JP2012038988A - 光源装置及び光ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】自然放出増幅光を発生させる光源装置及び高速成膜が可能な光ＣＶＤを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる光源装置は、ガスチャンバ１０２及びウインド１０７を有する。筒状のガスチャンバ１０２は、シランガスが充填され、内部でシランガスを放電させる。ウインド１０７は、ガスチャンバ１０２の一端に設けられる。ウインド１０７は、放電によりガスチャンバ１０２の長手方向に発生する自然放出増幅光（ＡＳＥ）を、ガスチャンバ１０２の外部に透過させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、光源装置及び光ＣＶＤ装置に関し、特に自然放出増幅光の光源装置及びこれを用いた光ＣＶＤ装置に関する。

半導体製造工程では様々な材料を基板上に成膜する。このような成膜に用いられる成膜装置として、スパッタやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）が主に利用されている。ＣＶＤは、成膜原理の違いによって、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ及び光ＣＶＤに分けられる。なお、光ＣＶＤ装置における光源には、ランプやレーザが用いられていた。

従来、ＳｉＯ（酸化シリコン）膜やＳｉＮ（窒化シリコン）膜の成膜への、光ＣＶＤの適用が試行されている（例えば、特許文献１）。特許文献１では、例えば、エキシマランプを光源として用いた光ＣＶＤが実験的に試されている。この光ＣＶＤでは、エキシマランプにより、波長１２６ｎｍの真空紫外光（以下、ＶＵＶ光と呼ぶ）が発生する。材料ガスには、シランガスが用いられている。発生したＶＵＶ光は、シランガス雰囲気中に配置された基板上に照射される。これにより、基板上への成膜が行われる。図５は、シランガスの紫外光の吸収断面積の波長依存性を示すグラフである。

上述のように、光ＣＶＤにおいて波長１９０ｎｍ以下のＶＵＶ光を利用したい場合、従来は主にエキシマランプが光源として用いられていた。エキシマランプは、例えば、内部にキセノンガスを満たすことで、波長１７２ｎｍのＶＵＶ光（Ｘｅ_２からの発光）が発生する。また、クリプトンガスを満たすことで、波長１４７ｎｍのＶＵＶ光（Ｋｒ_２からの発光）が発生する。さらに、アルゴンガスを満たすことで、波長１２６ｎｍのＶＵＶ光（Ａｒ_２からの発光）が発生する。これらのガスと発生するＶＵＶ光との関係は広く知られている。なお、非特許文献１及び２については後述する。

特開２００７−３０２９５８号公報

D. J. Bradley, et al., "Megawatt VUV xenon laser employing coaxial electron-beam excitation" Optics Communications, 1974, Vol. 11, No. 4, PP.335-338. 「レーザー研究」、レーザー学会、第１８巻、第６号、第２９〜３５頁

従来、光ＣＶＤにおいてエキシマランプにより発生するＶＵＶ光を用いる場合は、基板上におけるＶＵＶ光の光強度が、およそ１００ｍＷ／ｃｍ^２以下と低いことが課題であった。

エキシマランプは、誘電体バリア放電により、石英ガラスからなるランプ管の内壁の広い面積で発光する。そのため、エキシマランプをから放射された光を、損失無く狭い面積に集光することができない。従って、基板上におけるＶＵＶ光の光強度を強くすることができない。なお、エキシマランプに関しては、例えば、ウシオ電機株式会社で製品化されており、ホームページにおいて詳細資料が公開されている。

一方、ＶＵＶ光をレーザ装置によって発生させることもできる。ＶＵＶ光を発生させることができるレーザ装置としては、アルゴンをレーザガスとして用いたレーザ（Ａｒ_２レーザ）が存在する。Ａｒ_２レーザは、波長１２６ｎｍで発振する。また、クリプトンをレーザガスとして用いたレーザ（Ｋｒ_２レーザ）やクリプトンをレーザガスとして用いたレーザ（Ｘｅ_２レーザ）などが存在する。ところが、Ａｒ_２レーザ、Ｋｒ_２レーザ又はＸｅ_２レーザ等の希ガスエキシマレーザでは、レーザ動作させるための励起方式として電子ビーム励起を使用するものしか実用化されていない（これらのレーザは電子ビーム励起ＶＵＶレーザと呼ばれる）。これらの希ガスエキシマレーザは、ＡｒＦエキシマレーザやＫｒＦエキシマレーザ等のリソグラフィで用いられるレーザとは異なり、放電によってレーザ発振をさせる方式は実用に至っていない。

