JP2011254117A - Method of sensing substrate, device for processing substrate, and method of processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板感知方法、基板処理装置及び基板処理方法に関するもので、より詳細には、基板の状態を感知できる基板感知方法、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate sensing method, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate sensing method, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method that can sense the state of a substrate.
液晶表示パネルの製造工程では、減圧雰囲気下で基板にエッチング、アッシング及び蒸着などの工程を行う複数の工程チャンバーを備えた多重チャンバー型の真空処理システムが使用されている。 In a manufacturing process of a liquid crystal display panel, a multi-chamber type vacuum processing system including a plurality of process chambers for performing processes such as etching, ashing, and vapor deposition on a substrate under a reduced pressure atmosphere is used.
このような真空処理システムは、基板を搬送する搬送アームを備える基板搬送機構が設置された搬送チャンバー、その周囲に設置された複数の工程チャンバー及びロードロックチャンバーを備えており、搬送チャンバー内の搬送アームによってロードロックチャンバー内の被処理基板が各工程チャンバー内に搬入されると同時に、処理完了状態の基板が各工程チャンバーから搬出される。 Such a vacuum processing system includes a transfer chamber in which a substrate transfer mechanism including a transfer arm for transferring a substrate is installed, a plurality of process chambers and a load lock chamber installed around the transfer chamber, and the transfer in the transfer chamber. The substrate to be processed in the load lock chamber is carried into each process chamber by the arm, and at the same time, the substrate in the process completed state is carried out from each process chamber.
本発明の目的は、基板の状態を迅速かつ正確に判断できる基板感知方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate sensing method capable of quickly and accurately determining the state of a substrate.
本発明の他の目的は、基板の搬入・搬出時に基板を感知できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of sensing a substrate when the substrate is carried in / out.
本発明の更に他の目的は、下記の詳細な説明及び添付された図面を通して一層明確になるだろう。 Further objects of the present invention will become more apparent through the following detailed description and the accompanying drawings.
本発明によると、基板感知方法は、基板の一側に対する感知データをセンサーから受信する段階と、前記感知データから前記基板の状態を判断する段階とを含む。 According to the present invention, a substrate sensing method includes receiving sensing data for one side of a substrate from a sensor and determining a state of the substrate from the sensing data.
前記感知データを受信する段階は、前記基板及び前記センサーのうち何れか一つを移動し、前記基板の前記一側に向かって光信号を放出する段階と、前記基板を経た前記光信号を受信する段階とを含むことができる。 Receiving the sensing data includes moving one of the substrate and the sensor to emit an optical signal toward the one side of the substrate; and receiving the optical signal through the substrate. Performing a step.
前記基板の状態を判断する段階は、前記基板の前記一側に対する受信可能な基準データの個数と前記感知データの個数を比較し、遺失データを判断する段階を含むことができる。 The step of determining the state of the board may include a step of comparing the number of receivable reference data with respect to the one side of the board and the number of the sensing data to determine missing data.
前記基板の状態を判断する段階は、前記遺失データの位置から前記基板の不良位置を判断する段階を含むことができる。 The step of determining the state of the substrate may include a step of determining a defective position of the substrate from the position of the lost data.
前記方法は、前記基準データ及び前記感知データの個数を調節し、前記基板の状態に対する正確度を調節することができる。 The method may adjust the accuracy of the state of the substrate by adjusting the number of the reference data and the sensing data.
本発明によると、基板処理装置は、基板の第１移動経路上に位置し、前記基板の第１移動経路と略平行な前記基板の一側を感知する第１センサーと、前記第１移動経路と異なる前記基板の第２移動経路上に位置し、前記基板の第２移動経路と略平行な前記基板の他側を感知する第２センサーとを含む。 According to the present invention, the substrate processing apparatus is located on the first movement path of the substrate and senses one side of the substrate substantially parallel to the first movement path of the substrate, and the first movement path. And a second sensor for sensing the other side of the substrate that is located on a second movement path of the substrate different from the second movement path of the substrate.
