JP2012064435A - 発光装置の製造方法及び発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂層と無機膜とを積層して形成される発光装置において、樹脂層のエッジ部における無機膜の被覆性を向上させることのできる発光装置の製造方法及び発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、有機ＥＬ素子を備える基板１００上に有機ＥＬ素子を覆うように樹脂層１３５を形成する工程と、樹脂層１３５の端部にテーパ部２００を形成する工程と、樹脂層１３５上に無機膜４８を形成する工程と、を備える。樹脂層１３５にテーパ部２００を形成し、これに沿って無機膜４８を形成することによって、無機膜４８に断裂が生じることを防ぎ、無機膜４８を均一かつ所望の厚みで形成することができる。このため、封止性が高く耐久性に優れる発光装置８００が得られる。
【選択図】図６

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。

近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する。）等の自発光素子が２次元配列された自発光型の素子基板を備える発光装置又は表示装置の研究開発が行われている。

有機ＥＬ素子は、画素電極と、カソード電極と、これらの一対の電極間に形成された発光機能層と、を備える。発光機能層は、例えば有機ＥＬ層からなる。有機ＥＬ層は蛍光あるいは燐光を発光することが可能な材料、例えば共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成されている。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層において正孔と電子とが再結合する際に発生するエネルギーによって発光する。

有機ＥＬ素子に用いられる電極材料の中には、水分や酸素と接触することにより劣化しやすいものがある。水分や酸素の浸入を防ぐため、有機ＥＬ素子が形成された素子基板は封止される。封止にはいくつかの方法があるが、そのうちの１つに、例えば特許文献１に示すように、有機ＥＬ素子を樹脂層で被覆し、この樹脂層をさらに無機膜で被覆する方法がある。この方法では、有機ＥＬ素子を覆うように樹脂層が形成され、つづいてこの樹脂層の上に無機膜が形成される。

特開平７−１６９５６７号公報

このような樹脂層の形成方法として、例えば、未硬化の樹脂を有機ＥＬ素子上にいわゆるインクジェット方式で印刷する方法や、真空中でモノマを堆積させる方法が考えられる。このように形成された樹脂を硬化してなる樹脂層の上に無機膜が形成される。この際、樹脂層のエッジ部分の立ち上がりが基板に対して直角に近いと、無機膜を形成する際、樹脂層の側面が無機膜で十分に被覆されない場合がある。
樹脂層を形成するためのより簡便な方法として、予めフィルム状に形成したＵＶ硬化樹脂を素子基板と貼り合わせる方法も知られている。しかし、この方法ではほとんどの場合において樹脂層のエッジ部分の立ち上がりが基板に対して直角になるため、前述の問題がより起こりやすい。被覆が十分でない部分が存在すると、その部分から水分や酸素が浸入し、発光材料や電極材料の劣化が進むおそれがある。

本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、樹脂層と無機膜とを積層して形成される発光装置において、樹脂層のエッジ部における無機膜の被覆性を向上させることのできる発光装置の製造方法及び発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係る発光装置の製造方法は、
有機ＥＬ素子を備える基板上に、前記有機ＥＬ素子を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の端部にテーパ部を形成する工程と、
前記樹脂層上に無機膜を形成する工程と、
を備える。

前記テーパ部を形成する工程は、前記樹脂層の前記端部にテーパ生成部を押し当てて前記テーパ部を形成することが好ましい。
前記テーパ生成部は、前記樹脂層の前記端部が前記樹脂層のガラス転移温度以上に加熱された状態で前記樹脂層の前記端部を押し当て、前記樹脂層の前記端部が前記ガラス転移温度未満に冷却されてから、前記樹脂層の前記端部から離れることが好ましい。
前記テーパ生成部は、ローラであり、前記テーパ部を形成する工程は、前記ローラが、前記樹脂層に接している面において、前記樹脂層の中心方向に向けて回転しようとするように力が加えられていることが好ましい。
本発明に係る発光装置は、上記方法で得られる。

