JP2011221042A - Image detecting device and image capturing system - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image detecting device and an image capturing system capable of adjusting uniformly and efficiently a temperature distribution of an image detection part.SOLUTION: A cooling panel 130 is arranged on an irradiation surface of a radiation X or a rear surface of a sensor substrate 38. A carbon nanotube 262 extending along the arrow D direction is formed in a carbon sheet 250 constituting the cooling panel 130, and each of heat radiation members 252 is connected to each end in the arrow D1 direction and in the arrow D2 direction of the carbon nanotube 262. As a result, heat from the sensor substrate 38 is transferred to each of the heat radiation members 252 through the carbon nanotube 262, and is discharged to the outside from each of the heat radiation members 252.

Description

本発明は、所定の記録領域に記録された画像を画像情報として出力する画像検出器及び当該画像検出器が適用される画像撮影システムに関する。   The present invention relates to an image detector that outputs an image recorded in a predetermined recording area as image information, and an image capturing system to which the image detector is applied.

例えば、医療分野においては、放射線源から放射線を被写体(患者)に照射し、被写体を透過した放射線を画像検出器で検出して、放射線画像情報を取得する画像撮影装置が広汎に使用されている。   For example, in the medical field, image capturing apparatuses that acquire radiation image information by irradiating a subject (patient) with radiation from a radiation source and detecting radiation transmitted through the subject with an image detector are widely used. .

特許文献1には、検出部が搭載されたアクティブマトリックス基板の背面にゲルシートを介してベース基板を貼り合わせ、前記ゲルシートを熱伝導性を有する粘弾性体で構成すると共に、前記ベース基板を熱伝導性の良好な材料で構成することにより、前記アクティブマトリックス基板の温度分布のばらつきを抑制することが提案されている。   In Patent Document 1, a base substrate is bonded to a back surface of an active matrix substrate on which a detection unit is mounted via a gel sheet, the gel sheet is formed of a viscoelastic body having thermal conductivity, and the base substrate is thermally conductive. It has been proposed to suppress variation in the temperature distribution of the active matrix substrate by using a material having good properties.

特開2001−281343号公報JP 2001-281343 A

このように、特許文献1では、ベース基板がゲルシートを介してアクティブマトリックス基板を支持することで、該アクティブマトリックス基板の温度分布のばらつきを抑制することが可能である。一方、このアクティブマトリックス基板上に配置された検出部(画像検出部)においても、温度分布のばらつき(不均一)が発生することが予想される。しかしながら、特許文献1には、前記検出部における温度分布の不均一を速やかに除去するための対策について何ら記載されていない。   As described above, in Patent Document 1, it is possible to suppress variation in temperature distribution of the active matrix substrate by supporting the active matrix substrate via the gel sheet. On the other hand, it is expected that variations (non-uniformity) in temperature distribution will occur in the detection unit (image detection unit) arranged on the active matrix substrate. However, Patent Document 1 does not describe any measures for quickly removing uneven temperature distribution in the detection unit.

また、特許文献1では、単に、ゲルシートによってアクティブマトリックス基板とベース基板とを貼り合わせることのみ開示されており、どのようにしてゲルシートの熱伝導特性を高めて、前記アクティブマトリックス基板の熱を放熱するのかという点について、全く開示されていない。   Further, Patent Document 1 merely discloses that the active matrix substrate and the base substrate are bonded together by a gel sheet, and how to improve the heat conduction characteristics of the gel sheet to dissipate the heat of the active matrix substrate. It is not disclosed at all about the point.

本発明は、前記の不具合に鑑みなされたものであり、画像検出部の温度分布を均一且つ効率よく調整することを可能とする画像検出器及び画像撮影システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an image detector and an image capturing system that can adjust the temperature distribution of an image detection unit uniformly and efficiently.

前記の目的を達成するために、本発明は、所定の画像を記録し、記録した前記画像を画像情報として出力する画像検出部と、前記画像検出部の表面に配置され且つ前記画像検出部を冷却する冷却パネルと、を有し、前記冷却パネルは、前記画像検出部の熱を伝達する熱伝導特性を有し、さらに前記画像検出部から伝達された熱を外部に放出する放熱部材を備え、前記熱伝導特性は、前記画像検出部の表面に沿った面方向で且つ前記放熱部材の配設方向に指向していることを特徴とする。   To achieve the above object, the present invention records a predetermined image, outputs the recorded image as image information, and is arranged on the surface of the image detection unit and includes the image detection unit. A cooling panel for cooling, the cooling panel having a heat conduction characteristic for transferring heat of the image detection unit, and further comprising a heat radiating member for releasing heat transferred from the image detection unit to the outside. The heat conduction characteristic is directed to a surface direction along a surface of the image detection unit and to a disposition direction of the heat radiating member.

本発明によれば、冷却パネルが画像検出部の表面に配置されているので、前記画像検出部からの熱は、前記冷却パネルの熱伝導特性が指向する前記画像検出部の面方向に沿って放熱部材に伝達されて外部に放熱される。これにより、従来技術と比較して、画像検出器全体の放熱効率が良好となって、前記画像検出部の温度分布の均一性を確保することが可能になると共に、前記温度分布を効率よく調整することができる。   According to the present invention, since the cooling panel is arranged on the surface of the image detection unit, the heat from the image detection unit is along the surface direction of the image detection unit toward which the heat conduction characteristic of the cooling panel is directed. It is transmitted to the heat radiating member and radiated to the outside. As a result, compared to the prior art, the heat dissipation efficiency of the entire image detector is improved, it is possible to ensure the uniformity of the temperature distribution of the image detection unit, and the temperature distribution is adjusted efficiently. can do.

本実施形態に係る画像撮影システムの構成ブロック図である。1 is a configuration block diagram of an image capturing system according to the present embodiment. 図2Aは、図1の放射線固体検出器において、センサ基板の背面側に冷却パネルを配置した概略構成斜視図であり、図2Bは、前記放射線固体検出器において、センサ基板の照射面側に冷却パネルを配置した概略構成斜視図である。FIG. 2A is a schematic configuration perspective view in which a cooling panel is disposed on the back side of the sensor substrate in the radiation solid detector of FIG. 1, and FIG. 2B is a diagram illustrating cooling on the irradiation surface side of the sensor substrate in the radiation solid detector. It is a schematic structure perspective view which has arrange | positioned the panel. 図2A及び図2Bのカーボンシートの内部構成を示す模式的斜視図である。It is a typical perspective view which shows the internal structure of the carbon sheet of FIG. 2A and 2B. 図4Aは、図2Aの冷却パネルの模式的断面図であり、図4Bは、図2Bの冷却パネルの模式的断面図である。4A is a schematic cross-sectional view of the cooling panel of FIG. 2A, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the cooling panel of FIG. 2B. 図1に示す放射線固体検出器の回路構成ブロック図である。It is a circuit block diagram of the radiation solid state detector shown in FIG. 図5に示す信号読出回路の詳細ブロック図である。FIG. 6 is a detailed block diagram of the signal readout circuit shown in FIG. 5. 図1の画像撮影システムをマンモグラフィ装置に適用した場合の斜視図である。It is a perspective view at the time of applying the image photographing system of FIG. 1 to a mammography apparatus. 図7の撮影台の内部構成を示す要部説明図である。It is principal part explanatory drawing which shows the internal structure of the imaging stand of FIG. 放射線固体検出器の他の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the other structure of a radiation solid state detector.

図1は、本実施形態に係る画像撮影システム20の構成ブロック図である。   FIG. 1 is a configuration block diagram of an image capturing system 20 according to the present embodiment.

