JP2012058502A - Gate signal line drive circuit and display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ゲート信号線駆動回路及びそれを備える表示装置に関する。特に、ゲート信号線駆動回路の性能向上と消費電力抑制に関する。 The present invention relates to a gate signal line driving circuit and a display device including the same. In particular, the present invention relates to performance improvement of a gate signal line driving circuit and power consumption suppression.
従来より、例えば、液晶表示装置において、ゲート信号線を走査するゲート信号線駆動回路に備えられたシフトレジスタ回路が、表示画面の画素領域に配置される薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと記す)と同一基板上に形成される方式、すなわち、シフトレジスタ内蔵方式が採用される場合がある。従来技術に係るシフトレジスタ回路として、特許文献1及び特許文献2に記載されている。
Conventionally, for example, in a liquid crystal display device, a shift register circuit provided in a gate signal line driving circuit that scans a gate signal line is a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) disposed in a pixel region of a display screen. ), That is, a shift register built-in method may be employed.
ゲート信号線駆動回路に備えられたシフトレジスタ回路を構成する複数の基本回路それぞれにおいて、一フレーム期間のうち、その基本回路からゲート信号が出力されるゲート信号線のゲート走査期間(以下、信号ハイ期間と記す)にのみ、ハイ電圧がゲート信号Goutとしてゲート信号線に出力され、それ以外の期間(以下、信号ロー期間と記す)は、ロー電圧がゲート信号Goutとしてゲート信号線に出力される。 In each of a plurality of basic circuits constituting the shift register circuit provided in the gate signal line driver circuit, a gate scanning period (hereinafter referred to as a signal high level) of a gate signal line in which a gate signal is output from the basic circuit in one frame period. period and referred) only, it is outputted to the gate signal line as a high voltage gate signal G out, the other period (hereinafter, referred to as a signal lOW period), the output low voltage to the gate signal line as a gate signal G out Is done.
図11は、従来技術に係るシフトレジスタ回路の基本回路の構成を、簡単に示した模式図である。シフトレジスタ回路の基本回路は、信号ロー期間に応じてゲート信号線にロー電圧を出力するロー電圧印加スイッチング素子SWAと、信号ハイ期間に応じてゲート信号線にハイ電圧を出力するハイ電圧印加スイッチング素子SWGとを、備えている。 FIG. 11 is a schematic diagram simply showing the configuration of a basic circuit of a shift register circuit according to the prior art. The basic circuit of the shift register circuit includes a low voltage application switching element SWA that outputs a low voltage to the gate signal line according to the signal low period, and a high voltage application switching that outputs a high voltage to the gate signal line according to the signal high period. An element SWG is provided.
ロー電圧印加スイッチング素子SWAの入力端に、ロー電圧線VGLが接続されている。対応するゲート信号線に対して信号ロー期間にロー電圧が安定して出力されるよう、信号ロー期間に応じて、ロー電圧印加スイッチング素子SWAはオンされ、ロー電圧線VGLの電圧であるロー電圧がゲート信号Goutとして出力される。また、信号ハイ期間に応じて、ロー電圧印加スイッチング素子SWAはオフされる。ロー電圧印加スイッチング素子SWAのスイッチに印加される電圧をノードN2とする。ロー電圧印加スイッチング素子SWAがオンされている間、ノードN2はハイ電圧となっており、ロー電圧印加スイッチング素子SWAのスイッチにハイ電圧が印加される。また、ロー電圧印加スイッチング素子SWAがオフされている間、ノードN2はロー電圧となっており、ロー電圧印加スイッチング素子SWAのスイッチにロー電圧が印加される。 A low voltage line VGL is connected to an input terminal of the low voltage application switching element SWA. The low voltage application switching element SWA is turned on according to the signal low period so that the low voltage is stably output during the signal low period with respect to the corresponding gate signal line, and the low voltage that is the voltage of the low voltage line VGL. The voltage is output as the gate signal Gout . Further, the low voltage application switching element SWA is turned off according to the signal high period. A voltage applied to the switch of the low voltage application switching element SWA is a node N2. While the low voltage application switching element SWA is on, the node N2 is at a high voltage, and a high voltage is applied to the switch of the low voltage application switching element SWA. Further, while the low voltage application switching element SWA is turned off, the node N2 is at a low voltage, and the low voltage is applied to the switch of the low voltage application switching element SWA.
ロー電圧印加スイッチング素子SWAのスイッチに、すなわち、ノードN2に、信号ハイ期間に応じて、ロー電圧を供給するロー電圧印加オフ制御素子SWCが接続されている。ロー電圧印加オフ制御素子SWCの入力端にロー電圧線VGLが接続されていて、信号ハイ期間に応じて、ロー電圧印加オフ制御素子SWCはオンされ、ノードN2はロー電圧となり、ロー電圧印加スイッチング素子SWAのスイッチにロー電圧が印加される。また、信号ロー期間に応じて、ロー電圧印加オフ制御素子SWCはオフされる。 A low voltage application OFF control element SWC that supplies a low voltage is connected to the switch of the low voltage application switching element SWA, that is, to the node N2 in accordance with the signal high period. The low voltage line VGL is connected to the input terminal of the low voltage application off control element SWC, and the low voltage application off control element SWC is turned on according to the signal high period, the node N2 becomes the low voltage, and the low voltage application A low voltage is applied to the switch of the switching element SWA. Further, the low voltage application off control element SWC is turned off according to the signal low period.
ハイ電圧印加スイッチング素子SWGの入力端に、基本クロック信号CLKが接続されている。対応するゲート信号線に対して信号ハイ期間にハイ電圧が出力されるよう、信号ハイ期間に応じて、ハイ電圧印加スイッチング素子SWGはオンされ、基本クロック信号CLKの電圧がゲート信号Goutとして出力される。ここで、基本クロック信号CLKは、信号ハイ期間に、ハイ電圧となっている。また、信号ロー期間に応じて、ハイ電圧印加スイッチング素子SWGはオフされ、基本クロック信号CLKの信号を遮断し出力しない。ハイ電圧印加スイッチング素子SWGのスイッチに印加される電圧をノードN1とする。ハイ電圧印加スイッチング素子SWGがオンされている間、ノードN1はハイ電圧となっており、ハイ電圧印加スイッチング素子SWGのスイッチにハイ電圧が印加される。また、ハイ電圧印加スイッチング素子SWGがオフされている間、ノードN1はロー電圧となっており、ハイ電圧印加スイッチング素子SWGのスイッチにロー電圧が印加される。 The basic clock signal CLK is connected to the input terminal of the high voltage application switching element SWG. The high voltage application switching element SWG is turned on according to the signal high period so that a high voltage is output to the corresponding gate signal line during the signal high period, and the voltage of the basic clock signal CLK is output as the gate signal Gout. Is done. Here, the basic clock signal CLK is at a high voltage during the signal high period. Further, according to the signal low period, the high voltage application switching element SWG is turned off, and the basic clock signal CLK is cut off and not output. A voltage applied to the switch of the high voltage application switching element SWG is defined as a node N1. While the high voltage application switching element SWG is on, the node N1 is at a high voltage, and a high voltage is applied to the switch of the high voltage application switching element SWG. Further, while the high voltage application switching element SWG is turned off, the node N1 is at a low voltage, and the low voltage is applied to the switch of the high voltage application switching element SWG.
ハイ電圧印加スイッチング素子SWGのスイッチに、すなわち、ノードN1に、信号ロー期間に応じて、ロー電圧を供給するハイ電圧印加オフ制御素子SWBが接続されている。ハイ電圧印加オフ制御素子SWBの入力端にロー電圧線VGLが接続されていて、信号ロー期間に応じて、ハイ電圧印加オフ制御素子SWBはオンされ、ノードN1はロー電圧となり、ハイ電圧印加スイッチング素子SWGのスイッチにロー電圧が印加される。また、信号ハイ期間に応じて、ハイ電圧印加オフ制御素子SWBはオフされる。ハイ電圧印加オフ制御素子SWBのスイッチに印加される電圧は、ロー電圧印加スイッチング素子SWAのスイッチに印加される電圧と電気的に接続されており、ノードN2である。ハイ電圧印加オフ制御素子SWBがオンされている間、上述の通り、ノードN2はハイ電圧となっており、ハイ電圧印加オフ制御素子SWBのスイッチにハイ電圧が印加される。 A high voltage application off control element SWB for supplying a low voltage is connected to the switch of the high voltage application switching element SWG, that is, to the node N1 according to the signal low period. The low voltage line VGL is connected to the input terminal of the high voltage application off control element SWB, the high voltage application off control element SWB is turned on according to the signal low period, the node N1 becomes the low voltage, and the high voltage application A low voltage is applied to the switch of the switching element SWG. Further, the high voltage application off control element SWB is turned off according to the signal high period. The voltage applied to the switch of the high voltage application off control element SWB is electrically connected to the voltage applied to the switch of the low voltage application switching element SWA, and is the node N2. While the high voltage application off control element SWB is on, as described above, the node N2 is at a high voltage, and a high voltage is applied to the switch of the high voltage application off control element SWB.
図12は、従来技術に係るシフトレジスタ回路の基本回路の回路図である。ロー電圧印加スイッチング回路211に備えられるトランジスタT6が、図11に示すロー電圧印加スイッチング素子SWAに相当している。信号ロー期間に応じて、ノードN2はハイ電圧に維持され、ロー電圧線VGLのロー電圧が、出力端子OUTより、ゲート信号Gnとして出力される。 FIG. 12 is a circuit diagram of a basic circuit of a shift register circuit according to the prior art. The transistor T6 provided in the low voltage application switching circuit 211 corresponds to the low voltage application switching element SWA shown in FIG. In accordance with the signal low period, the node N2 is maintained at a high voltage, and the low voltage of the low voltage line VGL is output as the gate signal Gn from the output terminal OUT.
また、ハイ電圧印加スイッチング回路212に備えられるトランジスタT5が、図11に示すハイ電圧印加スイッチング素子SWGに相当している。信号ハイ期間に応じて、ノードN1はハイ電圧となり、入力端子IN1より入力される基本クロック信号Vnの電圧が、出力端子OUTより、ゲート信号Gnとして出力される。
Further, the transistor T5 provided in the high voltage
さらに、ノードN1ロー電圧供給回路213に備えられるトランジスタT2が、図11に示すハイ電圧印加オフ制御素子SWBに相当している。ノードN2ロー電圧供給回路214が、図11に示すロー電圧印加オフ制御素子SWCに相当している。ノードN2ロー電圧供給回路214に、2個のトランジスタT4,T7が備えられている。トランジスタT7のゲート(スイッチ)に、入力端子IN3が接続され、前段の基本回路より出力されるゲート信号Gn−2が入力端子IN3に入力される。トランジスタT7の入力端にロー電圧線VGLが、出力端にノードN2が、それぞれ接続されている。ゲート信号Gn−2の電圧がハイ電圧に変化するタイミングに応じて、トランジスタT7がオンされ、ノードN2はロー電圧に変化する。そして、トランジスタT2,T6がオフされる。トランジスタT4のゲート(スイッチ)にノードN1が、入力端にロー電圧線VGLが、出力端にノードN2が、それぞれ接続されている。信号ハイ期間に応じて、ノードN1がハイ電圧に変化するのに伴い、トランジスタT4がオンされ、ノードN2はロー電圧に維持される。
Further, the transistor T2 provided in the node N1 low
すなわち、信号ロー期間に応じて、ノードN1はロー電圧に、ノードN2はハイ電圧に維持され、信号ハイ期間に応じて、ノードN1はハイ電圧に、ノードN2はロー電圧に変化する。 That is, the node N1 is maintained at a low voltage and the node N2 is maintained at a high voltage according to the signal low period, and the node N1 is changed to a high voltage and the node N2 is changed to a low voltage according to the signal high period.
信号ロー期間に応じて、トランジスタT4のゲートにノードN1のロー電圧が、トランジスタT7にゲート信号Gn−2のロー電圧が、印加されて、2個のトランジスタT4,T7は、ともにオフされる。2個のトランジスタT4,T7がオフされている間も、実際には、2個のトランジスタT4,T7はそれぞれ完全にオフされておらず、2個のトランジスタT4,T7それぞれに小量の電流が流れている。これをオフ電流と呼んでいる。 Depending on the signal low period, the low voltage of the node N1 is applied to the gate of the transistor T4, and the low voltage of the gate signal Gn-2 is applied to the transistor T7, so that the two transistors T4 and T7 are both turned off. . While the two transistors T4 and T7 are turned off, the two transistors T4 and T7 are not completely turned off, and a small amount of current flows in each of the two transistors T4 and T7. Flowing. This is called off-current.
