JP2011231252A - Resin composition and resin-sealed semiconductor device - Google Patents

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敏 岡本
Yusaku Obinata
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition for sealing a power semiconductor device, which provides the resin-sealed semiconductor device excellent in thermal shock resistance.SOLUTION: The resin composition is obtained by blending a polyfunctional epoxy compound, a curing agent, an inorganic filler, and an aromatic polysulfone resin, and used as a resin composition for sealing a power semiconductor device. The aromatic polysulfone resin preferably used contains ≥6×10hydroxyl groups and/or its salts per 1 g of the aromatic polysulfone resin, and has a reduced viscosity of 0.35 to 0.60 dl/g.

Description

本発明は、パワー半導体装置封止用の樹脂組成物に関する。また、本発明は、この樹脂組成物によりパワー半導体装置を封止してなる樹脂封止型半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin composition for sealing a power semiconductor device. The present invention also relates to a resin-encapsulated semiconductor device obtained by encapsulating a power semiconductor device with this resin composition.

近年、電力制御用のパワー半導体モジュール等のパワー半導体装置の分野、特にインバーターモジュール等の小容量のパワー半導体装置の分野では、従来の金属圧接型半導体装置やセラミック封止型半導体装置に変わり、小型軽量化が可能で安価な樹脂封止型半導体装置の需要が高まっている。この樹脂封止型半導体装置は、通常、パワー半導体装置を樹脂組成物で封止することにより得られ、例えば、特許文献1には、前記樹脂組成物として、多官能エポキシ化合物、硬化剤及び無機フィラーを含む樹脂組成物が開示されている。   In recent years, in the field of power semiconductor devices such as power semiconductor modules for power control, particularly in the field of small-capacity power semiconductor devices such as inverter modules, the size has changed to conventional metal pressure-welded semiconductor devices and ceramic-encapsulated semiconductor devices. There is an increasing demand for resin-encapsulated semiconductor devices that can be reduced in weight and are inexpensive. This resin-encapsulated semiconductor device is usually obtained by encapsulating a power semiconductor device with a resin composition. For example, Patent Document 1 discloses a polyfunctional epoxy compound, a curing agent, and inorganic as the resin composition. A resin composition containing a filler is disclosed.

特開平11−92624号公報JP 11-92624 A

従来のパワー半導体装置封止用の樹脂組成物では、得られる樹脂封止型半導体装置の耐冷熱衝撃性が必ずしも十分でなく、例えば−65〜150℃の間で200℃以上の温度差の冷熱衝撃を樹脂封止型半導体装置に加えると、封止体である樹脂組成物の硬化物にクラックや界面剥離が生じ易く、樹脂封止型半導体装置の信頼性が低下し易いという問題がある。そこで、本発明の目的は、耐冷熱衝撃性に優れる樹脂封止型半導体装置を与えるパワー半導体装置封止用の樹脂組成物を提供することにある。   In a conventional resin composition for encapsulating a power semiconductor device, the resulting resin-encapsulated semiconductor device does not necessarily have sufficient thermal and thermal shock resistance, and, for example, cold heat having a temperature difference of 200 ° C. or more between −65 to 150 ° C. When an impact is applied to the resin-encapsulated semiconductor device, there is a problem that cracks and interfacial delamination are likely to occur in the cured product of the resin composition that is an encapsulant, and the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device is likely to be reduced. Therefore, an object of the present invention is to provide a resin composition for encapsulating a power semiconductor device that provides a resin-encapsulated semiconductor device having excellent resistance to thermal shock.

前記目的を達成するため、本発明は、多官能エポキシ化合物、硬化剤、無機フィラー及び芳香族ポリスルホン樹脂を含むパワー半導体装置封止用の樹脂組成物を提供する。また、本発明によれば、この樹脂組成物により、パワー半導体装置を封止してなる樹脂封止型半導体装置も提供される。   In order to achieve the above object, the present invention provides a resin composition for sealing a power semiconductor device, comprising a polyfunctional epoxy compound, a curing agent, an inorganic filler, and an aromatic polysulfone resin. Moreover, according to this invention, the resin sealing type | mold semiconductor device formed by sealing a power semiconductor device with this resin composition is also provided.

多官能エポキシ化合物は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する化合物であり、その例としては、多価アルコールのグリシジル化物(グリシジルエーテル)、多価フェノールのグリシジル化物(グリシジルエーテル)、多価カルボン酸のグリシジル化物(グリシジルエステル)、多価アミンのグリジル化物(グリシジルアミン)、脂環式多官能エポキシ化合物が挙げられ、必要に応じてそれらの2種以上を用いてもよい。中でも、多価フェノールのグリシジル化物が好ましく用いられ、この多価フェノールの例としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、テトラブロモビスフェノールA、ビスフェノールS、ジヒドロキシビフェニル、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシスチルベン、アルキル置換ハイドロキノン等の二価フェノール;フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ナフトールノボラック、ビスフェノールAノボラック等のノボラック;フェノール、アルキル置換フェノール、ナフトール等のフェノール類とベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、アルキル置換テレフタルアルデヒド等のアルデヒドとの重縮合物;フェノール類とシクロペンタジエンとの重付加物が挙げられ、必要に応じてそれらの2種以上を用いてもよい。   The polyfunctional epoxy compound is a compound having two or more epoxy groups in one molecule, and examples thereof include glycidylated polyhydric alcohol (glycidyl ether), glycidylated polyhydric phenol (glycidyl ether), Examples thereof include glycidylated products of carboxylic acids (glycidyl esters), glycidated products of polyvalent amines (glycidylamine), and alicyclic polyfunctional epoxy compounds, and two or more of them may be used as necessary. Among them, glycidylated polyhydric phenol is preferably used, and examples of this polyhydric phenol include bisphenol A, bisphenol F, tetrabromobisphenol A, bisphenol S, dihydroxybiphenyl, dihydroxynaphthalene, dihydroxystilbene, alkyl-substituted hydroquinone and the like. Dihydric phenols; phenolic novolacs, cresol novolacs, naphthol novolacs, bisphenol A novolacs and other novolacs; phenols, alkyl-substituted phenols, naphthols and other phenols and benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, terephthalaldehyde, alkyl-substituted terephthalaldehydes and other aldehydes Condensates; including polyadducts of phenols and cyclopentadiene, if necessary It may be used two or more kinds.

