JP2012028398A - Semiconductor device - Google Patents

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Hiroshi Fujita
浩 藤田
Naoki Sawada
直樹 沢田
Hironori Obayashi
弘典 大林
Tatsujiro Momose
立二郎 百瀬
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve mountability of a semiconductor module whose heat needs to be radiated.SOLUTION: Heat sinks 6 and 7 are disposed on both surfaces of a plurality of semiconductor modules 31 and 32, respectively. The heat sink 6 includes a heat exchange part 6b that radiates heat of a semiconductor module 3. The heat sink 7 includes a heat exchange part 7b that radiates heat of the semiconductor module 3. The two heat exchange parts 6b and 7b are disposed adjacent to each other in only one side of the semiconductor modules 31 and 32. Between the semiconductor modules 31 and 32, and a control circuit board 43, there is disposed a plate-like base portion 7a which functions as an electromagnetic shield. Between the heat sinks 6 and 7, there is disposed a holder 8 which contributes to positioning of the semiconductor modules 31 and 32, and wiring work. The heat sink 7 has a connection passage 7c in which there is disposed wires connecting the plurality of semiconductor modules 31 and 32 to power terminals 31e, 31f, 32e, and 32f.

Description

本発明は、半導体モジュールの両面からの放熱を可能とした半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device that enables heat radiation from both sides of a semiconductor module.

特許文献１は、半導体モジュールの片面だけから放熱する半導体装置を開示している。しかし、この構成では、半導体モジュールの熱を十分に放熱することができない。   Patent Document 1 discloses a semiconductor device that dissipates heat from only one side of a semiconductor module. However, with this configuration, the heat of the semiconductor module cannot be sufficiently dissipated.

特許文献２には、半導体モジュールの両面からの放熱を可能とした半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体モジュールの両面に放熱部材としてのヒートシンクを設けている。ところが、この装置では、半導体装置の両側に冷却用の媒体を流通させる必要がある。   Patent Document 2 discloses a semiconductor device that can dissipate heat from both sides of a semiconductor module. In this semiconductor device, heat sinks as heat radiating members are provided on both sides of the semiconductor module. However, in this apparatus, it is necessary to distribute a cooling medium on both sides of the semiconductor device.

特許文献３にも、半導体モジュールの両面からの放熱を可能とした半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体モジュールの片面だけに冷却用のヒートシンクを設けている。さらに、ブラケット型のサポート部材によって、半導体モジュールをヒートシンクに接続している。この構成によると、半導体モジュールからブラケット型のサポート部材に伝導した熱は、ヒートシンクに伝導した後に、媒体に放熱される。   Patent Document 3 also discloses a semiconductor device that can dissipate heat from both sides of the semiconductor module. In this semiconductor device, a heat sink for cooling is provided only on one side of the semiconductor module. Further, the semiconductor module is connected to the heat sink by a bracket-type support member. According to this configuration, the heat conducted from the semiconductor module to the bracket type support member is conducted to the heat sink and then radiated to the medium.

特開２００１−２６６２７号公報JP 2001-26627 A 特開２００８−２７８５７６号公報JP 2008-278576 A 特許３５７８３３５号Japanese Patent No. 3578335

特許文献３の技術は、ブラケット型のサポート部材と、ヒートシンクとの間の接続部において大きな熱的な抵抗が生じるという問題を有している。   The technique of Patent Document 3 has a problem that a large thermal resistance is generated at the connection portion between the bracket-type support member and the heat sink.

また、ブラケット型のサポート部材は、それ自身が十分な熱伝達のための断面積を提供できないため、十分な放熱を実現できないおそれがあった。   Further, since the bracket type support member itself cannot provide a cross-sectional area for sufficient heat transfer, there is a possibility that sufficient heat radiation cannot be realized.

また、両面からの熱がひとつのヒートシンクに集中するという問題があった。   There is also a problem that heat from both sides concentrates on one heat sink.

また、別の観点では、組立工程において半導体モジュールが正規の位置からずれてしまうおそれがあった。   From another viewpoint, the semiconductor module may be displaced from the normal position in the assembly process.

また、別の観点では、ブラケット型のサポート部材は、半導体モジュールから生じる電磁波を十分に遮断することができないという問題があった。   From another viewpoint, the bracket-type support member has a problem that it cannot sufficiently block electromagnetic waves generated from the semiconductor module.

また、別の観点では、半導体モジュールと回路部とを電気的に接続するために、長い接続部材が必要となるという問題があった。   Further, from another viewpoint, there is a problem that a long connection member is required to electrically connect the semiconductor module and the circuit unit.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的のひとつは、放熱性が改良された半導体装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and one of its purposes is to provide a semiconductor device with improved heat dissipation.

本発明の他の目的は、半導体モジュールの固定作業が容易な半導体装置を提供することである。   Another object of the present invention is to provide a semiconductor device in which a semiconductor module can be easily fixed.

本発明の他の目的は、半導体モジュールから放射される電磁波をシールドすることができる半導体装置を提供することである。   Another object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of shielding electromagnetic waves radiated from a semiconductor module.

本発明の他の目的は、改良された接続構造をもつ半導体装置を提供することである。   Another object of the present invention is to provide a semiconductor device having an improved connection structure.

本発明は上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。   The present invention employs the following technical means to achieve the above object.

請求項１に記載の発明は、互いに反対側に面する第１主面（３ｂ、４０３ｂ）と第２主面（３ｃ、４０３ｂ）とを有する板状の半導体モジュール（３、４０３）と、熱を媒体に放熱する第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ、４０６ｂ）を有し、第１主面（３ｂ、４０３ｂ）と熱的に結合された第１放熱部材（６、２０６、３０６、４０６）と、熱を媒体に放熱する第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）を有し、第２主面（３ｃ、４０３ｂ）と熱的に結合された第２放熱部材（７、２０７、３０７、４０７）とを備え、第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ、４０６ｂ）と、第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）とが、半導体モジュールの第１主面の側に並べて配置されていることを特徴とする。   The invention described in claim 1 includes a plate-like semiconductor module (3, 403) having a first main surface (3b, 403b) and a second main surface (3c, 403b) facing opposite to each other, and a heat The first heat radiating member (6, 206, 306, 406b) having a first heat exchange part (6b, 206b, 306b, 406b) for radiating heat to the medium and thermally coupled to the first main surface (3b, 403b) 406) and a second heat radiating member (7b, 207b, 307b, 407b) that radiates heat to the medium and is thermally coupled to the second main surface (3c, 403b). , 207, 307, 407), and the first heat exchange part (6b, 206b, 306b, 406b) and the second heat exchange part (7b, 207b, 307b, 407b) are the first main parts of the semiconductor module. They are arranged side by side on the surface.

この発明によると、第１主面からの熱を第１熱交換部から放熱できるとともに、第２主面からの熱を第２熱交換部から放熱することができる。これにより、両面からの熱を十分に放熱することができる。しかも、第１熱交換部と第２熱交換部とを、第１主面の側に並べることができる。これにより、熱の集中を回避することができる。また、半導体装置の配置上の自由度を高めることができる。   According to this invention, the heat from the first main surface can be radiated from the first heat exchange part, and the heat from the second main surface can be radiated from the second heat exchange part. Thereby, the heat from both surfaces can be sufficiently dissipated. And a 1st heat exchange part and a 2nd heat exchange part can be arranged in the 1st main surface side. Thereby, heat concentration can be avoided. Further, the degree of freedom in arrangement of the semiconductor device can be increased.

請求項２に記載の発明は、さらに、半導体モジュールの第２主面の側に配置された回路部（２ａ、４０２ａ）を備えることを特徴とする。この発明によると、半導体モジュールの第１主面の側に熱交換部を配置し、第２主面の側に回路部を配置することができる。   The invention described in claim 2 further includes a circuit portion (2a, 402a) disposed on the second main surface side of the semiconductor module. According to this invention, the heat exchange part can be arranged on the first main surface side of the semiconductor module, and the circuit part can be arranged on the second main surface side.

請求項３に記載の発明は、回路部（２ａ、４０２ａ）は、回路部品（４３、４４、４４３、４４４）と、回路部品（４３、４４、４４３、４４４）を収容するとともに、第１放熱部材と第２放熱部材と間の隙間を覆うケース(４、４０４)とを備えることを特徴とする。この発明によると、回路部のケースによって、２つの放熱部材の間の隙間を覆うことができる。この結果、隙間への異物の侵入を抑制することができる。   According to a third aspect of the present invention, the circuit portion (2a, 402a) accommodates the circuit component (43, 44, 443, 444) and the circuit component (43, 44, 443, 444), and the first heat dissipation. And a case (4, 404) covering a gap between the member and the second heat radiating member. According to the present invention, the gap between the two heat radiating members can be covered by the case of the circuit portion. As a result, entry of foreign matter into the gap can be suppressed.

請求項４に記載の発明は、第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ、４０６ｂ）は、空気と熱交換する複数のフィン（６ｍ）を備え、第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）は、空気と熱交換する複数のフィン（７ｍ）を備え、第１熱交換部のフィン（６ｍ）と、第２熱交換部のフィン（７ｍ）とは、互いに平行に配置されていることを特徴とする。この発明によると、空冷型の放熱部材を採用することができる。   In the invention according to claim 4, the first heat exchange section (6b, 206b, 306b, 406b) includes a plurality of fins (6m) for exchanging heat with air, and the second heat exchange section (7b, 207b, 307b). 407b) includes a plurality of fins (7m) that exchange heat with air, and the fins (6m) of the first heat exchange unit and the fins (7m) of the second heat exchange unit are arranged in parallel to each other. It is characterized by being. According to this invention, an air-cooling type heat radiating member can be employed.

請求項５に記載の発明は、第１放熱部材（６、２０６、３０６、４０６）は、第１主面と平行に配置され、第１主面と熱的に結合された板状の第１基部（６ａ、２０６ａ、３０６ａ、４０６ａ）を備え、第２放熱部材（７、２０７、３０７、４０７）は、第２主面と平行に配置され、第２主面と熱的に結合された板状の第２基部（７ａ、２０７ａ、３０７ａ、４０７ａ）と、第１主面に沿う横方向に関して半導体モジュールと第１基部とに並べて配置され、第２基部から第２熱交換部へ熱を伝導する熱伝導部（７ｔ、２０７ｔ、３０７ｔ、４０７ｔ）とを有することを特徴とする。この発明によると、第２主面からの熱は、第２基部から熱伝導部を通して第２熱交換部へ伝導する。言い換えると、第２主面からの熱は、半導体モジュールと第１基部との横を迂回して第２熱交換部へ伝導する。これにより、熱を効率的に伝導することができる。   According to a fifth aspect of the present invention, the first heat dissipating member (6, 206, 306, 406) is disposed in parallel with the first main surface, and is a plate-like first thermally coupled to the first main surface. A plate having a base (6a, 206a, 306a, 406a), and a second heat dissipating member (7, 207, 307, 407) arranged in parallel with the second main surface and thermally coupled to the second main surface Second base (7a, 207a, 307a, 407a) and the semiconductor module and the first base arranged in the lateral direction along the first main surface, and conducts heat from the second base to the second heat exchange part It has the heat conduction part (7t, 207t, 307t, 407t) which carries out. According to this invention, the heat from the second main surface is conducted from the second base portion to the second heat exchange portion through the heat conducting portion. In other words, the heat from the second principal surface bypasses the side of the semiconductor module and the first base and is conducted to the second heat exchange unit. Thereby, heat can be conducted efficiently.

請求項６に記載の発明は、半導体装置は、複数の半導体モジュール（３、４０３）を備え、第１基部および第２基部の一方（７ａ、２０６ａ、３０７ａ、４０７ａ）は、複数の半導体モジュールのすべての第２主面と熱的に結合されており、第１基部および第２基部の他方（６ａ、２０７ａ、３０６ａ、４０６ａ）は、複数の島部分（６ａ、２０７ａ、３０６ａ、４０６ａ）によって提供されており、それぞれの島部分が複数の半導体モジュールのうちの一部の第１主面と熱的に結合されていることを特徴とする。この発明によると、第１基部および第２基部の一方（７ａ、２０６ａ、３０７ａ、４０７ａ）が、複数の半導体モジュールのすべてに共通の部品となる。この結果、この共通部品によって半導体装置をひとつのユニットとして取り扱い可能な構成とすることができる。   According to a sixth aspect of the present invention, the semiconductor device includes a plurality of semiconductor modules (3, 403), and one of the first base and the second base (7a, 206a, 307a, 407a) is a plurality of semiconductor modules. Thermally coupled to all the second major surfaces, the other of the first base and the second base (6a, 207a, 306a, 406a) is provided by a plurality of island portions (6a, 207a, 306a, 406a) Each island portion is thermally coupled to a part of the first main surface of the plurality of semiconductor modules. According to the present invention, one of the first base and the second base (7a, 206a, 307a, 407a) is a component common to all of the plurality of semiconductor modules. As a result, the common part can be configured to handle the semiconductor device as one unit.

請求項７に記載の発明は、半導体装置は、複数の第１熱交換部（６１、６２、６３）と、複数の第２熱交換部（７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉ）とを備え、第１熱交換部と第２熱交換部とが、第１主面に沿う横方向に関して交互に配置されていることを特徴とする。この発明によると、熱交換能力の分布を抑制することができる。   According to a seventh aspect of the present invention, the semiconductor device includes a plurality of first heat exchange units (61, 62, 63) and a plurality of second heat exchange units (7f, 7g, 7h, 7i). 1 heat exchange part and 2nd heat exchange part are alternately arrange | positioned regarding the horizontal direction along a 1st main surface, It is characterized by the above-mentioned. According to this invention, the distribution of heat exchange capacity can be suppressed.

請求項８に記載の発明は、第２放熱部材（７、２０７、３０７、４０７）は、半導体モジュールが配置される受熱部（７ａ、２０７ａ、３０７ａ、４０７ａ）と、第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）と熱伝導部（７ｔ、２０７ｔ、３０７ｔ、４０７ｔ）とが配置される放熱部とを有し、第１主面に沿う横方向に関して受熱部と放熱部とが並べて配置されていることを特徴とする。この発明によると、第２放熱部材を低く構成することができる。   In the invention according to claim 8, the second heat radiating member (7, 207, 307, 407) includes a heat receiving part (7a, 207a, 307a, 407a) in which the semiconductor module is disposed, and a second heat exchanging part (7b). 207b, 307b, 407b) and a heat dissipating part in which the heat conducting parts (7t, 207t, 307t, 407t) are arranged, and the heat receiving part and the heat dissipating part are arranged side by side in the lateral direction along the first main surface. It is characterized by being. According to this invention, a 2nd heat radiating member can be comprised low.

