JP2012015447A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カラーフィルター２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂと、入射光を光電変換する受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂと、その上方に色毎に形成された第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと屈折率が異なる第２絶縁膜１４と、半導体基板６上における受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂが設けられていない領域３に形成され、ゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの膜厚が異なる複数のトランジスタ１６ｒ、１６ｇ、１６ｂとを備える固体撮像装置であって、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚が色毎に異なるとともに、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚がゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの膜厚の何れかと１対１対応の関係で一致している。
【選択図】図２

Description

本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づける技術に関する。

ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサに代表される固体撮像装置は、撮像領域とそれを駆動する周辺回路とから構成されている。近年、固体撮像装置の小型化および多画素化が急激に進んでおり、感度の維持又は向上が大きな課題となっている。

図１０は特許文献３の図５に示す固体撮像装置の要部断面図を示す図である。図１０では、固体撮像装置の２画素分の断面図を示しており、各画素はＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、およびＢ（青色）いずれかの色の画素に対応している。

シリコン基板５１には、Ｐウェル５２、色毎に形成された受光部５３ａ、５３ｂ、受光部５３ａ、５３ｂで発生した信号電荷を転送する垂直転送部５４が形成されている。シリコン基板５１の上方には、シリコン酸化膜からなる絶縁膜５５を介して転送電極５６が形成されている。転送電極５６の上方には、さらに、受光部５３ａ、５３ｂに対応する部分に開口を有するアルミニウムからなる遮光膜５７、プラズマ窒化膜からなるパッシベーション膜５８、透明平坦化膜５９、カラーフィルター６０ａ、６０ｂ、およびマイクロレンズ６１が順に積層されている。

マイクロレンズ６１で集光された入射光は、カラーフィルター６０ａ、６０ｂにより画素ごとにＲ、Ｇ、Ｂの光に分けられる。カラーフィルター６０ａ、６０ｂはそれぞれＲ、Ｇ、Ｂの何れか色に対応しており、カラーフィルター６０ａ、６０ｂを透過した光は、各色に対応する受光部５３ａ、５３ｂに入射する。この構成により、カラーフィルター６０ａ、６０ｂを透過した入射光を、透明平坦化膜５９とパッシベーション膜５８との界面、およびパッシベーション膜５８と絶縁膜５５との界面の間での干渉効果によって強めることができる。その結果、受光部５３ａ、５３ｂまで到達する入射光の強度の向上を図ることができる。

しかし、パッシベーション膜５８を透過する光の透過率は光の波長域毎に異なるため、図１０に示す従来の固体撮像装置のように、パッシベーション膜５８が色に関係なく同一膜厚で形成されている場合には、色間で受光部に到達する入射光の強度が異なってしまう問題がある。

そこで、図１１に示すように、パッシベーション膜５８の膜厚を色毎に変えることで入射光の光路長を変化させ、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一化する技術が開示されている（特許文献３の図１）。

特開昭６３−１４４６６号公報 特開平４−１５２６７４号公報 特開平９−２２９９４号公報

しかしながら、このような固体撮像装置を製造するには、パッシベーション膜５８の膜厚を色毎に異ならせるために、従来の工程に加えて新たにリソグラフィー工程、エッチング工程、成膜工程を経る必要があり、製造コストの大幅な上昇が避けられないという問題を抱えている。

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は色毎に形成されたカラーフィルターと、半導体基板内に色毎に形成され、前記カラーフィルターを透過した光を光電変換する各色用の受光部と、前記各色用の受光部の上方に色毎に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上方に形成され、前記第１絶縁膜と屈折率が異なる第２絶縁膜と、前記半導体基板上における前記受光部が設けられていない領域に形成され、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる複数のトランジスタと、を備える固体撮像装置であって、前記第１絶縁膜の膜厚が色毎に異なるとともに、前記第１絶縁膜の各色の膜厚が前記ゲート絶縁膜の膜厚の何れかと１対１対応の関係で一致していることを特徴とする。

本発明に係る固体撮像装置では、信号電荷を読み出すための回路が設けられた領域に、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる複数のトランジスタを備えている。また、第１絶縁膜の膜厚が色毎に異なるように形成されているため、入射光が第１絶縁膜を透過する際の光路長を色毎に変化させることができ、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることが可能である。

さらに、これら各色の膜厚がゲート絶縁膜の膜厚の何れかと１対１対応の関係で一致している。このような構造を有する固体撮像装置においては、例えば、信号電荷を読み出すための回路を構成するトランジスタのうち第１の膜厚を有するゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜と同一膜厚である第１色用の第１絶縁層とを同一工程で形成し、同様にして、第２の膜厚を有するゲート絶縁膜と第２色用の第１絶縁層とを同一工程で形成するという製造工程を採用することが可能である。このような工程を経ることにより、トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程といった既存の工程と並行して第１絶縁膜の膜厚を色毎に異ならせる工程を行うことができ、別途に第１絶縁膜の膜厚を色毎に異ならせる工程を行う必要がない。したがって、製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることができる。

また、第１の色に対応する前記第１絶縁膜は、前記第１の色より短波長である第２の色に対応する前記第１絶縁膜よりも、膜厚が厚いこととしてもよい。
波長が長い色に対応する第１絶縁膜ほど膜厚を厚く形成することにより、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることができる。

さらに、前記複数のトランジスタにおけるゲート電極の側面に形成されたサイドウォールスペーサを含み、前記サイドウォールスペーサを構成するいずれかの層は、前記第２絶縁膜と同一膜厚であり、かつ、同一材料で形成されていることとしてもよい。

サイドウォールスペーサを設けることで、製造工程中のセルフアラインにおけるマスクとして用いることできる。また、上記構成によればサイドウォールスペーサを構成するいずれかの層と第２絶縁膜を同一工程で形成することが可能であり、製造コストの上昇を抑えることができる。