硬化剤は、多官能エポキシ化合物と反応して、多官能エポキシ化合物の硬化剤として機能しうる化合物であり、その例としては、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、トリス(ヒドロキシフェニル)アルカン、フェノール類変性ポリブタジエン、フェノール類アラルキル樹脂、フェノール類とジシクロペンタジエンの重付加物等の多価フェノール系の硬化剤;ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等のアミン系の硬化剤;無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の酸無水物系の硬化剤が挙げられ、必要に応じてそれら2種以上を用いてもよい。中でも、多価フェノール系の硬化剤が好ましく用いられる。   The curing agent is a compound that reacts with the polyfunctional epoxy compound to function as a curing agent for the polyfunctional epoxy compound. Examples thereof include phenol novolak, cresol novolak, tris (hydroxyphenyl) alkane, and phenol-modified polybutadiene. , Phenolic aralkyl resins, polyphenolic curing agents such as phenols and dicyclopentadiene polyadditions; amine curing agents such as dicyandiamide, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone; pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride Acid anhydride-type curing agents such as acid and benzophenonetetracarboxylic dianhydride may be mentioned, and two or more of them may be used as necessary. Of these, polyhydric phenol-based curing agents are preferably used.

硬化剤の含有量は、その種類により適宜調整されるが、例えば、多価フェノール系の硬化剤の場合、そのフェノール性ヒドロキシル基が、多官能エポキシ化合物のエポキシ基に対して、0.5〜1.5モル倍となる量であることが好ましい。また、アミン系の硬化剤の場合、そのアミノ基が、多官能エポキシ化合物のエポキシ基に対して、0.5〜1.5モル倍となる量であることが好ましい。また、酸無水物系の硬化剤の場合、その酸無水物基が、多官能エポキシ化合物のエポキシ基に対して、0.5〜1.5モル倍となる量であることが好ましい。硬化剤の含有量があまり少ないと、樹脂組成物の硬化反応が起こり難くなり、あまり多いと、樹脂組成物の硬化物の特性が低下し易くなる。   Although content of a hardening | curing agent is suitably adjusted with the kind, For example, in the case of a polyhydric phenol type hardening | curing agent, the phenolic hydroxyl group is 0.5-0.5 with respect to the epoxy group of a polyfunctional epoxy compound. The amount is preferably 1.5 mole times. Moreover, in the case of an amine type hardening | curing agent, it is preferable that the amino group is the quantity used as 0.5-1.5 mol times with respect to the epoxy group of a polyfunctional epoxy compound. In the case of an acid anhydride-based curing agent, the acid anhydride group is preferably in an amount that is 0.5 to 1.5 mole times the epoxy group of the polyfunctional epoxy compound. If the content of the curing agent is too small, the curing reaction of the resin composition hardly occurs, and if it is too large, the properties of the cured product of the resin composition are likely to be deteriorated.

無機フィラーとしては、例えば、結晶性シリカや溶融シリカ等のシリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、タルク、石英ガラス等のガラス、炭酸カルシウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化チタン、炭化タングステン等が挙げられ、必要に応じてそれら2種以上を用いてもよい。中でも、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウムが好ましく用いられる。無機フィラーの形状は、例えば、粉状であってもよいし、繊維状であってもよい。放熱性能の点では、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウムが好ましい。   Examples of the inorganic filler include silica such as crystalline silica and fused silica, glass such as alumina, boron nitride, aluminum nitride, talc, and quartz glass, calcium carbonate, silicon nitride, silicon carbide, titanium carbide, and tungsten carbide. Two or more of them may be used as necessary. Of these, silica, alumina, boron nitride, and aluminum nitride are preferably used. The shape of the inorganic filler may be, for example, powder or fiber. In terms of heat dissipation performance, alumina, boron nitride, and aluminum nitride are preferable.

無機フィラーの含有量は、樹脂組成物中、50〜80重量%であることが好ましい。無機フィラーの含有量があまり少ないと、樹脂組成物の硬化収縮や樹脂組成物の硬化物の線膨張係数を低減させ難くなり、あまり多いと、樹脂組成物の流動性が低下し易くなり、作業性が低下し易くなる。   The content of the inorganic filler is preferably 50 to 80% by weight in the resin composition. If the content of the inorganic filler is too small, it becomes difficult to reduce the curing shrinkage of the resin composition and the linear expansion coefficient of the cured product of the resin composition. The property tends to decrease.

芳香族ポリスルホン樹脂は、芳香族基(芳香族化合物から、その芳香環に結合した水素原子を2個除いてなる残基)及びスルホニル基(−SO2−)を有する樹脂であり、下記式(1)で表される繰返し単位(以下、繰返し単位(1)ということがある)を有することが好ましく、さらに、下記式(2)で表される繰返し単位(以下、繰返し単位(2)ということがある)や、下記式(3)で表される繰返し単位(以下、繰返し単位(2)ということがある)等の他の繰返し単位を有していてもよい。芳香族ポリスルホン樹脂は、繰返し単位(1)を、全繰返し単位の合計に対して、50〜100モル%有することが好ましく、80〜100モル%有することがより好ましい。 An aromatic polysulfone resin is a resin having an aromatic group (residue obtained by removing two hydrogen atoms bonded to the aromatic ring from an aromatic compound) and a sulfonyl group (—SO 2 —). It is preferable to have a repeating unit represented by 1) (hereinafter sometimes referred to as repeating unit (1)), and further, a repeating unit represented by the following formula (2) (hereinafter referred to as repeating unit (2)) And other repeating units such as a repeating unit represented by the following formula (3) (hereinafter also referred to as repeating unit (2)). The aromatic polysulfone resin preferably has 50 to 100 mol%, more preferably 80 to 100 mol% of the repeating unit (1) with respect to the total of all repeating units.

