JP2011243627A - Liquid processing method, recording medium with recorded program for executing the liquid processing method, and liquid processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、処理液を用いて処理する液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置に関する。 The present invention relates to a liquid processing method for processing using a processing liquid, a recording medium on which a program for executing the liquid processing method is recorded, and a liquid processing apparatus.
半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー(FPD)の製造プロセスにおいては、被処理基板(以下「基板」又は「ウェハ」という。)である半導体ウェハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行う液処理プロセスが多用されている。 In a semiconductor device manufacturing process or a flat panel display (FPD) manufacturing process, a processing liquid is supplied to a semiconductor wafer or glass substrate, which is a substrate to be processed (hereinafter referred to as “substrate” or “wafer”), to perform liquid processing. Many liquid processing processes are performed.
このような液処理プロセスの一つとして、基板の裏面又は周縁部に処理液を供給し、供給した処理液により、基板の裏面又は周縁部に液処理を行う液処理プロセスがある。 As one of such liquid processing processes, there is a liquid processing process in which a processing liquid is supplied to the back surface or the peripheral portion of the substrate, and the liquid processing is performed on the back surface or the peripheral portion of the substrate with the supplied processing liquid.
例えば、半導体デバイス等の製造プロセスにおいては、基板の表面に各種薄膜を形成するために成膜工程が行われることがある。成膜工程では、基板の表面のみならず基板の裏面又は周縁部にも薄膜が成膜されることがある。基板の裏面又は周縁部に形成された薄膜は、その後の製造工程の中で、例えば熱処理等の際に基板に反りを発生させる要因ともなるため、除去することが好ましい。そのため、基板の裏面又は周縁部に処理液を供給し、供給された処理液により、基板の裏面又は周縁部をエッチング処理する液処理プロセスを行うことがある。 For example, in a manufacturing process of a semiconductor device or the like, a film forming process may be performed to form various thin films on the surface of the substrate. In the film forming process, a thin film may be formed not only on the surface of the substrate but also on the back surface or the peripheral edge of the substrate. It is preferable to remove the thin film formed on the back surface or the peripheral portion of the substrate because it may cause warpage of the substrate in the subsequent manufacturing process, for example, during heat treatment. Therefore, a liquid processing process may be performed in which the processing liquid is supplied to the back surface or the peripheral portion of the substrate, and the back surface or the peripheral portion of the substrate is etched by the supplied processing liquid.
このような液処理プロセスを行う液処理装置として、基板の下面に処理液を供給することにより、基板の下面に対して液処理を行う液処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に示す例では、液処理装置は、基板保持手段(載置部材)、基板回転手段及び処理液供給部を有している。基板保持手段は、基板を水平姿勢で支持した状態で保持する。基板回転手段は、基板保持手段に保持された基板を鉛直方向の軸芯周りで回転させる。処理液供給部は、処理液供給管を介し、基板保持手段に保持され、基板回転手段により回転される基板の下面に処理液を供給する。
As a liquid processing apparatus that performs such a liquid processing process, a liquid processing apparatus that performs liquid processing on a lower surface of a substrate by supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate is known (see, for example, Patent Document 1). .) In the example shown in
ところが、上記した、基板の下面に処理液により処理を行う液処理方法においては、次のような問題がある。 However, the above-described liquid processing method for performing processing with the processing liquid on the lower surface of the substrate has the following problems.
処理液により基板の下面に処理を行うために、基板は、下面の例えば外周縁端の数箇所が、基板保持手段に設けられた載置部材に載置されることがある。すると、基板の下面であって載置部材に載置されている部分には、処理液が供給されない。そのため、載置部材に載置されている部分は、未処理部分となってしまう。未処理部分をなくすためには、別の受け渡し手段によりいったん載置部材から持ち上げて、載置部材に対する基板の相対角度位置を変更してから再度載置部材に載置する必要がある。従って、載置部材に載置したまま未処理部分をなくすことは困難である。 In order to perform processing on the lower surface of the substrate with the processing liquid, the substrate may be mounted on a mounting member provided on the substrate holding means, for example, at several locations on the outer peripheral edge of the lower surface. Then, the processing liquid is not supplied to the portion of the lower surface of the substrate that is placed on the placement member. Therefore, the part mounted on the mounting member becomes an unprocessed part. In order to eliminate the unprocessed portion, it is necessary to lift the substrate from the mounting member by another delivery means, change the relative angular position of the substrate with respect to the mounting member, and then mount the substrate on the mounting member again. Therefore, it is difficult to eliminate the unprocessed portion while being placed on the placement member.
特許文献1に示す例では、載置部材が基板を摺動自在に保持しており、処理液の供給等によって基板を載置部材に対して滑らせることは可能である。しかし、特許文献1に示す例では、基板を処理液により処理する際に具体的にどのような手順で滑らせると効果的に未処理部分をなくすことができるか開示されていない。特に、処理液を供給しながら基板を滑らせた場合、処理液のミストが発生し、発生したミストが、基板の上面側に回り込んだり、パーティクルとして基板に再付着したりするという問題がある。
In the example shown in
また、基板保持手段が、基板が載置される載置部材である場合のみならず、基板を上下から挟持する等の各種の方法で支持する支持部である場合にも、同様の問題がある。 Further, not only when the substrate holding means is a mounting member on which the substrate is mounted, but also when the substrate holding means is a support portion that supports the substrate by various methods such as clamping the substrate from above and below, there is a similar problem. .
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理するときに、基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法及び液処理装置を提供する。 The present invention has been made in view of the above points, and when the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate and the lower surface of the substrate is processed by the supplied processing liquid, the substrate is supported by the support portion. Provided are a liquid processing method and a liquid processing apparatus capable of eliminating the unprocessed portion of a substrate resulting from the generation of a mist of a processing liquid.
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problems, the present invention is characterized by the following measures.
本発明の一実施例によれば、処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、前記基板を下方より支持する支持部に支持されている前記基板を、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第1の処理工程と、前記第1の処理工程の後、前記支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、前記相対角度位置を変更する位置変更工程と、前記位置変更工程の後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第2の処理工程とを有する、液処理方法が提供される。 According to an embodiment of the present invention, in the liquid processing method for processing the lower surface of the substrate with a processing liquid, the substrate supported by a support portion that is rotatably provided and supports the substrate from below is provided. First rotating the substrate together with the support so that the relative angular position of the substrate relative to the support does not change, supplying a processing liquid to the lower surface of the rotating substrate, and processing the lower surface of the substrate with the supplied processing liquid After the first processing step, after the first processing step, the position changing step for changing the relative angular position by changing the rotational speed of the rotating portion that rotates the support portion, and after the position changing step, The substrate supported by the support unit is rotated together with the support unit so that the relative angular position does not change, and a processing liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate, and the substrate is rotated by the supplied processing liquid. And a second processing step of processing a bottom surface of the substrate, the liquid processing method is provided.
また、本発明の一実施例によれば、処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、回転可能に設けられ、前記基板を下方より支持する支持部と、前記支持部を回転させる回転部と、前記支持部に支持されている前記基板の下面に処理液を供給する処理液供給部と、前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理し、前記下面を処理した後、前記支持部を前記回転部により回転させる回転数を変更することによって、前記相対角度位置を変更し、前記相対角度位置を変更した後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する制御部とを有する、液処理装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, in the liquid processing apparatus for processing the lower surface of the substrate with the processing liquid, the support unit is rotatably provided and supports the substrate from below, and the rotation rotates the support unit. A substrate, a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to a lower surface of the substrate supported by the support unit, and the substrate supported by the support unit by the rotating unit, the substrate with respect to the support unit The relative angular position of the substrate is rotated together with the support unit, the processing liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate by the processing liquid supply unit, and the lower surface of the substrate is processed by the supplied processing liquid, After the lower surface is processed, the relative angle position is changed by changing the number of rotations that rotate the support part by the rotating part, and after the relative angle position is changed, the support part is supported by the support part. The substrate is rotated by the rotating unit together with the support unit so that the relative angular position does not change, and the processing liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate by the processing liquid supply unit, and the supplied processing is performed. There is provided a liquid processing apparatus having a control unit for processing the lower surface of the substrate with the liquid.