画像撮影システム20は、放射線Xを発生させて被写体22に照射する放射線発生装置24と、被写体22を透過した放射線Xを検出する放射線固体検出器(画像検出器、放射線画像情報検出器)26と、放射線発生装置24及び放射線固体検出器26を制御する制御装置28と、被写体22に対する放射線Xの照射線量等の撮影条件を制御装置28に設定するコンソール30と、放射線固体検出器26から読み出した被写体22の放射線画像情報に対して所定の画像処理を施す画像処理装置32と、処理された放射線画像情報を表示する表示装置34とを備える。   The imaging system 20 includes a radiation generator 24 that generates radiation X and irradiates the subject 22, a radiation solid detector (image detector, radiation image information detector) 26 that detects the radiation X transmitted through the subject 22, and The control unit 28 for controlling the radiation generator 24 and the radiation solid detector 26, the console 30 for setting the imaging conditions such as the irradiation dose of the radiation X to the subject 22 in the control device 28, and the radiation solid detector 26 are read out. An image processing device 32 that performs predetermined image processing on the radiation image information of the subject 22 and a display device 34 that displays the processed radiation image information are provided.

また、放射線固体検出器26は、センサ基板(画像検出部)38、ゲート線駆動回路44、バッテリ45、信号読出回路46、タイミング制御回路48、温調制御手段135及び通信手段136を備える。さらに、温調制御手段135は、冷却パネル130、温度コントローラ133、温度センサ138及びファン(冷却ファン)140から構成される。   The radiation solid detector 26 includes a sensor substrate (image detection unit) 38, a gate line driving circuit 44, a battery 45, a signal readout circuit 46, a timing control circuit 48, a temperature control unit 135, and a communication unit 136. Further, the temperature control unit 135 includes a cooling panel 130, a temperature controller 133, a temperature sensor 138, and a fan (cooling fan) 140.

図2A及び図2Bは、放射線固体検出器26の概略構成斜視図である。放射線固体検出器26は、保護ケース36に収納され、被写体22(図1参照)を透過した放射線Xに係る放射線画像情報を二次元の電荷情報として蓄積(記録)するセンサ基板38と、このセンサ基板38に対して放射線Xが照射される一面側(照射面側)又はその背面側に密接配置される冷却パネル130とを備える。   2A and 2B are schematic configuration perspective views of the radiation solid state detector 26. FIG. The radiation solid detector 26 is housed in a protective case 36 and stores (records) radiation image information related to the radiation X transmitted through the subject 22 (see FIG. 1) as two-dimensional charge information, and this sensor. The cooling panel 130 closely arranged on the one surface side (irradiation surface side) irradiated with the radiation X with respect to the board | substrate 38 or its back surface side is provided.

すなわち、図2Aは、センサ基板38の背面側の略全面に冷却パネル130を配置した場合であり、一方、図2Bは、センサ基板38の照射面側の略全面に冷却パネル130を配置した場合である。   That is, FIG. 2A shows the case where the cooling panel 130 is disposed on substantially the entire back side of the sensor substrate 38, while FIG. 2B shows the case where the cooling panel 130 is disposed on substantially the entire irradiation surface side of the sensor substrate 38. It is.

ここで、冷却パネル130は、センサ基板38の照射面又は背面に配置された熱伝導性のカーボンシート250と、このカーボンシート250の矢印D方向側の端部(矢印D1方向及び矢印D2方向の各端部)にそれぞれ連結されたブロック形状の放熱部材252とから構成される。なお、矢印D方向とは、センサ基板38の照射面及び背面に沿った方向(面方向)のうち、該センサ基板38の短手方向をいう。   Here, the cooling panel 130 includes a heat conductive carbon sheet 250 disposed on the irradiation surface or the back surface of the sensor substrate 38, and an end of the carbon sheet 250 on the arrow D direction side (in the arrow D1 direction and the arrow D2 direction). And a block-shaped heat dissipating member 252 connected to each end portion. The arrow D direction refers to the short direction of the sensor substrate 38 among the directions (plane directions) along the irradiation surface and the back surface of the sensor substrate 38.

カーボンシート250は、矢印D方向(矢印D1方向及び矢印D2方向)の端部がセンサ基板38からはみ出た状態で、該センサ基板38の照射面又は背面に配置されている。一方、各放熱部材252は、センサ基板38の矢印D1方向及び矢印D2方向の各側面から離間した状態で、センサ基板38からはみ出たカーボンシート250の前記各端部に連結されている。   The carbon sheet 250 is disposed on the irradiation surface or the back surface of the sensor substrate 38 with the end portions in the arrow D direction (the arrow D1 direction and the arrow D2 direction) protruding from the sensor substrate 38. On the other hand, each heat radiating member 252 is connected to each end portion of the carbon sheet 250 protruding from the sensor substrate 38 in a state of being separated from each side surface of the sensor substrate 38 in the arrow D1 direction and the arrow D2 direction.

図3は、カーボンシート250の内部構成を説明するための模式的斜視図である。カーボンシート250内では、矢印D方向に貫通する複数の管状の細孔260が配列されたメソ構造体膜が形成され、このメソ構造体膜を構成する各細孔260内には、カーボンナノチューブ262が矢印D方向に沿って延在している。従って、このカーボンシート250は、矢印D方向に熱伝導特性が指向するカーボンシートである。なお、細孔260及びカーボンナノチューブ262を含むメソ構造体膜は、例えば、特開2007−105859号公報に開示されている技術を用いて形成される。   FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining the internal configuration of the carbon sheet 250. In the carbon sheet 250, a mesostructured film in which a plurality of tubular pores 260 penetrating in the direction of arrow D is arranged is formed, and in each pore 260 constituting the mesostructured film, a carbon nanotube 262 is formed. Extends along the direction of arrow D. Therefore, the carbon sheet 250 is a carbon sheet whose heat conduction characteristics are directed in the direction of arrow D. Note that the mesostructured film including the pores 260 and the carbon nanotubes 262 is formed using, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-105859.

図4A及び図4Bの冷却パネル130の模式的断面図に示すように、放熱部材252は、カーボンナノチューブ262の矢印D1方向及び矢印D2方向の端部(先端部)に接続されている。そのため、センサ基板38の熱は、カーボンシート250のカーボンナノチューブ262を介して放熱部材252に伝達され、この放熱部材252から外部に放熱される。   As shown in the schematic cross-sectional views of the cooling panel 130 in FIGS. 4A and 4B, the heat radiating member 252 is connected to the ends (tip portions) of the carbon nanotubes 262 in the arrow D1 direction and the arrow D2 direction. Therefore, the heat of the sensor substrate 38 is transmitted to the heat radiating member 252 via the carbon nanotubes 262 of the carbon sheet 250 and is radiated to the outside from the heat radiating member 252.

また、図4Bのように、冷却パネル130をセンサ基板38の照射面側に配置する場合に、該冷却パネル130を構成するカーボンシート250及び放熱部材252は、放射線Xを透過可能な材料から構成されている。   4B, when the cooling panel 130 is disposed on the irradiation surface side of the sensor substrate 38, the carbon sheet 250 and the heat radiating member 252 constituting the cooling panel 130 are made of a material that can transmit the radiation X. Has been.

図5は、放射線固体検出器26の回路構成ブロック図である。放射線固体検出器26は、センサ基板38と、図示しない複数の駆動用ICからなるゲート線駆動回路44と、複数の読出用IC42(図6参照)からなる信号読出回路46と、ゲート線駆動回路44及び信号読出回路46を制御するタイミング制御回路48とを備える。   FIG. 5 is a circuit configuration block diagram of the radiation solid state detector 26. The radiation solid detector 26 includes a sensor substrate 38, a gate line driving circuit 44 including a plurality of driving ICs (not shown), a signal reading circuit 46 including a plurality of reading ICs 42 (see FIG. 6), and a gate line driving circuit. 44 and a timing control circuit 48 for controlling the signal readout circuit 46.