−Ph1−SO2−Ph2−O− (1) -Ph 1 -SO 2 -Ph 2 -O- ( 1)

(Ph1及びPh2は、それぞれ独立に、フェニレン基を表す。前記フェニレン基にある水素原子は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。) (Ph 1 and Ph 2 each independently represent a phenylene group. The hydrogen atoms in the phenylene group may each independently be substituted with an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom.)

−Ph3−R−Ph4−O− (2) -Ph 3 -R-Ph 4 -O- (2)

(Ph3及びPh4は、それぞれ独立に、フェニレン基を表す。前記フェニレン基にある水素原子は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Rは、アルキリデン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。) (Ph 3 and Ph 4 each independently represent a phenylene group. The hydrogen atoms in the phenylene group may each independently be substituted with an alkyl group, an aryl group or a halogen atom. R represents an alkylidene. Represents a group, oxygen atom or sulfur atom.)

−(Ph5)n−O− (3) -(Ph 5 ) n -O- (3)

(Ph5は、フェニレン基を表す。前記フェニレン基にある水素原子は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。nは、1〜3の整数を表す。nが2以上である場合、複数存在するPh5は、互いに同一であっても異なっていてもよい。) (Ph 5 represents a phenylene group. Each hydrogen atom in the phenylene group may be independently substituted with an alkyl group, an aryl group or a halogen atom. N represents an integer of 1 to 3. When n is 2 or more, a plurality of Ph 5 may be the same or different from each other.)

Ph1〜Ph5のいずれかで表されるフェニレン基は、p−フェニレン基であってもよいし、m−フェニレン基であってもよいし、o−フェニレン基であってもよいが、p−フェニレン基であることが好ましい。前記フェニレン基にある水素原子を置換してもよいアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基が挙げられ、その炭素数は、通常1〜5である。前記フェニレン基にある水素原子を置換してもよいアリール基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、p−トルイル基が挙げられ、その炭素数は、通常6〜15である。Rで表されるアルキリデン基の例としては、メチレン基、エチリデン基、イソプロピリデン基、1−ブチリデン基が挙げられ、その炭素数は、通常1〜5である。 The phenylene group represented by any of Ph 1 to Ph 5 may be a p-phenylene group, an m-phenylene group, or an o-phenylene group. -A phenylene group is preferred. Examples of the alkyl group that may substitute a hydrogen atom in the phenylene group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an s-butyl group, and a t-butyl group. Group is mentioned, The carbon number is 1-5 normally. Examples of the aryl group that may substitute a hydrogen atom in the phenylene group include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, and a p-toluyl group, and the number of carbon atoms is usually 6-15. It is. Examples of the alkylidene group represented by R include a methylene group, an ethylidene group, an isopropylidene group, and a 1-butylidene group, and the number of carbon atoms is usually 1-5.

芳香族ポリスルホン樹脂は、ヒドロキシル基及び/又はその塩(以下、合わせて「ヒドロキシル基類」とうことがある。)を、前記芳香族ポリスルホン樹脂1gあたり、6×10-5個以上有することが好ましい。これにより、樹脂組成物の硬化物の強度を向上させることができる。前記ヒドロキシル基類の含有量は、前記芳香族ポリスルホン樹脂1gあたり、好ましくは8×10-5個以上であり、また、通常20×10-5個以下、好ましくは17×10-5個以下である。 The aromatic polysulfone resin preferably has 6 × 10 −5 or more hydroxyl groups and / or salts thereof (hereinafter sometimes referred to as “hydroxyl groups”) per 1 g of the aromatic polysulfone resin. . Thereby, the intensity | strength of the hardened | cured material of a resin composition can be improved. The content of the hydroxyl groups is preferably 8 × 10 −5 or more per 1 g of the aromatic polysulfone resin, and is usually 20 × 10 −5 or less, preferably 17 × 10 −5 or less. is there.

前記ヒドロキシル基類は、その全てがヒドロキシル基であることが好ましい。また、芳香族ポリスルホン樹脂は、前記ヒドロキシル基類を、芳香環に結合した状態で、すなわちフェノール性ヒドロキシル基及び/又はその塩として有することが好ましく、また、主鎖の末端に有することが好ましい。   All of the hydroxyl groups are preferably hydroxyl groups. In addition, the aromatic polysulfone resin preferably has the hydroxyl groups bonded to an aromatic ring, that is, as a phenolic hydroxyl group and / or a salt thereof, and preferably at the end of the main chain.

ヒドロキシル基の塩は、ヒドロキシル基からプロトンが解離してなるオキシアニオン基と、対カチオンとから構成され、対カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンの等のアルカリ金属イオン、マグネシウムイオン、カルシウムイオン等のアルカリ土類金属イオン、アンモニアや1〜3級アミンがプロトン化されてなるアンモニウムイオン、4級アンモニウムイオンが挙げられる。なお、対カチオンが、アルカリ土類金属イオン等の多価カチオンである場合、対アニオンは、複数のオキシアニオン基から構成されていてもよいし、オキシアニオン基と、塩化物イオン、水酸化物イオン等の他のアニオンとから構成されていてもよい。   The salt of the hydroxyl group is composed of an oxyanion group in which a proton is dissociated from the hydroxyl group and a counter cation. Examples of the counter cation include alkali metal ions such as lithium ion, sodium ion and potassium ion, magnesium Examples thereof include alkaline earth metal ions such as ions and calcium ions, ammonium ions obtained by protonating ammonia and primary to tertiary amines, and quaternary ammonium ions. When the counter cation is a polyvalent cation such as an alkaline earth metal ion, the counter anion may be composed of a plurality of oxyanion groups, an oxyanion group, a chloride ion, or a hydroxide. It may be composed of other anions such as ions.