前記基板処理装置は、ロードロックチャンバー、工程チャンバー、及び前記ロードロックチャンバー内の前記基板を搬出して前記工程チャンバーに収納する搬送チャンバーをさらに含み、前記基板は、前記第１移動経路に沿って前記ロードロックチャンバーから前記搬送チャンバーに搬出され、前記第２移動経路に沿って前記搬送チャンバーから前記工程チャンバーに搬送される。 The substrate processing apparatus further includes a load lock chamber, a process chamber, and a transfer chamber that unloads the substrate in the load lock chamber and stores the substrate in the process chamber, and the substrate moves along the first movement path. The load is transferred from the load lock chamber to the transfer chamber and transferred from the transfer chamber to the process chamber along the second movement path.
前記基板処理装置は、ロードロックチャンバー、工程チャンバー、及び前記ロードロックチャンバー内の前記基板を搬出して前記工程チャンバーに収納する搬送チャンバーをさらに含み、前記基板は、前記第１移動経路に沿って前記工程チャンバーから前記搬送チャンバーに搬出され、前記第２移動経路に沿って前記搬送チャンバーから前記ロードロックチャンバーに搬送される。 The substrate processing apparatus further includes a load lock chamber, a process chamber, and a transfer chamber that unloads the substrate in the load lock chamber and stores the substrate in the process chamber, and the substrate moves along the first movement path. It is carried out from the process chamber to the transfer chamber, and transferred from the transfer chamber to the load lock chamber along the second movement path.
前記第１及び第２センサーは、前記第１及び第２移動経路上にそれぞれ偏心配置される。 The first and second sensors are eccentrically arranged on the first and second movement paths, respectively.
本発明によると、第１移動経路に沿って移動する基板の一側を感知する段階と、前記第１移動経路と異なる第２移動経路に沿って移動する前記基板の他側を感知する段階とを含む。 According to the present invention, sensing one side of the substrate moving along the first movement path and sensing the other side of the substrate moving along a second movement path different from the first movement path; including.
本発明によると、基板の状態を正確に判断することができる。また、基板の状態を迅速に判断することができる。また、基板の状態を判断するのに要される時間を調節することができる。 According to the present invention, the state of the substrate can be accurately determined. In addition, the state of the substrate can be quickly determined. In addition, the time required to determine the state of the substrate can be adjusted.
本発明によると、搬送アームによって搬入・搬出される基板を正確に感知することができる。また、センサーを最小限に設置することができ、全体装備の製作費用を節減することができる。 According to the present invention, it is possible to accurately sense a substrate carried in and out by the transfer arm. In addition, the number of sensors can be set to a minimum, and the manufacturing cost of the entire equipment can be reduced.
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ 工程チャンバー
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ 第２センサー
２０ 搬送チャンバー
２２ ゲートバルブ
３０ ロードロックチャンバー
３２ 第１センサー
４０ 基板搬送手段
10a, 10b, 10c Process chamber 12a, 12b, 12c Second sensor 20 Transfer chamber 22 Gate valve 30 Load lock chamber 32 First sensor 40 Substrate transfer means
以下、本発明の好適な各実施例を添付された図１乃至図７に基づいて一層詳細に説明する。本発明の各実施例は多様な形態に変形可能であり、本発明の範囲は、以下で説明する各実施例に限定されるものとして解析されてはならない。本発明の各実施例は、当該発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明を一層詳細に説明するために提供されるものである。したがって、図面には、一層明確な説明を強調するために、各要素の形状が誇張されて図示されることがある。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. Each embodiment of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be analyzed as being limited to each embodiment described below. Each embodiment of the present invention is provided to explain the present invention in more detail to those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, in the drawings, the shape of each element may be exaggerated in order to emphasize a clearer description.
以下では、基板処理装置を例に挙げて説明しているが、本発明の技術的思想及び範囲がこれに限定されることはない。 In the following, the substrate processing apparatus is described as an example, but the technical idea and scope of the present invention are not limited to this.
図１は、本発明に係る基板処理装置を概略的に示した平面図である。基板処理装置は、その中央部にトランスファーモジュールである搬送チャンバー２０とロードロックチャンバー３０が連結設置されている。搬送チャンバー２０の周囲には、３個の工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃが配置されている。また、搬送チャンバー２０とロードロックチャンバー３０との間、搬送チャンバー２０と工程チャンバー１０との間、及びロードロックチャンバー３０と外側の大気雰囲気とを連通する開口部には、これらの間を気密に密封するとともに、開閉可能に構成されたゲートバルブ２２がそれぞれ介在されている。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention. In the center of the substrate processing apparatus, a transfer chamber 20 and a load lock chamber 30 which are transfer modules are connected and installed. Around the transfer chamber 20, three process chambers 10a, 10b, and 10c are arranged. Further, the opening between the transfer chamber 20 and the load lock chamber 30, between the transfer chamber 20 and the process chamber 10, and between the load lock chamber 30 and the outside air atmosphere is hermetically sealed. A gate valve 22 configured to be able to be opened and closed is interposed.
