JP2011210881A - Silicon carbonitride film, and method of film-depositing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、炭窒化珪素膜及び炭窒化珪素膜の成膜方法に関する。 The present invention relates to a silicon carbonitride film and a method for forming a silicon carbonitride film.
近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、配線層が微細化されてきているが、微細な配線層を用いると、配線層における信号遅延の影響が大きくなり、信号伝達速度の高速化を妨げるという問題が指摘されている。この信号遅延は、配線層の抵抗に影響を受けることから、信号遅延を低減するために配線層の低抵抗化が求められている。 In recent years, the wiring layer has been miniaturized along with the high integration of LSI, but if a fine wiring layer is used, the influence of signal delay in the wiring layer becomes large, and the increase in signal transmission speed is hindered. Has been pointed out. Since this signal delay is affected by the resistance of the wiring layer, it is required to reduce the resistance of the wiring layer in order to reduce the signal delay.
そのため、最近では配線層を構成する材料として、従来のアルミニウムから抵抗率の低い銅が用いられている。
そして、配線間には、隣接する銅配線を分離するとともに、配線層を構成する銅原子の拡散を抑制する層間絶縁膜（バリア膜ともいう）が形成されている。
Therefore, copper having a lower resistivity than conventional aluminum is recently used as a material constituting the wiring layer.
An interlayer insulating film (also referred to as a barrier film) that separates adjacent copper wirings and suppresses diffusion of copper atoms constituting the wiring layer is formed between the wirings.
このような層間絶縁膜として、従来用いられてきた炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜は、窒素量が２５〜４０％程度含有されており、比誘電率は小さいもので４．４程度であった（非特許文献１参照） As such an interlayer insulating film, a silicon carbonitride (SiCN) film conventionally used contains about 25 to 40% of nitrogen and has a small relative dielectric constant of about 4.4 ( (See Non-Patent Document 1)
しかしながら、近年、バルク膜の誘電率が２．５未満まで低誘電率化したことにともない、層間絶縁膜である炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜も低誘電率化（ｋ＜４．５）が求められている。 However, in recent years, as the dielectric constant of the bulk film is lowered to less than 2.5, the silicon carbonitride (SiCN) film, which is an interlayer insulating film, is also required to have a reduced dielectric constant (k <4.5). It has been.
ところで、炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜は、トリメチルシランもしくはテトラメチルシランとアンモニア、ヘリウムなどを原料ガスとして用いて、プラズマＣＶＤ法によって成膜されてきた。
そして、炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を低誘電率化するために、炭化水素を添加して炭素量を増やす、窒素源となる原料を減らす、などにより膜中の窒素量を減らす試みがなされている。（非特許文献２ないし非特許文献４参照）。
By the way, a silicon carbonitride (SiCN) film has been formed by plasma CVD using trimethylsilane or tetramethylsilane and ammonia, helium, or the like as source gases.
In order to reduce the dielectric constant of the silicon carbonitride (SiCN) film, attempts have been made to reduce the amount of nitrogen in the film by adding hydrocarbons to increase the amount of carbon, reducing the amount of raw material that becomes a nitrogen source, etc. Yes. (See Non-Patent
しかしながら、炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）には、膜中の窒素量によっては、加水分解や酸化が生じ、膜が劣化するという不都合がある。そして、炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜が劣化した結果、ＳｉＯＣＨ膜に変質し、バリア性を失ってしまうという問題がある。
また、炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜にＵＶ照射を下場合にアミンが脱離し、配線形成プロセス（ＢＥＯＬ）の過程で上層のフォトレジストなどを劣化させるという不都合もある。
However, silicon carbonitride (SiCN) has the disadvantage that the film deteriorates due to hydrolysis and oxidation depending on the amount of nitrogen in the film. As a result of the deterioration of the silicon carbonitride (SiCN) film, there is a problem that the film is transformed into a SiOCH film and the barrier property is lost.
In addition, when UV irradiation is performed on the silicon carbonitride (SiCN) film, amine is desorbed, and the upper layer photoresist or the like is deteriorated in the course of the wiring formation process (BEOL).
このような背景の下、加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜が要望されていたが、有効適切なものが提供されていないのが実情であった。 Under such circumstances, there has been a demand for a silicon carbonitride (SiCN) film having high resistance to hydrolysis and oxidation and having a low dielectric constant. However, in reality, an effective and appropriate one has not been provided. It was.
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスと、からなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜である。
In order to solve the above problems, the invention according to
請求項２に係る発明は、前記炭窒化珪素膜の窒素の元素組成比が２０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の炭窒化珪素膜である。
The invention according to
請求項３に係る発明は、前記炭窒化珪素膜の窒素の元素組成比が３０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の炭窒化珪素膜である。
The invention according to
請求項４に係る発明は、前記炭窒化珪素膜の比誘電率が４．５未満であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の炭窒化珪素膜である。
The invention according to
請求項５に係る発明は、前記炭窒化珪素膜の空気雰囲気下における比誘電率の変化の割合が、２％／５日以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の炭窒化珪素膜である。
The invention according to
請求項６に係る発明は、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｃ結合として存在している窒素原子とＣ−Ｎ−Ｃ結合として存在している窒素原子の合計量よりも多いことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の炭窒化珪素膜である。
According to a sixth aspect of the present invention, the amount of nitrogen atoms existing as Si—N—Si bonds in the nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film is such that the nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film are Si—N. 6. The amount according to
請求項７に係る発明は、珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスと、からなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜する炭窒化珪素膜の成膜方法であって、前記原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜する際に、０．１５Ｗ／ｃｍ３以上のパワー密度を印加し、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量を、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上とすることを特徴とする炭窒化珪素膜の成膜方法である。 According to a seventh aspect of the present invention, a film is formed by a plasma CVD method using a source gas composed of a first gas composed of precursor molecules containing silicon, carbon and hydrogen and a second gas containing nitrogen. The silicon carbonitride film is formed by applying a power density of 0.15 W / cm 3 or more when forming the film by plasma CVD using the source gas. The amount of nitrogen atoms present as Si—N—Si bonds in the nitrogen atoms to be formed is 7% or more of the total amount of nitrogen atoms in the silicon carbonitride film. It is a membrane method.
