JP2011512517A - アドレス可能な磁気トンネル接合アレイを用いて磁性粒子を検出する装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この磁気センサは、基板に結合した微小な超磁性粒子を識別するためのものであり、この基板の下に形成され、規則的に直交配列された複数のMTJセルのアレイを有している。基板に垂直に粒子に付与される磁場は、MTJセルにおいて、MTJセルのフリー層の面に沿った成分を有する磁場を誘起させる。このフリー層が小さなスイッチングしきい値を有する場合、粒子の誘起磁場は、この下に位置するMTJセル群において複数の抵抗変化を生じさせる。これらの抵抗変化は、粒子の存在を示す特徴的な形態、すなわち痕跡として分布することになる。粒子の磁場がフリー層のスイッチングを発生させるには不十分である場合、例えば、困難軸方向のバイアス磁場が印加され、この磁場と誘起磁場とを組み合わせることにより、粒子の存在を判断することが可能となる。
【選択図】図7
Description
Claims (45)
- 微小な磁化粒子と結合した化学種または生物種を、前記磁化粒子により生じる特徴的な痕跡を用いて識別する磁気センサであって、
複数の種結合サイトが形成された表面を有する基板と、
前記基板表面の下に形成され、容易軸および困難軸を有するフリー層と、しきい値スイッチング磁場とをそれぞれ有する複数のMTJセルの規則的なアレイと、
前記アレイにおける前記MTJセルのそれぞれをアドレスし、前記MTJセルのそれぞれの抵抗値の変化を検出し、前記抵抗値の変化を示す信号を発生させるMTJセル選択・抵抗測定回路と、
前記規則的なアレイの2つ以上の略隣接するMTJセルにおける、セルの複数の抵抗変化間における特定の相関関係を識別する信号解析アルゴリズムと、
を備え、
前記抵抗値の変化は、前記MTJセル選択・抵抗測定回路を適用することにより検出されており、
前記相関関係は前記磁化粒子の前記痕跡であり、前記痕跡が存在することにより、前記表面に結合するとともに前記磁化粒子が結合した種の存在が示される
磁気センサ。 - 前記抵抗値の変化は、互いに逆の符号である当初の極性および最終的な極性を有する前記磁化粒子に外部磁場を付与することにより生じるものである
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記MTJセルが、それぞれ、略平面のフリー層と、フリー層スイッチング磁場とを有し、
その存在が示されている前記磁化粒子は、前記MTJセルの位置において、前記フリー層の前記平面に接する成分を有し、かつ前記スイッチング磁場の大きさと同等以上の大きさの磁場を発生させるものである
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記磁化粒子が、化学的分子または生物学的分子に結合しており、
この化学的分子または生物学的分子は、その特有の結合サイトによって前記基板の表面と結合している
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記アレイは、
均等な間隔で互いに平行に配置された複数のワード線と、これらの前記複数のワード線と直交する方向に向けられ、かつ、均等な間隔で互いに平行に配置された複数のビット線とが交差する位置に配置された複数のMTJセルからなる矩形状のアレイである
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記複数のワード線同士の間隔が、前記複数のビット線同士の間隔とほぼ同等である請求項4に記載の磁気センサ。
- 前記磁化粒子の寸法が、前記間隔とほぼ同等または前記間隔よりも大きい請求項5に記載の磁気センサ。
- 前記複数のMTJセルは、それぞれ、前記しきい値スイッチング磁場が10Oe未満であり、十分に明確な容易軸と、前記容易軸に対して略垂直である困難軸とを有する
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記信号解析アルゴリズムが、ほぼ同等の大きさ(振幅)であって互いに逆の記号を有する前記抵抗値の変化についての2つのMTJセルのクラスタの存在を探索し、
前記クラスタが、前記アレイにおけるMTJセルの困難軸に沿って配列した縦軸の周囲に横方向に配置されている
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記複数のMTJセルは、それぞれ、ピンド層と、フリー層と、前記フリー層と前記ピンド層との間に形成された絶縁層とを含む複数の水平層から形成され、
前記MTJセルが、ほぼ円形の水平断面を有するようにパターニングされている
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記フリー層の容易軸の方向が、成膜および熱処理を経た層における固有の結晶特性に由来した磁気異方性によって実質的に規定される
