JP2012028552A - Semiconductor module case structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体モジュールのケース構造に関し、省スペース化が可能な半導体モジュールのケース構造に関する。 The present invention relates to a semiconductor module case structure, and more particularly to a semiconductor module case structure capable of saving space.
電動機等の制御に用いられるインバータは、サイリスタ、GTO、IGBT等の半導体素子を基板上に実装し、これを樹脂等のケースに組み込んだ半導体モジュールとして実用化されている。 An inverter used for controlling an electric motor or the like has been put into practical use as a semiconductor module in which a semiconductor element such as a thyristor, GTO, or IGBT is mounted on a substrate and this is incorporated in a case of resin or the like.
このような半導体モジュールとして、半導体チップと半導体チップが実装されるチップ実装金属電極と外部バスバーと接続される電極端子とを備えるパワーモジュール、半導体チップを冷却するためのヒートシンク、パワーモジュールとヒートシンクとを絶縁する絶縁シート、及び、絶縁シートを介して固定されるモジュールケース、を有する半導体装置が(特許文献1参照。)が知られている。 As such a semiconductor module, a power module including a semiconductor chip, a chip mounting metal electrode on which the semiconductor chip is mounted, and an electrode terminal connected to an external bus bar, a heat sink for cooling the semiconductor chip, a power module and a heat sink A semiconductor device having an insulating sheet for insulation and a module case fixed via the insulating sheet is known (see Patent Document 1).
従来の半導体モジュールは、半導体素子を収容する樹脂製のモジュールケースを、絶縁シートを介してネジによりヒートシンクに固定していた。モジュールケースは樹脂製であるので、固定ボルトの締結力を向上するために、モジュールケースの締結部位にカラー等の金属製の補強部材を設けることが一般的である。 In a conventional semiconductor module, a resin module case that houses a semiconductor element is fixed to a heat sink with screws through an insulating sheet. Since the module case is made of resin, in order to improve the fastening force of the fixing bolt, it is common to provide a metal reinforcing member such as a collar at the fastening part of the module case.
一方、半導体モジュールには高周波高電圧の電流が導通するため、補強部材と半導体素子の通電部分との間またはヒートシンクと導通部分の間を、相応の絶縁距離とする必要がある。絶縁距離を確保するためにはモジュールケースが大型化するという問題がある。 On the other hand, since a high-frequency high-voltage current is conducted to the semiconductor module, it is necessary to provide a suitable insulation distance between the reinforcing member and the energized portion of the semiconductor element or between the heat sink and the conducting portion. In order to secure the insulation distance, there is a problem that the module case becomes large.
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、ケースを大型化することなく、電気導通部の絶縁距離を確保できる半導体モジュールのケース構造を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor module case structure that can secure an insulating distance of an electrically conductive portion without increasing the size of the case.
本発明の一実施態様によると、基部と、半導体素子が実装される平板状の電気導通部と、基部に固定するための取付部品が配置される取付部を備えるケースと、を備え、基部とケースとによって電気導通部を挟持して、電気導通部を電気的に絶縁した状態で固定する半導体モジュールのケース構造である。取付部は、取付部品による固定を補強するための補強部材を内装すると共に、基部側に突設される凸部が形成される。基部は、ケース側の面から後退した凹部を備える。取付部品は、凸部が凹部の内部に配置された状態で、ケースと基部とを固定する。 According to one embodiment of the present invention, a base, a flat plate-like electrical conduction portion on which a semiconductor element is mounted, and a case including a mounting portion on which mounting parts for fixing to the base are arranged, the base, This is a case structure of a semiconductor module in which an electrically conductive portion is sandwiched between a case and the electrically conductive portion is fixed in an electrically insulated state. The mounting portion is internally provided with a reinforcing member for reinforcing the fixing by the mounting component, and a convex portion that protrudes toward the base portion side is formed. The base includes a recess that is recessed from the case-side surface. The attachment component fixes the case and the base in a state where the convex portion is disposed inside the concave portion.
