JP2012064498A - Transparent electrode substrate - Google Patents

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JP2012064498A JP2010209262A JP2010209262A JP2012064498A JP 2012064498 A JP2012064498 A JP 2012064498A JP 2010209262 A JP2010209262 A JP 2010209262A JP 2010209262 A JP2010209262 A JP 2010209262A JP 2012064498 A JP2012064498 A JP 2012064498A
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conductive
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Yasuyuki Kita
泰行 北
Toshifumi Doi
寿文 土肥
Koji Morimoto
功治 森本
Tetsuya Hosomi
細見  哲也
Setsuko Ishioka
節子 石岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent electrode substrate excellent in conductivity, capable of maintaining high levels of adhesion, storage stability and conductivity, and also excellent in heat resistance and moist heat resistance, while a pattern with high resolution can be formed in an electrode obtained by performing patterning and a pattern shape is also excellent.SOLUTION: In a transparent electrode substrate including a conductive layer formed on a transparent substrate, the conductive layer is formed of a conductive resin composition containing (A) a heterocyclic ring-containing aromatic polymer represented by the following general formula (1) and comprising a heterocyclic ring-containing aromatic compound as a monomer: M-N...(1) (In the formula, M represents a substituted or unsubstituted thiophene ring group, and N represents a substituted or unsubstituted pyrrole ring group. The ring represented by M is directly bonded with the ring represented by N.).

Description

本発明は、透明性に優れた電極基板に関する。 The present invention relates to an electrode substrate excellent in transparency.

タッチパネルは、人に優しいインターフェースとして近年急速に普及が進んでおり、携帯小型電子装置、銀行のATMや切符自動販売機、POSなど多くの装置で用いられている。タッチパネルには、光学式、超音波式、静電容量方式や抵抗膜方式など数多くの方式があり、中でも構造が単純で、製造コストの低い静電容量方式や抵抗膜方式のタッチパネルが多用されている。これらのタッチパネルには、透明電極となる導電層の形成が必要であり、一般的にはパターニングが必要とされている。 In recent years, touch panels have been rapidly spread as human-friendly interfaces, and are used in many devices such as portable small electronic devices, bank ATMs, ticket vending machines, and POS. There are many types of touch panels such as optical, ultrasonic, capacitive, and resistive film types. Among them, capacitive and resistive touch panels that have a simple structure and low manufacturing costs are often used. Yes. These touch panels require the formation of a conductive layer to be a transparent electrode, and generally require patterning.

透明電極基板としては、従来、ITO(酸化錫ドープ酸化インジウム)をスパッタしたフィルムが使用されており、ドライエッチングなどの手法によりパターンが形成されている。しかし、ITOスパッタフィルムは、屈曲性に乏しく、製造コストも高いことから、3,4−エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の重合体などの導電性高分子を利用した、ウェットコーティングにより導電層を形成するための試みが盛んである(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, a film obtained by sputtering ITO (tin oxide doped indium oxide) is used as the transparent electrode substrate, and a pattern is formed by a technique such as dry etching. However, the ITO sputtered film has poor flexibility and high manufacturing cost. Therefore, the conductive layer is formed by wet coating using a conductive polymer such as a polymer of 3,4-ethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid. There are many attempts to form it (see, for example, Patent Document 1).

特開2008−115362号公報JP 2008-115362 A 特開2010−161013号公報JP 2010-161013 A 特開2004−14215号公報JP 2004-14215 A

しかしながら、特許文献1に記載された導電性高分子は、有機溶剤や水には溶けにくいことから、パターニングが困難であるとの問題点があった。 However, the conductive polymer described in Patent Document 1 has a problem that patterning is difficult because it is difficult to dissolve in an organic solvent or water.

即ち、導電性高分子でのパターニングの手法については、ウェットエッチング(例えば、特許文献2参照)やリフトオフ法(例えば、特許文献3参照)などのパターニング方法が公知であるが、導電性高分子は有機溶剤や水には溶けにくいことから、高解像度なパターン形成の要求に対応することが困難であり、また液晶ディスプレイや電子ペーパーなどの透明電極の形成においても、同じような課題があるとの問題点があった。 That is, as a patterning method using a conductive polymer, patterning methods such as wet etching (for example, see Patent Document 2) and a lift-off method (for example, see Patent Document 3) are known. Because it is difficult to dissolve in organic solvents and water, it is difficult to meet the demand for high-resolution pattern formation, and there are similar issues in the formation of transparent electrodes such as liquid crystal displays and electronic paper. There was a problem.

本発明は、高解像度のパターンが形成でき、パターン形状も良好である、透明電極基板を提供することを目的とする。さらには、これを用いた電子ペーパー、太陽電池、エレクトロミック素子、抵抗膜式スイッチ、静電容量スイッチ、また当該抵抗膜式スイッチ又は静電容量スイッチを用いたタッチスクリーン、キーボード、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイや有機ELディスプレイを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a transparent electrode substrate which can form a high resolution pattern and has a good pattern shape. Furthermore, electronic paper, solar cells, electromechanical elements, resistive switches, capacitive switches, touch screens, keyboards, liquid crystal displays, plasmas using the resistive switches or capacitive switches. An object is to provide a display and an organic EL display.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、透明基体上に形成させる導電層に特定の複素環含有芳香族ポリマーを含有する導電性樹脂組成物を用いることにより、高い透明性を維持しつつ、導電性に優れ、かつ、密着性、保存安定性、導通率を高いレベルで維持することができ、耐熱性、耐湿熱性も良好であり、さらに、パターニングを行って得られた電極は、解像度の高いパターンが形成でき、パターン形状も良好である、透明電極基板が得られることを見出し、本発明を完成した。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have achieved high transparency by using a conductive resin composition containing a specific heterocyclic ring-containing aromatic polymer in a conductive layer formed on a transparent substrate. In addition, it has excellent conductivity, maintains adhesion, storage stability, and conductivity at a high level, and also has good heat resistance and moist heat resistance, and is obtained by patterning. As a result, the inventors have found that a transparent electrode substrate having a high resolution and a good pattern shape can be obtained, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、
透明基体上に導電層が形成された透明電極基板であって、該導電層が、下記一般式(1)で表される複素環含有芳香族化合物を単量体とする(A)複素環含有芳香族ポリマー
M−N・・・(1)
(式中、Mは、置換若しくは無置換のチオフェン環基を表し、Nは、置換若しくは無置換のピロール環基を表す。Mによって表される環とNによって表される環は直接結合している。)、
を含有する導電性樹脂組成物により形成される、透明電極基板に関する。
That is, the present invention
A transparent electrode substrate in which a conductive layer is formed on a transparent substrate, wherein the conductive layer contains a heterocycle-containing aromatic compound represented by the following general formula (1) as a monomer (A) containing a heterocycle Aromatic polymer MN (1)
(In the formula, M represents a substituted or unsubstituted thiophene ring group, and N represents a substituted or unsubstituted pyrrole ring group. The ring represented by M and the ring represented by N are directly bonded to each other. ),
The present invention relates to a transparent electrode substrate formed of a conductive resin composition containing

本発明の透明電極基板において、上記複素環含有芳香族化合物は、下記一般式(2′)で表される複素環含有芳香族化合物であることが好ましく、 In the transparent electrode substrate of the present invention, the heterocycle-containing aromatic compound is preferably a heterocycle-containing aromatic compound represented by the following general formula (2 ′),

Figure 2012064498
Figure 2012064498

(式中、RとRは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表すが、少なくとも一方は有機基を表す。また、RとRの双方が有機基を表す場合、これらは互いに結合して環構造を形成してもよい。)
下記構造式(2−1)〜(2−17)で表される複素環含有芳香族化合物のなかの少なくとも1つであることがより好ましい。
(In the formula, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, but at least one represents an organic group. When both R 3 and R 4 represent an organic group, these May be bonded to each other to form a ring structure.)
More preferably, it is at least one of the heterocyclic ring-containing aromatic compounds represented by the following structural formulas (2-1) to (2-17).

Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498
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本発明の透明電極基板において、上記透明基体は樹脂フィルムが好ましい。 In the transparent electrode substrate of the present invention, the transparent substrate is preferably a resin film.

本発明の透明電極基板において、上記導電層はパターンを有していることが好ましい。 In the transparent electrode substrate of the present invention, the conductive layer preferably has a pattern.

本発明の透明電極基板において、上記パターンはウエットエッチングにより形成されたものであることが好ましい。 In the transparent electrode substrate of the present invention, the pattern is preferably formed by wet etching.

本発明の透明電極基板において、上記パターンはリフトオフ法により形成されたものであることが好ましい。 In the transparent electrode substrate of the present invention, the pattern is preferably formed by a lift-off method.

本発明の電子ペーパーは、上記透明電極基板を有する電子ペーパーに関する。 The electronic paper of the present invention relates to an electronic paper having the transparent electrode substrate.

本発明の抵抗膜式スイッチは、第一導電層を透明基体上に有する第一導電性部材、第二導電層を基体上に有する第二導電性部材、及び絶縁スペーサーを有する抵抗膜式スイッチであって、該第一導電性部材及び/又は第二導電性部材が上記透明電極基板であり、該絶縁性スペーサーが、第二導電層上の一部に設けられ、そして第一導電層と第二導電層とが対向するように配置された、抵抗膜式スイッチに関する。 The resistive membrane switch of the present invention is a resistive membrane switch having a first conductive member having a first conductive layer on a transparent substrate, a second conductive member having a second conductive layer on the substrate, and an insulating spacer. The first conductive member and / or the second conductive member is the transparent electrode substrate, the insulating spacer is provided on a part of the second conductive layer, and the first conductive layer and the second conductive member The present invention relates to a resistance film type switch arranged so that two conductive layers face each other.

本発明の静電容量スイッチは、第一導電層を透明基体上に有する第一導電性部材と第二導電層を基体上に有する第二導電性部材とから構成される静電容量スイッチ、又は透明基体の両面に第一導電層と第二導電層を有する第三導電性部材から構成される静電容量スイッチであって、該第一導電性部材、該第二導電性部材、該第三導電性部材のいずれかが上記透明電極基板である静電容量スイッチに関する。 The capacitance switch of the present invention is a capacitance switch composed of a first conductive member having a first conductive layer on a transparent substrate and a second conductive member having a second conductive layer on the substrate, or A capacitance switch composed of a third conductive member having a first conductive layer and a second conductive layer on both sides of a transparent substrate, the first conductive member, the second conductive member, and the third conductive member The present invention relates to a capacitance switch in which any of the conductive members is the transparent electrode substrate.

本発明のタッチスクリーンは、上記抵抗膜式スイッチ又は静電容量スイッチを有するタッチスクリーンに関する。 The touch screen of this invention is related with the touch screen which has the said resistive film type switch or an electrostatic capacitance switch.

本発明のキーボードは、上記抵抗膜式スイッチ又は静電容量スイッチを有するキーボードに関する。 The keyboard of this invention is related with the keyboard which has the said resistive film type switch or an electrostatic capacitance switch.

本発明の透明電極基板は、透明基体上に形成させる導電層に、導電性高分子として、チオフェン環基とピロール環基とが直接結合したカップリング体を単量体とする特定の複素環含有芳香族ポリマーを含有する導電性樹脂組成物を用いることにより、高い透明性を維持しつつ、導電性に優れ、かつ、密着性、保存安定性、導通率を高いレベルで維持することができ、耐熱性、耐湿熱性も良好であり、さらに、パターニングを行って得られた電極は、解像度の高いパターンが形成でき、パターン形状も良好である。
また、本発明の透明電極基板は、これを用いた電子ペーパー、太陽電池、エレクトロミック素子、抵抗膜式スイッチ、静電容量スイッチ、また当該抵抗膜式スイッチ又は静電容量スイッチを用いたタッチスクリーン、キーボード、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイや有機ELディスプレイの製造に好適に使用することができる。
The transparent electrode substrate of the present invention contains a specific heterocyclic ring containing a coupling body in which a thiophene ring group and a pyrrole ring group are directly bonded as a conductive polymer to a conductive layer formed on a transparent substrate. By using a conductive resin composition containing an aromatic polymer, while maintaining high transparency, it is excellent in conductivity, and can maintain adhesion, storage stability, conductivity at a high level, The heat resistance and heat-and-moisture resistance are also good, and the electrode obtained by patterning can form a pattern with high resolution and the pattern shape is also good.
Further, the transparent electrode substrate of the present invention is an electronic paper, a solar cell, an electronic device, a resistive switch, a capacitive switch, or a touch screen using the resistive switch or the capacitive switch. It can be suitably used for the manufacture of keyboards, liquid crystal displays, plasma displays and organic EL displays.

まず、本発明の透明電極基板について説明する。
本発明の透明電極基板は、透明基体上に導電層が形成された透明電極基板であって、該導電層が、上記一般式(1)で表される複素環含有芳香族化合物を単量体とする(A)複素環含有芳香族ポリマーを含有する導電性樹脂組成物により形成される、透明電極基板である。
以下、本発明に用いる導電層を構成する各成分について、順に説明する。
まず、本発明に用いる導電層を形成する導電性樹脂組成物の必須成分である、(A)複素環含有芳香族ポリマーについて説明する。
First, the transparent electrode substrate of the present invention will be described.
The transparent electrode substrate of the present invention is a transparent electrode substrate in which a conductive layer is formed on a transparent substrate, and the conductive layer is a monomer containing the heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the general formula (1). (A) A transparent electrode substrate formed of a conductive resin composition containing a heterocyclic ring-containing aromatic polymer.
Hereinafter, each component which comprises the conductive layer used for this invention is demonstrated in order.
First, the (A) heterocycle-containing aromatic polymer, which is an essential component of the conductive resin composition forming the conductive layer used in the present invention, will be described.

(A)複素環含有芳香族ポリマー
上記複素環含有芳香族ポリマーは、下記一般式(1)で表される複素環含有芳香族化合物を単量体とする。
M−N・・・(1)
(式中、Mは、置換若しくは無置換のチオフェン環基を表し、Nは、置換若しくは無置換のピロール環基を表す。Mによって表される環とNによって表される環は直接結合している。)
(A) Heterocycle-containing aromatic polymer The heterocycle-containing aromatic polymer contains a heterocycle-containing aromatic compound represented by the following general formula (1) as a monomer.
MN ... (1)
(In the formula, M represents a substituted or unsubstituted thiophene ring group, and N represents a substituted or unsubstituted pyrrole ring group. The ring represented by M and the ring represented by N are directly bonded to each other. Yes.)

ここで、チオフェン環基とは2−チエニル基のことをいい、炭素原子上に置換基を有してもよい。
また、ピロール環基とは2−ピロリル基のことをいい、炭素原子上又は窒素原子上に置換基を有してもよい。
Here, the thiophene ring group means a 2-thienyl group, and may have a substituent on a carbon atom.
The pyrrole ring group means a 2-pyrrolyl group, and may have a substituent on a carbon atom or a nitrogen atom.

上記一般式(1)におけるMで表される置換チオフェン環基としては、例えば、以下のような構造が挙げられる。 Examples of the substituted thiophene ring group represented by M in the general formula (1) include the following structures.

Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498

(各式中、nは1から10の整数を示す。) (In each formula, n represents an integer of 1 to 10.)

上記一般式(1)におけるNで表される置換ピロール環基としては、例えば、以下のような構造が挙げられる。 Examples of the substituted pyrrole ring group represented by N in the general formula (1) include the following structures.

Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498

(各式中、nは1から10の整数を示す。) (In each formula, n represents an integer of 1 to 10.)

Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498

(各式中、nは1から10の整数、Rは、置換基を有していてもよい芳香族基又は炭素数1から10のアルキル基を示す。) (In each formula, n represents an integer of 1 to 10, and R represents an aromatic group which may have a substituent or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.)

上記チオフェン環基の置換基としては、例えば、後述の有機基等が挙げられるが、炭素数1から10のアルキル基又は炭素数1から5のアルコキシ基が好ましい。
上記ピロール環基の置換基としては、例えば、後述の有機基等が挙げられるが、炭素原子上の置換基としては、炭素数1から10のアルキル基又は炭素数1から5のアルコキシ基が好ましく、窒素原子上の置換基としては、炭素数1から10のアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
ここで、チオフェン環基やピロール環基の置換基であるアルキル基又はアルコキシ基には、ハロゲン元素やカルボン酸基、スルホン酸基などの官能基が結合していてもよい。
Examples of the substituent of the thiophene ring group include an organic group described later, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.
Examples of the substituent of the pyrrole ring group include an organic group described later, and the substituent on the carbon atom is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. As the substituent on the nitrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an optionally substituted phenyl group is preferable.
Here, a functional group such as a halogen element, a carboxylic acid group, or a sulfonic acid group may be bonded to the alkyl group or alkoxy group that is a substituent of the thiophene ring group or the pyrrole ring group.

上記一般式(1)で表される複素環含有芳香族化合物(以下、複素環含有芳香族化合物(1)ともいう)において、チオフェン環とピロール環とは、環構造に含まれない原子を介して結合することはなく、両環に含まれる原子間の結合によって、直接結合している。
複素環含有芳香族化合物(1)としては、溶剤溶解性や耐熱性、耐候性の観点から、チオフェン環基又はピロール環基の3位又は4位に結合している置換基の数の合計が、2個以上である化合物が好ましい。また、3位又は4位に結合している置換基の数の合計が4個である場合(すなわち、すべての3位及び4位に置換基が結合している場合)、立体障害を避けるために、M又はNの少なくとも一方において、3位の置換基と4位の置換基が結合して環構造を形成していることが好ましい。
In the heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the general formula (1) (hereinafter also referred to as the heterocyclic ring-containing aromatic compound (1)), the thiophene ring and the pyrrole ring are connected via an atom not included in the ring structure. Are not directly bonded, but are directly bonded by a bond between atoms contained in both rings.
As the heterocyclic ring-containing aromatic compound (1), the total number of substituents bonded to the 3-position or 4-position of the thiophene ring group or the pyrrole ring group is from the viewpoint of solvent solubility, heat resistance, and weather resistance. Two or more compounds are preferred. In addition, in order to avoid steric hindrance when the total number of substituents bonded to the 3-position or 4-position is 4 (that is, when the substituents are bonded to all the 3-position and 4-position). In addition, in at least one of M and N, the 3-position substituent and 4-position substituent are preferably bonded to form a ring structure.