請求項９に記載の発明は、第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ）は、第１主面に沿う横方向に関して第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ）の両側に配置された複数の第２熱交換部（７ｆ、７ｇ）（７ｇ、７ｈ）（７ｈ、７ｉ）（２０７ｆ、２０７ｇ）（３０７ｆ、３０７ｇ）を備えることを特徴とする。この発明によると、第２主面からの放熱を促進することができる。   In the invention according to claim 9, the second heat exchange portions (7b, 207b, 307b) are disposed on both sides of the first heat exchange portions (6b, 206b, 306b) in the lateral direction along the first main surface. A plurality of second heat exchange sections (7f, 7g) (7g, 7h) (7h, 7i) (207f, 207g) (307f, 307g) are provided. According to the present invention, heat dissipation from the second main surface can be promoted.

請求項１０に記載の発明は、第２熱交換部（４０７ｂ）は、第１主面に沿う横方向に関して第１熱交換部（４０６ｂ）の片側にだけ配置されていることを特徴とする。この発明によると、第２放熱部材の構成を簡単にすることができる。   The invention according to claim 10 is characterized in that the second heat exchange section (407b) is arranged only on one side of the first heat exchange section (406b) in the lateral direction along the first main surface. According to this invention, the structure of the 2nd heat radiating member can be simplified.

なお、特許請求の範囲および上記手段の項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。   Note that the reference numerals in parentheses described in the claims and the above-described means indicate the correspondence with the specific means described in the embodiments described later as one aspect, and are technical terms of the present invention. It does not limit the range.

本発明を適用した第１実施形態の半導体装置を備える車載機器を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an in-vehicle device including a semiconductor device according to a first embodiment to which the present invention is applied. 第１実施形態のインバータ装置の斜視図である。It is a perspective view of the inverter apparatus of 1st Embodiment. 第１実施形態のインバータ装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the inverter apparatus of 1st Embodiment. 第１実施形態のインバータ装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the inverter apparatus of 1st Embodiment. 第１実施形態の保持部材の上面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the upper surface of the holding member of 1st Embodiment. 第１実施形態の保持部材の下面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the lower surface of the holding member of 1st Embodiment. 第１実施形態の第１ヒートシンクを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 1st heat sink of 1st Embodiment. 第１実施形態の回路部の内部を示す平面図である。It is a top view which shows the inside of the circuit part of 1st Embodiment. 第１実施形態の回路部の内部を示す平面図である。It is a top view which shows the inside of the circuit part of 1st Embodiment. 第１実施形態の回路部の内部を示す平面図である。It is a top view which shows the inside of the circuit part of 1st Embodiment. 本発明を適用した第２実施形態の半導体装置の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the semiconductor device of a 2nd embodiment to which the present invention is applied. 本発明を適用した第３実施形態の半導体装置の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the semiconductor device of a 3rd embodiment to which the present invention is applied. 本発明を適用した第４実施形態の半導体装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the semiconductor device of 4th Embodiment to which this invention is applied.

以下に、図面を参照しながら本発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を適用することができる。各実施形態で具体的に組合せが可能であることを明示している部分同士の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、明示してなくとも実施形態同士を部分的に組み合せることも可能である。   A plurality of modes for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. When only a part of the configuration is described in each mode, the other modes described above can be applied to the other parts of the configuration. Not only combinations of parts that clearly show that combinations are possible in each embodiment, but also combinations of the embodiments even if they are not explicitly stated unless there is a problem with the combination. Is also possible.

（第１実施形態）
図１は、本発明を適用した第１実施形態の半導体装置を備える車載機器を示すブロック図である。車載機器は、乗用自動車などの車両１に搭載されたハイブリッド駆動装置である。ハイブリッド駆動装置は、内燃機関（ＥＧ）１０と電動機（ＭＴ）１１とを車両１の走行用動力源として備えている。内燃機関１０と電動機１１とは、変速機などを含む駆動機構（ＴＲＭ）１２に接続されている。駆動機構１２は、車両に搭載された車載部品のひとつである。駆動機構１２には、インバータ装置２が固定されている。インバータ装置２は、半導体装置である。インバータ装置２は、車両１に搭載されたバッテリ（ＢＡＴＴ）１３の電力を変換して電動機１１に供給する。 (First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing an in-vehicle device including the semiconductor device according to the first embodiment to which the present invention is applied. The in-vehicle device is a hybrid drive device mounted on a vehicle 1 such as a passenger car. The hybrid drive device includes an internal combustion engine (EG) 10 and an electric motor (MT) 11 as a driving power source for the vehicle 1. The internal combustion engine 10 and the electric motor 11 are connected to a drive mechanism (TRM) 12 including a transmission and the like. The drive mechanism 12 is one of in-vehicle components mounted on the vehicle. The inverter device 2 is fixed to the drive mechanism 12. The inverter device 2 is a semiconductor device. The inverter device 2 converts the electric power of a battery (BATT) 13 mounted on the vehicle 1 and supplies it to the electric motor 11.

インバータ装置２は、その表面上を冷却風ＣＷが流れるように車載部品である駆動機構１２に装着されている。例えば、インバータ装置２は、車両のトランスミッションの外側に装着することができる。例えば、インバータ装置２は、車両１が走行するにともなって生じる空気の流れが冷却風ＣＷとなるように配置される。これに代えて、冷却風ＣＷを供給するための送風機を設けてもよい。   The inverter device 2 is mounted on a drive mechanism 12 that is an in-vehicle component so that the cooling air CW flows on the surface thereof. For example, the inverter device 2 can be mounted on the outside of a vehicle transmission. For example, the inverter device 2 is arranged such that the air flow generated as the vehicle 1 travels becomes the cooling air CW. Instead of this, a blower for supplying the cooling air CW may be provided.

インバータ装置２は、多相の電力変換回路２１と、制御回路（ＣＯＮ）２４と、コンデンサ２５とを備える。電力変換回路２１は、三相ブリッジ回路である。電力変換回路２１は、複数のブリッジ回路２１ｕ、２１ｖ、２１ｗを備える。それぞれのブリッジ回路は、アッパアームスイッチ２２と、ロワアームスイッチ２３とを備える。それぞれのスイッチは、ＩＧＢＴ等のスイッチング素子と、フリーホイールダイオード素子とを含むことができる。Ｕ相ブリッジ回路２１ｕは、アッパアームスイッチ２２ｕと、ロワアームスイッチ２３ｕとを備える。Ｖ相ブリッジ回路２１ｖは、アッパアームスイッチ２２ｖと、ロワアームスイッチ２３ｖとを備える。Ｗ相ブリッジ回路２１ｗは、アッパアームスイッチ２２ｗと、ロワアームスイッチ２３ｗとを備える。これらのスイッチ２２ｕ、２２ｖ、２２ｗ、２３ｕ、２３ｖ、２３ｗは、それぞれが半導体モジュール３として構成されている。従って、インバータ装置２は、複数の半導体モジュール３を備える。   The inverter device 2 includes a multiphase power conversion circuit 21, a control circuit (CON) 24, and a capacitor 25. The power conversion circuit 21 is a three-phase bridge circuit. The power conversion circuit 21 includes a plurality of bridge circuits 21u, 21v, and 21w. Each bridge circuit includes an upper arm switch 22 and a lower arm switch 23. Each switch can include a switching element such as an IGBT and a freewheeling diode element. The U-phase bridge circuit 21u includes an upper arm switch 22u and a lower arm switch 23u. The V-phase bridge circuit 21v includes an upper arm switch 22v and a lower arm switch 23v. The W-phase bridge circuit 21w includes an upper arm switch 22w and a lower arm switch 23w. These switches 22u, 22v, 22w, 23u, 23v, and 23w are each configured as a semiconductor module 3. Therefore, the inverter device 2 includes a plurality of semiconductor modules 3.

制御回路２４は、バッテリ１３から供給される直流電力を交流電力に変換するように電力変換回路２１を制御する。制御回路２４は、電力変換回路２１から検出される電流、電圧に応じて、複数のスイッチ２２ｕ、２２ｖ、２２ｗ、２３ｕ、２３ｖ、２３ｗを制御する。コンデンサ２５は、直流電力を平滑化する。コンデンサ２５は、複数のコンデンサを含むことができる。   The control circuit 24 controls the power conversion circuit 21 so as to convert the DC power supplied from the battery 13 into AC power. The control circuit 24 controls the plurality of switches 22u, 22v, 22w, 23u, 23v, and 23w according to the current and voltage detected from the power conversion circuit 21. The capacitor 25 smoothes the DC power. The capacitor 25 can include a plurality of capacitors.

図２は、インバータ装置２の斜視図である。半導体装置を提供するインバータ装置２は、回路部２ａと、電力部２ｂとを備える。回路部２ａは、制御回路２４と、コンデンサ２５とを収容するケース４を備える。回路部２ａは、扁平な直方体状に構成されている。電力部２ｂは、扁平な直方体状に構成されている。回路部２ａと、電力部２ｂとは、全体として扁平な直方体を構成するように積層方向ＳＤに関して積層して配置されている。   FIG. 2 is a perspective view of the inverter device 2. The inverter device 2 that provides a semiconductor device includes a circuit unit 2a and a power unit 2b. The circuit unit 2 a includes a case 4 that houses a control circuit 24 and a capacitor 25. The circuit unit 2a is configured in a flat rectangular parallelepiped shape. The power unit 2b is configured in a flat rectangular parallelepiped shape. The circuit unit 2a and the power unit 2b are stacked in the stacking direction SD so as to form a flat rectangular parallelepiped as a whole.

ケース４の下端部は、電力部２ｂの上側の平面を覆うとともに、外周の側面の上端部も覆うように配置されている。電力部２ｂは、放熱器５を備える。放熱器５は、インバータ装置２の互いに反対方向に面する２面２ｆ、２ｇのうちの一方にだけ、露出するように配置されている。図示の例では、放熱器５は、インバータ装置２の下側２ｇにだけ露出し、上面２ｆには露出しない。   The lower end portion of the case 4 is disposed so as to cover the upper plane of the power unit 2b and also cover the upper end portion of the outer peripheral side surface. The power unit 2 b includes a radiator 5. The heat radiator 5 is arranged so as to be exposed only on one of the two surfaces 2f and 2g of the inverter device 2 facing in opposite directions. In the illustrated example, the radiator 5 is exposed only on the lower side 2g of the inverter device 2 and is not exposed on the upper surface 2f.

電力部２ｂは、複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅを備える。放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅのそれぞれは、ブリッジ回路２１ｕ、２１ｖ、２１ｗのそれぞれに対応して設けられている。複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅは、冷却風ＣＷに対して並列に設けられている。この結果、冷却風ＣＷは、複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅをほぼ均等に冷却する。   The power unit 2b includes a plurality of heat dissipation sections 2c, 2d, and 2e. Each of the heat radiation sections 2c, 2d, and 2e is provided corresponding to each of the bridge circuits 21u, 21v, and 21w. The plurality of heat radiation sections 2c, 2d, and 2e are provided in parallel to the cooling air CW. As a result, the cooling air CW cools the plurality of heat radiation sections 2c, 2d, and 2e substantially evenly.

図３は、インバータ装置２の分解斜視図であって、回路部２ａと、電力部２ｂとを分離し、さらに回路部２ａを分解した状態を示している。電力部２ｂは、複数の半導体モジュール３と、放熱器５とを備える。放熱器５は、第１放熱部材としての第１ヒートシンク６と、第２放熱部材としての第２ヒートシンク７とを含む。第１ヒートシンク６は、複数の島部分６１、６２、６３によって構成されている。複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅのひとつに、複数の島部分６１、６２、６３のひとつが配置される。以下の説明では、島部分６１、６２、６３が、第１ヒートシンク６１、６２、６３と呼ばれることもある。   FIG. 3 is an exploded perspective view of the inverter device 2 and shows a state in which the circuit unit 2a and the power unit 2b are separated and the circuit unit 2a is further disassembled. The power unit 2 b includes a plurality of semiconductor modules 3 and a radiator 5. The radiator 5 includes a first heat sink 6 as a first heat radiating member and a second heat sink 7 as a second heat radiating member. The first heat sink 6 is composed of a plurality of island portions 61, 62, 63. One of the plurality of island portions 61, 62, 63 is arranged in one of the plurality of heat radiation sections 2c, 2d, 2e. In the following description, the island portions 61, 62, 63 may be referred to as the first heat sinks 61, 62, 63.

ケース４は、カバーとしての第１ケース４１と、フレームとしての第２ケース４２とを有する。第１ケース４１と第２ケース４２とは、積層方向ＳＤに沿って積層されている。第１ケース４１と第２ケース４２とは、それらの間に、電気部品を収容するための収容室を区画形成する。第１ケース４１と第２ケース４２との間には、回路基板４３と、コンデンサユニット４４とが収容されている。回路基板４３と、コンデンサユニット４４とは、第２ケース４２に固定されている。   The case 4 has a first case 41 as a cover and a second case 42 as a frame. The first case 41 and the second case 42 are stacked along the stacking direction SD. The first case 41 and the second case 42 define a storage chamber for storing electrical components therebetween. A circuit board 43 and a capacitor unit 44 are accommodated between the first case 41 and the second case 42. The circuit board 43 and the capacitor unit 44 are fixed to the second case 42.

回路基板４３は、細長い長方形である。回路基板４３は、後述する半導体モジュール３のパッケージ部３ａから見て、後述する第２基部７ａによって覆い隠されるような大きさと形状に形成されている。回路基板４３は、制御回路２４を構成する回路部品を搭載している。インバータ装置２を構成するすべての半導体モジュール３が、単一の回路基板４３と電気的に接続されている。   The circuit board 43 is an elongated rectangle. The circuit board 43 is formed in such a size and shape as to be covered by a second base portion 7a described later, as viewed from a package portion 3a of the semiconductor module 3 described later. The circuit board 43 is mounted with circuit components constituting the control circuit 24. All the semiconductor modules 3 constituting the inverter device 2 are electrically connected to a single circuit board 43.

コンデンサユニット４４は、コンデンサ２５を搭載している。コンデンサユニット４４は、半導体モジュール３と電気的に接続されている。コンデンサユニット４４は、細長い直方体である。   The capacitor unit 44 has the capacitor 25 mounted thereon. The capacitor unit 44 is electrically connected to the semiconductor module 3. The capacitor unit 44 is an elongated rectangular parallelepiped.