本発明によると、ケースの凸部が基部の凹部に配置された状態で、ケースと基部とを固定することで、電気導通部と取付部品との間の延面距離が、凸部の高さを合わせた距離となる。これによって、ケースを大型化することなく、導通部の絶縁距離を確保することができる。従って半導体モジュールを小型化することができる。 According to the present invention, in the state where the convex portion of the case is disposed in the concave portion of the base portion, by fixing the case and the base portion, the extended surface distance between the electrically conductive portion and the mounting part is the height of the convex portion. Is the combined distance. Thereby, the insulation distance of a conduction | electrical_connection part can be ensured, without enlarging a case. Therefore, the semiconductor module can be reduced in size.
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の第1の実施形態の半導体モジュール100を含む駆動システム1の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a
駆動システム1は、制御装置10、バッテリ20、駆動用モータM及び半導体モジュール100によって構成され、制御装置10の制御によって駆動用モータMを制御する。
The
制御装置10は、半導体モジュール100を制御して、駆動用モータMの出力を制御する。
The
バッテリ20は駆動用モータMに電力を供給するとともに、駆動用モータMの回生電力をを蓄電する。バッテリ20は、例えば、鉛電池、ニッケル水素電池又はリチウムイオン電池等の二次電池が複数直列又は並列に接続されたバッテリモジュールとして構成されている。
The
半導体モジュール100は、非絶縁型のパワーモジュールであり、複数のパワー半導体610及び環流ダイオード611から構成される。パワー半導体610は、例えば、サイリスタ、GTO、IGBT等の半導体素子によって構成される。
The
制御装置10は、例えば駆動用モータMの出力を上昇させるときは、半導体モジュール100の各パワー半導体610にゲート電流を印可する。これにより、半導体モジュール100が、バッテリ20からの高電流を駆動用モータに供給する。
For example, when increasing the output of the driving motor M, the
制御装置10は、このゲート電流をデューティ比等によって制御することで、駆動用モータMの出力を制御する。また、駆動用モータMの回生時には、半導体モジュール100を介して電力をバッテリ20へと回生する。
The
次に、本実施形態の半導体モジュール100の構成を説明する。
Next, the configuration of the
図2は、半導体モジュール100の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the
半導体モジュール100は、樹脂ケース110内部にインサート成形された金属製の導通部(バスバー)140と、このバスバー140上に実装される複数のパワー半導体610と、パワー半導体610を冷却する目的で備えられる冷却器130と、から構成される。なお、冷却器130は、樹脂ケース110とでバスバー140を電気的に絶縁した状態で固定する基部である。
The
パワー半導体610は、はんだ付け等によってバスバー140上に電気的に導通可能に実装される。パワー半導体610は、お互いが直接、又はアイランド620を介して、ボンディングワイヤ630によって電気的に導通可能に接続されている。
The
また、ボンディングワイヤ630は、樹脂ケース110に備えられる外部電極640に接続されており、外部電極640とパワー半導体610とが電気的に接続される。
The
半導体モジュール100の底側には、冷却器130が固定される。冷却器130とバスバー140との間には、これらを電気的に絶縁するための絶縁シート150が挟み込まれている。絶縁シート150は、絶縁を確保しつつ熱導電性を高めるためのグリースが塗布又は含浸されている。
A
樹脂ケース110と冷却器130とは、取付部材であるボルト160及びナット161によって固定される。すなわち、樹脂ケース110と冷却器130とによってバスバー140及び絶縁シート150を挟持し、これをボルト160及びナット161によって共締めする。これにより半導体モジュール100の各部品が固定される。
The
なお、後述するように、樹脂ケース110において、ボルト160が貫通する貫通孔には、補強の目的で金属製のカラー120が挿入されている。
As will be described later, in the
パワー半導体610は、電流の導通時に内部損失等によって熱が発生する。この熱を放熱しなければパワー半導体610の劣化を招くばかりか、最悪の場合は破壊に至る可能性がある。これを防止するために、パワー半導体610が実装されるバスバー140と冷却器130とを密接させて、この冷却器30によって熱を放出する。
The
冷却器130は、例えば金属やセラミックス等の熱伝導性の高い材質によって構成され、その表面積を拡大させて熱を放出する。
The
冷却器130は、パワー半導体610が発生した熱を外部に伝達することによって、パワー半導体610が発生した熱を放熱させる。なお、冷却器130とバスバー140との間の接触熱抵抗を低減するために、これらに挟持される絶縁シート150の表面にはグリースが塗布されている。
