JP2011222819A - Solar cell - Google Patents

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Kentaro Uchida
健太郎 内田
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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell with good quality which has an organic thin film voltaic layer.SOLUTION: An organic thin film voltaic layer 4, an upper electrode 5 consisting of thin film, and an auxiliary electrodes 6 are successively provided on a metal foil 1. The circumference of the metal foil 1 is framed by a sealing material 7, the inner side region of which has a sealing material 8. The arithmetic surface roughness Ra of the surface of the metal foil 1 is less than half the thickness of the organic thin film voltaic layer.

Description

本発明は、金属基材上に形成された有機薄膜よりなる光電変換層(光起電力層)を有する太陽電池に関する。   The present invention relates to a solar cell having a photoelectric conversion layer (photovoltaic layer) made of an organic thin film formed on a metal substrate.

単位セルを金属基材上に形成し、各単位セルを直列に接続した太陽電池が下記特許文献1,2に記載されている。特許文献1では、厚さ50μmのステンレスシート上にSiO絶縁層を形成し、その上にMo層(裏面電極層)、CuSe層(p層)、CdS層、ZnO層、ITO層(透明導電層)を順次に形成し、隣接する単位セルのMo層とITO層とを導通させて単位セル同士を直列に接続している(0057〜0058段落)。 Patent Documents 1 and 2 below describe solar cells in which unit cells are formed on a metal substrate and the unit cells are connected in series. In Patent Document 1, a SiO 2 insulating layer is formed on a 50 μm-thick stainless steel sheet, and a Mo layer (back electrode layer), CuSe layer (p layer), CdS layer, ZnO layer, ITO layer (transparent conductive layer) is formed thereon. Layer) are sequentially formed, and the Mo layer and the ITO layer of the adjacent unit cells are made conductive to connect the unit cells in series (paragraphs 0057 to 0058).

特許文献2では、厚み0.1mmのステンレス板上に、Moよりなる下部導電層と、金属半導体膜層と、ITOなどの上部透明導電層とを積層し、隣接する一方の単位セルの下部導電層と他方の単位セルの上部透明導電層とを導通させて単位セルを直列に接続している。なお、特許文献1,2では光起電力層はシリコン層となっているが、近年、光起電力層を有機薄膜にて構成した有機薄膜太陽電池の開発が進められている(例えば特許文献3,4)。特許文献3,4では有機薄膜はガラス基板上に成膜されている。   In Patent Document 2, a lower conductive layer made of Mo, a metal semiconductor film layer, and an upper transparent conductive layer such as ITO are stacked on a stainless steel plate having a thickness of 0.1 mm, and the lower conductive layer of one adjacent unit cell is laminated. The unit cells are connected in series by conducting the layer and the upper transparent conductive layer of the other unit cell. In Patent Documents 1 and 2, the photovoltaic layer is a silicon layer, but in recent years, development of an organic thin-film solar cell in which the photovoltaic layer is formed of an organic thin film has been promoted (for example, Patent Document 3). 4). In Patent Documents 3 and 4, the organic thin film is formed on a glass substrate.

特開2004−146435JP 2004-146435 A 特開2006−185979JP 2006-185979 A 特開2008−201819JP2008-201819 特開2009−99805JP2009-99805

上記特許文献1,2の太陽電池は、光起電力層が金属半導体よりなる。一般に、金属基材の表面はガラス基板に比べて表面が荒れており、表面粗さが大きい。金属半導体は、一般に有機薄膜よりも厚さが大きいので、基材表面が荒れていても光起電力層の特性には影響が殆どない。これに対し、有機薄膜光起電力層は、金属半導体に比べて厚さが小さいので、基材表面粗さが大きいとピンホール等の欠陥が生じ、特性が低下するおそれがある。   In the solar cells of Patent Documents 1 and 2, the photovoltaic layer is made of a metal semiconductor. Generally, the surface of a metal substrate is rougher than a glass substrate, and the surface roughness is large. Since the metal semiconductor is generally thicker than the organic thin film, even if the substrate surface is rough, the characteristics of the photovoltaic layer are hardly affected. On the other hand, since the organic thin film photovoltaic layer has a smaller thickness than a metal semiconductor, if the surface roughness of the base material is large, defects such as pinholes may occur and the characteristics may be deteriorated.

本発明は、金属基材上に有機薄膜光起電力層が形成された、高特性の太陽電池を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a high-performance solar cell in which an organic thin-film photovoltaic layer is formed on a metal substrate.

請求項1の太陽電池は、金属基材上に少なくとも起電力層及び上部電極が成膜された太陽電池において、該起電力層が有機薄膜起電力層であり、該金属基材の表面が平滑化処理されていることを特徴とするものである。   The solar cell according to claim 1 is a solar cell in which at least an electromotive force layer and an upper electrode are formed on a metal substrate, the electromotive force layer is an organic thin film electromotive force layer, and the surface of the metal substrate is smooth. It is characterized by having been processed.

請求項2の太陽電池は、請求項1において、該金属基材表面の算術平均表面粗さRaの値が有機薄膜起電力層の厚さの1/2以下であることを特徴とするものである。   The solar cell of claim 2 is characterized in that, in claim 1, the value of the arithmetic average surface roughness Ra of the surface of the metal substrate is ½ or less of the thickness of the organic thin film electromotive force layer. is there.

