JP2012035297A - Laser beam machining method and laser beam machining apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining method for improving beam machining speed.SOLUTION: In the laser beam machining method, laser beam is emitted to irradiate a substrate 600 with an image through a pattern formed on a mask 501 and an imaging lens 506. A plurality of images are projected on the substrate 600 with a single pulse irradiation. An interval between the images radiated to the substrate 600 at one time is adjusted and a relative movement amount between the mask 501 and the substrate 600 is adjusted according to the interval and then scan speed is adjusted. Consequently, the scan speed is improved and the productivity is also improved.

Description

本発明は、レーザ加工方法に関し、特に、レーザ光をパターンが形成されたマスクに照射し、マスクパターンの像を被加工物上に投影してレーザ加工を行なうレーザ加工方法およびレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing method, and more particularly to a laser processing method and a laser processing apparatus that perform laser processing by irradiating a mask on which a pattern is formed with laser light and projecting an image of the mask pattern onto a workpiece.

従来から、レーザでワークを加工する方法に関し、種々の技術が開示されている。たとえば、特許文献1(特開平8−201813号公報)には、液晶ディスプレイのリペア方法が開示されている。当該方法は、小径のパルスレーザスポットをスキャンして欠陥画素における配向性を低下させるものであって、被加工物である配向膜の温度上昇や、発生する気泡などを考慮して、パルスレーザスポット間のオーバラップ率と、パルスレーザスポット径と、パルスレーザの繰返し周波数fと、スキャン速度との関係を規定し、かつ、オーバラップ率の範囲や1パルスごとの加工対象物の移動距離を規定するものである。   Conventionally, various techniques have been disclosed regarding a method of processing a workpiece with a laser. For example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 8-201813) discloses a method for repairing a liquid crystal display. This method scans a small-diameter pulse laser spot to lower the orientation in the defective pixel. The pulse laser spot is considered in consideration of a rise in the temperature of the alignment film, which is a workpiece, and bubbles that are generated. Defines the relationship between the overlap ratio, pulse laser spot diameter, pulse laser repetition frequency f, and scan speed, and also defines the range of overlap ratio and the movement distance of the workpiece for each pulse. To do.

また、特許文献2(特開2006−289388号公報)には、レーザ加工装置において、被加工物の加工ラインに沿って均一なレーザ加工を施すために、レーザ光線照射手段がパルスレーザ光線のスポットの形状を楕円形に成形し、楕円の短軸と長軸の長さの範囲を設定し、そして、パルスレーザー光線の繰返し周波数と囲う送り速度と楕円形のスポットの重なり率を制御する技術が開示されている。   In Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-289388), in order to perform uniform laser processing along a processing line of a workpiece in a laser processing apparatus, a laser beam irradiation means is a spot of a pulse laser beam. Disclosed is a technology that forms the shape of an ellipse into an elliptical shape, sets the range of the minor axis and major axis length of the ellipse, and controls the repetition rate of the pulse laser beam, the feed rate that surrounds it, and the elliptical spot overlap rate Has been.

なお、従来のレーザ加工方法において、微小な加工等のためにマスクを用いる技術についても開示されている。たとえば、特許文献3(特開平8−66781号公報)には、マスクパターンの像を被レーザ加工物上に投影してレーザ加工を行なうレーザ加工方法に関する技術が開示されている。当該方法では、多重反射されたエキシマレーザビームの強度分布が均一ではない場合であっても適切な加工エネルギーをワークに与えるために、マスクとワークのスキャン移動方向とエキシマレーザビームの反射移動方向を一致させる。   In addition, in the conventional laser processing method, a technique using a mask for minute processing or the like is also disclosed. For example, Patent Document 3 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-66781) discloses a technique relating to a laser processing method for performing laser processing by projecting an image of a mask pattern onto a laser workpiece. In this method, even if the intensity distribution of the multiple reflected excimer laser beam is not uniform, in order to give an appropriate processing energy to the workpiece, the scanning movement direction of the mask and the workpiece and the reflection movement direction of the excimer laser beam are set. Match.

特開平8−201813号公報JP-A-8-201813 特開2006−289388号公報JP 2006-289388 A 特開平8−66781号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-66781

従来のレーザ加工方法では、ワーク(被加工物)に対して均一にレーザ加工を施すことなどの検討はされていたが、加工速度の向上については検討はなされていなかった。従来のレーザ加工方法では、特に特許文献3に開示されているようなマスクを用いた加工方法では、オーバーラップ率を規定すると、スキャン速度は、レーザの繰返し周波数およびマスクに形成されたパターンのサイズによって一意的に決定されるため、加工速度の向上ができなかった。   In the conventional laser processing method, studies have been made on uniformly performing laser processing on a workpiece (workpiece), but no study has been made on improving the processing speed. In the conventional laser processing method, particularly in the processing method using a mask as disclosed in Patent Document 3, when the overlap rate is defined, the scan speed is determined by the laser repetition frequency and the size of the pattern formed on the mask. Therefore, the machining speed could not be improved.

本発明は、かかる実情に鑑み考え出されたものであり、その目的は、レーザ加工方法およびレーザ加工装置において、加工速度の向上を図ることである。   The present invention has been conceived in view of such circumstances, and an object thereof is to improve the processing speed in the laser processing method and the laser processing apparatus.

本発明に従ったレーザ加工方法は、レーザ光によるマスクのパターンの像を被加工物上に投影し、レーザ光のパルスごとにパターンの像の一部が重畳するようにマスクと被加工物を相対的に移動させるレーザ加工方法であって、マスクと被加工物を、パターンの像が被加工物上で第1の方向に移動するように、相対的に移動させ、被加工物上に、第1の方向に配列されたn個のパターンの像を、第1の方向についての各像の寸法がaで間隔がpとなるように投影し、レーザ光のパルスの繰返し周波数がfであって、レーザ光のパルスごとの像の被加工物上の第1の方向についての移動量がrであって、像と被加工物の第1の方向についての相対的な移動速度がsである場合に、s=n×p×f、r=n×p、および、r=a/nの関係を満たす。   In the laser processing method according to the present invention, an image of a mask pattern by laser light is projected onto a workpiece, and the mask and workpiece are placed so that a part of the pattern image is superimposed for each pulse of laser light. A relatively moving laser processing method, wherein a mask and a workpiece are moved relatively so that an image of a pattern moves in a first direction on the workpiece, The images of n patterns arranged in the first direction are projected so that the size of each image in the first direction is a and the interval is p, and the repetition frequency of the laser light pulse is f. The amount of movement of the image for each pulse of the laser beam in the first direction on the workpiece is r, and the relative movement speed of the image and the workpiece in the first direction is s. Satisfy the relationship of s = n × p × f, r = n × p, and r = a / n

