JP2012023667A - Solid-state image pickup device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、固体撮像装置に関する。特に、監視カメラ、医療用カメラ、車載カメラ、情報通信端末用カメラなどの固体撮像素子を用いて形成される小型の固体撮像装置に関する。 The present invention relates to a solid-state imaging device. In particular, the present invention relates to a small solid-state imaging device formed using a solid-state imaging device such as a monitoring camera, a medical camera, an in-vehicle camera, and an information communication terminal camera.
近年、携帯電話、車載部品等で小型カメラの需要が急速に進展している。この種の小型カメラには、レンズなどの光学系を介して入力される画像を固体撮像素子により電気信号として出力する固体撮像装置が使用されている。そして、この撮像装置の小型化、高性能化に伴い、カメラがより小型化し各方面での使用が増え、映像入力装置としての市場を広げている。従来の半導体撮像素子を用いた撮像装置は、レンズ、半導体撮像素子、その駆動回路および信号処理回路などを搭載したLSI等の部品を夫々筐体あるいは構造体に形成して、これらを組み合わせている。 In recent years, the demand for small cameras for mobile phones, in-vehicle components, etc. has been rapidly increasing. In this type of small camera, a solid-state imaging device that outputs an image input through an optical system such as a lens as an electrical signal by a solid-state imaging device is used. With the downsizing and higher performance of this image pickup apparatus, the camera has become smaller and the use in various fields has increased, expanding the market as a video input apparatus. Conventional imaging devices using a semiconductor imaging device are formed by combining components such as a LSI, a lens, a semiconductor imaging device, its drive circuit, a signal processing circuit, and the like in a housing or a structure, and combining them. .
このような組み合わせによる実装構造は、平板上のプリント基板上に各素子を搭載することによって形成されていた。しかし、携帯電話等のさらなる薄型化への要求から個別のデバイスに対する薄型化への要求が年々高くなってきており、その要求に答えるために、フレキシブル配線板を用いたり、透光性部材に直接ICをフリップチップ実装したりして、より薄い撮像装置とする試みが行われている。 The mounting structure by such a combination is formed by mounting each element on a printed circuit board on a flat plate. However, the demand for further thinning of individual devices has been increasing year by year due to the demand for further thinning of cellular phones and the like, and in order to respond to the demand, a flexible wiring board is used or a transparent member is directly attached. Attempts have been made to make the imaging device thinner by flip-chip mounting the IC.
従来の撮像装置としてのカメラモジュールとして、固体撮像素子を実装したガラス基板をプリント回路基板に実装し、その上にレンズユニットを直接搭載したものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 As a conventional camera module as an image pickup apparatus, there is known a camera module in which a glass substrate on which a solid-state image pickup device is mounted is mounted on a printed circuit board and a lens unit is directly mounted thereon (for example, see Patent Document 1).
特許文献1のカメラモジュールでは、半田ボールを介してガラス基板とプリント配線基板とが電気的に接続されるが、この電気的接続を行うときに、ガラス基板が破壊することがあった。
In the camera module of
ここで、材料の強度を示す1つの尺度として、弾性率がある。弾性率Eは、加えられた力(応力σ)と変形量(ひずみε)の関係を示す値であり、
E=σ/ε[Pa]・・・(式1)
で表される。ガラスの弾性率は、一般にE=50[Pa]〜90[Pa]と比較的大きく、負荷による発生応力が大きくなる。また、ガラスは脆性破壊しやすい(上記εの値が小さい)材料であるので、局所的に応力が集中しやすく、弾性限界付近で破壊してしまうことがある。
Here, there is an elastic modulus as one scale indicating the strength of the material. Elastic modulus E is a value indicating the relationship between applied force (stress σ) and deformation (strain ε),
E = σ / ε [Pa] (Formula 1)
It is represented by The elastic modulus of glass is generally relatively large, E = 50 [Pa] to 90 [Pa], and the stress generated by the load increases. Further, since glass is a material that easily breaks brittlely (the value of ε is small), stress tends to concentrate locally, and may break near the elastic limit.
