の観点で好ましい。
The R P, in terms of solubility, R P 2 - is preferred.
p is the number of substituents, preferably an integer of 1 to 3, more preferably an integer of 1 or 2. The pyrene derivative represented by the general formula (PI) preferably has a substituent at least at the 4-position of the benzene ring from the viewpoint of imparting liquid crystallinity and solubility.
上記一般式(P−I)で表されるピレン誘導体は、高い溶解性の点で、下記一般式(P−II)で表されるピレン誘導体であることが好ましい。 The pyrene derivative represented by the general formula (P-I) is preferably a pyrene derivative represented by the following general formula (P-II) from the viewpoint of high solubility.
上記一般式(P−II)中、RPは、一般式(P−I)におけるRPと同義である。 In the general formula (P-II), R P has the same meaning as R P in the general formula (P-I).
一般式(P−II)におけるRPの具体例及び好ましい範囲は、前記一般式(P−I)におけるものと同様である。 Specific examples and preferred ranges of R P in the general formula (P-II) are the same as those in general formula (P-I).
液晶性を有するピレン誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of the pyrene derivative having liquid crystallinity are shown below, but the present invention is not limited thereto.
本発明の塗布液における液晶性を有するピレン誘導体の含有量は、塗布液中の全固形分を基準として、0.5〜30質量%であることが好ましく、1〜20質量%であることがより好ましく、1.5〜10質量%であることが更に好ましい。
[2−2]液体の有機物
本発明で使用される液体の有機物としては、25℃(室温)で液体の有機物(以下、“室温で液体の有機物”とも言う)のみならず、本発明の塗布液の塗布後の乾燥時の加熱により溶融し、液体となる有機物(以下、“加熱により溶融する有機物”とも言う)も含まれる。これら液体の有機物は、好ましくは液体の有機半導体材料であり、より好ましくは液体の発光層形成用材料であり、更に好ましくは液体のホスト材料である。
以下それぞれについて説明する。
The content of the pyrene derivative having liquid crystallinity in the coating liquid of the present invention is preferably 0.5 to 30% by mass, and preferably 1 to 20% by mass based on the total solid content in the coating liquid. More preferably, it is still more preferable that it is 1.5-10 mass%.
[2-2] Liquid Organic Substance The liquid organic substance used in the present invention is not only an organic substance that is liquid at 25 ° C. (room temperature) (hereinafter also referred to as “liquid organic substance at room temperature”), but also the application of the present invention. Also included are organic substances that melt by heating at the time of drying after application of the liquid to become liquids (hereinafter also referred to as “organic substances that melt by heating”). These liquid organic substances are preferably liquid organic semiconductor materials, more preferably liquid light-emitting layer forming materials, and still more preferably liquid host materials.
Each will be described below.
〔室温で液体の有機物〕
室温で液体の有機物としては、Applied Physics Letters 95,053304(2009)に記載の9−(2−エチルヘキシル)カルバゾール等がある。
[Organic liquid at room temperature]
Examples of organic substances that are liquid at room temperature include 9- (2-ethylhexyl) carbazole described in Applied Physics Letters 95,053304 (2009).
本発明の塗布液における室温で液体の有機物の濃度は、15〜97質量%であることが好ましく、30〜95質量%であることがより好ましく、50〜90質量%であることが更に好ましい。 The concentration of the organic substance that is liquid at room temperature in the coating solution of the present invention is preferably 15 to 97% by mass, more preferably 30 to 95% by mass, and still more preferably 50 to 90% by mass.
〔加熱により溶融する有機物〕
加熱により溶融する有機物は、塗布液の塗布後の乾燥時の加熱温度以下で溶融し、液体となる有機物である。加熱により溶融する有機物は、80℃〜220℃の範囲に融点を有する有機物であることが好ましく、より好ましくは120℃〜220℃の範囲に融点を有する有機物であり、更に好ましくは120℃〜180℃の範囲に融点を有する有機物である。
[Organic substances that melt by heating]
The organic substance that melts by heating is an organic substance that melts at a temperature equal to or lower than the heating temperature at the time of drying after application of the coating liquid to become a liquid. The organic substance that melts by heating is preferably an organic substance having a melting point in the range of 80 ° C to 220 ° C, more preferably an organic substance having a melting point in the range of 120 ° C to 220 ° C, and more preferably 120 ° C to 180 ° C. It is an organic substance having a melting point in the range of ° C.
上記80℃〜220℃の範囲に融点を有する有機物としては、非対称構造のカルバゾール誘導体や、特開2007−269772に記載の下記構造式の化合物(融解温度170度)、N−カルバゾール誘導体等が挙げられ、非対称構造のカルバゾール誘導体、N−カルバゾール誘導体であることが素子耐久性の観点で好ましい。非対称構造のカルバゾール誘導体としては、低融点の観点から、下記一般式(Acz)で表される非対称構造のカルバゾール誘導体が好ましい。 Examples of the organic substance having a melting point in the range of 80 ° C. to 220 ° C. include carbazole derivatives having an asymmetric structure, compounds having the following structural formula described in JP-A-2007-269772 (melting temperature: 170 ° C.), N-carbazole derivatives, and the like. In view of device durability, an asymmetric carbazole derivative or N-carbazole derivative is preferable. As the carbazole derivative having an asymmetric structure, a carbazole derivative having an asymmetric structure represented by the following general formula (Acz) is preferable from the viewpoint of a low melting point.
一般式(ACz)中、RAsはtert−ブチル基、tert−アミル基、又はトリメチルシリル基を表す。 In the general formula (ACz), R As represents a tert-butyl group, a tert-amyl group, or a trimethylsilyl group.
上記一般式(ACz)で表される化合物において、RAsがtert−ブチル基の時、融点は125℃であり、tert−アミル基の時、融点は128℃であり、トリメチルシリル基の時、融点は135℃である。 In the compound represented by the general formula (ACz), when R As is a tert-butyl group, the melting point is 125 ° C., and when the tert-amyl group is used, the melting point is 128 ° C. Is 135 ° C.
またN−カルバゾール誘導体としては、低融点の観点から、下記一般式(Ncz)で表されるN−カルバゾール誘導体が好ましい。 As the N-carbazole derivative, an N-carbazole derivative represented by the following general formula (Ncz) is preferable from the viewpoint of a low melting point.
一般式(NCz)中、RNはアルキル基又はアリール基を表す。 In the general formula (NCz), R N represents an alkyl group or an aryl group.
RNで表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは1〜20の範囲であり、より好ましくは1〜15の範囲であり、更に好ましくは1〜10の範囲であり、更により好ましくはメチル基、エチル基である。RNで表されるアルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよいが、液晶性の点で直鎖であることが好ましい。
RNで表されるアリール基は炭素数は、好ましくは6〜20の範囲であり、より好ましくは6〜12の範囲であり、更に好ましくはフェニル基である。
The number of carbon atoms in the alkyl group represented by R N is preferably in the range of 1 to 20, more preferably in the range of 1 to 15, more preferably from 1 to 10, even more preferably methyl Group, an ethyl group. Alkyl group represented by R N may be an even branched linear, but it is preferable from the viewpoint of the liquid crystal is linear.
Aryl groups the number of carbon atoms represented by R N is preferably in the range of 6 to 20, more preferably in the range of 6-12, more preferably a phenyl group.
上記一般式(NCz)で表される化合物の具体例としては、9−エチルカルバゾール(融点 68℃)、9−メチルカルバゾール(融点 89℃)、9−フェニルカルバゾール(融点 88℃)等が挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the general formula (NCz) include 9-ethylcarbazole (melting point 68 ° C.), 9-methylcarbazole (melting point 89 ° C.), 9-phenylcarbazole (melting point 88 ° C.) and the like. .
本発明の塗布液における加熱により溶融する有機物の室温下における含有量は、塗布液中の全固形分を基準として、15〜97質量%であることが好ましく、30〜95質量%であることがより好ましく、50〜90質量%であることが更に好ましい。 The content of the organic substance melted by heating in the coating solution of the present invention at room temperature is preferably 15 to 97% by mass, and preferably 30 to 95% by mass based on the total solid content in the coating solution. More preferably, it is further more preferable that it is 50-90 mass%.
本発明の塗布液は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記の液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物以外の有機物を更に含有していてもよい。このような有機物としては、発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料等が挙げられる。
本発明の塗布液が上記の液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物以外の有機物を更に含有する場合、これら有機物の本発明の塗布液における含有量は、塗布液中の全固形分を基準として、0.5〜30質量%であることが好ましく、1〜20質量%であることがより好ましく、1.5〜10質量%であることが更に好ましい。
The coating liquid of the present invention may further contain an organic substance other than the liquid organic substance or the organic substance having liquid crystallinity as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of such an organic substance include a light emitting material, a hole transport material, and an electron transport material.
