JP2011524986A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 試料から生成される電子を検出するステップと、
   前記検出された電子に基づいて第１画像を生成するステップと、
   前記第１画像に基づく前記試料の一領域から散乱された第１の複数のイオンの存在量を検出するステップと、
   前記試料から散乱される第２の複数のイオンを、該第２の複数のイオンのエネルギーに基づいて検出するステップと、
   を含む方法。
2. 前記第１の複数のイオンの検出された存在量に基づいて、前記試料の第２画像を生成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記第２の複数のイオンを検出する前記試料の領域は、前記第２画像に基づくことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記第２の複数のイオンが検出される前記試料の前記領域は、前記第１画像にも基づくことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
5. 前記第２の複数のイオンは前記第１の複数のイオンの後に検出されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
6. 前記電子は第１期間に検出され、前記第１の複数のイオンは、第１期間とは異なる第２期間に検出され、前記第２の複数のイオンは第３期間に検出され、
   前記第２期間は前記第１期間よりも長く、前記第３期間は前記第２期間よりも長いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
7. 前記試料から散乱する前記第２の複数のイオンは、前記第２の複数のイオンの角度に基づいて検出されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
8. 試料を収容するように構成されたハウジングと、
   前記ハウジング内の荷電粒子源と、
   前記試料にて生成された電子を検出するように構成された、前記ハウジング内のエバーハート−ソーンリー検出器と、
   前記試料から散乱されたイオンの存在量を検出するように構成された、前記ハウジング内のマイクロチャンネルプレート検出器と、
   前記イオンのエネルギーに基づいて前記試料から散乱されたイオンを検出するように構成された、前記ハウジング内のソリッドステート検出器と、
   を備えるシステム。
9. 電子源をさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載のシステム。
10. 前記ソリッドステート検出器は、
    導電性層と、
    不活性領域と、
    検出領域と、
    を有し、
    前記不活性領域は、前記導電性層と前記検出領域との間に存在し、
    前記導電性層の厚さは最大２５ｎｍであるか、又は、
    前記導電性層はメッシュ又はグリッドとして構成される
    ことを特徴とする、請求項８に記載のシステム。
11. 前記導電性層の厚さは、少なくとも１ｎｍであることを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
12. 前記不活性領域はドープされた半導体を含むことを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
13. 前記不活性領域はドープされたシリコンを含み、前記検出領域はシリコンを含むことを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
14. 前記不活性領域の厚さは最大２５ｎｍであることを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
15. 荷電粒子および試料を相互作用させて電子を生成させるステップと、
    第１期間に、前記電子を検出するステップと、
    前記検出された電子に基づいて第１画像を生成するステップと、
    前記電子を検出した後に、第２期間に、前記試料から散乱される第１の複数のイオンの存在量を検出するステップと、
    前記散乱された第１の複数のイオンに基づいて第２画像を生成するステップと、
    前記散乱された第１の複数のイオンを検出した後に、第３期間に、前記試料から散乱された第２の複数のイオンを、該第２の複数のイオンのエネルギーに基づいて検出するステップと、を含み、
    前記第２期間は前記第１期間よりも長く、前記第３期間は前記第２期間よりも長いことを特徴とする、方法。
16. 前記荷電粒子はイオンを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
17. 前記荷電粒子はガス電界電離イオン源によって生成されたイオンを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
18. 前記荷電粒子は電子を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
19. 前記第１の複数のイオンが検出される前記試料の一領域は、前記第１画像に基づき、前記第２の複数のイオンが検出される前記試料の一領域は、前記第２画像に基づくことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
20. 前記第２の複数のイオンが検出される前記試料の前記領域は、前記第１画像にも基づくことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。