第２ケース４２は、角型の筒状の外壁４２ａと、外壁４２ａ内に設けられた隔壁４２ｂとを有する。隔壁４２ｂは、中間壁または底壁とも呼ぶことができる。第２ケース４２には、半導体モジュール３と回路部２ａとを電気的に接続するための接続部材を配置するための複数の接続通路が形成されている。接続通路は、隔壁４２ｂを貫通して形成された複数の開口部４２ｃ、４２ｄによって提供されている。外壁４２ａは、隔壁４２ｂよりも第１ケース４１側に向けて延び出す容器部を有する。さらに、外壁４２ａは、隔壁４２ｂよりも電力部２ｂ側に向けて延び出すスカート部４２ｆを有している。スカート部４２ｆは、電力部２ｂの外周の一部を覆うカバー部材である。   The second case 42 includes a square cylindrical outer wall 42a and a partition wall 42b provided in the outer wall 42a. The partition wall 42b can also be called an intermediate wall or a bottom wall. In the second case 42, a plurality of connection passages for arranging connection members for electrically connecting the semiconductor module 3 and the circuit portion 2a are formed. The connection passage is provided by a plurality of openings 42c and 42d formed through the partition wall 42b. The outer wall 42a has a container portion that extends toward the first case 41 with respect to the partition wall 42b. Furthermore, the outer wall 42a has a skirt portion 42f extending toward the power portion 2b side with respect to the partition wall 42b. The skirt portion 42f is a cover member that covers a part of the outer periphery of the power portion 2b.

ケース４は、スカート部４２ｆによって、第１ヒートシンク６と第２ヒートシンク７との間の積層方向の隙間５１を覆う。隙間５１は、板状の基部６ａと板状の基部７ａとの間に形成された隙間である。スカート部４２ｆは、隙間５１への異物の侵入を抑制する。スカート部４２ｆの高さＨ４は、第１ヒートシンク６の第１熱交換部６ｂと第２ヒートシンク７の第２熱交換部７ｂとを覆うことがないように設定されている。これにより、放熱を妨げることが回避される。   The case 4 covers the gap 51 in the stacking direction between the first heat sink 6 and the second heat sink 7 by the skirt portion 42f. The gap 51 is a gap formed between the plate-like base portion 6a and the plate-like base portion 7a. The skirt portion 42 f suppresses entry of foreign matter into the gap 51. The height H4 of the skirt part 42f is set so as not to cover the first heat exchange part 6b of the first heat sink 6 and the second heat exchange part 7b of the second heat sink 7. This avoids hindering heat dissipation.

図４は、インバータ装置２の分解斜視図である。この図は、電力部２ｂの一部である放熱セクション２ｃの分解状態が図示されている。放熱セクション２ｄ、２ｅは、放熱セクション２ｃと同じ構成を有している。   FIG. 4 is an exploded perspective view of the inverter device 2. This figure shows the disassembled state of the heat dissipating section 2c which is a part of the power section 2b. The heat dissipation sections 2d and 2e have the same configuration as the heat dissipation section 2c.

電力部２ｂは、複数の半導体モジュール３を備えている。ひとつの放熱セクションには、複数の半導体モジュール３が含まれている。ひとつの放熱セクション２ｃに２つの半導体モジュール３が含まれている。よって、電力部２ｂは、６つの半導体モジュール３を備える。   The power unit 2 b includes a plurality of semiconductor modules 3. One heat dissipation section includes a plurality of semiconductor modules 3. Two semiconductor modules 3 are included in one heat dissipation section 2c. Therefore, the power unit 2 b includes six semiconductor modules 3.

半導体モジュール３は、板状のパッケージ部３ａを備える。パッケージ部３ａには、スイッチ２２ｕ、２２ｖ、２２ｗ、２３ｕ、２３ｖ、２３ｗのひとつを構成する半導体素子が収容されている。例えば、ＩＧＢＴ素子とフリーホイールダイオードとが収容されている。パッケージ部３ａの両面には、放熱のための放熱面が配置されている。さらに、パッケージ部３ａの両面には、電気的な絶縁を提供するためのセラミック板が配置されている。従って、半導体モジュール３は、互いに反対側に面する第１主面３ｂと第２主面３ｃとを有する。   The semiconductor module 3 includes a plate-shaped package part 3a. The package unit 3a accommodates a semiconductor element that constitutes one of the switches 22u, 22v, 22w, 23u, 23v, and 23w. For example, an IGBT element and a free wheel diode are accommodated. On both surfaces of the package part 3a, heat radiation surfaces for heat radiation are arranged. Furthermore, ceramic plates for providing electrical insulation are disposed on both surfaces of the package portion 3a. Accordingly, the semiconductor module 3 has the first main surface 3b and the second main surface 3c facing opposite to each other.

半導体モジュール３は、複数の電力端子３ｅ、３ｆと、複数の制御信号端子３ｄとを有している。電力端子３ｅ、３ｆは、半導体モジュール３によって制御される電力の入力端子と出力端子とを提供する。複数の制御信号端子３ｄは、半導体モジュール３を制御するための信号を入力するための端子である。電力端子３ｅ、３ｆと複数の制御信号端子３ｄとは、パッケージ部３ａの外周側面から延び出している。電力端子３ｅ、３ｆと、複数の制御信号端子３ｄとは、パッケージ部３ａの互いに反対側に面する側面から延び出している。   The semiconductor module 3 has a plurality of power terminals 3e and 3f and a plurality of control signal terminals 3d. The power terminals 3e and 3f provide an input terminal and an output terminal for power controlled by the semiconductor module 3. The plurality of control signal terminals 3 d are terminals for inputting signals for controlling the semiconductor module 3. The power terminals 3e and 3f and the plurality of control signal terminals 3d extend from the outer peripheral side surface of the package portion 3a. The power terminals 3e and 3f and the plurality of control signal terminals 3d extend from the side surfaces of the package portion 3a facing the opposite sides.

以下の説明においては、ひとつの放熱セクション２ｃに含まれる２つの半導体モジュール３を識別するために符号３１、３２が使われる。半導体モジュール３１は、アッパアームスイッチを構成する半導体素子を収容している。半導体モジュール３２は、ロワアームスイッチを構成する半導体素子を収容している。半導体モジュール３１と半導体モジュール３２とは、同じ形状である。ひとつの放熱セクション２ｃに属する複数の半導体モジュール３１、３２は、第１主面３ｂ又は第２主面３ｃと平行な平面上に並べて配置されている。半導体モジュール３１と半導体モジュール３２とは、共通の平面上において点対称に配置されている。２つの半導体モジュール３１、３２は、電力端子３１ｅ、３１ｆと、電力端子３２ｅ、３２ｆとが互いに対向して位置するように配置されている。従って、電力端子３１ｅ、３１ｆと、電力端子３２ｅ、３２ｆとは、互いに隣接して位置づけられる。さらに詳しくは、２つの半導体モジュール３１、３２が並べられた方向、すなわち冷却風ＣＷの送風方向ＡＤに関して、異なる極性の電力端子が対向して配置される。図示されるように、電力端子３１ｅと電力端子３２ｆとが対向する。電力端子３１ｆと電力端子３２ｅとが対向する。制御信号端子３１ｄと、制御信号端子３２ｄとは、２つの半導体モジュール３１、３２の上において、互いに最も離れた部位に位置づけられる。   In the following description, reference numerals 31 and 32 are used to identify two semiconductor modules 3 included in one heat radiating section 2c. The semiconductor module 31 houses a semiconductor element that constitutes an upper arm switch. The semiconductor module 32 accommodates a semiconductor element constituting a lower arm switch. The semiconductor module 31 and the semiconductor module 32 have the same shape. The plurality of semiconductor modules 31, 32 belonging to one heat radiating section 2c are arranged side by side on a plane parallel to the first main surface 3b or the second main surface 3c. The semiconductor module 31 and the semiconductor module 32 are arranged point-symmetrically on a common plane. The two semiconductor modules 31 and 32 are arranged such that the power terminals 31e and 31f and the power terminals 32e and 32f are positioned to face each other. Therefore, the power terminals 31e and 31f and the power terminals 32e and 32f are positioned adjacent to each other. More specifically, power terminals having different polarities are arranged to face each other in the direction in which the two semiconductor modules 31 and 32 are arranged, that is, the blowing direction AD of the cooling air CW. As illustrated, the power terminal 31e and the power terminal 32f face each other. The power terminal 31f and the power terminal 32e face each other. The control signal terminal 31d and the control signal terminal 32d are positioned on the two semiconductor modules 31 and 32 at positions farthest from each other.

第１ヒートシンク６と、第２ヒートシンク７とは、熱伝導性に優れ、かつ導電性の金属、例えばアルミニウムによって作られている。第１ヒートシンク６と第２ヒートシンク７とは、複数の半導体モジュール３を挟むように形成され、配置されている。この結果、複数の半導体モジュール３の両面からの放熱が可能とされている。第１ヒートシンク６と半導体モジュール３との間、および第２ヒートシンク７と半導体モジュール３との間には、電気的な絶縁のためのセラミック等からなる絶縁板を配置することができる。絶縁板は、半導体モジュール３の部品として把握することもできる。   The first heat sink 6 and the second heat sink 7 have excellent thermal conductivity and are made of a conductive metal such as aluminum. The first heat sink 6 and the second heat sink 7 are formed and arranged so as to sandwich the plurality of semiconductor modules 3. As a result, heat radiation from both surfaces of the plurality of semiconductor modules 3 is possible. Between the first heat sink 6 and the semiconductor module 3 and between the second heat sink 7 and the semiconductor module 3, an insulating plate made of ceramic or the like for electrical insulation can be disposed. The insulating plate can also be grasped as a component of the semiconductor module 3.

第１ヒートシンク６１、６２、６３のそれぞれは、ブリッジ回路２１ｕ、２１ｖ、２１ｗのそれぞれに対応して設けられている。第２ヒートシンク７は、単一の部材である。第２ヒートシンク７は、複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅに共通の部材である。第１ヒートシンク６と、第２ヒートシンク７とは、空冷型のヒートシンクとも呼ぶことができる。   Each of the first heat sinks 61, 62, 63 is provided corresponding to each of the bridge circuits 21u, 21v, 21w. The second heat sink 7 is a single member. The second heat sink 7 is a member common to the plurality of heat radiation sections 2c, 2d, and 2e. The first heat sink 6 and the second heat sink 7 can also be called air-cooled heat sinks.

第１ヒートシンク６は、板状の第１基部６ａと、第１熱交換部６ｂとを有している。第１ヒートシンク６は、第１主面３ｂと熱的に結合されている。第１ヒートシンク６は、第１主面３ｂと平行に配置され、第１主面３ｂと熱的に結合された板状の第１基部６ａを備える。さらに、第１ヒートシンク６は、第１基部６ａと熱的に結合され、熱を媒体に放熱する第１熱交換部６ｂを備える。第１熱交換部６ｂは、第１基部６ａに一体的に形成されている。   The first heat sink 6 has a plate-like first base portion 6a and a first heat exchange portion 6b. The first heat sink 6 is thermally coupled to the first main surface 3b. The first heat sink 6 includes a plate-like first base portion 6a that is arranged in parallel with the first main surface 3b and is thermally coupled to the first main surface 3b. Further, the first heat sink 6 includes a first heat exchange unit 6b that is thermally coupled to the first base 6a and radiates heat to the medium. The first heat exchange part 6b is formed integrally with the first base part 6a.

複数の第１ヒートシンク６１、６２、６３のひとつに着目した場合、第１基部６ａは、２つの半導体モジュール３１、３２の両方よりも広い範囲にわたる広さを有している。第１基部６ａは、２つの半導体モジュール３１、３２の第１主面３ｂ、３ｂと平行に配置され、それらと熱的に結合されている。   When attention is paid to one of the plurality of first heat sinks 61, 62, 63, the first base 6 a has a wider area than both the two semiconductor modules 31, 32. The first base 6a is disposed in parallel with the first main surfaces 3b and 3b of the two semiconductor modules 31 and 32, and is thermally coupled thereto.

複数の第１ヒートシンク６１、６２、６３によって提供される複数の第１基部６ａは、全体としてひとつの第１基部を構成しているとも言える。互いに横方向ＬＤに離れている複数の第１基部６ａは、複数の島部分６ａとも呼ぶことができる。これら複数の島部分６ａに複数の半導体モジュール３が均等に分散して配置されている。言い換えると、第１基部６ａは、複数の島部分６ａによって提供されている。さらに、それぞれの島部分６ａが複数の半導体モジュール３のうちの一部（２つの半導体モジュール３１、３２）の２つの第１主面３ｂと熱的に結合されている。   It can also be said that the plurality of first base portions 6a provided by the plurality of first heat sinks 61, 62, 63 constitute one first base portion as a whole. The plurality of first base portions 6a that are separated from each other in the lateral direction LD can also be referred to as a plurality of island portions 6a. A plurality of semiconductor modules 3 are uniformly distributed on the plurality of island portions 6a. In other words, the first base 6a is provided by a plurality of island portions 6a. Further, each island portion 6 a is thermally coupled to two first main surfaces 3 b of a part (two semiconductor modules 31, 32) of the plurality of semiconductor modules 3.

第２ヒートシンク７は、板状の第２基部７ａと、第２熱交換部７ｂとを有している。第２ヒートシンク７は、第２主面３ｃと熱的に結合されている。第２ヒートシンク７は、第２主面３ｃと平行に配置され、第２主面３ｃと熱的に結合された板状の第２基部７ａを備える。さらに、第２ヒートシンク７は、第２基部７ａと熱的に結合され、熱を媒体に放熱する第２熱交換部７ｂを備える。第２熱交換部７ｂは、第２基部７ａに一体的に形成されている。第２ヒートシンク７は、第２基部７ａから第２熱交換部７ｂまでが連続した材料によって形成された一体物である。複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅは、一部の部品である第１ヒートシンク７を共有することによってひとつのユニットとして取り扱いできるように一体的に構成されている。   The second heat sink 7 has a plate-like second base portion 7a and a second heat exchange portion 7b. The second heat sink 7 is thermally coupled to the second main surface 3c. The second heat sink 7 includes a plate-like second base portion 7a that is arranged in parallel with the second main surface 3c and is thermally coupled to the second main surface 3c. Further, the second heat sink 7 includes a second heat exchange part 7b that is thermally coupled to the second base part 7a and radiates heat to the medium. The second heat exchange part 7b is formed integrally with the second base part 7a. The second heat sink 7 is an integrated body formed of a continuous material from the second base portion 7a to the second heat exchange portion 7b. The plurality of heat dissipating sections 2c, 2d, and 2e are integrally configured so as to be handled as one unit by sharing the first heat sink 7 that is a part of the parts.