請求項８に係る発明は、前記第２のガスの流量を、前記原料ガスの流量の８０％以下にして成膜することを特徴とする請求項７に記載の炭窒化珪素膜の成膜方法である。
The invention according to
請求項９に係る発明は、前記第２のガスの流量を、前記原料ガスの流量の９８％以上にして成膜することを特徴とする請求項７に記載の炭窒化珪素膜の成膜方法である。
The invention according to
請求項１０に係る発明は、前記第２のガスが、窒素、アンモニア、メチルアミンまたはジメチルヒドラジンのうちのいずれかであることを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の炭窒化珪素膜の成膜方法である。
The invention according to
本発明によれば、加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素膜を提供することができる。 According to the present invention, a silicon carbonitride film having high resistance to hydrolysis and oxidation and having a low dielectric constant can be provided.
［第１の実施形態］
以下、本発明を適用した第１の実施形態である炭窒化珪素膜及び炭窒化珪素膜の成膜方法について説明する。
[First Embodiment]
Hereinafter, a silicon carbonitride film and a method for forming a silicon carbonitride film according to a first embodiment to which the present invention is applied will be described.
＜炭窒化珪素膜＞
まず、炭窒化珪素膜について説明する。本実施形態の炭窒化珪素膜は、珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法によって成膜された膜である。
<Silicon carbonitride film>
First, the silicon carbonitride film will be described. The silicon carbonitride film of this embodiment is formed by a plasma CVD method using a source gas composed of a first gas composed of precursor molecules containing silicon, carbon, and hydrogen and a second gas containing nitrogen. It is a film formed.
珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスとしては、どのようなものを用いても構わないが、例えば下記の材料を用いることができる。
１−１−ジビニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジアリル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジエチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジビニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−１−プロピニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−２−プロピニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジプロペニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジアリル−１−シラシクロブタン、１−１−ジプロピル−１−シラシクロブタン、１−１−ジイソプロピル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−１−ブチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−２−ブチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−３−ブチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−１−ブテニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−２−ブテニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−３−ブテニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジシクロブチル−１−シラシクロブタン、１−１−ジブチル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−ｓ−ブチル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−ｔ−ブチル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−１−ペンチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−２−ペンチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−３−ペンチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−１−ペンテニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−２−ペンテニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−３−ペンテニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−４−ペンテニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジシクロペンチル−１−シラシクロブタン、１−１−ジペンチル−１−シラシクロブタン、１−１−ジ−ｔ−ペンチル−１−シラシクロブタン、１−１−ジエチニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジビニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−１−プロピニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−２−プロピニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジプロペニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジアリル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジプロピル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジイソプロピル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−１−ブチニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−２−ブチニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−３−ブチニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−１−ブテニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−２−ブテニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−３−ブテニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジシクロブチル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジブチル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−ｓ−ブチル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−ｔ−ブチル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−１−ペンチニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−２−ペンチニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−３−ペンチニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−１−ペンテニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−２−ペンテニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−３−ペンテニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−４−ペンテニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジシクロペンチル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジペンチル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジ−ｔ−ペンチル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジエチニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジビニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−１−プロピニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−２−プロピニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジプロペニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジアリル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジプロピル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジイソプロピル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−１−ブチニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−２−ブチニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−３−ブチニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−１−ブテニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−２−ブテニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−３−ブテニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジシクロブチル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジブチル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−ｓ−ブチル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−ｔ−ブチル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−１−ペンチニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−２−ペンチニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−３−ペンチニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−１−ペンテニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−２−ペンテニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−３−ペンテニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−４−ペンテニル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジシクロペンチル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジペンチル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジ−ｔ−ペンチル−１−シラシクロヘキサン、１−１−ジエチニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジビニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−１−プロピニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−２−プロピニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジプロペニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジアリル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジプロピル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジイソプロピル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−１−ブチニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−２−ブチニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−３−ブチニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−１−ブテニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−２−ブテニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−３−ブテニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジシクロブチル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジブチル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−ｓ−ブチル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−ｔ−ブチル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−１−ペンチニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−２−ペンチニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−３−ペンチニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−１−ペンテニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−２−ペンテニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−３−ペンテニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−４−ペンテニル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジシクロペンチル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジペンチル−１−シラシクロヘプタン、１−１−ジ−ｔ−ペンチル−１−シラシクロヘプタン、イソブチルトリメチルシラン、ジイソブチルジメチルシラン、トリイソブチルメチルシラン、トリイソブチルシラン、５−シラスピロ［４，４］ノナン、５−シラスピロ［４，３］オクタン、６−シラスピロ［５，４］デカンなどである。
Although what kind of thing may be used as the 1st gas which consists of precursor molecules containing silicon, carbon, and hydrogen, for example, the following materials can be used.