また、芳香族ポリスルホン樹脂は、その還元粘度が0.35〜0.60dl/gであることが好ましく、0.45〜0.55dlgであることがより好ましい。芳香族ポリスルホン樹脂の還元粘度があまり小さいと、樹脂組成物の硬化物の耐衝撃性が低下し易くなり、あまり多いと、成形性が低下し易くなる。   The aromatic polysulfone resin preferably has a reduced viscosity of 0.35 to 0.60 dl / g, and more preferably 0.45 to 0.55 dlg. If the reduced viscosity of the aromatic polysulfone resin is too small, the impact resistance of the cured product of the resin composition tends to decrease, and if too large, the moldability tends to decrease.

また、芳香族ポリスルホン樹脂は、樹脂封止型半導体装置の耐久性の点から、その熱重量測定における5%重量減少温度が、400℃以上であることが好ましい。   The aromatic polysulfone resin preferably has a 5% weight reduction temperature of 400 ° C. or higher in thermogravimetric measurement from the viewpoint of durability of the resin-encapsulated semiconductor device.

芳香族ポリスルホン樹脂は、対応するビス(ハロゲノフェニル)スルホン化合物と2価フェノールとを、炭酸のアルカリ金属塩を用いて、有機高極性溶媒中で重縮合させることにより、好適に製造できる。例えば、繰返し単位(1)を有する樹脂は、ビス(ハロゲノフェニル)スルホン化合物として、下記式(4)で表される化合物を用い、2価フェノールとして、下記式(5)で表される化合物を用いることにより、製造できる。また、繰返し単位(1)と繰返し単位(2)とを有する樹脂は、ビス(ハロゲノフェニル)スルホン化合物として、下記式(4)で表される化合物を用い、2価フェノールとして、下記式(6)で表される化合物を用いることにより、製造できる。また、繰返し単位(1)と繰返し単位(3)とを有する樹脂は、ビス(ハロゲノフェニル)スルホン化合物として、下記式(4)で表される化合物を用い、2価フェノールとして、下記式(7)で表される化合物を用いることにより、製造できる。   The aromatic polysulfone resin can be suitably produced by polycondensation of the corresponding bis (halogenophenyl) sulfone compound and divalent phenol in an organic high polarity solvent using an alkali metal carbonate. For example, the resin having the repeating unit (1) is a compound represented by the following formula (4) as a bis (halogenophenyl) sulfone compound, and a compound represented by the following formula (5) as a divalent phenol. It can be manufactured by using it. Moreover, resin which has a repeating unit (1) and a repeating unit (2) uses the compound represented by following formula (4) as a bis (halogenophenyl) sulfone compound, uses the following formula (6) as a bivalent phenol. It can manufacture by using the compound represented by. Moreover, resin which has a repeating unit (1) and a repeating unit (3) uses the compound represented by following formula (4) as a bis (halogenophenyl) sulfone compound, uses the following formula (7) as a bivalent phenol. It can manufacture by using the compound represented by.

1−Ph1−SO2−Ph2−X2 (4) X 1 -Ph 1 -SO 2 -Ph 2 -X 2 (4)

(X1及びX2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。Ph1及びPh2は、前記と同義である。) (X 1 and X 2 each independently represent a halogen atom. Ph 1 and Ph 2 are as defined above.)

HO−Ph1−SO2−Ph2−OH (5) HO—Ph 1 —SO 2 —Ph 2 —OH (5)

(Ph1及びPh2は、前記と同義である。) (Ph 1 and Ph 2 are as defined above.)

HO−Ph3−R−Ph4−OH (6) HO-Ph 3 -R-Ph 4 -OH (6)

(Ph3、Ph4及びRは、前記と同義である。) (Ph 3 , Ph 4 and R are as defined above.)

HO−(Ph5)n−OH (7) HO— (Ph 5 ) n —OH (7)

(Ph5及びnは、前記と同義である。) (Ph 5 and n are as defined above.)

炭酸のアルカリ金属塩は、正塩である炭酸アルカリであってもよいし、酸性塩である重炭酸アルカリ(炭酸水素アルカリ)であってもよいし、両者の混合物であってもよい。炭酸アルカリとしては、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムが好ましく用いられ、重炭酸アルカリとしては、重炭酸ナトリウムや重炭酸カリウムが好ましく用いられる。   The alkali metal carbonate may be an alkali carbonate that is a normal salt, an alkali bicarbonate (an alkali hydrogen carbonate) that is an acidic salt, or a mixture of both. As the alkali carbonate, sodium carbonate or potassium carbonate is preferably used, and as the alkali bicarbonate, sodium bicarbonate or potassium bicarbonate is preferably used.