第２基部７ａは、電力部２ｂの全体にわたって広がる板状部材によって提供されている。第２基部７ａは、回路部２ａと半導体モジュール３との間において、パッケージ部３ａを覆うように広がっている。第２基部７ａは、すべての放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅに属する６つの半導体モジュール３の第２主面３ｃと熱的に結合されている。従って、第２基部７ａは、複数の半導体モジュールのすべての第２主面３ｃと熱的に結合されている。   The second base portion 7a is provided by a plate-like member that extends over the entire power portion 2b. The second base portion 7a extends between the circuit portion 2a and the semiconductor module 3 so as to cover the package portion 3a. The second base portion 7a is thermally coupled to the second main surfaces 3c of the six semiconductor modules 3 belonging to all the heat radiation sections 2c, 2d, and 2e. Accordingly, the second base portion 7a is thermally coupled to all the second main surfaces 3c of the plurality of semiconductor modules.

第１熱交換部６ｂは、空気との熱交換を促進するために、複数の板状のフィン６ｍを備える。フィン６ｍは、送風方向ＡＤに関して第１熱交換部６ｂの全長にわたって延びている。第２熱交換部７ｂは、空気との熱交換を促進するために、複数の板状のフィン７ｍを備える。フィン７ｍは、送風方向ＡＤに関して第２熱交換部７ｂの全長にわたって延びている。複数のフィン６ｍと複数のフィン７ｍとは、互いに平行に配置されている。複数のフィン６ｍ、７ｍの間には、媒体としての空気の通路が区画されている。第２熱交換部７ｂの放熱能力は、第１熱交換部６ｂの放熱能力と同等か、より大きく設定されている。第２熱交換部７ｂにおけるフィン７ｍの高さＨ７ｂは、第１熱交換部６ｂにおけるフィン６ｍの高さＨ６ｂよりも高い。高さＨ７ｂは、高さＨ６ｂと、第１基部６ａの高さ（厚さ）Ｈ６ａとの和と同じか、より小さく設定されている。スカート部４２ｆの高さＨ４は、第２基部７ａと熱伝導部７ｔとの高さ（厚さ）Ｈ７ａにほぼ等しく設定されている。これにより、フィン６ｍ、７ｍがスカート部４２ｆによって覆われることを回避しながら、スカート部４２ｆによって隙間５１を覆うことができるここで、それぞれの高さは、積層方向ＳＤに関する高さである。   The first heat exchange unit 6b includes a plurality of plate-like fins 6m in order to promote heat exchange with air. The fin 6m extends over the entire length of the first heat exchange unit 6b with respect to the air blowing direction AD. The second heat exchanging part 7b includes a plurality of plate-like fins 7m in order to promote heat exchange with air. The fins 7m extend over the entire length of the second heat exchange unit 7b with respect to the blowing direction AD. The plurality of fins 6m and the plurality of fins 7m are arranged in parallel to each other. An air passage as a medium is defined between the plurality of fins 6m and 7m. The heat dissipation capability of the second heat exchange unit 7b is set to be equal to or greater than the heat dissipation capability of the first heat exchange unit 6b. The height H7b of the fin 7m in the second heat exchange unit 7b is higher than the height H6b of the fin 6m in the first heat exchange unit 6b. The height H7b is set to be equal to or smaller than the sum of the height H6b and the height (thickness) H6a of the first base portion 6a. The height H4 of the skirt portion 42f is set substantially equal to the height (thickness) H7a between the second base portion 7a and the heat conducting portion 7t. Accordingly, the gap 51 can be covered by the skirt portion 42f while avoiding the fins 6m and 7m being covered by the skirt portion 42f. Here, the respective heights are heights in the stacking direction SD.

第２熱交換部７ｂは、複数のフィン群７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉを備える。フィン群７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉのそれぞれは、複数のフィン７ｍを含む。フィン群７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉのそれぞれは、第２熱交換部とも呼ぶことができる。これら複数の第２熱交換部の間には、複数の溝部７ｊが区画される。隣接する２つの第２熱交換部の間に区画された溝部７ｊには、複数の半導体モジュール３１、３２と第１ヒートシンク６とが配置される。複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅのうちのひとつに関して見ると、第２ヒートシンク７は、溝部７ｊの横方向ＬＤの両側に熱交換部７ｂをもつブラケット型の部材と呼ぶことができる。第２ヒートシンク７は、フィン群を歯とし、溝部７ｊを隙間とする櫛歯状の部材とも呼ぶことができる。   The second heat exchange unit 7b includes a plurality of fin groups 7f, 7g, 7h, 7i. Each of the fin groups 7f, 7g, 7h, 7i includes a plurality of fins 7m. Each of the fin groups 7f, 7g, 7h, 7i can also be referred to as a second heat exchange unit. A plurality of groove portions 7j are defined between the plurality of second heat exchange portions. A plurality of semiconductor modules 31 and 32 and the first heat sink 6 are disposed in the groove portion 7j defined between the two adjacent second heat exchange portions. Looking at one of the plurality of heat radiation sections 2c, 2d, 2e, the second heat sink 7 can be called a bracket-type member having heat exchange portions 7b on both sides of the lateral direction LD of the groove portion 7j. The second heat sink 7 can also be referred to as a comb-like member having the fin group as a tooth and the groove portion 7j as a gap.

第２基部７ａのうち、半導体モジュール３と熱的に結合される部分は、半導体モジュール３から熱を受ける受熱部とも呼ぶことができる。第２基部７ａのうち、溝部７ｊを区画している部位は、受熱部を提供している。この受熱部に隣接して、放熱部が設けられている。よって、受熱部と、放熱部とは、第１主面３ｂに沿う横方向ＬＤに関して並べて配置されている。放熱部は、第２熱交換部７ｂと、熱伝導部７ｔとを有する。熱伝導部７ｔは、第２基部７ａから第２熱交換部７ｂへ熱を伝導する部分である。熱伝導部７ｔは、第１主面３ｂに沿う横方向ＬＤに関して半導体モジュール３と第１基部６ａとに並べて配置されている。熱伝導部７ｔは、第２基部７ａのうち、第２熱交換部７ｂの上部に広がる部位を含んでいる。従って、熱伝導部７ｔは、第２基部７ａの受熱部から、横方向に延び出し、さらに半導体モジュール３と第１基部６ａとを迂回するように延び出して、第２熱交換部７ｂに到達する部位である。   A portion of the second base portion 7 a that is thermally coupled to the semiconductor module 3 can also be referred to as a heat receiving portion that receives heat from the semiconductor module 3. The site | part which has divided the groove part 7j among the 2nd base parts 7a has provided the heat receiving part. A heat radiating portion is provided adjacent to the heat receiving portion. Therefore, the heat receiving portion and the heat radiating portion are arranged side by side with respect to the lateral direction LD along the first main surface 3b. The heat radiating part has a second heat exchange part 7b and a heat conducting part 7t. The heat conducting portion 7t is a portion that conducts heat from the second base portion 7a to the second heat exchanging portion 7b. The heat conducting portion 7t is arranged side by side on the semiconductor module 3 and the first base portion 6a with respect to the lateral direction LD along the first main surface 3b. The heat conducting portion 7t includes a portion of the second base portion 7a that extends over the second heat exchanging portion 7b. Accordingly, the heat conducting portion 7t extends laterally from the heat receiving portion of the second base portion 7a, and further extends so as to bypass the semiconductor module 3 and the first base portion 6a, and reaches the second heat exchange portion 7b. It is a part to do.

半導体装置としてのインバータ装置２は、複数の第１ヒートシンク６１、６２、６３によって複数の第１熱交換部６ｂ（６１、６２、６３）を備えているといえる。また、半導体装置としてのインバータ装置２は、フィン群としての複数の第２熱交換部７ｂ（７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉ）を備えているといえる。これら複数の第１熱交換部６ｂ（６１、６２、６３）と複数の第２熱交換部７ｂ（７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉ）とは、第１主面３ｂに沿う横方向ＬＤに関して交互に配置されている。複数の放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅの数よりもひとつ多い複数の第２熱交換部７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉが設けられる。従って、複数の第２熱交換部７ｆ、７ｇが、ひとつの第１ヒートシンク６１の第１熱交換部６ｂの両側に配置される。ここで、両側とは、第１主面３ｂに沿う横方向ＬＤにおける位置を指している。同様に、第１ヒートシンク６２の両側に複数の第２熱交換部７ｇ、７ｈが配置される。同様に、第１ヒートシンク６３の両側に複数の第２熱交換部７ｈ、７ｉが配置される。従って、２つ第２熱交換部７ｂが、ひとつの放熱セクションを構成する第１熱交換部６ｂの両側に配置される。これにより、第２主面３ｃからの放熱が促進される。   It can be said that the inverter device 2 as a semiconductor device includes a plurality of first heat exchange parts 6b (61, 62, 63) by a plurality of first heat sinks 61, 62, 63. Further, it can be said that the inverter device 2 as a semiconductor device includes a plurality of second heat exchange portions 7b (7f, 7g, 7h, 7i) as a fin group. The plurality of first heat exchange units 6b (61, 62, 63) and the plurality of second heat exchange units 7b (7f, 7g, 7h, 7i) are alternately arranged in the lateral direction LD along the first main surface 3b. Has been placed. A plurality of second heat exchange portions 7f, 7g, 7h, 7i, which is one more than the number of the plurality of heat radiation sections 2c, 2d, 2e, are provided. Accordingly, the plurality of second heat exchange units 7 f and 7 g are disposed on both sides of the first heat exchange unit 6 b of one first heat sink 61. Here, both sides refer to positions in the lateral direction LD along the first main surface 3b. Similarly, a plurality of second heat exchange units 7g and 7h are disposed on both sides of the first heat sink 62. Similarly, a plurality of second heat exchange units 7h and 7i are disposed on both sides of the first heat sink 63. Accordingly, the two second heat exchanging parts 7b are arranged on both sides of the first heat exchanging part 6b constituting one heat radiating section. Thereby, the heat dissipation from the 2nd main surface 3c is accelerated | stimulated.

回路部２ａと複数の半導体モジュール３との間に第２ヒートシンク７が配置されている。積層方向ＳＤに関して、回路部２ａと複数の半導体モジュール３との間には、第２基部７ａが配置されている。第２基部７ａと回路基板４３とは平行に配置されている。これにより、第２ヒートシンク７は、電磁シールド部材として機能する。第２ヒートシンク７は、インバータ装置２の接地電位に接続することができる。これに代えて、第２ヒートシンク７は、容量性素子を介してインバータ装置２の接地電位に接続することができる。   A second heat sink 7 is disposed between the circuit unit 2 a and the plurality of semiconductor modules 3. With respect to the stacking direction SD, the second base portion 7a is disposed between the circuit portion 2a and the plurality of semiconductor modules 3. The second base 7a and the circuit board 43 are arranged in parallel. Thereby, the 2nd heat sink 7 functions as an electromagnetic shielding member. The second heat sink 7 can be connected to the ground potential of the inverter device 2. Instead, the second heat sink 7 can be connected to the ground potential of the inverter device 2 via a capacitive element.

第２基部７ａは、半導体モジュール３と回路部２ａとを電気的に接続するための接続部材を配置するための複数の接続通路を区画している。接続通路は、コンデンサユニット４４と半導体モジュール３との間の電気的接続を提供するための電力用の接続部材を配置するための電力通路７ｃを含む。電力用の接続部材は、半導体モジュール３によって制御される電流を流すための部材である。電力用の接続部材は、後述するバスバー４６、４４ｃ、４４ｄおよび接続ネジである。この実施形態では、複数の半導体モジュール３１、３２の電力端子３１ｅ、３１ｆ、３２ｅ、３２ｆがひとつの電力通路７ｃに配置されている。従って、ひとつの電力通路７ｃには、複数の半導体モジュール３１、３２のための電力用の接続部材が配置されている。接続通路は、回路基板４３と半導体モジュール３との間の電気的接続を提供するための制御信号用の接続部材を配置するための制御信号用の通路７ｄ、７ｅを含む。制御信号接続部材は、半導体モジュール３を制御するための信号を伝達するための部材である。制御信号接続部材は、制御信号端子３ｄである。電力通路７ｃと制御信号通路７ｄ、７ｅとは互いに離れて独立して区画されている。   The second base portion 7a defines a plurality of connection passages for disposing connection members for electrically connecting the semiconductor module 3 and the circuit portion 2a. The connection path includes a power path 7 c for arranging a power connection member for providing an electrical connection between the capacitor unit 44 and the semiconductor module 3. The connecting member for electric power is a member for allowing a current controlled by the semiconductor module 3 to flow. The connecting members for electric power are bus bars 46, 44c, 44d and connecting screws described later. In this embodiment, the power terminals 31e, 31f, 32e, and 32f of the plurality of semiconductor modules 31 and 32 are arranged in one power path 7c. Accordingly, power connection members for the plurality of semiconductor modules 31 and 32 are arranged in one power path 7c. The connection passage includes control signal passages 7d and 7e for disposing a control signal connection member for providing an electrical connection between the circuit board 43 and the semiconductor module 3. The control signal connection member is a member for transmitting a signal for controlling the semiconductor module 3. The control signal connection member is a control signal terminal 3d. The power passage 7c and the control signal passages 7d and 7e are separated from each other and independently.