本発明に従ったレーザ加工装置は、レーザ光によるマスクのパターンの像を被加工物上に投影し、レーザ光のパルスごとにパターンの像の一部が重畳するようにマスクと被加工物を相対的に移動させるレーザ加工装置であって、マスクと被加工物を、パターンの像が被加工物上で第1の方向に移動するように、相対的に移動させる移動手段と、レーザ光照射手段および移動手段を制御する制御手段と、被加工物上に、第1の方向に配列されたn個のパターンの像を、第1の方向についての各像の寸法がaで間隔がpとなるように投影し、かつ、レーザ光のパルスの繰返し周波数がfであって、レーザ光のパルスごとの像の被加工物上の第1の方向についての移動量がrであって、像と被加工物の第1の方向についての相対的な移動速度がsである場合に、s=n×p×f、r=n×p、および、r=a/nの関係を満たすように、レーザ光照射手段および移動手段を制御する制御手段とを備える。   The laser processing apparatus according to the present invention projects an image of a mask pattern by laser light onto a workpiece, and the mask and workpiece are overlapped so that a part of the pattern image is superimposed for each pulse of laser light. A laser processing apparatus for relatively moving, a moving means for relatively moving a mask and a workpiece so that an image of a pattern moves in a first direction on the workpiece, and laser light irradiation A control means for controlling the means and the moving means; and images of n patterns arranged in the first direction on the workpiece; each image dimension in the first direction is a and the interval is p. And the repetition frequency of the pulse of the laser beam is f, and the amount of movement of the image for each pulse of the laser beam in the first direction on the workpiece is r, The relative moving speed of the workpiece in the first direction is s If that, s = n × p × f, r = n × p, and, so as to satisfy the relation r = a / n, and a control means for controlling the laser beam irradiation means and the moving means.

上記構成によれば、被加工物上に一度に複数のパターンの像でパルスのレーザ光を照射しながら、同一箇所に適切な回数(パルス)を照射できる。したがって、一度に単一のパターンの像のレーザ光を照射する方法よりも、加工速度を向上させることができる。   According to the above configuration, it is possible to irradiate the same place with the appropriate number of times (pulses) while irradiating the workpiece with the pulsed laser light with a plurality of pattern images at a time. Therefore, the processing speed can be improved as compared with the method of irradiating a single pattern image laser beam at a time.

本発明のレーザ加工方法の一実施の形態が実施されるレーザ装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the laser apparatus by which one Embodiment of the laser processing method of this invention is implemented. 図1の制御システムのハードウェア構成を示す図である。It is a figure which shows the hardware constitutions of the control system of FIG. 図1のマスクの拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the mask of FIG. 図1のレーザ装置において基板上にレーザビームが照射される様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that a laser beam is irradiated on a board | substrate in the laser apparatus of FIG. 図1のレーザ装置において、1回のパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by one pulse irradiation in the laser apparatus of FIG. 図1のレーザ装置において、連続したパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by the continuous pulse irradiation in the laser apparatus of FIG. 図1のレーザ装置の比較例(1)でのパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by the pulse irradiation in the comparative example (1) of the laser apparatus of FIG. 図1のレーザ装置の比較例(2)での1回のパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by one pulse irradiation in the comparative example (2) of the laser apparatus of FIG. 図1のレーザ装置の比較例(2)での連続したパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by the continuous pulse irradiation in the comparative example (2) of the laser apparatus of FIG. (A)は、図1のレーザ装置の第1の変形例での1回のパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図であり、(B)は、当該変形例での連続したパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図である。(A) is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by one pulse irradiation in the 1st modification of the laser apparatus of FIG. 1, (B) is the said modification. It is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by continuous pulse irradiation. (A)は、図1のレーザ装置の第2の変形例での1回のパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図であり、(B)は、当該変形例での連続したパルス照射によって基板上に形成される像を模式的に示す図である。(A) is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by one pulse irradiation in the 2nd modification of the laser apparatus of FIG. 1, (B) is the said modification. It is a figure which shows typically the image formed on a board | substrate by continuous pulse irradiation.

以下、本発明に従った情報処理装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において、同一の機能を発揮する構成要素については、同一の符号を付し、詳細な説明は繰返さない。   Hereinafter, an embodiment of an information processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. In each figure, constituent elements that exhibit the same function are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.

[1.レーザ装置の概略構成]
図1は、本発明のレーザ加工方法の一実施の形態が実施されるレーザ装置の構成を模式的に示す図である。
[1. Schematic configuration of laser apparatus]
FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of a laser apparatus in which an embodiment of the laser processing method of the present invention is implemented.

図1を参照して、レーザ装置は、レーザ発振器400と、ミラー504と、ビームエキスパンダ300と、ミラー503と、マスク501と、結像レンズ506とを含む。また、レーザ装置は、被加工物である基板600が載置されるXYテーブル200を含む。   Referring to FIG. 1, the laser apparatus includes a laser oscillator 400, a mirror 504, a beam expander 300, a mirror 503, a mask 501, and an imaging lens 506. The laser apparatus also includes an XY table 200 on which a substrate 600 that is a workpiece is placed.

レーザ発振器400から発振されるレーザビームは、ミラー504で反射されてビームエキスパンダ300へ送られ、ビームエキスパンダ300によってその広がり角を調整された後ミラー503へ送られ、ミラー503によってマスク501に送られる。マスク501には、後述するパターンが形成される。そして、レーザビームの、マスク501のパターンの像が、結像レンズ506によって基板600に所定倍率で結像される。   The laser beam oscillated from the laser oscillator 400 is reflected by the mirror 504 and sent to the beam expander 300, the divergence angle of which is adjusted by the beam expander 300, and then sent to the mirror 503, which is applied to the mask 501 by the mirror 503. Sent. A pattern to be described later is formed on the mask 501. Then, an image of the pattern of the mask 501 of the laser beam is formed on the substrate 600 at a predetermined magnification by the imaging lens 506.

なお、マスク501の光照射領域の全域に渡って均一な強度のレーザ光を照射するために、ビームエキスパンダ300とマスク501の間に、ビームホモジェナイザ(強度均一化光学系)が追加されても良い。   Note that a beam homogenizer (intensity equalizing optical system) is added between the beam expander 300 and the mask 501 in order to irradiate laser light with uniform intensity over the entire light irradiation region of the mask 501. May be.

XYテーブル200は、基板600を載置される載置台202と、当該載置台202をマスク501に対して移動させる駆動部201を含む。駆動部201は、たとえばモータなどの駆動源を含み、XYテーブル200をX方向(図1の両矢印AX方向)およびY方向(図1の紙面に垂直な方向)に移動させる。   The XY table 200 includes a mounting table 202 on which the substrate 600 is mounted, and a driving unit 201 that moves the mounting table 202 with respect to the mask 501. The drive unit 201 includes, for example, a drive source such as a motor, and moves the XY table 200 in the X direction (the double arrow AX direction in FIG. 1) and the Y direction (the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1).

制御システム100は、レーザ発振器400および駆動部201の動作を制御する。制御システム100のハードウェア構成を、図2に示す。   The control system 100 controls the operations of the laser oscillator 400 and the drive unit 201. The hardware configuration of the control system 100 is shown in FIG.

[2.制御システムのハードウェア構成]
図2を参照して、制御システム100を構成するコンピュータは、処理装置102、記憶装置103、ROM(Reed Only Memory)104、RAM(Random Access Memory)105、表示装置106、操作パネル107、および、ネットワークインターフェース(I/F)108を備えている。これらの各要素は、バス101によって互いに接続されている。
[2. Hardware configuration of control system]
Referring to FIG. 2, the computer constituting control system 100 includes a processing device 102, a storage device 103, a ROM (Reed Only Memory) 104, a RAM (Random Access Memory) 105, a display device 106, an operation panel 107, and A network interface (I / F) 108 is provided. These elements are connected to each other by a bus 101.