目的とする反応は、ビス(ハロゲノフェニル)スルホン化合物と2価フェノールとの脱ハロゲン化水素・重縮合であり、仮に副反応が生じなければ、両者のモル比が1:1に近いほど、すなわちビス(ハロゲノフェニル)スルホン化合物の使用量が2価フェノールに対して100モル%に近いほど、得られる芳香族ポリスルホン樹脂は、重合度が高くなり、還元粘度が高くなる傾向にあるが、実際は、副生する水酸化アルカリ等により、ハロゲノ基のヒドロキシル基への置換反応や解重合等の副反応が生じ、この副反応により、得られる芳香族ポリスルホン樹脂の重合度が低下し、還元粘度が低下する傾向にあり、また、ヒドロキシル基類の含有量が増加する傾向にある。また、仮に副反応が生じなければ、炭酸のアルカリ金属塩の使用量が多いほど、目的とする重縮合が速やかに進行するので、得られる芳香族ポリスルホン樹脂は、重合度が高くなり、還元粘度が高くなる傾向にあるが、実際は、炭酸のアルカリ金属塩の使用量が多いほど、前記同様の副反応が生じ易くなる。さらに、仮に副反応が生じなければ、重縮合温度が高いほど、目的とする重縮合が速やかに進行するので、得られる芳香族ポリスルホン樹脂は、重合度が高くなり、還元粘度が高くなる傾向にあるが、実際は、重縮合温度が高いほど、前記同様の副反応が生じ易くなる。したがって、この副反応の度合いも考慮して、前記好適なヒドロキシル基類の含有量や還元粘度を有する芳香族ポリスルホン樹脂が得られるように、芳香族ジハロゲノ化合物の使用量や、炭酸のアルカリ金属塩の使用量、重縮合温度を調整することが好ましい。   The target reaction is dehydrohalogenation / polycondensation of a bis (halogenophenyl) sulfone compound and a dihydric phenol. If no side reaction occurs, the closer the molar ratio of the two is to 1: 1, that is, The closer the amount of the bis (halogenophenyl) sulfone compound used is to 100 mol% relative to the dihydric phenol, the higher the degree of polymerization and the reduced viscosity of the resulting aromatic polysulfone resin. By-product alkali hydroxide or the like causes a side reaction such as a substitution reaction or depolymerization of a halogeno group to a hydroxyl group. This side reaction reduces the degree of polymerization of the resulting aromatic polysulfone resin and decreases the reduced viscosity. And the content of hydroxyl groups tends to increase. Further, if no side reaction occurs, the larger the amount of alkali metal carbonate used, the faster the target polycondensation proceeds. Therefore, the resulting aromatic polysulfone resin has a higher degree of polymerization and reduced viscosity. However, in actuality, the more the amount of the alkali metal salt of carbonic acid used, the more likely the side reaction similar to the above occurs. Furthermore, if no side reaction occurs, the higher the polycondensation temperature, the faster the target polycondensation proceeds. Therefore, the resulting aromatic polysulfone resin tends to have a high degree of polymerization and a reduced viscosity. However, in fact, the higher the polycondensation temperature, the more likely the side reaction similar to the above occurs. Therefore, in consideration of the degree of this side reaction, the amount of the aromatic dihalogeno compound used or the alkali metal salt of carbonic acid is used so as to obtain an aromatic polysulfone resin having the preferred hydroxyl group content and reduced viscosity. It is preferable to adjust the amount of use and the polycondensation temperature.

なお、ビス(ハロフェニル)スルホン化合物及び/又は2価フェノールの一部又は全部に代えて、対応するヒドロキシフェニル(ハロフェニル)スルホン化合物を用いることもできる。   In addition, it replaces with a part or all of a bis (halophenyl) sulfone compound and / or dihydric phenol, and a corresponding hydroxyphenyl (halophenyl) sulfone compound can also be used.

芳香族ポリスルホン樹脂の含有量は、樹脂組成物中、0.5〜15重量%であることが好ましく、1〜10重量%であることがより好ましい。芳香族ポリスルホン樹脂の含有量があまり少ないと、樹脂組成物の硬化物の靭性や高温下での機会強度を向上させ難くなり、あまり多いと、樹脂組成物の流動性が低下し易くなり、作業性が低下し易くなる。   The content of the aromatic polysulfone resin is preferably 0.5 to 15% by weight in the resin composition, and more preferably 1 to 10% by weight. If the content of the aromatic polysulfone resin is too small, it becomes difficult to improve the toughness of the cured product of the resin composition and the opportunity strength at high temperatures, and if it is too large, the fluidity of the resin composition tends to be lowered, and the work The property tends to decrease.

本発明の樹脂組成物は、硬化促進剤を含むことが好ましく、その例としては、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール系化合物;2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ベンジルメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、ピペリジン、ジメチルラウリルアミン、ジアルキルアミノメタノールアミン、テトラメチルグアニジン、2−ジメチルアミノ−2−ヒドロキシプロパン、N,N’−ジメチルピペラジン、N−メチルモルホリン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、ヘキサメチレンテトラミン、1−ヒドロキシエチル−2−ヘプタデシルグリオキサリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等の第3級アミンその他のアミン化合物;トリフェニルホスフィン等のリン系化合物が挙げられる。   The resin composition of the present invention preferably contains a curing accelerator, examples of which include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, Imidazole compounds such as 2-heptadecylimidazole and 2-undecylimidazole; 2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, benzylmethylamine, α-methylbenzyldimethylamine , Piperidine, dimethyllaurylamine, dialkylaminomethanolamine, tetramethylguanidine, 2-dimethylamino-2-hydroxypropane, N, N′-dimethylpiperazine, N-methylmorpholine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, hexamethyle Tertiary amine such as tetramine, 1-hydroxyethyl-2-heptadecylglyoxalidine, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, and other amine compounds; phosphorus compounds such as triphenylphosphine Can be mentioned.

硬化促進剤の含有量は、その種類により適宜調整されるが、樹脂組成物中、0.1〜5重量%であることが好ましい。硬化促進剤の含有量があまり少ないと、樹脂組成物の硬化物の耐衝撃性が低下し易く、あまり多いと、樹脂組成物の硬化物の成形性が低下し易くなる。   Although content of a hardening accelerator is suitably adjusted with the kind, it is preferable that it is 0.1 to 5 weight% in a resin composition. If the content of the curing accelerator is too small, the impact resistance of the cured product of the resin composition tends to be lowered, and if too much, the moldability of the cured product of the resin composition tends to be lowered.