When the coating liquid of the present invention further contains an organic substance other than the above liquid organic substance or liquid crystalline organic substance, the content of these organic substances in the coating liquid of the present invention is based on the total solid content in the coating liquid. The content is preferably 0.5 to 30% by mass, more preferably 1 to 20% by mass, and still more preferably 1.5 to 10% by mass.
[2−3]溶媒
本発明の塗布液において、上述の液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を溶解又は相溶する溶媒(塗布溶媒)としては、有機物に応じて適宜従来公知の溶媒を適宜使用可能である。
塗布溶媒としては例えば、芳香族炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒等の公知の有機溶媒を挙げることができる。
[2-3] Solvent In the coating liquid of the present invention, as a solvent (coating solvent) that dissolves or is compatible with the above-described liquid organic substance or liquid crystalline organic substance, a conventionally known solvent is appropriately used depending on the organic substance. Is possible.
Examples of the coating solvent include known organic solvents such as aromatic hydrocarbon solvents, alcohol solvents, ketone solvents, aliphatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、クメンエチルベンゼン、メチルプロピルベンゼン、メチルイソプロピルベンゼン、等が挙げられ、トルエン、キシレン、クメン、トリメチルベンゼンがより好ましい。 Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include benzene, toluene, xylene, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, cumeneethylbenzene, methylpropylbenzene, methylisopropylbenzene, and the like, and toluene, xylene, cumene, and trimethylbenzene are more preferable. preferable.
アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、ブタノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール等が挙げられ、ブタノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノールがより好ましい。アルコール系溶媒の比誘電率は通常、10〜40である。
ケトン系溶媒としては、1−オクタノン、2−オクタノン、1−ノナノン、2−ノナノン、アセトン、4−ヘプタノン、1−ヘキサノン、2−ヘキサノン、2−ブタノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等が挙げられ、2−ブタノン、メチルイソブチルケトン、プロピレンカーボネートが好ましい。
脂肪族炭化水素系溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等が挙げられ、オクタン、デカンが好ましい。
アミド系溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、1、3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等が挙げられ、N−メチル−2−ピロリドン、1、3−ジメチル−2−イミダゾリジノンが好ましい。
本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。
Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, butanol, benzyl alcohol, cyclohexanol, and the like, butanol, benzyl alcohol, and cyclohexanol are more preferable. The relative dielectric constant of the alcohol solvent is usually 10-40.
Examples of ketone solvents include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, 2-butanone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, and phenylacetone. , Methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetyl acetone, acetonyl acetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetyl carbinol, acetophenone, methyl naphthyl ketone, isophorone, propylene carbonate, etc., 2-butanone, methyl isobutyl ketone, propylene carbonate preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon solvent include pentane, hexane, octane, decane and the like, and octane and decane are preferable.
Examples of amide solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like. N-methyl-2-pyrrolidone and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone are preferred.
In the present invention, the above solvents may be used alone or in combination of two or more.
本発明の塗布液において、液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物が発光層形成用材料である(すなわち、本発明の塗布液が発光層形成用塗布液である)ことが好ましく、このとき前記画素領域に形成された正孔注入層又は正孔輸送層上に発光層形成用塗布液を塗布することがより好ましい。
図2は本発明の塗布液により発光層25が、前記画素領域24に形成された正孔注入層又は正孔輸送層26上に形成された状態を示す。
発光層形成用塗布液から形成される発光層としては、膜厚5〜100nmで使用されることが好ましく、膜厚30〜50nmで使用されることがより好ましい。塗布液中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、成膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
本発明の塗布液中の全固形分濃度は、一般的には0.05〜30質量%、より好ましくは0.1〜20質量%、更に好ましくは0.1〜10質量%である。
本発明の塗布液中の粘度は、吐出安定性の観点から、一般的には1〜30mPa・s、より好ましくは1.5〜20mPa・s、更に好ましくは1.5〜15mPa・sである。
In the coating liquid of the present invention, it is preferable that the liquid organic substance or the organic substance having liquid crystallinity is a light emitting layer forming material (that is, the coating liquid of the present invention is a light emitting layer forming coating liquid). It is more preferable to apply the light emitting layer forming coating solution on the hole injection layer or the hole transport layer formed in the region.
FIG. 2 shows a state in which the
The light emitting layer formed from the light emitting layer forming coating solution is preferably used in a film thickness of 5 to 100 nm, and more preferably in a film thickness of 30 to 50 nm. Such a film thickness can be obtained by setting the solid content concentration in the coating solution to an appropriate range to give an appropriate viscosity and improving the coating property and film forming property.
The total solid concentration in the coating liquid of the present invention is generally 0.05 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and still more preferably 0.1 to 10% by mass.
The viscosity in the coating liquid of the present invention is generally 1 to 30 mPa · s, more preferably 1.5 to 20 mPa · s, and still more preferably 1.5 to 15 mPa · s from the viewpoint of ejection stability. .
本発明の塗布液は、上記の成分を所定の有機溶媒に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体又は層上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは2.0μm以下、より好ましくは0.5μm以下、更に好ましくは0.3μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。 The coating solution of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent, filtering the solution, and applying the solution on a predetermined support or layer as follows. The pore size of the filter used for filter filtration is 2.0 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, and still more preferably 0.3 μm or less made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon.
本発明の塗布液の塗布方法は特に限定されず、従来公知のいかなる塗布方法によっても形成可能である。例えば、インクジェット法、スプレーコート法、スピンコート法、バーコート法、転写法、印刷法等が挙げられる。
塗布後の加熱温度及び時間は、塗布液が乾燥する限り特に限定されないが、加熱温度は一般的に100℃〜200℃であり、120℃〜160℃が好ましい。加熱時間は一般的に1分〜120分であり、好ましくは1分〜60分が好ましく、より好ましくは1分〜25分である。
The coating method of the coating liquid of the present invention is not particularly limited, and can be formed by any conventionally known coating method. Examples thereof include an ink jet method, a spray coating method, a spin coating method, a bar coating method, a transfer method, and a printing method.
The heating temperature and time after coating are not particularly limited as long as the coating solution is dried, but the heating temperature is generally 100 ° C to 200 ° C, preferably 120 ° C to 160 ° C. The heating time is generally 1 minute to 120 minutes, preferably 1 minute to 60 minutes, more preferably 1 minute to 25 minutes.
[3]純水に対する接触角
本発明の有機電界発光表示装置の製造方法において、本発明に係る塗布液が塗布される塗布面の純水に対する接触角θ1、該塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2、及びバンクの純水に対する接触角θ3が下記式(1)及び(2)の関係を満たす。
|θ2−θ1|<|θ3−θ2| 式(1)
θ2<θ3 式(2)
なお式(1)は、前記塗布液が塗布される塗布面の純水に対する接触角θ1と、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2との差分の絶対値が、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2と、前記バンクの純水に対する接触角θ3との差分の絶対値より小さいことを意味する。
θ1とθ2との差分の絶対値(|θ2−θ1|)は、好ましくは0〜10度であり、より好ましくは0〜5度である。θ2とθ3との差分の絶対値(|θ3−θ2|)は、10度より大きいことが好ましい。θ2とθ3との差分の絶対値は、一般的に100度以下であり、好ましくは80度以下である。
前記θ1、θ2及びθ3は下記の関係を満たすことが好ましい。
前記塗布液が塗布される塗布面の純水に対する接触角θ1≦前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2<前記バンクの純水に対する接触角θ3
[3] Contact angle with respect to pure water In the method for producing an organic electroluminescence display device of the present invention, the contact angle θ1 with respect to pure water of the coating surface on which the coating liquid according to the present invention is coated, the film formed from the coating liquid The contact angle θ2 with respect to pure water and the contact angle θ3 with respect to the pure water of the bank satisfy the relationship of the following formulas (1) and (2).
| Θ2-θ1 | <| θ3-θ2 | Formula (1)
θ2 <θ3 Formula (2)
Formula (1) indicates that the absolute value of the difference between the contact angle θ1 with respect to pure water of the coating surface on which the coating solution is applied and the contact angle θ2 with respect to pure water of the film formed from the coating solution is It means that the absolute value of the difference between the contact angle θ2 of the film formed from the liquid with respect to pure water and the contact angle θ3 with respect to the pure water of the bank is smaller.
The absolute value (| θ2-θ1 |) of the difference between θ1 and θ2 is preferably 0 to 10 degrees, and more preferably 0 to 5 degrees. The absolute value (| θ3-θ2 |) of the difference between θ2 and θ3 is preferably larger than 10 degrees. The absolute value of the difference between θ2 and θ3 is generally 100 degrees or less, preferably 80 degrees or less.
The θ1, θ2, and θ3 preferably satisfy the following relationship.