処理装置102は、CPU(Central Processing Unit)などのプロセッサを含む。当該プロセッサ(処理装置102)が記憶装置103に記憶されたプログラムを実行することにより、処理装置102は、本明細書に記載された、レーザ発振器400やXYテーブル200の動作の制御を実行する。なお、処理装置102が実行するプログラムは、必ずしも記憶装置103に記憶されていなくてもよく、処理装置102を含むコンピュータに着脱可能に構成された記録媒体に記録されていても良く、レーザ装置がネットワークに介して通信可能な記憶装置に記憶されていても良い。   The processing device 102 includes a processor such as a CPU (Central Processing Unit). When the processor (processing device 102) executes the program stored in the storage device 103, the processing device 102 controls the operations of the laser oscillator 400 and the XY table 200 described in this specification. Note that the program executed by the processing device 102 does not necessarily have to be stored in the storage device 103, and may be recorded on a recording medium configured to be detachable from the computer including the processing device 102. You may memorize | store in the memory | storage device which can communicate via a network.

RAM105は、処理装置102のワークエリアとなる。操作パネル107は、キーボードやマウス、タッチパネル等の、情報を入力するための周知の装置である。   The RAM 105 serves as a work area for the processing apparatus 102. The operation panel 107 is a known device for inputting information, such as a keyboard, a mouse, and a touch panel.

記憶装置103には、本実施の形態において利用されるパルスエネルギ強度などの種々のデータが記憶されている。その記憶内容については、後述する。   The storage device 103 stores various data such as pulse energy intensity used in the present embodiment. The stored contents will be described later.

制御システム100は、ネットワークI/F108を介して、XYテーブル200の駆動部201およびレーザ発振器400に制御信号を送信する。これにより、レーザ発振器400は、制御システム100から指示されたタイミングで、指示された強度のレーザビームを発振する。また、駆動部201は、制御システム100から指示されたパターンで、載置台202を移動させる。   The control system 100 transmits a control signal to the drive unit 201 and the laser oscillator 400 of the XY table 200 via the network I / F 108. As a result, the laser oscillator 400 oscillates the laser beam having the instructed intensity at the timing instructed from the control system 100. The drive unit 201 moves the mounting table 202 in a pattern instructed by the control system 100.

[3.マスクの構成]
図3は、マスク501の拡大斜視図である。マスク501には、ほぼ正方形の4つのパターン511〜514が形成されている。
[3. Mask configuration]
FIG. 3 is an enlarged perspective view of the mask 501. On the mask 501, four substantially square patterns 511 to 514 are formed.

図4に、本実施の形態において基板600上にレーザビームが照射される様子を模式的に示す。   FIG. 4 schematically shows a state in which a laser beam is irradiated onto the substrate 600 in this embodiment mode.

図4から理解されるように、ミラー503からマスク501に送られるビームBMは、マスク501のパターン511〜514のそれぞれを介して、ビームBM01〜BM04として、基板600上に送られる。基板600上では、ビームBM01〜BM04のそれぞれの像が投影される。   As understood from FIG. 4, the beam BM sent from the mirror 503 to the mask 501 is sent onto the substrate 600 as the beams BM01 to BM04 through the patterns 511 to 514 of the mask 501. On the substrate 600, images of the beams BM01 to BM04 are projected.

本実施の形態では、上記したように、載置台202をマスク501に対して移動させながら連続的にレーザビームを基板600上に照射することにより、基板600の全体に渡ってレーザビームを照射する。なお、レーザビームの照射の際に、載置台202とマスク501が相対的に移動されれば良く、基板600上のレーザビームの照射位置がX軸方向に移動されれば良い。つまり、載置台202(基板600)を固定して、マスク501(および、マスク501にレーザビームを照射する光学系(ミラー503,504等))を移動させても良いし、載置台202(基板600)とマスク501(および上記光学系)の双方を移動させても良い。なお、本実施の形態では、基板600上のレーザビームの照射位置の移動方向を、スキャン方向と言う。   In this embodiment mode, as described above, the laser beam is irradiated over the entire substrate 600 by continuously irradiating the substrate 600 with the laser beam while moving the mounting table 202 with respect to the mask 501. . Note that when the laser beam is irradiated, the mounting table 202 and the mask 501 may be relatively moved, and the irradiation position of the laser beam on the substrate 600 may be moved in the X-axis direction. That is, the mounting table 202 (substrate 600) may be fixed, and the mask 501 (and the optical system (mirrors 503, 504, etc.) for irradiating the mask 501 with a laser beam) may be moved. 600) and the mask 501 (and the optical system) may be moved. Note that in this embodiment mode, the moving direction of the irradiation position of the laser beam on the substrate 600 is referred to as a scanning direction.

図4では、X軸とY軸が記載されている。X軸の方向は、図1の両矢印AX方向に相当する。   In FIG. 4, the X axis and the Y axis are shown. The direction of the X axis corresponds to the direction of the double arrow AX in FIG.

ビームBM01〜BM04の像は、X軸方向に配列されている。そして、基板600をマスク501に対してX軸方向に移動させることにより、X軸方向に沿ったライン状にレーザビームを照射する。ラインE1〜E4は、基板600上にレーザビームを照射されたラインを示している。   The images of the beams BM01 to BM04 are arranged in the X axis direction. Then, by moving the substrate 600 in the X-axis direction with respect to the mask 501, the laser beam is irradiated in a line shape along the X-axis direction. Lines E <b> 1 to E <b> 4 indicate lines irradiated with a laser beam on the substrate 600.

本実施の形態では、1ラインずつレーザビームが照射される。具体的には、矢印A11に沿って照射が行なわれることによりラインE1が形成され、Y軸方向にレーザ照射位置が距離Lだけずらされた後、矢印A12に沿って照射が行なわれてラインE2が形成され、Y軸方向にレーザ照射位置が距離Lだけずらされて、矢印A13に沿って照射が行なわれてラインE3が形成され、Y軸方向にレーザ照射位置が距離Lだけずらされる。図4では、ラインE2が形成され、Y軸方向にレーザ照射位置が距離Lだけずらされた後、矢印A13に沿ってラインE3を形成するようにレーザビームの照射が行なわれている状態が示されている。   In this embodiment mode, a laser beam is irradiated line by line. Specifically, a line E1 is formed by performing irradiation along the arrow A11, and after the laser irradiation position is shifted by a distance L in the Y-axis direction, irradiation is performed along the arrow A12 to perform the line E2. Is formed, the laser irradiation position is shifted by the distance L in the Y-axis direction, and irradiation is performed along the arrow A13 to form the line E3. The laser irradiation position is shifted by the distance L in the Y-axis direction. FIG. 4 shows a state in which the laser beam is irradiated so as to form the line E3 along the arrow A13 after the line E2 is formed and the laser irradiation position is shifted by the distance L in the Y-axis direction. Has been.