本発明の樹脂組成物は、必要に応じて他の成分、例えば、カーボンブラック等の着色剤、カルナバエアックスやポリエチレンワックス等の離型剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、シリコーンゴムやフッ素ゴム等のゴム成分、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、結晶核形成剤の1種又は2種以上を、樹脂組成物中、通常10重量%を超えない範囲で、含んでもよい。   The resin composition of the present invention contains other components as necessary, for example, a colorant such as carbon black, a release agent such as carnauba airx or polyethylene wax, a flame retardant such as antimony trioxide, and γ-glycidoxy. In the resin composition, one or more of a coupling agent such as propyltrimethoxysilane, a rubber component such as silicone rubber and fluororubber, an antioxidant, a heat stabilizer, an ultraviolet absorber, and a crystal nucleation agent, Usually, it may be contained within a range not exceeding 10% by weight.

本発明の樹脂組成物は、多官能エポキシ化合物、硬化剤、無機フィラー、芳香族ポリスルホン樹脂、及び必要に応じて用いられる他の成分を混合することにより、調製できる。その混合順序は適宜調整されるが、まず、多官能エポキシ化合物と芳香族ポリスルホン樹脂とを、N−メチル−2−ピロリドンやシクロヘキサノン等の溶媒に均一に溶解させ、この溶液から減圧乾燥等により溶媒を除去することにより、又は、この溶液をメタノールやエタノール等のアルコール系有機溶剤、水又はこれらの混合物等の溶媒に加えて沈殿させ、沈殿物から減圧乾燥等により溶媒を除去することにより、多官能エポキシ化合物と芳香族ポリスルホン樹脂との混合物を得、次いで、この混合物を、必要に応じてハンマーミル等で粉砕した後、硬化剤及び無機フィラーと、ロール、ニーダ、ライカイ機等の混合装置で混合することにより、樹脂組成物を調製することが好ましい。なお、多官能エポキシ化合物と芳香族ポリスルホン樹脂との混合の際、芳香族ポリスルホン樹脂の一部又は全部が、多官能エポキシ化合物と反応してもよい。   The resin composition of the present invention can be prepared by mixing a polyfunctional epoxy compound, a curing agent, an inorganic filler, an aromatic polysulfone resin, and other components used as necessary. The mixing order is appropriately adjusted. First, the polyfunctional epoxy compound and the aromatic polysulfone resin are uniformly dissolved in a solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone or cyclohexanone, and the solvent is removed from the solution by drying under reduced pressure or the like. Or by adding this solution to a solvent such as an alcoholic organic solvent such as methanol or ethanol, a solvent such as water or a mixture thereof, and then removing the solvent from the precipitate by drying under reduced pressure or the like. A mixture of a functional epoxy compound and an aromatic polysulfone resin is obtained, and then this mixture is pulverized with a hammer mill or the like, if necessary, and then mixed with a curing agent and an inorganic filler, and a mixing device such as a roll, a kneader or a reika machine. It is preferable to prepare a resin composition by mixing. In mixing the polyfunctional epoxy compound and the aromatic polysulfone resin, part or all of the aromatic polysulfone resin may react with the polyfunctional epoxy compound.

こうして得られる本発明の樹脂組成物は、パワー半導体装置を封止するための封止材として用いられる。封止方法としては、例えば、低圧トランスファー成形、インジェクション成形、圧縮成形、注型成形が挙げられ、パワー半導体装置の樹脂組成物で覆った後、樹脂組成物を硬化させて、封止体とすればよい。封止されるパワー半導体装置としては、例えば、IGBT、サイリスタ、GTOサイリスタ、SIサイリスタ、EST、MCT、IEGT、パワーMOSFET、MOSサイリスタ等のパワー素子と、bi−CMOS等のその制御回路部品とを搭載したものが挙げられる。また、こうして得られる樹脂封止型半導体装置は、例えば、空調機器、電子演算機、制御機械等の電気機器・機械の製造に用いられる。   The resin composition of the present invention thus obtained is used as a sealing material for sealing a power semiconductor device. Examples of the sealing method include low-pressure transfer molding, injection molding, compression molding, and cast molding. After covering with a resin composition of a power semiconductor device, the resin composition is cured to be used as a sealing body. That's fine. As a power semiconductor device to be sealed, for example, a power element such as IGBT, thyristor, GTO thyristor, SI thyristor, EST, MCT, IEGT, power MOSFET, MOS thyristor, and its control circuit component such as bi-CMOS. What is installed. In addition, the resin-encapsulated semiconductor device obtained in this way is used, for example, in the manufacture of electric devices and machines such as air conditioners, electronic calculators, and control machines.

〔芳香族ポリスルホン樹脂中のヒドロキシル基類の含有量の測定〕
所定量の芳香族ポリスルホン樹脂をジメチルホルムアミドに溶解させ、過剰量のパラトルエンスルホン酸を加えた。この溶液を、電位差滴定装置を用いて、0.05モル/lのカリウムメトキシド/トルエン・メタノール溶液で滴定し、残存パラトルエンスルホン酸を中和した後、ヒドロキシル基を中和した。このヒドロキシル基の中和に要したカリウムメトキシドの量(モルを個数に換算)を、芳香族ポリスルホン樹脂の前記所定量(g)で割ることにより、芳香族ポリスルホン樹脂中のヒドロキシル基類の含有量(個/g)を求めた。
(Measurement of hydroxyl group content in aromatic polysulfone resin)
A predetermined amount of aromatic polysulfone resin was dissolved in dimethylformamide, and an excess amount of paratoluenesulfonic acid was added. This solution was titrated with a 0.05 mol / l potassium methoxide / toluene / methanol solution using a potentiometric titrator to neutralize residual paratoluenesulfonic acid, and then neutralize hydroxyl groups. The content of hydroxyl groups in the aromatic polysulfone resin is obtained by dividing the amount of potassium methoxide required for neutralization of the hydroxyl group (converted into moles) by the predetermined amount (g) of the aromatic polysulfone resin. The amount (pieces / g) was determined.

