JP2011233006A - Electronic circuit, image-forming apparatus and initialization method for ddr-sdram - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for suitably reducing the time on initialization for a DDR-SDRAM.SOLUTION: An electronic circuit 31 comprises an internal memory 47 having a shorter access time than a DDR-SDRAM 33, a control part 41 for performing various processes by using the internal memory 47 and the DDR-SDRAM 33 according to a program stored in a nonvolatile memory 32, and a switching part 50 for switching the access from the control part 41 to the internal memory 47 and the access from the control part 41 to the DDR-SDRAM 33. The control part 41 reads an initializing program for initializing the DDR-SDRAM 33 from the nonvolatile memory 32 and stores the read initializing program in the internal memory 47 to initialize the DDR-SDRAM 33 by using the initializing program stored in the internal memory 47.

Description

本発明は電子回路、当該電子回路を備えた画像形成装置およびDDR−SDRAMの初期化方法に関し、詳しくは、DDR−SDRAMを初期化する技術に関する。   The present invention relates to an electronic circuit, an image forming apparatus including the electronic circuit, and a method for initializing a DDR-SDRAM, and more particularly to a technique for initializing a DDR-SDRAM.

従来、DDR−SDRAM(Double Data Rate−Synchronous Dynamic Random Access Memory)の初期化に関する技術として、例えば、DDR−PHYのリセット(初期化)要求信号をハードウェアの構成により生成し、DDR−PHYのリセット処理を行う技術が開示されている。   Conventionally, as a technique related to initialization of a DDR-SDRAM (Double Data Rate-Synchronous Dynamic Random Access Memory), for example, a DDR-PHY reset (initialization) request signal is generated by a hardware configuration, and the DDR-PHY is reset. Techniques for performing processing are disclosed.

特開2010−020387号公報JP 2010-020387A

しかしながら、通常、DDR−SDRAMの初期化の手順はSDRAMより複雑であり、また、DDR−SDRAMの機種に応じて手順の変更が必要であるため、ハードウェアの構成でDDR−SDRAMを初期化することは、必ずしも好適と言えない場合があった。そのため、DDR−SDRAMの初期化をソフト的に行う方法も行われていた。例えば、初期化命令コード(初期化プログラム)を外部ROM等に予め記憶させておいて、DDR−SDRAMを初期化の際に、初期化プログラムをROMから読み出して、読み出された初期化プログラムによってDDR−SDRAMを初期化する方法があった。このソフトによる方法によって、ハードウェア構成による不都合点をカバーできるものの、DDR−SDRAMの初期化に要する時間のさらなる短縮が要望されていた。   However, since the initialization procedure of the DDR-SDRAM is usually more complicated than that of the SDRAM, and the procedure needs to be changed according to the model of the DDR-SDRAM, the DDR-SDRAM is initialized with a hardware configuration. This is not always preferable. Therefore, a method of performing initialization of the DDR-SDRAM in software has also been performed. For example, an initialization instruction code (initialization program) is stored in advance in an external ROM or the like, and when the DDR-SDRAM is initialized, the initialization program is read from the ROM, and the read initialization program There was a method for initializing the DDR-SDRAM. Although this software method can cover the disadvantages of the hardware configuration, there has been a demand for further reduction in the time required for initialization of the DDR-SDRAM.

本発明は、DDR−SDRAMの初期化に要する時間を好適に短縮する技術を提供するものである。   The present invention provides a technique for suitably shortening the time required for initialization of a DDR-SDRAM.

第1の発明に係る電子回路は、DDR−SDRAMより短いアクセス時間を有する内部メモリと、不揮発性メモリに記憶されたプログラムにしたがって、前記内部メモリおよび前記DDR−SDRAMを利用して各種処理を実行する制御部と、前記制御部、前記内部メモリ、および前記DDR−SDRAMに接続され、前記制御部から、前記内部メモリへのアクセスと前記DDR−SDRAMへのアクセスとを切替える切替部とを備え、前記制御部は、前記不揮発性メモリから、該不揮発性メモリに記憶された、前記DDR−SDRAMを初期化するための初期化プログラムを読み込み、読み込んだ前記初期化プログラムを前記内部メモリに格納し、前記内部メモリに格納された前記初期化プログラムを用いて前記DDR−SDRAMを初期化する。   The electronic circuit according to the first invention executes various processes using the internal memory and the DDR-SDRAM according to an internal memory having an access time shorter than that of the DDR-SDRAM and a program stored in the nonvolatile memory. A control unit that is connected to the control unit, the internal memory, and the DDR-SDRAM, and switches from the control unit to an access to the internal memory and an access to the DDR-SDRAM. The control unit reads an initialization program stored in the nonvolatile memory for initializing the DDR-SDRAM from the nonvolatile memory, stores the read initialization program in the internal memory, Initializing the DDR-SDRAM using the initialization program stored in the internal memory To.

本構成によれば、不揮発性メモリに記憶された初期化プログラム(ソフト)を利用してDDR−SDRAMを初期化する場合、不揮発性メモリのみを利用して初期化する場合と比べて、不揮発性メモリへのアクセス回数を低減することができる。そのため、内部メモリとして、例えば、動作速度の速いSRAMを使用することによって、DDR−SDRAMの初期化時間を短縮することができる。また、制御部は、DDR−SDRAMの初期化後において、切替部によって、初期化用途以外に内部メモリを有効に利用することができる。すなわち、内部メモリを合理的に利用しつつ、DDR−SDRAMの初期化時間を好適に短縮することができる。   According to this configuration, the initialization of the DDR-SDRAM using the initialization program (software) stored in the nonvolatile memory is more nonvolatile than the initialization using only the nonvolatile memory. The number of accesses to the memory can be reduced. Therefore, the initialization time of the DDR-SDRAM can be shortened by using, for example, an SRAM having a high operation speed as the internal memory. Further, the control unit can effectively use the internal memory other than the initialization purpose by the switching unit after the initialization of the DDR-SDRAM. That is, the initialization time of the DDR-SDRAM can be suitably shortened while rationally using the internal memory.

なお、ここで、DDR−SDRAMは、より高速化に対応する構成を有する、いわゆるDDR2−SDRAM、DDR3−SDRAM等も含む。   Here, the DDR-SDRAM includes so-called DDR2-SDRAM, DDR3-SDRAM and the like having a configuration corresponding to higher speed.

第2の発明は、第1の発明の電子回路において、該電子回路は、前記切替部に接続され、前記DDR−SDRAMの初期化後において、前記制御部以外からの前記内部メモリへのアクセスを可能にするインターフェース回路をさらに備える。
本構成によれば、DDR−SDRAMの初期化後において、内部メモリを有効に使用できる。
A second invention is the electronic circuit of the first invention, wherein the electronic circuit is connected to the switching unit, and after initialization of the DDR-SDRAM, access to the internal memory from other than the control unit is allowed. It further comprises an interface circuit for enabling.
According to this configuration, the internal memory can be used effectively after initialization of the DDR-SDRAM.

第3の発明は、第2の発明の電子回路において、前記インターフェース回路は、通信回線を介して外部からデータを受信し、受信データを前記内部メモリに送信する通信インターフェースである。
本構成によれば、DDR−SDRAMの初期化後、通信回線を介して受信したデータを記憶するために内部メモリを使用できる。
According to a third aspect of the present invention, in the electronic circuit of the second aspect, the interface circuit is a communication interface that receives data from the outside via a communication line and transmits the received data to the internal memory.
According to this configuration, after initialization of the DDR-SDRAM, the internal memory can be used to store data received via the communication line.

第4の発明は、第3の発明の電子回路において、該電子回路は、動作モードとして通常モードと前記通常モードより電力消費の少ない省電力モードとを有し、前記切替部は、DDR−SDRAMの初期化後、前記動作モードが前記通常モードから前記省電力モードに移行した場合、前記受信データの送信先を前記DDR−SDRAMから前記内部メモリに切替える。
本構成によれば、省電力モード時に内部メモリを有効に利用でき、かつDDR−SDRAMにデータを記憶する時よりも省電力化できる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the electronic circuit of the third aspect, the electronic circuit has a normal mode and a power saving mode that consumes less power than the normal mode as operation modes, and the switching unit is a DDR-SDRAM. After the initialization, when the operation mode shifts from the normal mode to the power saving mode, the transmission destination of the reception data is switched from the DDR-SDRAM to the internal memory.
According to this configuration, the internal memory can be effectively used in the power saving mode, and power saving can be achieved as compared with the case of storing data in the DDR-SDRAM.