特許文献1のカメラモジュールでは、半田ボールを介したプリント配線板とガラス基板との実装時には、実装部分のリフロー温度がピーク時に約250℃となる。そして、リフロー後の冷却時に両基板の収縮差により実装部分へ負荷が加わり、透光性基板が破壊することがあった。
In the camera module of
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、透光性基板がプリント配線基板へ実装されるとき又は使用されるときに、透光性基板が破壊することを防止可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is capable of preventing the translucent substrate from being destroyed when the translucent substrate is mounted on a printed wiring board or used. An object is to provide an apparatus.
本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子と、前記固体撮像素子が実装される透光性基板と、前記透光性基板が接合部材としての低融点半田を介して実装されるプリント配線基板と、を備え、前記固体撮像素子が、前記透光性基板と前記プリント配線基板との間に配置され、撮像領域が前記透光性基板に対向するように配置されている。 A solid-state imaging device of the present invention includes a solid-state imaging device, a translucent substrate on which the solid-state imaging device is mounted, a printed wiring board on which the translucent substrate is mounted via a low melting point solder as a joining member, The solid-state imaging device is arranged between the translucent board and the printed wiring board, and the imaging area is arranged to face the translucent board.
この構成により、透光性基板がプリント配線基板へ実装されるときに、透光性基板が破壊することを防止可能である。つまり、低融点半田を用いることで、実装部分のリフロー温度の上昇を抑制することができるので、リフロー後の冷却時の透光性基板とプリント配線基板との収縮差が小さくなり、実装部分への負荷が軽減されるため、透光性基板が破壊することを抑制することができる。 With this configuration, it is possible to prevent the translucent substrate from being destroyed when the translucent substrate is mounted on the printed wiring board. In other words, by using low melting point solder, it is possible to suppress an increase in the reflow temperature of the mounting part, so that the shrinkage difference between the translucent board and the printed wiring board during cooling after reflow is reduced, and the mounting part is Therefore, it is possible to suppress the breakage of the translucent substrate.
また、本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子と、前記固体撮像素子が実装される透光性基板と、前記透光性基板が接合部材としての導電性接着剤を介して実装されるプリント配線基板と、を備え、前記固体撮像素子が、前記透光性基板と前記プリント配線基板との間に配置され、前記固体撮像素子が、撮像領域が前記透光性基板に対向するように配置されている。 The solid-state imaging device of the present invention includes a solid-state imaging device, a translucent substrate on which the solid-state imaging device is mounted, and a print on which the translucent substrate is mounted via a conductive adhesive as a bonding member. A wiring board, wherein the solid-state imaging device is disposed between the translucent substrate and the printed wiring board, and the solid-state imaging device is disposed such that an imaging region faces the translucent substrate. Has been.
この構成により、透光性基板がプリント配線基板へ実装されるときに、透光性基板が破壊することを防止可能である。さらに、導電性接着剤は、低融点半田よりも弾性率が小さいため、透光性基板の変形量(ひずみ)が同量である場合には、上記(式1)より、応力が比較的小さな値となる。したがって、透光性基板の破壊をより抑制することができる。 With this configuration, it is possible to prevent the translucent substrate from being destroyed when the translucent substrate is mounted on the printed wiring board. Furthermore, since the elastic modulus of the conductive adhesive is smaller than that of the low melting point solder, when the deformation amount (strain) of the translucent substrate is the same, the stress is relatively smaller than the above (Equation 1). Value. Accordingly, it is possible to further suppress the breakage of the translucent substrate.
本発明によれば、透光性基板がプリント配線基板へ実装されるとき又は使用されるときに、透光性基板が破壊することを防止できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when a translucent board | substrate is mounted in a printed wiring board or used, it can prevent that a translucent board | substrate destroys.