さらに、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜の間に形成された中間層と、前記サイドウォールスペーサの側面と前記いずれかの層である第１層の間に形成され、前記中間層と同一膜厚であり、かつ、同一材料である第２層とを含むこととしてもよい。

ゲート絶縁膜は、対応するトランジスタの駆動電圧や使用目的毎に膜厚が決められている。そのため、あらかじめ決められた膜厚の中から第１絶縁膜と対応させる膜厚を選択することになる。この場合、第１絶縁膜と第２絶縁膜の膜厚との組み合わせによっては、所望の干渉効果が得られないといった不具合が生じる場合がある。また、サイドウォールスペーサと第２絶縁膜が同一膜厚で形成されているが、サイドウォールスペーサの膜厚要望を優先した場合、第２絶縁膜が必要以上に厚く成膜されてしまう。そのため、第２絶縁膜の膜応力により撮像領域の半導体基板に結晶欠陥が発生し、白キズや暗電流が増加する場合がある。

そこで、第１絶縁膜と第２絶縁膜の膜厚、ならびにサイドウォールスペーサの膜厚を調整することが可能な中間層を設けることで、このような不具合を改善することができる。また、中間層はサイドウォールスペーサの第２層と同一膜厚かつ同一材料であるので、中間層と第２層を同一工程で形成することが可能である。したがって、製造コストの大幅な上昇を抑えながら、上記の不具合を改善することができる。

また、前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりなり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりなることとしてもよい。
第１絶縁膜および第２絶縁膜の材料としては、上記のような材料を採用することができる。また、第２絶縁膜上に当該第２絶縁膜と屈折率が異なる材料からなる機能層が積層されている場合には、当該機能層と第２絶縁膜の界面、第２絶縁膜と第１絶縁膜の界面の間で干渉効果によって、カラーフィルターからの出射光を強めることができ、感度の向上を図ることが可能である。

さらに、半導体基板内において、入射光を光電変換する各色用の受光部を形成する工程と、前記各色用の受光部の上方において、色毎に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜の上方において、前記第１絶縁膜と屈折率が異なる第２絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板上における前記受光部が設けられていない領域に、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる複数のトランジスタを形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法であって、前記第１絶縁膜を形成する工程は前記トランジスタを形成する工程中に行われ、前記第１絶縁膜の膜厚は色毎に異なるように形成され、かつ、前記第１絶縁膜の各色の膜厚が各ゲート絶縁膜の何れかと同一工程で形成することとしてもよい。

すなわち、信号電荷を読み出すための回路を構成するトランジスタのうち第１の膜厚を有するゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜と同一膜厚である第１色用の第１絶縁層とを同一工程で形成し、同様にして、第２の膜厚を有するゲート絶縁膜と第２色用の第１絶縁層とを同一工程で形成する。このような製造工程を経ることで、トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程といった既存の工程と並行して第１絶縁膜の膜厚を色毎に異ならせる工程を行うことができ、別途に第１絶縁膜の膜厚を色毎に異ならせる工程を行う必要がない。したがって、製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることができる。

ここで、前記第１絶縁膜を形成する工程において、第１の色に対応する前記第１絶縁膜は、前記第１の色より短波長である第２の色に対応する前記第１絶縁膜よりも、膜厚が厚くなるように形成することとしてもよい。

また、前記第１絶縁膜を形成する工程において、波長が長い色に対応する前記第１絶縁膜から順に形成することとしてもよい。
波長の長い色に対応する第１絶縁膜（膜厚が厚い第１絶縁膜）から順に形成することで、波長の短い色に対応する第１絶縁膜から順に形成する場合と比較して、成膜誤差の影響を低減することができる。

さらに、前記複数のトランジスタにおけるゲート電極の側面に、前記第２絶縁膜と同一材料からなる層を含むサイドウォールスペーサを形成する工程を含み、当該サイドウォールスペーサを形成する工程における、前記第２絶縁膜と同一材料からなる層を形成する工程は、前記第２絶縁膜を形成する工程と同一工程で行われることとしてもよい。

サイドウォールスペーサを設けることで、製造工程中のセルフアラインにおけるマスクとして用いることができる。また、サイドウォールスペーサを構成するいずれかの層と第２絶縁膜は同一工程で形成するので、製造コスト上昇を抑えることも可能である。

さらに、前記第１絶縁膜を形成する工程と前記第２絶縁膜を形成する工程の間に中間層を形成する工程を含み、当該中間層を形成する工程において、さらに、前記サイドウォールスペーサの側面と前記第２絶縁膜と同一材料からなる層である第１層の形成が予定された領域の間に、前記中間層と同一材料からなる第２層を前記中間層と同一工程で形成することとしてもよい。

このような構成により、あらかじめ決められたゲート絶縁膜の膜厚を第１絶縁膜と対応させたために起こる不具合、ならびに第２絶縁膜とサイドウォールスペーサの膜厚を同一膜厚としたために起こる不具合を改善することが可能な固体撮像装置を製造することができ。また、中間層と第２層を同一工程で形成するので、製造コストの大幅な上昇を抑えることもできる。

また、前記第１絶縁膜をシリコン酸化膜で形成し、前記第２絶縁膜をシリコン窒化膜で形成することとしてもよい。
上記のような材料を用いて第１絶縁膜および第２絶縁膜を形成することができる。また、第２絶縁膜上に当該第２絶縁膜と屈折率が異なる材料からなる機能層をさらに積層する場合には、当該機能層と第２絶縁膜の界面、第２絶縁膜と第１絶縁膜の界面の間で干渉効果によって、カラーフィルターからの出射光を強めることができ、感度の向上を図ることが可能である。