2個のトランジスタT4,T7にオフ電流が流れると、ノードN2がハイ電圧より低下してしまう。特に、2個のトランジスタT4,T7いずれかの閾値電圧Vthが低い場合や、シフトレジスタ回路が高温下で駆動される場合に、ノードN2の電圧低下は大きくなる。ノードN2が電圧低下すると、2個のトランジスタT2,T6それぞれが十分にオンされなくなる。トランジスタT6が十分にオンされない場合、信号ロー期間に応じて、出力端子OUTよりロー電圧がゲート信号Gnとして安定的に出力されない。また、トランジスタT2が十分にオンされない場合、信号ロー期間に応じて、ノードN1をロー電圧に安定的に維持出来ない。これらにより、出力端子OUTより、所望のゲート信号Gnが出力されないこととなり、ゲート信号線駆動回路としての性能が低下する。 When an off-current flows through the two transistors T4 and T7, the node N2 falls below the high voltage. In particular, when the threshold voltage Vth of either of the two transistors T4 and T7 is low, or when the shift register circuit is driven at a high temperature, the voltage drop at the node N2 becomes large. When the voltage at the node N2 drops, the two transistors T2 and T6 are not sufficiently turned on. When the transistor T6 is not sufficiently turned on, the low voltage is not stably output as the gate signal Gn from the output terminal OUT according to the signal low period. Further, when the transistor T2 is not sufficiently turned on, the node N1 cannot be stably maintained at the low voltage according to the signal low period. As a result, the desired gate signal Gn is not output from the output terminal OUT, and the performance as a gate signal line driving circuit is degraded.
また、2個のトランジスタT4,T7いずれかにオフ電流が流れることにより、消費電力が増加する。さらに、2個のトランジスタT4,T7いずれかにオフ電流が流れることにより、保持容量C3に蓄えられる電荷が放電され、ノードN2は電圧低下する。信号ロー期間に応じて、ノードN2はハイ電圧に維持されるので、トランジスタT3を介して、周期的に、基本クロック信号Vn+4より、保持容量C3に電荷が供給され、ノードN2がハイ電圧に高められる。この際にも、消費電流が増加する。 Further, the off-state current flows through either of the two transistors T4 and T7, thereby increasing the power consumption. Furthermore, when an off-current flows through one of the two transistors T4 and T7, the charge stored in the storage capacitor C3 is discharged, and the voltage at the node N2 drops. Since the node N2 is maintained at a high voltage according to the signal low period, charges are periodically supplied from the basic clock signal Vn + 4 to the storage capacitor C3 via the transistor T3, and the node N2 is set to the high voltage. Enhanced. Also at this time, the current consumption increases.
本発明は、このような課題を鑑みて、オフ電流を抑制することにより性能が向上される、ゲート信号線駆動回路、及び、それを備える表示装置の提供にある。 In view of such a problem, the present invention provides a gate signal line driver circuit whose performance is improved by suppressing off-current and a display device including the gate signal line driver circuit.
(1)上記課題を解決するために、本発明に係るゲート信号線駆動回路は、信号ハイ期間にゲート信号線にハイ電圧を印加するとともに、前記信号ハイ期間以外の期間である信号ロー期間に前記ゲート信号線にロー電圧を印加するゲート信号線駆動回路であって、前記信号ロー期間に応じて、前記ゲート信号線に前記ロー電圧を印加するロー電圧印加スイッチング回路と、前記信号ハイ期間に応じて、前記ロー電圧印加スイッチング回路がオフされるよう、前記ロー電圧印加スイッチング回路のスイッチに前記ロー電圧を印加するロー電圧印加オフ制御回路と、を備え、前記ロー電圧印加オフ制御回路は、前記ロー電圧印加スイッチング回路のスイッチに出力端が接続されている出力電圧スイッチング回路と、前記出力電圧スイッチング回路の入力端に接続されるとともに、オン状態において前記出力電圧スイッチング回路の入力端に前記ロー電圧を印加するロー電圧印加回路と、前記出力電圧スイッチング回路の入力端に接続されるとともに、オン状態において前記出力電圧スイッチング回路の入力端に前記ロー電圧と前記ハイ電圧の間となる中間電圧を印加する中間電圧印加回路と、を備え、前記信号ロー期間に応じて、前記出力電圧スイッチング回路がオフされるとともに、前記ロー電圧印加回路がオフされ、前記中間電圧印加回路はオンされ、前記信号ハイ期間に応じて、前記出力電圧スイッチング回路がオンされるとともに、前記ロー電圧印加回路がオンされ、前記中間電圧印加回路はオフされる、ことを特徴とする。 (1) In order to solve the above-described problem, the gate signal line driving circuit according to the present invention applies a high voltage to the gate signal line in the signal high period, and in the signal low period that is a period other than the signal high period. A gate signal line driving circuit for applying a low voltage to the gate signal line, a low voltage application switching circuit for applying the low voltage to the gate signal line according to the signal low period; and a signal high period And a low voltage application off control circuit that applies the low voltage to a switch of the low voltage application switching circuit so that the low voltage application switching circuit is turned off. An output voltage switching circuit having an output terminal connected to a switch of the low voltage application switching circuit, and the output voltage switching circuit A low voltage application circuit for applying the low voltage to the input terminal of the output voltage switching circuit in the on state, and a low voltage application circuit connected to the input terminal of the output voltage switching circuit in the on state; An intermediate voltage applying circuit that applies an intermediate voltage between the low voltage and the high voltage to an input terminal of the output voltage switching circuit, and the output voltage switching circuit is turned off according to the signal low period The low voltage application circuit is turned off, the intermediate voltage application circuit is turned on, the output voltage switching circuit is turned on according to the signal high period, the low voltage application circuit is turned on, and the intermediate voltage application circuit is turned on. The voltage application circuit is turned off.
(2)上記(1)に記載のゲート信号線駆動回路であって、前記中間電圧印加回路のスイッチは、前記出力電圧スイッチング回路の前記出力端と接続されていてもよい。 (2) In the gate signal line drive circuit according to (1), the switch of the intermediate voltage application circuit may be connected to the output terminal of the output voltage switching circuit.
(3)上記(1)に記載のゲート信号線駆動回路であって、前記中間電圧とは、接地電圧であってもよい。 (3) In the gate signal line drive circuit according to (1) above, the intermediate voltage may be a ground voltage.
(4)上記(1)に記載のゲート信号線駆動回路であって、前記ロー電圧印加回路は、前記出力電圧スイッチング回路の入力端に対して並列に接続されるとともに、それぞれオン状態において前記出力電圧スイッチング回路の入力端に前記ロー電圧を印加する2個のロー電圧印加素子を備え、前記信号ハイ期間に応じて、前記2個のロー電圧印加素子がそれぞれオンされてもよい。 (4) In the gate signal line drive circuit according to (1), the low voltage application circuit is connected in parallel to an input terminal of the output voltage switching circuit, and the output is in an on state, respectively. Two low voltage applying elements that apply the low voltage may be provided at an input terminal of the voltage switching circuit, and the two low voltage applying elements may be turned on according to the signal high period.
(5)上記(1)に記載のゲート信号線駆動回路であって、前記ロー電圧印加スイッチング回路は、前記ゲート信号線に対して互いに並列に接続されるとともに、それぞれオン状態に置いて前記ゲート信号線に前記ロー電圧を印加する複数のロー電圧印加スイッチング素子を備え、前記複数のロー電圧印加スイッチング素子は、いずれか少なくとも1つが前記信号ロー期間に応じてオン状態にされるとともに、いずれか少なくとも1つが前記信号ロー期間の少なくとも一部においてオフ状態にされるよう、それぞれオンオフされてもよい。 (5) The gate signal line driving circuit according to (1), wherein the low voltage application switching circuit is connected in parallel to the gate signal line, and is placed in an ON state. A plurality of low voltage application switching elements for applying the low voltage to the signal line, and at least one of the plurality of low voltage application switching elements is turned on in accordance with the signal low period; Each may be turned on and off so that at least one is turned off in at least part of the signal low period.
(6)本発明に係る表示装置は、上記(1)乃至上記(5)のいずれかに記載のゲート信号線駆動回路を備える表示装置であってもよい。 (6) The display device according to the present invention may be a display device including the gate signal line driving circuit according to any one of (1) to (5).
本発明により、オフ電流を抑制することにより性能が向上される、ゲート信号線駆動回路、及び、それを備える表示装置が提供される。 According to the present invention, a gate signal line driver circuit whose performance is improved by suppressing off-state current and a display device including the gate signal line driver circuit are provided.
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態に係る表示装置は、たとえば、IPS(In-Plane Switching)方式の液晶表示装置である。図1は、当該実施形態に係る液晶表示装置の全体斜視図である。後述するゲート信号線105、映像信号線107、画素電極110、コモン電極111、及び、TFT109などが配置されるTFT基板102と、当該TFT基板102に対向し、カラーフィルタが設けられるフィルタ基板101と、当該両基板に挟まれる領域に封入される液晶材料と、TFT基板102のフィルタ基板101側と反対側に接して位置するバックライト103と、を含んで構成されている。
[First Embodiment]
The display device according to the first embodiment of the present invention is, for example, an IPS (In-Plane Switching) liquid crystal display device. FIG. 1 is an overall perspective view of the liquid crystal display device according to the embodiment. A
図2は、TFT基板102の等価回路の概念図である。図2において、TFT基板102には、ゲート信号線駆動回路104に接続された多数のゲート信号線105が、互いに等間隔をおいて図中横方向に延びている。
FIG. 2 is a conceptual diagram of an equivalent circuit of the
ゲート信号線駆動回路104に、シフトレジスタ制御回路114と、シフトレジスタ回路112が備えられており、シフトレジスタ制御回路114は、シフトレジスタ回路112に対して、後述する制御信号115を出力している。
The gate signal
シフトレジスタ回路112に、複数のゲート信号線105それぞれに対応して、後述する基本回路113が複数備えられている。例えば、ゲート信号線105が800本存在しているとき、同じく、基本回路113が800個、シフトレジスタ回路112に備えられている。シフトレジスタ制御回路114から入力される制御信号115により、各基本回路113は、一フレーム期間のうち、対応するゲート走査期間(信号ハイ期間)にはハイ電圧となり、それ以外の期間(信号ロー期間)にはロー電圧となるゲート信号を、対応するゲート信号線105に出力している。
The
また、データ駆動回路106に接続される多数の映像信号線107が互いに等間隔をおいて図中縦方向に延びている。そして、これらゲート信号線105及び映像信号線107により碁盤状に並ぶ画素領域がそれぞれ区画されている。また、各ゲート信号線105と平行にコモン信号線108が図中横方向に延びている。
In addition, a large number of
ゲート信号線105及び映像信号線107により区画される各画素領域の隅には、TFT109が形成されており、映像信号線107と画素電極110に接続されている。また、TFT109のゲート電極は、ゲート信号線105と接続されている。各画素領域には、画素電極110に対向してコモン電極111が形成されている。
なお、図2には、ゲート信号線駆動回路104とデータ駆動回路106は、別個の回路として示されているが、ゲート信号線駆動回路104及びデータ駆動回路106は、ワンチップに集積されたコントローラドライバICであってもよい。
In FIG. 2, the gate signal
以上の回路構成において、各画素回路のコモン電極111にコモン信号線108を介して基準電圧が印加される。また、ゲート信号線105によりTFT109のゲート電極にゲート電圧が選択的に印加されることにより、TFT109を流れる電流が制御される。ゲート電極に選択的にゲート電圧が印加されたTFT109を通じて、映像信号線107に供給された映像信号の電圧が選択的に、画素電極110に印加される。これにより、画素電極110とコモン電極111との間に電位差が生じ、液晶分子の配向などを制御し、それにより、バックライト103からの光を遮蔽の度合を制御し、画像を表示することとなる。
In the above circuit configuration, the reference voltage is applied to the
図2では、簡単の説明のために、シフトレジスタ回路112は、図2の左片側にのみ図示されているが、実際には、シフトレジスタ回路112の基本回路113は、表示領域の左右両側に配置され、例えば、ゲート信号線105が800本あるとすると、両側にそれぞれ複数配置された基本回路113によって、例えば、右側の基本回路113は奇数番目の信号線に、左側の基本回路113は偶数番目の信号線に、それぞれゲート信号を供給している。
In FIG. 2, the
図3は、シフトレジスタ回路112のブロック図である。シフトレジスタ回路112に備えられる複数の基本回路113のうち、奇数番目の基本回路113が図3の右側に、偶数番目の基本回路113が図3の左側に配置され、それぞれの基本回路113は、図3の中央に位置する表示領域120に、ゲート信号を出力している。図3には、n番目の基本回路が、基本回路113―nとして記されている。
FIG. 3 is a block diagram of the
シフトレジスタ制御回路114がシフトレジスタ回路112へ出力する制御信号115が、図3の右側に位置する奇数番目の基本回路113と、図3の左側に位置する偶数番目の基本回路113とに、それぞれ入力される。奇数番目の基本回路113に、4相の互いに位相の異なる基本クロック信号Vn,Vn+2,Vn+4,Vn+6、ハイ電圧線VGH、ロー電圧線VGL、補助信号VST1などが入力される。同様に、偶数番目の基本回路113に、4相の互いに位相の異なる基本クロック信号Vn+1,Vn+3,Vn+5,Vn+7、ハイ電圧線VGH、ロー電圧線VGL、補助信号VST2などが入力される。
A
図3に示す基本回路113それぞれに、図の基本回路113―1に示される通り、5個の入力端子IN1,IN2,IN3,IN4、IN5と、1個の出力端子OUTが備えられ、さらに、ハイ電圧線VGH、ロー電圧線VGLがそれぞれ接続されている。 Each of the basic circuits 113 shown in FIG. 3 includes five input terminals IN1, IN2, IN3, IN4, IN5 and one output terminal OUT as shown in the basic circuit 113-1, and A high voltage line V GH and a low voltage line V GL are connected to each other.