上記複素環含有芳香族化合物(1)は、Mで示されるチオフェン環上の炭素原子のうち少なくとも1つは無置換であり、かつ、Nで示されるピロール環上の炭素原子のうち少なくとも1つは無置換である。このような複素環含有芳香族化合物(1)を単量体として酸化重合すると、無置換の炭素原子間でカップリング反応が進行することで、複素環含有芳香族ポリマーとして、繰り返し単位が−M−N−で示される直鎖状重合体が得られる。
M、Nによって表されるチオフェン環及びピロール環は、一方の2位の炭素原子間で互いに結合し、他方の2位の炭素原子が無置換であることが好ましい。
In the heterocycle-containing aromatic compound (1), at least one carbon atom on the thiophene ring represented by M is unsubstituted and at least one carbon atom on the pyrrole ring represented by N Is unsubstituted. When such a heterocyclic ring-containing aromatic compound (1) is oxidatively polymerized as a monomer, a coupling reaction proceeds between unsubstituted carbon atoms, so that the repeating unit is -M as a heterocyclic ring-containing aromatic polymer. A linear polymer represented by -N- is obtained.
It is preferable that the thiophene ring and the pyrrole ring represented by M and N are bonded to each other between one of the 2-position carbon atoms and the other 2-position carbon atom is unsubstituted.

上記複素環含有芳香族化合物としては、下記一般式(2)又は(3)のいずれかによって表される複素環含有芳香族化合物が好ましい。
これらの複素環含有芳香族化合物を単量体として酸化重合を行うと、酸化重合は、チオフェン環上の2位の無置換の炭素原子や、ピロール環上の2位の無置換の炭素原子において進行する。
As said heterocyclic ring-containing aromatic compound, the heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by either the following general formula (2) or (3) is preferable.
When oxidative polymerization is performed using these heterocyclic ring-containing aromatic compounds as monomers, the oxidative polymerization is performed at the 2-position unsubstituted carbon atom on the thiophene ring or the 2-position unsubstituted carbon atom on the pyrrole ring. proceed.

下記一般式(2)で表される複素環含有芳香族化合物は、一般式(1)におけるMが、3位及び/又は4位に置換基を有することがあるチオフェン環基であり、Nが、3位及び/又は4位に置換基を有することがあるピロール環基である。 In the heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the following general formula (2), M in the general formula (1) is a thiophene ring group that may have a substituent at the 3-position and / or 4-position, and N is It is a pyrrole ring group that may have a substituent at the 3-position and / or 4-position.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

一般式(2)中、RとRは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表すが、少なくとも一方は有機基を表し、かつ、RとRは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表す(ケースi)か、あるいは、RとRがともに水素原子を表し、かつ、RとRは、それぞれ独立して、有機基を表す(ケースii)。
ここで、RとRの双方が有機基を表す場合、これらは互いに結合して環構造を形成してもよく、また、RとRの双方が有機基を表す場合、これらは互いに結合して環構造を形成してもよい。このような環構造としては、例えば、エチレンジオキシ基により形成される環構造が挙げられる。
In general formula (2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, but at least one of them represents an organic group, and R 3 and R 4 each independently represent It represents a hydrogen atom or an organic group (case i), or R 1 and R 2 both represent a hydrogen atom, and R 3 and R 4 each independently represent an organic group (case ii).
Here, when both R 1 and R 2 represent an organic group, they may be bonded to each other to form a ring structure, and when both R 3 and R 4 represent an organic group, They may combine with each other to form a ring structure. Examples of such a ring structure include a ring structure formed by an ethylenedioxy group.

一般式(2)で表される複素環含有芳香族化合物は、ケースiにおいて、RとRがそれぞれ独立して有機基を表し、これらが互いに結合して環構造を形成する化合物や、ケースiiにおいて、RとRがそれぞれ独立して有機基を表し、これらが互いに結合して環構造を形成する化合物が好ましく、ケースiにおいて、RとRがそれぞれ独立して有機基を表し、これらが互いに結合して環構造を形成する化合物がより好ましい。 The heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the general formula (2) is a compound in which, in case i, R 1 and R 2 each independently represent an organic group, and these are bonded to each other to form a ring structure, In case ii, a compound in which R 3 and R 4 each independently represents an organic group and these are bonded to each other to form a ring structure is preferable. In case i, R 1 and R 2 are each independently an organic group. And a compound in which they are bonded to each other to form a ring structure is more preferable.

さらに好ましくは、ケースiにおいて、RとRが互いに結合してエチレンジオキシ基を表す下記一般式(2′)で表される複素環含有芳香族化合物である。 More preferably, in case i, a heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the following general formula (2 ′) in which R 1 and R 2 are bonded to each other to represent an ethylenedioxy group.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

特に好ましくは、高い導電性と安定性を両立する為には、バンドギャップが小さく、酸化電位が高い化合物であり、下記構造式(2−1)〜(2−17)で表される化合物である。 Particularly preferably, in order to achieve both high conductivity and stability, the compound has a small band gap and a high oxidation potential, and is a compound represented by the following structural formulas (2-1) to (2-17). is there.

Figure 2012064498
Figure 2012064498
Figure 2012064498
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下記一般式(3)で表される複素環含有芳香族化合物は、一般式(1)におけるMが、3位及び/又は4位に置換基を有することがあるチオフェン環基であり、Nが、3位及び/又は4位に置換基を有することがあるN−置換ピロール環基である。 In the heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the following general formula (3), M in the general formula (1) is a thiophene ring group that may have a substituent at the 3-position and / or 4-position, and N is It is an N-substituted pyrrole ring group which may have a substituent at the 3-position and / or the 4-position.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

一般式(3)中、RとRは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表すが、少なくとも一方は有機基を表し、かつ、RとRは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表す(ケースi)か、あるいは、RとRがともに水素原子を表し、かつ、RとRは、それぞれ独立して、有機基を表す(ケースii)。
ここで、RとRの双方が有機基を表す場合、これらは互いに結合して環構造を形成してもよく、また、RとRの双方が有機基を表す場合、これらは互いに結合して環構造を形成してもよい。このような環構造としては、例えば、エチレンジオキシ基により形成される環構造が挙げられる。また、一般式(3)中、Rnは有機基を表す。
In general formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, but at least one of them represents an organic group, and R 7 and R 8 are each independently It represents a hydrogen atom or an organic group (case i), or R 5 and R 6 both represent a hydrogen atom, and R 7 and R 8 each independently represent an organic group (case ii).
Here, when both R 5 and R 6 represent an organic group, they may combine with each other to form a ring structure, and when both R 7 and R 8 represent an organic group, They may combine with each other to form a ring structure. Examples of such a ring structure include a ring structure formed by an ethylenedioxy group. Further, in the general formula (3), Rn 1 represents an organic group.

一般式(3)で表される複素環含有芳香族化合物は、ケースiにおいて、RとRがそれぞれ独立して有機基を表し、これらが互いに結合して環構造を形成する化合物や、ケースiiにおいて、RとRがそれぞれ独立して有機基を表し、これらが互いに結合して環構造を形成する化合物が好ましく、ケースiにおいて、RとRがそれぞれ独立して有機基を表し、これらが互いに結合して環構造を形成する化合物がより好ましい。 In the case i, the heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the general formula (3) is a compound in which R 5 and R 6 each independently represent an organic group, and these are bonded to each other to form a ring structure, In case ii, a compound in which R 7 and R 8 each independently represents an organic group and these are bonded to each other to form a ring structure is preferred. In case i, R 5 and R 6 are each independently an organic group. And a compound in which they are bonded to each other to form a ring structure is more preferable.

さらに好ましくは、ケースiにおいて、RとRが互いに結合してエチレンジオキシ基を表す下記一般式(3′)で表される複素環含有芳香族化合物である。 More preferably, in case i, a heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the following general formula (3 ′) in which R 5 and R 6 are bonded to each other to represent an ethylenedioxy group.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

特に、一般式(3′)において、R及びRが水素原子を表し、Rnが置換基を有していてもよいフェニル基を表す下記式(3″)で示される化合物が好ましい。 In particular, in the general formula (3 ′), a compound represented by the following formula (3 ″) in which R 7 and R 8 represent a hydrogen atom and Rn 1 represents a phenyl group which may have a substituent is preferable.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

上記一般式(2)、(3)及び(3″)において、R〜R、Rn、Rxのそれぞれが表す有機基としては、例えば、炭素数1から10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等)、炭素数1から10の直鎖状、分岐状または環状のアルケニル基(例えば、エチレン基、プロピレン基、ブタン−1,2−ジイル基、シクロヘキセニル基等)、炭素数1から5のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等)、置換基を有していてもよいフェニル基(例えば、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、ビフェニル基、シクロヘキシルフェニル基等)、アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェネチル基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基等)等が挙げられる。
さらに、これらの有機機には、例えば、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、水酸基などの官能基やフッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン元素等が結合していてもよい。
また、R〜Rは、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、水酸基、ハロゲン元素等であってもよい。
なお、以上の有機基はそれぞれ独立して選択される。
In the general formulas (2), (3), and (3 ″), examples of the organic group represented by each of R 1 to R 8 , Rn 1 , and Rx include, for example, linear or branched having 1 to 10 carbon atoms Or a cyclic alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a s-butyl group, a t-butyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, etc.), a straight chain having 1 to 10 carbon atoms Branched or cyclic alkenyl groups (for example, ethylene group, propylene group, butane-1,2-diyl group, cyclohexenyl group, etc.), alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms (for example, methoxy group, ethoxy group, iso Propoxy group etc.), optionally substituted phenyl group (eg phenyl group, tolyl group, dimethylphenyl group, biphenyl group, cyclohexylphenyl group etc.), aralkyl group For example, a benzyl group, phenethyl group, etc.), an alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group) and the like.
Furthermore, for example, functional groups such as carboxyl group, amino group, nitro group, cyano group, sulfonic acid group and hydroxyl group, and halogen elements such as fluorine, chlorine, bromine and iodine are bonded to these organic machines. Also good.
R 1 to R 8 may be a carboxyl group, an amino group, a nitro group, a cyano group, a sulfonic acid group, a hydroxyl group, a halogen element, or the like.
The above organic groups are independently selected.

〜Rが表す有機基としては、炭素数1から10のアルキル基又は炭素数1から5のアルコキシ基が好ましく、Rnが表す有機基としては、炭素数1から10のアルキル基、又は、フェニル基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。 The organic group represented by R 1 to R 8 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and the organic group represented by Rn 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, Alternatively, a phenyl group is preferable, and a phenyl group is particularly preferable.

隣接するR〜R(RとR、RとR、RとR、RとR)の両方が有機基であり、これらが互いに結合して環構造を形成する場合、環構造としては、特に限定されないが、炭素数2から10の脂環式構造が好ましい。
脂環式構造には酸素原子、ケイ素原子、硫黄原子、窒素原子などを含んでいてもよく、なかでも、特に酸素原子を含んだアルキレンジオキシ基を有する環構造が好ましい。
さらに、脂環式構造が芳香族性を有していてもよく、この場合、複素環含有芳香族化合物(1)のM、Nは、縮環構造を有する(例えば、イソチアナフテン等)事を意味する。
Adjacent R 1 to R 8 (R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 7 and R 8 ) are both organic groups, and they are bonded to each other to form a ring structure In this case, the ring structure is not particularly limited, but an alicyclic structure having 2 to 10 carbon atoms is preferable.
The alicyclic structure may contain an oxygen atom, a silicon atom, a sulfur atom, a nitrogen atom and the like, and among them, a ring structure having an alkylenedioxy group containing an oxygen atom is particularly preferable.
Furthermore, the alicyclic structure may have aromaticity. In this case, M and N of the heterocyclic ring-containing aromatic compound (1) have a condensed ring structure (for example, isothianaphthene). Means.

上記複素環含有芳香族化合物(1)の製造方法を説明する。
上記複素環含有芳香族化合物(1)は、超原子価ヨウ素反応剤の存在下、2種類の複素環芳香族化合物をカップリングさせることで製造することができる。このようなカップリング反応が超原子価ヨウ素反応剤の存在下では、1:1の比率で効率よく進行する。超原子価ヨウ素反応剤としては後述と同様のものを使用することができる。
A method for producing the heterocyclic ring-containing aromatic compound (1) will be described.
The heterocycle-containing aromatic compound (1) can be produced by coupling two types of heteroaromatic compounds in the presence of a hypervalent iodine reactant. Such a coupling reaction proceeds efficiently at a ratio of 1: 1 in the presence of a hypervalent iodine reactant. As the hypervalent iodine reactant, the same ones as described below can be used.

上記カップリング反応において、超原子価ヨウ素反応剤の使用量は特に限定されず、1種類の原料1モルに対して、好ましくは0.1〜4モル、更に好ましくは0.2〜3モルの割合で用い、更に好ましくは0.3〜2モルの割合で用いる。 In the above coupling reaction, the amount of the hypervalent iodine reactant used is not particularly limited, and is preferably 0.1 to 4 mol, more preferably 0.2 to 3 mol, per 1 mol of one raw material. Used in a proportion, more preferably in a proportion of 0.3 to 2 mol.

上記カップリング反応では、原料として、置換又は無置換のチオフェン化合物M−H、及び、置換又は無置換のピロール化合物N−Hを使用する。ここで、M及びNは上記と同様である。これら化合物は、所望の生成物を得るために適宜選択すればよい。 In the above coupling reaction, a substituted or unsubstituted thiophene compound MH and a substituted or unsubstituted pyrrole compound NH are used as raw materials. Here, M and N are the same as described above. These compounds may be appropriately selected in order to obtain a desired product.

上記カップリング反応は、通常、溶媒の存在下で実施する。
上記溶媒としては、原料、複素環含有芳香族化合物(1)、及び、超原子価ヨウ素反応剤を溶解または分散させる溶媒であればよく、このような溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、n−ブタノールなどのアルコール類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールなどのエチレングリコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルアセテート類;プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどのプロピレングリコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテルなどのプロピレングリコールエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールエーテルアセテート類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、アセトニトリル、トルエン、キシレン(o−、m−、あるいはp−キシレン)、ベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−t−ブチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、クロロメタン(塩化メチル)、ジクロロメタン(塩化メチレン)、トリクロロメタン(クロロホルム)、テトラクロロメタン(四塩化炭素)などの有機溶媒、水とこれらの有機溶媒との混合溶媒(含水有機溶媒)等があげられる。これは、単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
The above coupling reaction is usually carried out in the presence of a solvent.
The solvent may be any solvent that dissolves or disperses the raw material, the heterocycle-containing aromatic compound (1), and the hypervalent iodine reactant. Examples of such a solvent include water, methanol, and ethanol. Alcohols such as 2-propanol, 1-propanol and n-butanol; ethylene glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol and tetraethylene glycol; ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol Glycol ethers such as diethyl ether and diethylene glycol dimethyl ether; ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether Glycol ether acetates such as acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate; Propylene glycols such as propylene glycol, dipropylene glycol and tripropylene glycol; Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol mono Propylene glycol ethers such as ethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene Propylene glycol ether acetates such as glycol monomethyl ether acetate and dipropylene glycol monoethyl ether acetate; N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, acetone, acetonitrile, toluene, xylene (O-, m-, or p-xylene), benzene, ethyl acetate, butyl acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ether, diisopropyl ether, methyl-t-butyl ether, hexane, heptane, chloromethane (methyl chloride), Organic solvents such as dichloromethane (methylene chloride), trichloromethane (chloroform), tetrachloromethane (carbon tetrachloride), water and their organic Examples thereof include a mixed solvent (hydrous organic solvent) with a solvent. These may be used alone or in combination of two or more.

カップリング反応の系中には、添加剤を適宜添加しても良い。超原子価ヨウ素反応剤と添加剤とを併用することで、複素環含有芳香族化合物の収率を向上させることができ、また、超原子価ヨウ素反応剤の量を減らすことができる。
上記添加剤としては、例えば、ブロモトリメチルシラン、クロロトリメチルシラン、トリメチルシリルトリフラート、三フッ化ホウ素、トリフルオロ酢酸、塩酸、硫酸等が挙げられ、これらのなかではブロモトリメチルシランが好ましい。これらは単独で用いてもよく、複数で用いてもよい。
上記添加剤の使用量は、複素環含有芳香族化合物1モルに対して、好ましくは0.1〜4モル、より好ましくは0.2〜3モルの割合であり、更に好ましくは0.5〜2モルの割合である。
Additives may be appropriately added to the coupling reaction system. By using the hypervalent iodine reactant and the additive in combination, the yield of the heterocyclic ring-containing aromatic compound can be improved, and the amount of the hypervalent iodine reactant can be reduced.
Examples of the additive include bromotrimethylsilane, chlorotrimethylsilane, trimethylsilyl triflate, boron trifluoride, trifluoroacetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and the like. Among these, bromotrimethylsilane is preferable. These may be used alone or in combination.
The amount of the additive used is preferably 0.1 to 4 mol, more preferably 0.2 to 3 mol, and still more preferably 0.5 to 1 mol per 1 mol of the heterocyclic ring-containing aromatic compound. The ratio is 2 moles.

また、カップリング反応の系中には、フッ素系アルコールを添加しても良い。超原子価ヨウ素反応剤とフッ素系アルコールとを併用することで、複素環含有芳香族化合物の収率を向上させることができ、また、超原子価ヨウ素反応剤の量を減らすことができる。
上記フッ素系アルコールとしては、例えば、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール、トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロエタノール等が挙げられ、これらのなかでは、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノールが好ましい。
上記フッ素系アルコールの使用量は、特に特定されないが、用いる溶剤100重量部に対して1〜80重量部が好ましく、特に、10〜40重量部が好ましい。
Further, a fluorinated alcohol may be added to the coupling reaction system. By using a hypervalent iodine reactant and a fluoroalcohol in combination, the yield of the heterocyclic ring-containing aromatic compound can be improved, and the amount of the hypervalent iodine reactant can be reduced.
Examples of the fluorinated alcohol include 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol, trifluoroethanol, hexafluoroethanol, and the like. Among these, 1,1,1 3,3,3-hexafluoro-2-propanol is preferred.
Although the usage-amount of the said fluorine-type alcohol is not specified in particular, 1-80 weight part is preferable with respect to 100 weight part of solvents to be used, and 10-40 weight part is especially preferable.

上記カップリング反応は、通常、各原料、超原子価ヨウ素反応剤、及び、溶剤や他の試薬等を混合して、−50℃〜100℃の温度範囲で、10分から48時間行うことによって、上記複素環含有芳香族化合物を製造することができる。
上記カップリング反応は、0〜50℃の温度範囲で30分〜8時間行うことが好ましく、10〜40℃の温度範囲で1〜4時間行うことがより好ましい。このとき、加える試薬の順序は問わない。
The above coupling reaction is usually performed by mixing each raw material, a hypervalent iodine reactant, a solvent, other reagents and the like at a temperature range of −50 ° C. to 100 ° C. for 10 minutes to 48 hours, The heterocycle-containing aromatic compound can be produced.
The coupling reaction is preferably performed at a temperature range of 0 to 50 ° C for 30 minutes to 8 hours, and more preferably at a temperature range of 10 to 40 ° C for 1 to 4 hours. At this time, the order of the reagents to be added does not matter.

