JP2012064609A

JP2012064609A - Semiconductor power module and power converter

Info

Publication number: JP2012064609A
Application number: JP2010205036A
Authority: JP
Inventors: Keisuke Horiuchi; 敬介堀内; Michiaki Hiyoshi; 道明日吉; Koji Sasaki; 康二佐々木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2010-09-14
Filing date: 2010-09-14
Publication date: 2012-03-29
Anticipated expiration: 2030-09-14
Also published as: JP5544255B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power converter including semiconductor power modules which can reduce the floor area and variations in cooling performance while ensuring good assemblability.SOLUTION: The power converter comprises semiconductor power modules metal-bonded to the surface of a heat sink on the side opposite from the surface coming into contact with cooling medium are mounted on an insulating circuit board on which a plurality of power semiconductor elements are mounted. A plurality of semiconductor power modules are mounted in parallel to close a plurality of openings on a water passage molding, and cooling passages are formed in the longitudinal direction of the modules. The direction of parallel connection of power semiconductor elements in a module is the longitudinal direction of the modules and the parallel direction of the modules themself is the short direction of the module. A DC terminal and an AC terminal are provided on the short side of the module.

Description

本発明は半導体パワーモジュール及び電力変換装置に係り、特に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴという）などの電力用半導体素子が搭載される大容量に好適な半導体パワーモジュール及び電力変換装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor power module and a power conversion device, and more particularly to a semiconductor power module and a power conversion device suitable for a large capacity on which a power semiconductor element such as an insulated gate bipolar transistor (hereinafter referred to as IGBT) is mounted.

風力発電機などに用いられている電力変換装置に搭載される半導体パワーモジュールは、１つの電力用半導体素子あたりに流すことのできる電流量は限られているため、半導体パワーモジュールの内部でＩＧＢＴ素子が多数並列接続され、かつ、半導体パワーモジュール自体を、並列使用する必要がある。つまり、大容量の電力変換装置の小型化を実現するためには、１つ１つのモジュールが小型化され、かつ、それらモジュールを並列に組み合わせた状態でも小型化されている必要がある。 A semiconductor power module mounted on a power conversion device used in a wind power generator or the like has a limited amount of current that can flow per one power semiconductor element, and therefore, an IGBT element inside the semiconductor power module. Are connected in parallel, and the semiconductor power module itself must be used in parallel. That is, in order to reduce the size of a large-capacity power conversion device, each module needs to be reduced in size and even in a state where the modules are combined in parallel.

１つ１つのモジュールを小型化するためには、ＩＧＢＴ素子の面積や並列数を小さくする必要があり、その手段として冷却性能を向上させることが有効である。特に、液体冷却は、空気冷却に比べ冷却性能が高いため、大容量電力変換装置の冷却には広く用いられている。液体冷却は、通常、半導体パワーモジュールに、例えば、熱伝導グリースなどを介して放熱フィンが接着され、その放熱フィンが冷却水の流路の中に浸されることで冷却するものである。ところが、熱伝導グリースは、金属に比べ熱抵抗が高いという欠点を有している。 In order to reduce the size of each module, it is necessary to reduce the area of the IGBT elements and the number of parallel elements, and it is effective to improve the cooling performance as a means. In particular, liquid cooling is widely used for cooling large-capacity power converters because it has higher cooling performance than air cooling. Liquid cooling is usually performed by cooling a semiconductor power module by, for example, adhering radiating fins to the semiconductor power module via thermal conductive grease or the like, and immersing the radiating fins in a flow path of cooling water. However, the heat conductive grease has a disadvantage that its thermal resistance is higher than that of metal.

これに対して、より高い冷却能力を確保し、１つ１つのモジュールを小型化するために、熱伝導グリースを介することなく、冷却部に熱を伝達し冷却する直接冷却方式の半導体パワーモジュールが知られている（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。 On the other hand, in order to secure a higher cooling capacity and reduce the size of each module, there is a direct cooling type semiconductor power module that transfers heat to the cooling unit and cools it without using thermal grease. Known (for example, refer to Patent Document 1 and Patent Document 2).

その直接冷却方式の半導体パワーモジュールによれば、ヒートシンクの上面に絶縁層を介して電力用半導体素子が直接搭載され、かつ、ヒートシンクの下面に放熱フィンが設けられているが、このとき、水路形成体の上面の開口部がヒートシンクの下面によって覆い塞がれている構造であるため、ヒートシンクの下面は、冷却水に直接接触することになり、ヒートシンクの冷却効果が向上することになる。その結果、１モジュールあたりのＩＧＢＴ素子の面積や並列数を小さくすることができるので、大容量の電力変換装置の小型化が実現可能となる。 According to the direct cooling type semiconductor power module, the power semiconductor element is directly mounted on the upper surface of the heat sink via the insulating layer, and the heat radiation fin is provided on the lower surface of the heat sink. Since the opening on the upper surface of the body is covered with the lower surface of the heat sink, the lower surface of the heat sink is in direct contact with the cooling water, thereby improving the cooling effect of the heat sink. As a result, the area of IGBT elements per module and the number of parallel devices can be reduced, so that it is possible to reduce the size of a large-capacity power conversion device.

しかし、特許文献１や特許文献２は、車両搭載の回転電機に接続することを想定しており、比較的出力電流が小さくてすむため、１つの半導体モジュールで３相交流を作り出すことが可能な６in１構成（６組の電力用半導体素子が搭載された構成）を採用している。よって、モジュール自体を並列接続することは想定していない。 However, Patent Document 1 and Patent Document 2 are assumed to be connected to a rotating electrical machine mounted on a vehicle, and a relatively small output current is required, so that a three-phase alternating current can be created with one semiconductor module. A 6 in 1 configuration (a configuration in which six sets of power semiconductor elements are mounted) is employed. Therefore, it is not assumed that the modules themselves are connected in parallel.

モジュール自体を並列接続することを想定し、モジュールの放熱器への設置方法や主回路構成については、例えば特許文献３に開示されている。 Assuming that the modules themselves are connected in parallel, the installation method of the module to the radiator and the main circuit configuration are disclosed in Patent Document 3, for example.

特開２００７−２９５７６５号公報JP 2007-295765 A 特開２００８−２０６２４３号公報JP 2008-206243 A 特開２００６−４２４０６号公報JP 2006-42406 A

特許文献３は、空気冷却であるため、上述した直接冷却方式の液体冷却に比べたら冷却性能が低く熱を広い面積に拡大して冷却しなければならないので、１つ１つのモジュールの小型化は難しい。また、主回路端子が各モジュールの中央に位置し、各モジュールは通風方向に対して相ごとに平行になるように配置されているため、コンデンサと各直流端子を接続する導体板を設置するスペースが各相の間に必要になる。よって、複数個並列に組み合わせた状態での小型化も困難である。 Since Patent Document 3 is air-cooled, the cooling performance is low compared to the above-described direct-cooling liquid cooling, and heat must be expanded to a large area, so that each module can be downsized. difficult. In addition, the main circuit terminal is located in the center of each module, and each module is arranged so as to be parallel for each phase with respect to the ventilation direction, so a space for installing a conductor plate that connects the capacitor and each DC terminal Is required between each phase. Therefore, it is difficult to reduce the size in a state where a plurality of them are combined in parallel.

本発明は、以上のような技術的な問題に鑑みなされたもので、その目的とするところは、大容量で直接冷却方式を採用するものであっても小型化が可能な半導体パワーモジュール及び電力変換装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the technical problems as described above. The object of the present invention is to provide a semiconductor power module and an electric power that can be miniaturized even if they employ a direct cooling system with a large capacity. It is to provide a conversion device.