n番目の基本回路113―nの入力端子IN1,IN2について説明する。n番目の基本回路113―nにおいて、基本クロック信号Vn,Vn+4が、それぞれ、入力端子IN1,IN2に入力される。ここで、4相からなる2組の基本クロック信号が接続されており、nの値を変化させた場合であっても、Vn+8=Vn=Vn−8などとすればよい。 The input terminals IN1 and IN2 of the nth basic circuit 113-n will be described. In the n-th basic circuit 113-n, the basic clock signals V n and V n + 4 are input to the input terminals IN1 and IN2, respectively. Here, two sets of basic clock signals composed of four phases are connected, and even when the value of n is changed, V n + 8 = V n = V n−8 may be set.
n番目の基本回路113―nの出力端子OUTから出力されるゲート信号をGnと定義する。n番目の基本回路113―nの入力端子IN3には、n−2番目の基本回路113―(n−2)のゲート信号Gn−2が、同じく入力端子IN4には、n+4番目の基本回路113―(n+4)のゲート信号Gn+4が、それぞれ、入力される。なお、1番目の基本回路113―1及び2番目の基本回路113―2の入力端子IN3には、対応するゲート信号がないため、補助信号VST1,VST2が、それぞれ、入力される。同様に、797番目の基本回路113−797、798番目の基本回路113−798、799番目の基本回路113―799及び800番目の基本回路113―800の入力端子IN4には、801番目のダミー回路のゲート信号G801、802番目のダミー回路のゲート信号G802、803番目のダミー回路のゲート信号G803、及び804番目のダミー回路のゲート信号G804が、それぞれ入力され、801番目及び803番目のダミー回路の入力端子IN4には補助信号VST1が、802番目及び804番目のダミー回路の入力端子IN4には補助信号VST2が、それぞれ、入力される。 A gate signal output from the output terminal OUT of the nth basic circuit 113- n is defined as Gn . The gate signal G n-2 of the (n−2) th basic circuit 113- (n−2) is applied to the input terminal IN3 of the nth basic circuit 113-n, and the (n + 4) th basic circuit is also applied to the input terminal IN4. The gate signal G n + 4 of 113− (n + 4) is input. Note that the auxiliary signals V ST1 and V ST2 are respectively input to the input terminals IN3 of the first basic circuit 113-1 and the second basic circuit 113-2 because there is no corresponding gate signal. Similarly, the 801th dummy circuit is connected to the input terminal IN4 of the 797th basic circuit 113-797, the 798th basic circuit 113-798, the 799th basic circuit 113-799, and the 800th basic circuit 113-800. Gate signal G 801 , the gate signal G 802 of the 802th dummy circuit, the gate signal G 803 of the 803th dummy circuit, and the gate signal G 804 of the 804th dummy circuit are inputted, respectively. The auxiliary signal V ST1 is input to the input terminal IN4 of the dummy circuit, and the auxiliary signal V ST2 is input to the input terminal IN4 of the 802th and 804th dummy circuits.
さらに、n番目の基本回路113―nの入力端子IN5に、nが奇数の場合は補助信号VST1が、nが偶数の場合は補助信号VST2が入力される。 Further, the auxiliary signal V ST1 is input to the input terminal IN5 of the nth basic circuit 113-n when n is an odd number, and the auxiliary signal V ST2 is input when n is an even number.
図4は、当該実施形態に係るシフトレジスタ回路112のn番目の基本回路113―nの回路図である。入力端子IN5に入力される補助信号VSTは、nが奇数の場合は補助信号VST1が、nが偶数の場合は補助信号VST2を表している。
FIG. 4 is a circuit diagram of the nth basic circuit 113-n of the
当該実施形態に係る基本回路113と、図12に示す従来技術に係る基本回路との主な相違点は、ノードN2ロー電圧供給回路14(ロー電圧印加オフ制御回路)の構成にある。図12に示すノードN2ロー電圧供給回路214において、2個のトランジスタT4,T7の入力端が、ともに、ロー電圧線VGLに接続されている。これに対して、図4に示す当該実施形態に係るノードN2ロー電圧供給回路14は、ノードN2に出力端が接続されている出力電圧スイッチング回路と、出力電圧スイッチング回路の入力端に対して並列に接続される中間電圧印加回路とロー電圧印加回路と、を備えている。
The main difference between the basic circuit 113 according to this embodiment and the basic circuit according to the prior art shown in FIG. 12 is the configuration of the node N2 low voltage supply circuit 14 (low voltage application off control circuit). In the node N2 low
出力電圧スイッチング回路は、ノードN2に対して並列に接続される2個のトランジスタT4,T7を備える。出力電圧スイッチング回路の入力端、すなわち、トランジスタT4,T7の入力端に印加される電圧を、ノードN4とする。中間電圧印加回路はトランジスタTL1を、ロー電圧印加回路はトランジスタTL2を、それぞれ備えている。 The output voltage switching circuit includes two transistors T4 and T7 connected in parallel to the node N2. A voltage applied to the input terminal of the output voltage switching circuit, that is, the input terminal of the transistors T4 and T7 is defined as a node N4. The intermediate voltage application circuit includes a transistor TL1, and the low voltage application circuit includes a transistor TL2.
トランジスタT7のゲート(スイッチ)に、入力端子IN3が接続され、n−2番目の基本回路113―(n−2)のゲート信号Gn−2が入力端子IN3に入力される。トランジスタTL1の入力端は中間電圧線に、出力端はノードN4に、ゲートはノードN2に、それぞれ接続されている。トランジスタTL2の入力端はロー電圧線VGLに、出力端はノードN4に、ゲートはノードN1に、それぞれ接続されている。 The input terminal IN3 is connected to the gate (switch) of the transistor T7, and the gate signal G n−2 of the (n−2) th basic circuit 113- (n−2) is input to the input terminal IN3. The input terminal of the transistor TL1 is connected to the intermediate voltage line, the output terminal is connected to the node N4, and the gate is connected to the node N2. The input terminal is at a low voltage line V GL transistor TL2, output to the node N4, a gate to the node N1, are connected.
ここで、中間電圧線の電圧は、ハイ電圧線VGHのハイ電圧と、ロー電圧線VGLのロー電圧の間の電圧である、中間電圧である。特に、中間電圧は、接地電圧GNDであるのが望ましい。図4には、中間電圧線の電圧が、接地電圧GNDとして示されている。 Here, the voltage of the intermediate voltage line is an intermediate voltage that is a voltage between the high voltage of the high voltage line VGH and the low voltage of the low voltage line VGL . In particular, the intermediate voltage is preferably the ground voltage GND. In FIG. 4, the voltage of the intermediate voltage line is shown as the ground voltage GND.
なお、図12に示す従来技術に係る基本回路と同様に、図4に示す当該実施形態に係る基本回路113において、ロー電圧印加スイッチング回路11に備えられるトランジスタT6が、図11に示すロー電圧印加スイッチング素子SWAに相当している。ハイ電圧印加スイッチング回路12に備えられるトランジスタT5が、図11に示すハイ電圧印加スイッチング素子SWGに相当している。ノードN1ロー電圧供給回路13(ハイ電圧印加オフ制御回路)に備えられるトランジスタT2が、図11に示すハイ電圧印加オフ制御素子SWBに相当している。ノードN2ロー電圧供給回路14が、図11に示すロー電圧印加オフ制御素子SWCに相当している。
12, in the basic circuit 113 according to the embodiment shown in FIG. 4, the transistor T6 provided in the low voltage
図5は、当該実施形態に係るn番目の基本回路113―nのノードN1,N2,N4の時間的な変化を、入力信号である基本クロック信号と、近傍の基本回路のゲート信号とともに示したものである。ノードN2について、ハイ電圧がHと、ロー電圧がLと示されている。同様に、ノードN4について、中間電圧がGNDと、ロー電圧がLと示されている。 FIG. 5 shows temporal changes of the nodes N1, N2, and N4 of the nth basic circuit 113-n according to this embodiment, together with the basic clock signal that is the input signal and the gate signal of the neighboring basic circuit. Is. For node N2, the high voltage is shown as H and the low voltage as L. Similarly, for the node N4, the intermediate voltage is indicated as GND, and the low voltage is indicated as L.
以下、図5に示す各信号の時間変化とともに、基本回路113の駆動方法について説明する。信号ロー期間に応じて、ノードN1はロー電圧に、ノードN2はハイ電圧に維持されている。トランジスタTL1のゲートに、ノードN2のハイ電圧が印加され、トランジスタTL1はオン状態で維持される。トランジスタTL1がオン状態となっている間、ノードN4が中間電圧線と電気的に接続され、中間電圧線の接地電圧GNDがノードN4に印加される。すなわち、ノードN4は接地電圧GNDに維持される。また、トランジスタTL2のゲートに、ノードN1のロー電圧が印加され、トランジスタTL2はオフ状態で維持される。トランジスタT7のゲートに印加されるn−2番目の基本回路113―(n−2)のゲート信号Gn−2は、このとき、ロー電圧であり、トランジスタT7はオフ状態に維持される。トランジスタT4のゲートに、ノードN1のロー電圧が印加され、トランジスタT4はオフ状態で維持される。 Hereinafter, the driving method of the basic circuit 113 will be described along with the time change of each signal shown in FIG. Depending on the signal low period, the node N1 is maintained at a low voltage and the node N2 is maintained at a high voltage. The high voltage of the node N2 is applied to the gate of the transistor TL1, and the transistor TL1 is maintained in the on state. While the transistor TL1 is in the on state, the node N4 is electrically connected to the intermediate voltage line, and the ground voltage GND of the intermediate voltage line is applied to the node N4. That is, node N4 is maintained at ground voltage GND. Further, the low voltage of the node N1 is applied to the gate of the transistor TL2, and the transistor TL2 is maintained in the off state. At this time, the gate signal G n−2 of the (n−2) th basic circuit 113- (n−2) applied to the gate of the transistor T7 is a low voltage, and the transistor T7 is maintained in the off state. The low voltage of the node N1 is applied to the gate of the transistor T4, and the transistor T4 is maintained in the off state.
ノードN2がハイ電圧に維持されていることにより、2個のトランジスタT2,T6はそれぞれオン状態に維持される。トランジスタT6がオン状態に維持されることにより、出力端子OUTより、ロー電圧がゲート信号Gnとして出力される。トランジスタT2がオン状態に維持されることにより、ノードN1がロー電圧に維持される。ノードN1がロー電圧に維持されることにより、トランジスタT5はオフ状態に維持される。 Since the node N2 is maintained at the high voltage, the two transistors T2 and T6 are maintained in the ON state, respectively. By maintaining the transistor T6 in the on state, the low voltage is output as the gate signal Gn from the output terminal OUT. By maintaining the transistor T2 in the on state, the node N1 is maintained at a low voltage. By maintaining the node N1 at the low voltage, the transistor T5 is maintained in the off state.