請求項3の太陽電池は、請求項1又は2において、金属基材の表面が物理的研磨処理及び/又は化学的研磨処理によって平滑化されていることを特徴とするものである。   The solar cell of claim 3 is characterized in that, in claim 1 or 2, the surface of the metal substrate is smoothed by physical polishing treatment and / or chemical polishing treatment.

請求項4の太陽電池は、請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属基材と有機薄膜起電力層との間に下部電極が設けられていることを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a solar cell according to any one of the first to third aspects, wherein a lower electrode is provided between the metal substrate and the organic thin film electromotive force layer.

請求項5の太陽電池は、請求項4において、金属基材と下部電極との間に絶縁層が設けられていることを特徴とするものである。   The solar cell of claim 5 is characterized in that, in claim 4, an insulating layer is provided between the metal substrate and the lower electrode.

本発明の太陽電池は、金属基材の平滑処理された表面上に必要に応じ下部電極層を介して有機薄膜起電力層を形成したものである。   In the solar cell of the present invention, an organic thin film electromotive force layer is formed on a smooth surface of a metal substrate through a lower electrode layer as necessary.

本発明では、金属基材の表面が平滑であるので、有機薄膜起電力層を均一に且つピンホール等の欠陥を生じさせることなく成膜することができる。これにより、有機薄膜起電力層の特性が向上すると共に、ピンホール等を介して金属基材又は下部電極と上部電極とが短絡することが防止される。   In the present invention, since the surface of the metal substrate is smooth, the organic thin film electromotive force layer can be formed uniformly without causing defects such as pinholes. Thereby, the characteristics of the organic thin film electromotive force layer are improved, and a short circuit between the metal substrate or the lower electrode and the upper electrode is prevented through a pinhole or the like.

本発明では、耐熱性の高い金属基材上に有機薄膜起電力層及び電極が形成されるので、電極材料や有機半導体材料の形成に充分な熱エネルギーを与えることが可能となり、有機薄膜光起電力層の特性や寿命が向上する。   In the present invention, since the organic thin film photovoltaic layer and the electrode are formed on a metal substrate having high heat resistance, it is possible to give sufficient thermal energy for the formation of the electrode material and the organic semiconductor material. The characteristics and life of the power layer are improved.

なお、ベース基材として採用した金属基材は、酸素および水分透過性が低いので、電極材料や有機半導体材料の酸素および水分耐性の要求が緩和され、有機薄膜光起電力層の特性や寿命が向上する。また、バリア材やゲッター材の付与が削減できるので、太陽電池モジュールの厚みおよび剛性が低減され、軽量でフレキシブルな太陽電池モジュールが実現可能となる。   In addition, since the metal base material adopted as the base base material has low oxygen and moisture permeability, the demand for oxygen and moisture resistance of the electrode material and organic semiconductor material is relaxed, and the characteristics and life of the organic thin film photovoltaic layer are reduced. improves. Moreover, since application | coating of a barrier material and a getter material can be reduced, the thickness and rigidity of a solar cell module are reduced, and a lightweight and flexible solar cell module is realizable.

金属基材は導電性があるので、太陽電池モジュールの帯電が防止され、静電気破壊などの故障が回避され、太陽電池モジュールの信頼性が向上する。   Since the metal substrate is conductive, charging of the solar cell module is prevented, failure such as electrostatic breakdown is avoided, and the reliability of the solar cell module is improved.

また、金属基材は耐貫通性が高いので、外力の作用に対して弱い有機薄膜光起電力層を運搬や施工時の傷つきから保護することができ、太陽電池モジュールの信頼性が向上する。   Moreover, since the metal substrate has high penetration resistance, the organic thin-film photovoltaic layer that is weak against the action of external force can be protected from damage during transportation and construction, and the reliability of the solar cell module is improved.

本発明では、有機薄膜光起電力層の直列接続をモノリシック構造で実現することもできるため、素子接続部の部材や加工(切断や接着)が不要となり、軽量でフレキシブルな太陽電池モジュールが実現可能となる。   In the present invention, since the organic thin film photovoltaic layer can be connected in series with a monolithic structure, no element connection parts or processing (cutting or bonding) is required, and a lightweight and flexible solar cell module can be realized. It becomes.

実施の形態に係る太陽電池の断面図である。It is sectional drawing of the solar cell which concerns on embodiment. 別の実施の形態に係る太陽電池の断面図である。It is sectional drawing of the solar cell which concerns on another embodiment. さらに別の実施の形態に係る太陽電池の断面図である。It is sectional drawing of the solar cell which concerns on another embodiment.

第1図を参照して第1の実施の形態について説明する。   A first embodiment will be described with reference to FIG.

基材金属としての金属箔1は、その表面(図の上面)が平滑化処理されている。この金属箔1の上に有機薄膜起電力層4が設けられ、その上に薄膜よりなる上部電極5が設けられている。上部電極5の上に補助電極6が設けられている。有機薄膜起電力層4の厚さは50〜500nm特に100〜300nm程度が好適である。   As for the metal foil 1 as a base metal, the surface (upper surface of the figure) is smoothed. An organic thin film electromotive force layer 4 is provided on the metal foil 1, and an upper electrode 5 made of a thin film is provided thereon. An auxiliary electrode 6 is provided on the upper electrode 5. The thickness of the organic thin film electromotive force layer 4 is preferably about 50 to 500 nm, particularly about 100 to 300 nm.