Contact angle θ1 with respect to pure water of a coating surface on which the coating solution is applied ≦ contact angle θ2 with respect to pure water of a film formed from the coating solution <contact angle θ3 with respect to pure water of the bank
接触角計(協和界面化学社製全自動接触角計DM−301など)を用いることで、接触角を測定できる。なお、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角は、前記塗布液から薄膜を形成し、流動性が発生しない温度で測定を行うことで求めることができる。本発明に係る塗布液が塗布される塗布面とは、前記画素領域に予め層が形成されていない場合には、基板表面であり、前記画素領域に予め層が形成されている場合には、該層の表面である。
前記塗布面の純水に対する接触角θ1は、好ましくは10〜90度であり、より好ましくは20〜80度、更に好ましくは20〜70度である。
前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2は、好ましくは30〜90度であり、より好ましくは30〜80度、更に好ましくは40〜80度である。
前記バンクの純水に対する接触角θ3は、好ましくは80〜110度であり、より好ましくは90〜110度である。
上記基板表面の純水に対する接触角やバンクの純水に対する接触角は、例えば、特許第3328297号に記載の方法により、基板表面及びバンクを表面処理することにより、上記範囲とすることもできる。
By using a contact angle meter (such as a fully automatic contact angle meter DM-301 manufactured by Kyowa Interface Chemical Co., Ltd.), the contact angle can be measured. In addition, the contact angle with respect to the pure water of the film | membrane formed from the said coating liquid can be calculated | required by forming a thin film from the said coating liquid and measuring at the temperature which does not generate | occur | produce fluidity | liquidity. The coating surface to which the coating liquid according to the present invention is applied is a substrate surface when a layer is not formed in advance in the pixel region, and when a layer is formed in the pixel region in advance, This is the surface of the layer.
The contact angle θ1 of the coated surface with respect to pure water is preferably 10 to 90 degrees, more preferably 20 to 80 degrees, and still more preferably 20 to 70 degrees.
The contact angle θ2 of the film formed from the coating solution with respect to pure water is preferably 30 to 90 degrees, more preferably 30 to 80 degrees, and still more preferably 40 to 80 degrees.
The contact angle θ3 with respect to the pure water of the bank is preferably 80 to 110 degrees, and more preferably 90 to 110 degrees.
The contact angle of the substrate surface with pure water or the contact angle of the bank with pure water can be set to the above range by subjecting the substrate surface and the bank to surface treatment by the method described in Japanese Patent No. 3328297, for example.
本発明の塗布液が、発光層形成用塗布液である場合、発光層形成用塗布液は前記画素領域に形成された正孔注入層又は正孔輸送層上に塗布されることが好ましい。この場合、前記塗布液が塗布される塗布面が正孔注入層又は正孔輸送層の表面であり、該正孔注入層又は正孔輸送層の純水に対する接触角θ4と、前記θ2及びθ3が下記式(3)の関係を満たす。
|θ2−θ4|<|θ3−θ2| 式(3)
なお式(3)は、前記正孔注入層又は正孔輸送層の純水に対する接触角θ4と、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2との差分の絶対値が、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2と、前記バンクの純水に対する接触角θ3との差分の絶対値より小さいことを意味する。
θ4とθ2との差分の絶対値(|θ2−θ4|)は、好ましくは0〜10度であり、より好ましくは0〜5度である。θ2とθ3との差分の絶対値(|θ3−θ2|)は、前述と同様である。
前記θ4、θ2及びθ3は下記の関係を満たすことが、成膜性、及びバンクへの塗布液の付着防止の観点で好ましい。
前記正孔注入層又は正孔輸送層の純水に対する接触角θ4≦前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2<前記バンクの純水に対する接触角θ3
When the coating liquid of the present invention is a light emitting layer forming coating liquid, the light emitting layer forming coating liquid is preferably applied onto the hole injection layer or the hole transport layer formed in the pixel region. In this case, the coating surface on which the coating solution is applied is the surface of the hole injection layer or the hole transport layer, the contact angle θ4 of the hole injection layer or the hole transport layer with respect to pure water, and the θ2 and θ3. Satisfies the relationship of the following formula (3).
| Θ2-θ4 | <| θ3-θ2 | Equation (3)
Note that the absolute value of the difference between the contact angle θ4 with respect to pure water of the hole injection layer or the hole transport layer and the contact angle θ2 with respect to pure water of the film formed from the coating solution is expressed by the equation (3). This means that the absolute value of the difference between the contact angle θ2 of the film formed from the coating solution with respect to pure water and the contact angle θ3 with respect to the pure water of the bank is smaller.
The absolute value (| θ2-θ4 |) of the difference between θ4 and θ2 is preferably 0 to 10 degrees, and more preferably 0 to 5 degrees. The absolute value (| θ3-θ2 |) of the difference between θ2 and θ3 is the same as described above.
It is preferable that θ4, θ2, and θ3 satisfy the following relationship from the viewpoints of film forming property and prevention of adhesion of the coating liquid to the bank.
Contact angle θ4 with respect to pure water of the hole injection layer or hole transport layer ≦ contact angle θ2 with respect to pure water of a film formed from the coating liquid <contact angle θ3 with respect to pure water of the bank
このとき、前記正孔注入層又は正孔輸送層の純水に対する接触角θ4は、好ましくは10〜90度であり、より好ましくは10〜80度である。 At this time, the contact angle θ4 of the hole injection layer or the hole transport layer with respect to pure water is preferably 10 to 90 degrees, and more preferably 10 to 80 degrees.
[4]有機電界発光装置の構成
本発明は、上記有機電界発光装置の製造方法により製造された有機電界発光装置にも関する。
本発明における有機電界発光装置の構成について詳細に説明する。
[4] Configuration of Organic Electroluminescent Device The present invention also relates to an organic electroluminescent device manufactured by the method for manufacturing an organic electroluminescent device.
The configuration of the organic electroluminescent device in the present invention will be described in detail.
表示装置の具体的構成及び表示装置の製造方法については、例えば、特許第3328297号に記載の第3の実施例に詳述されており、この公報に記載の事項を本発明に適用することができる。 The specific configuration of the display device and the method for manufacturing the display device are described in detail in, for example, the third embodiment described in Japanese Patent No. 3328297, and the matters described in this publication can be applied to the present invention. it can.
以下、前記有機電界発光素子の具体的な構成について詳細に説明する。
前記有機電界発光素子は、一対の電極すなわち陽極と陰極とを有し、両電極の間に発光層を有する。両電極間に配置されうる、発光層以外の機能層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
Hereinafter, a specific configuration of the organic electroluminescent device will be described in detail.
The organic electroluminescent element has a pair of electrodes, that is, an anode and a cathode, and a light emitting layer between both electrodes. Examples of the functional layer other than the light emitting layer that can be disposed between both electrodes include a hole transport layer, an electron transport layer, a hole block layer, an electron block layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.
前記有機電界発光素子は、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有することが好ましく、陰極と発光層との間に電子輸送層を有することが好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層を設けてもよく、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けてもよい。
また、前記発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層(電子ブロック層)を設けてもよく、発光層と電子輸送層との間に電子輸送性中間層(正孔ブロック層)を設けてもよい。各機能層は複数の二次層に分かれていてもよい。
The organic electroluminescent element preferably has a hole transport layer between the anode and the light emitting layer, and preferably has an electron transport layer between the cathode and the light emitting layer. Furthermore, a hole injection layer may be provided between the hole transport layer and the anode, or an electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the cathode.
In addition, a hole transporting intermediate layer (electron blocking layer) may be provided between the light emitting layer and the hole transporting layer, and an electron transporting intermediate layer (hole blocking layer) is provided between the light emitting layer and the electron transporting layer. Layer) may be provided. Each functional layer may be divided into a plurality of secondary layers.
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。 In view of the properties of the light-emitting element, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent or translucent.
<有機層の構成>
有機層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<Structure of organic layer>
There is no restriction | limiting in particular as a layer structure of an organic layer, Although it can select suitably according to the use and objective of an organic electroluminescent element, It is preferable to form on the said transparent electrode or the said back electrode. In this case, the organic layer is formed on the front surface or one surface of the transparent electrode or the back electrode.
There is no restriction | limiting in particular about the shape of a organic layer, a magnitude | size, thickness, etc., According to the objective, it can select suitably.
具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極、
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極、
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極。
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極、
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極。
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/励起子ブロック層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極。
有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開2008−270736号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
Specific examples of the layer configuration include the following, but the present invention is not limited to these configurations.
Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode,
Anode / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / cathode,
Anode / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode,
Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode.
Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / cathode,
Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode.
Anode / hole injection layer / hole transport layer / exciton block layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode.
The element configuration, the substrate, the cathode, and the anode of the organic electroluminescence element are described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-270736, and the matters described in the publication can be applied to the present invention.