センサ基板38は、放射線X(図1〜図2B、図4A及び図4B参照)を感知して電荷を発生させるアモルファスセレン(a−Se)等の物質からなる光電変換層51を行列状の薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)52のアレイの上に配置した構造を有し、発生した電荷を蓄積容量53に蓄積した後、各行毎にTFT52を順次オンにして、電荷を画像信号として読み出す。図5では、光電変換層51及び蓄積容量53からなる1つの画素50と1つのTFT52との接続関係のみを示し、その他の画素50の構成については省略している。なお、アモルファスセレンは、高温になると構造が変化して機能が低下してしまうため、所定の温度範囲内で使用する必要がある。各画素50に接続されるTFT52には、行方向と平行に延びるゲート線54と、列方向と平行に延びる信号線56とが接続される。各ゲート線54は、ゲート線駆動回路44に接続され、各信号線56は、信号読出回路46に接続される。   The sensor substrate 38 includes a matrix-shaped thin film transistor including a photoelectric conversion layer 51 made of a substance such as amorphous selenium (a-Se) that senses radiation X (see FIGS. 1 to 2B, 4A, and 4B) and generates charges. (TFT: Thin Film Transistor) 52 has a structure arranged on an array, and after the generated charge is accumulated in the storage capacitor 53, the TFT 52 is sequentially turned on for each row, and the charge is read out as an image signal. In FIG. 5, only the connection relationship between one pixel 50 including the photoelectric conversion layer 51 and the storage capacitor 53 and one TFT 52 is shown, and the configuration of the other pixels 50 is omitted. Amorphous selenium must be used within a predetermined temperature range because its structure changes and its function decreases at high temperatures. A gate line 54 extending parallel to the row direction and a signal line 56 extending parallel to the column direction are connected to the TFT 52 connected to each pixel 50. Each gate line 54 is connected to the gate line drive circuit 44, and each signal line 56 is connected to the signal readout circuit 46.

図6は、信号読出回路46の詳細ブロック図である。信号読出回路46は、センサ基板38(図1〜図2B及び図4A〜図5参照)の各信号線56に接続される読出用IC42と、タイミング制御回路48からのタイミング制御信号に基づき、信号線56の1つに接続されている画素50を選択するマルチプレクサ60と、選択された画素50から読み出した放射線画像情報をデジタル信号としての画像信号に変換し、通信手段136を介して画像処理装置32に送信(出力)するA/D変換器62とを備える。   FIG. 6 is a detailed block diagram of the signal readout circuit 46. The signal readout circuit 46 is based on a readout IC 42 connected to each signal line 56 of the sensor substrate 38 (see FIGS. 1 to 2B and FIGS. 4A to 5) and a timing control signal from the timing control circuit 48. A multiplexer 60 that selects a pixel 50 connected to one of the lines 56, and radiographic image information read from the selected pixel 50 is converted into an image signal as a digital signal, and the image processing apparatus 136 via the communication unit 136 And an A / D converter 62 that transmits (outputs) the data to / from 32.

読出用IC42は、信号線56から抵抗器64を介して供給される電流を検出するオペアンプ66(積分アンプ)、積分コンデンサ68及びスイッチ70を備える。オペアンプ66の反転入力端子には、抵抗器64を介して信号線56が接続され、オペアンプ66の非反転入力端子には、基準電圧Vbが供給される。   The reading IC 42 includes an operational amplifier 66 (integration amplifier) that detects a current supplied from the signal line 56 via the resistor 64, an integration capacitor 68, and a switch 70. A signal line 56 is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 66 through the resistor 64, and the reference voltage Vb is supplied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 66.

前述したように、センサ基板38を構成する光電変換層51(図5参照)は、アモルファスセレンからなり、該アモルファスセレンは、高温になると構造が変化して機能が低下してしまうため、所定の温度範囲内で使用する必要がある。そこで、放射線固体検出器26は、光電変換層51(アモルファスセレン)の温度が前記温度範囲を上回ったときにセンサ基板38を冷却して、光電変換層51の温度を前記温度範囲内に保持するための温調制御手段135(図1参照)を有する。   As described above, the photoelectric conversion layer 51 (see FIG. 5) constituting the sensor substrate 38 is made of amorphous selenium, and the amorphous selenium changes its structure and deteriorates its function at a high temperature. Must be used within the temperature range. Therefore, the radiation solid detector 26 cools the sensor substrate 38 when the temperature of the photoelectric conversion layer 51 (amorphous selenium) exceeds the temperature range, and maintains the temperature of the photoelectric conversion layer 51 within the temperature range. Temperature control means 135 (see FIG. 1).

すなわち、温調制御手段135を構成する温度センサ138は、センサ基板38近傍に配置され、アモルファスセレンの温度に応じたセンサ基板38の温度を常時あるいは所定時間間隔で検出し、検出したセンサ基板38の温度を温度コントローラ133に出力する。温度コントローラ133は、入力されたセンサ基板38の温度が、光電変換層51(アモルファスセレン)の温度範囲の上限値に応じた所定の上限温度を上回るか否かを判定する。ここで、温度コントローラ133は、センサ基板38の温度が前記上限温度を上回ったものと判定したときに、ファン140を駆動させる。ファン140は、放熱部材252での放熱が促進されるように、該放熱部材252に対して送風を行い、放熱部材252を冷却する。   That is, the temperature sensor 138 that constitutes the temperature control means 135 is disposed in the vicinity of the sensor substrate 38, detects the temperature of the sensor substrate 38 according to the temperature of amorphous selenium constantly or at predetermined time intervals, and detects the detected sensor substrate 38. Is output to the temperature controller 133. The temperature controller 133 determines whether or not the input temperature of the sensor substrate 38 exceeds a predetermined upper limit temperature corresponding to the upper limit value of the temperature range of the photoelectric conversion layer 51 (amorphous selenium). Here, the temperature controller 133 drives the fan 140 when it is determined that the temperature of the sensor substrate 38 exceeds the upper limit temperature. The fan 140 blows air to the heat radiating member 252 and cools the heat radiating member 252 so that heat radiation at the heat radiating member 252 is promoted.

なお、前述した上限温度は、温度コントローラ133内に予め登録させておくか、あるいは、前記撮影条件の一部として制御装置28に予め登録し、放射線画像の撮影前に制御装置28から通信手段136を介して温度コントローラ133に送信するようにしてもよい。   Note that the above-described upper limit temperature is registered in advance in the temperature controller 133, or is registered in advance in the control device 28 as part of the imaging conditions, and the communication device 136 from the control device 28 before the radiographic image is captured. May be transmitted to the temperature controller 133 via

本実施形態の画像撮影システム20は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作について、図1〜図6を参照しながら説明する。   The image capturing system 20 of the present embodiment is basically configured as described above, and the operation thereof will be described next with reference to FIGS.

先ず、コンソール30を用いて、被写体22に係るID情報、撮影条件等の設定を行う。この場合、ID情報には、被写体22の氏名、年齢、性別等の情報があり、被写体22が所持するIDカードから取得することもできる。また、撮影条件としては、医師によって指示された撮影部位、撮影方向等の情報に加え、撮影部位に応じた放射線Xの照射線量、さらに、必要に応じて、アモルファスセレンの温度範囲の上限値に対応するセンサ基板38の上限温度があり、ネットワークに接続された上位の装置から取得し、あるいは、コンソール30から放射線技師が入力することが可能である。   First, using the console 30, ID information related to the subject 22, shooting conditions, and the like are set. In this case, the ID information includes information such as the name, age, and sex of the subject 22, and can be acquired from an ID card possessed by the subject 22. Further, as imaging conditions, in addition to information such as an imaging region and an imaging direction instructed by a doctor, an irradiation dose of radiation X corresponding to the imaging region and, if necessary, an upper limit value of the temperature range of amorphous selenium. There is a corresponding upper limit temperature of the sensor board 38, which can be acquired from a higher-level device connected to the network, or can be input from the console 30 by a radiologist.