トランジスタT1は、ゲートと入力端が接続されるダイオード接続をしている。トランジスタT1のゲート及び入力端に、入力端子IN3が接続されている。トランジスタT1の出力端に、ノードN1が接続されている。 The transistor T1 has a diode connection in which the gate and the input end are connected. An input terminal IN3 is connected to the gate and input terminal of the transistor T1. A node N1 is connected to the output terminal of the transistor T1.
図5に示す期間P1に、n−2番目の基本回路113―(n−2)のゲート信号Gn−2がハイ電圧となり、期間P1に、トランジスタT1,T7がオン状態となる。トランジスタT7がオン状態となることにより、ノードN2がノードN4と電気的に接続され、ノードN2が、ノードN4の接地電圧GNDに変化する。また、トランジスタT1がオン状態となることにより、ノードN1がゲート信号Gn−2のハイ電圧と電気的に接続され、ノードN1がハイ電圧に変化する。ノードN1がハイ電圧となるタイミングに応じて、トランジスタT4がオン状態となり、トランジスタT4が、ノードN2が接地電圧GNDに変化するのを、さらに早める。 A period P1 shown in FIG. 5, the gate signal G n-2 of the (n-2) th basic circuit 113- (n-2) becomes high voltage, the period P1, the transistors T1, T7 is turned on. When the transistor T7 is turned on, the node N2 is electrically connected to the node N4, and the node N2 changes to the ground voltage GND of the node N4. Further, when the transistor T1 is turned on, the node N1 is electrically connected to the high voltage of the gate signal Gn-2 , and the node N1 changes to the high voltage. In response to the timing when the node N1 becomes a high voltage, the transistor T4 is turned on, and the transistor T4 further accelerates the change of the node N2 to the ground voltage GND.
トランジスタTL1のゲートにはノードN2が接続されており、ノードN2が接地電圧GNDに変化するタイミングに応じて、トランジスタTL1がオフされる。また、トランジスタTL2のゲートにはノードN1が接続されており、ノードN1がハイ電圧に変化するタイミングに応じて、トランジスタTL2がオンされる。トランジスタTL2がオン状態となることにより、ノードN4がロー電圧線VGLのロー電圧と電気的に接続され、ノードN4がロー電圧に変化する。ノードN4がロー電圧に変化するのに伴い、2個のトランジスタT4,T7を介して、ノードN2がロー電圧に変化する。よって、図5に示す通り、期間P1に、ノードN1はハイ電圧に、ノードN2,N4はロー電圧に、変化している。 The node N2 is connected to the gate of the transistor TL1, and the transistor TL1 is turned off in accordance with the timing at which the node N2 changes to the ground voltage GND. Further, the node N1 is connected to the gate of the transistor TL2, and the transistor TL2 is turned on according to the timing at which the node N1 changes to the high voltage. Transistor TL2 is by the ON state, the node N4 is low voltage electrically connected to the low voltage line V GL, the node N4 is changed to the low voltage. As the node N4 changes to the low voltage, the node N2 changes to the low voltage via the two transistors T4 and T7. Therefore, as shown in FIG. 5, in the period P1, the node N1 changes to a high voltage, and the nodes N2 and N4 change to a low voltage.
ノードN2がロー電圧に変化するタイミングに応じて、トランジスタT2,T6はそれぞれオフされる。トランジスタT6がオフされることにより、出力端子OUTは、ロー電圧線VGLと電気的に遮断される。トランジスタT2がオフされることにより、ノードN1は、ロー電圧線VGLと電気的に遮断される。ノードN1がハイ電圧に変化するタイミングに応じて、トランジスタT5はオンされる。トランジスタT5がオンされることにより、入力端子IN1に入力される基本クロック信号Vnが、出力端子OUTより出力される。 The transistors T2 and T6 are turned off according to the timing at which the node N2 changes to the low voltage. By turning off the transistor T6, the output terminal OUT is electrically disconnected from the low voltage line VGL . By turning off the transistor T2, the node N1 is electrically disconnected from the low voltage line VGL . The transistor T5 is turned on according to the timing at which the node N1 changes to the high voltage. When the transistor T5 is turned on, the basic clock signal V n which is input to the input terminal IN1 is output from the output terminal OUT.
図5に示す期間P2に、n−2番目の基本回路113―(n−2)のゲート信号Gn−2がロー電圧となり、トランジスタT1,T7はオフされる。トランジスタT1がオフされた後も、ノードN1はハイ電圧で維持され、トランジスタT5はオン状態で維持される。期間P2において、基本クロック信号Vnはハイ電圧となっているので、信号ハイ期間である期間P2に、出力端子OUTより、ハイ電圧となるゲート信号Gnが出力される。 In the period P2 shown in FIG. 5, the gate signal G n−2 of the (n−2) th basic circuit 113- (n−2) becomes a low voltage, and the transistors T1 and T7 are turned off. Even after the transistor T1 is turned off, the node N1 is maintained at the high voltage, and the transistor T5 is maintained in the on state. In the period P2, since the basic clock signal V n at the high voltage, the period P2 is a signal HIGH period, the output terminal OUT, and the gate signal G n of the high voltage is output.
トランジスタT7がオフされた後も、ノードN1はハイ電圧に維持されており、2個のトランジスタT4,TL2はともに、オン状態で維持される。2個のトランジスタT4,TL2を介して、ノードN2は、ロー電圧線VGLと電気的に接続されており、ノードN2はロー電圧に維持される。 Even after the transistor T7 is turned off, the node N1 is maintained at the high voltage, and the two transistors T4 and TL2 are both maintained in the on state. Through the two transistors T4, TL2, the node N2 is connected to the low voltage line V GL and electrically, the node N2 is maintained at the low voltage.
ここで、実際には、トランジスタT1に、閾値電圧Vthが存在するために、期間P1において、ノードN1は、ゲート信号Gn−2のハイ電圧から、トランジスタT1の閾値電圧Vthを減じた電圧となってしまう。この電圧では、信号ハイ期間である期間P2において、トランジスタT5を十分にオンすることが出来ない場合もあり得るので、ハイ電圧印加スイッチング回路12には、昇圧容量C1がトランジスタT5と並列に接続されている。期間P2になると、ゲート信号Gn−2がロー電圧に変化し、トランジスタT1がオフされるが、ノードN1はハイ電圧に維持され、トランジスタT5はオン状態に維持される。期間P2には、出力端子OUTに、入力端子IN1に入力される基本クロック信号Vnのハイ電圧が印加され、昇圧容量C1の容量カップリングにより、ノードN1は更に高電圧に昇圧される。これは、ブートストラップ電圧と呼ばれている。期間P2において、図5に示す通り、ノードN1は、ハイ電圧より高いブートストラップ電圧となっている。
Here, in reality, since the threshold voltage V th exists in the transistor T1, the node N1 subtracts the threshold voltage V th of the transistor T1 from the high voltage of the gate signal G n−2 in the period P1. It becomes a voltage. At this voltage, the transistor T5 may not be sufficiently turned on in the period P2 that is the signal high period. Therefore, the boost capacitor C1 is connected in parallel to the transistor T5 in the high voltage
図5に示す期間P3に、基本クロック信号Vnはオフ電圧に変化するが、昇圧容量C1により、ノードN1はハイ電圧に維持され、3個のトランジスタT5,T4,TL2はともに、オン状態で維持される。よって、期間P3においても、基本クロック信号Vnが、出力端子OUTより出力され、ノードN2はロー電圧に維持され、2個のトランジスタT2,T6はともに、オフ状態で維持される。 A period P3 shown in FIG. 5, the basic clock signal V n is changed to the OFF voltage, the boosting capacitor C1, node N1 is maintained at a high voltage, three transistors T5, T4, TL2 are both in the on state Maintained. Therefore, even in the period P3, the basic clock signal V n is output from the output terminal OUT, and the node N2 is maintained at the low voltage, the two transistors T2, T6 are both maintained in the OFF state.
図4に示す通り、トランジスタT9の入力端にロー電圧線VGLが、出力端にノードN1が、ゲートに入力端子IN4が、それぞれ接続されている。入力端子IN4に、n+4番目の基本回路113―(n+4)のゲート信号Gn+4が入力される。 As shown in FIG. 4, the low voltage line V GL to an input terminal of the transistor T9 is, the node N1 to the output terminal, the input terminal IN4 to the gate are connected respectively. The gate signal G n + 4 of the (n + 4) th basic circuit 113- (n + 4) is input to the input terminal IN4.
図5に示す通り、期間P4に、ゲート信号Gn+4がハイ電圧となるので、期間P4に、トランジスタT9はオンされ、ロー電圧線VGLのロー電圧がノードN1に印加される。ノードN1がロー電圧に変化するタイミングに応じて、3個のトランジスタT5,T4,TL2はそれぞれ、オフされる。 As shown in FIG. 5, the period P4, the gate signal G n + 4 becomes high voltage, the period P4, the transistor T9 is turned on, the low voltage of the low voltage line V GL is applied to the node N1. The three transistors T5, T4, and TL2 are turned off according to the timing at which the node N1 changes to the low voltage.
図4に示す通り、ロー電圧線VGLとハイ電圧線VGHの間には、保持容量C3及びトランジスタT3が直列に接続されている。トランジスタT3の出力端と保持容量C3の正極は、ノードN2に接続されている。また、保持容量のC3の負極にはロー電圧線VGLが、トランジスタT3の入力端にはハイ電圧線VGHが、それぞれ接続されている。トランジスタT3のゲートに入力端子IN2が接続され、入力端子IN2に基本クロック信号Vn+4が入力される。 As shown in FIG. 4, a storage capacitor C3 and a transistor T3 are connected in series between the low voltage line VGL and the high voltage line VGH . The output terminal of the transistor T3 and the positive electrode of the storage capacitor C3 are connected to the node N2. Moreover, the low voltage line V GL is connected to the negative electrode of the C3 of the holding capacity, high voltage line V GH to the input terminal of the transistor T3 is connected, respectively. The input terminal IN2 is connected to the gate of the transistor T3, and the basic clock signal Vn + 4 is input to the input terminal IN2.
図5に示す通り、期間P4に、基本クロック信号Vn+4がハイ電圧となるので、期間P4に、トランジスタT3はオンされ、ノードN2がハイ電圧に変化する。同時に、保持容量C3がハイ電圧に充電される。ノードN2がハイ電圧に変化するタイミングに応じて、トランジスタTL1はオンされ、ノードN4が中間電圧線の接地電圧GNDに変化する。 As shown in FIG. 5, since the basic clock signal V n + 4 becomes a high voltage during the period P4, the transistor T3 is turned on and the node N2 changes to the high voltage during the period P4. At the same time, the storage capacitor C3 is charged to a high voltage. In response to the timing when the node N2 changes to the high voltage, the transistor TL1 is turned on, and the node N4 changes to the ground voltage GND of the intermediate voltage line.
期間P1,P2,P3において、ノードN1はハイ電圧に、ノードN2はロー電圧に、ノードN4はロー電圧に維持されているが、期間P4に、ノードN1はロー電圧に、ノードN2はハイ電圧に、ノードN4は中間電圧に、それぞれ変化する。 In the periods P1, P2, and P3, the node N1 is maintained at a high voltage, the node N2 is maintained at a low voltage, and the node N4 is maintained at a low voltage. In the period P4, the node N1 is maintained at a low voltage, and the node N2 is maintained at a high voltage. In addition, the node N4 changes to an intermediate voltage.
その後、期間P5に、基本クロック信号Vn+4がロー電圧となり、トランジスタT3がオフされた後も、保持容量C3によりノードN2の電圧はハイ電圧で維持される。さらに、基本クロック信号Vn+4は周期的にハイ電圧となり、保持容量C3を周期的に充電し続けるので、ノードN2の電圧は安定的にハイ電圧に維持されることとなる。よって、期間P5以降も、ノードN1はロー電圧に、ノードN2はハイ電圧に、ノードN4は中間電圧に、それぞれ維持される。 After that, in the period P5, the basic clock signal V n + 4 becomes a low voltage, and the voltage of the node N2 is maintained at a high voltage by the storage capacitor C3 even after the transistor T3 is turned off. Furthermore, since the basic clock signal V n + 4 periodically becomes a high voltage and the storage capacitor C3 is periodically charged, the voltage of the node N2 is stably maintained at the high voltage. Therefore, also after the period P5, the node N1 is maintained at the low voltage, the node N2 is maintained at the high voltage, and the node N4 is maintained at the intermediate voltage.