<基板>
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
<Board>
The substrate used in the present invention is preferably a substrate that does not scatter or attenuate light emitted from the organic layer. In the case of an organic material, it is preferable that it is excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, and workability.
<陽極>
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
<Anode>
The anode usually only needs to have a function as an electrode for supplying holes to the organic layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element, It can select suitably from well-known electrode materials. As described above, the anode is usually provided as a transparent anode.
<陰極>
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
<Cathode>
The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., and it is known depending on the use and purpose of the light-emitting element. The electrode material can be selected as appropriate.
基板、陽極、陰極については、特開2008−270736号公報の段落番号〔0070〕〜〔0089〕に記載の事項を本発明に適用することができる。 Regarding the substrate, anode, and cathode, the matters described in paragraphs [0070] to [0089] of JP-A-2008-270736 can be applied to the present invention.
<有機層>
本発明における有機層について説明する。
<Organic layer>
The organic layer in the present invention will be described.
〔有機層の形成〕
本発明の有機電界発光素子において、各有機層は、蒸着法やスパッタリング法等の乾式成膜法、転写法、印刷法、スピンコート法、バーコート法、インクジェット法、スプレー法等の溶液塗布プロセスのいずれによっても好適に形成することができる。
[Formation of organic layer]
In the organic electroluminescent device of the present invention, each organic layer is formed by a solution coating process such as a dry film forming method such as an evaporation method or a sputtering method, a transfer method, a printing method, a spin coating method, a bar coating method, an ink jet method, or a spray method. Any of these can be suitably formed.
本発明の塗布液から形成される層の他、有機層のいずれか一層は湿式法により成膜することが好ましく、正孔注入層又は正孔輸送層が湿式法により成膜することがより好ましい。また、他の層については乾式法又は湿式法を適宜選択して成膜することができる。湿式法を用いると有機層を容易に大面積化することができ、高輝度で発光効率に優れた発光素子が低コストで効率よく得られ、好ましい。乾式法としては蒸着法、スパッタリング法等が使用でき、湿式法としてはディッピング法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が使用可能である。これらの成膜法は有機層の材料に応じて適宜選択できる。湿式法により製膜した場合は製膜した後に乾燥してよい。乾燥は塗布層が損傷しないように温度、圧力等の条件を選択して行う。 In addition to the layer formed from the coating solution of the present invention, any one of the organic layers is preferably formed by a wet method, and the hole injection layer or the hole transport layer is more preferably formed by a wet method. . The other layers can be formed by appropriately selecting a dry method or a wet method. When the wet method is used, the organic layer can be easily increased in area, and a light-emitting element having high luminance and excellent light emission efficiency can be obtained efficiently at low cost, which is preferable. Vapor deposition, sputtering, etc. can be used as dry methods, and dipping, spin coating, dip coating, casting, die coating, roll coating, bar coating, gravure coating, and spray coating as wet methods. An ink jet method or the like can be used. These film forming methods can be appropriately selected according to the material of the organic layer. When the film is formed by a wet method, it may be dried after the film is formed. Drying is performed by selecting conditions such as temperature and pressure so that the coating layer is not damaged.
上記湿式製膜法(塗布プロセス)で用いる塗布液は通常、有機層の材料と、それを溶解又は分散するための溶剤からなる。溶剤は特に限定されず、有機層に用いる材料に応じて選択すればよい。溶剤の具体例としては、ハロゲン系溶剤(クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン等)、ケトン系溶剤(アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、n−プロピルメチルケトン、2−ブタノン、シクロヘキサノン等)、芳香族系溶剤(ベンゼン、トルエン、キシレン等)、エステル系溶剤(酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチル等)、エーテル系溶剤(テトラヒドロフラン、ジオキサン等)、アミド系溶剤(ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等)、ジメチルスルホキシド、アルコール系溶剤(メタノール、プロパノール、ブタノールなど)、水等が挙げられる。
なお、塗布液中の溶剤に対する固形分量は特に制限はなく、塗布液の粘度も製膜方法に応じて任意に選択することができる。
The coating solution used in the wet film-forming method (coating process) usually comprises an organic layer material and a solvent for dissolving or dispersing it. A solvent is not specifically limited, What is necessary is just to select according to the material used for an organic layer. Specific examples of the solvent include halogen solvents (chloroform, carbon tetrachloride, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, etc.), ketone solvents (acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, n-propyl methyl ketone, 2-butanone, Cyclohexanone, etc.), aromatic solvents (benzene, toluene, xylene, etc.), ester solvents (ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, γ-butyrolactone, diethyl carbonate, etc.) , Ether solvents (tetrahydrofuran, dioxane, etc.), amide solvents (dimethylformamide, dimethylacetamide, etc.), dimethyl sulfoxide, alcohol solvents (methanol, propanol, butanol, etc.), water and the like.
The solid content with respect to the solvent in the coating solution is not particularly limited, and the viscosity of the coating solution can be arbitrarily selected according to the film forming method.
〔発光層〕
本発明の有機電界発光素子において、発光層は発光材料を含有するが、該発光材料としては、燐光発光性化合物を含有することが好ましい。燐光発光性化合物は、三重項励起子から発光することができる化合物であれば特に限定されることはない。燐光発光性化合物としては、オルトメタル化錯体又はポルフィリン錯体を用いるのが好ましく、オルトメタル化錯体を用いるのがより好ましい。ポルフィリン錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。燐光発光性化合物は単独で使用しても2種以上を併用してもよい。
[Light emitting layer]
In the organic electroluminescent device of the present invention, the light emitting layer contains a light emitting material, and the light emitting material preferably contains a phosphorescent compound. The phosphorescent compound is not particularly limited as long as it is a compound that can emit light from triplet excitons. As the phosphorescent compound, an orthometalated complex or a porphyrin complex is preferably used, and an orthometalated complex is more preferably used. Of the porphyrin complexes, a porphyrin platinum complex is preferred. The phosphorescent compounds may be used alone or in combination of two or more.
本発明でいうオルトメタル化錯体とは、山本明夫著「有機金属化学 基礎と応用」,150頁及び232頁,裳華房社(1982年)、H. Yersin著「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」,71〜77頁及び135〜146頁,Springer−Verlag社(1987年)等に記載されている化合物群の総称である。オルトメタル化錯体を形成する配位子は特に限定されないが、2−フェニルピリジン誘導体、7,8−ベンゾキノリン誘導体、2−(2−チエニル)ピリジン誘導体、2−(1−ナフチル)ピリジン誘導体又は2−フェニルキノリン誘導体であるのが好ましい。これら誘導体は置換基を有してもよい。また、これらのオルトメタル化錯体形成に必須の配位子以外に他の配位子を有していてもよい。オルトメタル化錯体を形成する中心金属としては、遷移金属であればいずれも使用可能であり、本発明ではロジウム、白金、金、イリジウム、ルテニウム、パラジウム等を好ましく用いることができる。中でもイリジウムが特に好ましい。このようなオルトメタル化錯体を含む有機層は、発光輝度及び発光効率に優れている。オルトメタル化錯体については、特願2000−254171号の段落番号0152〜0180にもその具体例が記載されている。 The orthometalated complex referred to in the present invention is a material described in Akio Yamamoto, “Organic Metal Chemistry Fundamentals and Applications,” pages 150 and 232, Houhuabosha (1982), H.C. Yersin's “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds”, pages 71-77 and pages 135-146, Springer-Verlag (1987), etc. The ligand forming the ortho-metalated complex is not particularly limited, but a 2-phenylpyridine derivative, a 7,8-benzoquinoline derivative, a 2- (2-thienyl) pyridine derivative, a 2- (1-naphthyl) pyridine derivative or A 2-phenylquinoline derivative is preferred. These derivatives may have a substituent. Moreover, you may have another ligand other than these essential ligands for ortho metalation complex formation. As the central metal forming the orthometalated complex, any transition metal can be used. In the present invention, rhodium, platinum, gold, iridium, ruthenium, palladium and the like can be preferably used. Of these, iridium is particularly preferable. An organic layer containing such an orthometalated complex is excellent in light emission luminance and light emission efficiency. Specific examples of the orthometalated complex are also described in paragraphs 0152 to 0180 of Japanese Patent Application No. 2000-254171.
本発明で用いるオルトメタル化錯体は、Inorg.Chem.,30,1685,1991、Inorg.Chem.,27,3464,1988、Inorg.Chem.,33,545,1994、Inorg.Chim.Acta,181,245,1991、J.Organomet.Chem.,335,293,1987、J.Am.Chem.Soc.,107,1431,1985等に記載の公知の手法で合成することができる。 The orthometalated complex used in the present invention can be obtained from Inorg. Chem. 30, 1685, 1991, Inorg. Chem. 27, 3464, 1988, Inorg. Chem. 33, 545, 1994, Inorg. Chim. Acta, 181, 245, 1991; Organomet. Chem. , 335, 293, 1987; Am. Chem. Soc. , 107, 1431, 1985 and the like.
