JP2011227576A - Noise analysis device and noise analysis method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow accurate analysis of the power supply noise, which is generated when the power supply of an internal circuit is connected/disconnected by a power control circuit, in a short time during the early stage of semiconductor integrated circuit design.SOLUTION: An analysis model of a basic unit circuit for a power supply noise analysis is created and embedded as the analysis model of an internal circuit in a semiconductor integrated circuit so as to calculate a power supply noise, which is generated when the power supply of the internal circuit is connected/disconnected in the semiconductor integrated circuit that includes a power control circuit with a plurality of sets of switch group for controlling power supply to the internal circuit.

Description

本発明は、半導体集積回路内の電源に発生する電源ノイズを解析するノイズ解析装置及びノイズ解析方法に関する。   The present invention relates to a noise analysis apparatus and a noise analysis method for analyzing power supply noise generated in a power supply in a semiconductor integrated circuit.

従来、半導体集積回路内の電源は、半導体集積回路の動作開始時に電源を投入すると、動作時・非動作時にかかわらず常に一定電圧の電源を供給することを前提としていた。一方、近年半導体集積回路を構成するトランジスタの微細化が進むにつれて、電源投入した後の半導体集積回路の非動作時の消費電流量が増加する傾向が顕著になってきた。このため、半導体集積回路が動作していない時の消費電力を抑制するために電源制御回路を半導体集積回路内に作製することが必要とされている。   Conventionally, the power supply in the semiconductor integrated circuit is based on the premise that when the power is turned on at the start of the operation of the semiconductor integrated circuit, a constant voltage is always supplied regardless of whether the semiconductor integrated circuit is in operation or not. On the other hand, in recent years, with the progress of miniaturization of transistors constituting a semiconductor integrated circuit, the tendency of increasing current consumption during non-operation of the semiconductor integrated circuit after the power is turned on has become remarkable. For this reason, in order to suppress power consumption when the semiconductor integrated circuit is not operating, it is necessary to produce a power supply control circuit in the semiconductor integrated circuit.

しかし、電源投入時に電源供給源であるPCB(Print Circuit Board)から半導体集積回路に、従来半導体集積回路が動作している時には想定していない量の電流が流れ込むことが明らかになってきた。そして、半導体集積回路の電源投入時に流れ込む電流に起因し、従来において一定電圧の電源を供給していた半導体集積回路内の電源配線上に電源ノイズが発生する。半導体集積回路内で動作中の回路が、この電源ノイズにより誤動作するといった問題がある。   However, it has become clear that an unexpected amount of current flows from a PCB (Print Circuit Board), which is a power supply source, to a semiconductor integrated circuit when the power is turned on when the conventional semiconductor integrated circuit is operating. Then, due to the current flowing when the power of the semiconductor integrated circuit is turned on, power supply noise is generated on the power supply wiring in the semiconductor integrated circuit which has conventionally supplied a constant voltage power. There is a problem that a circuit operating in the semiconductor integrated circuit malfunctions due to the power supply noise.

複数の電源スイッチを有するパワーゲーティング回路が搭載された半導体集積回路で、電源スイッチのONタイミングを最適化して電源ノイズの抑制を図る技術が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。また、動作マージンを確保しつつ、低消費電力化を実現する半導体集積回路の回路接続検証方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。   There has been proposed a technique for optimizing the ON timing of a power switch to suppress power noise in a semiconductor integrated circuit equipped with a power gating circuit having a plurality of power switches (see, for example, Patent Document 1). In addition, a circuit connection verification method for a semiconductor integrated circuit that realizes low power consumption while ensuring an operation margin has been proposed (see, for example, Patent Document 2).

特開2008−65732号公報JP 2008-65732 A 特開2004−241106号公報JP 2004-241106 A

電源制御回路を有する半導体集積回路の構成と電源ノイズの発生状態について、図1を参照し説明する。図1(A)に示す半導体集積回路において、ボード(BOARD)の電源部PW1から供給される電力は、パッケージ(PKG)のインダクタンスL1、抵抗R1を介して電源電位及びインダクタンスL2、抵抗R2を介して接地電位がそれぞれ、内部回路が構成されるダイ(DIE)へと印加される。電源電位及び接地電位は、抵抗R3及びR4の各々によって所定のVDD電源及びVSS電源となり内部回路へ供給される。   A configuration of a semiconductor integrated circuit having a power supply control circuit and a generation state of power supply noise will be described with reference to FIG. In the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1A, the power supplied from the power supply unit PW1 of the board (BOARD) is supplied via the power supply potential, the inductance L2, and the resistance R2 via the inductance L1 and resistance R1 of the package (PKG). Each of the ground potentials is applied to a die (DIE) constituting an internal circuit. The power supply potential and the ground potential become predetermined VDD power supply and VSS power supply by the resistors R3 and R4, respectively, and are supplied to the internal circuit.

DIE上の内部回路は同時に電源オン・オフされるパワードメインPD1で構成され、パワードメインPD1に低消費電力制御が行われる。さらに、DIEには、内部回路がレイアウトされるパワードメインPD1が動作時には電源供給をオンし、動作しない時にはオフする複数のパワースイッチ群PSWG1、PSWG2、・・・、PSWGnを有する。パワースイッチ群PSWG1、PSWG2、・・・、PSWGnの各々は、1以上のパワースイッチ(PSW)を有しており、パワースイッチを制御するパワースイッチ(PSW)制御回路PSWC1からの制御信号に応じて、パワースイッチ群毎にオン・オフされる。PSW制御回路PSWC1からの制御信号は、PSW駆動バッファBF1、BF2、・・・、BFnを介して、各パワースイッチ群PSWG1、PSWG2、・・・、PSWGnのパワースイッチに供給される。   An internal circuit on the DIE is configured by a power domain PD1 that is simultaneously turned on / off, and low power consumption control is performed on the power domain PD1. Further, the DIE includes a plurality of power switch groups PSWG1, PSWG2,..., PSWGn that turn on power supply when the power domain PD1 in which the internal circuit is laid out operates and turn off when the power domain PD1 does not operate. Each of the power switch groups PSWG1, PSWG2,..., PSWGn has one or more power switches (PSW), and according to a control signal from a power switch (PSW) control circuit PSWC1 that controls the power switch. Each power switch group is turned on / off. The control signal from the PSW control circuit PSWC1 is supplied to the power switches of the power switch groups PSWG1, PSWG2,..., PSWGn via the PSW drive buffers BF1, BF2,.

パワースイッチ群PSWG1、PSWG2、・・・、PSWGn、PSW制御回路PSWC1、及びPSW駆動バッファBF1、BF2、・・・、BFnによって、内部回路に対するパワーゲーティング(Power Gating)を行う電源制御回路が構成される。電源制御回路によって、内部回路のパワードメインPD1にはVDDPD電源が供給される。   The power switch group PSWG1, PSWG2,..., PSWGn, PSW control circuit PSWC1, and PSW drive buffers BF1, BF2,. The The power supply control circuit supplies VDDPD power to the power domain PD1 of the internal circuit.

このように設計された半導体集積回路を論理解析する際には、電源部PW1から供給される電源を理想電源とし、内部回路へ供給されるVDDPD電源を仮想電源としてシミュレーションされる。   When logically analyzing the semiconductor integrated circuit designed in this way, simulation is performed using the power supplied from the power supply unit PW1 as an ideal power supply and the VDDPD power supplied to the internal circuit as a virtual power supply.

パワースイッチ群PSWG1、PSWG2、・・・、PSWGnのパワースイッチのオン・オフは、このパワーゲーティングによる電源ノイズを発生させ、内部回路への流入電流が生じる。図1(B)に示すグラフは、パワースイッチがオンとなった際の時間Tの経過に応じた電源ノイズ量[mV]とVDDPD電源電圧[V]の状態を表しており、LN11がVDDPD電源電圧を示し、LN12が電源ノイズを示している。パワースイッチがオンされることによってVDDPD電源電圧が所定電圧まで上昇するまでのある時刻tで急激にVDD−VSS電源間に発生する電源ノイズ量がピークとなっていることを示している。このグラフに示されるようなVDDPD電源電圧の波形や電源ノイズ量の波形は、論理回路の設計がほぼ完了したようなレイアウトデータを用いた解析により得られる波形である。   When the power switches of the power switch groups PSWG1, PSWG2,..., PSWGn are turned on / off, power noise is generated by the power gating, and an inflow current to the internal circuit is generated. The graph shown in FIG. 1B represents the state of the power supply noise amount [mV] and the VDDPD power supply voltage [V] corresponding to the passage of time T when the power switch is turned on, and LN11 is the VDDPD power supply. Voltage is shown, and LN12 shows power supply noise. It shows that the amount of power supply noise generated suddenly between the VDD and VSS power supply peaks at a certain time t until the VDDPD power supply voltage rises to a predetermined voltage by turning on the power switch. The waveform of the VDDPD power supply voltage and the amount of power supply noise as shown in this graph are waveforms obtained by analysis using layout data such that the design of the logic circuit is almost completed.