次に、放射線固体検出器26に対して被写体22の撮影部位を位置決めした後に、制御装置28は、設定された撮影条件に従って放射線発生装置24及び放射線固体検出器26を制御する。   Next, after positioning the imaging region of the subject 22 with respect to the radiation solid detector 26, the control device 28 controls the radiation generator 24 and the radiation solid detector 26 according to the set imaging conditions.

この場合、温度センサ138は、常時あるいは所定時間間隔で、アモルファスセレンの温度に応じたセンサ基板38の温度を検出し、検出したセンサ基板38の温度を温度コントローラ133に出力する。温度コントローラ133は、温度センサ138からセンサ基板38の温度が常時あるいは所定時間間隔で入力される毎に、該センサ基板38の温度が前記アモルファスセレンの温度範囲の上限値に応じたセンサ基板38の上限温度を上回るか否かを判定する。   In this case, the temperature sensor 138 detects the temperature of the sensor substrate 38 according to the temperature of amorphous selenium at all times or at predetermined time intervals, and outputs the detected temperature of the sensor substrate 38 to the temperature controller 133. Each time the temperature of the sensor substrate 38 is input from the temperature sensor 138 or at a predetermined time interval, the temperature controller 133 adjusts the temperature of the sensor substrate 38 according to the upper limit value of the temperature range of the amorphous selenium. It is determined whether or not the upper limit temperature is exceeded.

一方、放射線発生装置24は、制御装置28から送信された前記撮影条件に基づいて、放射線Xを被写体22に照射する。被写体22を透過した放射線Xは、放射線固体検出器26のセンサ基板38における各画素50の光電変換層51によって電気信号に変換され、蓄積容量53に電荷として蓄積される(図5参照)。次いで、各蓄積容量53に蓄積された被写体22の放射線画像情報である電荷情報は、タイミング制御回路48からゲート線駆動回路44及び信号読出回路46に供給されるタイミング制御信号に従って読み出される。   On the other hand, the radiation generator 24 irradiates the subject 22 with the radiation X based on the imaging conditions transmitted from the controller 28. The radiation X that has passed through the subject 22 is converted into an electrical signal by the photoelectric conversion layer 51 of each pixel 50 on the sensor substrate 38 of the radiation solid state detector 26, and is stored as a charge in the storage capacitor 53 (see FIG. 5). Next, the charge information that is the radiographic image information of the subject 22 stored in each storage capacitor 53 is read according to the timing control signal supplied from the timing control circuit 48 to the gate line driving circuit 44 and the signal reading circuit 46.

すなわち、ゲート線駆動回路44は、タイミング制御回路48からのタイミング制御信号に従ってゲート線54の1つを選択し、選択されたゲート線54に接続されている各TFT52のベースに駆動信号を供給する。一方、信号読出回路46は、タイミング制御回路48からのタイミング制御信号に従い、マルチプレクサ60により読出用IC42に接続されている信号線56を行方向に順次切り替えながら選択する。選択されたゲート線54及び信号線56に対応する画素50の蓄積容量53に蓄積された放射線画像情報に係る電荷情報は、抵抗器64を介してオペアンプ66に供給されて積分された後、マルチプレクサ60を介してA/D変換器62に供給され、デジタル信号である画像信号として通信手段136を介して画像処理装置32に供給される。行方向に配列された各画素50から画像信号が読み出された後、ゲート線駆動回路44は、列方向の次のゲート線54を選択して駆動信号を供給し、信号読出回路46は、選択されたゲート線54に接続されたTFT52から同様にして画像信号を読み出す。以上の動作を繰り返すことにより、センサ基板38内の各画素50に蓄積された二次元の放射線画像情報が読み出され、画像処理装置32に供給される。   That is, the gate line driving circuit 44 selects one of the gate lines 54 in accordance with the timing control signal from the timing control circuit 48 and supplies a driving signal to the base of each TFT 52 connected to the selected gate line 54. . On the other hand, in accordance with the timing control signal from the timing control circuit 48, the signal readout circuit 46 selects the signal line 56 connected to the readout IC 42 by the multiplexer 60 while sequentially switching in the row direction. The charge information related to the radiation image information stored in the storage capacitor 53 of the pixel 50 corresponding to the selected gate line 54 and signal line 56 is supplied to the operational amplifier 66 via the resistor 64 and integrated, and then the multiplexer. The image signal is supplied to the A / D converter 62 through 60 and supplied to the image processing apparatus 32 through the communication means 136 as an image signal which is a digital signal. After the image signal is read from each pixel 50 arranged in the row direction, the gate line drive circuit 44 selects the next gate line 54 in the column direction and supplies a drive signal, and the signal read circuit 46 Similarly, an image signal is read from the TFT 52 connected to the selected gate line 54. By repeating the above operation, two-dimensional radiation image information accumulated in each pixel 50 in the sensor substrate 38 is read and supplied to the image processing device 32.

以上のようにして調整され、画像処理装置32に供給された放射線画像情報は、所定の画像処理が施された後、診断等のために表示装置34に表示される。従って、医師は、表示装置34に表示された画像に基づき、診断等の処理を行うことができる。   The radiographic image information adjusted as described above and supplied to the image processing device 32 is displayed on the display device 34 for diagnosis or the like after being subjected to predetermined image processing. Therefore, the doctor can perform processing such as diagnosis based on the image displayed on the display device 34.

ここで、センサ基板38内のアモルファスセレンの熱は、カーボンシート250のカーボンナノチューブ262を介して放熱部材252に伝達され、放熱部材252から冷却パネル130外に放熱される。   Here, the heat of the amorphous selenium in the sensor substrate 38 is transmitted to the heat radiating member 252 through the carbon nanotubes 262 of the carbon sheet 250, and is radiated from the heat radiating member 252 to the outside of the cooling panel 130.

上述したように、温度コントローラ133(図1参照)は、アモルファスセレンの温度(に応じたセンサ基板38の温度)が前記アモルファスセレンの温度範囲(の上限値に応じたセンサ基板38の上限温度)を上回るか否かを逐次判定しているが、センサ基板38の温度が前記上限温度を上回っていると判定した場合には、ファン140を駆動させる。これにより、ファン140は、放熱部材252での放熱が促進されるように、該放熱部材252に対して送風を行い、放熱部材252を冷却する。   As described above, the temperature controller 133 (see FIG. 1) is configured so that the amorphous selenium temperature (according to the temperature of the sensor substrate 38) is within the amorphous selenium temperature range (the upper limit temperature of the sensor substrate 38 according to the upper limit value). However, if it is determined that the temperature of the sensor substrate 38 exceeds the upper limit temperature, the fan 140 is driven. Thus, the fan 140 blows air to the heat radiating member 252 and cools the heat radiating member 252 so that heat radiating in the heat radiating member 252 is promoted.

また、温度コントローラ133は、温度センサ138にて検出されたセンサ基板38の温度が前記上限温度を下回ったと判定した場合には、ファン140の駆動を停止させる。   Further, when the temperature controller 133 determines that the temperature of the sensor substrate 38 detected by the temperature sensor 138 is lower than the upper limit temperature, the temperature controller 133 stops driving the fan 140.