ロードロックチャンバー３０の外側には基板搬送手段４０が設置され、基板搬送手段４０は、カセット（図示せず）内の基板をロードロックチャンバー３０内に搬入したり、ロードロックチャンバー３０内の基板を搬出してカセット内に積載する。 A substrate transfer means 40 is installed outside the load lock chamber 30, and the substrate transfer means 40 carries a substrate in a cassette (not shown) into the load lock chamber 30 or removes a substrate in the load lock chamber 30. Unload and load in cassette.
搬送チャンバ２０の内部には搬送ロボット（図示せず）が設置される。搬送ロボットは、ロードロックチャンバー３０と工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃとの間で基板を搬送する。搬送ロボットは、ロードロックチャンバー３０内の基板を搬出して工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃ内に搬入したり、工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃ内の基板を搬出してロードロックチャンバー３０内に搬入する。
図１に示すように、ロードロックチャンバー３０内には第１センサー３２が設置され、搬送チャンバー２０内には第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃが設置される。第１センサー３２は、ロードロックチャンバー３０と搬送チャンバー２０との間で移動する基板の経路上に設置され、基板の経路から偏心配置される。第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃと搬送チャンバー２０との間で移動する基板の経路上に設置され、基板の経路から偏心配置される。
Inside the transfer chamber 20, a transfer robot (not shown) is installed. The transfer robot transfers the substrate between the load lock chamber 30 and the process chambers 10a, 10b, and 10c. The transfer robot unloads the substrate in the load lock chamber 30 and loads it into the process chambers 10a, 10b, 10c, or unloads the substrate in the process chambers 10a, 10b, 10c and loads it into the load lock chamber 30. .
As shown in FIG. 1, a first sensor 32 is installed in the load lock chamber 30, and second sensors 12 a, 12 b, and 12 c are installed in the transfer chamber 20. The first sensor 32 is installed on the path of the substrate that moves between the load lock chamber 30 and the transfer chamber 20, and is eccentrically arranged from the path of the substrate. The second sensors 12a, 12b, and 12c are installed on the path of the substrate that moves between the process chambers 10a, 10b, and 10c and the transfer chamber 20, and are eccentrically arranged from the path of the substrate.
上述したように、第１センサー３２は、ロードロックチャンバー３０と搬送チャンバー２０との間で移動する基板の経路上に設置され、ロードロックチャンバー３０と搬送チャンバー２０との間で基板が移動するとき、基板Ｓの状態を感知する。第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃと搬送チャンバー２０との間で移動する基板の経路上に設置され、工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃと搬送チャンバー２０との間で基板が移動するとき、基板Ｓの状態を感知する。 As described above, the first sensor 32 is installed on the path of the substrate that moves between the load lock chamber 30 and the transfer chamber 20, and the substrate moves between the load lock chamber 30 and the transfer chamber 20. The state of the substrate S is sensed. The second sensors 12a, 12b, and 12c are installed on a path of the substrate that moves between the process chambers 10a, 10b, and 10c and the transfer chamber 20, and between the process chambers 10a, 10b, and 10c and the transfer chamber 20. When the substrate moves, the state of the substrate S is sensed.