図4では、マスク501によってレーザビームが遮蔽される領域(マスク501の外郭の像が基板600に投影された場合の当該像)のY軸方向の寸法がMで示されている。本実施の形態では、MはLよりも短くなるように構成されている。   In FIG. 4, the dimension in the Y-axis direction of the region where the laser beam is shielded by the mask 501 (the image when the outline image of the mask 501 is projected onto the substrate 600) is indicated by M. In the present embodiment, M is configured to be shorter than L.

[4.レーザビームの1回のパルス照射におけるワーク上の像]
図5に、1回のパルス照射によって基板600上に形成される像を模式的に示す。
[4. Image on workpiece in single pulse irradiation of laser beam]
FIG. 5 schematically shows an image formed on the substrate 600 by one pulse irradiation.

図5の矢印Xは、上記したスキャン方向を示す。
像S1〜S4は、それぞれ、マスク501のパターン511〜514を介して基板600上に形成された像である。像S1〜S4は、スキャン方向の寸法がa(mm)とされ、また、各像は、スキャン方向に距離p(mm)だけ離間されて投影される。寸法a(mm)は、たとえば0.4(mm)とされる。距離p(mm)は、たとえば0.1(mm)とされる。
An arrow X in FIG. 5 indicates the scan direction described above.
The images S1 to S4 are images formed on the substrate 600 via the patterns 511 to 514 of the mask 501 respectively. The images S <b> 1 to S <b> 4 have a dimension (a) in the scanning direction, and the images are projected with a distance p (mm) apart in the scanning direction. The dimension a (mm) is set to 0.4 (mm), for example. The distance p (mm) is, for example, 0.1 (mm).

[5.レーザビームの連続照射におけるワーク上の像]
図6に、連続した複数回のパルス照射によって基板600上に形成される像を模式的に示す。
[5. Image on workpiece in continuous laser beam irradiation]
FIG. 6 schematically shows an image formed on the substrate 600 by a plurality of continuous pulse irradiations.

図6において、像S11〜S14は、基板600に対して、図5に示されたような像の配列で1回目のパルス照射が行なわれた場合の、基板600上の像の組である。図6中の矢印Xは、スキャン方向を示す。   In FIG. 6, images S <b> 11 to S <b> 14 are a set of images on the substrate 600 when the first pulse irradiation is performed on the substrate 600 with the image arrangement as illustrated in FIG. 5. An arrow X in FIG. 6 indicates the scan direction.

本実施の形態では、パルスごとに、スキャン方向にr(mm)だけレーザ光の照射位置が移動するものとする。rは、r=n×pで表され、nは、一度のパルス照射で基板600上に形成される像の数であり、マスク501においてスキャン方向に対応する方向に形成されるパターンの数である。このようにrが調整されることにより、位置P1より右方で、隙間無く、かつ効率よく、基板600に対して4回のパルス照射ができる。   In this embodiment, it is assumed that the irradiation position of the laser beam moves by r (mm) in the scanning direction for each pulse. r is represented by r = n × p, and n is the number of images formed on the substrate 600 by one pulse irradiation, and is the number of patterns formed in the direction corresponding to the scanning direction in the mask 501. is there. By adjusting r in this way, the pulse irradiation can be performed four times on the substrate 600 efficiently with no gap on the right side of the position P1.

パルスごとに、上記のようにレーザ光の照射位置が移動するため、本実施の形態では、2回目以降のパルス照射による像は、図6の像S21〜S24等に示されるような位置に投影される。具体的には、像S21〜S24は、2回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。像S31〜S34は、3回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。像S41〜S44は、4回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。像S51〜S54は、5回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。   Since the irradiation position of the laser beam moves for each pulse as described above, in the present embodiment, the images of the second and subsequent pulse irradiations are projected at positions as indicated by the images S21 to S24 in FIG. Is done. Specifically, the images S21 to S24 are a set of images on the substrate 600 when the second pulse irradiation is performed. Images S31 to S34 are a set of images on the substrate 600 when the third pulse irradiation is performed. Images S41 to S44 are a set of images on the substrate 600 when the fourth pulse irradiation is performed. Images S51 to S54 are a set of images on the substrate 600 when the fifth pulse irradiation is performed.

なお、図6では、各像は、説明を容易にするために、パルス照射の回数ごとに少しずつY軸方向にずらされて記載されているが、実際には、図6中のY軸方向について同じ位置に配置される。図6において、Y軸方向は、X軸方向に交わる方向であり、X軸方向は、スキャン方向である。また、図6において、X軸方向に配列された複数の破線は、説明を容易にするために補助的に記載されているものであり、X軸方向に、図5において示した像間の距離pに相当する間隔で配列されている。   In FIG. 6, for ease of explanation, each image is described by being slightly shifted in the Y-axis direction for each number of pulse irradiations. However, in actuality, the Y-axis direction in FIG. Are arranged at the same position. In FIG. 6, the Y-axis direction is a direction intersecting with the X-axis direction, and the X-axis direction is a scanning direction. In addition, in FIG. 6, a plurality of broken lines arranged in the X-axis direction are supplementarily described for ease of explanation, and the distance between images shown in FIG. 5 in the X-axis direction. They are arranged at intervals corresponding to p.

本実施の形態では、説明を容易にするために、基板600上に4回パルス照射がされると、加工が完了するものとする。   In this embodiment mode, for ease of explanation, it is assumed that the processing is completed when pulse irradiation is performed four times on the substrate 600.

図6に示された例では、像S14と像S23と像S32と像S41が重なるところで、初めて、基板600上の同一箇所に4回のパルス照射がなされいている。つまり、図6では、基板600上の位置P1より右方の領域において、像が4つ重ねられる。図6では、パルス照射が4回なされることによりレーザ加工が完了した、位置P1〜P1´の領域が、有効領域として示されている。   In the example shown in FIG. 6, four times of pulse irradiation is performed on the same location on the substrate 600 for the first time when the image S14, the image S23, the image S32, and the image S41 overlap. That is, in FIG. 6, four images are superimposed in a region on the right side of the position P <b> 1 on the substrate 600. In FIG. 6, the area | region of the position P1-P1 'where the laser processing was completed by performing pulse irradiation 4 times is shown as an effective area | region.

[6.比較例との対比]
(6−1.比較例(1))
本実施の形態の比較例として、図7に、1回のパルス照射で1つの像のみが基板600上に投影される場合の、連続した複数回のパルス照射によって基板600上に形成される像を模式的に示す。
[6. Comparison with comparative example]
(6-1. Comparative Example (1))
As a comparative example of the present embodiment, FIG. 7 shows an image formed on the substrate 600 by a plurality of continuous pulse irradiations when only one image is projected on the substrate 600 by one pulse irradiation. Is shown schematically.