金属箔1の周縁に封止材7が囲枠状に配置されている。封止材7の内側領域に封止材料8が存在している。封止材7は、光硬化性樹脂よりなり、その上側に合成樹脂フィルム9が被着している。   A sealing material 7 is arranged in a frame shape on the periphery of the metal foil 1. The sealing material 8 exists in the inner region of the sealing material 7. The sealing material 7 consists of photocurable resin, and the synthetic resin film 9 has adhered to the upper side.

太陽電池の発電電力は、金属箔1と補助電極6とから取り出される。   The generated power of the solar cell is taken out from the metal foil 1 and the auxiliary electrode 6.

なお、この実施の形態では、金属箔1の図の上面側の面の算術平均表面粗さ(Ra)が有機薄膜起電力層4の厚さの1/2以下であり、好ましくは50nm以下特に30nm以下とされている。このように金属箔1の表面粗さが小さいため、その上に形成される有機薄膜起電力層4が均一に成膜され、特性に優れたものとなる。また、有機薄膜起電力層4にピンホール等の欠陥が生じることが防止され、ピンホール等を介して金属箔1と上部電極5とが短絡することが防止される。   In this embodiment, the arithmetic mean surface roughness (Ra) of the surface on the upper surface side of the metal foil 1 in the drawing is ½ or less of the thickness of the organic thin film electromotive force layer 4, preferably 50 nm or less. 30 nm or less. Thus, since the surface roughness of the metal foil 1 is small, the organic thin-film electromotive force layer 4 formed on the metal foil 1 is uniformly formed and has excellent characteristics. Moreover, it is prevented that defects, such as a pinhole, arise in the organic thin film electromotive force layer 4, and it is prevented that the metal foil 1 and the upper electrode 5 are short-circuited via a pinhole.

また、基材を金属箔としているので、上記効果の欄に記載したように、特性や寿命の向上、軽量でフレキシブルなものとできること、信頼性向上などの作用効果が奏される。   In addition, since the base material is a metal foil, as described in the above-mentioned column of effects, effects such as improvement in characteristics and life, lightness and flexibility, and improvement in reliability are exhibited.

[別の実施の形態]
上記実施の形態では金属箔1上に直接に有機薄膜起電力層4を成膜しているが、金属箔1上に後述の上部電極と同様の材料を用いて導電層(下部電極)を設け、その上に有機薄膜起電力層4を成膜してもよい。
[Another embodiment]
In the above embodiment, the organic thin-film electromotive force layer 4 is formed directly on the metal foil 1, but a conductive layer (lower electrode) is provided on the metal foil 1 using the same material as the upper electrode described later. The organic thin film electromotive force layer 4 may be formed thereon.

この場合も、金属箔1の表面粗さを上記と同様に小さいものとすることにより、下部電極の表面粗さが小さいものとなり、第1の実施の形態と同様の作用効果が奏される。   Also in this case, by making the surface roughness of the metal foil 1 small as described above, the surface roughness of the lower electrode becomes small, and the same effect as the first embodiment is exhibited.

本発明では、第2図のように、金属箔1の上に絶縁層2を設け、この絶縁層2の上に下部電極3を設け、この下部電極3の上に有機薄膜起電力層4を設けてもよい。   In the present invention, as shown in FIG. 2, the insulating layer 2 is provided on the metal foil 1, the lower electrode 3 is provided on the insulating layer 2, and the organic thin film electromotive force layer 4 is provided on the lower electrode 3. It may be provided.

この場合も、金属箔1の表面粗さを上記と同様に小さいものとすることにより、下部電極の表面粗さが小さいものとなり、第1の実施の形態と同様の作用効果が奏される。   Also in this case, by making the surface roughness of the metal foil 1 small as described above, the surface roughness of the lower electrode becomes small, and the same effect as the first embodiment is exhibited.

本発明では、金属箔1上に絶縁層を形成した場合には、金属箔1上に複数の単位セルを形成し、各々を直列に接続してもよい。その一例を第3図に示す。   In the present invention, when an insulating layer is formed on the metal foil 1, a plurality of unit cells may be formed on the metal foil 1 and connected in series. An example is shown in FIG.

金属箔1上の全面に絶縁層2が設けられ、この絶縁層2の上に薄膜よりなる複数の下部電極3が相互間に間隔をあけて設けられている。   An insulating layer 2 is provided on the entire surface of the metal foil 1, and a plurality of lower electrodes 3 made of a thin film are provided on the insulating layer 2 at intervals.

下部電極3の上に有機薄膜起電力層4が設けられ、その上に薄膜よりなる上部電極5が設けられている。この上部電極5は、隣接する下部電極3の一端に接続されている。上部電極5の上に補助電極6が設けられている。   An organic thin film electromotive force layer 4 is provided on the lower electrode 3, and an upper electrode 5 made of a thin film is provided thereon. The upper electrode 5 is connected to one end of the adjacent lower electrode 3. An auxiliary electrode 6 is provided on the upper electrode 5.

第1,2図の場合と同様に、金属箔1の周縁に封止材7が囲枠状に配置されている。封止材7の内側領域に封止材料8が存在し、その上側に合成樹脂フィルム9が被着している。   As in the case of FIGS. 1 and 2, the sealing material 7 is arranged in a frame shape on the periphery of the metal foil 1. The sealing material 8 exists in the inner area | region of the sealing material 7, and the synthetic resin film 9 has adhered to the upper side.

図示の通り、単位セルは、下部電極3、有機薄膜起電力層4、上部電極5及び補助電極6により構成される。図の左側の単位セルの上部電極5が右側の単位セルの下部電極3に接続されており、双方の単位セルが直列に接続されている。   As shown in the figure, the unit cell includes a lower electrode 3, an organic thin film electromotive force layer 4, an upper electrode 5, and an auxiliary electrode 6. The upper electrode 5 of the left unit cell in the figure is connected to the lower electrode 3 of the right unit cell, and both unit cells are connected in series.