このように、本実施形態に係る画像撮影システム20では、放射線固体検出器26は、センサ基板38の照射面又は背面に配置された冷却パネル130を有し、この冷却パネル130は、センサ基板38の面方向(矢印D方向)に沿って熱伝導特性が指向するように構成されているので、センサ基板38内のアモルファスセレンの熱は、冷却パネル130内において矢印D方向に沿って伝達されて外部に放熱される。これにより、従来技術と比較して、放射線固体検出器26全体の放熱効率が良好となって、センサ基板38の温度分布の均一性を確保することが可能になると共に、前記温度分布を効率よく調整することができる。   Thus, in the imaging system 20 according to the present embodiment, the radiation solid detector 26 has the cooling panel 130 disposed on the irradiation surface or the back surface of the sensor substrate 38, and the cooling panel 130 is the sensor substrate 38. Therefore, the heat of the amorphous selenium in the sensor substrate 38 is transferred along the arrow D direction in the cooling panel 130. Heat is dissipated to the outside. As a result, compared with the prior art, the radiation efficiency of the radiation solid state detector 26 as a whole is improved, it is possible to ensure the uniformity of the temperature distribution of the sensor substrate 38, and the temperature distribution is efficiently reduced. Can be adjusted.

また、冷却パネル130は、センサ基板38の照射面又は背面に配置され且つ矢印D方向に熱伝導特性が指向するカーボンシート250と、カーボンシート250における矢印D方向(矢印D1方向及び矢印D2方向)に沿った端部に連結され且つセンサ基板38からカーボンシート250を介して伝達された熱を外部に放出する放熱部材252とから構成されている。これにより、冷却パネル130がカーボンシート250と放熱部材252との簡単な構成になると共に、温度コントローラ133から何らエネルギー供給を受けることなくセンサ基板38の熱を放熱するので、センサ基板38の温度分布の均一性の確保及び温度分布の調整を効率よく行うことが可能になると共に、放射線固体検出器26の省エネルギー化も実現することができる。   In addition, the cooling panel 130 is disposed on the irradiation surface or back surface of the sensor substrate 38 and has a carbon sheet 250 whose heat conduction characteristics are directed in the direction of arrow D, and an arrow D direction in the carbon sheet 250 (arrow D1 direction and arrow D2 direction). And a heat radiating member 252 that releases heat transferred from the sensor substrate 38 via the carbon sheet 250 to the outside. Accordingly, the cooling panel 130 has a simple configuration of the carbon sheet 250 and the heat radiating member 252, and the heat of the sensor substrate 38 is radiated without receiving any energy supply from the temperature controller 133. As a result, it is possible to efficiently ensure the uniformity and to adjust the temperature distribution, and to realize energy saving of the radiation solid state detector 26.

さらに、カーボンシート250は、矢印D方向に沿って延在する複数のカーボンナノチューブ262から構成され、放熱部材252は、各カーボンナノチューブ262の矢印D1方向及び矢印D2方向に沿った各先端部に連結されているので、センサ基板38からカーボンナノチューブ262に伝達される熱を確実に且つ効率よく放熱部材252から外部に放熱することができる。   Further, the carbon sheet 250 is composed of a plurality of carbon nanotubes 262 extending along the arrow D direction, and the heat radiating member 252 is connected to each tip portion of each carbon nanotube 262 along the arrow D1 direction and the arrow D2 direction. Therefore, the heat transferred from the sensor substrate 38 to the carbon nanotube 262 can be reliably and efficiently radiated from the heat radiation member 252 to the outside.

さらにまた、センサ基板38の照射面又は背面が平面視で長方形状である場合に、各カーボンナノチューブ262は、前記照射面又は前記背面の短手方向である矢印D方向に沿って延在し、さらには、該矢印D方向と直交する方向(センサ基板38の長手方向)に沿って放熱部材252が配置されているので、センサ基板38からカーボンナノチューブ262に伝達された熱の放出面積が格段に大きくなると共に、熱伝導距離が短くなって、放熱部材252から外部に前記熱を一層効率よく放熱することができる。   Furthermore, when the irradiation surface or back surface of the sensor substrate 38 is rectangular in plan view, each carbon nanotube 262 extends along the arrow D direction which is the short direction of the irradiation surface or the back surface, Furthermore, since the heat radiating member 252 is disposed along the direction orthogonal to the arrow D direction (longitudinal direction of the sensor substrate 38), the discharge area of the heat transferred from the sensor substrate 38 to the carbon nanotube 262 is remarkably increased. As the distance increases, the heat conduction distance becomes shorter, and the heat can be radiated from the heat radiating member 252 to the outside more efficiently.

さらにまた、温調制御手段135の温度センサ138は、アモルファスセレンの温度に応じたセンサ基板38の温度を検出し、温度コントローラ133は、検出されたセンサ基板38の温度が前記アモルファスセレンの温度範囲の上限値に応じたセンサ基板38の所定の上限温度を上回るか否かを判定し、上回ると判定した際に、センサ基板38の温度(の示す前記アモルファスセレンの温度)が前記上限温度(の示す前記温度範囲の上限値)まで低下するように、ファン140を駆動する。ファン140は、センサ基板38からカーボンシート250を介して放熱部材252に伝達された熱の冷却パネル130外への放熱が促進されるように、放熱部材252に対する送風を行う。これにより、センサ基板38を効率よく冷却することができる。   Furthermore, the temperature sensor 138 of the temperature control means 135 detects the temperature of the sensor substrate 38 according to the temperature of amorphous selenium, and the temperature controller 133 detects the temperature of the detected sensor substrate 38 within the temperature range of the amorphous selenium. It is determined whether or not a predetermined upper limit temperature of the sensor substrate 38 corresponding to the upper limit value of the sensor substrate 38 is exceeded, and when it is determined that the temperature exceeds the predetermined upper limit temperature, the temperature of the sensor substrate 38 (the temperature of the amorphous selenium indicated) is The fan 140 is driven so as to decrease to an upper limit value of the temperature range shown). The fan 140 blows air to the heat radiating member 252 so that heat radiated from the sensor substrate 38 to the heat radiating member 252 through the carbon sheet 250 is promoted to the outside of the cooling panel 130. Thereby, the sensor substrate 38 can be efficiently cooled.

さらにまた、センサ基板38の照射面に冷却パネル130が配置される場合に、当該冷却パネル130を放射線Xを透過可能に構成することで、センサ基板38への放射線Xの照射に関わりなく、センサ基板38を冷却することが可能となる。   Furthermore, when the cooling panel 130 is arranged on the irradiation surface of the sensor substrate 38, the cooling panel 130 is configured to be able to transmit the radiation X, so that the sensor substrate 38 can be irradiated regardless of the irradiation of the radiation X. The substrate 38 can be cooled.

図7は、本実施形態に係る画像撮影システム20を、乳癌検診等に利用されるマンモグラフィ装置170に適用した場合の斜視説明図である。   FIG. 7 is an explanatory perspective view when the image capturing system 20 according to the present embodiment is applied to a mammography apparatus 170 used for breast cancer screening or the like.

マンモグラフィ装置170は、立設状態に設置される基台172と、基台172の略中央部に配設された旋回軸174に固定されるアーム部材176と、被写体22の撮影部位である乳房179(図8参照)に対して放射線Xを照射する図示しない放射線源を収納し且つアーム部材176の一端部に固定される放射線源収納部180と、該放射線源収納部180に対向配置され且つアーム部材176の他端部に固定される撮影台182と、撮影台182に対して乳房179を押圧して保持する圧迫板184とを備える。   The mammography apparatus 170 includes a base 172 installed in an upright state, an arm member 176 fixed to a turning shaft 174 disposed at a substantially central portion of the base 172, and a breast 179 that is an imaging region of the subject 22. A radiation source storage unit 180 that stores a radiation source (not shown) that irradiates radiation X with respect to (see FIG. 8) and is fixed to one end of an arm member 176, and an arm that is disposed opposite to the radiation source storage unit 180 An imaging table 182 fixed to the other end of the member 176 and a compression plate 184 that presses and holds the breast 179 against the imaging table 182 are provided.