図7では、各回のパルス照射によって基板600上に形成される像SA01〜SA36が、基板600上に投影される順序で、左から右へと配列されている。なお、図7では、スキャン方向がX軸で示されている。また、像SA01〜SA36は、実際には、Y軸方向について同じ位置に配置されるが、図7では、説明を容易にするために、4つの像ごとにずらされて記載されている。また、図7において、X軸方向に配列された複数の破線は、補助的に、図5の像間の距離pに相当する間隔を示す。   In FIG. 7, the images SA01 to SA36 formed on the substrate 600 by each pulse irradiation are arranged from left to right in the order of projection onto the substrate 600. In FIG. 7, the scanning direction is indicated by the X axis. The images SA01 to SA36 are actually arranged at the same position in the Y-axis direction. However, in FIG. 7, the images are illustrated so as to be shifted every four images in order to facilitate the explanation. In FIG. 7, a plurality of broken lines arranged in the X-axis direction supplementarily indicates an interval corresponding to the distance p between images in FIG. 5.

この比較例では、像SA01〜SA04が重なるところで、初めて、基板600上の同一箇所に4回のパルス照射がなされている。これにより、この比較例での有効領域は、位置P2〜P2´となる。   In this comparative example, the pulse irradiation is performed four times on the same location on the substrate 600 for the first time when the images SA01 to SA04 overlap. Thereby, the effective area | region in this comparative example becomes position P2-P2 '.

本実施の形態では、位置P2より右方の領域で、隙間無く、同一箇所に4回パルス照射がなされるようにするため、レーザ照射位置の、パルスごとのスキャン方向の移動距離をr(r=n×1/4a)とされる必要がある。   In this embodiment, in order to perform pulse irradiation four times at the same location in the region to the right of the position P2 without a gap, the movement distance in the scanning direction for each pulse at the laser irradiation position is set to r (r = N × 1 / 4a).

ここで、図6に示した例と図7の比較例とで、スキャンに要する時間の比較を行なう。
図6に示した例および本比較例において、基板600上に照射される各像のスキャン方向の寸法(a)を0.4(mm)とし、レーザパルスの繰返し周波数を1000(Hz)とする。
Here, the time required for scanning is compared between the example shown in FIG. 6 and the comparative example of FIG.
In the example shown in FIG. 6 and this comparative example, the dimension (a) in the scanning direction of each image irradiated on the substrate 600 is set to 0.4 (mm), and the repetition frequency of the laser pulse is set to 1000 (Hz). .

図7の比較例では、パルス毎のレーザ光(の像)と基板600とのスキャン方向の相対移動量を0.1(mm)とする。この場合、レーザ光(の像)と基板600とのスキャン方向の相対移動速度(スキャン速度)は、100(mm/sec)となる。なお、スキャンは、載置台202を駆動部201で駆動させることにより行なわれるものとし、その加速度を1G(=9806mm/sec)、加減速距離を除く加工距離(X軸方向についての加工を行なうべき寸法。図4のL1。)を1000mm(等速区間長さ)とすると、上記加工距離を加工するのに要する時間(スキャン時間)は、次の式(1)で表されるように、10.02(sec)となる。 In the comparative example of FIG. 7, the relative movement amount of the laser beam (image) for each pulse and the substrate 600 in the scanning direction is 0.1 (mm). In this case, the relative moving speed (scanning speed) of the laser beam (image) and the substrate 600 in the scanning direction is 100 (mm / sec). Scanning is performed by driving the mounting table 202 by the driving unit 201. The acceleration is 1 G (= 9806 mm / sec 2 ), and the machining distance excluding the acceleration / deceleration distance (processing in the X-axis direction is performed). When the power dimension (L1 in FIG. 4) is 1000 mm (constant velocity section length), the time required to process the processing distance (scanning time) is expressed by the following equation (1): 10.02 (sec).

スキャン時間=等速区間長さをスキャンする時間+載置台の加速および減速時間
=1000/100+100/9806×2
=10.02(sec) …(1)
一方、図6の例では、一度に照射される像の数(マスク501上のパターンの数)を4とし、その他の条件を図7の比較例と同じであるとすると、等速スキャン時の速度は図7の比較例の4倍にできるので、スキャン時間は、次の式(2)で表されるように、2.52(sec)となる。
Scan time = time to scan the constant velocity section + acceleration and deceleration time of the mounting table
= 1000/100 + 100/9806 × 2
= 10.02 (sec) (1)
On the other hand, in the example of FIG. 6, if the number of images irradiated at once (the number of patterns on the mask 501) is 4, and the other conditions are the same as those of the comparative example of FIG. Since the speed can be made four times that of the comparative example in FIG. 7, the scan time is 2.52 (sec) as represented by the following equation (2).

スキャン時間=等速区間長さをスキャンする時間+載置台の加速および減速時間
=1000/(100×4)+100/9806×2
=2.52(sec) …(2)
なお、上記式(2)では、等速区間長さをスキャンする速度を速度sとした場合、これと等速区間長さ(1000mm)との積として、等速区間長さをスキャンする時間が算出されている。速度sは、次の式(3)で表される。
Scan time = time to scan the constant velocity section + acceleration and deceleration time of the mounting table
= 1000 / (100 × 4) + 100/9806 × 2
= 2.52 (sec) (2)
In the above formula (2), when the speed at which the constant speed section length is scanned is the speed s, the time for scanning the constant speed section length is the product of this and the constant speed section length (1000 mm). It has been calculated. The speed s is expressed by the following equation (3).

s=n×p×f …(3)
式(3)において、nは、一度のパルス照射での基板600上に投影される像の数である。上記式(2)では、nは4とされている。
s = n × p × f (3)
In Expression (3), n is the number of images projected on the substrate 600 with one pulse irradiation. In the above formula (2), n is 4.

pは、一度のパルス照射で基板600上に投影される像間の間隔である。上記式(2)では、pは0.1(mm)とされている。   p is an interval between images projected on the substrate 600 by one pulse irradiation. In the above formula (2), p is set to 0.1 (mm).

fは、レーザパルスの繰返し周波数である。上記式(2)では、fは1000(Hz)とされている。   f is the repetition frequency of the laser pulse. In the above formula (2), f is 1000 (Hz).

なお、本実施の形態では、上記した相対移動量rは、次の式(4)で表される。
r=n×p …(4)
式(4)において、nは、上記したように、一度のパルス照射で基板600上に投影される像の数である。pは、上記したように、一度のパルス照射で基板600上に投影される像間の間隔である。また、pは、各像のスキャン方向についての寸法を寸法aとすると、次の式(5)で表される。
In the present embodiment, the above-described relative movement amount r is expressed by the following equation (4).
r = n × p (4)
In Expression (4), n is the number of images projected on the substrate 600 by one pulse irradiation as described above. As described above, p is an interval between images projected on the substrate 600 by one pulse irradiation. Further, p is expressed by the following equation (5), where the dimension of each image in the scan direction is a.

p=a/n …(5)
以上の次第で、図6を主に参照して説明した本実施の形態のように、マスク501に複数のパターンを形成することにより基板600上に複数の像を一度のパルス照射で投影できるようにし、また、一度に基板600上に照射される像間の間隔を上記のように調整し、相対移動量を上記間隔にあわせて調整し、そして、スキャン速度を上記のように調整することにより、スキャン速度が向上できて、生産性の向上に寄与できる。
p = a / n (5)
As described above, a plurality of images can be projected on the substrate 600 by one-time pulse irradiation by forming a plurality of patterns on the mask 501 as in the present embodiment described mainly with reference to FIG. In addition, the interval between the images irradiated onto the substrate 600 at a time is adjusted as described above, the relative movement amount is adjusted according to the interval, and the scan speed is adjusted as described above. The scanning speed can be improved and the productivity can be improved.