1-1-divinyl-1-silacyclopentane, 1-1-diallyl-1-silacyclopentane, 1-1-diethynyl-1-silacyclobutane, 1-1-divinyl-1-silacyclobutane, 1-1 Di-1-propynyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-2-propynyl-1-silacyclobutane, 1-1-dipropenyl-1-silacyclobutane, 1-1-diallyl-1-silacyclobutane, 1- 1-dipropyl-1-silacyclobutane, 1-1-diisopropyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-1-butynyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-2-butynyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-3-butynyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-1-butenyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-2-butenyl-1-silacy Lobutane, 1-1-di-3-butenyl-1-silacyclobutane, 1-1-dicyclobutyl-1-silacyclobutane, 1-1-dibutyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-s-butyl-1 -Silacyclobutane, 1-1-di-t-butyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-1-pentynyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-2-pentynyl-1-silacyclobutane, -1-di-3-pentynyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-1-pentenyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-2-pentenyl-1-silacyclobutane, 1-1-di- 3-pentenyl-1-silacyclobutane, 1-1-di-4-pentenyl-1-silacyclobutane, 1-1-dicyclopentyl-1-silacyclobutane, 1-1-dipentyl-1-shirashi Lobutane, 1-1-di-t-pentyl-1-silacyclobutane, 1-1-diethynyl-1-silacyclopentane, 1-1-divinyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-1-propynyl -1-silacyclopentane, 1-1-di-2-propynyl-1-silacyclopentane, 1-1-dipropenyl-1-silacyclopentane, 1-1-diallyl-1-silacyclopentane, 1-1 -Dipropyl-1-silacyclopentane, 1-1-diisopropyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-1-butynyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-2-butynyl-1-sila Cyclopentane, 1-1-di-3-butynyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-1-butenyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-2-butenyl-1-silacyclic Lopentane, 1-1-di-3-butenyl-1-silacyclopentane, 1-1-dicyclobutyl-1-silacyclopentane, 1-1-dibutyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-s- Butyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-t-butyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-1-pentynyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-2-pentynyl- 1-silacyclopentane, 1-1-di-3-pentynyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-1-pentenyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-2-pentenyl-1- Silacyclopentane, 1-1-di-3-pentenyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-4-pentenyl-1-silacyclopentane, 1-1-dicyclopentyl-1-silacyclopentane, 1 − -Dipentyl-1-silacyclopentane, 1-1-di-t-pentyl-1-silacyclopentane, 1-1-diethynyl-1-silacyclohexane, 1-1-divinyl-1-silacyclohexane, 1-1 -Di-1-propynyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-2-propynyl-1-silacyclohexane, 1-1-dipropenyl-1-silacyclohexane, 1-1-diallyl-1-silacyclohexane, -1-dipropyl-1-silacyclohexane, 1-1-diisopropyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-1-butynyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-2-butynyl-1-silacyclohexane 1-1-di-3-butynyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-1-butenyl-1-silacyclohexane, 1-1 Di-2-butenyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-3-butenyl-1-silacyclohexane, 1-1-dicyclobutyl-1-silacyclohexane, 1-1-dibutyl-1-silacyclohexane, 1- 1-di-s-butyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-t-butyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-1-pentynyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-2 -Pentynyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-3-pentynyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-1-pentenyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-2-pentenyl-1- Silacyclohexane, 1-1-di-3-pentenyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-4-pentenyl-1-silacyclohexane, 1-1-dicyclopentyl -1-silacyclohexane, 1-1-dipentyl-1-silacyclohexane, 1-1-di-t-pentyl-1-silacyclohexane, 1-1-diethynyl-1-silacycloheptane, 1-1-divinyl- 1-silacycloheptane, 1-1-di-1-propynyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-2-propynyl-1-silacycloheptane, 1-1-dipropenyl-1-silacycloheptane, 1-1-diallyl-1-silacycloheptane, 1-1-dipropyl-1-silacycloheptane, 1-1-diisopropyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-1-butynyl-1-silacyclo Heptane, 1-1-di-2-butynyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-3-butynyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-1-butenyl- -Silacycloheptane, 1-1-di-2-butenyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-3-butenyl-1-silacycloheptane, 1-1-dicyclobutyl-1-silacycloheptane, -1-dibutyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-s-butyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-t-butyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-1 -Pentynyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-2-pentynyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-3-pentynyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-1-pentenyl -1-silacycloheptane, 1-1-di-2-pentenyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-3-pentenyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-4-pentenyl-1 -Silacyclohe Tan, 1-1-dicyclopentyl-1-silacycloheptane, 1-1-dipentyl-1-silacycloheptane, 1-1-di-t-pentyl-1-silacycloheptane, isobutyltrimethylsilane, diisobutyldimethylsilane , Triisobutylmethylsilane, triisobutylsilane, 5-silaspiro [4,4] nonane, 5-silaspiro [4,3] octane, 6-silaspiro [5,4] decane.
上記材料の中では、特にシラシクロ化合物である、１−１−ジビニルシラシクロペンタンや、５−シラスピロ［４，４］ノナン、もしくはイソブチル基を持つ、イソブチルトリメチルシランや、ジイソブチルジメチルシランを用いることが好ましい。
また、第１のガスとしては、上記材料を１種類のみ用いても構わず、また２種類以上を用いても構わない。２種類以上の材料を混合して使用する場合の混合比率も特に限定されず、どのように組み合わせても構わない。
Among the above materials, it is particularly preferable to use silacyclo compounds such as 1-1-divinylsilacyclopentane, 5-silaspiro [4,4] nonane, or isobutyltrimethylsilane or diisobutyldimethylsilane having an isobutyl group. preferable.
Further, as the first gas, only one type of the above materials may be used, or two or more types may be used. The mixing ratio when two or more kinds of materials are mixed and used is not particularly limited, and may be combined in any way.
また、窒素を含有する第２のガスとしては、どのようなものであっても構わないが、窒素、アンモニア、メチルアミンまたはジメチルヒドラジンを用いることが好ましい。これら４つの材料についても、１種類のみを用いても構わず、また２種類以上を用いても構わない。また、この４つの材料以外の材料と組み合わせても構わない。２種類以上の材料を混合して用いる場合の混合比率も特に限定されず、どのように組み合わせても構わない。 The second gas containing nitrogen may be any gas, but nitrogen, ammonia, methylamine or dimethylhydrazine is preferably used. Regarding these four materials, only one type may be used, or two or more types may be used. Moreover, you may combine with materials other than these four materials. The mixing ratio when two or more kinds of materials are mixed and used is not particularly limited, and may be combined in any way.
また、本実施形態の炭窒化珪素膜は、炭窒化珪素膜を構成する窒素原子で、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上になるように構成されており、１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましい。このように炭窒化珪素膜中の窒素原子で、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が多くなることで、加水分解や酸化に対する耐性が高くなる。 Further, the silicon carbonitride film of this embodiment is a nitrogen atom constituting the silicon carbonitride film, and the amount of nitrogen atoms existing as Si-N-Si bonds is the total amount of nitrogen atoms in the silicon carbonitride film. It is comprised so that it may become 7% or more of quantity, It is preferable that it is 10% or more, and it is more preferable that it is 20% or more. Thus, the resistance to hydrolysis and oxidation is increased by increasing the amount of nitrogen atoms present as Si—N—Si bonds among the nitrogen atoms in the silicon carbonitride film.