放射線源収納部180及び撮影台182が固定されたアーム部材176は、旋回軸174を中心として矢印A方向に旋回することで、被写体22の乳房179に対する撮影方向が調整可能に構成される。圧迫板184は、アーム部材176に連結された状態で放射線源収納部180及び撮影台182間に配設されており、矢印B方向に変位可能に構成される。   The arm member 176 to which the radiation source storage unit 180 and the imaging stand 182 are fixed is configured to be adjustable in the imaging direction with respect to the breast 179 of the subject 22 by rotating in the direction of arrow A about the rotation axis 174. The compression plate 184 is disposed between the radiation source storage unit 180 and the imaging table 182 while being connected to the arm member 176, and is configured to be displaceable in the arrow B direction.

また、基台172には、マンモグラフィ装置170によって検出された被写体22の撮影部位、撮影方向等の撮影情報、被写体22のID情報等を表示すると共に、必要に応じてこれらの情報を設定可能な表示操作部186が配設される。従って、表示操作部186は、前述したコンソール30及び表示装置34(図1参照)の一部機能を有する。   In addition, on the base 172, the imaging part of the subject 22 detected by the mammography apparatus 170, imaging information such as the imaging direction, ID information of the subject 22, and the like can be displayed, and these information can be set as necessary. A display operation unit 186 is provided. Therefore, the display operation unit 186 has some functions of the console 30 and the display device 34 (see FIG. 1) described above.

図8は、マンモグラフィ装置170における撮影台182の内部構成を示す要部説明図であり、撮影台182及び圧迫板184間に被写体22の撮影部位である乳房(マンモ)179を配置した状態を示す。   FIG. 8 is a main part explanatory diagram showing an internal configuration of the imaging stand 182 in the mammography apparatus 170, and shows a state in which a breast (mammo) 179 that is an imaging region of the subject 22 is arranged between the imaging stand 182 and the compression plate 184. .

撮影台182の内部には、放射線源収納部180に内蔵された前記放射線源から出力された放射線Xに基づいて撮影された放射線画像情報を蓄積し、電気信号(画像信号)として出力する放射線固体検出器26が収納されている。なお、図8では、センサ基板38の照射面側に冷却パネル130を配置した場合を図示している。また、放熱部材252での放熱の被写体22への影響を回避するために、該放熱部材252は、被写体22側まで延在しないように配置されている。   In the imaging table 182, radiation image information captured based on the radiation X output from the radiation source built in the radiation source storage unit 180 is accumulated, and the radiation solid is output as an electrical signal (image signal). The detector 26 is accommodated. FIG. 8 illustrates a case where the cooling panel 130 is disposed on the irradiation surface side of the sensor substrate 38. Further, in order to avoid the influence of the heat radiation on the subject 22 by the heat radiation member 252, the heat radiation member 252 is arranged so as not to extend to the subject 22 side.

なお、図7及び図8のマンモグラフィ装置170では、センサ基板38の照射側に冷却パネル130を配置した場合について説明したが、センサ基板38の背面側に冷却パネル130を配置した場合であってもよい。   7 and 8, the case where the cooling panel 130 is disposed on the irradiation side of the sensor substrate 38 has been described. However, even when the cooling panel 130 is disposed on the back side of the sensor substrate 38, the mammography apparatus 170 illustrated in FIGS. Good.

上記のマンモグラフィ装置170においても、センサ基板38の表面に冷却パネル130が配置された放射線固体検出器26を撮影台182の内部に収納することにより、上述した本実施形態の効果が得られる。   Also in the mammography apparatus 170 described above, the effects of the present embodiment described above can be obtained by housing the radiation solid detector 26 in which the cooling panel 130 is disposed on the surface of the sensor substrate 38 in the imaging table 182.

図9は、図5に示すTFT52を用いた放射線固体検出器26に代えて、放射線画像情報を静電潜像として蓄積し、読取光Lを照射することで静電潜像が電荷情報として読み出されるセンサ基板200を用いた放射線固体検出器190の構成を示す。   In FIG. 9, instead of the radiation solid state detector 26 using the TFT 52 shown in FIG. 5, the radiation image information is stored as an electrostatic latent image, and the electrostatic latent image is read out as charge information by irradiating the reading light L. The structure of the radiation solid state detector 190 using the sensor board | substrate 200 to be shown is shown.

センサ基板200は、放射線Xが照射される側(照射面側)から順に、放射線Xに対して透過性を有する第1電極層204と、放射線Xが照射されることで導電性を呈する記録用光導電層206と、潜像電荷に対しては略絶縁体として作用する一方、潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対して略導電体として作用する電荷輸送層208と、読取光源部210から読取光Lが照射されることで導電性を呈する読取用光導電層212と、読取光Lに対して透過性を有する第2電極層214とが配設されて構成される。   The sensor substrate 200 has a first electrode layer 204 that is transparent to the radiation X in order from the side irradiated with the radiation X (irradiation surface side), and recording that exhibits conductivity when irradiated with the radiation X. From the reading light source unit 210, the photoconductive layer 206 acts as a substantially insulator for the latent image charge, while acting as a substantially conductive material for the transport charge having the opposite polarity to the latent image charge. A reading photoconductive layer 212 that exhibits conductivity when irradiated with the reading light L and a second electrode layer 214 that is transmissive to the reading light L are provided.

記録用光導電層206と電荷輸送層208との界面には、記録用光導電層206で発生した電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部216が形成される。第2電極層214は、読取光源部210が延在する方向と直交する方向(矢印C方向)に延在する多数の線状電極218を有する。第1電極層204及び第2電極層214を構成する線状電極218には、蓄電部216に蓄積された潜像電荷に係る電荷情報を読み出す信号読出回路220が接続される。   At the interface between the recording photoconductive layer 206 and the charge transport layer 208, a power storage unit 216 that accumulates the charges generated in the recording photoconductive layer 206 as latent image charges is formed. The second electrode layer 214 has a number of linear electrodes 218 extending in a direction (arrow C direction) orthogonal to the direction in which the reading light source unit 210 extends. A signal readout circuit 220 that reads out charge information related to the latent image charge accumulated in the power storage unit 216 is connected to the linear electrodes 218 constituting the first electrode layer 204 and the second electrode layer 214.

信号読出回路220は、センサ基板200の第1電極層204及び第2電極層214間に所定の電圧を印加する電源222及びスイッチ224と、第2電極層214の各線状電極218に接続され、潜像電荷としての放射線画像情報を電流として検出する電流検出アンプ226と、抵抗器230と、各電流検出アンプ226からの出力を順次切り替えるマルチプレクサ234と、マルチプレクサ234から出力される画像信号であるアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器236とを備える。なお、電流検出アンプ226は、オペアンプ238、積分コンデンサ240及びスイッチ242から構成される。   The signal readout circuit 220 is connected to a power source 222 and a switch 224 that apply a predetermined voltage between the first electrode layer 204 and the second electrode layer 214 of the sensor substrate 200, and each linear electrode 218 of the second electrode layer 214. A current detection amplifier 226 that detects radiation image information as a latent image charge as a current, a resistor 230, a multiplexer 234 that sequentially switches the output from each current detection amplifier 226, and an analog that is an image signal output from the multiplexer 234 And an A / D converter 236 for converting the signal into a digital signal. The current detection amplifier 226 includes an operational amplifier 238, an integration capacitor 240, and a switch 242.

なお、図9では、センサ基板200の照射面側に冷却パネル130を配置した場合について図示しているが、背面側に冷却パネル130を配置してもよい。   Although FIG. 9 illustrates the case where the cooling panel 130 is disposed on the irradiation surface side of the sensor substrate 200, the cooling panel 130 may be disposed on the back side.