しかし、レイアウトデータを元に電源ノイズの解析モデルを作成するため、電源ノイズを解析し算出した電源ノイズ量が半導体集積回路内の内部回路の誤動作もしくは性能劣化を発生させることが判明した場合に、電源ノイズを抑制しようとしても元のレイアウトを大幅に修正することは難しく、電源ノイズを抑制する修正手法は限られ、効果的に抑制できないという課題があった。また、レイアウトデータを元に電源回路網や内部回路の回路モデルを抽出し、解析モデルを作成するには、非常に大きなサイズのデータを入力しなければならず、解析モデルの作成や計算機による解析に多大な時間を要する。そのため、実際の設計では電源制御回路を用い半導体集積回路内の内部回路の電源接続・切断する際の半導体集積回路内に発生する電源ノイズを検討することが困難であった。   However, in order to create an analysis model of power supply noise based on the layout data, when it is found that the power supply noise amount calculated by analyzing the power supply noise causes malfunction or performance degradation of the internal circuit in the semiconductor integrated circuit, Even if it is attempted to suppress power supply noise, it is difficult to significantly correct the original layout, and there are limited correction methods for suppressing power supply noise, which cannot be effectively suppressed. Also, in order to extract the circuit model of the power circuit network and internal circuit based on the layout data and create an analysis model, it is necessary to input very large size data. Takes a lot of time. Therefore, in actual design, it is difficult to examine power supply noise generated in the semiconductor integrated circuit when the power supply control circuit is used to connect / disconnect the power supply of the internal circuit in the semiconductor integrated circuit.

前述のような従来の解析手法では、半導体集積回路の内部回路の電源接続時に発生する電源ノイズを見積もる前に、大規模な半導体集積回路の電源配線モデルと詳細な回路動作モデルを作成する必要があった。このため、半導体集積回路内の内部回路に対して内部回路の電源接続・切断時に半導体集積回路内に発生する電源ノイズを見積もることは、実際の半導体集積回路設計では困難である。   In the conventional analysis method as described above, it is necessary to create a power wiring model and a detailed circuit operation model of a large-scale semiconductor integrated circuit before estimating the power noise generated when the power of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit is connected. there were. For this reason, it is difficult to estimate the power supply noise generated in the semiconductor integrated circuit when the internal circuit is connected to or disconnected from the internal circuit in the semiconductor integrated circuit in an actual semiconductor integrated circuit design.

実際の半導体集積回路では電源接続する内部回路以外にもVDD電源を共有して動作する他の内部回路が存在する。このため、内部回路が電源接続した際に電源ノイズが発生すると、その電源ノイズは電源を共有する他の内部回路を誤動作させたり、性能劣化させたりする原因となる場合がある。また、半導体集積回路の電源配線上に発生する電源ノイズには、電源接続時に発生する電源ノイズ以外にも、内部回路動作時に発生する電源ノイズやSSO電源ノイズに代表される半導体集積回路の入出力回路(IO回路)動作時の電源ノイズがあり、電源ノイズの影響を避けられない状況がある。
このため電源接続時に発生する電源ノイズを考慮し、各内部回路の設計することは重要である。
In an actual semiconductor integrated circuit, there are other internal circuits that operate by sharing the VDD power supply in addition to the internal circuit connected to the power supply. For this reason, when power supply noise occurs when the internal circuit is connected to the power supply, the power supply noise may cause other internal circuits that share the power supply to malfunction or degrade performance. The power supply noise generated on the power supply wiring of the semiconductor integrated circuit includes not only the power supply noise generated when the power supply is connected but also the input / output of the semiconductor integrated circuit represented by the power supply noise generated during the operation of the internal circuit and the SSO power supply noise. There is a power supply noise during circuit (IO circuit) operation, and there is a situation where the influence of the power supply noise cannot be avoided.
For this reason, it is important to design each internal circuit in consideration of power supply noise generated when the power supply is connected.

本発明の一観点によれば、電源ノイズ解析に係る基本単位回路の解析モデルを作成する解析モデル作成手段と、半導体集積回路のレイアウトの前段階で、電源制御回路を用いた半導体集積回路にて内部回路の電源の接続及び切断を行った際に発生する電源ノイズを算出する電源ノイズ算出部とを有するノイズ解析装置が提供される。電源制御回路は内部回路への電源供給を制御する複数のスイッチ群を有する。また、電源ノイズ算出部は、解析モデル作成部で作成した基本単位回路を半導体集積回路の内部回路の解析モデルとして組み込み電源ノイズを算出する。   According to one aspect of the present invention, an analysis model creating means for creating an analysis model of a basic unit circuit related to power supply noise analysis, and a semiconductor integrated circuit using a power supply control circuit in a stage prior to the layout of the semiconductor integrated circuit There is provided a noise analysis device including a power supply noise calculation unit that calculates power supply noise generated when a power supply of an internal circuit is connected and disconnected. The power control circuit has a plurality of switch groups that control power supply to the internal circuit. The power supply noise calculation unit calculates the power supply noise by incorporating the basic unit circuit created by the analysis model creation unit as an analysis model of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit.

半導体集積回路の設計初期において、電源制御回路により内部回路の電源の接続及び切断を行った際に発生する電源ノイズ量を短時間で精度良く見積もることができる。   In the initial design stage of the semiconductor integrated circuit, the amount of power supply noise generated when the power supply control circuit connects and disconnects the power supply of the internal circuit can be accurately estimated in a short time.

電源制御回路を有する半導体集積回路の構成及び電源ノイズを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure and power supply noise of a semiconductor integrated circuit which have a power supply control circuit. 解析モデルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of an analysis model. 解析モデルの他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of an analysis model. 内部回路の電流経路と電圧波形の関係を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the relationship between the electric current path of an internal circuit, and a voltage waveform. 電源ノイズを解析するための解析モデルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the analysis model for analyzing a power supply noise. 電源ノイズを解析するための解析モデルの他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the analysis model for analyzing a power supply noise. 内部回路の基本段数見積もり方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the basic stage number estimation method of an internal circuit. 本実施形態によるノイズ解析装置での電源ノイズ量の評価フローを示す図である。It is a figure which shows the evaluation flow of the amount of power supply noises in the noise analysis apparatus by this embodiment. 本実施形態における電源ノイズ量評価での出力を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the output in power supply noise amount evaluation in this embodiment. 本発明の実施形態によるノイズ解析装置を実現可能なコンピュータの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the computer which can implement | achieve the noise analysis apparatus by embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施形態によるノイズ解析装置は、例えば内部回路の待機時消費電力を抑制するための電源制御回路を用い半導体集積回路内の内部回路の電源接続・切断を行った際に半導体集積回路内に発生する電源ノイズを高精度かつ短時間で解析するノイズ解析装置である。   The noise analysis apparatus according to the present embodiment is generated in the semiconductor integrated circuit when the internal circuit in the semiconductor integrated circuit is connected / disconnected using, for example, a power supply control circuit for suppressing standby power consumption of the internal circuit. It is a noise analysis device that analyzes power supply noise to be performed with high accuracy and in a short time.

まず、内部回路の待機時消費電力を抑制する電源制御回路を有する半導体集積回路内の電源接続・切断を行った際に半導体集積回路内に発生する電源ノイズを解析するための解析モデルの一例について説明する。前述した図1(A)に示すような半導体集積回路を設計するものとする。図1(A)に示す内部回路の解析モデルでは、内部回路の電源配線抵抗をモデル化し、その電源配線抵抗のモデルから内部回路のトランジスタモデルを使用した回路モデルをモデル化する。そして、電源配線間に挿入される電源安定化容量(デカップリングセル容量)及びSi基板上での電源間寄生容量などの容量成分をモデル化する。   First, an example of an analysis model for analyzing power supply noise generated in a semiconductor integrated circuit when a power supply is connected / disconnected in a semiconductor integrated circuit having a power supply control circuit that suppresses standby power consumption of the internal circuit explain. Assume that the semiconductor integrated circuit as shown in FIG. In the internal circuit analysis model shown in FIG. 1A, a power supply wiring resistance of the internal circuit is modeled, and a circuit model using a transistor model of the internal circuit is modeled from the model of the power supply wiring resistance. Then, capacity components such as a power stabilization capacitor (decoupling cell capacity) inserted between the power supply wirings and a parasitic capacitance between the power supplies on the Si substrate are modeled.