請求項10に記載の磁気センサ。 - 前記フリー層と前記ピンド層との間の層間結合磁場と、前記ピンド層の磁気モーメントにより生じた反磁場とが実質的に相殺し、これにより、前記容易軸が前記フリー層の磁気異方性によって定められている
請求項11に記載の磁気センサ。 - 前記MTJセルが、約10Oe未満のスイッチングしきい値を有する
請求項11に記載の磁気センサ。 - 前記困難軸の方向に沿った磁気バイアス磁場の存在をさらに含み、
前記バイアス磁場の大きさが、前記スイッチング磁場とほぼ同等または前記スイッチング磁場よりも大きく、
前記MTJセルが、それぞれ、略平面のフリー層と、フリー層スイッチング磁場とを有し、
その存在が示されている前記磁化粒子が、前記MTJセルの位置において、前記フリー層の前記平面に接する成分を有し、かつ前記スイッチング磁場の大きさ未満の磁場を発生させる
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記MTJセルのそれぞれの上面が、導電ビット線に電気的に接続され、
前記MTJセルのそれぞれの底面が、トランジスタに電気的に接続され、
これにより、直交方向に向けられたワード線を用いて前記トランジスタを作動させたのち、前記MTJセルが選択可能となり、前記MTJセルの抵抗値が測定可能となる
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記導電ビット線の厚さが、検出対象の前記磁化粒子の直径と比較して約1/4未満である
請求項15に記載の磁気センサ。 - 前記導電ビット線の上方の前記基板の厚さが、検出対象の前記磁化粒子の直径未満である請求項1に記載の磁気センサ。
- 比較器と可変基準電圧とを含む付加回路により、MTJセルの抵抗変化を判断することが可能となる請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記信号解析アルゴリズムは、
複数の磁化粒子のクラスタにおける磁化粒子の数および分布により前記複数の磁化粒子のクラスタの存在を識別可能な保存された基準を用い、単一の結合磁化粒子と前記複数の磁化粒子のクラスタとを区別する
請求項1に記載の磁気センサ。 - 化学種または生物種の結合に特有である結合サイトを有する平面基板を準備する工程と、
微小な超常磁性粒子を前記化学種または生物種に結合させる工程と、
容易軸と困難軸とを有する容易にスイッチング可能なフリー層をそれぞれ含む複数のMTJセルの規則的な直交アレイを、前記基板の下に形成する工程と、
前記基板に対して垂直である磁気モーメントを前記超常磁性粒子に誘起させ、これにより前記超常磁性粒子が、前記フリー層をスイッチングするのに十分な強度の磁場を前記フリー層に沿って誘起する工程と、
前記複数のMTJセルにおける抵抗変化の分布を判断する工程と、
前記複数のMTJセルの複数のクラスタの抵抗変化間における痕跡の相関関係を識別する工程と
を含み、
前記アレイのピッチは、前記超常磁性粒子の寸法未満または同等であり、
前記相関関係が存在することにより、前記超常磁性粒子の存在が示される
基板の表面上の化学種または生物種の存在を判断する判断方法。 - 化学種または生物種の結合に特有である結合サイトを有する平面基板を準備する工程と、
微小な超常磁性粒子を前記化学種または生物種に結合させる工程と、
容易軸と困難軸とを有する容易にスイッチング可能なフリー層をそれぞれ含む、複数のMTJセルの規則的な直交アレイを前記基板の下に形成する工程と、
前記複数のMTJセルのそれぞれの前記困難軸に沿って向けられ、前記MTJセルのスイッチング磁場よりも大きい大きさを有する磁気バイアス磁場を、前記アレイ内に付与する工程と、
前記基板に対して垂直である磁気モーメントを前記超常磁性粒子に誘起させ、これにより前記超常磁性粒子が、前記フリー層をスイッチングするのには不十分である強度の磁場を前記フリー層に沿って誘起する工程と、
前記バイアス磁場と、前記超常磁性粒子の前記誘起磁場とを組み合わせることにより、前記複数のMTJセルの磁気モーメントを変化させるのに十分な強度の磁場配位を形成するとともに、前記複数のMTJセルにおいて抵抗変化を生じさせる工程と、
前記複数のMTJセルにおける抵抗変化の分布を判断する工程と、
前記複数のMTJセルの複数のクラスタの抵抗変化間における痕跡の相関関係を識別する工程と
を含み、
前記アレイのピッチは、前記超常磁性粒子の寸法未満または同等であり、
前記相関関係が存在することにより、前記超常磁性粒子の存在が示される
基板の表面上の化学種または生物種の存在を判断する判断方法。 - 前記抵抗変化を、前記誘起磁場の極性を変化させ、前記極性の変化の前後において定められた前記複数のMTJセルにおける抵抗値を減算することにより生じさせる
請求項20に記載の判断方法。 - 前記抵抗変化を、前記誘起磁場の極性を変化させ、前記極性の変化の前後において定められた前記複数のMTJセルにおける抵抗値を減算することにより生じさせる