これらの接続通路は、第２基部７ａを貫通して形成された複数の開口部７ｃ、７ｄ、７ｅによって提供されている。開口部７ｃ、７ｄ、７ｅの大きさは、積層方向に沿って接続部材を操作し、積層方向に沿って接続部材を配置するために必要な大きさに限られている。これにより、熱伝導に必要な断面積と、電磁シールドに必要な面積とが、第２基部７ａに与えられる。第１開口部７ｃは、ひとつの放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅに属する複数の半導体モジュール３１、３２の電力端子３１ｅ、３１ｆ、３２ｅ、３２ｆを積層方向ＳＤに関して露出させるための大きさを持ち、そのように配置されている。第２開口部７ｄ、７ｅは、制御信号端子３１ｄ、３２ｄを積層方向ＳＤに沿って配置するための大きさをもち、そのように配置されている。この実施形態では、第２基部７ａには、３つの第１開口部７ｃと、６つの第２開口部７ｄ、７ｅとが形成されている。   These connection passages are provided by a plurality of openings 7c, 7d, and 7e formed through the second base portion 7a. The size of the openings 7c, 7d, and 7e is limited to a size necessary for operating the connecting member along the stacking direction and arranging the connecting member along the stacking direction. Thereby, the cross-sectional area required for heat conduction and the area required for the electromagnetic shield are given to the second base portion 7a. The first opening 7c has a size for exposing the power terminals 31e, 31f, 32e, 32f of the plurality of semiconductor modules 31, 32 belonging to one heat dissipation section 2c, 2d, 2e with respect to the stacking direction SD, Are arranged as follows. The second openings 7d and 7e have a size for arranging the control signal terminals 31d and 32d along the stacking direction SD, and are arranged as such. In this embodiment, the first base 7a is formed with three first openings 7c and six second openings 7d and 7e.

第１熱交換部６ｂと第２熱交換部７ｂとは、複数の半導体モジュール３の第１主面３ｂの側に並べて配置されている。言い換えると、第１熱交換部６ｂと第２熱交換部７ｂとは、複数の半導体モジュール３の片側にだけ配置されている。回路部２ａは、複数の半導体モジュール３の第２主面３ｃの側にだけ配置されている。   The first heat exchange unit 6 b and the second heat exchange unit 7 b are arranged side by side on the first main surface 3 b side of the plurality of semiconductor modules 3. In other words, the first heat exchange unit 6b and the second heat exchange unit 7b are disposed only on one side of the plurality of semiconductor modules 3. The circuit unit 2 a is disposed only on the second main surface 3 c side of the plurality of semiconductor modules 3.

第１ヒートシンク６と第２ヒートシンク７とは、締結部材によって積層方向ＳＤに沿って締め付けられる。これにより、半導体モジュール３の両面に、第１ヒートシンク６および第２ヒートシンク７が密着し、それらの間に熱的な結合が提供される。締結部材は、第１ヒートシンク６と第２ヒートシンク７とを弾性的に締め付ける弾性締結部材を含んでいる。締結部材は、弾性締結部材とばね９と、第１基部６ａの端面に設けられた係合凹部６ｃと、第２基部７ａの端面に設けられた係合凹部７ｋとを備える。ばね９は、ブラケット型の板ばねである。ばね９は、クリップとも呼ぶことができる。締結部材は、第１ヒートシンク６の両端に設けられている。   The first heat sink 6 and the second heat sink 7 are fastened along the stacking direction SD by a fastening member. Thereby, the 1st heat sink 6 and the 2nd heat sink 7 contact | adhere to both surfaces of the semiconductor module 3, and thermal coupling is provided between them. The fastening member includes an elastic fastening member that elastically fastens the first heat sink 6 and the second heat sink 7. The fastening member includes an elastic fastening member, a spring 9, an engagement recess 6c provided on the end surface of the first base 6a, and an engagement recess 7k provided on the end surface of the second base 7a. The spring 9 is a bracket-type leaf spring. The spring 9 can also be called a clip. Fastening members are provided at both ends of the first heat sink 6.

図５は、半導体モジュール３を保持するための保持部材の上面を示す斜視図である。図６は、保持部材の下面を示す斜視図である。図７は、第１ヒートシンク６を示す斜視図である。   FIG. 5 is a perspective view showing an upper surface of a holding member for holding the semiconductor module 3. FIG. 6 is a perspective view showing the lower surface of the holding member. FIG. 7 is a perspective view showing the first heat sink 6.

第１ヒートシンク６と第２ヒートシンク７との間には、半導体モジュール３を保持するための保持部材としてのホルダ８が配置されている。ホルダ８は、樹脂材料によって板状に形成されている。ホルダ８は、板状の本体８ａを有する。本体８ａは、半導体モジュール３を受容れる開口部８ｂを囲み、区画する保持部８ｃを有している。保持部８ｃは、半導体モジュール３のパッケージ部３ａを囲む枠型である。保持部８ｃは、パッケージ部３ａの外周の側面に接触して、半導体モジュール３を、第１および第２ヒートシンク６、７に対して、所定の位置に保持する。   A holder 8 as a holding member for holding the semiconductor module 3 is disposed between the first heat sink 6 and the second heat sink 7. The holder 8 is formed in a plate shape from a resin material. The holder 8 has a plate-shaped main body 8a. The main body 8 a has a holding portion 8 c that surrounds and partitions the opening 8 b that can receive the semiconductor module 3. The holding portion 8 c is a frame shape that surrounds the package portion 3 a of the semiconductor module 3. The holding portion 8 c contacts the outer peripheral side surface of the package portion 3 a and holds the semiconductor module 3 at a predetermined position with respect to the first and second heat sinks 6 and 7.

ホルダ８の積層方向ＳＤの厚さＴＨ８は、半導体モジュール３と第１および第２ヒートシンク６、７との接触を妨げないように設定されている。ホルダ８の厚さＴＨ８は、半導体モジュール３の積層方向の厚さＴＨ３と同じか、厚さＴＨ３よりもわずかに薄く設定することができる。さらに、ホルダ８の厚さＴＨ８は、半導体モジュール３を囲み、半導体モジュール３を水などの異物から保護するように設定されている。ホルダ８の厚さＴＨ８は、複数の端子３ｄ、３ｅ、３ｆを保護するように設定することが望ましい。例えば、ホルダ８の積層方向ＳＤの厚さＴＨ８は、ホルダ８の両面が第１および第２ヒートシンク６、７に密着するか、またはほんのわずかな隙間を介して対向するように設定することが望ましい。また、ホルダ８の厚さＴＨ８は、ホルダ８の厚さ方向の変形を考慮して設定してもよい。半導体モジュール３の厚さＴＨ３には、半導体モジュール３の両面に配置された絶縁板を含むことができる。   The thickness TH8 of the holder 8 in the stacking direction SD is set so as not to prevent the contact between the semiconductor module 3 and the first and second heat sinks 6 and 7. The thickness TH8 of the holder 8 can be set to be the same as the thickness TH3 in the stacking direction of the semiconductor modules 3 or slightly smaller than the thickness TH3. Further, the thickness TH8 of the holder 8 is set so as to surround the semiconductor module 3 and protect the semiconductor module 3 from foreign matters such as water. It is desirable that the thickness TH8 of the holder 8 is set so as to protect the plurality of terminals 3d, 3e, and 3f. For example, the thickness TH8 of the holder 8 in the stacking direction SD is desirably set so that both surfaces of the holder 8 are in close contact with the first and second heat sinks 6 and 7 or face each other with a slight gap. . Further, the thickness TH8 of the holder 8 may be set in consideration of deformation of the holder 8 in the thickness direction. The thickness TH3 of the semiconductor module 3 can include insulating plates disposed on both sides of the semiconductor module 3.

ホルダ８は、半導体モジュール３の端子３ｅ、３ｆへの電気的接続を提供するための接続部８ｄを備える。接続部８ｄは、端子台である。接続部８ｄは、接続ネジを受容れる雌ネジを備えている。接続部８ｄは、開口部７ｃに位置するように設けられている。   The holder 8 includes a connection portion 8d for providing an electrical connection to the terminals 3e and 3f of the semiconductor module 3. The connection part 8d is a terminal block. The connection portion 8d includes a female screw that can receive a connection screw. The connecting portion 8d is provided so as to be positioned in the opening 7c.

ホルダ８は、複数の半導体モジュール３１、３２のための複数の開口部８１ｂ、８２ｂを区画する複数の保持部８１ｃ、８２ｃを備える。さらに、ホルダ８は、複数の半導体モジュール３１、３２のための複数の接続部８１ｄ、８２ｄを備えている。保持部８１ｃによって区画された開口部８１ｂには半導体モジュール３１が保持される。保持部８２ｃによって区画された開口部８２ｂには半導体モジュール３２が保持される。接続部８１ｄには、半導体モジュール３１の電力端子３１ｅ、３１ｆが固定される。接続部８２ｄには、半導体モジュール３２の電力端子３２ｅ、３２ｆが固定される。   The holder 8 includes a plurality of holding portions 81 c and 82 c that define a plurality of openings 81 b and 82 b for the plurality of semiconductor modules 31 and 32. Furthermore, the holder 8 includes a plurality of connection portions 81 d and 82 d for the plurality of semiconductor modules 31 and 32. The semiconductor module 31 is held in the opening 81b partitioned by the holding portion 81c. The semiconductor module 32 is held in the opening 82b partitioned by the holding portion 82c. The power terminals 31e and 31f of the semiconductor module 31 are fixed to the connection part 81d. The power terminals 32e and 32f of the semiconductor module 32 are fixed to the connection part 82d.

ホルダ８は、第１ヒートシンク６および第２ヒートシンク７の一方に位置決めされた状態で第１ヒートシンク６と第２ヒートシンク７との間に配置されている。位置決めのために、第１ヒートシンク６および第２ヒートシンク７の一方と、ホルダ８とには、互いに嵌め合うことによりホルダ８を位置決めする嵌合部８ｅ、８ｆ、６ｄ、６ｅが設けられている。この実施形態では、ホルダ８は、第１ヒートシンク６の上の所定の位置に位置決めされている。ホルダ８は、嵌合部としての突部８ｅ、８ｆを、第１ヒートシンク６に面する面に備える。第１ヒートシンク６は、嵌合部としての凹部６ｄ、６ｅを第１基部６ａに備える。この構成によると、接続ネジを締め付ける作業工程において、半導体モジュール３の位置が正規の位置からずれることが抑制される。   The holder 8 is disposed between the first heat sink 6 and the second heat sink 7 while being positioned on one of the first heat sink 6 and the second heat sink 7. For positioning, one of the first heat sink 6 and the second heat sink 7 and the holder 8 are provided with fitting portions 8e, 8f, 6d, and 6e for positioning the holder 8 by fitting each other. In this embodiment, the holder 8 is positioned at a predetermined position on the first heat sink 6. The holder 8 includes protrusions 8 e and 8 f as fitting portions on a surface facing the first heat sink 6. The 1st heat sink 6 equips the 1st base part 6a with crevices 6d and 6e as a fitting part. According to this configuration, it is possible to suppress the position of the semiconductor module 3 from deviating from the normal position in the work process of tightening the connection screw.

図８は、回路部の内部を示す平面図である。この図は、隔壁４２ｂの平面図を示す。積層方向ＳＤに沿って見た場合、第２基部７ａに形成された開口部７ｃ、７ｄ、７ｅと、隔壁４２ｂに形成された開口部４２ｃ、４２ｄ、４２ｅは、ほぼ重複するように形成されている。開口部７ｃは、開口部４２ｃとほぼ重複している。開口部７ｄは、開口部４２ｄとほぼ重複している。また、開口部７ｄは、開口部４２ｄとほぼ重複している。開口部４２ｃには、電力端子３ｅ、３ｆが配置されている。この実施形態では、ひとつの開口部４２ｃには、２つの半導体モジュール３１、３２の電力端子３１ｅ、３１ｆ、３２ｅ、３２ｆが配置されている。開口部４２ｄには、制御信号端子３１ｄが配置されている。開口部４２ｅには、制御信号端子３２ｄが配置されている。制御信号端子３１ｄ、３２ｄは、開口部７ｄ、７ｅ、および開口部４２ｄ、４２ｅ内に、第２基部７ａと隔壁４２ｂとの両方を貫通するように配置されている。よって、これら制御信号端子３１ｄ、３２ｄは、制御信号接続部材を提供している。   FIG. 8 is a plan view showing the inside of the circuit unit. This figure shows a plan view of the partition wall 42b. When viewed along the stacking direction SD, the openings 7c, 7d, 7e formed in the second base portion 7a and the openings 42c, 42d, 42e formed in the partition wall 42b are formed so as to substantially overlap. Yes. The opening 7c substantially overlaps with the opening 42c. The opening 7d substantially overlaps with the opening 42d. The opening 7d substantially overlaps with the opening 42d. Power terminals 3e and 3f are arranged in the opening 42c. In this embodiment, the power terminals 31e, 31f, 32e, 32f of the two semiconductor modules 31, 32 are arranged in one opening 42c. A control signal terminal 31d is disposed in the opening 42d. A control signal terminal 32d is disposed in the opening 42e. The control signal terminals 31d and 32d are disposed in the openings 7d and 7e and the openings 42d and 42e so as to penetrate both the second base 7a and the partition wall 42b. Therefore, these control signal terminals 31d and 32d provide a control signal connection member.

ケース４は、回路部２ａと電力部２ｂとの間の電気的な接続を提供するための接続部材を備えている。接続部材は、第２ケース４２内に埋設された複数の接続部材を含む。第２ケース４２内には、電力用の接続部材４６と、制御信号用の接続部材４７とが埋設されている。これら接続部材４６、４７は、バスバーとも呼ばれる。接続部材４６、４７は、それぞれの放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅに設けられている。よって、第２ケース４２内には、３組の接続部材４６、４７が配置されている。さらに、第２ケース４２には、バッテリ１３からの直流電力を入力するための接続部材４８、４９が埋設されている。   The case 4 includes a connection member for providing an electrical connection between the circuit unit 2a and the power unit 2b. The connection member includes a plurality of connection members embedded in the second case 42. A power connection member 46 and a control signal connection member 47 are embedded in the second case 42. These connecting members 46 and 47 are also called bus bars. The connection members 46 and 47 are provided in the respective heat radiation sections 2c, 2d, and 2e. Therefore, three sets of connection members 46 and 47 are arranged in the second case 42. Furthermore, connection members 48 and 49 for inputting DC power from the battery 13 are embedded in the second case 42.