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
本実施形態の固体撮像装置は、固体撮像素子と、固体撮像素子が実装される透明ガラス基板と、透明ガラス基板が接合部材としての低融点半田ボールを介して実装されるプリント配線基板と、備え、固体撮像素子が、透明ガラス基板とプリント配線基板との間に配置され、撮像領域が透明ガラス基板に対向するように配置されている。
(First embodiment)
The solid-state imaging device of this embodiment includes a solid-state imaging device, a transparent glass substrate on which the solid-state imaging device is mounted, and a printed wiring board on which the transparent glass substrate is mounted via a low melting point solder ball as a joining member. The solid-state imaging device is arranged between the transparent glass substrate and the printed wiring board, and the imaging region is arranged so as to face the transparent glass substrate.
図1は、本実施形態の固体撮像装置の部分分解斜視図である。
透明ガラス基板1に電極パッド2、4が形成されており、電極パッド2と電極パッド4は、それぞれが透明ガラス基板1表面上で配線パターン3により配線され、電気接続されている。電極パッド2は固体撮像素子5との接続用であり、電極パッド4は固体撮像素子5の信号を外部に取り出すプリント配線基板9(図3参照)との電気接続用である。固体撮像素子5は、撮像領域(受光エリア)6が透明ガラス基板1の電極パッド2に対向して配置されている。そして、固体撮像素子5の表面の電気配線パッド上に金属バンプ15が形成され(図5参照)、電極パッド2に実装される。このとき、固体撮像素子5の密着強度と電気接続信頼性を確保するために絶縁性封止樹脂7が注入される(図2参照)。
FIG. 1 is a partially exploded perspective view of the solid-state imaging device of the present embodiment.
図2は、本実施形態の固体撮像装置の部分組立図である。
図1で説明したように、透明ガラス基板1上に固体撮像素子5が実装され、絶縁性封止樹脂7が注入されている。絶縁性封止樹脂7は、撮像領域6へ漏れ出すことなく、固体撮像素子5の金属バンプ15(図5参照)の周囲を取り囲んで、密着強度を確保している。また、電極パッド4上には、フラックスが塗布され、接合部材としての低融点半田ボール8がリフローにより取り付けられている。
FIG. 2 is a partial assembly diagram of the solid-state imaging device of the present embodiment.
As described with reference to FIG. 1, the solid-
図3は、本実施形態の固体撮像装置の部分分解斜視図である。
プリント配線基板9にはクリーム半田が印刷されている。固体撮像素子5が実装され低融点半田ボール8が取り付けられた透明ガラス基板1は、反転してプリント配線基板9上に載せられ、リフローにより半田実装される。これにより、透明ガラス基板1とプリント配線基板9とが電気的に接続される。さらに、低融点半田ボール8の周囲はアンダーフィル(封止樹脂)(図示せず)により強度補強されている。図3の例では、前工程で注入した絶縁性封止樹脂7が露出している。この状態で上部からレンズ11が設置されているレンズ筐体12を準備する。このレンズ筐体12を、プリント配線基板9の透明ガラス基板1が実装された側の表面を基準面として装着し、プリント配線基板9と一体化すると、固体撮像装置が完成する。固体撮像装置が完成した状態では、被写体側から、レンズ11、透明ガラス基板1、固体撮像素子5、及びプリント配線基板9の順に配列される。なお、図3に示すように、レンズ筐体12がプリント配線基板9に実装された状態では、レンズ11と透明ガラス基板1とは接触しない。
FIG. 3 is a partially exploded perspective view of the solid-state imaging device of the present embodiment.
Cream solder is printed on the printed
図4は、本実施形態の固体撮像装置の組立完成図である。図5は、本実施形態の固体撮像装置の組立て完成図の断面図である。
プリント配線基板9の表面に低融点半田ボール8を介して、透明ガラス基板1が実装されており、低融点半田ボール8の周囲はアンダーフィル(図示せず)により強度補強されている。低融点半田ボール8は、プリント配線基板9の表面上の電極パッド(図示せず)と接している。透明ガラス基板1には、撮像領域6を持つ固体撮像素子5が金属バンプ15を介して実装され、その周囲には絶縁性封止樹脂7が不足無く注入硬化されている。また、絶縁性封止樹脂7は、固体撮像素子5の撮像領域6へ漏れ出していない。これは、製造時に絶縁性封止樹脂7にUV硬化性の材料を用い、撮像領域6にUV光を照射しながら封止注入することにより達成している。
FIG. 4 is an assembly completion diagram of the solid-state imaging device of the present embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view of the completed assembly of the solid-state imaging device of the present embodiment.