(6−2.比較例(2))
本実施の形態の第2の比較例として、1回のパルス照射で基板600上に投影される像の間隔が、図5を主に参照して説明したpよりも長くされた例を説明する。
(6-2. Comparative Example (2))
As a second comparative example of the present embodiment, an example will be described in which the interval between images projected on the substrate 600 by one pulse irradiation is longer than p described mainly with reference to FIG. .

図8(A)は、図5に示した、本実施の形態に従って一度のパルス照射で基板600上に照射される複数の像S1〜S4を模式的に示す。   FIG. 8A schematically shows a plurality of images S1 to S4 irradiated on the substrate 600 by one pulse irradiation according to the present embodiment shown in FIG.

一方、図8(B)は、比較例に従って、一度のパルス照射で基板600上に照射される複数の像SA1〜SA4を模式的に示す。図8(A)および図8(B)において、下向きの矢印はそれぞれスキャン方向を示す。   On the other hand, FIG. 8B schematically shows a plurality of images SA1 to SA4 irradiated on the substrate 600 by one pulse irradiation according to the comparative example. 8A and 8B, the downward arrows indicate the scanning direction.

図8(B)において、像SA1〜SA4のスキャン方向についての寸法は、像S1〜S4と同様にaとされている。一方、像SA1〜SA4のスキャン方向についての像間の間隔は距離2pとされている。つまり、像S1〜S4における間隔の2倍とされている。   In FIG. 8B, the dimensions of the images SA1 to SA4 in the scanning direction are set to a as in the images S1 to S4. On the other hand, the distance between the images in the scanning direction of the images SA1 to SA4 is a distance 2p. That is, it is set to twice the interval in the images S1 to S4.

図9に、図8(B)に従った態様でのスキャン(レーザの連続照射)が行なわれた際の、基板600上に照射される像を模式的に示す。   FIG. 9 schematically shows an image irradiated on the substrate 600 when scanning (continuous laser irradiation) in the mode according to FIG. 8B is performed.

図9を参照して、像S901〜S904は、基板600に対して、図8(B)に示されたような像の配列で1回目のパルス照射が行なわれた場合の、基板600上の像の組である。図9中のX軸方向は、スキャン方向を示す。   Referring to FIG. 9, images S <b> 901 to S <b> 904 are displayed on the substrate 600 when the first pulse irradiation is performed on the substrate 600 with the image arrangement as shown in FIG. 8B. A set of statues. The X-axis direction in FIG. 9 indicates the scan direction.

本比較例では、パルスごとに、スキャン方向にr(mm)だけレーザ光の照射位置が移動する。rは、r=n×pで表され、nは、一度のパルス照射で基板600上に形成される像の数である。   In this comparative example, the irradiation position of the laser beam moves by r (mm) in the scanning direction for each pulse. r is represented by r = n × p, and n is the number of images formed on the substrate 600 by one pulse irradiation.

パルスごとに、上記のようにレーザ光の照射位置が移動するため、本比較例では、2回目以降のパルス照射による像は、像S911〜S914等に示されるような位置に投影される。具体的には、像S911〜S914は、2回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。像S921〜S924は、3回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。像S931〜S934は、4回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。像S941〜S944は、5回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。像S951〜S954は、6回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。   Since the irradiation position of the laser beam moves for each pulse as described above, in this comparative example, an image obtained by the second and subsequent pulse irradiations is projected at a position as shown in the images S911 to S914 and the like. Specifically, the images S911 to S914 are a set of images on the substrate 600 when the second pulse irradiation is performed. Images S921 to S924 are a set of images on the substrate 600 when the third pulse irradiation is performed. Images S931 to S934 are a set of images on the substrate 600 when the fourth pulse irradiation is performed. Images S941 to S944 are a set of images on the substrate 600 when the fifth pulse irradiation is performed. Images S951 to S954 are a set of images on the substrate 600 when the sixth pulse irradiation is performed.

図9では、図6等と同様に、各像は、説明を容易にするために、パルス照射の回数ごとに少しずつY軸方向にずらされて記載されているが、実際には、図9中のY軸方向について同じ位置に配置される。また、図9では、複数の破線が、X軸方向に、補助的に、図5において示した像間の距離pに相当する間隔で配列されている。   In FIG. 9, as in FIG. 6 and the like, each image is described by being slightly shifted in the Y-axis direction for each number of pulse irradiations for ease of explanation. It arrange | positions in the same position about the inside Y-axis direction. In FIG. 9, a plurality of broken lines are arranged in an auxiliary manner in the X-axis direction at intervals corresponding to the distance p between images shown in FIG.

本比較例では、像904と像913と像922と像934が重なるところで、初めて、基板600上の同一箇所に4回のパルス照射がなされている。   In this comparative example, when the image 904, the image 913, the image 922, and the image 934 overlap, the pulse irradiation is performed four times on the same portion on the substrate 600 for the first time.

ただし、本比較例では、本比較例では、同一箇所に4回のパルスが照射されているが、オーバラップ率が50%となっている。一方、図6に示す本発明の実施の形態に従ったレーザ照射では、同一箇所に4回のパルスが照射され、オーバラップ率は25%である。加工特性上、オーバラップ率を規定する必要のある加工(例えば、特許文献1や特許文献2に記載されるように、所定のオーバラップ率とすること、すなわち、1パルス毎に少しずつ照射位置をずらしながら加工を行なうことによって、加工性が良好になる場合がある)では、本発明の実施の形態による方法が有効となる。   However, in this comparative example, in this comparative example, four pulses are irradiated to the same location, but the overlap rate is 50%. On the other hand, in the laser irradiation according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 6, four pulses are irradiated to the same location, and the overlap rate is 25%. Processing that requires the overlap rate to be defined in terms of processing characteristics (for example, as described in Patent Document 1 and Patent Document 2, the predetermined overlap rate is set, that is, the irradiation position is slightly changed for each pulse. In some cases, the workability may be improved by performing the processing while shifting the position of the head), and the method according to the embodiment of the present invention is effective.

[7.変形例]
以上説明した本実施の形態では、1回のパルス照射で基板600上に照射される像の数は4とされているが、本発明に従ったレーザ加工方法における当該数はこれに限定されない。
[7. Modified example]
In the present embodiment described above, the number of images irradiated on the substrate 600 by one pulse irradiation is four, but the number in the laser processing method according to the present invention is not limited to this.

図10(A),図10(B)および図11(A),図11(B)に、当該数が2にされた場合の変形例、当該数が3にされた場合の変形例をそれぞれ示す。   10 (A), FIG. 10 (B), FIG. 11 (A), and FIG. 11 (B), a modification when the number is 2 and a modification when the number is 3, respectively. Show.

(7−1.n=2の場合)
図10(A)では、一度のパルス照射で基板600上に投影される像の数が2である場合の、像S1および像S2が示されている。像S1と像S2の、スキャン方向(矢印X方向)についての寸法はaであり、間隔はpである。
(7-1. When n = 2)
FIG. 10A shows an image S1 and an image S2 when the number of images projected on the substrate 600 by one pulse irradiation is two. The dimensions of the image S1 and the image S2 in the scanning direction (arrow X direction) are a and the interval is p.