太陽電池の発電電力は、左側の単位セルの下部電極3と、右側の単位セルの上部電極5に導通する下部補助電極3Aとから取り出される。   The generated electric power of the solar cell is taken out from the lower electrode 3 of the left unit cell and the lower auxiliary electrode 3A that conducts to the upper electrode 5 of the right unit cell.

この実施の形態でも、金属箔1の図の上面側の面の算術平均表面粗さ(Ra)が有機薄膜起電力層4の厚さの1/2以下とされており、各単位セルの特性が良好である。   Also in this embodiment, the arithmetic average surface roughness (Ra) of the surface on the upper surface side of the metal foil 1 is set to ½ or less of the thickness of the organic thin film electromotive force layer 4, and the characteristics of each unit cell Is good.

次に、この太陽電池の主な構成部分の好適な構成材料、厚さ等について説明する。   Next, suitable constituent materials, thicknesses, and the like of the main components of the solar cell will be described.

[金属箔の態様]
金属箔の材質は鉄、銅、アルミ、亜鉛、錫、クローム、ニッケルやそれらの合金が好適であり、特にアルミ合金やステンレス鋼が好適である。厚さは10μm〜300μmが好適である。表面粗さは通常は算術平均表面粗さ(Ra)が有機薄膜起電力層の厚さの1/2以下、例えば50nm以下、特に30nm以下程度が好適である。線熱膨張係数は通常5〜40ppm/℃程度が好適である。
[Aspect of metal foil]
The material of the metal foil is preferably iron, copper, aluminum, zinc, tin, chrome, nickel or an alloy thereof, and particularly preferably an aluminum alloy or stainless steel. The thickness is preferably 10 μm to 300 μm. As the surface roughness, it is usually preferable that the arithmetic average surface roughness (Ra) is ½ or less of the thickness of the organic thin film electromotive force layer, for example, 50 nm or less, particularly about 30 nm or less. The linear thermal expansion coefficient is usually preferably about 5 to 40 ppm / ° C.

金属箔の表面を平滑化するための処理としては、物理的研磨処理及び化学的研磨処理などのいずれでもよく、複数を併用してもよい。処理方法としては、バフ、ベルト、バレルなどの物理的研磨処理、化学的研磨処理、電解研磨処理、プラズマ研磨処理などが例示されるが、これらに限定されない。   The treatment for smoothing the surface of the metal foil may be a physical polishing treatment or a chemical polishing treatment, or a plurality of them may be used in combination. Examples of the processing method include, but are not limited to, physical polishing processing such as buffing, belts, and barrels, chemical polishing processing, electrolytic polishing processing, and plasma polishing processing.

[絶縁層]
絶縁層は、金属酸化物被膜(例えば金属箔の表面を酸化することによって形成した酸化被膜)であってもよく、合成樹脂被膜であってもよく、その他の材料よりなる被膜であってもよい。その他の材料としては、有機無機ハイブリッド材料が例示される。
[Insulation layer]
The insulating layer may be a metal oxide film (for example, an oxide film formed by oxidizing the surface of a metal foil), a synthetic resin film, or a film made of other materials. . Examples of other materials include organic-inorganic hybrid materials.

以下、これらの被膜についてさらに詳細に説明する。   Hereinafter, these coating films will be described in more detail.

i) 金属酸化物被膜
金属箔自体を陽極酸化した被膜としては、特に絶縁性に優れるアルマイト膜が好適である。また金属箔上に他種金属の酸化物(Si0、Ti0、ZrO、Ta)を析出させたものも好適である。厚みは0.1μm〜1μmが好適であり、特に0.2μm〜0.5μmが好適である。線熱膨張係数は通常5〜20ppm/℃程度が好適である。
i) Metal Oxide Film An alumite film excellent in insulation is particularly suitable as a film obtained by anodizing the metal foil itself. The oxides of other species metal on metal foil (Si0 2, Ti0 2, ZrO 2, Ta 2 O 3) which was precipitated also suitable. The thickness is preferably 0.1 μm to 1 μm, particularly preferably 0.2 μm to 0.5 μm. The linear thermal expansion coefficient is usually preferably about 5 to 20 ppm / ° C.

ii) 合成樹脂皮膜
合成樹脂の種類としてはPC、PS、PE、PP、PET、PEN、PAI、PPS、PFA、ETFEなどの熱可塑性樹脂やPI、PF、UF、MF、UP、EP、PDAPなどの熱硬化性樹脂が好適であり、またアクリレートや不飽和ポリエステルなどのラジカル重合系やエポキシ、オキセタンやビニルエーテルなどのカチオン重合系の光硬化性樹脂が好適である。この中で特に金属箔上への被覆形成が連続的に容易に可能であることから
光硬化性樹脂もしくは熱可塑性樹脂が好適である。
ii) Synthetic resin film The types of synthetic resin are PC, PS, PE, PP, PET, PEN, PAI, PPS, PFA, ETFE and other thermoplastic resins, PI, PF, UF, MF, UP, EP, PDAP, etc. The thermosetting resin is preferably a radical polymerization system such as acrylate or unsaturated polyester, or a cationic polymerization system photocurable resin such as epoxy, oxetane or vinyl ether. Among these, a photo-curing resin or a thermoplastic resin is preferable because it is possible to form a coating on a metal foil continuously and easily.