本発明の半導体パワーモジュールは、上記目的を達成するために、複数の電力用半導体素子を搭載した絶縁基板と、前記複数の電力用半導体素子から発生する熱を放熱するヒートシンクと、前記電力用半導体素子へ直流電流を供給する直流端子と、前記電力用半導体素子から交流電流を取り出す交流端子とを備えた半導体パワーモジュールであって、前記絶縁基板は、前記ヒートシンクの冷媒が接触する面と反対側の面に金属接合され、かつ、前記半導体パワーモジュールは、略長方形に形成され、その長手方向に対して前記複数の電力用半導体素子が並列に設けられていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor power module of the present invention includes an insulating substrate on which a plurality of power semiconductor elements are mounted, a heat sink that dissipates heat generated from the plurality of power semiconductor elements, and the power semiconductor. A semiconductor power module comprising a direct current terminal for supplying a direct current to an element and an alternating current terminal for extracting an alternating current from the power semiconductor element, wherein the insulating substrate is opposite to the surface of the heat sink that contacts the refrigerant The semiconductor power module is formed in a substantially rectangular shape, and the plurality of power semiconductor elements are provided in parallel in the longitudinal direction.

また、本発明の電力変換装置は、上記目的を達成するために、発電機から供給される交流電流を直流に変換するコンバータモジュールと、該コンバータモジュールから供給される直流電流を安定化し、平滑化するためのコンデンサモジュールと、直流電流から所定の周波数の交流電流を生成するためのインバータモジュールとを備え、前記コンバータモジュール若しくはインバータモジュールが、半導体パワーモジュールと、該半導体パワーモジュールによって、上面の開口部が塞がれている水路形成体からなる電力変換装置であって、前記コンバータモジュール若しくはインバータモジュールは、上記構成の半導体パワーモジュールの少なくとも２つが、互いに長辺の面で隣接するよう配置されて構成されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the power converter of the present invention stabilizes and smoothes a converter module that converts an alternating current supplied from a generator into a direct current, and a direct current supplied from the converter module. A capacitor module and an inverter module for generating an alternating current of a predetermined frequency from a direct current, the converter module or the inverter module being a semiconductor power module, and an opening on the upper surface by the semiconductor power module The converter module or the inverter module is configured such that at least two of the semiconductor power modules having the above configuration are arranged adjacent to each other on the long side surface. It is characterized by being.

本発明によれば、大容量で直接冷却方式を採用するものであっても小型化が可能な半導体パワーモジュール及びそれが搭載される電力変換装置を得ることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if it employ | adopts a direct cooling system with a large capacity | capacitance, the semiconductor power module which can be reduced in size, and the power converter device with which it is mounted can be obtained.

本発明の実施形態１に係る電力変換装置を示す回路ブロック図である。It is a circuit block diagram which shows the power converter device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係る電力変換装置のコンデンサモジュールとインバータモジュール及びインバータモジュール用ドライバ回路基板を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the capacitor | condenser module of the power converter device which concerns on Embodiment 1 of this invention, an inverter module, and the driver circuit board for inverter modules. 本発明の実施形態１に係る単相分インバータモジュールを示す外観斜視図である。1 is an external perspective view showing a single-phase inverter module according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態１に係る単相分インバータモジュールを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the single phase part inverter module which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係る水路形成体及び冷媒の進行方向の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the example of the water channel formation body which concerns on Embodiment 1 of this invention, and the advancing direction of a refrigerant | coolant. 図３のＡ−Ａ′断面図である。It is AA 'sectional drawing of FIG. 本発明の実施形態１に係る半導体パワーモジュールを示す外観斜視図である。1 is an external perspective view showing a semiconductor power module according to Embodiment 1 of the present invention. 図７の主端子を外した半導体パワーモジュールを示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the semiconductor power module which removed the main terminal of FIG. 本発明の実施形態１に係る電力変換装置のコンデンサモジュールとインバータモジュール及びインバータモジュール用ドライバ回路基板を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the capacitor | condenser module of the power converter device which concerns on Embodiment 1 of this invention, an inverter module, and the driver circuit board for inverter modules. 実施形態１で示した半導体パワーモジュールの２つが１つになった場合の図９に相当する図である。FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG. 9 when two of the semiconductor power modules shown in the first embodiment are combined. 正極直流端子と負極直流端子が半導体パワーモジュールの中央に配置された場合の、コンデンサモジュールとインバータモジュールとインバータモジュール用ドライバ回路８１０の相対位置関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the relative positional relationship of a capacitor | condenser module, an inverter module, and the inverter module driver circuit 810 when a positive electrode DC terminal and a negative electrode DC terminal are arrange | positioned in the center of a semiconductor power module. ＩＧＢＴやダイオードが千鳥配列の場合の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example in case IGBT and a diode are a staggered arrangement | sequence. 隣り合う２つの半導体パワーモジュールを共通のボルトで固定する場合の実施例を示し、図９に相当する図である。FIG. 10 shows an embodiment in which two adjacent semiconductor power modules are fixed with a common bolt, and corresponds to FIG. 9.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る電力変換装置の回路ブロック構成の例を示した図である。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a circuit block configuration of a power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention.

図１に示すように、電力変換装置１０００は、ブレード（回転羽根）５００と変圧器６００に接続されており、風の力によって回転するブレード５００によって得た回転力から発電機４００で交流電流を発生させ、この発電機４００から供給される交流電流を直流に変換するコンバータモジュール３００と、前記コンバータモジュール３００から供給される直流電流を安定化し、平滑化するためのコンデンサモジュール２００と、直流電流から所定の周波数の交流電流を生成するためのインバータモジュール１００とから概略構成される。電力変換装置１０００から得た交流電流は、変圧器６００により所定の電圧に変換され、外部電力系統７００へ供給される。 As shown in FIG. 1, the power conversion apparatus 1000 is connected to a blade (rotary blade) 500 and a transformer 600, and an AC current is generated by the generator 400 from the rotational force obtained by the blade 500 that is rotated by the wind force. Converter module 300 for generating and converting the alternating current supplied from generator 400 to direct current, capacitor module 200 for stabilizing and smoothing the direct current supplied from converter module 300, and An inverter module 100 for generating an alternating current having a predetermined frequency is schematically configured. The alternating current obtained from the power conversion apparatus 1000 is converted into a predetermined voltage by the transformer 600 and supplied to the external power system 700.

コンバータモジュール３００やインバータモジュール１００において、上下アーム直列回路１のそれぞれは、上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂとの並列接続回路からなる２つの電流スイッチ回路が直列に配置されて構成される。上下アーム直列回路１の上下端は、それぞれ、コンデンサモジュール２００の正極および負極に接続される。そして、その上側（正極側）に配置された上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂとからなる電流スイッチ回路は、いわゆる上アームとして動作し、下側（負極側）に配置された下アームＩＧＢＴ２ｃと下アームダイオード２ｄとからなる電流スイッチ回路は、いわゆる下アームとして動作する。 In the converter module 300 and the inverter module 100, each of the upper and lower arm series circuits 1 is configured by arranging two current switch circuits including a parallel connection circuit of an upper arm IGBT 2a and an upper arm diode 2b in series. The upper and lower ends of the upper and lower arm series circuit 1 are connected to the positive electrode and the negative electrode of the capacitor module 200, respectively. The current switch circuit composed of the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b disposed on the upper side (positive side) operates as a so-called upper arm, and the lower arm IGBT 2c disposed on the lower side (negative side) and the lower arm IGBT 2c. The current switch circuit including the arm diode 2d operates as a so-called lower arm.