図2は、解析モデルの一例を示す図である。図2において、図1に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付している。図2(A)では、図1(A)に示す半導体集積回路において内部回路を電源安定化容量C1でモデル化して内部回路として設計された半導体集積回路が示される。図2(A)に示す半導体集積回路の他構成部は、図1(A)に示した半導体集積回路と同様に、ボード(BOARD)の電源部PW1から供給される電力は、パッケージ(PKG)のインダクタンスL1、抵抗R1を介して電源電位及びインダクタンスL2、抵抗R2を介して接地電位がそれぞれ、内部回路が構成されるダイ(DIE)へと印加される。電源電位及び接地電位は、抵抗R3及びR4の各々によって所定のVDD電源及びVSS電源となり内部回路へ供給される。複数のパワースイッチ(PSW)群PSWG1、PSWG2、・・・、PSWGnと、PSW制御回路PSWC1と、PSW駆動バッファBF1、BF2、・・・、BFnとによって、内部回路に対するパワーゲーティング(Power Gating)を行う電源制御回路が構成される。ここで、半導体集積回路内の回路において、同じVDD電源とVSS電源を使用する回路毎に分別して、それぞれ一つの内部回路とする。   FIG. 2 is a diagram illustrating an example of an analysis model. 2, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. FIG. 2A shows a semiconductor integrated circuit that is designed as an internal circuit by modeling the internal circuit with a power supply stabilization capacitor C1 in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. As in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1A, the other components of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 2A are supplied from the power supply unit PW1 of the board (BOARD) as a package (PKG). The power supply potential and the ground potential via the inductance L2 and the resistor R2, respectively, are applied to the die (DIE) constituting the internal circuit. The power supply potential and the ground potential become predetermined VDD power supply and VSS power supply by the resistors R3 and R4, respectively, and are supplied to the internal circuit. .., PSWGn, PSW control circuit PSWC1, and PSW drive buffers BF1, BF2,... BFn perform power gating on the internal circuit. A power supply control circuit is configured. Here, in the circuit in the semiconductor integrated circuit, each circuit using the same VDD power supply and VSS power supply is separated into one internal circuit.

そして、分別した各内部回路別に電源ノイズの解析モデルを作成する。作成する解析モデルでは、半導体集積回路を実装するPCBボードから理想的な電源が供給されることを想定し、半導体集積回路のパッケージ上の電源配線による抵抗・インダクタンス・容量等をモデル化する。PCBボードから理想的な電源が供給されない場合には、PCBボード上の配線抵抗・インダクタンス・容量もモデル化する。   Then, an analysis model of power supply noise is created for each separated internal circuit. In the analysis model to be created, it is assumed that ideal power is supplied from the PCB board on which the semiconductor integrated circuit is mounted, and the resistance, inductance, capacitance, etc. by the power supply wiring on the package of the semiconductor integrated circuit are modeled. When ideal power is not supplied from the PCB board, the wiring resistance, inductance, and capacitance on the PCB board are also modeled.

また、パッケージから半導体集積回路のDIE上の電源配線による抵抗・インダクタンス・容量をモデル化し、これらに半導体集積回路内の電源制御回路であるパワースイッチをモデル化し内部回路に直結する電源配線(VDDPD電源配線)に接続する。パワースイッチの接続箇所に関して、電源制御回路が有するパワースイッチの特性により、VDD電源側もしくはVSS電源側に接続する場合がある。解析モデルでは、パワースイッチの接続箇所に則して作成するようにすることで、必要な電源ノイズ量を解析できる。   Also, the resistance, inductance, and capacity of the power supply wiring on the DIE of the semiconductor integrated circuit are modeled from the package, and the power switch that is a power control circuit in the semiconductor integrated circuit is modeled on the power supply wiring (VDDPD power supply) directly connected to the internal circuit. Wiring). With respect to the connection point of the power switch, there is a case where it is connected to the VDD power source side or the VSS power source side depending on the characteristics of the power switch of the power control circuit. In the analysis model, the necessary power supply noise amount can be analyzed by creating the analysis model according to the connection location of the power switch.

内部回路については、電源配線間に挿入される電源安定化容量(デカップリングセル容量)に基づく電源安定化容量C1でモデル化する。   The internal circuit is modeled by a power supply stabilization capacitor C1 based on a power supply stabilization capacitor (decoupling cell capacitor) inserted between the power supply wirings.

内部回路を電源安定化容量のみでモデル化した半導体集積回路の解析モデルを用いて、電源ノイズ量及びVDDPD電源電圧をシミュレーションすると、例えば、図2(B)のようなグラフ結果を得る。図2(B)に示すグラフでは、シミュレーションによってパワースイッチがオンとなった際の時間Tの経過に応じた電源ノイズ量[mV]とVDDPD電源電圧[V]の状態を示す。図2(B)中、実際に作成した半導体集積回路をテスタで測定した場合等に得られる電源ノイズ量は実電源ノイズ量LN22で示される。また、解析モデルを用いたシミュレーションによって得られる電源ノイズ量は電源ノイズ量LN23で示され、VDDPD電源電圧はLN21で示される。電源安定化容量のみでモデル化した解析モデルでは、VDDPD電源電圧LN21の立ち上がり時間を高い精度で解析できる一方、実電源ノイズ量LN22が最大となる時刻tにおける電源ノイズ量LN23を高い精度で解析するのが難しいことが分かる。つまり、電源安定化容量のみでモデル化した解析モデルでは、内部回路が動作時に発生するノイズを現せない。   When a power supply noise amount and a VDDPD power supply voltage are simulated using an analysis model of a semiconductor integrated circuit in which an internal circuit is modeled only by a power stabilization capacitor, a graph result as shown in FIG. 2B, for example, is obtained. The graph shown in FIG. 2B shows the state of the power supply noise amount [mV] and the VDDPD power supply voltage [V] corresponding to the passage of time T when the power switch is turned on by simulation. In FIG. 2B, the amount of power supply noise obtained when the actually produced semiconductor integrated circuit is measured by a tester is indicated by an actual power supply noise amount LN22. Further, the power supply noise amount obtained by the simulation using the analysis model is indicated by a power supply noise amount LN23, and the VDDPD power supply voltage is indicated by LN21. In the analysis model modeled using only the power supply stabilization capacity, the rise time of the VDDPD power supply voltage LN21 can be analyzed with high accuracy, while the power supply noise amount LN23 at time t at which the actual power supply noise amount LN22 is maximized is analyzed with high accuracy. It turns out that is difficult. In other words, the analysis model modeled using only the power supply stabilization capacity cannot reveal the noise generated during the operation of the internal circuit.

次に、電源安定化容量に加え、内部回路の電源間に存在するトランジスタの電源間容量を含めてモデル化した解析モデルについて図3を参照し説明する。図3は、解析モデルの他の例を示す図である。図3において、図1及び図2に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付している。図3(A)に示す半導体集積回路の構成は、図2(A)の半導体集積回路の構成と同様であり、前述したように解析モデルが作成される。図3(A)に示す半導体集積回路では、内部回路を図3(A)に示した電源安定化容量に加えて内部回路の電源間に存在するトランジスタの電源間容量を含めた容量C2によってモデル化して内部回路として示される。   Next, an analysis model modeled including the power supply capacitance of the transistors existing between the power supplies of the internal circuits in addition to the power supply stabilization capacitance will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating another example of the analysis model. 3, the same components as those shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. The configuration of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 3A is the same as that of the semiconductor integrated circuit in FIG. 2A, and an analysis model is created as described above. In the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 3A, the internal circuit is modeled by a capacitor C2 including a power supply capacitance of a transistor existing between the power supplies of the internal circuit in addition to the power supply stabilization capacitance shown in FIG. And shown as an internal circuit.