第１の実施形態に係る固体撮像装置の一部構成を示す概略正面図である。 第１の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面図である。 第１の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面図である。 第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂおよびゲート絶縁膜１０、１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの形成工程の一例を示す図である。 第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂおよびゲート絶縁膜１０、１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの形成工程の一例を示す図である。 第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造工程の一例を示す図である。 第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造工程の一例を示す図である。 第２の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面図である。 第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造工程の一例を示す図である。 従来の固体撮像装置に係る要部断面図を示す図である。 従来の固体撮像装置に係る要部断面図を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら説明する。
［第１の実施形態］
≪構造≫
図１は、第１の実施形態に係る固体撮像装置の一部構成を示す概略正面図である。固体撮像装置１は、半導体基板上に配置された撮像領域２と、同一の半導体基板上における撮像領域２の周辺に配置された周辺回路領域３よりなる。

撮像領域２は、ＣＭＯＳセンサからなる複数の単位画素４が行方向（左右方向）と列方向（上下方向）に複数、行列状に配列されてなる画素アレイが形成された領域であり、単位画素４毎に入射光を光電変換して画素信号を生成する。

周辺回路領域３は、撮像領域２で生成した画素信号を読み出すための回路や信号電荷読み出し後の信号処理を行う回路等が形成されている領域であり、垂直走査回路、列読み出し回路、水平走査回路、タイミング制御部、出力回路を有する。

垂直走査回路は、水平信号線Ｌ１〜Ｌｎを制御して、各行を順次選択し、選択した行の各単位画素４の画素信号を読み出す。読み出された各単位画素４の画素信号は、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬｎを介して列読み出し回路に送られる。

列読み出し回路は、水平走査回路の制御に基づき、選択行の各単位画素４から送られてくる画素信号を画素単位で順次、出力回路に出力する。
タイミング制御部は、垂直走査回路、水平走査回路、列読み出し回路を駆動させるための信号を各回路に供給する。

出力回路は、列読み出し回路から送られてくる画素信号を後段に出力する。
次に、図２、３を用いて第１の実施形態に係る固体撮像装置１の概略断面図について説明する。まず、図２で概略断面図の概観を説明し、その後、図３で特徴部分を詳細に説明する。図２、３において、図面左側が撮像領域２、右側が周辺回路領域３である。

〈断面図の概観（図２）〉
本実施形態に係る固体撮像装置は、大まかには、半導体基板６、透明平坦化膜５、カラーフィルター２３、２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂおよびマイクロレンズ２２が順に積層されてなる。

半導体基板６はｎ型シリコン基板であり、受光部２４Ｒ、２４Ｂ、２４Ｇ等が形成される基材となるものである。透明平坦化膜５は、半導体基板６上に配設されたトランジスタや多層配線等により生じる表面段差を平坦に調整するために設けられており、透明度の高い材料で構成されている。なお、簡略化のため、図２では配線や層間膜を省略している。マイクロレンズ２２は、撮像領域２に入射した光を集光するレンズであり、カラーフィルター２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂは特定波長域の光を透過させることにより、マイクロレンズ２２で集光した光をＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の光に分光する。カラーフィルター２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂで分離された各色の光は、後述する受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂにそれぞれ入射する。以下、参照番号の後部に付したＲ、Ｇ、Ｂは、各々赤色、緑色、青色に対応する。

（１）撮像領域２
図２に示す撮像領域２は、４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの３単位画素分の撮像領域の断面図である。４Ｒ、４Ｇ、４ＢはそれぞれＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の画素信号を生成する単位画素に相当する。

半導体基板６内には、深いｐ型ウェル８が形成されており、このｐ型ウェル８の上部には、ｎ型拡散層からなる赤色に対応する受光部２４Ｒ、緑色に対応する受光部２４Ｇ、青色に対応する受光部２４Ｂが色毎に形成されている。

半導体基板６の内部ならびに当該基板上方の所定領域にかけて、受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂで発生した信号電荷を垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬｎに転送するための転送トランジスタＴｒＲ、ＴｒＧ、ＴｒＢが形成されている。半導体基板６上における受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂに隣接して、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１０が設けられており、このゲート絶縁膜１０を介して、ポリシリコンからなるゲート電極１１が形成されている。ゲート絶縁膜１０およびゲート電極１１の側面には、シリコン窒化膜からなるサイドウォールスペーサ１５が形成されている。このサイドウォールスペーサ１５は、製造工程におけるセルフアラインのマスクとして用いられるものである。

ゲート電極１１の下方領域における半導体基板６には、低濃度不純物拡散層１２および浮遊拡散層９が形成されている。各単位画素に含まれる受光部２４Ｒ、低濃度不純物拡散層１２、浮遊拡散層９と、隣接する単位画素に含まれるこれらとの間は、絶縁材料からなる素子分離領域７によって区画分離されている。

なお、転送トランジスタＴｒＲ、ＴｒＧ、ＴｒＢのゲート絶縁膜１０は１０〜２０ｎｍの膜厚で形成されていることが望ましい。なぜなら、このような構成により、各転送トランジスタのゲート電極１１の形成時、例えば、ドライエッチングを利用した場合に素子分離領域７や半導体基板６の表面が受けるエッチングによる侵食やプラズマダメージを抑制すること、ならびに、ゲート電極１１の形成後の洗浄工程等において、撮像領域に傷がつくことによる不要な金属不純物の取り込みを防ぎ、白キズや暗電流の増加を抑制することも可能であるからである。一例として、本実施形態ではゲート絶縁膜１０の膜厚を１０ｎｍとしている。