接続部材４６は、ケース４の外部に露出して配置された第１端子４６ａと、開口部４２ｃ内に露出して配置された第２端子４６ｂとを備えている。第１端子４６ａは、負荷としての電動機１１に給電するための端子である。第２端子４６ｂは、半導体モジュール３と接続するための端子である。第２端子４６ｂは、２つの半導体モジュール３１、３２のための端子である。２つの半導体モジュール３１、３２は、接続部材４６によって直列に接続される。電力端子３１ｆ、３２ｅは、接続部８１ｄ、８２ｄの上に配置される。さらに、電力端子３１ｆ、３２ｅの上に、第２端子４６ｂが配置される。電力端子３１ｆ、３２ｅと第２端子４６ｂとを重ねて配置した後に、図示されるように、接続ネジが接続部８１ｄ、８２ｄにねじ込まれる。これにより、電力端子３１ｆ、３２ｅと第２端子４６ｂとが電気的に接続される。この締め付け工程において、ホルダ８は、端子台を提供しながら、半導体モジュール３の望ましくない移動を抑制する。   The connection member 46 includes a first terminal 46a disposed to be exposed to the outside of the case 4 and a second terminal 46b disposed to be exposed in the opening 42c. The first terminal 46a is a terminal for supplying power to the electric motor 11 as a load. The second terminal 46 b is a terminal for connecting to the semiconductor module 3. The second terminal 46 b is a terminal for the two semiconductor modules 31 and 32. The two semiconductor modules 31 and 32 are connected in series by a connection member 46. The power terminals 31f and 32e are disposed on the connection portions 81d and 82d. Further, the second terminal 46b is disposed on the power terminals 31f and 32e. After the power terminals 31f and 32e and the second terminal 46b are arranged so as to overlap each other, connection screws are screwed into the connection portions 81d and 82d as illustrated. Thereby, the power terminals 31f and 32e and the second terminal 46b are electrically connected. In this tightening process, the holder 8 suppresses undesirable movement of the semiconductor module 3 while providing a terminal block.

接続部材４７は、複数の接続部材の集合体である。接続部材４７は、開口部４２ｄに露出して配置された第１端子４７ａと、隔壁４２ｂの上に露出して配置された第２端子４７ｂとを備えている。第１端子４７ａは、開口部４２ｄ内に配置された制御信号端子３１ｄと電気的に接続されている。第２端子４７ｂは、開口部４２ｅ内に配置された制御信号端子３２ｄの近傍に配置されている。２つの制御信号端子３１ｄ、３２ｄは、それらの間に位置づけられた電力用の開口部４２ｃを挟んで、開口部４２ｃの両側に、互いに離れて配置されている。接続部材４７は、一方の制御信号端子３１ｄに接続されることによって、制御信号端子３１ｄの延長部を提供する。この結果、制御信号端子３１ｄ、３２ｄに接続された複数の端子が、第２ケース４２内に集中して配置される。制御信号端子３２ｄと、第２端子４７ｂとは、開口部４２ｃの横に広がる範囲に配置される。制御信号端子３２ｄと、第２端子４７ｂとは、開口部４２ｃの両側に分散して配置されることはない。より具体的には、制御信号端子３２ｄと、第２端子４７ｂとは、隔壁４２ｂの中央に並ぶ複数の開口部４２ｃの列に対して、片方に位置する範囲に配置されている。制御信号端子３２ｄと、第２端子４７ｂとは、隔壁４２ｂを貫通して積層方向に延び出している。   The connection member 47 is an aggregate of a plurality of connection members. The connecting member 47 includes a first terminal 47a disposed so as to be exposed at the opening 42d, and a second terminal 47b disposed so as to be exposed on the partition wall 42b. The first terminal 47a is electrically connected to the control signal terminal 31d disposed in the opening 42d. The second terminal 47b is disposed in the vicinity of the control signal terminal 32d disposed in the opening 42e. The two control signal terminals 31d and 32d are spaced apart from each other on both sides of the opening 42c with the power opening 42c positioned between them. The connection member 47 provides an extension of the control signal terminal 31d by being connected to one control signal terminal 31d. As a result, the plurality of terminals connected to the control signal terminals 31 d and 32 d are concentrated in the second case 42. The control signal terminal 32d and the second terminal 47b are arranged in a range that extends to the side of the opening 42c. The control signal terminal 32d and the second terminal 47b are not distributed on both sides of the opening 42c. More specifically, the control signal terminal 32d and the second terminal 47b are arranged in a range located on one side with respect to the row of the plurality of openings 42c arranged in the center of the partition wall 42b. The control signal terminal 32d and the second terminal 47b extend through the partition wall 42b in the stacking direction.

図９は、回路部の内部を示す平面図である。この図は、隔壁４２ｂ上にコンデンサユニット４４だけを搭載した状態を示す。コンデンサユニット４４は、複数の半導体モジュール３をブリッジ回路として接続するための接続部材を含んでいる。接続部材は、ブリッジ回路２１ｕ、２１ｖ、２１ｗを並列接続するための正極部材と、負極部材とを備える。コンデンサユニット４４は、開口部４２ｃ内に配置された電力端子３ｅ、３ｆと接続された端子４４ａ、４４ｂを備える。端子４４ａは、電力端子３１ｅに接続されている。端子４４ｂは、電力端子３１ｅに接続されている。電力端子３１ｅ、３２ｆは、接続部８１ｄ、８２ｄの上に配置される。さらに、電力端子３１ｅ、３２ｆの上に、端子４４ａ、４４ｂがそれぞれ配置される。電力端子３１ｅ、３２ｆと端子４４ａ、４４ｂとを重ねて配置した後に、図示されるように、接続ネジが接続部８１ｄ、８２ｄにねじ込まれる。これにより、電力端子３１ｅ、３２ｆと端子４４ａ、４４ｂとが電気的に接続される。この締め付け工程において、ホルダ８は、端子台を提供しながら、半導体モジュール３の望ましくない移動を抑制する。端子４４ａ、４４ｂは、それぞれの放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅに設けられている。この結果、ブリッジ回路２１ｕ、２１ｖ、２１ｗが並列接続される。   FIG. 9 is a plan view showing the inside of the circuit unit. This figure shows a state in which only the capacitor unit 44 is mounted on the partition wall 42b. The capacitor unit 44 includes a connection member for connecting the plurality of semiconductor modules 3 as a bridge circuit. The connecting member includes a positive electrode member for connecting the bridge circuits 21u, 21v, and 21w in parallel, and a negative electrode member. The capacitor unit 44 includes terminals 44a and 44b connected to the power terminals 3e and 3f disposed in the opening 42c. The terminal 44a is connected to the power terminal 31e. The terminal 44b is connected to the power terminal 31e. The power terminals 31e and 32f are disposed on the connection portions 81d and 82d. Further, terminals 44a and 44b are arranged on the power terminals 31e and 32f, respectively. After the power terminals 31e and 32f and the terminals 44a and 44b are arranged so as to overlap with each other, connection screws are screwed into the connection portions 81d and 82d as illustrated. Thereby, the power terminals 31e and 32f and the terminals 44a and 44b are electrically connected. In this tightening process, the holder 8 suppresses undesirable movement of the semiconductor module 3 while providing a terminal block. The terminals 44a and 44b are provided in the respective heat radiation sections 2c, 2d, and 2e. As a result, the bridge circuits 21u, 21v, and 21w are connected in parallel.

図１０は、回路部の内部を示す平面図である。この図は、隔壁４２ｂ上に回路基板４３も搭載した状態を示す。回路基板４３は、半導体モジュール３のパッケージ部３ａから見て、第２基部７ａによって覆い隠されるような大きさ及び形状をもつように形成されている。言い換えると、回路基板４３は、半導体モジュール３のパッケージ部３ａから見て、第２基部７ａの背後にだけ配置されている。回路基板４３は、プリント配線基板である本体４３ａと、本体４３ａ上に実装された回路部品４３ｂとを備える。本体４３ａには、制御信号端子３２ｄと、第２端子４７ｂと配置される接続部が形成されている。この接続部において、本体４３ａ上の回路が、制御信号端子３２ｄ、および第２端子４７ｂに電気的に接続される。例えば、はんだ付けが用いられる。図示されるように、回路基板４３は、制御信号通路７ｄ、７ｅの上に位置して、これら制御信号通路７ｄ、７ｅを覆うように配置されている。しかも、回路基板４３は、電力通路７ｃから離れるように配置されている。言い換えると、回路基板４３は、制御信号通路７ｄ、７ｅ上に覆い被さることはあるが、電力通路７ｃ上に覆い被さることはないように配置されている。   FIG. 10 is a plan view showing the inside of the circuit unit. This figure shows a state in which the circuit board 43 is also mounted on the partition wall 42b. The circuit board 43 is formed to have a size and a shape so as to be covered by the second base portion 7a when viewed from the package portion 3a of the semiconductor module 3. In other words, the circuit board 43 is disposed only behind the second base portion 7 a when viewed from the package portion 3 a of the semiconductor module 3. The circuit board 43 includes a main body 43a, which is a printed wiring board, and a circuit component 43b mounted on the main body 43a. The main body 43a is formed with a connection portion arranged with the control signal terminal 32d and the second terminal 47b. In this connection portion, the circuit on the main body 43a is electrically connected to the control signal terminal 32d and the second terminal 47b. For example, soldering is used. As shown in the drawing, the circuit board 43 is located on the control signal paths 7d and 7e and is disposed so as to cover the control signal paths 7d and 7e. Moreover, the circuit board 43 is arranged so as to be separated from the power passage 7c. In other words, the circuit board 43 is arranged so as to cover the control signal paths 7d and 7e but not to cover the power path 7c.

この実施形態によると、インバータ装置２に収容された複数の半導体モジュール３の片側だけに、半導体モジュール３の両面からの放熱を可能とする熱交換部を並べて配置することができる。しかも、２つのヒートシンクを弾性的に締め付けることができる。また、半導体モジュール３の正規の位置からの移動を抑制することができる。また、第２ヒートシンク７を電磁シールドとして利用することができる。また、効率的な配線構造を提供することができる。   According to this embodiment, only one side of the plurality of semiconductor modules 3 accommodated in the inverter device 2 can be arranged side by side with a heat exchanging section that enables heat radiation from both sides of the semiconductor module 3. Moreover, the two heat sinks can be elastically tightened. Moreover, the movement from the regular position of the semiconductor module 3 can be suppressed. The second heat sink 7 can be used as an electromagnetic shield. In addition, an efficient wiring structure can be provided.

（第２実施形態）
図１１は、本発明を適用した第２実施形態の半導体装置の部分断面図である。この実施形態の半導体装置は、先行する実施形態の一部を変更したものである。半導体装置は、第１実施形態と同じインバータ装置である。第１実施形態で説明された既述要素と同一または対応する新要素には、既述要素の参照符号に２００を加えた参照符号が付されている。新要素については、必要に応じて、既述要素の説明を参照することができる。 (Second Embodiment)
FIG. 11 is a partial cross-sectional view of a semiconductor device according to a second embodiment to which the present invention is applied. The semiconductor device of this embodiment is obtained by changing a part of the preceding embodiment. The semiconductor device is the same inverter device as in the first embodiment. New elements that are the same as or correspond to the elements already described in the first embodiment are given reference numerals obtained by adding 200 to the reference numerals of the elements already described. For new elements, the description of the above-described elements can be referred to as necessary.

図には、ひとつの放熱セクションの断面構造が図示されている。この放熱セクションの構造は、インバータ装置に含まれる複数の半導体モジュールのすべてに採用されている。インバータ装置は、回路部２ａと、電力部２０２ｂとを有する。電力部２０２ｂは、第１ヒートシンク２０６と、第２ヒートシンク２０７と、これらヒートシンク２０６、２０７の間に配置された半導体モジュール３とを備える。この図では、半導体モジュール３の両面に配置された絶縁板が図示されている。この実施形態では、第１ヒートシンク２０６が、複数の放熱セクションにおいて共通の部品とされている。第２ヒートシンク２０７は、少なくともひとつの半導体モジュール３と関連づけられた個別の部品である。   In the figure, the cross-sectional structure of one heat dissipating section is shown. This structure of the heat dissipating section is employed in all of the plurality of semiconductor modules included in the inverter device. The inverter device includes a circuit unit 2a and a power unit 202b. The power unit 202 b includes a first heat sink 206, a second heat sink 207, and the semiconductor module 3 disposed between the heat sinks 206 and 207. In this figure, insulating plates arranged on both surfaces of the semiconductor module 3 are shown. In this embodiment, the first heat sink 206 is a common component in the plurality of heat dissipating sections. The second heat sink 207 is an individual component associated with at least one semiconductor module 3.

第１ヒートシンク２０６は、第１基部２０６ａと、第１熱交換部２０６ｂとを有する。第１基部２０６ａは、第２ヒートシンク２０７を貫通させて配置するための開口部２０６ｄを区画している。   The first heat sink 206 includes a first base portion 206a and a first heat exchange portion 206b. The first base portion 206a defines an opening portion 206d for placing the second heat sink 207 therethrough.

第２ヒートシンク２０７は、半導体モジュール３から熱を受ける受熱部としての第２基部２０７ａと、第２基部２０７ａの両端から延び出す２つの放熱部とを備える。放熱部は、熱伝導部２０７ｔと、第２熱交換部２０７ｂとを有している。第２基部２０７ａと、熱伝導部２０７ｔとは、ネジ２０７ｖによって機械的かつ熱的に結合されている。熱伝導部２０７ｔは、開口部２０６ｄを貫通して配置されている。第２ヒートシンク２０７は、ブラケット型の部材と呼ぶことができる。   The second heat sink 207 includes a second base portion 207a serving as a heat receiving portion that receives heat from the semiconductor module 3, and two heat radiating portions extending from both ends of the second base portion 207a. The heat dissipating part has a heat conducting part 207t and a second heat exchanging part 207b. The second base portion 207a and the heat conducting portion 207t are mechanically and thermally coupled by a screw 207v. The heat conducting portion 207t is disposed through the opening 206d. The second heat sink 207 can be referred to as a bracket-type member.

電力部２０２ｂは、第１ヒートシンク２０６と第２ヒートシンク２０７とが互いに接近するように、第１ヒートシンク２０６と第２ヒートシンク２０７とを弾性的に締め付ける締結部材２０９を備える。締結部材２０９は、弾性部材としての板状のばね２０９ａと、第２ヒートシンク２０７に被さるように配置された門型の支持部材２０９ｂとを備える。ばね２０９ｃは、支持部材２０９ｂと第２ヒートシンク２０７との間に配置されている。支持部材２０９ｂは、第１ヒートシンク２０６にネジ２０９ｂによって固定されている。ばね２０９ａは、第２基部２０７ａを半導体モジュール３に向けて押し付ける。この結果、半導体モジュール３の両面に、第１基部２０６ａと第２基部２０７ａとが熱的に結合される。   The power unit 202b includes a fastening member 209 that elastically tightens the first heat sink 206 and the second heat sink 207 so that the first heat sink 206 and the second heat sink 207 approach each other. The fastening member 209 includes a plate-like spring 209a as an elastic member, and a portal-type support member 209b disposed so as to cover the second heat sink 207. The spring 209 c is disposed between the support member 209 b and the second heat sink 207. The support member 209b is fixed to the first heat sink 206 with screws 209b. The spring 209 a presses the second base portion 207 a toward the semiconductor module 3. As a result, the first base portion 206a and the second base portion 207a are thermally coupled to both surfaces of the semiconductor module 3.