さらに、図12に示す従来技術に係る基本回路と同様に、図4に示すn番目の基本回路113―nに、トランジスタT3と並列に、トランジスタT10が備えられている。トランジスタT10のゲートには、入力端子IN5が接続され、上述の補助信号VSTが入力端子IN5に入力される。トランジスタT3が定期的にオンされることにより保持容量C3を周期的に充電し続けることに加えて、補助信号VSTがハイ電圧になる毎に、トランジスタT10がオンされ、これによっても、保持容量C3は充電される。 Further, similarly to the basic circuit according to the related art shown in FIG. 12, the nth basic circuit 113-n shown in FIG. 4 includes a transistor T10 in parallel with the transistor T3. The gate of the transistor T10, the input terminal IN5 are connected, an auxiliary signal V ST described above is input to the input terminal IN5. In addition to continuing to periodically charge the storage capacitor C3 by periodically turning on the transistor T3, the transistor T10 is turned on every time the auxiliary signal VST becomes a high voltage. C3 is charged.
ここで、補助信号VSTとは、上述の通り、nが奇数の場合は補助信号VST1が、nが偶数の場合は補助信号VST2を表している。よって、nが奇数となるn番目の基本回路113−nは、補助信号VST1がハイ電圧になるタイミングで、また、nが偶数となるn番目の基本回路113−nは、補助信号VST2がハイ電圧になるタイミングで、それぞれ、一斉に、基本回路113にそれぞれ備えられたT10により、保持容量C3は充電される。補助信号VSTを、1フレーム期間において、表示領域に書き込む期間以外の時間である帰線期間などにおいて、ハイ電圧にすることにより、信号オフ期間に応じて、より安定的にノードN2をハイ電圧に維持することが出来る。 Here, as described above, the auxiliary signal V ST represents the auxiliary signal V ST1 when n is an odd number and the auxiliary signal V ST2 when n is an even number. Therefore, the n-th basic circuit 113-n in which n is an odd number is the timing at which the auxiliary signal V ST1 becomes a high voltage, and the n-th basic circuit 113-n in which n is an even number is the auxiliary signal V ST2. The storage capacitor C3 is charged by the T10 provided in each of the basic circuits 113 at the same time when becomes a high voltage. By setting the auxiliary signal VST to a high voltage in a blanking period that is a time other than a period in which data is written in the display region in one frame period, the node N2 is more stably set to a high voltage according to the signal off period. Can be maintained.
以上が、当該実施形態に係るn番目の基本回路113−nの構成と駆動方法の説明である。図12に示す従来技術に係る基本回路及び図4に示す当該実施形態に係るn番目の基本回路113−nにおいて、ともに、信号ロー期間に応じて、2個のトランジスタT4,T7はオフされている。図12に示す従来技術に係る基本回路において、2個のトランジスタT4,T7がオフ状態に維持されている間、2個のトランジスタT4,T7の入力端にはロー電圧線VGLのロー電圧が、出力端にはノードN2のハイ電圧が印加されている。すなわち、2個のトランジスタT4,T7それぞれの入力端と出力端の間には、ハイ電圧とロー電圧の電位差が印加されている。これに対して、当該実施形態に係るn番目の基本回路113−nにおいて、2個のトランジスタT4,T7がオフ状態に維持されている間、2個のトランジスタT4,T7の入力端にはノードN4の接地電圧GNDが、出力端にはノードN2のハイ電圧が印加されている。すなわち、2個のトランジスタT4,T7それぞれの入力端と出力端の間には、ハイ電圧と接地電圧GNDとの電位差が印加されており、従来技術に係る基本回路と比較して、入力端と出力端の間に印加される電圧は軽減されている。 The above is the description of the configuration and the driving method of the nth basic circuit 113-n according to the embodiment. In the basic circuit according to the prior art shown in FIG. 12 and the nth basic circuit 113-n according to the embodiment shown in FIG. 4, the two transistors T4 and T7 are turned off according to the signal low period. Yes. In the basic circuit according to the prior art shown in FIG. 12, while the two transistors T4 and T7 are maintained in the off state, the low voltage of the low voltage line VGL is applied to the input terminals of the two transistors T4 and T7. The high voltage of the node N2 is applied to the output terminal. That is, a potential difference between the high voltage and the low voltage is applied between the input terminal and the output terminal of each of the two transistors T4 and T7. On the other hand, in the n-th basic circuit 113-n according to the present embodiment, while the two transistors T4 and T7 are maintained in the off state, the input terminals of the two transistors T4 and T7 are connected to a node. The ground voltage GND of N4 is applied, and the high voltage of the node N2 is applied to the output terminal. That is, a potential difference between the high voltage and the ground voltage GND is applied between the input terminal and the output terminal of each of the two transistors T4 and T7. Compared with the basic circuit according to the prior art, the input terminal and The voltage applied between the output terminals is reduced.
2個のトランジスタT4,T7それぞれの入力端と出力端との間に印加される電圧が軽減されることにより、信号ロー期間に応じて、2個のトランジスタT4,T7がオフされている間に流れるオフ電流が抑制される。オフ電流が抑制されることにより、ノードN2がハイ電圧より低下することが抑制され、ノードN2がより安定的にハイ電圧に維持される。その結果、ゲート線駆動回路として性能が向上する。 By reducing the voltage applied between the input terminal and the output terminal of each of the two transistors T4 and T7, the two transistors T4 and T7 are turned off according to the signal low period. The flowing off current is suppressed. By suppressing the off-current, the node N2 is prevented from being lowered from the high voltage, and the node N2 is more stably maintained at the high voltage. As a result, the performance as a gate line driving circuit is improved.
さらに、2個のトランジスタT4,T7に流れるオフ電流が抑制されることにより、消費電力が抑制される。さらに、2個のトランジスタT4,T7に流れるオフ電流が抑制されることにより、オフ電流に起因する保持容量C3に蓄えられる電荷の放電が抑制され、ノードN2をハイ電圧に維持するためにかかる消費電力も抑制される。特に、中間電圧を接地電圧GNDとすることにより、2個のトランジスタT4,T7にオフ電流が流れる場合にあっても、中間電圧を維持するために必要な電源を要しないので、消費電力がさらに抑制される。 Further, the power consumption is suppressed by suppressing the off-current flowing through the two transistors T4 and T7. Further, since the off-current flowing through the two transistors T4 and T7 is suppressed, the discharge of the charge stored in the storage capacitor C3 due to the off-current is suppressed, and the consumption for maintaining the node N2 at a high voltage. Electric power is also suppressed. In particular, by setting the intermediate voltage to the ground voltage GND, even when an off-current flows through the two transistors T4 and T7, a power source necessary for maintaining the intermediate voltage is not required, so that power consumption is further increased. It is suppressed.
図12に示す従来技術に係る基本回路において、信号ハイ期間に応じて、トランジスタT7がオンされると、ノードN2のハイ電圧から、ロー電圧線VGLのロー電圧へ電流が流れる。その際に、ロー電圧線VGLをロー電圧に維持するために、ロー電圧線VGLの電源は電力を消費する。これに対して、図4に示す当該実施形態に係るn番目の基本回路113−nにおいて、トランジスタT7の入力端に接続されるノードN4は、中間電圧に維持されており、信号ロー期間に応じて、トランジスタT7がオンされ、ノードN2から中間電圧線へ電流が流れる。特に、中間電圧を接地電圧GNDとすることにより、この電流が流れる際に、中間電圧を維持するために必要な電源を要しないので、消費電力がさらに抑制される。 In the basic circuit according to the prior art shown in FIG. 12, when the transistor T7 is turned on according to the signal high period, a current flows from the high voltage at the node N2 to the low voltage on the low voltage line VGL . At that time, in order to maintain the low voltage line VGL at a low voltage, the power supply of the low voltage line VGL consumes power. On the other hand, in the n-th basic circuit 113-n according to this embodiment shown in FIG. 4, the node N4 connected to the input terminal of the transistor T7 is maintained at the intermediate voltage, and corresponds to the signal low period. Thus, the transistor T7 is turned on, and a current flows from the node N2 to the intermediate voltage line. In particular, when the intermediate voltage is set to the ground voltage GND, when this current flows, a power source necessary for maintaining the intermediate voltage is not required, so that power consumption is further suppressed.
さらに、当該実施形態に係る2個のトランジスタT4,T7は、それぞれの閾値電圧Vthの正シフトが抑制される。信号ハイ期間に応じて、2個のトランジスタT4,T7はオンされ、2個のトランジスタT4,T7はオンされている間、ゲートにはハイ電圧が、入力端及び出力端にはロー電圧が印加されるので、閾値電圧Vthが正側にシフトする。すなわち、閾値電圧Vthが正シフトする。特に、トランジスタT4は、期間P1,P2,P3に、閾値電圧Vthが正シフトする。これに対して、信号ロー期間に応じて、2個のトランジスタT4,T7はオフされ、2個のトランジスタT4,T7はオフされている間、ゲートにはロー電圧が印加され、閾値電圧Vthが負側にシフトする。すなわち、閾値電圧Vthが負シフトする。 Further, in the two transistors T4 and T7 according to this embodiment, the positive shift of the threshold voltage Vth is suppressed. In accordance with the signal high period, the two transistors T4 and T7 are turned on. While the two transistors T4 and T7 are turned on, a high voltage is applied to the gate and a low voltage is applied to the input terminal and the output terminal. Therefore, the threshold voltage Vth shifts to the positive side. That is, the threshold voltage Vth is positively shifted. In particular, in the transistor T4, the threshold voltage Vth is positively shifted during the periods P1, P2, and P3. On the other hand, according to the signal low period, the two transistors T4 and T7 are turned off, and while the two transistors T4 and T7 are turned off, a low voltage is applied to the gate, and the threshold voltage V th Shifts to the negative side. That is, the threshold voltage Vth is negatively shifted.
図12に示す従来技術に係る基本回路において、2個のトランジスタT4,T7がオフされている間、2個のトランジスタT4,T7の出力端にはハイ電圧となるノードN2が印加され、入力端にはロー電圧線VGLのロー電圧が印加される。これに対して、図4に示す当該実施形態に係るn番目の基本回路113−nにおいて、2個のトランジスタT4,T7がオフされている間、2個のトランジスタT4,T7の出力端には同様にハイ電圧となるノードN2が印加され、入力端には、従来技術に係る場合と異なり、ロー電圧より高い電圧である中間電圧が印加される。トランジスタT4,T7の入力端に、ゲートに印加されるノードN1のロー電圧より高い電圧が印加されることにより、閾値電圧Vthの負シフトはより大きくなり、2個のトランジスタT4,T7がオンされる間に生じる閾値電圧Vthの正シフトをより打ち消し、全体として、2個のトランジスタT4,T7の閾値電圧Vthの正シフトが抑制される。 In the basic circuit according to the prior art shown in FIG. 12, while the two transistors T4 and T7 are turned off, the node N2 which is a high voltage is applied to the output terminals of the two transistors T4 and T7, and the input terminal The low voltage of the low voltage line V GL is applied to. On the other hand, in the n-th basic circuit 113-n according to the embodiment shown in FIG. 4, the two transistors T4 and T7 are turned off while the two transistors T4 and T7 are turned off. Similarly, a node N2 that is a high voltage is applied, and an intermediate voltage that is higher than the low voltage is applied to the input terminal, unlike the case of the related art. When a voltage higher than the low voltage of the node N1 applied to the gate is applied to the input terminals of the transistors T4 and T7, the negative shift of the threshold voltage Vth becomes larger, and the two transistors T4 and T7 are turned on. more counteract the positive shift in the threshold voltage V th generated between being, as a whole, the two transistors T4, T7 threshold voltage V th of the positive shift in can be suppressed.
2個のトランジスタT4,T7は、それぞれの閾値電圧Vthの正シフトが抑制されることにより、2個のトランジスタT4,T7の素子としての駆動能力が向上し、より安定的にノードN2にロー電圧を供給することが出来る。その結果、ゲート線駆動回路として性能がさらに向上する。 In the two transistors T4 and T7, the positive shift of the respective threshold voltages Vth is suppressed, so that the driving capability as the elements of the two transistors T4 and T7 is improved, and the node N2 is more stably transferred to the node N2. A voltage can be supplied. As a result, the performance of the gate line driving circuit is further improved.