合成樹脂皮膜の厚みは0.01μm〜5μmが好適であり、特に0.1μm〜3μmが好適である。線熱膨張係数は通常20〜200ppm/℃程度が好適である。   The thickness of the synthetic resin film is preferably 0.01 μm to 5 μm, and particularly preferably 0.1 μm to 3 μm. The linear thermal expansion coefficient is usually preferably about 20 to 200 ppm / ° C.

iii) 有機無機ハイブリッド材料
シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの無機粒子をポリマーにナノ分散させたナノコンポジット材料が好適であり、特にシリカゲルのナノコンポジットが好適である。またポリシロキサンやポリフォスファゼン等の有機無機ハイブリッド材料も好適であり、特に耐熱性に優れるシロキサンに有機官能基を導入したハイブリッドポリマーが好適である。これらはゾルゲル法により良好に製膜できる。
iii) Organic-inorganic hybrid material A nanocomposite material in which inorganic particles such as silica, alumina, titania and zirconia are nano-dispersed in a polymer is preferable, and a nanocomposite of silica gel is particularly preferable. An organic-inorganic hybrid material such as polysiloxane or polyphosphazene is also suitable, and a hybrid polymer in which an organic functional group is introduced into siloxane having excellent heat resistance is particularly suitable. These can be satisfactorily formed by a sol-gel method.

有機無機ハイブリッド皮膜の厚みは0.1μm〜5μmが好適であり、特に0.5μm〜3μmが好適である。線熱膨張係数は通常10〜100ppm/℃程度が好適である。   The thickness of the organic-inorganic hybrid film is preferably 0.1 μm to 5 μm, and particularly preferably 0.5 μm to 3 μm. The linear thermal expansion coefficient is usually preferably about 10 to 100 ppm / ° C.

本発明では、絶縁層の厚みは、金属箔の厚みの1/2以下例えば10〜20%とし、かつ有機薄膜起電力層の厚みの5倍以上例えば10〜100倍が好適である。このように絶縁層の厚さを設定した場合、太陽電池モジュールを外力により湾曲させた際の、金属箔と絶縁層と有機薄膜起電力層との間、および絶縁層と有機薄膜起電力層との間の、歪による剥離が生じにくくなるため、太陽電池モジュールの信頼性が向上する。   In the present invention, the thickness of the insulating layer is preferably ½ or less of the thickness of the metal foil, for example, 10 to 20%, and 5 times or more of the thickness of the organic thin film electromotive force layer, for example, 10 to 100 times. When the thickness of the insulating layer is set in this way, when the solar cell module is bent by an external force, between the metal foil, the insulating layer, and the organic thin film photovoltaic layer, and between the insulating layer, the organic thin film photovoltaic layer, Since the peeling due to strain is less likely to occur, the reliability of the solar cell module is improved.

また、絶縁層と前記金属箔の線熱膨張係数の差が100ppm/℃以下とすることが好ましい。このようにした場合、環境温度が変化した際の金属箔と絶縁層との熱膨張の差が小さくなるため、絶縁層の破壊が防止され、反り変形が抑えられるので、太陽電池モジュールの信頼性が向上する。   Moreover, it is preferable that the difference of the linear thermal expansion coefficient of an insulating layer and the said metal foil shall be 100 ppm / degrees C or less. In this case, since the difference in thermal expansion between the metal foil and the insulating layer when the environmental temperature changes is reduced, the insulating layer is prevented from being destroyed and warping deformation is suppressed. Will improve.

[有機薄膜起電力層]
有機薄膜起電力層は、有機半導体により形成される。有機半導体は半導体特性により、p型、n型に分けられる。p型、n型は、電気伝導に寄与するのが、正孔、電子いずれであるかを示しており、材料の電子状態、ドーピング状態、トラップ状態に依存する。したがって、p型、n型は必ずしも明確に分類できない場合があり、同一物質でp型、n型両方の特性を示すものもある。
[Organic thin film electromotive force layer]
The organic thin film electromotive force layer is formed of an organic semiconductor. Organic semiconductors are classified into p-type and n-type depending on semiconductor characteristics. The p-type and n-type indicate whether it is a hole or an electron that contributes to electrical conduction, and depends on the electronic state, doping state, and trap state of the material. Therefore, there are cases where p-type and n-type cannot always be clearly classified, and there are cases where the same substance exhibits both p-type and n-type characteristics.

p型半導体の例として、テトラベンゾポルフィリン、テトラベンゾ銅ポルフィリン、テトラベンゾ亜鉛ポルフィリン等のポルフィリン化合物;フタロシアニン、銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン等のフタロシアニン化合物;ナフタロシアニン化合物;テトラセンやペンタセンのポリアセン;セキシチオフェン等のオリゴチオフェンおよびこれら化合物を骨格として含む誘導体が挙げられる。さらに、ポリ(3−アルキルチオフェン)などを含むポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリトリアリルアミン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール等の高分子等が例示される。   Examples of p-type semiconductors include porphyrin compounds such as tetrabenzoporphyrin, tetrabenzocopper porphyrin, tetrabenzozinc porphyrin; phthalocyanine compounds such as phthalocyanine, copper phthalocyanine, zinc phthalocyanine; naphthalocyanine compounds; polyacenes of tetracene and pentacene; Examples thereof include oligothiophene and derivatives containing these compounds as a skeleton. Furthermore, polymers such as polythiophene, polyfluorene, polyphenylene vinylene, polytriallylamine, polyacetylene, polyaniline, polypyrrole and the like including poly (3-alkylthiophene) are exemplified.