また、本実施形態の炭窒化珪素膜は、炭窒化珪素膜を構成する窒素原子で、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、Ｓｉ−Ｎ−Ｃ結合として存在している窒素原子とＣ−Ｎ−Ｃ結合として存在している窒素原子の合計量よりも多い構成となっている。このように、炭窒化珪素膜中の窒素原子で、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量を多くし、Ｓｉ−Ｎ−Ｃ結合として存在している窒素原子もしくはＣ−Ｎ−Ｃ結合として存在している窒素原子の量を少なくすることで、加水分解や酸化に対する耐性が高くなる。 Further, the silicon carbonitride film of the present embodiment is a nitrogen atom constituting the silicon carbonitride film, and the amount of nitrogen atoms existing as Si—N—Si bonds exists as Si—N—C bonds. More than the total amount of nitrogen atoms existing as nitrogen atoms and C—N—C bonds. Thus, the amount of nitrogen atoms existing as Si—N—Si bonds in the nitrogen atoms in the silicon carbonitride film is increased, and the nitrogen atoms or C—N existing as Si—N—C bonds are increased. By reducing the amount of nitrogen atoms present as —C bonds, resistance to hydrolysis and oxidation increases.
なお、ここでいう「Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合」とは、概念的な表現であり、窒素原子に二つ以上の珪素が結合している結合状態を表しているに過ぎない。すなわち、実際にはＳｉ−ＮＨ−Ｓｉとして存在しているものも、「Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合」と呼称しているし、ＮにＳｉが三つ結合したＳｉ−Ｎ（−Ｓｉ）−Ｓｉとして存在しているものも、「Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合」と呼称しているし、ダングリングボンドが生じているＳｉ−Ｎ−Ｓｉも、「Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合」として呼称している。また、「Ｓｉ−Ｎ−Ｃ結合」や「Ｃ−Ｎ−Ｃ結合」なども同様である。 Note that the “Si—N—Si bond” herein is a conceptual expression and merely represents a bonded state in which two or more silicon atoms are bonded to a nitrogen atom. That is, what actually exists as Si—NH—Si is also referred to as “Si—N—Si bond”, and Si—N (—Si) —Si in which three Si bonds to N. Are present as “Si—N—Si bonds”, and Si—N—Si in which dangling bonds are generated is also referred to as “Si—N—Si bonds”. . The same applies to “Si—N—C bond” and “C—N—C bond”.
また、本実施形態の炭窒化珪素膜は、窒素の元素組成比が２０％以下に構成されており、１８％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。このように、窒素の元素組成比が小さくなることで、加水分解や酸化に対する耐性が高くなる。 Further, the silicon carbonitride film of the present embodiment has an elemental composition ratio of nitrogen of 20% or less, preferably 18% or less, and more preferably 10% or less. Thus, the resistance to hydrolysis and oxidation is increased by reducing the elemental composition ratio of nitrogen.
また、本実施形態の炭窒化珪素膜は、比誘電率が４．５未満であることが好ましく、４．０未満であることがより好ましく、３．５未満であることが最も好ましい。
また、本実施形態の炭窒化珪素膜の空気雰囲気下での比誘電率の変化の割合が、２％／５日以下となるように構成されている。なお、ここでいう比誘電率の変化の割合とは、成膜直後の比誘電率をｋとし、一定期間後の比誘電率からｋを引いた差をΔｋとした際に、Δｋ／ｋで表される値である。例えば、比誘電率の変化の割合が、２％／５日というのは、成膜直後と比較して、５日後の比誘電率が、２％大きくなっている（劣化している）ことを示す。
Further, the silicon carbonitride film of this embodiment preferably has a relative dielectric constant of less than 4.5, more preferably less than 4.0, and most preferably less than 3.5.
In addition, the change rate of the relative permittivity of the silicon carbonitride film of the present embodiment in the air atmosphere is configured to be 2% / 5 days or less. Note that the ratio of change in relative permittivity here is expressed as Δk / k, where k is the relative permittivity immediately after film formation, and Δk is the difference obtained by subtracting k from the relative permittivity after a certain period. The value represented. For example, the rate of change in relative permittivity is 2% / 5 days means that the relative permittivity after 5 days is 2% larger (deteriorated) than immediately after film formation. Show.
以上のような構成をした本実施形態の炭窒化珪素膜は、加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率という特性を有する。このような特性を有する理由としては、以下の点を挙げることができる。 The silicon carbonitride film of the present embodiment configured as described above has high resistance to hydrolysis and oxidation, and has a characteristic of low dielectric constant. The following points can be cited as reasons for having such characteristics.
まず、本願発明者らは鋭意研究の結果、炭窒化珪素膜の加水分解耐性、酸化耐性が悪化する理由が、Ｓｉ−Ｎ−Ｃ結合およびＮ−Ｃ−Ｎ結合に由来することを突き止めた。
例えば、従来から知られている窒素量が２５％程度の炭窒化珪素膜は、容易に加水分解を起こす。このような窒素含有量が２５％程度の炭窒化珪素膜を１週間大気中に放置した際の、経過時間ごとのフーリエ変換型赤外線吸収分光計（ＦＴ−ＩＲ）スペクトルを図１に示す。
First, as a result of intensive studies, the inventors of the present application have found that the reason why the hydrolysis resistance and oxidation resistance of the silicon carbonitride film deteriorate is derived from the Si—N—C bond and the N—C—N bond.
For example, a conventionally known silicon carbonitride film having a nitrogen content of about 25% easily undergoes hydrolysis. FIG. 1 shows a Fourier transform infrared absorption spectrometer (FT-IR) spectrum for each elapsed time when such a silicon carbonitride film having a nitrogen content of about 25% is left in the atmosphere for one week.