なお、前述の通り、トランジスタT1はダイオード接続されている。トランジスタT1がダイオード接続されていることにより、トランジスタT1がオフされている間、トランジスタT1に流れるオフ電流が抑制される。トランジスタT1がオフされている間、トランジスタT1のゲート及び入力端にはロー電圧が印加される。信号ロー期間に応じて、ノードN1はロー電圧に維持されている。すなわち、信号ロー期間に応じて、トランジスタT1の入力端及び出力端は、ともにロー電圧が印加されており、入力端と出力端の間に電位差はほとんど生じておらず、オフ電流はほとんど流れてない。トランジスタT1に流れるオフ電流が抑制されることにより、信号オフ期間に応じて、ノードN1が安定的にロー電圧に維持される。その結果、ゲート線駆動回路として性能がさらに向上する。 As described above, the transistor T1 is diode-connected. Since the transistor T1 is diode-connected, the off-current flowing through the transistor T1 is suppressed while the transistor T1 is turned off. While the transistor T1 is turned off, a low voltage is applied to the gate and input terminal of the transistor T1. Depending on the signal low period, the node N1 is maintained at a low voltage. That is, according to the signal low period, a low voltage is applied to both the input terminal and the output terminal of the transistor T1, almost no potential difference is generated between the input terminal and the output terminal, and the off current flows almost. Absent. By suppressing the off-current flowing through the transistor T1, the node N1 is stably maintained at a low voltage according to the signal off period. As a result, the performance of the gate line driving circuit is further improved.
たとえ、2個のトランジスタT4,T7がオフされている間に、2個のトランジスタT4,T7いずれかにオフ電流が流れる場合であっても、図12に示す従来技術に係る基本回路と異なり、ノードN2は、たかだか中間電圧までしか低下しない。よって、オフ電流が流れてしまう場合であっても、ノードN2はより高い電圧に維持され、トランジスタT2,T6をより制御することが出来る。 Even if the off-state current flows through either of the two transistors T4 and T7 while the two transistors T4 and T7 are turned off, unlike the basic circuit according to the prior art shown in FIG. Node N2 only drops to an intermediate voltage. Therefore, even when off-state current flows, the node N2 is maintained at a higher voltage, and the transistors T2 and T6 can be more controlled.
図4に示す当該実施形態に係るn番目の基本回路113−nは、信号ロー期間に応じて、ノードN2がハイ電圧に維持されるために、保持容量C3が備えられている。本発明により、2個のトランジスタT4,T7に流れるオフ電流が抑制され、ノードN2が安定的に維持されるため、保持容量C3のサイズを小さくすることが出来る。同様に、2個のトランジスタT4,T7に流れるオフ電流が抑制されるので、信号ハイ期間に応じて、ノードN2をハイ電圧に変化させるために設けられるトランジスタT3,T10に高い性能が必要なくなり、トランジスタT3,T10のサイズを小さくすることが出来る。これにより、ゲート線駆動回路の省スペース化が実現される。ゲート線駆動回路が、表示画面の額縁領域に設けられる場合、狭額縁化が実現される。 The n-th basic circuit 113-n according to this embodiment shown in FIG. 4 includes a storage capacitor C3 in order to maintain the node N2 at a high voltage according to the signal low period. According to the present invention, the off-current flowing through the two transistors T4 and T7 is suppressed, and the node N2 is stably maintained. Therefore, the size of the storage capacitor C3 can be reduced. Similarly, since the off-current flowing through the two transistors T4 and T7 is suppressed, the transistors T3 and T10 provided for changing the node N2 to the high voltage according to the signal high period do not need high performance. The size of the transistors T3 and T10 can be reduced. Thereby, space saving of the gate line driving circuit is realized. When the gate line driving circuit is provided in the frame area of the display screen, narrowing of the frame is realized.
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態に係る表示装置は、第1の実施形態に係る表示装置と、基本的には同じ構成をしている。第1の実施形態に係る表示装置との主な違いは、シフトレジスタ回路112の基本回路113に備えられるノードN2ロー電圧供給回路14(ロー電圧印加オフ制御回路)の構成にある。
[Second Embodiment]
The display device according to the second embodiment of the present invention has basically the same configuration as the display device according to the first embodiment. The main difference from the display device according to the first embodiment is the configuration of the node N2 low voltage supply circuit 14 (low voltage application off control circuit) provided in the basic circuit 113 of the
図6は、当該実施形態に係るシフトレジスタ回路112のn番目の基本回路113―nの回路図である。図6に示す当該実施形態に係るノードN2ロー電圧供給回路14は、図4に示す第1の実施形態に係るノードN2ロー電圧供給回路14と同様に、ノードN2に出力端が接続されている出力電圧スイッチング回路と、出力電圧スイッチング回路の入力端に対して並列に接続される中間電圧印加回路とロー電圧印加回路と、を備える。
FIG. 6 is a circuit diagram of the nth basic circuit 113-n of the
出力電圧スイッチング回路は、ノードN2に対して並列に接続される2個のトランジスタT4,T7を備える。出力電圧スイッチング回路の入力端に印加される電圧は、ノードN4である。中間電圧印加回路はトランジスタTL1を備えている。図4に示す第1の実施形態と異なり、ロー電圧印加回路は、ノードN4に対して並列に接続される2個のトランジスタTL2,TL3を、備えている。トランジスタTL3のゲート(スイッチ)に入力端子IN3が、出力端にロー電圧線VGLが、それぞれ接続されている。当該実施形態に係るn番目の基本回路113−nの駆動方法は、図5に示す第1の実施形態に係る駆動方法と同じである。 The output voltage switching circuit includes two transistors T4 and T7 connected in parallel to the node N2. The voltage applied to the input terminal of the output voltage switching circuit is the node N4. The intermediate voltage application circuit includes a transistor TL1. Unlike the first embodiment shown in FIG. 4, the low voltage application circuit includes two transistors TL2 and TL3 connected in parallel to the node N4. The input terminal IN3 is connected to the gate (switch) of the transistor TL3, and the low voltage line VGL is connected to the output terminal. The driving method of the nth basic circuit 113-n according to this embodiment is the same as the driving method according to the first embodiment shown in FIG.
図5に示す期間P1に、n−2番目の基本回路113―(n−2)のゲート信号Gn−2がハイ電圧となり、期間P1に、トランジスタT1,T7がオン状態となるとともに、トランジスタTL3もオン状態となる。トランジスタT7がオン状態となることにより、ノードN2がノードN4と電気的に接続し、ノードN2がノードN4の電圧へ変化する。その際、トランジスタTL3がオン状態となることにより、ノードN4がロー電圧線VGLのロー電圧と電気的に接続され、ノードN4が接地電圧GNDからロー電圧に変化するので、第1の実施形態と比較して、より早急に、ノードN2がロー電圧に変化する。トランジスタTL2がオンされるタイミングに先駆けて、トランジスタTL3がオンされるので、より早急に、ノードN4が接地電圧GNDからロー電圧に変化するからである。また、トランジスタTL2がオンされた後、ノードN4に対して並列される2個のトランジスタTL2,TL3が、ノードN4をロー電圧へ変化させるので、1個のトランジスタTL2が変化させる第1の実施形態と比較して、さらに、より早急にノードN4がロー電圧へ変化する。その結果、ノードN2が、より早急にロー電圧へ変化する。その結果、ゲート線駆動回路として性能がさらに向上する。 In the period P1 shown in FIG. 5, the gate signal G n-2 of the (n−2) th basic circuit 113- (n−2) becomes a high voltage, and in the period P1, the transistors T1 and T7 are turned on. TL3 is also turned on. When the transistor T7 is turned on, the node N2 is electrically connected to the node N4, and the node N2 changes to the voltage of the node N4. At this time, since the transistor TL3 is turned on, the node N4 is electrically connected to the low voltage of the low voltage line VGL , and the node N4 changes from the ground voltage GND to the low voltage, so that the first embodiment Compared with, the node N2 changes to the low voltage more quickly. This is because the transistor TL3 is turned on prior to the timing when the transistor TL2 is turned on, so that the node N4 changes from the ground voltage GND to the low voltage more quickly. Further, after the transistor TL2 is turned on, the two transistors TL2 and TL3 that are parallel to the node N4 change the node N4 to the low voltage, so that the one transistor TL2 changes the first embodiment. In addition, the node N4 changes to the low voltage more rapidly. As a result, the node N2 changes to the low voltage more quickly. As a result, the performance of the gate line driving circuit is further improved.
[第3の実施形態]
本発明の第3の実施形態に係る表示装置は、第2の実施形態に係る表示装置と、基本的には同じ構成をしている。第2の実施形態に係る表示装置との主な違いは、シフトレジスタ回路112の基本回路113の構成にある。
[Third embodiment]
The display device according to the third embodiment of the present invention has basically the same configuration as the display device according to the second embodiment. The main difference from the display device according to the second embodiment is the configuration of the basic circuit 113 of the
図7は、当該実施形態に係るシフトレジスタ回路112のn番目の基本回路113―nの回路図である。図6に示す第2の実施形態に係るn番目の基本回路113―nとの主な相違点として、第2の実施形態に係る基本回路113において、ロー電圧印加スイッチング回路11には、ロー電圧印加スイッチング素子SWAに相当するトランジスタT6が1個備えられているところ、本実施形態に係る基本回路113には、ロー電圧印加スイッチング回路11に、2個の並列に接続されたトランジスタT6,T6Aが備えられている。同様に、第2の実施形態に係るノードN1ロー電圧供給回路13(ハイ電圧印加オフ制御回路)に、ハイ電圧印加オフ制御素子SWBに相当するトランジスタT2が1個備えられているところ、本実施形態に係るノードN1ロー電圧供給回路13(ハイ電圧印加オフ制御回路)に、2個の並列に接続されたトランジスタT2,T2Aが備えられている。
FIG. 7 is a circuit diagram of the nth basic circuit 113-n of the
また、図7に示すn番目の基本回路113―nには、さらに、2対の交流電圧線が入力される。ノードN2は、制御スイッチング素子となるトランジスタTA1,TA2,TA3,TA4を介して、1対の交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bに接続されている。また、トランジスタT2,T2Aの入力端には、もう1対の交流電圧線VGL_AC2,VGL_AC2Bそれぞれに接続されて、トランジスタT2,T2Aの出力端は、ともにノードN1と接続されている。同様に、トランジスタT6,T6Aの入力端には、この1対の交流電圧線VGL_AC2,VGL_AC2Bそれぞれに接続されて、トランジスタT6,T6Aの出力端は、ともに出力端子OUTと接続されている。 Further, two pairs of AC voltage lines are further input to the nth basic circuit 113-n shown in FIG. Node N2 via the transistor TA1, TA2, TA3, TA4 to be controlled switching element, a pair of AC voltage line V GL_AC1, is connected to the V GL_AC1B. The input terminals of the transistors T2 and T2A are connected to another pair of AC voltage lines VGL_AC2 and VGL_AC2B, respectively, and the output terminals of the transistors T2 and T2A are both connected to the node N1. Similarly, the input ends of the transistors T6 and T6A are connected to the pair of AC voltage lines VGL_AC2 and VGL_AC2B, respectively, and the output ends of the transistors T6 and T6A are both connected to the output terminal OUT.
トランジスタTA1,TA3のゲートに、1対の交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bそれぞれが接続されている。ノードN2は、制御スイッチング素子となるトランジスタTA1,TA3を介して、それぞれ、ノードN2A,N2Bと接続されている。 A pair of AC voltage lines VGL_AC1 and VGL_AC1B are connected to the gates of the transistors TA1 and TA3, respectively. The node N2 is connected to nodes N2A and N2B via transistors TA1 and TA3 serving as control switching elements, respectively.
トランジスタTA4,TA2のゲートに、同様に、1対の交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bそれぞれが接続されている。トランジスタTA2を介して、交流電圧線VGL_AC1とノードN2Aが、また、トランジスタTA4を介して、交流電圧線VGL_AC1BとノードN2Bが、それぞれ接続されている。 Similarly, a pair of AC voltage lines VGL_AC1 and VGL_AC1B are connected to the gates of the transistors TA4 and TA2, respectively. Via the transistor TA2, AC voltage line V GL_AC1 and node N2A is, also, through the transistor TA4, the AC voltage line V GL_AC1B and node N2B, are connected.