第5の発明は、第4の発明の電子回路において、前記制御部は、前記省電力モードにおいて前記通信インターフェースがデータを受信したことをトリガーとして、前記省電力モードから前記通常モードに復帰する。
本構成によれば、通信回線を介して受信した受信データの容量が大きい場合に、受信データが内部メモリから溢れるのを抑制できる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the electronic circuit according to the fourth aspect, the control unit returns from the power saving mode to the normal mode triggered by reception of data by the communication interface in the power saving mode.
According to this configuration, it is possible to prevent the received data from overflowing from the internal memory when the capacity of the received data received via the communication line is large.

第6の発明は、第4または第5の発明の電子回路において、前記制御部は、前記通常モード時において動作するメイン制御部と前記省電力モード時において動作するサブ制御部とを含み、前記サブ制御部は、前記通常モードから前記省電力モードへの移行時に、前記内部メモリに記憶されているプログラムを読込んで動作を開始する。
本構成によれば、省電力モード時に内部メモリを有効に利用できる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the electronic circuit of the fourth or fifth aspect, the control unit includes a main control unit that operates in the normal mode and a sub-control unit that operates in the power saving mode, The sub-control unit reads the program stored in the internal memory and starts the operation when shifting from the normal mode to the power saving mode.
According to this configuration, the internal memory can be effectively used in the power saving mode.

第7の発明は、第6の発明の電子回路において、前記メイン制御部は、前記DDR−SDRAMの初期化後において前記通常モードから前記省電力モードに移行する前に、前記内部メモリに前記サブ制御部が動作するための前記プログラムを書き込み、前記省電力モード時、前記メイン制御部および前記DDR−SDRAMの動作が停止される。
本構成によれば、内部メモリをより有効に利用できる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the electronic circuit of the sixth aspect, the main control unit stores the sub memory in the internal memory before shifting from the normal mode to the power saving mode after the initialization of the DDR-SDRAM. The program for operating the control unit is written, and the operations of the main control unit and the DDR-SDRAM are stopped in the power saving mode.
According to this configuration, the internal memory can be used more effectively.

第8の発明は、第1から第7のいずれか一つの発明の電子回路において、前記初期化プログラムは圧縮して前記不揮発性メモリに記憶されており、前記制御部は、前記不揮発性メモリから読み出した前記初期化プログラムを解凍して前記内部メモリに記憶する。
本構成によれば、DDR−SDRAMの初期化に要する時間をさらに短縮できる。
An eighth invention is the electronic circuit according to any one of the first to seventh inventions, wherein the initialization program is compressed and stored in the nonvolatile memory, and the control unit is stored in the nonvolatile memory. The read initialization program is decompressed and stored in the internal memory.
According to this configuration, the time required for initialization of the DDR-SDRAM can be further shortened.

第9の発明は、第1から第8のいずれか一つの発明の電子回路において、前記切替部は、DDR−SDRAMの初期化後において、前記DDR−SDRAM内のデータを読み出すDDR−SDRAMリード要求を受信した後に、前記内部メモリ内のデータを読み出す内部メモリリード要求を受信した場合、前記DDR−SDRAMリード要求に応じて読み出した前記DDR−SDRAM内のデータを要求先に出力した後に、前記内部メモリリード要求に応じて読み出した前記内部メモリ内のデータを要求先に出力する。   According to a ninth aspect of the present invention, in the electronic circuit according to any one of the first to eighth aspects, the switching unit is a DDR-SDRAM read request for reading data in the DDR-SDRAM after the initialization of the DDR-SDRAM. After receiving the internal memory read request for reading the data in the internal memory, the data in the DDR-SDRAM read in response to the DDR-SDRAM read request is output to the request destination, and then the internal The data in the internal memory read in response to the memory read request is output to the request destination.

本構成によれば、通常、DDR−SDRAMからのデータ読み出しの方が、SRAM等の内部メモリからのデータ読み出しと比べて、その処理に係る時間が長い。そのため、DDR−SDRAMの初期化後において、例えば、制御部から、DDR−SDRAMからのデータ読み出し要求の後に、内部メモリからのデータ読み出し要求がなされた場合、内部メモリからのデータが先に制御部に出力されるという不整合を回避できる。すなわち、DDR−SDRAMの初期化後において、内部メモリとDDR−SDRAMとを利用した処理を好適に行うことができる。また、複数の制御部によって、内部メモリとDDR−SDRAMとを利用した処理を行う場合においても、データ読み出し処理を好適に行うことができる。   According to this configuration, data reading from the DDR-SDRAM usually takes longer time for processing than data reading from the internal memory such as SRAM. Therefore, after initialization of the DDR-SDRAM, for example, when a data read request is made from the internal memory after a data read request from the DDR-SDRAM, the data from the internal memory is first transferred to the control unit. Can be avoided. That is, after initialization of the DDR-SDRAM, processing using the internal memory and the DDR-SDRAM can be suitably performed. Further, even when a process using the internal memory and the DDR-SDRAM is performed by a plurality of control units, the data read process can be suitably performed.

第10の発明は、第9の発明の電子回路において、前記切替部は、前記DDR−SDRAMリード要求に係る処理が終了するまで前記内部メモリリード要求に係る処理の一部を保留する。
本構成によれば、この場合、例えば、DDR−SDRAMリード要求に係る処理と並行して、内部メモリリード要求に応じて内部メモリからデータを読み出し、読み出されたデータを切替部内に一時的に保管して要求先へのデータ出力を保留する。そして、DDR−SDRAM内のデータを要求先に出力の完了後、即座に内部メモリ内のデータを要求先に出力することができる。
According to a tenth aspect, in the electronic circuit of the ninth aspect, the switching unit suspends a part of the processing related to the internal memory read request until the processing related to the DDR-SDRAM read request is completed.
According to this configuration, in this case, for example, in parallel with the processing related to the DDR-SDRAM read request, data is read from the internal memory in response to the internal memory read request, and the read data is temporarily stored in the switching unit. Save and defer data output to the requestee. Then, after the output of the data in the DDR-SDRAM to the request destination is completed, the data in the internal memory can be output to the request destination immediately.

第11の発明は、第1から第10のいずれか一つの発明の電子回路において、前記切替部は、DMA制御部によって構成され、前記DMA制御部は、前記制御部に接続されるDMA調停回路と、前記内部メモリおよびDDR−SDRAMからの読み出しデータを受け取り、前記読み出しデータの選択および選択された前記読み出しデータの出力先を選択するリードデータ選択回路と、前記DMA調停回路に接続され、前記制御部がアクセスするメモリを選択する内部メモリ/DDR−SDRAM選択回路とを含む。
本構成によれば、切替部をDMA制御部によって構成することによって、内部メモリおよびDDR−SDRAMへのアクセス処理を好適に行い、アクセス時間を短縮することができる。
An eleventh invention is the electronic circuit according to any one of the first to tenth inventions, wherein the switching unit is configured by a DMA control unit, and the DMA control unit is connected to the control unit. A read data selection circuit that receives read data from the internal memory and DDR-SDRAM, selects the read data and selects an output destination of the selected read data, and is connected to the DMA arbitration circuit, and Internal memory / DDR-SDRAM selection circuit for selecting a memory to be accessed by the unit.
According to this configuration, by configuring the switching unit with the DMA control unit, the access process to the internal memory and the DDR-SDRAM can be suitably performed, and the access time can be shortened.

また、第12の発明に係る電子回路は、DDR−SDRAMより短いアクセス時間を有する内部メモリと、前記内部メモリおよび前記DDR−SDRAMにアクセスして各種処理を実行する制御部と、前記制御部、前記内部メモリ、および前記DDR−SDRAMに接続され、前記制御部から、前記内部メモリへのアクセスと前記DDR−SDRAMへのアクセスとを切替える切替部とを備え、前記切替部は、前記DDR−SDRAM内のデータを読み出すDDR−SDRAMリード要求を受信した後に、前記内部メモリ内のデータを読み出す内部メモリリード要求を受信した場合、前記DDR−SDRAMリード要求に応じて読み出した前記DDR−SDRAM内のデータを要求先に出力した後に、前記内部メモリリード要求に応じて読み出した前記内部メモリ内のデータを要求先に出力する。
本構成によれば、DDR−SDRAMの初期化後において、内部メモリとDDR−SDRAMとを利用した処理を好適に行うことができる。また、複数の制御部によって、内部メモリとDDR−SDRAMとを利用した処理を行う場合においても、データ読み出し処理を好適に行うことができる。
An electronic circuit according to a twelfth aspect of the invention includes an internal memory having an access time shorter than that of a DDR-SDRAM, a control unit that accesses the internal memory and the DDR-SDRAM and executes various processes, the control unit, A switching unit that is connected to the internal memory and the DDR-SDRAM and switches between the access to the internal memory and the access to the DDR-SDRAM from the control unit; and the switching unit includes the DDR-SDRAM When an internal memory read request for reading data in the internal memory is received after receiving a DDR-SDRAM read request for reading data in the data, the data in the DDR-SDRAM read in response to the DDR-SDRAM read request Is output in response to the internal memory read request. And it outputs the data in the internal memory which is a request destination.
According to this configuration, after initialization of the DDR-SDRAM, processing using the internal memory and the DDR-SDRAM can be suitably performed. Further, even when a process using the internal memory and the DDR-SDRAM is performed by a plurality of control units, the data read process can be suitably performed.