この実施形態では、第１基部２０６ａは、複数の半導体モジュールのすべての第２主面３ｃと熱的に結合されており、第２基部２０７ａは、複数の島部分２０７ａによって提供されており、それぞれの島部分が複数の半導体モジュール３のうちの一部の第１主面３ｂと熱的に結合されている。この実施形態によると、半導体モジュール３の第１主面３ｂ側に、複数の半導体モジュールのすべてに共通のヒートシンクを配置することができる。   In this embodiment, the first base portion 206a is thermally coupled to all the second main surfaces 3c of the plurality of semiconductor modules, and the second base portion 207a is provided by the plurality of island portions 207a, respectively. Of the plurality of semiconductor modules 3 are thermally coupled to a part of the first main surface 3b. According to this embodiment, a heat sink common to all of the plurality of semiconductor modules can be disposed on the first main surface 3 b side of the semiconductor module 3.

（第３実施形態）
図１２は、本発明を適用した第３実施形態の半導体装置の部分断面図である。この実施形態の半導体装置は、先行する実施形態の一部を変更したものである。半導体装置は、第１実施形態と同じインバータ装置である。第１実施形態で説明された既述要素と同一または対応する新要素には、既述要素の参照符号に３００を加えた参照符号が付されている。新要素については、必要に応じて、既述要素の説明を参照することができる。 (Third embodiment)
FIG. 12 is a partial cross-sectional view of a semiconductor device according to a third embodiment to which the present invention is applied. The semiconductor device of this embodiment is obtained by changing a part of the preceding embodiment. The semiconductor device is the same inverter device as in the first embodiment. New elements that are the same as or correspond to the elements already described in the first embodiment are given reference numerals obtained by adding 300 to the reference numerals of the elements already described. For new elements, the description of the above-described elements can be referred to as necessary.

この実施形態では、第１実施形態のばね９に代えて、ばね３０９ａと支持部材３０９ｂとが採用されている。図示された放熱セクションの構造は、インバータ装置に含まれる複数の半導体モジュールのすべてに採用されている。   In this embodiment, it replaces with the spring 9 of 1st Embodiment, and the spring 309a and the supporting member 309b are employ | adopted. The structure of the illustrated heat radiating section is employed in all of the plurality of semiconductor modules included in the inverter device.

インバータ装置は、回路部２ａと、電力部３０２ｂとを有する。電力部３０２ｂは、第１ヒートシンク３０６と、第２ヒートシンク３０７と、これらヒートシンク３０６、３０７の間に配置された半導体モジュール３とを備える。   The inverter device includes a circuit unit 2a and a power unit 302b. The power unit 302 b includes a first heat sink 306, a second heat sink 307, and the semiconductor module 3 disposed between the heat sinks 306 and 307.

第１ヒートシンク３０６は、第１基部３０６ａと、第１熱交換部３０６ｂとを有する。第２ヒートシンク３０７は、第２基部３０７ａと、２つの第２熱交換部３０７ｂとを有している。第２基部３０７ａと、第２熱交換部３０７ｂとは、熱伝導部２０７ｔによって連続的に結合されている。   The first heat sink 306 includes a first base 306a and a first heat exchange unit 306b. The second heat sink 307 includes a second base portion 307a and two second heat exchange portions 307b. The second base 307a and the second heat exchange unit 307b are continuously coupled by the heat conducting unit 207t.

電力部３０２ｂは、第１ヒートシンク３０６と第２ヒートシンク３０７とが互いに接近するように、第１ヒートシンク３０６と第２ヒートシンク３０７とを弾性的に締め付ける締結部材３０９を備える。締結部材３０９は、第１ヒートシンク３０７の下側に配置された弾性部材としての板状のばね３０９ａを備える。ばね３０９ａは、支持部材３０９ｂと第１ヒートシンク３０６との間に配置されている。支持部材３０９ｂは、第２ヒートシンク３０７に固定されている。ばね３０９ａは、第１基部３０６ａを半導体モジュール３に向けて押し付ける。この結果、半導体モジュール３の両面に、第１基部３０６ａと第２基部３０７ａとが熱的に結合される。   The power unit 302b includes a fastening member 309 that elastically tightens the first heat sink 306 and the second heat sink 307 so that the first heat sink 306 and the second heat sink 307 approach each other. The fastening member 309 includes a plate-like spring 309a as an elastic member disposed below the first heat sink 307. The spring 309a is disposed between the support member 309b and the first heat sink 306. The support member 309b is fixed to the second heat sink 307. The spring 309 a presses the first base portion 306 a toward the semiconductor module 3. As a result, the first base portion 306a and the second base portion 307a are thermally coupled to both surfaces of the semiconductor module 3.

（第４実施形態）
図１３は、本発明を適用した第４実施形態の半導体装置としてのインバータ装置の分解斜視図である。この実施形態の半導体装置は、先行する実施形態の一部を変更したものである。第１実施形態で説明された既述要素と同一または対応する新要素には、既述要素の参照符号に４００を加えた参照符号が付されている。新要素については、必要に応じて、既述要素の説明を参照することができる。 (Fourth embodiment)
FIG. 13 is an exploded perspective view of an inverter device as a semiconductor device according to the fourth embodiment to which the present invention is applied. The semiconductor device of this embodiment is obtained by changing a part of the preceding embodiment. New elements that are the same as or correspond to the elements already described in the first embodiment are given reference numerals obtained by adding 400 to the reference numerals of the elements already described. For new elements, the description of the above-described elements can be referred to as necessary.

インバータ装置４０２は、回路部４０２ａと、電力部４０２ｂとを有する。回路部４０２ａは、ケース４０４を備える。ケース４０４は、第１ケース４４１と、第２ケース４４２とを備える。ケース４０４内には、回路基板４４３と、コンデンサユニット４４４とが収容されている。電力部４０２ｂは、複数の第１ヒートシンク４０６と、第２ヒートシンク４０７とを備える。電力部４０２ｂは、第１ヒートシンク４０６と第２ヒートシンク４０７との間に配置された半導体モジュール４０３と、保持部材４０８とを備える。さらに、電力部４０２ｂは、締結部材を備える。締結部材は、ボルト４０９ａと、弾性部材としての板状のばね４０９ｂとを備える。   The inverter device 402 includes a circuit unit 402a and a power unit 402b. The circuit unit 402 a includes a case 404. The case 404 includes a first case 441 and a second case 442. In the case 404, a circuit board 443 and a capacitor unit 444 are accommodated. The power unit 402 b includes a plurality of first heat sinks 406 and a second heat sink 407. The power unit 402 b includes a semiconductor module 403 disposed between the first heat sink 406 and the second heat sink 407 and a holding member 408. Further, the power unit 402b includes a fastening member. The fastening member includes a bolt 409a and a plate-like spring 409b as an elastic member.

この実施形態でも、電力部４０２ｂは、３つの放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅを備えている。放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅのそれぞれは、同じ構造である。以下の説明では、放熱セクション２ｃについて説明する。   Also in this embodiment, the power unit 402b includes three heat dissipation sections 2c, 2d, and 2e. Each of the heat radiation sections 2c, 2d, and 2e has the same structure. In the following description, the heat dissipation section 2c will be described.

この実施形態では、ひとつの放熱セクションにひとつの半導体モジュール４０３が設けられている。半導体モジュール４０３は、板状のパッケージ部４０３ａを有する。パッケージ部４０３ａは、第１主面４０３ｂと、第２主面４０３ｃとに放熱面を有している。さらに、パッケージ部４０３ａには、ボルト４０９ａを貫通させて配置するための貫通孔４０３ｈが設けられている。パッケージ部４０３ａには、ひとつのブリッジ回路を構成する複数の半導体素子が収容されている。例えば、半導体モジュール４０３には、ブリッジ回路２１ｕのための２つのスイッチを構成する半導体素子が収容されている。２つのスイッチは、半導体モジュール４０３内において直列に接続されている。半導体モジュール４０３には、２群の制御信号端子４０３ｄ、４０３ｄが設けられている。さらに、半導体モジュール４０３には、３つの電力端子４０３ｅ、４０３ｆ、４０３ｇが設けられている。   In this embodiment, one semiconductor module 403 is provided in one heat dissipation section. The semiconductor module 403 has a plate-like package part 403a. The package part 403a has a heat dissipation surface on the first main surface 403b and the second main surface 403c. Further, the package portion 403a is provided with a through hole 403h for placing the bolt 409a through the package portion 403a. The package unit 403a accommodates a plurality of semiconductor elements constituting one bridge circuit. For example, the semiconductor module 403 accommodates semiconductor elements constituting two switches for the bridge circuit 21u. The two switches are connected in series within the semiconductor module 403. The semiconductor module 403 is provided with two groups of control signal terminals 403d and 403d. Furthermore, the semiconductor module 403 is provided with three power terminals 403e, 403f, and 403g.

第１ヒートシンク４０６は、第１基部４０６ａと、第１熱交換部４０６ｂとを備える。第１基部４０６ａには、ボルト４０９ａを締めこむための雌ネジ孔４０９ｃが形成されている。第１基部４０６ａには、保持部材４０８が支持されている。保持部材４０８は、半導体モジュール４０３を保持するために枠型に形成されている。保持部材４０８は、電力端子４０３ｅ、４０３ｆ、４０３ｇのための端子台としての接続部を有している。   The first heat sink 406 includes a first base 406a and a first heat exchange unit 406b. A female screw hole 409c for fastening the bolt 409a is formed in the first base portion 406a. A holding member 408 is supported on the first base portion 406a. The holding member 408 is formed in a frame shape to hold the semiconductor module 403. The holding member 408 has a connection portion as a terminal block for the power terminals 403e, 403f, and 403g.

第２ヒートシンク４０７は、３つの放熱セクション２ｃ、２ｄ、２ｅに共通の部品である。第２ヒートシンク４０７は、第２基部４０７ａと、第２熱交換部４０７ｂとを有する。第２基部４０７ａと第２熱交換部４０７ｂとは、熱伝導部４０７ｔによって連結されている。第２ヒートシンク４０７は、連続した材料によって形成された一体物である。この実施形態でも、第１熱交換部４０６ｂと第２熱交換部４０７ｂとは、複数の半導体モジュール３の第１主面４０３ｂの側に並べて配置されている。ただし、第１主面４０３ｂに沿う横方向ＬＤに関して第１熱交換部４０６ｂの片側にだけ、第２熱交換部４０７ｂが配置されている。第２ヒートシンク４０７は、Ｌ型の部材と呼ぶことができる。   The second heat sink 407 is a component common to the three heat radiating sections 2c, 2d, and 2e. The second heat sink 407 includes a second base 407a and a second heat exchange unit 407b. The 2nd base 407a and the 2nd heat exchange part 407b are connected by heat conduction part 407t. The second heat sink 407 is a single piece formed of a continuous material. Also in this embodiment, the first heat exchange part 406b and the second heat exchange part 407b are arranged side by side on the first main surface 403b side of the plurality of semiconductor modules 3. However, the second heat exchange unit 407b is disposed only on one side of the first heat exchange unit 406b with respect to the lateral direction LD along the first main surface 403b. The second heat sink 407 can be referred to as an L-shaped member.

第２基部４０７ａは、その外縁によって、電力端子４０３ｅ、４０３ｆ、４０３ｇを配置するための接続通路４０７ｃを区画している。接続通路４０７ｃは、第２ケース４４２と第２基部４０７ａとの間に区画される。接続通路４０７ｃには、コンデンサユニット４４４に設けられた接続部材４４４ａ、４４４ｂが配置される。さらに、接続通路４０７ｃには、第２ケース４４２に埋設された接続部材４４６が配置される。これら接続部材４４４ａ、４４４ｂ、４４６は、保持部材４０８上の接続部において、電力端子４０３ｅ、４０３ｆ、４０３ｇと接続される。第２基部４０７ａは、制御信号端子４０３ｄのための接続通路４０７ｄ、４０７ｅを区画している。さらに、第２基部４０７ａは、ボルト４０９ａが配置される貫通孔４０７ｋを区画している。   The second base 407a defines a connection passage 407c for arranging the power terminals 403e, 403f, and 403g by the outer edge thereof. The connection passage 407c is defined between the second case 442 and the second base 407a. Connection members 444a and 444b provided in the capacitor unit 444 are disposed in the connection passage 407c. Further, a connection member 446 embedded in the second case 442 is disposed in the connection passage 407c. These connection members 444a, 444b, and 446 are connected to power terminals 403e, 403f, and 403g at connection portions on the holding member 408. The second base 407a defines connection passages 407d and 407e for the control signal terminal 403d. Further, the second base portion 407a defines a through hole 407k in which the bolt 409a is disposed.

この実施形態によると、インバータ装置４０２に収容された複数の半導体モジュール４０３の片側だけに、半導体モジュール４０３の両面からの放熱を可能とする熱交換部を並べて配置することができる。しかも、２つのヒートシンクを弾性的に締め付けることができる。また、半導体モジュール４０３の正規の位置からの移動を抑制することができる。また、第２ヒートシンク４０７を電磁シールドとして利用することができる。また、効率的な配線構造を提供することができる。   According to this embodiment, the heat exchanging portions that allow heat radiation from both surfaces of the semiconductor module 403 can be arranged side by side only on one side of the plurality of semiconductor modules 403 accommodated in the inverter device 402. Moreover, the two heat sinks can be elastically tightened. Further, the movement of the semiconductor module 403 from the normal position can be suppressed. Further, the second heat sink 407 can be used as an electromagnetic shield. In addition, an efficient wiring structure can be provided.

（他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々変形して実施することが可能である。上記実施形態の構造は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの記載の範囲に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むものである。 (Other embodiments)
The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. The structure of the said embodiment is an illustration to the last, Comprising: The scope of the present invention is not limited to the range of these description. The scope of the present invention is indicated by the description of the scope of claims, and further includes meanings equivalent to the description of the scope of claims and all modifications within the scope.