本発明によれば、基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理するときに、基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる。 According to the present invention, when the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate and the lower surface of the substrate is processed by the supplied processing liquid, the unprocessed portion of the substrate due to the substrate being supported by the support portion is eliminated. And generation of mist of the processing liquid can be prevented.
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。ここでは、本発明を半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」と記す。)の裏面洗浄を行う液処理装置に適用した場合について示す。
(実施の形態)
始めに、図1を参照し、実施の形態に係る液処理ユニットを搭載する液処理システムの概略構成について説明する。
Next, a mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. Here, the case where the present invention is applied to a liquid processing apparatus for performing back surface cleaning of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) will be described.
(Embodiment)
First, a schematic configuration of a liquid processing system including a liquid processing unit according to an embodiment will be described with reference to FIG.
なお、液処理ユニットは、本発明における液処理装置に相当する。 The liquid processing unit corresponds to the liquid processing apparatus in the present invention.
図1は本発明の実施の形態に係る液処理システム10の概略構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a
この液処理システム10は、複数のウェハWを収容するウェハキャリアCが載置され、ウェハWの搬入・搬出を行う搬入出ステーション(基板搬入出部)1と、ウェハWに洗浄処理を施すための処理ステーション(液処理部)2とを備えている。搬入出ステーション(基板搬入出部)1及び処理ステーション(液処理部)2は、隣接して設けられている。
In this
搬入出ステーション1は、キャリア載置部11、搬送部12、受け渡し部13及び筐体14を有している。キャリア載置部11は、複数のウェハWを水平状態で収容するウェハキャリアCを載置する。搬送部12は、ウェハWの搬送を行う。受け渡し部13は、ウェハWの受け渡しを行う。筐体14は、搬送部12および受け渡し部13を収容する。
The carry-in /
キャリア載置部11は4個のウェハキャリアCが載置可能である。載置されたウェハキャリアCは筐体14に密着された状態とされ、大気に触れることなくその中のウェハWが搬送部12に搬入可能となっている。
The
筐体14は、搬送部12と受け渡し部13とを垂直に仕切る仕切り部材14aを有している。搬送部12は、搬送機構15を有している。搬送機構15は、ウェハWを保持するウェハ保持アーム15a、及びウェハ保持アーム15aを前後に移動させる機構を有している。また搬送機構15は、ウェハキャリアCの配列方向であるX方向に延在する水平ガイド17に沿って移動させる機構、垂直方向に沿って移動させる機構、水平面内で回転させる機構を有している。この搬送機構15により、ウェハキャリアCと受け渡し部13との間でウェハWが搬送される。
The
受け渡し部13は、受け渡しステージ19と、その上に設けられたウェハWを載置可能な載置部を複数備えた受け渡し棚20とを有している。受け渡し部13は、この受け渡し棚20を介して処理ステーション2との間でウェハWの受け渡しが行われるようになっている。
The
処理ステーション2は、直方体状をなす筐体21を有している。処理ステーション2は、筐体21内には、その中央上部にウェハキャリアCの配列方向であるX方向に直交するY方向に沿って延びる搬送路を構成する搬送室21aと、搬送室21aの両側に設けられた2つのユニット室21b、21cとを有している。ユニット室21b、21cにはそれぞれ搬送室21aに沿って6個ずつ合計12個の液処理ユニット22が水平に配列されている。
The processing station 2 has a
搬送室21aの内部には搬送機構24が設けられている。搬送機構24は、ウェハWを保持するウェハ保持アーム24a、及びウェハ保持アーム24aを前後に移動させる機構を有している。また、搬送機構24は、搬送室21aに設けられた水平ガイド25に沿ってY方向に移動させる機構、垂直方向に沿って移動させる機構、水平面内で回転させる機構を有している。この搬送機構24により、各液処理ユニット22に対するウェハWの搬入出を行うようになっている。
A
次に、図2から図4を参照し、本実施の形態に係る液処理システム10に搭載された液処理ユニット22である液処理装置について説明する。図2は、本実施の形態に係る液処理ユニット22の構成を示す概略断面図である。図3は、本実施の形態に係る液処理ユニット22の回転カップ71の斜視図である。図4は、囲い部材70の支持ピン72の周辺を拡大して示す一部断面を含む斜視図である。
Next, with reference to FIG. 2 to FIG. 4, a liquid processing apparatus that is the
液処理ユニット22は、図2に示すように、回転プレート60、囲い部材70、回転カップ71、回転駆動部80、基板昇降部材90、処理液供給機構93、排気・排液部(カップ)100、トッププレート110、昇降機構120及び不活性ガス供給機構123を有する。
As shown in FIG. 2, the
なお、回転駆動部80は、本発明における回転部に相当する。また、処理液供給機構93は、本発明における処理液供給部に相当する。
The
回転プレート60は、図2及び図3に示すように、ベースプレート61及び回転軸62を有する。ベースプレート61は、水平に設けられ、中央に円形の孔61aを有する。回転軸62は、ベースプレート61から下方に向かって延在するように設けられており、中心に孔62aが設けられた円筒状の形状を有する。
As shown in FIGS. 2 and 3, the rotating
囲い部材70は、図2から図4に示すように、ウェハWの周縁外方にウェハWの周縁部を全周に亘り囲繞するように設けられている。また、囲い部材70は、回転可能に設けられており、ウェハWを下方から支持するものである。囲い部材70は、図2に示すように、ウェハWを処理した処理液を排液カップ101へと導く。また、囲い部材70は、支持ピン72を有する。支持ピン72は、囲い部材70の下端から周縁内方に突出して設けられている。支持ピン72は、ウェハWの周縁部が載置されるものである。そして、支持ピン72は、支持ピン72にウェハWの周縁部が載置されることによって、ウェハWの周縁部を下方より支持するものである。また、図3に示すように、支持ピン72は、ウェハWの周方向に沿って、略等間隔に複数設けられている。
As shown in FIGS. 2 to 4, the enclosing
なお、囲い部材70及び支持ピン72は、本発明における支持部に相当する。
The
回転カップ71は、ウェハWの下面側に供給され、回転するウェハWから外周側へ飛散する処理液が、跳ね返されて再びウェハWに戻ることを防止するためのものである。また、回転するウェハWから外周側へ飛散する処理液が、ウェハWの上面側に回り込まないようにするためのものでもある。
The rotating
図4に示すように、ベースプレート61、囲い部材70及び回転カップ71は、それぞれを貫通するように形成された孔73に締結部材74を嵌め込むことにより、締結されている。これにより、ベースプレート61、囲い部材70及び回転カップ71は、一体として回転可能に設けられている。