このとき、第１及び第２センサー３２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃは基板の移動経路から偏心配置され、第１センサー３２が基板の移動方向と平行な基板の一側を感知し、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃが基板の移動方向と平行な基板の他側を感知する。第１センサー３２は、搬送チャンバー２０の中心を基準にして左側に偏心配置され、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、搬送チャンバー２０の中心を基準にして右側に偏心配置される。したがって、例えば、基板をロードロックチャンバー３０から搬出して工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃに搬入する場合、第１センサー３２は搬出方向と略平行な基板Ｓの左側を感知し、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは搬入方向と略平行な基板Ｓの右側を感知する。したがって、ロードロックチャンバー３０内に設置された第１センサー３２及び搬送チャンバー２０内に設置された第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃを用いることで、基板Ｓの両側を感知することができる。一方、本実施例と異なり、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃが搬送チャンバー２０の中心を基準にして左側に偏心配置されることもあるが、この場合、基板Ｓの回転を通して基板Ｓの右側が第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃを経由することができる。 At this time, the first and second sensors 32, 12a, 12b, and 12c are arranged eccentrically from the movement path of the substrate, the first sensor 32 senses one side of the substrate parallel to the movement direction of the substrate, and the second sensor 12a. , 12b, 12c sense the other side of the substrate parallel to the moving direction of the substrate. The first sensor 32 is eccentrically arranged on the left side with respect to the center of the transfer chamber 20, and the second sensors 12a, 12b, 12c are eccentrically arranged on the right side with respect to the center of the transfer chamber 20. Therefore, for example, when the substrate is unloaded from the load lock chamber 30 and loaded into the process chambers 10a, 10b, 10c, the first sensor 32 senses the left side of the substrate S substantially parallel to the unloading direction, and the second sensor 12a, 12b and 12c sense the right side of the substrate S substantially parallel to the loading direction. Therefore, both sides of the substrate S can be sensed by using the first sensor 32 installed in the load lock chamber 30 and the second sensors 12a, 12b, 12c installed in the transfer chamber 20. On the other hand, unlike the present embodiment, the second sensors 12a, 12b, and 12c may be eccentrically arranged on the left side with respect to the center of the transfer chamber 20, but in this case, the right side of the substrate S is rotated through the rotation of the substrate S. Via the second sensors 12a, 12b, 12c.
上記と同様に、基板Ｓを工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃから搬出してロードロックチャンバー３０に搬入する場合、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは搬入方向と略平行な基板Ｓの右側を感知し、第１センサー３２は搬出方向と略平行な基板Ｓの左側を感知する。したがって、被処理基板Ｓを工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃに搬入したり、処理完了状態の基板Ｓを工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃから搬出するとき、基板Ｓの状態を感知することができ、工程の前後を基準にして基板Ｓの状態を感知することができる。 Similarly to the above, when the substrate S is unloaded from the process chambers 10a, 10b and 10c and loaded into the load lock chamber 30, the second sensors 12a, 12b and 12c sense the right side of the substrate S substantially parallel to the loading direction. The first sensor 32 senses the left side of the substrate S substantially parallel to the carry-out direction. Therefore, the state of the substrate S can be sensed when the substrate S to be processed is carried into the process chambers 10a, 10b, and 10c, or when the substrate S that has been processed is unloaded from the process chambers 10a, 10b, and 10c. The state of the substrate S can be sensed with reference to before and after.
図２乃至図５は、図１のセンサーを用いて基板の状態を判断する方法を示した図である。以下、図２乃至図５を参考にして基板の状態を判断する方法を説明する。 2 to 5 are diagrams illustrating a method of determining the state of the substrate using the sensor of FIG. Hereinafter, a method of determining the state of the substrate will be described with reference to FIGS.
図２及び図３に示すように、センサー１２ａは上部センサー１２ａｕ及び下部センサー１２ａｄを備えており、下部センサー１２ａｄは発光センサーで、上部センサー１２ａｕは受光センサーである。そして、下部センサー１２ａｄは光信号を放出し、上部センサー１２ａｕは、基板Ｓを透過した光信号を受信する。図２及び図３に示すように、基板Ｓが移動すると、下部センサー１２ａｄは周期的に光信号を放出し、上部センサー１２ａｕは、放出後に基板Ｓを透過した光信号を受信する。このとき、図３に示すように、基板ＳにクラックＣがある場合、光信号はクラックＣで散乱され、散乱された光信号は、上部センサー１２ａｕを通して受信されない（または、散乱によって光信号が弱くなるので、微弱な光信号のみが受信される）。クラックＣが上部センサー１２ａｕと下部センサー１２ａｄとの間を通過すると、光信号は元通りに受信される。 As shown in FIGS. 2 and 3, the sensor 12a includes an upper sensor 12au and a lower sensor 12ad. The lower sensor 12ad is a light emitting sensor, and the upper sensor 12au is a light receiving sensor. The lower sensor 12ad emits an optical signal, and the upper sensor 12au receives the optical signal transmitted through the substrate S. As shown in FIGS. 2 and 3, when the substrate S moves, the lower sensor 12ad periodically emits an optical signal, and the upper sensor 12au receives the optical signal transmitted through the substrate S after the emission. At this time, as shown in FIG. 3, when the substrate S has a crack C, the optical signal is scattered by the crack C, and the scattered optical signal is not received through the upper sensor 12au (or the optical signal becomes weak due to scattering). Therefore, only a weak optical signal is received). When the crack C passes between the upper sensor 12au and the lower sensor 12ad, the optical signal is received as it is.