The cooler 130 dissipates the heat generated by the
冷却器130は、例えば車輌のメンバに固定され、車輌の走行風で冷却されるとともに熱をメンバを伝えることによって、パワー半導体610を冷却する。
The
ところで、半導体モジュール100は、バスバー140に高電圧かつ高周波の電流が印可されているので、この電流が外部に伝達しないように、バスバー140と冷却器130とを電気的に絶縁させる必要がある。
In the
バスバー140と冷却器130との間は絶縁シート150によって絶縁されている。一方、樹脂ケース110と冷却器とを固定するボルト160付近は、ボルト160やカラー120等の金属製の部品が冷却器130に直接接する。そのため、これらボルト160及びカラー120とバスバー140との間は、電気的な絶縁を確保するための距離(以下、絶縁距離と呼ぶ)をとる必要がある。
The
また、従来の半導体モジュールは、バスバー140と冷却器130との間に絶縁シート150を挟持して固定していた。このような構成では、樹脂ケース110と冷却器130との締結力と、絶縁シート150のグリースを挟み込む荷重とが同一となるので、これら締結力と荷重とを適正な範囲にするためには制約があった。
In the conventional semiconductor module, the
そこで、本実施形態では、以下に説明するような構成によって、バスバー140と冷却器130との間に絶縁距離を確保するように構成した。
Thus, in the present embodiment, the insulation distance is secured between the
図3は、第1の実施形態の半導体モジュール100のボルト160付近の断面図である。なお、この図3は、前述の図2とは切断方向が異なる。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the vicinity of the
前述のように、半導体モジュール100は、樹脂ケース110と冷却器130とでバスバー140を挟持し、これらをボルト160によって締結されて構成される。
As described above, the
樹脂ケース110は、ボルト160が貫通する貫通孔111が貫通して設けられている。この貫通孔111の内周には、円筒形状の金属製のカラー120がインサートされている。ボルト160は、カラー120を貫通して、冷却器130側に締結される。
The
カラー120は、ボルト160の締結によって樹脂ケース110が破損することを防ぐための補強部材である。
The
また、樹脂ケース110の冷却器130側の面において、貫通孔111の周囲に凸形状170が冷却器130側に突設されている。カラー120は、樹脂ケース110の貫通孔111の上端部分から凸形状170の下端部分に達するような形状となっている。
Further, on the surface of the
冷却器130は、ボルト160が貫通する貫通孔131が貫通して設けられている。また、樹脂ケース110から突設する凸形状170を収容する凹形状180が、貫通孔131の周囲に穿設されている。
The cooler 130 is provided with a through
樹脂ケース110を冷却器130へと固定する場合は、まず、樹脂ケース110の凸形状170が、冷却器130の凹形状180へと配置する。そして、これら凸形状170及び凹形状180の略中心部分をそれぞれ貫通する貫通孔111及び131にボルト160を貫通させる。
When fixing the
貫通したボルト160は、冷却器130の貫通孔131を貫通して突出する長さに設定されているので、この突出部分にナット161を螺合する。これにより、ボルト160及びナット161によって樹脂ケース110と冷却器130とが固定されるとともに、バスバー140及び絶縁シート150が、樹脂ケース110及び冷却器130に挟持される。すなわち、貫通孔111及び貫通孔131が、取付部品であるボルト160及びナット161が配置される取付部である。
Since the penetrated
このとき、バスバー140と冷却器130との間は、図3に示すように、バスバー140の端部から凸形状170までの距離L110と、樹脂ケース110の下端面から冷却器130までの距離Z110と、の和(L110+Z110)となる。
At this time, between the
従って、電流が印可されるバスバー140と冷却器130との間は、この(L110+Z110)の距離だけ絶縁距離を確保することができる。
Therefore, an insulation distance can be ensured between the
これにより、ボルト160の周囲に補強の目的でカラー120を備えたとしても、貫通孔111の周囲とバスバー140の端面との直線距離を絶縁距離とする必要がなくなる。これにより、ボルト160周辺からバスバー140を遠ざけるために樹脂ケース110が大型化することがない。
Thereby, even if the
なお、図3において、樹脂ケース110の下端面から冷却器130までの距離Z110を、冷却器130の上端面から凹形状の底部までの距離Z120よりも大きくすることが好適である。
In FIG. 3, the distance Z110 from the lower end surface of the
すなわち、凸形状170の高さを凹形状180の深さよりも大きくし、この大きさを調整することによって、樹脂ケース110と冷却器130とに挟持される絶縁シート150のつぶし代を設定することができる。
That is, by setting the height of the
絶縁シート150は、樹脂やゴム等の絶縁性の素材からなり、その表面にグリースが塗布されている。絶縁シート150は、バスバー140と冷却器130とを絶縁しつつ、バスバー140の熱を冷却器130に伝達する働きをもつので、適切な荷重でこれらに挟持される必要がある。
The insulating