（２）周辺回路領域３
図２に示すように、周辺回路領域３は半導体基板６における受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂが設けられていない領域に相当する。周辺回路領域３の上方には、いずれかの色に対応するカラーフィルター２３が撮像領域２から延設されている。半導体基板６の内部ならびに当該基板上方の所定領域にかけて形成されたトランジスタ１６ｒ、１６ｇ、１６ｂは、周辺回路領域３を構成するトランジスタであり、例えば、トランジスタ１６ｒ、１６ｇ、１６ｂはそれぞれ、３．３Ｖ系Ｉ／Ｏ用ＭＯＳトランジスタ、３．３Ｖ系ＤＭＯＳ容量、１．２Ｖ系ＭＯＳトランジスタ等である。

トランジスタ１６ｒはゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７ｒ、サイドウォールスペーサ１５から構成されており、トランジスタ１６ｇ（もしくは１６ｇ）も同様に、対応するゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７ｇ（もしくは１７ｂ）、サイドウォールスペーサ１５から構成されている。ここで、ゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂはそれぞれ、対応するトランジスタの駆動電圧、耐圧等によって膜厚が異なるように形成されている。一例として、本実施形態ではゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの順に１０ｎｍ、７ｎｍ、３ｎｍの膜厚としている。

半導体基板６内におけるゲート電極１８の下方領域には、低濃度不純物拡散層１９、上記トランジスタのソース拡散層２０およびドレイン拡散層２１が形成されており、トランジスタ１６ｒ、１６ｇ、１６ｂはそれぞれ、素子分離領域７により区画分離されている。

単位画素４Ｒに注目すると、半導体基板６上において、素子分離領域７から受光部２４Ｒにわたってシリコン酸化膜からなる第１絶縁膜１３Ｒが形成されている。さらにその上方には、ゲート電極１１上にかけてシリコン窒化膜からなる第２絶縁膜１４が形成されている。つまり、カラーフィルター２３Ｒ（図２）から出射した光は、透明平坦化膜５（図２）、第２絶縁膜１４、第１絶縁膜１３Ｒを透過して受光部２４Ｒに入射することとなる。

シリコン酸化膜からなる透明平坦化膜５と第２絶縁膜１４は屈折率が異なっており、第２絶縁膜１４と第１絶縁膜１３Ｒは屈折率が異なっている。このような構成によれば、カラーフィルター２３Ｒを透過した入射光を、透明平坦化膜５と第２絶縁膜１４との界面、および第２絶縁膜１４と第１絶縁膜１３Ｒとの界面の間での干渉効果によって強めることができる。これにより、受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂまで到達する入射光の強度向上を図ることができる。

〈断面図の特徴部分（図３）〉
図３は、図２から本実施形態の特徴部分を取り出した図である。
単位画素４Ｇ、４Ｂにおいても基本的には単位画素４Ｒと同様の構成となっているが、第１絶縁膜１３Ｇ、１３Ｂのみが異なる。具体的には、図３に示すように、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは色毎に異なる膜厚となるように形成されており、第１絶縁膜１３ＲがＬ_Ｒの膜厚で、第１絶縁膜１３ＧがＬ_Ｇの膜厚で、第１絶縁膜１３ＢがＬ_Ｂの膜厚でそれぞれ形成されている。また、波長が長い色に対応する第１絶縁膜ほど膜厚が厚く形成されており、膜厚はＬ_Ｒ＞Ｌ_Ｇ＞Ｌ_Ｂの順で厚くなる。光の波長が長波長であるほど、その光が第１絶縁膜中を進む距離は長いため、第１絶縁膜を透過して受光部に到達する入射光の強度は強い。したがって、波長が長い色に対応する第１絶縁膜ほど膜厚を厚く形成することにより、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることができる。なお、図３では、例えば、Ｌ_Ｒを１０ｎｍ、Ｌ_Ｇを７ｎｍ、Ｌ_Ｂを３ｎｍとしている。

さらに、本実施形態においては、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚がゲート絶縁膜の膜厚の何れかと１対１対応の関係で一致していることを特徴としている。すなわち、第１絶縁膜１３Ｒとゲート絶縁膜１７ｒは同一膜厚（Ｌ_Ｒ）で形成されており、これと同様に、第１絶縁膜１３Ｇとゲート絶縁膜１７ｇも同一膜厚（Ｌ_Ｇ）で、第１絶縁膜１３Ｂとゲート絶縁膜１７ｂも同一膜厚（Ｌ_Ｂ）で形成されている。そのため、製造方法の項で詳細を説明するように、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと対応するゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂは同一工程で形成することが可能となっている。なお、言うまでもなく、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂとゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂは同一工程で形成されているものであるので、膜厚だけでなく材料も同一である。

特許文献３の図３に開示されている製造方法によれば、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚を異ならせるために、既存の工程に加えて新たにリソグラフィー工程、エッチング工程、成膜工程を経る必要があり、製造コストの上昇が避けられなかった。しかし、本実施形態のように、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂを、対応するゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの形成と同一工程で行うことで、既存の工程のみで第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂを色毎に異ならせることが可能となっている。

色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけるように、第１絶縁膜とゲート絶縁膜対応させる方法としては、例えば、入射光の強度を均一に近づけるために望ましい第１絶縁膜１３Ｒ、第１絶縁膜１３Ｇ、第１絶縁膜１３Ｂ間の膜厚の比を決定した後、ゲート絶縁膜は、対応するトランジスタの駆動電圧や使用目的毎にあらかじめ膜厚が決められており、それらの膜厚の中から、上記で決定した比に最も近くなるように、第１絶縁膜と対応させる３種の膜厚を選択する方法がある。

また、前述したように、ゲート絶縁膜１０はシリコン酸化膜からなり、その膜厚は１０ｎｍである。したがって、ゲート絶縁膜１０と第１絶縁膜１３Ｒは、同一材料かつ同一膜厚で形成されていることとなる。このような構成にすることによって、製造方法の項で詳細を述べるように、ゲート絶縁膜１０と第１絶縁膜１３Ｒを同一工程で形成することが可能である。