第13の発明に係る画像形成装置は、被記録媒体に画像を形成する画像形成装置であって、請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電子回路と、前記制御部によって実行される、該画像形成装置の動作を制御するための各種プログラムが格納された前記不揮発性メモリと、前記DDR−SDRAMと、前記電子回路の制御に基づいて、画像を形成する画像形成部とを備える。   An image forming apparatus according to a thirteenth aspect is an image forming apparatus for forming an image on a recording medium, and is executed by the electronic circuit according to any one of claims 1 to 12 and the control unit. The nonvolatile memory storing various programs for controlling the operation of the image forming apparatus, the DDR-SDRAM, and an image forming unit that forms an image based on the control of the electronic circuit. Prepare.

本構成によれば、電子回路、例えばASICによって画像形成装置の動作を制御する際に、DDR−SDRAMの初期化時間を短縮することができる。また、制御部は、DDR−SDRAMの初期化後において、同初期化用途以外に内部メモリを有効に利用することができる。ひいては、画像形成の効率化を図ることができる。   According to this configuration, the initialization time of the DDR-SDRAM can be shortened when the operation of the image forming apparatus is controlled by an electronic circuit, for example, an ASIC. In addition, after the initialization of the DDR-SDRAM, the control unit can effectively use the internal memory for purposes other than the initialization purpose. As a result, the efficiency of image formation can be improved.

また、第14の発明に係るDDR−SDRAMの初期化方法は、DDR−SDRAMを初期化する方法であって、前記電子回路は、前記DDR−SDRAMよりアクセス時間の短い内部メモリを備え、該方法は、不揮発性メモリから、該不揮発性メモリに記憶された、前記DDR−SDRAMを初期化するための初期化プログラムを前記電子回路に読み込む工程と、読み込んだ前記初期化プログラムを前記内部メモリに格納する工程と、前記内部メモリに格納された前記初期化プログラムを用いて前記DDR−SDRAMを初期化する工程とを含む。
本構成によれば、DDR−SDRAMの初期化時間を好適に短縮することができる。
A DDR-SDRAM initialization method according to a fourteenth aspect of the invention is a method for initializing a DDR-SDRAM, wherein the electronic circuit includes an internal memory having a shorter access time than the DDR-SDRAM. Reads from the nonvolatile memory an initialization program stored in the nonvolatile memory for initializing the DDR-SDRAM into the electronic circuit, and stores the read initialization program in the internal memory. And a step of initializing the DDR-SDRAM using the initialization program stored in the internal memory.
According to this configuration, the initialization time of the DDR-SDRAM can be shortened suitably.

第15の発明は、第14の発明のDDR−SDRAMの初期化方法において、前記初期化する工程の後において、前記電子回路の外部から前記内部メモリにアクセスする外部アクセス工程をさらに含む。
本構成によれば、内部メモリをDDR−SDRAMの初期化以後においても有効に利用できるため、内部メモリを合理的に使用できる。
A fifteenth aspect of the invention is the method for initializing a DDR-SDRAM according to the fourteenth aspect of the invention, further comprising an external access step of accessing the internal memory from outside the electronic circuit after the step of initializing.
According to this configuration, the internal memory can be used effectively after the initialization of the DDR-SDRAM, so that the internal memory can be used rationally.

本発明によれば、DDR−SDRAMの初期化に要する時間を好適に短縮することができる。   According to the present invention, the time required for initializing the DDR-SDRAM can be suitably shortened.

本発明の実施形態に係るプリンタの概略的な電気的構成を示すブロック図1 is a block diagram showing a schematic electrical configuration of a printer according to an embodiment of the present invention. プリンタの電子回路の概略的な電気的構成を示すブロック図Block diagram showing schematic electrical configuration of electronic circuit of printer DDR初期化の処理を示すフローチャートFlowchart showing DDR initialization processing RAMアクセス要求に係る処理の概要を示すフローチャートA flowchart showing an outline of processing related to a RAM access request メモリリード要求に係るDMA制御部の処理を示すフローチャートA flowchart showing processing of the DMA control unit related to a memory read request 別の、メモリリード要求に係るDMA制御部の処理を示すフローチャートAnother flowchart showing processing of the DMA control unit related to a memory read request

<実施形態>
本発明の一実施形態について図1から図5を参照して説明する。
<Embodiment>
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

1.印刷システムの電気的構成
図1は、複数のパーソナルコンピュータ(以下、「PC」と記す)10と、プリンタ30(画像形成装置の一例)とを含む印刷システムの電気的構成を示すブロック図である。なお、画像形成装置はプリンタに限られず、例えば、ファクシミリ、コピー機であってもよいし、それらの機能を備えた複合機であってもよい。
1. FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a printing system including a plurality of personal computers (hereinafter referred to as “PCs”) 10 and a printer 30 (an example of an image forming apparatus). . Note that the image forming apparatus is not limited to a printer, and may be, for example, a facsimile machine, a copier, or a multifunction machine having these functions.

プリンタ30は、ASIC(特定用途向け集積回路:「電子回路」の一例)31、外部ROM(「不揮発性メモリ」の一例)32、外部DDR2−SDRAM(「DDR−SDRAM」の一例)33、外部LSI34、操作部35、表示部36、および画像形成部37等を含む。ASIC31は第1CPU41、第2CPU42およびネットワークインターフェイス(I/F)43等を含む。   The printer 30 includes an ASIC (an application specific integrated circuit: an example of “electronic circuit”) 31, an external ROM (an example of “nonvolatile memory”) 32, an external DDR2-SDRAM (an example of “DDR-SDRAM”) 33, an external An LSI 34, an operation unit 35, a display unit 36, an image forming unit 37, and the like are included. The ASIC 31 includes a first CPU 41, a second CPU 42, a network interface (I / F) 43, and the like.

なお、電子回路はASICに限られず、例えば、個別のICおよび論理回路によって構成されてもよい。その際、外部ROM(不揮発性メモリ)および/または外部DDR2−SDRAM(DDR−SDRAM)は、電子回路内の構成とされてもよい。すなわち、不揮発性メモリは外部ROMに限られず、DDR−SDRAMは外部DDR2−SDRAMに限られない。   Note that the electronic circuit is not limited to an ASIC, and may be configured by, for example, an individual IC and a logic circuit. In this case, the external ROM (nonvolatile memory) and / or the external DDR2-SDRAM (DDR-SDRAM) may be configured in an electronic circuit. That is, the nonvolatile memory is not limited to the external ROM, and the DDR-SDRAM is not limited to the external DDR2-SDRAM.

外部ROM32には、プリンタ30の動作を制御するための各種プログラムが記録されており、第1CPU41および第2CPU42は、外部ROM32から読み出したプログラムに従って、その処理結果を外部DDR2−SDRAM(以下、単に「外部DDR」と記す)33やASIC31内部のSRAM47(図2参照)に記憶させながら、プリンタ30の動作を制御する。また、外部ROM32には、外部DDR33を初期化するための初期化プログラムが記憶されている。   Various programs for controlling the operation of the printer 30 are recorded in the external ROM 32, and the first CPU 41 and the second CPU 42 store the processing results in an external DDR2-SDRAM (hereinafter simply referred to as “ The operation of the printer 30 is controlled while being stored in the SRAM 47 (see FIG. 2) inside the ASIC 31 or 33 (denoted as “external DDR”). The external ROM 32 stores an initialization program for initializing the external DDR 33.

ネットワークI/F(本発明における「インターフェース回路」の一例)43は、LAN(ローカルエリアネットワーク:「通信回線」の一例)20を介して複数のPC10に接続されており、相互のデータ通信が可能である。   A network I / F (an example of an “interface circuit” in the present invention) 43 is connected to a plurality of PCs 10 via a LAN (local area network: an example of a “communication line”) 20 so that mutual data communication is possible. It is.