n型半導体の例として、フラーレン(C60、C70、C76);オクタアザポルフィリン;上記p型半導体のパーフルオロ体;ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物;及び、これら化合物を骨格として含む誘導体などが挙げられる。   Examples of n-type semiconductors include fullerenes (C60, C70, C76); octaazaporphyrins; perfluoro compounds of the above p-type semiconductors; naphthalenetetracarboxylic acid anhydrides, naphthalenetetracarboxylic acid diimides, perylenetetracarboxylic acid anhydrides, perylenes And aromatic carboxylic acid anhydrides such as tetracarboxylic acid diimide and imidized products thereof; and derivatives containing these compounds as a skeleton.

少なくともp型の半導体およびn型の半導体が含有されていれば、有機半導体層の具体的な構成は任意である。単層の膜のみによって構成されていてもよく、2以上の積層膜によって構成されていてもよい。例えば、n型の半導体とp型の半導体とを別々の膜に含有させるようにしても良く、n型の半導体とp型の半導体とを同じ膜に含有させても良い。また、n型の半導体及びp型の半導体は、それぞれ、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。   The specific configuration of the organic semiconductor layer is arbitrary as long as at least a p-type semiconductor and an n-type semiconductor are contained. It may be constituted only by a single layer film or may be constituted by two or more laminated films. For example, an n-type semiconductor and a p-type semiconductor may be contained in separate films, or an n-type semiconductor and a p-type semiconductor may be contained in the same film. In addition, each of the n-type semiconductor and the p-type semiconductor may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio.

有機半導体層の具体的な構成例としては、p型半導体とn型半導体が層内で相分離した層(i層)を有するバルクヘテロ接合型、それぞれp型半導体を含む層(p層)とn型半導体を含む層(p層)が界面を有する積層型(ヘテロpn接合型)、ショットキー型およびそれらの組合せが挙げられる。これらの中でもバルクへテロ接合型およびバルクへテロ接合型と積層型を組み合わせた(p−i−n接合型)が高い性能を示すことから好ましい。   Specific examples of the structure of the organic semiconductor layer include a bulk heterojunction type having a layer (i layer) in which a p-type semiconductor and an n-type semiconductor are phase-separated in the layer, a layer containing a p-type semiconductor (p layer), and n, respectively. Examples include a stacked type (hetero pn junction type) in which a layer containing a p-type semiconductor (p layer) has an interface, a Schottky type, and a combination thereof. Among these, a bulk heterojunction type and a combination of a bulk heterojunction type and a stacked type (p-i-n junction type) are preferable because they exhibit high performance.

有機半導体層のp層、i層、n層各層の厚みに制限はないが、通常3nm以上、中でも10nm以上、また、通常200nm以下、中でも100nm以下とすることが好ましい。層厚を厚くすることで膜の均一性が高まる傾向にあり、薄くすることで透過率が向上する、直列抵抗が低下する傾向にある。   Although there is no restriction | limiting in the thickness of p layer of an organic-semiconductor layer, i layer, and n layer, Usually, it is preferable to set it as 3 nm or more, especially 10 nm or more, and usually 200 nm or less, especially 100 nm or less. Increasing the layer thickness tends to increase the uniformity of the film, and decreasing the thickness tends to improve the transmittance and decrease the series resistance.

有機薄膜起電力層と、電極との間に正孔輸送層、電子輸送層を設けても良い。   A hole transport layer and an electron transport layer may be provided between the organic thin film electromotive force layer and the electrode.

正孔輸送層の構成材料としては、例えばフタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、トリフェニアルアミン、芳香族ジアミン化合物、ポリシラン、PEDTO−PSS(ポリ(エチレンジオキシチオフェン)―ポリ(スチレンスルフォン酸))などを挙げることができる。   Examples of the constituent material of the hole transport layer include phthalocyanine derivatives, naphthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, triphenylamines, aromatic diamine compounds, polysilanes, PEDTO-PSS (poly (ethylenedioxythiophene) -poly (styrenesulfonic acid) ) And the like.

電子輸送層の構成材料としては、例えばフェナントロリン誘導体、シロール誘導体等の有機化合物や、TiO等の無機半導体などが挙げられる。 Examples of the constituent material of the electron transport layer include organic compounds such as phenanthroline derivatives and silole derivatives, and inorganic semiconductors such as TiO 2 .