As shown in FIG. 4, the
回転駆動部80は、プーリ81、駆動ベルト82及びモータ83を有する。プーリ81は、回転軸62の下方側における周縁外方に配置されている。駆動ベルト82は、プーリ81に巻きかけられている。モータ83は、駆動ベルト82に連結されており、駆動ベルト82に回転駆動力を伝達することによって、プーリ81を介して回転軸62を回転させる。すなわち、回転駆動部80は、回転軸62を回転させることによって、ベースプレート61、囲い部材70及び回転カップ71を回転させる。なお、回転軸62の周縁外方にはベアリング63が配置されている。
The
基板昇降部材90は、ベースプレート61の孔61a及び回転軸62の孔62a内に昇降可能に設けられており、リフトピンプレート91及びリフト軸92を有する。リフトピンプレート91は、周縁に複数例えば3本のリフトピン91aを有している。リフト軸92は、リフトピンプレート91から下方に延在している。リフトピンプレート91及びリフト軸92は、中心に処理液供給管94が設けられている。また、リフト軸92の下端にはシリンダ機構92aが接続されており、このシリンダ機構92aによって基板昇降部材90を昇降させることにより、ウェハWを昇降させてウェハWのローディングおよびアンローディングが行われる。
The
処理液供給機構93は、処理液供給管94を有する。前述したように、処理液供給管94は、リフトピンプレート91およびリフト軸92の内部(中空空間内)に、上下方向に延在するように、設けられている。処理液供給管94は、処理液配管群97の各配管から供給された処理液をウェハWの下面側まで導く。すなわち、処理液供給機構93は、ウェハWの下面に処理液を供給する。処理液供給管94は、リフトピンプレート91の上面に形成された処理液供給口94aと連通している。
The processing
排気・排液部(カップ)100は、排液カップ101、排液管102、排気カップ103及び排気管104を有する。また、排気・排液部(カップ)100は、上面に開口105が設けられている。排気・排液部(カップ)100は、主に回転プレート60と回転カップ71に囲繞された空間から排出される気体および液体を回収するためのものである。
The exhaust / drainage unit (cup) 100 includes a
排液カップ101は、回転カップ71によって導かれた処理液を受ける。排液管102は、排液カップ101の底部の最外側部分に接続されており、排液カップ101によって受けられた処理液を図示しない排液配管群のいずれかの配管を通して排出する。排気カップ103は、排液カップ101の外方又は下方において、排液カップ101と連通するように設けられている。図2では、排気カップ103が排液カップ101の周縁内方及び下方において、排液カップ101と連通するように設けられている例を示す。排気管104は、排気カップ103の底部の最外側部分に接続されており、排気カップ103内の窒素ガスなどの気体を図示しない排気配管群のいずれかの配管を通して排気する。
The
トッププレート110は、昇降可能であって、下降した状態で排気・排液部(カップ)100の上面に設けられた開口105を塞ぐように設けられている。また、トッププレート110は、排気・排液部(カップ)100の上面に設けられた開口105を塞ぐときに、支持ピン72に支持されているウェハWを上方から覆うように設けられている。
The
トッププレート110は、囲い部材70の支持ピン72に支持されているウェハWの周縁部と対向する領域111に、トッププレート110の下面112から下方に突出して設けられた隙間形成部材113を有する。隙間形成部材113は、ウェハWの周縁部との間に隙間D1を形成する。
The
トッププレート110に隙間形成部材113が形成されていると、囲い部材70の支持ピン72に支持されているウェハWの周縁部とトッププレート110との隙間D1は、ウェハWの中心部とトッププレート110との距離D0よりも小さくなる。
When the gap forming member 113 is formed on the
昇降機構120は、アーム121、昇降駆動部122を有する。昇降駆動部122は、排気・排液部(カップ)100の外方に設けられており、上下に移動できるようになっている。アーム121は、トッププレート110と昇降駆動部122とを接続するように設けられている。すなわち、昇降機構120は、アーム121を介して昇降駆動部122によりトッププレート110を昇降させる。
The elevating
不活性ガス供給機構123は、不活性ガス供給管124及び不活性ガス供給源125を有する。不活性ガス供給機構123は、ウェハWの上面側に窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給するためのものである。不活性ガス供給管124は、トッププレート110及びアーム121の内部に延在するように設けられている。不活性ガス供給管124の一端は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源125に連結されている。不活性ガス供給管124は、トッププレート110の下面112の中心部に不活性ガス供給口124aを構成している。
The inert
図2に示すように、アーム121はトッププレート110の上面の略中心で接続していてもよい。これにより、不活性ガス供給口124aがトッププレート110の下面112の中心部に形成されることになるため、不活性ガスをトッププレート110の中心から下方に供給することができ、ウェハWに供給される不活性ガスの流量を周方向に沿って均一にすることができる。
As shown in FIG. 2, the
また、液処理システム10は、図2に示すように、制御部200を有する。制御部200は、マイクロプロセッサ(コンピュータ)からなるプロセスコントローラ201を有しており、液処理システム10の各構成部がこのプロセスコントローラ201に接続されて制御される構成となっている。また、プロセスコントローラ201には、工程管理者が液処理システム10の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、液処理システム10の各構成部の可動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース202が接続されている。さらに、プロセスコントローラ201には、液処理システム10で実行される各種処理をプロセスコントローラ201の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて液処理システム10の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピが格納された記憶部203が接続されている。レシピは記憶部203の中の記憶媒体(記録媒体)に記憶されている。記憶媒体(記録媒体)は、ハードディスクや半導体メモリであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
Moreover, the
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース202からの指示等にて任意のレシピを記憶部203から呼び出してプロセスコントローラ201に実行させることで、プロセスコントローラ201の制御下で、液処理システム10での所望の処理が行われる。
Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the
次に、図5を参照し、上記した制御部200により液処理ユニット22を用いて行われる液処理方法及びその作用について説明する。図5は、本実施の形態に係る液処理方法の各工程における囲い部材70の回転数を示すグラフである。
Next, with reference to FIG. 5, the liquid processing method performed using the
本実施の形態に係る液処理方法は、図5に示すように、第1の処理工程(ステップS11)、除去工程(ステップS12)、減速工程(ステップS13)、位置変更工程(ステップS14)、第2の処理工程(ステップS15)、回転停止工程(ステップS16)を有する。 As shown in FIG. 5, the liquid processing method according to the present embodiment includes a first processing step (step S11), a removal step (step S12), a deceleration step (step S13), a position changing step (step S14), It has a 2nd process process (step S15) and a rotation stop process (step S16).