次に、上記複素環含有芳香族化合物(1)を単量体として、複素環含有芳香族ポリマーを製造する方法について説明する。
上記複素環含有芳香族ポリマーの製造では、上記単量体(複素環含有芳香族化合物(1))を、各種酸化剤を用いた化学重合法により酸化重合する。
化学重合法は、簡便で大量生産が可能なため、従来の電解重合法と比べ工業的製法に適した方法である。
Next, a method for producing a heterocyclic ring-containing aromatic polymer using the heterocyclic ring-containing aromatic compound (1) as a monomer will be described.
In the production of the heterocyclic ring-containing aromatic polymer, the monomer (heterocyclic ring-containing aromatic compound (1)) is oxidatively polymerized by a chemical polymerization method using various oxidizing agents.
Since the chemical polymerization method is simple and capable of mass production, it is a method suitable for an industrial production method as compared with the conventional electrolytic polymerization method.

上記化学重合方法に用いる酸化剤としては特に限定されないが、例えば、スルホン酸化合物をアニオンとし、高価数の遷移金属をカチオンとする酸化剤等が挙げられる。この酸化剤を構成する高価数の遷移金属イオンとしては、Cu2+、Fe3+、Al3+、Ce4+、W6+、Mo6+、Cr6+、Mn7+及びSn4+が挙げられる。これらのなかでは、Fe3+およびCu2+が好ましい。
遷移金属をカチオンとする酸化剤の具体例としては、例えば、FeCl、Fe(ClO、KCrO、過ホウ酸アルカリ、過マンガン酸カリウム、四フッ化ホウ酸銅等が挙げられる。
また、遷移金属をカチオンとする酸化剤以外の酸化剤としては、例えば、過硫酸アルカリ、過硫酸アンモニウム、H等が挙げられる。さらに、超原子価ヨウ素反応剤に代表される超原子価化合物が挙げられる。
Although it does not specifically limit as an oxidizing agent used for the said chemical polymerization method, For example, the oxidizing agent which uses a sulfonic acid compound as an anion and uses an expensive number of transition metals as a cation is mentioned. Examples of the expensive transition metal ions constituting this oxidant include Cu 2+ , Fe 3+ , Al 3+ , Ce 4+ , W 6+ , Mo 6+ , Cr 6+ , Mn 7+ and Sn 4+ . Of these, Fe 3+ and Cu 2+ are preferred.
Specific examples of the oxidizing agent having a transition metal as a cation include FeCl 3 , Fe (ClO 4 ) 3 , K 2 CrO 7 , alkali perborate, potassium permanganate, copper tetrafluoroborate and the like. It is done.
Examples of the oxidizing agent other than the oxidizing agent having a transition metal as a cation include alkali persulfate, ammonium persulfate, and H 2 O 2 . Furthermore, hypervalent compounds represented by hypervalent iodine reactants can be mentioned.

特に好ましい実施形態は、酸化剤が超原子価ヨウ素反応剤である。
超原子価ヨウ素反応剤とは、3価または5価の超原子価状態にあるヨウ素原子を含む反応剤のことをいう。超原子価ヨウ素反応剤は、より安定なオクテット状態(1価のヨウ素)に戻ろうとする性質を有しているため、鉛(IV)、タリウム(III)、水銀(II)などの重金属酸化剤と類似の反応性を有する。さらに、超原子価ヨウ素反応剤は、このような重金属酸化剤に比べて低毒性であり、安全性に優れ、工業的な製法に適している。
In a particularly preferred embodiment, the oxidizing agent is a hypervalent iodine reactant.
A hypervalent iodine reactant refers to a reactant containing an iodine atom in a trivalent or pentavalent hypervalent state. Since the hypervalent iodine reactant has the property of returning to a more stable octet state (monovalent iodine), a heavy metal oxidizing agent such as lead (IV), thallium (III), mercury (II), etc. And similar reactivity. Furthermore, the hypervalent iodine reactant is less toxic than such a heavy metal oxidant, has excellent safety, and is suitable for an industrial production method.

上記超原子価ヨウ素反応剤としては特に限定されず、3価の超原子価ヨウ素反応剤としては、例えば、フェニルイオジンビス(トリフルオロアセタート)または(ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨードベンゼン(以下、PIFAという場合がある))、フェニルイオジンジアセテート(ヨードソベンゼンジアセテート(以下、PIDAという場合がある))、ヒドロキシ(トシロキシ)ヨードベンゼン、ヨードシルベンゼン等が挙げられる。これらの反応剤の構造式を以下に示す。 The hypervalent iodine reactant is not particularly limited, and examples of the trivalent hypervalent iodine reactant include phenyliodine bis (trifluoroacetate) or (bis (trifluoroacetoxy) iodobenzene (hereinafter referred to as “bivalent trivalent iodine”). , PIFA)), phenyliodine diacetate (iodosobenzene diacetate (hereinafter sometimes referred to as PIDA)), hydroxy (tosyloxy) iodobenzene, iodosylbenzene, and the like. The structural formulas of these reactants are shown below.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

5価の超原子価ヨウ素反応剤としては、例えば、デスマーチンペルヨージナン(Dess-Martin periodinane(DMP))、o−ヨードキシ安息香酸(o-iodoxybenzoic
acid(IBX))等が挙げられる。これらの反応剤の構造式を以下に示す。
Examples of pentavalent hypervalent iodine reactants include Dess-Martin periodinane (DMP), o-iodoxybenzoic acid (o-iodoxybenzoic acid).
acid (IBX)) and the like. The structural formulas of these reactants are shown below.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

これらのなかでは、3価の超原子価ヨウ素反応剤が好ましく、PIFAが、安定で取り扱いやすく、十分に高い酸化能を有する点でより好ましい。 Among these, a trivalent hypervalent iodine reactant is preferable, and PIFA is more preferable because it is stable and easy to handle and has a sufficiently high oxidizing ability.

また、超原子価ヨウ素反応剤の中でも、アダマンタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤、テトラフェニルメタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤を選択すると回収再利用できることから好ましい。より具体的には、1,3,5,7−テトラキス−(4−(ジアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−((4−(ヒドロキシ)トシロキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン等の3価のアダマンタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤、または、テトラキス−4−(ジアセトキシヨード)フェニルメタン、テトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタン等の3価のテトラフェニルメタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤は、安定で取り扱いやすく、十分に高い酸化能を有する上に、脂溶性が高く回収再利用可能なので、さらに好ましい。
5価の超原子価ヨウ素反応剤を用いる場合は、デスマーチンペルヨージナン(DMP)が好ましい。
In addition, among the hypervalent iodine reactants, it is preferable to select a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a hypervalent iodine reactant having a tetraphenylmethane structure because they can be recovered and reused. More specifically, 1,3,5,7-tetrakis- (4- (diacetoxyiodo) phenyl) adamantane, 1,3,5,7-tetrakis-((4- (hydroxy) tosyloxyiodo) phenyl ) A hypervalent iodine reactant having a trivalent adamantane structure such as adamantane, 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, or tetrakis-4- (di Hypervalent iodine reactants having a trivalent tetraphenylmethane structure such as acetoxyiodo) phenylmethane and tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane are stable and easy to handle and have a sufficiently high oxidizing ability Furthermore, it is more preferable because it has high fat solubility and can be recovered and reused.
When a pentavalent hypervalent iodine reactant is used, desmartin periodinane (DMP) is preferred.

このような超原子価ヨウ素反応剤は、合成により得られたものを用いてもよく、あるいは市販品を用いてもよい。例えば、PIFAは、PIDAにトリフルオロ酢酸を加えて反応させ、その結果、PIFAを反応生成物として析出させることにより得られる(J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1, 1985, 757を参照のこと)。PIDAは、ヨードベンゼンを酢酸中、ペルオキソほう酸ナトリウム(4水和物)(NaBO・4HO)を用い酸化することにより得られる(Tetrahedron, 1989, 45, 3299およびChem. Rev.,
1996, 96, 1123を参照のこと)。さらに、PIDAは、m−クロロ過安息香酸(mCPBA)を酸化剤としてヨードベンゼンから得られる(Angew. Chem. Int. Ed., 2004, 43, 3595を参照のこと)。1,3,5,7−テトラキス−(4−(ジアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−((4−(ヒドロキシ)トシロキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン、テトラキス−4−(ジアセトキシヨード)フェニルメタン、テトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタンは、例えば特開2005−220122号公報に記載の方法で合成できる。
As such a hypervalent iodine reactant, one obtained by synthesis may be used, or a commercially available product may be used. For example, PIFA can be obtained by adding trifluoroacetic acid to PIDA and reacting, so that PIFA is precipitated as a reaction product (see J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1, 1985, 757). ). PIDA is obtained by oxidizing iodobenzene with sodium peroxoborate (tetrahydrate) (NaBO 3 .4H 2 O) in acetic acid (Tetrahedron, 1989, 45, 3299 and Chem. Rev.,
1996, 96, 1123). In addition, PIDA is obtained from iodobenzene using m-chloroperbenzoic acid (mCPBA) as an oxidizing agent (see Angew. Chem. Int. Ed., 2004, 43, 3595). 1,3,5,7-tetrakis- (4- (diacetoxyiodo) phenyl) adamantane, 1,3,5,7-tetrakis-((4- (hydroxy) tosyloxyiodo) phenyl) adamantane, 1,3 , 5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, tetrakis-4- (diacetoxyiodo) phenylmethane, tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane, for example It can be synthesized by the method described in Kaikai 2005-220122.

上記酸化剤の使用量は特に限定されないが、上記単量体1モルあたり1〜5モルの範囲が好ましく、より好ましくは2〜4モルの範囲である。特に上記酸化剤として超原子価ヨウ素反応剤を使用する場合、上記単量体1モルに対して、好ましくは1〜4モル、更に好ましくは1.5〜4モルの割合で用い、より好ましくは2〜2.5モルの割合で用いる。
超原子価ヨウ素反応剤の量が少ない場合、酸化重合反応が進みにくくなることがある。一方、超原子価ヨウ素反応剤の量が多すぎる場合、過剰酸化が起こり溶媒に全く不溶な生成物が得られることがあり、所望のポリマーの収率が低下することがある。
Although the usage-amount of the said oxidizing agent is not specifically limited, The range of 1-5 mol per 1 mol of said monomers is preferable, More preferably, it is the range of 2-4 mol. In particular, when a hypervalent iodine reactant is used as the oxidizing agent, it is preferably used in a proportion of 1 to 4 mol, more preferably 1.5 to 4 mol, more preferably 1 mol of the monomer. Used in a proportion of 2 to 2.5 mol.
When the amount of the hypervalent iodine reactant is small, the oxidative polymerization reaction may be difficult to proceed. On the other hand, if the amount of the hypervalent iodine reactant is too large, excessive oxidation may occur and a product that is completely insoluble in the solvent may be obtained, and the yield of the desired polymer may be reduced.

上記複素環含有芳香族ポリマーの製造方法では、超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用してもよい。超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用することで、超原子価ヨウ素反応剤の使用量を減らすことができる。金属を含まない酸化剤としては、例えば、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、過酸化水素、メタクロロ過安息香酸等が挙げられる。 In the method for producing a heterocyclic ring-containing aromatic polymer, a hypervalent iodine reactant and a metal-free oxidizing agent may be used in combination. The combined use of a hypervalent iodine reactant and an oxidizing agent that does not contain a metal can reduce the amount of hypervalent iodine reactant used. Examples of the metal-free oxidizing agent include peroxodisulfuric acid, ammonium peroxodisulfate, hydrogen peroxide, metachloroperbenzoic acid, and the like.

上述したように上記超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用する場合、上記超原子価ヨウ素反応剤は酸化触媒として作用し、上記単量体1モルに対して、好ましくは0.001〜0.3モル、より好ましくは0.01〜0.1モルの割合で用いる。一方、金属を含まない酸化剤は、上記単量体1モルに対して、好ましくは1〜4モル当量、より好ましくは1.5〜2.5モル当量の割合で用いる。 As described above, when the hypervalent iodine reactant and the metal-free oxidizing agent are used in combination, the hypervalent iodine reactant acts as an oxidation catalyst, and preferably with respect to 1 mol of the monomer. It is used in a proportion of 0.001 to 0.3 mol, more preferably 0.01 to 0.1 mol. On the other hand, the metal-free oxidizing agent is preferably used in a proportion of 1 to 4 molar equivalents, more preferably 1.5 to 2.5 molar equivalents, relative to 1 mol of the monomer.

また、金属を含まない酸化剤と超原子価ヨウ素反応剤とを併用する場合、超原子価ヨウ素反応剤の量が少なすぎると、重合反応が十分に進行しないことがある。一方、超原子価ヨウ素反応剤の量が多すぎても、重合度は、ある一定の重合度より大きくならず、超原子価ヨウ素反応剤が無駄になることがある。 Moreover, when using together the oxidizing agent which does not contain a metal, and a hypervalent iodine reactant, when there is too little quantity of a hypervalent iodine reactant, a polymerization reaction may not fully advance. On the other hand, even if the amount of the hypervalent iodine reactant is too large, the degree of polymerization does not exceed a certain degree of polymerization, and the hypervalent iodine reactant may be wasted.

なお、超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用する場合は、重合反応を始める際は、超原子価ヨウ素反応剤の前駆体を用いても良い。具体的には、例えば、1,3,5,7−テトラキス−(4−(ジアセトキシヨード)フェニル)アダマンタンの前駆体である1,3,5,7−テトラキス−(4−ヨードフェニル)アダマンタンを触媒量と、化学量論量のメタクロロ過安息香酸を加えることで、反応系中で超原子価ヨウ素反応剤を発生させればよい。 In the case where a hypervalent iodine reactant and an oxidizing agent not containing a metal are used in combination, a precursor of the hypervalent iodine reactant may be used when starting the polymerization reaction. Specifically, for example, 1,3,5,7-tetrakis- (4-iodophenyl) adamantane, which is a precursor of 1,3,5,7-tetrakis- (4- (diacetoxyiodo) phenyl) adamantane A hypervalent iodine reagent may be generated in the reaction system by adding a catalytic amount and a stoichiometric amount of metachloroperbenzoic acid.

上記複素環含有芳香族ポリマーの製造方法では、複素環含有芳香族ポリマーに、ドーパントをドープしてもよい。ドーパントをドープすることによって、得られる複素環含有芳香族ポリマーにより高い導電性が付与され得る。ドーパントは、重合反応前に原料として仕込んでもよく、重合反応中に添加してもよく、あるいは重合反応後に得られる複素環含有芳香族ポリマーに添加してもよい。 In the method for producing a heterocyclic ring-containing aromatic polymer, the heterocyclic ring-containing aromatic polymer may be doped with a dopant. By doping with a dopant, higher conductivity can be imparted to the resulting heterocyclic ring-containing aromatic polymer. The dopant may be charged as a raw material before the polymerization reaction, may be added during the polymerization reaction, or may be added to the heterocyclic ring-containing aromatic polymer obtained after the polymerization reaction.

ドーパントとしては特に限定されないが、例えば、Cl、Br、I、IClなどのハロゲン;PF、BF、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルなどのルイス酸;HF、HCl、HNO、HSOなどのプロトン酸;p−トルエンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸などの有機酸等が挙げられる。 Is not particularly restricted but includes dopants such, Cl 2, Br 2, I 2, halogen such as ICl; PF 5, BF 3, Lewis acids such as trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate; HF, HCl, HNO 3, H 2 SO Protic acids such as 4 ; organic acids such as p-toluenesulfonic acid and polystyrenesulfonic acid.

導電性の付与を目的として用いるドーパントは、上記単量体1モルに対して、好ましくは0.05〜6モルの割合で用い、より好ましくは0.2〜4モルの割合で用いる。
上記ドーパントの量が0.05モルよりも少ない場合、複素環含有芳香族ポリマーに、十分な導電性を付与し得ない場合がある。一方、ドーパントの量が6モルよりも多い場合、複素環含有芳香族ポリマーに添加したすべてのドーパントがドープされず、添加量に比例した効果を望めない。また、余剰のドーパントも無駄になる。
The dopant used for the purpose of imparting conductivity is preferably used in a proportion of 0.05 to 6 mol, more preferably in a proportion of 0.2 to 4 mol, relative to 1 mol of the monomer.
When the amount of the dopant is less than 0.05 mol, sufficient conductivity may not be imparted to the heterocyclic ring-containing aromatic polymer. On the other hand, when the amount of the dopant is more than 6 moles, all the dopant added to the heterocyclic ring-containing aromatic polymer is not doped, and an effect proportional to the added amount cannot be expected. Also, excess dopant is wasted.

なお、上記ルイス酸は、ドーパントとして作用するだけではなく、酸化重合反応を促進させる作用も有する。酸化重合反応を促進させる目的でルイス酸を用いる場合、特に、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルが好ましく用いられる。 The Lewis acid not only functions as a dopant but also has an effect of promoting an oxidative polymerization reaction. When a Lewis acid is used for the purpose of promoting the oxidative polymerization reaction, trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate is particularly preferably used.

上記酸化重合反応は、通常、溶媒の存在下で実施する。
上記溶媒としては、上記単量体、酸化剤、及び、ドーパントを溶解または分散させる溶媒であればよく、このような溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、n−ブタノールなどのアルコール類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールなどのエチレングリコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルアセテート類;プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどのプロピレングリコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテルなどのプロピレングリコールエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールエーテルアセテート類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、アセトニトリル、トルエン、キシレン(o−、m−、あるいはp−キシレン)、ベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−t−ブチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、クロロメタン(塩化メチル)、ジクロロメタン(塩化メチレン)、トリクロロメタン(クロロホルム)、テトラクロロメタン(四塩化炭素)等の有機溶媒、水とこれらの有機溶媒との混合溶媒(含水有機溶媒)等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
The oxidative polymerization reaction is usually carried out in the presence of a solvent.
The solvent may be any solvent that dissolves or disperses the monomer, oxidizing agent, and dopant. Examples of such a solvent include water, methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol, alcohols such as n-butanol; ethylene glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol and tetraethylene glycol; glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol dimethyl ether Class: Ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol Glycol ether acetates such as coal monobutyl ether acetate; propylene glycols such as propylene glycol, dipropylene glycol and tripropylene glycol; propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol ethers such as propylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether Propylene glycol ether acetates such as diacetate and dipropylene glycol monoethyl ether acetate; N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, acetone, acetonitrile, toluene, xylene (o -, M-, or p-xylene), benzene, ethyl acetate, butyl acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ether, diisopropyl ether, methyl-t-butyl ether, hexane, heptane, chloromethane (methyl chloride), dichloromethane ( Organic solvents such as methylene chloride), trichloromethane (chloroform), tetrachloromethane (carbon tetrachloride), mixed solvents of water and these organic solvents (hydrous organic solutions) Medium) and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

上記酸化重合反応の温度は、−100℃〜100℃が好ましい。溶媒として有機溶媒を用いる場合および水を用いる場合のいずれの場合も、より好ましくは0℃〜40℃である。反応温度が−100℃よりも低い場合、反応速度が遅くなったり、溶媒によっては凍結したりし、複素環含有芳香族ポリマーの収率が低下するおそれがある。一方、反応温度が100℃よりも高い場合、副反応や過剰酸化が起こり、複素環含有芳香族ポリマーの収率が低下するおそれがある。 The temperature of the oxidative polymerization reaction is preferably -100 ° C to 100 ° C. In either case of using an organic solvent as the solvent and water, the temperature is more preferably 0 ° C to 40 ° C. When the reaction temperature is lower than −100 ° C., the reaction rate becomes slow, or depending on the solvent, the yield of the heterocyclic ring-containing aromatic polymer may be lowered. On the other hand, when the reaction temperature is higher than 100 ° C., side reaction or excessive oxidation occurs, and the yield of the heterocyclic ring-containing aromatic polymer may be reduced.