〔芳香族ポリスルホン樹脂の還元粘度の測定〕
芳香族ポリスルホン樹脂約1gをN,N−ジメチルホルムアミドに溶解させて、その容量を1dlとした。この溶液の粘度(η)を、オストワルド型粘度管を用いて、25℃で測定した。また、溶媒であるN,N−ジメチルホルムアミドの粘度(η0)を、オストワルド型粘度管を用いて、25℃で測定した。前記溶液の粘度(η)と前記溶媒の粘度(η0)から、比粘性率((η−η0)/η0)を求め、この比粘性率を、前記溶液の濃度(約1g/dl)で割ることにより、芳香族ポリスルホン樹脂の還元粘度(dl/g)を求めた。
(Measurement of reduced viscosity of aromatic polysulfone resin)
About 1 g of aromatic polysulfone resin was dissolved in N, N-dimethylformamide to make the volume 1 dl. The viscosity (η) of this solution was measured at 25 ° C. using an Ostwald type viscosity tube. Further, the viscosity (η 0 ) of N, N-dimethylformamide as a solvent was measured at 25 ° C. using an Ostwald type viscosity tube. From the viscosity (η) of the solution and the viscosity (η 0 ) of the solvent, the specific viscosity ((η−η 0 ) / η 0 ) is obtained, and this specific viscosity is calculated as the concentration of the solution (about 1 g / dl). ) To obtain the reduced viscosity (dl / g) of the aromatic polysulfone resin.

〔樹脂封止型半導体装置の耐冷熱衝撃性の評価〕
樹脂封止型半導体装置20個について、−65℃で30分間冷却した後、室温で5分間放置し、次いで150℃で30分間加熱するという操作をくり返し行うことにより、冷熱サイクル試験(TCT)を行った。この冷熱サイクル試験後の樹脂封止型半導体装置20個について、樹脂組成物の硬化物にクラックが発生したものの個数を求めた。この個数が少ないほど、耐冷熱衝撃性に優れると判断される。
[Evaluation of thermal and thermal shock resistance of resin-encapsulated semiconductor devices]
About 20 resin-encapsulated semiconductor devices, after cooling at −65 ° C. for 30 minutes, leaving at room temperature for 5 minutes and then heating at 150 ° C. for 30 minutes, repeated thermal cycle test (TCT) went. About 20 resin-encapsulated semiconductor devices after this thermal cycle test, the number of those in which cracks occurred in the cured product of the resin composition was determined. It is determined that the smaller the number, the better the thermal shock resistance.

〔多官能エポキシ化合物〕
多官能エポキシ化合物として、エポキシ当量197のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(住友化学(株)製「ESCN−195L」)を用いた。
[Polyfunctional epoxy compound]
As a polyfunctional epoxy compound, an ortho-cresol novolac type epoxy resin having an epoxy equivalent of 197 (“ESCN-195L” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was used.

〔硬化剤〕
硬化剤として、水酸基当量104のフェノールノボラック樹脂(昭和高分子(株)製「BRG−556」)を用いた。
[Curing agent]
As a curing agent, a phenol novolac resin having a hydroxyl group equivalent of 104 (“BRG-556” manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.) was used.

〔無機フィラー〕
無機フィラーとして、平均粒径0.5μmの球状シリカ((株)アドマテック製「SO−C2」)を用いた。
[Inorganic filler]
As the inorganic filler, spherical silica having an average particle size of 0.5 μm (“SO-C2” manufactured by Admatech Co., Ltd.) was used.

製造例1(芳香族ポリスルホン樹脂の製造)
撹拌機、窒素導入管、温度計、及び先端に受器を付したコンデンサーを備えた重合槽に、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン500g、4,4’−ジクロロジフェニルスルホン576g、及び重合溶媒としてジフェニルスルホン922gを仕込み、系内に窒素ガスを流通させながら180℃まで昇温した。得られた溶液に、炭酸カリウム290gを添加した後、290℃まで徐々に昇温し、290℃でさらに2時間反応させた。得られた反応液を室温まで冷却して固化させ、細かく粉砕した後、温水による洗浄及びアセトンとメタノールの混合溶媒による洗浄を数回行い、次いで150℃で加熱乾燥を行い、芳香族ポリスルホン樹脂を粉末として得た。この芳香族ポリスルホン樹脂中のヒドロキシル基類の含有量を測定した結果、9.5×10-5個/gであった。また、この芳香族ポリスルホン樹脂の還元粘度を測定した結果、0.52dl/gであった。
Production Example 1 (Production of aromatic polysulfone resin)
In a polymerization tank equipped with a stirrer, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a condenser with a receiver at the tip, 500 g of 4,4′-dihydroxydiphenylsulfone, 576 g of 4,4′-dichlorodiphenylsulfone, and a polymerization solvent 922 g of diphenylsulfone was charged, and the temperature was raised to 180 ° C. while nitrogen gas was circulated in the system. After adding 290 g of potassium carbonate to the obtained solution, the temperature was gradually raised to 290 ° C., and the mixture was further reacted at 290 ° C. for 2 hours. The obtained reaction solution was cooled to room temperature, solidified, finely pulverized, washed with warm water and washed with a mixed solvent of acetone and methanol several times, then heated and dried at 150 ° C. to obtain an aromatic polysulfone resin. Obtained as a powder. As a result of measuring the content of hydroxyl groups in the aromatic polysulfone resin, it was 9.5 × 10 −5 units / g. Further, the reduced viscosity of this aromatic polysulfone resin was measured and found to be 0.52 dl / g.