さらに、第２絶縁膜１４とサイドウォールスペーサ１５（撮像領域２、周辺回路領域３ともに）は、同一材料かつ同一膜厚で形成されている。このような構成にすることによって、製造方法の項で詳細を述べるように、第２絶縁膜１４とサイドウォールスペーサ１５を同一工程で形成することが可能である。

≪製造方法≫
次に、本実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法について説明する。
半導体基板６に形成する素子分離領域７は公知の方法で形成されており、ここではその具体的な説明は省略する。

（第１絶縁膜およびゲート絶縁膜形成）
図４、５を用いて第１絶縁膜およびゲート絶縁膜を形成する工程の詳細をについて説明する。先ず、図４を用いて方法１について説明した後、図５を用いて方法２について説明する。

・方法１
図４（ａ）において、素子分離領域７が形成された半導体基板６上に、例えば膜厚１５ｎｍの保護酸化膜２９を成膜する。受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂおよびｐ型ウェル８は保護酸化膜２９上からのイオン注入により形成される（図４（ａ））。

受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂおよびｐ型ウェル８を形成した後、保護酸化膜２９をウェットエッチングにより除去する（図４（ｂ））。
次に、半導体基板６上における所定の領域に、熱酸化法に基づき膜厚Ｌ_Ｒのシリコン酸化膜３１を形成する（図４（ｃ））。この１回目の熱酸化工程により、第１絶縁膜１３Ｒ、ゲート絶縁膜１０、ゲート絶縁膜１７ｒが同一工程で形成される。

続いて、図４（ｄ）に示すような所定の開口を有するレジスト膜３０を形成する。その後、ウェットエッチングを行い、受光部２４Ｇ上およびトランジスタ１６ｇ配設予定領域に形成されたシリコン酸化膜３１を除去する（図４（ｄ））。

次に、図４（ｄ）で形成したレジスト膜３０を除去した後に、受光部２４Ｇ上およびトランジスタ１６ｇ配設予定領域に、熱酸化法に基づき膜厚Ｌ_Ｇのシリコン酸化膜を形成する（図４（ｅ））。この２回目の熱酸化工程により、第１絶縁膜１３Ｇおよびゲート絶縁膜１７ｇが同一工程で形成される。図４（ｅ）の熱酸化において、第１絶縁膜１３Ｒ、ゲート絶縁膜１０、ゲート絶縁膜１７ｒも僅かに膜厚が増加するが、この増加分はこれらの膜の厚さに比して充分に小さく、無視できる程度である。

続いて、図４（ｆ）に示すような所定の開口を有するレジスト膜３０を形成する。その後、ウェットエッチングを行い、受光部２４Ｂ上およびトランジスタ１６ｂ配設予定領域に形成されたシリコン酸化膜３１を除去する（図４（ｆ））。

そして、図４（ｆ）で形成したレジスト膜３０を除去した後に、受光部２４Ｂ上およびトランジスタ１６ｂ配設予定領域に、熱酸化法に基づき膜厚Ｌ_Ｂのシリコン酸化膜を形成する（図４（ｇ））。この３回目の熱酸化工程により、第１絶縁膜１３Ｂおよびゲート絶縁膜１７ｂが同一工程で形成される。図４（ｇ）の熱酸化において、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、ゲート絶縁膜１０、ゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇも僅かに膜厚が増加するが、この増加分はこれらの膜の厚さに比して充分に小さく、無視できる程度である。

・方法２
図５を用いて、方法２について説明する。なお、方法１と相違する工程は、図５（ｂ）、（ｃ）である。

まず、方法１と同様に、素子分離領域７が形成された半導体基板６上に、例えば膜厚１５ｎｍの保護酸化膜２９を成膜する（図５（ａ））。
次に、第１絶縁膜１３Ｇ、トランジスタ１６ｇ配設予定領域にレジスト膜３０を形成し、この他の領域に形成されている保護酸化膜２９をウェットエッチングにより除去する（図５（ｂ））。

続いて、図５（ｂ）で形成したレジスト膜３０を除去した後に、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｂ、ゲート絶縁膜１０、トランジスタ１６ｒ、１６ｂ配設予定領域に、熱酸化法に基づき膜厚Ｌ_Ｒのシリコン酸化膜３１を形成する（図５（ｃ））。この１回目の熱酸化工程により、第１絶縁膜１３Ｒ、ゲート絶縁膜１０、ゲート絶縁膜１７ｒが同一工程で形成される。

以後の工程は方法１と同様であるので、説明を省略する。
また、図４、５で説明したように、膜厚の厚い第１絶縁膜（波長の長い色に対応する第１絶縁膜）から順に形成していくことが望ましい。このことについて、以下に説明する。

（１）薄い膜厚の第１絶縁膜から順に形成した場合には、第１絶縁膜１３Ｂは、１回目の熱酸化とは別に、２回目と３回目の熱酸化工程を余分に経ることとなるため、２回目の熱酸化による微増分をαｎｍ、３回目の熱酸化による微増分をβｎｍとすると、実際に完成する第１絶縁膜１３Ｂの膜厚は（３＋α＋β）ｎｍとなる。同様に、第１絶縁膜１３Ｇは３回目の熱酸化工程を余分に経るため、実際に完成する第１絶縁膜１３Ｇの膜厚は（７＋β）ｎｍとなる。最後に形成する第１絶縁膜１３Ｒは１０ｎｍの膜厚となる。