以上のように構成されるセンサ基板200は、スイッチ224を電源222側に接続させ、第1電極層204及び第2電極層214間に所定の電圧を印加させた状態で放射線Xを被写体22(図1参照)に照射する。被写体22を透過した放射線Xは、第1電極層204を介して記録用光導電層206に照射される。このとき、記録用光導電層206は、導電性を呈して電荷対が生成される。生成された電荷対のうち、正電荷は、電源222から第1電極層204に供給される負電荷と結合して消滅する。一方、記録用光導電層206で生成された負電荷は、電荷輸送層208に向かって移動する。電荷輸送層208は、負電荷に対して略絶縁体として作用するため、記録用光導電層206と電荷輸送層208との界面である蓄電部216に静電潜像として負電荷が蓄積される。   In the sensor substrate 200 configured as described above, the switch 224 is connected to the power source 222 side, and the radiation X is applied to the subject 22 (with the predetermined voltage applied between the first electrode layer 204 and the second electrode layer 214. (See FIG. 1). The radiation X transmitted through the subject 22 is applied to the recording photoconductive layer 206 through the first electrode layer 204. At this time, the recording photoconductive layer 206 exhibits conductivity and generates charge pairs. Of the generated charge pair, the positive charge is combined with the negative charge supplied from the power source 222 to the first electrode layer 204 and disappears. On the other hand, the negative charge generated in the recording photoconductive layer 206 moves toward the charge transport layer 208. Since the charge transport layer 208 acts as a substantially insulator against negative charges, negative charges are accumulated as an electrostatic latent image in the power storage unit 216 that is an interface between the recording photoconductive layer 206 and the charge transport layer 208. .

センサ基板200に静電潜像が記録された後、信号読出回路220により放射線画像情報の読み出しを行う。この場合、スイッチ224を介して、電流検出アンプ226を構成するオペアンプ238の非反転端子とセンサ基板200の第1電極層204とを接続する。   After the electrostatic latent image is recorded on the sensor substrate 200, the radiographic image information is read out by the signal reading circuit 220. In this case, the non-inverting terminal of the operational amplifier 238 constituting the current detection amplifier 226 is connected to the first electrode layer 204 of the sensor substrate 200 via the switch 224.

読取光源部210を副走査方向(矢印C方向)に移動させながら読取光Lを読取用光導電層212に照射させると共に、電流検出アンプ226のスイッチ242を副走査方向の所定の画素ピッチに従ってオンオフ制御させることにより、静電潜像に係る電荷情報である放射線画像情報の読み出しを行う。   While the reading light source 210 is moved in the sub-scanning direction (arrow C direction), the reading photoconductive layer 212 is irradiated with the reading light L, and the switch 242 of the current detection amplifier 226 is turned on / off according to a predetermined pixel pitch in the sub-scanning direction. By controlling the radiation image information, which is charge information related to the electrostatic latent image, is read out.

読取光Lが第2電極層214を介して読取用光導電層212に照射されると、読取用光導電層212が導電性を呈して電荷対が生成される。生成された電荷対のうち、正電荷は、該正電荷に対して略導電体として作用する電荷輸送層208を介して蓄電部216に到達し、蓄電部216に蓄積されている静電潜像を構成する負電荷と結合して消滅する。一方、読取用光導電層212の負電荷は、第2電極層214を構成する線状電極218の正電荷と再結合して消滅する。このとき、電荷の消滅に伴って線状電極218に電流が発生し、この電流が放射線画像情報に係る電荷情報として信号読出回路220によって読み出される。   When the reading light L is irradiated to the reading photoconductive layer 212 through the second electrode layer 214, the reading photoconductive layer 212 exhibits conductivity and a charge pair is generated. Among the generated charge pairs, the positive charge reaches the power storage unit 216 via the charge transport layer 208 that acts as a conductor for the positive charge, and is stored in the power storage unit 216. It disappears in combination with the negative charge that constitutes. On the other hand, the negative charge of the reading photoconductive layer 212 is recombined with the positive charge of the linear electrode 218 constituting the second electrode layer 214 and disappears. At this time, a current is generated in the linear electrode 218 along with the disappearance of the charge, and this current is read by the signal readout circuit 220 as the charge information related to the radiation image information.

各線状電極218で発生した電流は、電流検出アンプ226によって積分され、電圧信号としてマルチプレクサ234に供給される。マルチプレクサ234は、電流検出アンプ226を線状電極218の配列方向である主走査方向に順次切り替え、電圧信号をA/D変換器236に供給する。A/D変換器236は、供給されたアナログの電圧信号である画像信号をデジタル信号に変換し、放射線画像情報として画像処理装置32に出力する。なお、副走査方向に対する1画素分の放射線画像情報が読み出された時点で電流検出アンプ226のスイッチ242がオンとされ、積分コンデンサ240に蓄積されていた電荷が放電される。読取光源部210を矢印C方向に移動させながら、以上の動作を繰り返すことにより、センサ基板200に蓄積記録された放射線画像情報が二次元的に読み出されることになる。   The current generated in each linear electrode 218 is integrated by the current detection amplifier 226 and supplied to the multiplexer 234 as a voltage signal. The multiplexer 234 sequentially switches the current detection amplifier 226 in the main scanning direction that is the arrangement direction of the linear electrodes 218, and supplies a voltage signal to the A / D converter 236. The A / D converter 236 converts the supplied image signal, which is an analog voltage signal, into a digital signal and outputs the digital signal to the image processing device 32 as radiation image information. Note that when the radiation image information for one pixel in the sub-scanning direction is read, the switch 242 of the current detection amplifier 226 is turned on, and the charge accumulated in the integration capacitor 240 is discharged. The radiation image information accumulated and recorded on the sensor substrate 200 is read two-dimensionally by repeating the above operation while moving the reading light source unit 210 in the direction of arrow C.

上記の放射線固体検出器190を備える画像撮影システム20においても、センサ基板38の表面に冷却パネル130が配置されているので、上述した本実施形態の効果が得られる。   Also in the image capturing system 20 including the radiation solid detector 190 described above, the cooling panel 130 is disposed on the surface of the sensor substrate 38, so that the effects of the present embodiment described above can be obtained.

なお、本実施形態に係る画像撮影システム20は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の構成に自由に変更できることは勿論である。   Of course, the image capturing system 20 according to the present embodiment is not limited to the above-described embodiment, and can be freely changed to various configurations.

例えば、照射された放射線Xを直接電荷情報に変換する放射線固体検出器26、190に代えて、シンチレータによって放射線Xを一旦可視光に変換し、その可視光を電荷情報に変換する構成からなる放射線検出器を利用することもできる。   For example, instead of the radiation solid detectors 26 and 190 that directly convert the irradiated radiation X into charge information, the radiation X is converted into visible light once by a scintillator, and the visible light is converted into charge information. A detector can also be used.

また、各画素50への放射線画像情報の記録時や、放射線画像情報の読み出し時に、ファン140の駆動が前記放射線画像情報に対するノイズとして重畳して、該放射線画像情報の画質を低下させることが懸念される。このような問題に対しては、前記記録時及び/又は前記読み出し時には、温調制御手段135の動作を停止させてセンサ基板38の冷却を停止し、一方で、前記記録時及び/又は読み出し時以外の時間帯には、温調制御手段135を動作させて、センサ基板38の冷却を行うようにしてもよい。   Further, at the time of recording radiation image information to each pixel 50 or reading out radiation image information, there is a concern that the driving of the fan 140 may be superimposed as noise on the radiation image information to deteriorate the image quality of the radiation image information. Is done. For such a problem, at the time of recording and / or at the time of reading, the operation of the temperature control means 135 is stopped to stop cooling the sensor substrate 38, while at the time of recording and / or at the time of reading. In other time zones, the temperature control means 135 may be operated to cool the sensor substrate 38.