実施例1
多官能エポキシ化合物13.3重量部及び製造例1で得られた芳香族ポリスルホン樹脂1.5重量部を、N−メチルピロリドンに均一に溶解させた。この溶液を減圧乾燥して、N−メチルピロリドンを除去し、多官能エポキシ化合物と芳香族ポリスルホン樹脂の混合物を得た。この混合物を、硬化剤6.7重量部、無機フィラー121.1重量部、及び2−エチルー4−メチルイミダゾール(硬化促進剤)0.2重量部と混合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物で試験用のパワー半導体装置を覆った後、樹脂組成物を硬化させることにより、樹脂封止型半導体装置を得、耐冷熱衝撃性を評価した結果、樹脂組成物の硬化物にクラックが発生したものの個数は、20個中、0個であった。
Example 1
13.3 parts by weight of the polyfunctional epoxy compound and 1.5 parts by weight of the aromatic polysulfone resin obtained in Production Example 1 were uniformly dissolved in N-methylpyrrolidone. This solution was dried under reduced pressure to remove N-methylpyrrolidone to obtain a mixture of a polyfunctional epoxy compound and an aromatic polysulfone resin. This mixture was mixed with 6.7 parts by weight of a curing agent, 121.1 parts by weight of an inorganic filler, and 0.2 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (curing accelerator) to obtain a resin composition. After covering the power semiconductor device for testing with this resin composition, the resin composition was cured to obtain a resin-encapsulated semiconductor device, and as a result of evaluating the thermal shock resistance, the cured resin composition was obtained. The number of cracks generated was 0 out of 20.

比較例1
多官能エポキシ化合物13.3重量部、硬化剤6.7重量部、無機フィラー121.1重量部、及び2−エチルー4−メチルイミダゾール(硬化促進剤)0.2重量部を混合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物で試験用のパワー半導体装置を覆った後、樹脂組成物を硬化させることにより、樹脂封止型半導体装置を得、耐冷熱衝撃性を評価した結果、樹脂組成物の硬化物にクラックが発生したものの個数は、20個中、2個であった。
Comparative Example 1
13.3 parts by weight of a polyfunctional epoxy compound, 6.7 parts by weight of a curing agent, 121.1 parts by weight of an inorganic filler, and 0.2 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (curing accelerator) are mixed to form a resin composition I got a thing. After covering the power semiconductor device for testing with this resin composition, the resin composition was cured to obtain a resin-encapsulated semiconductor device, and as a result of evaluating the thermal shock resistance, the cured resin composition was obtained. The number of cracks generated was 2 out of 20.

Claims (6)

多官能エポキシ化合物、硬化剤、無機フィラー及び芳香族ポリスルホン樹脂を含むパワー半導体装置封止用の樹脂組成物。   A resin composition for sealing a power semiconductor device, comprising a polyfunctional epoxy compound, a curing agent, an inorganic filler, and an aromatic polysulfone resin. 前記芳香族ポリスルホン樹脂が、下記式(1)で表される繰返し単位を有するものである請求項1に記載の樹脂組成物。
−Ph1−SO2−Ph2−O− (1)
(Ph1及びPh2は、それぞれ独立に、フェニレン基を表す。前記フェニレン基にある水素原子は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。)
The resin composition according to claim 1, wherein the aromatic polysulfone resin has a repeating unit represented by the following formula (1).
-Ph 1 -SO 2 -Ph 2 -O- ( 1)
(Ph 1 and Ph 2 each independently represent a phenylene group. The hydrogen atoms in the phenylene group may each independently be substituted with an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom.)
前記芳香族ポリスルホン樹脂が、ヒドロキシル基及び/又はその塩を、前記芳香族ポリスルホン樹脂1gあたり、6×10-5個以上有するものである請求項1又は2に記載の樹脂組成物。 3. The resin composition according to claim 1, wherein the aromatic polysulfone resin has 6 × 10 −5 or more hydroxyl groups and / or salts thereof per 1 g of the aromatic polysulfone resin. 前記芳香族ポリスルホン樹脂の還元粘度が、0.35〜0.60dl/gである請求項1〜3のいずれかに記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the reduced viscosity of the aromatic polysulfone resin is 0.35 to 0.60 dl / g. 前記無機フィラーが、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種以上である請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the inorganic filler is at least one selected from the group consisting of silica, alumina, boron nitride, and aluminum nitride. 請求項1〜5のいずれかに記載の樹脂組成物により、パワー半導体装置を封止してなる樹脂封止型半導体装置。   A resin-encapsulated semiconductor device obtained by encapsulating a power semiconductor device with the resin composition according to claim 1.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132651A (en) * 1987-11-17 1989-05-25 Mitsubishi Electric Corp Epoxy resin composition for semiconductor sealing
JPH06145474A (en) * 1992-11-10 1994-05-24 Sekisui Chem Co Ltd Epoxy resin composition for sealing semiconductor element
JPH0864728A (en) * 1994-08-23 1996-03-08 Ibiden Co Ltd Sealing resin composition, sealing frame composition, semiconductor chip mounting board on which sealing frame is provided and semiconductor device
JP2001239549A (en) * 2000-03-02 2001-09-04 Mitsubishi Electric Corp Resin mold part
JP2007084829A (en) * 2006-09-26 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp Molded resin part

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132651A (en) * 1987-11-17 1989-05-25 Mitsubishi Electric Corp Epoxy resin composition for semiconductor sealing
JPH06145474A (en) * 1992-11-10 1994-05-24 Sekisui Chem Co Ltd Epoxy resin composition for sealing semiconductor element
JPH0864728A (en) * 1994-08-23 1996-03-08 Ibiden Co Ltd Sealing resin composition, sealing frame composition, semiconductor chip mounting board on which sealing frame is provided and semiconductor device
JP2001239549A (en) * 2000-03-02 2001-09-04 Mitsubishi Electric Corp Resin mold part
JP2007084829A (en) * 2006-09-26 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp Molded resin part

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