The
なお、固体撮像素子チップの薄型化は進む一方であり、裏面からの光りの回りこみを防止するために、プリント配線基板9としては、遮光性基板を用いるのが望ましく、樹脂基板であればエポキシ樹脂などの遮光性樹脂を用いるのが望ましい。また、セラミック基板、遮光膜を形成したガラス基板なども適用可能である。
Note that the solid-state imaging device chip is becoming thinner, and it is desirable to use a light-shielding substrate as the printed
次に、低融点半田ボール8に用いられる低融点半田及び透明ガラス基板1の詳細な仕様について説明する。
低融点半田としては、例えば、千住金属社製の「L20−BLT5−T8F」を用いる。この低融点半田は、低温域(170℃〜190℃)でのリフローが可能な半田である。そして、Sn−58Biの組成であり、融点:139℃、リフローピーク温度:160℃、ヤング率:33.0GPa、膨張係数:15.4ppm/℃、の特性を有する。
Next, detailed specifications of the low melting point solder and the
As the low melting point solder, for example, “L20-BLT5-T8F” manufactured by Senju Metal Co., Ltd. is used. This low melting point solder is a solder that can be reflowed in a low temperature range (170 ° C. to 190 ° C.). And it is the composition of Sn-58Bi, and has the characteristics of melting | fusing point: 139 degreeC, reflow peak temperature: 160 degreeC, Young's modulus: 33.0 GPa, and expansion coefficient: 15.4 ppm / degreeC.
また、透明ガラス基板1としては、例えば、ヤング率:72.9GPa、線膨張係数:7.2M×10−6/℃のガラス基板を用いる。
Moreover, as the
なお、透明ガラス基板1と同様の仕様であれば、透明ガラス基板1の代わりに、光学フィルタ膜、あるいは反射防止膜を形成したものを用いてもよい。
If the specification is the same as that of the
次に、透明ガラス基板1をプリント配線基板9に実装するときの透明ガラス基板1の温度変化及び透明ガラス基板1にかかる応力の一例について説明する。図6(A)〜(C)は、リフロー後の温度低下時に透明ガラス基板1にかかる応力の一例を示す図である。
Next, an example of the temperature change of the
仮に、従来の半田ボールを用いて透明ガラス基板1をプリント配線基板9に実装する場合には、リフロー時の透明ガラス基板1の温度は約220℃であるが、リフロー後の透明ガラス基板1の温度は常温(約25℃)まで低下する。この場合に透明ガラス基板1に発生する最大応力(ここでは、半田ボール付近にかかる応力)を100とする。この様子を図6(A)に示している。
If the
一方、本実施形態の低融点半田ボール8を用いて透明ガラス基板1をプリント配線基板9に実装する場合には、リフロー時の透明ガラス基板1の温度は約140℃であり、リフロー後の透明ガラス基板1の温度は常温(約25℃)まで低下する。この場合、透明ガラス基板1に発生する最大応力(ここでは、低融点半田ボール8付近にかかる応力)は約45となる。この様子を図6(B)に示している。このように、従来の半田ボールを用いる場合よりも本実施形態の低融点半田ボール8を用いる方が、リフロー後に透明ガラス基板1にかかる応力が小さくなるので、透明ガラス基板1が破壊しにくくなる。
On the other hand, when the
次に、本実施形態のプリント配線基板9の形状の変形例について、図7を用いて説明する。
図1〜図5では、プリント配線基板9として平板形状の基板を用いることを説明したが、これ以外の形状であってもよい。
Next, a modified example of the shape of the printed
In FIGS. 1 to 5, the use of a flat board as the printed
例えば、図7(A)に示すように、プリント配線基板9は、固体撮像素子5と対向する領域に開口部を有してもよい。これにより、低融点半田ボール8の厚み方向(X方向)の長さが比較的短い場合であっても、プリント配線基板9に低融点半田ボール8を介して透明ガラス基板1が実装されるときに、透明ガラス基板1が破壊することなく、かつ、プリント配線基板9と透明ガラス基板1が接触することなく実装することが可能である。
For example, as illustrated in FIG. 7A, the printed