一方、基板Ｓの移動速度、基板Ｓの大きさ及び光信号の放出周期によって受信可能な基準データの数が決定される。すなわち、基板Ｓの長さが２ｍで、基板Ｓの移動速度が０．５ｍ／ｓｅｃで、光信号の放出周期が０．１ｓｅｃであるとき、受信可能な基準データの数は２÷０．５÷０．１＝４０である。また、上部センサー１２ａｕを通して感知された光信号は感知データとして作成され、作成された感知データの数は基準データの数と比較される。 On the other hand, the number of reference data that can be received is determined by the moving speed of the substrate S, the size of the substrate S, and the optical signal emission period. That is, when the length of the substrate S is 2 m, the moving speed of the substrate S is 0.5 m / sec, and the optical signal emission period is 0.1 sec, the number of receivable reference data is 2 / 0.5. ÷ 0.1 = 40. Also, the optical signal sensed through the upper sensor 12au is created as sensing data, and the number of created sensing data is compared with the number of reference data.
感知データの数が基準データの数と異なる場合（または、感知データの数が基準データの数より小さいか大きい場合）、上述したように、基板Ｓ上に存在するクラックＣによって光信号が正常的に受信されていないことが分かり、これによって遺失データが発生したことが分かる。一方、感知データの数と基準データの数が同一である場合、基板Ｓ上にクラックＣが存在しないと判断することができる。 When the number of sensing data is different from the number of reference data (or when the number of sensing data is smaller or larger than the number of reference data), the optical signal is normal due to the crack C existing on the substrate S as described above. Thus, it can be seen that lost data has been generated. On the other hand, when the number of the sensing data and the number of the reference data are the same, it can be determined that the crack C does not exist on the substrate S.
また、作成された感知データから遺失データの発生位置を確認することができ、遺失データの発生位置から基板Ｓ上に存在するクラックＣの位置を把握することができる。すなわち、作成された感知データが基板Ｓ上の状態をそのまま反映するので、遺失データの発生位置が前半部であると、基板Ｓの前半部でクラックＣが発生したと把握することができ、遺失データの発生位置が後半部であると、基板Ｓの後半部でクラックＣが発生したと把握することができる。 Further, the position where the lost data is generated can be confirmed from the created sensing data, and the position of the crack C existing on the substrate S can be grasped from the position where the lost data is generated. That is, since the created sensing data reflects the state on the substrate S as it is, if the position of the lost data is in the first half, it can be understood that the crack C has occurred in the first half of the substrate S, and the lost data If the data generation position is in the second half, it can be understood that a crack C has occurred in the second half of the substrate S.
また、基板Ｓの移動速度または光信号の放出周期を調節することで、基板Ｓの状態に対する正確度及び判断速度を調節することができる。例えば、基板Ｓの移動速度が増加する場合、基準データ及び感知データの数が減少し、正確度は低くなるが、基板Ｓの移動速度が増加するので、判断速度は増加する。また、光信号の放出周期を速くする場合、基準データ及び感知データの数が増加し、判断正確度は増加する。 Further, by adjusting the moving speed of the substrate S or the emission period of the optical signal, the accuracy and judgment speed for the state of the substrate S can be adjusted. For example, when the moving speed of the substrate S increases, the number of reference data and sensed data decreases and the accuracy decreases, but the moving speed of the substrate S increases, so the determination speed increases. In addition, when the light signal emission period is increased, the number of reference data and sensed data is increased, and the determination accuracy is increased.
上記のような感知方法は、第１及び第２センサー３２，１２ｂ，１２ｃにも同一に適用される。 The sensing method as described above is equally applied to the first and second sensors 32, 12b, and 12c.