第1の処理工程(ステップS11)を行う前に、まず、搬入出ステーション1のキャリア載置部11に載置されたウェハキャリアCから搬送機構15のウェハ保持アーム15aにより1枚のウェハWを取り出し、受け渡しステージ19上の受け渡し棚20の載置部に載置する。この動作を連続的に行う。受け渡し棚20の載置部に載置されたウェハWは、処理ステーション2の搬送機構24のウェハ保持アーム24aにより順次搬送され、いずれかの液処理ユニット22に搬入される。
Before performing the first processing step (step S11), first, one wafer W is removed from the wafer carrier C mounted on the
ウェハWが液処理ユニット22に搬入されるとき、トッププレート110は、昇降機構120により、上昇させられている。そして、液処理ユニット22に搬入されたウェハWは、シリンダ機構92aにより受け渡し位置(上方位置)に位置づけられたリフトピンプレート91のリフトピン91a上に載置される。
When the wafer W is carried into the
次に、シリンダ機構92aによって、リフトピンプレート91が下方に移動させられてウェハ処理位置に位置づけられる。リフトピンプレート91が下方に移動させられている間に、囲い部材70に設けられた支持ピン72によって、ウェハWの下面が支持される。すなわち、リフトピン91aから支持ピン72に、ウェハWが受け渡される。支持ピン72は、ウェハWを下方より支持する。
Next, the
その後、昇降機構120によって、トッププレート110を、排気・排液部(カップ)100の上面に設けられた開口105を塞ぐように、下降させる。
Thereafter, the
次に、第1の処理工程(ステップS11)を行う。第1の処理工程(ステップS11)では、囲い部材70を回転させる回転数を、第1の回転加速度A1で第1の回転数V1まで加速させる。そして、ウェハWを、囲い部材70の支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともに第1の回転数V1で回転させ、回転するウェハWの下面に処理液を供給する。そして、供給された処理液によりウェハWの下面を処理する。
Next, a 1st process process (step S11) is performed. In the first processing step (step S11), the rotational speed for rotating the
回転駆動部80により回転軸62が回転駆動されることによって、ベースプレート61、囲い部材70及び回転カップ71が回転する。具体的には、回転軸62が、モータ83から駆動ベルト82を介してプーリ81に駆動力が付与されることによって、回転駆動される。この結果、囲い部材70に設けられた支持ピン72に支持されているウェハWが回転する。
When the
ウェハWが、囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑る、すなわち相対回転し始めるときの回転加速度を、回転加速度A0とする。第1の処理工程(ステップS11)では、ウェハWを、囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせないように、すなわち囲い部材70の支持ピン72に対する相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともに回転させながら工程を行う。そのため、第1の回転加速度A1は、回転加速度A0よりも小さい。
The rotational acceleration when the wafer W slides in the circumferential direction with respect to the support pins 72 of the
囲い部材70の支持ピン72の材質や形状等を調整することによって、回転加速度A0の値を自在に調整することができるが、回転加速度A0を例えば400rpm/sとすることができる。そして、第1の回転加速度A1を例えば300rpm/sとすることができる。また、第1の回転数V1を例えば1000rpmとすることができる。
By adjusting the material and shape of the support pins 72 of the enclosing
なお、本実施の形態及び以下の変形例では、回転加速度とは、符号の正負を無視し、絶対値を意味する。すなわち、例えば第1の回転加速度A1が回転加速度A0以上であるとは、第1の回転加速度A1の絶対値が、回転加速度A0の絶対値以上であることを意味する。 In the present embodiment and the following modifications, the rotational acceleration means an absolute value while ignoring the sign of the sign. That is, for example, the first rotational acceleration A1 being equal to or greater than the rotational acceleration A0 means that the absolute value of the first rotational acceleration A1 is equal to or greater than the absolute value of the rotational acceleration A0.
このとき、ウェハWの下面には、処理液供給機構93の処理液供給管94を介して処理液が供給される。そして、ウェハWの下面に供給された処理液は、図2に示すように、ウェハWが回転することによって発生する遠心力によって周縁外方に向かって移動される。このときの処理液としては、例えば、アンモニア過水SC1、希フッ酸(DHF)のいずれかまたは両方を用いる。
At this time, the processing liquid is supplied to the lower surface of the wafer W through the processing
ウェハWの上面には、図2に示すように、トッププレート110の下面112の中心部に設けられた不活性ガス供給口124aから窒素ガス等の不活性ガスが供給される。供給された不活性ガスは、ウェハWの上面を経た後、ウェハWとトッププレート110の隙間形成部材113との間の隙間D1を通って、囲い部材70の上方から周縁外方、更に下方へと回り込み、排気・排液部(カップ)100の排気カップ103から排気管104へと流れる。この不活性ガスの気流によって、ウェハWの周縁部に達した処理液が、ウェハWと囲い部材70との間又は囲い部材70と回転カップ71との間から、ウェハWの上面側に回り込むことを防止することができる。
As shown in FIG. 2, an inert gas such as nitrogen gas is supplied to the upper surface of the wafer W from an inert gas supply port 124 a provided at the center of the
また、本実施の形態では、隙間形成部材113が、隙間形成部材113とウェハWの周縁部との間の隙間D1がウェハWの周方向に沿って一定となるように設けられている。従って、ウェハWの上面側を流れる不活性ガスの流れをウェハWの周方向に沿って均一にすることができる。そのため、ウェハWの周縁部の下面に達した処理液が、ウェハWと囲い部材70との間又は囲い部材70と回転カップ71との間から、ウェハWの上面側に回り込むことをより確実に防止することができる。
In the present embodiment, the gap forming member 113 is provided so that the gap D1 between the gap forming member 113 and the peripheral edge of the wafer W is constant along the circumferential direction of the wafer W. Therefore, the flow of the inert gas flowing on the upper surface side of the wafer W can be made uniform along the circumferential direction of the wafer W. Therefore, the processing liquid that has reached the lower surface of the peripheral edge of the wafer W more reliably flows around between the wafer W and the
次に、除去工程(ステップS12)を行う。除去工程(ステップS12)では、処理液の供給を停止した状態で、囲い部材70の支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともにウェハWを回転させ、処理液を振り切り乾燥することによって、ウェハWの下面から処理液を除去する。
Next, a removal process (step S12) is performed. In the removing step (step S12), the wafer W is rotated together with the
なお、本実施の形態では、除去工程を、第1の処理工程の後、位置変更工程の前に行う例について説明する。しかし、除去工程は、実施の形態の第2の変形例で後述するように、第1の処理工程の後であり、かつ、位置変更工程の後であって、第2の処理工程の前に行うものであってもよい。したがって、除去工程は、第1の処理工程と第2の処理工程との間で行うものであってもよい。 Note that in this embodiment, an example in which the removing process is performed after the first processing process and before the position changing process will be described. However, as will be described later in the second modification of the embodiment, the removing step is after the first processing step, after the position changing step, and before the second processing step. You may do it. Therefore, the removing step may be performed between the first processing step and the second processing step.
処理液供給機構93の処理液供給管94を介して供給されていた処理液の供給を停止する。また、引き続き回転駆動部80により回転軸62が回転駆動されることによって、ベースプレート61、囲い部材70及び回転カップ71が回転される。そして、ウェハWの下面に残っている処理液は、ウェハWが回転することによって発生する遠心力によって周縁外方に向かって移動されるため、振り切り乾燥される。
The supply of the processing liquid supplied via the processing
また、除去工程(ステップS12)における回転数は、処理液を振り切り乾燥するのに必要な回転数であればよく、限定されないが、例えば第1の処理工程(ステップS11)と同じ第1の回転数V1とすることができる。 Moreover, the rotation speed in the removal process (step S12) is not limited as long as it is a rotation speed necessary to shake off and dry the processing liquid. For example, the same first rotation as in the first processing process (step S11). It can be several V1.