本発明によれば、樹脂層と無機膜とを積層して形成される発光装置において、樹脂層のエッジ部における無機膜の被覆性を向上させることができる。

（ａ），（ｂ）は本発明に係る発光装置を有するカメラを示した図である。 本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータを示した図である。 本発明に係る発光装置を有する携帯電話機を示した図である。 本発明に係る発光装置を有するテレビを示した図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の一部を切り欠いて示した模式図である。 図５のＡ−Ａ’線断面を表す模式図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の断面模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。 （ｄ），（ｅ）は本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。 （ｆ）は本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。 （ｇ），（ｈ）は本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法及び発光装置について、図面を参照しながら説明する。

本発明に係る発光装置は、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ発光装置等に用いられる。これらの発光装置は、例えばデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビ等の電子機器の表示部（ディスプレイ）に用いられる。具体例について図１〜４を参照しながら説明する。カメラ１２００は図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、レンズ部１２０１と、操作部１２０２と、表示部１２０３と、ファインダー１２０４と、を備える。表示部１２０３は、本発明に係る発光装置を有する。同様に、パーソナルコンピュータ１２１０は図２に示すように、表示部１２１１と操作部１２１２とを備える。表示部１２１１は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図３に示すように、携帯電話機１２２０は表示部１２２１と、操作部１２２２と、受話部１２２３と、送話部１２２４と、を備える。表示部１２２１は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図４に示すように、テレビ１２３０は表示部１２３１を備える。表示部１２３１は、本発明に係る発光装置を有する。

（実施形態）
本発明の実施形態に係る発光装置８００について図面を参照しながら説明する。発光装置８００は基板側に光を放出する、ボトムエミッション型の発光装置である。図５に示すように、発光装置８００はガラス基板１００と、複数の画素１２０とを備える。画素１２０は有機ＥＬ素子及び画素回路を有し、ガラス基板１００上に二次元配列されている。画素１２０の間は隔壁１３０によって仕切られている。画素１２０が形成されている領域は封止層３００によって封止されている。

図６に示すように、有機ＥＬ素子は、画素電極４２と、画素電極４２に対向する対向電極４６と、画素電極４２と対向電極４６との間に挟まれる有機ＥＬ層４５とを備える。画素電極４２はアノード電極及びカソード電極の一方であり、対向電極４６はアノード電極及びカソード電極の他方である。ボトムエミッション型の発光装置８００の場合、アノード電極は例えばＩＴＯ等の透明電極材料で形成されており、カソード電極は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性に優れた低仕事関数材料層と、低仕事関数材料層を覆うように設けられたＡｌ等の光反射性導電層と、を有している。有機ＥＬ層４５は、単層であっても、複数の層であってもよい。有機ＥＬ層４５は、複数の層で構成されていれば、正孔輸送層及び電子輸送層を備えていてもよい。
画素回路は、有機ＥＬ素子に電流を流す駆動トランジスタＴｒ１２を備えている。画素回路は、例えば２つ以上のトランジスタを備えていてもよい。画素回路を駆動するドライバは、画素回路のトランジスタのドレイン−ソース間を流れる電流の電流値を制御して有機ＥＬ素子の発光輝度階調を制御する電流階調制御ドライバでもよく、画素回路のトランジスタに印加する電圧を制御することによってトランジスタのドレイン−ソース間を流れる電流の電流値を設定して有機ＥＬ素子の発光輝度階調を制御する電圧階調制御ドライバでもよい。

カソード電極を構成する材料、特に低仕事関数材料層は酸素と触れると容易に酸化され、電子注入性を低下させる。これを防ぐため、画素１２０は、樹脂層１３５と無機膜４８とからなる封止層３００によって封止されている。樹脂層１３５は例えばエポキシ系等のＵＶ硬化性樹脂を硬化してなる。無機膜４８は例えばＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ等で形成されている。異なる材料からなる層を積層して用いることで、酸素や水分の浸入をより確実に防ぐことができる。