図3(A)に示すような半導体集積回路の解析モデルを用いて、電源ノイズ量及びVDDPD電源電圧をシミュレーションすると、例えば、図3(B)のようなグラフ結果を得る。図3(B)に示すグラフでは、シミュレーションによってパワースイッチがオンとなった際の時間Tの経過に応じた電源ノイズ量[mV]とVDDPD電源電圧[V]の状態を示す。図3(B)中、実際に作成した半導体集積回路をテスタで測定した場合等に得られる電源ノイズ量は実電源ノイズ量LN33で示され、VDDPD電源電圧はLN31で示される。また、解析モデルを用いたシミュレーションによって得られる電源ノイズ量は電源ノイズ量LN34で示され、VDDPD電源電圧はLN32で示される。   When a power supply noise amount and a VDDPD power supply voltage are simulated using an analysis model of a semiconductor integrated circuit as shown in FIG. 3A, for example, a graph result as shown in FIG. 3B is obtained. The graph shown in FIG. 3B shows the state of the power supply noise amount [mV] and the VDDPD power supply voltage [V] corresponding to the passage of time T when the power switch is turned on by simulation. In FIG. 3B, the amount of power supply noise obtained when a semiconductor integrated circuit actually produced is measured by a tester is indicated by an actual power supply noise amount LN33, and the VDDPD power supply voltage is indicated by LN31. Further, the power supply noise amount obtained by the simulation using the analysis model is indicated by a power supply noise amount LN34, and the VDDPD power supply voltage is indicated by LN32.

図3(A)に示した解析モデルでは、電源ノイズ量の時刻tでの最大値を正しく解析可能である一方、内部回路の電源間に挿入する容量によって内部回路のVDDPD電源電圧LN32の立ち上がり時間を高い精度で解析するのが難しいことが分かる。これは、内部回路の電源間に存在するトランジスタの電源間容量や信号配線の負荷容量を一つの容量素子としてモデル化した場合においても同様である。   In the analysis model shown in FIG. 3A, the maximum value of the power supply noise amount at time t can be correctly analyzed, while the rise time of the VDDPD power supply voltage LN32 of the internal circuit is determined by the capacitance inserted between the power supplies of the internal circuit. It is difficult to analyze with high accuracy. The same applies to the case where the inter-power source capacitance of the transistor existing between the power sources of the internal circuits and the load capacitance of the signal wiring are modeled as one capacitive element.

本実施形態を以下に説明する。電源制御回路を用いて半導体集積回路の内部回路の電源接続・切断を行った際に、電源に発生する電源ノイズを解析するには、内部回路の電源立ち上げ時における流入電流を精度良く解析する必要がある。内部回路の流入電流は、図4(A)に示すように、経路CP1、CP2、CP3を流れる電流があり、時間とともに変化する。本実施形態では、内部回路の電源を昇圧する際に、内部回路の電源に流れ込む電流量を精度良く解析することが可能な基本単位回路を解析モデル化する。ここでは、図4(B)に示すように基本単位回路にインバータ回路を用いた場合を一例として説明する。   This embodiment will be described below. To analyze power supply noise generated in the power supply when the power supply control circuit is used to connect / disconnect the power supply to / from the internal circuit of the semiconductor integrated circuit, accurately analyze the inflow current when the internal circuit power supply is turned on There is a need. As shown in FIG. 4A, the inflow current of the internal circuit includes currents flowing through the paths CP1, CP2, and CP3, and changes with time. In the present embodiment, a basic unit circuit capable of accurately analyzing the amount of current flowing into the power source of the internal circuit when boosting the power source of the internal circuit is modeled as an analysis model. Here, a case where an inverter circuit is used for the basic unit circuit as shown in FIG. 4B will be described as an example.

内部回路の電源(VDDPD電源とする)が昇圧する前、仮に内部回路の入力信号はVSS電源側に固定されているとして、内部回路の電流経路と電圧波形について図4を参照し説明する。図4は、内部回路の電流経路と電圧波形の関係を説明するための図である。図4(B)に、インバータINV1及びインバータINV2でモデル化した内部回路を示す。図4(C)では、インバータINV1の出力端子ノードAとインバータINV2の出力端子ノードBとによる内部回路のVDDPD電源の電圧波形LN43が、時間Tの経過に応じて示される。   The current path and voltage waveform of the internal circuit will be described with reference to FIG. 4 on the assumption that the input signal of the internal circuit is fixed on the VSS power supply side before the internal circuit power supply (VDDPD power supply) is boosted. FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the current path of the internal circuit and the voltage waveform. FIG. 4B shows an internal circuit modeled by the inverter INV1 and the inverter INV2. In FIG. 4C, the voltage waveform LN43 of the VDDPD power supply of the internal circuit by the output terminal node A of the inverter INV1 and the output terminal node B of the inverter INV2 is shown as time T passes.

内部回路のVDDPD電源の昇圧時、図4(C)に示すように、期間(a)の初期は、例えばインバータINV1の出力端子ノードAに現われる出力信号は、インバータINV1が出力負荷を駆動できる駆動能力をもたないためVDDPD電源とVSS電源の中間電位を出力する。   At the time of boosting the VDDPD power supply in the internal circuit, as shown in FIG. 4C, the output signal appearing at the output terminal node A of the inverter INV1, for example, at the beginning of the period (a) is driven so that the inverter INV1 can drive the output load. Since it has no capability, it outputs an intermediate potential between the VDDPD power supply and the VSS power supply.

その後、VDDPD電源が、インバータINV1が回路動作可能な電圧値に昇圧すると期間(b)においてノードAはインバータINV1によりVDDPD電源の電圧値まで昇圧される(ノードAの電圧波形LN41)。このとき内部回路の電源からは経路CP1に示す経路で内部回路へ電流が流入する。   After that, when the VDDPD power supply boosts to a voltage value at which the inverter INV1 can operate, the node A is boosted to the voltage value of the VDDPD power supply by the inverter INV1 in the period (b) (voltage waveform LN41 of the node A). At this time, a current flows from the power source of the internal circuit to the internal circuit through a route indicated by a route CP1.

次に、ノードAがVDDPD電源の電圧に昇圧し始めて間もなく最初に動作したインバータINV1の次段の回路インバータINV2が動作し始める。このインバータINV2が動作し始めた初期の時間帯において、内部回路のVDDPD電源とVSS電源間をインバータINV2を介して貫通する貫通電流が経路CP2に示す経路で比較的多く流れる。   Next, shortly after the node A starts to boost the voltage of the VDDPD power supply, the circuit inverter INV2 next to the inverter INV1 that has been operated first starts to operate. In the initial time zone when the inverter INV2 starts to operate, a relatively large amount of through current passing through the inverter INV2 between the VDDPD power supply and the VSS power supply of the internal circuit flows through the path CP2.

次に、インバータINV2がVDDPD電源とVSS電源の中間電位にあるノードBをVSS電源の電圧値まで降圧する。このとき内部回路の電源へ経路CP3に示す経路で内部回路へ電流が流出する。その後、インバータINV2がノードBをVSS電源の電圧値まで降圧した後には、前述の経路CP2を流れる貫通電流はほとんど流れなくなる(ノードBの電圧波形LN42)。   Next, the inverter INV2 steps down the node B at the intermediate potential between the VDDPD power supply and the VSS power supply to the voltage value of the VSS power supply. At this time, current flows to the internal circuit through the path indicated by path CP3 to the power supply of the internal circuit. Thereafter, after the inverter INV2 steps down the node B to the voltage value of the VSS power supply, the through current flowing through the path CP2 hardly flows (the voltage waveform LN42 at the node B).

このように内部回路のVDDPD電源が昇圧時に経路CP1、CP2、及びCP3を流れる電流が発生する。これらの電流が電源ノイズを発生させる原因になっている。したがって、解析モデルの内部回路の部分に対して、設計する論理回路の回路規模に相当する基本単位回路群を挿入することによって、半導体集積回路の内部回路の電源に流れ込む電流を高い精度で解析し電源ノイズを検証することができる。   As described above, current flowing through the paths CP1, CP2, and CP3 is generated when the VDDPD power supply of the internal circuit is boosted. These currents cause power supply noise. Therefore, by inserting a basic unit circuit group corresponding to the circuit scale of the logic circuit to be designed into the internal circuit part of the analysis model, the current flowing into the power supply of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit can be analyzed with high accuracy. Power supply noise can be verified.

電源制御回路を用いて内部回路の電源接続・切断を行った際に、電源に発生する電源ノイズを解析する本実施形態における解析モデルについて説明する。   An analysis model in this embodiment for analyzing power supply noise generated in a power supply when the power supply control circuit is used to connect / disconnect the power supply of the internal circuit will be described.

図5は、本実施形態における電源ノイズを解析するための解析モデルの一例を示す図である。図5に示した例では、半導体集積回路の外部に接続する電源からパワースイッチを介して内部回路に接続する電源構造を再現した解析モデルにおいて、解析モデルの内部回路部に設計する論理回路の回路規模に相当するインバータ回路群をモデル化している。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an analysis model for analyzing power supply noise in the present embodiment. In the example shown in FIG. 5, in the analysis model reproducing the power supply structure connected to the internal circuit via the power switch from the power supply connected to the outside of the semiconductor integrated circuit, the circuit of the logic circuit designed in the internal circuit portion of the analysis model The inverter circuit group corresponding to the scale is modeled.