次に、減速工程(ステップS13)を行う。減速工程(ステップS13)では、囲い部材70を回転させる回転数を、第1の回転加速度A1で減速させる。
Next, a deceleration process (step S13) is performed. In the deceleration step (step S13), the number of rotations for rotating the
減速工程(ステップS13)は、その後位置変更工程(ステップS14)及び第2の処理工程(ステップS15)を行うために、いったん囲い部材70を回転させる回転数を減速させる。減速工程(ステップS13)でも、ウェハWを、囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせないように、すなわち囲い部材70の支持ピン72に対する相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともに回転させながら工程を行う。そのため、減速工程(ステップS13)において減速するときの回転加速度は、回転加速度A0よりも小さい例えば第1の回転加速度A1とすることができる。また、減速工程(ステップS13)において減速させるときの回転加速度は、回転加速度A0よりも小さければよく、第1の回転加速度A1と異なる値であってもよい。更に、囲い部材70の回転数は、0rpmまで減速させて回転を停止してもよく、回転を停止させず有限の低い回転数まで減速させるだけでもよい。
In the deceleration process (step S13), in order to perform the position changing process (step S14) and the second processing process (step S15) thereafter, the number of rotations for rotating the
次に、位置変更工程(ステップS14)を行う。位置変更工程(ステップS14)では、囲い部材70を回転させる回転数を変更することによって、ウェハWを囲い部材70に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な第2の回転加速度A2で加速させることによって、相対角度位置を変更する。
Next, a position change process (step S14) is performed. In the position changing step (step S14), the second rotation necessary to slide the wafer W in the circumferential direction with respect to the surrounding
なお、第2の回転加速度A2は、本発明における所定の回転加速度に相当する。また、囲い部材70を回転させる回転数を変更することは、囲い部材70を回転させる回転駆動部80の回転数を変更することを意味する。
The second rotational acceleration A2 corresponds to the predetermined rotational acceleration in the present invention. Further, changing the number of rotations that rotate the surrounding
位置変更工程(ステップS14)では、前述した回転加速度A0以上の第2の回転加速度A2で、囲い部材70の回転数を、次の第2の処理工程(ステップS15)を行う回転数である第2の回転数V2まで加速する。第2の回転加速度A2が回転加速度A0以上であるため、ウェハWが囲い部材70の支持ピン72に対して滑り始める、すなわち相対回転し始める。具体的には、ウェハWの囲い部材70に対する相対角度位置が、回転方向と逆方向にずれるように、滑り始める。すると、支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が、第1の処理工程(ステップS11)において支持ピン72と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が、支持ピン72と当接しなくなる相対角度位置までずらされる。
In the position changing step (step S14), the rotational speed of the surrounding
位置変更工程(ステップS14)においてウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転するとき、ウェハWに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン72とウェハWとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハWの下面側で発生したミストは、ウェハWの上面側に回り込みやすい。 When the wafer W slides on the support pins 72 in the position changing step (step S14), that is, when the wafer W is relatively rotated, if the processing liquid remains on the wafer W, the remaining processing liquid is transferred to the support pins 72 and the wafer W. Mist is easily generated by sliding between the two. Further, when the wafer W slides on the support pins 72, that is, relatively rotates, the mist generated on the lower surface side of the wafer W easily goes around the upper surface side of the wafer W.
しかしながら、本実施の形態では、除去工程(ステップS12)を行うことによってウェハWの下面から処理液を除去した後、位置変更工程(ステップS14)を行う。従って、ウェハWが支持ピン72上を摺動するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。 However, in the present embodiment, the position changing step (step S14) is performed after removing the processing liquid from the lower surface of the wafer W by performing the removing step (step S12). Therefore, when the wafer W slides on the support pins 72, generation of mist of the processing liquid can be prevented.
前述したように、回転加速度A0を例えば400rpm/sとすると、第2の回転加速度A2を例えば400rpm/sとすることができる。第2の回転加速度A2を400rpm/sとするときは、相対角度位置のずれを例えば5°とすることができる。1つの支持ピン72の周方向の角度幅は、例えば1°とすることができる。従って、相対角度位置のずれを5°とするときは、位置変更工程(ステップS14)により、第1の処理工程(ステップS11)におけるウェハWの未処理部分が支持ピン72と当接しない相対角度位置までウェハWを滑らせる、すなわち相対回転させることができる。また、第2の回転数V2を例えば第1の回転数V1と同じ1000rpmとすることができる。
As described above, when the rotational acceleration A0 is set to 400 rpm / s, for example, the second rotational acceleration A2 can be set to 400 rpm / s, for example. When the second rotational acceleration A2 is set to 400 rpm / s, the relative angular position shift can be set to 5 °, for example. The angular width in the circumferential direction of one
次に、第2の処理工程(ステップS15)を行う。第2の処理工程(ステップS15)では、囲い部材70の支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともに第2の回転数V2で回転するウェハWの下面に処理液を供給する。
Next, a second processing step (Step S15) is performed. In the second processing step (step S15), processing is performed on the lower surface of the wafer W that rotates at the second rotation speed V2 together with the surrounding
第1の処理工程(ステップS11)と同様に、回転駆動部80により回転軸62が回転駆動されることによって、ウェハWを下方より支持する囲い部材70が回転され、囲い部材70に設けられた支持ピン72に支持されているウェハWが、支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、回転する。また、第1の処理工程(ステップS11)と同様に、ウェハWの下面には、処理液供給管94を介して処理液が供給される。また、第1の処理工程(ステップS11)と同様に、ウェハWの上面には、トッププレート110の下面112の中心部に設けられた不活性ガス供給口124aから窒素ガス等の不活性ガスが供給される。また、第1の処理工程(ステップS11)と同様に、隙間形成部材113により、ウェハWの周縁部の下面に達した処理液が、ウェハWと囲い部材70との間又は囲い部材70と回転カップ71との間から、ウェハWの上面側に回り込むことをより確実に防止することができる。
Similar to the first processing step (step S <b> 11), when the
一方、第2の処理工程(ステップS15)では、第1の処理工程(ステップS11)において支持ピン72と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン72と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そして、その未処理部分は、第2の処理工程(ステップS15)において処理液と接触するため、処理液により処理される。そのため、支持ピン72に起因するウェハWの未処理部分をなくすことができる。
On the other hand, in the second processing step (step S15), an unprocessed portion that has not been in contact with the processing liquid because it was in contact with the
次に、回転停止工程(ステップS16)を行う。回転停止工程(ステップS16)では、囲い部材70の回転を停止する。
Next, a rotation stop process (step S16) is performed. In the rotation stopping step (step S16), the rotation of the surrounding
回転駆動部80による回転軸62の回転駆動を停止することによって、囲い部材70の回転を停止し、ウェハWの回転を停止する。また、処理液供給機構93の処理液供給管94を介してのウェハWへの処理液の供給も停止する。
By stopping the rotation drive of the
なお、第1の処理工程(ステップS11)と同様に、第2の処理工程(ステップS15)の後、回転停止工程(ステップS16)の前に、除去工程(ステップS12)のように、囲い部材70とともにウェハWを回転し、処理液を振り切り乾燥することによって、ウェハWの下面から処理液を除去する工程を行ってもよい。 As in the first processing step (step S11), the enclosing member is removed after the second processing step (step S15) and before the rotation stopping step (step S16) as in the removing step (step S12). The process of removing the processing liquid from the lower surface of the wafer W may be performed by rotating the wafer W together with 70 and shaking off the processing liquid and drying.
そして、次に、図示しない純水配管から処理液供給機構93の処理液供給管94を介してウェハWに純水を供給して純水リンスを行う。
Next, pure water is supplied to the wafer W from a pure water pipe (not shown) through the processing
なお、回転停止工程(ステップS16)を行わず、ウェハWを回転させたまま、純水リンスを連続して行ってもよい。 Note that pure water rinsing may be continuously performed while the wafer W is rotated without performing the rotation stopping step (step S16).