もし樹脂層１３５の端部が垂直に近い状態、例えば後述する図９（ｅ）に示すような状態にあると、樹脂層１３５を覆うように無機膜４８を成膜しても、樹脂層１３５の端部を無機膜４８で十分に被覆することができない場合がある。例えば、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法で無機膜４８を構成する材料を樹脂層１３５上に堆積させる場合、樹脂層１３５の側面には無機膜４８を構成する材料が十分に堆積されず、無機膜４８に薄い部分や微細な孔（以下、単に欠陥と総称する）が生じるおそれがある。無機膜４８にこのような欠陥が存在すると、そこから酸素や水分が浸入して有機ＥＬ層４５や対向電極４６を劣化させるおそれがある。このような問題は樹脂層１３５の形成法に関わらず生じ得るが、特に画素１２０が形成された基板１００と未硬化の樹脂シートとをラミネート法で貼り合わせてから、樹脂シートを硬化して樹脂層１３５を形成する場合に生じやすい。

ここで、本願発明の実施形態に係る発光装置８００は、図６に示すように、樹脂層１３５の端部にテーパ部２００を有する。樹脂層１３５がテーパ部を有することにより、樹脂層１３５の全面に無機膜４８の原料が均一に堆積される。この結果、無機膜４８に欠陥が生じるおそれが少なく、有機ＥＬ層４５や対向電極４６の劣化をより確実に防ぐことができる。テーパ部２００の立ち上がり角は限定されないが、例えば、５〜４５度が好ましい。

なお、本願発明の実施形態に係る発光装置は、発光装置８００に限らず図７に示すような発光装置８０５であってもよい。発光装置８０５は、発光装置８００に加え、さらに、無機膜４８上にゲッタ層４９並びにゲッタ層４９を被覆する樹脂層１４０が積層されている構造である。ゲッタ層４９は例えばＢａ等の低仕事関数の材料を含んでいる。このように、ゲッタ層４９が、カソード電極である対向電極４７の一部と同程度か又はそれ以上に酸化しやすい材料を含んでいるので、ゲッタ層４９まで酸素や水分が浸入してきたとしても、酸素や水分をゲッタ層４９で捕捉し、対向電極４７に酸素や水分が到達することを防ぐことができる。

ここで、もし樹脂層１３５の端部の角度が垂直に近いと、無機膜４８と同様、ゲッタ層４９の端部に欠陥が生じる可能性がある。ゲッタ層４９に欠陥があると、対向電極４７の劣化防止が十分でないおそれがある。またゲッタ層４９は、フローティングの場合、有機ＥＬ素子に接続された寄生容量となり、有機ＥＬ素子に印加される電圧や信号に悪影響を及ぼす可能性があるので、ゲッタ層４９を対向電極と同じ電位、例えば接地電位等の所定電圧を印加するようにゲッタ層４９に引き回し配線を接続することが好ましい。仮に引き回し配線を無機膜４８の側面にのみ接触するように設けた場合、或いは引き回し配線を無機膜４８の上面にのみ接触するように設けた場合に、無機膜４８の段差によってゲッタ層４９が無機膜４８の側面と上面との間で断裂してしまうと、一方が引き回し配線によって所定電圧が印加されるが、他方が寄生容量となってしまう。

ここで、発光装置８０５は、樹脂層１３５の端部にテーパ部２００を有しているので、無機膜４８と同様、段差によってゲッタ層４９に欠陥が生じるおそれが少なく、対向電極４６の劣化を防止し、且つ寄生容量を低減できる。

（発光装置の製造方法）
本発明に係る発光装置の製造方法の実施形態について、図８〜図１１を参照しながら説明する。なお、ここでは理解を容易にするために発光装置８００を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば上述した発光装置８０５でもよい。

まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板１００上にＣｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなる駆動トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｇを含む画素回路内のトランジスタのゲート電極をフォトリソグラフィによって所定の形状にパターニングして形成し、次いで窒化ケイ素、酸化ケイ素等からなるゲート絶縁膜１０６で被覆する。ゲート絶縁膜１０６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成される。なお、図８（ａ）では省略されているが、他の金属配線や電極、例えば信号線、画素回路の一部として駆動トランジスタＴｒ１２に接続され、駆動トランジスタＴｒ１２のオン、オフをスイッチするスイッチトランジスタのゲート電極等もこの工程で形成することができる。