図４及び図５に示すように、センサー１２ａは反射型センサーでもある。すなわち、センサー１２ａは、光信号を放出し、基板Ｓに反射された光信号を受信する。図４及び図５に示すように、基板Ｓが移動すると、センサー１２ａは、周期的に光信号を放出し、放出後に基板Ｓから反射された光信号を受信する。このとき、図５に示すように、基板ＳにクラックＣがある場合、光信号はクラックＣで散乱され、散乱された光信号は、センサー１２ａを通して受信されない（または、散乱によって光信号が弱くなるので、微弱な光信号のみが受信される）。クラックＣがセンサー１２ａを通過すると、光信号は元通りに受信される。センサー１２ａを通して基板Ｓの状態を判断する方法は、図２及び図３に基づいて説明した方法とほぼ同一であるので、それに対する説明は省略する。 As shown in FIGS. 4 and 5, the sensor 12a is also a reflective sensor. That is, the sensor 12a emits an optical signal and receives the optical signal reflected by the substrate S. As shown in FIGS. 4 and 5, when the substrate S moves, the sensor 12a periodically emits an optical signal, and receives the optical signal reflected from the substrate S after the emission. At this time, as shown in FIG. 5, when the substrate S has a crack C, the optical signal is scattered by the crack C, and the scattered optical signal is not received through the sensor 12a (or the optical signal becomes weak due to scattering). Therefore, only weak optical signals are received). When the crack C passes through the sensor 12a, the optical signal is received as it is. The method for determining the state of the substrate S through the sensor 12a is almost the same as the method described with reference to FIGS. 2 and 3, and thus the description thereof is omitted.
図６及び図７は、図１のセンサーを用いて基板Ｓを感知する方法を示した図である。第１及び第２センサー３２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃは基板Ｓを感知する。センサー１２ａは、上部センサー１２ａｕ及び下部センサー１２ａｄを備えており、下部センサー１２ａｄは発光センサーで、上部センサー１２ａｕは受光センサーである。そして、下部センサー１２ａｄは光を放出し、上部センサー１２ａｕは、放出された光を受けて物体を感知する。図６に示すように、基板Ｓが上部センサー１２ａｕと下部センサー１２ａｄとの間に位置する場合、下部センサー１２ａｄから放出された光が基板Ｓによって反射されるので、光が上部センサー１２ａｕによって感知されない。したがって、上部センサー１２ａｕが如何なる光も感知できない場合、制御器（図示せず）は、基板Ｓが存在すると判断する。一方、図７に示すように、破損によって基板Ｓが上部センサー１２ａｕと下部センサー１２ａｄとの間に位置しない場合（または、基板Ｓが存在しない場合）、下部センサー１２ａｄから放出された光が上部センサー１２ａｕによって感知される。したがって、上部センサー１２ａｕが光を感知した場合、制御器（図示せず）は、基板Ｓが破損された（または、基板Ｓが存在しない）と判断する。上記のような感知方法は、第１及び第２センサー３２，１２ｂ，１２ｃにも同一に適用される。 6 and 7 are diagrams illustrating a method of sensing the substrate S using the sensor of FIG. The first and second sensors 32, 12a, 12b, and 12c sense the substrate S. The sensor 12a includes an upper sensor 12au and a lower sensor 12ad. The lower sensor 12ad is a light emitting sensor, and the upper sensor 12au is a light receiving sensor. The lower sensor 12ad emits light, and the upper sensor 12au senses an object by receiving the emitted light. As shown in FIG. 6, when the substrate S is located between the upper sensor 12au and the lower sensor 12ad, the light emitted from the lower sensor 12ad is reflected by the substrate S, so that the light is not detected by the upper sensor 12au. . Therefore, if the upper sensor 12au cannot detect any light, the controller (not shown) determines that the substrate S is present. On the other hand, as shown in FIG. 7, when the substrate S is not positioned between the upper sensor 12au and the lower sensor 12ad due to breakage (or when the substrate S does not exist), the light emitted from the lower sensor 12ad is reflected by the upper sensor. Sensed by 12 au. Therefore, when the upper sensor 12au senses light, the controller (not shown) determines that the substrate S is damaged (or the substrate S does not exist). The sensing method as described above is equally applied to the first and second sensors 32, 12b, and 12c.