図5に示す例では、図1(A)に示す半導体集積回路において内部回路を図5(B)に示すようなインバータ回路群を用いた基本単位回路でモデル化したパワードメインPD5を含む内部回路として論理設計された半導体集積回路が示される。半導体集積回路の他構成部は図2(A)と同様であるので、その説明を省略する。   In the example shown in FIG. 5, the internal circuit including the power domain PD5 in which the internal circuit in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1A is modeled by a basic unit circuit using an inverter circuit group as shown in FIG. 5B. A semiconductor integrated circuit logically designed is shown. The other components of the semiconductor integrated circuit are the same as those in FIG.

図5(B)に例示した解析モデルの基本単位回路としてのインバータ回路群は、10個のインバータ51〜60を縦属接続したものであり、5ゲート分に相当する。インバータ回路群の入力信号として、初段のインバータ51にはVSS電源と同電位の入力信号が入力される。   An inverter circuit group as a basic unit circuit of the analysis model illustrated in FIG. 5B is a series of ten inverters 51 to 60, and corresponds to five gates. As an input signal of the inverter circuit group, an input signal having the same potential as the VSS power supply is input to the first-stage inverter 51.

解析する内部回路の回路規模が大きく、解析モデルの回路規模が大きくなって解析時間が長くなる場合には、一定規模のインバータ回路群を作成する。そして、作成したインバータ回路群を基本単位回路として複数作成することで、設計する論理回路の回路規模に相当する解析モデルを作成することができる。例えば、実際のシミュレーションでは、図5(B)に例示したような基本単位回路を回路規模に応じた数使用してシミュレーションを行う。これにより、解析モデルの動作を解析するシミュレータは、一つの基本単位回路のインバータ回路群を詳細に解析するだけで、解析モデル内の複数のインバータ回路群を同時に電源接続した時の電源に発生する電源ノイズを短時間で解析することが可能になる。例えば回路規模が1万ゲート分に相当する場合、例えば、5ゲート分の基本単位回路でシミュレーションした結果を2000倍すればよい。   When the circuit scale of the internal circuit to be analyzed is large and the analysis model becomes large and the analysis time becomes long, an inverter circuit group having a certain scale is created. Then, by creating a plurality of created inverter circuit groups as basic unit circuits, an analysis model corresponding to the circuit scale of the logic circuit to be designed can be created. For example, in the actual simulation, the simulation is performed by using the number of basic unit circuits illustrated in FIG. 5B according to the circuit scale. As a result, the simulator that analyzes the operation of the analysis model generates a power supply when multiple inverter circuit groups in the analysis model are connected to the power supply at the same time by simply analyzing the inverter circuit group of one basic unit circuit in detail. Power supply noise can be analyzed in a short time. For example, when the circuit scale is equivalent to 10,000 gates, for example, the simulation result of the basic unit circuit for five gates may be multiplied by 2000.

図6は、本実施形態における電源ノイズを解析するための解析モデルの他の例を示す図である。図6に示した例では、半導体集積回路の外部に接続する電源からパワースイッチを介して内部回路に接続する電源構造を再現した解析モデルにおいて、解析モデルの内部回路部に設計する論理回路の回路規模に相当するNAND(否定論理積演算)回路群をモデル化している。   FIG. 6 is a diagram illustrating another example of an analysis model for analyzing power supply noise in the present embodiment. In the example shown in FIG. 6, in the analysis model reproducing the power supply structure connected to the internal circuit through the power switch from the power supply connected to the outside of the semiconductor integrated circuit, the circuit of the logic circuit designed in the internal circuit portion of the analysis model A NAND (Negative AND operation) circuit group corresponding to the scale is modeled.

図6に示す例では、図1(A)に示す半導体集積回路において内部回路を図6(B)に示すようなNAND回路群を用いた基本単位回路でモデル化したパワードメインPD6を含む内部回路として論理設計された半導体集積回路が示される。半導体集積回路の他構成部は図2(A)と同様であるので、その説明を省略する。   In the example shown in FIG. 6, an internal circuit including a power domain PD6 in which the internal circuit is modeled by a basic unit circuit using a NAND circuit group as shown in FIG. 6B in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. A semiconductor integrated circuit logically designed is shown. The other components of the semiconductor integrated circuit are the same as those in FIG.

図6(B)に例示した解析モデルの基本単位回路としてのNAND回路群は、10個のNAND回路61〜70を縦属接続したものであり、10ゲート分に相当する。NAND回路61〜70の入力信号として、初段のNAND回路61には2入力ともVSS電源と同電位の入力信号が入力される。また、NAND回路62、64、66、68、70には、一方の入力に前段のNAND回路の出力が入力され、他方の入力にVDDPD電源と同電位の信号が入力される。また、NAND回路63、65、67、69には、一方の入力に前段のNAND回路の出力が入力され、他方の入力にVSS電源と同電位の信号が入力される。   The NAND circuit group as the basic unit circuit of the analysis model illustrated in FIG. 6B is a series of ten NAND circuits 61 to 70, and corresponds to 10 gates. As an input signal of the NAND circuits 61 to 70, an input signal having the same potential as the VSS power supply is input to the NAND circuit 61 of the first stage for both inputs. Further, the NAND circuits 62, 64, 66, 68, and 70 receive the output of the preceding NAND circuit at one input and a signal having the same potential as the VDDPD power supply at the other input. Further, the NAND circuit 63, 65, 67, 69 receives the output of the preceding NAND circuit at one input and the signal having the same potential as the VSS power supply at the other input.

前述した例と同様に、解析する内部回路の回路規模が大きく、解析モデルの回路規模が大きくなって解析時間が長くなる場合には、一定規模のNAND回路群を作成する。そして、作成したNAND回路群を基本単位回路として複数作成することで、設計する論理回路の回路規模に相当する解析モデルを作成することができる。例えば、実際のシミュレーションでは、図6(B)に例示したような基本単位回路を回路規模に応じた数使用してシミュレーションを行う。これにより、解析モデルの動作を解析するシミュレータは、一つの基本単位回路のインバータ回路群を詳細に解析するだけで、解析モデル内の複数のインバータ回路群を同時に電源接続した時の電源に発生する電源ノイズを短時間で解析することが可能になる。例えば回路規模が1万ゲート分に相当する場合、例えば、10ゲート分の基本単位回路でシミュレーションした結果を1000倍すればよい。   Similar to the above-described example, when the circuit scale of the internal circuit to be analyzed is large and the circuit scale of the analysis model is large and the analysis time is long, a NAND circuit group of a certain scale is created. Then, by creating a plurality of created NAND circuit groups as basic unit circuits, an analysis model corresponding to the circuit scale of the logic circuit to be designed can be created. For example, in the actual simulation, the simulation is performed using a number of basic unit circuits as illustrated in FIG. 6B according to the circuit scale. As a result, the simulator that analyzes the operation of the analysis model generates a power supply when multiple inverter circuit groups in the analysis model are connected to the power supply at the same time by simply analyzing the inverter circuit group of one basic unit circuit in detail. Power supply noise can be analyzed in a short time. For example, when the circuit scale corresponds to 10,000 gates, for example, the simulation result of the basic unit circuit for 10 gates may be multiplied by 1000.

なお、基本単位回路は、一例であって前述したインバータ回路群やNAND回路群に限られるものではなく、例えばバッファ回路を用いて構成したようなものであっても良い。また、基本単位回路は、平均的な論理(ロジック)回路の段数分あればよい。図7(A)に示すように、論理回路の平均の段数は入力データが出力されるフリップフロップ(FF)回路から次段のフリップフロップ回路の間の段数となる。フリップフロップ回路間の信号は、設計する半導体集積回路の動作周波数で決まるクロックサイクル時間内に伝搬する。したがって、半導体集積回路の動作周波数をf[Hz]、基本単位回路を構成するインバータ回路やNAND回路の1個あたりのゲート遅延をp[s]とすると、必要な段数NはN=1/(f・p)となる。また、あるプロセステクノロジで決まった段数から、別プロセステクノロジで使用する段数を求めることも可能である。ここで基本単位回路を構成するインバータ回路やNAND回路の1個あたりのゲート遅延の変換係数がκであるとすると、ゲート遅延はκ・p[s]となることから、求める段数はN=1/(f・κp)となる。また、フリップフロップ回路がない場合は、図7(B)に示すように内部回路の入力端子から出力端子までの論理回路の段数とすれば良い。   The basic unit circuit is an example, and is not limited to the above-described inverter circuit group or NAND circuit group. For example, the basic unit circuit may be configured using a buffer circuit. Further, the basic unit circuits may be as many as the number of average logic circuits. As shown in FIG. 7A, the average number of stages of the logic circuit is the number of stages between the flip-flop (FF) circuit from which input data is output and the flip-flop circuit of the next stage. A signal between flip-flop circuits propagates within a clock cycle time determined by the operating frequency of the semiconductor integrated circuit to be designed. Therefore, if the operating frequency of the semiconductor integrated circuit is f [Hz] and the gate delay per inverter circuit or NAND circuit constituting the basic unit circuit is p [s], the required number of stages N is N = 1 / ( f · p). It is also possible to obtain the number of stages used in another process technology from the number of stages determined in one process technology. Here, if the conversion coefficient of the gate delay per inverter circuit or NAND circuit constituting the basic unit circuit is κ, the gate delay is κ · p [s], so the number of stages to be calculated is N = 1. / (F · κp). If there is no flip-flop circuit, the number of stages of logic circuits from the input terminal to the output terminal of the internal circuit may be used as shown in FIG. 7B.