[下部電極及び上部電極]
下部電極及び上部電極としては導電性を有する材料により形成することが可能であり、例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属あるいはそれらの合金;酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、ITO、酸化インジウム亜鉛(IZO)等の金属酸化物;ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、PEDOT−PSS(ポリ(エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルフォン酸))等の導電性高分子;前記導電性高分子に、塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、FeCl等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子などのドーパントを含有させたもの;金属粒子、カーボンブラック、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性粒子をポリマーバインダー等のマトリクスに分散した導電性の複合材料などが挙げられる。なかでも、正孔を捕集する導電性基材又は電極には、Au、ITO等の深い仕事関数を有する材料が好ましい。一方、電子を捕集する導電性基材又は電極には、Alのような浅い仕事関数を有する材料が好ましい。仕事関数を最適化することにより、光吸収により生じた正孔及び電子を良好に捕集する利点がある。
[Lower and upper electrodes]
The lower electrode and the upper electrode can be formed of a conductive material, for example, a metal such as platinum, gold, silver, aluminum, chromium, nickel, copper, titanium, magnesium, calcium, barium, sodium, or the like Metal oxides such as indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, indium zinc oxide (IZO); polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyacetylene, PEDOT-PSS (poly (ethylenedioxythiophene) -poly (styrene) A conductive polymer such as sulfonic acid)); an acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid or sulfonic acid; a Lewis acid such as FeCl 3; a halogen atom such as iodine; a metal atom such as sodium or potassium; Containing dopant: metal particles, carbon black, hula Examples thereof include conductive composite materials in which conductive particles such as fullerene and carbon nanotubes are dispersed in a matrix such as a polymer binder. Especially, the material which has deep work functions, such as Au and ITO, is preferable for the electroconductive base material or electrode which collects a hole. On the other hand, a material having a shallow work function such as Al is preferable for the conductive base material or electrode for collecting electrons. By optimizing the work function, there is an advantage of favorably collecting holes and electrons generated by light absorption.

少なくとも受光面側の上部電極は、発電のために光透過性を有していることが好ましい。但し、電極が透明でなくても発電性能に著しく悪影響を与えない場合は必ずしも透明でなくてもよい。透明な電極の材料を挙げると、例えば、ITO、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム亜鉛(IZO)等の酸化物;金属薄膜などが挙げられる。また、この際、光の透過率の具体的範囲に制限は無いが、太陽電池素子の発電効率を考慮すると、光学界面での部分反射によるロスを除き、80%以上が好ましい。   It is preferable that at least the upper electrode on the light-receiving surface side has light transmittance for power generation. However, even if the electrode is not transparent, it does not necessarily have to be transparent if the power generation performance is not significantly adversely affected. Examples of transparent electrode materials include oxides such as ITO, zinc oxide, tin oxide, and indium zinc oxide (IZO); and metal thin films. In this case, the specific range of the light transmittance is not limited, but considering the power generation efficiency of the solar cell element, 80% or more is preferable except for the loss due to partial reflection at the optical interface.

これらは透明性を求められるために膜厚を厚くすることができず、その結果抵抗値を必要な値まで低くすることが難しい。   Since these require transparency, the film thickness cannot be increased, and as a result, it is difficult to reduce the resistance value to a required value.

そこで、補助電極として金属材料からなる電極を、上部電極のさらに上に形成し、上部電極の抵抗値を下げる構成が用いられる。補助電極の材料としては、銀ペースト、アルミ蒸着膜等の金属材料が用いられるのが一般的である。銀ペーストとは、銀粒子を樹脂中に混合した導電性のペーストのことである。   Therefore, a configuration is used in which an electrode made of a metal material is formed as an auxiliary electrode above the upper electrode to reduce the resistance value of the upper electrode. As a material for the auxiliary electrode, a metal material such as a silver paste or an aluminum vapor deposition film is generally used. A silver paste is a conductive paste in which silver particles are mixed in a resin.

補助電極は、補助電極で集められた電流を一つにまとめる集電部を有してもよい。   The auxiliary electrode may include a current collector that collects the current collected by the auxiliary electrode into one.

なお、下部電極及び上部電極の材料は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。   In addition, the material of a lower electrode and an upper electrode may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

なお、下部電極及び上部電極の形成方法に制限はない。例えば、真空蒸着、スパッタ等のドライプロセスにより形成することができる。また、例えば、導電性インク等を用いたウェットプロセスにより形成することもできる。この際、導電性インクとしては任意のものを使用することができ、例えば、導電性高分子、金属粒子分散液等を用いることができる。   In addition, there is no restriction | limiting in the formation method of a lower electrode and an upper electrode. For example, it can be formed by a dry process such as vacuum deposition or sputtering. Further, for example, it can be formed by a wet process using a conductive ink or the like. At this time, any conductive ink can be used. For example, a conductive polymer, a metal particle dispersion, or the like can be used.

さらに、電極は2層以上積層してもよく、表面処理による特性(電気特性やぬれ特性等)を改良してもよい。   Furthermore, two or more electrodes may be laminated, and characteristics (electric characteristics, wetting characteristics, etc.) due to surface treatment may be improved.

[その他の層]
本発明の太陽電池は、バッファ層など、上記以外の層を備えてもよい。
[Other layers]
The solar cell of the present invention may include layers other than the above, such as a buffer layer.

バッファ層は、有機半導体層側に面した電極界面に電気特性等の改良のために設ける層である。例えば、ポリ(エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)、酸化モリブデン、フッ化リチウム、2,9ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンなどが挙げられる。   The buffer layer is a layer provided at the electrode interface facing the organic semiconductor layer for improving electrical characteristics and the like. For example, poly (ethylenedioxythiophene): poly (styrenesulfonic acid) (PEDOT: PSS), molybdenum oxide, lithium fluoride, 2,9dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, and the like can be given.

以下、本発明の太陽電池を容易に製造することができる方法の一例を説明する。   Hereinafter, an example of a method capable of easily producing the solar cell of the present invention will be described.