操作部35は、複数のボタンを備え、ユーザによって印刷開始の指示や動作モード指示などの各種の入力操作が可能である。表示部36は、液晶ディスプレイやランプ等を備えており、各種の設定画面や動作状態等を表示することが可能である。画像形成部37は、用紙等の被記録媒体に印刷を行う機能を備えている。   The operation unit 35 includes a plurality of buttons, and various input operations such as a print start instruction and an operation mode instruction can be performed by the user. The display unit 36 includes a liquid crystal display, a lamp, and the like, and can display various setting screens, operation states, and the like. The image forming unit 37 has a function of printing on a recording medium such as paper.

また、プリンタ30は、動作モードとして、印刷処理等の通常動作を行う通常モードと、通常モードより電力消費の少ない省電力モードとを有する。ASIC31も、プリンタ30の動作モードに応じて、通常モードと省電力モードとを有する。   In addition, the printer 30 has, as operation modes, a normal mode that performs a normal operation such as a printing process, and a power saving mode that consumes less power than the normal mode. The ASIC 31 also has a normal mode and a power saving mode according to the operation mode of the printer 30.

2.ASIC(電子回路)の構成
次に図2を参照して、ASIC31の構成を説明する。図2は、ASIC31の概略的な構成を示すブロック図である。
2. Configuration of ASIC (Electronic Circuit) Next, the configuration of the ASIC 31 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of the ASIC 31.

ASIC31は、図2に示されるように、第1CPU41、第2CPU42、ROM調停回路46、SRAM(Static Random-Access Memory :「内部メモリ」の一例)47、およびDMA制御部50を含む。   As shown in FIG. 2, the ASIC 31 includes a first CPU 41, a second CPU 42, a ROM arbitration circuit 46, an SRAM (Static Random-Access Memory: an example of “internal memory”) 47, and a DMA control unit 50.

第1CPU(「制御部」、「メイン制御部」の一例)41は、外部ROM32に記憶されたプログラムにしたがって、SRAM47および外部DDR33を利用して各種処理を実行する。また、例えば、第1CPU41は、外部ROM32から外部DDR33の初期化プログラムを読み込み、読み込んだ初期化プログラムをSRAM47に格納する。そして、第1CPU32は、初期化プログラムを用いて外部DDR33を初期化する。   The first CPU (an example of “control unit” and “main control unit”) 41 executes various processes using the SRAM 47 and the external DDR 33 in accordance with a program stored in the external ROM 32. For example, the first CPU 41 reads the initialization program of the external DDR 33 from the external ROM 32 and stores the read initialization program in the SRAM 47. Then, the first CPU 32 initializes the external DDR 33 using an initialization program.

なお、外部DDR33の初期化は第2CPU42によって行われてもよい。また、この場合、初期化プログラムは圧縮して外部ROM32に記憶されていることが好ましく、第1CPU32は、外部ROM32から読み出した初期化プログラムを解凍してSRAM47に記憶する。この構成によって、外部DDR33の初期化に要する時間をさらに短縮できる。   Note that the initialization of the external DDR 33 may be performed by the second CPU 42. In this case, the initialization program is preferably compressed and stored in the external ROM 32, and the first CPU 32 decompresses the initialization program read from the external ROM 32 and stores it in the SRAM 47. With this configuration, the time required for initialization of the external DDR 33 can be further shortened.

また、ここで、第1CPU41を第2CPU42より処理能力の大きいCPUによって構成し、第1CPU41を通常モード時において動作するメインCPUとし、第2CPU42を省電力モード時において動作するサブCPUとするようにしてもよい。そして、第2CPU(「制御部」、「サブ制御部」の一例)42は、通常モードから省電力モードへの移行時に、SRAM47に記憶されている動作プログラムを読込んで動作を開始するようにしてもよい。この場合、省電力モード時に内部メモリを有効に利用できる。   Here, the first CPU 41 is constituted by a CPU having a processing capability larger than that of the second CPU 42, the first CPU 41 is a main CPU that operates in the normal mode, and the second CPU 42 is a sub CPU that operates in the power saving mode. Also good. Then, the second CPU (an example of “control unit”, “sub control unit”) 42 reads the operation program stored in the SRAM 47 and starts the operation when shifting from the normal mode to the power saving mode. Also good. In this case, the internal memory can be used effectively during the power saving mode.

この場合、さらに、第1CPU(メイン制御部)41は、外部DDR33の初期化後において通常モードから省電力モードに移行する前に、SRAM47に第2CPU(サブ制御部)42が動作するための動作プログラムを書き込むようにする。そして、省電力モード時、第1CPU41および外部DDR33の動作を停止するようにしてもよい。この場合、さらに省電力化が可能であるとともに、SRAM47をより有効に利用できる。   In this case, further, the first CPU (main control unit) 41 operates so that the second CPU (sub control unit) 42 operates in the SRAM 47 before shifting from the normal mode to the power saving mode after the initialization of the external DDR 33. Write a program. In the power saving mode, the operations of the first CPU 41 and the external DDR 33 may be stopped. In this case, further power saving can be achieved and the SRAM 47 can be used more effectively.

ROM調停回路46は、第1CPU41による外部ROM32へのアクセスと、第2CPU42による外部ROM32へのアクセスとを調停する。   The ROM arbitration circuit 46 arbitrates access to the external ROM 32 by the first CPU 41 and access to the external ROM 32 by the second CPU 42.

SRAM47は、例えば、通常モードにおいては主に第1CPU41によってアクセスされる。また、省電力モードにおいては、SRAM47は、第1CPU41あるいは第2CPU42によって、および外部からネットワークI/F43を介してアクセスされる。SRAM47は、外部DDR33よりも消費電力が少なく、また、SRAM47のアクセス時間は外部DDR33のアクセス時間よりも短い。   For example, the SRAM 47 is mainly accessed by the first CPU 41 in the normal mode. In the power saving mode, the SRAM 47 is accessed by the first CPU 41 or the second CPU 42 and from the outside via the network I / F 43. The SRAM 47 consumes less power than the external DDR 33, and the access time of the SRAM 47 is shorter than the access time of the external DDR 33.

DMA(Direct Memory Access)制御部50は、DMA調停回路51、内部メモリ/外部メモリ選択回路52、リードデータ選択回路53、SRAM−I/F54、およびDDR−I/F55を含む。   The DMA (Direct Memory Access) control unit 50 includes a DMA arbitration circuit 51, an internal memory / external memory selection circuit 52, a read data selection circuit 53, an SRAM-I / F 54, and a DDR-I / F 55.

DMA調停回路51は、第1CPU41および第2CPU42等に接続され、SRAM47および外部DDR33に対するアクセス要求信号REQおよび書き込みデータWDを受け取り、アクセス要求を調停するとともに、アクセス要求に応じて要求先にクリア信号CLRを返す。   The DMA arbitration circuit 51 is connected to the first CPU 41, the second CPU 42, etc., receives the access request signal REQ and the write data WD for the SRAM 47 and the external DDR 33, arbitrates the access request, and clears the clear signal CLR to the request destination in response to the access request. return it.

内部メモリ/外部メモリ選択回路(「切替部」の一例)52は、DMA調停回路51を介して第1CPU41、第2CPU42、あるいはネットワークI/F43に接続される。また、内部メモリ/外部メモリ選択回路(以下、単に「メモリ選択回路」という)52は、SRAM−I/F54を介してSRAM47に接続され、DDR−I/F55を介して外部DDR33に接続される。   An internal memory / external memory selection circuit (an example of a “switching unit”) 52 is connected to the first CPU 41, the second CPU 42, or the network I / F 43 via the DMA arbitration circuit 51. An internal memory / external memory selection circuit (hereinafter, simply referred to as “memory selection circuit”) 52 is connected to the SRAM 47 via the SRAM-I / F 54 and is connected to the external DDR 33 via the DDR-I / F 55. .

メモリ選択回路52は、第1CPU41あるいは第2CPU42あるいはネットワークI/F43からSRAM47へのアクセスと、第1CPU41あるいは第2CPU42あるいはネットワークI/F43から外部DDR33へのアクセスとを切替える。また、選択回路52は、外部DDR33の初期化後、動作モードが通常モードから省電力モードに移行した場合、ネットワークI/F43を介した受信データの送信先を外部DDR33からSRAM47に切替える。これによって、外部DDR33の初期化後の省電力モードにおいて、SRAM47を有効に使用できる。   The memory selection circuit 52 switches between the access from the first CPU 41 or the second CPU 42 or the network I / F 43 to the SRAM 47 and the access from the first CPU 41 or the second CPU 42 or the network I / F 43 to the external DDR 33. In addition, after the initialization of the external DDR 33, the selection circuit 52 switches the transmission destination of received data via the network I / F 43 from the external DDR 33 to the SRAM 47 when the operation mode shifts from the normal mode to the power saving mode. Thereby, the SRAM 47 can be used effectively in the power saving mode after the initialization of the external DDR 33.