例えば、第１実施形態では、２つの半導体モジュール３１、３２の電力端子３１ｅ、３１ｆ、３２ｅ、３２ｆをひとつの電力通路７ｃに配置した。これに代えて、ひとつの半導体モジュールの電力端子を、ひとつの電力通路に配置するように、半導体モジュール３を配置し、複数の開口部７ｃを形成してもよい。   For example, in the first embodiment, the power terminals 31e, 31f, 32e, and 32f of the two semiconductor modules 31 and 32 are arranged in one power path 7c. Instead, the plurality of openings 7c may be formed by arranging the semiconductor module 3 so that the power terminals of one semiconductor module are arranged in one power path.

以上に説明した実施形態では、熱交換部は基部に一体に形成されたフィンによって提供されている。これに代えて、基部にコルゲートフィンなどの熱交換部材を接合してもよい。また、以上に説明した実施形態では、熱交換部は、空冷型である。これに代えて、水冷型の熱交換部を設けてもよい。   In the embodiment described above, the heat exchange part is provided by fins formed integrally with the base part. Instead of this, a heat exchange member such as a corrugated fin may be joined to the base. Moreover, in embodiment described above, a heat exchange part is an air cooling type. Instead of this, a water-cooled heat exchange unit may be provided.

また、第１実施形態における複数の第１ヒートシンク６１、６２、６３は、連結部材によって連結し、ひとつのユニットとして構成されてもよい。   Further, the plurality of first heat sinks 61, 62, 63 in the first embodiment may be connected by a connecting member and configured as one unit.

また、第１実施形態では、ひとつの第１ヒートシンク６に、複数の半導体モジュール３１、３２を配置した。これに代えて、ひとつの第１ヒートシンク６に、ひとつの半導体モジュール３１または３２を配置してもよい。例えば、第１ヒートシンク６１を２つに分割することができる。   In the first embodiment, a plurality of semiconductor modules 31 and 32 are arranged on one first heat sink 6. Instead, one semiconductor module 31 or 32 may be arranged on one first heat sink 6. For example, the first heat sink 61 can be divided into two.

また、第１実施形態では、複数の開口部７ｃ、７ｄ、７ｅと、複数の開口部４２ｃ、４２ｄ、４２ｅとを互いに対応させて形成した。これに代えて、複数の開口部４２ｃ、４２ｄ、４２ｅを大きい開口部によって提供してもよい。   In the first embodiment, the plurality of openings 7c, 7d, and 7e and the plurality of openings 42c, 42d, and 42e are formed to correspond to each other. Alternatively, the plurality of openings 42c, 42d, and 42e may be provided by large openings.

１ 車両、２ インバータ装置、２ａ 回路部、２ｂ 電力部、３ 半導体モジュール、３ａ パッケージ部、３ｂ 第１主面、３ｃ 第２主面、３ｄ 制御信号端子、３ｅ 電力端子、３ｆ 電力端子、４ ケース、５ 放熱器、６ 第１ヒートシンク、６ａ 第１基部、６ｂ 第１熱交換部、７ 第２ヒートシンク、７ａ 第２基部、７ｂ 第２熱交換部、８ ホルダ、９ 締結部材。   1 vehicle, 2 inverter device, 2a circuit unit, 2b power unit, 3 semiconductor module, 3a package unit, 3b first main surface, 3c second main surface, 3d control signal terminal, 3e power terminal, 3f power terminal, 4 case DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Heat radiator, 6 1st heat sink, 6a 1st base, 6b 1st heat exchange part, 7 2nd heat sink, 7a 2nd base, 7b 2nd heat exchange part, 8 holder, 9 Fastening member.

Claims (10)

互いに反対側に面する第１主面（３ｂ、４０３ｂ）と第２主面（３ｃ、４０３ｂ）とを有する板状の半導体モジュール（３、４０３）と、
熱を媒体に放熱する第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ、４０６ｂ）を有し、前記第１主面（３ｂ、４０３ｂ）と熱的に結合された第１放熱部材（６、２０６、３０６、４０６）と、
熱を媒体に放熱する第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）を有し、前記第２主面（３ｃ、４０３ｂ）と熱的に結合された第２放熱部材（７、２０７、３０７、４０７）とを備え、
前記第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ、４０６ｂ）と、前記第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）とが、前記半導体モジュールの前記第１主面の側に並べて配置されていることを特徴とする半導体装置。 A plate-like semiconductor module (3, 403) having a first main surface (3b, 403b) and a second main surface (3c, 403b) facing each other;
The first heat radiating member (6, 206, 306, 406),
A second heat radiating member (7, 207, 307, 407),
The first heat exchange part (6b, 206b, 306b, 406b) and the second heat exchange part (7b, 207b, 307b, 407b) are arranged side by side on the first main surface side of the semiconductor module. A semiconductor device characterized by that. さらに、前記半導体モジュールの前記第２主面の側に配置された回路部（２ａ、４０２ａ）を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, further comprising a circuit portion (2 a, 402 a) arranged on the second main surface side of the semiconductor module. 前記回路部（２ａ、４０２ａ）は、
回路部品（４３、４４、４４３、４４４）と、
前記回路部品（４３、４４、４４３、４４４）を収容するとともに、前記第１放熱部材と前記第２放熱部材と間の隙間を覆うケース(４、４０４)と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。 The circuit section (2a, 402a)
Circuit components (43, 44, 443, 444);
A case (4, 404) is provided for housing the circuit component (43, 44, 443, 444) and covering a gap between the first heat radiating member and the second heat radiating member. 2. The semiconductor device according to 2. 前記第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ、４０６ｂ）は、空気と熱交換する複数のフィン（６ｍ）を備え、
前記第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）は、空気と熱交換する複数のフィン（７ｍ）を備え、
前記第１熱交換部のフィン（６ｍ）と、前記第２熱交換部のフィン（７ｍ）とは、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。 The first heat exchange unit (6b, 206b, 306b, 406b) includes a plurality of fins (6m) that exchange heat with air,
The second heat exchange part (7b, 207b, 307b, 407b) includes a plurality of fins (7m) for exchanging heat with air,
The fin (6m) of the first heat exchanging part and the fin (7m) of the second heat exchanging part are arranged in parallel to each other. Semiconductor device. 前記第１放熱部材（６、２０６、３０６、４０６）は、
前記第１主面と平行に配置され、前記第１主面と熱的に結合された板状の第１基部（６ａ、２０６ａ、３０６ａ、４０６ａ）を備え、
前記第２放熱部材（７、２０７、３０７、４０７）は、
前記第２主面と平行に配置され、前記第２主面と熱的に結合された板状の第２基部（７ａ、２０７ａ、３０７ａ、４０７ａ）と、
前記第１主面に沿う横方向に関して前記半導体モジュールと前記第１基部とに並べて配置され、前記第２基部から前記第２熱交換部へ熱を伝導する熱伝導部（７ｔ、２０７ｔ、３０７ｔ、４０７ｔ）とを有する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。 The first heat radiating member (6, 206, 306, 406)
A plate-like first base (6a, 206a, 306a, 406a) disposed in parallel with the first main surface and thermally coupled to the first main surface;
The second heat radiating member (7, 207, 307, 407)
A plate-like second base (7a, 207a, 307a, 407a) disposed in parallel with the second main surface and thermally coupled to the second main surface;
A heat conducting portion (7t, 207t, 307t, 307t, arranged in the semiconductor module and the first base with respect to the lateral direction along the first main surface and conducting heat from the second base to the second heat exchange portion. 407t). The semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein: 前記半導体装置は、
複数の前記半導体モジュール（３、４０３）を備え、
前記第１基部および前記第２基部の一方（７ａ、２０６ａ、３０７ａ、４０７ａ）は、複数の前記半導体モジュールのすべての前記第２主面と熱的に結合されており、
前記第１基部および前記第２基部の他方（６ａ、２０７ａ、３０６ａ、４０６ａ）は、複数の島部分（６ａ、２０７ａ、３０６ａ、４０６ａ）によって提供されており、
それぞれの前記島部分が複数の前記半導体モジュールのうちの一部の前記第１主面と熱的に結合されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。 The semiconductor device includes:
A plurality of the semiconductor modules (3, 403),
One of the first base and the second base (7a, 206a, 307a, 407a) is thermally coupled to all the second main surfaces of the plurality of semiconductor modules,
The other of the first base and the second base (6a, 207a, 306a, 406a) is provided by a plurality of island portions (6a, 207a, 306a, 406a),
6. The semiconductor device according to claim 5, wherein each of the island portions is thermally coupled to a part of the first main surface of the plurality of semiconductor modules. 前記半導体装置は、
複数の前記第１熱交換部（６１、６２、６３）と、
複数の前記第２熱交換部（７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉ）とを備え、
前記第１熱交換部と前記第２熱交換部とが、前記第１主面に沿う横方向に関して交互に配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。 The semiconductor device includes:
A plurality of the first heat exchange sections (61, 62, 63);
A plurality of the second heat exchange parts (7f, 7g, 7h, 7i),
The semiconductor device according to claim 1, wherein the first heat exchange unit and the second heat exchange unit are alternately arranged in a lateral direction along the first main surface. . 前記第２放熱部材（７、２０７、３０７、４０７）は、
前記半導体モジュールが配置される受熱部（７ａ、２０７ａ、３０７ａ、４０７ａ）と、
前記第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ、４０７ｂ）と前記熱伝導部（７ｔ、２０７ｔ、３０７ｔ、４０７ｔ）とが配置される放熱部とを有し、
前記第１主面に沿う横方向に関して前記受熱部と前記放熱部とが並べて配置されていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置。 The second heat radiating member (7, 207, 307, 407)
A heat receiving part (7a, 207a, 307a, 407a) in which the semiconductor module is disposed;
A heat dissipating part in which the second heat exchanging part (7b, 207b, 307b, 407b) and the heat conducting part (7t, 207t, 307t, 407t) are disposed;
The semiconductor device according to claim 5, wherein the heat receiving portion and the heat radiating portion are arranged side by side in a lateral direction along the first main surface. 前記第２熱交換部（７ｂ、２０７ｂ、３０７ｂ）は、前記第１主面に沿う横方向に関して前記第１熱交換部（６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ）の両側に配置された複数の第２熱交換部（７ｆ、７ｇ）（７ｇ、７ｈ）（７ｈ、７ｉ）（２０７ｆ、２０７ｇ）（３０７ｆ、３０７ｇ）を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。   The second heat exchange units (7b, 207b, 307b) are a plurality of second heat exchange units disposed on both sides of the first heat exchange unit (6b, 206b, 306b) in the lateral direction along the first main surface. 9. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a portion (7 f, 7 g) (7 g, 7 h) (7 h, 7 i) (207 f, 207 g) (307 f, 307 g). 前記第２熱交換部（４０７ｂ）は、前記第１主面に沿う横方向に関して前記第１熱交換部（４０６ｂ）の片側にだけ配置されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。   The said 2nd heat exchange part (407b) is arrange | positioned only in the one side of the said 1st heat exchange part (406b) regarding the horizontal direction along the said 1st main surface, Either of Claim 1 to 8 characterized by the above-mentioned. A semiconductor device according to claim 1.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014148026A1 (en) * 2013-03-21 2014-09-25 日本電気株式会社 Heat-sink structure, semiconductor device, and heat-sink mounting method
WO2016059702A1 (en) 2014-10-16 2016-04-21 新電元工業株式会社 Semiconductor module
JP2017135272A (en) * 2016-01-28 2017-08-03 新電元工業株式会社 Fixture of electronic component, and fitting method of electronic component
JP2017212286A (en) * 2016-05-24 2017-11-30 ローム株式会社 Intelligent power module, electric vehicle or hybrid car, and method of assembling intelligent power module

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0515441U (en) * 1991-04-23 1993-02-26 松下電工株式会社 Heat dissipation structure of semiconductor element
JP2000124371A (en) * 1998-10-14 2000-04-28 Nec Corp Cooling structure for electric apparatus
JP2001308237A (en) * 2000-04-19 2001-11-02 Denso Corp Both-face cooling type semiconductor card module and refrigerant indirect cooling type semiconductor device using the same
JP2001352009A (en) * 2000-06-05 2001-12-21 Nec Corp Semiconductor device and its manufacturing method
JP2003289189A (en) * 2002-03-28 2003-10-10 Toshiba Corp Electronic apparatus
JP2004040899A (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Hitachi Ltd Semiconductor module and power converter
JP2006081312A (en) * 2004-09-09 2006-03-23 Keihin Corp Power drive unit
JP2008282894A (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Cooling structure for electronic component

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0515441U (en) * 1991-04-23 1993-02-26 松下電工株式会社 Heat dissipation structure of semiconductor element
JP2000124371A (en) * 1998-10-14 2000-04-28 Nec Corp Cooling structure for electric apparatus
JP2001308237A (en) * 2000-04-19 2001-11-02 Denso Corp Both-face cooling type semiconductor card module and refrigerant indirect cooling type semiconductor device using the same
JP2001352009A (en) * 2000-06-05 2001-12-21 Nec Corp Semiconductor device and its manufacturing method
JP2003289189A (en) * 2002-03-28 2003-10-10 Toshiba Corp Electronic apparatus
JP2004040899A (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Hitachi Ltd Semiconductor module and power converter
JP2006081312A (en) * 2004-09-09 2006-03-23 Keihin Corp Power drive unit
JP2008282894A (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Cooling structure for electronic component

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014148026A1 (en) * 2013-03-21 2014-09-25 日本電気株式会社 Heat-sink structure, semiconductor device, and heat-sink mounting method
WO2016059702A1 (en) 2014-10-16 2016-04-21 新電元工業株式会社 Semiconductor module
US9704828B2 (en) 2014-10-16 2017-07-11 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor module
JP2017135272A (en) * 2016-01-28 2017-08-03 新電元工業株式会社 Fixture of electronic component, and fitting method of electronic component
JP2017212286A (en) * 2016-05-24 2017-11-30 ローム株式会社 Intelligent power module, electric vehicle or hybrid car, and method of assembling intelligent power module
JP2021176199A (en) * 2016-05-24 2021-11-04 ローム株式会社 Intelligent power module, and electric vehicle or hybrid car
US11273818B2 (en) 2016-05-24 2022-03-15 Rohm Co., Ltd. Intelligent power module, electric vehicle or hybrid vehicle, and method of assembling intelligent power module
JP2023059971A (en) * 2016-05-24 2023-04-27 ローム株式会社 Intelligent power module, and electric vehicle or hybrid car
JP7419584B2 (en) 2016-05-24 2024-01-22 ローム株式会社 Intelligent power modules and electric or hybrid cars
US11993247B2 (en) 2016-05-24 2024-05-28 Rohm Co., Ltd. Intelligent power module, electric vehicle or hybrid vehicle, and method of assembling intelligent power module

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