上述したように、第１センサー３２は、ロードロックチャンバー３０と搬送チャンバー２０との間で移動する基板の経路上に設置され、ロードロックチャンバー３０と搬送チャンバー２０との間で基板が移動するとき、基板Ｓの状態を感知する。第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃと搬送チャンバー２０との間で移動する基板の経路上に設置され、工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃと搬送チャンバー２０との間で基板が移動するとき、基板Ｓの状態を感知する。 As described above, the first sensor 32 is installed on the path of the substrate that moves between the load lock chamber 30 and the transfer chamber 20, and the substrate moves between the load lock chamber 30 and the transfer chamber 20. The state of the substrate S is sensed. The second sensors 12a, 12b, and 12c are installed on a path of the substrate that moves between the process chambers 10a, 10b, and 10c and the transfer chamber 20, and between the process chambers 10a, 10b, and 10c and the transfer chamber 20. When the substrate moves, the state of the substrate S is sensed.
このとき、第１及び第２センサー３２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃは基板の移動経路から偏心配置され、第１センサー３２が基板の移動方向と平行な基板の一側を感知し、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃが基板の移動方向と平行な基板の他側を感知する。第１センサー３２は搬送チャンバー２０の中心を基準にして左側に偏心配置され、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは搬送チャンバー２０の中心を基準にして右側に偏心配置される。したがって、例えば、基板をロードロックチャンバー３０から搬出して工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃに搬入する場合、第１センサー３２は搬出方向と略平行な基板Ｓの左側を感知し、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは搬入方向と略平行な基板Ｓの右側を感知する。したがって、ロードロックチャンバー３０内に設置された第１センサー３２及び搬送チャンバー２０内に設置された第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃを用いることで、基板Ｓの両側を感知することができる。一方、本実施例と異なり、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃが搬送チャンバー２０の中心を基準にして左側に偏心配置されることもあるが、この場合、基板Ｓの回転を通して基板Ｓの右側が第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃを経由することができる。 At this time, the first and second sensors 32, 12a, 12b, and 12c are arranged eccentrically from the movement path of the substrate, the first sensor 32 senses one side of the substrate parallel to the movement direction of the substrate, and the second sensor 12a. , 12b, 12c sense the other side of the substrate parallel to the moving direction of the substrate. The first sensor 32 is eccentrically arranged on the left side with respect to the center of the transfer chamber 20, and the second sensors 12a, 12b, 12c are eccentrically arranged on the right side with respect to the center of the transfer chamber 20. Therefore, for example, when the substrate is unloaded from the load lock chamber 30 and loaded into the process chambers 10a, 10b, 10c, the first sensor 32 senses the left side of the substrate S substantially parallel to the unloading direction, and the second sensor 12a, 12b and 12c sense the right side of the substrate S substantially parallel to the loading direction. Therefore, both sides of the substrate S can be sensed by using the first sensor 32 installed in the load lock chamber 30 and the second sensors 12a, 12b, 12c installed in the transfer chamber 20. On the other hand, unlike the present embodiment, the second sensors 12a, 12b, and 12c may be eccentrically arranged on the left side with respect to the center of the transfer chamber 20, but in this case, the right side of the substrate S is rotated through the rotation of the substrate S. Via the second sensors 12a, 12b, 12c.
上記と同様に、基板Ｓを工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃから搬出してロードロックチャンバー３０に搬入する場合、第２センサー１２ａ，１２ｂ，１２ｃは搬入方向と略平行な基板Ｓの右側を感知し、第１センサー３２は搬出方向と略平行な基板Ｓの左側を感知する。したがって、被処理基板Ｓを工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃに搬入したり、処理完了状態の基板Ｓを工程チャンバー１０ａ，１０ｂ，１０ｃから搬出するとき、基板Ｓの状態を感知することができ、工程の前後を基準にして基板Ｓの状態を感知することができる。 Similarly to the above, when the substrate S is unloaded from the process chambers 10a, 10b and 10c and loaded into the load lock chamber 30, the second sensors 12a, 12b and 12c sense the right side of the substrate S substantially parallel to the loading direction. The first sensor 32 senses the left side of the substrate S substantially parallel to the carry-out direction. Therefore, the state of the substrate S can be sensed when the substrate S to be processed is carried into the process chambers 10a, 10b, and 10c, or when the substrate S that has been processed is unloaded from the process chambers 10a, 10b, and 10c. The state of the substrate S can be sensed with reference to before and after.