発光層中の燐光発光性化合物の含有量は特に制限されないが、例えば0.1〜70質量%であり、1〜20質量%であるのが好ましい。燐光発光性化合物の含有量が0.1質量%未満であるか、又は70質量%を超えると、その効果が十分に発揮されない場合がある。 Although content in particular of the phosphorescence-emitting compound in a light emitting layer is not restrict | limited, For example, it is 0.1-70 mass%, and it is preferable that it is 1-20 mass%. If the content of the phosphorescent compound is less than 0.1% by mass or exceeds 70% by mass, the effect may not be sufficiently exhibited.
本発明において、発光層は必要に応じてホスト化合物を含有してもよい。 In the present invention, the light emitting layer may contain a host compound as necessary.
上記ホスト化合物とは、その励起状態から燐光発光性化合物へエネルギー移動が起こり、その結果、該燐光発光性化合物を発光させる化合物である。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属錯体、ポリシラン化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。ホスト化合物は1種単独で使用しても2種以上を併用してもよい。 The host compound is a compound that causes energy transfer from the excited state to the phosphorescent compound, and as a result, causes the phosphorescent compound to emit light. Specific examples include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives. , Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide oxide Derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, and heterocyclic tetra Rubonic acid anhydride, phthalocyanine derivative, metal complex of 8-quinolinol derivative, metal phthalocyanine, metal complex having benzoxazole or benzothiazole as a ligand, polysilane compound, poly (N-vinylcarbazole) derivative, aniline copolymer , Conductive polymers such as thiophene oligomers and polythiophenes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. A host compound may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
発光層の厚みは10〜200nmとするのが好ましく、20〜80nmとするのがより好ましい。厚みが200nmを超えると駆動電圧が上昇する場合があり、10nm未満であると発光素子が短絡する場合がある。 The thickness of the light emitting layer is preferably 10 to 200 nm, and more preferably 20 to 80 nm. When the thickness exceeds 200 nm, the driving voltage may increase. When the thickness is less than 10 nm, the light emitting element may be short-circuited.
(正孔注入層、正孔輸送層)
本発明の有機電界発光素子は、正孔注入層、及び正孔輸送層を有することが好ましい。正孔注入層、及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
正孔注入層、正孔輸送層については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
(Hole injection layer, hole transport layer)
The organic electroluminescent element of the present invention preferably has a hole injection layer and a hole transport layer. The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side.
The hole injection layer and the hole transport layer are described in detail, for example, in JP-A-2008-270736 and JP-A-2007-266458, and the matters described in these publications can be applied to the present invention.
(電子注入層、電子輸送層)
本発明の有機電界発光素子は、電子注入層、及び電子輸送層を有してもよい。電子注入層、及び電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
電子注入層、電子輸送層については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
(Electron injection layer, electron transport layer)
The organic electroluminescent element of the present invention may have an electron injection layer and an electron transport layer. The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. The electron injection material and the electron transport material used for these layers may be a low molecular compound or a high molecular compound.
The electron injection layer and the electron transport layer are described in detail, for example, in JP-A-2008-270736 and JP-A-2007-266458, and the matters described in these publications can be applied to the present invention.
(正孔ブロック層)
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム(III)ビス(2−メチル−8−キノリナト)4−フェニルフェノレート(Aluminum(III)bis(2−methyl−8−quinolinato)4−phenylphenolate(BAlqと略記する))等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(2,9−Dimethyl−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline(BCPと略記する))等のフェナントロリン誘導体、トリフェニレン誘導体、カルバゾール誘導体等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
(Hole blocking layer)
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side. In the present invention, a hole blocking layer can be provided as an organic layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side.
As an example of the organic compound constituting the hole blocking layer, aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylphenolate (Aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4- aluminum complexes such as phenylphenolate (abbreviated as BAlq), triazole derivatives, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-) phenanthroline derivatives such as phenanthroline (abbreviated as BCP), triphenylene derivatives, carbazole derivatives, and the like.
The thickness of the hole blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm.
The hole blocking layer may have a single layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
(電子ブロック層)
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
(Electronic block layer)
The electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side. In the present invention, an electron blocking layer can be provided as an organic layer adjacent to the light emitting layer on the anode side.
As an example of the organic compound constituting the electron blocking layer, for example, those mentioned as the hole transport material described above can be applied.
The thickness of the electron blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm.
The electron blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
(励起子ブロック層の説明)
励起子ブロック層は、発光層と正孔輸送層の界面、若しくは発光層と電子輸送層の界面のいずれか一方、又は両方に形成する層であり、発光層中で生成した励起子が正孔輸送層や電子輸送層へ拡散し、発光することなく失活するのを防止する層のことである。励起子ブロック層としては、カルバゾール誘導体からなることが好ましい。
(Description of exciton block layer)
The exciton blocking layer is a layer formed at one or both of the interface between the light emitting layer and the hole transport layer, or the interface between the light emitting layer and the electron transport layer, and the excitons generated in the light emitting layer are holes. It is a layer that diffuses into the transport layer and the electron transport layer and prevents deactivation without emitting light. The exciton blocking layer is preferably made of a carbazole derivative.
〔その他の有機層〕
本発明の有機電界発光素子は、特開平7−85974号、同7−192866号、同8−22891号、同10−275682号、同10−106746号等に記載の保護層を有していてもよい。保護層は発光素子の最上面に形成する。ここで最上面とは、基材、透明電極、有機層及び背面電極をこの順に積層する場合には背面電極の外側表面を指し、基材、背面電極、有機層及び透明電極をこの順に積層する場合には透明電極の外側表面を指す。保護層の形状、大きさ、厚み等は特に限定されない。保護層をなす材料は、水分や酸素等の発光素子を劣化させ得るものが素子内に侵入又は透過するのを抑制する機能を有しているものであれば特に限定されず、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウム等が使用できる。
[Other organic layers]
The organic electroluminescent device of the present invention has a protective layer described in JP-A-7-85974, 7-192866, 8-22891, 10-275682, 10-106746, etc. Also good. The protective layer is formed on the uppermost surface of the light emitting element. Here, when the base material, the transparent electrode, the organic layer, and the back electrode are laminated in this order, the top surface refers to the outer surface of the back electrode, and the base material, the back electrode, the organic layer, and the transparent electrode are laminated in this order. In some cases, it refers to the outer surface of the transparent electrode. The shape, size, thickness and the like of the protective layer are not particularly limited. The material for forming the protective layer is not particularly limited as long as it has a function of suppressing intrusion or permeation of a light-emitting element such as moisture or oxygen into the element. Silicon, germanium oxide, germanium dioxide or the like can be used.
保護層の形成方法は特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子センエピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等が適用できる。 The method for forming the protective layer is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular sensing epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, plasma CVD, laser CVD Thermal CVD method, coating method, etc. can be applied.
〔封止〕
また、有機電界発光素子には水分や酸素の侵入を防止するための封止層を設けるのが好ましい。封止層を形成する材料としては、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとの共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン又はジクロロジフルオロエチレンと他のコモノマーとの共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質、金属(In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Tl、Ni等)、金属酸化物(MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2等)、金属フッ化物(MgF2、LiF、AlF3、CaF2等)、液状フッ素化炭素(パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等)、該液状フッ素化炭素に水分や酸素の吸着剤を分散させたもの等が使用可能である。
[Sealing]
The organic electroluminescent element is preferably provided with a sealing layer for preventing moisture and oxygen from entering. As a material for forming the sealing layer, a copolymer of tetrafluoroethylene and at least one comonomer, a fluorinated copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, Polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene or a copolymer of dichlorodifluoroethylene and another comonomer, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, a water absorption of 0. 1% or less moisture-proof material, metal (In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Tl, Ni, etc.), metal oxide (MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y 2 O 3,
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。 The organic electroluminescence device of the present invention emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Obtainable.
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。 The driving method of the organic electroluminescence device of the present invention is described in JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-29080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234658, and JP-A-8-2441047. The driving methods described in each publication, Japanese Patent No. 2784615, US Pat. Nos. 5,828,429, 6023308, and the like can be applied.