前述した解析モデルを用いることにより、内部回路のVDDPD電源を昇圧時に発生する電源ノイズ量の最大値のみでなく、電源ノイズ波形についても解析できる。その結果、内部回路の電源の昇圧時間も高い精度で解析できる。また論理回路の回路規模はレイアウト前後で大幅に変更されることがないため、レイアウト前の設計初期でも電源ノイズを精度良く解析できる。加えて、内部回路の電源を切断する際にも、内部回路の電源に流れ込む電流が減少する電流量について、電源を接続する場合の解析と同様に精度良く解析を行うことができる。   By using the analysis model described above, it is possible to analyze not only the maximum amount of power supply noise generated when boosting the VDDPD power supply of the internal circuit but also the power supply noise waveform. As a result, the boosting time of the power supply of the internal circuit can be analyzed with high accuracy. Further, since the circuit scale of the logic circuit is not significantly changed before and after the layout, the power supply noise can be analyzed with high accuracy even in the initial design stage before the layout. In addition, when the power source of the internal circuit is cut off, the amount of current that decreases the current flowing into the power source of the internal circuit can be analyzed with high accuracy as in the case of connecting the power source.

図8は、本実施形態によるノイズ解析装置での電源ノイズ量の評価フローを示す図である。図8において、図10に示すようなコンピュータ装置であるノイズ解析装置は、設計者がパワースイッチ(PSW)セルの駆動段数情報81、PSW駆動バッファセル種情報82、PSWセル種情報83、内部回路にある電源間容量値情報84、PKGにおける電源配線の抵抗値(R)とインダクタンス値(L)との情報85を入力する。さらに、予め見積もった内部回路の消費電流量情報86と回路規模情報87、内部回路の動作周波数情報88を入力する。これらの情報を基に、ノイズ解析装置は、設計する半導体集積回路の全体解析モデルを作成する(S1)。これは前述の基本単位回路を用いた解析シミュレータ用の全体解析ネットリストである。   FIG. 8 is a diagram showing an evaluation flow of the power supply noise amount in the noise analyzing apparatus according to the present embodiment. In FIG. 8, a noise analysis device which is a computer device as shown in FIG. 10 is that a designer has power switch (PSW) cell drive stage number information 81, PSW drive buffer cell type information 82, PSW cell type information 83, an internal circuit. The inter-power supply capacitance value information 84 and the information 85 of the resistance value (R) and inductance value (L) of the power supply wiring in the PKG are input. Further, the current consumption amount information 86 of the internal circuit, the circuit scale information 87, and the operating frequency information 88 of the internal circuit estimated in advance are inputted. Based on these pieces of information, the noise analyzer creates an overall analysis model of the semiconductor integrated circuit to be designed (S1). This is an overall analysis netlist for an analysis simulator using the basic unit circuit described above.

そして、ノイズ解析装置は、作成した全体解析モデルを用いてパワーゲーティングによる回路動作時の解析を行う(S2)。例えば、SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)などの回路シミュレータを用いて解析する。   Then, the noise analysis device performs analysis during circuit operation by power gating using the created overall analysis model (S2). For example, the analysis is performed using a circuit simulator such as SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis).

解析結果として、図9に示すような、各パワースイッチ群がオンした(導通状態となった)時の電源ノイズ量情報89とVDDPD電源電圧の立ち上がり時間情報90が出力される。図9に示すような、電源ノイズVnoise_max(PSWn)とVDDPD電源電圧の立ち上がり時間tPSWnが出力される。なお、図9(B)に示すように電源ノイズVnoise_max(PSWn)とVDDPD電源電圧の立ち上がり時間tPSWnが出力されたとき、Vnoise_max(PSWn)の最大値を電源ノイズの見積もり値として、tPSWnの総和を立ち上がり時間の見積もり値とすれば良い。 As an analysis result, as shown in FIG. 9, power noise amount information 89 and VDDPD power supply voltage rise time information 90 when each power switch group is turned on (becomes conductive) are output. As shown in FIG. 9, the power supply noise Vnoise_max (PSWn) and the rise time t PSWn of the VDDPD power supply voltage are output. As shown in FIG. 9B, when the power supply noise Vnoise_max (PSWn) and the rise time t PSWn of the VDDPD power supply voltage are output, the maximum value of Vnoise_max (PSWn) is used as the estimated value of the power supply noise, and t PSWn The sum total may be used as an estimate of the rise time.

ノイズ解析装置は、電源ノイズ量情報89と電源ノイズが所定値以下であるための基準値を示す電源ノイズクライテリア情報91とを用いて、電源ノイズのクライテリア判定を行う(S3)。その結果、電源ノイズ量情報89で示される電源ノイズのピーク値(Vnoise_max(PSWn))が電源ノイズクライテリア情報91で示される電源ノイズの基準値以上である場合には、PSW段数を増加させる(S5)。すなわちパワースイッチ群の数を増やすことで電源ノイズを抑制することができるため、PSWセルの駆動段数を増加させ、再度全体解析モデルを作成して解析をする。   The noise analyzing apparatus performs power source noise criteria determination using the power source noise amount information 89 and the power source noise criteria information 91 indicating a reference value for the power source noise being equal to or less than a predetermined value (S3). As a result, when the power noise peak value (Vnoise_max (PSWn)) indicated by the power noise amount information 89 is equal to or greater than the power noise reference value indicated by the power noise criteria information 91, the number of PSW stages is increased (S5). ). That is, since the power supply noise can be suppressed by increasing the number of power switch groups, the number of drive stages of the PSW cell is increased, and the entire analysis model is created and analyzed again.

一方、判定の結果、電源ノイズ量情報89で示される電源ノイズのピーク値(Vnoise_max(PSWn))が電源ノイズクライテリア情報91で示される電源ノイズの基準値以下である場合には、ノイズ解析装置は、VDDPD電源電圧の立ち上がり時間のクライテリア判定を行う(S6)。この判定は、VDDPD電源電圧の立ち上がり時間情報90とVDDPD電源電圧の立ち上がり時間が所定値以下であるための基準値を示すVDDPD電源電圧の立ち上がり時間クライテリア情報92とを用いて行う。   On the other hand, as a result of the determination, if the power noise peak value (Vnoise_max (PSWn)) indicated by the power noise amount information 89 is equal to or less than the power noise reference value indicated by the power noise criteria information 91, the noise analysis device Then, criteria determination of the rise time of the VDDPD power supply voltage is performed (S6). This determination is performed using the rise time information 90 of the VDDPD power supply voltage and the rise time criteria information 92 of the VDDPD power supply voltage indicating a reference value for the rise time of the VDDPD power supply voltage being equal to or less than a predetermined value.

その結果、VDDPD電源電圧の立ち上がり時間情報90で示されるVDDPD電源電圧の立ち上がり時間tPSWnがVDDPD電源電圧の立ち上がり時間クライテリア情報92で示される立ち上がり時間の基準値以上である場合には、パラメータの調整を行う(S8)。このパラメータの調整では、PSW段数を減少可能であればPSW段数を減少させる。すなわち、PSW段数を減少させることでVDDPD電源電圧の立ち上がり時間を短縮できるため、PSWセルの駆動段数を減少させ、再度全体解析モデルを作成して解析をする。また、他にクライテリアの緩和や回路規模の見直し等を行うようにしても良い。 As a result, if the rise time t PSWn of the VDDPD power supply voltage indicated by the rise time information 90 of the VDDPD power supply voltage is equal to or greater than the reference value of the rise time indicated by the rise time criteria information 92 of the VDDPD power supply voltage, parameter adjustment is performed. (S8). In this parameter adjustment, if the number of PSW stages can be reduced, the number of PSW stages is reduced. In other words, since the rise time of the VDDPD power supply voltage can be shortened by reducing the number of PSW stages, the number of drive stages of the PSW cell is reduced, and an overall analysis model is created and analyzed again. In addition, the criteria may be relaxed or the circuit scale may be reviewed.