一方、（２）厚い膜厚の第１絶縁膜から順に形成した場合（本実施形態）には、第１絶縁膜１３Ｒは２回目（図４（ｅ））と３回目（図４（ｇ））の熱酸化工程を余分に経ているため、実際に完成する第１絶縁膜１３Ｒの膜厚は（１０＋α＋β）ｎｍとなる。同様に、第１絶縁膜１３Ｇは３回目の熱酸化工程を余分に経ているため、実際に完成する第１絶縁膜１３Ｇの膜厚は（７＋β）ｎｍとなる。最後に形成する第１絶縁膜１３Ｂは３ｎｍの膜厚となる。

（１）と（２）を比較すると、最終的な第１絶縁膜１３Ｇの膜厚は略同一であるが、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｂ膜厚は異なってくる。特に、（１）における第１絶縁膜１３Ｂの膜厚（３＋α＋β）と、（２）における第１絶縁膜１３Ｒの膜厚（１０＋α＋β）を比較した場合に、微増分の（α＋β）がより膜厚の大きい第１絶縁膜１３Ｒに上乗せされている（２）の方が、この微増分の影響を受けにくいと言える。したがって、本実施形態では（２）を採用し、膜厚を厚くする第１絶縁膜（波長の長い色に対応する第１絶縁膜）から順に形成している。

（ゲート電極１１、１８形成以降の工程）
ゲート電極１１、１８を形成する工程以降を、図６、７を参照しながら説明する。
図４（ｇ）（もしくは図５（ｇ））の工程を終えた半導体基板６上に、減圧ＣＶＤ法に基づき膜厚２００ｎｍのポリシリコン膜をパターニングすることにより、ゲート電極１１、１８を形成する（図６（ａ））。

次に、ゲート電極１１、１８の形成を終えた半導体基板６上に、図６（ｂ）に示すような所定の開口を有するレジスト膜３０を形成する。レジスト膜３０をマスクとして用いて燐（Ｐ）イオンを注入することにより、低濃度不純物拡散層１２、１９を形成する（図６（ｃ））。ここで、燐イオンを用いたイオン注入は、例えば加速エネルギーが４５ｋｅＶであり、かつ、注入ドーズ量が５×１０^１２ｃｍ^−２程度の条件下で行うことができる。

図６（ｂ）で形成したレジスト膜３０を除去し（図６（ｄ））、その後、撮像領域２および周辺回路領域３の全面にわたって、減圧ＣＶＤ法に基づき、シリコン窒化膜３２（例えば、膜厚６０ｎｍ程度）を堆積させる（図７（ａ））。このシリコン窒化膜３２は将来的にサイドウォールスペーサ１５となる膜であるため、この膜厚としては、トランジスタの電気特性を最適化するために必要な膜厚が選択される。また、このシリコン窒化膜３２は将来的に第２絶縁膜１４となる膜でもあるため、後述するように、緻密で安定した膜質で、かつ、高い透明性を有するように形成されていることが必要であり、そのため減圧ＣＶＤ法によって形成することが望ましい。

続いて、シリコン窒化膜３２の堆積を終えた半導体基板６上に、図７（ｂ）に示すような所定の開口を有するレジスト膜３０を形成する。このレジスト膜３０をマスクとして、異方性ドライエッチングを行うことにより、シリコン窒化膜３２をエッチング除去する。これにより、シリコン窒化膜からなる第２絶縁膜１４およびサイドウォールスペーサ１５を形成することができる（図７（ｂ））。

ここで、第２絶縁膜１４は、製造工程中に使用される薬剤、薬液を用いた洗浄等から受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂを保護し、膜減りや膜質劣化の影響を抑える機能も有する。したがって、第２絶縁膜１４は緻密で安定した膜質であることが必要であり、これを実現できるように、第２絶縁膜１４は減圧ＣＶＤ法によって形成することが望ましい。さらに、前述のように装置完成後においては、第２絶縁膜１４は入射光が透過する部分となるため、高い透明性を確保することが要求される。

続いて、図７（ｂ）で形成したレジスト膜３０、ゲート電極１１、１８、サイドウォールスペーサ１５をマスクとして、砒素（Ａｓ）イオンのイオン注入を行うことにより、浮遊拡散層９、ソース拡散層２０及びドレイン拡散層２１を形成する（図７（ｃ））。このとき、砒素イオンのイオン注入は、例えば加速エネルギーが５０ｋｅＶであり、かつ、注入ドーズ量が２×１０^１５ｃｍ^−２程度の条件下で行うことができる。その後、レジスト膜３０を除去することにより、図３に示した固体撮像装置が形成される（図７（ｄ））。

以上説明したように、第１の実施形態に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、既存のＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合であっても、工程数を増加させることなく第１絶縁膜の膜厚を色毎に変えることができる。このため、製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることが可能である。また、本実施形態における製造方法によれば、第１絶縁膜の膜厚調整を追加のエッチングにより行わないため、撮像領域に傷がつくことによる不要な金属不純物の取り込みを防ぎ、白キズや暗電流の増加を抑制することも可能である。

［第２の実施形態］
≪構造≫
図８を用いて、第２の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。

図８は第２の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面図である。第１の実施形態（図３）との違いは、第１絶縁膜１３Ｒと第２絶縁膜１４との間に中間層２８を設けた点、ならびにサイドウォールスペーサ１５Ａを第１層１５ｂと第２層１５ａからなる二層構造とした点である。なお、中間層２８は第１絶縁膜１３Ｇと第２絶縁膜１４との間、第１絶縁膜１３Ｂと第２絶縁膜１４との間にも同様に設けられている。

中間層２８と第２層１５ａはともにシリコン酸化膜から構成され、かつ同一膜厚で形成されている。したがって、製造工程の項で説明するように、中間層２８と第２層１５ａは同一工程で形成することが可能である。一方、また、第１層１５ｂはシリコン窒化膜から構成されており、第２絶縁膜１４と同一膜厚で形成されている。したがって、第１層１５ｂと第２絶縁膜１４も同一工程で形成することが可能である。