電子ビーム励起では、繰り返し数が多くとも１０Ｈｚ程度である。そのため、リソグラフィで用いられるような２０００〜４０００Ｈｚのレーザに比べると、平均パワーが桁違いに小さく、光ＣＶＤに利用することはできない。あるいは、光ＣＶＤに利用したとしても、成膜速度が極めて低速であった。なお、電子ビーム励起ＶＵＶレーザに関しては、例えば、非特許文献１に示されている。

本発明は上記の課題に鑑みて為されたものであり、本発明の目的は、自然放出増幅光を発生させる光源装置及び高速成膜が可能な光ＣＶＤを提供することである。

本発明の第１の態様である光源装置は、ガスが充填され、内部で前記ガスを放電させる筒状のガスチャンバと、前記ガスチャンバの一端に設けられ、前記放電により前記ガスチャンバの長手方向に発生する自然放出増幅光を前記ガスチャンバの外部に透過させる第１のウインドと、を備えるものである。これにより、自然放出増幅光を発生させることができる。

本発明の第２の態様である光源装置は、前記ガスチャンバ内に設けられ、当該ガスチャンバの長手方向に延在する一対の電極を更に備え、前記一対の電極に電圧が印加されることにより前記放電が生じることを特徴とするものである。これにより、自然放出増幅光を発生させることができる。

本発明の第３の態様である光源装置は、上記の光源装置であって、前記ガスは、希ガスであることを特徴とするものである。これにより、真空紫外光領域の自然放出増幅光を発生させることができる。

本発明の第４の態様である光源装置は、上記の光源装置であって、前記希ガスは、アルゴン、クリプトン及びキセノンのいずれかを主成分とすることを特徴とするものである。これにより、真空紫外光領域の自然放出増幅光を発生させることができる。

本発明の第５の態様である光源装置は、上記の光源装置であって、前記ガスチャンバの前記第１のウインドが設けられた一端とは異なる他端に設けられ、前記自然放出増幅光を反射する反射部材をさらに備えることを特徴とするものである。これにより、自然放出増幅光を効率的に増幅することができる。

本発明の第６の態様である光源装置は、上記の光源装置であって、前記ガスチャンバの前記第１のウインドが設けられた一端とは異なる他端に設けられ、前記自然放出増幅光を前記ガスチャンバの外部に透過させる第２のウインドをさらに備えることを特徴とするものである。これにより、当該光源装置の両端から自然放出増幅光を取り出すことができる。

本発明の第７の態様である光ＣＶＤ装置は、上記の光源装置と、外部から材料ガスが供給される反応チャンバと、前記反応チャンバに設けられ、前記光源装置から出射する自然放出増幅光を、当該反応チャンバの内部に配置される基板に集光する集光レンズと、を備えるものである。これにより、基板上への成膜を行うことができる。

本発明の第８の態様である光ＣＶＤ装置は、上記の光ＣＶＤ装置であって、前記材料ガスはケイ素の水素物を含むことを特徴とするものである。これにより、基板上への成膜を行うことができる。

本発明の第９の態様である光ＣＶＤ装置は、上記の光ＣＶＤ装置であって、前記材料ガスは単一の級数のケイ素の水素物を含むことを特徴とするものである。これにより、基板上への成膜を行うことができる。

本発明の第１０の態様である光ＣＶＤ装置は、上記の光ＣＶＤ装置であって、前記材料ガスはモノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）及びトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）のいずれかであることを特徴とするものである。これにより、基板上への成膜を行うことができる。

本発明の第１１の態様である光ＣＶＤ装置は、上記の光ＣＶＤ装置であって、前記材料ガスは相互に級数が異なるケイ素の水素物を含むことを特徴とするものである。これにより、基板上への成膜を行うことができる。

本発明の第１２の態様である光ＣＶＤ装置は、上記の光ＣＶＤ装置であって、前記材料ガスはモノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）及びトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）の混合ガス、又はいずれか２つの混合ガスであることを特徴とするものである。これにより、基板上への成膜を行うことができる。