一方、判定の結果、VDDPD電源電圧の立ち上がり時間情報90で示されるVDDPD電源電圧の立ち上がり時間tPSWnがVDDPD電源電圧の立ち上がり時間クライテリア情報92で示される立ち上がり時間の基準値以下であるある場合には、評価を終了する。 On the other hand, as a result of the determination, when the rise time t PSWn of the VDDPD power supply voltage indicated by the rise time information 90 of the VDDPD power supply voltage is equal to or less than the reference value of the rise time indicated by the rise time criteria information 92 of the VDDPD power supply voltage. End the evaluation.

このように本実施形態によるノイズ解析装置を使用すると複数のパワースイッチ群を用いて半導体集積回路内の内部回路の電源接続・切断を行う半導体集積回路に対して、発生する電源ノイズ及び電源電圧の立ち上がり時間を最適化させることができる。また、本実施形態によるノイズ解析装置は、内部回路の論理回路の回路規模の情報を基に基本単位回路の回路モデルを用いて解析するため、レイアウト後のレイアウトデータから内部回路を抽出することなく、レイアウト前の設計初期段階において発生する電源ノイズ及び電源立ち上がり時間を最適化させることができる。   As described above, when the noise analysis apparatus according to the present embodiment is used, the generated power noise and power supply voltage are reduced with respect to the semiconductor integrated circuit that uses the plurality of power switch groups to connect and disconnect the power of the internal circuit in the semiconductor integrated circuit. Rise time can be optimized. In addition, since the noise analysis apparatus according to the present embodiment analyzes using the circuit model of the basic unit circuit based on the circuit scale information of the logic circuit of the internal circuit, the internal circuit is not extracted from the layout data after layout. Thus, it is possible to optimize power supply noise and power supply rise time generated in the initial design stage before layout.

以上に述べたように、設計初期、特にIR−Drop電源ノイズに代表される内部回路動作時に発生する電源ノイズやSSO電源ノイズに代表される半導体集積回路の入出力回路(IO回路)動作時の電源ノイズなどを考慮する際に、電源接続時に発生する電源ノイズを考慮することができる。この結果、設計後期のレイアウトデータを用いた解析を行わずに、半導体集積回路の電源設計や論理回路に影響する修正手法を講じることを可能にする。   As described above, at the initial stage of design, particularly during operation of an input / output circuit (IO circuit) of a semiconductor integrated circuit typified by power supply noise represented by IR-Drop power supply noise or SSO power supply noise. When considering power supply noise and the like, power supply noise generated when the power supply is connected can be considered. As a result, it is possible to take a correction method that affects the power supply design and logic circuit of the semiconductor integrated circuit without performing analysis using layout data in the latter half of the design.

前述した実施形態によるノイズ解析装置は、例えばCPU又はMPU、RAM、ROM等を有するコンピュータが、ROM等の記憶部に記憶されたプログラムを実行することで実現でき、前記プログラムは本発明の実施形態に含まれる。また、コンピュータが前記機能を果たすように動作させるプログラムを、例えばCD−ROMのような記録媒体に記録し、コンピュータに読み込ませることによって実現できるものであり、前記プログラムを記録した記録媒体は本発明の実施形態に含まれる。前記プログラムを記録する記録媒体としては、CD−ROM以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。   The noise analysis apparatus according to the above-described embodiment can be realized by, for example, a computer having a CPU or MPU, RAM, ROM, and the like executing a program stored in a storage unit such as a ROM, and the program is an embodiment of the present invention. include. Further, a program that causes a computer to perform the above functions can be realized by recording the program on a recording medium such as a CD-ROM and causing the computer to read the program. It is included in the embodiment. As a recording medium for recording the program, besides a CD-ROM, a flexible disk, a hard disk, a magnetic tape, a magneto-optical disk, a nonvolatile memory card, or the like can be used.

また、コンピュータがプログラムを実行し処理を行うことにより、前記実施形態の機能が実現されるプログラムプロダクトは、本発明の実施形態に含まれる。前記プログラムプロダクトとしては、前記実施形態の機能を実現するプログラム自体、前記プログラムが読み込まれたコンピュータがある。また、前記プログラムプロダクトとして、ネットワークを介して通信可能に接続されたコンピュータに前記プログラムを提供可能な送信装置、当該送信装置を備えるネットワークシステム等がある。   In addition, a program product in which the functions of the above-described embodiments are realized by a computer executing a program and performing processing is included in the embodiments of the present invention. Examples of the program product include a program that realizes the functions of the embodiment and a computer in which the program is read. The program product includes a transmission device that can provide the program to a computer that is communicably connected via a network, a network system that includes the transmission device, and the like.

また、供給されたプログラムがコンピュータにおいて稼動しているOS(オペレーティングシステム)又は他のアプリケーションソフト等と共同して前記実施形態の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発明の実施形態に含まれる。また、供給されたプログラムの処理のすべて又は一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて前記実施形態の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発明の実施形態に含まれる。また、本発明をネットワーク環境で利用するべく、全部又は一部のプログラムが他のコンピュータで実行されるようになっていても良い。   In addition, when the supplied program realizes the functions of the above embodiment in cooperation with an OS (operating system) running on a computer or other application software, the program is included in the embodiment of the present invention. It is. In addition, when all or part of the processing of the supplied program is performed by a function expansion board or a function expansion unit of a computer to realize the functions of the embodiment, such a program is included in the embodiment of the present invention. . In order to use the present invention in a network environment, all or a part of the program may be executed by another computer.

例えば、前述した実施形態によるノイズ解析装置は、図10に示すようなコンピュータ機能1000により実現でき、そのCPU1001により前記実施形態での動作が実施される。
コンピュータ機能1000は、図10に示すように、CPU1001と、ROM1002と、RAM1003と、操作部(CONS)1009のコントローラ(CONSC)1005と、表示部としてのディスプレイ(DISP)1010のディスプレイコントローラ(DISPC)1006と、ハードディスク(HD)1011及びフレキシブルディスク等の記憶デバイス(STD)1012のコントローラ(DCONT)1007と、ネットワークインタフェースカード(NIC)1008とが、システムバス1004を介して互いに通信可能に接続された構成としている。
For example, the noise analysis apparatus according to the above-described embodiment can be realized by a computer function 1000 as shown in FIG. 10, and the CPU 1001 performs the operation in the above-described embodiment.
As shown in FIG. 10, the computer function 1000 includes a CPU 1001, a ROM 1002, a RAM 1003, a controller (CONSC) 1005 of an operation unit (CONS) 1009, and a display controller (DISPC) of a display (DISP) 1010 as a display unit. 1006, a controller (DCONT) 1007 of a storage device (STD) 1012 such as a hard disk (HD) 1011 and a flexible disk, and a network interface card (NIC) 1008 are connected to each other via a system bus 1004. It is configured.

CPU1001は、ROM1002又はHD1011に記憶されたソフトウェア(プログラム)、又はSTD1012より供給されるソフトウェア(プログラム)を実行することで、システムバス1004に接続された各構成部を総括的に制御する。すなわち、CPU1001は、前述したような機能を実現するための処理プログラムを、ROM1002、HD1011、又はSTD1012から読み出して実行することで、前記実施形態での機能を実現するための制御を行う。RAM1003は、CPU1001の主メモリ又はワークエリア等として機能する。   The CPU 1001 generally controls each component connected to the system bus 1004 by executing software (program) stored in the ROM 1002 or the HD 1011 or software (program) supplied from the STD 1012. That is, the CPU 1001 reads out from the ROM 1002, the HD 1011 or the STD 1012 and executes a processing program for realizing the functions as described above, thereby performing control for realizing the functions in the embodiment. The RAM 1003 functions as a main memory or work area for the CPU 1001.

CONSC1005は、CONS1009や図示していないポインティングデバイス等からの指示入力を制御する。DISPC1006は、DISP1010の表示を制御する。DCONT1007は、ブートプログラム、種々のアプリケーション、ユーザファイル、ネットワーク管理プログラム、及び前記実施形態による機能を実現するための処理プログラム等を記憶するHD1011及びSTD1012とのアクセスを制御する。NIC1008はネットワーク1013上の他の装置と双方向にデータをやりとりする。   The CONSC 1005 controls an instruction input from the CONS 1009 or a pointing device (not shown). The DISPC 1006 controls the display of the DISP 1010. The DCONT 1007 controls access to the HD 1011 and the STD 1012 that store a boot program, various applications, user files, a network management program, a processing program for realizing the functions according to the embodiment, and the like. The NIC 1008 exchanges data with other devices on the network 1013 in both directions.