次に、中間層２８を設ける理由およびサイドウォールスペーサを二層構造とする理由について説明する。
第１の実施形態に係る固体撮像装置においては、ゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｇは、対応するトランジスタの駆動電圧や使用目的毎に膜厚が決められている。そのため、あらかじめ決められた膜厚の中から第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと対応させる膜厚を選択すると、第２絶縁膜１４の膜厚との組み合わせによっては、所望の干渉効果が得られない場合がある。

また、第１の実施形態においては、サイドウォールスペーサ１５と第２絶縁膜１４はともに同一材料（シリコン窒化膜）かつ同一膜厚で形成されているが、サイドウォールスペーサ１５の膜厚要望を優先してこれらの膜を成膜した場合、第２絶縁膜１４が必要以上に厚く成膜されてしまう。そのため、第２絶縁膜１４の膜応力（ストレス）により撮像領域２の半導体基板６に結晶欠陥が発生し、白キズや暗電流が増加する場合がある。

本実施形態の中間層２８は上記の問題を解決するために設けられており、この中間層２８により、所望の干渉効果が得られるようにシリコン酸化膜の膜厚を調整することができる。さらに、サイドウォールスペーサ１５Ａおよび第２絶縁膜１４を構成するシリコン窒化膜の膜厚を、第２絶縁膜１４の膜厚要望を優先した膜厚とし、この膜厚とサイドウォールスペーサ１５Ａの機能を果たすのに必要な膜厚の差分を、シリコン酸化膜で膜厚を調整することができる。この場合、シリコン酸化膜はシリコン窒化膜よりも内部応力が小さいため、シリコン窒化膜で膜厚を調整した場合と比較して、撮像領域２の半導体基板６に対する膜応力を低減し、その結果、白キズや暗電流の発生を抑えることができる。

≪製造方法≫
次に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
第１の実施形態と異なる工程は、図７（ａ）に対応する工程以降である。これより前の工程の具体的な説明は省略する。

まず、図４（ａ）（もしくは図５（ａ））〜図６（ｄ）で示した工程にしたがって、低濃度不純物拡散層１９までを形成する。
低濃度不純物拡散層１９までの形成を終えた半導体基板６の全面にわたって、減圧ＣＶＤ法に基づきシリコン酸化膜３３（例えば、膜厚２０ｎｍ程度）を堆積した後、同手法に基づきシリコン窒化膜３２（例えば、膜厚６０ｎｍ程度）を堆積させる（図９（ａ））。シリコン酸化膜３３は将来的に中間層２８ならびにサイドウォールスペーサの第２層１５ａとなる膜であり、このシリコン酸化膜３３の膜厚としては、トランジスタの電気特性を調整するために必要な膜厚が選択される。一方、このシリコン窒化膜３２は将来的に第２絶縁膜１４となる膜であるため、第１の実施形態と同様に緻密で安定した膜質で、かつ、高い透明性を有するように形成されていることが必要であり、そのため減圧ＣＶＤ法によって形成されることが望ましい。

続いて、シリコン窒化膜３２の堆積を終えた半導体基板６上に、図９（ｂ）に示すような所定の開口を有するレジスト膜３０を形成する。このレジスト膜３０をマスクとして、異方性ドライエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜３３およびシリコン窒化膜３２をエッチング除去する。これにより、シリコン酸化膜からなる中間層２８および第２層１５ａを同一工程で形成するとともに、シリコン窒化膜からなる第２絶縁膜１４および第１層１５ｂを同一工程で形成することができる（図９（ｂ））。

続いて、図９（ｂ）で形成したレジスト膜３０、ゲート電極１１、１８、サイドウォールスペーサ１５Ａをマスクとして、砒素（Ａｓ）イオンのイオン注入を行うことにより、浮遊拡散層９、ソース拡散層２０、ドレイン拡散層２１を形成する（図９（ｃ））。このとき、砒素イオンのイオン注入は、例えば加速エネルギーが５０ｋｅＶであり、かつ、注入ドーズ量が２×１０^１５ｃｍ^−２程度の条件下で行うことができる。その後、レジスト膜３０を除去することにより、図８に示した構造を有する固体撮像装置が形成される（図９（ｄ））。

以上説明したように、第２の実施形態に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、既存のＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合においても、中間層２８および第２層１５ａを成膜する工程のみを追加するだけで、大幅に製造コストを上げることなく、あらかじめ決められたゲート絶縁膜の膜厚を第１絶縁膜と対応させたために起こる不具合、ならびに第２絶縁膜とサイドウォールスペーサの膜厚を同一膜厚としたために起こる不具合を改善することができる。

［その他］
（１）上記実施形態では、１画素１セルの構成を有する固体撮像装置の場合を例に説明したが、複数の画素で転送トランジスタ、浮遊拡散層等を共有する多画素１セルの構成を有する場合であっても、上述と同様の効果を得ることができる。

（２）上記実施形態では、サイドウォールスペーサに用いるシリコン窒化膜を第２絶縁膜として使用しているが、配線のライナー膜に用いるシリコン窒化膜を第２絶縁膜として使用してもよい。また、シリコン窒化膜よりも屈折率の高いチタン酸化膜、ニオブ酸化膜、タンタル酸化膜、ジルコニウム酸化膜、インジウム酸化膜、セリウム酸化膜、ハフニウム酸化膜、モリブデン酸化膜、スズ酸化膜等を成膜し、第２絶縁膜として使用することもできる。

（３）第２実施形態においては、中間層２８は全色の第１絶縁膜上に共通して形成されていたが、本発明はこれに限られず、中間層２８を形成しない色があってもよい。例えば、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ上には中間層２８を形成するが、第１絶縁膜１３Ｂ上には形成しないこととしてもよい。