次に、回転駆動部80によって回転軸62が高速回転される。この結果、支持ピン72上のウェハWが高速回転され、処理液が振り切り乾燥される。その後、回転駆動部80のモータ83が停止され、支持ピン72上のウェハWの回転も停止される。
Next, the rotating
次に、昇降機構120によって、トッププレート110がウェハWの受け渡し位置よりも上方位置に位置づけられる。その後、シリンダ機構92aによって、リフトピンプレート91が上方位置に移動させられて、ウェハWが受け渡し位置(上方位置)に上昇する。
Next, the elevating
次に、搬送機構24のウェハ保持アーム24aによって、リフトピンプレート91上からウェハWが搬出される。このようにして、一枚のウェハWの処理が終了する。
Next, the wafer W is unloaded from the
このようにして搬出されたウェハWは、搬送機構24のウェハ保持アーム24aにより液処理ユニット22から搬出され、受け渡しステージ19の受け渡し棚20に載置され、受け渡し棚20から搬送機構15のウェハ保持アーム15aによりウェハキャリアCに戻される。
The wafer W unloaded in this manner is unloaded from the
本実施の形態では、除去工程(ステップS12)において、処理液を振り切り乾燥する例について説明した。しかしながら、これに限ることなく、例えば、ウェハWを回転させず、ウェハWの下面側から乾燥ガスを供給して、ウェハWの下面に供給された処理液を除去してもよい。 In the present embodiment, the example in which the treatment liquid is shaken and dried in the removing step (step S12) has been described. However, without being limited thereto, for example, the processing liquid supplied to the lower surface of the wafer W may be removed by supplying a dry gas from the lower surface side of the wafer W without rotating the wafer W.
また、本実施の形態では、囲い部材70に設けられている支持ピン72にウェハWの周縁部が載置されることによって、ウェハWが支持される例について説明した。しかしながら、これに限ることなく、例えば、囲い部材70の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン72にウェハWの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハWが支持されてもよい。
(実施の形態の第1の変形例)
次に、図6を参照し、本発明の実施の形態の第1の変形例に係る液処理方法について説明する。図6は、本変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材70の回転数を示すグラフである。
Further, in the present embodiment, the example in which the wafer W is supported by placing the peripheral portion of the wafer W on the support pins 72 provided in the
(First Modification of Embodiment)
Next, a liquid processing method according to a first modification of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a graph showing the number of rotations of the
本変形例に係る液処理方法は、第1の処理工程の後、減速する際にウェハWの囲い部材70に対するウェハWの相対角度位置を変更する点で、実施の形態に係る液処理方法と相違する。
The liquid processing method according to the present modification is different from the liquid processing method according to the embodiment in that the relative angular position of the wafer W with respect to the surrounding
本変形例でも、図1を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム10を用いることができる。また、本変形例でも、図2から図4を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット22を用いることができる。
Also in this modification, the
また、本変形例に係る液処理方法は、図6に示すように、第1の処理工程(ステップS21)、除去工程(ステップS22)、位置変更工程(ステップS23)、第2の処理工程(ステップS24)、回転停止工程(ステップS25)を有する。 Moreover, as shown in FIG. 6, the liquid processing method according to the present modification includes a first processing step (Step S21), a removal step (Step S22), a position changing step (Step S23), and a second processing step ( Step S24) and a rotation stopping step (Step S25).
第1の処理工程(ステップS21)及び除去工程(ステップS22)は、それぞれ実施の形態における第1の処理工程(ステップS11)及び除去工程(ステップS12)と同様である。 The first processing step (step S21) and the removal step (step S22) are the same as the first processing step (step S11) and the removal step (step S12) in the embodiment, respectively.
一方、本変形例では、除去工程(ステップS22)の後、位置変更工程(ステップS23)を行う。位置変更工程(ステップS23)では、ウェハWを囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な第2の回転加速度A2で、囲い部材70を回転させる回転数を減速させる。すると、ウェハWが囲い部材70の支持ピン72に対して滑り始める。具体的には、ウェハWの囲い部材70に対する相対角度位置が、回転方向と同じ方向にずれるように、滑り始める、すなわち相対回転する。すると、支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が、第1の処理工程(ステップS21)において支持ピン72と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が、支持ピン72と当接しなくなる相対角度位置までずらされる。
On the other hand, in this modified example, the position changing step (step S23) is performed after the removing step (step S22). In the position changing step (step S23), the
なお、第2の回転加速度A2は、本発明における所定の回転加速度に相当する。 The second rotational acceleration A2 corresponds to the predetermined rotational acceleration in the present invention.
位置変更工程(ステップS23)においてウェハWが支持ピン72上を滑るとき、すなわち相対回転するとき、ウェハWに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン72とウェハWとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハWの下面側で発生したミストは、ウェハWの上面側に回り込みやすい。しかし、本変形例では、除去工程(ステップS22)を行うことによってウェハWの下面から処理液を除去した後、位置変更工程(ステップS23)を行う。従って、ウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。 When the wafer W slides on the support pins 72 in the position changing step (step S23), that is, when the wafer W is relatively rotated, if the processing liquid remains on the wafer W, the remaining processing liquid is transferred to the support pins 72 and the wafer W. Mist is easily generated by sliding between the two. Further, when the wafer W slides on the support pins 72, that is, relatively rotates, the mist generated on the lower surface side of the wafer W easily goes around the upper surface side of the wafer W. However, in this modification, the position changing step (step S23) is performed after the processing liquid is removed from the lower surface of the wafer W by performing the removing step (step S22). Therefore, when the wafer W slides on the support pins 72, that is, relatively rotates, it is possible to prevent generation of mist of the processing liquid.
また、本変形例でも、実施の形態と同様に、第2の回転加速度A2を例えば400rpm/sとすることができ、相対角度位置のずれを例えば5°とすることができる。囲い部材70の回転数は、0rpmまで減速させて回転を停止させてもよく、回転を停止させず有限の低い回転数まで減速させるだけでもよい。
Also in the present modification, as in the embodiment, the second rotational acceleration A2 can be set to 400 rpm / s, for example, and the relative angular position shift can be set to 5 °, for example. The rotation speed of the surrounding
次に、第2の処理工程(ステップS24)を行う。第2の処理工程(ステップS24)では、囲い部材70を回転させる回転数を、第1の回転加速度A1で第2の回転数V2まで加速させる。そして、ウェハWを、囲い部材70の支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともに第2の回転数V2で回転させ、回転するウェハWの下面に処理液を供給する。
Next, a second processing step (step S24) is performed. In the second processing step (step S24), the rotational speed for rotating the
第2の処理工程(ステップS24)でウェハWを加速するときは、ウェハWを囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせない、すなわち相対回転させないようにして工程を行う。そのため、第2の処理工程(ステップS24)において加速させるときの回転加速度は、ウェハWを囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な回転加速度であり、実施の形態で説明した回転加速度A0よりも小さい例えば第1の回転加速度A1とすることができる。また、第2の処理工程(ステップS24)において加速させるときの回転加速度は、回転加速度A0よりも小さければよく、第1の回転加速度A1と異なる値であってもよい。
When accelerating the wafer W in the second processing step (step S24), the process is performed so that the wafer W is not slid in the circumferential direction with respect to the support pins 72 of the surrounding
また、第2の処理工程(ステップS24)で囲い部材70とともに第2の回転数V2で回転するウェハWの下面に処理液を供給するときは、実施の形態における第2の処理工程(ステップS15)と同様にすることができる。
When supplying the processing liquid to the lower surface of the wafer W rotating at the second rotation speed V2 together with the surrounding
次に、回転停止工程(ステップS25)を行う。回転停止工程(ステップS25)は、実施の形態における回転停止工程(ステップS16)と同様である。 Next, a rotation stop process (step S25) is performed. The rotation stop process (step S25) is the same as the rotation stop process (step S16) in the embodiment.