なお、前記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
本発明の諸態様を付記として以下に示す。
The above-described embodiments are merely examples of implementation in carrying out the present invention, and the technical scope of the present invention should not be construed as being limited thereto. That is, the present invention can be implemented in various forms without departing from the technical idea or the main features thereof.
Various aspects of the present invention will be described below as supplementary notes.

(付記1)
電源ノイズ解析に係る基本単位回路の解析モデルを作成する解析モデル作成部と、
前記解析モデル作成部で作成した基本単位回路を前記半導体集積回路の内部回路の解析モデルとして組み込み、前記半導体集積回路のレイアウトの前段階で、内部回路への電源供給を制御する複数のスイッチ群を有する電源制御回路を用いた半導体集積回路にて内部回路の電源の接続及び切断を行った際に発生する電源ノイズを算出する電源ノイズ算出部とを有するノイズ解析装置。
(付記2)
前記算出された電源ノイズが基準値以下であるか否かを判定する基準値判定部を有することを特徴とする付記1記載のノイズ解析装置。
(付記3)
前記解析モデル作成部で作成する解析モデルは、前記電源制御回路により前記半導体集積回路の内部回路を電源に対して接続又は切断した際に、前記内部回路の電源に流れ込む電流を評価可能な基本単位回路であることを特徴とする付記1又は2記載のノイズ解析装置。
(付記4)
前記内部回路内のパワードメインに供給される電源の立ち上がり時間を算出する電源立ち上がり時間算出部をさらに有し、
前記基準値判定部は、前記算出された電源の立ち上がり時間が基準値以下であるか否かを判定することを特徴とする付記1〜3の何れか1項に記載のノイズ解析装置。
(付記5)
電源ノイズ解析に係る基本単位回路を前記半導体集積回路の内部回路の解析モデルとして組み込む組み込み工程と、
前記半導体集積回路のレイアウトの前段階で、内部回路への電源供給を制御する複数のスイッチ群を有する電源制御回路を用いた半導体集積回路にて内部回路の電源の接続及び切断を行った際に発生する電源ノイズを算出する電源ノイズ算出工程とを有するノイズ解析方法。
(付記6)
電源ノイズ解析に係る基本単位回路を前記半導体集積回路の内部回路の解析モデルとして組み込む組み込みステップと、
前記半導体集積回路のレイアウトの前段階で、内部回路への電源供給を制御する複数のスイッチ群を有する電源制御回路を用いた半導体集積回路にて内部回路の電源の接続及び切断を行った際に発生する電源ノイズを算出する電源ノイズ算出ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラム。
(Appendix 1)
An analysis model creation unit for creating an analysis model of a basic unit circuit related to power supply noise analysis;
The basic unit circuit created by the analysis model creation unit is incorporated as an analysis model of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit, and a plurality of switch groups for controlling power supply to the internal circuit are provided in the previous stage of the layout of the semiconductor integrated circuit. A noise analysis apparatus comprising: a power supply noise calculation unit that calculates power supply noise generated when a power supply of an internal circuit is connected and disconnected in a semiconductor integrated circuit using the power supply control circuit.
(Appendix 2)
The noise analysis apparatus according to claim 1, further comprising a reference value determination unit that determines whether or not the calculated power supply noise is equal to or less than a reference value.
(Appendix 3)
The analysis model created by the analysis model creation unit is a basic unit capable of evaluating a current flowing into the power supply of the internal circuit when the internal circuit of the semiconductor integrated circuit is connected to or disconnected from the power supply by the power supply control circuit. The noise analysis apparatus according to appendix 1 or 2, wherein the noise analysis apparatus is a circuit.
(Appendix 4)
A power rise time calculation unit for calculating a rise time of the power supplied to the power domain in the internal circuit;
The noise analysis apparatus according to any one of appendices 1 to 3, wherein the reference value determination unit determines whether or not the calculated power-on rise time is equal to or less than a reference value.
(Appendix 5)
Incorporating a basic unit circuit related to power supply noise analysis as an analysis model of an internal circuit of the semiconductor integrated circuit,
When the power supply of the internal circuit is connected and disconnected in the semiconductor integrated circuit using the power supply control circuit having a plurality of switch groups for controlling the power supply to the internal circuit in the previous stage of the layout of the semiconductor integrated circuit. A noise analysis method comprising: a power supply noise calculation step of calculating generated power supply noise.
(Appendix 6)
A step of incorporating a basic unit circuit related to power supply noise analysis as an analysis model of an internal circuit of the semiconductor integrated circuit;
When the power supply of the internal circuit is connected and disconnected in the semiconductor integrated circuit using the power supply control circuit having a plurality of switch groups for controlling the power supply to the internal circuit in the previous stage of the layout of the semiconductor integrated circuit. A program for causing a computer to execute a power noise calculation step for calculating power noise generated.

PW1 電源部
PSWC1 パワースイッチ制御回路
BF パワースイッチ駆動バッファ
PSWG パワースイッチ群
PD パワードメイン
PW1 Power supply section PSWC1 Power switch control circuit BF Power switch drive buffer PSWG Power switch group PD Power domain

Claims (5)

電源ノイズ解析に係る基本単位回路の解析モデルを作成する解析モデル作成部と、
前記解析モデル作成部で作成した基本単位回路を前記半導体集積回路の内部回路の解析モデルとして組み込み、前記半導体集積回路のレイアウトの前段階で、内部回路への電源供給を制御する複数のスイッチ群を有する電源制御回路を用いた半導体集積回路にて内部回路の電源の接続及び切断を行った際に発生する電源ノイズを算出する電源ノイズ算出部とを有するノイズ解析装置。
An analysis model creation unit for creating an analysis model of a basic unit circuit related to power supply noise analysis;
The basic unit circuit created by the analysis model creation unit is incorporated as an analysis model of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit, and a plurality of switch groups for controlling power supply to the internal circuit are provided in the previous stage of the layout of the semiconductor integrated circuit. A noise analysis apparatus comprising: a power supply noise calculation unit that calculates power supply noise generated when a power supply of an internal circuit is connected and disconnected in a semiconductor integrated circuit using the power supply control circuit.
前記算出された電源ノイズが基準値以下であるか否かを判定する基準値判定部を有することを特徴とする請求項1記載のノイズ解析装置。   The noise analysis apparatus according to claim 1, further comprising a reference value determination unit that determines whether or not the calculated power supply noise is equal to or less than a reference value. 前記解析モデル作成部で作成する解析モデルは、前記電源制御回路により前記半導体集積回路の内部回路を電源に対して接続又は切断した際に、前記内部回路の電源に流れ込む電流を評価可能な基本単位回路であることを特徴とする請求項1又は2記載のノイズ解析装置。   The analysis model created by the analysis model creation unit is a basic unit capable of evaluating a current flowing into the power supply of the internal circuit when the internal circuit of the semiconductor integrated circuit is connected to or disconnected from the power supply by the power supply control circuit. 3. The noise analyzing apparatus according to claim 1, wherein the noise analyzing apparatus is a circuit. 前記内部回路内のパワードメインに供給される電源の立ち上がり時間を算出する電源立ち上がり時間算出部をさらに有し、
前記基準値判定部は、前記算出された電源の立ち上がり時間が基準値以下であるか否かを判定することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のノイズ解析装置。
A power rise time calculation unit for calculating a rise time of the power supplied to the power domain in the internal circuit;
The noise analysis apparatus according to claim 1, wherein the reference value determination unit determines whether or not the calculated rise time of the power supply is equal to or less than a reference value.
電源ノイズ解析に係る基本単位回路を前記半導体集積回路の内部回路の解析モデルとして組み込む組み込み工程と、
前記半導体集積回路のレイアウトの前段階で、内部回路への電源供給を制御する複数のスイッチ群を有する電源制御回路を用いた半導体集積回路にて内部回路の電源の接続及び切断を行った際に発生する電源ノイズを算出する電源ノイズ算出工程とを有するノイズ解析方法。
Incorporating a basic unit circuit related to power supply noise analysis as an analysis model of an internal circuit of the semiconductor integrated circuit,
When the power supply of the internal circuit is connected and disconnected in the semiconductor integrated circuit using the power supply control circuit having a plurality of switch groups for controlling the power supply to the internal circuit in the previous stage of the layout of the semiconductor integrated circuit. A noise analysis method comprising: a power supply noise calculation step of calculating generated power supply noise.
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