（４）なお、請求項に記載の「半導体基板上における受光部が設けられていない領域」とは、信号電荷を読み出すための回路、信号電荷読み出し後の信号処理を行う回路等が形成されている領域を指す。

（５）本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく範囲内の変更を施した様々な構成が取り得る。

本発明は、例えば、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等の電子機器に好適に利用可能である。

１ 固体撮像装置
２ 撮像領域
３ 周辺回路領域
４、４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ 単位画素
５ 透明平坦化膜
６ 半導体基板
７ 素子分離領域
８ 深いｐ型ウェル
９ 浮遊拡散層
１０、１７ｒ、１７ｇ、１７ｂ ゲート絶縁膜
１１、１８ ゲート電極
１２、１９ 低濃度不純物拡散層
１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ 第１絶縁膜
１４ 第２絶縁膜
１５ サイドウォールスペーサ
１５ａ サイドウォールスペーサの第２層
１５ｂ サイドウォールスペーサの第１層
１６ｒ、１６ｇ、１６ｂ 周辺回路領域を構成するトランジスタ
２０ ソース拡散層
２１ ドレイン拡散層
２２ マイクロレンズ
２３、２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ カラーフィルター
２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ 受光部
２８ 中間膜
２９ 保護酸化膜
３０ レジスト膜
３１ 膜厚Ｌ_Ｒｎｍのシリコン酸化膜
３２ 膜厚６０ｎｍ程度のシリコン窒化膜
３３ 膜厚２０ｎｍ程度のシリコン酸化膜
ＴｒＲ、ＴｒＧ、ＴｒＢ 転送トランジスタ
ＶＬ１、ＶＬ２、…ＶＬｎ 垂直信号線
Ｌ１、Ｌ２、…Ｌｎ 水平信号線
５１ シリコン基板
５２ Ｐウェル
５３ａ、５３ｂ 受光部
５４ 垂直転送部
５５ 絶縁膜
５６ 転送電極
５７ 遮光膜
５８、５８ａ、５８ｂ パッシベーション膜
５９ 透明平坦化膜
６０ａ、６０ｂ カラーフィルター
６１ マイクロレンズ

Claims (11)

1. 色毎に形成されたカラーフィルターと、
   半導体基板内に色毎に形成され、前記カラーフィルターを透過した光を光電変換する各色用の受光部と、
   前記各色用の受光部の上方に色毎に形成された第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜の上方に形成され、前記第１絶縁膜と屈折率が異なる第２絶縁膜と、
   前記半導体基板上における前記受光部が設けられていない領域に形成され、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる複数のトランジスタと、
   を備える固体撮像装置であって、
   前記第１絶縁膜の膜厚が色毎に異なるとともに、前記第１絶縁膜の各色の膜厚が前記ゲート絶縁膜の膜厚の何れかと１対１対応の関係で一致している
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 第１の色に対応する前記第１絶縁膜は、前記第１の色より短波長である第２の色に対応する前記第１絶縁膜よりも、膜厚が厚いことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. さらに、前記複数のトランジスタにおけるゲート電極の側面に形成されたサイドウォールスペーサを含み、
   前記サイドウォールスペーサを構成するいずれかの層は、前記第２絶縁膜と同一膜厚であり、かつ、同一材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜２のうちの何れか１項に記載の固体撮像装置。
4. さらに、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜の間に形成された中間層と、
   前記サイドウォールスペーサの側面と前記いずれかの層である第１層の間に形成され、前記中間層と同一膜厚であり、かつ、同一材料である第２層と、
   を含むことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
5. 前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりなり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりなることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の固体撮像装置。
6. 半導体基板内において、入射光を光電変換する各色用の受光部を形成する工程と、
   前記各色用の受光部の上方において、色毎に第１絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１絶縁膜の上方において、前記第１絶縁膜と屈折率が異なる第２絶縁膜を形成する工程と、
   前記半導体基板上における前記受光部が設けられていない領域に、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる複数のトランジスタを形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法であって、
   前記第１絶縁膜を形成する工程は前記トランジスタを形成する工程中に行われ、
   前記第１絶縁膜の膜厚は色毎に異なるように形成され、かつ、前記第１絶縁膜の各色の膜厚が各ゲート絶縁膜の何れかと同一工程で形成する
   ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
7. 前記第１絶縁膜を形成する工程において、
   第１の色に対応する前記第１絶縁膜は、前記第１の色より短波長である第２の色に対応する前記第１絶縁膜よりも、膜厚が厚くなるように形成することを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
8. 前記第１絶縁膜を形成する工程において、
   波長が長い色に対応する前記第１絶縁膜から順に形成することを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
9. さらに、前記複数のトランジスタにおけるゲート電極の側面に、前記第２絶縁膜と同一材料からなる層を含むサイドウォールスペーサを形成する工程を含み、
   当該サイドウォールスペーサを形成する工程における、前記第２絶縁膜と同一材料からなる層を形成する工程は、前記第２絶縁膜を形成する工程と同一工程で行われる
   ことを特徴とする請求項６〜８に記載の固体撮像装置の製造方法。
10. さらに、前記第１絶縁膜を形成する工程と前記第２絶縁膜を形成する工程の間に中間層を形成する工程を含み、
    当該中間層を形成する工程において、さらに、前記サイドウォールスペーサの側面と前記第２絶縁膜と同一材料からなる層である第１層の形成が予定された領域の間に、前記中間層と同一材料からなる第２層を前記中間層と同一工程で形成する
    ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
11. 前記第１絶縁膜をシリコン酸化膜で形成し、前記第２絶縁膜をシリコン窒化膜で形成することを特徴とする請求項６〜１０のうちの何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。

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