すなわち、過度に高い荷重で挟持した場合はグリースが漏出したり絶縁シートが破損したりすることによる絶縁破壊の慮がある。一方、荷重が小さい場合は接触熱抵抗が増加して、バスバー140を冷却する効率が低下する。
In other words, if it is sandwiched with an excessively high load, there is a possibility of dielectric breakdown due to leakage of grease or damage to the insulating sheet. On the other hand, when the load is small, the contact thermal resistance increases and the efficiency of cooling the
これに対して、本実施の形態では、凸形状170の高さを凹形状180の深さよりも大きくし、この大きさを調整することにより、絶縁シート150を適切な荷重で挟持することができる。
On the other hand, in the present embodiment, the height of the
また、凸形状170の高さと凹形状180の深さとを調節することで、絶縁シート150を挟持する荷重と、樹脂ケース110と冷却器130との締結力とを個別に管理することができるので、半導体モジュール100の形状やパワー半導体610が発生する熱容量に応じて、調節することができる。
Further, by adjusting the height of the
以上のように本発明の第1の実施形態の半導体モジュール100は、樹脂ケース110と冷却器130とによってバスバー140を、ボルト160及びナット161によって挟持する構造である。そして、樹脂ケース110に突設するとともに内部にカラー120を内装した凸形状170を冷却器130に穿設した凹形状180の内部に位置させ、これらの間をボルト160で固定した。
As described above, the
このような構成により、電流が印可されるバスバー140と非絶縁性の冷却器130との間の絶縁距離を確保できるとともに樹脂ケース110を小型化でき、冷却器130の放熱面積を縮小することなく半導体モジュール100を小型化することができる。
With such a configuration, an insulation distance between the
また、凹形状180の深さ(Z120)よりも凸形状170の突設高さ(Z110)を大きくしたので、樹脂ケース110と冷却器130とを固定する締結力と、絶縁シート150のグリースを挟持する荷重をと各々独立して適切に管理できる。
In addition, since the protruding height (Z110) of the
次に、本発明の第2の実施形態の半導体モジュール100について説明する。なお、第2の実施形態の基本構成は、図1及び図2と同様である。
Next, the
図4は、第2の実施形態の半導体モジュール100のボルト160付近の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the vicinity of the
第2の実施形態では、前述の第1の実施形態と同様に、樹脂ケース110が、下端側に凸形状が突設されるとともに、冷却器130が、樹脂ケース110の凸形状170を収容する凹形状180が穿設されている。
In the second embodiment, as in the first embodiment described above, the
そして、第2の実施形態では、冷却器130が、この凹形状180の内部に、絶縁素材からなる円環状の絶縁リング210を挿設する。
In the second embodiment, the cooler 130 inserts an annular
絶縁リング210は、その外形が凹形状180の内径(L220)よりも小さく、その内径が、凸形状170の外形(L210)よりも大きい形状に設定される。そして、絶縁リング210は、凹形状180の底部から冷却器130の上端部まで略同じ高さに設定される。
The insulating
樹脂ケース110と冷却器130とに挟持される絶縁シート150は、ボルト160付近では余裕を持って凹形状180の径よりも小さく形成される。これにより絶縁シート150は、凹形状180の内側に張出した状態で固定される。
The insulating
そのため、経時変化により絶縁シート150が凹形状180の内部に倒れ込むと、バスバー140と冷却器130との間の絶縁距離が変化する可能性がある。
Therefore, when the
第2の実施形態では、凹形状180に絶縁リング210を備え、絶縁リング210の上面が絶縁シート150の端部を支持する構造とした。これにより、絶縁シート150が経時変化により変形することを防ぎ、絶縁シート150を高寿命化させることができる。すなわち、絶縁リング210が、絶縁シート150の支持部材として構成されている。
In the second embodiment, the
また、絶縁リング210の内部空洞部分が、凸形状170の位置決め穴となるので、半導体モジュール100の組立て時の作業性が向上する。
Further, since the internal cavity portion of the insulating
次に、本発明の第3の実施形態の半導体モジュール100について説明する。なお、第3の実施形態の基本構成は、図1及び図2と同様である。
Next, the
図5は、第3の実施形態の半導体モジュール100のボルト160付近の断面図である。なお、図5は、前述の図3及び図4とは上下が倒立して描写されていることに留意されたい。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the vicinity of the
第3の実施形態の半導体モジュール100は、前述の第1及び第2の実施形態とは異なり、樹脂ケース110は、ボルト160が螺合するナット310が、インサート又は圧入によって固定されている。