また、図7(B)に示すように、プリント配線基板9は、キャビティ部10を有し、キャビティ部10の外側に実装用の電極パッド(図示せず)が形成されていてもよい。この実装用の電極パッドと低融点半田ボール8とが接触し、低融点半田ボール8とガラス基板1の電極パッド4とが接触する。また、プリント配線基板9に透明ガラス基板1を実装した状態では、低融点半田ボール8の厚み方向(X方向)の長さとプリント配線基板9のキャビティ部10の厚み方向(X方向)の長さとの和が、固体撮像素子5と透明ガラス基板1との距離よりも長い。これにより、透明ガラス基板1が破壊することなく、かつ、プリント配線基板9と透明ガラス基板1が接触することなく実装することが可能である。
As shown in FIG. 7B, the printed
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態の固体撮像装置では、プリント配線基板9と透明ガラス基板1とを接合する接合部材として、低融点半田ペースト(印刷半田)18を用いる。接合部材として低融点半田ペースト18を用いる点以外は、基本的には第1の実施形態における固体撮像装置と同様の構成である。なお、低融点半田ペースト18に用いられる低融点半田の仕様は、第1の実施形態で説明した低融点半田ボール8に用いられる低融点半田の仕様と同様である。したがって、低融点半田ペースト18を用いた場合のリフロー時の透明ガラス基板1の温度変化及び透明ガラス基板1にかかる応力についても、低融点半田ボール8を用いた場合と同様である(図6(B)参照)。
(Second Embodiment)
In the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present invention, a low melting point solder paste (printed solder) 18 is used as a joining member for joining the printed
低融点半田ペースト18を用いてプリント配線基板9と透明ガラス基板1とを接合する工程では、まず、プリント配線基板9の電極パッド上に低融点半田ペースト18を印刷塗布する。続いて、低融点半田ペースト18が印刷塗布されたプリント配線基板9の電極パッドに透明ガラス基板1の電極パッドが配置されるように調整して、プリント配線基板9に透明ガラス基板1を載置する。続いて、低融点半田ペースト18を加熱することで、透明ガラス基板1とプリント配線基板9とを低融点半田ペースト18を介して接合する。
In the step of bonding the printed
次に、本実施形態のプリント配線基板9の形状について、図8を用いて説明する。
Next, the shape of the printed
低融点半田ペースト18を用いる場合のプリント配線基板9の形状としては、例えば以下の2種類が考えられる。例えば、図8(A)に示すように、プリント配線基板9は、固体撮像素子5と対向する領域に開口部を有してもよい。これにより、低融点半田ペースト18の厚み方向(X方向)の長さが比較的短い場合であっても、透明ガラス基板1が破壊することなく、かつ、プリント配線基板9と透明ガラス基板1が接触することなく実装することが可能である。
As the shape of the printed
また、図8(B)に示すように、プリント配線基板9は、キャビティ部10を有し、キャビティ部10の外側に実装用の電極パッド(図示せず)が形成されていてもよい。この実装用の電極パッドと低融点半田ペースト18とが接触し、低融点半田ペースト18とガラス基板1の電極パッド4とが接触する。また、プリント配線基板9に透明ガラス基板1を実装した状態では、低融点半田ペースト18の厚み方向(X方向)の長さとプリント配線基板9のキャビティ部10の厚み方向(X方向)の長さとの和が、固体撮像素子5と透明ガラス基板1との距離よりも長い。これにより、透明ガラス基板1が破壊することなく、かつ、プリント配線基板9と透明ガラス基板1が接触することなく実装することが可能である。
Further, as shown in FIG. 8B, the printed
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態の固体撮像装置では、プリント配線基板9と透明ガラス基板1とを接合する接合部材として、導電性接着剤(導電性ペースト)28を用いる。接合部材として導電性接着剤28を用いる点以外は、基本的には第1の実施形態における固体撮像装置と同様の構成である。
(Third embodiment)
In the solid-state imaging device according to the third embodiment of the present invention, a conductive adhesive (conductive paste) 28 is used as a bonding member for bonding the printed
本実施形態の導電性接着剤28としては、例えば、ナミックス社製のハンダ代替導電性接着剤「H9626D」を用いる。この導電性接着剤は、無溶剤型の熱硬化タイプ導電接着剤であり、以下の特性を有する。
As the
組成:Ag
粘度:47Pa・s/25℃、
T.I.:5.0、
比重:3.7、
比抵抗値:TMA法で2.0×10−4Ω・cm、
接着強度:DMA法で40N/mm2、
線膨張率:DMA法でα1:40ppm、α2:100ppm、
ガラス繊維温度:120℃、
ヤング率:6.5GPa、
純度:Na(原子吸光分光光度計)では3.0ppm、Cl(イオンクロマトグラフ)では25ppm
Composition: Ag
Viscosity: 47 Pa · s / 25 ° C.
T.A. I. : 5.0,
Specific gravity: 3.7,
Specific resistance value: 2.0 × 10 −4 Ω · cm by TMA method,
Adhesive strength: 40 N / mm 2 by DMA method
Linear expansion coefficient: α1: 40 ppm by DMA method, α2: 100 ppm,
Glass fiber temperature: 120 ° C.
Young's modulus: 6.5 GPa,
Purity: 3.0 ppm for Na (atomic absorption spectrophotometer), 25 ppm for Cl (ion chromatograph)
また、導電性接着剤が150度の状態を30分間維持することで、導電性接着剤が硬化する。 Further, the conductive adhesive is cured by maintaining the state where the conductive adhesive is at 150 degrees for 30 minutes.
導電性接着剤28を用いてプリント配線基板9と透明ガラス基板1とを接合する工程では、まず、冷凍(約−20℃)された導電性接着剤28を常温になるまで放置する。そして、プリント配線基板9の電極パッド上に導電性接着剤28を塗布し、導電性接着剤28が塗布されたプリント配線板9の電極パッドに透明ガラス基板1の電極パッドが配置されるように調整して、透明ガラス基板1を載置する。続いて、導電性接着剤28を加熱(150℃×30分)することで、導電性接着剤を熱硬化させ、透明ガラス基板1とプリント配線基板9とを導電性接着剤28を介して接合する。
In the step of bonding the printed
次に、透明ガラス基板1をプリント配線基板9に実装するときの透明ガラス基板1の温度変化及び透明ガラス基板1にかかる応力の一例について説明する。
Next, an example of the temperature change of the
本実施形態の導電性接着剤28を用いて透明ガラス基板1をプリント配線基板9に実装する場合には、加熱時の透明ガラス基板1の温度は約150℃であり、加熱後には常温(約25℃)まで低下する。この場合、透明ガラス基板1に発生する最大応力(ここでは、導電性接着剤28付近にかかる応力)は約50となる。この様子を図6(C)に示している。このように、従来の半田ボールを用いる場合よりも本実施形態の導電性接着剤28を用いる方が、加熱後常温となった後に透明ガラス基板1にかかる応力が小さくなるので、透明ガラス基板1が破壊しにくくなる。
When the
次に、本実施形態のプリント配線基板9の形状について、図9を用いて説明する。
Next, the shape of the printed
導電性接着剤28を用いる場合のプリント配線基板9の形状としては、例えば以下の3種類が考えられる。例えば、図9(A)に示すように、プリント配線基板9は、固体撮像素子5と対向する領域に開口部を有してもよい。これにより、導電性接着剤28の厚み方向(X方向)の長さが比較的短い場合であっても、透明ガラス基板1が破壊することなく、かつ、プリント配線基板9と透明ガラス基板1が接触することなく実装することが可能である。
As the shape of the printed
また、図9(B)に示すように、プリント配線基板9は、キャビティ部10を有し、キャビティ部10の外側に実装用の電極パッド(図示せず)が形成されていてもよい。この実装用の電極パッドと導電性接着剤28とが接触し、導電性接着剤28と透明ガラス基板1の電極パッド4とが接触する。また、プリント配線基板9に透明ガラス基板1を実装した状態では、導電性接着剤28の厚み方向(X方向)の長さとプリント配線基板9のキャビティ部10の厚み方向(X方向)の長さとの和が、固体撮像素子5と透明ガラス基板1との距離よりも長い。これにより、透明ガラス基板1が破壊することなく、かつ、プリント配線基板9と透明ガラス基板1が接触することなく実装することが可能である。
As shown in FIG. 9B, the printed
また、図9(C)に示すように、プリント配線基板9の形状が平板形状であり、所定の位置に金属バンプが形成されていてもよい。図9(C)の固体撮像装置では、金属バンプが形成された領域に導電性接着剤28が塗布される。この金属バンプがプリント配線基板9の電極部として機能し、金属バンプと導電性接着剤28とが接し、導電性接着剤28と透明ガラス基板1の電極パッド4と接する。また、プリント配線基板9に透明ガラス基板1を実装した状態では、金属バンプの厚み方向(X方向)の長さと導電性接着剤28の厚み方向(X方向)の長さとの和が、固体撮像素子5と透明ガラス基板1との距離よりも長い。これにより、透明ガラス基板1が破壊することなく、かつ、プリント配線基板9と透明ガラス基板1が接触することなく実装することが可能である。
Further, as shown in FIG. 9C, the printed
このように、各実施形態における接合部材としての低融点半田ボール8、低融点半田ペースト18、及び導電性接着剤28を用いることで、リフロー後又は加熱後の冷却時に、透明ガラス基板1とプリント配線基板9との熱収縮を吸収することができる。これにより、両基板の収縮差により実装部分へ負荷が加わり、透明ガラス基板1が破壊することを抑制することができる。
Thus, by using the low melting
本発明は、透光性基板がプリント配線基板へ実装される又は使用されるときに、透光性基板が破壊することを防止可能な固体撮像装置等に有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful for a solid-state imaging device or the like that can prevent a light-transmitting substrate from being destroyed when the light-transmitting substrate is mounted on a printed wiring board or used.
1 透明ガラス基板
2、4 電極パッド
3 配線パターン
5 固体撮像素子
6 撮像領域
7 絶縁性封止樹脂
8 低融点半田ボール
9 プリント配線基板
10 キャビティ部
11 レンズ
12 レンズ筐体
15 金属バンプ
18 低融点半田ペースト
28 導電性接着剤
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記固体撮像素子が実装される透光性基板と、
前記透光性基板が接合部材としての低融点半田を介して実装されるプリント配線基板と、
を備え、
前記固体撮像素子は、前記透光性基板と前記プリント配線基板との間に配置され、撮像領域が前記透光性基板に対向するように配置された固体撮像装置。 A solid-state image sensor;
A translucent substrate on which the solid-state imaging device is mounted;
A printed wiring board on which the translucent board is mounted via low melting point solder as a joining member;
With
The solid-state imaging device is disposed between the translucent substrate and the printed wiring board, and the solid-state imaging device is disposed so that an imaging region faces the translucent substrate.
前記固体撮像素子が実装される透光性基板と、
前記透光性基板が接合部材としての導電性接着剤を介して実装されるプリント配線基板と、
を備え、
前記固体撮像素子は、前記透光性基板と前記プリント配線基板との間に配置され、撮像領域が前記透光性基板に対向するように配置された固体撮像装置。 A solid-state image sensor;
A translucent substrate on which the solid-state imaging device is mounted;
A printed wiring board on which the translucent substrate is mounted via a conductive adhesive as a bonding member;
With
The solid-state imaging device is disposed between the translucent substrate and the printed wiring board, and the solid-state imaging device is disposed so that an imaging region faces the translucent substrate.
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