<トップエミッション方式の有機EL表示装置>
前記トップエミッション方式の有機EL表示装置は、例えば、図3に示すように、ガラス基板1(屈折率:約1.5)と、ガラス基板1上に配置され、SiNx、SiONなどからなるパシベーション層2と、パシベーション層2上に配置され、アクリル樹脂などからなる層間絶縁層3と、パシベーション層2上であって層間絶縁層3に隣接する位置に配置され、有機薄膜トランジスタ(TFT)4と、層間絶縁層3上に配置され、有機樹脂材料(屈折率:約1.5)、平坦化層6と、平坦化層6上に配置され、ITOなどからなる透明電極(陽極)7(屈折率:約1.9)と、透明電極(陽極)7上に配置され、発光層などを含む有機化合物層8(屈折率:約1.8)と、有機化合物層8上に配置され、アルミニウム、銀などからなる対向電極(半透過陰極)9と、平坦化層6上であって、透明電極(陽極)7、有機化合物層8及び対向電極(半透過陰極)9に隣接するように配置され、ポリイミド樹脂などからなるバンク10と、対向電極(半透過陰極)9上に配置され、SiNx、SiONなどからなる封止層11と、封止層11上に配置され、エポキシ樹脂などからなる接着剤層12と、接着剤層12上に配置され、ガラスなどからなる基板13とを備える。
層間絶縁層3及び平坦化層6は、有機薄膜トランジスタ(TFT)4を平坦化させる平坦化膜としての機能も有する。
層間絶縁層3及び平坦化層6にはビア14が形成され、透明電極(陽極)7と有機薄膜トランジスタ(TFT)4とが接続される。
また、平坦化層6は、厚みが2μm〜10μmと薄いので、ビア14を容易に形成することができ、もって製造コストを低減することができる。
平坦化層6中には、有機樹脂材料の屈折率よりも屈折率が高い微粒子が含まれている。
<Top emission type organic EL display device>
For example, as shown in FIG. 3, the top emission type organic EL display device includes a glass substrate 1 (refractive index: about 1.5) and a passivation layer which is disposed on the glass substrate 1 and is made of SiNx, SiON or the like. 2, disposed on the
The interlayer insulating layer 3 and the
Further, since the thickness of the
The
前記有機電界発光表示装置は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、前記透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、前記発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
前記共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平9−180883号明細書に記載されている。第2の態様の場合の計算式は特開2004−127795号明細書に記載されている。
The organic light emitting display device may have a resonator structure. For example, a multilayer mirror made of a plurality of laminated films having different refractive indexes, a transparent or translucent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are superimposed on a transparent substrate. The light generated in the light emitting layer resonates repeatedly with the multilayer mirror and the metal electrode as a reflection plate.
In another preferred embodiment, a transparent or translucent electrode and a metal electrode each function as a reflecting plate on the transparent substrate, and light generated in the light emitting layer resonates and resonates between them.
In order to form the resonance structure, the optical path length determined from the effective refractive index of the two reflecting plates and the refractive index and thickness of each layer between the reflecting plates is set to an optimum value for obtaining a desired resonance wavelength. Adjusted. The calculation formula in the case of the first embodiment is described in JP-A-9-180883. The calculation formula in the case of the second aspect is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-127795.
前記有機電界発光表示装置をフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、2000年9月号、33〜37ページに記載されているように、色の3原色(青色(B)、緑色(G)、赤色(R))に対応する光をそれぞれ発光する有機電界発光素子を基板上に配置する3色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して3原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色(R)及び緑色(G)に変換する色変換法、などが知られている。また、上記方法により得られる異なる発光色の有機電界発光素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。 As a method of making the organic electroluminescent display device of a full color type, for example, as described in “Monthly Display”, September 2000, pages 33 to 37, three primary colors (blue (B) , Green (G), red (R)), a three-color light emitting method in which organic electroluminescent elements that emit light corresponding to green (G) and red (R)) are arranged on a substrate, and white light emitted by a white light emitting organic electroluminescent element through a color filter. There are known a white method for separating primary colors, a color conversion method for converting blue light emitted by an organic electroluminescent element for blue light emission into red (R) and green (G) through a fluorescent dye layer, and the like. Moreover, the planar light source of a desired luminescent color can be obtained by using combining the organic electroluminescent element of the different luminescent color obtained by the said method. For example, a white light-emitting light source that combines blue and yellow light-emitting elements, a white light-emitting light source that combines blue, green, and red light-emitting elements.
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の主旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。 The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. The materials, reagents, substance amounts and ratios, operations, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples.
(バンクの形成)
0.7mmの厚み、25mm角のガラス基板上に陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み150nmにスパッタリング蒸着したのち、エッチング及び洗浄した。ITOを成膜した基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
ITO電極上にポリイミド:HD−8820(日立化成デュポンマイクロシステムズ製品名)を用い、厚さ5μm、幅50μmのバンクを形成した。
このときの形状を、レーザーマイクロスコープ:VK−9700(キーエンス製品名)を用いて、測定したところ、台形状でかつテーパ部が幅50μmで高さ4μmであり、上辺部が幅40μmで高さ1μmの緩やかな曲率を有し、平坦部がないことを確認した。
(Bank formation)
After depositing ITO (Indium Tin Oxide) as a positive electrode on a 0.7 mm thick, 25 mm square glass substrate to a thickness of 150 nm, etching and cleaning were performed. The substrate on which the ITO film was formed was placed in a cleaning container and subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes.
A bank having a thickness of 5 μm and a width of 50 μm was formed on the ITO electrode using polyimide: HD-8820 (product name of Hitachi Chemical DuPont Microsystems).
When the shape at this time was measured using a laser microscope: VK-9700 (Keyence product name), it was trapezoidal, the tapered portion was 50 μm wide and 4 μm high, and the upper side was 40 μm wide and high. It was confirmed that the film had a gentle curvature of 1 μm and no flat portion.
(バンクのフッ素化処理)
特許第3328297に記載の第8の実施例の方法に従い、バンク表面にフッ素処理を行った。
(Bank fluorination treatment)
According to the method of the eighth embodiment described in Japanese Patent No. 3328297, the bank surface was subjected to fluorine treatment.
(実施例1:Pt錯体)
<有機電界発光素子の作製>
以降のスピンコートと乾燥、アニール、ベーク処理は、グローブボックス(露点−60℃、酸素濃度10ppm)内で行った
次に、バンクを形成した陽極(ITO)の画素領域上に、下記構造式で表されるPTPDES(ケミプロ化成製、重量平均分子量=13000。nは括弧内の構造の繰り返し数を意味し、整数である。)2質量部を、電子工業用シクロヘキサノン(関東化学製)98質量部に溶解又は分散させた正孔注入層塗布液をコートした後、120℃で10分間乾燥し、160℃で60分間アニール処理することで、厚み40nmの正孔注入層を形成した。
(Example 1: Pt complex)
<Production of organic electroluminescence device>
The subsequent spin coating, drying, annealing, and baking were performed in a glove box (dew point -60 ° C.,
次に、下記構造の正孔輸送材料HTL−1(米国特許US2008/0220265に記載のHTL−1)4質量部を、メチルイソブチルケトン(関東化学製)996質量部に溶解させて、正孔輸送層塗布液を調製した。
この正孔輸送層塗布液を正孔注入層上にコートし、150℃で30分間乾燥することで厚み10nmの正孔輸送層を形成した。
Next, 4 parts by mass of a hole transport material HTL-1 (HTL-1 described in US Pat. No. 2008/0220265) having the following structure is dissolved in 996 parts by mass of methyl isobutyl ketone (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) to transport holes. A layer coating solution was prepared.
This hole transport layer coating solution was coated on the hole injection layer and dried at 150 ° C. for 30 minutes to form a 10 nm thick hole transport layer.
次いで発光層として、下記構造のホスト液晶化合物H−1を16.3質量部と、下記構造式で表される変性トリメチロールプロパントリアクリレートを1.7質量部と、下記構造式で表される光重合開始剤(IRGACURE 907)を0.5質量部と、下記構造の燐光発光材料E−1を2質量部とを、電子工業用2−ブタノン(関東化学製)979.5質量部に溶解又は分散し、モレキュラーシーブ(商品名:モレキュラーシーブ3A 1/16、和光純薬株式会社製)を添加し、グローブボックス中で孔径0.22μmのシリンジフィルターを用いて濾過して調製した発光層塗布液を、グローブボックス中でコートした。該塗布層は135℃の加熱により液晶相(Nd相)から等方相へ相転移することが確認できた。150℃で30分間アニール処理後、UVチャンバー:ELC−500(ELCTRO−LITE CORPORATION製)を用いてUV露光を10分間行い、80℃で30分間ベーク処理をして、厚み40nmの発光層を正孔輸送層上に形成した。 Next, as the light emitting layer, 16.3 parts by mass of the host liquid crystal compound H-1 having the following structure, 1.7 parts by mass of the modified trimethylolpropane triacrylate represented by the following structural formula, and the following structural formula are used. 0.5 parts by mass of a photopolymerization initiator (IRGACURE 907) and 2 parts by mass of phosphorescent material E-1 having the following structure were dissolved in 979.5 parts by mass of 2-butanone (manufactured by Kanto Chemical) for electronic industry. Alternatively, dispersed, molecular sieve (trade name: Molecular sieve 3A 1/16, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added, and the light-emitting layer was prepared by filtration using a syringe filter with a pore size of 0.22 μm in a glove box. The liquid was coated in a glove box. It was confirmed that the coating layer transitioned from a liquid crystal phase (Nd phase) to an isotropic phase by heating at 135 ° C. After annealing at 150 ° C. for 30 minutes, UV exposure is performed for 10 minutes using a UV chamber: ELC-500 (manufactured by ELCTRO-LITE CORPORATION), and baking is performed at 80 ° C. for 30 minutes to correct the 40 nm-thick luminescent layer. Formed on the hole transport layer
隣接層として、下記構造のトリフェニレン化合物AD−1を真空蒸着法にて蒸着して、厚み5nmの層を発光層上に形成した。 As an adjacent layer, a triphenylene compound AD-1 having the following structure was deposited by a vacuum deposition method to form a 5 nm thick layer on the light emitting layer.