In the
ボルト160は、冷却器130側から挿入され、貫通孔131を貫通して樹脂ケース110のナット310に螺合する。
The
なお、凸形状170及び凹形状180は、前述の第1の実施形態と同様である。すなわち、バスバー140の端部から凸形状170までの距離L110と、樹脂ケース110の下端面から冷却器130までの距離Z110と、の和(L110+Z110)によって、絶縁距離を確保することができる。
The
また、凸形状170の高さを凹形状180の深さよりも大きくし、この大きさを調整することにより、絶縁シート150を適切な圧力で挟持することができる。
Further, by making the height of the
このように、第3の実施形態では、第1の実施形態と同様の効果を奏するとともに、樹脂ケース110に埋め込まれたナット310によって、ボルトの固定強度を高めることができるので、部品点数を削減することができる。
As described above, in the third embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and the fixing strength of the bolt can be increased by the
なお、以上説明した本発明の第1乃至第3の実施形態では、パワー半導体610を備える半導体モジュール100について説明したが、この構成に限られるものではない。電流が導通する金属導通部を樹脂製のケースと非絶縁性の固定部材とで挟持して、これらを取付部品によって固定するものに適用することができる。
In the first to third embodiments of the present invention described above, the
また、冷却器130は、非絶縁性の材質ではなく、絶縁性の材質であってもよい。この場合は絶縁シート150は無くてもよい。この場合は、バスバー140とボルト160及びナット161との間の絶縁距離を、前述のような構成によって確保することができる。
The cooler 130 may be made of an insulating material instead of a non-insulating material. In this case, the insulating
100 半導体モジュール
110 樹脂ケース
120 カラー(補強部材)
130 冷却器(基部)
140 バスバー(電気導通部)
150 絶縁シート
160 ボルト(取付部品)
161 ナット
170 凸形状
180 凹形状
210 絶縁リング(支持部材)
310 ナット
610 パワー半導体
100
130 Cooler (base)
140 Busbar (electric conduction part)
150
161
310
Claims (5)
前記取付部は、前記取付部品による固定を補強するための補強部材を内装すると共に、前記基部側に突設される凸部が形成され、
前記基部は、前記ケース側の面から後退した凹部を備え、
前記取付部品は、前記凸部が前記凹部の内部に配置された状態で、前記ケースと前記基部とを固定することを特徴とする半導体モジュールのケース構造。 A base portion, a flat plate-like electrical conducting portion on which a semiconductor element is mounted, and a case having a mounting portion on which mounting parts for fixing to the base portion are arranged, and the base and the case provide the electrical conduction. A semiconductor module case structure that sandwiches a portion and fixes the electrically conducting portion in an electrically insulated state,
The mounting portion is internally provided with a reinforcing member for reinforcing fixation by the mounting component, and is formed with a convex portion protruding from the base side.
The base includes a recess recessed from the case-side surface,
The mounting part is a case structure of a semiconductor module, wherein the case and the base are fixed in a state where the convex portion is disposed inside the concave portion.
前記凸部の高さが前記凹部の深さよりも高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュールのケース構造。 A flat insulating part is provided between the electrical conduction part and the base part,
2. The semiconductor module case structure according to claim 1, wherein a height of the convex portion is higher than a depth of the concave portion.
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