請求項21に記載の判断方法。 - 前記アレイは、均等な間隔で互いに平行に配置された複数のワード線と、前記複数のワード線と直交する方向に向けられ、均等な間隔で互いに平行に配置された複数のビット線とが交差する位置に配置された複数のMTJセルからなる矩形状のアレイである
請求項20に記載の判断方法。 - 前記アレイは、均等な間隔で互いに平行に配置された複数のワード線と、前記複数のワード線と直交する方向に向けられ、均等な間隔で互いに平行に配置された複数のビット線とが交差する位置に配置された複数のMTJセルからなる矩形状のアレイである
請求項21に記載の判断方法。 - 前記複数のワード線同士の間隔が、前記複数のビット線同士の間隔とほぼ同等である請求項24に記載の判断方法。
- 前記複数のワード線同士の間隔が、前記複数のビット線同士の間隔とほぼ同等である請求項25に記載の判断方法。
- 前記磁化粒子の寸法が、前記間隔とほぼ同等または前記間隔よりも大きい
請求項26に記載の判断方法。 - 前記磁化粒子の寸法が、前記間隔とほぼ同等または前記間隔よりも大きい
請求項27に記載の判断方法。 - 前記MTJセルが、それぞれ、スイッチングしきい値が10Oe未満であり、十分に明確な容易軸と、前記容易軸に対して略垂直である困難軸とを有する
請求項20に記載の判断方法。 - 前記MTJセルが、それぞれ、スイッチングしきい値が10Oe未満であり、十分に明確な容易軸と、前記容易軸に対して略垂直である困難軸とを有する
請求項21に記載の判断方法。 - 前記MTJセルが、それぞれ、複数の水平層から形成され、ピンド層と、フリー層と、前記フリー層と前記ピンド層との間に形成された絶縁層とを含み、
前記MTJセルが、ほぼ円形の水平断面を有してパターニングされている
請求項20に記載の判断方法。 - 前記MTJセルが、それぞれ、複数の水平層から形成され、ピンド層と、フリー層と、前記フリー層と前記ピンド層との間に形成された絶縁層とを含み、
前記MTJセルが、ほぼ円形の水平断面を有してパターニングされている
請求項21に記載の判断方法。 - 前記フリー層の容易軸の方向が、成膜および熱処理を経た層における固有の結晶特性に由来した磁気異方性によって実質的に規定される、請求項20に記載の判断方法。
- 前記フリー層の容易軸の方向が、成膜および熱処理を経た層における固有の結晶特性に由来した磁気異方性によって実質的に規定される
請求項21に記載の判断方法。 - 前記フリー層と前記ピンド層との間の層間結合磁場と、前記ピンド層の磁気モーメントにより生じた反磁場とが実質的に相殺し合い、これにより、前記容易軸が前記フリー層の磁気異方性によって定められている
請求項20に記載の判断方法。 - 前記フリー層と前記ピンド層との間の層間結合磁場と、前記ピンド層の磁気モーメントにより生じた反磁場とが実質的に相殺し合い、これにより、前記容易軸が前記フリー層の磁気異方性によって定められている
請求項21に記載の判断方法。 - 前記MTJセルが、約10Oe未満のスイッチングしきい値を有する
請求項20に記載の判断方法。 - 前記MTJセルが、約10Oe未満のスイッチングしきい値を有する
請求項21に記載の判断方法。 - 前記相関関係が、ほぼ同等の大きさであって互いに逆の記号を有する、前記抵抗変化についての2つのMTJセルのクラスタの存在を検出し、
前記クラスタが、前記アレイにおけるMTJセルの困難軸に沿って配列した縦軸の周囲に横方向に設けられている
請求項20に記載の判断方法。 - 前記相関関係が、ほぼ同等の大きさであって互いに逆の記号を有する、前記抵抗変化についての2つのMTJセルのクラスタの存在を検出し、
前記クラスタが、前記アレイにおけるMTJセルの困難軸に沿って配列した縦軸の周囲に横方向に設けられている
請求項21に記載の判断方法。 - 前記MTJセルのそれぞれの上面が、導電ビット線に電気的に接続され、
前記MTJセルのそれぞれの底面が、トランジスタに電気的に接続され、
これにより、直交方向に向けられたワード線を用いて前記トランジスタを作動させたのち、前記MTJセルが選択可能となり、前記MTJセルの抵抗値が測定可能となる
請求項20に記載の判断方法。 - 前記MTJセルのそれぞれの上面が、導電ビット線に電気的に接続され、
前記MTJセルのそれぞれの底面が、トランジスタに電気的に接続され、
これにより、直交方向に向けられたワード線を用いて前記トランジスタを作動させたのち、前記MTJセルが選択可能となり、前記MTJセルの抵抗値が測定可能となる
請求項21に記載の判断方法。 - 前記導電ビット線の厚さが、検出対象の前記磁化粒子の直径の約1/4未満である
請求項43に記載の判断方法。 - 前記導電ビット線の厚さが、検出対象の前記磁化粒子の直径の約1/4未満である
請求項44に記載の判断方法。
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