次に、BAlq(Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium−(III))を真空蒸着法にて蒸着して、厚み35nmの電子輸送層を隣接層上に形成した。 Next, BAlq (Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminum- (III)) was deposited by a vacuum deposition method, and an electron transport layer having a thickness of 35 nm was formed as an adjacent layer. Formed on top.
次に、電子輸送層上にフッ化リチウム(LiF)を蒸着して、厚み1nmの電子注入層を形成した。
次に、電子注入層上に金属アルミニウムを蒸着し、厚み70nmの陰極を形成した。
作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ(株)製)を用いて封止した。
Next, lithium fluoride (LiF) was deposited on the electron transport layer to form an electron injection layer having a thickness of 1 nm.
Next, metal aluminum was vapor-deposited on the electron injection layer to form a cathode having a thickness of 70 nm.
The produced laminate was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed using a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.).
(実施例2:ピレン誘導体)
発光層を以下に記載されるように形成した以外は、実施例1と同様に有機電界発光素子を作製した。
発光層として、上記ホスト液晶化合物H−1を17質量部と、上記変性トリメチロールプロパントリアクリレートを2質量部と、上記光重合開始剤を0.5質量部と、下記構造の蛍光発光材料E−2(Jouranal of Materials Chemistry、2007、17、1392−1398)を0.4質量部とを、メチルイソブチルケトン(関東化学製)979.5質量部に溶解又は分散し、モレキュラーシーブ(商品名:モレキュラーシーブ3A 1/16、和光純薬株式会社製)を添加し、グローブボックス中で孔径0.22μmのシリンジフィルターを用いて濾過して調製した発光層塗布液を、グローブボックス中でコートした。該塗布層は120℃の加熱により液晶相(Nd相)から等方相へ相転移することが確認できた。130℃で30分間アニール処理後、UVチャンバー:ELC−500(ELCTRO−LITE CORPORATION製)を用いてUV露光を10分間行い、80℃で30分間ベーク処理をして、厚み40nmの発光層を正孔輸送層上に形成した。
(Example 2: Pyrene derivative)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the light emitting layer was formed as described below.
As a light emitting layer, 17 parts by mass of the host liquid crystal compound H-1, 2 parts by mass of the modified trimethylolpropane triacrylate, 0.5 parts by mass of the photopolymerization initiator, and a fluorescent light emitting material E having the following structure -2 (Journal of Materials Chemistry, 2007, 17, 1392-1398) is dissolved or dispersed in 979.5 parts by mass of methyl isobutyl ketone (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.), and molecular sieve (trade name: Molecular sieve 3A 1/16, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added, and a light emitting layer coating solution prepared by filtration using a syringe filter having a pore size of 0.22 μm in a glove box was coated in the glove box. It was confirmed that the coating layer transitioned from a liquid crystal phase (Nd phase) to an isotropic phase by heating at 120 ° C. After annealing at 130 ° C. for 30 minutes, UV exposure is performed for 10 minutes using a UV chamber: ELC-500 (manufactured by ELCTRO-LITE CORPORATION), and baking is performed at 80 ° C. for 30 minutes to correct the 40 nm thick light-emitting layer. Formed on the hole transport layer.
(実施例3)
発光層に使用されるホスト材料を、下記構造のホスト液晶化合物H−2(特開平10−321371に記載の化合物)に変更した以外には、実施例2と同様の発光材料を用いた。該塗布層は90℃で液晶相から等方相へ転移するのが確認できた。120℃で30分間アニール処理することで発光層を形成した。陰極としての金属アルミニウムの蒸着の代わりに、緩衝層として銅フタロシアニン(CuPc)を真空蒸着法にて厚さ20nmに成膜し、次いで陰極としたAl:Li合金(重量比97:3)をスパッタリング法で成膜した以外には、実施例1と同様に有機電界発光素子を作製した。
(Example 3)
A luminescent material similar to that in Example 2 was used except that the host material used for the luminescent layer was changed to a host liquid crystal compound H-2 (compound described in JP-A-10-321371) having the following structure. It was confirmed that the coating layer transitioned from the liquid crystal phase to the isotropic phase at 90 ° C. A light emitting layer was formed by annealing at 120 ° C. for 30 minutes. Instead of vapor deposition of metallic aluminum as a cathode, copper phthalocyanine (CuPc) is deposited as a buffer layer to a thickness of 20 nm by vacuum deposition, and then an Al: Li alloy (weight ratio 97: 3) as a cathode is sputtered. An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the film was formed by the method.
(実施例4)
正孔輸送層上に、ホスト材料としての下記構造式H−3で表される化合物(融解温度:125℃)4.75質量部と、燐光発光材料として商品名:Ir(ppy)3(ケミプロ化成製)0.25質量部とを用い、150℃で30分間のアニール処理を行い、発光層を形成し、かつAD−1を成膜しない以外には、実施例1と同様に有機電界発光素子を作製した。
Example 4
On the hole transport layer, 4.75 parts by mass of a compound (melting temperature: 125 ° C.) represented by the following structural formula H-3 as a host material and a trade name: Ir (ppy) 3 (Chemipro) as a phosphorescent material Organic electroluminescence in the same manner as in Example 1 except that 0.25 part by mass is used, an annealing treatment is performed at 150 ° C. for 30 minutes, a light emitting layer is formed, and AD-1 is not formed. An element was produced.
(比較例1)
バンクのみにプラズマ照射されるようにメタルマスクを使用して、バンク上に大気圧プラズマ:S−5000BMを用い、プラズマ照射:1分間(トーチとの距離:5mm、使用ガス:窒素)により、親水化処理を行った。以降は、実施例1と同様に有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 1)
Using a metal mask so that only the bank is irradiated with plasma, atmospheric pressure plasma: S-5000BM is used on the bank, plasma irradiation: 1 minute (distance to torch: 5 mm, gas used: nitrogen), hydrophilicity The treatment was performed. Thereafter, an organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1.
<接触角の測定方法>
接触角計:Drop Master 300(協和界面科学社製)を用いて、純水を2μL滴下し、その接触角を測定した。なお、接触角は10箇所の平均値を代表値とした。
なお、発光層の接触角については、アニール処理とベーク処理まで行った膜の接触角を測定した。
<Measurement method of contact angle>
Contact angle meter: Using Drop Master 300 (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.), 2 μL of pure water was dropped, and the contact angle was measured. In addition, the contact angle made the average value of 10 places the representative value.
As for the contact angle of the light emitting layer, the contact angle of the film subjected to the annealing treatment and the baking treatment was measured.
<表面粗さRa評価>
塗布直後と、アニール処理後の発光層を、顕微鏡(商品名:Wyco NT1100、ビーコ社製)を用いて、観察エリア2.5mm×1.8mmの領域のRaを測定した。
<バンク上の発光層材料の確認>
発光層塗布前後で、バンク上部の形状をレーザーマイクロスコープ:VK−9700(キーエンス製品名)を用い、対物レンズ150倍の観察下で有機物の付着の有無を確認した。
<Surface roughness Ra evaluation>
Immediately after the application and after the annealing treatment, Ra of the observation area of 2.5 mm × 1.8 mm was measured using a microscope (trade name: Wyco NT1100, manufactured by Beco).
<Confirmation of light emitting layer material on bank>
Before and after applying the light emitting layer, the shape of the upper part of the bank was confirmed by using a laser microscope: VK-9700 (Keyence product name), and the presence or absence of organic substances was observed under observation of 150 times the objective lens.
なお実施例1〜4及び比較例1において、正孔輸送層の接触角は87.5°であった。
表1から明らかのように、本発明に係る純水に対する接触角の関係を満たす実施例1〜4ではバンク上部における有機物の付着が無かったのに対し、該関係を満たさない比較例1ではバンク上部における有機物の付着が有った。
なおアニール前後の表面粗さの結果からわかるように、液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を含有する塗布液は、アニール処理(レベリング処理)によりセルフレベリングし、膜の平滑性が向上する、すなわち、表面粗さが小さくなった。セルフレベリングの特性は、液体の有機物に該当する前記化合物H−3を使用した実施例4において顕著であった。
In Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, the contact angle of the hole transport layer was 87.5 °.