次に図８（ｂ）に示すように、画素回路の各トランジスタの半導体層ＳＣ、半導体層ＳＣのチャネル領域上に位置し、チャネル領域を保護する絶縁保護層ＢＬ、半導体層ＳＣのソース、ドレイン領域にそれぞれ接続されたソース、ドレイン電極Ｓ，Ｄや画素電極４２を適宜形成する。半導体層ＳＣのソース、ドレイン領域とソース、ドレイン電極との間には、それぞれ不純物含有半導体層を設けてもよい。なお、図面の理解を容易にするため符号を分けて付したが、図８（ｂ）で３つ示されているトランジスタはそれぞれが半導体層ＳＣ、絶縁保護層ＢＬ、ソース、ドレイン電極Ｓ，Ｄを有する。

発光装置８００がボトムエミッション型の場合、画素電極４２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等で形成される透明導電膜である。その厚みは、例えば５０〜３００ｎｍである。ソース電極及びドレイン電極は、例えばＣｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなる。画素電極４２は、駆動トランジスタＴｒ１２を経由して供給される電流を、次の工程で形成される有機ＥＬ層へと供給する。

次に図８（ｃ）に示すように、画素電極４２の周囲に隔壁１３０を形成する。隔壁１３０は、画素回路の各トランジスタを覆う窒化シリコン等の比較的薄い層間絶縁膜と、層間絶縁膜を覆う、ポリイミド等の感光性樹脂を硬化してなるバンクとを有している。隔壁１３０で仕切られた画素電極４２の上に有機ＥＬ層４５を形成する。

有機ＥＬ層４５は、発光層として内部に電子や正孔が注入されることにより光を発生する機能を有する。発光層は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を有している。

有機ＥＬ層４５は、上記の発光材料を適した溶媒、例えば水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。この際、隔壁１３０で仕切られた各領域に溶液を塗布することで、有機ＥＬ層４５を所望の位置に所望の厚みで形成することができる。

溶液を塗布する前に、酸素プラズマ処理若しくはＵＶオゾン処理により画素電極４２表面の親液化を行ってもよい。画素電極４２を親液化することで、塗布された溶液（分散液）が画素電極４２の表面に均一に広がる。この結果、膜厚が均一な有機ＥＬ層４５を形成することができる。

さらに、隔壁１３０の表面にあらかじめ撥液処理を施しておいてもよい。ここで撥液とは、水や有機系溶媒を弾く性質を示す。隔壁１３０の表面にあらかじめ撥液処理を施しておくことで、塗布された溶液（分散液）が隔壁１３０上に広がるのを防ぎ、有機ＥＬ層４５を所望の位置に所望の厚みで形成することが容易となる。

本実施形態においては発明の理解を容易にするために有機ＥＬ層４５は、単一の発光層からなるものを例示したが、有機ＥＬ層４５は、発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、これらの電荷の輸送を制限するインターレイヤ等複数の層を備えていてもよい。正孔輸送層を形成する場合、正孔輸送層は、画素電極４２と発光層との間、つまり画素電極４２上に形成される。正孔輸送層は、所望の電圧が印加された画素電極４２から正孔を供給する機能を有する。正孔輸送層は正孔（ホール）輸送が可能な有機高分子系の材料、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を有し、これら材料を画素電極４２上に塗布後、乾燥して成膜する。

更に、インターレイヤを形成する場合、インターレイヤは正孔輸送層と発光層との間、つまり正孔輸送層上に形成される。インターレイヤは発光層からインターレイヤへの電子の輸送を抑制して発光層において電子と正孔とを再結合させやすくする機能を有し、有機ＥＬ層４５の発光効率を高める。インターレイヤとなる有機系材料溶液を正孔輸送層上に塗布後、乾燥してインターレイヤを成膜する。そしてインターレイヤ上に発光層となる材料溶液を塗布後、乾燥して発光層を成膜する。

次に図９（ｄ）に示すように、隔壁１３０及び有機ＥＬ層４５を覆うように対向電極４６を形成する。発光装置８００がボトムエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性に優れた低仕事関数材料層と、低仕事関数材料層を覆うように設けられたＡｌ等の光反射性導電層とを備える。一方、発光装置８００がトップエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる厚さ１０ｎｍ程度の膜厚の極薄い光透過性低仕事関数層と、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚のＩＴＯ等の光反射性導体層を有する透明積層構造を備える。