本発明の第１３の態様である光ＣＶＤ装置は、上記の光ＣＶＤ装置であって、前記材料ガスは、窒素及びアンモニアのいずれか一方又は両方をさらに含むことを特徴とするものである。これにより、基板上への成膜を行うことができる。

本発明によれば、自然放出増幅光を発生させる光源装置及び高速成膜が可能な光ＣＶＤを提供することができる。

実施の形態１にかかる光ＣＶＤ装置１００の断面構造を示す断面図である。 実施の形態２にかかるＶＵＶ光源２０１の断面構造を示す断面図である。 全反射プリズム１２０の斜視図である。 実施の形態３にかかるＶＵＶ光源３０１の断面構造を示す断面図である。 シランガスの光の吸収断面積の波長依存性を示すグラフである。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。

なお、以下でシランとは、ケイ素の水素化物の総称を意味する。すなわち、シランには、モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）及びトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）等の、異なる級数を有するケイ素の水素化物が含まれる。従って、シランガスには、モノシランガス、ジシランガス及びトリシランガス等が含まれることを意味する。

実施の形態１
本発明の実施の形態１について、図１を用いて説明する。図１は、実施の形態１にかかる光ＣＶＤ装置１００の断面構造を示す断面図である。光ＣＶＤ装置１００では、光源装置であるＶＵＶ光源１０１を有する。このＶＵＶ光源１０１では、一般的なガスレーザのレーザチャンバと同様な、筒状のガスチャンバ１０２が用いられている。ガスチャンバ１０２の中には、細長い一対の電極１０３ａ及び１０３ｂが配置されている。一方の電極（電極１０３ａ）は、高電圧電源１０４と電気的に接続されている。もう一方の電極（電極１０３ｂ）は、アース１０５と接続されている。電極１０３ａ及び電極１０３ｂの長さは約１ｍ程度であるのに対し、電極１０３ａと電極１０３ｂ電極との間隔は２〜５ｍｍ程度と狭くなっている。なお、高電圧電源１０４は、実際には高電圧が印加されたコンデンサを有しており、図示されていないスイッチ動作によって、このコンデンサからパルス状の大電流が出力されるように構成されている。

ガスチャンバ１０２の一端には、ミラー１０６が、反射部材として光軸に対して垂直に取り付けられている。ここで、光軸とは、細長い一対の電極１０３ａ及び１０３ｂの長手方向と平行で、かつこの長手方向に対して垂直な断面の中心を貫く軸である。また、ガスチャンバ１０２の他端には、ウインド１０７が取り付けられている。ミラー１０６は、波長１２６ｎｍにおいて高い反射率を有するアルミミラーあるいは多層膜ミラーを用いることが好ましい。

ウインド１０７は、波長１２６ｎｍにおいて高い透過率を有するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の平板を用いることが好ましい。なお、図１では、ウインド１０７は、光軸に対して少し傾けて取り付けられているが、これはＶＵＶ光源１０１がレーザ装置ではないことを強調するために傾けて描いたものに過ぎない。よって、ミラー１０６と同様に、ウインド１０７を光軸に対して垂直に配置しても良い。

ガスチャンバ１０２内には、例えば８〜１０気圧のアルゴンガスが充填される。この状態で、高電圧電源１０４からの高電圧パルスを電極１０３ａに印加と、一対の電極１０３ａ及び１０３ｂの間で、強いパルス放電が発生する。これによって、電極１０３ａ及び１０３ｂの長手方向に、波長１２６ｎｍの自然放出増幅光（Amplified Spontaneous Emission、以下ＡＳＥと称する）１が発生する。発生したＡＳＥ１は、ウインド１０７を透過することにより、取り出される。

ここで、ＡＳＥについて説明する。ＡＳＥは、放電によって発生する自然放出光が単に強まったものである。そのため、レーザ発振の閾値まで光が強められなくても、電極間から取り出して利用することができる。特にエキシマレーザでは、誘導放出断面積が比較的大きいため、共振器を組まなくてもレーザ光に似たような強い光が発生することが知られている。本実施の形態は、この強い光（ＡＳＥ）を利用するものである。なお、ＡＳＥに関しては、例えば、非特許文献２において説明されている。