As is apparent from Table 1, in Examples 1 to 4 that satisfy the relationship of the contact angle with pure water according to the present invention, there was no adhesion of organic substances on the upper part of the bank, whereas in Comparative Example 1 that did not satisfy this relationship, the bank There was organic adhesion on the top.
As can be seen from the results of surface roughness before and after annealing, the coating liquid containing a liquid organic substance or liquid crystalline organic substance is self-leveled by an annealing process (leveling process), and the smoothness of the film is improved. The surface roughness was reduced. The self-leveling property was remarkable in Example 4 using the compound H-3 corresponding to the liquid organic substance.
1・・・基板
2・・・パシベーション層
3・・・層間絶縁層
4・・・トランジスタ(TFT)
6・・・平坦化層
7・・・透明電極(陽極)
8・・・発光層(有機化合物層)
9・・・対向電極(陰極)
10・・・バンク
11・・・封止層
12・・・接着剤層
13・・・基板
14・・・ビア
100・・・有機電界発光表示装置
21・・・パターニング基板
22・・・基板
23・・・バンク
24・・・画素領域
25・・・発光層
26・・・正孔注入層又は正孔輸送層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
6 ... Flattening layer 7 ... Transparent electrode (anode)
8 ... Light emitting layer (organic compound layer)
9 ... Counter electrode (cathode)
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記画素領域に、液体の有機物若しくは液晶性を有する有機物を含有する塗布液を、パターン状に塗布すること含み、かつ、前記塗布液が塗布される塗布面の純水に対する接触角θ1、前記塗布液から形成される膜の純水に対する接触角θ2、及び前記バンクの純水に対する接触角θ3が下記式(1)及び(2)の関係を満たす、有機電界発光表示装置の製造方法。
|θ2−θ1|<|θ3−θ2| 式(1)
θ2<θ3 式(2) A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising a patterning substrate having a bank having a curvature and a pixel region partitioned by the bank on the substrate,
A coating liquid containing a liquid organic material or a liquid crystalline organic material is applied to the pixel region in a pattern, and a contact angle θ1 with respect to pure water of a coating surface on which the coating liquid is applied, the coating A method of manufacturing an organic light emitting display device, wherein a contact angle θ2 of a film formed from a liquid with respect to pure water and a contact angle θ3 of the bank with pure water satisfy a relationship of the following formulas (1) and (2).
| Θ2-θ1 | <| θ3-θ2 | Formula (1)
θ2 <θ3 Formula (2)
|θ2−θ4|<|θ3−θ2| 式(3) The coating surface to which the coating solution is applied is the surface of a hole injection layer or a hole transport layer, and the contact angle θ4 of the hole injection layer or the hole transport layer with respect to pure water, and the θ2 and θ3 are the following formulas The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus of Claim 7 which satisfy | fills the relationship of (3).
| Θ2-θ4 | <| θ3-θ2 | Equation (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010223262A JP5543891B2 (en) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Method for manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010223262A JP5543891B2 (en) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Method for manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012079897A true JP2012079897A (en) | 2012-04-19 |
JP5543891B2 JP5543891B2 (en) | 2014-07-09 |
Family
ID=46239802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010223262A Active JP5543891B2 (en) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Method for manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5543891B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017010756A (en) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 凸版印刷株式会社 | Organic electroluminescent element |
CN106469746A (en) * | 2015-08-19 | 2017-03-01 | 三星显示有限公司 | Oganic light-emitting display device and its manufacture method |
EP4092773A4 (en) * | 2020-01-14 | 2023-09-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic device and organic device manufacturing method |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09506646A (en) * | 1993-12-18 | 1997-06-30 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | Electroluminescent device |
JP2001192653A (en) * | 1999-10-27 | 2001-07-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | New fused heterocyclic compound, light emission element material and light emission element using the same |
JP2002043056A (en) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Canon Inc | Light-emitting element |
JP2002148429A (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-22 | Canon Inc | Optical element, method for producing the same, and liquid crystal device using the same |
JP2003077652A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method for electroluminescent element |
JP2006286243A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | Organic el element and its manufacturing method |
JP2009239180A (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic electroluminescent device |
JP2010015855A (en) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | Substrate processing method, deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent device |
JP2011113815A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Ricoh Co Ltd | Image display device, manufacturing method of image display device, and electronic equipment |
-
2010
- 2010-09-30 JP JP2010223262A patent/JP5543891B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09506646A (en) * | 1993-12-18 | 1997-06-30 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | Electroluminescent device |
JP2001192653A (en) * | 1999-10-27 | 2001-07-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | New fused heterocyclic compound, light emission element material and light emission element using the same |
JP2002043056A (en) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Canon Inc | Light-emitting element |
JP2002148429A (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-22 | Canon Inc | Optical element, method for producing the same, and liquid crystal device using the same |
JP2003077652A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method for electroluminescent element |
JP2006286243A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | Organic el element and its manufacturing method |
JP2009239180A (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic electroluminescent device |
JP2010015855A (en) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | Substrate processing method, deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent device |
JP2011113815A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Ricoh Co Ltd | Image display device, manufacturing method of image display device, and electronic equipment |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017010756A (en) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 凸版印刷株式会社 | Organic electroluminescent element |
CN106469746A (en) * | 2015-08-19 | 2017-03-01 | 三星显示有限公司 | Oganic light-emitting display device and its manufacture method |
CN106469746B (en) * | 2015-08-19 | 2022-03-01 | 三星显示有限公司 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
EP4092773A4 (en) * | 2020-01-14 | 2023-09-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic device and organic device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5543891B2 (en) | 2014-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1550707B1 (en) | Organometallic complexes, organic el devices, and organic el displays | |
EP2564438B1 (en) | Depositing premixed materials | |
CN104053664B (en) | Iridium complex compound and comprise the liquid composite of this compound, organic electroluminescent device, display device and illuminator | |
JP2019069965A (en) | Carbazole-containing compounds | |
JP6731908B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP5907944B2 (en) | Solution processable doped triarylamine hole injection material | |
JP5689653B2 (en) | Charge transport film, method for producing the same, light emitting device using the same, and photoelectric conversion device | |
JP5560155B2 (en) | Composition, film using the composition, charge transport layer, organic electroluminescent device, and method for forming charge transport layer | |
JP5011401B2 (en) | Organic light emitting layer material, organic light emitting layer forming coating liquid using organic light emitting layer material, organic light emitting element using organic light emitting layer forming coating liquid, and light source device using organic light emitting element | |
JP5506475B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent device | |
US7250227B2 (en) | Organic electroluminescent element, material for positive hole injecting layer, and organic electroluminescent display | |
JP4880450B2 (en) | Organometallic complex, luminescent solid, organic EL device and organic EL display | |
JP5543891B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device | |
JP5624953B2 (en) | Organic light emitting layer material, organic light emitting layer forming coating liquid using organic light emitting layer material, organic light emitting element using organic light emitting layer forming coating liquid, light source device using organic light emitting element, and manufacturing method thereof | |
JP7259847B2 (en) | Ink composition and method for producing organic electroluminescence element | |
JP2008244471A (en) | Material for organic electronics, thin-film employing the material, organic electronics element and organic electroluminescence element | |
KR20180122649A (en) | Organic electroluminescent device | |
WO2012032578A1 (en) | Organic light emitting layer material, coating liquid for forming organic light emitting layer using organic light emitting layer material, organic light emitting element using coating liquid for forming organic light emitting layer, light-source device using organic light emitting element, and method for producing organic light emitting element | |
JP2012195601A (en) | Organic light-emitting layer forming material, coating liquid for forming organic light-emitting layer using the same, organic light-emitting element using coating liquid for forming organic light-emitting layer, and light source device using organic light-emitting element | |
JP6268772B2 (en) | LAMINATE MANUFACTURING METHOD AND ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT DEVICE MANUFACTURING METHOD | |
JP2012224627A (en) | Phosphine oxide-based compound, organic electroluminescent element, production method therefor and use of the same | |
JP6282614B2 (en) | Solution processable doped triarylamine hole injection material | |
JP5998235B2 (en) | Manufacturing method of organic light emitting device | |
JP2022099677A (en) | Organic electroluminescent element, method for manufacturing the same, display, and lighting device | |
JP5703350B2 (en) | Organic light emitting layer material, organic light emitting layer forming coating liquid using organic light emitting layer material, organic light emitting element using organic light emitting layer forming coating liquid, and light source device using organic light emitting element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20121005 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121221 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130516 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130517 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140320 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5543891 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |