JP2012018842A - Ｌｅｄ照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ちらつきの防止と装置の小型化の両立が可能なＬＥＤ照明装置を実現する。
【解決手段】 ＬＥＤモジュール６と定電流回路５とスイッチング回路４との直列回路の両端が、交流電圧源２から出力される交流電圧を全波整流するブリッジダイオード３の正負両出力端と接続される。定電流回路５は、ゲート−ソース間が接続したノーマリーオン型のＧａＮ−ＦＥＴ２１を有している。スイッチング回路４は、定電流回路５から出力される電圧に基づいて、交流電圧源２の出力電圧よりも高周波の発振信号を出力する発振回路１１と、前記発振信号がゲートに供給されるスイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴ１５を有し、ＭＯＳ−ＦＥＴ１５が発振信号によってオンオフ制御されることで、ＬＥＤモジュール６の導通／非導通制御が行われる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、可視光発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という）を使用したＬＥＤ照明装置に関する。

従来のＬＥＤ照明装置の回路構成例を図６に示す（特許文献１参照）。

図６に示す従来のＬＥＤ照明装置９０は、ブリッジダイオード３，複数のＬＥＤ素子からなるＬＥＤモジュール６，抵抗３１，及び定電流回路４０を備える。定電流回路４０は、ＮＰＮトランジスタ４１，抵抗４２，及びツェナーダイオード４３を含む。なお、２は交流電圧源である。

ブリッジダイオード３の入力側には商用ＡＣ１００Ｖの交流電圧源２が接続されている。また、ブリッジダイオード３の出力側には、正極側の出力端子から順に、ＬＥＤモジュール６、ＮＰＮトランジスタ４１、抵抗４２が直列接続されている。

また、ブリッジダイオード３とＬＥＤモジュール６の接続点に抵抗３１の一端が接続され、抵抗３１の他端には、ＮＰＮトランジスタ４１のベース及びツェナーダイオード４３のカソードが接続される。ＮＰＮトランジスタ４１のコレクタはＬＥＤモジュール６に、エミッタは抵抗４２の一端に接続される。抵抗４２の他端は、ツェナーダイオード４３のアノード、及びブリッジダイオード３の負極側出力端子に接続される。

このような構成によれば、商用ＡＣ１００Ｖの交流電圧源２から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流される結果、ピーク値が約１４１Ｖを示す脈流電圧が得られる。

定電流回路４０では、ＮＰＮトランジスタ４１のベース電位はツェナーダイオード４３のツェナー電圧V_zでクランプされて一定値を示す。よって、ＮＰＮトランジスタ４１のベース−エミッタ間電圧をV_be41とすると、抵抗４２の両端電圧は（V_z−V_be41）となる。このとき、抵抗４２の抵抗値をR₄₂とすると、この抵抗４２を流れる電流は（V_z−V_be41）／R₄₂となり、一定値を示す。

そして、この抵抗４２を流れる電流値とほぼ同じ電流がコレクタ電流としてＬＥＤモジュール６を介してＮＰＮトランジスタ４１に流入するため、ＬＥＤモジュール６を流れる電流値もほぼ（V_z−V_be41）／R₄₂と表せる。よって、ＬＥＤモジュール６を流れる電流を一定値とすることができる。図７に示すように、ＬＥＤ素子の光度はＬＥＤ素子を流れる電流量に依存するため、ＬＥＤ素子を一定光度で発光させるためには、同素子を流れる電流を一定値に保つ必要がある。

なお、実際には、ブリッジダイオード３から出力される電圧の絶対値が、前記ツェナー電圧V_Zを下回っている間、ツェナーダイオード４３は非導通であり、ＬＥＤモジュール６には電圧は流れない。すなわち、少なくとも交流電圧源２の瞬時値が０Ｖを示している瞬間においては、ＬＥＤモジュール６は発光していない。そして、交流電圧源２の瞬時値の正負いずれかの方向に上昇することで、ブリッジダイオード３から出力される電圧の絶対値がツェナー電圧V_zを上回り、ＮＰＮトランジスタ４１のベース電位がツェナー電圧V_zでクランプされる。これにより、前記（V_z−V_be41）／R₄₂の電流がＬＥＤモジュール６に流れることとなる。図８はこのような動作を説明するためのグラフである。

図８（ａ）は、時刻ｔにおける交流電圧源２の出力電圧V₂の変化を示すグラフである。同図（ｂ）は、時刻ｔにおけるブリッジダイオード３の出力電圧V₃の変化を示すグラフである。同図（ｃ）は、時刻ｔにおけるＬＥＤモジュール６を流れる電流I₆の変化を示すグラフである。図８より、（ｂ）に示す出力電圧V₃が所定値（ほぼツェナー電圧V_zに等しい値）を下回ると、ＬＥＤモジュール６を流れる電流I₆は０となる。それ以外のタイミングでは電流I₆は一定値を示す。なお、ＬＥＤモジュール６の光度調整は、（ｃ）のグラフにおけるデューティ比を変化させることで行われる。

しかし、図８（ｃ）によれば、交流電圧源２の出力電圧の２倍の周波数でＬＥＤモジュール６は明滅を繰り返すことが分かる。明滅の周波数が十分高い場合にはこの明滅を視認することはできないが、商用周波数の２倍程度の周波数の明滅であれば、視認される場合があり、かかる場合にはちらつきを感じるという問題があった。

これを受け、ＬＥＤモジュール６を明滅周波数を意図的に高周波とすることで、ちらつきを人間が検知できないようにした構成の一例が図９である。

図９に示すＬＥＤ照明装置９１は、交流電圧源２，ブリッジダイオード３，電解コンデンサ５１，発振回路５２，ＭＯＳ−ＦＥＴ５４，及びトランス５３の１次巻線を含む１次側回路と、ダイオード６１，電解コンデンサ６２，抵抗６３，抵抗６４，抵抗６５，エラーアンプ７１，基準電圧７３，エラーアンプ７２，基準電圧７４，ＬＥＤモジュール６，フォトカプラ５５，及びトランス５３の２次巻線を含む２次側回路とを備える。

交流電圧源２から出力される商用電圧は、ブリッジダイオード３によって全波整流され、電解コンデンサ５１によって平滑化されてＤＣ電圧に変換される。このＤＣ電圧は、発振回路５２，トランス５３の１次巻線，及びＭＯＳ−ＦＥＴ５４からなるスイッチング回路によってＡＣ電圧に変換され、トランス５３の２次巻線へと送られる。

トランス５３の２次巻線に誘起されたＡＣ電圧は、ダイオード６１と電解コンデンサ６２からなる整流回路によって再びＤＣ電圧へと変換される。これにより、抵抗６４及び６５からなる直列回路の両端間、並びに、ＬＥＤモジュール６の両端間にＤＣ電圧が印加される。

抵抗６４と６５で構成される分圧回路の中間ノードＮ１の電圧がエラーアンプ７２で基準電圧７４と比較され、前者が後者の電圧値以上になると、エラーアンプ７２から電圧が出力されてフォトカプラ５５のＬＥＤに電流を流し、発振回路５２を停止させる。これにより、２次側回路に誘起される電圧を低下させる。他方、前者が後者の電圧値未満である場合には、発振回路５２の発振を持続させて２次側回路の誘起電圧を上昇させる。

また、２次側電圧の値によってＬＥＤモジュール６を流れる電流量は変動するため、ＬＥＤモジュール６の光度を一定に保つためには、２次側電圧の値を一定に保つ必要がある。抵抗６３の両端の電圧は、２次側電圧に依存して変化するため、抵抗６３の両端の電圧の大きさに基づいて発振回路５２を制御することで光度の一定を保つことができる。具体的には、エラーアンプ７１において抵抗６３の両端間電圧が基準電圧７３と比較され、前者が後者の電圧値以上になると、エラーアンプ７１から電圧が出力されてフォトカプラ５５のＬＥＤに電流を流し、発振回路５２を停止させる。他方、前者が後者の電圧値未満である場合には、発振回路５２の発振を持続させて２次側回路の誘起電圧を上昇させる。

かかる構成とした場合、ＬＥＤモジュール６の両端間電圧は一定に保たれる。また、発振回路５２の発振周波数を商用周波数よりも十分高く設定することで、特許文献１に記載の構成のようなちらつきの問題は解決し得る。

特開２０００−２６０５７８号公報

ＬＥＤ素子は、温度や経年劣化によりその順方向電圧が変化するため、定電圧駆動を行っても素子状態によって電流が変化してしまい、場合によっては過電流が流れて素子を破壊するというおそれがある。また、図７に示したように、ＬＥＤ素子の光度は電流に依存する関係にある。よって、ＬＥＤモジュール６は電流駆動が要求される。図６や図８の構成においても、電流駆動を行っている。

しかし、図８の構成によれば、図６と比べて駆動用の素子数が大きく増大するため、ＬＥＤ照明装置の小型化にはネックとなる。更に、図８の構成では、整流されたＤＣ電圧を平滑化させるための平滑用の電解コンデンサ５１，６２を備えているが、電解コンデンサは熱に弱いため、放熱のための機構が必要となり、かかる点からも小型化には不向きである。

一方、図６の構成では、前述のようにちらつきの問題がある。加えて、図６の構成では、定電流回路４０内のＮＰＮトランジスタ４１の耐圧を、ブリッジダイオード３によって全波整流された脈流電圧のピーク電圧以上に設定する必要がある。前記のように、図６の構成の場合、ピーク電圧は約１４１Ｖを示すため、これよりも大きい耐圧のトランジスタを配置する必要がある。しかし、トランジスタの耐圧を高めるためには、トランジスタ面積を増大させる必要があるところ、小型化という観点からはネックとなる。

本発明は上記の問題点に鑑み、ちらつきの防止と装置の小型化の両立が可能なＬＥＤ照明装置を実現することを目的とする。

本発明のＬＥＤ照明装置は、
交流電圧を整流するブリッジダイオードと、ＬＥＤ素子が直列に接続したＬＥＤモジュールと、定電流回路と、スイッチング回路と、を備え、
前記ＬＥＤモジュールと前記定電流回路と前記スイッチング回路とで形成された直列回路の両端が、前記ブリッジダイオードの正負両出力端に接続し、
前記定電流回路は、ノーマリーオン型のＧａＮ−ＦＥＴを備え、一端が前記ＧａＮ−ＦＥＴのゲート及びソースに電気的に接続し、他端がドレインに接続して構成され、
前記スイッチング回路は、前記定電流回路の前記一端の電圧に基づいて前記交流電圧よりも高周波の発振信号を出力する発振回路と、前記発振信号がゲートに供給されるスイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴとを有し、
前記スイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴが前記発振信号によってオンオフ制御されることで、前記ＬＥＤモジュールの導通／非導通制御が行われることを特徴とする。

上記構成において、前記発振信号の周波数を、前記ＬＥＤ素子が明滅した場合に当該明滅の視認が可能な周波数の上限よりも高い値とするのが好適である。

また、上記構成において、前記ＧａＮ−ＦＥＴが、ゲートとソースを直接接続していることを別の特徴とする。

また、上記構成に代えて、前記定電流回路が、前記一端と前記ＧａＮ−ＦＥＴのソースとの間に抵抗を有することを別の特徴とする。

このとき、抵抗に代えて、若しくは抵抗と共にＰＴＣサーミスタを設ける構成とするのも好適である。

また、上記構成において、前記スイッチング回路は、前記定電流回路の前記一端からの電流を整流して前記発振回路に供給する整流回路を備えることを別の特徴とする。

また、上記構成において、前記スイッチング回路は、一端が前記スイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴのソースに接続し、他端が前記スイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴのドレインに接続したツェナーダイオードを備えることを別の特徴とする。

本発明のＬＥＤ照明装置によれば、ＬＥＤモジュールの導通を制御するためのスイッチング回路を設け、このスイッチング回路が、発振回路が出力する発振信号に基づいてスイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴをオンオフ制御することにより前記導通の制御を行う構成である。よって、発振信号の周波数を交流電圧の周波数よりも十分高い値に設定することで、ＬＥＤモジュールの明滅が視認できなくなり、この結果ちらつきを防止できる。

また、ノーマリーオン型のＧａＮ−ＦＥＴによって定電流回路を実現したため、定電流回路を構成する素子数を大幅に減少させることができ、小型化が実現できる。特に、ＧａＮ−ＦＥＴは、ＭＯＳ−ＦＥＴやジャンクションＦＥＴに比べて容易に耐圧を高めることができるため、ブリッジダイオードからの脈流電圧を降圧させることなく、ＬＥＤモジュールを含む直列回路に供給させることが可能となる。これにより、トランスと整流回路を用いて脈流電圧を降圧させる構成であった従来のＬＥＤ照明装置よりも大幅に素子数を削減でき、小型化が実現できる。

更に、トランスが不要となるため、整流用の電解コンデンサも不要となる。よって、電解コンデンサの耐熱性を考慮した放熱機構を設ける必要がなくなるため、この点からも小型化が実現でき、高寿命化にもつながる。

本発明のＬＥＤ照明装置の回路構成例 ノーマリーオン型のＧａＮ−ＦＥＴの電流−電圧特性を示すグラフ ＬＥＤ照明装置の動作を説明するための、電流変化及び電圧変化を示すグラフ 本発明のＬＥＤ照明装置の別の回路構成例 本発明のＬＥＤ照明装置の別の回路構成例 従来のＬＥＤ照明装置の回路構成例 ＬＥＤ素子を流れる電流と光度の関係を示すグラフ ＬＥＤ照明装置の動作を説明するための、電流変化及び電圧変化を示すグラフ 従来のＬＥＤ照明装置の別の回路構成例

図１に本発明のＬＥＤ照明装置の一回路例を示す。ＬＥＤ照明装置１は、ブリッジダイオード３，スイッチング回路４，定電流回路５，及びＬＥＤモジュール６を備える。また、２は交流電圧源を示している。従来と同じ要素については同じ符号を付している。

ブリッジダイオード３の入力側には商用ＡＣ１００Ｖの交流電圧源２が接続される。ブリッジダイオード３の正極側の出力端子にはＬＥＤモジュール６のアノード側が接続される。ＬＥＤモジュール６のカソード側には定電流回路５の一端が接続される。定電流回路５の他端にはスイッチング回路４の一端が接続される。スイッチング回路４の他端にはブリッジダイオード３の負極側の出力端子が接続される。

ＬＥＤモジュール６は複数のＬＥＤ素子が直列に接続されて構成される。

定電流回路５は、ゲートとソースが接続したノーマリーオン型のＧａＮ−ＦＥＴ２１で構成される。図２に示すように、ＧａＮ−ＦＥＴのドレイン−ソース間の飽和領域における定電流特性を利用することで定電流回路が実現できる。なお、図２において、横軸はドレイン−ソース間電圧V_{d_s}、縦軸はドレイン−ソース間を流れる電流I_{d_s}を表わしており、それぞれゲート−ソース間の電圧V_{g_s}を異ならせたときのV_{d_s}とI_{d_s}の関係を図示したものである。

スイッチング回路４は、発振回路１１，コンデンサ１２，ダイオード１３，ツェナーダイオード１４，及びスイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴ１５（適宜「ＭＯＳ−ＦＥＴ１５」と略記する）を備える。

スイッチング回路４の一端は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のドレイン端子、ツェナーダイオード１４のカソード端子、及びダイオード１３のアノード端子に接続される。ダイオード１３のカソード端子は、コンデンサ１２の一方の電極、及び発振回路１１の正極側電源端子に接続される。スイッチング回路４の他端は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のソース端子、ツェナーダイオード１４のアノード端子、コンデンサ１２の他方の電極、及び発振回路１１の負極側電源端子に接続される。ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のゲート端子は発振回路１１の出力端子に接続される。

図１の構成においても、図６の構成と同様に、図３（ａ）に示されるような定電圧源１から出力される商用ＡＣ１００Ｖがブリッジダイオード２によって全波整流され、同図（ｂ）のようにな脈流電圧が得られる（ピーク電圧は約１４１Ｖ）。そして、この脈流電圧が、ＬＥＤモジュール６，定電流回路５，及びスイッチング回路４からなる直列回路に供給される。

前記の通り、定電流回路５が備えるＧａＮ−ＦＥＴ２１は図２に示すような電流−電圧特性を有するので、ドレイン−ソース間に所定値以上の電圧が印加されている限り、ドレイン−ソース間電流I_{d_s}は一定値を示す。なお、ＧａＮ−ＦＥＴは同様の定電流特性を有するジャンクションＦＥＴやデプレッション型ＭＯＳ−ＦＥＴと比べて耐圧性能に優れ、高電流でも動作するため、図９のＬＥＤ照明装置９１のようにトランス５３及び分圧用抵抗６４、６５を用いて印加電圧を低下させる必要はない。

スイッチング回路４は、交流電圧源２からの出力電圧の供給開始時においてはオフ状態である。そして、ダイオード１３及びコンデンサ１２によって構成される整流回路によって整流された電圧によって発振回路１１が動作すると、この発振回路１１の出力電圧に応じてＭＯＳ−ＦＥＴ１５をスイッチングする。これにより、スイッチング回路４を流れる電流を商用電源よりも高い周波数で変動させることが可能となる。スイッチング回路４、定電流回路５、及びＬＥＤモジュール６は直列回路を構成するので、このスイッチング回路４を流れる電流はそのままＬＥＤモジュール６を流れる電流I₆となる（図３（ｃ）参照）。つまり、ＬＥＤモジュール６を流れる電流値I₆を高い周波数で変動させることができるため、図６の構成と違ってちらつきが生じるということがない。

図３（ｃ）に示されるようにＬＥＤモジュール６を流れる電流I₆が変動するとき、ダイオード１３のアノード端子に供給される電圧も変動する。この電圧が、ダイオード１３及びコンデンサ１２で構成される前記整流回路によって整流されることで、安定した電圧V₁₁が発振回路１１に供給される（図３（ｄ）参照）。

なお、ツェナーダイオード１４は、定電流から定電圧を発生させ、発振回路１１に印加される電圧の上昇を制限するために設けられている。ツェナーダイオード１４に代えて抵抗によって同様の機能を実現しても良い。

以上をまとめると、図１に示すＬＥＤ照明装置１は以下の特徴を有する。

（１） 商用電源よりも高い周波数で振動する発振回路の出力電圧によって、スイッチング回路内のＭＯＳ−ＦＥＴのスイッチング動作を行うことで、ＬＥＤモジュールを流れる電流の変動周波数を商用電源よりも十分高い周波数とすることができる。これにより、ＬＥＤモジュールの明滅を人間に検知されることがなく、ちらつきを防止できる。

（２） ノーマリーオン型のＦＥＴによって定電流回路を実現したため、定電流回路を構成する素子数を大幅に減少させることができ、小型化が実現できる。特に、このＦＥＴをＧａＮ−ＦＥＴで実現することにより、耐圧を高めることができるため、ブリッジダイオードからの脈流電圧を降圧させることなく、ＬＥＤモジュールを含む直列回路に供給させることが可能となる。これにより、図９に示す従来のＬＥＤ照明装置９１よりも大幅に素子数を削減でき、小型化が実現できる。

なお、ＧａＮ−ＦＥＴの場合、一般的な製法によってノーマリーオン型のＦＥＴが形成されるため、ノーマリーオン型にするための追加工程を必要としないという利点もある。

（３） 更に、ブリッジダイオードからの脈流電圧を直接、直列回路に供給できるため、図９のＬＥＤ照明装置９１と違ってトランス５３が不要となり、これに伴って電解コンデンサ５１，６２も不要となる。よって、電解コンデンサ５１，６２の耐熱性を考慮した放熱機構を設ける必要がなくなるため、この点からも小型化が実現でき、高寿命化にもつながる。

以下に別実施形態を説明する。

〈１〉 ＧａＮ−ＦＥＴ２１のソースと、定電流回路５のスイッチング回路側の端子との間に抵抗２２を設けることで、定電流回路５がＧａＮ−ＦＥＴ２１と抵抗２２を有する構成としても良い（図４参照）。図４に示すＬＥＤ照明装置１ａのような構成とすることで、（定電流回路５を流れる電流I₅）×（抵抗２２の抵抗値R₂₂）相当の電圧値がＧａＮ−ＦＥＴ２１のゲート−ソース間に印加され、ソース端子に比べてゲート端子の電圧が負側にバイアスされる。このとき、定電流回路５を流れる電流I₅が大きい値を示した場合には負側への前記バイアス成分が大きくなり、ＧａＮ−ＦＥＴ２１がオフ状態となる。

よって、定電流回路５を流れる電流I₅の上限値を設定することができるため、ＬＥＤモジュール６への過電流保護機能を実現することができる。しかも、図１のＬＥＤ照明装置１と比較してゲート−ソース間に抵抗２２を設けるのみで良いため、従来構成と比較した場合には十分小型化が実現できる。

〈２〉 別実施形態〈１〉の抵抗２２に代えてＰＴＣサーミスタ２３を設けることで、定電流回路５がＧａＮ−ＦＥＴ２１とＰＴＣサーミスタ２３を有する構成としても良い（図５参照）。図５に示すＬＥＤ照明装置１ｂのような構成とすることで、定電流回路５の周辺温度がＰＴＣサーミスタ２３の動作温度以上に達すると、ＰＴＣサーミスタ２３が高抵抗値となるため、図４と同様の理由によりＧａＮ−ＦＥＴ２１がオフ状態となる。これにより、定電流回路５の許容上限温度を設定することができるため、過熱保護機能を実現することができる。

無論、ＰＴＣサーミスタ２３に抵抗を直列接続するか、或いはＰＴＣサーミスタ２３の抵抗成分を利用して、過熱保護機能と過電流保護機能の双方を有する構成とすることも可能である。

〈３〉 図１では、ブリッジダイオード３の正極側出力端子と負極側出力端子の間に、正極側から順に、ＬＥＤモジュール６、定電流回路５、スイッチング回路４が接続されてなる直列回路が形成されている場合を図示した。しかし、この直列回路を構成するＬＥＤモジュール６、定電流回路５、スイッチング回路４の接続順序は、図１の順序に限られるものではない。

１，１ａ，１ｂ： 本発明のＬＥＤ照明装置の回路構成例
２： 交流電圧源
３： ブリッジダイオード
４： スイッチング回路
５： 定電流回路
６： ＬＥＤモジュール
１１： 発振回路
１２： コンデンサ
１３： ダイオード
１４： ツェナーダイオード
１５： スイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴ
２１： ノーマリーオン型ＧａＮ−ＦＥＴ
２２： 抵抗
２３： ＰＴＣサーミスタ
３１： 抵抗
４０： 定電流回路
４１： ＮＰＮトランジスタ
４２： 抵抗
４３： ツェナーダイオード
５１： 電解コンデンサ
５２： 発振回路
５３： トランス
５４： ＭＯＳ−ＦＥＴ
５５： フォトカプラ
６１： ダイオード
６２： 電解コンデンサ
６３，６４，６５： 抵抗
７１： エラーアンプ
７２： 基準電圧
７３： エラーアンプ
７４： 基準電圧
９０，９１： 従来のＬＥＤ照明装置
Ｎ１： 中間ノード

Claims (7)

1. 交流電圧を整流するブリッジダイオードと、ＬＥＤ素子が直列に接続したＬＥＤモジュールと、定電流回路と、スイッチング回路と、を備え、
   前記ＬＥＤモジュールと前記定電流回路と前記スイッチング回路とで形成された直列回路の両端が、前記ブリッジダイオードの正負両出力端に接続し、
   前記定電流回路は、ノーマリーオン型のＧａＮ−ＦＥＴを備え、一端が前記ＧａＮ−ＦＥＴのゲート及びソースに電気的に接続し、他端がドレインに接続して構成され、
   前記スイッチング回路は、前記定電流回路の前記一端の電圧に基づいて前記交流電圧よりも高周波の発振信号を出力する発振回路と、前記発振信号がゲートに供給されるスイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴとを有し、
   前記スイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴが前記発振信号によってオンオフ制御されることで、前記ＬＥＤモジュールの導通／非導通制御が行われることを特徴とするＬＥＤ照明装置。
2. 前記発振信号の周波数は、前記ＬＥＤ素子が明滅した場合に当該明滅の視認が可能な周波数の上限よりも高いことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ照明装置。
3. 前記ＧａＮ−ＦＥＴが、ゲートとソースを直接接続していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＥＤ照明装置。
4. 前記定電流回路が、前記一端と前記ＧａＮ−ＦＥＴのソースとの間に抵抗を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＥＤ照明装置。
5. 前記定電流回路が、前記一端と前記ＧａＮ−ＦＥＴのソースとの間にＰＴＣサーミスタとを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＥＤ照明装置。
6. 前記スイッチング回路は、前記定電流回路の前記一端からの電流を整流して前記発振回路に供給する整流回路を備えることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のＬＥＤ照明装置。
7. 前記スイッチング回路は、一端が前記スイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴのソースに接続し、他端が前記スイッチング用ＭＯＳ−ＦＥＴのドレインに接続したツェナーダイオードを備えることを特徴とする請求項６に記載のＬＥＤ照明装置。

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