この図１から明らかなように、時間が経つにつれて、Ｓｉ−Ｎ結合由来の９００ｃｍ−１のピークが消えている一方で、Ｓｉ−Ｏに由来するピーク（１０５０ｃｍ−１）が現れている。また、Ｃ＝Ｎ結合に由来するピーク（１７００ｃｍ−１）、Ｏ−Ｈ結合に由来する幅広い吸収バンド（３０００〜３５００ｃｍ−１）も現れている。また、図１から、Ｓｉ−Ｈ結合（ピークが２１００ｃｍ−１）が減少し、Ｃ≡Ｎ結合（ピークが２１００ｃｍ−１）が増加していることが推察される。
以上より、Ｓｉ−Ｎ結合が、時間が経つにつれて分解され、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｃ＝Ｎ結合、Ｃ≡Ｎ結合、Ｏ−Ｈ結合へと変化したことが推測される。
As is clear from FIG. 1, the 900 cm −1 peak derived from the Si—N bond disappears with time, while the peak (1050 cm −1 ) derived from Si—O appears. In addition, a peak derived from C═N bond (1700 cm −1 ) and a broad absorption band derived from O—H bond (3,000 to 3500 cm −1 ) also appear. Further, it can be inferred from FIG. 1 that the Si—H bond (peak is 2100 cm −1 ) is decreased and the C≡N bond (peak is 2100 cm −1 ) is increased.
From the above, it is presumed that the Si—N bond was decomposed with time and changed to a Si—O bond, a C═N bond, a C≡N bond, and an O—H bond.
また、Ｓｉ−Ｎ−Ｃ結合と、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合について、加水分解反応における活性化障壁および反応エネルギーの比較を表１に示す。 Table 1 shows a comparison of the activation barrier and reaction energy in the hydrolysis reaction for the Si—N—C bond and the Si—N—Si bond.
この表１から明らかなように、Ｓｉ−Ｎ−Ｃ結合は、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合よりも加水分解反応の活性化障壁が低く、水分に反応しやすい。
以上からすると、炭窒化珪素膜中のＳｉ−Ｎ−Ｃ結合またはＣ−Ｎ−Ｃ結合が、加水分解され、ＳｉＯＣＨ膜に変質したことが認められる。なお、炭素を含む酸化珪素膜に変化していることから、酸化反応が生じたという見方もあるが、厳密に言えば酸化数は変化していないため、酸化ではない。
As is apparent from Table 1, the Si—N—C bond has a lower activation barrier for the hydrolysis reaction than the Si—N—Si bond, and is likely to react with moisture.
From the above, it can be seen that the Si—N—C bond or C—N—C bond in the silicon carbonitride film was hydrolyzed and transformed into a SiOCH film. Although there is a view that an oxidation reaction has occurred because the film is changed to a silicon oxide film containing carbon, strictly speaking, since the oxidation number has not changed, it is not oxidation.
本実施形態では、上記加水分解耐性が悪化する原因を踏まえて、炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上になるように炭窒化珪素膜を構成した。その結果、炭窒化珪素膜中のＳｉ−Ｎ−Ｃ結合またはＣ−Ｎ−Ｃ結合として存在する窒素原子の量が減り、加水分解耐性、酸化耐性が向上する。 In the present embodiment, in consideration of the cause of the deterioration of the hydrolysis resistance, the amount of nitrogen atoms existing as Si—N—Si bonds in the nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film is in the silicon carbonitride film. The silicon carbonitride film was configured to be 7% or more of the total amount of nitrogen atoms. As a result, the amount of nitrogen atoms present as Si—N—C bonds or C—N—C bonds in the silicon carbonitride film is reduced, and hydrolysis resistance and oxidation resistance are improved.
＜炭窒化珪素膜の成膜方法＞
次に、炭窒化珪素膜の成膜方法について説明する。本実施形態の炭窒化珪素膜の成膜方法は、基本的には、上述した材料からなる第１のガスと第２のガスからなる原料ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法によって成膜する成膜方法であり、成膜する際には、０．１５Ｗ／ｃｍ３以上のパワー密度を印加するようにする。
<Method for Forming Silicon Carbonitride Film>
Next, a method for forming a silicon carbonitride film will be described. The film forming method of the silicon carbonitride film according to the present embodiment is basically a film forming method using a plasma CVD method using the source gas composed of the first gas and the second gas composed of the materials described above. In this method, a power density of 0.15 W / cm 3 or more is applied when forming a film.
具体的な、第１のガスの流量や第２のガスの流量は、用いる材料によって異なるので、炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上となるように適宜設定すればよい。
もっとも、加水分解や酸化に対する耐性をより高くするためには、第２のガスの流量は、原料ガスの流量（第１のガスの流量と第２のガスの流量の合計量）の８０％以下にして成膜することが好ましい。
Specifically, the flow rate of the first gas and the flow rate of the second gas vary depending on the material used. Therefore, the amount of nitrogen atoms existing as Si—N—Si bonds in the nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film. However, what is necessary is just to set suitably so that it may become 7% or more of the quantity of the total nitrogen atom in a silicon carbonitride film | membrane.
However, in order to further increase the resistance to hydrolysis and oxidation, the flow rate of the second gas is 80% or less of the flow rate of the raw material gas (the total amount of the flow rate of the first gas and the flow rate of the second gas). It is preferable to form a film.
なお、第１のガスおよび第２のガスは、常温で気体状であればそのまま用いることができ、液体状のものであれば、ヘリウムなどの不活性ガスを用いたバブリングによる気化、気化器による気化、または加熱による気化によってガス化して用いる。
また、第１のガスを構成する前躯体分子を分解するため、例えばヘリウムなのどの適宜のキャリアガスを、原料ガスと併せて用いて成膜しても構わない。
The first gas and the second gas can be used as they are if they are gaseous at room temperature, and if they are liquid, they are vaporized by bubbling using an inert gas such as helium or by a vaporizer. It is used after being vaporized or vaporized by heating.
Further, in order to decompose the precursor molecules constituting the first gas, the film may be formed using an appropriate carrier gas such as helium in combination with the source gas.