インバータモジュール１００は、このような上下アーム直列回路１が３組設けられた、いわゆる、３相ブリッジ回路によって構成される。そして、それぞれの上下アーム直列回路１の中点位置、すなわち、上下の電流スイッチ回路の接続部分からは、３相の交流電流（Ｕ，Ｖ，Ｗ）が出力され、その出力された３相の交流電流（Ｕ，Ｖ，Ｗ）は、変圧器６００へ供給される。 The inverter module 100 includes a so-called three-phase bridge circuit in which three sets of such upper and lower arm series circuits 1 are provided. Then, a three-phase alternating current (U, V, W) is output from the midpoint position of each of the upper and lower arm series circuits 1, that is, from the connecting portion of the upper and lower current switch circuits, and the output three-phase The alternating current (U, V, W) is supplied to the transformer 600.

また、コンバータモジュール３００は、３つの上下アーム直列回路１からなるインバータ回路を構成し、コンバータモジュール３００を駆動制御するコンバータモジュール用ドライバ回路８００と、コンバータモジュール用ドライバ回路８００へ制御信号を供給するコンバータモジュール用制御回路９００と、を含んで構成されている。同様に、インバータモジュール１００は、３つの上下アーム直列回路１からなるインバータ回路を構成し、各相の上アームＩＧＢＴ２ａにゲート信号を供給し、インバータモジュール３００を駆動制御するインバータモジュール用ドライバ回路８１０と、インバータモジュール用ドライバ回路８１０へ制御信号を供給するインバータモジュール用制御回路９１０と、を含んで構成されている。ここで、両ドライバ回路８００，８１０から出力されるゲート信号は、各相の上アームＩＧＢＴ２ａに供給され、交流電流（Ｕ，Ｖ，Ｗ）の振幅や位相などを制御する。 Further, the converter module 300 constitutes an inverter circuit composed of three upper and lower arm series circuits 1, a converter module driver circuit 800 that drives and controls the converter module 300, and a converter that supplies a control signal to the converter module driver circuit 800 And a module control circuit 900. Similarly, the inverter module 100 constitutes an inverter circuit composed of three upper and lower arm series circuits 1, supplies a gate signal to the upper arm IGBT 2a of each phase, and drives an inverter module 300 for controlling the inverter module 300. And an inverter module control circuit 910 for supplying a control signal to the inverter module driver circuit 810. Here, the gate signals output from both driver circuits 800 and 810 are supplied to the upper arm IGBT 2a of each phase, and the amplitude and phase of the alternating current (U, V, W) are controlled.

各制御回路９００，９１０は、各上アームＩＧＢＴ２ａのスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータを備えている。ちなみに、各アームの上アームＩＧＢＴ２ａのエミッタ電極は、各ドライバ回路８００，８１０に接続され、各ドライバ回路８００，８１０は、それぞれの上アームＩＧＢＴ２ａごとにエミッタ電極における過電流検知を行い、過電流が検知された上アームＩＧＢＴ２ａについては、そのスイッチング動作を停止させ、過電流から保護する。さらに、各制御回路９００，９１０には、上下アーム直列回路１に設けられた図示しない温度センサや、上下アーム直列回路１の両端に印加される直流電圧を検出する検出回路などからの信号が入力され、それらの信号に基づき、過温度，過電圧などの異常を検知する。そして、過温度，過電圧などの異常を検知した場合には、全ての上アームＩＧＢＴ２ａスイッチング動作を停止させ、上下アーム直列回路１を過電流，過電圧，過温度などの異常から保護する。 Each control circuit 900, 910 includes a microcomputer for calculating the switching timing of each upper arm IGBT 2a. Incidentally, the emitter electrode of the upper arm IGBT 2a of each arm is connected to each driver circuit 800, 810, and each driver circuit 800, 810 performs overcurrent detection in the emitter electrode for each upper arm IGBT 2a, and overcurrent is detected. For the detected upper arm IGBT 2a, the switching operation is stopped to protect it from overcurrent. Further, signals from a temperature sensor (not shown) provided in the upper and lower arm series circuit 1 and a detection circuit for detecting a DC voltage applied to both ends of the upper and lower arm series circuit 1 are input to the control circuits 900 and 910. Based on these signals, abnormalities such as overtemperature and overvoltage are detected. When an abnormality such as overtemperature or overvoltage is detected, all upper arm IGBT 2a switching operations are stopped, and the upper and lower arm series circuit 1 is protected from abnormalities such as overcurrent, overvoltage, and overtemperature.

以上に示した電力変換装置１０００において、上アームＩＧＢＴ２ａおよび上アームダイオード２ｂからなる電流スイッチ回路は、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ）を用いて構成してもよい。図１に示したインバータモジュール１００やコンバータモジュール３００は、それぞれ６個の上アームＩＧＢＴ２ａが搭載された６in１構造の半導体モジュールである。半導体モジュールは６in１構造だけでなく、１２個すべての上アームＩＧＢＴ２ａが搭載された１２in１構造でも良いし、２個の上アームＩＧＢＴ２ａが搭載された２in１構造の半導体モジュールでも良い。さらに、出力電流が大きい場合には個数を増やして並列接続して良い。さらに、電力変換装置１０００は、図１の回路構成に加え、電池に充電する機能が入った装置であってもよい。また図１の回路構成に加え、風車の回転数から発電機の回転数に変換する増速器を設けても良い。 In the power conversion apparatus 1000 described above, the current switch circuit including the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b may be configured using a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor). The inverter module 100 and the converter module 300 shown in FIG. 1 are 6-in-1 semiconductor modules each including six upper arm IGBTs 2a. The semiconductor module is not limited to a 6in1 structure, but may be a 12in1 structure in which all 12 upper arm IGBTs 2a are mounted, or a 2in1 semiconductor module in which two upper arm IGBTs 2a are mounted. Further, when the output current is large, the number may be increased and connected in parallel. Furthermore, the power conversion apparatus 1000 may be an apparatus having a function of charging a battery in addition to the circuit configuration of FIG. In addition to the circuit configuration of FIG. 1, a speed increaser that converts the rotational speed of the windmill into the rotational speed of the generator may be provided.

図２は、本発明の実施形態１に係る電力変換装置のコンデンサモジュール２００とインバータモジュール１００及びインバータモジュール用ドライバ回路８１０の外観斜視図の例を示した図である。 FIG. 2 is a diagram illustrating an example of an external perspective view of the capacitor module 200, the inverter module 100, and the inverter module driver circuit 810 of the power conversion device according to the first embodiment of the present invention.

図２に示すように、コンデンサモジュール２００とインバータモジュール１００は、正極導体板２０３ａと負極導体板２０３ｂによって電気的に接続され、インバータモジュール１００とインバータモジュール用ドライバ回路８１０は、弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２によって電気的に接続される。コンデンサモジュール２００には、コンデンサセル２０１が複数搭載されており、各コンデンサセル２０１を挟み込むように正極導体板２０２ａと負極導体板２０２ｂが配置され、それぞれの導体板は前記正極導体板２０３ａと負極導体板２０３ｂに接続されている。 As shown in FIG. 2, the capacitor module 200 and the inverter module 100 are electrically connected by a positive conductor plate 203a and a negative conductor plate 203b, and the inverter module 100 and the inverter module driver circuit 810 are connected to a weak electric system (gate signal, The temperature detection signal and the emitter signal are electrically connected by the electrode 112. A plurality of capacitor cells 201 are mounted on the capacitor module 200, and a positive electrode conductor plate 202a and a negative electrode conductor plate 202b are disposed so as to sandwich each capacitor cell 201. The respective conductor plates are the positive electrode conductor plate 203a and the negative electrode conductor. It is connected to the plate 203b.