図10(A)に示された変形例のスキャンでは、図10(B)に示されるように、各回のパルス照射による基板600上の像が、像S11〜S82で示される。具体的には、像S11〜S12は、1回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。また、像S21〜S22は2回目の、像S31〜S32は3回目の、像S41〜S42は4回目の、像S51〜S52は5回目の、像S61〜S62は6回目の、像S71〜S72は7回目の、そして、像S81〜S82は8回目の、それぞれのパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。   In the scan of the modification example shown in FIG. 10A, as shown in FIG. 10B, images on the substrate 600 by each pulse irradiation are shown as images S11 to S82. Specifically, the images S11 to S12 are a set of images on the substrate 600 when the first pulse irradiation is performed. The images S21 to S22 are the second time, the images S31 to S32 are the third time, the images S41 to S42 are the fourth time, the images S51 to S52 are the fifth time, the images S61 to S62 are the sixth time, and the images S71 to S22. S72 is the seventh set, and images S81 to S82 are the set of images on the substrate 600 when the respective pulse irradiations are performed.

図10(A)を参照して説明した変形例においても、図5および図6を主に参照して説明した実施の形態と同様に、等速区間長さのスキャン速度s、相対移動量rおよび一度のパルス照射で基板600上に投影される像間の距離(間隔)pは、式(3)、式(4)および式(5)を用いて決定することができる。これにより、連続でパルス照射された際の像は、図10(B)に示されるように投影される。本変形例ではnが2であるため、図10(B)では、図5および図6を参照して説明したnが4である例と比較して、相対移動量rが、4pから2pに変更されている。つまり、たとえば、像S11と像S21の対応する箇所の距離や像S21と像S31の対応する箇所の距離が、2pとされている。   Also in the modified example described with reference to FIG. 10A, the scan speed s and the relative movement amount r of the constant speed section length are the same as in the embodiment described mainly with reference to FIGS. Further, the distance (interval) p between images projected on the substrate 600 by one pulse irradiation can be determined using Expression (3), Expression (4), and Expression (5). As a result, an image when continuously pulsed is projected as shown in FIG. Since n is 2 in this modification, in FIG. 10B, the relative movement amount r is changed from 4p to 2p as compared with the example in which n described with reference to FIGS. 5 and 6 is 4. has been edited. That is, for example, the distance between corresponding portions of the image S11 and the image S21 and the distance between corresponding portions of the image S21 and the image S31 are set to 2p.

この変形例では、像S12と像S22と像S31と像S41とが重なるところで、初めて、基板600上の同一箇所に4回のパルス照射がなされている。これにより、この変形例での有効領域は、位置P3より右方の領域となる。   In this modification, four times of pulse irradiation is performed on the same location on the substrate 600 for the first time when the image S12, the image S22, the image S31, and the image S41 overlap. As a result, the effective area in this modification is an area on the right side of the position P3.

式(1)等で説明したスキャン時間について検討する。図10(A)および図10(B)を参照して説明した変形例では、一度に照射される像の数を2とし、その他の条件を図7の比較例と同じであるとすると、等速スキャン時の速度は図7の比較例の2倍にできる。これにより、スキャン時間は、次の式(6)で表されるように、5.02(sec)となる。   Consider the scan time described in equation (1). In the modification described with reference to FIGS. 10A and 10B, assuming that the number of images irradiated at one time is 2, and other conditions are the same as those in the comparative example in FIG. The speed during the fast scan can be double that of the comparative example of FIG. As a result, the scan time is 5.02 (sec) as represented by the following equation (6).

スキャン時間=等速区間長さをスキャンする時間+載置台の加速および減速時間
=1000/(100×2)+100/9806×2
=5.02(sec) …(6)
つまり、式(1)により算出される比較例のスキャン時間(10.02(sec))よりも短縮できる。
Scan time = time to scan the constant velocity section + acceleration and deceleration time of the mounting table
= 1000 / (100 × 2) + 100/9806 × 2
= 5.02 (sec) (6)
That is, the scan time (10.02 (sec)) of the comparative example calculated by the equation (1) can be shortened.

(7−2.n=3の場合)
図11(A)に示された変形例のスキャンでは、図11(B)に示されるように、各回のパルス照射による基板600上の像が、像S11〜S63で示される。具体的には、像S11〜S13は、1回目のパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。また、像S21〜S23は2回目の、像S31〜S33は3回目の、像S41〜S43は4回目の、像S51〜S53は5回目の、そして、像S61〜S63は6回目の、それぞれのパルス照射が行なわれた場合の基板600上の像の組である。
(7-2. When n = 3)
In the scan of the modification example shown in FIG. 11A, as shown in FIG. 11B, images on the substrate 600 by each pulse irradiation are shown as images S11 to S63. Specifically, the images S11 to S13 are a set of images on the substrate 600 when the first pulse irradiation is performed. The images S21 to S23 are the second time, the images S31 to S33 are the third time, the images S41 to S43 are the fourth time, the images S51 to S53 are the fifth time, and the images S61 to S63 are the sixth time. This is a set of images on the substrate 600 when the pulse irradiation is performed.

図11(A)を参照して説明した変形例においても、図5および図6を主に参照して説明した実施の形態と同様に、等速区間長さのスキャン速度s、相対移動量rおよび一度のパルス照射で基板600上に投影される像間の距離pは、式(3)、式(4)および式(5)を用いて決定することができる。これにより、連続でパルス照射された際の像は、図11(B)に示されるように投影される。本変形例ではnが3であるため、図11(B)では、図5および図6を参照して説明したnが4である例と比較して、相対移動量rが、4pから3pに変更されている。つまり、たとえば、像S11と像S21の対応する箇所の距離や像S21と像S31の対応する箇所の距離が、3pとされている。   Also in the modified example described with reference to FIG. 11A, the scanning speed s and the relative movement amount r of the constant velocity section length are the same as in the embodiment described mainly with reference to FIGS. The distance p between images projected on the substrate 600 by one pulse irradiation can be determined using the equations (3), (4), and (5). Thereby, an image when continuously irradiated with pulses is projected as shown in FIG. Since n is 3 in the present modification, the relative movement amount r is changed from 4p to 3p in FIG. 11B as compared to the example where n is 4 described with reference to FIGS. has been edited. That is, for example, the distance between the corresponding portions of the image S11 and the image S21 and the distance between the corresponding portions of the image S21 and the image S31 are 3p.

この変形例では、像S13と像S22と像S32と像S41とが重なるところで、初めて、基板600上の同一箇所に4回のパルス照射がなされている。これにより、この変形例での有効領域は、位置P4より右方の領域となる。   In this modification, four times of pulse irradiation is performed on the same location on the substrate 600 for the first time when the image S13, the image S22, the image S32, and the image S41 overlap. Thereby, the effective area in this modification is an area on the right side of the position P4.