プラズマＣＶＤ法自体は周知のものを用いることができ、例えば図２に示すような平行平板型の成膜装置１などを使用して成膜することができる。
図２に示したプラズマ成膜装置１は、減圧可能なチャンバー２を備え、このチャンバー２は、排気管３、開閉弁４を介して排気ポンプ５に接続されている。また、チャンバー２には、図示しない圧力計が備えられ、チャンバー２内の圧力が測定できるようになっている。チャンバー２内には、相対向する一対の平板状の上部電極６と下部電極７とが設けられている。上部電極６は、高周波電源８に接続され、上部電極６に高周波電流が印加されるようになっている。
As the plasma CVD method itself, a well-known one can be used. For example, the film can be formed using a parallel plate type
The plasma
下部電極７は、基板９を載置する載置台を兼ねており、その内部にはヒーター１０が内蔵され、基板９を加熱できるようになっている。
また、上部電極６には、ガス供給配管１１が接続されている。このガス供給配管１１には、図示しない成膜用ガス供給源が接続され、この成膜用ガス供給装置からの成膜用の原料ガスが供給され、この原料ガスは上部電極６内に形成された複数の貫通孔を通って、下部電極７に向けて拡散しつつ流れ出るようになっている。
The
In addition, a
また、成膜用ガス供給源には、原料ガスを気化する気化装置と、その流量を調整する流量調整弁を備えるとともに、キャリアガスを供給する供給装置が設けられており、これらのガスもガス供給配管１１を流れて、上部電極６からチャンバー２内に流れ出るようになっている。
プラズマ成膜装置のチャンバー２内の下部電極７上に基板９を置き、成膜用ガス供給源から原料ガスをチャンバー２内に送り込む。高周波電源８から高周波電流を上部電極６に印加して、チャンバー２内にプラズマを発生させる。これにより、基板９上に原料ガスから気相化学反応により生成した絶縁膜が形成される。
基板９には、主にシリコンウェーハからなるものが用いられるが、このシリコンウェーハ上にはあらかじめ形成された他の絶縁膜、導電膜、配線構造などが存在していてもよい。
The film forming gas supply source is provided with a vaporizer for vaporizing the raw material gas and a flow rate adjusting valve for adjusting the flow rate, and a supply device for supplying the carrier gas. It flows through the
A
The
プラズマＣＶＤ法としては、平行平板型の他に、ＩＣＰプラズマ、ＥＣＲプラズマ、マグネトロンプラズマ、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマなどを用いることが可能であり、平行平板型装置の下部電極にも高周波を導入する２周波励起プラズマを使用することもできる。 As the plasma CVD method, in addition to the parallel plate type, ICP plasma, ECR plasma, magnetron plasma, high frequency plasma, microwave plasma, capacitively coupled plasma, inductively coupled plasma, etc. can be used. It is also possible to use a two-frequency excitation plasma that introduces a high frequency to the lower electrode.
このプラズマ成膜装置における成膜条件は、以下の範囲が好適であるがこの限りではない。
第１のガスの流量 ：５〜２００ｃｃ／分 （２種以上の場合は合計量である）
第２のガスの流量 ：０〜２００ｃｃ／分 （２種以上の場合は合計量である）
圧力 ：０．２Ｐａ〜５０００Ｐａ
ＲＦパワー ：３０〜２０００Ｗ、好ましくは５０〜７００Ｗ
ＬＦパワー ：０〜１０００Ｗ、好ましくは０〜２００Ｗ
基板温度 ：５００℃以下
反応時間 ：６０秒程度（任意の時間でよい）
成膜厚さ ：５ｎｍ〜８００ｎｍ
The film forming conditions in this plasma film forming apparatus are preferably in the following range, but are not limited thereto.
Flow rate of the first gas: 5 to 200 cc / min (in the case of 2 or more types, the total amount)
Second gas flow rate: 0 to 200 cc / min (in the case of two or more kinds, the total amount)
Pressure: 0.2 Pa to 5000 Pa
RF power: 30 to 2000 W, preferably 50 to 700 W
LF power: 0 to 1000 W, preferably 0 to 200 W
Substrate temperature: 500 ° C. or less Reaction time: about 60 seconds (may be any time)
Deposition thickness: 5 nm to 800 nm
以上のようにして、炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上である炭窒化珪素膜を成膜することができる。 As described above, the amount of nitrogen atoms existing as Si—N—Si bonds in the nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film is 7% or more of the total amount of nitrogen atoms in the silicon carbonitride film. A silicon carbonitride film can be formed.
［第２の実施形態］
次に、本発明を適用した第２の実施形態である炭窒化珪素膜および炭窒化珪素膜の成膜方法について説明する。なお、本実施形態は、第１の実施形態の変形例であり、同様の部分いついては説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a silicon carbonitride film and a silicon carbonitride film forming method according to a second embodiment to which the present invention is applied will be described. In addition, this embodiment is a modification of 1st Embodiment, and abbreviate | omits description about the same part.
本実施形態では、第１の実施形態と異なり、炭窒化珪素膜中の窒素の元素組成比が３０％以上に構成されており、３４％以上であることが好ましく、３５％以上であることがより好ましい。
また、このような炭窒化珪素膜は、第２のガスの流量を、原料ガスの流量の９８％以上にして成膜する。
In the present embodiment, unlike the first embodiment, the elemental composition ratio of nitrogen in the silicon carbonitride film is configured to be 30% or more, preferably 34% or more, and preferably 35% or more. More preferred.
Further, such a silicon carbonitride film is formed by setting the flow rate of the second gas to 98% or more of the flow rate of the source gas.
本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上になるように炭窒化珪素膜が成膜されているので、加水分解耐性、酸化耐性が向上する。 Also in the present embodiment, as in the first embodiment, the amount of nitrogen atoms existing as Si—N—Si bonds in the nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film is equal to the total nitrogen atoms in the silicon carbonitride film. Since the silicon carbonitride film is formed so as to be 7% or more of the amount of hydrolysis, hydrolysis resistance and oxidation resistance are improved.