対向電極４６の上には封止膜として無機膜４７を形成する。図９（ｄ）に示すように、無機膜４７は対向電極４６を覆うように形成される。無機膜４７は、例えばＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ等をスパッタ法やプラズマＣＶＤ法で堆積させることにより形成される。

次に、図９（ｅ）に示すように、無機膜４７を覆うように樹脂層１３５を形成する。本実施形態では、樹脂層１３５はＵＶ硬化性接着剤を無機膜４７に貼り合わせることにより形成される。ＵＶ硬化性接着剤は、例えばエポキシ系ＵＶ硬化性樹脂である。まず、未硬化のエポキシ系ＵＶ硬化性樹脂のシートを、無機膜４７を含む領域に重ね合わせる。シートに保護フィルムが貼合されている場合は、ここで保護フィルムを取り除く。次に、加熱ローラ４００を押しつけ、これを回転させながらガラス基板１００と平行方向に移動させ、シートの一方の端部から他方の端部に向けて順に圧力及び熱を加える。熱を加えられたシートはわずかに軟化し、さらに圧力を加えられることによってガラス基板１００や無機膜４７と密着する。加熱ローラ４００を回転させながら一方の端部から他方の端部へと水平方向に移動させることで貼り合わせ面の空気が追い出されるので、樹脂層１３５内に気泡が残らず、高い密着性を確保することができる。なお、さらにシートの他方の端部から一方の端部に向けて加熱ローラ４００で熱を加えながら圧力をかける復路動作を行ってもよい。

加熱ローラ４００が樹脂層１３５のいずれかの端部に到達したら、図１０（ｆ）に示すように、樹脂層１３５の当該端部に、加熱状態の加熱ローラ４００を押し下げる。加熱温度は限定されないが、樹脂層１３５のガラス転移温度以上であることが好ましい。樹脂層１３５をそのガラス転移温度以上に加熱することにより、樹脂層１３５の端部が軟化して、加熱ローラ４００の曲率に応じたテーパ部が形成される。樹脂層１３５の端部のテーパ角は５〜４５度が好ましい。加熱ローラ４００は、加熱を停止して、樹脂層１３５がガラス転移温度未満に冷却されてから、樹脂層１３５から離れるよう押し上げられる。樹脂層１３５が四辺形の場合、四つの辺の各端部全てに上記処理を行うことで、図１１（ｇ）に示すように、樹脂層１３５の端部にそれぞれテーパ部２００が形成される。

なお、テーパ部２００を形成する際、図１０（ｆ）に示すように、加熱ローラ４００が、樹脂層１３５に接している面において、平面視した樹脂層１３５の中心方向に向けて回転しようとするように力が加えられていることが好ましい。このとき、加熱ローラ４００は、樹脂層１３５との摩擦によって実際には回転されないことが望ましい。加熱ローラ４００を樹脂層１３５の中心方向に向けて回転しようとするように力が加えられていることで、軟化した樹脂層が必要以上に樹脂層１３５の中心方向と反対の方向に流れることを防ぎ、所望の形状のテーパ部２００を形成することができる。加熱ローラ４００は、加熱を停止して、樹脂層１３５がガラス転移温度未満に冷却されてから、樹脂層１３５から離れるよう押し上げられる。

また、ここでは加熱ローラ４００を用いてテーパ部２００を形成する例を示したが、方法はこれに限定されない。例えば、端部がテーパ状にかたどった空洞が形成されている型を用い、この型の端部が未硬化の樹脂層１３５の端部に当接するように押し当てて、型を樹脂層１３５の軟化点に達する温度に加熱してテーパ部２００を形成してもよい。

テーパ部２００を形成した後、図１１（ｈ）に示すように、樹脂層１３５を覆うように無機膜４８を形成することで、発光装置８００が得られる。無機膜４８は例えばＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ等からなる。無機膜４８はスパッタ法やＣＶＤ法により形成され、樹脂層１３５と共に封止層３００を形成する。対向電極４７や有機ＥＬ層４５を異なる材料からなる２つの層で覆うことにより、酸素や水分の浸入による劣化を防ぐことができる。樹脂層１３５はその端部にテーパ部２００を有し、無機膜４８は、テーパ部２００上において、テーパ部２００に沿ってテーパ部２００と同等のテーパ角となっているため、樹脂層１３５上面の平坦部に対応する部分との間で断裂することなく、樹脂層１３５上に所望の厚みで均一に形成され、欠陥が生じにくい。このため、封止性が高く耐久性に優れた発光装置８００が得られる。