式(1)等で説明したスキャン時間について検討する。図11(A)および図11(B)を参照して説明した変形例では、一度に照射される像の数を3とし、その他の条件を図7の比較例と同じであるとすると、等速スキャン時の速度は図7の比較例の3倍にできる。これにより、スキャン時間は、次の式(7)で表されるように、3.35(sec)となる。   Consider the scan time described in equation (1). In the modification described with reference to FIGS. 11A and 11B, assuming that the number of images irradiated at one time is 3, and other conditions are the same as those in the comparative example in FIG. The speed during the fast scan can be three times that of the comparative example of FIG. As a result, the scan time is 3.35 (sec) as represented by the following equation (7).

スキャン時間=等速区間長さをスキャンする時間+載置台の加速および減速時間
=1000/(100×3)+100/9806×2
=3.35(sec) …(7)
つまり、式(1)により算出される比較例のスキャン時間(10.02(sec))よりも短縮できる。
Scan time = time to scan the constant velocity section + acceleration and deceleration time of the mounting table
= 1000 / (100 × 3) + 100/9806 × 2
= 3.35 (sec) (7)
That is, the scan time (10.02 (sec)) of the comparative example calculated by the equation (1) can be shortened.

[8.その他の変形例等]
以上説明した本実施の形態およびその変形例では、レーザ光が照射されることによりマスク501を介して基板600上に投影される各像の形状は矩形とされたが、本発明はこれに限定されない。また、スキャンは、直線状になされたが、曲線状であっても良い。また、レーザパルスの繰返し周波数や等速区間長さも、上記した値は単なる一例であって、これに限定されるものではない。本発明が適用される系ごとに適宜変更されて良い。
[8. Other modifications]
In the above-described embodiment and its modifications, the shape of each image projected onto the substrate 600 through the mask 501 by irradiation with laser light is rectangular, but the present invention is not limited to this. Not. In addition, the scan is linear, but it may be curved. Further, the above values for the repetition frequency and the constant velocity section length of the laser pulse are merely examples, and are not limited thereto. It may be changed as appropriate for each system to which the present invention is applied.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

100 制御システム、102 処理装置、103 記憶装置、200 テーブル、201 駆動部、202 載置台、300 ビームエキスパンダ、400 レーザ発振器、501 マスク、511〜514 パターン、600 基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Control system, 102 Processing apparatus, 103 Memory | storage device, 200 Table, 201 Drive part, 202 Mounting stand, 300 Beam expander, 400 Laser oscillator, 501 Mask, 511-514 pattern, 600 board | substrate.

Claims (3)

レーザ光によるマスクのパターンの像を被加工物上に投影し、前記レーザ光のパルスごとに前記パターンの像の一部が重畳するように前記マスクと被加工物を相対的に移動させるレーザ加工方法であって、
前記マスクと被加工物を、前記パターンの像が被加工物上で第1の方向に移動するように、相対的に移動させ、
被加工物上に、前記第1の方向に配列されたn個の前記パターンの像を、前記第1の方向についての各像の寸法がaで間隔がpとなるように投影し、
前記レーザ光のパルスの繰返し周波数がfであって、前記レーザ光のパルスごとの前記像の被加工物上の前記第1の方向についての移動量がrであって、前記像と前記被加工物の前記第1の方向についての相対的な移動速度がsである場合に、
s=n×p×f、r=n×p、および、r=a/nの関係を満たす、レーザ加工方法。
Laser processing for projecting an image of a mask pattern by a laser beam onto a workpiece and relatively moving the mask and the workpiece so that a part of the pattern image overlaps for each pulse of the laser beam A method,
Moving the mask and workpiece relatively such that the image of the pattern moves in a first direction on the workpiece;
Projecting images of the n patterns arranged in the first direction on the workpiece so that the size of each image in the first direction is a and the interval is p,
The repetition frequency of the pulse of the laser beam is f, the amount of movement of the image in the first direction on the workpiece for each pulse of the laser beam is r, and the image and the workpiece If the relative speed of movement of the object in the first direction is s,
A laser processing method that satisfies a relationship of s = n × p × f, r = n × p, and r = a / n.
被加工物に対して、前記第1の方向に沿ったライン状であって、前記第1の方向に交わる第2の方向に配列された複数本のライン状に、前記レーザ光を照射し、
前記ラインは、前記第2の方向において寸法Lごとに配列され、
前記レーザ光による前記マスク全体の像が被加工物上に投影される前記第2の方向についての寸法Mは、前記寸法Lより小さい、請求項1に記載のレーザ加工方法。
The workpiece is irradiated with the laser light in a line shape along the first direction and in a plurality of lines arranged in a second direction intersecting the first direction,
The lines are arranged for each dimension L in the second direction;
2. The laser processing method according to claim 1, wherein a dimension M in the second direction in which an image of the entire mask by the laser light is projected onto a workpiece is smaller than the dimension L. 3.
レーザ光によるマスクのパターンの像を被加工物上に投影し、前記レーザ光のパルスごとに前記パターンの像の一部が重畳するように前記マスクと被加工物を相対的に移動させるレーザ加工装置であって、
前記マスクと被加工物を、前記パターンの像が被加工物上で第1の方向に移動するように、相対的に移動させる移動手段と、
前記レーザ光照射手段および前記移動手段を制御する制御手段と、
被加工物上に、前記第1の方向に配列されたn個の前記パターンの像を、前記第1の方向についての各像の寸法がaで間隔がpとなるように投影し、かつ、前記レーザ光のパルスの繰返し周波数がfであって、前記レーザ光のパルスごとの前記像の被加工物上の前記第1の方向についての移動量がrであって、前記像と前記被加工物の前記第1の方向についての相対的な移動速度がsである場合に、s=n×p×f、r=n×p、および、r=a/nの関係を満たすように、前記レーザ光照射手段および前記移動手段を制御する制御手段とを備える、レーザ加工装置。
Laser processing for projecting an image of a mask pattern by a laser beam onto a workpiece and relatively moving the mask and the workpiece so that a part of the pattern image overlaps for each pulse of the laser beam A device,
Moving means for relatively moving the mask and the workpiece so that an image of the pattern moves in a first direction on the workpiece;
Control means for controlling the laser light irradiation means and the moving means;
Projecting n images of the pattern arranged in the first direction on the workpiece so that the size of each image in the first direction is a and the interval is p, and The repetition frequency of the pulse of the laser beam is f, the amount of movement of the image in the first direction on the workpiece for each pulse of the laser beam is r, and the image and the workpiece When the relative moving speed of the object with respect to the first direction is s, the relationship of s = n × p × f, r = n × p, and r = a / n is satisfied. A laser processing apparatus comprising a laser beam irradiation unit and a control unit that controls the moving unit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101243038B1 (en) * 2012-08-28 2013-03-20 위아코퍼레이션 주식회사 Laser processing apparatus and method using patterned optic mirror
WO2016162989A1 (en) * 2015-04-08 2016-10-13 株式会社日本製鋼所 Laser irradiation method and device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101243038B1 (en) * 2012-08-28 2013-03-20 위아코퍼레이션 주식회사 Laser processing apparatus and method using patterned optic mirror
WO2016162989A1 (en) * 2015-04-08 2016-10-13 株式会社日本製鋼所 Laser irradiation method and device
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