インバータモジュール１００は、主に半導体パワーモジュール１１０と、半導体パワーモジュール１１０によって開口部を塞ぐ水路形成体１０１とからなる。水路形成体１０１には、入口パイプ１０１ａと出口パイプ１０１ｂが一体成型されており、入口パイプ１０１ａから冷媒を供給し、出口パイプ１０１ｂから取り出す構成になっている。 The inverter module 100 mainly includes a semiconductor power module 110 and a water channel forming body 101 that closes an opening by the semiconductor power module 110. An inlet pipe 101a and an outlet pipe 101b are integrally formed in the water channel forming body 101, and a refrigerant is supplied from the inlet pipe 101a and taken out from the outlet pipe 101b.

図２の例は、図１の上下アーム直列回路１に相当する箇所に、１相あたり２in１タイプの半導体パワーモジュール１１０を２台設けている。この結果、３相の交流電流Ｕ，Ｖ，Ｗを出力するために、２in１タイプの半導体パワーモジュール１１０を６つ用意しており、２つのパワーモジュールを繋げるように交流電流供給用導体板１２０を設けている。インバータモジュール用ドライバ回路８１０は、複数の半導体パワーモジュール１１０の上面を跨るように配置されている。インバータモジュール用ドライバ回路８１０が、複数ある半導体パワーモジュール１１０の上方に配置することにより、インバータモジュール用ドライバ回路８１０と半導体パワーモジュール１１０の間の配線長を短くすることができ、かつドライバ回路を１枚にすることで床面積を共通化することで、くみ上げたときの小型化を実現できる。 In the example of FIG. 2, two 2-in-1 type semiconductor power modules 110 are provided per phase at a position corresponding to the upper and lower arm series circuit 1 of FIG. 1. As a result, in order to output three-phase AC currents U, V, and W, six 2-in-1 type semiconductor power modules 110 are prepared, and the AC current supply conductor plate 120 is connected to connect the two power modules. Provided. The inverter module driver circuit 810 is disposed so as to straddle the upper surfaces of the plurality of semiconductor power modules 110. By arranging the inverter module driver circuit 810 above the plurality of semiconductor power modules 110, the wiring length between the inverter module driver circuit 810 and the semiconductor power module 110 can be shortened, and the driver circuit can be reduced to one. By using a single sheet, the floor area can be shared, and the size can be reduced when lifted.

３相を構成する水路形成体１０１と半導体パワーモジュール１１０の構造は全て同じであるため、１相分の水路形成体に２つの半導体パワーモジュール１１０が搭載された図（図３〜図９）を用いて詳細構造を説明する。 Since the structures of the water channel forming body 101 and the semiconductor power module 110 constituting the three phases are all the same, the diagrams (FIGS. 3 to 9) in which two semiconductor power modules 110 are mounted on the water channel forming body for one phase. The detailed structure will be described using this.

図３は本発明の実施形態１に係る単相分インバータモジュール１００の外観斜視図の例を示した図であり、図４は図３の分解図の例を示した図である。 FIG. 3 is a diagram showing an example of an external perspective view of the single-phase inverter module 100 according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing an example of an exploded view of FIG.

インバータモジュール１００は、水路形成体１０１と、この水路形成体１０１の上面に位置する水路開口部１０１ｃを塞ぐように、Ｏリング１３０を代表とするシール材を介して、半導体パワーモジュール固定用ボルト穴１０３にボルトを通すことによって固定される半導体パワーモジュール１１０とで構成される。上面から、Ｏリング１３０と半導体パワーモジュール１１０を取り付けることにより、組み付け時にＯリング１３０がＯリング用溝１０２から外れることがないため、組立性が向上する。 The inverter module 100 includes a water channel forming body 101 and a bolt hole for fixing a semiconductor power module through a sealing material typified by an O-ring 130 so as to close the water channel opening 101c located on the upper surface of the water channel forming body 101. The semiconductor power module 110 is fixed by passing a bolt through 103. By attaching the O-ring 130 and the semiconductor power module 110 from the upper surface, the O-ring 130 is not detached from the O-ring groove 102 at the time of assembly, so that the assemblability is improved.

水路形成体１０１は、鋳造（重力鋳造やダイキャスト）により一体成型され、Ｏリング用溝１０２，半導体パワーモジュール固定用ボルト穴１０３，入口パイプ１０１ａ，出口パイプ１０１ｂは、鋳造後に機械加工される。機械加工用チャック１０５は、機械加工時に水路形成体１０１を加工機に固定する際使用され、Ｏリング用溝１０２の外側に機械加工用チャックを設けることにより、シールの信頼性を維持している。また、水路形成体１０１を一体成型することにより、シールの信頼性が向上し、小型化低コスト化にも繋がる。 The water channel forming body 101 is integrally formed by casting (gravity casting or die casting), and the O-ring groove 102, the semiconductor power module fixing bolt hole 103, the inlet pipe 101a, and the outlet pipe 101b are machined after casting. The machining chuck 105 is used when fixing the water channel formation body 101 to the processing machine during machining, and the sealing reliability is maintained by providing a machining chuck outside the O-ring groove 102. . Further, by integrally molding the water channel formation body 101, the reliability of the seal is improved, leading to a reduction in size and cost.

なお、シールにはＯリング１３０を用いず、液状シールや金属パッキンを用いても良い。 Note that the seal may be a liquid seal or metal packing without using the O-ring 130.

図３に示すように、各半導体パワーモジュール１１０は略長方形であり、正極直流端子１１１ａと負極直流端子１１１ｂ及び交流端子１１１ｃが短辺側に設けられている。その結果、比較的面積を有する強電系の端子（正極直流端子１１１ａと負極直流端子１１１ｂ及び交流端子１１１ｃ）が各半導体パワーモジュール１１０の間に配置する必要がなくなり、各半導体パワーモジュール１１０を隣接して配置することが可能となり、複数の半導体パワーモジュール１１０を組み合わせた状態でも小型化が可能となる。 As shown in FIG. 3, each semiconductor power module 110 is substantially rectangular, and a positive DC terminal 111a, a negative DC terminal 111b, and an AC terminal 111c are provided on the short side. As a result, it is not necessary to arrange the high-voltage terminals (the positive DC terminal 111a, the negative DC terminal 111b, and the AC terminal 111c) having a relatively large area between the semiconductor power modules 110, and the semiconductor power modules 110 are adjacent to each other. Therefore, even when a plurality of semiconductor power modules 110 are combined, the size can be reduced.

図４は本発明の実施形態１に係る単相分インバータモジュールを示す分解斜視図、図５は本発明の実施形態１に係る水路形成体１０１および冷媒の進行方向の例を示した図である。 FIG. 4 is an exploded perspective view showing a single-phase component inverter module according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing an example of the water channel formation body 101 and the traveling direction of the refrigerant according to Embodiment 1 of the present invention. .

冷媒は、入口パイプ１０１ａから入口パイプ内冷媒進行方向１５０ａに従い水路形成体１０１に流入し、１つ目の半導体パワーモジュール１１０のヒートシンク４が挿入されている（図６参照）水路開口部１０１ｃ内をヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃに従い進行し、水路形成体の開口部間を繋ぐ流路（図示せず）を水路形成体１０１の開口部間を繋ぐ流路内冷媒進行方向１５０ｄに従い進行方向を変え、１つ目のヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃに対向する方向に、２つ目の半導体パワーモジュール１１０のヒートシンク４が挿入されている水路開口部１０１ｃ内をヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｅに従い進行し、出口パイプ１０１ｂから出口パイプ内冷媒進行方向１５０ｂに従い水路形成体１０１から流出する。 The refrigerant flows from the inlet pipe 101a into the water channel formation body 101 according to the refrigerant traveling direction 150a in the inlet pipe, and the heat sink 4 of the first semiconductor power module 110 is inserted (see FIG. 6) in the water channel opening 101c. Proceeding according to the refrigerant traveling direction 150c in the heat sink, changing the traveling direction according to the refrigerant traveling direction 150d in the flow path connecting the flow paths (not shown) between the openings of the water channel forming body 101 between the openings of the water channel forming body 101, Proceeding in the water passage opening 101c in which the heat sink 4 of the second semiconductor power module 110 is inserted in a direction opposite to the first heat sink refrigerant traveling direction 150c, the refrigerant proceeds in the heat sink refrigerant traveling direction 150e, and the outlet pipe. It flows out of the water channel formation body 101 in accordance with the refrigerant traveling direction 150b in the outlet pipe from 101b.