よって、従来のエキシマレーザのようなパルス放電型レーザと同様に、１００Ｈｚ以上の高い繰り返し数でＡＳＥを発生させることは容易である。特に、単なる自然放出（すなわち、全方向に広がって進む光）とは異なり、ＡＳＥは電極の長手方向のみに強められる。つまり、発生する自然放出光の大部分が電極の長手方向に集まるので、レーザ光と同様に、取り出される光を効率よく導くことができる。しかも、ある程度の小さな領域に集光させることも可能である。また、取り出されるＡＳＥのパワーは、電極の長くしたり、あるいはガスチャンバ内部を満たすガスの圧力を高くすることで、増大させることが可能である。

なお、アルゴンガスの充填圧は高い方が良いが、１０気圧以上の充填圧を実現するには特別に強固な構造のガスチャンバが必要となり、コストアップの原因となる。そのため、実用上はアルゴンガスの充填圧を１０気圧未満とすることが好ましい。

このＡＳＥ１は、ある程度伝播するとビーム径が大きくなり（ＡＳＥ１ａ）、落とし込みミラー１０８で反射されて下方に進む。そして、ＡＳＥ１ａは集光レンズ１０９を通過して、反応チャンバ１１０内に導かれる。反応チャンバ１１０内にはステージ１１１が配置されている。ステージ１１１上には、移動テーブル１１２が配置されている。さらに、移動テーブル１１２上には、成膜の対象物である基板１１３が配置されている。ＡＳＥ１ａは、集光レンズ１０９により、基板１１３上にＡＳＥ１ｂとして集光される。

反応チャンバ１１０は、バルブ１１４ａを介して、真空ポンプ（図示されていない）と接続されている。反応チャンバ１１０の内部は、バルブ１１４ａが開くことにより、真空に引かれる。反応チャンバ１１０の内部が高真空になってから、バルブ１１４ｂを開いて、材料ガスであるシランガスとアンモニア（ＮＨ_３）を導入する。反応チャンバ１１０にシランガスが満たされた状態で、ＡＳＥ１ｂを基板１１３上に照射することで、光ＣＶＤ反応が起こる。すなわちシランガスが分解し、ＳｉＮ（例えばＳｉ_３Ｎ_４）膜が基板１１３に生成される。

従って、光ＣＶＤ装置１００によれば、ＡＳＥを用いた成膜が可能である。上述のように、ＶＵＶ光源１０１は、放電型レーザと同等のｋＨｚ級の繰り返し数でＡＳＥを照射することができる。これにより、光強度を大きくすることが可能である。よって、エキシマランプを用いた光ＣＶＤ装置に比べて、成膜速度を１０〜１００倍ほど大きくすることができる。従って、光ＣＶＤ装置１００によれば、高速な成膜が可能である。また、ＶＵＶ光源１０１は、光ＣＶＤ装置だけでなく、ＶＵＶ光によるエッチング等の光源としても利用できる。この場合、エッチングスピードを増大させることができる。

ＡＳＥは、レーザ光と比べて、ビームスポット内の光強度分布が均一である。また、レーザ光とは異なり、ＡＳＥ光のスペクトル幅は数ｎｍと広く、干渉性が低い。そのため、ＡＳＥを用いることにより、レーザ光の欠点であるスペックルノイズや干渉縞が発生することを防ぐことができる。その結果、光ＣＶＤ装置１００によれば、レーザ光を用いた光ＣＶＤと比べて、より均一な組成及び厚みを有する膜を基板上に成膜することが可能である。

また、ＶＵＶ光源１０１は、レーザ装置と比べて、高価なミラーの数を削減することができる。さらに、レーザ装置に比べ、ミラーやウインドの調整が容易で、かつ光によって受けるこれらのダメージも小さい。よって、光ＣＶＤ装置１００では、メンテナンス周期の延伸を図ることができ、装置運用の観点から有利である。

さらに、ＡＳＥは、偏光状態に偏りが無い。そのため、ＡＳＥが微細な開口が存在する基板表面に照射される場合でも、開口部近傍におけるステップカバレッジの偏光依存性を考慮する必要がない点で有利である。