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
（実施例１）
実施例１では、図２に示すような平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置を使用し、あらかじめ３５０℃程度に過熱したサセプタ上に、８インチ（直径２００ｍｍ）のシリコンウェーハを搬送して炭窒化珪素膜を成膜し、比誘電率、窒素の元素組成比（以下、「膜中窒素量」という。）、炭窒化珪素膜中に含まれる全窒素原子に対するＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量の割合、５日後の比誘電率の変化の割合（以下、「比誘電率の変化の割合」という。）を測定した。結果を表２に示す。
なお、第１のガスを構成する珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子には、表２に記した材料を用いた。なお、ＤｉＢＤＭＳはジイソブチルジメチルシラン、ｉＢＴＭＳはイソブチルトリメチルシラン、ＳＳＮは５−シラスピロ［４，４］ノナンのことを指す。
また、窒素を含有する第２のガスとしてはアンモニアを用い、圧力、パワー密度、原料ガス中のアンモニアが占める割合（ＮＨ３の割合）は、表２に示した条件で行った。
Example 1
In Example 1, a parallel plate type capacitively coupled plasma CVD apparatus as shown in FIG. 2 was used, and an 8-inch (200 mm diameter) silicon wafer was transferred onto a susceptor preheated to about 350 ° C. to carbonitride. A silicon film is formed and exists as a dielectric constant, an elemental composition ratio of nitrogen (hereinafter referred to as “the amount of nitrogen in the film”), and a Si—NH—Si bond to all nitrogen atoms contained in the silicon carbonitride film. The ratio of the amount of nitrogen atoms contained and the ratio of change in relative permittivity after 5 days (hereinafter referred to as “change ratio of relative permittivity”) were measured. The results are shown in Table 2.
For the precursor molecules containing silicon, carbon, and hydrogen constituting the first gas, the materials shown in Table 2 were used. DiBDMS refers to diisobutyldimethylsilane, iBTMS refers to isobutyltrimethylsilane, and SSN refers to 5-silaspiro [4,4] nonane.
Further, ammonia was used as the second gas containing nitrogen, and the pressure, power density, and proportion of ammonia in the source gas (ratio of NH 3 ) were performed under the conditions shown in Table 2.
また、比誘電率は、シリコンウェーハをＳＳＭ社製ＣＶ測定装置上に搬送し、水銀電極を用いて測定し、膜中窒素量および炭窒化珪素膜中に含まれる全窒素原子に対するＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量の割合は、ＦＴ−ＩＲ装置により分析し、フーリエ変換を利用して、窒素量に応じてピークシフトするピークの中心波長、およびＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合により現れるピークの強度分布を調べることによって測定した。 In addition, the relative dielectric constant is measured by using a mercury electrode by transporting a silicon wafer onto a CV measuring device manufactured by SSM, and measuring the amount of nitrogen in the film and Si—NH— relative to all nitrogen atoms contained in the silicon carbonitride film. The ratio of the amount of nitrogen atoms present as Si bonds is analyzed by an FT-IR apparatus, and the center wavelength of the peak that shifts in accordance with the nitrogen amount using the Fourier transform, and the Si—NH—Si bond It was measured by examining the intensity distribution of the peak appearing.
（比較例１）
比較例１でも、実施例１と同様に図２に示すような平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置を用いて炭窒化珪素膜を成膜し、比誘電率、膜中窒素量、比誘電率の変化の割合を測定した。結果を表３に示す。
なお、第１のガスを構成する珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子には、表３に記した材料を用い、窒素を含有する第２のガスとしてはアンモニアを用いた。また、圧力、パワー密度、原料ガス中のアンモニアが占める割合（ＮＨ３の割合）は、表３に示した条件で行った。
(Comparative Example 1)
Also in Comparative Example 1, a silicon carbonitride film was formed using a parallel plate type capacitively coupled plasma CVD apparatus as shown in FIG. 2 as in Example 1, and the relative permittivity, the amount of nitrogen in the film, and the relative permittivity The rate of change of was measured. The results are shown in Table 3.
For the precursor molecules containing silicon, carbon, and hydrogen constituting the first gas, the materials shown in Table 3 were used, and ammonia was used as the second gas containing nitrogen. The pressure, power density, and the proportion of ammonia in the raw material gas (ratio of NH 3 ) were performed under the conditions shown in Table 3.
表２及び表３から、パワー密度が０．１５Ｗ／ｃｍ３以上であり、かつ、原料ガス中のアンモニアが占める割合が８０％以下であると比誘電率の変化の割合が小さくなることが分かる。 From Table 2 and Table 3, it can be seen that when the power density is 0.15 W / cm 3 or more and the ratio of ammonia in the raw material gas is 80% or less, the ratio of change in relative permittivity becomes small. .
次に、実施例１および比較例１によって得られた結果について、横軸を比誘電率、縦軸を膜中窒素量とし、比誘電率の変化の割合について、２％以下のものを○、２％より大きいものを×としてプロットしたものを図３に示す。 Next, for the results obtained in Example 1 and Comparative Example 1, the horizontal axis is the relative dielectric constant, the vertical axis is the amount of nitrogen in the film, and the change rate of the relative dielectric constant is 2% or less. A plot of x greater than 2% is shown in FIG.
図３から、炭窒化珪素膜中の窒素量が１０％以下であれば、比誘電率の変化の割合が小さい、すなわち加水分解しにくいことが分かった。また、膜中窒素量が１０％以上１８％以下の範囲については、加水分解しにくいものと、しやすいものとがあることが分かった。 From FIG. 3, it was found that if the amount of nitrogen in the silicon carbonitride film is 10% or less, the rate of change in relative permittivity is small, that is, it is difficult to hydrolyze. Further, it was found that in the range where the amount of nitrogen in the film is 10% or more and 18% or less, there are some that are difficult to hydrolyze and others that are easy to hydrolyze.
また、実施例１および比較例１によって得られた結果のうち、膜中窒素量が１０％以上２０％以下の範囲にあるものについて、横軸を比誘電率、縦軸を炭窒化珪素膜中に含まれる全窒素原子に対するＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量の割合とし、比誘電率の変化の割合についてプロットしたものを図４に示す。 Of the results obtained in Example 1 and Comparative Example 1, in the case where the amount of nitrogen in the film is in the range of 10% to 20%, the horizontal axis represents the relative dielectric constant, and the vertical axis represents the silicon carbonitride film. FIG. 4 shows a plot of the ratio of the change in relative dielectric constant, with the ratio of the amount of nitrogen atoms present as Si—NH—Si bonds to the total nitrogen atoms contained in.