まず、金属箔1の表面をバフ研磨処理によって算術平均表面粗さが100nm以下となるように研磨する。この金属箔1上に有機薄膜起電力層(有機半導体層)4をフレキソ印刷でパターン印刷する。有機半導体としてはポリチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン)とフラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)−プロピル−1−フェニル(6.6)−C61)の重量比1:1混合物が好適であり、これを1.0wt%程度のクロロベンゼン溶液とすれば良好に塗布でき、厚みは50〜100nm程度が好適である。   First, the surface of the metal foil 1 is polished by buffing so that the arithmetic average surface roughness is 100 nm or less. An organic thin film electromotive force layer (organic semiconductor layer) 4 is pattern-printed on the metal foil 1 by flexographic printing. As the organic semiconductor, a 1: 1 mixture by weight of polythiophene (P3HT; poly-3-hexylthiophene) and fullerene (PCBM; 1- (3-methoxycarbonyl) -propyl-1-phenyl (6.6) -C61) is preferable. If this is made into a chlorobenzene solution of about 1.0 wt%, it can be satisfactorily applied, and the thickness is preferably about 50 to 100 nm.

次いで、上部電極5をITO(酸化インジウム・スズ)のスパッタ法により形成する。ITOの厚みは100〜200nm程度が好適である。上部電極5のパターニングはマスクスパッタ法やレーザーアブレーション法によることが可能である。また、上部電極5をITOナノ粒子、導電性ポリマー(PEDOT/PSS等)、グラフェン、CNTなどの透明導電性インクを使用して、湿式塗布によりパターン製膜することも可能である。   Next, the upper electrode 5 is formed by sputtering of ITO (indium tin oxide). The thickness of ITO is preferably about 100 to 200 nm. Patterning of the upper electrode 5 can be performed by a mask sputtering method or a laser ablation method. Alternatively, the upper electrode 5 can be formed into a film by wet coating using a transparent conductive ink such as ITO nanoparticles, conductive polymer (PEDOT / PSS, etc.), graphene, or CNT.

次いで、上部電極5上に補助電極6を形成する。補助電極材料としては銀ペーストが好適であり、スクリーン印刷法によって良好に印刷でき、線幅20〜100μm程度、厚みが20〜100μm程度が好適である。   Next, the auxiliary electrode 6 is formed on the upper electrode 5. As the auxiliary electrode material, a silver paste is suitable, and it can be printed favorably by a screen printing method. A line width of about 20 to 100 μm and a thickness of about 20 to 100 μm are suitable.

次いで、封止領域に封止材料8をディスペンサ等によって塗布する。封止材料としてはゲル状の透明ゲッター材料が好適であり、フロリナート等の不活性液体にエアロゾル等の粘度調整剤や酸化カルシウム粉等の脱水剤を混合することで調整できる。   Next, the sealing material 8 is applied to the sealing region with a dispenser or the like. As the sealing material, a gel-like transparent getter material is suitable, and it can be adjusted by mixing a viscosity adjusting agent such as aerosol or a dehydrating agent such as calcium oxide powder with an inert liquid such as fluorinate.

次いで封止材7を形成するために、封止領域を取り囲むように光硬化性シール材をディスペンサ等によって塗布し、その後、透明な可撓性フィルム9をラミネートした後、UV照射によって硬化させ、封止を完了する。   Next, in order to form the sealing material 7, a photo-curable sealing material is applied by a dispenser or the like so as to surround the sealing region, and after that, the transparent flexible film 9 is laminated, and then cured by UV irradiation, Complete sealing.

可撓性フィルム9としては例えば厚さ100μm程度のバリア膜付きPETフィルムが好適である。シール材としては例えばアクリル系UV接着剤が好適である。   For example, a PET film with a barrier film having a thickness of about 100 μm is suitable as the flexible film 9. For example, an acrylic UV adhesive is suitable as the sealing material.

以上のようにして、有機薄膜起電力層を有した太陽電池モジュールが作製される。   As described above, a solar cell module having an organic thin film electromotive force layer is produced.

1 金属箔
2 絶縁層
3 下部電極
4 有機薄膜起電力層
5 上部電極
6 補助電極
7 封止材
8 封止材料
9 フィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal foil 2 Insulating layer 3 Lower electrode 4 Organic thin-film electromotive force layer 5 Upper electrode 6 Auxiliary electrode 7 Sealing material 8 Sealing material 9 Film

Claims (5)

金属基材上に少なくとも起電力層及び上部電極が成膜された太陽電池において、該起電力層が有機薄膜起電力層であり、該金属基材の表面が平滑化処理されていることを特徴とする太陽電池。   In a solar cell in which at least an electromotive force layer and an upper electrode are formed on a metal substrate, the electromotive force layer is an organic thin film electromotive force layer, and the surface of the metal substrate is smoothed. A solar cell. 請求項1において、該金属基材表面の算術平均表面粗さRaの値が有機薄膜起電力層の厚みの1/2以下であることを特徴とする太陽電池。   2. The solar cell according to claim 1, wherein the value of the arithmetic average surface roughness Ra of the surface of the metal substrate is ½ or less of the thickness of the organic thin film electromotive force layer. 請求項1又は2において、金属基材の表面が物理的研磨処理及び/又は化学的研磨処理によって平滑化されていることを特徴とする太陽電池。   3. The solar cell according to claim 1, wherein the surface of the metal substrate is smoothed by physical polishing treatment and / or chemical polishing treatment. 請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属基材と有機薄膜起電力層との間に下部電極が設けられていることを特徴とする太陽電池。   4. The solar cell according to claim 1, wherein a lower electrode is provided between the metal substrate and the organic thin film electromotive force layer. 請求項4において、金属基材と下部電極との間に絶縁層が設けられていることを特徴とする太陽電池。   The solar cell according to claim 4, wherein an insulating layer is provided between the metal base and the lower electrode.
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