上記酸化重合反応の反応時間は、特に制限されない。酸化重合反応を促進させるためにルイス酸を用いた場合は12時間程度が好ましく、ルイス酸を用いない場合は20時間程度が好ましい。 The reaction time of the oxidative polymerization reaction is not particularly limited. When a Lewis acid is used to promote the oxidative polymerization reaction, about 12 hours are preferable, and when a Lewis acid is not used, about 20 hours are preferable.

このようにして得られた複素環含有芳香族ポリマーには、精製処理を施してもよい。
精製方法(精製工程)としては特に限定されないが、例えば、反応後、溶媒をグラスフィルターでろ過し、得られたポリマーを、メタノール、エタノール、2−プロパノール、n−ヘキサン、ジエチルエーテル、アセトニトリル、酢酸エチル、トルエンなどで洗浄する方法等が挙げられる。その他の精製方法としては、ソックスレー抽出などによる精製等が挙げられる。
The thus obtained heterocyclic ring-containing aromatic polymer may be subjected to a purification treatment.
Although it does not specifically limit as a purification method (purification process), For example, after reaction, a solvent is filtered with a glass filter and methanol, ethanol, 2-propanol, n-hexane, diethyl ether, acetonitrile, acetic acid is obtained. Examples include a method of washing with ethyl, toluene, and the like. Other purification methods include purification by Soxhlet extraction and the like.

このような複素環含有芳香族ポリマーの製造方法では、洗浄後、得られた複素環含有芳香族ポリマーを、必要に応じて、通常の手段により乾燥する(乾燥工程)。
ここで、乾燥方法は、重合度、置換基、含まれるドーパントによって適宜決定可能であり、例えば、室温下(約25℃)での減圧(約0.5mmHg)乾燥、常圧下での加熱送風(約60℃)乾燥等が挙げられる。乾燥温度は、100℃以下が好ましく、200℃を超えると、複素環含有芳香族ポリマーが分解する危険性が高くなる。
In such a method for producing a heterocyclic ring-containing aromatic polymer, after washing, the obtained heterocyclic ring-containing aromatic polymer is dried by a usual means as necessary (drying step).
Here, the drying method can be appropriately determined depending on the degree of polymerization, the substituent, and the dopant contained. For example, drying under reduced pressure (about 0.5 mmHg) at room temperature (about 25 ° C.), heating air blowing under normal pressure ( About 60 ° C.) and the like. The drying temperature is preferably 100 ° C. or lower, and if it exceeds 200 ° C., the risk of decomposition of the heterocyclic ring-containing aromatic polymer increases.

上記酸化重合において、アダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤を用いた場合、下記のような方法で回収することが望ましい。例えば、反応を終えた溶液を減圧濃縮し、残渣(ポリマー、アダマンタン構造もしくはテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤、金属を含まない酸化剤、未反応の単量体)にメタノールを加えて混合し、グラスフィルターを用いてろ過することにより、金属を含まない酸化剤及び未反応の単量体はメタノール溶液として除去できる。残渣として残ったポリマー及びアダマンタン構造又はテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤は、ジエチルエーテルを加えて混合しグラスフィルター用いてろ過することにより、残渣のポリマーと、ジエチルエーテル溶液のアダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤とに分離することができる。そのジエチルエーテルを濃縮することで、アダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤を回収することができる。アダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤の回収方法は、上記の例に限定されないが、ポリマー、アダマンタン構造又はテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤、金属を含まない酸化剤および未反応の単量体の、溶媒種による溶解性の違いを利用し、適当な溶媒を選択することで、各々の成分を分離することができる。 In the above oxidative polymerization, when a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a tetraphenylmethane structure is used, it is desirable to recover by the following method. For example, the solution after the reaction is concentrated under reduced pressure and methanol is added to the residue (polymer, adamantane or tetraphenylmethane structure hypervalent iodine reactant, metal-free oxidant, unreacted monomer). By mixing and filtering using a glass filter, the metal-free oxidizing agent and unreacted monomer can be removed as a methanol solution. The polymer remaining as a residue and a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure or a tetraphenylmethane structure are mixed with diethyl ether and filtered using a glass filter, whereby the polymer in the residue and the adamantane structure of the diethyl ether solution and It can be separated into a hypervalent iodine reactant having a tetraphenylmethane structure. By concentrating the diethyl ether, the hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a tetraphenylmethane structure can be recovered. The recovery method of the hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a tetraphenylmethane structure is not limited to the above example, but the polymer, the hypervalent iodine reactant having the adamantane structure or the tetraphenylmethane structure, and the oxidizing agent not containing a metal. Each component can be separated by selecting an appropriate solvent using the difference in solubility between the unreacted monomer and the solvent species.

本発明に用いる導電性樹脂組成物は、(A)複素環含有芳香族ポリマーに加えて、必要に応じて、(B)バインダー樹脂、(C)架橋剤、(D)硬化剤、(E)添加剤、及び、(F)溶剤等を含有していてもよい。
以下、上記(B)〜(F)の各成分について説明する。
The conductive resin composition used in the present invention comprises (B) a binder resin, (C) a cross-linking agent, (D) a curing agent, (E), if necessary, in addition to (A) the heterocyclic ring-containing aromatic polymer. An additive and (F) a solvent may be contained.
Hereinafter, the components (B) to (F) will be described.

(B)バインダー樹脂
上記バインダー樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリ(メタ)アクリレート、ポリウレタン、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、エポキシ樹脂、並びに、スチレン、塩化ビニリデン、塩化ビニル及びアルキル(メタ)アクリレートからなる群より選択される2種以上のモノマーから構成された共重合体等が挙げられる。
上記バインダー樹脂を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、10〜5000重量部であることが好ましい。より好ましくは、30〜2000重量部である。配合量が5000重量部を超えると、透明性及び導電性が低下する場合がある。逆に、10重量部より少ない場合は、硬化性が低下し、十分な耐水性や耐溶剤性が導電層に付与されにくくなることがある。
(B) Binder resin Examples of the binder resin include polyester, poly (meth) acrylate, polyurethane, polyvinyl acetate, polyvinylidene chloride, polyamide, polyimide, epoxy resin, styrene, vinylidene chloride, vinyl chloride, and alkyl ( Examples thereof include a copolymer composed of two or more monomers selected from the group consisting of (meth) acrylates.
When mix | blending the said binder resin, it is preferable that the compounding quantity is 10-5000 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic-containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 30 to 2000 parts by weight. If the blending amount exceeds 5000 parts by weight, transparency and conductivity may be deteriorated. On the other hand, when the amount is less than 10 parts by weight, the curability is lowered, and sufficient water resistance and solvent resistance may not be imparted to the conductive layer.

(C)架橋剤
上記架橋剤としては特に限定されないが、例えば、低分子アクリレート、低分子エポキシ樹脂、イソシアネート等が使用できる。具体的には、エチレンオキシド変性ビスフェノールジアクリレート、エチレンオキシド変性イソシアヌル酸ジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレートなどの2官能の低分子アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド変性イソシアヌル酸トリアクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレートなどの3官能の低分子アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの4官能以上の低分子アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3'−4'−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ヴィニルシクロヘキセンモノオキサイド−1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサンなどの脂環式エポキシ、3、4−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレートなどのエポキシ基を有するアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルなどの多官能脂肪族エポキシ化合物、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアナート、1,3−フェニレンビスメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4'−ジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、1,6−ジイソシアネートヘキサン、ポリメチレンポリフェニルイソシアナート、トリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン変性イソホロンジイソシアネートなどのイソシアネート等が挙げられる。
上記架橋剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、1〜100重量部であることが好ましい。より好ましくは、10〜70重量部である。配合量が100重量部を超えると、導電層が脆くなる場合がある。逆に、1重量部より少ない場合は、導電層の強度が不足する場合がある。
(C) Crosslinking agent Although it does not specifically limit as said crosslinking agent, For example, a low molecular acrylate, a low molecular epoxy resin, isocyanate etc. can be used. Specifically, bifunctional low-molecular acrylates such as ethylene oxide-modified bisphenol diacrylate, ethylene oxide-modified isocyanuric acid diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate monostearate, pentaerythritol triacrylate, trimethylolpropane triacrylate , Trifunctional low molecular acrylates such as propylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate, ethylene oxide modified isocyanuric acid triacrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate, ethylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipenta Erythritol hexaacrylate, Tetramethylolpropane tetraacrylate, pentaerythritol tetraacrylate and other low molecular acrylates having a functionality of 4 or more, 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3′-4′-epoxycyclohexenecarboxylate, vinylcyclohexene monooxide-1,2- Alicyclic epoxy such as epoxy-4-vinylcyclohexane, acrylate having an epoxy group such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, 1,4-butanediol diglycidyl ether, Polyfunctional aliphatic epoxy compounds such as cyclohexanedimethanol diglycidyl ether, trimethylolpropane polyglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, 4,4′-di Phenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, 1,3-phenylene bismethylene diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,6-diisocyanate hexane, polymethylene polyphenyl isocyanate, trimethylolpropane modified tri Examples of the isocyanate include range isocyanate, trimethylolpropane-modified hexamethylene diisocyanate, and trimethylolpropane-modified isophorone diisocyanate.
When mix | blending the said crosslinking agent, it is preferable that the compounding quantity is 1-100 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 10 to 70 parts by weight. If the amount exceeds 100 parts by weight, the conductive layer may become brittle. Conversely, when the amount is less than 1 part by weight, the strength of the conductive layer may be insufficient.

(D)硬化剤
バインダーにエポキシ樹脂を使用する場合は、硬化剤を添加することができる。上記硬化剤としては、酸無水物、フェノール化合物、アミン類などのエポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。上記硬化剤を配合する場合、その配合量は、エポキシ樹脂の樹脂分100重量部に対して、1〜100重量部であることが好ましい。より好ましくは、4〜60重量部である。配合量が100重量部を超えると、導電層が脆くなる場合がある。逆に、1重量部より少ない場合は、導電層の強度が不足する場合がある。
(D) When using an epoxy resin for a hardener binder, a hardener can be added. Examples of the curing agent include epoxy resin curing agents such as acid anhydrides, phenol compounds, and amines. When mix | blending the said hardening | curing agent, it is preferable that the compounding quantity is 1-100 weight part with respect to 100 weight part of resin parts of an epoxy resin. More preferably, it is 4 to 60 parts by weight. If the amount exceeds 100 parts by weight, the conductive layer may become brittle. Conversely, when the amount is less than 1 part by weight, the strength of the conductive layer may be insufficient.

(E)添加剤
上記添加剤としては、例えば、導電性向上剤、塗布性を向上させるための界面活性剤、耐光性を改善させるための紫外線吸収剤、熱線を吸収させるための赤外線吸収剤、ポリマーの分解を抑制させるための酸化防止剤、導電層の膜強度を高めるための無機微粒子、重合開始剤、上記導電性樹脂組成物を用いて塗膜を形成する際に、基板との密着性を向上させたり、塗膜の耐久性を向上させるためのシランカップリング剤等が挙げられる。
(E) Additive As the additive, for example, a conductivity improver, a surfactant for improving coatability, an ultraviolet absorber for improving light resistance, an infrared absorber for absorbing heat rays, When forming a coating film using an antioxidant for suppressing the decomposition of the polymer, inorganic fine particles for increasing the film strength of the conductive layer, a polymerization initiator, and the conductive resin composition, adhesion to the substrate And silane coupling agents for improving the durability of the coating film.

上記導電性向上剤としては、例えば、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、フマルアミド、ベンズアミド、などのアミド系化合物、フタルイミド、1,8−ナフチルイミドなどのイミド系化合物、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、レゾルシノール、クロロフェノール、ヒドロキシナフタレンなどのフェノール系化合物、テトラシアノエチレン、7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタン、2,3,6,7−テトラシアノ−1,4,5,8−テトラアザナフタレンなどのシアノ系化合物、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール等の脂肪族多価アルコール類等が挙げられる。
上記導電性向上剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、1〜5000重量部であることが好ましい。より好ましくは、10〜1000重量部である。
Examples of the conductivity improver include amide compounds such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, fumaramide and benzamide, imide compounds such as phthalimide and 1,8-naphthylimide, o-cresol, Phenolic compounds such as m-cresol, p-cresol, catechol, resorcinol, chlorophenol, hydroxynaphthalene, tetracyanoethylene, 7,7,8,8, -tetracyanoquinodimethane, 2,3,6,7- Examples include cyano compounds such as tetracyano-1,4,5,8-tetraazanaphthalene, and aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, glycerin, and sorbitol.
When mix | blending the said electroconductivity improver, it is preferable that the compounding quantity is 1-5000 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 10 to 1000 parts by weight.

上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、脂肪酸アルキロールアミドなどの非イオン性界面活性剤;フルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロアルキルベンゼンスルホン酸、パーフルオロアルキル4級アンモニウム、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノールなどのフッ素系界面活性剤等が挙げられる。
上記界面活性剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、0.1〜60重量部であることが好ましい。より好ましくは、0.2〜20重量部である。
Examples of the surfactant include nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, sorbitan fatty acid ester, and fatty acid alkylolamide; fluoroalkylcarboxylic acid, perfluoroalkylbenzenesulfonic acid, Fluorosurfactants such as perfluoroalkyl quaternary ammonium and perfluoroalkyl polyoxyethylene ethanol are listed.
When mix | blending the said surfactant, it is preferable that the compounding quantity is 0.1-60 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic-containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 0.2 to 20 parts by weight.

上記紫外線吸収剤としては、例えば、2−(2′−ヒドロキシ−5′−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−5′−tert−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−3′,5′−ジtert−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−3′−tert−ブチル−5′−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−3′,5′−ジtert−ブチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−3′,5′−ジtert−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−{(2′−ヒドロキシ−3′,3′′,4′′,5′′,6′′−テトラヒドロフタルイミドメチル)−5′−メチルフェニル}ベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−ドデシルオキシベンゾフェノン、2,2′−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジメトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシ−5−スルホベンゾフェノン等のベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート、p−t−ブチルフェニルサリシレート、p−オクチルフェニルサリシレートなどのサリシレート系紫外線吸収剤、エチル−α−シアノ−β,β−ジフェニルアクリレート、メチル−2−シアノ−3−メチル−3−(p−メトキシフェニル)アクリレートなどのシアノアクリレート系紫外線吸収剤、2−エチル−2'−エトキシオキザニリド、2−エトキシ−4'−ドデシルオキザニリドなどのオギザニリド系紫外線吸収剤、TINUVIN(登録商標)770、TINUVIN(登録商標)622LD(いずれもチバスペシャルティーケミカルズ社製)、アデカスタブ(登録商標)LA−57(旭電化工業社製)等などのヒンダードアミン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート、レゾルシノールモノベンゾエート、2,4−ジ第三ブチルフェニル−3,5−ジ第三ブチル−4−ヒドロキシベンゾエート、2,4−ジ第三アミルフェニル−3,5−ジ第三ブチル−4−ヒドロキシベンゾエート、ヘキサデシル−3,5−ジ第三ブチル−4−ヒドロキシベンゾエートなどのベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。上記紫外線吸収剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、0.1〜20重量部であることが好ましい。より好ましくは、0.3〜10重量部である。 Examples of the ultraviolet absorber include 2- (2′-hydroxy-5′-methylphenyl) benzotriazole, 2- (2′-hydroxy-5′-tert-butylphenyl) benzotriazole, and 2- (2 ′ -Hydroxy-3 ', 5'-ditert-butylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3'-tert-butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2 '-Hydroxy-3', 5'-ditert-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-ditert-amylphenyl) benzotriazole, 2-{( 2'-hydroxy-3 ', 3 ", 4", 5 ", 6" -tetrahydrophthalimidomethyl) -5'-methylphenyl} ben Benzotriazole ultraviolet absorbers such as triazole, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2 ' Benzophenone-based UV absorbers such as benzophenone such as dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-5-sulfobenzophenone, phenyl salicylate, p Salicylate ultraviolet absorbers such as t-butylphenyl salicylate and p-octylphenyl salicylate, ethyl-α-cyano-β, β-diphenylacrylate, methyl-2-cyano-3-methyl-3- (p- Cyanoacrylate ultraviolet absorbers such as toxiphenyl) acrylate, oxanilide ultraviolet absorbers such as 2-ethyl-2′-ethoxyoxanilide, 2-ethoxy-4′-dodecyloxanilide, TINUVIN (registered trademark) 770 , TINUVIN (registered trademark) 622LD (all manufactured by Ciba Specialty Chemicals), Adekastab (registered trademark) LA-57 (manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.), etc., hindered amine-based ultraviolet absorbers, phenyl salicylate, resorcinol monobenzoate, 2 , 4-Ditert-butylphenyl-3,5-ditert-butyl-4-hydroxybenzoate, 2,4-ditert-amylphenyl-3,5-ditert-butyl-4-hydroxybenzoate, hexadecyl-3 , 5-Ditert-butyl-4-hydroxybenzoate What benzoate-based ultraviolet absorbers, and the like. When mix | blending the said ultraviolet absorber, it is preferable that the compounding quantity is 0.1-20 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic-containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 0.3 to 10 parts by weight.

上記赤外線吸収剤としては、例えば、シアニン系化合物、フタロシアニン化合物、フェニレンジアミニウムの塩素気塩などの有機系赤外線吸収剤、ITO(スズドープ酸化インジウム)、ATO(アンチモンドープ酸化スズ)のような透明導電性酸化物、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズのなど無機系近赤外線吸収剤等が挙げられる。
上記赤外線吸収剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、0.1〜20重量部であることが好ましい。より好ましくは、0.3〜10重量部である。
Examples of the infrared absorber include organic infrared absorbers such as cyanine compounds, phthalocyanine compounds, and chlorinated phenylenedianium salts, transparent conductive materials such as ITO (tin-doped indium oxide) and ATO (antimony-doped tin oxide). Inorganic near-infrared absorbers such as conductive oxide, zinc oxide, indium oxide, and tin oxide.
When mix | blending the said infrared absorber, it is preferable that the compounding quantity is 0.1-20 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 0.3 to 10 parts by weight.