本発明を好適な各実施例に基づいて詳細に説明したが、これと異なる形態の各実施例も可能である。したがって、以下に記載された特許請求の範囲の技術的思想及び範囲は、好適な各実施例に限定されるものでない。
Although the present invention has been described in detail on the basis of preferred embodiments, other embodiments having different forms are possible. Therefore, the technical idea and scope of the claims described below are not limited to the preferred embodiments.
Claims (11)
前記感知データから前記基板の状態を判断する段階と、を含み、
前記基板の状態を判断する段階は、前記基板の前記一側に対する受信可能な基準データの個数と前記感知データの個数を比較し、前記基準データと前記感知データとの個数が異なる遺失データを判断する段階を含むことを特徴とする基板感知方法。 Receiving sensing data for one side of the substrate from the sensor ;
Comprises the steps of determining the state of the substrate from the sensor data,
The step of determining the state of the board compares the number of reference data that can be received with respect to the one side of the board and the number of the sensing data, and determines missing data having different numbers of the reference data and the sensing data. A substrate sensing method comprising the step of :
前記基板及び前記センサーのうち何れか一つを移動し、前記基板の前記一側に向かって光信号を放出する段階と、
前記基板を経た前記光信号を受信する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板感知方法。 Receiving the sensing data comprises:
Moving one of the substrate and the sensor to emit an optical signal toward the one side of the substrate ;
Substrate sensing method according to claim 1, characterized in that it comprises the steps of receiving the optical signal having passed through the substrate.
前記第１移動経路と異なる前記基板の第２移動経路上に位置し、前記基板の第２移動経路と略平行な前記基板の他側を感知する第２センサーと、を含み、
前記第１センサー及び前記第２センサーは、前記基板の前記一側及び前記他側に対する受信可能な基準データの個数と前記感知データの個数を比較し、前記基準データと前記感知データとの個数が異なる遺失データを判断することを特徴とする基板処理装置。 A first sensor that is located on a first movement path of the substrate and senses one side of the substrate substantially parallel to the first movement path of the substrate ;
Located on the second movement path of the substrate different from the first movement path, wherein the second sensor for sensing the other side of the second movement path substantially parallel said substrate of said substrate,
The first sensor and the second sensor compare the number of reference data that can be received with respect to the one side and the other side of the substrate with the number of the sensing data, and the number of the reference data and the sensing data is A substrate processing apparatus for judging different lost data .
前記基板は、前記第１移動経路に沿って前記ロードロックチャンバーから前記搬送チャンバーに搬出され、前記第２移動経路に沿って前記搬送チャンバーから前記工程チャンバーに搬送されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a load lock chamber, a process chamber, and a transfer chamber that unloads the substrate in the load lock chamber and stores it in the process chamber.
The substrate may claim that the first along a moving path being transported to the transfer chamber from the load lock chamber, characterized in that it is transported to the process chamber from the transfer chamber along the second moving path 5. The substrate processing apparatus according to 5 .
前記基板は、前記第１移動経路に沿って前記工程チャンバーから前記搬送チャンバーに搬出され、前記第２移動経路に沿って前記搬送チャンバーから前記ロードロックチャンバーに搬送されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a load lock chamber, a process chamber, and a transfer chamber that unloads the substrate in the load lock chamber and stores it in the process chamber.
The substrate may claim that the first along a moving path being transported to the transfer chamber from the process chamber, characterized in that it is transported to the load lock chamber from the transport chamber along the second moving path 5. The substrate processing apparatus according to 5 .
前記第１移動経路と異なる第２移動経路に沿って移動する前記基板の他側を感知する段階と、を含み、
前記一側を感知する段階及び前記他側を感知する段階は、前記基板の前記一側及び前記他側に対する受信可能な基準データの個数と前記感知データの個数を比較し、前記基準データと前記感知データとの個数が異なる遺失データを判断する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。 Sensing one side of the substrate moving along the first movement path ;
Look including the the steps of sensing the other side of the substrate moving along the second moving path different from the first movement path,
The step of sensing the one side and the step of sensing the other side is performed by comparing the number of pieces of reference data and the number of pieces of sense data that can be received for the one side and the other side of the substrate. A substrate processing method comprising: determining lost data having a different number from the sensed data .
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