図４及び図５に示すように、モジュール長手方向に冷媒用流路が形成されヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃ，１５０ｅをモジュール長手方向と同じにすることで、流路幅（図５中のＷ）を小さくすることができ、その結果、流路内の流速が大きくなり冷却性能が向上する。冷却性能が向上することで、電力用半導体素子２の面積を小さくすることができ、その結果小型化が実現できる。 As shown in FIG. 4 and FIG. 5, the flow path width (W in FIG. 5) is formed by forming a flow path for the refrigerant in the longitudinal direction of the module and making the refrigerant traveling directions 150c and 150e in the heat sink the same as the longitudinal direction of the module. As a result, the flow velocity in the flow path is increased and the cooling performance is improved. By improving the cooling performance, the area of the power semiconductor element 2 can be reduced, and as a result, downsizing can be realized.

図６は図３のＡ−Ａ′断面を示す図である。同じ構造をした２つの半導体パワーモジュール１１０が、隣接して配置されているのがわかる。半導体パワーモジュール１１０は、直接冷却方式の半導体パワーモジュールであるため、ヒートシンク４の上面に絶縁基板３を介して上アームＩＧＢＴ２ａや上アームダイオード２ｂが搭載される。 FIG. 6 is a view showing a cross section taken along the line AA 'of FIG. It can be seen that two semiconductor power modules 110 having the same structure are arranged adjacent to each other. Since the semiconductor power module 110 is a direct cooling type semiconductor power module, the upper arm IGBT 2 a and the upper arm diode 2 b are mounted on the upper surface of the heat sink 4 via the insulating substrate 3.

このとき、水路形成体１０１の上面の水路開口部１０１ｃがヒートシンク４の下面によって覆い塞がれている構造であるので、ヒートシンク４の下面は、冷却水に直接に接触することになり、ヒートシンク４の冷却効果が向上する。直接冷却方式の半導体パワーモジュールは熱抵抗が小さいため、熱を広げずに冷却できる特徴がある。よって、上アームＩＧＢＴ２ａや上アームダイオード２ｂなどの発熱源近傍領域の幅（図６中のＷｃ）に対して１〜１０mm程度大きい流路幅（図６中のＷ）で冷却が可能なため、ヒートシンク４のフィン領域を必要最低限に抑えることができ、その結果小型化が実現できる。 At this time, since the water channel opening 101 c on the upper surface of the water channel forming body 101 is covered with the lower surface of the heat sink 4, the lower surface of the heat sink 4 comes into direct contact with the cooling water. The cooling effect is improved. The direct cooling type semiconductor power module has a characteristic that it can be cooled without spreading heat because of its low thermal resistance. Therefore, since cooling is possible with a channel width (W in FIG. 6) that is about 1 to 10 mm larger than the width of the heat source vicinity region (Wc in FIG. 6) such as the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b, The fin region of the heat sink 4 can be suppressed to the minimum necessary, and as a result, downsizing can be realized.

弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２や上アームエミッタ領域の主端子接続部５ｂなどは、あまり発熱しないため、積極的に冷却する必要がない。よって、水路開口部１０１ｃの外側に位置させることが可能である。 The electrode 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal), the main terminal connection portion 5b in the upper arm emitter region, and the like do not generate much heat and do not need to be actively cooled. Therefore, it can be positioned outside the water channel opening 101c.

水路開口部１０１ｃの外側は、Ｏリング１３０などのシール材があるシール領域でもあるため、弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２や上アームエミッタ領域の主端子接続部５ｂの位置と共通化することにより、スペース効率が上がり、その結果半導体パワーモジュールを小型化できる。 Since the outside of the water channel opening 101c is also a seal region where a sealing material such as an O-ring 130 is provided, the electrode 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) and the main terminal connection portion 5b of the upper arm emitter region By sharing the position, the space efficiency increases, and as a result, the semiconductor power module can be miniaturized.

図７は本発明の実施形態１に係る半導体パワーモジュール１１０の外観斜視図の例を示した図であり、図８は図７の主端子を外した図である（ただし、主端子接続部は図８にも図示してある。）。 7 is a diagram showing an example of an external perspective view of the semiconductor power module 110 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a diagram in which the main terminal of FIG. 7 is removed (however, the main terminal connecting portion is This is also illustrated in FIG.

該図に示す如く、半導体パワーモジュール１１０の片方の辺には、正極直流端子１１１ａと負極直流端子１１１ｂを設け、直流端子が配置される面とは反対の面に交流端子１１１ｃを設け、強電系の端子（直流や交流の主端子１１１）が設けられている面とは別の面に弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２を設けることにより、強電系から弱電系を離すことができるため、各信号（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）のノイズを抑制することができる。 As shown in the figure, on one side of the semiconductor power module 110, a positive DC terminal 111a and a negative DC terminal 111b are provided, and an AC terminal 111c is provided on the surface opposite to the surface on which the DC terminal is disposed. By providing the electrode 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) on a surface different from the surface on which the terminal (DC or AC main terminal 111) is provided, the weak electric system is changed from the strong electric system. Since they can be separated, noise of each signal (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) can be suppressed.

強電系の主端子（直流や交流の主端子１１１）から電力用半導体素子２へ電流を供給するために、電力用半導体素子２の上方に積層平板１１３を設けている。積層平板１１３は、上から順に負極導体板１１３ａ，絶縁材１１３ｂ，正極導体板１１３ｃ，絶縁材１１３ｄ，交流導体板１１３ｅがレイヤー状に積層されて構成されている。負極導体板１１３ａと正極導体板１１３ｃは、絶縁材１１３ｂを介して並行して配置され、且つ逆向きの同一電流が流れる。その結果、負極導体板１１３ａと正極導体板１１３ｃの間の空間では、互いの電流によって発生する磁界が打ち消し合うことになり、結果として電流経路のインダクタンスが低下することとなる。 A laminated flat plate 113 is provided above the power semiconductor element 2 in order to supply current to the power semiconductor element 2 from the high-voltage main terminal (DC or AC main terminal 111). The laminated flat plate 113 is configured by laminating a negative electrode conductor plate 113a, an insulating material 113b, a positive electrode conductor plate 113c, an insulating material 113d, and an AC conductor plate 113e in order from the top. The negative electrode conductor plate 113a and the positive electrode conductor plate 113c are arranged in parallel via the insulating material 113b, and the same current in the opposite direction flows. As a result, in the space between the negative electrode conductor plate 113a and the positive electrode conductor plate 113c, the magnetic fields generated by the mutual currents cancel each other, resulting in a decrease in the inductance of the current path.

なお、絶縁材１１３ｂ（１１３ｄ）は、各導体板（負極導体板１１３ａ，正極導体板１１３ｃ，交流導体板１１３ｅ）を電気的に絶縁する目的で設けられ、絶縁紙を導体板に接着する方法や、導体板にラミネートコーティングする方法によって実装される。 The insulating material 113b (113d) is provided for the purpose of electrically insulating each conductive plate (the negative conductive plate 113a, the positive conductive plate 113c, and the alternating current conductive plate 113e). It is mounted by the method of laminating and coating the conductor plate.

また、積層平板を上面から見た形状は、略台形型をしており、絶縁基板上の金属パターンと接続されている各端子に向かって低インダクタンスで電流が流れる形状である。 Further, the shape of the laminated flat plate viewed from the top is a substantially trapezoidal shape, and a current flows with low inductance toward each terminal connected to the metal pattern on the insulating substrate.