上記酸化防止剤としては、例えば、IRGANOX(登録商標)1010(チバスペシャルテーケミカルズ社製)、ノクラックNS−30(商品名)(大内新興化学工業社製)、トミノックスTT(商品名)(吉豊ファインケミカル社製)等などのフェノール系酸化防止剤、ヒドロキシルアミン、N-フェニル-1,1,3,3-テトラメチルブチルナフタレン-1-アミンなどのアミン系酸化防止剤、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス(2,4−ジ第三ブチルフェニル)ホスファイト、トリス〔2−第三ブチル−4−(3−第三ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニルチオ)−5−メチルフェニル〕ホスファイト、トリデシルホスファイト、オクチルジフェニルホスファイト、ジ(デシル)モノフェニルホスファイト、ジ(トリデシル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ジ(ノニルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(2,4−ジ第三ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(2,6−ジ第三ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファィト、ビス(2,4,6−トリ第三ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(2,4−ジクミルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、テトラ(トリデシル)イソプロピリデンジフェノールジホスファイト、テトラ(トリデシル)−4,4'−n−ブチリデンビス(2−第三ブチル−5−メチルフェノール)ジホスファイト、ヘキサ(トリデシル)−1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−第三ブチルフェニル)ブタントリホスファイト、テトラキス(2,4−ジ第三ブチルフェニル)ビフェニレンジホスホナイト、9,10−ジハイドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナンスレン−10−オキサイド、2,2'−メチレンビス(4,6−第三ブチルフェニル)−2−エチルヘキシルホスファイト、2,2'−メチレンビス(4,6−第三ブチルフェニル)−オクタデシルホスファイト、2,2'−エチリデンビス(4,6−ジ第三ブチルフェニル)フルオロホスファイト、トリス(2−〔(2,4,8,10−テトラキス第三ブチルジベンゾ〔d,f〕〔1,3,2〕ジオキサホスフェピン−6−イル)オキシ〕エチル)アミン、2−エチル−2−ブチルプロピレングリコールと2,4,6−トリ第三ブチルフェノールのホスファイト等などのリン系酸化防止剤、チオジプロピオン酸ジラウリル、チオジプロピオン酸ジミリスチル、チオジプロピオン酸ジステアリル等のジアルキルチオジプロピオネート類及びペンタエリスリトールテトラ(β−ドデシルメルカプトプロピオネート)等のポリオールのβ−アルキルメルカプトプロピオン酸エステル類などの硫黄系酸化防止剤、アスコルビン酸(ビタミンC)などのビタミン類等が挙げられる。
上記酸化防止剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、0.1〜20重量部であることが好ましい。より好ましくは、0.3〜10重量部である。
Examples of the antioxidant include IRGANOX (registered trademark) 1010 (manufactured by Ciba Special Te Chemicals), NOCRACK NS-30 (trade name) (manufactured by Ouchi Shinsei Chemical Industry Co., Ltd.), Tominox TT (trade name) ( Phenolic antioxidants such as Yoshitoyo Fine Chemical), amine antioxidants such as hydroxylamine and N-phenyl-1,1,3,3-tetramethylbutylnaphthalene-1-amine, and trisnonylphenylphos Phyto, Tris (2,4-ditert-butylphenyl) phosphite, Tris [2-tert-butyl-4- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenylthio) -5-methylphenyl] Phosphite, tridecyl phosphite, octyl diphenyl phosphite, di (decyl) monophenyl phosphite, di (tridec ) Pentaerythritol diphosphite, di (nonylphenyl) pentaerythritol diphosphite, bis (2,4-ditert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, bis (2,6-ditert-butyl-4-methyl) Phenyl) pentaerythritol diphosphite, bis (2,4,6-tritert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, bis (2,4-dicumylphenyl) pentaerythritol diphosphite, tetra (tridecyl) isopropyl Dendiphenol diphosphite, tetra (tridecyl) -4,4′-n-butylidenebis (2-tert-butyl-5-methylphenol) diphosphite, hexa (tridecyl) -1,1,3-tris (2-methyl- 4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) butane Rephosphite, tetrakis (2,4-ditert-butylphenyl) biphenylenediphosphonite, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, 2,2′-methylenebis (4 6-tert-butylphenyl) -2-ethylhexyl phosphite, 2,2′-methylenebis (4,6-tert-butylphenyl) -octadecyl phosphite, 2,2′-ethylidenebis (4,6-ditertiary Butylphenyl) fluorophosphite, tris (2-[(2,4,8,10-tetrakis tert-butyldibenzo [d, f] [1,3,2] dioxaphosphin-6-yl) oxy] Phosphorous antioxidants such as phosphites of ethyl) amine, 2-ethyl-2-butylpropylene glycol and 2,4,6-tritert-butylphenol , Dialkylthiodipropionates such as dilauryl thiodipropionate, dimyristyl thiodipropionate, distearyl thiodipropionate, and β-alkylmercaptopropion of polyols such as pentaerythritol tetra (β-dodecyl mercaptopropionate) Examples thereof include sulfur-based antioxidants such as acid esters and vitamins such as ascorbic acid (vitamin C).
When mix | blending the said antioxidant, it is preferable that the compounding quantity is 0.1-20 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 0.3 to 10 parts by weight.

上記無機微粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アンチモン、インジウム錫混合酸化物及びアンチモン錫混合酸化物などの金属酸化物、ジルコニア、シリカ等からなる微粒子が挙げられ、これらの中では、透明性、硬度の観点からその一次粒子径が100nm未満であるものが好ましく、50nm未満であるものがより好ましい。
上記無機微粒子を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、0.5〜200重量部であることが好ましい。より好ましくは、1〜50重量部である。
Examples of the inorganic fine particles include fine particles composed of metal oxides such as titanium oxide, niobium oxide, antimony oxide, indium tin mixed oxide and antimony tin mixed oxide, zirconia, silica, and the like. From the viewpoint of transparency and hardness, the primary particle diameter is preferably less than 100 nm, and more preferably less than 50 nm.
When mix | blending the said inorganic fine particle, it is preferable that the compounding quantity is 0.5-200 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic-containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 1 to 50 parts by weight.

上記重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、p−ジメチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p−tert−ブチルアセトフェノンなどのアセトフェノン類;ベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、p,p’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、1,3 α-アミノアルキルフェノンなどのベンゾフェノン類;ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどのベンゾインエーテル類;ベンジルジメチルケタール、チオキサンテン、2−クロロチオキサンテン、2,4−ジエチルチオキサンテン、2−メチルチオキサンテン、2−イソプロピルチオキサンテンなどのイオウ化合物;2−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノンなどのアントラキノン類;アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシドなどの有機過酸化物;芳香族スルホニウム塩などの熱カチオン触媒;および2−メルカプトベンゾイミダゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールなどのチオール化合物等が挙げられる。これらの化合物は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記重合開始剤を配合する場合、その配合量は、上記バインダー樹脂(A)の固形分100重量部に対して、0.1〜50重量部であることが好ましい。より好ましくは、0.1〜10重量部である。
Examples of the polymerization initiator include acetophenones such as acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, p-dimethylaminopropiophenone, dichloroacetophenone, trichloroacetophenone and p-tert-butylacetophenone; benzophenone Benzophenones such as 2-chlorobenzophenone, p, p′-bisdimethylaminobenzophenone, 1,3 α-aminoalkylphenone; benzoin ethers such as benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether; Benzyl dimethyl ketal, thioxanthene, 2-chlorothioxanthene, 2,4-diethylthioxanthene, 2-methylthioxanthene, 2-isopropyl Sulfur compounds such as pyrthioxanthene; anthraquinones such as 2-ethylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone; azobisisobutyronitrile, benzoyl peroxide, cumene peroxide, etc. Organic peroxides; thermal cation catalysts such as aromatic sulfonium salts; and thiol compounds such as 2-mercaptobenzoimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzothiazole, and the like. These compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
When mix | blending the said polymerization initiator, it is preferable that the compounding quantity is 0.1-50 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said binder resin (A). More preferably, it is 0.1 to 10 parts by weight.

さらに、それ自体では、光重合開始剤として作用しないが、上記の化合物と組み合わせて用いることにより、光重合開始剤の能力を増大させ得るような化合物を添加することもできる。そのような化合物としては、例えば、ベンゾフェノンと組み合わせて使用すると効果のあるトリエタノールアミンなどの第三級アミン等が挙げられる。 Furthermore, a compound which does not act as a photopolymerization initiator itself but can increase the ability of the photopolymerization initiator by using it in combination with the above compound can also be added. Examples of such compounds include tertiary amines such as triethanolamine which are effective when used in combination with benzophenone.

上記シランカップリング剤としては、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン等の(メタ)アクリロキシトリアルコキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、ビニル-トリス(βメトキシエトキシ)シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
上記シランカップリング剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、0.2〜10重量部であることが好ましい。より好ましくは、0.5〜5重量部である。
Examples of the silane coupling agent include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) methyltrimethoxysilane, 2- (3, 4-epoxycyclohexyl) methyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3 -(Meth) acryloxytrialkoxysilane such as methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, p- Tyryltrimethoxysilane, vinyl-tris (βmethoxyethoxy) silane, γ-aminopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β-3,4epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, etc. It is done. These may be used alone or in combination of two or more.
When mix | blending the said silane coupling agent, it is preferable that the compounding quantity is 0.2-10 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic-containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 0.5 to 5 parts by weight.

(F)溶剤
溶剤は無くても良いが、上記溶剤としては、例えば、水や、メタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、n−ブタノールなどのアルコール類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールなどのエチレングリコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルアセテート類;プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどのプロピレングリコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテルなどのプロピレングリコールエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールエーテルアセテート類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、アセトニトリル、トルエン、キシレン(o−、m−、あるいはp−キシレン)、ベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−t−ブチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、クロロメタン(塩化メチル)、ジクロロメタン(塩化メチレン)、トリクロロメタン(クロロホルム)、テトラクロロメタン(四塩化炭素)等の有機溶媒、水とこれらの有機溶媒との混合溶媒(含水有機溶媒)等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
本発明に用いる導電性樹脂組成物は、有機溶媒を含有することが好ましい。その理由は、高硬度を有し、基材との密着性が高く、均一な導電層を形成するのに適しているからである。
(F) Solvent solvent may be omitted. Examples of the solvent include water and alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol, and n-butanol; ethylene glycol, diethylene glycol, and triethylene glycol. Ethylene glycols such as tetraethylene glycol; glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether; ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol Glycol ether acetate such as monobutyl ether acetate Propylene glycols such as propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol; propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol Propylene glycol ethers such as dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate Any propylene glycol ether acetates; N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, acetone, acetonitrile, toluene, xylene (o-, m-, or p-xylene), Benzene, ethyl acetate, butyl acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ether, diisopropyl ether, methyl-t-butyl ether, hexane, heptane, chloromethane (methyl chloride), dichloromethane (methylene chloride), trichloromethane (chloroform), tetra Examples thereof include organic solvents such as chloromethane (carbon tetrachloride), mixed solvents of water and these organic solvents (hydrous organic solvents), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
The conductive resin composition used in the present invention preferably contains an organic solvent. The reason is that it has high hardness, high adhesion to the base material, and is suitable for forming a uniform conductive layer.

上記溶剤を配合する場合、その配合量は、上記複素環含有芳香族ポリマー(A)の固形分100重量部に対して、100〜5000重量部であることが好ましい。より好ましくは、500〜3000重量部である。 When mix | blending the said solvent, it is preferable that the compounding quantity is 100-5000 weight part with respect to 100 weight part of solid content of the said heterocyclic-containing aromatic polymer (A). More preferably, it is 500 to 3000 parts by weight.

このような構成からなる本発明に用いる導電性樹脂組成物により形成される導電層は、透明基体上に配置される。 The conductive layer formed of the conductive resin composition used in the present invention having such a configuration is disposed on the transparent substrate.

本発明に用いる透明基体は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、アクリル、トリアセチルセルロース、ポリイミドなどの有機高分子系フィルム、無機フィラー(ガラスクロス含む)と有機樹脂との複合体フィルム、ガラス基板等が挙げられる。 The transparent substrate used in the present invention is an organic polymer film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, acrylic, triacetyl cellulose, polyimide, a composite film of an inorganic filler (including glass cloth) and an organic resin, and a glass substrate. Etc.

本発明の透明電極基板は、上記導電性樹脂組成物を、上記透明基体上に塗布し、乾燥、露光により硬化して導電層を形成することにより製造することができる。 The transparent electrode substrate of this invention can be manufactured by apply | coating the said conductive resin composition on the said transparent base | substrate, hardening by drying and exposure, and forming a conductive layer.

さらに、本発明の透明電極基板へのパターニング方法について説明する。
パターニングの手法としては、ウェットエッチングやリフトオフ法が挙げられる。
Furthermore, the patterning method to the transparent electrode substrate of this invention is demonstrated.
Examples of the patterning method include wet etching and a lift-off method.

まず、ウェットエッチングによる導電層のパターニング方法の一例としてポジ型レジストを使用する場合を例に上げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、ネガ型のレジストを使用することもできる。
透明基体上に導電性樹脂組成物をコーティングし、この透明基体上にレジストを塗布し、所望のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。次に露光した部分のレジストを現像液で除去し導電層を露出させる。現像した基板にエッチング液を用いてエッチングし、導電層を除去しパターニングする。その後、残存するレジスト部を剥離剤を使用して除去し、導電層がパターニングされた基板を得ることができる。
First, a case where a positive resist is used as an example of a conductive layer patterning method by wet etching will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and a negative resist may be used. it can.
A conductive resin composition is coated on a transparent substrate, a resist is coated on the transparent substrate, and exposed through a photomask having a desired pattern. Next, the exposed resist is removed with a developing solution to expose the conductive layer. The developed substrate is etched using an etchant, and the conductive layer is removed and patterned. Thereafter, the remaining resist portion is removed using a release agent, and a substrate on which the conductive layer is patterned can be obtained.

上記ウェットエッチングによる導電層のパターニング方法に使用するレジストとしては、汎用のフォトレジストやドライフィルムレジストが使用できる。
当該フォトレジストは、紫外線を照射した部分が現像液に溶解するポジ型と紫外線を照射した部分が現像液に不溶化するネガ型があり、ポジ型は液体のレジストが多く、ディスプレイではLCD等の線幅(ライン)が数μm〜数十μmのオーダーのエッチングに用いられる。ポジ型の液体レジストはナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含むものが好ましい。ノボラック樹脂はクレゾールノボラック樹脂であることがより好ましい。
ネガ型は液体レジスト以外にドライフィルムレジストがあり、ディスプレイではPDP(プラズマディスプレイパネル)等の線幅が数十μmオーダーのエッチングに用いられている。
ポジ型とネガ型どちらのタイプのレジストも使用可能であり、目的とするパターンの精細度と使い勝手から選択すればよい。
A general-purpose photoresist or dry film resist can be used as the resist used in the conductive layer patterning method by wet etching.
There are two types of photoresists: a positive type in which the UV-irradiated part dissolves in the developer, and a negative type in which the UV-irradiated part becomes insoluble in the developer. The width (line) is used for etching in the order of several μm to several tens of μm. The positive type liquid resist preferably contains a naphthoquinone diazide compound and a novolac resin. More preferably, the novolac resin is a cresol novolac resin.
The negative type includes a dry film resist in addition to a liquid resist, and the display is used for etching of a PDP (plasma display panel) or the like whose line width is on the order of several tens of micrometers.
Both positive type and negative type resists can be used, and it is only necessary to select the desired pattern definition and usability.

上記ウェットエッチングによる導電層のパターニング方法に使用する現像液としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液等の有機系現像液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液などの、無機系現像液等が挙げられる。 Examples of the developer used for the conductive layer patterning method by wet etching include organic developers such as tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, and inorganic developers such as sodium carbonate aqueous solution and potassium carbonate aqueous solution.

上記ウェットエッチングによる導電層のパターニング方法に使用するエッチング液としては、硝酸セリウムアンモニウムを含有するエッチング液、硫酸セリウムアンモニウムを含有するエッチング液、及び次亜塩素酸塩水溶液であるエッチング液等が使用できる。 As an etching solution used in the conductive layer patterning method by wet etching, an etching solution containing cerium ammonium nitrate, an etching solution containing cerium ammonium sulfate, an etching solution that is an aqueous hypochlorite solution, or the like can be used. .

上記ウェットエッチングによる導電層のパターニング方法に使用する剥離剤としては、レジストパターンの剥離能を有するものであり、(a)窒素原子を含有しない非プロトン性有機溶剤(非プロトン性有機溶剤(a))、並びに、(b)化学構造中に窒素原子を有し、かつ、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物および第四級アンモニウム塩以外の有機溶剤(有機溶剤(b))よりなる群から選択された少なくとも1種の有機溶剤を含有することが必要であり、前記非プロトン性有機溶剤(a)および/または前記有機溶剤(b)を主成分とすることがより好ましく、前記非プロトン性有機溶剤(a)または前記有機溶剤(b)を主成分とすることがさらに好ましい。 The release agent used in the conductive layer patterning method by wet etching has a resist pattern peeling ability, and (a) an aprotic organic solvent (aprotic organic solvent (a) containing no nitrogen atom) And (b) a group having a nitrogen atom in the chemical structure and an organic solvent (organic solvent (b)) other than the primary amine compound, secondary amine compound and quaternary ammonium salt. It is necessary to contain at least one organic solvent selected from the group consisting of the aprotic organic solvent (a) and / or the organic solvent (b). More preferably, the organic solvent (a) or the organic solvent (b) is a main component.

本発明において、非プロトン性有機溶剤とは、プロトンを供与する能力が著しく低い有機溶剤を意味する。これに対してプロトン性有機溶剤とは、自分自身で解離してプロトンを生じる溶剤をいい、水、メタノールやエタノールのようなアルコール、酢酸のようなカルボン酸、フェノール、液体アンモニアなどがその例である。 In the present invention, an aprotic organic solvent means an organic solvent having a remarkably low ability to donate protons. In contrast, a protic organic solvent is a solvent that dissociates itself and generates protons, such as water, alcohols such as methanol and ethanol, carboxylic acids such as acetic acid, phenol, and liquid ammonia. is there.