トランジスタT2,T2Aのゲートに、それぞれ、ノードN2A,N2Bが、同様に、トランジスタT6,T6Aのゲートに、それぞれ、ノードN2A,N2Bが、接続されている。 Nodes N2A and N2B are connected to the gates of the transistors T2 and T2A, respectively. Similarly, nodes N2A and N2B are connected to the gates of the transistors T6 and T6A, respectively.
図8は、2対の交流電圧線の電圧の時間変化を示す図である。横軸方向は時間を表し、縦軸方向には、2対の交流電圧線それぞれのハイ電圧(H)とロー電圧(L)が表されている。図に示す通り、この2対の交流電圧線の電圧は、交互にハイ電圧とロー電圧になるよう周期的に変化している。 FIG. 8 is a diagram showing a time change of voltages of two pairs of AC voltage lines. The horizontal axis direction represents time, and the vertical axis direction represents the high voltage (H) and the low voltage (L) of each of the two pairs of AC voltage lines. As shown in the figure, the voltages of the two pairs of AC voltage lines periodically change so as to alternately become a high voltage and a low voltage.
図8に示す通り、交流電圧線VGL_AC1に係るそれぞれの期間を、P1A,P2A,P3A,・・・と、交流電圧線VGL_AC1Bに係るそれぞれの期間を、P1B,P2B,P3B,・・・と、図に示す時刻を、それぞれt1,t2と、定義する。図8に示す通り、1対の交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bは、ともに、ハイ電圧である期間が、ロー電圧である期間よりも長くなっている。例えば、交流電圧線VGL_AC1において、ハイ電圧である期間P1A,P3A,・・・は、ロー電圧である期間P2A,P4A,・・・よりも、長くなっている。そして、1対の交流電圧線VGL_AC2,VGL_AC2Bは、それぞれ、1対の交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bの逆位相となっている。 As shown in FIG. 8, the respective periods of the AC voltage line V GL_AC1, P1A, P2A, P3A , and ..., and each period of the AC voltage line V GL_AC1B, P1B, P2B, P3B , ··· And the times shown in the figure are defined as t 1 and t 2 , respectively. As shown in FIG. 8, the pair of AC voltage lines V GL_AC1 and V GL_AC1B both have a longer period during which the high voltage is applied than a period during which the low voltage is applied. For example, the AC voltage line V GL_AC1, high voltage and is the period P1A, P3A, ... the period is low voltage P2A, P4A, than ..., is longer. Then, a pair of AC voltage line V GL_AC2, V GL_AC2B, respectively, a pair of AC voltage line V GL_AC1, are opposite phases of V GL_AC1B.
それゆえ、例えば、期間P1Bにおいてロー電圧である交流電圧線VGL_AC1Bは、時刻t1に、ハイ電圧に変化する。その後、期間P1Aにおいてハイ電圧である交流電圧線VGL_AC1は、時刻t2に、ロー電圧に変化する。すなわち、1対の交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bそれぞれには、ハイ電圧となっている各期間において、ロー電圧からハイ電圧に変化してしばらくの期間、そして、ハイ電圧からロー電圧に変化する直前のしばらくの期間、1対の交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bがともにハイ電圧となっている重なりの期間が存在している。 Thus, for example, AC voltage line V GL_AC1B is low voltage in the period P1B, at time t 1, changes to high voltage. Thereafter, the AC voltage line V GL_AC1 is high voltage in the period P1A is the time t 2, the changes to the low voltage. That is, each of the pair of AC voltage lines V GL_AC1 and V GL_AC1B changes from the low voltage to the high voltage for a while and changes from the high voltage to the low voltage in each period of the high voltage. There is an overlap period in which both the pair of AC voltage lines V GL_AC1 and V GL_AC1B are at a high voltage for a short period of time immediately before.
以下、ノードN2A,N2Bの変化について、図8に示す時間変化に従って説明する。期間P1Bにおいて、交流電圧線VGL_AC1はハイ電圧であるので、トランジスタTA1はオンされ、また、交流電圧線VGL_AC1Bはロー電圧であるので、トランジスタTA2はオフされており、ノードN2AはノードN2と電気的に接続している。また、期間P1Bにおいて、交流電圧線VGL_AC1はハイ電圧であるので、トランジスタTA4はオンされ、また、交流電圧線VGL_AC1Bはロー電圧であるので、トランジスタTA3はオフされており、ノードN2Bはロー電圧に保たれている。 Hereinafter, changes in the nodes N2A and N2B will be described in accordance with the time changes shown in FIG. In the period P1B, since the AC voltage line V GL_AC1 is a high voltage, the transistor TA1 is turned on, and since the AC voltage line V GL_AC1B is a low voltage, the transistor TA2 is turned off, and the node N2A is connected to the node N2. Electrically connected. In the period P1B, since the AC voltage line V GL_AC1 is a high voltage, the transistor TA4 is turned on, and since the AC voltage line V GL_AC1B is a low voltage, the transistor TA3 is turned off and the node N2B is low It is kept at voltage.
時刻t1に、交流電圧線VGL_AC1Bがロー電圧からハイ電圧に、変化する。これにより、トランジスタTA3はオンされ、ノードN2BがノードN2と電気的に接続される。また、交流電圧線VGL_AC1Bがハイ電圧に変化したことにより、オン状態であるトランジスタTA4を介して、ノードN2Bはロー電圧からハイ電圧に変化する。これら2点により、ノードN2BもノードN2と同じハイ電圧に変化する。そして、このとき、ノードN2は、ノードN2AとノードN2Bの両方と電気的に接続している。 At the time t 1, AC voltage line V GL_AC1B to a high voltage from a low voltage, to change. Thus, the transistor TA3 is turned on, and the node N2B is electrically connected to the node N2. Moreover, by the AC voltage line V GL_AC1B has changed to the high voltage, through a transistor TA4 is in the ON state, the node N2B is changed from the low voltage to high voltage. Due to these two points, the node N2B also changes to the same high voltage as the node N2. At this time, the node N2 is electrically connected to both the node N2A and the node N2B.
時刻t2に、交流電圧線VGL_AC1がハイ電圧からロー電圧に、変化する。これにより、トランジスタTA1はオフされ、ノードN2AはノードN2と電気的に遮断される。また、交流電圧線VGL_AC1がロー電圧に変化したことにより、オン状態であるトランジスタTA2を介して、N2Aはハイ電圧からロー電圧に変化する。 To time t 2, the AC voltage line V GL_AC1 is in the low voltage from the high voltage, to change. Thereby, the transistor TA1 is turned off, and the node N2A is electrically disconnected from the node N2. Further, when the AC voltage line VGL_AC1 changes to the low voltage, N2A changes from the high voltage to the low voltage through the transistor TA2 that is in the on state.
以上述べたように、交流電圧線VGL_AC1がハイ電圧のとき、ノードN2AがノードN2と電気的に接続しており、信号ロー期間に応じてハイ電圧となり、トランジスタT2,T6はオン状態となる。このとき、交流電圧線VGL_AC1と逆位相となっている交流電圧線VGL_AC2はロー電圧であり、トランジスタT2,T6は、それぞれ、ノードN1及び出力端子OUTに、交流電圧線VGL_AC2のロー電圧を印加する。また、交流電圧線VGL_AC1がロー電圧のとき、ノードN2AはノードN2と電気的に遮断され、ノードN2Aはロー電圧となり、トランジスタT2,T6はオフ状態となる。 As described above, when the AC voltage line VGL_AC1 is at a high voltage, the node N2A is electrically connected to the node N2, and becomes a high voltage according to the signal low period, so that the transistors T2 and T6 are turned on. . At this time, the AC voltage line V GL_AC1 opposite phase as going on AC voltage line V GL_AC2 is low voltage, the transistors T2, T6, respectively, to the node N1 and the output terminal OUT, and the low voltage of the AC voltage line V GL_AC2 Is applied. When the AC voltage line VGL_AC1 is at a low voltage, the node N2A is electrically disconnected from the node N2, the node N2A is at a low voltage, and the transistors T2 and T6 are turned off.
同様に、交流電圧線VGL_AC1Bがハイ電圧のとき、ノードN2BがノードN2と電気的に接続しており、信号ロー期間に応じてハイ電圧となり、トランジスタT2A,T6Aはオン状態となる。このとき、交流電圧線VGL_AC1Bと逆位相となっている交流電圧線VGL_AC2Bはロー電圧であり、トランジスタT2A,T6Aは、それぞれ、ノードN1及び出力端子OUTに、交流電圧線VGL_AC2Bのロー電圧を印加する。また、交流電圧線VGL_AC1Bがロー電圧のとき、ノードN2BはノードN2と電気的に遮断され、ノードN2Bはロー電圧となり、トランジスタT2A,T6Aはオフ状態となる。 Similarly, when the AC voltage line V GL_AC1B is high voltage, the node N2B are electrically connected to the node N2, at the high voltage in response to a signal LOW period, the transistors T2A, T6A are turned on. At this time, the AC voltage line V GL_AC2B that is the AC voltage line V GL_AC1B opposite phase is low voltage, the transistors T2A, T6A, respectively, to the node N1 and the output terminal OUT, and the AC voltage line V GL_AC2B low voltage Is applied. Further, when the AC voltage line V GL_AC1B is low voltage, the node N2B is interrupted in the node N2 electrically, node N2B becomes a low voltage, the transistors T2A, T6A are turned off.
制御スイッチング素子となるトランジスタTA1,TA2,TA3,TA4、及び、交流電圧線VGL_AC1,VGL_AC1Bによって、ノードN2A及びノードN2Bが、ノードN2と電気的に接続するか否かが制御される。ノードN2と電気的に遮断されている時には、ロー電圧に維持されていたノードN2Aが、ノードN2と電気的に接続される際に、ノードN2Aはロー電圧からハイ電圧に変化するように制御されるために、ノードN2Bと電気的に接続しているノードN2が、さらにノードN2Aとも電気的に接続する際に生じるノードN2の電圧の低下を抑制することが出来る。ノードN2BがノードN2と電気的に接続する際も、同様である。 Control switching device become transistors TA1, TA2, TA3, TA4, and the AC voltage line V GL_AC1, the V GL_AC1B, node N2A and the node N2B is, whether connected to the node N2 electrically is controlled. When the node N2A is electrically disconnected from the node N2, when the node N2A, which has been maintained at the low voltage, is electrically connected to the node N2, the node N2A is controlled to change from the low voltage to the high voltage. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the voltage of the node N2 that occurs when the node N2 electrically connected to the node N2B is further electrically connected to the node N2A. The same applies when the node N2B is electrically connected to the node N2.