リードデータ選択回路53は、SRAM47あるいは外部DDR33からの読み出しデータRDを受け取り、読み出しデータRDの選択および選択された読み出しデータRDの出力先を選択する。   The read data selection circuit 53 receives the read data RD from the SRAM 47 or the external DDR 33, and selects the read data RD and the output destination of the selected read data RD.

ASIC31は、また、各種インターフェース(I/F)回路として、ネットワークI/F43、第1CPU用I/F44、第2CPU用I/F45、および外部ROM−I/F48を含む。   The ASIC 31 also includes a network I / F 43, a first CPU I / F 44, a second CPU I / F 45, and an external ROM-I / F 48 as various interface (I / F) circuits.

ネットワークI/F(本発明における「インターフェース回路」の一例)43はDMA−I/F43Cを含み、DMA調停回路51を介してメモリ選択回路52に接続される。ネットワークI/F43は、外部DDR33の初期化後において第1CPU41および第2CPU42以外からのSRAM47へのアクセスを可能にする。ここで、ネットワークI/F43は、LAN(「通信回線」の一例)20を介してプリンタ30の外部、例えば、PC10からデータを受信し、受信データをSRAM47に送信する通信インターフェースである。なお、受信データのSRAM47への送信は、好ましくは、主に省電力モードにおいて行われる。   A network I / F (an example of an “interface circuit” in the present invention) 43 includes a DMA-I / F 43C, and is connected to a memory selection circuit 52 via a DMA arbitration circuit 51. The network I / F 43 enables access to the SRAM 47 from other than the first CPU 41 and the second CPU 42 after the initialization of the external DDR 33. Here, the network I / F 43 is a communication interface that receives data from the outside of the printer 30, for example, the PC 10 via the LAN (an example of “communication line”) 20, and transmits the received data to the SRAM 47. Note that transmission of received data to the SRAM 47 is preferably performed mainly in the power saving mode.

なお、第1CPU41は、省電力モードにおいてネットワークI/F43がデータを受信したことをトリガーとして、省電力モードから通常モードに復帰することが好ましい。省電力モードにおいてSRAM47のみが使用される場合において、通信回線20を介して受信した受信データの容量が大きい場合に、受信データがSRAM47から溢れるのを抑制できる。   The first CPU 41 preferably returns from the power saving mode to the normal mode triggered by the network I / F 43 receiving data in the power saving mode. When only the SRAM 47 is used in the power saving mode, it is possible to prevent the received data from overflowing from the SRAM 47 when the capacity of the received data received via the communication line 20 is large.

第1CPU用I/F44は、CPU−I/F44A、ROM調停−I/F44BおよびDMA−I/F44Cを含み、第1CPU41と外部ROM32との間、および第1CPU41とDMA制御部50との間のインターフェースを行う。   The first CPU I / F 44 includes a CPU-I / F 44A, a ROM arbitration-I / F 44B, and a DMA-I / F 44C, and is between the first CPU 41 and the external ROM 32, and between the first CPU 41 and the DMA control unit 50. Interface.

同様に、第2CPU用I/F45は、CPU−I/F45A、ROM調停−I/F45BおよびDMA−I/F45Cを含み、第2CPU42と外部ROM32との間、および第2CPU42とDMA制御部50との間のインターフェースを行う。   Similarly, the second CPU I / F 45 includes a CPU-I / F 45A, a ROM arbitration-I / F 45B, and a DMA-I / F 45C, between the second CPU 42 and the external ROM 32, and between the second CPU 42 and the DMA control unit 50. Interface between.

3.外部DDR2−SDRAMの初期化
次に、図3を参照して外部DDR33の初期化方法について説明する。外部DDR33の初期化は、プリンタ30の電源ON、すなわち、ASIC31への電源の印加に応じて開始される。
3. Initialization of External DDR2-SDRAM Next, an initialization method of the external DDR 33 will be described with reference to FIG. The initialization of the external DDR 33 is started when the printer 30 is turned on, that is, when power is applied to the ASIC 31.

ASIC31に電源が印加されると、第1CPU41のリセットが解除され、第1CPU41が立ち上がる(ステップS110)。すると、第1CPU41は、ASIC31に接続される外部ROM32から、外部ROM32に記憶された、外部DDR33を初期化するための初期化プログラムをASIC31に読み込む(ステップS120:「読み込む工程」に相当)。   When power is applied to the ASIC 31, the reset of the first CPU 41 is released, and the first CPU 41 starts up (step S110). Then, the first CPU 41 reads the initialization program for initializing the external DDR 33 stored in the external ROM 32 from the external ROM 32 connected to the ASIC 31 (corresponding to step S120: “reading step”).

次いで、第1CPU41は、読み込んだ初期化プログラムをSRAM47に格納する(ステップS130:「格納する工程」に相当)。そして、第1CPU41は、SRAM47に格納された初期化プログラムを用いて、すなわち、初期化プログラムの命令をフェッチして、外部DDR33を初期化する(ステップS140:「初期化する工程」に相当)。   Next, the first CPU 41 stores the read initialization program in the SRAM 47 (step S130: equivalent to “store step”). Then, the first CPU 41 initializes the external DDR 33 by using the initialization program stored in the SRAM 47, that is, fetches the instruction of the initialization program (corresponding to “step S140:“ initializing process ”).

このように、内部メモリとして、例えば、外部ROM32より動作速度の速い(アクセス時間の短い)SRAM47を使用することによって、外部DDR33の初期化時間を短縮することができる。   As described above, the initialization time of the external DDR 33 can be shortened by using, for example, the SRAM 47 whose operation speed is faster (shorter access time) than that of the external ROM 32 as the internal memory.

なお、好ましくは、初期化する工程の後において、ASIC31の外部からSRAM47へのアクセス(ステップS150:「外部アクセス工程」に相当)が可能とされる。外部アクセス工程は、ネットワークI/F43と、DMA制御部50のメモリ選択回路52とを介して行われる。例えば、初期化する工程の後の省電力モードにおいて、ネットワークI/F43が外部データを受信した場合、メモリ選択回路52はSRAM47を選択するようにする。   Preferably, after the initialization step, the SRAM 47 can be accessed from outside the ASIC 31 (step S150: equivalent to “external access step”). The external access process is performed via the network I / F 43 and the memory selection circuit 52 of the DMA control unit 50. For example, in the power saving mode after the initialization step, when the network I / F 43 receives external data, the memory selection circuit 52 selects the SRAM 47.

4.DMA制御部によるメモリアクセス制御
次に、図4および図5を参照して、DMA制御部50によるメモリアクセスの調停制御を説明する。図4はDMA制御部50によるメモリアクセス制御の手順の概要を示すフローチャートであり、図5は、本実施形態におけるメモリアクセスの際の、第1CPU41とDMA制御部50との関係を詳細に示すフローチャートである。
4). Memory Access Control by DMA Controller Next, arbitration control of memory access by the DMA controller 50 will be described with reference to FIG. 4 and FIG. FIG. 4 is a flowchart showing an outline of the procedure of memory access control by the DMA control unit 50, and FIG. 5 is a flowchart showing in detail the relationship between the first CPU 41 and the DMA control unit 50 at the time of memory access in the present embodiment. It is.

まず、図4を参照して、RAM(メモリ)アクセスの概要を説明する。例えば、第1CPU41からRAMへのアクセス要求があると、DMA制御部50(DMA調停回路51)は、その要求がSRAM47へのアクセス要求かどうか判定する(ステップS210)。SRAM47へのアクセス要求である場合(ステップS210:YES)、外部DDR33が、現在、アクセス中かどうか判定する(ステップS220)。   First, an overview of RAM (memory) access will be described with reference to FIG. For example, when there is an access request to the RAM from the first CPU 41, the DMA control unit 50 (DMA arbitration circuit 51) determines whether the request is an access request to the SRAM 47 (step S210). If it is an access request to the SRAM 47 (step S210: YES), it is determined whether or not the external DDR 33 is currently being accessed (step S220).

アクセス中である場合(ステップS220:YES)、外部DDR33へのアクセスが終了するまで待機する。外部DDR33が、現在、アクセス中でない場合(ステップS220:NO)、SRAM47へのアクセスが開始される(ステップS225)。   If it is being accessed (step S220: YES), it waits until the access to the external DDR 33 is completed. When the external DDR 33 is not currently being accessed (step S220: NO), access to the SRAM 47 is started (step S225).