(a)非プロトン性有機溶剤
本発明において、前記非プロトン性有機溶剤(a)は、ジメチルスルホン等のジアルキルスルホン類、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド等のジアルキルスルホキシド類、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の炭酸アルキレン類、および、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン、ε−カプロラクトン等のアルキロラクトン類よりなる群から選択された、化学構造中に酸素原子および/または硫黄原子を含み、かつ、窒素原子を含有しない非プロトン性有機溶剤であることが好ましい。これらの非プロトン性有機溶剤(a)は、単独でも2種以上を混合して用いてもよい。
(A) Aprotic organic solvent In the present invention, the aprotic organic solvent (a) is a dialkyl sulfone such as dimethyl sulfone, a dialkyl sulfoxide such as dimethyl sulfoxide or diethyl sulfoxide, or a carbonic acid such as ethylene carbonate or propylene carbonate. Selected from the group consisting of alkylenes and alkylolactones such as γ-butyrolactone, δ-valerolactone, ε-caprolactone, etc., containing an oxygen atom and / or a sulfur atom in the chemical structure, and a nitrogen atom An aprotic organic solvent not contained is preferable. These aprotic organic solvents (a) may be used alone or in admixture of two or more.

また、前記ジアルキルスルホキシド類および前記ジアルキルスルホン類は、2つのアルキル基が結合して環を形成してもよく、例えば、ジアルキルスルホン類は、スルホラン、テトラメチルスルホラン等のスルホラン類をも含む意である。 The dialkyl sulfoxides and the dialkyl sulfones may form a ring by bonding two alkyl groups. For example, the dialkyl sulfones includes sulfolanes such as sulfolane and tetramethylsulfolane. is there.

なお、本発明において、化学構造中に酸素原子および/または硫黄原子を含み、かつ、窒素原子を含まない他の非プロトン性有機溶剤を併用することができる。 In the present invention, another aprotic organic solvent containing an oxygen atom and / or a sulfur atom in the chemical structure and not containing a nitrogen atom can be used in combination.

(b)化学構造中に窒素原子を有し、かつ、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物および有機第四アンモニウム塩以外の有機溶剤
ここで、第一級アミン化合物とは、アンモニア(NH3)の水素原子の1つを炭化水素残基で置換した化合物であり、第二級アミン化合物とは、アンモニア(NH3)の水素原子2つを炭化水素残基で置換した化合物である。また、第四アンモニウム塩は、アンモニウム塩(NH4X)の窒素原子についている4個の水素原子を全て炭化水素残基で置換したイオン性の化合物である。
本発明において有機溶剤(b)は、第三級アミン化合物またはアミド化合物であることが好ましい。なお、本発明において、アミド化合物は、−C=O−NRa−の部分構造を有するものであればよく、ウレア化合物を含む意である。ここで、Raは水素原子または一価の置換基を表す。
これらの中でも、有機溶剤(b)は、アミド化合物であることが好ましい。
(B) a chemical compound having a nitrogen atom and an organic solvent other than a primary amine compound, a secondary amine compound and an organic quaternary ammonium salt, wherein the primary amine compound is ammonia (NH 3 ) is a compound in which one of the hydrogen atoms is substituted with a hydrocarbon residue, and the secondary amine compound is a compound in which two hydrogen atoms of ammonia (NH 3 ) are substituted with a hydrocarbon residue. The quaternary ammonium salt is an ionic compound in which all four hydrogen atoms attached to the nitrogen atom of the ammonium salt (NH 4 X) are substituted with hydrocarbon residues.
In the present invention, the organic solvent (b) is preferably a tertiary amine compound or an amide compound. In the present invention, the amide compound only needs to have a partial structure of —C═O—NR a — and includes a urea compound. Here, R a represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.
Among these, the organic solvent (b) is preferably an amide compound.

かかる有機溶剤(b)としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドン等のN−アルキルピロリドン類やN−アルケニルピロリドン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のジアルキルカルボアミド類、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルリン酸トリアミド、トリエタノールアミン等が例示される。 Examples of the organic solvent (b) include N-alkylpyrrolidones such as N-methyl-2-pyrrolidone and N-vinyl-2-pyrrolidone, N-alkenylpyrrolidones, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethyl. Examples thereof include dialkylcarboxamides such as acetamide and N, N-diethylacetamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, tetramethylurea, hexamethylphosphoric triamide, triethanolamine and the like.

これらの有機溶剤(b)は、単独でも2種以上を混合して用いてもよい。 These organic solvents (b) may be used alone or in admixture of two or more.

なお、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物および有機第四アンモニウム塩は、剥離剤全体としても含有しないことが好ましく、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物および有機第四アンモニウム塩の含有量は剥離剤全体の5重量%以下であることが好ましく、より好ましくは3重量%以下であり、さらに好ましくは含有しないことである。 The primary amine compound, secondary amine compound and organic quaternary ammonium salt are preferably not contained as a whole release agent, and the primary amine compound, secondary amine compound and organic quaternary ammonium salt The content is preferably 5% by weight or less of the entire release agent, more preferably 3% by weight or less, and still more preferably not contained.

本発明において、非プロトン性有機溶剤(a)または有機溶剤(b)をそれぞれ単独で使用することもできるし、非プロトン性有機溶剤(a)および有機溶剤(b)を併用することもできる。
非プロトン性有機溶剤(a)と有機溶剤(b)との混合物は、導電性高分子からのレジスト膜の剥離性がよく、導電性高分子の表面抵抗を高めない、つまり導電性を悪化させず、かつ、基材と導電性高分子の密着性も悪化させない点で好ましい。
非プロトン性有機溶剤(a)と有機溶剤(b)との割合は、(a)/(b)=99/1〜10/90(重量比)が好ましく、(a)/(b)=70/30〜20/80(重量比)がより好ましい。
In the present invention, the aprotic organic solvent (a) or the organic solvent (b) can be used alone, or the aprotic organic solvent (a) and the organic solvent (b) can be used in combination.
The mixture of the aprotic organic solvent (a) and the organic solvent (b) has good releasability of the resist film from the conductive polymer and does not increase the surface resistance of the conductive polymer, that is, deteriorates the conductivity. And the adhesion between the substrate and the conductive polymer is not deteriorated.
The ratio of the aprotic organic solvent (a) to the organic solvent (b) is preferably (a) / (b) = 99/1 to 10/90 (weight ratio), and (a) / (b) = 70. / 30-20 / 80 (weight ratio) is more preferable.

本発明において、剥離剤には、前記非プロトン性有機溶剤(a)および有機溶剤(b)の他に、剥離特性を落とさない範囲で、その他の化合物を添加することができる。かかる化合物としては、メタノール、エタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のアルキレングリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等の引火点が21℃以上のグリコールエーテル類、水等が例示される。
非プロトン性有機溶剤(a)および/または有機溶剤(b)以外の成分は、合計で、剥離剤の総重量に対して0〜50重量%であることが好ましい。より好ましくは0〜30重量%であり、さらに好ましくは0〜10重量%であり、特に好ましいのは0〜5重量%であり、最も好ましくは0〜3重量%である。
In the present invention, in addition to the aprotic organic solvent (a) and the organic solvent (b), other compounds can be added to the release agent as long as the release characteristics are not deteriorated. Examples of such compounds include alcohols such as methanol, ethanol, ethylene glycol, and glycerin, alkylene glycols such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether. Examples thereof include glycol ethers having a flash point of 21 ° C. or higher, water and the like.
The components other than the aprotic organic solvent (a) and / or the organic solvent (b) are preferably 0 to 50% by weight based on the total weight of the release agent. More preferably, it is 0-30 weight%, More preferably, it is 0-10 weight%, Especially preferably, it is 0-5 weight%, Most preferably, it is 0-3 weight%.

次に、リフトオフ法による導電層のパターニング方法の一例を説明する。
リフトオフ法による、本発明の所望のパターンを有する当面電極基板の形成方法は、(1)基板上に目的とする透明電極パターンの逆パターンを、感放射線性樹脂組成物により形成する工程、(2)該逆パターンを有する基板の表面に、導電性樹脂組成物を塗布・乾燥し、該パターンと該基板表面との全体を覆う透明導電膜を形成する工程、および(3)該透明導電膜が形成された基板を剥離剤で処理することにより、該逆パターンを、該パターン上の透明導電膜と共に除去し、目的の透明電極のパターンを得る工程からなる。
Next, an example of a method for patterning a conductive layer by a lift-off method will be described.
The method for forming a current electrode substrate having a desired pattern according to the present invention by the lift-off method is as follows: (1) a step of forming a reverse pattern of the target transparent electrode pattern on the substrate with a radiation sensitive resin composition; A step of applying and drying a conductive resin composition on the surface of the substrate having the reverse pattern to form a transparent conductive film that covers the entire surface of the pattern and the substrate, and (3) the transparent conductive film By treating the formed substrate with a release agent, the reverse pattern is removed together with the transparent conductive film on the pattern to obtain a target transparent electrode pattern.

上記感放射線性樹脂組成物としては、ポジ型感放射線性樹脂組成物およびネガ型感放射線性樹脂組成物のいずれをも用いることができる。ポジ型感放射線性樹脂組成物としては、フェノールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとの混合物(例えば、フェノールノボラック樹脂約80%とナフトキノンジアジド約20%との混合物)が代表的である。ネガ型感放射線性樹脂組成物としては、環化ゴムと芳香族ビスアジドとの混合物、およびフェノール樹脂と芳香族アジドとの混合物などがある。 As the radiation sensitive resin composition, any of a positive radiation sensitive resin composition and a negative radiation sensitive resin composition can be used. A typical positive radiation sensitive resin composition is a mixture of a phenol novolac resin and naphthoquinone diazide (for example, a mixture of about 80% phenol novolac resin and about 20% naphthoquinone diazide). Examples of the negative radiation sensitive resin composition include a mixture of a cyclized rubber and an aromatic bisazide, and a mixture of a phenol resin and an aromatic azide.

上記基板上に逆パターンを形成するには、例えば、まず基板上に、溶媒または分散媒を含む上記感放射線性樹脂組成物を塗布した後、これを加熱・乾燥させて、感放射線性樹脂組成物層を形成する。塗布する方法としては、スピンコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、ブレードコーティング、スプレーコーティングなどの方法が挙げられる。 In order to form a reverse pattern on the substrate, for example, first, the radiation-sensitive resin composition containing a solvent or a dispersion medium is applied onto the substrate, and then heated and dried to form a radiation-sensitive resin composition. A physical layer is formed. Examples of the application method include spin coating, roll coating, dip coating, slit coating, blade coating, and spray coating.

このようにして形成される感放射線性樹脂組成物層の膜厚は、特に限定されないが、0.5〜50μmが好ましく、さらに好ましくは1〜10μmの範囲である。膜厚が薄すぎると導電層のパターンの解像度が低下し、逆に、膜厚が必要以上に厚すぎても解像度は向上しない。 Although the film thickness of the radiation sensitive resin composition layer formed in this way is not specifically limited, 0.5-50 micrometers is preferable, More preferably, it is the range of 1-10 micrometers. If the film thickness is too thin, the resolution of the pattern of the conductive layer is lowered. Conversely, if the film thickness is too thick, the resolution is not improved.

次に、得られた感放射線性樹脂組成物層を以下のようにパターニングすることにより、目的とする導電層パターンとは逆のパターンが形成される。感放射線性樹脂組成物としてポジ型感放射線性樹脂組成物を用いる場合は、まず基板上の感放射線性樹脂組成物層表面に、目的とする導電層パターンの逆パターン(形成される感放射線性樹脂組成物薄膜のパターンと同一のパターン)の遮光層を有するフォトマスクを載置し、これを通して放射線を照射する。照射された部分は、所定の溶剤に対して可溶性となる。次に、該溶剤により照射部分を溶解して除去し、目的とする導電層パターンの逆パターンが得られる。 Next, a pattern opposite to the intended conductive layer pattern is formed by patterning the obtained radiation-sensitive resin composition layer as follows. When using a positive-type radiation-sensitive resin composition as the radiation-sensitive resin composition, first, on the surface of the radiation-sensitive resin composition layer on the substrate, a reverse pattern of the desired conductive layer pattern (radiation sensitivity to be formed). A photomask having a light-shielding layer having the same pattern as that of the resin composition thin film is placed and irradiated with radiation. The irradiated part becomes soluble in a predetermined solvent. Next, the irradiated portion is dissolved and removed with the solvent, and a reverse pattern of the intended conductive layer pattern is obtained.

他方、ネガ型感放射線性樹脂組成物の場合は、まず、ポジ型の場合と同様に、基板上に感放射線性樹脂組成物層を有する積層体を準備する。この該樹脂組成物層表面に、目的とする導電層とは逆のパターンの遮光層を有するフォトマスクを載置し、これを通して放射線を照射する。照射前の感放射線性樹脂組成物薄膜のパターンは所定の溶剤に可溶であるが、照射された部分は、硬化して該溶剤に不溶となる。そのため、遮光部分を該溶剤により溶解して除去し、目的とする導電層パターンの逆パターンを形成することができる。 On the other hand, in the case of a negative radiation-sensitive resin composition, first, a laminate having a radiation-sensitive resin composition layer on a substrate is prepared as in the case of a positive type. On the surface of the resin composition layer, a photomask having a light shielding layer having a pattern opposite to that of the target conductive layer is placed, and radiation is irradiated through the photomask. The pattern of the radiation-sensitive resin composition thin film before irradiation is soluble in a predetermined solvent, but the irradiated portion is cured and becomes insoluble in the solvent. Therefore, the light-shielding portion can be dissolved and removed with the solvent to form a reverse pattern of the target conductive layer pattern.

次に、導電性樹脂組成物を、逆パターンの上を覆うように塗布する。スピンコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、ブレードコーティング、スプレーコーティングなどの方法で逆パターンを有する基板上に塗布され、加熱・乾燥させることにより、導電層が形成される。液状組成物が塗布されるため、導電層は、基板表面および逆パターンの薄膜表面全体(側面を含む)に付与される。 Next, the conductive resin composition is applied so as to cover the reverse pattern. The conductive layer is formed by applying onto a substrate having a reverse pattern by spin coating, roll coating, dip coating, slit coating, blade coating, spray coating, or the like, followed by heating and drying. Since the liquid composition is applied, the conductive layer is applied to the entire surface (including side surfaces) of the substrate surface and the thin film having the reverse pattern.

導電層の膜厚は、特に限定されないが、0.01〜0.8μmが好ましく、さらに好ましくは0.04〜0.3μmの範囲である。膜厚が薄すぎると薄膜に十分な機能が付与できず、逆に、膜厚が厚すぎるとパターンの解像度が低下する。 Although the film thickness of a conductive layer is not specifically limited, 0.01-0.8 micrometer is preferable, More preferably, it is the range of 0.04-0.3 micrometer. If the film thickness is too thin, sufficient functions cannot be imparted to the thin film. Conversely, if the film thickness is too thick, the resolution of the pattern is lowered.

次に、上記基板上に形成された逆パターンを、該パターン上の導電層と共に除去する。これは、例えば、導電層が形成された基板を、感放射線性樹脂組成物あるいは可溶化された感放射線性樹脂組成物でなる薄膜を溶解し得る剥離剤に浸漬処理することにより達成される。 Next, the reverse pattern formed on the substrate is removed together with the conductive layer on the pattern. This is achieved, for example, by immersing the substrate on which the conductive layer is formed in a release agent that can dissolve a radiation-sensitive resin composition or a thin film made of a solubilized radiation-sensitive resin composition.

上記剥離剤は、感放射線性樹脂組成物の種類により異なるが、例えば、ポジ型感放射性樹脂であるクレゾールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとの混合物の場合は、剥離剤としてアミンなどのアルカリを含有する水溶液が、ネガ型感放射性樹脂である環化ゴムと芳香族ビスアジドとの混合物の場合には、剥離剤としてアルキルベンゼンスルホン酸などが利用され、フェノール樹脂と芳香族アジドとの混合物の場合は、剥離剤としてアミンなどのアルカリを含有する水溶液などが利用される。剥離剤は、導電層の空孔部分を通って、あるいは、該導電層に含まれるバインダーを溶解して侵入し、該パターンと接触し、これを溶解する。このことにより目的の導電層のパターンを得ることができる。 The release agent varies depending on the type of the radiation-sensitive resin composition. For example, in the case of a mixture of a cresol novolak resin that is a positive-type radiation-sensitive resin and naphthoquinone diazide, an aqueous solution containing an alkali such as an amine as the release agent. However, in the case of a mixture of cyclized rubber and aromatic bisazide, which is a negative radiation sensitive resin, alkylbenzene sulfonic acid or the like is used as a release agent, and in the case of a mixture of phenol resin and aromatic azide, a release agent. For example, an aqueous solution containing an alkali such as an amine is used. The release agent penetrates through the pores of the conductive layer or dissolves the binder contained in the conductive layer, contacts the pattern, and dissolves it. As a result, a desired pattern of the conductive layer can be obtained.

次に、本発明の透明電極基板を用いた電子ペーパーについて説明する。
本発明の電子ペーパーは、反射型電子ディスプレイであり、高精細且つ高コントラスト比を実現することが可能であり、基板上にディスプレイ媒体および該ディスプレイ媒体を駆動する薄膜トランジスタ(TFT)を有する。ディスプレイ媒体としては、従来知られているいかなるディスプレイ媒体でも用いることができる。電気泳動方式、電子粉粒体飛翔方式、荷電トナー方式、エレクトロクロミック方式等のいずれのディスプレイ媒体であっても好ましく用いられるが、電気泳動方式のディスプレイ媒体がより好ましく、なかでもマイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイ媒体が特に好ましい。電気泳動方式のディスプレイ媒体は、複数のカプセルを含むディスプレイ媒体であり、該複数のカプセルのそれぞれが懸濁流体内で移動可能な少なくとも1つの粒子を含む。ここでいう少なくとも1つの粒子は、電気泳動粒子または回転ボールであることが好ましい。また、電気泳動方式のディスプレイ媒体は、第1の面および該第1の面と対向する第2の面を有し、該第1および該第2の面の内の1つの面を介して観察イメージを表示する。また、基板上に設けられるTFTは、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、活性層とソース電極の間か活性層とドレイン電極の間の少なくとも一方に、電気的に接続する抵抗層をさらに有する。電子ペーパーは、電圧印加により光の濃淡を生じる。
Next, electronic paper using the transparent electrode substrate of the present invention will be described.
The electronic paper of the present invention is a reflective electronic display, can achieve high definition and a high contrast ratio, and has a display medium and a thin film transistor (TFT) for driving the display medium on a substrate. Any conventionally known display medium can be used as the display medium. Any display medium such as an electrophoretic method, an electronic powder particle flying method, a charged toner method, and an electrochromic method is preferably used, but an electrophoretic display medium is more preferable, and in particular, a microcapsule type electrophoresis. A display medium of the type is particularly preferred. An electrophoretic display medium is a display medium that includes a plurality of capsules, each of the plurality of capsules including at least one particle that is movable within the suspending fluid. The at least one particle referred to here is preferably an electrophoretic particle or a rotating ball. In addition, the electrophoretic display medium has a first surface and a second surface facing the first surface, and is observed through one of the first and second surfaces. Display an image. Further, the TFT provided on the substrate has at least a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, a source electrode, and a drain electrode, and at least one between the active layer and the source electrode or between the active layer and the drain electrode. It further has a resistance layer to be electrically connected. Electronic paper produces light shading when a voltage is applied.