図８では、主端子の下に隠れ見えにくかった上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂの面積や位置がわかるようにしている。 In FIG. 8, the areas and positions of the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b, which are difficult to be hidden under the main terminal, can be seen.

この実施例では、上アームと下アームそれぞれに上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂを３つずつ並列に接続している。並列接続する方向は、ヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃと同じであり、その結果、流路幅を小さくすることができ、流速に比例する熱伝達率を上げることが可能となる。熱伝達率が上がることにより、冷却性能は向上し、その結果、熱抵抗が低減でき、上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂの面積を低減することが可能となり、半導体パワーモジュール１１０の小型化に繋がる。 In this embodiment, three upper arm IGBTs 2a and three upper arm diodes 2b are connected in parallel to the upper arm and the lower arm, respectively. The direction of parallel connection is the same as the refrigerant traveling direction 150c in the heat sink, and as a result, the flow path width can be reduced, and the heat transfer rate proportional to the flow rate can be increased. By increasing the heat transfer coefficient, the cooling performance is improved. As a result, the thermal resistance can be reduced, the areas of the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b can be reduced, and the semiconductor power module 110 can be reduced in size. .

一般的には、上アームダイオード２ｂの方が上アームＩＧＢＴ２ａよりも総面積（１素子あたりの面積×並列数）が小さく、コレクタ領域回路パターン上に主端子接続領域を設けることが可能である。一方、エミッタ領域の回路パターンへの主端子接続部は、上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂから離れた位置に設けられる。図６に示した通り、上アームエミッタ領域の主端子接続部５ｂなどはあまり発熱しないため、積極的に冷却する必要がない。よって、水路開口部１０１ｃの外側に位置させることが可能である。水路開口部１０１ｃの外側はＯリング１３０などのシール材があるシール領域でもあるため、弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２や上アームエミッタ領域の主端子接続部５ｂの位置と共通化することにより、スペース効率が上がり、その結果、半導体パワーモジュールを小型化できる。 Generally, the upper arm diode 2b has a smaller total area (area per element × number of parallel elements) than the upper arm IGBT 2a, and the main terminal connection region can be provided on the collector region circuit pattern. On the other hand, the main terminal connection to the circuit pattern of the emitter region is provided at a position away from the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b. As shown in FIG. 6, the main terminal connection portion 5b in the upper arm emitter region and the like do not generate much heat, and thus do not need to be actively cooled. Therefore, it can be positioned outside the water channel opening 101c. Since the outside of the water channel opening 101c is also a sealing region where a sealing material such as an O-ring 130 is provided, the electrode 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) and the main terminal connection portion 5b of the upper arm emitter region By sharing the position, the space efficiency increases, and as a result, the semiconductor power module can be miniaturized.

図９は、図２に示した本発明の実施形態１に係る電力変換装置のコンデンサモジュール２００とインバータモジュール１００及びインバータモジュール用ドライバ回路８１０の模式図である。 FIG. 9 is a schematic diagram of the capacitor module 200, the inverter module 100, and the inverter module driver circuit 810 of the power conversion apparatus according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIG.

該図に示す如く、正極直流端子１１１ａと負極直流端子１１１ｂ及び交流端子１１１ｃは、インバータモジュール１００の短辺側に設けられている。これにより、コンデンサモジュール２００とインバータモジュール１００との距離を短くすることができ、互いに隣接して配置でき、インダクタンス低減の効果がある。さらに比較的面積を有する強電系の端子（正極直流端子１１１ａ，負極直流端子１１１ｂ，交流端子１１１ｃ）が各半導体パワーモジュール１１０の短辺側に設けられ、かつ、各半導体パワーモジュール１１０は長辺側で隣接するため、各半導体パワーモジュール１１０の間に強電系の端子を配置する必要がなくなり、各半導体パワーモジュール１１０を隣接して配置することができ、複数の半導体パワーモジュール１１０を組み合わせた状態でも小型化が可能となる。また、インバータモジュール用ドライバ回路８１０の位置を、複数の半導体パワーモジュール１１０の強電系端子を除いた上方領域にすることで、インバータモジュール用ドライバ回路８１０そのものは複数に分ける必要がなくなり、通信用配線回路などの領域が低減し、インバータモジュール用ドライバ回路８１０のコスト低減や小型化が可能となる。また強電系の端子（直流や交流の主端子１１１）が設けられている面とは別の面に弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２を設けることにより、強電系から弱電系を離すことができるため、各信号（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）のノイズを抑制することができる。 As shown in the figure, the positive DC terminal 111a, the negative DC terminal 111b, and the AC terminal 111c are provided on the short side of the inverter module 100. As a result, the distance between the capacitor module 200 and the inverter module 100 can be shortened, and the capacitor module 200 and the inverter module 100 can be disposed adjacent to each other, which has an effect of reducing inductance. Further, a strong electrical terminal (positive DC terminal 111a, negative DC terminal 111b, AC terminal 111c) having a relatively large area is provided on the short side of each semiconductor power module 110, and each semiconductor power module 110 is on the long side. Therefore, it is not necessary to arrange high-voltage terminals between the semiconductor power modules 110, and the semiconductor power modules 110 can be arranged adjacent to each other, even in a state where a plurality of semiconductor power modules 110 are combined. Miniaturization is possible. Further, by arranging the inverter module driver circuit 810 in an upper region excluding the high power terminals of the plurality of semiconductor power modules 110, the inverter module driver circuit 810 itself does not need to be divided into a plurality of parts, and the communication wiring The area of the circuit or the like is reduced, and the cost and size of the inverter module driver circuit 810 can be reduced. Further, by providing the electrode 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) on a different surface from the surface on which the strong electric system terminal (DC or AC main terminal 111) is provided, Since the weak electric system can be separated, noise of each signal (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) can be suppressed.

本実施例で採用する直接冷却方式の半導体パワーモジュールは、熱抵抗が小さいため、熱を広げずに冷却できる。よって、上アームＩＧＢＴ２ａや上アームダイオード２ｂなどの発熱源近傍領域の幅（図６中のＷｃ）に対して１〜１０mm程度大きい流路幅（図６中のＷ）で冷却が可能なため、ヒートシンク４のフィン領域を必要最低限に抑えることができ、その結果、小型化が実現できる。 Since the direct cooling type semiconductor power module employed in this embodiment has a low thermal resistance, it can be cooled without spreading heat. Therefore, since cooling is possible with a channel width (W in FIG. 6) that is about 1 to 10 mm larger than the width of the heat source vicinity region (Wc in FIG. 6) such as the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b, The fin region of the heat sink 4 can be suppressed to the minimum necessary, and as a result, downsizing can be realized.

上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂが並列に接続される方向は、ヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃと同じである。よって、流路幅を小さくすることができ、流速に比例する熱伝達率を上げることが可能となる。熱伝達率が上がることにより、冷却性能は向上し、その結果、熱抵抗が低減でき上アームＩＧＢＴ２ａと上アームダイオード２ｂの面積を低減することが可能となり、半導体パワーモジュール１１０の小型化に繋がる。 The direction in which the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b are connected in parallel is the same as the refrigerant traveling direction 150c in the heat sink. Therefore, the flow path width can be reduced, and the heat transfer coefficient proportional to the flow rate can be increased. As the heat transfer rate increases, the cooling performance is improved. As a result, the thermal resistance can be reduced, the areas of the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b can be reduced, and the semiconductor power module 110 can be reduced in size.