なお、ここで、必ずしも外部DDR33へのアクセス処理の全てが終了するまでSRAM47へのアクセスが待機される必要はない。外部DDR33へのアクセス中にSRAM47へのアクセス処理の一部が開始されてもよい。すなわち、好ましくは、後述するように、外部DDRリード要求に応じて読み出した外部DDR33内のデータを要求先に出力した後に、SRAMリード要求に応じて読み出したSRAM47内のデータが要求先に出力されるように、SRAM47に関するアクセス処理が待機される。   Here, it is not always necessary to wait for access to the SRAM 47 until all access processing to the external DDR 33 is completed. A part of the access process to the SRAM 47 may be started during the access to the external DDR 33. That is, preferably, as described later, after the data in the external DDR 33 read in response to the external DDR read request is output to the request destination, the data in the SRAM 47 read in response to the SRAM read request is output to the request destination. As described above, the access processing related to the SRAM 47 is on standby.

一方、ステップS210において、SRAM47へのアクセス要求でない場合、すなわち、外部DDR33へのアクセス要求である場合(ステップS210:NO)、外部DDR33へのアクセスを開始する(ステップS215)。   On the other hand, if it is not an access request to the SRAM 47 in step S210, that is, if it is an access request to the external DDR 33 (step S210: NO), access to the external DDR 33 is started (step S215).

次いで、メモリアクセスに係るFIFO(First-In First-Out)が満杯かどうか判定し(ステップS230)、FIFOが満杯である場合(ステップS230:YES)、FIFOに空きができるまで待機する。FIFOが満杯でない場合(ステップS230:NO)、DMA制御部50は、クリア信号CLRを生成する(ステップS235)。   Next, it is determined whether or not a FIFO (First-In First-Out) related to memory access is full (step S230). If the FIFO is full (step S230: YES), the process waits until the FIFO is full. If the FIFO is not full (step S230: NO), the DMA control unit 50 generates a clear signal CLR (step S235).

次いで、アクセス要求がリードアクセスかどうか判定し(ステップS240)、リードアクセスでない場合、すなわち、ライトアクセスの場合(ステップS240:NO)、ライトコマンドを発行し、SRAM47あるいは外部DDR33へのライト動作を実行し(ステップS245)、ライトアクセスが終了する。   Next, it is determined whether the access request is a read access (step S240). If the access request is not a read access, that is, a write access (step S240: NO), a write command is issued and a write operation to the SRAM 47 or the external DDR 33 is executed. (Step S245), and the write access ends.

一方、ステップS240においてリードアクセスと判定された場合(ステップS240:YES)、リードコマンドを発行し、SRAM47あるいは外部DDR33からのリード動作を実行する(ステップS250)。   On the other hand, if it is determined in step S240 that the access is read (step S240: YES), a read command is issued and a read operation from the SRAM 47 or the external DDR 33 is executed (step S250).

次いで、DMA制御部50は、要求アドレスに対するデータが入力されたかどうかを判定し(ステップS255)、データが入力されていない場合、入力されるまで待機する(ステップS255:NO)。一方、データが入力された場合には(ステップS255:YES)、リードデータ信号RDおよびリードデータイネーブル信号を生成し、(ステップS260)、リードアクセスが終了する。   Next, the DMA control unit 50 determines whether or not data for the requested address has been input (step S255). If no data has been input, the DMA control unit 50 waits until it is input (step S255: NO). On the other hand, when data is input (step S255: YES), a read data signal RD and a read data enable signal are generated (step S260), and the read access ends.

次に、図5を参照して、本実施形態における、DMA制御部50による、RAM(メモリ)アクセスの調停制御の例を詳細に説明する。   Next, an example of arbitration control of RAM (memory) access by the DMA control unit 50 in the present embodiment will be described in detail with reference to FIG.

例えば、第1CPU41から外部DDR33へのリード要求があると、DMA制御部50はDDRリードコマンドをラッチして(ステップS410)、クリア信号CLRを生成し、クリア信号CLRを、第1CPU41に送信する(ステップS415)。そして、DDRリードコマンドを発行し、リード動作を実行する(ステップS425)。   For example, when there is a read request from the first CPU 41 to the external DDR 33, the DMA control unit 50 latches the DDR read command (step S410), generates a clear signal CLR, and transmits the clear signal CLR to the first CPU 41 ( Step S415). Then, a DDR read command is issued and a read operation is executed (step S425).

一方、第1CPU41は、DMA制御部50からクリア信号CLRを受け取ると(ステップS420)、SRAM47へのリード要求をDMA制御部50に対して行う(ステップS430)。   On the other hand, when the first CPU 41 receives the clear signal CLR from the DMA control unit 50 (step S420), it makes a read request to the SRAM 47 to the DMA control unit 50 (step S430).

すると、DMA制御部50は、外部DDR33のリード動作の実行中において、SRAMリードコマンドをラッチして(ステップS435)、クリア信号CLRを生成し、クリア信号CLRを、第1CPU41に送信する(ステップS440、S445)。そして、SRAMリードコマンドを発行し、リード動作を実行する(ステップS450)。次いで、SRAM47からのリードデータの入力を完了すると(ステップS455)、外部DDR33からのリード動作が完了するまで待機する(ステップS470)。   Then, the DMA control unit 50 latches the SRAM read command during execution of the read operation of the external DDR 33 (step S435), generates the clear signal CLR, and transmits the clear signal CLR to the first CPU 41 (step S440). , S445). Then, an SRAM read command is issued and a read operation is executed (step S450). Next, when the input of read data from the SRAM 47 is completed (step S455), the process waits until the read operation from the external DDR 33 is completed (step S470).

次いで、外部DDR33からのリードデータの入力が完了すると、リードデータRDを第1CPU41に送信する(ステップS460)。そして、第1CPU41が外部DDR33からのリードデータRDを入力すると(ステップS465)、DMA制御部50は、SRAM47からのリードデータRDを第1CPU41に送信する(ステップS470)。すると、第1CPU41は、外部DDR33からのリードデータRDの入力の直後に、SRAM47からのリードデータRDを入力する(ステップS475)。   Next, when the input of the read data from the external DDR 33 is completed, the read data RD is transmitted to the first CPU 41 (step S460). Then, when the first CPU 41 inputs the read data RD from the external DDR 33 (step S465), the DMA control unit 50 transmits the read data RD from the SRAM 47 to the first CPU 41 (step S470). Then, the first CPU 41 inputs the read data RD from the SRAM 47 immediately after the input of the read data RD from the external DDR 33 (step S475).

このように、本実施形態においては、DMA制御部(切替部)50は、外部DDR33の初期化後において、外部DDR33内のデータを読み出すDDRリード要求を受信した後に、SRAM47内のデータを読み出すSRAMリード要求を受信した場合、DDRリード要求に応じて読み出した外部DDR33のデータを第1CPU41(要求先)に出力した後に、SRAMリード要求に応じて読み出したSRAM47のデータを第1CPU41に出力する。その際、DMA制御部(切替部)50は、DDRリード要求に係る処理が終了するまでSRAM47リード要求に係る処理の一部を保留する。   As described above, in this embodiment, the DMA control unit (switching unit) 50 receives the DDR read request for reading the data in the external DDR 33 after the initialization of the external DDR 33, and then reads the data in the SRAM 47. When the read request is received, the external DDR 33 data read in response to the DDR read request is output to the first CPU 41 (request destination), and then the SRAM 47 data read in response to the SRAM read request is output to the first CPU 41. At that time, the DMA control unit (switching unit) 50 suspends a part of the process related to the SRAM 47 read request until the process related to the DDR read request is completed.

通常、外部DDR33からのデータ読み出しの方が、SRAM47等の内部メモリからのデータ読み出しと比べて、その処理に係る時間が長い。そのため、外部DDR33の初期化後において、例えば、第1CPU41から、外部DDR33からのデータ読み出し要求の後に、内部メモリからのデータ読み出し要求がなされた場合、内部メモリからのデータが先に制御部に出力されるという不整合を回避できる。すなわち、外部DDR33の初期化後において、SRAM47と外部DDR33とを利用した処理を好適に行うことができる。また、本実施形態は、第1CPU41および第2CPU42等の複数の制御部によって、SRAM47と外部DDR33とを利用した処理を行う場合、すなわち、データ読み出しの要求先が異なる場合においても適用され、RAMからのデータ読み出し処理を好適に行うことができる。   Usually, data reading from the external DDR 33 takes a longer time for processing than data reading from an internal memory such as the SRAM 47. Therefore, after initialization of the external DDR 33, for example, when a data read request is made from the internal memory after the data read request from the external DDR 33 from the first CPU 41, the data from the internal memory is first output to the control unit. The inconsistency of being performed can be avoided. In other words, after initialization of the external DDR 33, processing using the SRAM 47 and the external DDR 33 can be suitably performed. The present embodiment is also applied when a process using the SRAM 47 and the external DDR 33 is performed by a plurality of control units such as the first CPU 41 and the second CPU 42, that is, when the data read request destinations are different from the RAM. The data reading process can be suitably performed.