図４から、炭窒化珪素膜中に含まれる全窒素原子に対するＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量の割合が、７％以上であると、比誘電率の変化の割合が小さくなることが分かる。 From FIG. 4, when the ratio of the amount of nitrogen atoms existing as Si—NH—Si bonds to all nitrogen atoms contained in the silicon carbonitride film is 7% or more, the ratio of the change in relative dielectric constant is It turns out that it becomes small.
また、実施例１および比較例１によって得られた結果について、横軸を膜中窒素量、縦軸を炭窒化珪素膜中に含まれる全窒素原子に対するＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量の割合とし、比誘電率の変化の割合についてプロットしたものを、図５に示す。 In addition, regarding the results obtained in Example 1 and Comparative Example 1, the horizontal axis indicates the amount of nitrogen in the film, and the vertical axis indicates the Si—NH—Si bond for all nitrogen atoms contained in the silicon carbonitride film. FIG. 5 shows a plot of the ratio of the change in relative permittivity as the ratio of the amount of nitrogen atoms.
図５より、炭窒化珪素膜中の窒素量が２０％以下もしくは３０％以上であり、かつ、全窒素原子に対するＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が７％以上であると、比誘電率の変化の割合が小さくなることが分かる。 From FIG. 5, the amount of nitrogen in the silicon carbonitride film is 20% or less, or 30% or more, and the amount of nitrogen atoms existing as Si—NH—Si bonds to all nitrogen atoms is 7% or more. It can be seen that the rate of change of the relative permittivity becomes small.
（実施例２〜６）
実施例２〜６でも、実施例１と同様な図２に示すような平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置を使用して、第１のガスとしてＳＳＮ（５−シラスピロ［４，４］ノナン）を用い、第２のガスとしてアンモニアを用いて炭窒化珪素膜を成膜し、比誘電率および５日後の比誘電率の変化の割合を調べた。結果を図６ないし図１０に示す。
なお、図６ないし図１０は、縦軸をアンモニアの割合、横軸をパワー密度とし、比誘電率が３．５となる条件、および比誘電率の変化の割合が２％となるものをプロットし、それを線でつないだグラフである。それぞれ内側が比誘電率が３．５以下、比誘電率の変化の割合が２％以下となる範囲である。
また、加えた圧力および全流量は下記表４に示した条件によった。
(Examples 2 to 6)
Also in Examples 2 to 6, SSN (5-silaspiro [4,4] nonane) is used as the first gas by using a parallel plate type capacitively coupled plasma CVD apparatus as shown in FIG. A silicon carbonitride film was formed using ammonia as the second gas, and the relative permittivity and the rate of change in relative permittivity after 5 days were examined. The results are shown in FIGS.
6 to 10 are plots where the vertical axis indicates the ratio of ammonia, the horizontal axis indicates the power density, the relative permittivity is 3.5, and the relative permittivity change ratio is 2%. And it is the graph which connected it with the line. The inside is a range in which the relative permittivity is 3.5 or less and the change rate of the relative permittivity is 2% or less.
The applied pressure and the total flow rate were based on the conditions shown in Table 4 below.
図６ないし図１０より、パワー密度が０．１５Ｗ／ｃｍ３以上であると、比誘電率および比誘電率の変化の割合がともに小さいことが分かる。
6 to 10, it can be seen that when the power density is 0.15 W /
（実施例７）
実施例７でも、実施例１と同様な図２に示すような平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置を使用して、炭窒化珪素膜を成膜し、比誘電率、膜中窒素量、炭窒化珪素膜中に含まれる全窒素原子に対するＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量の割合、比誘電率の変化の割合を測定した。結果を表５に示す。
なお、第１のガスを構成する珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子には、表４に記した材料を用い、窒素を含有する第２のガスとしてはアンモニアを用いた。また、圧力、パワー密度、原料ガス中のアンモニアが占める割合（ＮＨ３の割合）は、表５に示した条件で行った。
(Example 7)
Also in Example 7, a silicon carbonitride film was formed using a parallel plate type capacitively coupled plasma CVD apparatus as shown in FIG. 2 as in Example 1, and the relative permittivity, the amount of nitrogen in the film, the carbon The ratio of the amount of nitrogen atoms present as Si—NH—Si bonds to the total nitrogen atoms contained in the silicon nitride film and the ratio of change in relative dielectric constant were measured. The results are shown in Table 5.
For the precursor molecules containing silicon, carbon, and hydrogen constituting the first gas, the materials shown in Table 4 were used, and ammonia was used as the second gas containing nitrogen. The pressure, power density, and the proportion of ammonia in the raw material gas (ratio of NH 3 ) were performed under the conditions shown in Table 5.
表５より、アンモニアの流量を原料ガスの流量の９８％以上にすることで、比誘電率の変化の割合を小さくすることができることが分かる。 From Table 5, it can be seen that the rate of change in relative permittivity can be reduced by setting the flow rate of ammonia to 98% or more of the flow rate of the raw material gas.
１・・・成膜装置、２・・・チャンバー、３・・・排気管、４・・・開閉弁、５・・・排気ポンプ、６・・・上部電極、７・・・下部電極、８・・・高周波電源、９・・・基板、１０・・・ヒーター、１１・・・ガス供給配管
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 A silicon carbonitride film formed by plasma CVD using a source gas consisting of a first gas composed of precursor molecules containing silicon, carbon, and hydrogen and a second gas containing nitrogen. And
The amount of nitrogen atoms present as Si—N—Si bonds among nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film is 7% or more of the total amount of nitrogen atoms in the silicon carbonitride film, A silicon carbonitride film.
前記原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜する際に、０．１５Ｗ／ｃｍ３以上のパワー密度を印加し、
前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量を、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上とすることを特徴とする炭窒化珪素膜の成膜方法。 Formation of a silicon carbonitride film formed by plasma CVD using a source gas composed of a first gas composed of precursor molecules containing silicon, carbon and hydrogen and a second gas containing nitrogen A method,
When forming a film by the plasma CVD method using the source gas, a power density of 0.15 W / cm 3 or more is applied,
The amount of nitrogen atoms existing as Si-N-Si bonds in the nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film is 7% or more of the total amount of nitrogen atoms in the silicon carbonitride film, A method for forming a silicon carbonitride film.
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