このように、ロー電圧印加スイッチング回路11及びノードN1ロー電圧供給回路13に、それぞれ複数のトランジスタを備えることにより、本来、1個のトランジスタのゲートに、長時間、ハイ電圧が印加されていたところ、1個のトランジスタのゲートにハイ電圧が印加される時間を、それぞれ複数のトランジスタに、それぞれ分担させることが出来ている。これにより、スイッチング素子の劣化への時間を遅らせることができ、また、長寿命化を実現させることが出来ている。
Thus, by providing the low voltage
そして、本実施形態に係る基本回路113において、その複数のトランジスタの駆動切り替え時に生じるノードN2の低下を抑制することが出来ており、このような基本回路113に、本発明に係るノードN2ロー電圧供給回路14を備えることにより、ノードN2の電圧の安定化の効果はさらに高まることとなる。その結果、ゲート線駆動回路として性能がさらに向上する。なお、本実施形態に係るノードN2ロー電圧供給回路14として、図7には、図6に示す第2の実施形態に係るノードN2ロー電圧供給回路14と同じ回路が示されている。しかし、これに限られることはなく、図4に示す第1の実施形態に係るノードN2ロー電圧供給回路14など、本発明に係るノードN2ロー電圧供給回路14であればよい。
Further, in the basic circuit 113 according to the present embodiment, it is possible to suppress a decrease in the node N2 that occurs at the time of switching the driving of the plurality of transistors. In such a basic circuit 113, the node N2 low voltage according to the present invention is suppressed. By providing the
以上、本実施形態に係る基本回路113において、ロー電圧印加スイッチング回路11及びノードN1ロー電圧供給回路13それぞれに、2個のスイッチング素子が並列に接続される場合について説明した。しかし、ともに2個のスイッチング素子が並列に接続される必要はなく、ロー電圧印加スイッチング回路11及びノードN1ロー電圧供給回路13のいずれかにのみ、2個のスイッチング素子が備えられていてもよい。また、ここでは、基本クロック信号が4相となっているものについて説明したが、5相以上の基本クロック信号についても適用できる。
As described above, in the basic circuit 113 according to the present embodiment, the case where two switching elements are connected in parallel to the low voltage
さらに、図7に示す基本回路113においては、ロー電圧印加スイッチング回路11及びノードN1ロー電圧供給回路13それぞれに、2個のトランジスタが並列に備えられているが、2個に限定されることはない。3個、4個とさらに、増加させてもよい。その場合、それぞれのノードに対応して接続される3対、4対の交流電圧線とさらに、増加させることとなる。トランジスタにハイ電圧が印加される時間を、さらに多くのトランジスタで分担することとなり、1個当たりのトランジスタにハイ電圧が印加される時間を、さらに軽減させることが出来る。
Further, in the basic circuit 113 shown in FIG. 7, each of the low voltage
[第4の実施形態]
本発明の第4の実施形態に係る表示装置は、第1乃至第3のいずれかの実施形態に係る表示装置と、基本的には同じ構成をしている。第1乃至第3のいずれかの実施形態に係る表示装置との主な違いは、シフトレジスタ回路112の基本回路113に備えられるトランジスタT1の構造にある。
[Fourth Embodiment]
The display device according to the fourth embodiment of the present invention has basically the same configuration as the display device according to any one of the first to third embodiments. The main difference from the display device according to any one of the first to third embodiments is the structure of the transistor T1 provided in the basic circuit 113 of the
図9は、当該実施形態に係るシフトレジスタ回路112のn番目の基本回路113−nの一部を示す回路図である。図4、図6及び図7にそれぞれ示す第1乃至第3の実施形態に係るトランジスタT1はダイオード接続されており、トランジスタT1のゲート及び入力端が入力端子IN3に接続されている。これに対して、図9に示す当該実施形態に係るトランジスタT5のゲートは入力端子IN3に、入力端はハイ電圧線VGHに接続されている。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a part of the nth basic circuit 113-n of the
トランジスタT1が図9に示す構造をとることにより、期間P1にトランジスタT1がオンされる際、ロー電圧に維持されていたノードN1が、より早急にハイ電圧へ変化する。トランジスタT1の入力端には、ハイ電圧線VGHのハイ電圧が印加されているからである。 Since the transistor T1 has the structure shown in FIG. 9, when the transistor T1 is turned on in the period P1, the node N1 that has been maintained at the low voltage changes more quickly to the high voltage. This is because the high voltage of the high voltage line VGH is applied to the input terminal of the transistor T1.
また、以上、本発明の実施形態に係るシフトレジスタ回路112において、図3に示す通り、表示領域120の両側にそれぞれ複数の基本回路113が配置される場合について説明したが、例えば、表示領域120の片側に配置される場合、また、その他の場合であっても、本発明が適用されることは言うまでもない。
As described above, in the
さらに、以上、本発明の実施形態に係る表示装置において、図2に示すIPS方式の液晶表示装置について説明しているが、本発明に係る表示装置は、VA(Vertically Aligned)方式やTN(Twisted Nematic)方式等、その他の駆動方式の液晶表示装置であってもよいし、有機EL表示装置など、他の表示装置であってもよい。図10は、VA方式及びTN方式の液晶表示装置に備えられるTFT基板102の等価回路の概念図である。VA方式及びTN方式の液晶表示装置には、コモン電極111がTFT基板102と対向するフィルタ基板101に設けられている。
Further, in the display device according to the embodiment of the present invention, the IPS liquid crystal display device shown in FIG. 2 has been described. However, the display device according to the present invention may be a VA (Vertical Aligned) method or a TN (Twisted) method. It may be a liquid crystal display device of another driving method such as a Nematic method, or may be another display device such as an organic EL display device. FIG. 10 is a conceptual diagram of an equivalent circuit of the
11 ロー電圧印加スイッチング回路、12 ハイ電圧印加スイッチング回路、13 ノードN1ロー電圧供給回路、14 ノードN2ロー電圧供給回路、15 ノードN1ハイ電圧供給回路、101 フィルタ基板、102 TFT基板、103 バックライト、104 ゲート信号線駆動回路、105 ゲート信号線、106 データ駆動回路、107 映像信号線、108 コモン信号線、109 TFT、110 画素電極、111 コモン電極、112 シフトレジスタ回路、113 基本回路、114 シフトレジスタ制御回路、115 制御信号、120 表示領域、211 ロー電圧印加スイッチング回路、212 ハイ電圧印加スイッチング回路、213 ノードN1ロー電圧供給回路、214 ノードN2ロー電圧供給回路、C1 昇圧容量、C3 保持容量、CLK 基本クロック信号、Gn,Gout ゲート信号、IN1,IN2,IN3,IN4,IN5 入力端子、N1,N2,N2A,N2B,N4 ノード、OUT 出力端子、SWA ロー電圧印加スイッチング素子、SWB ハイ電圧印加オフ制御素子、SWC ロー電圧印加オフ制御素子、SWG ハイ電圧印加スイッチング素子、TA1,TA2,TA3,TA4,T1,T2,T2A,T4,T5,T6,T6A,T9,T10,TL1,TL2,TL3 トランジスタ、VGH ハイ電圧線、VGL ロー電圧線、VGL_AC1,VGL_AC1B,VGL_AC2,VGL_AC2B 交流電圧線、Vn 基本クロック信号、VST,VST1,VST2 補助信号。 11 low voltage application switching circuit, 12 high voltage application switching circuit, 13 node N1 low voltage supply circuit, 14 node N2 low voltage supply circuit, 15 node N1 high voltage supply circuit, 101 filter substrate, 102 TFT substrate, 103 backlight, 104 gate signal line drive circuit, 105 gate signal line, 106 data drive circuit, 107 video signal line, 108 common signal line, 109 TFT, 110 pixel electrode, 111 common electrode, 112 shift register circuit, 113 basic circuit, 114 shift register Control circuit, 115 control signal, 120 display area, 211 low voltage application switching circuit, 212 high voltage application switching circuit, 213 node N1 low voltage supply circuit, 214 node N2 low voltage supply circuit, C1 boosting capacity, C3 holding capacity CLK basic clock signal, G n, G out gate signal, IN1, IN2, IN3, IN4 , IN5 input terminals, N1, N2, N2A, N2B , N4 nodes, OUT an output terminal, SWA LOW voltage applying switching element, SWB high voltage Application OFF control element, SWC Low voltage application OFF control element, SWG High voltage application switching element, TA1, TA2, TA3, TA4, T1, T2, T2A, T4, T5, T6, T6A, T9, T10, TL1, TL2, TL3 transistor, V GH high voltage line, V GL low voltage line, V GL_AC1, V GL_AC1B, V GL_AC2, V GL_AC2B AC voltage line, V n basic clock signal, V ST, V ST1, V ST2 auxiliary signal.
Claims (6)
前記信号ロー期間に応じて、前記ゲート信号線に前記ロー電圧を印加するロー電圧印加スイッチング回路と、
前記信号ハイ期間に応じて、前記ロー電圧印加スイッチング回路がオフされるよう、前記ロー電圧印加スイッチング回路のスイッチに前記ロー電圧を印加するロー電圧印加オフ制御回路と、を備え、
前記ロー電圧印加オフ制御回路は、
前記ロー電圧印加スイッチング回路のスイッチに出力端が接続されている出力電圧スイッチング回路と、
前記出力電圧スイッチング回路の入力端に接続されるとともに、オン状態において前記出力電圧スイッチング回路の入力端に前記ロー電圧を印加するロー電圧印加回路と、
前記出力電圧スイッチング回路の入力端に接続されるとともに、オン状態において前記出力電圧スイッチング回路の入力端に前記ロー電圧と前記ハイ電圧の間となる中間電圧を印加する中間電圧印加回路と、を備え、
前記信号ロー期間に応じて、前記出力電圧スイッチング回路がオフされるとともに、前記ロー電圧印加回路がオフされ、前記中間電圧印加回路はオンされ、
前記信号ハイ期間に応じて、前記出力電圧スイッチング回路がオンされるとともに、前記ロー電圧印加回路がオンされ、前記中間電圧印加回路はオフされる、
ことを特徴とするゲート信号線駆動回路。 A gate signal line driving circuit that applies a high voltage to the gate signal line during a signal high period and applies a low voltage to the gate signal line during a signal low period that is a period other than the signal high period;
A low voltage application switching circuit for applying the low voltage to the gate signal line according to the signal low period;
A low voltage application off control circuit that applies the low voltage to a switch of the low voltage application switching circuit so that the low voltage application switching circuit is turned off according to the signal high period,
The low voltage application off control circuit includes:
An output voltage switching circuit having an output terminal connected to the switch of the low voltage application switching circuit;
A low voltage application circuit that is connected to an input terminal of the output voltage switching circuit and applies the low voltage to an input terminal of the output voltage switching circuit in an ON state;
An intermediate voltage application circuit that is connected to an input terminal of the output voltage switching circuit and applies an intermediate voltage between the low voltage and the high voltage to the input terminal of the output voltage switching circuit in an on state. ,
In accordance with the signal low period, the output voltage switching circuit is turned off, the low voltage application circuit is turned off, the intermediate voltage application circuit is turned on,
According to the signal high period, the output voltage switching circuit is turned on, the low voltage application circuit is turned on, and the intermediate voltage application circuit is turned off.
A gate signal line driver circuit.
ことを特徴とする請求項1に記載のゲート信号線駆動回路。 The switch of the intermediate voltage application circuit is connected to the output terminal of the output voltage switching circuit.
2. The gate signal line driving circuit according to claim 1, wherein
ことを特徴とする請求項1に記載のゲート信号線駆動回路。 The intermediate voltage is a ground voltage.
2. The gate signal line driving circuit according to claim 1, wherein
前記信号ハイ期間に応じて、前記2個のロー電圧印加素子がそれぞれオンされる、
ことを特徴とする請求項1に記載のゲート信号線駆動回路。 The low voltage application circuit is connected in parallel to the input terminal of the output voltage switching circuit, and two low voltage applications for applying the low voltage to the input terminal of the output voltage switching circuit in the ON state, respectively. With elements,
According to the signal high period, the two low voltage application elements are turned on,
2. The gate signal line driving circuit according to claim 1, wherein
前記ゲート信号線に対して互いに並列に接続されるとともに、それぞれオン状態に置いて前記ゲート信号線に前記ロー電圧を印加する複数のロー電圧印加スイッチング素子を備え、
前記複数のロー電圧印加スイッチング素子は、いずれか少なくとも1つが前記信号ロー期間に応じてオン状態にされるとともに、いずれか少なくとも1つが前記信号ロー期間の少なくとも一部においてオフ状態にされるよう、それぞれオンオフされる、
ことを特徴とする、請求項1に記載のゲート線駆動回路。 The low voltage application switching circuit is:
A plurality of low voltage application switching elements that are connected in parallel to the gate signal line and apply the low voltage to the gate signal line in an on state,
At least one of the plurality of low voltage application switching elements is turned on in accordance with the signal low period, and at least one of the plurality of low voltage application switching elements is turned off in at least a part of the signal low period. Each turned on and off,
The gate line driving circuit according to claim 1, wherein:
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014067027A (en) * | 2012-09-07 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
CN103927958A (en) * | 2013-12-26 | 2014-07-16 | 上海天马微电子有限公司 | Amorphous silicon gate drive circuit and panel sensor |
US10192512B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-01-29 | Japan Display Inc. | Gate voltage generation circuit, transistor substrate and display device |
-
2010
- 2010-09-09 JP JP2010201820A patent/JP2012058502A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014067027A (en) * | 2012-09-07 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
JP2017097944A (en) * | 2012-09-07 | 2017-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
JP2017182870A (en) * | 2012-09-07 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Shift register and semiconductor device |
JP2019071157A (en) * | 2012-09-07 | 2019-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Driving method of semiconductor device |
CN103927958A (en) * | 2013-12-26 | 2014-07-16 | 上海天马微电子有限公司 | Amorphous silicon gate drive circuit and panel sensor |
US10192512B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-01-29 | Japan Display Inc. | Gate voltage generation circuit, transistor substrate and display device |
US10621944B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-04-14 | Japan Display Inc. | Gate voltage generation circuit, transistor substrate and display device |
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