上記実施例はインバータモジュール１００を例に示したが、コンバータモジュール３００に置き換えても良い。また、ヒートシンク４は、ピンフィン，平板フィン、或いはコルゲートフィンであっても良い。また、上記実施例の電力変換装置１０００は、風力発電用として好適であるばかりでなく、自動車やトラックなどの電力変換装置，電車や船舶や航空機などの電力変換装置，工場設備を駆動する電動機の制御装置として用いられる産業用電力変換装置，家庭の太陽光発電システムや家庭の電化製品を駆動する電動機の制御装置に用いられる家庭用電力変換装置に対しても適用することができる。 In the above embodiment, the inverter module 100 is shown as an example, but the converter module 300 may be substituted. The heat sink 4 may be a pin fin, a flat fin, or a corrugated fin. The power conversion apparatus 1000 of the above embodiment is not only suitable for wind power generation, but also for power conversion apparatuses such as automobiles and trucks, power conversion apparatuses such as trains, ships and airplanes, and motors that drive factory equipment. The present invention can also be applied to an industrial power conversion device used as a control device, a household solar power generation system, and a household power conversion device used in a control device for an electric motor that drives a household electrical appliance.

（実施形態２）
図１０は、図９に示した実施形態１で示した半導体パワーモジュール１１０の２つが１つになった場合の実施例を示す図である。 (Embodiment 2)
FIG. 10 is a diagram illustrating an example where two of the semiconductor power modules 110 illustrated in the first embodiment illustrated in FIG. 9 become one.

該図に示す例は、コンデンサモジュール２００とインバータモジュール１００とインバータモジュール用ドライバ回路８１０の相対位置関係は変わらないが、弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２の位置を半導体パワーモジュール１１０の略中央に配置することに特徴がある。弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極１１２の位置を可能なかぎり共通化することにより、インバータモジュール用ドライバ回路８１０の回路を、よりシンプルに構成することが可能となり、その結果、インバータモジュール用ドライバ回路８１０の小型化に繋がる。 In the example shown in the figure, the relative positional relationship among the capacitor module 200, the inverter module 100, and the inverter module driver circuit 810 is not changed, but the position of the electrode 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) is changed to the semiconductor. The power module 110 is characterized by being arranged at substantially the center. By making the position of the electrode 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) as common as possible, the circuit of the inverter module driver circuit 810 can be configured more simply, and as a result. This leads to downsizing of the inverter module driver circuit 810.

（実施形態３）
図１１は、正極直流端子１１１ａと負極直流端子１１１ｂが、半導体パワーモジュール１１０の略中央に配置された場合のコンデンサモジュール２００とインバータモジュール１００とインバータモジュール用ドライバ回路８１０の相対位置関係を示す模式図である。 (Embodiment 3)
FIG. 11 is a schematic diagram showing a relative positional relationship between the capacitor module 200, the inverter module 100, and the inverter module driver circuit 810 when the positive DC terminal 111a and the negative DC terminal 111b are arranged at substantially the center of the semiconductor power module 110. It is.

該図に示す如く、正極直流端子１１１ａと負極直流端子１１１ｂが、半導体パワーモジュール１１０の略中央に配置されることにより、コンデンサモジュール２００と各半導体パワーモジュール１１０の距離を最短にし、かつ、インダクタンスを低減させるために、コンデンサモジュールは、各半導体パワーモジュール１１０に対して積層される構成をとる。また、弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の端子１１２の位置を強電系の端子（直流や交流の主端子１１１）から離し、ノイズを低減させるために、弱電系の端子はモジュール端部に設け、インバータモジュール用ドライバ回路８１０は、各半導体パワーモジュール１１０側面に隣接するように配置される。 As shown in the figure, the positive DC terminal 111a and the negative DC terminal 111b are arranged at substantially the center of the semiconductor power module 110, thereby minimizing the distance between the capacitor module 200 and each semiconductor power module 110 and reducing the inductance. In order to reduce the capacitor module, the capacitor module is stacked on each semiconductor power module 110. Further, in order to reduce the noise by separating the position of the terminal 112 of the weak electric system (gate signal, temperature detection signal, emitter signal) from the high electric terminal (DC or AC main terminal 111), the terminal of the weak electric system is a module. The inverter module driver circuit 810 is disposed at the end portion so as to be adjacent to the side surface of each semiconductor power module 110.

なお、本実施例は、説明を簡略化するために、上アームＩＧＢＴ２ａ，上アームダイオード２ｂ，ヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃを省略しているが、基本構成は、上アームＩＧＢＴ２ａや上アームダイオード２ｂの並列方向がヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃと一致するという意味では実施例１と同じである。 In this embodiment, for simplicity of explanation, the upper arm IGBT 2a, the upper arm diode 2b, and the refrigerant traveling direction 150c in the heat sink are omitted, but the basic configuration is that of the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b. In the sense that the parallel direction coincides with the refrigerant traveling direction 150c in the heat sink, it is the same as in the first embodiment.

（実施形態４）
図１２は、上アームＩＧＢＴ２ａや上アームダイオード２ｂが千鳥配列の場合の実施例である。基本構成は、上アームＩＧＢＴ２ａや上アームダイオード２ｂの並列方向がヒートシンク内冷媒進行方向１５０ｃと一致するという意味では実施例１と同じである。 (Embodiment 4)
FIG. 12 shows an embodiment in which the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b are in a staggered arrangement. The basic configuration is the same as that of the first embodiment in the sense that the parallel direction of the upper arm IGBT 2a and the upper arm diode 2b coincides with the refrigerant traveling direction 150c in the heat sink.

（実施形態５）
図１３は、隣り合う２つの半導体パワーモジュール１１０を共通のボルトで固定する場合の実施例を示す。 (Embodiment 5)
FIG. 13 shows an embodiment in which two adjacent semiconductor power modules 110 are fixed with a common bolt.

本実施例は、半導体パワーモジュール固定用ボルト穴を、互いに隣り合う２つの半導体パワーモジュール１１０で共通化し、一緒に固定することにより、ボルト総数を低減させ、組立コストを低減させることができ、かつ組み合わせたときの全体の小型化が実現できるものである。 In the present embodiment, the bolt holes for fixing the semiconductor power module are shared by the two semiconductor power modules 110 adjacent to each other and fixed together, thereby reducing the total number of bolts and reducing the assembly cost, and When combined, the overall size can be reduced.