次に、本発明の透明電極基板を用いた抵抗膜式スイッチについて説明する。
本発明の抵抗膜式スイッチは、第一導電層を透明基体上に有する第一導電性部材、第二導電層を基体上に有する第二導電性部材、及び絶縁スペーサーを有する抵抗膜式スイッチであって、該第一導電性部材及び/又は第二導電性部材が上記透明電極基板であり、該絶縁性スペーサーが、第二導電層上の一部に設けられ、そして第一導電層と第二導電層とが対向するように配置された構造である。
Next, a resistance film type switch using the transparent electrode substrate of the present invention will be described.
The resistive membrane switch of the present invention is a resistive membrane switch having a first conductive member having a first conductive layer on a transparent substrate, a second conductive member having a second conductive layer on the substrate, and an insulating spacer. The first conductive member and / or the second conductive member is the transparent electrode substrate, the insulating spacer is provided on a part of the second conductive layer, and the first conductive layer and the second conductive member In this structure, the two conductive layers are arranged to face each other.

この抵抗膜式スイッチがタッチスクリーンである場合、透明基体の表面(第一導電層と接していない表面)がタッチ面となる。タッチ面が指またはペンの先端などで押圧されると、第一導電性部材が変形し、その押圧された部分の第一導電層が第二導電層に接触する。その結果、接触部分において電気が導通し、電気信号が出力可能となり、抵抗膜スイッチが作動あるいは駆動する。この電気信号を利用することにより、本抵抗膜スイッチは入力装置として機能する。 When this resistive film type switch is a touch screen, the surface of the transparent substrate (the surface not in contact with the first conductive layer) becomes the touch surface. When the touch surface is pressed with a finger or the tip of a pen, the first conductive member is deformed, and the pressed portion of the first conductive layer comes into contact with the second conductive layer. As a result, electricity is conducted at the contact portion, an electric signal can be output, and the resistive film switch is activated or driven. By using this electrical signal, the resistive film switch functions as an input device.

本発明の抵抗膜式スイッチを構成する第一導電性部材は、透明基体上に導電性の薄膜(第一導電層)が形成されてなる。この第一導電性部材としては、上記透明電極基板が用いられる。この透明電極基板の導電層は、第一導電層である。透明基体の大きさは、例えば、抵抗膜式スイッチがタッチスクリーン等である場合には、そのタッチスクリーン面と同等あるいはほぼ同等の大きさであるのが好ましい。透明基体の厚みは、例えば、抵抗膜式スイッチがタッチスクリーン等である場合には、機械的強度が十分でかつ適度な可撓性を示す程度の厚みであれば充分である。第一導電性部材は、この透明基体上に、上記導電性樹脂組成物を塗布し、乾燥し、薄膜を形成することにより得られる。 The first conductive member constituting the resistance film type switch of the present invention is formed by forming a conductive thin film (first conductive layer) on a transparent substrate. The transparent electrode substrate is used as the first conductive member. The conductive layer of this transparent electrode substrate is a first conductive layer. For example, when the resistive film type switch is a touch screen or the like, the size of the transparent substrate is preferably the same or almost the same size as the touch screen surface. For example, when the resistive film type switch is a touch screen or the like, the thickness of the transparent substrate is sufficient as long as the mechanical strength is sufficient and moderate flexibility is exhibited. The first conductive member is obtained by applying the conductive resin composition on the transparent substrate, drying it, and forming a thin film.

上記第一導電層は、透明基体上の全面に形成されていてもよいし、一部に形成されていてもよい。後者の場合、抵抗膜式スイッチがタッチスクリーン等である場合において、電極や配線パターンなどを形成するスペースを確保することができる等の点で有利である。即ち、タッチスクリーン等においては、ITO導電層が全面に形成された基体を用いると、これをエッチングにより除去したり、絶縁フィルムなどにより被覆を行うという複雑で高コストな処理が必要となるのに対して、導電層が部分的に形成されている場合はこのような処理が必要ではないという点で有利である。 The first conductive layer may be formed on the entire surface of the transparent substrate or may be formed in part. In the latter case, when the resistive film type switch is a touch screen or the like, it is advantageous in that a space for forming an electrode, a wiring pattern or the like can be secured. That is, in a touch screen or the like, if a substrate having an ITO conductive layer formed on the entire surface is used, it is necessary to perform complicated and expensive processing such as etching removal or covering with an insulating film or the like. On the other hand, when the conductive layer is partially formed, it is advantageous in that such treatment is not necessary.

第一導電性部材は、光学的には透明に優れ、可撓性であるのが好ましい。可撓性であることにより、該第一導電性部材は、押圧により変形可能であり、押圧された場合に第二導電性部材に部分的に接触可能とすることができる。導電性の程度、即ち抵抗率等については、特に制限はなく、目的に応じて必要とされる程度となるように適宜決定することができる。例えば、一般に用いられるタッチスクリーンにおける透明導電層の抵抗率と同様の範囲とすることができる。なお、前記第一導電性部材の大きさは、例えば、タッチスクリーンに利用される場合には、そのタッチスクリーン面と同等かほぼ同等の大きさであるのが好ましい。 The first conductive member is preferably optically excellent in transparency and flexible. By being flexible, the first conductive member can be deformed by pressing, and when pressed, the first conductive member can partially contact the second conductive member. There is no restriction | limiting in particular about the grade of electroconductivity, ie, a resistivity, It can determine suitably so that it may become a required grade according to the objective. For example, it can be in the same range as the resistivity of the transparent conductive layer in a commonly used touch screen. For example, when the first conductive member is used in a touch screen, it is preferable that the first conductive member has the same or almost the same size as the touch screen surface.

本発明の抵抗膜式スイッチを構成する第二導電性部材は、基体上に導電性の薄膜(第二導電層)が形成されてなる。この基体の材料、色、形状、構造、大きさ等については特に制限がなく、目的に応じて適宜選択することができる。基体の具体的な材料としては、例えば、硬度に優れ、表面への導電層の形成が容易であるなどの点で、ガラス、樹脂などが好適に挙げられる。基体に用いられ得る樹脂としては、硬質樹脂などが挙げられる。 The second conductive member constituting the resistance film type switch of the present invention is formed by forming a conductive thin film (second conductive layer) on a base. There are no particular restrictions on the material, color, shape, structure, size, etc. of this substrate, and it can be appropriately selected according to the purpose. Specific examples of the material for the substrate include, for example, glass and resin in view of excellent hardness and easy formation of a conductive layer on the surface. Examples of the resin that can be used for the substrate include a hard resin.

硬質樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、硬質ポリ塩化ビニル樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリマレイミド樹脂などが挙げられる。 Examples of the hard resin include acrylic resin, methacrylic resin, hard polyvinyl chloride resin, polysulfone resin, polyether sulfone resin, polyether ether ketone resin, polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyacetal resin. , Polyamide resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polymaleimide resin and the like.

基体は、光学的には不透明であってもよいが、目的に応じて透明または半透明の材料、特に透明の材料が好適に用いられる。基体の形状も特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、液晶表示器などに配置される観点から板状の形状が好適である。基体は、例えば、単独の部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよく、この場合、積層構造などであるのが好ましい。例えば、2種の樹脂フィルムからなる積層体などが挙げられる。基体の大きさは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、前記第一導電性部材の大きさと略同等の大きさが採用される。 The substrate may be optically opaque, but a transparent or translucent material, particularly a transparent material, is preferably used depending on the purpose. The shape of the substrate is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a plate-like shape is preferable from the viewpoint of being disposed in a liquid crystal display or the like. The substrate may be formed of, for example, a single member or may be formed of two or more members. In this case, it is preferably a laminated structure. For example, the laminated body which consists of 2 types of resin films is mentioned. There is no restriction | limiting in particular in the magnitude | size of a base | substrate, According to the objective, it can select suitably. For example, a size approximately equal to the size of the first conductive member is employed.

上記第二導電層を形成し得る材料としては、特に制限はなく、当該分野で一般に用いられる導電性材料の中から適宜選択することができる。そのような導電性材料としては、例えば、ITOが挙げられ、その他にも上記本発明の導電性樹脂組成物などが利用可能である。上記ITOでなる導電層は、蒸着法、スパッタリング法などの公知の薄膜形成方法により形成することができる。本発明の導電性樹脂組成物を用いる場合は、基体上に、上記第一導電層と同様の塗布などの工程により導電層が形成される。 There is no restriction | limiting in particular as a material which can form said 2nd conductive layer, It can select suitably from the electroconductive materials generally used in the said field | area. Examples of such a conductive material include ITO, and the conductive resin composition of the present invention can be used. The conductive layer made of ITO can be formed by a known thin film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method. When the conductive resin composition of the present invention is used, a conductive layer is formed on the substrate by a process such as coating similar to the first conductive layer.

第二導電性部材として、上記第一導電性部材と同様の構成のフィルムとすることも可能である。この場合、第一導電性部材および第二導電性部材の双方が可撓性を有する結果、該抵抗膜式スイッチを曲面状に設計および配置等することができ、設置場所、デザインの選択の自由度を向上させることができる。また、ガラス等の硬質材料を使用しない場合には小型軽量化が可能であり、携帯性に優れた抵抗膜式スイッチが得られる点で有利である。 The second conductive member can be a film having the same configuration as the first conductive member. In this case, since both the first conductive member and the second conductive member are flexible, the resistive switch can be designed and arranged in a curved shape, and the installation location and the design can be freely selected. The degree can be improved. Further, when a hard material such as glass is not used, it is possible to reduce the size and weight, which is advantageous in that a resistance film type switch excellent in portability can be obtained.

本発明に用いられる絶縁性スペーサーの形状、構造、材質、大きさ等については特に制限はなく、当該分野で一般に用いられるものの中から適宜選択することができる。絶縁性スペーサーの材料としては、例えば、アクリル系樹脂などが挙げられる。絶縁性スペーサーの形状としては、円柱状、半球状、直方体状などが挙げられる。この絶縁性スペーサーは、基体の上に形成された第二導電層の表面に形成される。具体的には、公知のフォトリソグラフィーなどの方法が採用され得る。 The shape, structure, material, size and the like of the insulating spacer used in the present invention are not particularly limited, and can be appropriately selected from those generally used in the field. Examples of the insulating spacer material include acrylic resins. Examples of the shape of the insulating spacer include a columnar shape, a hemispherical shape, and a rectangular parallelepiped shape. This insulating spacer is formed on the surface of the second conductive layer formed on the substrate. Specifically, a known method such as photolithography can be employed.

本発明の抵抗膜式スイッチは、上記の構成要素のほか、必要に応じて適宜選択したその他の部材を有していてもよい。その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、電極、ランドパターン、配線パターン、ドットスペーサーなどが挙げられる。 The resistance film type switch of the present invention may have other members appropriately selected as necessary in addition to the above-described components. There is no restriction | limiting in particular as another member, According to the objective, it can select suitably. For example, an electrode, a land pattern, a wiring pattern, a dot spacer, etc. are mentioned.

前記電極、前記ランドパターン、前記配線パターンなどを構成する材料、その形状、構造、大きさ等については、導電性の素材である限り特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができる。前記材料としては、例えば、ポリエステル系銀ペーストなどが挙げられる。前記電極、前記ランドパターン、前記配線パターンなどの形成方法としては、特に制限はなく、当該分野で一般に用いられる方法の中から適宜選択することができ、例えば、塗布方法、印刷方法などの方法が挙げられる。 The material constituting the electrode, the land pattern, the wiring pattern, etc., its shape, structure, size, etc. are not particularly limited as long as it is a conductive material, and can be appropriately selected from known materials. . Examples of the material include polyester silver paste. A method for forming the electrode, the land pattern, the wiring pattern and the like is not particularly limited and can be appropriately selected from methods generally used in the field. For example, a method such as a coating method or a printing method can be used. Can be mentioned.

前記ドットスペーサーの材料、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができる。ドットスペーサーに用いられる材料としては、例えば、アクリル系樹脂などが挙げられ、その形状としては、例えば、円柱状、半球状、直方体状などが挙げられる。前記ドットスペーサーの形成方法としては、特に制限はなく、当該分野で一般に用いられる方法の中から適宜選択することができ、例えば、フォトリソグラフィーなどが挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular about the material of the said dot spacer, a shape, a structure, a magnitude | size, It can select suitably from well-known things. Examples of the material used for the dot spacer include an acrylic resin, and examples of the shape include a columnar shape, a hemispherical shape, and a rectangular parallelepiped shape. There is no restriction | limiting in particular as a formation method of the said dot spacer, It can select suitably from the methods generally used in the said field | area, For example, photolithography etc. are mentioned.

上記その他の部材のうち、電極は、第一導電性部材の第一導電層及び第二導電性部材の第二導電層に接触するように、電極以外の部材は第二導電層上に形成される。 Among the other members, the electrodes are formed on the second conductive layer so that the electrodes are in contact with the first conductive layer of the first conductive member and the second conductive layer of the second conductive member. The

このようにして得られた本発明の抵抗膜式スイッチは、透明性、および導電層の導電性に優れ、所定の部分を押圧したときの導通性に優れ、可撓性にも優れる。さらに、高温高湿の条件下で長時間保存した場合であっても導電層の表面抵抗率の上昇が効果的に抑制される。更には、低コストで所望の形状に量産可能である。そのため、各種分野に好適に使用することができる。例えば、タッチスクリーン、メンブランスイッチなどに特に好適に使用することができる。 The resistance film type switch of the present invention thus obtained is excellent in transparency and conductivity of the conductive layer, excellent in conductivity when a predetermined portion is pressed, and excellent in flexibility. Furthermore, even if it is a case where it preserve | saves for a long time on the conditions of high temperature and high humidity, the raise of the surface resistivity of a conductive layer is suppressed effectively. Furthermore, it can be mass-produced into a desired shape at a low cost. Therefore, it can be suitably used in various fields. For example, it can be particularly suitably used for touch screens, membrane switches and the like.

次に、本発明の透明電極基板を用いた静電容量スイッチについて説明する。
本発明の静電容量スイッチは、内部に備える電極に例えば指などの被検知物体が近づくと電極の静電容量が変化する現象を利用してスイッチのONとOFFを切り替えるためのスイッチ部の働きをするものであり、家電製品、音響機器、自動車のインジケータなどの表示パネルやキーボタンなどに用いられるスイッチの一つである。この静電容量スイッチは、電極の静電容量の変化を検出するための検出回路に接続され、検出回路は各種装置の作動を制御するための制御手段に接続される。例えば、透明基体上に、上記導電性樹脂組成物を塗布し、乾燥し、薄膜が電極として形成された静電容量スイッチがあり、例えば、タッチスクリーン、メンブランスイッチなどに特に好適に使用することができる。
Next, a capacitance switch using the transparent electrode substrate of the present invention will be described.
The capacitance switch of the present invention is a function of a switch unit for switching the switch ON and OFF by utilizing the phenomenon that the capacitance of the electrode changes when an object to be detected such as a finger approaches the electrode provided inside. It is one of switches used for display panels and key buttons for home appliances, audio equipment, automobile indicators, and the like. This capacitance switch is connected to a detection circuit for detecting a change in capacitance of the electrode, and the detection circuit is connected to a control means for controlling the operation of various devices. For example, there is a capacitance switch in which the conductive resin composition is applied on a transparent substrate, dried, and a thin film is formed as an electrode. For example, it is particularly preferably used for a touch screen, a membrane switch, and the like. it can.

次に、本発明の透明電極基板を用いた抵抗膜式スイッチ又は静電容量スイッチを有するキーボードについて説明する。
本発明のキーボードは、キーを導電層に押し付けることでスイッチのONとOFFを切り替える膜スイッチの1つであり、具体的には、パソコンのキーボード、携帯電話のスイッチ、炊飯器等家電製品に採用されているメンブレンスイッチなどが挙げられる。
Next, a keyboard having a resistance film type switch or a capacitance switch using the transparent electrode substrate of the present invention will be described.
The keyboard of the present invention is one of membrane switches that switches the switch on and off by pressing the key against the conductive layer. Specifically, it is used in household appliances such as PC keyboards, mobile phone switches, and rice cookers. The membrane switch etc. which are made are mentioned.

本発明の透明電極基板は、太陽電池、エレクトロミック素子、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイの電極等にも使用することができる。 The transparent electrode substrate of the present invention can also be used for an electrode of a solar cell, an electronic device, a liquid crystal display, a plasma display, an organic EL display, and the like.

以下に、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。 EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

(製造例1)
200mLのビーカーに、120gのメチルエチルケトン(MEK)、8.0gのメタノール、13.91gのp−トルエンスルホン酸鉄(III)(40%ブタノール溶液)、1.3g(3.3mmol)の上記構造式(2−3)で表される複素環含有芳香族化合物(以下、複素環含有芳香族化合物(2−3)ともいう)を加えた。
その後、氷浴下(内温5〜7℃)で2時間撹拌し、HPLCにて複素環含有芳香族化合物(2−3)の消失を確認した。これにより、p−トルエンスルホン酸ドープの複素環含有芳香族化合物(2−3)重合体MEK分散体110g(固形分1.5%)を得た。
(Production Example 1)
In a 200 mL beaker, 120 g of methyl ethyl ketone (MEK), 8.0 g of methanol, 13.91 g of iron (III) p-toluenesulfonate (40% butanol solution), 1.3 g (3.3 mmol) of the above structural formula A heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by (2-3) (hereinafter also referred to as a heterocyclic ring-containing aromatic compound (2-3)) was added.
Thereafter, the mixture was stirred for 2 hours in an ice bath (internal temperature of 5 to 7 ° C.), and disappearance of the heterocyclic ring-containing aromatic compound (2-3) was confirmed by HPLC. As a result, 110 g (solid content: 1.5%) of a p-toluenesulfonic acid-doped heterocyclic ring-containing aromatic compound (2-3) polymer MEK dispersion was obtained.

この複素環含有芳香族化合物(2−3)重合体MEK分散体については、GPC溶離液に溶解せず、GPC測定では、複素環含有芳香族化合物(2−3)重合体MEK分散体そのものの分子量を測定することは困難であった。しかし、上記重合反応において、複素環含有芳香族化合物(2−3)が完全に消失していることと、以下に示す導電性樹脂組成物の試験結果により本複素環含有芳香族化合物(2−3)重合体MEK分散体が導電性を示す結果が得られたことから、複素環含有芳香族化合物(2−3)重合体MEK分散体が生成していることが明らかである。 The heterocyclic ring-containing aromatic compound (2-3) polymer MEK dispersion does not dissolve in the GPC eluent, and the GPC measurement shows that the heterocyclic ring-containing aromatic compound (2-3) polymer MEK dispersion itself It was difficult to measure the molecular weight. However, in the polymerization reaction, the heterocycle-containing aromatic compound (2-3) has completely disappeared and the test results of the conductive resin composition shown below show that the heterocycle-containing aromatic compound (2- 3) From the result that the polymer MEK dispersion shows conductivity, it is clear that the heterocyclic ring-containing aromatic compound (2-3) polymer MEK dispersion is produced.