本変形例でも、第2の処理工程(ステップS24)では、第1の処理工程(ステップS21)において支持ピン72と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン72と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そのため、支持ピン72に起因するウェハWの未処理部分をなくすことができる。
Also in this modified example, in the second processing step (step S24), the unprocessed portion that was not in contact with the processing liquid because it was in contact with the
本変形例でも、囲い部材70の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン72にウェハWの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハWが支持されてもよい。
(実施の形態の第2の変形例)
次に、図7を参照し、本発明の実施の形態の第2の変形例に係る液処理方法について説明する。図7は、本変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材70の回転数を示すグラフである。
Also in this modified example, the lower surface of an arbitrary portion on the center side of the peripheral portion of the wafer W is placed on the support pins 72 provided so as to protrude inward from the lower end of the enclosing
(Second modification of the embodiment)
Next, a liquid processing method according to a second modification of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a graph showing the number of rotations of the
本変形例に係る液処理方法は、除去工程の終了する前に位置変更工程を行う点で、実施の形態に係る液処理方法と相違する。 The liquid treatment method according to this modification is different from the liquid treatment method according to the embodiment in that the position changing step is performed before the removal step is completed.
本変形例でも、図1を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム10を用いることができる。また、本変形例でも、図2から図4を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット22を用いることができる。
Also in this modification, the
また、本変形例に係る液処理方法は、図7に示すように、第1の処理工程(ステップS31)、位置変更工程(ステップS32)、除去工程(ステップS33)、第2の処理工程(ステップS34)、回転停止工程(ステップS35)を有する。 Moreover, as shown in FIG. 7, the liquid processing method according to the present modification includes a first processing step (step S31), a position changing step (step S32), a removing step (step S33), and a second processing step ( Step S34) and a rotation stopping step (Step S35).
第1の処理工程(ステップS31)は、実施の形態における第1の処理工程(ステップS11)と同様である。 The first processing step (step S31) is the same as the first processing step (step S11) in the embodiment.
一方、本変形例では、第1の処理工程(ステップS31)の後、処理液の供給を停止した状態で、位置変更工程(ステップS32)を行う。位置変更工程(ステップS32)では、ウェハWを囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な第2の回転加速度A2で、囲い部材70を回転させる回転数を所定の振り切り回転数VRまで加速させる。すると、ウェハWが囲い部材70の支持ピン72に対して滑り始める、すなわち相対回転し始める。具体的には、ウェハWの囲い部材70に対する相対角度位置が、回転方向と逆方向にずれるように、滑り始める。すると、支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が、第1の処理工程(ステップS31)において支持ピン72と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が、支持ピン72と当接しなくなる相対角度位置までずらされる。
On the other hand, in the present modification, after the first processing step (step S31), the position changing step (step S32) is performed in a state where supply of the processing liquid is stopped. In the position changing step (step S32), the
なお、第2の回転加速度A2は、本発明における所定の回転加速度に相当する。 The second rotational acceleration A2 corresponds to the predetermined rotational acceleration in the present invention.
引続いて、除去工程(ステップS33)を行う。除去工程(ステップS33)では、囲い部材70の支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともにウェハWを所定の振り切り回転数VRで回転させ、処理液を振り切り乾燥することによって、ウェハWの下面から処理液を除去する。
Subsequently, a removal process (step S33) is performed. In the removal step (step S33), the wafer W is rotated together with the
また、本変形例では、処理液の供給を停止した状態で、ウェハWを回転させながら、位置変更工程(ステップS32)及び除去工程(ステップS33)を連続して行う。そして、位置変更工程(ステップS32)が開始されると同時に、ウェハWからの処理液の振り切り乾燥も開始される。従って、第1の処理工程(ステップS31)の後、除去工程(ステップS33)が開始され、除去工程(ステップS33)が開始される際に、除去工程(ステップS33)とともに位置変更工程(ステップS32)が行われる、とみなすこともできる。 In the present modification, the position changing step (step S32) and the removing step (step S33) are continuously performed while rotating the wafer W while the supply of the processing liquid is stopped. Then, at the same time as the position changing step (step S32) is started, the treatment liquid is shaken and dried from the wafer W. Therefore, after the first processing step (step S31), the removal step (step S33) is started, and when the removal step (step S33) is started, the position changing step (step S32) is performed together with the removal step (step S33). ) Can be considered.
位置変更工程(ステップS32)においてウェハWが支持ピン72上を滑るとき、すなわち相対回転するとき、ウェハWに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン72とウェハWとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハWの下面側で発生したミストは、ウェハWの上面側に回り込みやすい。しかし、本変形例では、除去工程(ステップS33)を開始することによってウェハWの下面からの処理液の除去を開始し、処理液の除去を開始する際に位置変更工程(ステップS32)を行う。従って、従来の液処理方法と比較して、ウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。 When the wafer W slides on the support pins 72 in the position changing step (step S32), that is, when the wafer W relatively rotates, if the processing liquid remains on the wafer W, the remaining processing liquid is transferred to the support pins 72 and the wafer W. Mist is easily generated by sliding between the two. Further, when the wafer W slides on the support pins 72, that is, relatively rotates, the mist generated on the lower surface side of the wafer W easily goes around the upper surface side of the wafer W. However, in this modification, the removal of the processing liquid from the lower surface of the wafer W is started by starting the removal process (step S33), and the position changing process (step S32) is performed when the removal of the processing liquid is started. . Therefore, as compared with the conventional liquid processing method, when the wafer W slides on the support pins 72, that is, when the wafer W relatively rotates, the generation of mist of the processing liquid can be prevented.
次に、第2の処理工程(ステップS34)を行う。第2の処理工程(ステップS34)では、囲い部材70を回転させる回転数を、第1の回転加速度A1で第2の回転数V2まで減速させる。そして、ウェハWを、囲い部材70の支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともに第2の回転数V2で回転させ、回転するウェハWの下面に処理液を供給する。
Next, a second processing step (step S34) is performed. In the second processing step (step S34), the rotational speed at which the surrounding
第2の処理工程(ステップS34)でウェハWを減速させるときは、ウェハWを囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせない、すなわち相対回転させないようにして工程を行う。そのため、第2の処理工程(ステップS34)において減速させるときの回転加速度は、ウェハWを囲い部材70の支持ピン72に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な回転加速度であり、実施の形態で説明した回転加速度A0よりも小さい例えば第1の回転加速度A1とすることができる。また、第2の処理工程(ステップS34)において減速させるときの回転加速度は、回転加速度A0よりも小さければよく、第1の回転加速度A1と異なる値であってもよい。
When the wafer W is decelerated in the second processing step (step S34), the process is performed so that the wafer W is not slid in the circumferential direction with respect to the support pins 72 of the surrounding
また、第2の処理工程(ステップS34)で囲い部材70とともに第2の回転数V2で回転するウェハWの下面に処理液を供給するときは、実施の形態における第2の処理工程(ステップS15)と同様にすることができる。
When the processing liquid is supplied to the lower surface of the wafer W that rotates at the second rotation speed V2 together with the surrounding
なお、本変形例では、振り切り回転数VRが第1の回転数V1よりも大きい例について説明した。しかし、しかしながら、これに限ることなく、例えば、振り切り回転数VRが第1の回転数V1よりも小さくてもよい。このときは、位置変更工程(ステップS32)では、回転加速度A0以上の第2の回転加速度A2で、囲い部材70を回転させる回転数を所定の振り切り回転数VRまで減速させる。そして、第2の処理工程(ステップS34)では、囲い部材70を回転させる回転数を、第1の回転加速度A1で第2の回転数V2まで加速させる。そして、ウェハWを、囲い部材70の支持ピン72に対するウェハWの相対角度位置が変わらないように、囲い部材70とともに第2の回転数V2で回転させ、回転するウェハWの下面に処理液を供給する。
In this modification, the example in which the swing-off rotation speed VR is larger than the first rotation speed V1 has been described. However, without being limited to this, for example, the swing-off rotation speed VR may be smaller than the first rotation speed V1. At this time, in the position changing step (step S32), the rotational speed at which the surrounding
次に、回転停止工程(ステップS35)を行う。回転停止工程(ステップS35)は、実施の形態における回転停止工程(ステップS16)と同様である。 Next, a rotation stop process (step S35) is performed. The rotation stopping step (step S35) is the same as the rotation stopping step (step S16) in the embodiment.