さらに、ファン140による放熱部材252の冷却に代えて、例えば、ヒートパイプ、熱伝導性ゲル又は水冷により放熱部材252を冷却してもよい。   Furthermore, instead of cooling the heat dissipation member 252 by the fan 140, the heat dissipation member 252 may be cooled by, for example, a heat pipe, a heat conductive gel, or water cooling.

なお、本発明に係る画像検出器及び画像撮影システムは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。   Of course, the image detector and the image capturing system according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

20…画像撮影システム
22…被写体
24…放射線発生装置
26、190…放射線固体検出器
38、200…センサ基板
42…読出用IC
44…ゲート線駆動回路
46、220…信号読出回路
48…タイミング制御回路
50…画素
51…光電変換層
130…冷却パネル
133…温度コントローラ
135…温調制御手段
138…温度センサ
140…ファン
170…マンモグラフィ装置
179…乳房
182…撮影台
250…カーボンシート
252…放熱部材
260…細孔
262…カーボンナノチューブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Imaging system 22 ... Subject 24 ... Radiation generator 26, 190 ... Radiation solid state detector 38, 200 ... Sensor substrate 42 ... Reading IC
44 ... gate line driving circuit 46, 220 ... signal readout circuit 48 ... timing control circuit 50 ... pixel 51 ... photoelectric conversion layer 130 ... cooling panel 133 ... temperature controller 135 ... temperature control means 138 ... temperature sensor 140 ... fan 170 ... mammography Device 179 ... Breast 182 ... Imaging stand 250 ... Carbon sheet 252 ... Heat radiation member 260 ... Fine pore 262 ... Carbon nanotube

Claims (12)

所定の画像を記録し、記録した前記画像を画像情報として出力する画像検出部と、
前記画像検出部の表面に配置され且つ前記画像検出部を冷却する冷却パネルと、
を有し、
前記冷却パネルは、前記画像検出部の熱を伝達する熱伝導特性を有し、さらに前記画像検出部から伝達された熱を外部に放出する放熱部材を備え、
前記熱伝導特性は、前記画像検出部の表面に沿った面方向で且つ前記放熱部材の配設方向に指向していることを特徴とする画像検出器。
An image detection unit for recording a predetermined image and outputting the recorded image as image information;
A cooling panel disposed on a surface of the image detection unit and cooling the image detection unit;
Have
The cooling panel has a heat conduction characteristic for transferring heat of the image detection unit, and further includes a heat dissipation member that releases heat transferred from the image detection unit to the outside.
The image detector according to claim 1, wherein the heat conduction characteristic is oriented in a surface direction along a surface of the image detection unit and in a disposing direction of the heat radiating member.
請求項1記載の画像検出器において、
前記画像検出部の表面のうち、前記冷却パネルが配置される一面は平面視で長方形状であり、前記冷却パネルは、前記一面の短手方向に沿って前記熱伝導特性が指向していることを特徴とする画像検出器。
The image detector according to claim 1.
Of the surface of the image detection unit, one surface on which the cooling panel is disposed is rectangular in plan view, and the cooling panel is oriented in the heat conduction characteristic along the short direction of the one surface. An image detector characterized by.
請求項2記載の画像検出器において、
前記冷却パネルは、前記一面に対して長手方向の端部が略一致するとともに、短手方向の端部が前記一面から延出する長方形状であり、
前記放熱部材は、短手方向の端部に連結されることを特徴とする画像検出器。
The image detector according to claim 2.
The cooling panel has a rectangular shape in which the end in the longitudinal direction substantially coincides with the one surface, and the end in the short-side direction extends from the one surface,
The heat radiating member is connected to an end portion in a short direction.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の画像検出器において、
前記冷却パネルは、カーボンを含むカーボンシートであることを特徴とする画像検出器。
In the image detector as described in any one of Claims 1-3,
The image detector, wherein the cooling panel is a carbon sheet containing carbon.
請求項4記載の画像検出器において、
前記冷却パネルは、複数の管状の細孔が配列された構造体が内部に形成されていることを特徴とする画像検出器。
The image detector according to claim 4.
An image detector, wherein the cooling panel has a structure in which a plurality of tubular pores are arranged.
請求項5記載の画像検出器において、
前記細孔は、前記放熱部材に指向して貫通されており、その内部にカーボンナノチューブが配設されていることを特徴とする画像検出器。
The image detector according to claim 5.
The image detector according to claim 1, wherein the pores are penetrated toward the heat radiating member, and carbon nanotubes are disposed therein.
請求項1〜6のいずれか1項に記載の画像検出器において、
前記画像検出部の温度を検出する温度センサと、前記放熱部材に対する送風を行って該放熱部材を冷却する冷却ファンとをさらに有することを特徴とする画像検出器。
The image detector according to any one of claims 1 to 6,
The image detector further comprising: a temperature sensor that detects a temperature of the image detection unit; and a cooling fan that blows air to the heat radiating member to cool the heat radiating member.
請求項1〜7のいずれか1項に記載の画像検出器において、
前記画像検出器は、放射線画像情報検出器であり、
前記画像検出部は、被写体を透過して前記画像検出部の一面に照射された放射線を放射線画像として記録し、記録した前記放射線画像を放射線画像情報として出力し、
前記冷却パネルは、前記放射線の照射面としての前記画像検出部の一面又はその背面に配置され、
前記照射面に前記冷却パネルが配置される場合に、当該冷却パネルは、前記放射線を透過可能に構成されることを特徴とする画像検出器。
In the image detector of any one of Claims 1-7,
The image detector is a radiation image information detector,
The image detection unit records radiation applied to one surface of the image detection unit through a subject as a radiation image, and outputs the recorded radiation image as radiation image information.
The cooling panel is disposed on one surface of the image detection unit as the radiation irradiation surface or on the back surface thereof,
When the cooling panel is disposed on the irradiation surface, the cooling panel is configured to transmit the radiation.
請求項8記載の画像検出器において、
前記放射線画像情報検出器は、前記被写体を透過した前記放射線を電荷情報として蓄積し、蓄積された前記電荷情報を前記放射線画像情報として読み出される放射線固体検出器であることを特徴とする画像検出器。
The image detector according to claim 8.
The radiation image information detector is a radiation solid detector that accumulates the radiation transmitted through the subject as charge information and reads the accumulated charge information as the radiation image information. .
請求項9記載の画像検出器において、
前記放射線固体検出器は、蓄積された前記電荷情報が読取光を照射されることで前記放射線画像情報として読み出される光読出方式の検出器であることを特徴とする画像検出器。
The image detector according to claim 9.
The radiation solid-state detector is an optical readout type detector in which the accumulated charge information is read out as radiation image information when irradiated with readout light.
請求項1〜10のいずれか1項に記載の画像検出器と、前記画像検出器を制御する制御装置とを有する画像撮影システム。   An image photographing system comprising: the image detector according to claim 1; and a control device that controls the image detector. 請求項11記載の画像撮影システムにおいて、
放射線を発生させて被写体に照射する放射線発生装置をさらに有し、
前記画像検出器は、前記被写体を透過した前記放射線を放射線画像として記録し、記録した前記放射線画像を放射線画像情報として外部に出力し、
前記制御装置は、前記放射線発生装置及び前記画像検出器を制御することを特徴とする画像撮影システム。
The image capturing system according to claim 11,
A radiation generator for generating radiation and irradiating the subject;
The image detector records the radiation transmitted through the subject as a radiation image, and outputs the recorded radiation image to the outside as radiation image information,
The image capturing system, wherein the control device controls the radiation generating device and the image detector.
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