実施の形態２
実施の形態２にかかる光ＣＶＤ装置について説明する。実施の形態２にかかる光ＣＶＤ装置は、実施の形態１にかかる光ＣＶＤ装置１００のＶＵＶ光源１０１をＶＵＶ光源２０１に置換したものである。実施の形態２にかかる光ＣＶＤ装置のその他の構成は、光ＣＶＤ装置１００と同様であるので、説明を省略する。

図２は、実施の形態２にかかるＶＵＶ光源２０１の断面構造を示す断面図である。ＶＵＶ光源２０１は、ＶＵＶ光源１０１のミラー１０６を、全反射プリズム１２０に置換したものである。ＶＵＶ光源２０１で生成されたＡＳＥは、ＡＳＥ２として出射される。ＶＵＶ光源２０１のその他の構成は、ＶＵＶ光源１０１と同様であるので、説明を省略する。

図３は、全反射プリズム１２０の斜視図である。図３に示したように、右側から入射したビームは全反射プリズム１２０内部で全反射され、入射方向と反対の方向に出射する。ビームの損失は、全反射プリズム１２０内部での吸収損失が大半であり、約８０％の高い反射率が得られる。

すなわち、本実施の形態は、ＶＵＶ光源用のミラーとして一般的なアルミ反射膜ではなく、プリズム内の全反射を利用したものである。これにより、ビームの反射率を、従来の約５０％（アルミ反射膜）から約８０％（全反射プリズム）に大幅に向上させることができる。これによって、ＶＵＶ光源２０１で発生するＡＳＥ２のパワーを、ＶＵＶ光源１０１で発生するＡＳＥ１の約２倍に増大させることができる。

実施の形態３
実施の形態３にかかる光ＣＶＤ装置について説明する。実施の形態３にかかる光ＣＶＤ装置は、実施の形態１にかかる光ＣＶＤ装置１００のＶＵＶ光源１０１をＶＵＶ光源３０１に置換したものである。実施の形態３にかかる光ＣＶＤ装置のその他の構成は、光ＣＶＤ装置１００と同様であるので、説明を省略する。

図４は、実施の形態３にかかるＶＵＶ光源３０１の断面構造を示す断面図である。ＶＵＶ光源３０１は、ＶＵＶ光源１０１のミラー１０６を、ウインド１３０に置換したものである。ウインド１３０は、ウインド１０７と同一の構成を有する。ウインド１０７からはＡＳＥ４ａが取り出される。ウインド１３０からはＡＳＥ４ｂが取り出される。ＡＳＥ４ａは、落とし込みミラー１０８により反応チャンバ１１０内に導かれる。ＶＵＶ光源３０１のその他の構成は、ＶＵＶ光源１０１と同様であるので、説明を省略する。

本実施の形態にかかるＶＵＶ光源３０１によれば、１台のＶＵＶ光源から２本のＡＳＥを取り出すことができる。そのため、図示していない別の反応チャンバにＡＳＥ４ｂを供給できる。これは、前述した実施の形態１及び２のように、１台のＶＵＶ光源から１本のＡＳＥ光を取り出す場合に比べて、それぞれのＡＳＥ（ＡＳＥ４ａ、ＡＳＥ４ｂ）のパワーは低いが、ＡＳＥ４ａとＡＳＥ４ｂとのパワーの和は高くなる。従って、２台の反応チャンバにおける成膜速度の和としては、１台の反応チャンバの場合よりも大きくすることができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の光ＣＶＤ装置の反応チャンバに導入されるガスはモノシラン（ＳｉＨ_４）に限られない。例えば、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）やトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）などの、級数の異なる他のケイ素の水素化物ガスを用いることができる。また、ケイ素数の異なる２種以上のガスを混合して用いることも可能である。すなわち、モノシラン、ジシラン及びトリシランの混合ガスを用いることも可能である。モノシラン、ジシラン及びトリシランのいずれか２つの混合ガスを用いることも可能である。