本変形例でも、第2の処理工程(ステップS34)では、第1の処理工程(ステップS31)において支持ピン72と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン72と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そのため、支持ピン72に起因するウェハWの未処理部分をなくすことができる。
Also in this modified example, in the second processing step (step S34), the unprocessed portion that was not in contact with the processing liquid because it was in contact with the
本変形例でも、囲い部材70の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン72にウェハWの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハWが支持されてもよい。
(実施の形態の第3の変形例)
次に、図8を参照し、本発明の実施の形態の第3の変形例に係る液処理方法について説明する。図8は、本変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材70の回転数を示すグラフである。
Also in this modified example, the lower surface of an arbitrary portion on the center side of the peripheral portion of the wafer W is placed on the support pins 72 provided so as to protrude inward from the lower end of the enclosing
(Third Modification of Embodiment)
Next, a liquid processing method according to a third modification of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a graph showing the number of rotations of the
本変形例に係る液処理方法は、除去工程を行わない点で、実施の形態に係る液処理方法と相違する。 The liquid treatment method according to this modification is different from the liquid treatment method according to the embodiment in that the removal process is not performed.
本変形例でも、図1を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム10を用いることができる。また、本変形例でも、図2から図4を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット22を用いることができる。
Also in this modification, the
また、本変形例に係る液処理方法は、図8に示すように、第1の処理工程(ステップS41)、減速工程(ステップS42)、位置変更工程(ステップS43)、第2の処理工程(ステップS44)、回転停止工程(ステップS45)を有する。 Moreover, as shown in FIG. 8, the liquid processing method according to this modification includes a first processing step (step S41), a deceleration step (step S42), a position changing step (step S43), and a second processing step ( Step S44) and a rotation stopping step (Step S45).
第1の処理工程(ステップS41)は、実施の形態における第1の処理工程(ステップS11)と同様である。 The first processing step (step S41) is the same as the first processing step (step S11) in the embodiment.
一方、本変形例では、第1の処理工程(ステップS41)の後、除去工程を行わず、減速工程(ステップS42)から回転停止工程(ステップS45)を行う。減速工程(ステップS42)から回転停止工程(ステップS45)のそれぞれは、実施の形態における減速工程(ステップS13)から回転停止工程(ステップS16)と同様である。また、減速工程(ステップS42)は、処理液の供給を停止した状態で行われる。 On the other hand, in this modification, after the first processing step (step S41), the removal step is not performed, and the rotation stopping step (step S45) is performed from the deceleration step (step S42). Each of the deceleration process (step S42) to the rotation stop process (step S45) is the same as the deceleration process (step S13) to the rotation stop process (step S16) in the embodiment. Further, the deceleration process (step S42) is performed in a state where supply of the processing liquid is stopped.
本変形例では、減速工程(ステップS42)及び位置変更工程(ステップS43)においてウェハWが回転する時間があり、その間にウェハWからの処理液の振り切り乾燥も行われる。 In this modification, there is time for the wafer W to rotate in the deceleration process (step S42) and the position change process (step S43), and during that time, the processing liquid from the wafer W is shaken and dried.
位置変更工程(ステップS43)においてウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転するとき、ウェハWに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン72とウェハWとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハWの下面側で発生したミストは、ウェハWの上面側に回り込みやすい。しかし、本変形例では、減速工程(ステップS42)及び位置変更工程(ステップS43)とともに処理液の振り切り乾燥が行われる。従って、位置変更工程(ステップS43)を開始する際に、従来の液処理方法と比較して、ウェハWが支持ピン72上を滑る、すなわち相対回転するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。 When the wafer W slides on the support pins 72 in the position changing step (step S43), that is, when the wafer W is relatively rotated, if the processing liquid remains on the wafer W, the remaining processing liquid is transferred to the support pins 72 and the wafer W. Mist is easily generated by sliding between the two. Further, when the wafer W slides on the support pins 72, that is, relatively rotates, the mist generated on the lower surface side of the wafer W easily goes around the upper surface side of the wafer W. However, in this modification, the processing liquid is shaken and dried together with the deceleration process (step S42) and the position change process (step S43). Therefore, when starting the position changing step (step S43), compared with the conventional liquid processing method, when the wafer W slides on the support pins 72, that is, when it relatively rotates, generation of mist of the processing liquid is prevented. can do.
本変形例でも、第2の処理工程(ステップS44)では、第1の処理工程(ステップS41)において支持ピン72と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン72と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そのため、支持ピン72に起因するウェハWの未処理部分をなくすことができる。
Also in this modified example, in the second processing step (step S44), the unprocessed portion that was not in contact with the processing liquid because it was in contact with the
本変形例でも、囲い部材70の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン72にウェハWの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハWが支持されてもよい。
Also in this modified example, the lower surface of an arbitrary portion on the center side of the peripheral portion of the wafer W is placed on the support pins 72 provided so as to protrude inward from the lower end of the enclosing
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Can be modified or changed.
10 液処理システム
22 液処理ユニット
70 囲い部材
72 支持ピン
80 回転駆動部
93 処理液供給機構
200 制御部
DESCRIPTION OF
Claims (11)
回転可能に設けられた、前記基板を下方より支持する支持部に支持されている前記基板を、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第1の処理工程と、
前記第1の処理工程の後、前記支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、前記相対角度位置を変更する位置変更工程と、
前記位置変更工程の後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第2の処理工程と
を有する、液処理方法。 In the liquid processing method of processing the lower surface of the substrate with the processing liquid,
The substrate that is rotatably supported and supported by a support unit that supports the substrate from below is rotated and rotated together with the support unit so that the relative angular position of the substrate with respect to the support unit does not change. A first processing step of supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate, and processing the lower surface of the substrate with the supplied processing liquid;
After the first processing step, a position changing step for changing the relative angular position by changing the number of rotations of the rotating unit that rotates the support unit;
After the position changing step, the substrate supported by the support portion is rotated together with the support portion so that the relative angular position does not change, and a processing liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate, and supplied And a second processing step of processing the lower surface of the substrate with the processed processing liquid.
回転可能に設けられ、前記基板を下方より支持する支持部と、
前記支持部を回転させる回転部と、
前記支持部に支持されている前記基板の下面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理し、前記下面を処理した後、前記支持部を前記回転部により回転させる回転数を変更することによって、前記相対角度位置を変更し、前記相対角度位置を変更した後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する制御部と
を有する、液処理装置。 In the liquid processing apparatus that processes the lower surface of the substrate with the processing liquid,
A support portion that is rotatably provided and supports the substrate from below;
A rotating part for rotating the support part;
A treatment liquid supply part for supplying a treatment liquid to the lower surface of the substrate supported by the support part;
The substrate supported by the support unit is rotated together with the support unit so that the relative angular position of the substrate with respect to the support unit is not changed by the rotating unit, and the processing liquid is placed on the lower surface of the rotating substrate. The processing liquid is supplied by the supply unit, the lower surface of the substrate is processed by the supplied processing liquid, and the lower surface is processed. After changing the angular position and changing the relative angular position, the substrate supported by the support unit is rotated by the rotating unit together with the support unit so that the relative angular position does not change. A liquid processing apparatus comprising: a control unit configured to supply a processing liquid to the lower surface of the substrate by the processing liquid supply unit and process the lower surface of the substrate with the supplied processing liquid.
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