(比較製造例1)
2000mLの三口フラスコに、1.53g(10.9mmol)の3,4−エチレンジオキシチオフェン(EDOT)、410gのイオン交換水、253gの12.8質量%ポリスチレンスルホン酸水溶液、16.5g(0.41mmol)の1%硫酸鉄(III)水溶液を加えた。次いで、11.8g(6.6mmol)の10.9質量%ペルオキソ二硫酸水溶液を加えた。その後、室温下(約25℃)で24時間撹拌し、HPLCにてEDOTの消失を確認し、ポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)水分散体を650g(固形分1.3%)得た。
(Comparative Production Example 1)
In a 2000 mL three-necked flask, 1.53 g (10.9 mmol) of 3,4-ethylenedioxythiophene (EDOT), 410 g of ion-exchanged water, 253 g of 12.8 mass% polystyrene sulfonic acid aqueous solution, 16.5 g (0 .41 mmol) of 1% aqueous iron (III) sulfate solution was added. Next, 11.8 g (6.6 mmol) of 10.9 mass% peroxodisulfuric acid aqueous solution was added. Thereafter, the mixture was stirred at room temperature (about 25 ° C.) for 24 hours, disappearance of EDOT was confirmed by HPLC, and 650 g of a polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) aqueous dispersion ( Solid content 1.3%).

このPEDOT水分散体については、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を使用しているため、GPC測定では、PEDOTそのものの分子量を測定することは困難であった。しかし、上記重合反応において、EDOTが完全に消失していることと、以下に示す本発明の導電性樹脂組成物の試験結果により本水分散体が導電性を示す結果が得られたことから、PEDOTが生成していることが明らかである。 About this PEDOT aqueous dispersion, since polystyrene sulfonic acid is used as a dopant, it was difficult to measure the molecular weight of PEDOT itself by GPC measurement. However, in the above polymerization reaction, EDOT has completely disappeared, and the following results of the conductive resin composition of the present invention show that the water dispersion exhibits conductivity. It is clear that PEDOT is generated.

下記、表1に製造例1及び比較製造例1の配合を示す。 Table 1 below shows the formulation of Production Example 1 and Comparative Production Example 1.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

次に、下記の方法により、導電性樹脂組成物を製造した(実施例1及び比較例1)。なお、表2には、実施例及び比較例で製造した導電性樹脂組成物の配合を示した。 Next, the conductive resin composition was manufactured by the following method (Example 1 and Comparative Example 1). Table 2 shows the composition of the conductive resin compositions produced in Examples and Comparative Examples.

(実施例1)
製造例1で得た複素環含有芳香族化合物(2−3)重合体MEK分散体1.4g、ポリエステルバインダー(東亜合成社製、アロニックスM6100)0.05g、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬社製、KAYARAD DPHA)0.02g、アルキルフェノン系光重合開始剤(チバ・スペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184)0.002g、メチルエチルケトン4.0gを混合し、導電性樹脂組成物を製造した。
Example 1
1.4 g of the heterocyclic ring-containing aromatic compound (2-3) polymer MEK dispersion obtained in Production Example 1, polyester binder (Aronix M6100, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), dipentaerythritol hexaacrylate (Nippon Kayaku) KAYARAD DPHA), 0.02 g, alkylphenone photopolymerization initiator (Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 184) 0.002 g, and methyl ethyl ketone 4.0 g were mixed to produce a conductive resin composition.

(比較例1)
比較製造例1で得たポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)水分散体1.4g、ポリエステルバインダー(東亜合成社製、アロニックスM6100)0.05g、メラミン系架橋剤(住友化学社製、SumtexResinM−3)0.02g、エタノール1.0g、水1.0gを混合し、導電性樹脂組成物を製造した。
(Comparative Example 1)
Polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) aqueous dispersion 1.4 g obtained in Comparative Production Example 1, polyester binder (Aronix M6100, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) 0.05 g, melamine series A conductive resin composition was produced by mixing 0.02 g of a crosslinking agent (Sumitomo Chemical Co., SumtexResin M-3), 1.0 g of ethanol, and 1.0 g of water.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

実施例1及び比較例1で製造した導電性樹脂組成物について、下記評価を行った。
即ち、導電性樹脂組成物を、青板ガラス基板上にワイヤーバーにより塗布し、乾燥、高圧水銀灯の露光により硬化して厚さ0.8μmの導電層を形成した透明電極基板を作成した。そして、この導電層について、下記の方法により、表面抵抗率(SR)、全光線透過率(Tt)、ヘイズ値、密着性(碁盤目試験)、保存安定性 (SR上昇率、膜外観)、耐熱・耐湿熱性、導通率を測定した。結果を表3に示した。
The conductive resin compositions produced in Example 1 and Comparative Example 1 were evaluated as follows.
That is, the conductive resin composition was applied onto a blue glass substrate with a wire bar, dried, and cured by exposure to a high-pressure mercury lamp to form a transparent electrode substrate having a 0.8 μm thick conductive layer. And about this electroconductive layer, surface resistivity (SR), total light transmittance (Tt), haze value, adhesion (cross cut test), storage stability (SR increase rate, film appearance), Heat resistance, moist heat resistance, and conductivity were measured. The results are shown in Table 3.

表面抵抗値(SR)
JIS K 6911に従い、三菱化学(株)製、ハイレスターUP(MCP−HT450)を用いて測定した。
Surface resistance (SR)
According to JIS K6911, it measured using Mitsubishi Chemical Corporation make Hirestar UP (MCP-HT450).

全光線透過率(Tt)/ヘイズ値
JIS K 7150に従い、スガ試験機(株)製ヘイズコンピュータHGM−2Bを用いて測定した。
Total light transmittance (Tt) / haze value Measured according to JIS K 7150 using a haze computer HGM-2B manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.

密着性(碁盤目試験)
JIS K 5400の碁盤目剥離試験に従って行った。
Adhesion (cross cut test)
It was carried out in accordance with a grid peel test of JIS K 5400.

保存安定性
一定時間経過前後の表面抵抗率(SR)の上昇率、及び、液外観を指標に保存安定性を評価した。
即ち、調製直後の導電性樹脂組成物を用いて、上記方法で導電層を形成し、そのとき測定した表面抵抗率(SR)を初期表面抵抗率とし、更に、導電性樹脂組成物を40℃1週間の条件で暗所に保管した後、同様の方法で塗膜を形成し、測定した表面抵抗率(SR)を試験後表面抵抗率とし、試験後表面抵抗率を初期表面抵抗率で除することにより表面抵抗率(SR)の上昇率を算出した。
Storage stability Storage stability was evaluated using the rate of increase in surface resistivity (SR) before and after a certain time and the appearance of the liquid as indicators.
That is, using the conductive resin composition immediately after preparation, a conductive layer was formed by the above method, the surface resistivity (SR) measured at that time was used as the initial surface resistivity, and the conductive resin composition was further heated to 40 ° C. After storing in a dark place for 1 week, a coating film was formed in the same manner, and the measured surface resistivity (SR) was taken as the post-test surface resistivity, and the post-test surface resistivity was divided by the initial surface resistivity. As a result, the rate of increase in surface resistivity (SR) was calculated.

また、試験後表面抵抗率の測定に使用した導電性樹脂組成物を1時間静置後、その液状体を目視観察し、下記の基準で1〜3の3段階で評価した。
1:沈殿物は観察されない。
2:わずかに沈殿物が観察される。
3:大量の沈殿物が観察される。
Moreover, after leaving the conductive resin composition used for the measurement of the surface resistivity after the test for 1 hour, the liquid was visually observed and evaluated in three stages of 1 to 3 according to the following criteria.
1: No precipitate is observed.
2: A slight precipitate is observed.
3: A large amount of precipitate is observed.

耐熱性試験
95℃に調整したオーブンに、上記方法で形成した導電層を入れ、100時間後の表面抵抗率の上昇率を観察した。
Heat resistance test The conductive layer formed by the above method was placed in an oven adjusted to 95 ° C., and the rate of increase in surface resistivity after 100 hours was observed.

耐湿熱性試験
60℃、相対湿度93%に調整した恒温恒湿機に、上記方法で形成した導電層を入れ、100時間後の表面抵抗率の上昇率を観察した。
The conductive layer formed by the above method was placed in a thermo-hygrostat adjusted to 60 ° C. and a relative humidity of 93%, and the rate of increase in surface resistivity after 100 hours was observed.

導通率試験
上記方法で形成した導電層を用い、タッチパネル評価装置(タッチパネル研究所社製)を用いて、100g荷重で100点タッチした時の導通回数を導通率とした。
Conductivity test Using the conductive layer formed by the above method and using a touch panel evaluation device (manufactured by Touch Panel Laboratories), the number of conductions when 100 points were touched with a load of 100 g was defined as the conductivity.

Figure 2012064498
Figure 2012064498

(実施例2〜3、比較例2)
実施例1及び比較例1で製造した導電性樹脂組成物について、下記評価を行った。
即ち、導電性樹脂組成物を、東レ社製ポリエチレンテレフタレートフィルム ルミラーT60(厚み188μm)にワイヤーバーにより塗布し、乾燥、高圧水銀灯の露光により硬化して厚さ 0.8μmの導電層を形成し、透明電極基板を作成した。そして、この導電層について、上記の方法により、表面抵抗率(SR)、全光線透過率(Tt)、ヘイズ値を測定し、下記の方法により、パターニング後の端子間抵抗(kΩ)を測定した。結果を表4に示した。
(Examples 2-3, Comparative Example 2)
The conductive resin compositions produced in Example 1 and Comparative Example 1 were evaluated as follows.
That is, the conductive resin composition was applied to a polyethylene terephthalate film Lumirror T60 (thickness: 188 μm) manufactured by Toray Industries, Inc. with a wire bar, dried, and cured by exposure to a high-pressure mercury lamp to form a conductive layer having a thickness of 0.8 μm. A transparent electrode substrate was prepared. And about this conductive layer, surface resistivity (SR), total light transmittance (Tt), and haze value were measured by said method, and the resistance between terminals (kohm) after patterning was measured by the following method. . The results are shown in Table 4.

パターニング後の端子間抵抗(kΩ)測定試験
上記透明電極基板の導電層表面に、太陽インキ社製銀ペーストECM−100を当該基板の両端付近に各々1つずつ並行して塗布し、厚み50umの金属端子を配置した。これら各々の金属端子の同方向の片末端のみに、ソニーケミカル社製導電性粘着テープCU7636Rを当該基板の外側方向に5cm張り出すように貼り付け、各々取り出し電極を作成した。この各々の取り出し電極の末端に、三和電気計器株式会社製サンワ・デジタルマルチメータPC5000のテストリードの先端を各々強く接着させ、端子間抵抗(kΩ)を測定した。
Terminal resistance (kΩ) measurement test after patterning On the surface of the conductive layer of the transparent electrode substrate, a silver paste ECM-100 made by Taiyo Ink Co., Ltd. was applied in parallel near the both ends of the substrate. A metal terminal having a thickness of 50 μm was disposed. A conductive adhesive tape CU7636R manufactured by Sony Chemical Co., Ltd. was attached to only one end of each metal terminal in the same direction so as to protrude 5 cm toward the outer side of the substrate, and an extraction electrode was prepared for each. The tip of each test electrode of Sanwa Digital Multimeter PC5000 manufactured by Sanwa Electric Meter Co., Ltd. was strongly bonded to the end of each extraction electrode, and the resistance between terminals (kΩ) was measured.

下記の方法により、解像度を測定し、パターン形状を観察した。結果を表4に示した。 The resolution was measured by the following method, and the pattern shape was observed. The results are shown in Table 4.

解像度試験
青板ガラス上に、様々な線幅を有する格子状又はラインアンドスペース(LS)パターンをもつスクリーンを置き、その上からワイヤーバーにて導電性樹脂組成物の塗布を行った後、上記ウェットエッチング又はリフトオフ法にて製膜を行い、導電層を形成した。
描かれたパターンを顕微鏡観察し、欠陥無く描かれる最も数値の小さな線幅を解像度とした。
Resolution test A screen having a lattice shape or a line-and-space (LS) pattern having various line widths was placed on a blue plate glass, and a conductive resin composition was applied thereon with a wire bar. Thereafter, a film was formed by the wet etching or lift-off method to form a conductive layer.
The drawn pattern was observed with a microscope, and the smallest line width drawn without defects was taken as the resolution.

パターン形状試験
上記、解像度試験で用いた透明電極基板(青板ガラス基板)の、パターンの直線性や見えやすさを目視で確認し、良好であれば○、不良であれば×とした。

Figure 2012064498
Pattern shape test Visually check the linearity and visibility of the transparent electrode substrate (blue plate glass substrate) used in the above resolution test. did.
Figure 2012064498

以上の結果より、実施例2〜3の透明電極基板は、他の導電性高分子(ポリ(3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン))を含有する比較例2の透明電極基板に比べ、高い透明性を維持しつつ、導電性に優れ、かつ、密着性、保存安定性、導通率を高いレベルで維持することができ、耐熱性、耐湿熱性も良好であり、さらに、パターニングを行って得られた電極は、解像度の高いパターンが形成でき、パターン形状も良好であることが明らかとなった。 From the above results, the transparent electrode substrates of Examples 2 to 3 are more transparent than the transparent electrode substrate of Comparative Example 2 containing another conductive polymer (poly (3,4-polyethylenedioxythiophene)). In addition, it has excellent conductivity, maintains adhesion, storage stability, and conductivity at a high level, and also has good heat resistance and moist heat resistance, and is obtained by patterning. It was revealed that the electrode can form a high-resolution pattern and has a good pattern shape.

本発明の透明電極基板は、電子ペーパー、太陽電池、エレクトロミック素子、抵抗膜式スイッチ、静電容量スイッチ、また当該抵抗膜式スイッチ又は静電容量スイッチを用いたタッチスクリーン、キーボード、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイや有機ELディスプレイの製造に好適に使用することができる。 The transparent electrode substrate of the present invention is an electronic paper, a solar cell, an electronic device, a resistive switch, a capacitive switch, and a touch screen, keyboard, liquid crystal display using the resistive switch or capacitive switch, It can be suitably used for the production of plasma displays and organic EL displays.

Claims (11)

透明基体上に導電層が形成された透明電極基板であって、該導電層が、下記一般式(1)で表される複素環含有芳香族化合物を単量体とする(A)複素環含有芳香族ポリマー
M−N・・・(1)
(式中、Mは、置換若しくは無置換のチオフェン環基を表し、Nは、置換若しくは無置換のピロール環基を表す。Mによって表される環とNによって表される環は直接結合している。)、
を含有する導電性樹脂組成物により形成される、透明電極基板。
A transparent electrode substrate in which a conductive layer is formed on a transparent substrate, wherein the conductive layer contains a heterocycle-containing aromatic compound represented by the following general formula (1) as a monomer (A) containing a heterocycle Aromatic polymer MN (1)
(In the formula, M represents a substituted or unsubstituted thiophene ring group, and N represents a substituted or unsubstituted pyrrole ring group. The ring represented by M and the ring represented by N are directly bonded to each other. ),
A transparent electrode substrate formed of a conductive resin composition containing
前記複素環含有芳香族化合物は、下記一般式(2′)で表される複素環含有芳香族化合物である請求項1に記載の透明電極基板。
Figure 2012064498
(式中、RとRは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表すが、少なくとも一方は有機基を表す。また、RとRの双方が有機基を表す場合、これらは互いに結合して環構造を形成してもよい。)
The transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the heterocyclic ring-containing aromatic compound is a heterocyclic ring-containing aromatic compound represented by the following general formula (2 ′).
Figure 2012064498
(In the formula, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, but at least one represents an organic group. When both R 3 and R 4 represent an organic group, these May be bonded to each other to form a ring structure.)
前記複素環含有芳香族化合物は、下記構造式(2−1)〜(2−17)で表される複素環含有芳香族化合物のなかの少なくとも1つである請求項1又は2に記載の透明電極基板。
Figure 2012064498
Figure 2012064498
The transparent according to claim 1 or 2, wherein the heterocycle-containing aromatic compound is at least one of heterocycle-containing aromatic compounds represented by the following structural formulas (2-1) to (2-17). Electrode substrate.
Figure 2012064498
Figure 2012064498
前記透明基体が樹脂フィルムである請求項1〜3のいずれかに記載の透明電極基板。 The transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the transparent substrate is a resin film. 前記導電層がパターンを有していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の透明電極基板。 The transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the conductive layer has a pattern. 前記パターンがウエットエッチング又はリフトオフ法により形成されたものであることを特徴とする請求項5に記載の透明電極基板。 The transparent electrode substrate according to claim 5, wherein the pattern is formed by wet etching or a lift-off method. 請求項1〜6のいずれかに記載の透明電極基板を有することを特徴とする電子ペーパー。 An electronic paper comprising the transparent electrode substrate according to claim 1. 第一導電層を透明基体上に有する第一導電性部材、第二導電層を基体上に有する第二導電性部材、及び絶縁スペーサーを有する抵抗膜式スイッチであって、該第一導電性部材及び/又は第二導電性部材が請求項1〜6のいずれかに記載の透明電極基板であり、該絶縁性スペーサーが、第二導電層上の一部に設けられ、そして第一導電層と第二導電層とが対向するように配置された、抵抗膜式スイッチ。 A first conductive member having a first conductive layer on a transparent substrate, a second conductive member having a second conductive layer on the substrate, and a resistive film switch having an insulating spacer, the first conductive member And / or the second conductive member is the transparent electrode substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the insulating spacer is provided on a part of the second conductive layer, and the first conductive layer and A resistive film type switch disposed so as to face the second conductive layer. 第一導電層を透明基体上に有する第一導電性部材と第二導電層を基体上に有する第二導電性部材とから構成される静電容量スイッチ、又は透明基体の両面に第一導電層と第二導電層を有する第三導電性部材から構成される静電容量スイッチであって、該第一導電性部材、該第二導電性部材、該第三導電性部材のいずれかが請求項1〜6のいずれかに記載の透明電極基板である静電容量スイッチ。 Capacitance switch comprising a first conductive member having a first conductive layer on a transparent substrate and a second conductive member having a second conductive layer on the substrate, or a first conductive layer on both sides of the transparent substrate And a third conductive member having a second conductive layer, wherein the first conductive member, the second conductive member, or the third conductive member is claimed. The electrostatic capacity switch which is a transparent electrode substrate in any one of 1-6. 請求項8又は9のいずれかに記載のスイッチを有することを特徴とするタッチスクリーン。 A touch screen comprising the switch according to claim 8. 請求項8又は9のいずれかに記載のスイッチを有することを特徴とするキーボード。 A keyboard comprising the switch according to claim 8.
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