１上下アーム直列回路
２電力用半導体素子
２ａ上アームＩＧＢＴ
２ｂ上アームダイオード
２ｃ下アームＩＧＢＴ
２ｄ下アームダイオード
３絶縁基板
４ヒートシンク
５ａ上アームコレクタ領域の主端子接続部
５ｂ上アームエミッタ領域の主端子接続部
５ｃ下アームコレクタ領域の主端子接続部
５ｄ下アームエミッタ領域の主端子接続部
６ａ上アームコレクタ領域の回路パターン
６ｂ上アームエミッタ領域の回路パターン
６ｃ下アームコレクタ領域の回路パターン
６ｄ下アームエミッタ領域の回路パターン
１１ａ正極直流端子接続部
１１ｂ負極直流端子接続部
１１ｃ交流端子接続部
１００インバータモジュール
１０１水路形成体
１０１ａ入口パイプ
１０１ｂ出口パイプ
１０１ｃ水路開口部
１０２Ｏリング用溝
１０３半導体パワーモジュール固定用ボルト穴
１０４水路形成体底面空間
１０５機械加工用チャック
１０７ａ入口／出口パイプ水路断面積
１０７ｂノズル最小部水路断面積
１０７ｃモジュール間水路断面積
１０７ｄ開口部水路断面積
１０８ａ水路形成体抜き勾配
１０８ｂ抜き勾配が存在する部位の壁面厚さ
１０９ヒートシンクと水路形成体との間の距離
１０９ａヒートシンクフィン先端と水路形成体との間の距離（クリアランス）
１０９ｂヒートシンクベースと水路形成体との間の距離
１１０半導体パワーモジュール
１１１主端子（正極直流端子，負極直流端子，交流端子）
１１１ａ正極直流端子
１１１ｂ負極直流端子
１１１ｃ交流端子
１１２弱電系（ゲート信号，温度検知信号，エミッタ信号）の電極
１１３積層平板
１１３ａ，２０２ｂ，２０３ｂ負極導体板
１１３ｂ，１１３ｄ絶縁材
１１３ｃ，２０２ａ，２０３ａ正極導体板
１１３ｅ交流導体板
１２０交流電流供給用導体板
１３０Ｏリング
１５０ａ入口パイプ内冷媒進行方向（流入方向）
１５０ｂ出口パイプ内冷媒進行方向（吐出方向）
１５０ｃ，１５０ｅ，１５０ｆ，１５０ｇ，１５０ｈ，１５０ｉヒートシンク内冷媒進行方向
１５０ｄ水路形成体の開口部間を繋ぐ流路内冷媒進行方向
１５１入口パイプから繋がる半導体パワーモジュールの下層を流れる流路内の冷媒進行方向
１５２出口パイプへ繋がる半導体パワーモジュールの下層を流れる流路内の冷媒進行方向
２００コンデンサモジュール
２０１コンデンサセル
３００コンバータモジュール
４００発電機
５００ブレード（回転羽根）
６００変圧器
７００外部電力系統
８００コンバータモジュール用ドライバ回路
８１０インバータモジュール用ドライバ回路
９００コンバータモジュール用制御回路
９１０インバータモジュール用制御回路
１０００電力変換装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Upper and lower arm series circuit 2 Power semiconductor element 2a Upper arm IGBT
2b Upper arm diode 2c Lower arm IGBT
2d Lower arm diode 3 Insulating substrate 4 Heat sink 5a Main terminal connection portion 5b of upper arm collector region Main terminal connection portion 5c of upper arm emitter region Main terminal connection portion 5d of lower arm collector region Main terminal connection portion 6a of lower arm emitter region Upper arm collector region circuit pattern 6b Upper arm emitter region circuit pattern 6c Lower arm collector region circuit pattern 6d Lower arm emitter region circuit pattern 11a Positive DC terminal connection portion 11b Negative DC terminal connection portion 11c AC terminal connection portion 100 Inverter Module 101 Water channel former 101a Inlet pipe 101b Outlet pipe 101c Water channel opening 102 O-ring groove 103 Semiconductor power module fixing bolt hole 104 Water channel former bottom space 105 Machining chuck 107a Inlet / outlet pipe water channel Area 107b Nozzle minimum channel cross-sectional area 107c Inter-module water channel cross-sectional area 107d Opening channel cross-sectional area 108a Water channel formation draft 108b Wall surface thickness 109 where draft exists The distance 109a between the heat sink and the water channel formation Distance (clearance) between fin tip and water channel former
109b Distance 110 between heat sink base and water channel formation body Semiconductor power module 111 Main terminals (positive DC terminal, negative DC terminal, AC terminal)
111a Positive DC Terminal 111b Negative DC Terminal 111c AC Terminal 112 Electrode 113 for Low Electricity System (Gate Signal, Temperature Detection Signal, Emitter Signal) Laminated Flat Plate 113a, 202b, 203b Negative Conductor Plate 113b, 113d Insulation Material 113c, 202a, 203a Positive Conductor Plate 113e AC conductor plate 120 AC current supply conductor plate 130 O-ring 150a Inlet pipe refrigerant traveling direction (inflow direction)
150b Refrigerant travel direction (discharge direction) in outlet pipe
150c, 150e, 150f, 150g, 150h, 150i Refrigerant traveling direction 150d in heat sink 150d Refrigerant traveling direction 151 connecting between openings of water channel forming body 151 Refrigerant progression in flow channel flowing under layer of semiconductor power module connected from inlet pipe Direction 152 Refrigerant traveling direction in the flow path flowing under the semiconductor power module connected to the outlet pipe 200 Capacitor module 201 Capacitor cell 300 Converter module 400 Generator 500 Blade (rotary blade)
600 Transformer 700 External power system 800 Converter module driver circuit 810 Inverter module driver circuit 900 Converter module control circuit 910 Inverter module control circuit 1000 Power converter

Claims

Insulating substrate on which a plurality of power semiconductor elements are mounted, a heat sink that dissipates heat generated from the plurality of power semiconductor elements, a DC terminal that supplies a direct current to the power semiconductor elements, and the power semiconductor elements A semiconductor power module having an AC terminal for extracting AC current from
The insulating substrate is metal-bonded to the surface of the heat sink opposite to the surface with which the coolant contacts, and the semiconductor power module is formed in a substantially rectangular shape, and the plurality of power semiconductor elements in the longitudinal direction Are provided in parallel, a semiconductor power module.

The semiconductor power module according to claim 1,
The semiconductor power module is characterized in that a strong DC terminal and an AC terminal are provided on the short side of a substantially rectangular shape.

The semiconductor power module according to claim 2,
An AC terminal is provided on the side opposite to the DC terminal provided on one side of the outer periphery of the semiconductor power module, a laminated flat plate is provided between the DC terminal and the AC terminal, and a high-power terminal A semiconductor power module characterized in that a weak electric system electrode is provided on a side different from the side on which is provided.

The semiconductor power module according to claim 2,
A semiconductor power characterized in that a DC terminal and an AC terminal are provided on one side of the outer periphery of the semiconductor power module, and a weak electric system electrode is provided on a side different from the side on which the high power system terminal is provided. module.

The semiconductor power module according to claim 3,
The semiconductor power module according to claim 1, wherein the laminated flat plate has a negative electrode conductor plate, an insulating material, a positive electrode conductor plate, an insulating material, and an AC conductor plate laminated in a layered shape from above.

The semiconductor power module according to claim 3 or 5,
The laminated flat plate has a substantially trapezoidal shape when viewed from above, and is a semiconductor power module.

The semiconductor power module according to claim 3 or 4,
The semiconductor power module, wherein the weak electric system electrode is disposed substantially at the center of the semiconductor power module.

The semiconductor power module according to any one of claims 2 to 4,
The high power system terminal is arranged at substantially the center of the semiconductor power module.

A converter module that converts alternating current supplied from the generator into direct current, a capacitor module that stabilizes and smoothes the direct current supplied from the converter module, and generates alternating current of a predetermined frequency from the direct current The converter module or the inverter module is a power converter comprising a semiconductor power module and a water channel forming body whose upper surface is closed by the semiconductor power module,
The converter module or the inverter module is configured such that at least two of the semiconductor power modules according to any one of claims 1 to 8 are arranged so as to be adjacent to each other on a long side surface. apparatus.

The power conversion device according to claim 9,
The opening on the upper surface of the water channel forming body is covered and covered by the lower surface of the heat sink of the semiconductor power module, and the coolant traveling direction in the heat sink is the same as the longitudinal direction of the semiconductor power module having a substantially rectangular shape. The power converter characterized by this.

The power conversion device according to claim 9 or 10,
An opening on the upper surface of the water channel forming body is closed by the semiconductor power module through a sealing material.

The power conversion device according to claim 11,
An electric power characterized in that a refrigerant flow path is provided in a region 1 to 10 mm wider than a region where a plurality of power semiconductor elements are present, and the light electrical system electrode is provided in a region where the semiconductor power module is sealed. Conversion device.

The power conversion device according to claim 11,
A refrigerant flow path is provided in a region 1 to 10 mm wider than a region where a plurality of power semiconductor elements are present, and a circuit pattern of an emitter region is provided in a region where the semiconductor power module is sealed to connect a DC terminal or a main terminal. The power converter characterized by the above-mentioned.