また、DDRリード要求に係る処理と並行して、SRAMリード要求に応じてSRAM47からデータを読み出し、読み出されたデータをDMA制御部50内に一時的に保管して第1CPU41へのデータ出力が保留される。そのため、外部DDR33のデータを第1CPU41に出力の完了後、即座にSRAM47のデータを第1CPU41に出力することができる。   In parallel with the processing related to the DDR read request, data is read from the SRAM 47 in response to the SRAM read request, the read data is temporarily stored in the DMA control unit 50, and data output to the first CPU 41 is performed. Deferred. Therefore, the data of the SRAM 47 can be output to the first CPU 41 immediately after the output of the data of the external DDR 33 to the first CPU 41 is completed.

5.実施形態の効果
外部ROM32に記憶された初期化プログラムを利用して外部DDR33を初期化する場合、外部ROM32のみを利用して外部DDR33を初期化する場合と比べて、外部ROM32へのアクセス回数を低減することができる。そのため、内部メモリとして、例えば、外部ROM32より動作速度の速い(アクセス時間の短い)SRAM47を使用することによって、外部DDR33の初期化時間を短縮することができる。また、第1CPU41は、外部DDR33の初期化後において、DMA制御部(切替部)50によって、初期化用途以外にSRAM47を有効に利用することができる。すなわち、内部メモリを合理的に利用しつつ、外部DDR−SDRAMの初期化時間を好適に短縮することができる。
5). Effects of the Embodiment When the external DDR 33 is initialized using the initialization program stored in the external ROM 32, the number of accesses to the external ROM 32 is smaller than when the external DDR 33 is initialized using only the external ROM 32. Can be reduced. Therefore, the initialization time of the external DDR 33 can be shortened by using, for example, the SRAM 47 whose operating speed is faster (shorter access time) than the external ROM 32 as the internal memory. Further, the first CPU 41 can effectively use the SRAM 47 by the DMA control unit (switching unit) 50 other than the initialization purpose after the external DDR 33 is initialized. That is, the initialization time of the external DDR-SDRAM can be suitably shortened while rationally using the internal memory.

また、外部DDR33の初期化後において、SRAM47と外部DDR33とを利用した処理を好適に行うことができる。その際、DDRリード要求からSRAMリードが完了するまでの時間を短縮することができる。   In addition, after initialization of the external DDR 33, processing using the SRAM 47 and the external DDR 33 can be suitably performed. At that time, the time from the DDR read request until the SRAM read is completed can be shortened.

<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the embodiments described with reference to the above description and drawings. For example, the following embodiments are also included in the technical scope of the present invention.

(1)上記実施形態では、図5に示したDDRリード要求に係る処理に際して、SRAMリードデータを第1CPU41(要求先)に送信する処理のみをDDRリード要求に係る処理が終了するまで(DDRリードデータが第1CPU41に送信されるまで)保留する例を示したが、保留処理はこれに限られない。例えば、図6に示すように、ステップS440の処理以後、DDRリードデータが第1CPU41に送信されるまで以後の処理を保留し(ステップS510)、その後、SRAMリードコマンド発行(ステップS515)、SRAM47からのリードデータ入力(ステップS520)、第1CPU41へのSRAMリードデータ入力(ステップS525)が行われるようにしてもよい。なお、図6において、図5に示される処理と同一タイミングの処理は、同一のステップ符号で示される。   (1) In the above embodiment, in the process related to the DDR read request shown in FIG. 5, only the process of transmitting the SRAM read data to the first CPU 41 (request destination) is completed until the process related to the DDR read request ends (DDR read). Although an example in which data is held (until data is transmitted to the first CPU 41) has been shown, the holding process is not limited to this. For example, as shown in FIG. 6, after the processing of step S440, the subsequent processing is suspended until DDR read data is transmitted to the first CPU 41 (step S510), and thereafter, the SRAM read command is issued (step S515). Read data input (step S520), and SRAM read data input (step S525) to the first CPU 41 may be performed. In FIG. 6, processing at the same timing as the processing shown in FIG. 5 is indicated by the same step code.

この場合であっても、外部DDR33の初期化後において、SRAM47と外部DDR33とを利用した処理を好適に行うことができる。また、第1CPU41へのSRAMリードデータ入力後にSRAMリード要求がされる場合と比べて、DDRリード要求からSRAMリードが完了するまでの時間を短縮することができる。   Even in this case, after initialization of the external DDR 33, processing using the SRAM 47 and the external DDR 33 can be suitably performed. In addition, compared with the case where the SRAM read request is made after the SRAM read data is input to the first CPU 41, the time from the DDR read request to the completion of the SRAM read can be shortened.

(2)上記実施形態および上記他の実施形態では、SRAM47を利用した外部DDR33の初期化後において、DMA制御部50によるメモリアクセスの調停制御の例を示したが、これに限られない。すなわち、外部DDR33の初期化方法には依存せずに、図5あるいは図6に示した、本願のSRAM47および外部DDR33へのアクセス制御を、さまざまな電子回路に適用できる。   (2) In the above-described embodiment and the above-described other embodiments, the example of the arbitration control of the memory access by the DMA control unit 50 after the initialization of the external DDR 33 using the SRAM 47 is shown, but the present invention is not limited to this. That is, the access control to the SRAM 47 and the external DDR 33 shown in FIG. 5 or FIG. 6 can be applied to various electronic circuits without depending on the initialization method of the external DDR 33.

30…プリンタ
31…ASIC
32…外部ROM
33…外部DDR2−SDRAM
37…画像形成部
41…第1CPU
42…第2CPU
43…ネットワークI/F
47…SRAM
50…DMA制御部
51…DMA調停回路
52…内部メモリ/外部メモリ選択回路
53…リードデータ選択回路
30 ... Printer 31 ... ASIC
32 ... External ROM
33 ... External DDR2-SDRAM
37 ... Image forming unit 41 ... First CPU
42 ... 2nd CPU
43 ... Network I / F
47 ... SRAM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 ... DMA control part 51 ... DMA arbitration circuit 52 ... Internal memory / external memory selection circuit 53 ... Read data selection circuit

Claims (15)