なお、ここでは封止層３００を形成する例を示したが、無機膜と樹脂層をさらに積層してもよい。または図７に示す発光装置８０５のように、無機膜４８上にゲッタ層４９を形成してもよい。ゲッタ層４９は、対向電極４６と等電位になるよう引き回し配線に接続されている。ゲッタ層４９は例えばＢａ等の対向電極４７の低仕事関数材料層と同等或いはそれ以上に酸化されやすい材料を有している。ゲッタ層４９を対向電極４７と同程度か又はそれ以上に酸化しやすい材料で構成することにより、浸入してきた酸素や水分をゲッタ層４９で捕捉し、対向電極４７に酸素や水分が到達することを防ぐことができる。

この場合も、樹脂層１３５にテーパ部２００が形成されていることにより、無機膜４８及びゲッタ層４９を所望の厚みで均一に形成することができる。無機膜４８及びゲッタ層４９は、テーパ部２００上において、テーパ部２００に沿ってテーパ部２００と同等のテーパ角となっているため、樹脂層１３５上面の平坦部に対応する部分との間で断裂することなく、樹脂層１３５上に所望の厚みで均一に形成され、欠陥が生じにくい。このため、さらに優れた耐久性を有する発光装置８０５が得られる。

さらに、封止層３０５を構成する各要素は、繰り返し複数にわたって積層されてもよい。異なる材料から形成される複数の層を繰り返し積層することで、封止性をさらに高め、さらに優れた耐久性を有する発光装置を得ることが可能となる。

以上、本発明について実施形態を示しながら詳しく述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係る発光装置及びその製造方法は、有機ＥＬ素子を有する発光装置以外にも、有機ＥＬ表示装置、液晶表示パネル等に適用することができる。その他、本技術分野の通常の知識に基づいて様々な変形例が可能であり、それらの変形例は本発明の技術的範囲に含まれるものである。

Ｔｒ１２…駆動トランジスタ、Ｇ…ゲート電極、Ｓ…ソース電極、Ｄ…ドレイン電極、ＢＬ…絶縁保護層、ＳＣ…半導体層、４２…画素電極、４５…有機ＥＬ層、４６…対向電極、４７，４８…無機膜、４９…ゲッタ層、１００…ガラス基板、１０６…ゲート絶縁膜、１２０…画素、１３０…隔壁、１３５，１４０…樹脂層、２００…テーパ部、３００，３０５…封止層、４００…加熱ローラ、８００，８０５…発光装置、１２００…カメラ、１２０１…レンズ部、１２０２…操作部、１２０３…表示部、１２０４…ファインダー、１２１０…パーソナルコンピュータ、１２１１…表示部、１２１２…操作部、１２２０…携帯電話機、１２２１…表示部、１２２２…操作部、１２２３…受話部、１２２４…送話部、１２３０…テレビ、１２３１…表示部

Claims (5)

1. 有機ＥＬ素子を備える基板上に、前記有機ＥＬ素子を覆うように樹脂層を形成する工程と、
   前記樹脂層の端部にテーパ部を形成する工程と、
   前記樹脂層上に無機膜を形成する工程と、
   を備える発光装置の製造方法。
2. 前記テーパ部を形成する工程は、前記樹脂層の前記端部にテーパ生成部を押し当てて前記テーパ部を形成する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記テーパ生成部は、前記樹脂層の前記端部が前記樹脂層のガラス転移温度以上に加熱された状態で前記樹脂層の前記端部を押し当て、前記樹脂層の前記端部が前記ガラス転移温度未満に冷却されてから、前記樹脂層の前記端部から離れる、
   ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記テーパ生成部は、ローラであり、
   前記テーパ部を形成する工程は、前記ローラが、前記樹脂層に接している面において、前記樹脂層の中心方向に向けて回転しようとするように力が加えられている
   ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法で得られることを特徴とする発光装置。

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