さらに、上述の実施の形態では、光ＣＶＤ装置の反応チャンバに導入されるアンモニア（ＮＨ_３）を窒素（Ｎ_２）に置換しても、同様にＳｉＮ膜を成膜することが可能である。さらに、光ＣＶＤ装置の反応チャンバにアンモニアや窒素を導入せずに成膜を行うことも可能である。この場合、基板１１３上に、シリコン膜を成膜することが可能である。窒素とアンモニアを混合して反応チャンバに供給することも可能である。

また、ＶＵＶ光源のガスチャンバに充填するガスは、アルゴンガスに限られず、他の希ガスを充填することも可能である。例えば、クリプトン（Ｋｒ_２）又はキセノン（Ｘｅ_２）を充填することも可能である。なお、キセノンを用いる場合には、反応チャンバに導入する材料ガスとしては、例えばジシランやトリシランなどの、２以上の級数を有するケイ素の水素化物ガスを用いることが好ましい。

また、上述の実施の形態において、ＡＳＥ光は波長選択フィルタを介して取り出してもよい。波長選択フィルタを挿入することで余分な波長を除去し、当該余分な波長による影響を防止することが可能である。このフィルタには、例えばダイクロイックミラーを用いることができる。

１、１ａ、１ｂ、２、４ａ、４ｂ ＡＳＥ（自然放出増幅光）
１００ 光ＣＶＤ装置
１０１、２０１、３０１ ＶＵＶ光源
１０２ ガスチャンバ
１０３ａ、１０３ｂ 電極
１０４ 高電圧電源
１０５ アース
１０６、１３０ ミラー
１０７ ウインド
１０８ 落とし込みミラー
１０９ 集光レンズ
１１０ 反応チャンバ
１１１ ステージ
１１２ 移動テーブル
１１３ 基板
１１４ａ、１１４ｂ バルブ
１２０ 全反射プリズム

Claims (13)

1. ガスが充填され、内部で前記ガスを放電させる筒状のガスチャンバと、
   前記ガスチャンバの一端に設けられ、前記放電により前記ガスチャンバの長手方向に発生する自然放出増幅光を前記ガスチャンバの外部に透過させる第１のウインドと、を備える、
   光源装置。
2. 前記ガスチャンバ内に設けられ、当該ガスチャンバの長手方向に延在する一対の電極を更に備え、
   前記一対の電極に電圧が印加されることにより前記放電が生じることを特徴とする、
   請求項１に記載の光源装置。
3. 前記ガスは、希ガスであることを特徴とする、
   請求項１又は２に記載の光源装置。
4. 前記希ガスは、アルゴン、クリプトン及びキセノンのいずれかを主成分とすることを特徴とする、
   請求項３に記載の光源装置。
5. 前記ガスチャンバの前記第１のウインドが設けられた一端とは異なる他端に設けられ、前記自然放出増幅光を反射する反射部材をさらに備えることを特徴とする、
   請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光源装置。
6. 前記ガスチャンバの前記第１のウインドが設けられた一端とは異なる他端に設けられ、前記自然放出増幅光を前記ガスチャンバの外部に透過させる第２のウインドをさらに備えることを特徴とする、
   請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光源装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光源装置と、
   外部から材料ガスが供給される反応チャンバと、
   前記反応チャンバに設けられ、前記光源装置から出射する自然放出増幅光を、当該反応チャンバの内部に配置される基板に集光する集光レンズと、を備える、
   光ＣＶＤ装置。
8. 前記材料ガスはケイ素の水素物を含むことを特徴とする、
   請求項７に記載の光ＣＶＤ装置。
9. 前記材料ガスは単一の級数のケイ素の水素物を含むことを特徴とする、
   請求項８に記載の光ＣＶＤ装置。
10. 前記材料ガスはモノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）及びトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）のいずれかであることを特徴とする、
    請求項９に記載の光ＣＶＤ装置。
11. 前記材料ガスは相互に級数が異なるケイ素の水素物を含むことを特徴とする、
    請求項８に記載の光ＣＶＤ装置。
12. 前記材料ガスはモノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）及びトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）の混合ガス、又はいずれか２つの混合ガスであることを特徴とする、
    請求項１１に記載の光ＣＶＤ装置。
13. 前記材料ガスは、窒素及びアンモニアのいずれか一方又は両方をさらに含むことを特徴とする、
    請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の光ＣＶＤ装置。

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