DDR−SDRAMより短いアクセス時間を有する内部メモリと、
不揮発性メモリに記憶されたプログラムにしたがって、前記内部メモリおよび前記DDR−SDRAMを利用して各種処理を実行する制御部と、
前記制御部、前記内部メモリ、および前記DDR−SDRAMに接続され、前記制御部から、前記内部メモリへのアクセスと前記DDR−SDRAMへのアクセスとを切替える切替部とを備え、
前記制御部は、
前記不揮発性メモリから、該不揮発性メモリに記憶された、前記DDR−SDRAMを初期化するための初期化プログラムを読み込み、読み込んだ前記初期化プログラムを前記内部メモリに格納し、
前記内部メモリに格納された前記初期化プログラムを用いて前記DDR−SDRAMを初期化する、電子回路。
An internal memory having a shorter access time than DDR-SDRAM;
A control unit that executes various processes using the internal memory and the DDR-SDRAM according to a program stored in a nonvolatile memory;
A switching unit that is connected to the control unit, the internal memory, and the DDR-SDRAM and that switches access from the control unit to the internal memory and access to the DDR-SDRAM;
The controller is
Reading an initialization program for initializing the DDR-SDRAM stored in the nonvolatile memory from the nonvolatile memory, storing the read initialization program in the internal memory,
An electronic circuit for initializing the DDR-SDRAM using the initialization program stored in the internal memory.
請求項1に記載の電子回路において、該電子回路は、
前記切替部に接続され、前記DDR−SDRAMの初期化後において、前記制御部以外からの前記内部メモリへのアクセスを可能にするインターフェース回路をさらに備える、電子回路。
The electronic circuit of claim 1, wherein the electronic circuit is
An electronic circuit further comprising an interface circuit connected to the switching unit and enabling access to the internal memory from other than the control unit after initialization of the DDR-SDRAM.
請求項2に記載の電子回路において、
前記インターフェース回路は、通信回線を介して外部からデータを受信し、受信データを前記内部メモリに送信する通信インターフェースである、電子回路。
The electronic circuit according to claim 2,
The interface circuit is an electronic circuit that is a communication interface that receives data from the outside via a communication line and transmits received data to the internal memory.
請求項3に記載の電子回路において、該電子回路は、動作モードとして通常モードと前記通常モードより電力消費の少ない省電力モードとを有し、
前記切替部は、DDR−SDRAMの初期化後、前記動作モードが前記通常モードから前記省電力モードに移行した場合、前記受信データの送信先を前記DDR−SDRAMから前記内部メモリに切替える、電子回路。
The electronic circuit according to claim 3, wherein the electronic circuit has a normal mode and a power saving mode that consumes less power than the normal mode as operation modes,
An electronic circuit for switching a transmission destination of the reception data from the DDR-SDRAM to the internal memory when the operation mode is shifted from the normal mode to the power saving mode after initialization of the DDR-SDRAM; .
請求項4に記載の電子回路において、
前記制御部は、前記省電力モードにおいて前記通信インターフェースがデータを受信したことをトリガーとして、前記省電力モードから前記通常モードに復帰する、電子回路。
The electronic circuit according to claim 4.
The control unit is an electronic circuit that returns from the power saving mode to the normal mode, triggered by reception of data by the communication interface in the power saving mode.
請求項4または請求項5に記載の電子回路において、
前記制御部は、前記通常モード時において動作するメイン制御部と前記省電力モード時において動作するサブ制御部とを含み、
前記サブ制御部は、前記通常モードから前記省電力モードへの移行時に、前記内部メモリに記憶されているプログラムを読込んで動作を開始する、電子回路。
The electronic circuit according to claim 4 or claim 5,
The control unit includes a main control unit that operates in the normal mode and a sub-control unit that operates in the power saving mode,
The sub control unit is an electronic circuit that starts an operation by reading a program stored in the internal memory when shifting from the normal mode to the power saving mode.
請求項6に記載の電子回路において、
前記メイン制御部は、前記DDR−SDRAMの初期化後において前記通常モードから前記省電力モードに移行する前に、前記内部メモリに前記サブ制御部が動作するための前記プログラムを書き込み、
前記省電力モード時、前記メイン制御部および前記DDR−SDRAMの動作が停止される、電子回路。
The electronic circuit according to claim 6.
The main control unit writes the program for operating the sub control unit to the internal memory before shifting from the normal mode to the power saving mode after initialization of the DDR-SDRAM.
An electronic circuit in which operations of the main control unit and the DDR-SDRAM are stopped in the power saving mode.
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電子回路において、
前記初期化プログラムは圧縮して前記不揮発性メモリに記憶されており、
前記制御部は、前記不揮発性メモリから読み出した前記初期化プログラムを解凍して前記内部メモリに記憶する、電子回路。
The electronic circuit according to any one of claims 1 to 7,
The initialization program is compressed and stored in the nonvolatile memory,
The control unit is an electronic circuit that decompresses the initialization program read from the nonvolatile memory and stores the decompressed program in the internal memory.
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の電子回路において、
前記切替部は、DDR−SDRAMの初期化後において、前記DDR−SDRAM内のデータを読み出すDDR−SDRAMリード要求を受信した後に、前記内部メモリ内のデータを読み出す内部メモリリード要求を受信した場合、前記DDR−SDRAMリード要求に応じて読み出した前記DDR−SDRAM内のデータを要求先に出力した後に、前記内部メモリリード要求に応じて読み出した前記内部メモリ内のデータを要求先に出力する、電子回路。
The electronic circuit according to any one of claims 1 to 8,
When the switching unit receives an internal memory read request for reading data in the internal memory after receiving a DDR-SDRAM read request for reading data in the DDR-SDRAM after initialization of the DDR-SDRAM, An electronic device that outputs data in the DDR-SDRAM read in response to the DDR-SDRAM read request to a request destination, and then outputs data in the internal memory read in response to the internal memory read request to the request destination. circuit.
請求項9に記載の電子回路において、
前記切替部は、前記DDR−SDRAMリード要求に係る処理が終了するまで前記内部メモリリード要求に係る処理の一部を保留する、電子回路。
The electronic circuit according to claim 9.
The switching unit is an electronic circuit that suspends a part of the processing related to the internal memory read request until the processing related to the DDR-SDRAM read request is completed.
請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の電子回路において、
前記切替部は、DMA制御部によって構成され、
前記DMA制御部は、
前記制御部に接続されるDMA調停回路と、
前記内部メモリおよびDDR−SDRAMからの読み出しデータを受け取り、前記読み出しデータの選択および選択された前記読み出しデータの出力先を選択するリードデータ選択回路と、
前記DMA調停回路に接続され、前記制御部がアクセスするメモリを選択する内部メモリ/DDR−SDRAM選択回路とを含む、電子回路。
The electronic circuit according to any one of claims 1 to 10,
The switching unit is configured by a DMA control unit,
The DMA control unit
A DMA arbitration circuit connected to the control unit;
A read data selection circuit that receives read data from the internal memory and the DDR-SDRAM, selects the read data, and selects an output destination of the selected read data;
An electronic circuit including an internal memory / DDR-SDRAM selection circuit that is connected to the DMA arbitration circuit and selects a memory to be accessed by the control unit.
DDR−SDRAMより短いアクセス時間を有する内部メモリと、
前記内部メモリおよび前記DDR−SDRAMにアクセスして各種処理を実行する制御部と、
前記制御部、前記内部メモリ、および前記DDR−SDRAMに接続され、前記制御部から、前記内部メモリへのアクセスと前記DDR−SDRAMへのアクセスとを切替える切替部とを備え、
前記切替部は、前記DDR−SDRAM内のデータを読み出すDDR−SDRAMリード要求を受信した後に、前記内部メモリ内のデータを読み出す内部メモリリード要求を受信した場合、前記DDR−SDRAMリード要求に応じて読み出した前記DDR−SDRAM内のデータを要求先に出力した後に、前記内部メモリリード要求に応じて読み出した前記内部メモリ内のデータを要求先に出力する、電子回路。
An internal memory having a shorter access time than DDR-SDRAM;
A control unit that accesses the internal memory and the DDR-SDRAM and executes various processes;
A switching unit that is connected to the control unit, the internal memory, and the DDR-SDRAM and that switches access from the control unit to the internal memory and access to the DDR-SDRAM;
When the switching unit receives an internal memory read request for reading data in the internal memory after receiving a DDR-SDRAM read request for reading data in the DDR-SDRAM, the switching unit responds to the DDR-SDRAM read request. An electronic circuit that outputs data in the internal memory read in response to the internal memory read request to the request destination after outputting the read data in the DDR-SDRAM to the request destination.
被記録媒体に画像を形成する画像形成装置であって、
請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電子回路と、
前記制御部によって実行される、該画像形成装置の動作を制御するための各種プログラムが格納された前記不揮発性メモリと、
前記DDR−SDRAMと、
前記電子回路の制御に基づいて、画像を形成する画像形成部と、
を備えた画像形成装置。
An image forming apparatus for forming an image on a recording medium,
An electronic circuit according to any one of claims 1 to 12,
The nonvolatile memory storing various programs executed by the control unit for controlling the operation of the image forming apparatus;
The DDR-SDRAM;
An image forming unit that forms an image based on control of the electronic circuit;
An image forming apparatus.
DDR−SDRAMを初期化する方法であって、前記電子回路は、前記DDR−SDRAMよりアクセス時間の短い内部メモリを備え、該方法は、
不揮発性メモリから、該不揮発性メモリに記憶された、前記DDR−SDRAMを初期化するための初期化プログラムを前記電子回路に読み込む工程と、
読み込んだ前記初期化プログラムを前記内部メモリに格納する工程と、
前記内部メモリに格納された前記初期化プログラムを用いて前記DDR−SDRAMを初期化する工程と、
を含む、DDR−SDRAMの初期化方法。
A method of initializing a DDR-SDRAM, wherein the electronic circuit includes an internal memory having a shorter access time than the DDR-SDRAM,
Reading an initialization program stored in the nonvolatile memory for initializing the DDR-SDRAM into the electronic circuit from the nonvolatile memory;
Storing the read initialization program in the internal memory;
Initializing the DDR-SDRAM using the initialization program stored in the internal memory;
A method for initializing a DDR-SDRAM.
請求項14に記載の方法は、
前記初期化する工程の後において、前記電子回路の外部から前記内部メモリにアクセスする外部アクセス工程をさらに含む、DDR−SDRAMの初期化方法。
The method of claim 14 comprises:
A method of initializing a DDR-SDRAM, further comprising an external access step of accessing the internal memory from outside the electronic circuit after the initialization step.
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